UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE

ELECTRNICA E INSTRUMENTACIN
Asignatura:

Control Electrnico de Potencia

Alumnos:

Herrera Danny
Mena Mauricio

NIVEL: 7MO

PERIODO
OCTUBRE 2015 FEBRERO 2016

1. TEMA
Clculo de las prdidas estticas y dinmicas tomando en cuenta una
curva de corriente y voltaje como referencia as como tiempos
determinados.

2. OBJETIVOS

a. General
i.

Aplicar el clculo de perdidas estticas y dinmicas

que se presentan en los semiconductores de potencia

b. Especficos
i.
ii.

Entender el comportamiento de los semiconductores

de potencia en cuanto a prdidas se refiere.
Diferenciar las causas de las perdidas estticas con
respecto a las dinmicas.

3. MARCO TEORICO
PERDIDAS EN SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
El objetivo comn del diseo de interruptores para semiconductores de
potencia de alta tensin (cuyos tipos ms conocidos son el IGBT y el IGCT)
es optimizar la combinacin de la potencia en estado de conduccin y las
prdidas en corte. En trminos prcticos, esto significa que el
semiconductor debe tener la mnima cada de tensin posible en la fase de
conduccin (es decir, debe crearse un plasma denso) sin que se originen
prdidas excesivamente altas en corte cuando se suprime el exceso de
carga.
Durante el corte, el componente recupera su capacidad de bloqueo creando
un campo elctrico desde la unin PN en el lado del ctodo hasta la zona N.
La tensin de recuperacin cubre el plasma desde el ctodo hasta el nodo.
Los portadores de carga cerca del ctodo son suprimidos a una baja tensin
y, por tanto, generan bajas prdidas en corte, mientras que los portadores
prximos al nodo fluyen fuera del dispositivo a una tensin alta, originando
altas prdidas.
En inversores de fuente de tensin sin limitacin di/dt externa (como los
circuitos tpicos IGBT), dicha limitacin ha de tener lugar mediante control
del propio dispositivo de conmutacin, lo que causa prdidas sustanciales
de conexin.
En inversores con altas tensiones, la combinacin de las prdidas de
conexin del interruptor y las prdidas de recuperacin del diodo
constituyen entre el 40 y 60 por ciento de las prdidas totales del inversor,
dependiendo de la frecuencia de conmutacin.
Prdidas de conexin notablemente menores tienen lugar en un interruptor
de silicio utilizado con un limitador di/dt pasivo, liberando al dispositivo de
carga trmica y, en consecuencia, permitiendo en principio una mayor
potencia de salida para el inversor. Sin embargo, debe sealarse que a

pesar de todo se producen prdidas, dado que se transfieren al circuito de

circulacin libre del limitador de di/dt.
PERDIDAS ESTATICAS
En estado ON un dispositivo real se puede modelar por una cada de tensin
directa o umbral Ud y una resistencia directa Rd. Las prdidas para una
corriente Id pueden ser considerables.
En estado OFF se presenta una corriente de fuga Ii (valor que se puede
tomar como cero en la mayora de los casos) y el dispositivo bloque una
diferencia de potencial dada Ui, la prdida fundamental es el producto Ui.Ii
si bien en la mayora de los dispositivos es de magnitud muy inferior a la
prdida en estado ON y puede ser despreciada.
PERDIDAS DINAMICAS
Al producirse el paso de ON a OFF y viceversa en tiempo finito se producen
situaciones simultaneas donde se obtiene valores altos de potencia U y
corriente I.

Figura 1: Prdidas en dispositivos de conmutacin

En la Figura 1 se representa la evolucin de tensin e intensidad en un
dispositivo al conmutar entre OFF y ON, viceversa y la potencia de prdidas
asociada. Las prdidas debidas a la conmutacin son las ms elevadas en
magnitud durante el tiempo de conmutacin, la prdida en conduccin es
sustancialmente mayor que la prdida en bloqueo. Un modelo sencillo que
permite estimar las prdidas en un dispositivo trabajando en conmutacin a
frecuencia = 1/, con tiempos de conmutacin = dados, tiempos
de permanencia en On Ton, frecuencia de conmutacin f, tensin de estado
off o trabajo U, cada de potencial interna en estado ON, Uon corriente de
conduccin en ON o trabajo I y resistencia en estado ON, Ron es el dado por:

El factor a depende de las condiciones de conmutacin y del dispositivo y

puede variar entre 2 y 6, siendo 2 un valor adecuado para estimaciones.
Como puede observarse para reducir prdidas son deseables valores
reducidos de cada de tensin y resistencia en conduccin, por una parte, y
del tiempo de conmutacin ts por otra. Las prdidas en bloqueo se
consideran despreciables. La frecuencia de trabajo se fija por un
compromiso entre las ventajas que aporta una alta frecuencia en la

reduccin de tamao y peso de componentes pasivos y el aumento de

prdidas de conmutacin que provoca.

4. DESARROLLO

Calcular las prdidas tomando en cuenta las curvas de voltaje y

corriente, as como los datos siguientes.

VCE=1000 V

VCESAT =2 V

ICMAX=100 A

ICFUGA=300 mA

a)

T =20 ms

PD=

1
T

T 1=5 ms

T 2=8 ms

T1

T2

T 3=15 ms

T 4=20 ms

T3

T4

Pcorte ( t ) . dt+ Pdc ( t ) . dt+ Psat ( t ) . dt+ Pcd ( t ) . dt

0

T1

Pcorte ( t )=V CEmaxI fuga

Psat ( t ) =V CEsatI Cmax

V CE ( t )=

T2

T3

Pcorte ( t )=1000 V ( 0.3 A )

Psat ( t ) =2V ( 100 A )

V CEmax V CEsat
t+V CEmax
T dc

( 10002
)t +100 0
3

V CE ( t )=

V CE ( t )=332.67 t+100 0

Pcorte ( t )=300 W

Psat ( t ) =200W

I C ( t )=

I Cmax I fuga
t+ I fuga
T dc

( 1000,3
) t+ 0,3
3

I C ( t )=

I C ( t )=33,23 t +0, 3
Pdc ( t )=vCE ( t )iC ( t )
Pdc ( t )=(332.67 t+100 0 )( 33,23t +0, 3 )
Pdc ( t )=11 0 54,62t 2+ 33130,2t+ 300

V CE ( t )=

V CEmax V CEsat
t +V CEmax
T cd

( 10002
) t+100 0
5

V CE ( t )=

V CE ( t )=199.6 t+100 0

I C ( t )=

I Cmax I fuga
t + I fuga
T cd

( 1000,3
) t+ 0,3
5

I C ( t )=

I C ( t )=19,94 t+0, 3
Pcd ( t )=v CE ( t )i C ( t )
Pdc ( t )=( 199.6 t+100 0 )(19,94 t+0, 3 )
2

Pdc ( t )=3980,02t 19880,12t +300

T1

Pcorte ( t ) .dt= 300. dt=1500 w

0

T2

Pdc ( t ) . dt= 200. dt=1400 w

T1

T3

Psat ( t ) . dt= (11054,62 t2 +33130,2 t+300 ) . dt=50494,32 w

T2

T4

Pcd ( t ) . dt= ( 3980,02 t219880,12 t+ 300 ) . dt=412835,67 w

T3

PD=

1
{ 1500+50494,32+1400+412835,67 }
20

PD=23311,5 w

b)

T =20 ms

T 1=8 ms

T 2=8 ,1 ms

T 3=19,5 ms

T 4=20 ms

1
PD=
T

{
T1

T2

T1

Pcorte ( t )=V CEmaxI fuga

Psat ( t ) =V CEsatI Cmax

Psat ( t ) =2V ( 100 A )

V CEmax V CEsat
t+V CEmax
T dc

t +100 0
( 10002
0,1 )

V CE ( t )=9980 t+100 0

I Cmax I fuga
t+ I fuga
T dc

t+ 0,3
( 1000,3
0,1 )

I C ( t )=

I C ( t )=997 t +0, 3
Pdc ( t )=vCE ( t )iC ( t )
Pdc ( t )=(9980 t+100 0 )( 997 t+ 0,3 )
2

Pdc ( t )=9950070 t +994006 t +300

V CE ( t )=

V CEmax V CEsat
t +V CEmax
T cd

t+100 0
( 10002
0, 5 )

V CE ( t )=

V CE ( t )=199 6 t+100 0

T2

T3

Pcorte ( t )=1000 V ( 0.3 A )

V CE ( t )=

I C ( t )=

T4

Pcorte ( t ) . dt+ Pdc ( t ) . dt+ Psat ( t ) . dt+ Pcd ( t ) . dt

V CE ( t )=

T3

Pcorte ( t )=300 W

Psat ( t ) =200W

I C ( t )=

I Cmax I fuga
t + I fuga
T cd

t+0, 3
( 1000,3
0, 5 )

I C ( t )=

I C ( t )=19 9 , 4 t+ 0,3
Pcd ( t )=v CE ( t )i C ( t )
Pdc ( t )=( 199 6 t+100 0 )(19 9 , 4 t+ 0,3 )
Pdc ( t )=3980 02, 4 t 2198801 , 2t +300

T1

Pcorte ( t ) .dt= 300. dt=24 00 w

0

T2

11,4

Pdc ( t ) . dt= 200. dt=228 0 w

T1

T3

Psat ( t ) . dt= (9950070 t2 +994006 t +300 ) . dt=2816,65 w

T2
T4

Pcd ( t ) . dt= ( 398002,4 t 2198801,2 t+300 ) . dt=24833,15 w

T3

PD=

1
{ 2400+2816,65+228 0+24833,15 }
20

PD=1616,49 w

5. Conclusiones

Los dispositivos semiconductores de potencia debido a la gran

cantidad de corriente que manejan presentan perdidas ya sean
estticas o dinmicas segn el comportamiento.
Las prdidas estticas se presentan en el encendido o apagado de un
semiconductor de potencia debido a una cada de tensin directa lo
cual afecta a la corriente que fluye por el mismo.

Las prdidas dinmicas dependen de las condiciones de conmutacin

del dispositivo aunque algunas son despreciables se deben tomar
muy en cuenta para entender su funcionamiento.

6. Bibliografa

Rashid, H., (1995). Electrnica de Potencia, Circuitos, Dispositivos y

Aplicaciones. Mxico: PRENTICE HALL HISPANOAMERICANA, S.A.
http://bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/1/T1571.pdf