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INFORME DE LABORATORIO N1

Electrnica Aplicada I
Curso: 3 R5
baja frecuencia

Medicin de Parmetros h en

MEDICIN DE PARMETROS h EN BAJA FRECUENCIA


INTRODUCCIN
TRANSISTOR BIPOLAR COMO AMPLIFICADOR
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser de
germanio
o
silicio.
En ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor, la base y el colector.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente en
cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector
(C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el
grfico de transistor.

El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le


introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por
otra (emisor) , una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin.
Este factor se llama (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:
- Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de amplificacin) por Ib
(corriente que pasa por la patilla base).
- Ic = * Ib
- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a (+1) * Ib, pero se redondea al
mismo valor que Ic, slo que la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso
sale de l, o viceversa.
Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta
el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente
cuando se cambia Vcc.

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En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que
a ms corriente la curva es ms alta.

Polarizacin del Transistor Bipolar


Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones continuas
que aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente decididos. Es
posible polarizar el transistor en zona activa, en saturacin o en corte, cambiando las
tensiones y componentes del circuito en el que se engloba.
Corte
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales.
Concretamente, y a efectos de clculo, decimos que el transistor se encuentra en corte
cuando se cumple la condicin: IE = 0 IE < 0 (Esta ltima condicin indica que la
corriente por el emisor lleva sentido contrario al que llevara en funcionamiento normal).
Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unin base-emisor
del mismo, es decir, basta con que VBE=0.
Activa
La regin activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en
todos sus terminales y se cumple que la unin base-emisor se encuentra polarizada en
directa y la colector-base en inversa.
Saturacin
En la regin de saturacin se verifica que tanto la unin base-emisor como la basecolector se encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se
verifica slo lo siguiente:
Donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturacin suelen tener valores
determinados (0,8 y 0,2 voltios habitualmente).
Es de sealar especialmente que cuando el transistor se encuentra en saturacin circula
tambin corriente por sus tres terminales, pero ya no se cumple la relacin: Ic =Ib

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MODELO HBRIDO: Parmetros h


Modelo de parmetro h generalizado para
un BJT NPN.
Reemplazar x con e, b o c para las
topologas EC, BC y CC respectivamente.

Para el modo emisor-comn los varios smbolos de la imagen toman los valores
especficos de:

x = 'e' debido a que es una configuracin emisor comn.

Terminal 1 = Base

Terminal 2 = Colector

Terminal 3 = Emisor

iin = Corriente de Base (ib)

io = Corriente de Colector (ic)

Vin = Tensin Base-Emisor (VBE)

Vo = Tensin Colector-Emisor (VCE)

Y los parmetros h estn dados por:

hix = hie - La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la


resistencia del emisor re).

hrx = hre - Representa la dependencia de la curva IBVBE del transistor en el valor


de VCE. Es usualmente un valor muy pequeo y es generalmente despreciado
(se considera cero).

hfx = hfe - La ganancia de corriente del transistor. Este parmetro es


generalmente referido como hFE o como la ganancia de corriente continua (DC)
en las hojas de datos.

hox = hoe - La impedancia de salida del transistor. Este trmino es usualmente


especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a
impedancia.

Como se ve, los parmetros h tienen subndices en minscula y por ende representan
que las condiciones de anlisis del circuito son con corrientes alternas. Para condiciones
de corriente continua estos subndices son expresados en maysculas. Para la topologa
emisor comn, un aproximado del modelo de parmetro h es comnmente utilizado ya
que simplifica el anlisis del circuito. Por esto los parmetros hoe y hre son ignorados (son
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tomados como infinito y cero, respectivamente). Tambin debe notarse que el modelo de
parmetro h es slo aplicable al anlisis de seales dbiles de bajas frecuencias. Para
anlisis de seales de altas frecuencias este modelo no es utilizado debido a que ignora
las capacitancias entre electrodos que entran en juego a altas frecuencias.

DESARROLLO PRCTICO
En esta experiencia se pretende realizar las mediciones necesarias para obtener
los parmetros hbridos de un transistor bipolar de pequea seal, ya que los
mismos no son directamente mensurables.
OBTENCIN DE LOS PARMETROS hie y hfe
Circuito a Ensayar
Tener en cuenta:
Vce= 5 [V]
Ic= 2 [mA]
RB1= 3 a 5 [M]
RB2=100 [K]
VS a 1 [KHz]

Realizacin de la Prctica
En primera instancia realizamos el conexionado del circuito pero en vez de utilizar dos
potencimetros (uno para ajuste aproximado y otro para ajuste fino), utilizamos un
potencimetro de 2 [M]. Por otra parte, como debemos polarizar el transistor para
Vce=5[V] e Ic=2[mA], el valor de la fuente de alimentacin Vcc viene determinada por el
siguiente clculo:

VCC VCE VRC VCE I C .R C


VCC 5[V] 2[mA].100[ ]
VCC 5,2[V]
Una vez conectada la fuente de alimentacin procedimos a ajustar el potencimetro
hasta lograr que la cada de tensin en Vce sea de 5[v], lo que significa que la cada de
tensin en Rc es de 0,2[v] y por lo tanto la corriente de colector Ic es de 2[mA]. Cabe
mencionar que esto sucede cuando el potencimetro est ajustado a Rb=0.65[M]
aproximadamente.

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Seal de Entrada
Vs=1 [V]pico
F= 1 [KHz].

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Una vez polarizado el transistor y ubicado en el punto de trabajo indicado, ingresamos


seal por la entrada (base-emisor) del circuito ajustando los siguientes valores:
Mediante el uso del osciloscopio procedimos a tomar los siguientes valores:

Osciloscopio
Valores Pico:

Simulador
Referencia:
Vbe: Lnea Amarilla
Vce: Lnea Azul
Nota: Las escalas para cada una
de las ondas son distintas.

v s 1[V]

v be 5[mV]
v ce 35[mV]

Determinacin del parmetro hie:

h11 hie

vi
ii

[ ]
Vo 0

Donde:

ii i b

v s v be v s
1[V]

ib
1[ A]
Rs
Rs
1[M ]

v i v be 5[mV]
Entonces:

h ie

5[mV]
5[K]
1[ A]

Determinacin del parmetro hfe:

h21 h fe

i0
ii

[sin unidad ]
Vo 0

Donde:

i i i b 1[ A]
io ic

vce
35[mV]
ic
0,35[mA]
Rc
100[]

Entonces:

h fe

0,35[mA]
350
1[ A]

Duplicacin del valor de Rc


En esta etapa se procedi a duplicar el valor de Rc de 100[] a 200[], lo que signific
reajustar la polarizacin. En primera instancia determinamos el valor de la fuente Vcc de
alimentacin de la siguiente forma:

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VCC VCE VRC VCE I C .R C


VCC 5[V] 2[mA].200[ ]
VCC 5,4[V]

Luego de determinar la fuente de alimentacin y una vez realizado el conexionado del


circuito, regulamos el potencimetro hasta lograr que la corriente Ic sea de 2[mA]. Al
finalizar, ingresamos seal por la entrada (base-emisor) del circuito, ajustando el valor de
Vs=1[V] pico y a una frecuencia F=1 [KHz].
Mediante el uso del osciloscopio procedimos a tomar los siguientes valores pico:

v s 1[V] v be 5[mV] v ce 65[mV]


Nuevamente calculamos los parmetros hie y hfe.
Determinacin del parmetro hie:
v v be v s
1[V]
ii i b s

ib
1[ A]
Rs
Rs
1[M ]
v i v be 5[mV]
Entonces:
5[mV]
h ie
5[K]
1[ A]
Determinacin del parmetro hfe:
i i i b 1[ A]

io ic

v ce
65[mV]
ic
0,325[mA]
Rc
200[]

Entonces:

0,325[mA]
325
1[ A]
Conclusin:
h fe

Como sabemos que la determinacin de los parmetros hie y hfe se realiza


cortocircuitando la salida (Vo=0). Sin embargo, no es posible realizar circuitalmente esta
condicin de manera estricta, pero podemos simular un cortocircuito colocando una
resistencia Rc muy pequea, por ejemplo: de 100[],en el primer caso y de 200[]en el
segundo caso. Como vimos, el hecho de haber duplicado la resistencia Rc no afect en
gran magnitud el valor de los parmetros, es decir que la aproximacin al cortocircuito
para Vce se sigue verificando ya que tanto la resistencia Rc de 100 y 200[] son muy
pequeas en comparacin con la impedancia de salida del transistor (1/hoe) que, para el
modelo hbrido, se encuentra en paralelo con Rc.

Obtencin de los parmetros hre y hoe


Circuito a Ensayar

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baja frecuencia
Tener en cuenta:

Medicin de Parmetros h en

Vce= 5 [V]
Ic= 2 [mA]
RB1= 3 a 5 [M]
RB2=100 [K]
VS a 1 [KHz]

Realizacin de la prctica
Nuevamente realizamos el
conexionado del circuito pero
utilizamos un potencimetro de 2
para regular la corriente en la base
transistor. Por otra parte, como
debemos polarizar el transistor para
Vce=5[V] e Ic=2[mA], el valor de la
de alimentacin Vcc viene
determinada por el siguiente clculo:

[M]
del

fuente

VCC VRE VCE VRC I E .R E VCE I C .R C


VCC VCE I C .(R E R C ) I C I E
VCC 5[V] 2[mA].(10[ ] 2,7[K]
VCC 10,42[V]
Luego de conectar la fuente de alimentacin ajustamos el potencimetro hasta lograr
que la cada de tensin en Vce sea de 5[v], lo que significa que 5,42[v]estn cayendo en
las resistencias Rc y Re y por lo tanto la corriente de colector Ic es de 2[mA]. Esta
condicin se logra cuando el potencimetro est ajustado a Rb=1,4[M]
aproximadamente.
Una vez polarizado el transistor y ubicado en el punto de trabajo indicado, ingresamos
seal por la entrada (base-emisor) del circuito ajustando los siguientes valores:
Vs=10[V]pico
F= 1 [KHz].
Mediante el uso del osciloscopio procedimos a tomar los siguientes valores pico:

Osciloscopio
Valores Pico:

v s 10[V]
v bb v b 30[mV]
v ce 10[V]
v ee v en 20[mV]

Simulador
Referencia:
Vbb: Lnea Amarilla.
Vce: Lnea Azul.
Vee: Lnea Roja.
Nota: Las escalas para cada
una de las ondas son
distintas.

OBTENCIN DE LOS PARMETROS hre y hoe


Determinacin del parmetro hre:
v
h12 hre i
[sin unidad ]
v o Ii 0
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Donde:

Medicin de Parmetros h en

v i v be v b v en v be 30[mV] 20[mV] 10[mV]


v o v ce 10[V]
Entonces:
10[mV]
h re
1 10 3
10[V ]
Determinacin del parmetro hoe:
h22 hoe

i0
vo

[ siemens ]
Ii 0

Donde:

io ic

v en
20[mV]
ic
2[mA]
Re
10[0

v o v ce 10[V]
Entonces:

2[mA]
200 10 6 [s]
10[V]
Verificacin de las condiciones supuestas:
1
Salida en cortocircuito
Rc << hoe
vce 0
h oe

100[] <<

Alimentacin de la
entrada con corriente

hie << RB

1
5000[]
2 10 4 [ s]
5[ K] << 650[ K]

hie << RS

5[ K] << 1000[ K]

Entrada a circuito
abierto ii 0

RB >> hie

Comparacin de los valores obtenidos


Hoja de Datos
BC 548C
PARMETRO
Ic=2[mA]; Vce=5[V];
f=1[KHz]

Impedancia de
Entrada

hie
Transferencia
Directa de
Corriente

h fe

1400[ K] >> 5[ K]

Laboratorio

Error Relativo
Porcentual
(7 - 5)
100%
7
e% = 28,6%

e%
7[K]

5[K]

e%
420[s/unid ad]

350[s/unid ad]

(420 - 350)
100%
420
e% = 16,7%

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Transferencia
Inversa de
Tensin

Medicin de Parmetros h en

e%
2,5x10 -4 [s/unidad]

1x10 -4 [s/unidad]

hre
Conductancia
de Salida

hoe

-6

110x10 [s]

-6

200x10 [s]

e%

(2,5 - 1)
100%
2,5
e% = 60%

(110 - 200)
100%
110
e% = -81,8%

CONCLUSIN
Luego de realizar la prctica de laboratorio referida a la medicin de parmetros h del
modelo equivalente hbrido del transistor podemos destacar principalmente dos
observaciones: por un lado es que la condicin de cortocircuito en la salida de la etapa no
se realiza estrictamente sino que se trata de lograr esa condicin utilizando una
resistencia de colector Rc muy pequea en comparacin con la impedancia de salida del
transistor; por otra parte notamos que las variaciones obtenidas en los valores de los
parmetros h medidos son aceptables para el caso de hie y hfe, sin embargo para hre y
hoe las variaciones son muy importantes. En funcin de esto podemos decir que los
errores ms significativos son de origen tcnico y estn vinculados a la forma de
medicin y a los elementos usados ya que por tratarse de baja seal, los valores que
manejamos son pequeos.