CIRCUITOS INTEGRADOS.

3o Ing. Telecomunicacin.

Curso 2006-2007

EJEMPLO DE REGLAS DE LAYOUT

Y DATOS TECNOLGICOS

Tecnologa CMOS Estandard

N-well, doble metal, un polisilicio
Lmin = 1.0m

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo,

rea de Electrnica.

E.S.I.

Universidad de Sevilla.
p.

1 de 18

3o Ing. Telecomunicacin.

CIRCUITOS INTEGRADOS.

Curso 2006-2007

DEFINICIONES:

ANCHURA de A:

Distancia interior mnima entre los bordes de una figura en

la capa A

A
SEPARACIN entre A y B:

Distancia mnima entre los bordes de dos figuras en las

capas A y B. (A y B pueden ser la misma capa)

COINCIDENCIA entre A y B: Mnima distancia comn a dos figuras en las capas A y B

(A y B diferentes)
B

A
SOLAPAMIENTO de A a B:

Distancia mnima que debe extenderse la figura en la capa

A hacia fuera de la figura en la capa B (A y B diferentes)
A

A
B
B
MARGEN de B a A:

Distancia mnima que debe guardar la figura en la capa B

dentro de la figura en la capa A (A y B diferentes)

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo,

rea de Electrnica.

E.S.I.

Universidad de Sevilla.
p.

2 de 18

3o Ing. Telecomunicacin.

CIRCUITOS INTEGRADOS.

Curso 2006-2007

DEFINICIONES:
DIFUSIN CALIENTE: Difusin N+ fuera de pozo N a una tensin diferente de la del
sustrato. Difusin P+ dentro de pozo N a una tensin diferente a
la del pozo N.
DIFUSIN FRA:

Difusin fuera de pozo N a la misma tensin que el sustrato.

Difusin dentro de pozo N a la misma tensin que el pozo.

POZO CALIENTE:

Pozo N no conectado a la tensin ms positiva (VDD)

POZO FRO:

Pozo N conectado a la tensin ms positiva (VDD)

AREA ACTIVA N:

Zona activa cubierta por implantacin N+

AREA ACTIVA P:

Zona activa cubierta por implantacin P+

REPRESENTACIONES DE CAPAS

IMPLANTACIN DE POZO N
ZONA ACTIVA
ZONA ACTIVA N+
ZONA ACTIVA P+
POLISILICIO
IMPLANTACIN N+
IMPLANTACIN P+
CONTACTO
METAL1
VIA
METAL2
PASIVACIN

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo,

rea de Electrnica.

E.S.I.

Universidad de Sevilla.
p.

3 de 18

3o Ing. Telecomunicacin.

CIRCUITOS INTEGRADOS.

Curso 2006-2007

REGLAS
CAPA

N 1 0

IMPLANTACIN POZO N

Regla N

DEFINICIN

Dimensin Mnima (m)

101

Anchura de pozo

5.0

102

Separacin entre pozos fros

4.0

103

Separacin entre pozos (al menos uno caliente)

8.0

104

El uso de regiones de pozo N como resistencias no est permitido

salvo por acuerdo expreso con el fabricante.

102,103

101

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo,

rea de Electrnica.

E.S.I.

Universidad de Sevilla.
p.

4 de 18

3o Ing. Telecomunicacin.

CIRCUITOS INTEGRADOS.

CAPA

N 2 0

Regla N

DEFINICIN

Curso 2006-2007

REA ACTIVA
Dimensin Mnima (m)

201

Anchura (propsito de interconexin)

1.0

2011

Anchura (anchura de canal NMOS o PMOS)

1.25

202

Separacin entre dos difusiones cualesquiera

2.0

2021

Separacin entre esquinas despus de crecer 0.375m por borde

1.25

203

Margen de difusin P a pozo n

3.0

204

Margen de difusin N (contacto a pozo) a pozo n

0.0

205

Separacin entre difusin N y pozo N (fro)

3.0

206

Separacin entre difusin N y pozo N (caliente)

6.0

207

Separacin entre difusin P (contacto a sustrato) y pozo n

3.0

201
203

202

205

202

206

202

204

207

202

201

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo,

rea de Electrnica.

E.S.I.

Universidad de Sevilla.
p.

5 de 18

3o Ing. Telecomunicacin.

CIRCUITOS INTEGRADOS.

CAPA

N 5 0

Regla N

DEFINICIN

Curso 2006-2007

POLISILICIO
Dimensin Mnima (m)

501

Anchura (propsito de interconexin)

1.0

502

Anchura (longitud de canal NMOS)

1.0

503

Anchura (longitud de canal PMOS)

1.0

504

Separacin

1.5

505

Margen de polisilicio a rea activa

1.5

506

Solapamiento de polisilicio sobre rea activa

1.0

507

Separacin entre polisilicio y rea activa

0.5

504

507

507
504

2011

505

507

506

501

503
502

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo,

rea de Electrnica.

E.S.I.

Universidad de Sevilla.
p.

6 de 18

3o Ing. Telecomunicacin.

CIRCUITOS INTEGRADOS.

CAPA

N 6 0

Regla N

DEFINICIN

Curso 2006-2007

IMPLANTACIN N+
Dimensin Mnima (m)

601

Anchura

1.25

602

Separacin

1.5

603

Solapamiento de rea activa N+ en el sustrato

1.0

6031

Solapamiento de rea activa N+ en pozo n

0.5

604

Separacin a rea activa P+ en pozo n

1.0

6041

Separacin a rea activa P+ en el sustrato

0.5

605

Separacin a canal P (sobre rea activa P+)

1.25

606

Solapamiento de canal N (sobre rea activa N+)

1.0

607

Coincidencia de implantacin N+ y rea activa cuando

la implantacin N+ no solapa al rea activa

1.25

608

Margen entre implantacin N+ y zona activa para contacto

a pozo n

1.25

603

606

6041

606
602

601

607

604
605

6031

608

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo,

rea de Electrnica.

E.S.I.

Universidad de Sevilla.
p.

7 de 18

3o Ing. Telecomunicacin.

CIRCUITOS INTEGRADOS.

CAPA

N 6 5

Regla N

DEFINICIN

Curso 2006-2007

IMPLANTACIN P+
Dimensin Mnima (m)

651

Anchura

1.25

652

Separacin

1.5

653

Solapamiento de rea activa P+ en pozo n

1.0

6531

Solapamiento de rea activa P+ en el sustrato

0.5

654

Separacin a rea activa N+ en el sustrato

1.0

6541

Separacin a rea activa N+ en pozo n

0.5

655

Separacin a canal N (sobre rea activa N+)

1.25

656

Solapamiento de canal P (sobre rea activa P+)

1.0

657

Coincidencia de implantacin P+ y rea activa cuando

la implantacin P+ no solapa al rea activa

1.25

658

Margen entre implantacin P+ y zona activa para contacto

a sustrato

1.25

659

El rea activa debe estar implantada por P+ N+

660

No debe haber coincidencia entre implantaciones P+ y N+

661

Las zonas activas P+ y N+ adyacentes deben estar al mismo

potencial

653

656

6541

656
652

651

657

654
655

6531

658

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo,

rea de Electrnica.

E.S.I.

Universidad de Sevilla.
p.

8 de 18

3o Ing. Telecomunicacin.

CIRCUITOS INTEGRADOS.

CAPA

N 7 0

Regla N

DEFINICIN

Curso 2006-2007

CONTACTO
Dimensin Mnima (m)

701

Anchura mxima y mnima

1.0

702

Separacin

1.5

703

Margen de contacto a difusin a rea activa

0.75

705

Margen de contacto a polisilicio a polisilicio

0.75

706

Separacin entre contacto a polisilicio y rea activa

1.0

707

Separacin entre contacto a difusin y canal

1.0

709

Margen de contacto a difusin a implantacin N+

(solo en difusiones fras)

0.5

710

Margen de contacto a difusin a implantacin P+

(solo en difusiones fras)

0.5

711

Separacin entre contacto a difusin y implantacin P+

(solo en difusiones fras)

0.5

712

Separacin entre contacto a difusin y implantacin N+

(solo en difusiones fras)

0.5

713

No est permitido el contacto a polisilicio sobre rea activa

714

No existen contactos directos entre polisilicio y rea activa

715

Los contactos deben estar sobre polisilicio o rea activa

716

La corriente mxima a travs de un contacto es de 3.3mA a 70 C

y de 1.4mA a 100 C
705 701 702

703
707

711
709

712
710

707

706

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo,

rea de Electrnica.

E.S.I.

Universidad de Sevilla.
p.

9 de 18

CIRCUITOS INTEGRADOS.

CAPA

N 8 0

Regla N

DEFINICIN

3o Ing. Telecomunicacin.

Curso 2006-2007

METAL 1
Dimensin Mnima (m)

801

Anchura

1.5

802

Separacin

1.5

8021

Separacin entre esquinas despus de crecer 0.125m por borde

1.25

804

Solapamiento de contacto

0.75

805

Todos los contactos deben estar cubiertos por metal 1

806

La mxima corriente permitida para una lnea de anchura W (en m)

es Imx = *(W - 0.2m), donde vale 2.5mA/m a 70 C y
1.1mA/m a 100 C, y donde Imx es la mxima corriente en DC,
la raiz cuadrada de la corriente cuadrtica media para frecuencias
inferiores a 10Hz, y la corriente media para frecuencias superiores a
10Hz. El mximo valor de pico de la corriente es 3*Imx.

807

El uso de metal 1 para condensadores no est permitido, ya que

las capas dielectricas asociadas estn sujetas a cambios para la
optimizacin del proceso

801
804

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo,

802

rea de Electrnica.

E.S.I.

Universidad de Sevilla.
p.

10 de 18

3o Ing. Telecomunicacin.

CIRCUITOS INTEGRADOS.

CAPA

N 7 5

Regla N

DEFINICIN

Curso 2006-2007

VAS
Dimensin Mnima (m)

751

La apertura de una va est permitida nicamente entre metal 1 y

metal 2

752

No se permite el apilamiento de vas encima de contactos

753

Anchura mxima y mnima (excepto en pads)

1.0

754

Separacin

1.5

757

Separacin con polisilicio

1.5

758

Margen de polisilicio

1.5

759

Separacin con contacto

1.5

760

Margen de metal 1

0.75

761

La corriente mxima a travs de una va es de 3.3mA a 70 C

y de 1.4mA a 100 C

753 754
757
759

760

758

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo,

rea de Electrnica.

E.S.I.

Universidad de Sevilla.
p.

11 de 18

CIRCUITOS INTEGRADOS.

CAPA

N 8 5

Regla N

DEFINICIN

3o Ing. Telecomunicacin.

Curso 2006-2007

METAL 2
Dimensin Mnima (m)

851

Anchura

1.5

852

Separacin

1.5

8521

Separacin entre esquinas despus de crecer 0.125m por borde

1.25

853

Solapamiento de va

0.75

854

La mxima corriente permitida para una lnea de anchura W (en m)

es Imx = *(W - 0.2m), donde vale 3.1mA/m a 70 C y
1.3mA/m a 100 C, y donde Imx es la mxima corriente en DC,
la raiz cuadrada de la corriente cuadrtica media para frecuencias
inferiores a 10Hz, y la corriente media para frecuencias superiores a
10Hz. El mximo valor de pico de la corriente es 3*Imx.

855

El uso de metal 2 para condensadores no est permitido, ya que

las capas dielectricas asociadas estn sujetas a cambios para la
optimizacin del proceso

851
853

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo,

852

rea de Electrnica.

E.S.I.

Universidad de Sevilla.
p.

12 de 18

3o Ing. Telecomunicacin.

CIRCUITOS INTEGRADOS.

CAPA

N 9 0

Regla N

DEFINICIN

Curso 2006-2007

VENTANAS DE PASIVACIN
Dimensin Mnima (m)

901

Anchura de la ventana

95.0

902

Separacin

55.0

Se admiten valores menores para algunos tipos de cpsulas

Veanse las reglas de encapsulado

901
902

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo,

rea de Electrnica.

E.S.I.

Universidad de Sevilla.
p.

13 de 18

3o Ing. Telecomunicacin.

CIRCUITOS INTEGRADOS.

CAPA

N - -

Regla N

DEFINICIN

Curso 2006-2007

PADS
Dimensin Mnima (m)

951

Los pads deben consistir de metal2, va y metal1

952

Margen de la ventana de pasivacin a metal 2

5.0

953

Margen de la ventana de pasivacin a la via del pad

Valor mximo y mnimo

0.0

954

Margen de la ventana de pasivacin a metal 1

5.0

875

Separacin de metal 2 de pad a metal 2, metal 1, polisilicio

o rea activa (metales no relacionados con el pad)

25.0

821

Separacin de metal 1 de pad a metal 2, metal 1, polisilicio

o rea activa (metales no relacionados con el pad)

25.0

Nota: la regla 753 no se aplica a los pads

954

821

875

952

953

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo,

rea de Electrnica.

E.S.I.

Universidad de Sevilla.
p.

14 de 18

CIRCUITOS INTEGRADOS.

3o Ing. Telecomunicacin.

Curso 2006-2007

MODELOS DE TRANSISTORES DE NIVEL 2 PARA HSPICE

Extrados para transistores con:
y punto de operacin con:

1.0m L 1.3m, W 3.0m

|VD| 5.5V, |VG| 1.5V, |VB| 5.0V

NOTA: para usar con PSPICE

1) Cambiar los nombres de XL y XW por sus sinnimos DL y DW respectivamente.
2) Borrar WIC=1.
Estos cambios podran hacerse de hecho en HSPICE sin ningn efecto. En Pspice, prestar atencin al nmero de
cuadrados equivalentes por defecto para las resistencias extrnsecas de drenador y fuente (NRD, NRS).
Ntese que los modelos han sido extrados para un rango de geometras y de polarizacin apropiados para aplicaciones digitales. Por tanto, cuando se usen en aplicaciones analgicas es de esperar algunos errores, sobre todo en
transistores de longitud media y alta.
Para anlisis y diseo a mano ser conveniente extraer valores aproximados de los parmetros de nivel 1 a partir
de resultados de simulacin utilizando estos modelos de nivel 2. Tambin ser conveniente obtener el valor de
MDW (mnima anchura de una regin de difusin de transistor para ser contactada) a partir de las reglas de layout.
Las unidades en las que se expresan los parmetros de SPICE suelen ser las del SI, pero no siempre es as. Consultar un manual de SPICE si es necesario.

.OPTIONS TNOM=27.0
**** TPICOS **********
.MODEL NMOS NMOS
+LEVEL
= 2.0
+XL
= 0.0
+NSUB
= 2.5E+16
+UO
= 690.0
+VMAX
= 70.8K
+NEFF
= 30.0
+NSS
= 0.0
+CJ
= 350.0U
+CJSW
= 450.0P
+CGDO
= 310.0P
+CGSO
= 310.0P
.MODEL PMOS PMOS
+LEVEL
= 2.0
+XL
= 0.0
+NSUB
= 2.5E+16
+UO
= 231.0
+VMAX
= 320.0K
+NEFF
= 0.88
+NSS
= 0.0
+CJ
= 540.0U
+CJSW
= 760.0P
+CGDO
= 300.0P
+CGSO
= 300.0P

TOX
LD
GAMMA
UEXP
DELTA
LAMBDA
XJ
MJ
MJSW
PB
JS

= 2.0E-08
= 0.125U
= 0.76
= 0.35
= 0.0
= 0.0
= 0.25U
= 0.43
= 0.43
= 0.675
= 2.0U

TOX
LD
GAMMA
UEXP
DELTA
LAMBDA
XJ
MJ
MJSW
PB
JS

= 2.0E-08
= 0.047U
= 0.78
= 0.35
= 0.10
= 3.8E-02
= 0.45U
= 0.510
= 0.510
= 0.7
= 10.0U

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo,

rea de Electrnica.

VTO
XW

= 0.82
= 0.0

UCRIT
RSH
NFS
WIC

= 35.0K
= 55.0
= 3.1E+11
= 1.0

VTO
XW

= -1.4
= 0.0

UCRIT
RSH
NFS
WIC

= 71.0K
= 75.0
= 1.0E+10
= 1.0

E.S.I.

Universidad de Sevilla.
p.

15 de 18

CIRCUITOS INTEGRADOS.
**** LENTOS **********
.MODEL NMOS NMOS
+LEVEL
= 2.0
+XL
= 0.15U
+NSUB
= 2.5E+16
+UO
= 660.5
+VMAX
= 70.8K
+NEFF
= 30.0
+NSS
= 0.0
+CJ
= 385.0U
+CJSW
= 495.0P
+CGDO
= 240.0P
+CGSO
= 240.0P
.MODEL PMOS PMOS
+LEVEL
= 2.0
+XL
= 0.15U
+NSUB
= 2.5E+16
+UO
= 221.4
+VMAX
= 320.0K
+NEFF
= 0.88
+NSS
= 0.0
+CJ
= 595.0U
+CJSW
= 830.0P
+CGDO
= 240.0P
+CGSO
= 240.0P

**** RAPIDOS **********

.MODEL NMOS NMOS
+LEVEL
= 2.0
+XL
= -0.15U
+NSUB
= 2.5E+16
+UO
= 724.0
+VMAX
= 70.8K
+NEFF
= 30.0
+NSS
= 0.0
+CJ
= 315.0U
+CJSW
= 405.0P
+CGDO
= 380.0P
+CGSO
= 380.0P
.MODEL PMOS PMOS
+LEVEL
= 2.0
+XL
= -0.15U
+NSUB
= 2.5E+16
+UO
= 219.0
+VMAX
= 320.0K
+NEFF
= 0.88
+NSS
= 0.0
+CJ
= 485.0U
+CJSW
= 680.0P
+CGDO
= 360.0P
+CGSO
= 360.0P

3o Ing. Telecomunicacin.

TOX
LD
GAMMA
UEXP
DELTA
LAMBDA
XJ
MJ
MJSW
PB
JS

= 2.15E-08
= 0.125U
= 0.88
= 0.35
= 0.0
= 0.0
= 0.25U
= 0.43
= 0.43
= 0.675
= 2.0U

TOX
LD
GAMMA
UEXP
DELTA
LAMBDA
XJ
MJ
MJSW
PB
JS

= 2.15E-08
= 0.047U
= 0.84
= 0.32
= 0.10
= 3.8E-02
= 0.45U
= 0.510
= 0.510
= 0.7
= 10.0U

TOX
LD
GAMMA
UEXP
DELTA
LAMBDA
XJ
MJ
MJSW
PB
JS
TOX
LD
GAMMA
UEXP
DELTA
LAMBDA
XJ
MJ
MJSW
PB
JS

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo,

Curso 2006-2007

VTO
XW

= 0.97
= -0.18U

UCRIT
RSH
NFS
WIC

= 35.0K
= 62.0
= 3.1E+11
= 1.0

VTO
XW

= -1.55
= -0.18U

UCRIT
RSH
NFS
WIC

= 71.0K
= 85.0
= 1.0E+10
= 1.0

= 1.85E-08
= 0.125U
= 0.64
= 0.35
= 0.0
= 0.0
= 0.25U
= 0.43
= 0.43
= 0.675
= 2.0U

VTO
XW

= 0.67
= 0.18U

UCRIT
RSH
NFS
WIC

= 35.0K
= 45.0
= 3.1E+11
= 1.0

= 1.85E-08
= 0.047U
= 0.70
= 0.35
= 0.10
= 3.8E-02
= 0.45U
= 0.510
= 0.510
= 0.7
= 10.0U

VTO
XW

= -1.22
= 0.18U

UCRIT
RSH
NFS
WIC

= 71.0K
= 60.0
= 1.0E+10
= 1.0

rea de Electrnica.

E.S.I.

Universidad de Sevilla.
p.

16 de 18

CIRCUITOS INTEGRADOS.

3o Ing. Telecomunicacin.

ELEMENTOS PARSITOS

Unidad

Curso 2006-2007

Lento

Tpico

Rpido

RESISTENCIAS
Resistencia Laminar de pozo N

K/o

1.4

1.25

1.1

Resistencia Laminar de difusin N+

/o

68

55

42

Resistencia Laminar de difusin P+

/o

90

70

50

Resistencia Laminar de polisilicio

/o

41

33

25

Resistencia Laminar de metal 1

m/o

100

60

n.d.

Resistencia Laminar de metal 2

m/o

50

30

n.d.

Resistencia de un contacto a difusin N+

40

Resistencia de un contacto a difusin P+

80

Resistencia de un contacto a polisilicio

25

Resistencia de una va

CAPACIDADES (por AREA)

Puerta a sustrato

fF/m2

Polisilicio a sustrato (oxido de campo)

aF/m2

64

58

52

Metal 1 a sustrato

aF/m2

32

29

26

Metal 1 a difusin N+ o P+

aF/m2

55

49

45

Metal 1 a polisilicio

aF/m2

55

49

45

Metal 2 a sustrato

aF/m2

19

17

16

metal 2 a difusin N+ o P+

aF/m2

26

23

21

Metal 2 a polisilicio

aF/m2

31

27

25

Metal 2 a metal 1

aF/m2

55

49

45

Polisilicio a sustrato (oxido de campo)

aF/m

61

55

49

Metal 1 a sustrato

aF/m

51

46

41

Metal 1 a difusin N+ o P+

aF/m

57

51

47

Metal 1 a polisilicio

aF/m

67

61

65

Metal 2 a sustrato

aF/m

58

52

49

metal 2 a difusin N+ o P+

aF/m

70

62

57

Metal 2 a polisilicio

aF/m

76

66

61

Metal 2 a metal 1

aF/m

92

82

75

1.91

1.73

1.55

CAPACIDADES (por BORDES *)

* valores vlidos para grandes separaciones

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo,

rea de Electrnica.

E.S.I.

Universidad de Sevilla.
p.

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CIRCUITOS INTEGRADOS.

3o Ing. Telecomunicacin.

Curso 2006-2007

RELACIN CON CAPAS USADAS EN EDITOR DE LAYOUTS MAGIC 6.5

MAGIC

CAPA(S) FSICAS.

nw:

pozo N

pozo N

nd:

difusin N+ sobre sustrato:

zona activa, implantacin N+

pd:

difusin P+ sobre pozo N:

zona activa, implantacin P+

nwd: difusin N+ sobre pozo N:

zona activa, implantacin N+

psd:

difusin P+ sobre sustrato:

zona activa, implantacin P+

p:

polisilicio:

polisilicio

m1:

metal 1:

metal 1

m2:

metal 2:

metal 2

pc:

contacto a polisilicio:

polisilicio, metal 1, contacto

ndc: contacto a difusin N+ sobre sustrato:

zona activa, implantacin N+, metal 1,

contacto

pdc: contacto a difusin P+ sobre pozo N:

zona activa, implantacin P+, metal 1,

contacto

nwc: contacto a pozo N:

zona activa, implantacin N+, metal 1,

contacto

psc:

contacto a sustrato:

zona activa, implantacin P+, metal 1,

contacto

via:

va:

metal 1, metal 2, va

pad: pad:

metal1, metal2, va, pasivacin

nfet: zona de canal de NMOS:

zona activa, implantacin N+, polisilicio

pfet: zona de canal de PMOS:

zona activa, implantacin P+, polisilicio

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo,

rea de Electrnica.

E.S.I.

Universidad de Sevilla.
p.

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