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UNIVERSIDAD ABIERTA INTERAMERICANA

Facultad de Tecnologa Informtica


Materia: Electromagnetismo Estado Slido II
Profesor: Vallhonrat, Carlos
Alumno: - Balia, Mariano Casanello, Oscar Di Paolo, Daro
Rossi, Juan Pablo
Sede: Castelar
Comisin: 5
Turno: Noche
Ao: 2008

GUA N3: Transistores

CONTENIDOS
Tipos de transistores: BJT y FET; p-n-p y n-p-n; JFET y MOSFET. Propiedades. Regiones
de trabajo. Configuraciones de uso. Su utilizacin en circuitos digitales.
Resolucin:
1] Analizar los smbolos utilizados para BJT y FET. Qu indica cada elemento de los mismos?
Transistor de union bipolar (BJT - Bipolar Junction Transistor)

Se componen de 3 elementos:
Emisor, est muy fuertemente dopado, sus propiedades elctricas se acercan a las de un
metal y su funcin, como su nombre sugiere, es emitir portadores hacia el componente base.
Base, est apenas dopado y es de muy pequeo espesor. Tiene conductividad contraria a la
de los otros terminales y es la encargada de realizar el control de la corriente que atraviesa por
el colector y el emisor.
Colector: es el extremo, donde llegan casi todos los portadores emitidos.
Los tres semiconductores estn conectados al circuito exterior. Se trata entonces de un
componente de tres patas.

Transistores de efecto de campo (FET - Field-Effect Transistor)

Se componen de 3 elementos:
La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se
comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta
permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.

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GUA N3: Transistores

2] Podra considerarse a un BJT cmo dos diodos conectados en oposicin, con una tercera
conexin entre ambos? Cul es la diferencia de comportamiento? A qu se debe? Describa
el "efecto transistor".
Si, podra considerarse como dos diodos conectados en oposicin, dado que se basa
en combinaciones p-n. Dicho transistor posee una estructura simple formada por dos uniones
muy prximas, donde la zona central es de un espesor muy pequeo. A diferencia del diodo,
donde la corriente circula o no de acuerdo a su polarizacin, en un BJT cada semiconductor
cumple una funcin especfica y diferente (EMISOR COLECTOR BASE).
El emisor ha de ser una regin muy dopada (de ah la indicacin p+). Cuanto ms dopaje
tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podr aportar a la corriente.
La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca recombinacin en
la misma, y prcticamente toda la corriente que proviene de emisor pase a colector, como
veremos ms adelante. Adems, si la base no es estrecha, el dispositivo puede no
comportarse como un transistor, y trabajar como si de dos diodos en oposicin se tratase.
El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las caractersticas de esta
regin tienen que ver con la recombinacin de los portadores que provienen del emisor. En
posteriores apartados se tratar el tema.
El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el
emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. En esencia un transistor se
puede considerar como un diodo en directa (unin emisor-base) por el que circula una corriente
elevada, y un diodo en inversa (unin base-colector), por el que, en principio, no debera
circular corriente, pero que acta como una estructura que recoge gran parte de la corriente
que circula por emisor - base.
En la figura 9 se puede ver lo que sucede. Se dispone de dos diodos, uno polarizado en directa
(diodo A) y otro en inversa (diodo B). Mientras que la corriente por A es elevada (IA), la
corriente por B es muy pequea (IB). Si se unen ambos diodos, y se consigue que la zona de
unin (lo que llamaremos base del transistor) sea muy estrecha, entonces toda esa corriente
que circulaba por A (IA), va a quedar absorbida por el campo existente en el diodo B. De esta
forma entre el emisor y el colector circula una gran corriente, mientras que por la base una
corriente muy pequea. El control se produce mediante este terminal de base porque, si se
corta la corriente por la base ya no existe polarizacin de un diodo en inversa y otro en directa,
y por tanto no circula corriente.

3] Seale diferencias y semejanzas estructurales entre BJT y FET.


Ventajas del FET frente a los BJT:
1) Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada (107 a
1012 ).

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2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.


3) Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT.
4) Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten
integrar mas dispositivos en un C1.
5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores pequeos de
tensin drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para
permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
Desventajas que limitan la utilizacin de los FET:
1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de
entrada.
2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
3) Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica.

4] Reproduzca la fig. 14.6 a y b para un transistor p-n-p. Asigne a las bateras la polaridad
necesaria para que el transistor representado se encuentre en la regin activa.
5] En la figura de la pregunta anterior, escriba los smbolos usuales de todas las magnitudes de
tensin y corriente que regulan el funcionamiento del transistor. Indique los sentidos de
circulacin de corrientes.
6] Dibuje el grfico de la figura 14.10 para un transistor n-p-n.
7] Explique brevemente, con y . palabras, la informacin que proporcionan los coeficientes
El factor de amplificacin logrado entre corriente de base y corriente de colector, se denomina
Beta del transistor = IC/IB.
La relacin entre la corriente de colector y corriente de emisor, se denomina = IC/IE.
8] Considere la configuracin EC. Dibuje la curva Ib vs. Vbe, y la familia de curvas Ic vs. Vce,
con Ib como parmetro, suponiendo un comportamiento ideal de las uniones.
9] Dibuje circuitos con transistores que cumplan las siguientes condiciones:
9.1 p-n-p en EC. Regin de corte.
9.2 p-n-p en BC. Regin de saturacin.
9.3 n-p-n en CC. Regin activa.
9.4 n-p-n en EC. Regin de saturacin.
9.5 n-p-n en EC. Regin de corte.
Verifique sus circuitos en el laboratorio o con el simulador.
10] En el circuito siguiente:

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10.1. Describa el tipo de transistor, la configuracin y la regin de trabajo.


NPN, emisor comn, activo.10.2. Complete las lecturas faltantes en los instrumentos.
V en Rbase = 0,1751v
V en Rcolector = 6,89V
Vce = 109,9mV
Ib = 0.1751mA
Ic = 6,89mA
Ie = 7,06mA
10.3. Cambie la regin de trabajo, de dos formas diferentes, (cambiando dos parmetros
distintos del circuito). Verifique sus resultados con el simulador.
La primera configuracin a probar es cuando est en corte el transistor haciendo que la Ib sea
cero esto se logra bajando la tensin en Vbase que es de 1 volt llevarlo a cero.La segunda configuracin a probar es cuando est en saturacin el transistor haciendo que la
Vce sea cero esto se logra subiendo la corriente de base esto hace que la corriente de colector
suba de forma tal que genera un caida de tensin en Rc igual a la Vcc.11] Sealar las caractersticas ms importantes de los MOSFET, comparadas con los BJT.
Los transistores Mos son dispositivos de alta impedancia, con lo que lleva a una disipacin de
potencia ms baja, como desventaja es la velocidad de trabajo que en comparacin es lenta.12] Cuando un MOSFET se halla en situacin de estrangulamiento (Vds > Vds,sat) cmo es
posible que siga circulando corriente por el canal?
13] Construya en el simulador circuitos con NMOS y PMOS en fuente comn. Provoque los
cambios necesarios en los parmetros para que transiten por las tres regiones de trabajo
descritas. Entregue su trabajo en diskette, incluyendo un breve informe.
14] En qu consisten y en qu se basan las aplicaciones digitales de los transistores? Por
qu le parece que la regin de trabajo activa en los BJT (saturacin en FET) tiene aplicacin en
circuitos amplificadores (analgicos), mientras que las de corte y saturacin (hmica en FET)
se emplean en circuitos de uso en computacin?
15] Seale ventajas y desventajas comparativas de las tecnologas bipolares y unipolares en la
implementacin de puertas lgicas. Explique con qu variables se juega para optimizar el
rendimiento de las puertas en tecnologa bipolar.

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16] Explique en qu consiste la tecnologa CMOS y cules son sus principales ventajas.
Los consumos son muy bajos. Esto significa poco calor que disipar y entonces circuitos ms
compactos (es decir mayor densidad de bits en los chips de circuito integrado), con
posibilidades de alto nivel de integracin, con el correlato de ventajas de costo y de velocidad
de operacin. Los circuitos y sistemas funcionan solamente en dos estados posibles, lo que
significa mayor estabilidad y mayor confiabilidad.

17] Escribir en unos pocos (3 4) renglones una explicacin de los siguientes trminos de la
teora de transistores:
BJT
FET
JFET
MOSFET
MOS complementario
polarizacin
configuracin
regin de trabajo
saturacin
hfe
coeficiente
unin de colector / de emisor
puerta/sumidero/fuente
tensin umbral
enriquecimiento
estrangulamiento
canal n/ canal p

Ms problemas de transistores

1) Mencionar elementos que caractericen una magnitud o una informacin presentada en forma
analgica o en forma digital. Dar ejemplos donde una misma informacin se pueda presentar
de ambas maneras. Son formas equivalentes?

2) Para el siguiente circuito

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a) Dibujar la recta de carga del circuito.


b) Para cada uno de los valores de Vbb indicados ( Vbb=0 ; Vbb=0,2V ; Vbb=0,7V ;
Vbb=1V ; Vbb=1,1V ; Vbb=1,5V ; Vbb=2V ; Vbb=2,5V ; Vbb=5V),
Hallar Ic y Vce.
Ubicar el punto Q en la recta de carga.
Indicar en qu zona est trabajando el transistor en cada caso. En el caso de estar saturado,
suponer Vce=0 y hallar el valor de sat.

c) Para los valores de Vbb=1V y Vbb=1,1V, se puede considerar un Vbb=0,1V.


Hallar el Vce correspondiente Qu representa el cociente Vce/Vbb?
3) Se dispone de un transistor que tiene un =200.
Se desea que funcione saturado con un sat=20 en un circuito igual al anterior.
Elegir valores de Rb y Rc adecuados.
Usar Vcc=12V y Vbb=5V.
4) Para el mismo circuito del punto 3), ahora se desea que funcione en corte, qu debiera
cambiar?
5) Idem pero que funcione en Modo activo. Encontrar al menos 3 maneras distintas de sacarlo
de saturacin.

6) El puerto paralelo entrega una seal que cuando representa un 1 lgico puede estar entre
4,5V y 5V. Se quiere encender un LED que funciona con una diferencia de potencial de 1,5V y
una corriente de 100mA.
Se dispone de una pila de 12V, un transistor NPN y resistencias. Se desea que el LED
encienda cuando en el puerto hay un 1 lgico. Disear un circuito con los elementos
disponibles.

7) Encontrar el valor faltante en cada caso


a) =200

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b) =100