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ALUMNOS:
MARCO TERICO:
Semiconductores extrnsecos
Los semiconductores extrnsecos se caracterizan, porque tienen un
pequeo porcentaje de impurezas, respecto a los intrnsecos; esto es,
posee elementos trivalentes o pentavalentes, o lo que es lo mismo, se
dice que el elemento est dopado.
Dependiendo de si est dopado de
pentavalentes, se diferencian dos tipos:
elementos
trivalentes,
Esto hace que los electrones salten a las vacantes con facilidad, dejando
huecos en la banda de valencia, y siendo los huecos portadores
mayoritarios.
Diodo semiconductor
El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor ms sencillo y se
puede encontrar, prcticamente en cualquier circuito electrnico. Los
diodos se fabrican en versiones de silicio (la ms utilizada) y de
germanio.
Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P,
separados por una juntura llamada barrera o unin. Esta barrera o unin es de
DESARROLLO:
Experimento 1
Armar el circuito y medir la corriente del circuito, el voltaje en la
resistencia muestreadora y la R 2, aplicando un voltaje CD constante para
resistencias mayor, menor e igual que la resistencia muestreadora.
Resistencia
muestreadora
Conectar el comn
Cambiar resistencia
R2
VR1
6.08
9.17
I
VR2
R1
=I(cto)
6.08 mA
-6.08
9.17 mA
-3
R1
R2
1K
1K
1K
330
R1= R2
R1>R2
0.54
2.15
0.54 mA
2.15 mA
-11.63
-10.4
1K
1K
22K
4.6K
R1< R2
R1< R2
Experimento 2
Armar el circuito y medir la corriente del circuito, el voltaje en la
resistencia muestreadora y la R2, aplicando un voltaje CA constante
para resistencias mayor, menor e igual que la resistencia muestreadora.
(use el generador de funciones)
Resistencia
muestreadora
Cambiar resistencia
R2
Vrms
3.88
5.73
0.352
1.39
I R1
=I(cto)
11.3 mA
16.6 mA
1.12 mA
4.40 mA
VR2
Vpp
11.3
6
21.7
19
Vrms
3.88
1.92
7.52
6.45
R1
R2
1K
1K
1K
1K
1K
330
22K
4.6K
R1= R2
R1>R2
R1< R2
R1< R2
R1= R2
R1< R2
R1>R2
Experimento 3
Cambie la resistencia R2 por un diodo de la serie 4001 o equivalente, y
mida los mismos parmetros (use el generador de funciones)
I R1
=I(cto)
10.8
mA
VD
Vpp
Vrms
12.1
5.59
R1
DIODO
1K
Polarizacin
directa del diodo
Experimento 4
Cambie la resistencia R2 por un diodo de la serie 4001 o equivalente, y
mida los mismos parmetros (use el generador de funciones), invirtiendo
la polaridad que se utilizo en el experimento 3.
Vrms
4.67
I R1
=I(cto)
10.3
mA
VD
Vpp
12.6
Vrms
5.98
R1
DIODO
1K
Polarizacin
inverza del diodo
Experimento 5
Finalmente mediante modo xy del osciloscopio logramos observar la grfica del
diodo de voltaje contra corriente.
Cambiando al modo
XY
En polarizacin
directa
Cambiando al modo
XY
En polarizacin
inversa
Observacin
ms
detallada
aproximadamente 0.4 [V]
del
voltaje
umbral
del
diodo
CONCLUSIN
Para esta prctica, se empleo el principio del divisor de voltaje, de
igual forma la ley de kirchoft de voltajes, teniendo que la suma de
los voltajes de R1 + R2 nos tendr que dar el voltaje con el cual
alimentamos el circuito.
Al elaborar esta prctica se fue variando el valor de la resistencia
R2 con valores R1= R2, R1>R2 y R1< R2 dejando fijo el valor
de R1.
Al alimentar el CTO. Con el generador de funciones pudimos
observar la forma de onda del voltaje presente en cada resistor,
tomando lecturas de los voltajes pico-pico y el rms, de igual forma
notamos que al sustituir por resistencias mayores, el voltaje era