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SENSORES
1. Sensores y transductores.
2. Clasificacin de los sensores.
3. Caractersticas generales.
4. Principios de transduccin.
Bibliografa:
R. Palls Areny, Sensores y Acondicionadores de seal, Ed. Marcombo.
J. Fraden, Handbook of Modern Sensors, AIP Press
H.N. Norton, Handbook of Transducers, Ed. Prentice Hall.
S. Middelhoek, S.A. Audet, Silicon Sensors, Ed. Academic Press
1. SENSORES Y TRANSDUCTORES
Sensor: hace referencia al dispositivo que proporciona una respuesta
(normalmente mediante la generacin de una seal elctrica) frente a
estmulos o seales fsicas o qumicas.
Transductor: hace referencia al dispositivo que convierte una seal
de una forma de energa en otra seal de naturaleza diferente.
La conversin puede ser de una seal fsica o qumica en una seal elctrica
(transductor de entrada) o viceversa (transductor de salida o actuador), o
incluso puede no involucrar seales elctricas (por ejemplo, un bimetal convierte
cambios de temperatura en cambios de curvatura del dispositivo).
veces si habla de transductor como el dispositivo que realiza conversiones de energa noelctricas y el sensor se refiere al dispositivo que realiza la conversin final a seal elctrica.
3. CARACTERSTICAS GENERALES
3.1 Diseo (design)
Magnitud medida
Caractersticas elctricas
Caractersticas mecnicas
* Lectura complementaria:
source
Rs
Vs
Ri
input
SENSOR
Vo
Ro
load
RL
Puntos finales (end points): valores de salida para los lmites inferior y
superior del rango de entrada del sensor.
Span de salida (output span) o fondo de escala de salida (output full scale
FSO): diferencia algebraica entre las salidas elctricas medidas cuando
se aplican los valores mximo y mnimo de la magnitud de entrada.
3.2 PRESTACIONES
3.2.1 Caractersticas estticas (static performance characteristics)
Describen las prestaciones del sensor en condiciones ambientales normales
(temperatura 25C 10C, humedad relativa <90%, presin baromtrica
entre 88 y 108 kPa, en ausencia de vibraciones) cuando la entrada cambia
muy lentamente.
Sensibilidad (sensitivity): es la relacin entre el cambio en la salida y el
cambio en la entrada. Determina la pendiente de la funcin de
transferencia o de la curva de calibracin.
Offset, Zero o null: es el valor de la salida para entrada cero.
Output (Y)
y
Offset = y(0)
Input (X)
Output (Y)
Output (Y)
xmin
Threshold
x
Resolution
Input (X)
y
Hysteresis
Input (X)
Saturation
Output (Y)
Output (Y)
Input (X)
Dead-zone band
Input (X)
3.2 PRESTACIONES
3.2.2 Caractersticas dinmicas (dynamic performance characteristics)
Describen la respuesta del sensor a variaciones de la entrada en el tiempo,
en condiciones ambientales normales.
Cuando la relacin entrada-salida puede describirse a travs de una
ecuacin diferencial lineal de coeficientes constantes, las caractersticas
dinmicas pueden estudiarse a travs de dicha ecuacin (orden del sistema)
Respuesta en frecuencia (frequency response): especifica la respuesta
de un sensor ante entradas peridicas (tpicamente sinusoidales)
Rango de frecuencia en el que para entradas sinusoidales la amplitud de la relacin
salida/entrada es constante dentro de un determinad margen de error dinmico.
Desfase (phase shift) a una frecuencia dada: define el retraso, expresado en grados o
rad, de la seal de salida respecto a una seal sinusoidal de entrada.
Diagrama de Bode
Y(j)
log ____
X(j)
k
log()
y(t)
KA
t
No hay retardos
0
log()
Ancho de banda infinito, sin desfase
Y(s) ______
1
k
______
____
=
=
a
s
+
a
s + 1
X(s)
1
0
y(t)
kA
0.63 kA
Diagrama de Bode
c= 1/
Y(j)
log ____
X(j)
k
0.707 k
1/slow
0
-45
-90
1/fast
log()
log()
Transformada de Laplace
d2y
dy
___
a2
+ a1 ___ + a0 y(t) = x(t)
dt
dt2
Y(s) _____________
1
kn2
______________
____
=
= 2
s + 2ns + n2
X(s) a2 s2 + a1s + a0
Diagrama de Bode
Transformada de Laplace
Los efectos de la aceleracin (en diferentes ejes) y vibracin pueden ser relevantes
en sistemas mecnicos o mviles (ej. vehculos).
La estabilidad a corto plazo puede ser descrita como ruido de muy baja frecuencia. La
salida puede aumentar o disminuir.
La estabilidad a largo plazo suele estar relacionada con el envejecimiento de los
materiales (principalmente orgnicos). Es un cambio irreversible y unidireccional.
RADIANT
MECHANICAL
THERMAL
ELECTRICAL
MAGNETIC
CHEMICAL
Photoluminescence
Radiation
pressure
Radiation
heating (sun)
Photoconductivity
Photomagnetism
Photochemical
reaction
Photoelastic
effect
Conservation of
momentum
Friction heat
Piezoelectric
effect
Magnetostriction
Pressure
induced
reaction
Incandescence
Thermal
expansion
Head
conductivity
Seebeck effect
Curie-Weiss law
Endothermic
reaction
ELECTRICAL
Electroluminescence
Piezoelectric
effect
Peltier effect
P-n junction
Amperes law
Electrolysis
MAGNETIC
Faraday effect
Magnetostriction
Ettling-hausen
effect
Hall effect
Magnetic
induction
CHEMICAL
Chemoluminescence
Explosive
reaction
Exothermic
reaction
Volta effect
in
RADIANT
MECHANICAL
THERMAL
Chemical
reaction
POTENCIOMETROS RESISTIVOS
Fundamento fsico:
Ri
li
l
Ro i Ro x i
S
L
SENSORES PIEZORRESISTIVOS
Fundamento fsico
Efecto piezorresistivo: variacin de la resistencia elctrica con la
deformacin mecnica
dL
R Ro( 1 G
)
L
Metales y
aleaciones
Semiconductores
Especificaciones:
-Resistencia nominal Ro(~100 metlicas, K semiconductores)
-Factor de la galga G
-Deformacin mxima (~104 metales, 103 en semiconductores)
SENSORES TERMORRESISTIVOS
Fundamento fsico:
Cambio en la resistencia elctrica de ciertos metales y semiconductores
* Autocalentamiento:
I2 RT = T
I: intensidad de corriente
RT: resistencia elctrica
: coeficiente de disipacin trmica
T: autocalentamiento
SENSORES CAPACITIVOS
Fundamento fsico
Capacidad variable de conductores separados por un dielctrico o el vaco.
Q
C
V
SEPARACIN VARIABLE
C: capacidad
Q: carga
V: diferencia de potencial entre placas
DIELECTRICO VARIABLE
SENSORES INDUCTIVOS
Fundamento fsico
Cambio en la autoinductancia de una bobina o en el
acoplamiento magntico entre varias bobinas.
INDUCCIN VARIABLE
SENSORES TERMOELCTRICOS
Fundamento fsico:
Efecto Seebeck
V = ( T 1 T 2 ) + ( T 12 T 22 )
V: diferencia de potencial
y : constantes para cada par de materiales A, B
T1 y T2: temperatura de las uniones
Termopar
S = dV/dT1 = + 2 T1 ~
S : coeficiente Seebeck
SENSORES PIEZOELCTRICOS
Fundamento fsico: efecto piezoelctrico
Cs
Vs
V= d [F/A] S
~
Rs
d: coef. piezoelctrico
SENSORES PIROELCTRICOS
Efecto piroelctrico: Aparicin de cargas superficiales en una direccin
determinada cuando un material piroelctrico experimenta
un cambio de temperatura.
P pT
P: vector polarizacin
p: coeficientes piroelctricos
T: temperatura
DETECTORES FOTOELCTRICOS
FOTOMULTIPLICADORES
Efecto fotoelctrico
h K m
h.: energa del fotn
h: constante de Planck (4,135x10-15 eV.s)
: frecuencia de la luz
: funcin trabajo de la superficie emisora
Km: energa cintica mxima del electrn
FOTODETECTORES DE
SEMICONDUCTOR
h Eg
max
h.c
1,24
m
Eg Eg (eV )
I = Io exp ( qV / 2kBT )