Juan Hernndez Tecorralco

Fsica de Dispositivos Semiconductores

2.- Muestre explcitamente los pasos algebraicos requeridos para obtener la ecuacin (14.2-21) a
partir de (14.2.20). Obsrvese que

cosh

+ sin

Partiendo de la ecuacin (14.2-20)

!"# =

%& ' + 1(

. )*'

+, 1 )*'+ (
ln
+ 1 )*' (

Si Sustituimos los valores de )& ' ( y de )& '+ ()& ' ( a partir de la siguientes ecuaciones.
)& ' ( =

01#

2& sinh

2
1#

3' + 1( cosh

)& '+ ( =

1#

cosh

1#

' 1( sinh

2
01# 6 + cosh 1 7

1#

sinh

1#

2
2 2& sinh
1#
2
01# 61 + bcosh 7
1#
)& ' ( =
2
2 2& sinh
1#

Tomando trminos por separado y partiendo del trmino que sigue realizamos la sustitucin y
resolvemos.
+, 1 )*'+ (
ln
+ 1 )*' (

Finalmente tenemos realizando las operaciones pertinentes

2
01# 6 + cosh 1 7
#

2
2
2
2
sinh
&
(
+, 1 )*'+
+, 1
+, 1 + cosh 1#
1#
ln
=
ln
=
2
+ 1 )*' (
+ 1 01
+ 1 1 + bcosh 2
# 61 + bcosh 1 7
1#
#
(
2
2 2& sinh
1#

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Fsica de Dispositivos Semiconductores
Tomamos el trmino de la integral, sustituimos y resolvemos
1

!"# =

%& ' + 1(

!"# =

%& ' + 1(

01#

2& sinh

2& sinh
01#

2
1#

9' + 1( cosh

2
1#

1#

cosh

+ 1( cosh

. 9'

1#

2 2&
2
sinh
'
%& + 1(1#
1#

+,

' + 1(1#

sinh

2
1#

. 9'

+ 1( cosh
+ 1( cosh

. 9'

1#

1#

cosh

cosh

1#

1#

' 1( sinh

cosh

Reduciendo trminos y utilizando la relacin de Einstein 2& = %&

=

1#

;<
=

1#

1#

sinh

' 1( sinh

1#

1# :

sinh

1# :

simplificamos y tenemos:

' 1( sinh

' 1( sinh

1#

1#

sinh

sinh

1# :

1# :

Por ltimo procedemos a resolver la integral de acuerdo a la formula proporcionada por el

problema

cosh

+ sinh

tan

Observando la semejanza con la forma obtenida anteriormente

+,

' + 1(1#

Proponemos que

sinh

2
1#

. 9'

+ 1( cosh

1#

cosh

A = ' + 1( cosh
B = ' 1( sinh
C=

1
1#

1#

1#
1#

' 1( sinh

1#

sinh

1# :

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Fsica de Dispositivos Semiconductores
Entonces:
.

. 9'

+ 1( cosh

cosh

1#

1#

' 1( sinh

1#

sinh

1# :

CA B

tan

Haciendo las sustituciones de las proposiciones que realizamos de A, B, C

1
F'' + 1(
1#

' (( '' 1(
1#

' + 1(
' + 1(

HI

' ((
1G

AB
D
A+B

' /1G( ' 1(

' /1G( + ' 1(

' /1G(
D
' /1G(

.
.

Evaluando en con los limites de integracin de d a -d

2

1
d
d
F''b + 1(cosh' (( ''b 1(senh' ((
1#
1#
Li
2

tan
HI

tan

1
d
d
F''b + 1(cosh' (( ''b 1(senh' ((
1#
Li
1#

HI

'b + 1(cosh'd/Li( 'b 1(senh'd/Li(

'b + 1(cosh'd/Li( + 'b 1(senh'd/Li(

'b + 1(cosh'd/Li( 'b 1(senh'd/Li(

'b + 1(cosh'd/Li( + 'b 1(senh'd/Li(

Factorizando para simplificar la ecuacin.

2

'b + 1(cosh'd/Li( 'b 1(senh'd/Li(

N
'b + 1(cosh'd/Li( + 'b 1(senh'd/Li(

tan

d
1
d
F''b + 1(cosh' (( ''b 1(senh' ((
1#
1#
Li

HI

Desarrollamos el producto notable y simplificamos

'

Agrupando tenemos:
P

1#

1#

d
d
''b + 1(cosh' (( ''b 1(senh' ((
1#
Li
+ 2 + 1(

+2

1#

1#

1#

Q+2 P

'

1#

2 + 1(

1#

1#

1#

+2
Q+P

1#
1#

1#

1#

Utilizando las siguientes identidades y sustituyendo en la ecuacin anterior tenemos:

1#

1#

= 1

1#

HI

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Fsica de Dispositivos Semiconductores

Por lo tanto tenemos que

1
F
1#

+2

+1
1#

.
HI

.
HI

.
HI

'b + 1(cosh'd/Li( 'b 1(senh'd/Li(

N
'b + 1(cosh'd/Li( + 'b 1(senh'd/Li(

tan

HI

HI

Ahora reducimos la argumento del tangente inverso.

'b + 1(cosh'd/Li( 'b 1(senh'd/Li(
'b + 1(cosh'd/Li(
R
N
'b + 1(cosh'd/Li( + 'b 1(senh'd/Li(
'b + 1(cosh'd/Li(

HI

U
d
T
'b 1(senh 6 7
T
Li
T
1
+
T
'b 1(senh'd/Li(
d
T
1
'b + 1( cosh 6 7
T
'b + 1(cosh'd/Li(
T
Li
T

N
T
d
d
T
'b 1(senh 6 7
'b 1(senh 6 7
T
Li
Li
T
T 1 + 'b + 1(cosh'd/Li( 1 +
d
'b + 1( cosh 6 7
S
Li

1
F
1#

+2

+2

HI

'b 1(senh'd/Li(
'b + 1(cosh'd/Li(
O=R
N
d
'b 1(senh 6 7
Li
1+
'b + 1(cosh'd/Li(

+1
1#

tan

+1
1#

tan

U
T

T
T
' 1(
1#
T
1P
Q
T
'
+
1(
T

T
1#
.
.
HI HI O = T
T
N
T
d
T
T
'b

1(senh
6
7
T
Li
T
T 1+
d
'b + 1( cosh 6 7
Li
S

U
T
' 1(
T
1P

Q
T
1#
' + 1(
T
=T
N
T
d
T
T
'b 1(senh 6 7
T
Li
T
T 1+
d
'b + 1( cosh 6 7
Li
S

Tenemos entonces que:

1
F
1#

HI

HI

YU
T
T 1 P' 1(Q

XT
1#
' + 1(
XT
T
N
XT
d
T
'b 1(senh 6 7
XT
T
Li
T
T 1+
d
'b + 1( cosh 6 7
WS
Li

Y 1 P' 1(Q
1
' + 1(
#
X
N
X
d
'b 1(senh 6 7
X
Li
1+
d
'b + 1( cosh 6 7
W
Li

HI

HI

HI

HI

\
[
O[ =
[
[
Z

HI

HI

\
[
O[
[
Z

HI

HI

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Fsica de Dispositivos Semiconductores
.

HI

Dado que

= ^I

1
F
1#

`]
_

+2

= ^I

podemos reducir la expresin anterior a:

+1
1#

Y 1 P' 1(Q

1#
' + 1(
X
32
X
d
'b

1(senh
7
6
X
Li
1+
d
'b + 1( cosh 6 7
W
Li

tan

Combinando todos los resultados tenemos que:

+,

2
!#a
sinh
' + 1(1#
1# 1
F
1#

+2

2
+1
1#

tan

Reducimos trminos

!#a

Si

'"

'"f

!#a

4 +,
' + 1(

_
^I
_
( ghce6 7
^I

(c=de6 7

4 +,
' + 1(

sinh

+2

2
1#

2
+1
1#

tan

Y 1 P' 1(Q

' + 1(
1#
X
32
X
d
'b 1(senh 6 7
X
Li
1+
d
'b + 1( cosh 6 7
W
Li

Y 1 P' 1(Q

1#
' + 1(
X
32
X
d
'b 1(senh 6 7
X
Li
1+
d
'b + 1( cosh 6 7
W
Li

+2

2
1#

2
+1
1#

tan

' 1(
1P
Q
' + 1(

1#

\
2
+ cosh
1#
[ +, 1
4[
ln
1#
+ 1 1 + bcosh 2
[
1
Z

1 + cosh 2n
1
Q + senh 2n tan 'senh 2n(
2 senh 2n
2

(b) que para n 1, (14.2-24) puede aproximarse mediante

m" 'n(

q
21+

+s

1 1

+ P
Q ln
2 +1
1+

(b) que para n 1, (14.2-24) se puede aproximar por medio

m" 'n(

4
n ln 2n
'1 + (

2
+ cosh
+, 1
1#
4
ln
1#
+ 1 1 + bcosh 2
1#

3. Demuestre que (a) que en el caso especial b=1 (14*2-24) se reduce a

m 'n( = ln P

\
2
+ cosh
1#
[ +, 1
4[
ln
1#
+ 1 1 + bcosh 2
[
1

~1, entonces finalmente obtenemos la ec. 14.2.21:

sinh

\
[
4[
1#
[