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Prefacio:

a asignatura es de carcter terico-prctica. sta,


tiene tiene como fin desarrollar en el estudiante

habilidades de aplicacin de los principios fsicos en la electrnica


de manera que pueda resolver situaciones problemticas bsicas.

Comprende cuatro Unidades de Aprendizaje:

Unidad I

: Estado slido

Unidad II

: Fsica de los semiconductores.

Unidad III

: Dispositivos semiconductores.

Unidad IV

: Dispositivos actuales.

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Estructura de los Contenidos

Estado Slido

Fsica de
Semiconductores

Dispositivos
Semiconductores

Dispositivos
Actuales

Slidos cristalinos

Semiconductores
intrnsecos

Diodos
semiconductores

Cristal lquido

Circuito
rectificador

Circuitos
integrados

Transistores

Fibra ptica

Transistores
unipolares

Nanotecnologa

Teora de las
bandas de energa

Conductores,
semiconductores
y aislantes

Resistores

Semiconductores
dopados tipo P y
tipo N

Unin P- N: El
Diodo

El modelo
matemtico de un
diodo

La competencia que el estudiante debe lograr al final de la


asignatura es:
Comprende y aplica los fundamentos fsicos de los
dispositivos electrnicos de estado slido en circuitos
electrnicos simples.

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ndice del Contenido

I. PREFACIO
II. DESARROLLO DE LOS CONTENIDOS
UNIDAD DE APRENDIZAJE 1: Estado Slido
1. Introduccin
a.
Presentacin y contextualizacin
b.
Competencia
c.
Capacidades
d.
Actitudes
e.
Ideas bsicas y contenido
2. Desarrollo de los temas
a.
Tema 01: Slidos cristalinos
b.
Tema 02: Teora de las bandas de energa
c.
Tema 03: Conductores, semiconductores y aislantes
d.
Tema 04: Resistores
3. Lecturas recomendadas
4. Actividades y ejercicios
5. Autoevaluacin
6. Resumen
UNIDAD DE APRENDIZAJE 2: Fsica de los Semiconductores
1. Introduccin
a.
Presentacin y contextualizacin
b.
Competencia
c.
Capacidades
d.
Actitudes
e.
Ideas bsicas y contenido
2. Desarrollo de los temas
a.
Tema 01: Semiconductores intrnsecos
b.
Tema 02: Semiconductores dopados tipo P y tipo N
c.
Tema 03: Unin P-N: El diodo
d.
Tema 04: El modelo matemtico de un diodo
3. Lecturas recomendadas
4. Actividades y ejercicios
5. Autoevaluacin
6. Resumen
UNIDAD DE APRENDIZAJE 3: Dispositivos Semiconductores
1. Introduccin
a.
Presentacin y contextualizacin
b.
Competencia
c.
Capacidades
d.
Actitudes
e.
Ideas bsicas y contenido
2. Desarrollo de los temas
a.
Tema 01: Diodos semiconductores
b.
Tema 02: Circuito rectificador
c.
Tema 03: Transistores
d.
Tema 04: Transistor unipolares
3. Lecturas recomendadas
4. Actividades y ejercicios
5. Autoevaluacin
6. Resumen
UNIDAD DE APRENDIZAJE 4: Dispositivos Actuales
1. Introduccin
a.
Presentacin y contextualizacin
b.
Competencia
c.
Capacidades
d.
Actitudes
e.
Ideas bsicas y contenido
2. Desarrollo de los temas
a.
Tema 01: Cristal lquido
b.
Tema 02: Circuitos integrados
c.
Tema 03: Fibra ptica
d.
Tema 04: Nanotecnologa
3. Lecturas recomendadas
4. Actividades y ejercicios
5. Autoevaluacin
6. Resumen
III.
GLOSARIO
IV.
FUENTES DE INFORMACIN
V.
SOLUCIONARIO

02
05-152
05 37
06
06
06
06
06
06
06 - 20
07
15
21
27
32
33
34
37
38 75
39
39
39
39
39
39
39 -68
40
48
56
64
69
70
71
75
76 -110
77
77
77
77
77
77
77 - 104
78
86
92
99
105
106
107
110
111 - 147
112
112
112
112
112
112
112 - 140
113
123
129
135
141
142
143
146
147
151
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Introduccin

a) Presentacin y contextualizacin
La extensin a un nivel microscpico de nuestro entendimiento de las propiedades
de los slidos es uno de los logros importantes de la fsica y esto ha dado un gran
impulso a los avances de la tecnologa actual. Por esta razn, el estudio de la
fsica del estado slido es muy importante para comprender la ciencia de los
materiales.
La mayor parte de la investigacin en la teora de la fsica de estado slido se
centra en los cristales slidos, en gran parte porque los materiales cristalinos
tienen a menudo caractersticas elctricas, magnticas, pticas, o mecnicas que
pueden ser explotadas para los propsitos de la ingeniera.

b) Competencia
Utiliza modelos para explicar los principios fsicos de la conduccin elctrica
en los slidos cristalinos.

c) Capacidades
1. Reconoce y modela la estructura de un slido cristalino.
2. Analiza la conduccin elctrica usando la teora de bandas de energa.
3. Clasifica los materiales en conductores, semiconductores y aislantes.
4. Identifica resistores y calcula su resistencia elctrica usando cdigos de
colores

d) Actitudes

Valora los modelos fsicos para comprender los diversos fenmenos fsicos
relacionados con los slidos cristalinos.

Realiza los trabajos con entusiasmo y solidaridad.

e) Presentacin de ideas bsicas y contenido esenciales de la Unidad.


La Unidad de Aprendizaje 1 Estado Slido comprende el desarrollo de los
siguientes temas:
Tema 01: Slidos cristalinos
Tema 02: Teora de las bandas de energa
Tema 03: Conductores, semiconductores y aislantes
Tema 04: Resistores

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Slidos

TEMA 1

Cristalinos
Competencia:
Reconoce y modela la estructura de un
slido cristalino.

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Desarrollo de los Temas

Tema 01: Slidos Cristalinos


Tipos de Slidos
Segn la distribucin espacial de los tomos, molculas o iones, los materiales slidos
pueden ser clasificados en:

Cristalinos: compuestos por

tomos, molculas o iones organizados de una forma

peridica en tres dimensiones. Las posiciones ocupadas siguen una ordenacin que
se repite para grandes distancias atmicas. Figura 1.1.

(a)

(b)

(c)

Figura 1.1. (a) La sal comn o cloruro de sodio un slido cristalino. (b) Visto al
microscopio con una magnificacin de 100 parecen pequeos cubitos. (c)
Modelo del cloruro de sodio, los tomos se organizan en un patrn cbico.

Amorfos:

compuestos por tomos, molculas o iones que no presentan una

ordenacin de largo alcance. Figura 1.2.

(a)

(b)

Figura 1.2. (a) El vidrio, formado por dixido de silicio (SiO2) es un slido
amorfo (b) Modelo del SiO2, los tomos no presentan una ordenacin de largo
alcance.

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Sistema cristalino
Un slido cristalino puede representarse como una red de lneas en tres
dimensiones, llamada retculo espacial. Tal red puede ser descrita a partir de la
repeticin en el espacio de una estructura elemental denominada celda unitaria.
Figura 1.3.

Figura 1.3. (a) Retculo espacial (b) Celda unitaria

En funcin de los parmetros de red, es decir, de las longitudes de los lados a, b y c


del paraleleppedo elemental y de los ngulos que forman, , y se distinguen siete
sistemas cristalinos. Y en funcin de las posibles localizaciones de los tomos en la
celda unitaria se establecen 14 estructuras cristalinas bsicas, denominadas redes de
Bravais, tal como se muestra en la Tabla 1.1.

Estrucutra del enlaces de los tomos de silicio, cada tomos se enlaza con otros
cuatro. En la red reticular, la celda unitaria es una celda cbica con tomos en las
caras.

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Tabla 1.1. Estructuras cristalinas bsicas o redes de Bravais

Sistema cristalino

Redes de Bravais

Triclnico

Monoclnico

Ortorrmbico

Tetragonal

Rombodrico
(trigonal)

Hexagonal

Cbico

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Estructura electrnica de los slidos cristalinos
Podemos preguntarnos, a qu obedecen las diferencias de comportamiento
elctrico entre unos materiales y otros. Como la mayor parte de las propiedades de
los slidos cristalinos, estas diferencias se deben a los diferentes elementos
qumicos que conforman el material y de los enlaces electrnicos que existen entre
los tomos. As pues, realicemos un repaso de los aspectos ms esenciales que
determinan la estructura electrnica de enlace entre los tomos.
Analicemos primero la estructura electrnica de un solo tomo. La mecnica
cuntica nos dice que los electrones de los tomos se mueven alrededor del
ncleo atmico, en determinados orbitales, que slo pueden tomar ciertos valores
de energa bien definidos. El clculo de la energa asociada a los orbitales es en
general complejo, y slo es posible llevarlo a cabo en forma exacta para el tomo
de hidrgeno, formado por un protn y un electrn. En este caso, considerando el
ncleo en reposo, la energa del electrn est dado por:

(1)

Donde
E = energa medida en electronvoltios (eV).
n = 1, 2, 3, = nmero cuntico principal.
El electronvoltio (eV)
Los electrones ocupan niveles de energa de valores muy pequeos
comparados con los valores de energa al cual estamos acostumbrados
macroscpicamente. Es conveniente definir una unidad de energa pequea,
est unidad es el electronvoltio (eV). La equivalencia entre electronvoltio (eV)
y joule (J) es:
1eV 1,6 10-19J

El nivel de energa ms bajo (n =1) la energa vale 13,6 eV. Este nivel se denomina
estado fundamental del tomo de hidrgeno. El signo negativo indica que se trata de
energa de enlace. Esto tambin significa que la energa necesaria para sacar el

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electrn desde el estado fundamental hasta una distancia fuera de la influencia del
ncleo, es 13,6 eV, conocida como energa de ionizacin.
El electrn puede ocupar tambin otros estados de mayor energa (con n > 1),
denominados estados excitados, cuando recibe energa suficiente mediante algn
proceso de excitacin (trmica, luminosa, etc.).
Los tomos con mayores nmeros de electrones tienen tambin una estructura de
niveles energticos similar a los del hidrgeno, aunque estn distribuidos y ordenados
de manera ms compleja, ya que el valor de la energa no solo depende del nmero
cuntico principal n sino tambin de otros nmeros cunticos Figura 1.4.

Figura 1.4. Esquema de los niveles de energa que pueden ocupar los electrones en
un tomo. El valor de la energa de estos niveles no solo depende del nmero
cuntico n y si no de otros nmero cunticos. En un tomo los electrones se
distribuyen en orbitales de menor a mayor energa.

Principio de exclusin de Pauli


En un nivel de energa pueden haber como mximo dos electrones

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La energa de Fermi
En un tomo con muchos electrones, a la temperatura T = 0K, los electrones
ocuparn los niveles de energa compatibles con el principio de exclusin de Pauli.
As, si tenemos una concentracin de N electrones por centmetro cbico, los
niveles de energa se irn ocupando de dos en dos y los N electrones llenara N/2
niveles de energa. La energa del ltimo nivel lleno o semilleno, a T = 0 K se llama
energa de Fermi, EF, Figura 1.5.

Niveles de energa

EF

Figura 1.5. Esquema de niveles de energa. La energa de Fermi


(EF) corresponde a la energa del ltimo nivel de energa ocupado
por uno o dos electrones.

La energa de Fermi depende de la concentracin de

electrones, es decir del

nmero de electrones por unidad de volumen, y est dado por la ecuacin:

= (,

) ()/

(2)

Donde
EF= energa de Fermi (en eV)
N = concentracin de electrones por unidad de volumen (1/cm3)

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En la Tabla 1.2, se muestra la energa de Fermi para algunos elementos.


Tabla 1.2. Concentracin de los electrones libres y energas de Fermi para
diversos elementos

Elemento

(N)

Energa de Fermi

(electrones/cm3)

(eV)

Al

Aluminio

18,11022

11,7

Ag

Plata

5,861022

5,50

Au

Oro

5,901022

5.53

Cu

Cobre

8,471022

7.04

Fe

Hierro

17,01022

11,2

Na

Sodio

2,651022

3,24

Referencia: Fsica para la ciencia y la tecnologa. Volumen 2. Paul a Tipler.2003.

Determinar la energa de Fermi del aluminio a T = 0K.

1. La energa de fermi viene dada por la ecuacin:

EJEMPLO 1

= (,

) ()/

2. Reemplazamos la concentracin de electrones, dada en la tabla 2.

= (, ) (18,1 1022 )/ = ,

Hazlo t
Verifica que la energa de Fermi para el sodio es 3,24 eV

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TEMA 2
Teora
de las
Bandas de
Energa
Competencia:
Analiza la conduccin elctrica usando la teora
de bandas de energa.

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Tema 02: Teora de las Bandas de Energa


Las Bandas de Energa
Cuando se trata de molculas formadas por dos o ms tomos, los electrones
ubicados en niveles de energa mayores (electrones de las capas ms externas)
participan en el enlace entre los tomos, mientras que el resto de los electrones
siguen muy ligados a sus ncleos respectivos.
La interaccin entre los tomos da lugar a desdoblamientos de los niveles de energa
originales de los electrones. As por ejemplo, si dos tomos se enlazan cada nivel de
energa se desdobla en dos niveles de energa ligeramente diferentes. Si tres tomos
se enlazan cada nivel de energa se divide en tres niveles de energa
ligeramente distintos. Si tenemos N tomos idnticos se enlazan, un
nivel particular de energa de un tomo se divide en N niveles
energticos distintos, pero muy prximos, Figura 2.1. En un slido
macroscpico, N es un nmero muy grande del orden 1023 de
modo que cada nivel energtico se divide en un nmero muy grande

Energa

de niveles, que forman una banda de energa

Nivel 2
Bandas de energa permitidas
Nivel 1

Separacin entre tomos

Figura 2.1. Divisin energtica de dos niveles de energa para seis tomos enlazados,
en funcin de la separacin de los tomos.

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Para comprender la conduccin elctrica de los materiales, estas bandas de
energa se dividen en tres bandas, Figura 2.2, que son:

La banda de valencia: est ocupada por los electrones de


valencia de los tomos, es decir, aquellos electrones que se encuentran
en la ltima capa o nivel energtico de los tomos. Los electrones de
valencia son los que forman los enlaces entre los tomos, pero no
intervienen en la conduccin elctrica.

La banda de conduccin: est ocupada por los electrones libres, es decir,


aquellos que se han desligado de sus tomos y pueden moverse fcilmente. Estos
electrones son los responsables de conducir la corriente elctrica.
En consecuencia, para que un material sea buen conductor de la corriente elctrica
debe tener electrones en la banda de conduccin. Cuando la banda de conduccin
est vaca, el material se comportar como un aislante.

Entre la banda de valencia y la de conduccin existe una zona denominada banda


prohibida o gap, que separa ambas bandas y en la cual no pueden encontrarse los
electrones.
Energa
Banda de conduccin
-0,01eV
-0,02eV
-0,03eV
EC= -0,04eV
Banda de prohibida

Eg =1,10eV
EV=-1,14eV
EC -1,15eV
-1,22eV
-1,28eV

Figura 2.2. Esquema de las bandas de energa de un slido cristalino. El nivel de


mayor energa en la banda de valencia es EV= -1,14 eV. El nivel de menor energa en
la banda de conduccin es EC = -0,04eV. El ancho de la banda prohibida es Eg = EC
EV = 1,10eV.

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La funcin de probabilidad de Fermi-Dirac
El movimiento de los electrones dentro de la banda de conduccin y de valencia
se realiza con un intercambio de energa entre ellos. Como resultado de este
intercambio de energa, el conjunto de electrones en cada una de las bandas de
energa se distribuye entre los distintos niveles de energa. Sin embargo esta
distribucin no es uniforme, hay determinadas zonas o intervalos de energa
donde la concentracin de electrones puede ser mayor o menor.
La probabilidad de que los niveles de energa de una banda estn
ocupados por un electrn est regida por la estadstica de FermiDirac. Esta estadstica se aplica, considerando el principio de exclusin
de Pauli, el cual afirma que en un nivel de energa no puede
haber ms de dos electrones.

La probabilidad de encontrar un nivel de energa E ocupado


por electrones est dado por la funcin F(E):

() =

()

(3)

Donde

EF =

Constante denominada energa de Fermi (en electronvoltio, eV).

k =

8,6210-5eV/K = constante de Boltzmann.

T=

Temperatura (en kelvin, K).

La funcin de probabilidad F(E) est comprendido entre cero


(estado vacante o hueco) y la unidad (estado ocupado). A la
temperatura T = 0K, para niveles de energa E < EF, F(E) = 1y
para niveles de energa E > EF, F(E) = 0. Esto significa que a la
temperatura T = 0K, para niveles de energa inferiores a la energa
de Fermi, la probabilidad de encontrar niveles ocupados es del

100% y para niveles energas superiores a la energa de Fermi, la


probabilidad es de 0%, ver Figura 2.3.

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Figura 2.3. Cuando la temperatura T = 0K, la probabilidad de encontrar niveles de


energas ocupados debajo de la energa de Fermi (EF) es del 100% y para niveles de
energa superiores a la energa de fermi, la probabilidad es nula, 0%.

Para temperaturas mayores que cero, T > 0K, la probabilidad de encontrar niveles de
energa ocupados, inferiores a la energa de Fermi es mayor al 50% y la probabilidad
de encontrar niveles de energa ocupados, superiores a la energa de Fermi es
menor al 50%, ver Figura 2.4.

Figura 2.4. Para temperaturas mayores que el cero absoluto, T > 0 K, la probabilidad
de encontrar niveles de energas ocupados inferiores a la energa de Fermi es ms
del 50%.

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Determinar la probabilidad de que un nivel de energa en el cobre E = 7,14


eV, este ocupado a T = 300K.

EJEMPLO 2

1. Calculamos el exponente, considerando que EF= 7,04 (ver tabla 1.2):

(, ) (, )

=
= ,
(, /)()

2. Utilizamos este resultado para calcular la probabilidad de Fermi:

= , = , %
+ ,

Hazlo t
Verifica que la probabilidad de encontrar ocupado el nivel de mxima
energa de la banda de valencia EV = - 0,64 eV, es del 97%.

Conduccin en Metales
A la temperatura T = 0K, segn la estadstica de Fermi, todos los niveles de
energa por debajo de la energa de Fermi estn llenos de electrones, mientras
que los niveles de energa superiores a la energa de Fermi estn vacos, Figura
2.3. Por ejemplo, en el caso del cobre a la temperatura de 0K, la energa de Fermi
EF = 7,04 eV y la energa de la banda de prohibida es Eg = 0, por lo tanto todos los
niveles de energa menores a 7,04 eV estn llenos.

A temperaturas superiores a 0K, algunos electrones adquieren energa


trmica y pasa a niveles superiores a la energa de Fermi, pero estos
no son los suficientes para producir una corriente elctrica. Pero si
se aplica voltaje al metal, los electrones que se encuentran en los
niveles prximos a la energa de Fermi, pueden pasar a
niveles superiores de energa, donde los electrones son
libres de moverse.

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Conductores,

TEMA 3

Semiconductores

Aislantes
Competencia:
Clasifica los materiales
semiconductores y aislantes.

en

conductores,

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Tema 03: Conductores, Semiconductores y


Aislantes
La estructura de bandas de un material permite explicar su capacidad
para conducir o no la corriente elctrica. Segn esto podemos distinguir
a los materiales en conductores, semiconductores y aislantes.

Conductores
En los materiales conductores, las bandas de valencia y conduccin se
encuentran muy prximas y en muchos casos se solapan. La banda de
conduccin est ocupada por electrones libres, desligados de sus tomos, que
pueden moverse fcilmente y pasar de unos tomos a otros. Este tipo de
estructura de bandas corresponde a materiales que pueden conducir la corriente
elctrica Figura 3.1.

Energa

Banda de conduccin

Banda de valencia

Figura 3.1. Los metales son buenos conductores, la banda de conduccin y la


banda de valencia se encuentran muy prximas y en muchos casos se solapan. La
banda de conduccin

tiene muchos electrones libres capaces de moverse al

conectar el metal a pequeos voltajes.

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Figura 3.2. En 1mg de litio hay aproximadamente 1020 tomos y los niveles de
energa disponibles son tanto que parecen una banda continua.

Semiconductores
Los materiales semiconductores, las bandas de valencia y conduccin estn
prximas, separadas por una banda prohibida muy estrecha, Tabla 3.1. Esta
situacin permite que, si se comunica una pequea cantidad de energa al
material, algunos electrones de la banda de valencia puedan saltar a la banda
de conduccin. Al tener ocupada la banda de conduccin, el material se
comportar como conductor.

Energa
Banda de conduccin
EC
Eg

Banda prohibida
EV EV

Banda de valencia

Figura 3.3. Esquema de banda de energa un


material semiconductor.

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Tabla 3.1. Valores del ancho de la banda prohibidos para algunos


semiconductores
Slido
cristalino

Eg ( eV)

0K

300K

Si

1,17

1,14

Ge

0,74

0,67

InP

1,42

1,35

GaAs

1,52

1,43

Referencia: Introduction to Solid State Physics, 6 Ed., John Wiley


and sons, Inc., 1986

(a)

(b)

Figura 10. (a) Aspecto del silicio metalrgico (b) Barras de silicio semiconductor
de 99,99% de pureza

Aislantes
En los materiales aislantes la banda de conduccin se encuentra vaca, pues no hay
electrones libres, de modo que no pueden conducir la corriente elctrica. La banda que
est ocupada en este caso es la banda de valencia, pero estos electrones no pueden
moverse libremente. En un aislante la banda prohibida es muy grande y esto significa
que un electrn en la banda de valencia necesita mucha energa para pasar a la
banda de conduccin y convertirse en un electrn libre, necesario para la conduccin.

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La distribucin de Fermi Dirac predice que la probabilidad de encontrar electrones en
la banda de conduccin es aproximadamente nula, y a temperaturas mayores a 0K
muy pocos electrones se excitarn hacia la banda de conduccin, Figura 3.4.
Energa
Banda de conduccin

Eg ~ 10 eV

Banda prohibida

Banda de valencia

Figura 3.4. Esquema de banda de energa un material aislante. El ancho de la


energa de la banda prohibida es muy grande del orden de ~10 eV.

El diamante presenta un ancho de banda, Eg = 6 eV, el cual significa que los electrones
de valencia requieren de mucha energa para pasar a la banda de conduccin, por lo
tanto el diamante es un aislante.

Figura

3.5.

Diamantes

usados

en

muchas

adiamantadas.

El

diamante

es

un

material

aislante,

cuya
prohibida

artificiales

herramientas

banda
es

de

aproximadamente 6
eV.

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Figura

3.6.

conductores
circuitos

Los
en

estn

cables
muchos

protegidos

por aislantes que soportan


altas temperaturas.

Aunque un aislante posee muchos niveles de energas vacantes en la banda de


conduccin que pueden aceptar electrones, hay tan pocos electrones que
realmente que la contribucin a la conductividad elctrica es muy pequea, lo que
resulta una elevada resistividad para los aislantes.

Los slidos cristalinos pueden clasificarse en conductores, semiconductores y


aislantes de acuerdo a su resistividad elctrica (), que se mide en ohmio- metro
( m). Los metales que son buenos conductores tienen resistividades muy
pequeas menores a 10-5 m, los semiconductores tienen resistividades
comprendidas entre

10-6 m y 103 m y los aislantes tienen resistividades muy

altas, superiores a 103 m, Figura 3.5.


Figura 3.5. Conductores, semiconductores y aislantes.

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TEMA 4

Resistores
Competencia:
Identifica resistores y calcula su resistencia
elctrica usando cdigos de colores.

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Tema 04: Resistores


Se denomina resistor al componente electrnico diseado para introducir una
resistencia elctrica determinada entre dos puntos de un circuito.

Los resistores

usados en circuitos electrnicos estn hechos en su mayora de carbn pulverizado y


un aglomerante. La intensidad de corriente mxima en un resistor viene condicionada
por la mxima potencia que puede disipar. Esta potencia se puede identificar
visualmente a partir del dimetro sin que sea necesaria otra indicacin. Los valores
ms comunes son 0,25 W, 0,5 W y 1 W.

Figura 4.1. Diferentes resistores usados en electrnica. Las bandas de color indican su
valor y tolerancia.

La resistencia se mide en ohmio (). Para valores muy grandes


se suele utilizar mltiplos como: el kilo-Ohmio (1k=103 ) y el
Mega-Ohmio (1M =106 ).

Los resistores de potencia pequea, menores de 2 W, llevan


grabadas unas bandas de color que permiten identificar el valor
de la resistencia que stas poseen y para los resistores de
potencia mayor generalmente llevan su valor impreso con
nmeros sobre su cuerpo.

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Como leer el valor de la resistencia elctrica de un resistor con bandas de


colores
En los resistores con 4 bandas de colores

La primera banda representa el dgito de las


decenas.

La segunda banda representa el dgito de


las unidades.

La tercera banda representa a un


multiplicador

La cuarta banda representa la tolerancia o el


rango.

En la figura se muestra un resistor de


carbono con 4 bandas de colores. Vamos a
determinar el valor de la resistencia
decodificando los valores de cada banda de
color.

EJEMPLO 3

Anotamos los valores de cada banda de color, dadas en la Tabla 4.1:


Banda 1 = Marrn = 1
Banda 2 = Negro = 0
Banda 3 = Amarillo = x 10 000
Banda 4 = Dorado = Tolerancia =10%
Expresamos el valor de la resistencia:
R = 10 x 10 000 10% =100 k 10%
R = (100 10) k
El valor de la resistencia est comprendido entre 90 k y 110 k.

29

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Para resistores de precisin de 5 bandas de colores el procedimiento es


similar, ver el ejemplo 4.
En la figura se muestra un resistor de carbono con 5 bandas de colores.
Vamos a determinar el valor de la resistencia usando el cdigo de
colores, mostrados en la Tabla 4.1.

Anotamos los valores de cada banda de color, dadas en la Tabla 3:


Banda 1 = Marrn = 1
Banda 2 = Negro = 0
Banda 3 = Negro = 0

EJEMPLO 4

Banda 4 = Amarillo = x 10 000


Banda 5 = Rojo = Tolerancia =2%
Expresamos el valor de la resistencia:
R = 100 x 10 000 2% =1000 k 2%
R = (1000 20) k
El valor de la resistencia est comprendido entre 980 k y 1020 k.

Hazlo t
En la figura se muestra una parte de un
circuito impreso. Usando el cdigo de colores
de la tabla 4.
a) Deducir las bandas de color que deber
tener R2 = 330 , con una tolerancia de
5%.
b) Verificar que la resistencia R3 = 100.

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Tabla 4.1. Cdigo de colores en las resistencias


COLORES

Banda 1

Banda 2

Multiplicador

Plateado

------

------

x 0,01

10 %

Dorado

------

-------

x 0,1

5%

Negro

x1

-------

Marrn

x 10

1%

Rojo

x 100

2%

Naranja

x 1 000

------

Amarillo

x 10 000

-------

Verde

x 100 000

0,5%

Azul

x 1 000 000

-------

Violeta

x 10 000 000

--------

Gris

x 100000000

--------

Blanco

x 1 000 000 000

-------

Ninguno

----

-----

-------

Tolerancia

20 %

Los Potencimetros o Resistores Variables


Los

potenciometros

resistores

de

son

resistencia

variable,

se

graduar

la

resistencia

modificar

la

intensidad

de

corriente.

La

utilizan

perilla

para

del

volumen en las radios es un


potencimetro.

Potencimetro:
R = 100, P = 2W y 20%
de tolerancia.

Potencimetro = 500k,
P = 0,25 W y 20% de
tolerancia.

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Lecturas Recomendadas

VDEO: SLIDOS CRISTALINOS EN:


http://www.youtube.com/watch?v=zGiHAh-7VHc

VDEO: RESISTORES EN:


http://www.youtube.com/watch?v=Xe0PSiBHEZc
http://www.youtube.com/watch?v=As-Z2uszUp8

LECTURA: ESTRUCTURAS CRISTALINA


http://www.fis.puc.cl/~jmejia/docencia/solidos/cap1a.pdf
http://www.fis.puc.cl/~jmejia/docencia/solidos/cap1b.pdf
http://www.fis.puc.cl/~jmejia/docencia/solidos/cap1c.pdf

Actividades y Ejercicios
1. Ingresa al siguiente link: SLIDOS CRISTALINOS lee atentamente las
indicaciones, desarrllalo y envalo por el mismo medio:

Investiga en el Internet sobre los siguientes elementos,


describe su estructura cristalina, propiedades y
aplicaciones:
a) Silicio
b) Germanio
c) Galio
Elabora una presentacin tipo infografa (informacin solo con imgenes de la web,
con su debida leyenda) usando Power Point, publica tu presentacin en:
www.slideshare.net

Enva la direccin de tu publicacin a tu profesor.

Importante: En tus presentaciones, haz referencia a la fuente de informacin de dnde


has obtenido las imgenes. Esto demostrar que has realizado una buena investigacin.

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2. Ingresa al siguiente link: TEORA DE BANDAS lee atentamente las indicaciones,


desarrllalo y envalo por el mismo medio:

En los siguientes links, descarga la informacin y observa los ejemplos de cmo los
electrones se distribuyen en niveles de energa.
http://www.genealog.cl/cursos/id42a/02-2TeoriaBandas.PDF

http://www2.uca.es/grupinvest/instrument_electro/Ramiro/docencia_archivos/Bandas.PDF

Busca informacin sobre el silicio, el boro y el fsforo, luego realiza un esquema o


dibujo (puedes usar Patn) e indica cmo se distribuyen sus electrones cuando estos
tomos estn solos. Enva tu dibujo a tu profesor en formato jpg, jpeg o png.

3. Ingresa al siguiente link: RESISTORES lee atentamente las indicaciones,


desarrllalo y envalo por el mismo medio:

Visita el siguiente link, y observa las bandas de colores para diferentes valores de
resistencias.
http://www.pablin.com.ar/electron/trucos/resistor/resistor.htm

Luego, completa la siguiente tabla:


Cdigo de colores

Valor de resistencia

1. Negro, Marrn, Rojo, Plateado


2. Rojo, Azul, Negro, Dorado
3. Verde, Amarillo, Rojo, Plateado

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Autoevaluacin
1)

El nmero de estructuras cristalinas bsicas o redes de Bravais de los slidos


cristalinos son:

a. Uno
b. Tres
c. Cinco
d. Siete
e. Trece

2)

En el tomo del hidrgeno, la energa (en eV) que corresponde al nmero cuntico
n = 3 es:

a. - 13,6
b. - 3,40
c. - 4,53
d. - 1,51
e. - 0,51

3)

La energa de Fermi que corresponde al estao (Sn), cuyo concentracin de


electrones 14,81022 cm-3, entonces la energa de Fermi (en eV) que le corresponde
aproximadamente es:
a. 10,2
b. 12,3
c. 13,4
d. 23,5
e. 25,5

4)

En un slido los electrones estn ubicados en niveles de energas que forman


bandas de energas continuas que ordenadas de menor a mayor son:
a. Banda de valencia, banda de conduccin, banda prohibida
b. Banda de conduccin, banda prohibida, banda de valencia
c. Banda de valencia, banda prohibida, banda de conduccin
d. Banda prohibida, banda de valencia, banda de conduccin
e. Banda prohibida, banda de conduccin, banda de valencia.

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5)

Use la siguiente ecuacin:

() =

()

Para calcular la probabilidad de que un nivel de energa en el aluminio E = 11,5 eV,


est ocupado a T = 300K. La energa de Fermi del aluminio es 11,6 eV.

= , /
a. 98%
b. 92%
c. 90%
d. 20%
e. 2%
6)

Indique verdadero (V) o falso (F) sobre las siguientes afirmaciones:


I.

En los conductores el ancho de la energa de la banda prohibida es nula.

II.

Si la energa de la banda , de menor energa, en la banda de conduccin, es 0,1eV y la energa de la banda, de mayor energa, en la banda de valencia, es 1,2 eV, entonces el ancho de la banda prohibida es 1,3eV

III.

En los aislantes, los niveles de energa de la banda de conduccin y la banda de


valencia se solapan.

a. VVV
b. FFF
c. FVF
d. VFV
e. VFF
7)

De los siguientes elementos, Zinc, Galio, Silicio, Germanio, Carbono, Titanio,


Cadmio, el nmero de materiales semiconductores son:

a. 1
b. 2
c. 3
d. 4
e. 5

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8)

De los siguientes valores del ancho de banda prohibida (Eg), el que mejor
corresponde a los materiales aislantes es:

a. 12,2eV
b. 1,42 eV
c. 1,17 eV
d. 0,74eV
e. 0,13 eV

9)

Si en un resistor se observa las siguientes bandas de colores, rojo, negro, rojo y


dorado, teniendo en cuenta los cdigos de colores, el valor de la resistencia es:
a. (1000 50)
b. (2000 100)
c. (20000 100)
d. (2000 10)
e. (200 1)

10) Se desea comprar una resistencia 520 con una tolerancia 0,5%, las bandas de
colores que debe tener son:

a. Verde, Rojo, Marrn, Dorado


b.

Rojo, Rojo, Marrn, Plateado

c.

Verde, Rojo, Marrn, Rojo

d.

Verde, Rojo, Marrn, Verde

e.

Rojo, Verde, Marrn, Verde

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Resumen

UNIDAD DE APRENDIZAJE I:
Un slido cristalino es aqul que tiene una estructura peridica y ordenada, como
consecuencia tienen una forma que no cambia, salvo por la accin de fuerzas externas.
Cuando se aumenta la temperatura, los slidos se funden y cambian al estado lquido. Las
molculas ya no permanecen en posiciones fijas, aunque las interacciones entre ellas
siguen siendo suficientemente grandes para que el lquido pueda cambiar de forma sin
cambiar apreciablemente de volumen, adaptndose al recipiente que lo contiene.
El Slido cristalino est compuesto por tomos, molculas o iones organizados de una
forma peridica en tres dimensiones.
La Estructura bsica esta formada de tomos organizados que se repite en el espacio.
Existen 14 estructuras bsicas conocidas como redes de Bravais.

Energa del electrn en el tomo de hidrgeno (E):


=

13,6
; = 1,2,3,
2

Energa de Fermi (EF).- Energa del ltimo nivel lleno o semilleno, a T = 0K. Depende de la
concentracin de electrones (N).
= (0,365 1014

) ()2/3
3

Las bandas de energa tienen un conjunto de niveles de energa muy juntos que se forma
por los enlaces de varios tomos. En un slido cristalino se distinguen tres bandas: banda
de valencia, banda de conduccin y banda prohibida.
La funcin de probabilidad de Fermi-Dirac.-Funcin que indica la probabilidad de encontrar
un electrn en algn nivel de las bandas de conduccin o de valencia, en funcin de la
temperatura.
() =

+ ()

Los conductores son slidos donde la banda de conduccin se solapa con la de valencia.
No hay banda prohibida, los electrones pasan fcilmente de la banda de valencia a la banda
de conduccin. A diferencia, los semiconductores son slidos donde la banda de
conduccin est cerca de la banda valencia. La banda prohibida tiene un ancho pequeo,
los electrones pueden pasar de la banda de valencia a la banda de conduccin y volverse
un buen conductor. Los aislantes son slidos donde el ancho de la banda prohibida es
grade, ~10eV, no hay electrones en la banda de conduccin y por eso son malos
conductores.
Los resistores son un componente electrnico diseado para introducir una resistencia
elctrica determinada entre dos puntos de un circuito. En el propio argot elctrico y
electrnico, son conocidos simplemente como resistencias. En otros casos, como en las
planchas, calentadores, etc., se emplean resistencias para producir calor aprovechando el
efecto Joule, la finalidad es modificar la intensidad de corriente en un circuito. Los
resistores con bandas de colores, indican el valor de su resistencia a travs de un cdigo
de colores.

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Introduccin

a) Presentacin y contextualizacin
Los semiconductores tienen aplicaciones importantsimas, por el hecho que su
conductividad puede ser cambiada drsticamente por la adicin de cantidades muy
pequeas de impurezas en los materiales semiconductores como el silicio. Los
diodos, transistores y otros dispositivos basados en semiconductores han
revolucionado totalmente la industria electrnica. Gracias a los semiconductores
fue posible reducir enormemente el tamao de los dispositivos electrnicos.

b) Competencia
Utiliza la teora de las bandas de energa para comprender los procesos de
conduccin en materiales semiconductores.

c) Capacidades
1.

Identifica y analiza los procesos de conduccin en semiconductores


intrnsecos.

2.

Analiza y describe los procesos de conduccin en semiconductores dopados.

3.

Analiza y clasifica los procesos de conduccin a travs de una unin P-N.

4.

Analiza la intensidad de corriente de un diodo en funcin del voltaje aplicado.

d) Actitudes

Valora a los materiales semiconductores como la base de los circuitos


electrnicos en la actualidad.

Actitud emprendedora y crtica para el desarrollo de los trabajos.

e) Presentacin de ideas bsicas y contenido esenciales de la Unidad.


La Unidad de Aprendizaje 2: Fsica de los Semiconductores comprende el
desarrollo de los siguientes temas:
Tema 01: Semiconductores intrnsecos
Tema 02: Semiconductores dopados tipo P y tipo N
Tema 03: Unin P-N: el diodo
Tema 04: El Modelo matemtico de un diodo

39

TEMA 1

Semiconductores

Intrnsecos
Competencia:
Identifica y Analiza los procesos de conduccin
en semiconductores intrnsecos

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Desarrollo de los Temas

Tema 01: Semiconductores Intrnsecos


Semiconductores intrnsecos
Los principales materiales que presentan propiedades semiconductoras
son elementos simples, como el silicio (Si) y el germanio (Ge).

Estos elementos son tetravalentes, es decir, tienen cuatro electrones de valencia, y


forman enlaces covalentes en los que comparten estos electrones con los tomos
vecinos. La banda prohibida que separa la banda de valencia y la de conduccin en
estos elementos es muy pequea, por lo que si se aporta una pequea cantidad de
energa (con calor, luz o aplicando un voltaje) los electrones de la banda de valencia
pasan a la banda de conduccin y el material podr conducir la corriente elctrica.
Este tipo de conduccin se denomina conduccin intrnseca y es necesario aportar
energa al semiconductor para que se produzca.
Figura 1.1. En silicio (Si) cada
tomo est unido a otros cuatro
tomos
electrones

compartiendo
de

sus

valencia.

Al

aplicarle energa externa, ya sea


de calor o de luz, es posible
liberar electrones hacia la banda
de conduccin, los cuales pueden
producir una corriente elctrica.

Aunque los primeros componentes electrnicos se fabricaron con germanio, en la


actualidad el semiconductor ms utilizado es el silicio, debido a sus mejores
caractersticas y a su capacidad para soportar mejor altas temperaturas. En los
ltimos aos, el desarrollo de la electrnica ha llevado a la obtencin de
materiales compuestos con propiedades semiconductoras, como el
arseniuro de galio (GaAs) o el fosfuro de indio (InP). No obstante, su uso
es limitado, y el silicio es el semiconductor ms importante.

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Portadores de carga: los huecos


Como hemos visto, la excitacin de un electrn a la banda de conduccin implica
la ruptura de un enlace en algn punto del slido cristalino, donde a su vez se
origina un estado vacante que representa la ausencia de un electrn, lo cual
equivale a una carga positiva de magnitud igual a la del electrn. Este estado
vacante puede considerarse como un hueco positivo, el cual posee movilidad
en el interior del slido. De manera grfica, la movilidad de los huecos se explica
si se tiene en cuenta que los electrones que se encuentran en enlaces prximos
saltan a este hueco, dejando a tras un nuevo hueco. Este proceso da lugar a un
desplazamiento del hueco en sentido opuesto al electrn que efecta el salto.

Esta caracterstica de los estados vacantes, denominados tambin huecos, permite


considerarlos como partculas inmersas en un mar de electrones de enlace dentro
de la banda de valencia. A la temperatura ambiente, solamente un electrn de cada
1012 de la banda de valencia, en el caso del silicio, rompe su enlace de excitacin
trmica para pasar a la banda de conduccin, dejando el correspondiente estado
vacante.

A partir de estos hechos se desprende la importancia del hueco como entidad, con un
comportamiento similar al de los electrones que se mueven en la banda de
conduccin. Tal es as que, desde el punto de vista cuantitativo, el hueco puede
considerarse como una partcula que posee carga igual a la del electrn pero de signo
positivo. Debido a ello, los huecos pueden moverse por la accin de un campo
elctrico externo. Incluso es posible asociar a los huecos una masa, denominada
masa efectiva. Estas caractersticas hacen que tanto los huecos como los electrones
de un semiconductor intrnseco sean denominados indistintamente portadores de
carga o portadores intrnsecos.
Electrn
Figura

1.2.

vacante

de

El
un

estado
electrn

puede considerarse como


un hueco positivo, el cual
Hueco
Banda de valerncia

El hueco se mueve

tiene movilidad, contrario al


movimiento

de

los

electrones.

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Esquema de bandas de energa de un semiconductor


En el esquema de bandas de energa, la escala vertical representa la energa total, E,
de los niveles electrnicos en la banda de valencia o de conduccin. En este
esquema, el valor Eg corresponde a la energa de la banda prohibida Figura3.

A modo de ilustracin, en la Figura 1.3 se muestra un esquema de bandas de energa,


de un material semiconductor, donde la banda de energa prohibida tiene un valor Eg =
1,10 eV. Si un electrn de la banda de valencia, se excita, y por ejemplo absorbe1,10
eV, este saltar al primer nivel de la banda de conduccin y dejara un hueco positivo,
y si absorbe 1,11eV, el excedente de energa se convertir en energa cintica, en
este caso Ecinetica = 1,11eV 1,10eV = 0,01eV. Tambin puede ocurrir que el electrn
absorba, por ejemplo, 1,19 eV y los electrones de valencia del nivel E= -1,22eV, saltan
al nivel E = -0,03 eV de la banda de conduccin.

Energa
-0,01eV

Electrn
Hueco

-0,02eV
Banda de conduccin
-0,03eV
EC= -0,04eV
Eg =1,10eV
EP =-1,14eV

E =1,10eV

-1,15eV
Banda de valencia -1,22eV

E =1,19eV

-1,28eV

Figura 1.3. Esquema de las bandas de energa de un semiconductor excitado, los


electrones de lavanda de valencia absorben energa y saltan a la banda de
conduccin.

Pregunta
Utilizando el esquema de la Figura 1.3,
Cunta energa requiere el electrn de valencia ubicado en el nivel de energa E = 1,15eV, para que pueda pasar al nivel E = -0,02 eV de la banda de conduccin?
Rpta. 1,13 eV.

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Conduccin de un Semiconductor
Los portadores de carga, tanto los electrones en la banda de conduccin como los
huecos en la banda de valencia pueden participar en los procesos de conduccin.
Lo nico que hace falta es un campo elctrico capaz de ejercer fuerza sobre
portadores de cargas y ponerlas en movimiento. Este campo elctrico puede ser
generado por la diferencia de potencial de una batera.

Consideremos un material semiconductor en forma de barra al cual aplicamos una


diferencia de potencial ()por lo tanto un campo elctrico( ). Esta diferencia de
potencial produce una cada en los niveles de energa de las bandas de valencia y
de conduccin igual a (). En un esquema de bandas de energa, esto implica
que las lneas que representan los niveles de energa deben dibujarse inclinadas,
segn se indica en la Figura 4. Adems, si el semiconductor es homogneo, la
magnitud del campo elctrico, en su interior asociado a la diferencia de potencial,
est dado por = / . Esto quiere decir que la pendiente de las bandas de
energa, coincide con la magnitud del campo elctrico.
Debido a la accin del campo elctrico, los electrones en la banda de conduccin
se desplazan en direccin opuesta al campo elctrico. Y si en la banda de valencia
hay huecos, los electrones se desplazan saltando por estos huecos, lo que se
traduce a un desplazamiento del hueco en la misma direccin del campo elctrico.

Banda de conduccin

Movimiento de
electrones

qV
Campo elctrico

Banda de valencia

Movimiento de
huecos

Electrn
Hueco

Figura 1.4. Esquema de bandas de energa de un semiconductor sometido a un


campo electrico.

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En un semiconductor que se encuentra en equilibrio trmico a una temperatura dada,


existe un proceso continuo de excitacin de electrones desde la banda de valencia a la
de conduccin. En este proceso se rompe un enlace y se crea un hueco en la banda
de valencia, a su vez los electrones de la banda de conduccin se desexcitan y pasan
a ocupar el nivel vacante de la banda de valencia, con lo que desaparece el hueco. De
todo esto se desprende que en un semiconductor intrnseco, en equilibrio trmico, la
concentracin de electrones presentes en la banda de conduccin Ne debe ser igual a
la de huecos en la banda de valencia, Nh, es decir Ne = Nh, Figura 1.5.

Banda de conduccin

Electrn
Banda de valencia

Hueco

Figura 1.5. En estado de equilibrio la concentracin de


electrones, en la banda de conduccin, es igual a la
concentracin de huecos, en la banda de valencia.

Cuando un semiconductor intrnseco se calienta se produce una excitacin trmica, los


electrones de enlace ganan energa de la red y pasan a la banda de conduccin,
dejando estados vacantes o huecos en la banda de valencia.

La concentracin de portadores de carga (electrones o huecos) intrnsecos (Ni)


depende de la temperatura, Figura 1.6. A mayor temperatura del slido cristalino
mayor esl la concentracin de portadores. El valor de Ni tambin depende del valor de
la energa de la banda prohibida, Eg, ya que cuanto menor sea Eg mayor es el nmero
de electrones que tiene energa suficiente para pasar desde la banda de valencia a la
banda de conduccin a una temperatura dada.

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Figura 1.6. Concentracin de portadores de carga intrnsecos (electrones o huecos)


en funcin de la temperatura, para el germanio (Ge), silicio (Si) yb arseniuro de galio
(GaAs). La concentracin de portadores de carga aumenta con la temperatura.

La energa de Fermi en los Semiconductores Intrnsecos


En los semiconductores intrnsecos la energa de Fermi (EF) se ubica
aproximadamente entre la energa del mayor nivel de la banda de valencia (EV) y
la energa del menor nivel de la banda de conduccin (EC).
Teniendo en cuenta la funcin de probabilidad de Fermi-Dirac, la probabilidad de
encontrar niveles de energa, ocupados en la banda de conduccin, es muy
pequea y la probabilidad de encontrar electrones en la banda de valencia es
muy alta. Como el ancho de la banda de energa prohibida es muy pequeo,
entonces muchos electrones se excitan trmicamente de la banda de valencia a
la banda de conduccin, y la aplicacin de un pequeo
voltaje puede aumentar con facilidad la temperatura de los
electrones en la banda de conduccin, producindose una
corriente

moderada.

La

conductividad

de

los

semiconductores depende mucho de la temperatura y se


incrementa con sta. En contraste con la conductividad de
los metales, que disminuye con la temperatura.

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Energa
Banda de conduccin

EC= -0,04eV
EF= -059eV
EP =-1,14eV

Banda de valencia

Figura 1.7. En un semiconductor intrnseco la energa de Fermi se ubica en la


mitad de la banda prohibida, entre las energas EC y EV.

La energa de Fermi de cierto semiconductor EF = -0,59 eV. La banda de


valencia tiene un nivel de mxima energa EV = - 1,14 eV y la banda de
conduccin tiene un nivel de mnima energa EC = 0,04 eV. Determinar la
probabilidad de encontrar ocupado el nivel de mnima energa de la banda

EJEMPLO 1

de conduccin, a T = 300K.
1. Calculamos el exponente:

(, ) (, )

=
= .
(, /)()

2. Utilizamos este resultado para calcular la probabilidad de Fermi:

= , %
+ ,

Hazlo t
Verifica que la probabilidad de encontrar ocupado el nivel de mxima energa
de la banda de valencia EV = - 1,14 eV, es del 99,99%.

47

TEMA 2
Semiconductores
Dopados

Tipo P y Tipo N
Competencia:

Analiza y describe los procesos de conduccin


en semiconductores dopados.

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Tema 02: Semiconductores Dopados Tipo P y


Tipo N
Los semiconductores intrnsecos presentan una conductividad muy baja, por lo
que se han buscado mtodos para aumentar su valor. Esto ha dado lugar al
desarrollo de los semiconductores extrnsecos o dopados.

Semiconductor tipo N
Se puede conseguir que un material semiconductor se convierta en conductor
introduciendo impurezas en el material, mediante un proceso denominado
dopado. Las impurezas en el material semiconductor aportan con un exceso de
electrones de valencia, los cuales pueden pasar fcilmente, a la temperatura
ambiente, a la banda de conduccin, producindose una conduccin extrnseca.
Figura 2.1. Estas impurezas se denominan impurezas donadoras, y el material
obtenido, semiconductor tipo N (negativo).

Figura 2.1. El silicio (Si) se dopa con pequeas cantidades de


fsforo (P), que tiene cinco electrones de valencia y, por tanto,
un electrn de ms. Los electrones sobrantes pasan a la
banda de conduccin y se encargan de conducir la corriente
elctrica.

En el esquema de bandas de energa, esta situacin se representa mediante el paso


del electrn desde un cierto nivel de energa donante (Ed) a la banda de conduccin.
El nivel de energa Ed, correspondiente al enlace con la impureza, se sita en el
interior de la banda prohibida, a unas centsimas de electronvoltios (eV) de energa,
por debajo del nivel de energa de la banda de conduccin ms baja, Ec, Figura 2.2.

49

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Banda de conduccin

Ed

Banda de valencia

Figura 2.2.Esquema de banda de energa de un


semiconductor dopado con fsforo. El enlace del silicio
(Si) con el fsforo (P), genera un nivel de energa (Ed) muy
prximo a la banda de conduccin.

Semiconductor Tipo P
De forma anloga, tambin se puede introducir impurezas con menos electrones de
valencia que el material semiconductor base. En este caso la impureza aporta con un
hueco. La presencia de estos huecos tambin facilita la conduccin de la corriente
elctrica, pues permiten el desplazamiento de los electrones. Estas son impurezas
aceptadoras, y el material obtenido se denomina semiconductor tipo P (positivo),
Figura 2.3.

Figura 2.3. El silicio (Si) se dopa con impurezas de boro (B) que tiene tres electrones
de valencia y, por tanto, un electrn de menos, es decir un hueco. La presencia de
huecos en la red origina que el material sea un buen conductor.

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En el esquema de bandas de energa, esta situacin se representa mediante el


paso del electrn desde el nivel de energa superior de la banda de valencia (EV)
hasta un cierto nivel de energa aceptadora (EA). El nivel de energa EA,
correspondiente al enlace con la impureza, se sita en el interior de la banda
prohibida, a unas centsimas de electronvoltios (eV) de energa, por encima del
nivel de energa superior al de la banda de valencia, EA, Figura 2.4.

Banda de conduccin

EA

Banda de valencia
Figura 2.4. Esquema de banda de energa de un
semiconductor dopado con boro (B). El enlace del
silicio (Si) con el fsforo (B), genera un nivel de
energa (EA) muy prximo a la banda de valencia.

En general, los semiconductores dopados presentan una concentracin de


portadores extrnsecos (electrones o huecos), mucho mayor que la concentracin de
portadores intrnsecos, esto origina que la conductividad elctrica en los
semiconductores dopados sea mayor que la de los semiconductores intrnsecos. Por
este motivo, en la fabricacin de dispositivos electrnicos se utiliza principalmente
semiconductores extrnsecos (silicio tipo P y silicio tipo N).

Ley de Accin de Masas


La ley de masas afirma que un semiconductor dopado, tipo N o tipo P a una cierta
temperatura T, la concentracin (Ne) de portadores carga negativa (electrones) en
la banda de conduccin es inversamente proporcional a la concentracin (Nh) de
portadores de carga positivos (huecos) en la banda de valencia, donde la
constante de proporcin es la concentracin de portadores de carga del
semiconductor intrnseco (Ni).

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= (1)
Cuando un semiconductor puro se dopa con una concentracin de impurezas
donadoras Nd, a una temperatura dada, en equilibrio trmico, la concentracin de
electrones se equipara a la concentracin de impurezas donadoras, Ne = Nd, de tal
manera que la concentracin de huecos disminuye. Este hecho hace que la
conduccin en los semiconductores tipo N, este dado exclusivamente por los
electrones. De forma anloga, cuando un semiconductor puro se dopa con una
concentracin de impurezas aceptoras Na, a una temperatura dada, en equilibrio
trmico, la concentracin de huecos se equipara a la concentracin de impurezas
aceptoras, Nh = Na, de tal manera que la concentracin de electrones disminuye.
Este hecho hace que la conduccin en los semiconductores tipo P, este dado
exclusivamente por lo huecos.

A temperatura ambiente (T = 300 K), el silicio tiene una concentracin de


portadores intrnseco Ni = 1,451010 cm-3. Si al silicio puro se le aade una
concentracin de impurezas donadoras, Nd = 11014 cm-3, determinar la
concentracin de huecos en la banda de valencia.

1. Debes tener en cuenta que la concentracin de electrones iguala a la

EJEMPLO 2

concentracin de las impurezas.


2. Reemplazando este resultado en la ley de masas, para calcular la
concentracin de huecos.

(, )
=
=
= ,

Hazlo t
El arsenuro de galio (GaAs) tiene una concentracin de portadores intrnsecos
Ni = 1,79106 cm-3 y se dopa con una impureza aceptora con una
concentracin de , Na = 11014 cm-3, verifica que la concentracin de
electrones es concentracin de 0,032 electrones/cm3

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La energa de Fermi en los Semiconductores Dopados
Hemos visto que en los semiconductores intrnsecos la energa de Fermi se ubica
en la mitad de la banda prohibida, en el caso de los semiconductores extrnsecos
o dopados la energa de Fermi depende de la concentracin de la impureza
dopadora y de la temperatura. En la Figura 2.5, se muestra la energa de Fermi,
representada por las curvas con diferentes colores entre las energas de la banda
de valencia (EV) y la banda de conduccin (EC). Tambin se puede observar que
cualquiera sea la concentracin de las impurezas, cuando la temperatura aumenta
la energa de Fermi tiende a ubicarse en la mitad de la banda prohibida.

Figura 2.5. La energa de Fermi (EF), representadas por las curvas de colores, en
funcin de la concentracin de las impurezas donadoras y aceptoras y de la
temperatura.

Para semiconductores tipo N, la energa de Fermi se ubica muy cerca de la banda


de conduccin, de acuerdo a la distribucin de Fermi-Dirac , significa que existe
una mayor probabilidad de encontrar electrones en la banda de conduccin que
huecos en la banda de valencia.

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Energa
Banda de conduccin

EC= -0,04eV

EF

EP =-1,14eV

Banda de valencia
Figura 2.6. En un semiconductor tipo N, la energa de Fermi se
ubica muy cerca de la banda de conduccin.

Para semiconductores tipo P, la energa de Fermi se ubica muy cerca de la banda


de valencia. De acuerdo a la distribucin de Fermi-Dirac, significa que existe una
gran probabilidad de encontrar muchos estados vacantes o huecos en la banda de
valencia y poca probabilidad de encontrar electrones en la banda de conduccin.
Energa
Banda de conduccin
|
EC= -0,1 eV
EF
EV=-1,2eV

Banda de valencia
Figura 2.7. En un semiconductor tipo N, la energa de Fermi se ubica muy cerca de la
banda de conduccin.

54

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La energa de Fermi de cierto semiconductor tipo N, es EF = -0,2 eV. La banda de


valencia tiene un nivel de mxima energa EV = - 1,2eV y la banda de conduccin
tiene un nivel de mnima energa EC = -0,1eV. Determinar la probabilidad de
encontrar ocupado el nivel de mnima energa de la banda de conduccin, a T =
300K.

EJEMPLO 3

1. Calculamos el exponente:

(, ) (, )

=
= ,
(, /)()

2. Utilizamos este resultado para calcular la probabilidad de Fermi:

= , = %
+ ,

Hazlo t
Verifica que la probabilidad de encontrar ocupado el nivel de mxima energa de
la banda de valencia EV = - 1,2 eV, es del 98%.

Figura 2.8. Esquema comparativo de los niveles de energa de Fermi en un


semiconductor tipo N y tipo P.

55

Unin
El

TEMA 3

P N:

Diodo
Competencia:
Analiza y clasifica los procesos
conduccin a travs de una unin P-N

de

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Tema 03: Unin P - N: El Diodo


Unin P-N sin Polarizacin Externa o sin Conexin a una Batera
Cuando un semiconductor tipo P se une con semiconductor tipo N, para formar
una unin P-N o diodo P-N, a una cierta temperatura, la diferencia de
concentracin de electrones y huecos entre las zonas N y P, origina que los
electrones de la zona N pasan a la zona P y los huecos de la zona P pasan a la
zona N.

Figura 3.1. Esquema que muestra qu ocurre en una unin P-N. Los electrones
libres de la zona N, pasan a ocupar los huecos de la zona P, de modo que en la
unin la zona P se carga negativamente y la zona N se carga positivamente.

En la unin los electrones que van llegando a la zona P generan un campo


elctrico que se opone cada vez ms a que otros electrones pasen, hasta que se
alcanza un estado de equilibrio en el cual no pasan ms electrones. En este
estado de equilibrio la unin queda cargada con una concentracin de cargas
negativas en la zona P y una concentracin de cargas positivas en la zona N. El
campo elctrico que logra equilibrar al proceso de difusin y evita que los
electrones pasen de una zona a otra, tiene asociado una diferencia de potencial o
voltaje llamado Voltaje de contacto o Barrera de potencial.

El voltaje de

contacto a 25 C, es de 0,3 V para unin P-N de germanio (Ge) y 0,7 V para unin
de silicio (Si).

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En equilibrio, cuando electrones y huecos no pasan de una zona a otra, se puede


dividir la unin en tres regiones semiconductoras. Dos regiones neutrales y una
regin de agotamiento o zona de carga.
|

Figura 3.2. En equilibrio trmico la unin P-N, est dividido en tres regiones. En la
regin de agotamiento hay un campo elctrico interno (E) que tiene un valor
mximo en la unin, en esta misma regin hay un voltaje de contacto (V).

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Figura 3.3. Interpretacin de la difusin de los electrones de la zona N a la zona P,


usando un esquema de bandas.

Figura 3.4. (a) Esquema de una unin P-N, (b) smbolo usado en circuitos y (c) diodo,
componente que posee una unin P-N

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Unin P N con polarizacin externa directa o conectado a una batera


en forma directa
Se dice que una unin P-N est sujeto a una polarizacin externa directa
cuando se conecta a una batera, de tal modo que el polo positivo de la batera se
conecta con la zona P y polo negativo con la zona N, tal como se muestra en la
Figura 3.5.

Cuando el voltaje de la batera es mayor que el voltaje de contacto en la unin


(mayor que 0,3V para la unin P-N de germanio) los electrones libres del cristal N,
son empujados para saltar a los huecos del cristal P, atravesando la regin de
agotamiento. De modo que se establece un flujo de electrones desde el polo
negativo hacia el polo positivo de la batera.

Figura 3.5. Diodo P-N con polarizacin externa directa con una batera.

Por convencin el sentido de la corriente elctrica es contrario al flujo de


los electrones, por eso en la figura 5, la corriente se ha dibujado de modo
que circula contrario al flujo de electrones.

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Unin P N con polarizacin externa inversa


Se dice que una unin P-N est sujeto a una polarizacin externa inversa
cuando el polo negativo de la batera se conecta a la zona P y el polo positivo
a la zona N. En este el polo negativo de la batera atrae a los huecos y el polo
positivo atrae a los electrones libres, as los huecos y los electrones libres se
alejan de la unin y la zona de agotamiento o zona de carga se ensancha,
hasta que en un instante dado el voltaje de contacto logra equilibrar al voltaje
de la batera y los electrones y huecos dejan de alejarse de la unin, Figura
3.6.

En esta situacin, el diodo P-N no debera conducir la corriente; sin embargo,


debido al efecto de la temperatura se forman pares electrn-hueco a ambos
lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 10

-12

A)

denominada corriente inversa de saturacin (Is). Adems, existe tambin


una denominada corriente superficial de fugas (If) la cual, como su propio
nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya
que en la superficie los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes
tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener
estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la
zona N como de la P, tengan huecos en su orbital de valencia con los que los
electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, esta puede ser
despreciable.

Figura 3.6. Diodo P-N con polarizacin externa inversa. En estas condiciones
existe una corriente inversa muy pequea, muchas veces despreciable.

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El diodo P-N en un circuito


Cuando un diodo P-N est en polarizacin directa deja pasar al corriente del
polo positivo al polo negativo, esto significa que el diodo acta como un
interruptor cerrado, dejando pasar la corriente, Figura 3.7. Cuando el diodo P-N,
est en polarizacin inversa deja pasar una corriente inversa muy pequea
desde el polo negativo al polo positivo, esto significa que el diodo acta como un
interruptor abierto, Figura 3.8.

Figura 3.7. (a) Smbolo de un diodo con polarizacin directa equivalente un interruptor
cerrado. (b) Al conectar un diodo en forma directa acta como interruptor cerrado
dejando pasar la corriente y el foquito se enciende.

Figura 3.8. (a) Smbolo de un diodo con polarizacin inversa equivalente a un


interruptor abierto (b). Al conectar un diodo en forma inversa acta como interruptor
abierto, no pasa corriente y por eso el foquito no se enciende.

62

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Curva caracterstica de una unin P-N

Como hemos mencionado, cuando un diodo P-N se conecta en forma directa a


una batera este deja pasar la corriente, esta intensidad de corriente (Ii) aumenta
conforme aumenta el voltaje aplicado por la batera (V) , pero si conectamos la
batera en forma inversa este deja pasar un corriente inversa (Iinv) que es muy
pequea, del orden de ~ 10-12 A. Este hecho se puede representar en un grfica
corriente vs voltaje aplicado por la batera, Figura 3.9.

I(A)

Iinv~ 10-12 A

V(voltios)

Figura 3.9. Curva caracterstica de un diodo P-N sometido a un voltaje o


polarizacin externa. En la conexin directa la corriente aumenta
conforme aumenta el voltaje externo aplicado. En la conexin inversa la
corriente inversa aumenta hasta llegar a un valor de saturacin (-Iinv).

El signo negativo en la intensidad de corriente inversa (Iinv) indica que la corriente circula del polo negativo al polo
positivo de la batera

63

El Modelo

TEMA 4

Matemtico
de un

Diodo

Competencia:
Analiza la intensidad de corriente de un
diodo en funcin del voltaje aplicado.

64

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Tema 04: El Modelo Matemtico de un Diodo


El Modelo De Shockley
El modelo matemtico de un diodo es la ecuacin que relaciona la intensidad de
corriente en el diodo. Figura 3.10, el modelo ms empleado es el de Shock ley (en
honor a William Bradford Shock ley) que permite aproximar el comportamiento del
diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de
corriente y la diferencia de potencial es:

= ( / 1)
Donde:

I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo (amperios)

V es el voltaje en los extremos del diodo (voltios).

VT es el voltaje trmico (voltios).

Iinv. es la corriente de saturacin (aproximadamente 10 12A)

n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin

del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden
de 2 (para el silicio).
El voltaje trmico VT para cada temperatura est definido como:

Donde:

c = 8,6210-5V/K constante de proporcin

T = es la temperatura absoluta de unin P-N

65

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Un diodo hecho de silicio tiene una corriente inversa de saturacin


2,00 nA y el coeficiente de emisin de este diodo n = 2,20. Determina la
intensidad de corriente que circulara por el diodo en conexin directa
cuando se conecta a un voltaje externo de 1,20V, a la temperatura de
300K.

Resolucin
1. Calculamos el voltaje trmico:
= = (,

/) () = ,

EJEMPLO 3

2.Calculamos la razn:

,
=
= ,
, ,
3. Calculamos la intensidad de corriente usando la ecuacin de Shockley:

= (/ )
= ()(, )
= ( )(, )
= ,
Hazlo t
Un diodo de germanio con una corriente de saturacin de 2,00 A y un
coeficiente de emisin n = 1,2. Verifica que la intensidad de corriente a
travs del diodo cuando se conecte a un voltaje externo directo de 0,5
V a la temperatura de 300K, es igual a 19,84 A.

Para voltajes pequeos en la regin de polarizacin directa, se puede eliminar el 1


de la ecuacin, quedando como resultado:

= /

66

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Con objeto de evitar el uso de exponenciales, en ocasiones se emplean


modelos ms simples an, que modelan las zonas de funcionamiento del
diodo por tramos rectos; son los llamados modelos de continua o de Ramseal. El ms simple de todos es el diodo ideal.

El efecto Zener
Cuando un diodo se conecta de forma inversa, y el voltaje externo aumenta en
cantidades muy grandes, la corriente inversa aumenta levemente hasta alcanzar
un voltaje determinado, muy grande, conocido como voltaje de ruptura (VR)
donde ocurre un proceso de avalancha y la corriente inversa se hace muy intensa.
El proceso de avalancha ocurre cuando los electrones en la unin P-N adquieren
la suficiente energa del campo elctrico, que al colisionar con electrones de
valencia estos saltan a la banda de conduccin, de modo que se producen huecos
adicionales y un mayor nmero de electrones en la banda de conduccin, y la
corriente inversa aumenta hasta valores muy grandes.
La curva caracterstica de un diodo en general est dada en la Figura 4.1. La parte
de la curva en la cual los valores de la intensidad de corriente y el voltaje
representan el comportamiento del diodo en polarizacin directa, mientras que los
valores negativos representan la polarizacin inversa. En polarizacin directa,
segn va aumentando el voltaje, existe pequeo tramo en el cual la corriente es
muy pequea, casi nula, hasta un valor VK, conocido como voltaje de codo, a partir
del voltaje de codo la corriente aumenta conforme aumenta el voltaje hasta llegar
a una voltaje en el cual el diodo se quema.

Figura 4.1. Curva caracterstica de un diodo P-N sometido a un voltaje externo. En


polarizacin directa el voltaje codo es de 0,5V. En polarizacin inversa, el voltaje
de ruptura es de aproximadamente VR = 0,3V.

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El efecto Tunnel
En 1958 Esaki mostr que en la unin P-N de dos semiconductores tipo P y
tipo N con grandes concentraciones de impurezas podran causar un efecto
tnel de los portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la
unin, cuando son conectados en polarizacin directa.

La curva caracterstica de estos tipos de diodos P-N, presenta una regin en


la cual la intensidad de corriente aumenta y disminuye conforme el voltaje
aumenta, Figura 4.2.
Aqu se muestra que para pequeos voltajes (V 0,3 V) los electrones de la
banda de conduccin de la zona N logran cruzar la regin de agotamiento
hacia la banda de valencia de la zona P, mediante un proceso cuntico
denominado efecto tnel

I(A
)

Polarizacin
directa

Curva de
diodo normal

Ipico
Ivalle
Vvallec0,3 V

V(voltios)

Figura 4.2. Curva caracterstica de un diodo P-N tnel.

Efecto tnel segn la mecnica cuntica


La mecnica cuntica justifica el hecho de que existe una pequea
probabilidad que los electrones puedan pasar de un nivel de energa menor a
otro de energa mayor aun cuando no se disponga de la suficiente cantidad de
energa para dar este salto. El fenmeno cuntico es llamado efecto tnel.

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Lecturas Recomendadas

VDEO: SEMICONDUCTORES EN:


http://www.youtube.com/watch?v=rm8V7aBWvXM

VDEO: LA MANUFACTURA DE UN SEMICONDUCTOR: TEXAS INSTRUMENT


EN:
http://www.youtube.com/watch?v=YroyIXq2Iz0

LECTURA: LECCIONES DE ELECTRNICA


http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/default.asp
http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pagina_diodo/diodo.htm

Actividades y Ejercicios
1.- Ingresa al siguiente link: SEMICONDUCTORES lee atentamente las indicaciones,
desarrllalo y envalo por el mismo medio:
siguientes links, descarga la informacin relacionada con los
semiconductores.
a) Informate 1
b) Informate 2

Realiza una presentacin en Power Point sobre los


semiconductores intrnsecos y los semiconductores dopados, como mximo 16
diapositivas. publica tu presentacin en:
www.slideshare.net

Enva la direccin de tu publicacin a tu profesor.


Importante: En tus presentaciones, haz referencia a la fuente de informacin de
donde has obtenido las imgenes. Esto demostrar que has realizado una buena
investigacin.

69

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2.- Ingresa al siguiente link: UNION P-N lee atentamente las indicaciones,
desarrllalo y envalo por el mismo medio:

Ingresa a la siguiente pgina web y explora los applets mostrados, luego


redacta en un documento en MS Word explicando lo que muestra cada applet,
dos pginas por cada uno. Utiliza imgenes en tu explicacin.

http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Union_
PN_en_equilibrio_y_polarizada/Applet3.html
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_ley
_de_Shockley/Applet4.html
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Applet3/
DiodoConmutaApplet.html

Suscrbete y Publica tu trabajo en : http://es.scribd.com/


Enva la direccin de tu publicacin a tu profesor

Los applets son animaciones interactivas, para que puedas


visualizar estas aplicaciones es necesario tener actualizada java en
tu computador, descrgalo gratis en www.java.com

1. Ingresa al siguiente link: CURVA CARACTERSTICA DE UN DIODO lee


atentamente las indicaciones, desarrllalo y envalo por el mismo medio:

Indaga en el Internet sobre la curva caracterstica de un diodo zener y un


diodo tunel. Luego en una hoja de MS Word, describe las partes de esta
grfica.

Suscrbete y publica tu trabajo en : http://es.scribd.com/


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70

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Autoevaluacin

1) Seleccione la afirmacin INCORRECTA

a. Un hueco es un portador de carga positivo y tiene movilidad en la banda


de valencia.

b. En un semiconductor intrnseco en equilibrio trmico la concentracin de


electrones y huecos son iguales

c. Cuando un semiconductor se calienta la concentracin de portadores de


carga, electrones y huecos aumentan.

d. El Fsforo es un semiconductor intrnseco


e. La energa de Fermi en un semiconductor est en el medio de la banda
prohibida.
2) Si en un semiconductor intrnseco la banda prohibida tiene un ancho de 3,04
eV, y la banda de conduccin, de menor energa, tiene, -0,01 eV, determinar
la mayor energa en la banda de valencia y cunto vale la energa de Fermi,
respectivamente.

a. -3,05 eV; -1,53 eV


b. -3,03 eV; -1,51 eV
c. -3,03 eV; -1,53 eV
d. -3,05 eV; -1,51 eV
e. -3,04 eV; -1,52 eV
3) De acuerdo a la funcin de distribucin de Fermi-Dirac, existe una mayor
probabilidad de encontrar un electrn en:

a. La banda de valencia
b. La banda prohibida
c. La banda de conduccin
d. La banda prohibida y en la banda de valencia
e. La banda prohibida y en la banda de conduccin

71

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4) En la figura se muestra una red de tomos de silicio dopado con antimonio


(Sb). Indicar verdadero (V) o falso (F) sobre las siguientes afirmaciones:

I.

El antimonio (Sb) acta como una


impureza aceptora.

II.

El semiconductor extrnseco es tipo N.

III.

Los electrones del antimonio pueden


saltar

fcilmente

la

banda

de

conduccin.

a. VVV
b. FFF
c. FVV
d. VFF
e. FVF
5)

Seleccione la afirmacin CORRECTA

a. En los semiconductores tipo P la energa de Fermi est cerca de la


banda de conduccin.

b. En los semiconductores tipo N, la energa de Fermi est cerca de la


banda de valencia.

c. Segn la distribucin de Fermi-Dirac en los semiconductores tipo N existe


una mayor probabilidad de encontrar huecos en la banda de valencia que
electrones en la banda de conduccin.

d. En un semiconductor tipo N cuando la temperatura aumenta la energa


de Fermi tiende al valor del semiconductor intrnseco

e. Cuando el silicio se dopa con boro se obtiene un semiconductor tipo N.

72

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6) Cuando dos semiconductores tipo P y tipo N se ponen en contacto, entonces


es INCORRECTO afirmar:

a. Los electrones de la zona N pasan a la zona P


b. Los electrones pasan de la zona P pasan a la zona N.
c. Aparece un campo elctrico que aguanta a los electrones en la zona P.
d. Aparece un voltaje de contacto muy pequeo.
e. Los huecos pasan de la zona P a la zona N.
7) Cuando un diodo o unin P-N se conecta foquito y estos se conectan en
forma directa a un voltaje externo, como el de una batera, entonces es
CORRECTO afirmar:

a. El diodo no deja pasar la corriente y el foquito permanece apagado.


b. El polo positivo de la batera est conectado con la zona N del diodo.
c. El diodo acta como un cable abierto.
d. Aparece una contracorriente muy pequea que es insuficiente para
encender el foquito.

e. El diodo deja pasar la corriente y el foquito se enciende.


8) En la figura se muestra la corriente en funcin del voltaje al cual es
conectado un diodo, esta curva se denomina:

a. Curva inversa
b. Curva de corte
c. Curva caracterstica
d. Curva de ruptura
e. Curva directa

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9) El modelo matemtico que mejor representa la curva caracterstica de un


diodo, sin tener en cuenta la zona de ruptura, est dado por:

a. Las ecuaciones de Kirchhoff


b. La ecuacin de Shockley
c. La ecuacin de Ohm
d. La ecuacin de Newton
e. La ecuacin de Pauli
10) Marque la alternativa correcta; verdadero (v) falso (f) segn corresponda:
I.

Cuando un diodo con polarizacin inversa es sometido a un voltaje alto,


ocurre el efecto Zener.

II.

El efecto Zener consiste en el paso de una avalancha de electrones


producindose una corriente inversa muy intensa.

III.

En los diodos Tunel, los electrones de valencia atraviesan la banda


prohibida con muy poca energa producindose una mayor intensidad de
corriente en pequeos cambios de voltaje.

IV.

En los diodos Tunel, se produce un pico de intensidad de corriente para


voltajes muy pequeos, del orden de 0,3V.

a. VVFF
b. FFVV
c. FFFF
d. VVVV
e. VVVF

74

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Resumen

UNIDAD DE APRENDIZAJE II:


Un semiconductor es
una sustancia que
se
comporta
como conductor o
como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo
elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del
ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de
la tabla peridica se indican en la tabla adjunta. El Semiconductor intrnseco tiene
Materiales como el Germanio (Ge) o el Silicio (Si), donde los electrones de la banda
de valencia saltan a la banda de conduccin, por accin de calor, luz o voltaje.
Debido a ello se produce una corriente intrnseca. La energa de Fermi se encuentra
en el medio de la banda prohibida.

Semiconductor extrnseco tipo N es un Semiconductor como el Silicio (Si) que es


tetravalente y se dopa con una impureza donadora como el Fsforo (P) que es
pentavalente. La impureza dona electrones a la banda de conduccin y se vuelve un
buen conductor de electrones. Semiconductor extrnseco tipo P.- Semiconductor
como el Silicio (Si) que es tetravalente y se dopa con una impureza aceptadora
como el Boro (B) que tiene tres electrones de valencias. La impureza acepta
electrones de la banda de valencia y se vuelve un buen conductor de portadores
positivos.
Ley de accin de masas.- La concentracin de portadores de carga positivas es
inversa a los portadores de carga negativa (electrones).
= 2

Unin P-N o diodo Es la unin de dos semiconductores tipo P y tipo N. cuando se


conecta a una diferencia de potencial o voltaje en forma directa acta como un
interruptor cerrado y deja pasar la corriente y en forma inversa acta como un
interruptor abierto. Curva caracterstica de un diodo. Es una grfica de la intensidad
de corriente en funcin del voltaje directo e inverso aplicado sobre el diodo.

El modelo de Shockley es un modelo que relaciona la intensidad de corriente del


diodo en funcin del voltaje aplicado. Este modelo describe muy bien la curva
caracterstica de un diodo.

= ( / 1)
El Efecto Zener es un fenmeno que se da cuando un diodo se conecta en inversa a
un voltaje muy grande (voltaje de ruptura), donde el diodo se hace conductor de
modo que se produce una avalancha de electrones y el diodo conduce una alta
intensidad de corriente.

75

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Introduccin

a) Presentacin y contextualizacin
Con el conocimiento de los semiconductores y de los fenmenos que ocurran
cuando dos semiconductores tipo P y tipo N se unan para formar un diodo,
apareci en escena el transistor electrnico que revolucion con la industria
electrnica, pudiendo disear y construir circuitos muy pequeos.

Todos los circuitos electrnicos tiene entres sus partes diodos y transistores, en
esta unidad vamos a ver los diferentes tipos de diodos y transistores, y sus
aplicaciones en circuito electrnicos bsicos.

b) Competencia
Reconoce diodos y transistores en circuitos electrnicos bsicos

c) Capacidades
1.

Reconoce y analiza los diodos semiconductores en circuitos electrnicos.

2.

Analiza un circuito rectificador formado por diodos.

3.

Reconoce y analiza los transistores en circuitos electrnicos.

4.

Reconoce y describe los transistores de campo JFET y MOSFET.

d) Actitudes
Valora el uso de los diodos y transistores en la tecnologa electrnica.
Realiza los trabajos con entusiasmo y solidaridad.

e) Presentacin de ideas bsicas y contenido esenciales de la Unidad.


La Unidad de Aprendizaje 3: Dispositivos Semiconductores comprende el
desarrollo de los siguientes temas:
Tema 01: Diodos semiconductores
Tema 02: Circuito rectificador
Tema 03: Transistores
Tema 04: Transistores unipolares

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TEMA 1

Diodos
Semiconductores
Competencia:
Reconoce y analiza los diodos semiconductores en
circuitos electrnicos.

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Desarrollo de los Temas

Tema 01: Diodos Semiconductores


Existen varios tipos de diodos que pueden diferir en su aspecto fsico, impurezas,
uso de electrodos que tienen caractersticas elctricas particulares, usados para
una aplicacin especial en un circuito. El funcionamiento de estos diodos es
fundamentado por principios de la mecnica cuntica y teora de bandas.

Diodo avalancha
Es un diodo semiconductor diseado especialmente para trabajar en tensin
inversa. En estos diodos, poco dopados, cuando el voltaje externo en polarizacin
inversa alcanza el valor del voltaje de ruptura, los electrones se aceleran y
colisionan con otros electrones de valencia, liberndolos, producindose una
avalancha de electrones cuyo efecto es incrementar la corriente conducida por el
diodo sin apenas incremento del voltaje.

Aplicacin
La aplicacin tpica de estos diodos es la proteccin de circuitos electrnicos contra
sobretensiones o picos de voltajes. El diodo se conecta en inversa a tierra, de modo
que mientras el voltaje externo se mantenga por debajo del voltaje de ruptura slo
ser atravesado por la corriente inversa de saturacin, que es muy pequea, por lo
que la interferencia con el resto del circuito es mnima; a efectos prcticos, es como
si el diodo no existiera. Al incrementarse el voltaje del circuito por encima del valor
de ruptura, el diodo comienza a conducir desviando el exceso de corriente a tierra
evitando daos en los componentes del circuito.

Figura 1.1. Diodo Avalancha R2M


Datos tcnicos:
Voltaje de ruptura = 130 V
Corriente mxima promedio, (corriente directa)= 1 A

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Diodo Zener
El diodo Zener es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en
las zonas de rupturas. El diodo Zener presenta comportamientos similares a los
diodos de avalancha, pero los mecanismos involucrados son diferentes.

Si a un diodo Zener se le conecta en polarizacin directa toma las caractersticas


de un diodo normal, pero si se conecta en polarizacin inversa y se aplica un
voltaje muy grande cercano a la de ruptura el voltaje en el diodo permanece
constante y el diodo no se destruye, este voltaje es conocido como el voltaje zener
por lo que sus principales aplicaciones son de regulador de voltaje.

(a)

(b)

Figura 1.2. (a) Diodo Zener y (b) smbolo del diodo Zener

Fotodiodos
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la
incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se
polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente
cuando sea excitado por la luz.

El principio de un fotodiodo est basado en el hecho de que los fotones que inciden
en el fotodiodo excitan a un electrn de la banda de valencia, dndole energa. Los
electrones excitados saltan a la banda de conduccin, creando a su vez huecos en
la banda de valencia. Si la absorcin de fotones ocurre en la zona de agotamiento de
la unin, estos portadores son retirados de la unin por el campo elctrico de la zona
de agotamiento, produciendo una fotocorriente, Figura 1.3

80

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Figura 1.3. Esquema de la creacin de un par electrn-hueco (a). El campo elctrico


en la unin P-N (b). Un fotn de luz proporciona energa a un electrn para que pase
a la banda de conduccin. Se genera el par electrn hueco (c). El campo mueve a
los electrones o que es lo mismo, los huecos se mueven en la direccin del campo
produciendo una fotocorriente.
La Fotocorriente depende de la longitud de onda de la luz, Tabla 1.1, y circula en
sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su
funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producir un
aumento de la circulacin de corriente cuando el diodo es excitado por la luz.

(a)

(b)

Figura 1.4. (a) Fotodiodos sensibles a diferentes longitudes de onda (b).


Smbolo de un fotodiodo.

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El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para


definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz
visible; germanio para luz infrarroja; o de cualquier otro material semiconductor

Tabla 1.1. Semiconductores usados en los fotodiodos de


acuerdo a la longitud de onda al cual son sensibles

Material

Longitud de onda (nm)

Silicio

1901100

Germanio

8001700

Indio galio arsnico

8002600

Sulfuro de plomo

<1000-3500

Figura 1.5. Estructura de un fotodiodo, al penetrar luz o radiacin infrarroja en la


unin PN, se generan electrones libres y huecos, producindose una corriente a
travs de la unin PN. Esto significa, que cuanto mayor es la cantidad de luz que
incide en el fotodiodo, tanto ms intensa es la corriente que fluye a travs del
fotodiodo. Este fenmeno recibe el nombre de efecto fotoelctrico interno.

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Figura 1.6. Esquema de un circuito con un resistor R conectado a un


fotodiodo, se muestra el ampermetro A y el voltmetro V (a) Cuando hay
escasa luz la intensidad de corriente es pequea. (b) Cuando hay abundante
luz la intensidad de corriente es mayor.

El diodo LED
Un LED (de la sigla inglesa LED: Light-Emitting Diode: diodo emisor de luz) es
un diodo semiconductor que emite luz. Cuando un LED se encuentra en
polarizacin directa, los electrones pueden recombinarse con los huecos en el
dispositivo, liberando energa en forma de fotones. Este efecto es llamado
electroluminiscencia y el color de la luz (correspondiente a la energa del fotn)
se determina a partir de la banda de energa del semiconductor.

Los LEDdes se usan en aplicaciones tan diversas como iluminacin de aviacin,


iluminacin automotriz (especficamente las luces de

posicin trasera,

direccional e indicadores) as como en las seales de trfico. Los LEDes


infrarrojo tambin se usan en unidades de control remoto de muchos productos
comerciales incluyendo televisores, reproductores de DVD, entre otras
aplicaciones domsticas.

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(a)

(b)

Figura 1.7. (a) Diodo LED que emite luz azul (b) Smbolo de un diodo LED,
emisor de luz
Tabla 1.2. Compuestos empleados en la construccin de LEDes

Compuesto

Color

Longitud de onda

Arseniuro de galio (GaAs)

Infrarrojo

940 nm

Arseniuro de galio y
aluminio (AlGaAs)

Rojo e infrarrojo

890 nm

Arseniuro fosfuro de galio


(GaAsP)

Rojo, anaranjado y
amarillo

630 nm

El diodo laser
El diodo lser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero que bajo
las condiciones adecuadas emite luz lser. A veces se los denomina diodos lser de
inyeccin, o por sus siglas inglesas LD o ILD.

(b)

(a)
Figura 1.8. (a) Diodo laser usado en los lectores de DVD (b) Smbolo de un diodo
laser.

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Circuito simple de diodo con resistencia y un voltaje externo
Vamos a analizar el paso de la corriente en un circuito formado por un diodo, una
resistencia y un voltaje externo que puede ser el de una batera. Cuando un diodo se
conecta en forma directa con un resistor el voltaje externo se reparte entre el diodo y la
resistencia.

= +
Donde:
V = voltaje externo (V)
i = intensidad de corriente (A)
R = resistencia elctrica ()
VD = voltaje del codo (conexin directa) o voltaje de zener (en inversa)
En la figura se muestra una conexin

EJEMPLO 1

directa de un diodo. El voltaje de codo es


0,7 V, el voltaje de la pila es 4,5 V y la
resistencia R = 1,2k. Determinar la
corriente por circuito.
Resolucin: Calculamos el voltaje trmico:
= + 4,5 = (1200) + 0,7 = 3,17

En la figura se muestra una conexin


inversa de un diodo zener. El voltaje zener
es de 12V y R = 150 . Determinar la

EJEMPLO 2

corriente en el circuito cuando el voltaje V


es (a) 8V y (b) 20V
Resolucin
(a) El voltaje externo es menor que el voltaje zener, no se produce avalancha y el
diodo acta como un circuito abierto, i = 0.

(b) El voltaje externo es mayor que el voltaje zenner, entonces e produce


avalancha y el diodo deja pasar una corriente inversa.

= + 20 = (400) + 12 = 20

85

Circuito

TEMA 2

Rectificador
Competencia:
Analiza un circuito
formado por diodos.

rectificador

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Tema 02: Circuito Rectificador


En electrnica, un circuito rectificador permite convertir una seal elctrica alterna
en una continua. Este proceso se realiza utilizando diodos rectificadores.

RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA


El rectificador de onda completa es un circuito empleado para eliminar la parte
negativa o positiva de una seal de corriente alterna de entrada (Vi)
convirtindola en corriente directa de salida (Vo).

Figura 2.1. Esquema de un voltaje alterno rectificado.

Figura 2.2. Diodo usado en circuitos


rectificadores.
Datos del diodo rectificador:
MR506:1N5406
Diodo rectificador de propsito general
de 600 Volts a 3 Amperes

87

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El circuito, representado en la Figura 1, funciona como sigue:

El transformador convierte la tensin alterna de entrada en otra tensin alterna


del valor deseado.

Figura 2.3. Esquema de un transformador que convierte de un voltaje


alterno 10V a un voltaje alterno de 6V.

El voltaje de salida del transformador es rectificado durante el primer semiciclo


positivo por los diodos externos.

Figura 2.4. Esquema del voltaje rectificado por un par de diodos.

Durante el segundo semiciclo, semiciclo negativo, el voltaje es rectificado por


los diodos interiores, de forma que a la carga R le llega un voltaje positivo
pulsante pero de corriente continua en una sola direccin.

Figura 2.5. Esquema del voltaje rectificado por un par de diodos.

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RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON FILTRO RC


En el proceso de rectificacin explicada anteriormente, no se ha conseguido una
corriente continua pura; para ello sera necesario eliminar los pulsos, tal operacin
se denomina filtrar.
En el proceso de filtrado no se obtiene corriente continua pura, sino que nos
quedamos con una pequea parte del voltaje positivo pulsante, que se llama
rizado.

El proceso de filtrado en un circuito rectificado se realiza introduciendo un


condensador en paralelo a la resistencia. En el primer semiciclo positivo, el
condensador se carga hasta tener un voltaje igual al voltaje mximo. En el
semiciclo negativo el condensador compensa la disminucin del voltaje alterno, por
lo que aparece un voltaje rectificado similar a un rizo.

Figura 2.6. Esquema del voltaje rectificado y filtrado. El voltaje de salida no es


completamente constante.

Donde
i = intensidad de corriente sobre R ()
f = frecuencia del voltaje alterno (Hz)
C = capacitancia del condensador (F)

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EL VOLTAJE EFICAZ
Cuando se mide con un multmetro el voltaje alterno, el valor que se obtiene es el
voltaje eficaz o el valor cuadrtico medio del voltaje alterno, el cual se calcula:

As por ejemplo, si medimos el voltaje alterno del toma corriente que tenemos en
casa o en la oficina, el multmetro indicar 220V, este valor es el voltaje eficaz, si
deseamos saber el voltaje mximo del voltaje alterno que recibimos este se
calcula, a partir de la ecuacin anterior.
=
= () =

Figura 2.7. El voltaje alterno que recibimos en casa tiene un


valor mximo de 311V

En la figura se muestra un voltaje alterno con un voltaje mximo de 100V,

EJEMPLO 3

determinar el voltaje eficaz de este voltaje alterno.

Resolucin
1. Calculamos el voltaje de rizado, en la figura C = 10F = 1010-6F:
2

1002
=
=
= 70,7
2
2

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En el circuito de la figura determinar, el transformador reduce el voltaje de


220 V a 12V . Hallar el voltaje de salida media, si se sabe que la corriente
que pasa por la resistencia es de 12mA y la frecuencia del voltaje es de
50Hz.

Resolucin

EJEMPLO 3

1. El voltaje de salida media est dado por:


2. Primero calculamos el voltaje de rizado, en la figura C = 10F = 1010-6F:

12 103
=
= 24
(50)(10 106 )

3. Ahora el voltaje mximo


= 2 = 2(12) = 17

4. Entonces:

24
= 17
= 5
2
2

Hazlo t
En el circuito rectificador con filtro RC, si el condensador tuviera una
capacitancia, C = 400F, la corriente en la resistencia fuera de 50mA, el
trasformador reduce el voltaje de 220V a 12V y la frecuencia del voltaje es
de 50hz. Determinar el voltaje medio de salida del rectificador.

91

TEMA 3

Transistores
Competencia:
Reconoce y analiza los transistores en
circuitos de electrnica

92

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Tema 03: Transistores


El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la
contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia").
Actualmente, se los encuentra prcticamente en todos los aparatos domsticos
de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video,
hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin,
alarmas, relojes de cuarzo, ordenadores, calculadoras, impresoras, lmparas
fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3,
telfonos mviles, etc.

El Transistor Bipolar
El transistor de unin bipolar, (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres
regiones: NPN o PNP.

En un transistor el semiconductor intermedio es conocido como Base, los otros


dos como Emisor y Colector, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a
la Base, tienen diferentes concentraciones de impurezas, entre ellas, el emisor
est mucho ms dopado que el colector.

Figura 3.1. Corte transversal simplificado de un


transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede
apreciar como la unin base-colector es mucho
ms amplia que la base-emisor.

93

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Figura 3.2. Transistores usados en electrnica. Los primeros transistores


fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT modernos estn
compuestos de silicio.

Figura 3.4. Estructura de un transistor NPN

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Figura 3.5. Transistor NPN y PNP y sus smbolos. El smbolo de un transistor


NPN, la flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y
apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo est en funcionamiento activo.

El funcionamiento de un transistor PNP es anlogo al funcionamiento del


transistor NPN, por lo que solo estudiaremos este ltimo transistor.
Si el transistor no est polarizado, es decir no est conectado a ningn voltaje
externo, se comporta como dos diodos en contraposicin por donde no circula
corriente elctrica. Para que haya circulacin debe ser polarizado y, segn sea
la polarizacin, podra funcionar en tres zonas: activa, corte y saturacin.

Zonas de Trabajo de un Transistor


Transistor en zona activa. En este caso la unin emisor-base se polariza en
directa y la unin base-colector en inversa. Esta configuracin es utilizada para
amplificar seales. Los electrones fluyen del emisor al colector, siendo la base
la que controla el flujo de electrones.

= +

En este caso

0.

Las tres intensidades se relacionan mediante

los parmetros alfa y beta . Al parmetro beta tambin se le llama hFE

; 0,95 < < 1

; 100 < < 300

95

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La relacin entre ambos parmetros es:

1+

1+

En el siguiente circuito se muestra a un transistor en zona activa, se ha


colocado dos resistencias que tienen como misin limitar la cantidad de
corriente que circula por la base y el colector, y que se llaman resistencia
de base (RB) y resistencia de carga (RC).
En esta zona, conforme RB disminuye, IB aumenta y
permite pasar corriente entre colector y emisor. La
relacin que existe entre la intensidad del colector y la
intensidad de la base es: IC = IB,
: ganancia de corriente, su valor est comprendido
entre 100 y 300

Transistor en zona de corte. En esta zona, se


trata de un caso extremo, cuando RB es muy
grande y IB = 0, entonces el transistor no deja
pasar corriente entre el colector y el emisor.

Transistor en zona de saturacin. En esta zona si aumentamos


progresivamente el valor de intensidad en la base, llega un momento en el
que la intensidad del colector no sigue aumentando. El transistor se
comporta entonces como un interruptor cerrado.

96

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Configuraciones del transistor

Amplificador Base Comn

Amplificador Colector Comn

Amplificador Emisor Comn

CURVAS CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR


Las curvas caractersticas de un transistor son unas grficas que
representan el comportamiento del transistor para diferentes valores de
voltaje e intensidad de corriente.

97

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Curva Caracterstica de Entrada


Relaciona dos cantidades de entrada con una de salida del transistor. As por
ejemplo, en la configuracin de emisor comn se
puede relacionar la intensidad de la base (IB) con el voltaje
base-emisor (VBE). Para diferentes valores del voltaje
colector-emisor (VCE), ver Figura

3.6.

Curva Caracterstica De Salida


Relaciona dos cantidades de salida con una de entrada del transistor. As por
ejemplo, en la configuracin de emisor comn se puede relacionar IB de entrada
cono IC y VCE de salida, en base comn se relaciona la magnitud IE de entrada
con IC y VCB; y en colector comn IB con IC y VCE. A travs de estas curvas se
pueden deducir las condiciones de trabajo y funcionamiento de un transistor.

Figura 3.6. Curva caracterstica de entrada y curva caracterstica de salida para


la configuracin de emisor comn.

98

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Transistores

TEMA 4

Unipolares
Competencia:
Reconoce y describe los transistores de
campo JFET y MOSFET.

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Tema 04: Transistores Unipolares


A diferencia de los transistores bipolares, que estn basados en el movimiento de dos
portadores de carga (electrones y huecos), en los transistores unipolares el movimiento
solo lo realiza uno de los portadores de carga (electrones o huecos). Se utilizan para
amplificar seales en las cuales se desean niveles de ruido bajos y la resistencia de
entrada es elevada.

Se dividen en JFET o FET y MOSFET y son controlados por voltajes

Transistor de Unin Efecto de Campo (Jfet O Fet)


El JFET (Junction Field-Effect Transistor), es un semiconductor tipo N (tambin
puede ser tipo P) con material tipo P difundido en l (o tipo N segn sea). Se dividen
en transistores de canal N y transistores de canal P.
Tiene tres terminales que se denominan drenaje (D) y fuente (F o S), que son los que
estn unidos al sustrato base (semiconductor tipo N o P). El otro terminal es la puerta
(G) que corresponde a semiconductores tipo P o N segn sea, ver figura 4.1.

Figura 4.1. Transistor JFET de canal P

100

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El JFET es un dispositivo que, segn los valores de voltaje de entrada, reacciona dando
unos valores voltaje de salida. El voltaje de entrada se aplica entre los terminales S
(fuente) y G (puerta), VGS. Segn este valor, la salida del transistor presentar una curva
caracterstica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas:
corte, hmica y saturacin.

Figura 4.2. Esquema de un JFET de canal N y canal P, junto con sus respectivos
smbolos
Fsicamente, un JFET de canal P est formado por una pastilla de semiconductor tipo P
en cuyos extremos se sitan dos patillas de salida D (drenaje) y S (fuente) flanqueada
por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales
conectados entre s G (puerta). Al aplicar una tensin positiva VGS entre puerta y fuente,
las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones
(corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusin. Cuando esta VGS sobrepasa
un valor determinado, las zonas de exclusin se extienden hasta tal punto que el paso
de electrones ID entre fuente y drenador queda completamente cortado. A ese valor de
VGS se le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas P y N se invierten, y los
valores VGS y Vp son negativas, cortndose la corriente para tensiones menores que Vp.

101

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Figura 4.3. Esquema de un JFET de canal N, cuando alcanza su punto de corte.

Transistor de Efecto Campo Metal-Oxido (Mosfet)

Figura 4.4. Esquema de un MOSFET de canal N

Son los FET anteriores pero con aislante de xido entre la puerta y el canal. Se
dividen en:

MOSFET de empobrecimiento, Apenas se utiliza, pero dio paso al de


enriquecimiento, el cual tiene grandes aplicaciones en electrnica. Se divide a su vez
en MOPSFET de empobrecimiento de canal N y de canal P.

102

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MOSFET de enriquecimiento. Tiene mltiples aplicaciones. Se divide en

MOSFET de enriquecimiento de canal N o de canal P

Figura 4.5. Smbolos del MOSFET

103

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Circuito Amplificador
.
Los transistores JFET y MOSFET tiene aplicaciones en la amplificacin de seales, es
decir la seal de entrada al circuito es amplificada

Figura
4.6.
Circuito
amplificador
usando
un
transistor JFET de canal N

Figura 4.7. Circuito


amplificador usando un
transistor MOSFET de canal N

104

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Lecturas Recomendadas

VDEO: CIRCUITO RECTIFICADOR EN:


http://www.youtube.com/watch?v=9Etu8JT8D30
http://www.youtube.com/watch?v=_DS2TabeomE

VDEO: TRANSISTOR EN:


http://www.youtube.com/watch?v=NLL8iB3rIZc
http://www.youtube.com/watch?v=v7J_snw0Eng

Actividades y Ejercicios
5. ACTIVIDADES Y EJERCICIOS
1.

Ingresa al siguiente link: DIODO lee atentamente


las indicaciones, desarrllalo y envalo por el
mismo medio:
Visita en el Internet algunas compaas que vendan
dispositivos electrnicos. Busca informacin de la ficha
tcnica de cinco diodos diferentes. Elabora una presentacin en power point donde
muestres la caracterstica de cada diodo.
Algunas pginas que puedes visitar:
http://www.circuitosimpresos.org/2008/06/02/diodos/
http://www.microelectronicash.com/
http://www.ifent.org/lecciones/zener/default.asp
http://www.neoteo.com/midiendo-diodos-y-transistores-15335

Publica tu presentacin en:


www.slideshare.net

Luego, enva la direccin de tu publicacin a tu tutor.

105

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2. Ingresa al siguiente link: TRANSISTORES lee atentamente las indicaciones,


desarrllalo y envalo por el mismo medio:

Visita en el Internet algunas compaas que vendan dispositivos electrnicos. Busca


informacin de la ficha tcnica de cinco transistores diferentes, incluye uno JFET y
un MOSFET. Elabora una presentacin en Power Point donde muestres la
caracterstica de cada diodo.
Algunas pginas que puedes visitar
http://www.microelectronicash.com/
http://www.ifent.org/lecciones/zener/default.asp
http://www.neoteo.com/midiendo-diodos-y-transistores-15335

Publica tu presentacin en:

www.slideshare.net

Luego, enva la direccin de tu publicacin a tu profesor

3. Ingresa al link CIRCUITO RECTIFICADOR lee atentamente las indicaciones,


desarrllalo y envalo por el mismo medio:

Indaga en la web sobre el circuito rectificador de media onda. En Ms Word describe


cada uno de los pasos de cmo un voltaje alterno se convierte en un voltaje continuo.

4. Ingresa al link CIRCUITO AMPLIFICADOR lee atentamente las indicaciones,


desarrllalo y envalo por el mismo medio:

Indaga en la web sobre un circuito amplificador. En Ms Word describe cada uno de los
pasos de cmo una seal es amplificado.

106

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Autoevaluacin

1) El diodo usado para regular voltaje debido a que soporta altos voltajes es el:
a.
b.
c.
d.
e.

diodo avalancha
diodo tunel
fotodiodo
diodo zener
diodo laser

2) El diodo usado en el control remoto es un:


a.
b.
c.
d.
e.

fotodiodo
LED
diodo de avalancha
un diodo zener
un diodo tunel

3) Un diodo zener tiene un voltaje de ruptura de 10V, si se conecta a un foquito de


2 y luego se conecta en inversa a una batera de 8V. La intensidad de corriente
que circula por el foquito es:
a.
b.
c.
d.
e.

0A
1A
10A
100 mA
200 mA

4) El nombre del circuito que transforma el voltaje alterno en voltaje continuo es:
a.
b.
c.
d.
e.

transformador
amplificador
regulador
rectificador
filtrador

5) Marque la alternativa que corresponda verdadera (v) o falsa (f) con respecto a las
siguientes afirmaciones
I.
II.
III.

El circuito rectificador con filtro utiliza un condensador.


El voltaje eficaz es menor que el voltaje mximo.
En el proceso de rectificar el voltaje de entrada, los semiciclos negativos se
convierten en positivos.

107

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a.
b.
c.
d.
e.

VVF
VFF
FFF
VVV
FVF

6) Marque la alternativa INCORRECTA


a.
b.
c.
d.
e.

Los transistores utilizan ms de dos uniones PN


Un transistor tiene tres electrodos llamados base, colector y emisor
En un transistor NPN la base semiconductora es tipo N
En un transistor PNP la base semiconductora es tipo P
Los transistores son elementos en transicin

7) Marque la alternativa que corresponda Verdadera (v) o falsa (f) a las siguientes
afirmaciones

I.
II.
III.

En la zona de corte un transistor acta como un interruptor abierto


En la zona de saturacin un transistor acta como un interruptor abierto
La intensidad de corriente en la base es nula, cuando un transistor est en la
zona activa.
a.
b.
c.
d.
e.

VVF
VFF
FFF
VVV
FVF

8) Con respecto las curvas caractersticas de un transistor (Figura 3.6) en la


configuracin de emisor- comn es CORRECTO afirmar:
a.

Para un voltaje colector y el emisor (VCE) constante, la corriente en la base (IB)


aumenta conforme aumenta el voltaje entre la base y el emisor (VBE).

b.

Para un voltaje colector-emisor (VCE) constante, la corriente en la base (IB)


aumenta lentamente para valores pequeos en el voltaje base-emisor (VBE).

c.

Conforme la corriente en la base (IB) aumenta, la corriente en el colector (IC)


aumenta, para un voltaje determinado entre el colector-emisor (VCE).

d.

Para una corriente en la base es igual a cero (IB=0), la corriente en el colector


(IC) aumenta levemente conforme aumenta el voltaje entre el colector y el
emisor (VCE).

108

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e.

Para un voltaje determinado entre el colector-emisor (VCE), cuando la corriente


en la base (IB) aumenta, la corriente en el colector (IC) disminuye.

9) De los siguientes dispositivos cul no es un transistor de efecto campo


a.
b.
c.
d.
e.

JET
JFET
MOSFET canal N
MOSFET canal P
Zener

10) Marque la alternativa que corresponda, verdadera (v) o falsa (f) a las siguientes
afirmaciones

I.
II.
III.

Los transistores JFET y MOSFET son usados en circuitos amplificadores.


En un circuito amplificador la seal sale con una menor amplitud
Los electrodos de un transistor JFET son emisor, colector y base
a.
b.
c.
d.
e.

VVF
VFF
FFF
VVV
FVF

109

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Resumen
Resumen

UNIDAD DE APRENDIZAJE III:


El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre sus
terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario.
El diodo es el dispositivo semiconductor ms simple est hecho por la unin de un material
semiconductor de tipo N y otro de tipo P. Hay diodos construidos de otros materiales.El
Diodo avalancha est diseado especialmente para trabajar en polarizacin inversa, cuando
alcanza el voltaje de ruptura, los electrones se aceleran y se produce una avalancha cuyo
efecto es incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas incrementar el voltaje.
Diodo Zener, este diodo est diseado especialmente para trabajar en polarizacin inversa,
cuando alcanza el voltaje de ruptura, el voltaje en el diodo permanece constante y el diodo
no se destruye.

Fotodiodos es un diodo diseado especialmente para trabajar en polarizacin inversa.


Cuando incide luz visible o infrarroja sobre este se produce una corriente.
Diodo LED es un emisor de luz, diseado para trabajar en polarizacin directa. Cuando los
electrones se recombinan con los huecos liberan energa en forma de luz. El diodo laser es
tambin un emisor de luz lser similar a los diodos LED.El circuito rectificador de onda
completa permite convertir una seal elctrica alterna en una continua. Este proceso se
realiza utilizando diodos rectificadores.
El circuito rectificador de onda completa con filtro RC posee un filtro y elimina los pulsos del
voltaje alterno consiguindose una voltaje de salida casi continua.

Un transistor es un dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin de una


corriente grande mediante una seal muy pequea, es un componente que tiene,
bsicamente dos funciones: Deja pasar o corta seales elctricas a partir de una pequea
seal de mando, funciona como elemento amplificador de seales.
Transistor bipolar es la Unin bipolar de dos Uniones P-N en un solo cristal semiconductor.
Esta unin bipolar puede ser NPN o PNP. En un transistor el semiconductor intermedio es
conocido como Base los otros dos como Emisor y Colector.

El Transistor unipolar JFET est formado por una pastilla de semiconductor tipo P (o N) en
cuyos extremos se sitan dos patillas de salida D (drenaje) y S (fuente) flanqueada por dos
regiones con dopaje de tipo N (o P) en las que se conectan dos terminales conectados
entre s G (puerta). Este transistor proporciona voltajes de salida en funcin al voltaje de
entrada, por lo que es usado en amplificacin de seales elctricas. Los transistores JFET y
MOSFET tienen aplicaciones en la amplificacin de seales, es decir seal de entrada al
circuito es amplificada.

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111

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Introduccin

a) Presentacin y contextualizacin
El desarrollo de la mecnica cuntica en la ciencia de los materiales ha permitido
descubrir y conocer con mayor profundidad los principios fsicos de la mecnica de
las partculas, tomos y molculas, lo que ha promovido el desarrollo de la
microelectrnica a dimensiones tan pequeas, y cuyos resultados se traducen en
dispositivos electrnicos cada vez ms pequeos. Por otro lado, el desarrollo de la
optoelectrnica a partir de las fibras pticas, de las pantallas LCD y las pantallas de
plasma, han promovido el desarrollo de la telecomunicacin y de la calidad de las
imgenes que observamos. En esta Unidad daremos un vistazo de los principales
dispositivos utilizados en la actualidad.

b) Competencia
Indaga sobre los avances en los dispositivos electrnicos y los fundamentos
fsicos de estos.

c) Capacidades
1.

Reconoce las propiedades de los cristales lquidos y su aplicacin en pantallas


LCD.

2.

Identifica y describe los circuitos integrados en circuitos electrnicos.

3.

Analiza y define la propagacin de las ondas electromagnticas en fibras


pticas.

4.

Analiza y define sobre la nanotecnologa aplicada a la electrnica.

d) Actitudes

Valora el estudio de los slidos como la base para crear nuevas tecnologas en
los componentes electrnicos.

Muestra rigurosidad para representar relaciones, plantear argumentos y


comunicar resultados

e) Presentacin de ideas bsicas y contenido esenciales de la Unidad.


La Unidad de Aprendizaje 4: Dispositivos Actuales comprende el desarrollo de los
siguientes temas:
Tema 01: Cristal lquido
Tema 02: Circuitos integrados
Tema 03: Fibra ptica
Tema 04: Nanotecnologa

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Cristal

TEMA 1

Lquido
Competencia:
Reconoce las propiedades de los cristales lquidos y
su aplicacin en pantallas LCD.

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Desarrollo de los Temas

Tema 01: Cristal Lquido


El Cristal Lquido
En 1888, el

botnico y qumico austriaco Friedrich Reinitzer hizo un

descubrimiento interesante sobre las fases intermedias entres slido y lquidos de


algunas sustancias orgnica. Reinitzer not un comportamiento anmalo

del

colesterilbenzoato cuando ste pasaba del estado slido al lquido. Ese mismo
ao le escribi al cristalgrafo Otto Lehmann sobre sus observaciones, aqu la
traduccin de un fragmento de su carta:

La sustancia tiene dos puntos de fusin, si se pueden describir de esa


forma. A 145.5C se funde en un fluido neblinoso pero

perfectamente

lquido, el cual a 178.5C se vuelve bruscamente claro

Tras los posteriores trabajos de Lehmann y otros cientficos quedo establecido que
las fases

intermedias del

colesterilbenzoato y otros compuestos similares

constituyen nuevos estados de la materia entre el estado lquido y el estado


slido. Lehmann dio el nombre de cristales lquidos (CL) a estas fases, debido a
que en su aspecto externo tienen muchas de las propiedades de los lquidos como
la fluidez, mientras

que estructuralmente poseen parte de la ordenacin que

caracteriza los slidos cristalinos. Aunque este es el nombre con el que se han
popularizado, tcnicamente se denominan de estados mesomrficos o
mesofases,

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Fases Mesomrficas
La

mayora de los materiales que pasan por fases meso mrficas estn

compuestos por molculas orgnicas alargadas que se pueden clasificar en tres


fases diferentes, dependiendo del tipo de ordenacin molecular que presenten:

Figura 1: Esquema de la orientacin de las molculas en los diferentes tipos de


cristal lquido: (a) nemtico, (b) colestrico y (c) esmctico

Nemticos
Los ejes principales, que marcan la orientacin del eje largo de las molculas,
tienen todos la misma direccin, aunque los centros estn distribuidos
aleatoriamente, es decir hay un orden orientacional pero no translacional, ya que
las posiciones relativas no estn predeterminadas, ver Figura 1a. Este tipo de
cristal es el ms utilizado comercialmente por su menor viscosidad, que es la
responsable directa de la lentitud en el tiempo de respuesta.

Figura 2. Tpicas texturas de una pelcula delgada de cristal lquido en fase nemtica

115

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Figura 3.

Molculas orgnicas que dan lugar a una fase nemtica: (a) El p-

azonanisol (PAA) esta es similar a un cilindrito de longitud 20A y un ancho de 5A,


esta fase nemtica es obtenida a altas temperaturas comprendidas entre 1160 C y
1350 C a la presin atmosfrica. (b) El p-metozibencilideno p-n-butilanilina
(MBBA), es obtenido a temperaturas comprendidas entre 20 C y 47 C. (c) El 4pentyl-4-cyanobiphenyl (5CB), es obtenido a temperaturas comprendidas entre 24
C y 35 C.

Colestricos
En esta fase se presenta una ordenacin molecular en una direccin como los
nemticos, pero las molculas son pticamente activas, lo que hace que
presenten una estructura helicoidal espontanea con un gran poder rotatorio de la
luz. Las molculas se orientan en direcciones diferentes en cada capa y, por
tanto, el vector director gira a lo largo de las distintas capas, ver Figura 1b. Este
tipo de cristal se emplea principalmente en las pantallas de termmetros en forma
de lmina.

Figura 4: Tpicas texturas de una pelcula delgada de cristal lquido en fase colestrica

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Esmcticos
En esta fase se presenta una ordenacin orientacional y posicional, las molculas
agrupan en capas ordenadas entre ellas, pero en cada capa los centros se
distribuyen aleatoriamente, ver Figura 1c. Mientras que las fases nemtica y
colestrica son nicas, se conocen hasta diez tipos diferentes de fases esmcticas.
El cristal puede cambiar de fase esmctica con la temperatura. Debido a su
viscosidad las aplicaciones propuestas han sido escasas, excepto en el caso de los
cristales ferroelctricos (FLC, ferroelectric liquid cristal).

Figura 4: Tpicas texturas de una pelcula delgada de cristal lquido en fase esmctica

Los cristales lquidos son muy sensibles a la temperatura, el orden molecular


se altera cuando la temperatura cambia y las propiedades pticas del material
se modifican y se producen fenmenos como la iridiscencia, como se observa
en figura.

117

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El eje director
Las molculas del cristal lquido tienden a orientarse aletargo del eje director y
debido a esto es que adquieren propiedades pticas. La peculiaridad de los
materiales con ejes pticos consiste en que ellos dirigen los rayos luminosos,
cambiando su intensidad, color y direccin. La velocidad de la luz dentro del
material depende de su propagacin con respecto al eje ptico.

En ocasiones un cristal lquido puede no tener un eje ptico, sin embargo puede
adquirirlo como resultado de acciones mecnicas, elctricas, etc. Resulta que en
cristales lquidos se presenta con mayor facilidad este fenmeno ya que en ellos
es ms fcil variar la orientacin de sus molculas.

Figura 5. En el cristal lquido ms simple, un eje tiende a apuntar a lo


largo de la direccin sobre las que las molculas tienden a alinearse. Esta
direccin preferencial es llamada el eje director, el cual es indicado con
el vector unitario n.

118

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Pantallas de Cristal Lquido Nemtico


Las pantallas de cristal lquido estn formadas por celdas de cristal lquido de tipo
nemtico con giro (TNLC, twisted nematic liquid cristal), confinada entre dos
capas de vidrio.

Detalle de una pantalla LCD en color

Celda TNLC sin voltaje aplicado


En una celda TNLC, podemos imaginarnos la capa de cristal lquido formada por
mltiples capas, en las cuales las molculas no se encuentran todas orientadas en
un eje comn, sino que giran desde un eje a la entrada hasta otro a la salida,
como se muestra en la Figura 6.

Figura 6. Esquema del giro de las molculas en una pantalla LCD

119

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Celda TNLC con voltaje aplicado


Al aplicar un campo elctrico en la direccin del eje +z, las molculas se inclinan y
tienden a alinearse en la direccin del campo elctrico, el cual modifica las
propiedades pticas del cristal lquido, como la polarizacin de la luz.

Las variaciones de las propiedades pticas del cristal lquido pueden entonces ser
controladas a partir del voltaje aplicado entre las celdas.

Figura 7. El campo elctrico (E) modifica la orientacin


de las molculas, modificando la polarizacin de la luz
que atraviesa el cristal lquido.

La Luz es una Onda Electromagntica


La luz como onda electromagntica est formada por un campo elctrico y otro
magntico, perpendiculares entre s que oscilan en el tiempo y que se propaga
en el espacio.

La direccin del campo elctrico determina la direccin de polarizacin de una


onda electromagntica. Por lo general la luz emitida por una lmpara, hace que
el campo elctrico est distribuido al azar en cualquier direccin, y se dice que la
luz no est polarizada.

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Celda TNLC con dos polarizadores


Ahora que sabemos cmo la accin de un campo elctrico modifica la direccin de
las molculas y en consecuencia la direccin de polarizacin de la luz. Si se
colocan dos polarizadores uno a la entrada y otro a la salida, que denominaremos
analizador, se puede modificar la intensidad luminosa de la pantalla LCD,
produciendo niveles de grises diferentes. Figura 8

Figura 8. Esquema de una celda colocada entre el polarizador y el analizador

El Polarizador
La direccin de polarizacin de la luz est dada por la direccin del campo
elctrico. La luz emitida normalmente por una fuente no est polarizada, es decir,
el campo elctrico de cada onda est distribuido al azar en cualquier direccin, al
pasar por un polarizador la luz es filtrada y solo pasan las ondas con un campo
en una determinada direccin.

121

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En una pantalla LCD, las imgenes se forman cuando cada pixel o celda se
ilumina con diferente intensidad de luz. Es por eso que las pantallas LCD
requieren de una fuente de luz blanca que atraviesen los polarizadores, luego una
variacin en el voltaje del cristal modifica la polarizacin de la luz y en
consecuencia la intensidad luminosa, un filtro con los colores RGB (Red = rojo,
Green = verde, Blue = azul) muestra una pantalla con imgenes a colores.

Figura 9. El campo elctrico en el cristal lquido modifica las propiedades pticas del
cristal pudiendo controlar la intensidad de la luz en la pantalla LCD

Figura 10. Esquema del funcionamiento de una pantalla LCD

122

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Circuitos

TEMA 2

Integrados
Competencia:
Identifica y describe los circuitos
integrados en circuitos electrnicos.

123

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Tema 02: Circuitos Integrados


Un circuito integrado (CI), tambin conocido como chip o microchip, es una
pastilla pequea de material semiconductor, de algunos milmetros cuadrados de
rea, sobre la que se fabrican circuitos electrnicos generalmente mediante
fotolitografa y que est protegida dentro de un encapsulado de plstico o
cermica.
El encapsulado posee conductores metlicos apropiados para hacer
conexin entre la pastilla y un circuito impreso.

Figura 1. Un circuito integrado contiene, resistores, condensadores, transistores,


etc. conectados que conforman un circuito complejo.

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Tipos de Circuitos Integrados


Existen tres tipos de circuitos integrados:
Circuitos monolticos: estn fabricados en un solo mono cristal, habitualmente
de silicio, pero tambin existen en germanio, arseniuro de galio, silicio-germanio,
etc.

Figura 2. Circuito monoltico inventado por Jack Kilby en 1959


ganadores del premio Nobel de Fsica.

Circuitos hbridos de capa fina: son muy similares a los circuitos monolticos,
pero, adems, contienen componentes difciles de fabricar con tecnologa
monoltica.

Muchos conversores A/D y conversores D/A se fabricaron en

tecnologa hbrida hasta que los progresos en la tecnologa permitieron fabricar


resistores precisos.

Circuitos hbridos de capa gruesa: se apartan bastante de los circuitos


monolticos. De hecho suelen contener circuitos monolticos sin cpsula,
transistores, diodos, etc, sobre un sustrato dielctrico, interconectado con pistas
conductoras.
Los resistores se depositan por serigrafa y se ajustan hacindoles cortes con
lser. Todo ello se encapsula, en cpsulas plsticas o metlicas, dependiendo
de la disipacin de energa calrica requerida. En muchos casos, la cpsula no
est "moldeada", sino que simplemente se cubre el circuito con una resina
epoxi para protegerlo. En el mercado se encuentran circuitos hbridos para
aplicaciones en mdulos de radio frecuencia (RF), fuentes de alimentacin,
circuitos de encendido para automvil, etc.

125

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Clasificacin
Atendiendo al nivel de integracin -nmero de componentes- los circuitos
integrados se pueden clasificar en:
SSI (Small Scale Integration) pequeo nivel: de 10 a 100 transistores
MSI (Medium Scale Integration) medio: 101 a 1.000 transistores
LSI (Large Scale Integration) grande: 1.001 a 10.000 transistores
VLSI (Very Large Scale Integration) muy grande: 10.001 a 100.000 transistores
ULSI (Ultra Large Scale Integration) ultra grande: 100.001 a 1.000.000
transistores
GLSI (Giga Large Scale Integration) giga grande: ms de un milln de
transistores

Disipacin de Potencia
Los circuitos elctricos disipan potencia. Cuando el nmero de componentes
integrados en un volumen dado crece, las exigencias en cuanto a disipacin de
esta potencia, tambin crecen, calentando el sustrato y degradando el
comportamiento del dispositivo el cual puede llegar a destruirlo.
Los amplificadores de audio y los reguladores de tensin son proclives a este
fenmeno, por lo que suelen incorporar protecciones trmicas.

Los circuitos de potencia, evidentemente, son los que ms energa deben disipar.
Para ello, su cpsula contiene partes metlicas, en contacto con la parte inferior
del chip, que sirven de conducto trmico para transferir el calor del chip al
disipador o al ambiente.

Figura 3. Disipador de calor hecho


de aluminio sobre un
microprocesador de computadora.

126

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Figura 4. El microprocesador, o simplemente procesador, es el circuito integrado


central ms complejo de una computadora. El procesador es un circuito integrado
constituido por millones de componentes electrnicos integrados.

El Circuito Integrado 555


Este circuito integrado (C.I.) est compuesto por 23 transistores, 2 diodos y 16
resistores encapsulados en silicio. Este circuito es utilizado como un generador
de pulsos, y la frecuencia de stos puede variar de 1 pulso por segundo hasta 1
milln de pulsos por segundo.

Figura 5. Circuito integrado NE555, est compuesto de muchos dispositivos


semiconductores

Para ver el efecto del circuito integrado se le conecta un LED y un resistor R3,
conectado al pin 3 del 555 (IC1), que justamente es el pin de salida.

127

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Observa la polaridad de la fuente respecto al LED..., te habrs dado cuenta que


la nica forma de encenderlo es que el pin 3 de IC1 sea negativo. Y lo ser...,
observa la onda rectangular de los pulsos de salida..., cuando est arriba ser
(+) o 1, y el LED estar apagado. Cuando est abajo ser (-) o 0, entonces el
LED se encender.

Segn la seal de salida el LED encender de forma alternada

Veamos los otros componentes; R1, R2 Y C1 forman una red de tiempo. El


capacitor C1 se cargar a travs de R1 y R2, del otro lado el 555 espera
impaciente que termine de hacerlo, y cuando lo logre lo reflejar en su terminal
de salida (pin 3), y he aqu el pulso que produce la descarga del capacitor. Ahora
s..., ya estamos listos para la siguiente carga que generar el segundo pulso.

128

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Fibra

TEMA 3

ptica
Competencia:
Analiza y define la propagacin de las ondas
electromagnticas en fibras pticas.

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Tema 03: Fibra ptica


La fibra ptica es una varilla delgada y flexible de vidrio u otro material transparente
con un ndice de refraccin alto, de modo que produzca una desviacin muy grande
de la luz. Est constituida de material dielctrico (material que no tiene conductividad
como vidrio o plstico), es capaz de concentrar, guiar y transmitir la luz con muy
pocas prdidas incluso cuando est curvada.

Est formada por dos cilindros concntricos, el interior llamado ncleo (se construye
de elevadsima pureza con el propsito de obtener una mnima atenuacin) y el
exterior llamado revestimiento que cubre el contorno (se construye con requisitos
menos rigurosos), ambos tienen diferente ndice de refraccin.

El dimetro exterior del revestimiento es de 0,1 mm aproximadamente y el


dimetro del ncleo que transmite la luz es prximo a 10 50 micrmetros.
Adicionalmente incluye una cubierta externa adecuada para cada uso llamado
recubrimiento.

130

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El ndice de Refraccin (N)


El ndice de refraccin es una medida de la densidad ptica de un material
traslucido, cuanto mayor es el ndice de refraccin mayor es la desviacin de los
rayos de luz cuando pasa de un medi a otro. Cuando la luz pasa del are a otro
medio, el ndice de refraccin se calcula dividiendo la velocidad de la luz en el
vaco, c = 300 000 km/s entre la velocidad de la luz en el medio (v).

ndices de refraccin de varios materiales se indican en la siguiente tabla.

MEDIO

INDICE DE
REFRACCION
1,0
1,0003
1,33
1,36
1,46
1,5-1,9
2,00-2,42
3,4
3,6

Vaco
Aire
Agua
Alcohol etlico
Cuarzo fundido
Fibra de vidrio
Diamante
Silicio
Galio Arsenuro

El ngulo de refraccin 2 del rayo


refractado y el ngulo de incidencia
del

rayo

incidente

1,

ambos

medidos con respecto a la normal,


estn relacionados por la ecuacin
de Snell.

n2 sen 2 = n1sen 1

131

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Propagacin de la luz en una fibra ptica
La propagacin se realiza cuando un rayo de luz ingresa al ncleo de la fibra
ptica y dentro de l se producen sucesivas reflexiones en la superficie de
separacin ncleo revestimiento.

La Reflexin Total Interna


Cuando la luz pasa de un medio de mayor ndice de refraccin a otro de menor
ndice de refraccin, como ocurre entre el ncleo y el revestimiento de una fibra
ptica, se produce una reflexin total interna a partir de cierto ngulo crtico.

Reflexin total interna producida cuando la luz pasa de un


medio de mayor ndice de refraccin a otro de menor ndice.

Para calcular el ngulo crtico en el cual ocurre reflexin total interna, en la ecuacin
de Snell 2 = 90 y 1 = c, entonces:

= ( )

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El ndice de refraccin del ncleo de fibra ptica es 1,62 y el ndice de


refraccin del revestimiento es de 1,52. Determinar el ngulo crtico del rayo
de luz entre el ncleo y el revestimiento

Resolucin

EJEMPLO 1

1. Calculamos el ngulo crtico:


= (

2. En la fibra ptica el rayo proviene del ncleo (n1 = 1,62) e incide sobre el
revestimiento (n2 = 1,52):

= (

,
) = ,
,

Hazlo t
Usando la ecuacin de Snell, demuestra que si un rayo de luz que proviene
del aire (n = 1) incide sobre el ncleo de la fibra ptica con, 60 este se
refracta con un ngulo de 32,3 .

Clasificacin de Las Fibras pticas


Las fibras pticas utilizadas actualmente en el rea de las telecomunicaciones se
clasifican fundamentalmente en dos grupos segn el modo de propagacin: Fibras
Multimodo y Fibras Monomodo.

Fibra Multimodo
Una fibra multimodo es aquella en la que los haces de luz pueden circular por ms
de un modo o camino. Esto supone que no llegan todos a la vez. Una fibra
multimodo puede tener ms de mil modos de propagacin de luz. Las fibras
multimodo se usan comnmente en aplicaciones de corta distancia, menores a 1
km; es simple de disear y econmico. El ncleo de una fibra multimodo tiene un
ndice de refraccin superior, pero del mismo orden de magnitud, que el
revestimiento. Debido al gran tamao del ncleo de una fibra multimodo, es ms
fcil de conectar y tiene una mayor tolerancia a componentes de menor precisin.

133

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Dependiendo el tipo de ndice de refraccin del ncleo, tenemos dos


tipos de fibra multimodo:
Fibra de salto de ndice o escalonado: en este tipo de fibra, el ncleo
tiene un ndice de refraccin constante en toda la seccin cilndrica, tiene
alta dispersin modal.
Fibra a gradiente de ndice o de ndice gradual: mientras en este tipo,
el ndice de refraccin no es constante, tiene menor dispersin modal y el
ncleo se constituye de distintos materiales.

Fibra Monomodo
Una fibra monomodo es una fibra ptica en la que slo se propaga un modo de
luz. Se logra reduciendo el dimetro del ncleo de la fibra hasta un tamao (8,3 a
10 micrones) que slo permite un modo de propagacin. Su transmisin es
paralela al eje de la fibra. A diferencia de las fibras multimodo, las fibras
monomodo permiten alcanzar grandes distancias (hasta 400 km mximo,
mediante un lser de alta intensidad) y transmitir elevadas tasas de informacin
(decenas de Gb/s).

134

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TEMA 4

Nanotecnologa
Competencia:
Analiza y define sobre la nanotecnologa
aplicada a la electrnica.

135

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Tema 04: La Nanotecnologa


La nanotecnologa es el estudio, diseo, creacin, sntesis, y manipulacin
de estructuras qumicas y biolgicas con dimensiones en el intervalo entre 1 y
100 nm. Cuando se manipula la materia a la escala tan minscula de tomos
y molculas, demuestra fenmenos y propiedades totalmente nuevas.

Un nanmetro es la millonsima parte de un milmetro

Nanopartculas Semiconductoras
Una nanopartcula tiene el tamao de algunos nanmetros, y sus
propiedades tanto fsicas como qumicas son diferentes a las que presenta
el material en la escala de los centmetros.

Imgenes

de

nanopartculas

de

silicio

poroso

nano

estructurados con dimetros promedios de: (a) 20nm, (b)


45nm, and (c) 80nm. SEM

136

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Existen diferentes tipos de nano partculas, en las cuales es posible


distinguir el carcter organizacional de la materia:

Semiconductoras. Las partculas semiconductoras se fabrican a partir


de la combinacin de un precursor metlico con elementos
pertenecientes a la familia del oxgeno. En general, como en el caso de
los semiconductores comunes, las nano partculas se forman de la
mezcla de los elementos de la tabla peridica del grupo III con el grupo
V, por ejemplo: fosfuro y arsenuro de indio; o de la composicin de los
grupos IV y VI, como son el selenuro, teluro y sulfuro de plomo.

Una propiedad interesante de las nanopartculas semiconductoras es la


fotoluminiscencia, capaz de absorber luz (fotones) para despus
emitirla en una longitud de onda diferente. Esta propiedad se obtiene
cuando las nanopartculas son expuestas a la luz ultravioleta. La
intensidad y el cambio en la longitud de onda de la luz irradiada sobre
la partcula dan como resultado los espectros de absorcin y emisin
que constituyen una manifestacin directa de los niveles de energa en
los cuales los electrones se encuentran atrapados.

Entre ms pequeas sean las nanopartculas, se necesitar una


energa ms alta para que una transicin electrnica se lleve a cabo
(absorcin). El regreso del electrn a su orbital producir la emisin de
un fotn con energa dentro del intervalo de luz visible, por lo que las
soluciones irradiadas presentan diferentes colores muy intensos, lo que
las hace tiles en el marcaje y deteccin biolgica. As, las
nanopartculas de sulfuro de cadmio emiten en azul cuando son
cercanas a dos nanmetros, y en naranja cuando son
mayores a 5 nm.

137

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Nanoelectrnica:

La

nanoelectrnica

es

el

uso

de

la

nanotecnologa en componentes electrnicos, especialmente en


transistores, basado en principios de la mecnica cuntica.

Nanocables
Los nanocables podemos definirlos como estructuras moleculares con
propiedades elctricas u pticas. Son uno de los componentes clave
para la creacin de chips.
Electrnicos moleculares. Fciles de producir, estos pueden ser
juntados a modo de rejilla y llegan a constituir la base para los circuitos
lgicos a nanoescala.
Los nanocables pueden tener varias formas y otras muchas
aplicaciones.

Los nanocables tienen propiedades elctricas y pticas nicas. Su


principal uso es en la creacin de dispositivos manomtricos, entre los
que podran estar las clulas solares.

Nanocircuitos
Los "nanocircuitos" son circuitos electrnicos compuestos bsicamente
por transistores, cables e interruptores, pero fabricados en unas
dimensiones extremadamente miniaturizadas.

138

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Circuitos de radiofrecuencia (RFID) impresas mediante la utilizacin de


tintas que contienen nanotubos.

Esquema experimental y ejemplo de la tcnica de nanolitografa en


materiales a temperatura ambiente

El fullereno
Los fullerenos son la tercera forma ms estable
del carbono, tras el diamante y el grafito. Su
estructura atmica se presenta en forma de
esferas, elipsoides o cilindros. Los fullerenos
esfricos reciben a menudo el nombre de
buckyesferas y los cilndricos el de buckytubos o
nanotubos.

139

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Figura. Fullerenos
cilndricos o nanotubos

Figura. El fullereno ms conocido es el


buckminsterfullereno. Se trata de un
fullereno formado por 60 tomos de
carbono (C60), cuya estructura es la de
una figura geomtrica truncada y est
constituido por 20 hexgonos y 12
pentgonos, con un tomo de carbono en
cada una de las esquinas de los
hexgonos y un enlace a lo largo de cada
arista.

Futuras Aplicaciones De La Nanotecnologa


Los campos que estn experimentando continuos avances son:
Energas alternativas, energa del hidrgeno, pilas (clulas) de
combustible, dispositivos de ahorro energtico.
Administracin de medicamentos, especialmente para combatir el
cncer y otras enfermedades.
Computacin cuntica, semiconductores, nuevos chips.
Seguridad. Microsensores de altas prestaciones. Industria militar.
Aplicaciones industriales muy diversas: tejidos, deportes,
materiales, automviles, cosmticos, pinturas, construccin,
alimentos envasados, pantallas planas...
Contaminacin medioambiental.
Prestaciones aeroespaciales: nuevos materiales, etc.
Fabricacin molecular.

140

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Lecturas Recomendadas

VDEO: NANOTECNOLOGA EN:


http://www.youtube.com/watch?v=TY2-1cLX8Mc

VDEO: CRISTAL LQUIDO EN:


Fttp://blip.tv/angelr182/videotutorial-7-pantalla-de-cristal-liquido4363544

LECTURA: LQUIDOS EXTICOS EN:


http://bibliotecadigital.ilce.edu.mx/sites/ciencia/volumen2/ciencia3/10
4/htm/liquidos.htm

Actividades y Ejercicios
1. Ingresa al link: CRISTAL LQUIDO lee atentamente las indicaciones,
desarrllalo y envalo por el mismo medio:

Explora las siguientes pginas web y otras que puedas encontrar en el


Internet y elabora, en MS Word, un mapa descriptivo de las partes de
una pantalla LCD, describe los principios fsicos de cada una de las
partes.
http://www.ibercajalav.net/img/cristalesLiquidos.pdf
http://bibliotecadigital.ilce.edu.mx/sites/ciencia/volumen2/ciencia3/1
04/htm/sec_6.htm
http://www.unicrom.com/Tut_LCD.asp

2. Ingresa al link: CIRCUITOS INTEGRADOS lee atentamente las


indicaciones, desarrllalo y envalo por el mismo medio:

Explora las siguientes pginas web y otras que puedas encontrar en el


Internet, selecciona un circuito, cualquiera que tenga ms de 10
componentes, circuito detector de seales de video, circuitos, circuitos

141

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amplificadores, etc. Identifica los componentes electrnicos presentes en el


circuito, a partir de los smbolos mostrados. En MS Word, pega la imagen del
circuito elegido y elabora una tabla que muestre el smbolo y nombre del
componente presente en el circuito.
http://www.pablin.com.ar/
http://www.electronicafacil.net/circuitos/
http://eureka.ya.com/elektron/circuitos.htm

3. Ingresa al link: FIBRA PTICA lee atentamente las indicaciones,


desarrllalo y envalo por el mismo medio:

Explora las siguientes pginas web y otras que puedas encontrar en el


Internet y realiza un artculo sobre las fibras pticas, en el Per.
http://www.mtc.gob.pe/portal/fibraoptica/index.html
http://elcomercio.pe/ediciononline/html/2007-12-06/alan-garciainaugura-primer-red-fibra-optica-que-unira-al-norte-peru.html
http://www.viatelperu.com/joomla/index.php?option=com_content&v
iew=article&id=59:primer-proyecto-de-fibra-optica-para-region-ruralperuana&catid=45:informacion-tecnica
http://lamula.pe/2011/02/23/red-de-fibra-optica-para-conectar-elperu/jorgebossio

4.

Ingresa al link: NANOTECNOLOGA lee atentamente


indicaciones, desarrllalo y envalo por el mismo medio:

las

Explora las siguientes pginas web y otras que puedas encontrar en el


Internet y realiza una presentacin sobre los avances de la
nanoelectrnica.
http://www.nanotecnologica.com/tag/nanoelectronica/
http://www.sinewton.org/numeros/numeros/43-44/Articulo68.pdf
http://www.diarioaz.com.mx/index.php?option=com_content&view=a
rticle&id=8471:impulsan-la-nanoelectronicaorganica&catid=13:eureka&Itemid=19

142

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Autoevaluacin
1) Un cristal lquido:
a.

Es una fase de la materia muy parecida al vidrio en estado lquido.

b.

Es una fase de la materia por el cual atraviesan todos lo slidos.

c.

Es una fase de la materia donde las molculas presentan


propiedades tanto de los slidos cristalinos como de los lquidos.

d.

Es una fase de la materia en donde le alcanzan algunos lquidos


que tienen slidos disueltos en este.

e.

Es una fase de la materia donde las molculas presentan


propiedades tanto de los slidos amorfos como de los lquidos.

2) Indique cul de las siguientes fases mesomrficas son utilizadas en


pantallas LCD

3)

a.

Colestricos

b.

Nemticos

c.

Semilquido

d.

Esmticos

e.

Semisolido

Marque la alternativa que corresponda segn sea verdadera (V) o


Falsa (F)
I.

En un cristal lquido las molculas modifican su orientacin en


presencia de un campo elctrico.

II.

La orientacin de las molculas en un cristal lquido determina sus


propiedades pticas.

III.

Las pantallas LCD estn compuestas de pequeas celdas de cristal


lquido, llamadas pixeles.
a.

FFF

b.

FVF

c.

VVV

d.

VFV

e.

FFV

143

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4)

Marque la afirmacin INCORRECTA


a.

Los circuitos integrados tienen una cantidad muy grande de


transistores y diodos.

b.

Los circuitos integrados tienden a calentarse y muchos de ellos


necesitan disipadores.

c.

El primer circuito integrado fue del tipo monoltico

d.

El microprocesador de un computador es un circuito integrado

e.

Un circuito integrado

no puede tener ms de un milln de

transistores
5)

Con respecto al circuito integrado 555 es CORRECTO afirmar


a.

Es un circuito integrado MSI.

b.

Es un circuito compuesto por 12 transistores, 4 diodos y 16


resistores.

c.

Es un circuito que puede generar pulsos de hasta un milln de


veces por segundo.

6)

d.

Es el circuito integrado que tiene 4 electrodos o "patitas".

e.

Es un circuito usado para amplificar una seal.

Una fibra ptica es:


a.

Una fibra hecha principalmente de dos materiales de ndice de


refraccin diferentes.

b.

Es una fibra conductora usada como cable de corriente elctrica


de alta precisin.

c.

Es una fibra que transporta electrones como seal de informacin


de un punto a otro

d.

Es una fibra metlica muy delgada que puede transportar pulsos


elctricos de alta frecuencia

e.

Es una fibra usada como conductor de corriente en circuitos


integrados, para comunicacin WiFi.

7)

Cuando la luz se propaga en la fibra ptica ocurre un fenmeno ptico


llamado:
a.

Reflexin parcial

144

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8)

9)

b.

Refraccin interna total

c.

Reflexin interna total

d.

Reflexin multimodal

e.

Reflexin selectiva

La nanotecnologa es la ciencia de materiales con dimensiones de


orden de:
a.

Millonsima parte de un milmetro

b.

Millonsima parte de un metro

c.

Milsima parte de un milmetro

d.

Milsima parte del metro

e.

La decima parte de un milmetro

Con respecto a las nanopartculas semiconductora, indique la


alternativa INCORRECTA
a.

Presentan fotoluminiscencia

b.

Son partculas del tamao de de 1 a 80nm

c.

Se forman de la mezcla de los elementos de la tabla peridica del


grupo III con el grupo V

d.

Presentan propiedades fsicas y qumicas diferentes en funcin de


sus dimensiones

e.

Se pueden observar con un microscopio ptico.

10) Marque la alternativa que corresponda segn sea verdadera (V) o


Falsa (F).
I.

Los nanocables tienen propiedades elctricas y pticas dependiendo


de cmo se organicen los tomos.

II.

El desarrollo de nanocircuitos permite crear circuitos sobre lminas


flexibles.

III.

El fullereno es una forma de nanocable, formado por tomos de


carbono que forman una especie de nanotubos.
a.

FFF

b.

FVF

c.

VVV

d.

VFV

e.

FFV

145

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Resumen

UNIDAD DE APRENDIZAJE IV:


El cristal lquido es un tipo especial de estado de agregacin de la materia que
tiene propiedades de la fase lquida y la slida. Dependiendo del tipo de cristal
lquido, es posible, por ejemplo, que las molculas tengan libertad de
movimiento en un plano, pero no entre planos, o que tenga libertad de rotacin,
pero no de traslacin.
Cristal lquido fases intermedias entre slido y lquido de algunas sustancias
orgnicas como el colesteril benzoato. Son muy sensibles a la temperatura y al
campo elctrico o magntico aplicado, de modo que las propiedades pticas del
material se modifican y se producen fenmenos como la iridiscencia.
Un circuito integrado (CI), tambin conocido como chip o microchip, es una
pastilla pequea de material semiconductor, de algunos milmetros cuadrados
de rea, sobre la que se fabrican circuitos electrnicos generalmente mediante
fotolitografa y que est protegida dentro de un encapsulado de plstico o
cermica. El encapsulado posee conductores metlicos apropiados para hacer
conexin entre la pastilla y un circuito impreso. El circuito integrado 555.Circuito integrado compuesto por 23 transistores, 2 diodos, y 16 resistores. Este
circuito es utilizado como un generador de pulsos, y la frecuencia de stos
puede variar de 1 pulso por segundo hasta 1 milln de pulsos por segundo.
La fibra ptica, es un medio de transmisin empleado habitualmente en redes
de datos; un hilo muy fino de material transparente, vidrio o materiales plsticos,
por el que se envan pulsos de luz que representan los datos a transmitir. El haz
de luz queda completamente confinado y se propaga por el interior de la fibra
con un ngulo de reflexin por encima del ngulo lmite de reflexin total, en
funcin de la ley de Snell. La fuente de luz puede ser lser o un LED.
Las fibras se utilizan ampliamente en telecomunicaciones, ya que permiten
enviar gran cantidad de datos a una gran distancia, con velocidades similares a
las de radio o cable. Son el medio de transmisin por excelencia al ser inmune
a las interferencias electromagnticas, tambin se utilizan para redes locales,
en donde se necesite aprovechar las ventajas de la fibra ptica sobre otros
medios de transmisin.
La nanotecnologa es un campo de las ciencias aplicadas dedicado al control y
manipulacin de la materia a una escala menor que un micrmetro, es decir, a
nivel de tomos molculas (nano materiales). Lo ms habitual es que tal
manipulacin se produzca en un rango de entre uno y cien nanmetros. Se
tiene una idea de lo pequeo que puede ser un nanobot sabiendo que un
nanobot de unos 50 nm tiene el tamao de 5 capas de molculas o tomos depende de qu est hecho el nanobot-.
Nano es un prefijo griego que indica una medida, no un objeto; de manera
que la nanotecnologa se caracteriza por ser un campo esencialmente
multidisciplinar, y cohesionado exclusivamente por la escala de la materia
con la que trabaja.

146

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Glosario

AGOTAMIENTO (ZONA DE): parte del semiconductor, cercano a la juntura


en donde no existen portadores de carga.

ALINEAL: circuito que con un pequeo cambio en la entrada causa un


gran cambio en la salida (los transistores y diodos son alineales) Ver: diodo,
transistor.

AMPERE (AMPERIO): unidad de medicin de la corriente elctrica (A)


1 Amperio = 1 coulombio / segundo = 1C/s.
1 Amperio = 1000 mA.
Ver: corriente elctrica, corriente alterna, corriente continua

AMPERMETRO: instrumento de medicin utilizado para medir la corriente


que atraviesa un dispositivo. Este instrumento se coloca en serie con el
dispositivo Ver: medir corriente directa

AMPLIFICADOR TRANSISTORIZADO: circuito basado en el transistor con


ganancia de potencia mayor a 1.

AMPLITUD: valor pico de una onda. En ondas simtricas es el valor de la


mitad del valor pico-pico. Ver: corriente alterna

NODO: electrodo positivo. Ver: diodo


BASE COMN: configuracin de un amplificador con transistor en que la
entrada es aplicada al emisor y la salida se obtiene en el colector. La
ganancia

de

voltaje

es

grande

la

ganancia

de

corriente

es

aproximadamente 1.

BETA (): relacin que hay entre los valores de las corrientes del colector y
la base de un transistor (ganancia). Ver: transistor bipolar

BIPOLAR: transistor que utiliza tantos portadores de carga positiva como


negativa, en la transmisin de la corriente. Ver: transistor bipolar

BOBINA: (inductor) elemento que reacciona contra los cambios en la


corriente a travs de l, generando una tensin que se opone a la tensin
aplicada y es proporcional al cambio de la corriente.

BOBINADO: cada uno de los lados de un transformador, realizado con


muchas espiras arrolladas sobre un ncleo magntico. Estos bobinados se
llaman primarios y secundarios, respectivamente.

147

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CA (CORRIENTE ALTERNA): corriente elctrica que cambia su amplitud


en forma peridica con el tiempo. Ver: corriente alterna

CAMPO MAGNTICO: distribucin de la energa magntica en el espacio,


creado por un imn o por el flujo de una corriente.

CAPACITOR (CONDENSADOR) DE PASO: es un capacitor que tiene por


finalidad mantener la alta ganancia en c.a. y la ganancia en c.c. es reducida
con ayuda de una resistencia de realimentacin (Re)

COLECTOR COMN: tambin llamado seguidor emisor. La entrada de


seal se hace en la base y la salida se obtiene en el emisor. Tiene una alta
ganancia de corriente y una ganancia de tensin ligeramente menor a 1.

CORTE: estado en que la tensin base emisor, en un transistor, no es


suficiente para polarizar el transistor en su unin base-emisor. Como
consecuencia no hay corriente en el emisor del transistor. Se dice que el
transistor no conduce o est abierto.

CORRIENTE: cantidad de carga que circula por un conductor por unidad de


tiempo.

COULOMBIO: unidad de medicin de la carga elctrica. 1 coulombio tiene


una carga de: 6.28 x 1028 electrones.

CURVA CARACTERSTICA: cada una de las curvas que describe la


operacin de un dispositivo (ejemplo: un transistor) en distintas condiciones
de polarizacin y carga.

DIGITAL: un sistema en que los caracteres o cdigos son utilizados para


representar nmeros o cantidades fsicas en forma discretos.

DIPOLO: antena de la mitad de longitud de onda, partida en su punto


central, para conectarse al cable de alimentacin.

DISIPADOR DE CALOR: dispositivo metlico utilizado para disipar el calor


generado por componentes electrnicos.

EMISOR COMN: configuracin de un amplificador a transistor en donde la


entrada de la seal se aplica a la base y la salida se obtiene del colector:
Las ganancias de tensin y corrientes son muy altas, obtenindose una alta
ganancia de potencia.

FARADIO (F): unidad de capacidad en los condensadores.

148

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FET (FIELD EFFECT TRANSISTOR): transistor de efecto de campo en que


el flujo de electrones que circula entre fuente (S) y drenaje (D) es controlado
por una tensin aplicada en la compuerta (G).

FILTRO: circuito selectivo que slo deja pasar frecuencias determinadas,


bloqueando todas las otras.

FUENTE COMN: modo de operacin de un FET (transistor de efecto de


campo) en que la entrada es tomada entre compuerta y fuente, y la salida
entre drenaje y fuente. Se obtiene una gran ganancia tanto de tensin cono
de corriente

FUSIBLE: Dispositivo de proteccin que abre el circuito cuando hay un


consumo de corriente mayor al esperado.

INTRNSECO (SEMICONDUCTOR): es en esencia un semiconductor puro,


cuyas propiedades no son determinadas por las impurezas.

KILOHERTZ:

[Kilociclo], Khz, mil Hertz, 1 Khz = 1000 Hz. Unidad de

frecuencia.

KILOHM: [Kilohmio], K; mil Ohms, 1 K = 1000


KILOVOLT: [Kilovoltio], KV, mil voltios. 1 KV = 1000 voltios
KILOWAT: [Kilovatio], KW, mil watts, 1 KW = 1000 vatios
LSER: (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation).
Dispositivo que produce un rayo de luz coherente.

LED: Light Emitting Diode. Diodo emisor de Luz


LEY DE OHM: ley que afirma que en un conductor, el cociente entre la
tensin (voltaje) y la intensidad (corriente) es una constante conocida con la
resistencia.

LCD: Liquid Crystal Display. pantalla de cristal lquido. Tecnologa que


permite la creacin de pantallas planas.

POLARIZACIN: uso de fuentes externas de alimentacin, para proveer


de energa a un amplificador y establecer sus lmites.

POLARIZACIN EN DIRECTA: en el diodo es cuando el voltaje en el


nodo es superior al voltaje del ctodo.

POLARIZACIN EN INVERSA: en el diodo es cuando el voltaje en el


ctodo es superior al voltaje en el nodo.

149

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PORTADORES MINORITARIOS: portador que tiene menor presencia en


un rea dada en un semiconductor. En reas tipo N hay huecos y en la
reas P, electrones.

POTENCIA: la velocidad con la que se consume o suministra energa de


un sistema. Potencia = Energa/tiempo. La unidad de medicin de la
potencia es el Watt o Vatio (W)

POTENCIMETRO: es un elemento de 3 terminales que funciona como 2


resistencias variables, pero la suma de ellas siempre permanece constante.

PUNTO DE OPERACIN: conjunto de condiciones de polarizacin de un


transistor. Suele ser dada con dos tensiones. El caso de transistor bipolar
con tensiones colector emisor y base emisor y en el FET como tensiones
compuerta fuente y drenaje fuente.

RECTIFICADOR: circuito que convierte la corriente Alterna (C.A.) en


corriente continua (C.C.).

REGIN ACTIVA EN UN TRANSISTOR: regin en que la juntura BE


(base-emisor) est polarizada en directa y la regin BC (base-colector) est
polarizada en inversa.

REGIN DE RUPTURA: regin en la que el diodo semiconductor se haya


polarizado en inverso ms all de la tensin de ruptura. Un diodo comn se
destruira, pero un diodo zener aprovechara la caracterstica para regular a
una tensin fija.

REGULADOR ZENER: regulador basado en el diodo zener cuando trabaja


en la zona de ruptura

RESISTENCIA: es la medida de cuanto se opone un circuito al paso de la


corriente elctrica a travs de l.

SATURACIN: regin de funcionamiento de un transistor en que ambas


junturas del transistor se hallan polarizadas en directo, lo que causa que el
voltaje entre colector y emisor sea muy pequeo (casi 0 voltios).

SEGUIDOR EMISOR: amplificador transistorizado donde la salida es igual


a la de entrada, incluyendo la fase. Por eso el nombre "seguidor".

TENSIN DE RUPTURA:
Tensin en la que un diodo polarizado inversamente causa la ruptura de la
unin PN.

TRANSISTOR: dispositivo semiconductor con tres terminales que funciona


como amplificador y como interruptor.

150

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Fuentes de Informacin
Bibliogrficas:

RAYMOND A. SERWAY/CLEMENT J. MOSES/CURT A. MOYER.


Fsica moderna. Tercera edicin. Ed. Thomson (2006).
ALBELA J. M./MARTINEZ-DUART J.M. Fundamentos de electrnica
fsica y microelectrnica. Ed. Addison Wesley (2007).
LLUS PRAT VIAS (Ed). Circuitos y dispositivos electrnicos.
Fundamentos de electrnica. Ediciones de la Universidad Politcnica
de Catalua. (1998)
C. KITTEL. Introduccin a la fsica del estado slido. Ed.Revert.
(1998)
VAN DER ZIEL. Fsica del estado slido. Ed. Prentice Hall. (2000)
R.B. ADLER/A.C. Smith/R.L. LONGINI. Introduccin a la fsica de los
semiconductores. (Manuales del S.E.E.C.). Ed. Revert. (2004)
A.R. HAMBLEY. Electrnica. Ed.Prentice Hall.
J.A. WALSTUN y J. MILLER. Transistores, circuito y diseo (Texas
Instruments). Ed. CECSA. (2000)

Electrnicas
Fsica con ordenador
http://www.sc.ehu.es/sbweb/fisica/default.htm

Electrnica bsica
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/default.htm

Fundamentos de electrnica fsica y microelectrnica


http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica_indice.html

Fsica electrnica de la universidad de valencia


http://www.uv.es/elecfis/

Diodos de potencia
http://www.uv.es/marinjl/electro/diodo.html#1

Lecciones de electrnica
http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/default.asp

Curso en lnea de electrnica


http://electronicacompleta.com/

Instituto latinoamericano de la comunicacin educativa


http://bibliotecadigital.ilce.edu.mx/b

151

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Solucionario
UNIDAD DE

UNIDAD DE

APRENDIZAJE 3:

APRENDIZAJE 4:

1. D

1. C

2. A

2. B

3. A

3. C

4. D

4. E

5. D

5. C

6. E

6. A

7. B

7. C

8. E

8. A

9. E

9. E

10. B

10. C

UNIDAD DE

1. D

UNIDAD DE
APRENDIZAJE 2:
1. D

2. D

2. A

3. A

3. A

4. A

4. C

5. A

5. D

6. E

6. B

7. C

7. E

8. A

8. C

9. B

9. B

10. D

10. D

APRENDIZAJE 1

152