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INGENIERIA: ELECTRICA Y MECANICA


CATEDRTICO: ING. ANGEL HIRAN ZAVALETA DE LOS SANTOS
UNIVERSIDAD POPULAR DE LA CHONTALPA
MATERIA: ELECTRONICA BASICA
DIODO GUN

TEMA: DIODO TUNEL Y

CONTENIDO
Pg.
RESUMEN..................................................................................................................................
I. INTRODUCCIN.................................................................................................................
II.- OBJETIVOS........................................................................................................................
III.- MARCO TEORICO............................................................................................................
3. 1.-Diodo tnel..........................................................................................................
3. 2.-Historia del diodo tnel.......................................................................................
3. 3.-Descripcin del diodo tnel.................................................................................
3. 4.-Efecto tnel..
6
3.5.-Caracterstica del diodo tnel...............................................................................
3.6.-Curva caracterstica del diodo tnel....................................................................6
3.7.- Aplicaciones del diodo tnel ...............................................................................
3.8.-Fabricacin del diodo tnel..................................................................................
4.-DIODO GUN...........................................................................................................
3. 3. 7............................................................................................................................
3. 4...............................................................................................................................
3. 5.............................................................................................................................10
3. 6.............................................................................................................................12
IV. MATERIALES, REACTIVOS, EQUIPOS Y CLCULOS...............................................14
VIII. CONCLUSIN............................................................................................................17
BIBLIOGRAFA...................................................................................................................

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MATERIA: ELECTRONICA BASICA
DIODO GUN

TEMA: DIODO TUNEL Y

RESUMEN.

I.

INTRODUCCIN

II. OBJETIVOS.
1.1.- Conocer los conceptos y aplicaciones del diodo tnel y diodo Gun
1.2.- Determinar las caractersticas de cada uno de los diodos mencionados.

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III.- MARCO TEORICO


3.1.-DIODO TUNEL
El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se
produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en
un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. La presencia del tramo de
resistencia

negativa

permite

su

utilizacin

como

componente

activo

(amplificador/oscilador). Tambin se conocen como diodos Esaki, en honor del


hombre que descubri que una fuerte contaminacin con impurezas poda causar
un efecto de tunelizacin de los portadores de carga a lo largo de la zona de
agotamiento en la unin. Caractersticas, principio de funcionamiento y
aplicaciones.

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Fig.1. imagen de un diodo tnel

3.2.-HISTORIA DEL DIODO TUNEL


Este diodo fue inventado en 1958 por el fsico japons Leo Esaki, por lo cual
recibi un Premio Nobel en 1973. Descubri que los diodos semiconductores
obtenidos con un grado de contaminacin del material bsico mucho ms elevado
que lo habitual exhiben una caracterstica tensin-corriente muy particular. La
corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada
hasta alcanzar un valor mximo, denominado corriente de cresta.

3.3.-DESCRIPCIN DEL DIODO TUNEL


El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se
produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en
un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. Los diodos Tnel son
generalmente fabricados en Germanio, pero tambin en silicio y arseniuro de
galio.
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como
componente activo (amplificador/oscilador). Una caracterstica importante del
diodo tnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de
polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al
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aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como


amplificador, como oscilador o como inestable. Esencialmente, este diodo es un
dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que
estn relativamente libres de los efectos de la radiacin.
Si durante su construccin a un diodo invertido se le aumenta el nivel de dopado,
se puede lograr que su punto de ruptura ocurra muy cerca de los 0V. Los diodos
construidos de esta manera, se conocen como diodos tnel. Estos dispositivos
presentan una caracterstica de resistencia negativa; esto es, si aumenta la
tensin aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una disminucin de
la corriente (por lo menos en una buena parte de la curva caracterstica del diodo).
Este fenmeno de resistencia negativa es til para aplicaciones en circuitos de alta
frecuencia como los osciladores, los cuales pueden generar una seal senoidal a
partir de la energa que entrega la fuente de alimentacin.
Estos diodos tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy
rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso
ms rpido que los diodos Schottky.

3.4.-EFECTO TUNEL
Los diodos de efecto tnel son dispositivos muy verstiles que pueden operar
como detectores, amplificadores y osciladores. Poseen una regin de juntura
extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos
voltajes de polarizacin directa y tienen una resistencia negativa, esto es, la
corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado.
Estos dispositivos presentan una caracterstica de resistencia negativa; esto es, si
aumenta la tensin aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una
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disminucin de la corriente (por lo menos en una buena parte de la curva


caracterstica del diodo). Este fenmeno de resistencia negativa es til para
aplicaciones en circuitos de alta frecuencia como los osciladores, los cuales
pueden generar una seal senoidal a partir de la energa que entrega la fuente de
alimentacin.
El efecto tnel es un fenmeno nanoscpico por el que una partcula viola los
principios de la mecnica clsica penetrando una barrera potencial o impedancia
mayor que la energa cintica de la propia partcula. Una barrera, en trminos
cunticos aplicados al efecto tnel, se trata de una cualidad del estado energtico
de la materia anlogo a una "colina" o pendiente clsica, compuesta por crestas y
flancos alternos, que sugiere que el camino ms corto de un mvil entre dos o ms
flancos debe atravesar su correspondiente cresta intermedia si dicho objeto no
dispone de energa mecnica suficiente como para imponerse con la salvedad de
atravesarlo.
A escala cuntica, los objetos exhiben un comportamiento ondular; en la teora
cuntica, un cuanto movindose en direccin a una "colina" potencialmente
energtica puede ser descrito por su funcin de onda, que representa la amplitud
probable que tiene la partcula de ser encontrada en la posicin allende la
estructura de la curva. Si esta funcin describe la posicin de la partcula
perteneciente al flanco adyacente al que supuso su punto de partida, existe cierta
probabilidad que se haya desplazado "a travs" de la estructura, en vez de
superarla por la ruta convencional que atraviesa la cima energtica relativa.

3.5.- CARACTERISTICAS DEL DIODO TUNEL


Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tnel empieza a conducir (la
corriente empieza a fluir). Si se sigue aumentando esta tensin la corriente
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aumentar hasta llegar un punto despus del cual la corriente disminuye. La


corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de un "valle" y
despus volver a incrementarse. En esta ocasin la corriente continuar
aumentando conforme aumenta la tensin.
Los diodos tnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv
muy rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin
incluso ms rpido que los diodos Schottky.

3.6.-CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO TUNEL


A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensin aplicada, la corriente
comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mnimo, llamado
corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de
la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez ms rpido
hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera.

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3.7.-APLICACIONES DEL DIODO TUNEL


Este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una
corriente de fuga muy grande cuando estn polarizados en reversa. As estos
diodos slo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de
alta frecuencia.

3.8.-FABRICACIN DE LOS DIODOS TUNEL


Los diodos Tnel son generalmente fabricados en Germanio, pero tambin en
silicio y arseniuro de galio. Son diodos muy rpidos que presentan una respuesta
una zona con resistencia negativa que permite su utilizacin como elemento
activo en osciladores y amplificadores. En la prctica los diodos tnel operan con
unas pocas milis amperes y potencias muy bajas.
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BIBLIOGRAFIA
Seminario de Dispositivos Semiconductores. Facultad de Ingeniera. Universidad
de Buenos Aires

VII. CONCLUSIN.

BIBLIOGRAFA.

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