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RESPUESTA EN FRECUENCIA
DEL AMPLIFICADOR EN EMISOR
COMN
FACULTAD DE INGENIERIA
ELECTRONICA
NOMBRE: CATPO HEREDIA
JOHANAN JASSON
COD: 1323220105
LAB: 92G
AO
2015
LABORATORIO N 2
RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR EN EMISOR COMN
I.
INTRODUCCIN
II.
III.
OBJETIVOS
Medir los voltajes y corrientes (punto de operacin) del circuito de
polarizacin con divisor de voltaje independiente de beta para el transistor
bipolar y comparar estos valores con los calculados tericamente.
Analizar, simular y finalmente comprobar el comportamiento de un
transistor BJT con una seal de entrada variante en el tiempo (AC).
MARCO TERICO
Dependiendo del Terminal por donde se aplique la seal de entrada y del
Terminal del cual se tome la seal de salida, se diferencias tres
configuraciones bsicas para el BJT:
Configuracin en Emisor Comn
Configuracin en Colector Comn
Configuracin en Base Comn
Configuracin en Emisor Comn.- Cuando la seal de entrada se aplica
por la base del transistor y la seal de salida se toma del Colector, se tiene
una configuracin en Emisor Comn, la cual se caracteriza por ser el
amplificador por excelencia debido a que amplifica voltaje como corriente.
El diagrama circuital de esta configuracin se ve en figura.
IV.
V.
MATERIALES
Osciloscopio
Multmetro
Transistor 2N2222
Resistencias
Condensadores
PROCEDIMIENTO
IB
VI
IE
IC
RO
=
=
=
=
=
0.20mA
22V
2.80mA
2.60mA
100
VO
ZI
ZO
AV
AI
6.8k
0.00
mA
R7
86k
+2.60
R5
C5
10uF
C4
Q2
+0.20
2N2222
RV1
mA
52%
10uF
mA
22V
+2.80
BAT2
100k
R6
8.2k
R8
1.5k
C6
20uF
VI.
VI. CUESTIONARIO
Responder las siguientes preguntas: