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Fotodiodo

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Smbolo del fotodiodo.


Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN,
sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su
funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se
producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la
luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas
fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin
muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta
corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de
oscuridad.

Tabla de
contenidos
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1 Principio de operacin
2 Composicin
3 Investigacin
4 Vase tambin
5 Fabricantes

6 Enlaces externos

[editar] Principio de operacin


Un foto diodo es una unin P-N o estructura P-I-N. Cuando una luz de
suficiente energa llega al diodo,exita un electrn dndole movimento y
crea un hueco con carga positiva. Si la absorcin ocurre en la zona de
agotamiento de la unin, o a una distancia de difucin de l, estos
portadores son retirados de la unin por el campo de la zona de
agotamiento, produciendo una fotocorriente.
Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan
con voltajes inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga
fotogenerados el ser multiplicados en la zona de avalancha del diodo,

resultando en una ganancia interna, que incrementa la resposividad del


dispositivo.

[editar] Composicin

Fotodiodo.
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor
crtico para definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio,
sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1m); germanio para
luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier otro
material semiconductor.
Material

Longitud de onda (nm)

Silicio

1901100

Germanio

8001700

Indio galio arsnico


(InGaAs)

8002600

sulfuro de plomo

<1000-3500

Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos para su uso en el campo


de los infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 m), pero estos
requieren refrigeracin por nitrgeno lquido.

Antiguamente se fabricaban exposmetros con un fotodiodo de selenio


de una superficie amplia.

[editar] Investigacin
La investigacin a nivel mundial en este campo se centra (en torno a
2005) especialmente en el desarrollo de clulas solares econmicas,
miniaturizacin y mejora de los sensores CCD y CMOS, as como de
fotodiodos ms rpidos y sensibles para su uso en telecomunicaciones
con fibra ptica.
Desde 2005 existen tambin semiconductores orgnicos. La empresa
NANOIDENT Technologies fue la primera en el mundo en desarrollar un
fotodetector orgnico, basado en fotodiodos orgnicos.
INTRODUCCION
Hoy en da los procesos productivos nos han exigido un mayor desarrollo en esta rea, esta se a conseguido
gracias al desarrollo de la automatizacin la cual a sido acompaada con la aparicin de elementos tales
como sensores, detectores y elementos controladores como los PLC.
Estos en cierta forma estos han venido reemplazando la intervencin del hombre en el proceso ya que
realizan tareas que nos resultan tediosas, peligrosas o simplemente irrealizables con nuestras capacidades
(sentidos).
Es por eso que en el presente informe estudiaremos un tipo de detector este es, el fotoelctrico
DETECTOR FOTOELECTRICO DE SALIDA TRANSISTORIZADA
Este es un elemento que nos permite sealar o advertir el paso de un objeto atravez de un
haz luminoso. Este detecta cuando el haz es interrumpido por el objeto existen tres sistemas de deteccin
fotoelctrica estos son:

reflex
de proximidad
de barrera
SISTEMA DE BARRERA

En esta oportunidad este ser el objetivo de nuestro ensayo, en este caso el emisor y el receptor se
encuentran separados por lo que el emisor entrega un haz luminoso emitido por un diodo electroluminicente
(LED) el cual tiene la propiedad de emitir rayos infrarrojos invisibles los cuales son concentrados por una
lente y proyectados a un receptor el cual esta constituido por un foto transistor seguido de un amplificador y
un dispositivo conmutador que nos entrega seales (on-off).
El emisor y el receptor deben ser posicionados exactamente uno enfrente del otro exigiendo una robusta e
indeformable fijacin
DATOS TECNICOS
Detector fotoelctrico de salida transistorizada.
Marca : Autonic Modelo : BM3M-TDT

* Alimentacin 12/24 Vdc riplley 10%.


* Velocidad de respuesta < 3mseg.
* Salida por transistor conexin NPN, 100mA mximo.
* Consumo < 20 mA.
* Alcance 3 Mts.
* Nivel de iluminacin del ambiente:
- Luz solar 11000lux (max).
-Luz incandescente 3000 lux (max).
* Temperatura de operacin -10 a 60.
* Temperatura de almacenamiento -25 a 90.
* Sensibilidad fija no ajustable.

* Dimetro mnimo del objeto a detectar 8mm.


CAMPO DE APLICACIN
Este tipo de detector es usado principalmente en las siguientes ocasiones:

La deteccin de materiales opacos y brillantes.

Entornos contaminados por polvo y lluvia.

En distancias largas.

En la deteccin de objetos pequeos.

En puertas y ascensores.

NOTA : No puede usarse en la deteccin de objetos transparentes.


PROCEDIMIENTO DEL ENSAYO.
En el presente ensayo se instalara el dispositivo de acuerdo a lo que indica la figura 1. Se alimentara el
emisor y el receptor con 24v, el receptor quien conforma el circuito de salida esta compuesto por tres
terminales rojo, negro y blanco los cuales hemos identificado como positivo, negativo y salida o (output),
respectivamente.
En el terminal rojo se instalara un mili ampermetro para verificar la corriente de consumo otorgada por el
fabricante. Desde el positivo de la fuente se sacara un terminal con el fin de polarizar en conjunto con la
salida output del detector, el ssr que comandara la campanilla en dicho terminal ira un mili ampermetro para
vigilar la corriente de salida del transistor la que ser limitada por la resistencia interna que posee el rel de
estado slido de 500 ohm.
MATERIALES
2- Mili ampermetros.
Fuente ajustable de VDC 24v.
SSR opto 22.
Transformador 220/12v.
Timbre.
FIG 1.
OBJETIVOS DEL ENSAYO.
Se realizara el circuito de la figura 1, para observar el comportamiento del dispositivo ante las
pruebas que se le realizaran y determinar con certeza su operacin, adems de comprobar
valores otorgados por el fabricante.
PRUEBAS :

Se interceptar el haz luminoso con objetos transparentes, reflectores y opacos.


Se medir la corriente de consumo.
Se medir corriente en salida del transistor.
Se verificara la amplitud del haz en la extensin del mismo.
PRUEBAS

I ALIMENTACION

I TRANSISTOR

RESPUESTA ON/OFF

Transparentes
Opacos

3 ma

0 ma

off

8 ma

25 ma

Reflectantes

on

8 ma

25 ma

on

Nota
Con objetos de 8 mm de dimetro solo eran percibidos frente a los respectivos lentes y no en medio del
haz donde comprobamos que tenia una amplitud aprox de 3 cm en forma vertical.
HIPOTESIS.

En consideracin a los datos recogidos del fabricante como las propias observaciones realizadas al propio
dispositivo hemos deducido que se trata de un detector foto elctrico ya que posee dos lentes entre los
cuales fluye un haz luminoso proveniente del emisor que es emitido por un led infrarrojo y dicho haz llega a
un elemento receptor el cual esta conformado por un foto transistor el que se encuentra unido a un elemento
conmutador quien es el encargado de entregar las seales on-off.
Adems debido a esta caracterstica de entregar seales on-off afirmamos que se trata de un detector y no
un sensor ya que entrega una seal de salida discreta, otra observacin que realizamos fue que en este caso
se trata de un elemento en que el emisor se encuentra separado fsicamente del receptor por lo que creemos
que se trata de un detector foto elctrico con sistema de barrera de tres hilos, todas estas afirmaciones
sern aclaradas
Debidamente en el ensayo que se le realizara al elemento.
CONCLUSION
En vista y considerando los resultados obtenidos en el ensayo realizado concluimos que el elemento
analizado era un detector foto elctrico de barrera, con tres hilos ya que su haz era proyectado desde un
emisor asta un receptor que se encontraba en un modulo aparte. El detector reaccionaba cada vez que el
haz luminoso era interrumpido por algn objeto reflectante o opacos ya que comprobamos que ante un
objeto transparente este no era capaz de detectar su presencia. Adems pudimos comprobar que el dimetro
mnimo de los objetos a detectar dado por el fabricante solo es valido frente a los respectivos lentes ya que
en el centro se produce una deformidad del haz que le hace tener una mayor amplitud, otra cosa que
logramos verificar es la que el haz debe de ser interrumpido por completo para que el detector cambie su
estado de salida (on-off).
En el siguiente esquema se puede apreciar la deformacin del haz luminoso:
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