Está en la página 1de 203

CENTRO DE INVESTIGACIN Y DE ESTUDIOS AVANZADOS

DEL INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA

PROGRAMA ACADMICO DE MAESTRA EN CIENCIAS


EN INGENIERA ELCTRICA

Contenido
PRESENTACIN ................................................................................................................... 6
1.- Programa de Maestra en Ciencias en la especialidad de Ingeniera Elctrica ...................... 7
1.1 Objetivo ......................................................................................................................... 7
1.2 Perfil de ingreso ............................................................................................................. 7
1.3 Perfil de egreso .............................................................................................................. 7
1.4 Plan de Estudios............................................................................................................. 7
1.5 Proceso de Admisin ..................................................................................................... 8
1.5.1 Comit de Admisin a la Maestra (CAM). ............................................................. 9
1.5.2 Cursos Propeduticos .............................................................................................. 9
1.6 Programa de Maestra en Ciencias en Ingeniera Elctrica .............................................10
1.7 Requisitos para la Obtencin del Grado Acadmico ......................................................13
1.8 Admisin al Programa de Doctorado Integrado .............................................................13
2. Contenidos de Cursos Propeduticos ..................................................................................13
2.1 Bioelectrnica ...............................................................................................................14
2.1.1 Introduccin a la Bioinstrumentacin .....................................................................14
2.1.2 Electrnica Analgica ............................................................................................14
2.1.3 Matemticas 3 ........................................................................................................14
2.2 Comunicaciones ............................................................................................................16
2.2.1 Programacin en C .................................................................................................16
2.2.2 Seales, espectros y modulacin.............................................................................16
2.2.3 Matemticas 4 ........................................................................................................17
2.2.4 Principios de electrnica analgica para sistemas de comunicacin ........................17
2.2.5 Programacin en MATLAB ...................................................................................18
2.3 Electrnica del Estado Slido ........................................................................................18
2.3.1 Matemtica 3 .........................................................................................................18
2.3.2 Introduccin a la Fsica Electrnica ........................................................................19
2.3.3 Electrnica analgica .............................................................................................20
2.3 Mecatrnica ..................................................................................................................21
2.3.1 Matemticas 1 ........................................................................................................21
2.3.2 Matemticas 2 ........................................................................................................21
3. Contenido del plan de estudios............................................................................................23
3.1 Bioelectrnica ...............................................................................................................23
CURSOS OBLIGATORIOS ...............................................................................................24
3.1.1 Electrnica Digital .................................................................................................24
3.1.2 Teora de Seales y Sistemas ..................................................................................27
3.1.3 Electrnica Computacional.....................................................................................29
3.1.4 Anatomia Humana .................................................................................................30
3.1.5 Fisicoqumica de la Biologa ..................................................................................31
3.1.6 Fundamentos y Normas de Seguridad Elctrica ......................................................32
3.1.7 Sensores y Transductores .......................................................................................32
3.1.8 Tecnologas Avanzadas en Bioinstrumentacin ......................................................33
3.1.9 Laboratorio de Desarrollo de Instrumentos I y II ....................................................34
3.1.10 Sistemas Teraputicos y Tecnologa Intrahospitalaria ...........................................34
3.1.11 Fisiologa Humana ...............................................................................................35
2

3.1.12 Procesamiento Analgico de Bioseales y Aplicaciones .......................................35


CURSOS OPCIONALES ...................................................................................................36
3.1.13 Cermicas Piezoelctricas ....................................................................................36
3.1.14 Instrumentacin en Electrocardiografa ................................................................37
3.1.15 Instrumentacin en Oftalmologa..........................................................................37
3.1.16 Introduccin a la Bioultrasnica ...........................................................................38
3.1.17 Procesamiento Digital de Bioseales ....................................................................39
3.1.18 Sensores Qumicos y Biosensores.........................................................................39
3.1.19 Visin Humana ....................................................................................................40
3.1.20 Procesamiento de Imgenes ..................................................................................41
3.1.21 Introduccin a la Lgica Difusa ............................................................................42
3.1.22 Introduccin a los Efectos de la Radiacin Electromagntica en la Materia Viva ..42
3.1.23 Biomateriales .......................................................................................................43
3.1.24 Ingeniera del Biomecanismo ...............................................................................44
3.1.25 Modelacin Computacional por Elementos Finitos ...............................................46
3.1.26 Tcnicas Avanzadas en Procesamiento de Bioseales ...........................................47
3.1.27 Programacin Orientada a Objetos .......................................................................48
3.1.28 Optimizacin........................................................................................................48
3.1.29 Teora de Seales y Sistemas ................................................................................50
3.1.30 Reconocimiento de Formas y Visin por Computadora ........................................52
3.1.31 Biomecnica de la Mano ......................................................................................54
3.1.32 Mtodos y Tcnicas Fototrmicas.........................................................................55
3.1.33 Sensores y Actuadores Piezoelctricos y Piroelctricos ........................................56
3.1.34 Efectos de la Interaccin Onda Mecnica-Tejido Biolgico ..................................59
3.1.35 Biocompatibilidad Electromagntica ....................................................................60
3.1.36 Instrumentacin en Oftalmologa..........................................................................61
3.1.37 Visin Humana ....................................................................................................62
3.2 Comunicaciones ............................................................................................................64
CURSOS OBLIGATORIOS ...............................................................................................64
3.2.1 Probabilidad y Procesos Estocsticos .....................................................................64
3.2.2 Electrnica para Sistemas de Comunicaciones........................................................66
3.2.3 Procesamiento Digital de Seales ...........................................................................70
3.2.4 Teora Electromagntica .........................................................................................71
3.2.5 Sistemas Telefnicos de Comunicacin ..................................................................75
3.2.6 Ingeniera de Teletrfico ........................................................................................76
3.2.7 Redes de Computadoras .........................................................................................79
3.2.8 Fundamentos de Sistemas de Comunicaciones .......................................................81
3.2.9 Teora Estadstica de las Comunicaciones ..............................................................83
CURSOS OPCIONALES ...................................................................................................87
3.2.10 COMUNICACIONES DIGITALES .....................................................................87
3.2.11 Procesamiento Digital de Seales Avanzado ........................................................88
3.2.12 Introduccin a los Sistemas de Comunicaciones Mviles .....................................89
3.2.13 Ingeniera de Radiofrecuencia y Microondas ........................................................90
3.2.14 Diseo de Receptores y Transmisores para Sistemas de Radiocomunicacin ........91
3.2.15 Dimensionamiento de Sistemas de Comunicacin Mvil ......................................92
3.2.16 Redes de Comunicaciones Inalmbricas ...............................................................93
3.3 Electrnica del Estado Slido ........................................................................................93
CURSOS OBLIGATORIOS ...............................................................................................93
3

3.3.1 Electrnica Digital .................................................................................................93


3.3.2 Electrnica Computacional.....................................................................................97
3.3.3 Fsica de Semiconductores ................................................................................... 106
3.3.4 Tecnologa de Semiconductores I ......................................................................... 108
3.3.5 Dispositivos Semiconductores I............................................................................ 110
3.3.6 Caracterizacin de Semiconductores .................................................................... 113
CURSOS OPCIONALES ................................................................................................. 115
3.3.7 Estructura Electrnica de los Materiales ............................................................... 115
3.3.8 Propiedades pticas de Semiconductores ............................................................. 116
3.3.9 Superficies, Interfaces y Heterouniones ................................................................ 118
3.3.10 Introduccin a los Materiales Nanoestructurados ................................................ 119
3.3.11 Tecnologa de Semiconductores II ...................................................................... 122
3.3.12 Fisicoqumica de Semiconductores I................................................................... 125
3.3.13 Sistemas Neurodifusos I ..................................................................................... 127
3.3.14 Diseo de Circuitos Integrados I......................................................................... 128
3.3.15 Dispositivos Semiconductores II ........................................................................ 129
3.3.16 Fsica Analtica .................................................................................................. 131
3.3.17 Celdas Solares .................................................................................................... 133
3.3.18 Nanotecnologa .................................................................................................. 135
3.3.19 Diodos Emisores de Luz ..................................................................................... 136
3.3.20 Sensores Qumicos de Gases .............................................................................. 137
3.3.21 Microelectrnica ................................................................................................ 139
3.3.22 Fisicoqumica de Semiconductores II ................................................................. 141
3.3.23 Sistemas Neurodifusos II .................................................................................... 143
3.3.24 Diseo de Circuitos Integrados II ....................................................................... 146
3.3.25 Dispositivos Orgnicos....................................................................................... 147
3.3.26 Introduccin a la Fsica de Superficies e Interfaces ............................................. 149
3.3.27 Tpicos de Ciencia de Materiales ....................................................................... 150
3.3.28 Pelculas Delgadas Semiconductoras .................................................................. 153
3.3.29 Tecnologa de Celdas Solares Fotovoltaicas ....................................................... 155
3.3.30 Transistores MOS Avanzados ............................................................................ 157
3.3.31 VLSI para Sistemas Neurodifusos ...................................................................... 158
3.3.32 Sistemas Neurodifusos III .................................................................................. 159
3.4 Mecatrnica ................................................................................................................ 161
CURSOS OBLIGATORIOS ............................................................................................. 162
3.4.1 Matemticas ......................................................................................................... 162
3.4.2 Modelado de Sistemas Dinmicos ........................................................................ 164
3.4.3 Ingeniera de Control............................................................................................ 166
3.4.4 Mecnica de Materiales ........................................................................................ 167
3.4.5 Sistemas en Tiempo Real ..................................................................................... 171
3.4.6 Diseo de Elementos de Mquinas ....................................................................... 172
3.4.7 CAD/CAM/CAE .................................................................................................. 173
3.4.8 Introduccin al Control de sistemas no lineales .................................................... 175
3.4.9 Sistemas Mecatrnicos ......................................................................................... 176
3.4.10 Robtica I .......................................................................................................... 178
CURSOS OPCIONALES ................................................................................................. 179
3.4.11 Mecnica Clsica ............................................................................................... 179
3.4.12 Control de Sistemas No Lineales ........................................................................ 180
4

3.4.13 Control por Planitud Diferencial ......................................................................... 181


3.4.14 Anlisis y Control de Sistemas no Lineales en Tiempo Discreto ......................... 182
3.4.15 Ingeniera de Robots........................................................................................... 184
3.4.16 Robtica II ......................................................................................................... 185
3.4.17 Sistemas de Manufactura .................................................................................... 186
3.4.18 Vibraciones Mecnicas ....................................................................................... 187
3.4.19 Identificacin de Sistemas .................................................................................. 189
3.4.20 Control por Modos Deslizantes .......................................................................... 191
3.4.21 Diseo Mecnico II ............................................................................................ 192
3.4.22 Pasividad y Diseos Recursivos en Sistemas Dinmicos .................................... 193
3.4.23 MECNICA COMPUTACIONAL .................................................................... 194
3.4.24 Control de Sistemas Multi-Agente ...................................................................... 196
4. ESTRUCTURA ACADMICA........................................................................................ 198
PUESTOS Y FUNCIONES .................................................................................................. 198
4.1 Colegio de Profesores del DIE (CP) ............................................................................ 198
4.2 Colegio de Profesores de la Especialidad (CPE) .......................................................... 198
4.3 Comit de Admisin de Maestra (CAM) .................................................................... 198
4.4 Coordinacin de Admisin.......................................................................................... 199
4.5 Comit del Programa de Maestra (CPM) .................................................................... 199
4.6 Coordinador Acadmico de Maestra .......................................................................... 199
4.7 Comit Acadmico de Especialidad (CAE) ................................................................. 199
4.8 Jurado de Maestra ...................................................................................................... 200
ANEXOS ............................................................................................................................. 201
A) Planta Acadmica del Ncleo Acadmico Bsico de Tiempo Completo y su membresia al
Sistema Nacional de Investigadores. ..................................................................................... 202
B) Lista de Abreviaturas y Definiciones ............................................................................... 203

PRESENTACIN
Este documento presenta la descripcin del programa de Maestra en la especialidad de
Ingeniera Elctrica ofrecidos en el Departamento de Ingeniera Elctrica (DIE) del Centro de
Investigacin y de Estudios Avanzados del I.P.N. (Cinvestav) en las especialidades de
Bioelectrnica, Comunicaciones, Electrnica del Estado Slido y Mecatrnica.
La estructura acadmica y administrativa del DIE se ha ido adaptando para facilitar la
realizacin de sus actividades, as como para optimizar el uso de los recursos obtenidos interna
y externamente. Esta estructura est conformada por el Jefe del DIE (en este caso responsable
de los programas acadmicos de maestra y doctorado), cuatro Coordinadores Acadmicos de
Especialidad (CAE) y un Coordinador de Admisin (CA), todos ellos, pertenecientes a la
mxima autoridad acadmica del Departamento que es el Colegio de Profesores (CP) del DIE.
Por el nmero promedio de estudiantes del Departamento (aproximadamente 100 estudiantes
de maestra y 50 de doctorado atendidos por ao) y con el fin de distribuir adecuadamente la
carga de trabajo, se dispuso la figura de Coordinador Acadmico por Especialidad (CAE). El
Coordinador de Admisin (CA) a los programas de Maestra y Doctorado tiene como
funciones la coordinacin de las actividades de promocin del posgrado y los procesos de
admisin (cursos propeduticos y exmenes) para la seleccin de los candidatos a los
programas de maestra y doctorado.
Para cada actividad acadmica relacionada con los programas de posgrado y supervisar el
cumplimiento de sus objetivos, se tienen diferentes comits formados por miembros del
Colegio de Profesores (CP)* del DIE, adems del Colegio de Profesores de la Especialidad
(CPE) que formar parte del CP. Estos son el Comit Acadmico de Especialidad (CADE), el
Comit de Admisin a la Maestra (CAM), el Comit de Programa de Maestra (CPM), el
Comit de Admisin al Doctorado (CAD), el Comit Acadmico de Seguimiento (CAS) y el
Comit de Programa de Doctorado (CPD), adems del Jurado de Maestra y el Jurado de
Doctorado. La composicin y funciones de estos comits se describirn posteriormente.

1.- Programa de Maestra en Ciencias en la especialidad de Ingeniera Elctrica

1.1 OBJETIVO
El programa de Maestra en Ciencias en la Especialidad de Ingeniera Elctrica tiene como
objetivo que los estudiantes adquieran conocimientos de vanguardia en alguna de las reas de
Bioelectrnica, Telecomunicaciones, Electrnica del Estado Slido y Mecatrnica; as como
favorecer el desarrollo de habilidades que permitan al graduado ejercer actividades cientficas,
tecnolgicas, profesionales y docentes.

1.2 PERFIL DE INGRESO


Aspirantes egresados de las carreras de Ingeniera relacionadas con Electrnica, Mecnica,
Computacin, Biomdica, Fisico-matemticas, Qumica y reas afines; no obstante, se
considerarn los casos de aspirantes de otras reas del conocimiento que por su experiencia
profesional o acadmica estn interesados en cursar el programa de Maestra.
El aspirante deber tener la habilidad y el inters en participar en trabajo experimental as como
la disposicin para el trabajo en grupo. Deber tener tambin una gran capacidad de anlisis y
observacin. Las actitudes deseables de los aspirantes son de compromiso, responsabilidad,
inters en la investigacin, tica y honestidad.

1.3 PERFIL DE EGRESO


El egresado del programa de Maestra del DIE ser un profesional de calidad y alto nivel
tcnico, que entienda el estado del arte en su rea de especialidad y que posea las bases
cientficas y tecnolgicas para la solucin de problemas de desarrollo tecnolgico tanto
tericos y experimentales, y tendr la formacin y habilidades para integrarse a grupos
tecnolgicos de vanguardia en las reas de Bioelectrnica, Telecomunicaciones, Electrnica
del Estado Slido y Mecatrnica. Asimismo, podr realizar actividades docentes de las ciencias
de la ingeniera elctrica y ramas afines en las IES y de Posgrado.

1.4 PLAN DE ESTUDIOS


El Programa de Maestra, en cualquiera de sus cuatro especialidades, est organizado para
completarse en dos aos (24 meses), los cuales se dividen en seis perodos cuatrimestrales. Los
primeros tres cuatrimestres estn destinados a cursar todas las materias tericas. El primer
cuatrimestre consta de un conjunto de materias que conforman un tronco comn, en el cual los
estudiantes cursan cuatro materias en funcin de la especialidad. En el segundo y tercer
cuatrimestre, el CPE asignar al estudiante las materias con las cuales continuar su programa
7

y es facultad del CPE modificar y revisar el programa de la Especialidad.


Los tres cuatrimestres restantes estn dedicados al desarrollo del proyecto de tesis, a la
redaccin de la tesis, y a la presentacin del examen de grado. La permanencia mxima
permitida de un estudiante en el Programa de Maestra es de ocho cuatrimestres, excluyendo
los perodos de baja temporal.
Los cursos, en las cuatro especialidades, se clasifican en obligatorios y opcionales. Los cursos
obligatorios son aquellos considerados por el CAE con una mxima relevancia para la
formacin del alumno en la especialidad; los cursos opcionales sern asignados al estudiante
por el CAE correspondiente, o bien, por el Director de tesis, y debern ser pertinentes con el
tema de tesis a desarrollar.

1.5 PROCESO DE ADMISIN


Para ser admitido al Programa de Maestra en Ciencias en Ingeniera Elctrica, el candidato
deber cumplir con los siguientes requisitos:
- Haber terminado una licenciatura en una rea afn a las especialidades que se cultivan en
el DIE.
Se podrn admitir alumnos en proceso de titulacin con carta de pasante, con el
requisito de estar titulado durante los primeros seis meses contados a partir de la
inscripcin. En el caso de titulacin por crditos del propio posgrado debern reunir los
crditos y titularse, a ms tardar al finalizar el primer ao.
- Tener un promedio mnimo de 8.0 en los estudios de licenciatura. En caso de tener un
promedio inferior, el CAM analizar la solicitud y emitir un dictamen.
- Llenar y entregar una solicitud de admisin al CAE de inters.
- Aprobar los exmenes de admisin definidos por cada especialidad. Para preparar estos
exmenes el DIE ofrece cursos propeduticos. La asistencia a los cursos propeduticos
no ser requisito indispensable para la admisin al Programa de Maestra, pero si puede
ser considerada por el CADE en el dictamen final. La duracin de los cursos es de
acuerdo a la especialidad seleccionada.
- Sostener una entrevista con el CADE. El CADE despus de evaluar la entrevista, el
expediente del alumno y los resultados de los exmenes de admisin dictaminar si se
admite al aspirante o si se turna el caso para su anlisis al CPE.
- Ser seleccionado de acuerdo a la disponibilidad de plazas en la especialidad solicitada.
El resultado de la solicitud de admisin de un aspirante al programa de maestra le ser
comunicado por el CAM, con base en las recomendaciones que sugiera el CADE.

1.5.1 COMIT DE ADMISIN A LA MAESTRA (CAM).


El CAM est compuesto por el Coordinador de Admisin y los Coordinadores Acadmicos de
cada especialidad del DIE (CAE) y sus funciones son:
- Revisar las solicitudes de admisin y determinar su pertinencia.
-Turnar los expedientes de los aspirantes seleccionados al CADE correspondiente.
La evaluacin inicial de los aspirantes se realiza considerando como base los resultados del
examen de admisin y el promedio obtenido por el estudiante en sus estudios previos,
asignando un peso especfico del 70% y del 30%, respectivamente. El CAM turna a cada
CADE un nmero de expedientes 50% mayor a la capacidad de atencin de la especialidad,
para que de entre ellos definan a los aspirantes que finalmente sern aceptados. Cada rea de
especialidad, mediante el CPE, determina internamente el nmero de estudiantes de nuevo
ingreso, considerando factores como tamao de la planta acadmica, infraestructura, espacio
para estudiantes, etc.
En la seleccin final de aspirantes, el CADE puede considerar criterios adicionales, como por
ejemplo, el desempeo durante la realizacin de una entrevista personal, los resultados de
exmenes adicionales, el desempeo en los cursos propeduticos, experiencia previa o
cualquier otro aspecto que considere conveniente. La decisin sobre la aceptacin de un
alumno del programa de maestra ser dada por el CAM, con base en los resultados y, en su
caso, a las modalidades que sugiera el CADE al aspirante.

1.5.2 CURSOS PROPEDUTICOS


Los cursos de las especialidades de Bioelectrnica, Electrnica del Estado Slido y
Mecatrnica son en el mes de Junio (5 das por semana), y los cursos de la especialidad de
Comunicaciones son en los meses de Mayo y Junio (3 das por semana). Los cursos son los
siguientes:
- Matemticas 1
- Matemticas 2
- Matemticas 3
- Electrnica Analgica
- Introduccin a la Bioinstrumentacin
- Introduccin a la Fsica Electrnica
- Matemticas 4
- Seales, Espectros y Modulacin
- Principios de Electrnica Analgica para sistemas de Comunicacin
- Programacin en Matlab
- Programacin en C

1.6 PROGRAMA
ELCTRICA

DE

MAESTRA

EN

CIENCIAS

EN

INGENIERA

Primer Cuatrimestre (Septiembre a Diciembre)


En el primer cuatrimestre se ofrece un conjunto de materias de las cuales el Tutor recomienda o
indica al estudiante la adopcin de 4 entre el conjunto. A continuacin se enlista este conjunto
de materias.
-

Electrnica Digital
Teora de Seales y Sistemas
Electrnica Computacional
Anatoma Humana
Fsica de Semiconductores
Tecnologa de Semiconductores
Electrnica para Sistemas de Comunicaciones
Teora Electromagntica
Procesamiento Digital de Seales
Probabilidad y Procesos Estocsticos
Matemticas
Modelado de Sistemas Dinmicos
Ingeniera de Control
Mecnica de Materiales

A partir del segundo cuatrimestre, los estudiantes, con la recomendacin del Tutor o Asesor,
cursan las materias correspondientes a la especialidad seleccionada, las cuales se muestran en
la siguiente tabla:
Mapa Curricular de las especialidades
Especialidades
Cuatrimestre

Bioelectrnica

2
(Enero a
Abril)

- Fisicoqumica de la
Biologa
- Fundamentos y
Normas de Seguridad
Elctrica
- Sensores y
Transductores
- Tecnologas
Avanzadas en
Bioinstrumentacin
- Laboratorio de
Desarrollo de
Instrumentos I

Comunicaciones

- Sistema
Telefnicos de
Comunicacin
- Ingeniera de
Teletrfico
- Redes de
Computadoras
- Fundamentos de
Sistemas de
Comunicaciones

Electrnica del
Estado Slido

- Dispositivos
Semiconductores I
- Caracterizacin de
Semiconductores
- Curso Opcional 1
- Curso Opcional 2

Mecatrnica

- Sistemas de Tiempo
Real
- Diseo de Elementos de
Mquinas
- CAD/CAM/CAE
- Introduccin al Control
de Sistemas no
Lineales

10

- Sistemas Teraputicos
y Tecnologa
Intrahospitalaria
- Fisiologa Humana
- Procesamiento
Analgico de
Bioseales y
Aplicaciones
- Laboratorio de
Desarrollo de
Instrumentos II
- Curso Opcional

- Teora Estadstica de
las Comunicaciones
- Curso Opcional

- Curso Opcional 3
- Curso Opcional 4
- Trabajo de Tesis

- Sistemas Mecatrnicos
- Robtica I
- Curso Opcional 1
- Curso Opcional 2

4
(Septiembre a
Diciembre)

- Proyecto de Tesis

- Proyecto de Tesis

-Proyecto de Tesis

- Proyecto de Tesis

5
(Enero a
Abril)

- Proyecto de Tesis

- Proyecto de Tesis

- Proyecto de Tesis

- Proyecto de Tesis

6
(Mayo a
Agosto)

- Proyecto de Tesis
- Examen de Grado

- Proyecto de Tesis
- Examen de Grado

- Proyecto de Tesis
- Examen de Grado

- Proyecto de Tesis
- Examen de Grado

3
(Mayo a
Agosto)

Cursos Opcionales
-

Cermicas Piezoelctricas
Instrumentacin en Electrocardiografa
Instrumentacin en Oftalmologa
Introduccin a la Bioultrasnica
Procesamiento Digital de Bioseales
Sensores Qumicos y Biosensores
Visin Humana
Procesamiento de Imgenes
Introduccin a la lgica Difusa
Introduccin a los Efectos de la Radiacin Electromagntica en la Materia Viva
Biomateriales
Ingeniera del Biomecanismo
Modulacin Computacional por Elementos Finitos
Tcnicas Avanzadas en Procesamiento de Bioseales
Programacin Orientada a Objetos
Optimizacin
Teora de Seales y Sistemas
Reconocimiento de Formas y Visin por Computadora
Biomcnica de la Mano
Mtodos y Tcnicas Fototrmicas
Sensores y Actuadores Piezoelctricos y Piroelctricos
Efectos de la Interaccin Onda Mecnica-Tejido Biolgico
Biocompatibilidad Electromagntica
Instrumentacin en Oftalmologa
11

Visin Humana
Comunicaciones Digitales
Procesamiento Digital de Seales Avanzado
Introduccin a los Sistemas de Comunicaciones Mviles
Ingeniera de Radiofrecuencia y Microondas
Diseo de Receptores y Transmisores para Sistemas de Radiocomunicacin
Dimensionamiento de Sistemas de Comunicacin Mvil
Redes de Comunicaciones Inalmbricas
Estructura Electrnica de los Materiales
Propiedades pticas de Semiconductores
Superficies, Interfaces y Heterouniones
Introduccin a los Materiales Nanestructurados
Tecnologa de Semiconductores II
Fisicoqumica de Semiconductores I
Sistemas Neurodifusos I
Diseo de Circuitos Integrados I
Dispositivos Semiconductores II
Fsica Analtica
Celdas Solares
Nanotecnologa
Diodos Emisores de Luz
Sensores Qumicos de Gases
Microelectrnica
Fisicoqumica de Semiconductores II
Sistemas Neurodifusos II
Diseo de Circuitos Integrados II
Dispositivos Orgnicos
Introduccin a la Fsica de Superficies e Interfaces
Tpicos de Ciencia de Materiales
Pelculas Delgadas Semiconductoras
Tecnologas de Celdas Solares Fotovoltaicas
Transistores MOS Avanzados
VLSI para Sistemas Neurodifusos
Sistemas Neurodifusos III
Mecnica Clsica
Control de Sistemas No Lineales
Control por Planitud Diferencial
Anlisis y Control de Sistemas no Lineales en Tiempo Discreto
Ingeniera de Robots
Robtica II
Sistemas de Manufactura
Vibraciones Mecnicas
Identificacin de Sistemas
Control por Modos Deslizantes
Diseo Mecnico II
Pasividad y Diseos Recursivos en Sistemas Dinmicos
Mecnica Computacional
Control de Sistemas Multi-Agente
12

1.7 REQUISITOS PARA LA OBTENCIN DEL GRADO ACADMICO


Para obtener el grado de Maestra se requiere que el estudiante cumpla satisfactoriamente con
las obligaciones acadmicas establecidas en el Reglamento del Programa Acadmico de
Maestra en Ciencias en Ingeniera Elctrica, como son contar con el ttulo de licenciatura, y la
elaboracin de una tesis y su defensa, adems de cumplir con los siguientes requisitos:
- Cumplir con el programa de estudios con un promedio mnimo de 8.
- Se recomienda que el trabajo de investigacin o desarrollo tecnolgico incluido en la
tesis sea presentado en un foro especializado o bien publicado en una revista cientfica
del rea.
- Es recomendable el dominio del idioma ingls.
- Con la aprobacin del Director de tesis, el estudiante entregar la tesis terminada a
todos los miembros del jurado designado por el CADE, quienes la revisarn. El
estudiante estar obligado a atender las observaciones de los miembros del jurado. Una
vez efectuada la revisin de la tesis el estudiante solicitar la presentacin del examen
de grado.
- Presentar y aprobar el examen de maestra, consistente en la defensa de la tesis de grado
ante el jurado designado correspondiente.
El jurado de maestra deber estar formado por un mnimo de tres y un mximo de cinco
profesores, incluyendo al director de tesis; en caso de codireccin y de que ambos codirectores
sean miembros del jurado, ste estar conformado de un mnimo de cuatro y un mximo de
cinco miembros incluyendo a los dos codirectores.
Si la defensa es exitosa de acuerdo con los criterios del Jurado Designado, el Cinvestav
otorgar al estudiante el grado de Maestra en Ciencias en Ingeniera Elctrica mencionando la
opcin en la especialidad.

1.8 ADMISIN AL PROGRAMA DE DOCTORADO INTEGRADO


Los alumnos del Programa de Maestra que obtengan un promedio mnimo de 9 en los
primeros tres cuatrimestres podrn solicitar al CADE su incorporacin al Programa de
Doctorado. Una vez admitidos seguirn el mismo plan general del Programa de Doctorado en
Ciencias en Ingeniera Elctrica.

2. Contenidos de Cursos Propeduticos


El DIE ofrecer cursos propeduticos definidos por cada especialidad sin costo. La duracin de
estos cursos vara segn la especialidad y la asistencia no es obligatoria. Los cursos de las
especialidades de Bioelectrnica, Electrnica del Estado Slido y Mecatrnica son en el mes de
Junio (5 das por semana), y los cursos de la especialidad de Comunicaciones son en los meses
de Junio y Julio (3 das por semana).
13

2.1 BIOELECTRNICA

2.1.1 INTRODUCCIN A LA BIOINSTRUMENTACIN


Presentacin de los proyectos de investigacin de los investigadores de la Seccin de
Bioelectrnica.

2.1.2 ELECTRNICA ANALGICA


1.- TEORA BSICA PARA ANLISIS DE CIRCUITOS ELCTRICOS. (4 hrs.)
1.1. Elementos elctricos bsicos: resistencia, inductancia y capacitancia.
1.2. Leyes de Kirchhoff.
1.3. Teorema de superposicin.
1.4. Teoremas de red: Norton, Thevenin e intercambio de fuentes.
2.- AMPLIFICADORES OPERACIONALES. (16 hrs.)
2.1 Amplificador operacional ideal y real.
2.2 Ganancia en bucle abierto y bucle cerrado.
2.3 Circuitos lineales. Linealizacin de algunos circuitos no lineales.Funcin de
transferencia. Polos y ceros. Respuesta en la frecuencia (RF). Respuesta en el tiempo
(RT). Relaciones entre la RT y la RF.
2.4 Circuitos retroalimentados. Relacin y diferencia de retorno. Sensibilidad. Efecto sobre
las impedancias de entrada y de salida. Efecto sobre las no linealidades.
3.- PROCESAMIENTO ANALGICO (20 hrs.)
3.1. Seales, informacin, interferencia y ruido. Clasificacin de seales. Rango dinmico y
relacin seal a ruido. Funciones y errores en el procesamiento analgico de seales.
3.2. Amplificadores de voltaje. Factores de calidad de amplificadorescon entrada y salida
diferenciales. Efectos de impedancias de entrada finitas. Fuentes de error. Amplificadores
de diferencia. Amplificadores de instrumentacin.
BIBLIOGRAFA
1. Anlisis de Redes. Van Valkenburg. Edit. Limusa (1979)
2. Circuitos. A. Bruce Carlson. Edit. Thomson Learning. (2001)
3. Analog Signal Processing. Ramn Palls Areny, John G. Webster, Edit. John Wiley & Sons
(1999).
4. Operational amplifiers and linear integrated circuits. Robert F. Coughlin, Frederick F.
Driscoll. Edit. Prentice Hall (2000).

2.1.3 MATEMTICAS 3
1.- Algebra Lineal (20 hrs.)
1.1 Espacios vectoriales y subespacios vectoriales. Combinaciones lineales y
subespacio generado.
1.2 Dependencia e independencia lineal. Bases de dimensin.
1.3 Suma y suma directa de subespacios. Espacio cociente.
14

1.4 Sistemas de ecuaciones lineales.


1.5 Matrices. Suma, multiplicacin, matrices invertibles, inversas, operaciones
elementales, mtodo de eliminacin de Gauss- Jordan. Transpuesta de una matriz.
1.6 Transformaciones lineales, ncleo e imagen. Representacin matricial de una
transformacin lineal. Operadores lineales. Matriz de cambio de base. Semejanza de
matrices.
1.7 Grupos de permutaciones y determinaciones.
1.8 Espacios euclidianos. Proceso de ortonormalizacin de Gram-Schmidt.
2.- Analisis Real (12 hrs.)
2.1 Nmeros reales y funciones.
2.1.1 Operaciones de los nmeros reales.
2.1.1 Funciones de variable real.
2.1.3 Valor absoluto y parte entera.
2.1.4 Supremo e infinito de conjuntos reales.
2.2 Lmites y continuidad.
2.2.1 Lmite de funcin.
2.2.2 Propiedades y operaciones de lmites de funciones.
2.2.3 Lmite por la izquierda y por la derecha.
2.2.4 Funciones continuas.
2.2.5 Funciones continuas en un intervalo.
2.2.6 Imagen de intervalos cerrados y de intervalos abiertos bajo funciones
continas.
2.2.7 Funciones montonas.
3.- Ecuaciones Diferenciales (12 Hrs)
3.1 Introduccin y motivacin. Aplicaciones y ejemplos.
3.2 Ecuaciones diferenciales lineales.
3.2.1 Sistemas lineales homogneos. Matriz de transicin y sus propiedades.
Existencia y unicidad. Ecuaciones integrales.
3.2.2 Ecuaciones no homogneas. Mtodo de variacin de las parmetros
3.3 Ecuaciones diferenciales no lineales. Caso general.
3.3.1 Ejemplos de naturaleza real en Ingeniera y otras ramas de la ciencia.
3.3.2 Existencia y unicidad. Teoremas y mtodos (aproximaciones sucesivas).
3.3.3 Puntos de equilibrio y soluciones peridicas. Linealizacin.
3.4 Dependencia de las soluciones sobre condiciones iniciales y parmetros.
3.4.1 Continuacin de soluciones.
3.4.2 Dependencia continua en las condiciones iniciales.
3.4.3 Dependencia continua en los parmetros.
BIBLIOGRAFA
- Apostol, Tom M., Anlisis Matemtico, Revert, 1960.
- Bartle, Robert G., The elements of Real Analysis, Wiley, 1964.
- Rudin, Walter, Principles of Mathematics Analysis, Second Edition, McGraw-Hill,
1964.
- Spivak, Michael, Calculus. Clculo Infinitesimal, Revert, S.A., 1970.
- Grossman, Stanley I., lgebra Lineal, 5 edicin, Mc Graw Hill, 1996.
- Halmos, Paul R., Finite-dimentional Vector Spaces, Springer-Verlag, 1974.
- Lipschutz, Seymur, lgebra Lineal, Schaum-Mc Graw Hill, 1971.
- Nering, Evar D., Linear Algebra and Matrix Theory, 2nd edition, Wiley, 1970
15

2.2 COMUNICACIONES

2.2.1 PROGRAMACIN EN C
Duracin: 32 hrs (16 sesiones de 2 horas cada una)
1. Conceptos bsicos de C (4 horas)
1.1 Desarrollo de programas: edicin, preprocesamiento, compilacin, encadenamiento
y ejecucin
1.2 Estructura lexicogrfica: identificadores, palabras reservadas, smbolos y formato
de un programa
1.3 Tipos bsicos de datos: constantes, conversiones y coerciones
1.4 Variables, declaraciones e inicializaciones
1.5 Reglas de mbito y duracin
1.6 Operadores
1.7 Precedencia y orden de evaluacin
2) Estructuras de control (4 horas)
2.1 Condicional: if-else y switch
2.2 Iterativa: while, do-while y for
2.3 Modificacin del flujo de la ejecucin: break, continue y return
2.4 Funciones: declaracin, definicin e invocacin
3) Tipos agregados de datos (4 horas)
3.1 Arreglos
3.2 Apuntadores
3.3 Estructuras, uniones y campos
4) Entrada y salida de datos (4 horas)
4.1 Lectura y escritura con caracteres
4.2 Lectura y escritura con formato
4.3 Lectura y escritura usando el sistema de archivos
5) Algoritmos y estructuras de datos (16 horas)
5.1 Algoritmos
5.2 Tipos abstractos de datos
5.3 Operadores primarios, declaradores y expresiones primarias
5.4 Gestin de memoria dinmica
5.5 Pilas
5.6 Colas
5.7 Listas
5.8 rboles
5.9 Ordenamiento y bsqueda
5.10 Grafos
2.2.2 SEALES, ESPECTROS Y MODULACIN
Duracin: 28 hrs (14 sesiones de 2 horas cada una)
Seales y Espectros (16 hrs)
16

Procesamiento de Seales en un Sistema de Comunicaciones Digital.


Clasificacin de Seales
Repaso de Tcnicas de Fourier
Densidad espectral
Autocorrelacin
Seales Aleatorias
Transmisin de Seales a travs de Sistemas Lineales
Ancho de banda de Datos Digitales
Sistemas de Modulacin Digital (12 hrs)
Introduccin
El concepto de modulacin digital de onda continua
Tipos de modulacin digital de onda continua
Tcnicas para eficientar los mtodos de modulacin
El concepto de modulacin digital de pulsos
Conversin de seal analgica a seal digital
Propiedades de las tcnicas de modulacin de pulsos

2.2.3 MATEMTICAS 4
Duracin: 16 hrs (8 sesiones de 2 horas cada una)
Integrales Mltiples (4 horas)
Integrales dobles
Integrales dobles en coordenadas polares
Integrales triples
Integracin en coordenadas cilndricas y esfricas
Anlisis Vectorial (6 horas)
Vectores y escalares
Productos escalar y vectorial
Diferenciacin vectorial
Operaciones diferenciales: gradiente, divergencia y rotacional
Integracin vectorial
Operaciones integrales: teorema de la divergencia y teorema del rotacional
Variable Compleja (6 horas)
Nmeros complejos y su lgebra
Representacin polar
Exponencial compleja
Funciones trigonomtricas complejas
2.2.4 PRINCIPIOS DE ELECTRNICA ANALGICA PARA SISTEMAS
DE COMUNICACIN
Duracin: 12 hrs (6 sesiones de 2 horas cada una)
-Introduccin de equipo terminal de los sistemas de comunicacin
-Caractersticas, criterios de seleccin y diseo de la etapa de salida de transmisores
-Caractersticas, criterios de seleccin y diseo de la etapa de entrada de radiorreceptores
17

-Introduccin del diseo de circuitos analgicos para sistemas de comunicacin por medio de
computadora

2.2.5 PROGRAMACIN EN MATLAB


Duracin: 8 hrs (4 sesiones de 2 horas cada una)
-Generalidades
-Definicin de Matrices y Vectores
-Operaciones con Arreglos
-Grficas en dos Dimensiones
-Procedimientos y Funciones
-Anlisis de Datos
-Control del Flujo
-Operaciones con Matrices y Vectores
-Entrada y Salida de Datos
-Ejemplos de Aplicacin

2.3 ELECTRNICA DEL ESTADO SLIDO


2.3.1 MATEMTICA 3
1.- ALGEBRA LINEAL (20 hrs.)
1.1. Espacios vectoriales y subespacios vectoriales. Combinaciones lineales y
subespacio generado.
1.2. Dependencia e independencia lineal. Bases de dimensin.
1.3. Suma y suma directa de subespacios. Espacio cociente.
1.4. Sistemas de ecuaciones lineales.
1.5. Matrices. Suma, multiplicacin, matrices invertibles, inversas, operaciones
elementales, mtodo de eliminacin de Gauss- Jordan. Transpuesta de una matriz.
1.6. Transformaciones lineales, ncleo e imagen. Representacin matricial de una
transformacin lineal. Operadores lineales. Matriz de cambio de base. Semejanza de
matrices.
1.7. Grupos de permutaciones y determinaciones.
1.8. Espacios euclidianos. Proceso de ortonormalizacin de Gram-Schmidt.
2.- ANALISIS REAL (12 hrs.)
2.1. Nmeros reales y funciones
2.1.1 Operaciones de los nmeros reales.
2.1.2 Funciones de variable real.
2.1.3 Valor absoluto y parte entera.
2.1.4 Supremo e infinito de conjuntos reales.
2.2 Lmites y continuidad
2.2.1 Lmite de funcin.
2.2.2 Propiedades y operaciones de lmites de funciones.
2.2.3 Lmite por la izquierda y por la derecha.
2.2.4 Funciones continas.
18

2.2.5 Funciones continas en un intervalo.


2.2.6 Imagen de intervalos cerrados y de intervalos abiertos bajo funciones
continas.
2.2.7 Funciones montonas.
3.- Ecuaciones Diferenciales (12 Hrs)
3.1 Introduccin y motivacin. Aplicaciones y ejemplos.
3.2 Ecuaciones diferenciales lineales
3.2.1 Sistemas lineales homogneos. Matriz de trancisin y sus propiedades.
Existencia y unicidad. Ecuaciones integrales.
3.2.2 Ecuaciones no homogneas. Mtodo de variacin de las parmetros
3.3 Ecuaciones diferenciales no lineales. Caso general
3.3.1 Ejemplos de naturaleza real en Ingeniera y otras ramas de la ciencia.
3.3.2 Existencia y unicidad. Teoremas y mtodos (aproximaciones sucesivas).
3.3.3 Puntos de equilibrio y soluciones peridicas. Linealizacin.
3.4 Dependencia de las soluciones sobre condiciones iniciales y parmetros.
3.4.1 Continuacin de soluciones.
3.4.2 Dependencia continua en las condiciones iniciales.
3.4.3 Dependencia continua en los parmetros.
BIBLIOGRAFA
1. Apostol, Tom M., Anlisis Matemtico, Revert, 1960.
2. Bartle, Robert G., The elements of Real Analysis, Wiley, 1964.
3. Rudin, Walter, Principles of Mathematics Analysis, Second Edition, Mc
Graw-Hill, 1964. (Anlisis Matemtico, Mc. Graw Hill).
4. Spivak, Michael, Calculus. Clculo Infinitesimal, Revert, S.A., 1970.
5. Grossman, Stanley I., lgebra Lineal, 5 edicin, Mc Graw Hill, 1996.
6. Halmos, Paul R., Finite-dimentional Vector Spaces, Springer-Verlag, 1974.
7. Lipschutz, Seymur, lgebra Lineal, Schaum-Mc Graw Hill, 1971.
8. Nering, Evar D., Linear Algebra and Matrix Theory, 2nd edition, Wiley, 1970

2.3.2 INTRODUCCIN A LA FSICA ELECTRNICA


Contenido
1. Repaso de matemticas
1.1 Mtodos de resolucin de Ecuaciones diferenciales ordinarias lineales homogneas
de segundo orden.
1.2 Ecuaciones lineales simultneas
1.3 Matrices y determinantes
2. Fundamentos de la Mecnica Cuntica
2.1 Antecedentes
- Radiacin de Cuerpo Negro
- Efecto Fotoelctrico
- Emisin y difraccin de Rayos X
- Efecto Compton
- Experimento de Davisson y Germer
- Experimentos de difraccin de electrones
- Modelos Atmicos
19

2.2 Postulados de la Mecnica Cuntica


2.3 Bases del algebra de operadores lineales
2.4 Solucin de la ecuacin de Schrodinger de sistemas simples
2.5 Teora de perturbaciones (tentativo)
Bibliografa
1. Ecuaciones diferenciales elementales y problemas con condiciones en la frontera 3 Ed.,
Edwards, Jr. Y David E. Penney, Prentice Hall Hispanoamericana S. A. (1993)
2. Introduccin al algebra Lineal 3 Ed., Anton, Limusa Wiley (2004)
3. Qumica Cuntica 5 Ed., Ira N. Levine, Prentice Hall (2001)
4. Fsica del Estado Slido y de Semiconductores, John P. Mckelvey, Editorial Limusa S. A.
(1976)

2.3.3 ELECTRNICA ANALGICA


1.- TEORA BSICA PARA ANLISIS DE CIRCUITOS ELCTRICOS. (4 hrs.)
1.1. Elementos elctricos bsicos: resistencia, inductancia y capacitancia.
1.2. Leyes de Kirchhoff.
1.3. Teorema de superposicin.
1.4. Teoremas de red: Norton, Thevenin e intercambio de fuentes.
2.- AMPLIFICADORES OPERACIONALES. (16 hrs.)
2.1 Amplificador operacional ideal y real.
2.2 Ganancia en bucle abierto y bucle cerrado.
2.3 Circuitos lineales. Linealizacin de algunos circuitos no lineales.Funcin de
transferencia. Polos y ceros. Respuesta en la frecuencia (RF). Respuesta en el tiempo
(RT). Relaciones entre la RT y la RF.
2.4 Circuitos retroalimentados. Relacin y diferencia de retorno. Sensibilidad. Efecto
sobre las impedancias de entrada y de salida. Efecto sobre las no linealidades.
3.- PROCESAMIENTO ANALGICO (20 hrs.)
3.1. Seales, informacin, interferencia y ruido. Clasificacin de seales. Rango
dinmico y relacin seal a ruido. Funciones y errores en el procesamiento analgico de
seales.
3.2. Amplificadores de voltaje. Factores de calidad de amplificadorescon entrada y
salida diferenciales. Efectos de impedancias de entrada finitas. Fuentes de error.
Amplificadores de diferencia. Amplificadores de instrumentacin.

BIBLIOGRAFA
1. Anlisis de Redes. Van Valkenburg. Edit. Limusa (1979)
2. Circuitos. A. Bruce Carlson. Edit. Thomson Learning. (2001)
3. Analog Signal Processing. Ramn Palls Areny, John G. Webster, Edit. John Wiley & Sons
(1999).
4. Operational amplifiers and linear integrated circuits. Robert F. Coughlin, Frederick F.
Driscoll. Edit. Prentice Hall (2000).

20

2.3 MECATRNICA
2.3.1 MATEMTICAS 1
Algebra Lineal
1. Introduccin
(a) Numeros Complejos
2. Ecuaciones lineales algebraicas
(a) Matrices
(b) Mtodo de eliminacin
(c) Determinantes
(d) Inversa de una matriz
3. Espacios vectoriales
(a) Axiomas principales
(b) Dependencia e independencia
(c) Bases y dimensin
(d) Producto escalar
(e) Bases ortonormales
4. Transformaciones lineales
(a) Representacin matricial
(b) Cambio de base
(c) Valores y vectores caractersticos
(d) Matrices simtricas
(e) Forma de Jordan
5. Elementos de Algebra abstracta
(a) Conjuntos
(b) Algebra de conjuntos
(c) Clases de equivalencia
(d) Homomorfismos, isomorfismos
(e) Grupos, anillos y campos.
Bibliografa:
1. .S. Lang, Introduccin al Algebra Lineal. Addison-Wesley Iberoamericana, Mxico, 1970.
2. J. W. Dettman, Introduction to linear algebra and differential equations. Dover Publications,
NY, 1986.
3. H. Anton, Indroduccin al Algebra Lineal. McGraw-Hill, Mxico, 1980.
4. R. Bellman, Introduction to Matrix Analysis. 2nd edition, McGraw-Hill, NY, 1970.
5. J.A. Ludlow-Wiechers, Algebra Lineal. LIMUSA, Mxico, 1987.
6. H. Schneider and G.P. Barker, Matrices and Linear Algebra. Dover Publications, NY, 1989.

2.3.2 MATEMTICAS 2
Nmeros y funciones complejos.
Nmeros complejos. El plano complejo.
Forma polar de los nmeros complejos. Potencias y Races.
Derivada. Funcin analtica.
Ecuaciones de Cauchy-Riemann. Ecuacin de Laplace.
Funcin exponencial.
21

Funciones trigonomtricas e hiperblicas.


Logaritmos.
Integracin compleja
Integral de lnea en el plano complejo
Teorema integral de Cauchy
Formula integral de Cauchy
Derivadas de funciones analticas
Clculo diferencial vectorial. Gradiente, Divergencia, Curl
Vectores en 2 y 3 dimensiones
Producto interno
Producto vectorial
Funciones vectoriales, escalares y campos. Derivadas
Curvas, longitud de arco, curvatura, torsin
Funciones de varias variables
Gradiente de un campo escalar. Derivada direccional
Divergencia de un campo vectorial
Curl de un campo vectorial
Clculo integral vectorial. Teoremas de integracin
Integrales de lnea
Independencia de la trayectoria en integrales de lnea
Integrales dobles
Teorema de Green en el plano
Superficies para integrales de superficie
Integrales de superficie
Integrales triples. Teorema de la divergencia de Gauss
Aplicaciones del teorema de la divergencia
Teorema de Stokes
Bibliografa.
-Erwin Kreyszig, Advanced Engineering Mathematics, Third Edition (2011), Jonh Wiley &
Sons, 2011. ISBN: 978-0-470-45836-5
-K.A. Stroud and D.J. Booth, Advanced Engineering Mathematics, Fourth edition (2003),
Palgrave Macmillan. ISBN: 1-4039-0312-3.
-Murray R. Spiegel, Advanced Mathematics for Engineers and Scientists, Schaum's outlines,
McGraw-Hill, 1999. ISBN 0-07-060216-6
-CF Chan Man Fong, D De Kee and P N Kaloni, Advanced Mathematics for Engineering and
Science, World Scientific, April 2003, ISBN: 978-981-238-291-7

22

3. Contenido del plan de estudios


El plan de estudios de Maestra tiene una duracin de 2 aos dividido en 6 cuatrimestres. En el
primer ao el estudiante cursar de 10 a 14 materias de tipo obligatorio y opcional de acuerdo a
su especialidad. Las materias opcionales tienen como objetivo preparar al estudiante en el
desarrollo de sus tesis. En el segundo ao cursar las materias de trabajo de tesis.

3.1 BIOELECTRNICA
Programa de Maestra en Bioelectrnica
La duracin del plan de estudios de Maestra es de 2 aos divididos en 6 cuatrimestres a tiempo
completo. El plan de estudios se compone de 17 materias, incluido el trabajo de tesis y una
materia opcional, definida por el estudiante y el director de tesis, sta tiene el propsito de
apoyar al desarrollo de la tesis,

Primer Cuatrimestre:
Electrnica Digital
Teora de Seales y Sistemas
Electrnica Computacional
Anatoma Humana

Segundo Cuatrimestre:
Fisicoqumica de la Biologa
Fundamentos y Normas de Seguridad Elctrica
Sensores y Transductores
Tecnologas Avanzadas en Bioinstrumentacin
Laboratorio de Desarrollo de Instrumentos I

Tercer Cuatrimestre:
Fisiologa Humana
Sistemas Teraputicos y Tecnologa Intrahospitalaria
23

Procesamiento Analgico de Bioseales y Aplicaciones


Laboratorio de Desarrollo de Instrumentos II
Curso Opcional

Cuarto Cuatrimestre:
Proyecto de tesis
Quinto Cuatrimestre:
Proyecto de Tesis

Sexto Cuatrimestre:
Proyecto de Tesis
CURSOS OBLIGATORIOS
3.1.1 ELECTRNICA DIGITAL
Objetivo:
Proporcionar al alumno, un panorama general de las herramientas modernas de diseo,
simulacin e implementacin de circuitos digitales en base a dispositivos programables como
FPGA's, DSP's y Microcontroladores para la solucin de aspectos de ingeniera.
Este curso requiere conocimientos medios de electrnica digital, analgica y lenguajes de
programacin C y C++. Est dirigido a gente con perfil de Ingeniera Electrnica, Ingeniera
Industrial, Ingeniera Mecnica, Fsico-Matemticos, Ingenieros en Computacin.
Contenido
1.- Descripcin y Simulacin de Circuitos Digitales Utilizando VHDL (30 hrs)
1.1 Estado actual de la lgica programable
1.1.1 Conceptos fundamentales
1.1.2 Dispositivos lgicos programables simples
1.1.3 Dispositivos lgicos programables complejos
1.1.4 Arreglo de compuertas programables en campo
1.2 Sintaxis del lenguaje
1.2.1 Introduccin a la descripcin en VHDL de circuitos digitales
1.2.2 Estilos de programacin en VHDL
1.2.3 Operadores y expresiones
1.2.4 Objetos de datos
1.2.5 Tipos de datos
1.2.6 Atributos
1.2.7 Declaracin de entidad y arquitectura
24

1.3 Descripcin de flujo de datos


1.3.1 Ejecucin concurrente y ejecucin serie
1.3.2 Estructuras de la ejecucin flujo de datos
1.3.2.1 Asignacin condicional
1.3.2.2 Asignacin con seleccin
1.3.2.3 Bloque concurrente
1.3.3 Ejemplos
1.4 Descripcin algortmica o funcional
1.4.1 Diferencia entre variable y seal
1.4.2 Estructuras de ejecucin serie
1.4.2.1 El bloque de ejecucin serie
1.4.2.2 Sentencia de espera
1.4.2.3 Sentencia condicional
1.4.2.4 Sentencia de seleccin
1.4.2.5 Bucles
1.4.3 Ejemplos
1.5 Descripcin estructural
1.5.1 Definicin de componentes
1.5.2 Llamado a componentes
1.5.3 Estructuras de repeticin
1.5.4 Ejemplos
1.6 Diseo jerrquico en VHDL
1.6.1 Subprogramas
1.6.1.1 Declaracin de procedimientos y funciones
1.6.2 Llamadas a subprogramas
1.6.3 Bibliotecas y paquetes
1.6.4 Metodologa para el diseo jerrquico
1.6.5 Ejemplos
1.7 VHDL para simulacin
1.7.1 Asignacin de retardos
1.7.2 Notificacin de sucesos
1.7.3 Descripcin de un banco de pruebas
1.7.3.1 Mtodo tabular
1.7.3.2 Utilizacin de archivos
1.7.3.3 Metodologa algortmica
1.7.4 Ejemplos
2.- Microcontroladores (16 hrs)
2.1 Microcontroladores programables
2.1.1 Introduccin
2.1.2 Programacin de microcontroladores
2.2 Arquitectura de un sistema con microcontroladores
2.2.1 Arquitectura interna
2.2.2 Mapa de memoria
2.3 Microcontroladores de 8 bits
2.3.1 Modos de operacin
2.3.2 Recursos
2.3.2.1 Manipulacin de puertos de entrada/salida
2.3.2.2 Temporizadores y contadores
25

2.3.2.3 Convertidor analgico/digital


2.3.3 Manejo de interruptores
2.3.4 Ejecucin de programas en varios modos
2.3.4.1 Programa ejecutado desde EEPROM
2.3.4.2 Programa ejecutado desde EPROM
3.- Procesadores Digitales de Seales (18 hrs)
3.1 Ventajas, caractersticas y aplicaciones de los procesadores digitales de seales
3.2 Representaciones numricas de datos y aritmtica
3.3 Arquitectura de procesadores digitales de seales
3.3.1 Memoria
3.3.2 Direccionamiento
3.3.3 Conjunto de instrucciones
3.3.4 Control de ejecucin
3.3.5Cola de ejecucin (Pipeline)
3.3.6 Perifricos
3.3.7 Facilidades de depuracin internas
3.3.8 Manejo y consumo de energa
3.3.9 Caractersticas del reloj
3.4 Programacin de procesadores digitales de seales
3.4.1 Software de programacin, depuracin y prueba
3.4.2 Programacin en lenguaje ensamblador
3.4.3 Programacin en C y C++
3.4.4 DSP-BIOS
3.4.5 Bibliotecas de soporte del chip
3.4.6 Bibliotecas de soporte de la tarjeta de desarrollo
3.4.7 Bibliotecas numricas y de procesamiento digital de seales
3.5 Tarjeta de programacin y depuracin de aplicaciones
3.6 Utilizacin del procesador digital de seales
BIBLIOGRAFIA
-HDL Chip Design. Douglas J. Smith
-Doone Publications, Madison , AL , USA 1996
-Analysis and Design of Digital Systems with VHDL. Allen M. Dewey. PWS Publishing
Company, Boston , MA 1997
-VHDL: Lenguaje para Sntesis y Modelado de Circuitos. Fernando Pardo y Jos A. Boluda
Alfaomega, 2000
-Digital System Design Using VHDL. Charles H. Roth
-VHDL for logic synthesis. Andrew Rushton
-Analog and Digital Circuits for Electronic Control System Applications: Using the TI
MSP430 Microcontroller. Jerry Luecke. Newnes (2004)
-Embedded Systems Design Using the TI MSP430 series. Chris Nagy. Newnes (2003)
-Pic microcontrollers: An Introduction to Microelectronics. Martin P. Bates. Newnes, 2 Ed.
(2004)
-DSP Processor Fundamentals, Architectures and Features. Phil Lapsley, Jeff Bier, Amit
Shoham, Edward A. Lee. IEEE Press, 1997
-DSP-Based Electromechanical Motion Control. Hamid A. Toliyat and Steven Campbell CRC
Press, 2003
26

-Manuales de Texas Instruments. Versiones en formato PDF disponibles en www.ti.com (DSP


Developers Villag

3.1.2 TEORA DE SEALES Y SISTEMAS


1.- Introduccin
1.1 Concepto de seal y de sistema
1.2 Seales continuas y discretas en el tiempo
1.3 Sistemas continuos y discretos en el tiempo
2.- Seales y Sistemas
2.1 Seales en el tiempo y secuencia en el tiempo
2.2 Operaciones elementales
2.2.1 Transformacin del rango
2.2.2 Cuantizacin
2.2.3 Transformacin del eje de seal
2.2.4 Muestreo
2.2.5 Interpolacin
2.2.6 Otras operaciones entre seales
2.3 Espacios de seales
2.3.1 Normas
2.3.2 Potencia promedio
2.3.3 Espacios normados
2.3.4 Producto interno
2.3.5 Desigualdad de Cauchy-Schwarz
2.3.6 Normas de seales
2.3.7 Norma pico o L
2.3.8 Norma RMS
2.3.9 Valor absoluto promedio
2.3.10 Norma Lp
2.4 Seales discretas
2.4.1 Funciones singulares
2.5 Sistemas y mapeos entrada/salida
2.5.1 Sistemas lineales
2.5.2 Sistemas convolutivos
2.5.3 Propiedades de la convolucin
2.5.4 Sistemas diferenciales y de diferencias
3.- Series de Fourier
3.1 Introduccin
3.2 Expansin de seales
3.2.1 Dependencia e independencia lineal
3.2.2 Base recproca
3.2.3 Bases ortogonales y ortonormales
3.3 Teorema de proyeccin y de la mejor aproximacin
3.4 Expansin de Fourier
27

3.4.1 Teorema de Plancherel y Parseval


3.4.2 Series de Fourier de seales peridicas
3.4.3 Convolucin
3.4.4 Serie de Fourier en dos dimensiones
4.- Transformada de Fourier
4.1 Seales de longitud finita
4.2 Transformada de Fourier discreta-discreta (DDFT)
4.3 Transformada de Fourier continua-discreta (CDFT)
4.4 Transformada de Fourier DCFT
4.5 Transformada CCFT
4.6 Transformada rpida de Fourier
4.6.1 Algoritmos para el clculo de la FFT
5.- Transformada Z
5.1 Introduccin
5.2 Transformada z
5.3 Propiedades de la transformada z
5.4 Transformada inversa
5.5 Aplicacin al anlisis de sistemas
5.6 Funcin de transferencia
5.7 Polos y ceros
5.8 Solucin de ecuaciones de diferencia
5.9 Estabilidad
6.- Filtros Digitales
6.1 Sistemas digitales no recursivos
6.2 Filtro pasa bajas con corrimiento de fase cero
6.3 Funciones de ventana en tiempo discreto y sus propiedades
6.4 Respuesta al impulso
6.5 Respuesta en frecuencia
6.6 Sntesis
6.6.1 Filtros IIR
6.6.2 Filtros FIR
7.- Aplicaciones
7.1 Sistemas de comunicacin
7.2 Sistemas de control automtico
7.3 Sistemas bioelectrnicos
BIBLIOGRAFIA
-Fante, R. L., Signals Analysis and Estimation: an Introduction, John wiley and Sons, 1988
-Kwakernaak, H. y R. Sivan, Modern Signals and Systems, Prentice Hall, 1991
-Oppenheim, A. V. and Schafer, R. W. Digital Signal Processing. Prentice Hall, 1975
-Digital Signal Processing: Principles, Algorithms, and Applications. John G. Proakis, Dimitris
G. Manolakis. Prentice Hall 2nd ed (1992)
-Signals and Systems. Alan V. Oppenheim, Alan Willsky, Prentice-Hall (1983)
-Digital filters: Analysis and Design. Andreas Antoniou. McGraw-Hill (1979)
-Mathematical Methods and Algorithms for Signal Processing. Todd K. Moon, Wynn C.
Stirling. Prentice-Hall (2000)
-Z transform Theory and Applications. Robert Vich (Basch, Michael. Tr.) Dordrecht : D.
Reidel (1987)
28

-Schaum's Outline of Theory and Problems of Signals and Systems. Hwei P. Hsu. McWrawHill (1995)
3.1.3 ELECTRNICA COMPUTACIONAL
Objetivo:
Familiarizar al estudiante con las nociones que le permitan entender sistemticamente los
elementos constituyentes de los simuladores, a saber: modelos, mtodos numricos y
herramientas computacionales. En nuestra rea, se ensea ampliamente sobre los modelos
especficos de la electrnica, por lo que en este curso el nfasis es sobre el concepto mismo de
modelo y otros conceptos asociados, por un lado, y sobre modelos sin solucin analtica, que
pueden ser resueltos numricamente. De la experiencia de 12 aos de impartir esta materia, se
ha identificado la necesidad de transitar de los modelos analticos a los computacionales, para
hacer as ms evidente la importancia de los modelos analticos, por un lado, as como las
ventajas y limitaciones inherentes a los simuladores.
Contenido:
Aspectos filosficos.
Leyes, abstracciones, teoras y modelos. Leyes experimentales y tericas. Leyes de
conservacin. No-linealidad. Soluciones analticas. Naturaleza, Alcances y limitaciones.
Simulacin: interpretacin epistemolgica de resultados computacionales
Sistemas dinmicos en una sola variable.
Circuitos elctricos lineales. Conservacin de partculas: Circuito resistivo pequeo. Sistema
dinmico. Circuito RLC. Solucin de ecuacin de segundo orden por mtodos cortos. Solucin
por transformada de Laplace. Solucin analtica simblica, con Mathematica. Solucin
numrica con los mtodos de Euler hacia atrs, Euler hacia adelante y trapezoidal. Grandes
circuitos resistivos. Teora de grficas y grfica de un circuito elctrico. Modified nodal
analysis (MNA). Sistema de ecuaciones algebraicas resultante. Acondicionamiento de la matriz
de admitancias resultante. Formulacin STA. Matrices ralas resultantes y su implementacin en
Mathematica. Acondicionamiento de las matrices resultantes. Grandes circuitos dinmicos
lineales. Conversin por el mtodo trapezoidal en una sucesin de sistemas algebraicos
lineales.
Circuitos eltricos resistivos no-lineales. Clasificacin de no-linealidades. Circuito con un
diodo. Solucin analtica. De pequea seal. Solucin por el mtodo de Newton-Raphson.
Radio de convergencia. Grandes circuitos no-lineales. Mtodo de Newton-Raphson en forma
matricial. Matriz jacobiana. Radio de convergencia. Solucin numrica de circuitos dinmicos
no-lineales. Por combinacin de los mtodos anteriores. Relacin entre problemas fsicos y la
teora de los circuitos. Reduccin de problemas electromagnticos a un circuito.
Sistemas fsicos del medio continuo con condiciones de frontera.
Condiciones de frontera. De Dirichlet, de Neumann y mixtas. Soluciones analticas. Ecuaciones
de Poisson y de Laplace. Potencial debido a una distribucin de carga. Unin PN polarizada
inversamente. Transporte de calor. Separacin de variables. Funciones de Green. Ecuacin de
onda. Solucin de D'Alambert. Solucin analtica de los problemas anteriores con
Mathematica. Clasificacin de ecuaciones diferenciales parciales. Parablicas. Elpticas.
29

Hiperblicas. Solucin numrica de ecuaciones diferenciales parciales. Mtodo de diferencias


finitas en una dimensin. Mtodo de elemento finito en una dimensin. Mallas en 1, 2 y 3
dimensiones. Tamao del problema por el nmero de variables. Solucin de problemas con el
simulador dedicado SGFW. Distribucin de potencial mediante funciones de Green. Unin PN
en alta inyeccin, anlisis emprico de errores numricos. Caractersticas numricas de las
ecuaciones parablica, elptica e hiperblica. Conservacin de partculas: ecuaciones de
continuidad en semiconductores.
Ecuaciones diferenciales en medios peridicos.
Ondas elsticas en slidos de estructura peridica en 1D. Filtros mecnicos. Filtros elctricos.
Ecuacin independiente del tiempo. Teoremas de Floquet y Bloch. Mtodo de perturbacin.
Ecuacin de Mathieu y ecuacin de Hill. Solucin de problemas con Mathematica. Ecuacin de
Schroedinger. Atomo de hidrgeno. Solucin analtica. Partcula en una caja. Solucin
analtica. Molcula de hidrgeno. Descomposicin en valores y vectores propios. Partcula en
una caja. Diferencias finitas. Relacin del mtodo de diferencias finitas y el de vectores
propios. Estructura de bandas de un arreglo peridico simple. Solucin de problemas con
Mathematica. Solucin numrica por el mtodo de valores propios. Ecuacin de onda:
propagacin de ondas electromagnticas en medios dielctricos peridicos. Como problema de
valores propios en el dominio de frecuencia. Principio variacional. Solucin de problemas en
1D con Mathematica. Simuladores dedicados de dominio pblico: MPB del MIT utiliza el
mtodo de ondas planas
Referencias
- E. Nagel, La estructura de la Ciencia (1961)
- Mario Bunge, La investigacin Cientfica (1969)
- Paul Humpreys, Computational Science, Empiricism and Scientific Method (2004)
- W. E. Boyce, Richard R. C. Diprima, Ecuaciones diferenciales y problemas con valores en
la frontera (1998)
- S. S. Skiena, Graph Theory with Mathematica (1990)
- Jan Ogrodzki, Circuit Simulation Methods and Algorithms
- G. H. Goulob, J. M. Ortega, Scientific Computing and Differential Equations (1992)
- S. Selberherr, Analysis and Simulation of Semiconductor Devices (1984)
- Technical
University
of
Vienna,
Institute
for
Microelectronics
http://www.iue.tuwien.ac.at/index.php?id=3
- Leon Brillouin, Wave Propagation in Periodic Structures (1946)
- Supriyo Datta, Quantum transport (2005)
- NanoHub on-line simulation and more for nanotechnology https://nanohub.org/
- The Joannopoulos Research Group at MIT http://ab-initio.mit.edu/photons/
- J. D. Joannopoulos, S. G. Johnson, J. N. Winn, R. D. Meade, Photonic Crystals: Modeling
the Flow of Light 2nd edition (2008)
3.1.4 ANATOMIA HUMANA
Objetivo:
Adquirir los conocimientos suficientes de anatoma humana y de lenguaje para su aplicacin en
el diseo de instrumentacin biomdica.
Contenido:
30

Introduccin. Generalidades. Posicin anatmica. Segmentos situados en: eje del cuerpo,
extremidades superiores y extremidades inferiores. Aparato Tegumentario. Sistemas:
esqueltico, articular, muscular, endocrino, nervioso (central y perifrico), circulatorio (arterial,
capilares y venoso), endocrino, linftico, urinario y reproductor. Cavidades dorsal y ventral.
Forma y funcin. Anatoma: antecedente y/o reforzador de la fisiologa.
BIBLIOGRAFIA
Anatoma humana
Fernando Quiroz, (3 tomos), Ed. Porra Hnos. Mxico, 1990
Anatoma y fisiologa humana 4. Edicin
S. W. Jacob, C. A. Francone, W. J. Lossow, Nueva Editorial Interamericana Mxico 1987
Anatoma descriptiva, 21. Edicin
Testut Latarjet, Ed. Salvat Mxico, 1992

3.1.5 FISICOQUMICA DE LA BIOLOGA


Objetivo:
Dar a conocer al alumno los principios y leyes de la fisicoqumica de utilidad en la
comprensin de los fenmenos biolgicos y que son aplicables en el diseo de instrumentos
con aplicacin en biologa.
Contenido:
Definicin y su objetivo. Relacin con la qumica y la fsica. Conceptos fundamentales.
Constitucin de la materia teora atmico-molecular. Tabla peridica, su clasificacin y su uso.
Unidades y dimensiones. Cantidades y propiedades medibles. Definicin de unidades
fundamentales. Patrones de medida primarios y secundarios. Estados de la materia: gases.
Propiedades generales de los gases. Leyes de los gases. Problemas. Ley de las presiones
parciales de Dalton. Problemas. Teoras que explican la cintica de los gases. Desviaciones de
la ley de los gases ideales. Problemas. Los gases en el cuerpo humano y su medida. Lquidos.
Propiedades generales. Presin de vapor. Punto de ebullicin. Punto de congelacin. Diagrama
de fases del agua. Problemas. Adhesin y cohesin. Tensin superficial. Conceptos y mtodos
de medida. Viscosidad. Concepto y mtodos de medicin. Slidos. Propiedades generales de
los slidos. Resumen comparativo de las propiedades generales de los estados de la materia.
Termodinmica. Conceptos de energa, calor y trabajo. Concepto de energa interna. Concepto
de temperatura. Primera y segunda leyes de la termodinmica, entalpa, capacidad calorfica y
calores de transicin. Conceptos y problemas. Concepto de reversibilidad en algunos procesos
de los seres vivos. Termoqumica. Definicin. Calores de reaccin y calores de formacin.
Soluciones no electrolticas. Soluciones electrolticas.
BIBLIOGRAFIA
Qumica General, 8. Edicin
R.H. Petrucci, W.S. Harwood, F.G. Herring, Ed. Prentice Hall, Madrid , 2003
Fisicoqumica, 2. Edicin
G.W. Castellan, Ed. Pearson Educacin, Mxico, 1998

31

3.1.6 FUNDAMENTOS Y NORMAS DE SEGURIDAD ELCTRICA


Objetivo:
Comprensin de los principios bsicos de un sistema de medida aplicado a la medicin de
variables biolgicas. Estudio del origen de los biopotenciales. Anlisis de los efectos
fisiolgicos de la electricidad y las normas de seguridad elctrica que debe cumplir la
instrumentacin biomdica.
Contenido:
Introduccin a los sistemas de medida. Origen de los biopotenciales. Biopotenciales en el
sistema nervioso. Instrumentacin biomdica. Configuracin general entrada-salida.
Caractersticas estticas de los sistemas de medida. Caractersticas dinmicas de los sistemas de
medida. Especificaciones generales de los instrumentos. Anlisis y reduccin del error.
Anlisis estadstico. Patrones de medicin. Proceso de diseo de instrumentos mdicos.
Bioelectrodos. Seguridad elctrica.
BIBLIOGRAFIA
Medical instrumentation, Application and Design (Caps. 1, 4 y 14).
Editor J.G. Webster. Edit. Houghton Mifflin Company, Boston , 1992
Encyclopedia of medical devices and instrumentation 2nd. Edition
John G. Webster, Edit. John Wiley & Sons, 2006
Principles of biomedical instrumentation and measurement
R. Aston. Edit. Merril Publishing Company, 1990
Sensores y acondicionadores de seal
Ramn Palls Areny, Edit. Alfaomega Marcombo, Barcelona 2003
Analog signal processing (Cap. 9)
Ramn Palls Areny, John G. Webster. Edit. John Wiley & Sons 1999
Instrumentacin electrnica moderna y tcnicas de medicin
William D. Cooper. Albert D. Helfrick. Edit. Prentice Hall hispanoamericana 1991
The measurement, instrumentation and sensors handbook
John G. Webster. CRC Press 1998
Bioestadstica base para el anlisis de las ciencias de la salud
Wayne W. Daniel, Edit. Limusa Wiley 2004
International Standard: Medical electrical equipment All parts
IEC 60601-1-SER Ed. 1.0 b:2006.
(IEC 60601-1 Ed. 3.0 b:2005, IEC 60601-1-1 Ed. 2.0 b:2000, IEC 60601-1-2 Ed. 2.1 b:2005,
IEC 60601-1-3 Ed. 1.0 b:1994, IEC 60601-1-4 Ed. 1.1 b:2000, IEC 60601-1-6 Ed. 1.0 b:2004,
IEC 60601-1-8 Ed. 1.0 b:2005 and IEC 60601-1-8-am1 ed. 1.0 b:2006)

3.1.7 SENSORES Y TRANSDUCTORES


Objetivo:
Estudio de los sensores y transductores utilizados en la medicin de seales biomdicas.

Contenido:
32

Principios de medicin. Conceptos. Principios fsicos generales de los sensores. Tipos de


transductores:
resistivos,
capacitivos,
inductivos,
piezoelctricos,
fotoelctricos,
termoelctricos y qumicos. Por variable fsica: temperatura, humedad, presin, posicin,
movimiento, caudal, conductividad, aceleracin, nivel y volumen. Sensores de temperatura.
Sensores basados en puente resistivo. Biopotenciales. Electrodos para el registro de
biopotenciales. Quimiosensores y biosensores. Sensores basados en fibra ptica.
BIBLIOGRAFIA:
- Sensores y acondicionadores de seal, 2. Edicin
Ramn Palls Areny, Edit. Marcombo Boixareu 1994
- Transducers for biomedical measurements: principles and applications
Richard S.C. Cobbold, Edit. John Wiley & Sons. 1974
- Principles of applied biomedical instrumentation
L.A. Geddes, L.E. Baker, Edit. John Wiley & Sons. 1989
- Medical Instrumentation, Application and Design, 3rd. Edition
Editor John G. Webster, Edit. John Wiley & Sons. 1998.
3.1.8 TECNOLOGAS AVANZADAS EN BIOINSTRUMENTACIN
Objetivo:
El estudiante conocer y discutir con sus colegas de curso, el estado del arte de diferentes
tecnologas utilizadas en la bioinstrumentacin.
Contenido:
Estudio del estado del arte de la bioinstrumentacin, su desarrollo e influencia de cambio por la
evolucin de la ciencia y la tecnologa. Se harn prcticas de estudio de la adquisicin de
nuevos conocimientos, estudio de casos para afrontar el cambio tecnolgico. Se estudiarn
tcnicas de trabajo en equipo, manejo del tiempo, desarrollo de proyectos, desarrollo de la
investigacin, transmisin de ideas y su discusin. Se estudiarn las tecnologas relacionadas
con la bioinstrumentacin biomdica que estn dominando el mercado; en el diagnstico,
exploracin y la teraputica, as como las tecnologas que se calcula dominarn el campo de la
tecnologa biomdica en el futuro. Habr la preparacin de al menos 2 temas de sntesis
tecnolgica por cada estudiante en donde aplicar las tcnicas de estudio y exposicin descritas
en el inicio del curso, estas exposiciones sern criticadas por los estudiantes aplicando las
tcnicas de trabajo en equipo.
BIBLIOGRAFIA:
Ley de Ciencia y Tecnologa y Ley Orgnica del Consejo Nacional de Ciencia y Tecnologa.
CONACYT, Julio 2002, Mxico.
Dinmica de grupo, 6 Edicin,
Balduino A. Andreola, Ed. Sal Trrea, 1984. ISBN: 84-293-0695-1
Proyectos de desarrollo, Ed. Banco Interamericano de Desarrollo
Ed. LIMUSA S.A. 1981. ISBN: 968-18-0999-8
The Structure and Dynamics of Organizations and Groups
Berne , Eric, Ballantine Books, 1973
Biomedical Engineering Handbook, Volume I (Hardcover)
Joseph D. Bronzino (Author), CRC PRESS. ISBN: 0-8493-8346-3
Principles of Bioinstrumentation
33

Richard Normann, Edit. John Wiley & Sons. ISBN-13: 978-0471605140


Bioinstrumentation
John G. Webster , Edit. Wiley 2003. ISBN-13: 978-0471263272.
Understanding The Human Machine: A Primer For Bioengineering (Series on
Bioengineering & Biomedical Engineering), Max E. Valentinuzzi , Edit. : World Scientific
Publishing Company 2004. ISBN-13: 978-9812389305
Librerias y bases de datos electrnicos: Amazon.com , Barnes & Noble, Casa del Libro,
Nerdbooks.com, UCSD Bookstore, IEEE, Blackwell Collection Manager , Cambridge
University Press , EDP Sciences , Elsevier Science , ESA Publications , Institute of Physics,
John Wiley & Sons , McGraw-Hill , MIT Press , NTIS, Oxford University Press , SPIE ,
Prentice-Hall , Springer-Verlag , University Microfilms (UMI) , University of Chicago Press ,
Willman-Bell, Inc. , World Scientific, etc

3.1.9 LABORATORIO DE DESARROLLO DE INSTRUMENTOS I Y II


Objetivo:
Conocimiento de mtodos de trabajo para la solucin de problemas de diseo, desarrollo y
construccin de instrumentacin biomdica.
Contenido:
Desarrollo de un proyecto de instrumentacin biomdica al estudiante bajo la supervisin de su
asesor. La calificacin de estos cursos estar en funcin del cumplimiento de los objetivos
planteados al inicio de cada cuatrimestre.

3.1.10
SISTEMAS
INTRAHOSPITALARIA

TERAPUTICOS

TECNOLOGA

Objetivo:
Estudio de los principios de operacin de dispositivos teraputicos y de asistencia utilizados en
medicina.
Contenido:
Introduccin a los sistemas funcionales. Sistemas de estimulacin elctrica: corazn, cabeza y
cuello, muscular/nerviosa, gastrointestinal, visual y urinaria. Riesgos y precauciones mdicas
para la estimulacin elctrica. Robtica mdica: principios y aplicaciones en neurociruga,
laparoscopia y ortopedia. Sistemas interactivos hombre-mquina: voclicos, por procesamiento
de imagen y discretos. Trabajo experimental.
BIBLIOGRAFIA:
Speech Communication
Douglas O Shaughnessey, Edit. Addison-Wesley
Medical instrumentation, Application and Design (Cap.13)
Edit. J.G. Webster. Edit. Houghton Mifflin Company, Boston , 1992
Introduction to biomedical engineering (Cap. 18)
John D. Enderle, Susan M. Blanchard, Joseph D. Bronzino,
Edit. Academic Press, 2000
34

Encyclopedia of medical devices and instrumentation 2nd. Edition John G. Webster, Edit.
John Wiley & Sons, 2006
Principles of biomedical instrumentation and measurement
R. Aston, Edit. Merril Publishing Company, 1990

3.1.11 FISIOLOGA HUMANA


Objetivo:
Conocer los principios bsicos de la estructura y la funcin del organismo multicelular, su
integracin, su naturaleza y la forma en que han sido analizados. Adquirir la habilidad para
extrapolar dichos conocimientos para analizar las respuestas del individuo y de la especie, tanto
simples como complejas en diversas condiciones fisiolgicas y patolgicas.
Contenido:
Estructura general del animal multicelular. Fisiologa celular. Transporte a travs de las
membranas celulares: mecanismos acarreadores. Excitabilidad de las membranas: potencial de
membrana y potencial de accin. Integracin del organismo: sistema nervioso. Transmisin
sinptica. Receptores sensoriales y conversin de la energa. Transmisin neuromuscular y
contraccin muscular. Control neurolgico del movimiento: mdula espinal. Funciones
superiores: corteza de asociacin. Integracin humoral: fisiologa de la sangre y lquidos
circulantes. Sistema cardiovascular. Respiracin. Funcin renal. Funciones del aparato
digestivo. Fisiologa del ejercicio.
BIBLIOGRAFIA:
Fisiologa mdica
William F. Ganong , Edit. El Manual Moderno, Ed. 18, Mxico, 2002
Fisiologa
Linda S. Constanzo, Edit. McGraw-Hill Interamericana, Mxico, 2000
Fisiologa humana
J.A.F. Tresguerres, Edit. McGraw-Hill Interamericana, 2da. Ed.,Mxico, 1999
Fisiologa Mdica
Arthur C. Guyton, John E. Hall, Edit. McGraw-Hill Interamericana, 9na. Ed., Mxico, 1997

3.1.12 PROCESAMIENTO
APLICACIONES

ANALGICO

DE

BIOSEALES

Objetivo:
Estudio de las tcnicas de procesamiento analgico de seales bioelctricas mediante circuitos
integrados convencionales.
Contenido:
Seales y funciones en el procesamiento analgico de seales. Amplificacin de Voltaje.
Amplificadores con entrada y salida diferenciales. CMRR de etapas en cascada.
Amplificadores compuestos. Amplificadores con retroalimentacin de corriente (CFA).
Amplificadores de transimpedancia y transadmitancia. Amplificadores de corriente. Funciones
analgicas lineales y no lineales. Transformacin de impedancias. Modulacin. Filtros
35

diferenciales. Filtros analgicos no lineales. Interruptores analgicos. Multiplexaje y muestreo.


Optoacopladores y aislamiento. Interferencias y su reduccin. Ruido, derivas y su reduccin.
Desarrollo de instrumentacin electrnica para aplicacin en electrocardiografa y anlisis de la
marcha humana.
BIBLIOGRAFIA:
- Analog signal processing
Ramn Palls Areny, John G. Webster, Edit. John Wiley & Sons, 1999
- Sensores y acondicionadores de seal, 2. Edicin
Ramn Palls Areny, Edit. Marcombo Boixareu, 1994
- Medical Instrumentation, Application and Design, 3rd. Edition
Editor John G. Webster, Edit. John Wiley & Sons, 1998
Encyclopedia of medical devices and instrumentation 2nd. Edition
John G. Webster, Edit. John Wiley & Sons, 2006
- Design with operational amplifiers and analog integrated circuits, 3rd. Edition
Sergio Franco, Edit. McGraw-Hill, 2002

CURSOS OPCIONALES
3.1.13 CERMICAS PIEZOELCTRICAS
Objetivo:
Al trmino del curso el alumno comprender el concepto de piezoelectricidad y su aplicacin
en cermicas. Ser capaz de disear, fabricar y caracterizar una cermica piezoelctrica y su
aplicacin en la fabricacin de transductores de ultrasonido para uso biomdico.
Contenido:
Antecedentes histricos. Visin general acerca de las cermicas piezoelctricas. Cermicas de
Titanato de Bario (BaTiO3) y Titanato-Zirconato de Plomo (PZT). Cermicas de Titanato de
Plomo (PbTiO3) adicionado con elementos del grupo de los lantnidos. Manufactura de las
cermicas piezoelctricas. Caracterizacin. Sesiones prcticas. Aplicacin en transductores de
ultrasonido para uso mdico en oftalmologa.
BIBLIOGRAFIA:
- Piezoelectric Ceramics
Bernard Jaffe, William R. Cook, Hans Jaffe, Edit. Academic Press London and New York
1971
- Ferroelectric Devices
Kenjio Uchino, Edit. Marcel Dekker, Inc. New York , U.S.A. 2000
- Ferroelectric Crystal
Franco Jona, G. Shirane, Edit. Dover Publications, Inc. New York , U.S.A. 1993
- Ultrasonic Testing of Materials
Josef Krautkrmer, Herbert Krautkrmer, Edit. Springer-Verlag, Second edition New York ,
U.S.A 1977
- Materiales piezoelctricos del tipo PZT
Oscar Prez Martnez, Ernesto Suaste Gmez, Dep
36

3.1.14 INSTRUMENTACIN EN ELECTROCARDIOGRAFA


Objetivo:
Descripcin de los conceptos bsicos de los potenciales de accin cardacos, de las
caractersticas de los electrodos y de la deteccin de la seal electrocardiogrfica (ECG).
Valoracin y discusin de las especificaciones de electrocardigrafos. Anlisis de tcnicas
avanzadas de diseo de amplificadores para ECG y su aplicacin en el desarrollo de un
electrocardigrafo.
Contenido:
Origen de la actividad elctrica del corazn. El sistema de conduccin del corazn. Ondas e
intervalos del ECG. Caractersticas frecuenciales del ECG. Electrodos superficiales. ECG de
12 derivaciones. Derivaciones para monitoreo ambulatorio. Derivaciones para ECG de
ejercicio. Especificaciones bsicas de un electrocardigrafo. Tipos de interferencias y su
reduccin en equipos de monitoreo del ECG. Tcnicas avanzadas de diseo de amplificadores
para ECG. Desarrollo de un electrocardigrafo de 12 canales.
BIBLIOGRAFIA:
- Encyclopedia of medical devices and instrumentation, 2nd. Edition
John G. Webster, Edit. John Wiley & Sons, 2006
- Analog signal processing
Ramn Palls Areny, John G. Webster, Edit. John Wiley & Sons 1999
- Medical Instrumentation, Application and Design, 3rd. Edition
John G. Webster, Editor, Edit. John Wiley & Sons, 1998
- Introduction to biomedical equipment technology
Joseph J. Carr, John M. Brown, Edit. Prentice Hall, 2001
- Diagnostic electrocardiographic devices
ANSI/AAMI EC11:1991
- Ambulatory electrocardiographs
ANSI/AAMI EC38:1998

3.1.15 INSTRUMENTACIN EN OFTALMOLOGA


Objetivo:
Reconocer la anatoma y fisiologa de las estructuras que conforman el sistema visual para
poder desarrollar instrumentacin capaz de detectar micro-movimientos, movimientos
sacdicos, glisdicos, de seguimiento, de convergencia-divergencia, vestbulo-oculares,
pupilares, de la cabeza y registrar el campo visual. Aplicaciones en clnica y para el campo de
la investigacin en ingeniera biomdica.
Contenido:
Movimientos oculares. Anatoma del sistema oculomotor. Movimientos oculares voluntarios e
involuntarios. Caractersticas de los sistemas de registro y seguridad. Mtodos de registro de
movimientos oculares. Seales tpicas de movimientos oculares. Opto-oculogramas. Electrooculogramas. Electromiogramas. Video-oculografa. Aplicacin en clnica. Patologas del
sistema oculomotor. Nistagmo congnito. Aplicacin en investigacin. Perimtrica objetiva.
37

Anatoma de la retina. Campo visual. Perimtrica subjetiva. Permetro de Goldmann. Pantalla


tangente. Perimtrica objetiva. Permetro de Goldmann monocromtico (fibra ptica).
Permetro de Goldmann cromtico. Aplicacin en clnica. Aplicacin en investigacin.
Pupilometra. Anatoma del sistema visual. Movimientos pupilares. Video-oculografa.
Aplicacin en clnica. Aplicacin en investigacin.
BIBLIOGRAFIA:
- Tratado de Fisiologa Mdica
Dr. Arthur C. Guyton, Ed. Interamericana, 4a edicin. Mxico, 1971
- Adler's Physiology of the eye Clinical application.
Robert A. Moses, The C. V. Mosby Company. USA, 1981
- Oftalmologa general
Daniel Vaughan, Taylor Asbury, Edit. El manual moderno, Mxico, 1987
- Neuroanatoma funcional
Dr. Jairo Bustamante B., Fondo educativo interamericano S. A., Colombia, 1978
- Vision and visual dysfunction
J. R. Cronly-Dillon, Macmillan press ltd Volumes 1-17 England , 1991
- Neurological control systems studies in bioengineering
Lawrence Stark, Plenum press USA , 1968
- Handbook of bioengineering
Richard Skalak, Shu Chien McGraw-Hill USA , 1987
- Bioengineering: Biomedical, Medical, and Clinical Engineering
A. Terry Bahill, Prentice-Hall USA , 1981
- Biomedical Instrumentation and measurements
Leslie Cromwell, Fred J. Weibell, Erich A. Pfeiffer, Edit. Prentice-Hall 2nd edition USA ,
1980

3.1.16 INTRODUCCIN A LA BIOULTRASNICA


Objetivo:
El estudiante adquirir los conocimientos tericos y prcticos para utilizar equipo ultrasnico
teraputico, conocer la fsica de generacin, los efectos que tiene el US sobre material
biolgico y tendr las bases para determinar si la energa aplicada est dentro de la norma
establecida, sin provocar dao al paciente o al equipo. (Se recomienda que el estudiante tenga
conocimientos bsicos de biologa, fsica y teora del ultrasonido)
Contenido:
Introduccin. La generacin y propagacin del ultrasonido. Campo ultrasnico. Construccin
de transductores ultrasnicos. Caracterizacin experimental de la propagacin ultrasnica.
Interaccin de las ondas ultrasnicas con el medio de propagacin. Caracterizacin ultrasnica
de materiales biolgicos. Aplicaciones mdicas del ultrasonido.
BIBLIOGRAFIA:
- Piezoelectric Transducers and applications
A. Arnau, Edit. Springer Verlag, Berlin , 2004
- Acoustic Waves, Devices, Imaging, and Analog Signal Processing
Gordon S. Kino, Edit. Prentice-Hall Inc. 1987
38

- Doppler Ultrasound
David H. Evans, Edit. John Willey & Sons, Ltd., 2000
- Ultrasonic Bioinstrumentation
Douglas A. Christiansen, Edit. John Willey & Sons, Ltd., 1998
- Ultrasonic Scattering in Biologic Tissues
K. Kirk Shung, Edit. CRC Press INC, 2000
- Elaboration et Caracterisation et Modesation de Ceramiques Magneto electriques a Couches
D'arrt,
Thse Universit de Bordeaux I, Alain LARGUETEAU, 1990
- La practique du Control Industriel para Ultrasons
JL Pelletier, Edit. ENSAM, 1984
- NDT Data Fusion
X.E. Gros, Independent NDT Centre , France , Edit: Hodder Headline Group, John Wiley &
Sons, Inc. 1997
- Biomedical Ultrasonic
PNT Wells, Edit. Academic Press, 1977

3.1.17 PROCESAMIENTO DIGITAL DE BIOSEALES


Objetivo:
Se pretende que al finalizar este curso el alumno tenga las herramientas suficientes para aplicar
los conceptos del procesamiento digital de seales al tratamiento de las bioseales. Asimismo,
el alumno deber ser capaz de seleccionar adecuadamente entre un procesamiento lineal y uno
no lineal tal que le permita obtener la informacin deseada a partir de una bioseal.
Contenido:
Adquisicin de bioseales. Condicionamiento digital de bioseales. Anlisis de series de
tiempo por modelo lineal. Procesamiento adaptativo de bioseales. Procesamiento no lineal
mediante redes neuronales artificiales (RNA). Procesamiento basado en la transformada de
Fourier. Anlisis de seales con la transformada Wavelet.
BIBLIOGRAFIA:
- Digital Signal Processing. A computer-based approach
Sanjit K. Mitra, Edit. McGraw-Hill, New Delhi , 2 ed. 2001
- Neural networks and artificial intelligence for biomedical engineering
Donna L. Hudson and Maurice E. Cohen, Edit. IEEE Press series in biomedical engineering.
Metin Akay, editor. New York , 2000
- Nonlinear biomedical signal processing, volume II. Dynamic analysis and modeling.
Metin Akay, editor. New York . 2001
- A friendly guide to wavelets
Gerald Kaiser, Edit. Birkhuser , NJ , USA . 1994

3.1.18 SENSORES QUMICOS Y BIOSENSORES


Objetivo:
39

Proporcionar al estudiante los conceptos terico-prcticos bsicos de los sensores qumicos con
prcticas de caracterizacin y calibracin. (Se recomienda que el estudiante tenga
conocimientos de fisicoqumica y de electroqumica).
Contenido:
Sensores qumicos. Sensores potenciomtricos. Sensores amperomtricos. Biosensores.
Biosensores potenciomtricos. Biosensores amperomtricos. Sistemas bioinspirados, sensores
matriciales. Narices y lenguas electrnicas. Biosensores de afinidad: inmunosensores y
genosensores.
BIBLIOGRAFIA:
- Principios de Anlisis Bioinstrumental
Skoog Douglas A., Holler F. James & Nieman Timothy A., Edit. McGraw Hill
- Fundamentos de Fisicoqumica
Crockford H.D., Knight Samuel B., Edit. CECSA
- Principles of Chemical Sensors
Janata J., Edit. Plenum Press, New Cork, 1989
- Medidor de pH extracelular en tejidos epiteliales usando transistores de efecto de campo
sensibles a iones. Hernndez Rodrguez Pablo Rogelio, Tesis de doctorado en Ciencias,
Departamento de Ingeniera Elctrica, CINVESTAV, Mxico, 1995
- Biosensors in the body continuos in vivo monitoring
David M. Fraser. Edit. John Wiley & Sons, 1997
- Biosensors theory and applications
Donald G. Buerk, Edit. Technomic Publishing Co. Inc. 1993
- Biosensors and their applications
Victor C. Yang, That T. Ngo, Edit. Kluwer Academic / Plenum Publishers

3.1.19 VISIN HUMANA


Objetivo:
Proporcionar al estudiante los principios cientficos bsicos de percepcin al color v a la luz
blanca en condiciones fotpticas y escotopicas. Asimismo al estudio de las estructuras
anatmicas del globo ocular y su interrelacin en el proceso de visin humana foveal y
perifrica.
Contenido:
El ojo humano y la visin. Estructura del ojo. Cornea y esclera. Cuerpos ciliares, coroides e
iris. Retina. Fvea. ptica del ojo. Problemas comunes de la visin. Reflexin, transmisin y
absorcin. Conos y bastones. Introduccin. Como se detecta la luz. Unidades fsicas y
lumnicas de la intensidad de luz. El proceso visual. Sensibilidad a la luz. Sensibilidad de conos
y bastones. Escotpico. Fotoptico. Visin tricromtica. Adaptacin a la luz y la oscuridad.
Teoras modernas de la visin. Young-Helmholts. Hering. Teora de zonas. Colorimetra.
Conceptos bsicos. Importancia de la mediciones del color. Fuentes de luz y estndares.
Especificaciones del color. Sistema Mansell. Sistema CIE. Ley de Grassman. El sistema CIE
XYZ. Coordenadas de cromaticidad. Cromaticidad. Tipos de diagramas. Reproduccin del
color. Ejemplos de diagramas.
40

BIBLIOGRAFIA:
- Contrast sensitivity of the human eye and its effects on image qualm
Peter G., J. Barten, Edit. SP1E Optical Engineering Press , Washington USA . 1999
- Color vision from genes to perception
Karl R. Gegenfurtner y Lindsay T. Sharpe, Edit. Cambridge University Press, Cambridge UK ,
1999
- ptica fisiolgica psicofsica de la visin
J. M. Artigas., P. Capilla., A. Felipe, J. Pujol, Edit Interamericana McGraw-Hill, Madrid
Espaa, 1995
- Color science concepts and methods, quantitative data and formulae
Gunter Wyszecki y W. S. Stiles, Edit. John Wiley & Sons Inc., New York USA , 2000
- Measuring colour
R W G. Hunt, Edit. Fountain Press , England 1998
- Visual perception a clinical orientation
Steven H. Schwartz, Edit. Appleton & Lantje , Connecticut USA . 1994
- Principles of neural science
Enck R. Kandel, James H. Schwartz, Thomas M. Jessell, Edit. McGraw-Hill , New York
USA , 2000
- Vision and visual dysfunction
J. R. Cronlv-Dillon, Edit. MacMillan Press, 1991

3.1.20 PROCESAMIENTO DE IMGENES


Objetivo:
Las tcnicas empleadas para extraer informacin considerada como til en una imagen,
comnmente necesitan de herramientas matemticas especficas y de aproximaciones propias a
la disciplina. Este curso tiene como fin el presentar los diferentes medios tericos y
metodolgicos, los ms interesantes, para procesar y analizar una imagen. Algunos avances
significativos y recientes en esta rea son abordados y desarrollados con un enfoque
relacionado con la actividad que se realiza en la seccin. Cada captulo expuesto en el curso,
debe acompaarse de un trabajo personal de una profundizacin a partir de los libros, artculos,
memorias de tesis, reportes, que tratan este tema. (Se recomienda que el estudiante tenga c
conocimientos bsicos en el tratamiento de seal).
Contenido:
Sensores de imagen y de sistemas de visin. Definiciones. Algoritmos de preprocesamiento.
Segmentacin. Filtrado digital de imgenes. Anlisis de imgenes. Mtodos surgidos a partir
del tratamiento de seal. Morfologa matemtica. Visin para la robtica. Tratamiento de
imgenes mdicas.
BIBLIOGRAFIA:
- Digital Image Processing
Gonzlez R., Wintz P., Edit. Addison Wesley, 1987
- Digital Image Processing Algorithms
Pitas I. , Edit. Prentice Hall 1993
- Digital Picture Processing Vols 1&2
Rosenfeld A., Kak A., Edit. Academic Press 1982
41

- Digital Image Processing : A practical primer


Baxes G.A., Edit. Cascade Press 1984
- Procesamiento digital de imgenes
3.1.21 INTRODUCCIN A LA LGICA DIFUSA
Objetivo:
Comprensin de los principios bsicos de la lgica difusa. Ver otra forma de procesar datos,
adaptada al pensamiento humano para resolver los problemas cotidianos. Acercamiento con
aplicaciones usando la lgica difusa.
Contenido:
Aspectos Tericos. Control difuso. Metodologa. Compaas suministradoras de herramientas.
BIBLIOGRAFIA:
- The fuzzy logic market Williams, T., Edit. Electronic Trend publications, USA
- Fuzzy sets, uncertainty, and information
- Klir, J., George and Folger, Tina A., Edit Prentice Hall State University of New York ,
Binghamton. , USA .
- Fuzzy Logic education program 2.0 Center for Emerging Technologies Motorola, Inc., USA .

3.1.22 INTRODUCCIN A LOS EFECTOS DE LA RADIACIN


ELECTROMAGNTICA EN LA MATERIA VIVA
Objetivo:
Estudiar los efectos de la radiacin electromagntica sobre los organismos vivos. Durante el
curso se estudiar como interaccionan las ondas electromagnticas con los organismos vivos,
que efectos tiene en el material celular y en la molcula. Se estudiarn las tcnicas de medicin
de estos efectos y se experimentar con prcticas demostrativas de los efectos estudiados.
Como caso particular, se estudiar la terapia por hipertermia; su generacin y mecanismo de
induccin por RF, as como la caracterizacin de los parmetros teraputicos. Cada mdulo
expuesto en el curso, debe acompaarse de un trabajo personal de una profundizacin a partir
de los libros, artculos, memorias de tesis, que aparecen en la bibliografa y, la literatura
reciente sobre la temtica. (Se recomienda que el estudiante tenga conocimientos bsicos de
biologa, fsica y teora electromagntica)
Contenido:
Teora bsica del electromagnetismo. Mediciones EM en sitios abiertos. Mediciones en sitios
protegidos. Parmetros magnticos de substancias biolgicas. Los efectos de los campos
magnticos sobre organismos vivos. Efectos de la radiacin por RF. Complejos magnticos.
Mtodos experimentales. Principios de la interaccin ondas electromagnticastejido vivo: El
caso de la hipertermia. Phantoms para la evaluacin de sistemas de hipertermia.
BIBLIOGRAFIA:
- Fundamentos de la teora electromagntica 3era Ed, Reitz, Milford , Christy, Edit. AddisonWesley Iberoamericana, S. A. 1986
42

- Thermo-radioteherapy and thermo-chemotherapy, Vol. 1: Biology, physiology, and physics


Editores: Seegenschmiedt M.H., Fessenden P., Vernon C.C., Springer, 1995, Alemania
- Radiofrequency hyperthermia systems: Experimental and clinical assesment of the feasibility
of radiofrequency hyperthermia systems for loco-regional deep heating G.C. van Rhoon, Delf
University Press, 1994, Pases Bajos
- Biomagnetism R.S. Wadas Ells Hordwood and PWN-Polish Scientific Publishers, 1991
- Methods for electromagnetic field analysis Ismo V. Lindell, Edit. IEEE Press, 1995
- Solid dielectric horn antenas Carlos Salema, Carlos Fernndez, RamaKant Jha, Edit. Artech
House Inc, 1998
- Engineering electromagnetic compatibility V. Prasad Kodali, Edit. IEEE Press, 2001
- Electromagnetic fields and radiation, human bioeffects and safety Riadh W Y. Habash, Edit.
Marcel Dekker, Inc. 2002

3.1.23 BIOMATERIALES
Objetivo:
Al trmino del curso el alumno ser capaz de reconocer los biomateriales ms conocidos, su
composicin, tipos, caractersticas fsicas y qumicas. Asimismo, podr determinar el tiempo de
utilizacin de los biomateriales, las causas de su deterioro y sus aplicaciones en medicina segn
la clasificacin de los mismos.
Contenido:
Introduccin a los biomateriales. La estructura de los slidos. Caracterizacin de materiales I.
Propiedades mecnicas. Propiedades trmicas. Diagramas de fase. Consolidacin por
tratamientos de calor. Caractersticas de adherencia superficial. Caracterizacin de materiales
II. Propiedades elctricas. Propiedades pticas. Absorcin de rayos X. Densidad y porosidad.
Propiedades acsticas y ultrasnicas. Propiedades de difusin. Implante de materiales
metlicos. Aceros inoxidables. Aleaciones basadas en Co. Aleaciones de T y basados en Ti.
Otros metales. Corrosin de implantes metlicos. Implante de materiales cermicos. Estructura
y propiedades de los cermicos. Oxido de aluminio. Fosfato de calcio. Cermicas-cristales.
Otras cermicas. Carbono. Deterioracin de cermicas. Implantes de material polimrico.
Polimerizacin. Efecto de la modificacin estructural y de las propiedades en temperatura.
Implantes de material polimrico. Termoplsticos. Deterioracin de los polmeros. Compositos
como biomateriales. Estructura. Aplicaciones de los compositos como biomateriales.
BIBLIOGRAFIA:
- Biomaterials: An Interfacial Approach L. L. Hench and E. C. Ethridge, Academic Press, New
York , 1982
- Encyclopedia of Medical Devices and Instrumentation J. G. Webster, Edit. J. Wiley and Sons,
New York , 1988
- Materials Science and Engineering: An Introduction W. D. Calhster, Jr, Edit. Wiley and Sons,
New York , 1991
- Metals and Engineering in Bone and Joint Surgery B.O. Bechtol, A.B. Ferguson, P.G. Laing,
Edit. Balliere, Tindall, Cox, London , 1959
- Engineering Aspects of Shape Memory Alloys T.W. Duerig, K.N. Melton, D. Stockel, and
C.M. Wayman, Edit. Butterworths-Heinemann, London , 1990
43

- Ultra-High Molecular Weight Polyethylene as biomaterial in Orthopedic Surgery H.G.


Willert, G.H. Buchhorn, and P. Eyerer, Edit. Hogrfe & Huber , New York , 1991
- Biomaterial-Tissue Interfaces
P.J., Doherty, R.L. Williams, D.F. Williams and A.J. Lee, Edit. Elsevier Science Publishers,
Amsterdam, 1991 Aguilar S.A., Crdenas F.J., Martnez A., Martnez E., Edit. CCH/TIMASUNAM, 1994

3.1.24 INGENIERA DEL BIOMECANISMO


Objetivo:
Dar a conocer al alumno las definiciones matemticas, principios fsicos y las variables de los
diferentes biomecanismos para propsito de anlisis.
Contenido de la materia:
Captulo I
Mecnica del tejido duro
Caractersticas anisotrpicas y la ley de hooke
Notacin tensorial
Matriz de elasticidad para material isotrpico
Modulo de corte, Modulo rgido, Modulo de cilindro circular, Modulo de bulk
Caracterizacin de la anisotropa elstica
Modelado del comportamiento elstico
Propiedades visco elsticas
Captulo II
Mecnica de los vasos sanguneos
Anatoma vascular
Deformacin asimtrica y coordenadas
Caracterizacin de presin-radio
Ecuacin de tensin
2.5 Energa almacenada por unidad de volumen
Captulo III
Caracterizacin de la geometra de una articulacin
Tipo y superficies de movimiento
Junta de contacto
Geometra de la superficie de la articulacin
ngulos de rotacin
Tobillo, Cadera
Hombro, Codo
Mueca
Captulo IV
Lubricacin de las juntas
Clculo de la viscosidad
Ecuacin de Reynolds
Juntas sinoviales
44

Teora de la lubricacin natural de las junta sinoviales


Capitulo V
Mecanismo de la cabeza y cuello
Respuesta mecnica de la cabeza y cuello
Ecuacin de Gadd (ndice de severidad GSI)
Ecuacin de criterio de dao, HIC
Propiedades inerciales de la cabeza
Respuesta al impacto y aceleracin
Captulo VI
Hemodinmica arterial micro circulatoria
Modelo Vascular
Caractersticas del fluido
Ecuacin de propagacin de ondas. Relacin de Moens-Korteweg
Relacin velocidad, presin, flujo
Patologas relacionadas
Captulo VII
Variables del sistema venoso
Mtodos para medir las caractersticas venosas
Resistencia,
Capacitancia
Relacin presin volumen
Tcnicas gravimtricas
Flujo
valores tpicos
BIBLIOGRAFIA
The Biomedical Engineering HandBook, Second Edition.
Ed. Joseph D. Bronzino
Boca Raton: CRC Press LLC, 2000
Bioelectrical signal processing in cardiac and neurological applications. Leif Srnmo. Elsevier
2000
Rothe CF. 1983. Venous system: physiology of the capacitance vessels. In JT Shepherd, FM
Abboud (eds), Handbook of Physiology: The Cardiovascular System, sec. 2, vol 3, pt 1, pp
397452, Bethesda, MD, American Physiology Society.
Ashman RB, Rho JY. 1988. Elastic modulus of trabecular bone material. J Biomech 21:177.
Fung YC, Liu SQ, Zhou JB. 1993. Remodeling of the constitutive equation while a blood
vessel remodels itself under strain. J Biomech Eng 115:453.
Ateshian GA, Ark JW, Rosenwasser MD, et al. 1995. Contact areas in the thumb
carpometacarpal joint. J Orthop Res 13:450.
45

Caravia, L., Dowson, D., Fisher, J., Corkhill, P. H., and Tighe, B. J. A comparison of friction
in hydrogel and polyurethane materials for cushion form joints. Journal of Materials Science:
Materials in Medicine, Vol. 4, pp. 515520, 1993.

3.1.25 MODELACIN
FINITOS

COMPUTACIONAL

POR

ELEMENTOS

Objetivos:
El presente curso es una introduccin a la simulacin computacional mediante el mtodo de los
elementos finitos (FEM). En el mismo se empleara como software de cmputo el Comsol 3.2.
Se presentaran las bases matemticas del mtodo de los elementos finitos y el fundamento
fsico para la solucin de problemas de mecnica estructural, acstica, transferencia de calor y
problemas de multi-fsica.
Contenido:
Introduccin
Problemas fsicos y ecuaciones diferenciales a que esto conducen
Clasificacin en elpticas, parablicas e hiperblicas de las ecuaciones diferenciales
Ecuaciones elpticas
Ecuaciones parablicas
Ecuaciones hiperblicas
Problemas de autovalores
Mtodo de los elementos finitos
Generalizacin del mtodo de Rayleigh-Ritz: MEF.
Generalizacin del mtodo de Galerkin: MEF.
El Comsol 3.2 como herramienta para la solucin de problemas
Creacin de geometras
Mayado y obtencin de soluciones
Post procesamiento
Problemas de mecnica de medios continuos
Problemas de acstica y programacin de ondas
Problemas de transferencia de calor
Problemas de multi-fsica
Semanarios en que los estudiantes expondrn la solucin de un problema

BIBLIOGRAFIA
O.C. Zienkiewicz, R. L. Taylor El mtodo de los elementos finitos 4ta. Edicin, McGrawHill/Interamericana de Espaa, S.A.
Comsol Multiphysics Users guide B.A. Auld, Acoustic waveand fields in solids. New York:
Wileyand, Sons, (1973).
D. Berlincourt Piezoelectric crystal and ceramics in ultrasonic transducer materials, O. E.
Mattiat, Ed. New York: Plenum, pp. 63-124, (1971).
46

Saeed Moaveni, Finite element analysis theory and application with ANSYS Prentice Hall,
Upper Saddle River, New Jersey.

3.1.26 TCNICAS
BIOSEALES

AVANZADAS

EN

PROCESAMIENTO

DE

Contenido
1. Introduccin
1.1 Historia Bsica de la Inteligencia Artificial (IA).
1.2 Alcances de la Inteligencia Artificial.
1.3 Aplicaciones de la Inteligencia Artificial
1.3.1 Posibilidades de la Inteligencia Artificial.
1.3.2 Inteligencia Artificial en Hardware y Software.
1.3.3 Programando Inteligencia Artificial (Software).
2. Redes Neuronales Artificiales
2.1 Conceptos bsicos de las redes neuronales artificiales.
2.2 Estructuras de las redes neuronales artificiales.
2.3 Clasificacin de las redes neuronales artificiales.
2.4 Tipos de redes neuronales artificiales.
2.5 Aplicaciones.
3. Anlisis en el Dominio TiempoFrecuencia
3.1 Revisin de la Transformada de Fourier.
3.2 Transformada Wavelet Continua
3.3 Transformada Wavelet Discreta
3.4 Compresin de Datos
4. Nuevas paradigmas en procesamiento. Las Redes Neuronales Wavelet
4.1 Introduccin a redes neuronales wavelet.
4.2 Fundamentos de redes neuronales wavelet.
4.3 Aplicaciones.
5. Introduccin a las maquinas de aprendizaje
5.1 Definicin.
5.2 Aprendizaje y Estimacin Estadstica.
5.3 Maquinas de Vector Soporte.
5.4 Aplicaciones en clasificacin.
6. Aplicacin del Procesamiento de Bioseales
6.1 Preprocesamiento utilizando teora wavelet.
6.2 Uso de redes neuronales.
6.3 Uso de Maquinas de Vector Soporte.

47

3.1.27 PROGRAMACIN ORIENTADA A OBJETOS


Objetivo: Al finalizar el curso el alumno ser capaz de aplicar los conceptos de la
programacin orientada a objetos en el diseo de sistemas. Adems, contar con las
herramientas que ofrece Java para el desarrollo de aplicaciones orientadas a objetos.
Contenido:
1.- Introduccin a objetos
2.- Fundamentos de Java
3.- Inicializacin y limpieza
4.- Reutilizacin de clases
5.- Polimorfismo
6.- Interfaces y clases internas
7.- Manejo de excepciones
8.- E/S en java
9.- RTTI
10.- Applets
11.- Cmputo distribuido
BIBLIOGRAFIA
1.- Object-oriented analysis and design with applications. Booch, Grady
2.- Thinking in Java, 3rd. Edition. Eckel, Bruce
3.- Como programar en Java, Prentice Hall, H.M. Deitel-P.J. Deitel

3.1.28 OPTIMIZACIN
Enfoque del Curso
En este curso se estudiarn diversos mtodos de programacin matemtica para resolver
problemas de optimizacin no lineal (principalmente sin restricciones). El curso enfatizar
aspectos algortmicos y de implementacin sobre los aspectos tericos, por lo que es necesario
tener al menos conocimientos bsicos de programacin en C/C++. Tambin se requieren
conocimientos de clculo, trigonometra, geometra y lgebra.
Formacin de evaluacin
Para calcular la calificacin final del curso, se considerarn los siguientes porcentajes:
Tareas
Primer Examen Parcial
Segundo Examen Parcial
Examen Final

40%
20%
20%
20%

Para aprobar el curso, debern obtenerse un mnimo del 70% del total de puntos en juego
durante el cuatrimestre (sin incluir los de bonificacin)
Temario
Antecedentes Histricos
Conceptos Bsicos
48

Ventajas y Desventajas de la Optimizacin Numrica


Mtodos de Optimizacin para problemas sin Restricciones
Condiciones Necesarias y Suficientes para que una Solucin sea ptima
Mtodos de Optimizacin para Problemas con Restricciones

Textos Complementarios
Kalyanmoy Deb., Optimization for Engineering Design. Algorithms and Examples,
Prentice-Hall of India, New Delhi, 1995.
David M. Himmenlblau, Applied Nonlinear Programming, McGraw-Hill, New York,
1972.
G.V. Reklaitis, A. Ravindran and K.M. Ragsdell, Engineering Optimization. Methods
and Applications, John Wiley & Sons, Inc., New York, 1983.
Jorge Nacedal and Stephen J. Wright, Numerical Optimization, Springer, New York,
1999.
Garrett N. Vanderplats, Numerical Optimization Tehniques for Engineering Desing
With Applications, McGraw-Hill, New York, 1984.
J. Frderic Bonnans, J. Charles Gilbert, Claude Lemarechal and Claudia A.
Sagastizabal, Numerical Optimitation. Theoretical and Practical Aspects, Springer,
Berlin, 2003.
P. Venkatarman, Applied Optimization with MATLAB Programming, John Wiley &
Sons, Inc. New York, 2002.
Avisos importantes
Todas las tareas entregadas despus de la fecha acordada, sern PENALIZADAS con un 10%
MENOS SOBRE LA CALIFICACION OBTENIDA POR CADA PERIODO DE 24 HORAS
POSTERIOR A LA HORA DE ENTREGA, a menos que otras penalizaciones se estipulen
especficamente para una cierta tarea (por ejemplo, que no se admitir si se entrega despus de
la fecha indicada). La hora de entrega de todas las tareas ser al inicio de la clase, a menos que
se estipule lo contrario.
NO SE ADMITIRAN TAREAS ENTREGADAS POR PARTES. Quien entregue solo una
parte de una tarea, no podr entregar posteriormente partes complementarias. Slo se le
calificar lo que se haya entregado la primera vez.
Una vez que una tarea haya alcanzado un valor de cero, la penalizacin se detendr (es decir,
no se considerarn calificaciones negativas), sin embargo, LA ENTREGA DE TODAS LAS
TAREAS ES OBLIGATORIA PARA PODER APROBAR EL CURSO, aunque el puntaje
designado a cualquiera de ellas no afectar de manera significativa la calificacin final del
alumno.
Las tareas y los exmenes pueden contener preguntas opcionales de bonificacin que, de ser
contestadas correctamente, permitirn recuperar puntos perdidos a lo largo del cuatrimestre.
Esto implica que ser posible obtener ms del 100% de los puntos en una tarea o examen, de
constarse todas las preguntas correctamente, incluyendo las de bonificacin.

49

El instructor considera como una ofensa muy seria el plagio de tareas de otros compaeros, y
en caso de comprobarse ste, se REPROBARA DE FORMA AUTOMATICA Y LOS
INVOLUCRADOS.
Es necesario que todos los alumnos proporcionen una direccin electrnica en la lista que se
circular en la clase, y que LEAN FRECUENTEMENTE SU CORREO ELECTRONICO,
pues muchas de las dudas y avisos importantes se transmitirn por este medio, De tal forma, es
total responsabilidad de los alumnos enterarse oportunamente de lo que se transmita por correo
electrnico.

3.1.29 TEORA DE SEALES Y SISTEMAS


Contenido:
1.- Introduccin
1.1 Concepto de seal y de sistema
1.2 Seales continuas y discretas en el tiempo
1.3 Sistemas continuos y discretos en el tiempo
2.- Seales y Sistemas
2.1 Seales en el tiempo y secuencia en el tiempo
2.2 Operaciones elementales
2.2.1 Transformacin del rango
2.2.2 Cuantizacin
2.2.3 Transformacin del eje de seal
2.2.4 Muestreo
2.2.5 Interpolacin
2.2.6 Otras operaciones entre seales
2.3 Espacios de seales
2.3.1 Normas
2.3.2 Potencia promedio
2.3.3 Espacios normados
2.3.4 Producto interno
2.3.5 Desigualdad de Cauchy-Schwarz
2.3.6 Normas de seales
2.3.7 Norma pico o L
2.3.8 Norma RMS
2.3.9 Valor absoluto promedio
2.3.10 Norma Lp
2.4 Seales discretas
2.4.1 Funciones singulares
2.5 Sistemas y mapeos entrada/salida
2.5.1 Sistemas lineales
2.5.2 Sistemas convolutivos
2.5.3 Propiedades de la convolucin
2.5.4 Sistemas diferenciales y de diferencias
3.- Series de Fourier
3.1 Introduccin
3.2 Expansin de seales
3.2.1 Dependencia e independencia lineal
50

3.2.2 Base recproca


3.2.3 Bases ortogonales y ortonormales
3.3 Teorema de proyeccin y de la mejor aproximacin
3.4 Expansin de Fourier
3.4.1 Teorema de Plancherel y Parseval
3.4.2 Series de Fourier de seales peridicas
3.4.3 Convolucin
3.4.4 Serie de Fourier en dos dimensiones
4.- Transformada de Fourier
4.1 Seales de longitud finita
4.2 Transformada de Fourier discreta-discreta (DDFT)
4.3 Transformada de Fourier continua-discreta (CDFT)
4.4 Transformada de Fourier DCFT
4.5 Transformada CCFT
4.6 Transformada rpida de Fourier
4.6.1 Algoritmos para el clculo de la FFT
5.- Transformada Z
5.1 Introduccin
5.2 Transformada z
5.3 Propiedades de la transformada z
5.4 Transformada inversa
5.5 Aplicacin al anlisis de sistemas
5.6 Funcin de transferencia
5.7 Polos y ceros
5.8 Solucin de ecuaciones de diferencia
5.9 Estabilidad
6.- Filtros Digitales
6.1 Sistemas digitales no recursivos
6.2 Filtro pasa bajas con corrimiento de fase cero
6.3 Funciones de ventana en tiempo discreto y sus propiedades
6.4 Respuesta al impulso
6.5 Respuesta en frecuencia
6.6 Sntesis
6.6.1 Filtros IIR
6.6.2 Filtros FIR
7.- Aplicaciones
7.1 Sistemas de comunicacin
7.2 Sistemas de control automtico
7.3 Sistemas bioelectrnicos
BIBLIOGRAFIA
-Fante, R. L., Signals Analysis and Estimation: an Introduction, John wiley and Sons,1988
-Kwakernaak, H. y R. Sivan, Modern Signals and Systems, Prentice Hall, 1991
-Oppenheim, A. V. and Schafer, R. W. Digital Signal Processing. Prentice Hall, 1975
-Digital Signal Processing: Principles, Algorithms, and Applications. John G. Proakis, Dimitris
G. Manolakis. Prentice Hall 2nd ed (1992)
-Signals and Systems. Alan V. Oppenheim, Alan Willsky, Prentice-Hall (1983)
-Digital filters: Analysis and Design. Andreas Antoniou. McGraw-Hill (1979)
51

-Mathematical Methods and Algorithms for Signal Processing. Todd K. Moon, Wynn C.
Stirling. Prentice-Hall (2000)
-Z transform Theory and Applications. Robert Vich (Basch, Michael. Tr.) Dordrecht : D.
Reidel (1987)
-Schaum's Outline of Theory and Problems of Signals and Systems. Hwei P. Hsu. McWrawHill (1995)

3.1.30 RECONOCIMIENTO
COMPUTADORA

DE

FORMAS

VISIN

POR

Objetivo:
El proporcionar al educando las herramientas para el planteamiento y solucin de problemas
relacionados con el modelado y reconocimiento de objetos. Al final el estudiante ser capaz de
disear un sistema para el reconocimiento automtico de objetos sencillos y medianamente
complicados usando ya sea imgenes de los objetos mismos o imgenes o invariantes.
Contenido:
1.- Introduccin
1.1. La visin por computadora, que es?
1.2. Relacin con otras disciplinas
1.3. Problemas
1.4. Un sistema para el Reconocimiento Automtico de Objetos (SRAO) y sus mdulos
1.4.1. Entrenamiento
1.4.1.1. Adquisicin de imagen
1.4.1.2. Acondicionado o pre-tratamiento de imgenes
1.4.1.3. Segmentacin de la imagen
1.4.1.4. Extraccin de caractersticas
1.4.1.5. Entrenamiento del sistema
1.4.2. Prueba del sistema
1.4.2.1. Adquisicin de imagen
1.4.2.2. Acondicionado o pre-tratamiento de la imagen
1.4.2.3. Segmentacin de la imagen
1.4.2.4. Extraccin de caractersticas
1.4.2.5. Generacin de hiptesis
1.4.2.6. Verificacin de las hiptesis
2. Conceptos bsicos
2.1. Introduccin
2.2. Conceptos bsicos sobre ptica y geometra de imgenes
3. Acondicionado inicial
3.1. Introduccin
3.2. Filtrado de una imagen en el dominio espacial
3.2.1. Filtros lineales
3.2.2. Filtros no lineales
3.3. Operaciones aritmticas
3.4. Operaciones lgicas
3.5. La transformada distancia
3.6 Operaciones morfolgicas
52

3.7 Filtrado depurativo de contorno


4. Segmentacin de imgenes
4.1. Introduccin
4.2. Formulacin del problema de segmentacin
4.3. Segmentacin de imgenes por umbralado
4.3.1. Umbralizacin global manual
4.3.2. Umbralizacin automtica
4.4. Segmentacin por etiquetado
5.- Extraccin de rasgos visuales y descripcin
5.1. Indices visuales
5.1.1. Bordes y su deteccin
5.1.2. Lineas y su deteccin
5.1.3. Esquinas y vrtices y su deteccin
5.2. Rasgos imagen descriptores
5.2.1. Qu es un rasgo descriptor?
5.2.2 Propiedades deseables de un rasgo
5.2.3. Rasgos globales y locales
5.2.4. Rasgos geomtricos
5.2.5. Rasgos topolgicos
6. Introduccin al reconocimiento de objetos
6.1. Introduccin
6.1.1. Patrones y clases de patrones
6.1.2. Principios del funcionamiento de un sistema de reconocimiento automtico de
objetos (SRAO)
6.1.3. Etapas del diseo de un SRAO
6.2. Clasificadores estadsticos para el reconocimiento de objetos
6.2.1. El correlacionador
6.2.2. El clasificador de distancia mnima
6.2.3. El clasificador bayesiano
6.2.4. Clasificador de mahalanobis
6.3 Redes neuronales artificiales para el reconocimiento de objetos
6.4. Memorias asociativas
BIBLIOGRAFIA
-H. Sossa. Reconocimiento de objetos por computadora. En proceso de publicacin R.C.
Gonzalez and R. E. Woods, Digital Image Processing, Addison-Wesley Publishing Company
(1992)
-O. Faugeras, Three-Dimensional Computer Vision. A Geometric Viewpoint, MIT Press
(1996), (cuarto captulo)
-A.K. Jain, Fundamentals of Digital Image Processing, Prentice Hall Information and System
Sciences Series (1989)
-R. Jain, R. Kasturi and B. G. Schunck, Machine Visionm McGraw Hill (1995)
-R.J. Schalkoff, Digital Image Processing and Computer Vision, John Willey & Sons, Inc.
(1989)
-S.E. Umbaugh, Computer Vision and Image Processong: A practical approach using
CVIPtolls, Prentice Hall, PTR, 1998
-D.M. Gmez Allende, Recnocimiento de formas y visin artificial, Addison-Wesley
Iberoamericana (1994)
53

-R.O. Duda and P. E. Hart Patterm Clasification and Scene Analisys, Johb Willey & Sons
(1973)
-K.S. Fu, Digital Pattern Recognition, Springer Verlag (1980)
-Y, Anzari, Pattern Recognition, Academic Press, Inc. (1982)
-K.R. Castleman, Digital Image Processing, Prentice Hall ( 1996)
-E. Hall, Computer Image Processing and Recognition, Academic Press (1979)
-D. Vernon, Machine Vision, Automated Visual Inspection and Robot Vision, Prentice Hall,
Int. (1991)
-A. Rosenfeld and A. Kak, Digital Picture Processing, vol. 1 Academic Press (1982)
-A. Rosenfeld and A. Kak, Digital Picture Processing, vol. 2 Academic Press (1982)
-W.K. Pratt, Digital Image Processing, Second Edition, John Willey & Sons, Inc. (1982)
-R.M. Haralick and L. G. Shapiro, Computer Robot Vision, volume I. Addison-Wesley
Publishing Company (1993)
-D.H. Ballard and C.M. Brown, Computer Vision, Prentice Hall, Inc. (1982)

3.1.31 BIOMECNICA DE LA MANO


Contenido de la materia:
Capitulo I
Anatoma de la mano
Esqueleto de la mano
Msculos de la mano
Articulaciones de la mano y sus movimientos
Tendones y Ligamentos de la Mano
Inervacin de la mano
Irrigacin de la mano
Capitulo II
Desrdenes fisiolgicos de la mano
3.1. Lesiones de los ligamentos del carpo
3.2. Lesiones de los ligamentos de los dedos
3.3. Lesiones de los tendones de la mueca
3.4. Lesiones de los tendones flexores de los dedos
3.5. Lesiones de los tendones extensores de los dedos
3.6 Fracturas de la mano
Capitulo III
Anlisis biomecnico de la mano
2.1 Fundamentos de Biomecnica
2.2 Biomecnica del carpo y de los ligamentos de la mueca
2.3 Biomecnica de la articulacin de la mano
2.4 Cinemtica de la mano
2.5 Cintica de la mano
2.6 Tcnicas de evaluacin y anlisis de la biomecnica de la mano
Capitulo IV
Evaluacin post-quirrgica funcional de los movimientos de la mano
Manejo inicial de las lesiones de la mano
Tcnicas de evaluacin y seguimiento post-quirrgico de la mano
54

Referencias:
-Fisiologa Articular. Editorial Medica Panamericana 6ta. Edicin
A.I. Kapandji
-Anatoma Humana Editorial: Porra Mxico Dr. Fernando Quiroz Gutirrez
-Compendio de Anatoma y Diseccin. Editorial: MASSON, Rouvire
-Atlas de Anatoma Humana. Tomo III. Editorial: MIR Mosc, R.D Sinelnikov
-Grays Anatomy for Students, Philadelphia, P.A. Estados Unidos: Elsevier/Churchill
Livingstone, 2005. Richard L. Drake; Wayne Vogl, Adam W.M. Mitchell, coautores.
-Biomecnica Bsica del Sistema Msculo Esqueltico, Editorial Mc. Graw Hill
Interamericana 3era. Edicin.
-Margreta Nordin, P. T, Dr. Scl, Victor H. Frankel, M.d. Ph.D., JN0

3.1.32 MTODOS Y TCNICAS FOTOTRMICAS


Objetivo:
Conocer las metodologas para el anlisis de materiales cermicos ferroelctricos y polmetros
ferroelctricos utilizando diferentes tcnicas de caracterizacin fototrmicas para su aplicacin
en el campo de Bioelectrnica e Ingeniera Biomdica.

Contenido:
1. Determinacin de coeficientes de absorcin pticos por Espectroscopia Fotoacstica
1.1
Tcnica fotoacstica de celda abierta (OPC)
1.2
Conductividad trmica (k)
1.3
Calor Especfico (Cp)
1.4
Difusividad trmica ()
2.- Caracterizacin trmica de nuevos sensores piroelctricos
2.1. Coeficiente piroelctrico
2.2. Mtodos de medicin
2.3. Mtodo Dinmico
2.4. Mtodo de integracin de carga
2.5. Mtodo directo
3.- Espectroscopia Fotopiroelctrica y sus aplicaciones
3.1. Mtodo de deteccin fotopieroelctrica (PPE)
3.2. Mtodo de deteccin fotopiroelctrica inversa (IPPE)
4.- Lente Trmica y aplicaciones
4.1. Principio de funcionamiento
4.2. Mtodos y aplicaciones
5.- Tcnicas fototrmicas aplicadas a la caracterizacin de tejidos biolgicos,
5.1. Microscopia fotopiroelctrica
5.2. Tcnica de microscopia fotopiroelctrica
6.- Microscopia fotopiroelctrica con nuevos sensores piroelctricos
55

6.1 Sensores piroelctricos utilizando cermicas ferroelctricas


6.2 Sensores piroelectricos basados en polmeros ferroelctricos
7.- Mtodo para la determinacin del punto de transicin de fase de cermicas piezoelctricas.
7.1. Mtodo por medio de reflectancia (laser) causada en su superficie
7.2. Mtodo por medio de su radiacin y emisividad

BILBIOGRAFIA
1. A. Rosencwaig, Photoacoustic and Photoacosutic Spectroscopy (Wiley, New York,
1980)
2. D. Almond and P. Patel, Photothermal Science and Techniques (Chapman & Hall,
London, (1996).
3. J. Caerels, C Glorieux, K. Thoen, Absolute Values of Specific Heat Capacity and
Thermal Conductivity of liquids from different modes of operation of a simple
Photopyroelectrica Setup, Review of Scientific Instruments, 69, 2452.2458 (1998).
4. A. Mandelis, M.M. Zver, Theory of photopyroelectric spectroscopy of solids, J. Appl.
Phys. 57, 4421 (1985)
5. M. Chirtoc, G. Michailescu, Theory of the photopyroelectric method for investigation
of optical and thermal material properties, Physical Review B, 40, 9606 (1989).
6. J. Shen, R. D. Lowe, R.D. Snook, A model for cw laser induced mode-mismateched
dual-beam thermal lens spectrometryu, Chemical Physics 165, 385 (1992).
7. Kenji Uchino, Ferroelectric Devices, CRC; 1 edition (January 3, 2000) ISBN10:0824781333.
8. E. Suaste: Patente Mexicana: 251695 (2007)
9. E. Suaste: Patente Mexicana: 258127 (2008)
10. Ernesto Suaste Gmez. Cermicas Piezoelctricas. Editorial: Innovacin Editorial
Lagares de Mxico, S.A. de C.V. ISBN: 970-773289-x (2006).

3.1.33 SENSORES
PIROELCTRICOS

ACTUADORES

PIEZOELCTRICOS

Objetivo:
Entender las bases para el diseo, desarrollo e innovacin de sensores y actuadores del grupo
de los Ferroelctricos como los Piezoelctricos y Piroelctricos para su aplicacin en el campo
de Bioelectrnica e Ingeniera Biomdica.
Contenido:
1.- Ferroelctricos en general
Estructura cristalina y Ferroelectricidad
Orgenes de la polarizacin espontnea
Orgenes del campo inducido
Efecto electro-ptico
Ejemplo de Ferroelctricos
Aplicacin de Ferroelctricos
56

2.- Tratamiento matemtico de los Ferroelctricos


2.1. Representacin de las propiedades fsicas
2.2. Fenomenologa de la Ferroelectricidad
3.- Materiales, Diseo de dispositivos y procesos de fabricacin
3.1. Diseo de materiales
3.2. Procesos de fabricacin e los materiales
3.3. Diseo de dispositivos
3.4. Efectos del tamao del grano en Ferroelectricidad
3.5 Contribuciones del dominio Ferroelctrico
3.6. Elaboracin de multicapas
4.- Sistema de alta permitividad dielctrica
4.1. Capacitores cermicos
4.2. Capacitos en chip
4.3. Sustratos hbridos
4.4. Ferroelctricos de relajamiento
5.- Dispositivos Piroelctricos
5.1. Materiales Piroelctricos
5.2. Sensores de temperatura e infrarrojos
5.3. Sensores de imgenes infrarrojos
6.- Dispositivos Piezoelctricos
6.1. Materiales y propiedades piezoelctricas
6.2. Sensores de presin, Acelermetros y giroscopios
6.3. Vibradores piezoelctricos y transductores ultrasnicos
6.4 Dispositivos de onda acstica de superficie
6.5. Actuadores piezoelctricos
7.- Dispositivos electro pticos
7.1. Revisin del efecto electro ptico
7.2. Cermicas electro pticas transparentes
7.3. Dispositivos electro pticos tipo bula
7.4. Guas de onda moduladoras
8.- Materiales compuestos
8.1. Conectividad
8.2. Efectos de los compuestos
8.3. Compuestos PZT: Polmeros
8.4. Implantes Cermica: Metal
9.- Materiales actuadores
9.1. Materiales actuadores prcticos
9.2. Figuras de merito para transductores piezoelctricos
9.3. Dependencia a la temperatura de materiales de esfuerzo electrostrictivo
9.4. Velocidad de respuesta
57

9.5. Propiedades mecnicas de los actuadores


10.- Actuadores cermicos y mtodos de fabricacin
10.1 Fabricacin de cermicas y cristales de un solo tipo
10.2 Diseo de dispositivos actuadores
10.3 Materiales electrodo
10.4 Piezoelctricos comercialmente disponibles y actuadores electrostrictivo
11.- Tcnicas de manejo y control para actuadores piezoelctricos
11.1 Clasificacin de actuadores piezoelctricos
11.2 Control de retroalimentacin
11.3 Manejo de pulsos
11.4 Manejo de resonancia
11.5 Sensores y componentes especializados para sistemas micromecatrnicos
12.- Teora, sntesis, propiedades y caracterizacin de polmeros
12.1 Nanofibras de polyanilina: Sntesis, propiedades y aplicaciones
12.2 Avances de Polypyrrole
12.3 PEDT: PSS como conductor transparente
13.- Procesamiento y aplicaciones de polmeros
13.1 Procesamiento de polmeros
13.2 Aplicacin y dispositivos basados en polmeros
14.- Materiales EAP
14.1 Introduccin
14.2 Polmeros electroactivos EAP
14.3 Polmeros con forma y propiedades controlables
14.4 EAP elctricos
14.5 Modelado de EAP
14.6 Pruebas y caracterizacin
14.7 Actuadores, dispositivos y mecanismos con EAP
14.8 Aplicaciones de los EAP
15.- Pruebas y metodologas para prototipos cermicos y polmeros
15.1 Mtodo para la determinacin del punto de transicin de fase de cermicas
BIBLIOGRAFIA
-Kenji Uchino, Ferroelectric Devices, CRC; 1 edition (Janyary 3, 2000) ISBN10:0824781333.
-Kenji Uchino, Jayne Giniewicz MicroMechatronics, CRC (April 25, 2003), ISBN-10:
0824741099.
-Terje A. Skotheim, John Reynolds, Conjugated Polymrs: Therory, Synthesis, Properties, and
Characterization (Handbook of Conducting Polymers), CRC; 1 edition (December 26, 2006)
ISBN-10: 1420043587.
-Terje A. Skotheim, John Reynolds, Conjugated Polymers: Processing and Applications
(Handbook of Conductiong Polymers), CRC; 1 edition (2006) ISBN-10: 1-4200-4360-9.
58

-Yoseph Bar-Cohen, Electroactive Polymer (EAP) Actuators as Arificial Muscles, SPIE


Publications; 2nd. Edition (March 18, 2004) ISBN-10:0819452971.
-Ernesto Suaste Gmez, Ceramicas Piezoelctricas, Editorial: Innovacin Editorial Lagares
de Mxico, S.A. de C.V. (Noviembre 2006) ISBN: 970-773-289-X.
-Toshio Mitsui, Itaru Tatsuzaki and Eiji Nakamura, An introduction to the physics of
ferroelectrics Gordon and breach science publishers, (1976), ISBN 0677-30600 8.
-Franco Jona, G. Shirane, Ferroelectric crystals Dover Publications, Inc. New York 1993,
ISBN 0-486-67386-3.
-Bernal Jaffe, William R. Cook, Jr. And Hans Jaffe, Piezoelectric ceramic, Academia press,
London and New Cork, 1971. ISBN 0-12-379550-8.

3.1.34 EFECTOS DE LA INTERACCIN ONDA MECNICA-TEJIDO


BIOLGICO
Objetivo:
Estudio de los principios, efectos y aplicaciones del ultrasonido en los tejidos biolgicos.
Durante el curso se estudiar como interaccionan las ondas ultrasnicas en los tejidos, que
efectos tiene en el material celular y en la molcula. Se estudiarn las tcnicas de medicin de
estos efectos y se experimentar con prcticas demostrativas de los efectos estudiados.

Captulo 1. Introduccin (Ultrasonic scattering in biological tises & Ultrasonic


Boioinstrumentation)
Resea histrica. Propagacin ultrasnica en tejidos. Fundamentos de propagacin acstica.
Reflexin y refraccin. Atenuacin, dispersin y absorcin. Ecuacin de onda. Soluciones a la
ecuacin de onda. Impedancia del medio. Densidad de potencia. Reflexin de las ondas en la
interfase. Angulos de reflexin y de transmisin. Magnitudes de las ondas transmitidas y
reflejada. Potencia de las ondas transmitida y reflejada.
Captulo 2. Generacin y construccin de campos acsticos (Physical Principles of Medical
Ultrasonics)
Dispositivos piezoelctricos. Campo acstico pulstil. Campos focalizados. Efectos del cuerpo
humano en la haz de propagacin. Formacin del haz por arreglos de transductores. Generacin
de campos teraputicos. Magnitudes de campos acsticos variables.
Captulo 3. Deteccin y medicin de campos acsticos (Physical Principles of Medical
Ultrasonics)
Dispositivos piezoelctricos. Detectores de desplazamiento. Mediciones de la fuera de
radiacin. Calorimetra. Mtodos de difraccin ptica. Diversos mtodos y tcnicas. Medicin
de la exposicin biolgicamente efectiva y dosis.
Captulo 4. Propiedades ultrasnicas de tejidos biolgicos (Ultrasonics Bioinstrumentation)
Estudio de tejidos biolgicos. La clula. Tipos de tejidos. Atenuacin en tejidos biolgicos.
Relajacin de viscosidad en tejidos. Valores de parmetros ultrasnicos para tejidos biolgicos.
Captulo 5. Atenuacin y Absorcin (Physical Principles of Medical Ultrasonics)
59

Medicin de Coeficientes de Atenuacin y de Absorcin en Tejidos Biolgicos. Tcnicas de


Medicin. Absorcin en tejido. Atenuacin en tejido. Medicin in vivo Problemas, artefactos y
errores en la medicin. Ecuacin de medicin (full-transmission). Contribucin de la dispersin
en la atenuacin. Valores de coeficientes de atenuacin en tejidos.
Captulo 6. Velocidad de Propagacin (Physical Principles of Medical Ultrasonics)
Medicin de la velocidad del ultrasonido en tejidos. Tcnicas de medicin. Mediciones in vivo.
Problemas, artefactos y errores. Dependencia con la temperatura. Valores de velocidad de
propagacin del ultrasonido en tejidos.
Captulo 7. Dispersin (Scattering) (Physical Principles of Medical Ultrasonics & Ultrasonic
Scattering in Biological Tissues)
Teora de Dispersin. Mediciones de dispersin. Modelo. Relevancia clnica de la dispersin,
Tejidos Biolgicos como Medio de Dispersin Ultrasnica.
Captulo 8. Biofsica Ultrasnica (Physical Principles of Medical Ultrasonics)
Mecanismos Trmicos. Cavitacin. Presin de Radiacin, Flujo Acstico y otros mecanismos
no trmicos. Evidencia de Efectos no Trmicos en Tejidos. Indices Termicos y Mecnico.
Captulo 9. Aplicaciones teraputicas y quirrgicas (Physical Principles of Medical Ultrasonic
& Uultrasonic Bioinstrumentation)
Bases fisiolgicas de la terapia con ultrasonido. Fisioterapia. Ultrasonido en el control de
tumor. Ciruga. Evaluacin de posibles riesgos. Posibles mecanismos de dao. Medicin de los
niveles de exposicin al ultrasonido. Normas de seguridad.
BIBLIOGRAFIA
-Physical Principles of Medical Ultrasonics. C.R. Hill J. C. Bamber, G.R. ter Harr. Wiley 2004
-Ultrasonic scattering in biological tissues, K. Kirk Shung, Gary A. Thieme, Ed. CRC Press,
Inc. 1993
-Ultrasonic Bioinstrumentation, Douglas, A. Christensen, Ed. John Wiley & Sons 1988

3.1.35 BIOCOMPATIBILIDAD ELECTROMAGNTICA


Contenido
1.- Teora Electromagntica
a. Ecuaciones de Maxwell
b. Campos en un medio
c. Ecuacin de onda
d. Energa y Potencia
e. Refleccin de la onda en una interfaz
2.- Teora de Lneas de Transmisin
a. Modelo de una lnea de transmisin
b. Propagacin de la onda en una lnea de transmisin
c. Anlisis de campo
d. Prdidas en lnea
60

e. Carta de Smith
f. Acoplamiento con carga
3.- Lneas de Transmisin y guas de onda
a. Soluciones Generales para ondas TE, TEM y TM
b. Gua de onda plato paralelo
c. Gua de onda rectangular
d. Gua de onda circular
e. Lnea coaxial
f. Stripline
g. Microstrip
4.- Acoplamiento de impedancia y sintonizacin
a. Acoplamiento con secciones de lneas de transmisin (L. Networks)
b. Sintonizacin de Strub sencillo
c. Sintonizacin de Stub doble
d. Transformador de cuarto de onda
e. Modelado y Caracterizacin
5.- Modelado y Caracterizacin de circuitos de RF y Microondas
a. Parmetros S
b. Parmetros T
c. Componentes (resistencia, capacitor, inductor, stub)
6. Diseo de osciladores y amplificadores RF y Microondas
a. Diseo de un oscilador
b. Diseo de filtros
c. Diseo de amplificadores acoplados
d. Consideraciones de ruido
REFERENCIAS
-David M. Prozar, Microwave Engineering, 2da. Edicin, John Wiley & Sons, Inc. 1998.
-Robert J. Weber Introduction to microwave circuits: radiofrequency and design aplications,
IEEE Microwave theory and techniques society, sponsor. 2001.

3.1.36 INSTRUMENTACIN EN OFTALMOLOGA


Objetivo:
Reconocer la anatoma y fisiologa de las estructuras que conforman el sistema visual para
poder desarrollar instrumentacin capaz de detectar micro-movimientos, movimientos
sacdicos, glisdicos, de seguimiento, de convergencia-divergencia, vestbulo-oculares,
pupilares, de la cabeza y registrar el campo visual. Aplicaciones en clnica y para el campo de
la investigacin en ingeniera biomdica.
Contenido:
61

Movimientos oculares. Anatoma del sistema oculomotor. Movimientos oculares voluntarios e


involuntarios. Caractersticas de los sistemas de registro y seguridad. Mtodos de registro de
movimientos oculares. Seales tpicas de movimientos oculares. Opto-oculogramas. Electrooculogramas. Electromiogramas. Video-oculografa. Aplicacin en clnica. Patologas del
sistema oculomotor. Nistagmo congnito. Aplicacin en investigacin. Perimtrica objetiva.
Anatoma de la retina. Campo visual. Perimtrica subjetiva. Permetro de Goldmann. Pantalla
tangente. Perimtrica objetiva. Permetro de Goldmann monocromtico (fibra ptica).
Permetro de Goldmann cromtico. Aplicacin en clnica. Aplicacin en investigacin.
Pupilometra. Anatoma del sistema visual. Movimientos pupilares. Video-oculografa.
Aplicacin en clnica. Aplicacin en investigacin.
BIBLIOGRAFIA:
-Tratado de Fisiologa Mdica Dr. Arthur C. Guyton, Ed. Interamericana, 4a edicin. Mxico,
1971.
- Adler's Physiology of the eye Clinical application. Robert A. Moses, The C. V. Mosby
Company. USA, 1981.
- Oftalmologa general Daniel Vaughan, Taylor Asbury, Edit. El manual moderno, Mxico,
1987.
- Neuroanatoma funcional, Dr. Jairo Bustamante B., Fondo educativo interamericano S. A.,
Colombia, 1978.
- Vision and visual dysfunction J. R. Cronly-Dillon, Macmillan press ltd Volumes 1-17
England , 1991.
- Neurological control systems studies in bioengineering, Lawrence Stark, Plenum press USA ,
1968.
- Handbook of bioengineering, Richard Skalak, Shu Chien McGraw-Hill USA , 1987.
- Bioengineering: Biomedical, Medical, and Clinical Engineering, A. Terry Bahill, PrenticeHall USA , 1981.
- Biomedical Instrumentation and measurements, Leslie Cromwell, Fred J. Weibell, Erich A.
Pfeiffer, Edit. Prentice-Hall 2nd edition USA , 1980.

3.1.37 VISIN HUMANA


Objetivo:
El curso tiene como objetivo proporcionar al estudiante los principios cientficos bsicos de
percepcin al color v a la luz blanca en condiciones fotpticas y escotopicas. Asimismo al estudio
de las estructuras anatmicas del globo ocular y su interrelacin en el proceso de visin humana
foveal y perifrica.
Contenido
1.- El ojo humano y la visin
1.1. Estructura del ojo
1.1.1. Cornea y esclera
1.1.2 Cuerpos filiares, coroides e iris
1.1.3 Retina
1.1.4 Fvea
1.2. ptica del ojo
Problemas comunes de la visin
62

Reflexin, transmisin y absorcin


2. Conos y bastones
Introduccin
Como se detecta la luz
Unidades fsicas y lumnicas de la intensidad de lu z
El proceso visual
Sensibilidad a la luz
Sensibilidad de conos y bastones
Escotpico
Fotoptico
Visin tricromtica
Adaptacin a la luz y la oscuridad
3. Teoras modernas de la visin
Young-Helmholts
Hering
Teora de zonas
4. Colorimetra
Conceptos bsicos
Importancia de la mediciones del color
Fuentes de luz y estndares
Especificaciones del color
4.5. Sistema Mansell
Sistema CIE
Ley de Grassman
El sistema CIE XYZ
Coordenadas de cromaticidad
5. Cromaticidad
5.1. Tipos de diagramas 5.2 Reproduccin del color
5.3. Ejemplos de diagramas
BIBLIOGRAFIA
-Peter G. J Barten. "Contrast sensitivity of the human eye and its effects on image qualm".
Edit. SP1E Optical Engineering Press. Washington USA. 1999.
-Karl R. Gegenfurtner y Lindsay T. Sharpe. "Color vision from genes lo perception". Edit.
Cambridge University Press. Cambridge UK, 1999.
-J. M. Artigas. P. Capilla. A. Felipey J. Pujol. "ptica fisiolgica psicofsica de la vision". Edit
Interamericana McGraw-Hill. Madrid, Espaa, 1995.
-Gunter Wyszecki y W. S. Stiles. "Color science concepts and methods, quantitative data and
formulae". Edit. John Wiley & Sons Inc., New York USA, 2000.
-R W G. Hunt. "Measuring colour". Edit. Fountain Press. England. 1998.
-Steven H. Schwartz.. "Visual perception a clinical orientation". Edit. Appleton & Lantje.
Connecticut USA. 1994
-Enck R Kandel. James H Schwartz.y Thomas M. JesselL "Principles of neural science". Edit.
McGraw-Hill. New York USA, 2000.
-J R. Cronlv-Dillon. Ed Vision and visual dvsfunction MacMillan Press. 1991

63

3.2 COMUNICACIONES
1er. Cautrimestre
Cuatro cursos obligatorios con duracin de 64 horas cada uno
- Probabilidad y Procesos Estocsticos
- Electrnica para sistemas de Comunicacin
- Procesamiento Digital de Seales
- Teora Electromagntica
2do. Cuatrimestre
Cuatro cursos obligatorios con duracin de 64 horas cada uno
- Sistemas Telefnicos de Comunicacin
- Ingeniera de Teletrfico
- Redes de Computadoras
- Fundamentos de Sistemas de Comunicaciones
3er. Cuatrimestre
Un curso obligatorio con duracin de 64 horas
- Teora Estadstica de las Comunicaciones
4to. Cuatrimestre
- Proyecto de Tesis
5to. Cuatrimestre
- Proyecto de Tesis
6to. Cuatrimestre
- Proyecto de Tesis
CURSOS OBLIGATORIOS
3.2.1 PROBABILIDAD Y PROCESOS ESTOCSTICOS
Objetivos:
Sentar las bases de la teora de la probabilidad y los procesos estocsticos para que el
estudiante pueda abordar distintos temas en las reas de las comunicaciones y el procesamiento
digital de seales. Introducir los conceptos de experimento aleatorio, probabilidad, variables
aleatorias, funciones de densidad, valores esperados y procesos estocsticos. Fomentar la
destreza en la manipulacin matemtica de eventos y seales aleatorias desde un enfoque de
probabilidad.
Contenido
1 Fundamentos de Probabilidad.
1.1 Eventos y Conjuntos.
1.2 Definiciones de Probabilidad.
1.3 Tcnicas de Conteo.
1.4 Combinatoria y Probabilidad.
2 La Probabilidad Axiomtica.
64

2.1 Definicin Axiomtica de Probabilidad.


2.2 Probabilidad Condicional.
2.3 El Teorema de Bayes y el Teorema de Probabilidad Total.
2.4 Eventos Independientes.
3 Eventos Mltiples.
3.1 Experimentos Combinados
3.2 Pruebas de Bernoulli.
3.3 Discusin y Teorema de Bernoulli.
4 Variables Aleatorias Discretas y Continuas.
4.1 El Concepto de Variable Aleatoria.
4.2 Funciones de Distribucin y Densidad.
4.3 Variables Aleatorias Especficas.
5 Funcin de Densidad de Probabilidad Condicional y Aproximaciones Asintticas.
5.1 Funcin de Densidad de Probabilidad Condicional.
5.2 El Teorema de Bayes y el Teorema de Probabilidad Total.
5.3 Aproximaciones Asintticas a la Variable Aleatoria Binomial.
6 Funciones de una Variable Aleatoria.
6.1 Clculo a Partir de la Funcin de Distribucin.
6.2 Clculo a Partir de la Funcin de Densidad.
6.3 Ejemplos de Clculo.
6.4 Variables Aleatorias Discretas.
7 Valores Esperados.
7.1 La Media.
7.2 La Varianza.
7.3 Sobre la Media y la Varianza.
7.4 Valores Esperados Condicionales.
8 Dos Variables Aleatorias.
8.1 Funcin de Distribucin de Probabilidad Conjunta.
8.2 Funcin de Densidad de Probabilidad Conjunta.
8.3 Independencia de las Variables Aleatorias.
9 Una Funcin de dos Variables Aleatorias.
9.1 Clculo a Partir de la Funcin de Distribucin Conjunta.
9.2 Ejemplos de Clculo.
9.3 Variables Aleatorias Discretas.
10 Dos Funciones de dos Variables Aleatorias.
10.1 Clculo a Partir de la Funcin de Distribucin Conjunta.
10.2 Clculo a Partir de la Funcin de Densidad Conjunta.
10.3 Ejemplos de Clculo.
10.4 Variables Auxiliares.
10.5 Variables Aleatorias Discretas.
11 Funciones de Densidad Condicional y Valores Esperados.
11.1 Funciones de Densidad Condicional.
11.2 Variables Aleatorias Discretas.
11.3 Media y Covarianza.
11.4 Valores Esperados Condicionales.
12 Momentos y Funcin Caracterstica.
12.1 Los Momentos y la Funcin Caracterstica.
12.2 Relacin entre la Funcin Caracterstica y los Momentos.
65

12.3 Momentos Conjuntos y Funciones Caractersticas Conjuntas.


12.4 Suma de Variables Aleatorias.
13 Procesos Estocsticos.
13.1 Estadsticas de Procesos Estocsticos.
13.2 Procesos Estocsticos estacionarios.
13.3 Espectro de Potencia.
13.4 Procesos Discretos en el Tiempo.
14 Procesos Estocsticos y Sistemas.
14.1 Sistemas con Entradas Estocsticas.
14.3 Espectro de Potencia y Sistemas Lineales.
14.2 Diferenciacin e Integracin.
14.4 Procesos Discretos en el Tiempo.
15 Procesos Estocsticos y Aplicaciones.
15.1 Cruces de Nivel de Procesos Gaussianos Estacionarios.
15.2 Puntos de Poisson y Ruido Impulsivo.
15.3 Procesos Cicloestacionarios.
15.4 Seales Determinsticas en Ruido.

Bibliografa :
- A. Papoulis and S. U. Pillai, Probability, Random Variables and Stochastic Processes, 4th
edition, McGraw-Hill, 2002.
- H. Stark and J. W. Woods, Probability and Random Processes with Applications to Signal
Processing , 3rd edition , Prentice Hall, 2001.
- W.B. Davenport, Jr. and W.L. Root, An Introduction to the Theory of Random Signals and
Noise , McGraw Hill, 1987.
- K. S. Shanmugan and A. M. Breipohl, Random Signals: Detection, Estimation and Analysis,
John Wiles and Sons, 1988.
- W. Feller , An Introduction to Probability Theory and Its Applications, Volume 1 , 3rd ed.,
John Wiley and Sons, Inc., New York , 1968.
- W. Feller, An Introduction to Probability Theory and Its Applications, Volume 2 , 2nd ed.,
John Wiley and Sons, Inc., New York , 1971.

3.2.2 ELECTRNICA PARA SISTEMAS DE COMUNICACIONES


OBJETIVOS
Los objetivos del curso son capacitar a los estudiantes de maestra en resolver una serie de
tareas que se presentan al disear y construir bloques de los sistemas de comunicaciones, as
cuando se operan sistemas de radiocomunicacin las cuales estn principalmente relacionadas
con los siguientes problemas:
a) La gran mayora de los sistemas modernos de comunicaciones operan en la regin de las
altas frecuencias: Cuando las frecuencias de operacin son altas, en los elementos y circuitos
que constituyen a los sistemas de comunicaciones se manifiestan una serie de efectos parsitos
(que alejan el comportamiento descrito por sus modelos de primer orden) que normalmente se
desprecian a bajas frecuencias.
b) Generalmente en la parte receptora de los sistemas de comunicaciones se reciben seales de
amplitud pequea y los ruidos, tanto los inherentes a los elementos como los externos (los
66

cuales son despreciables cuando las seales tienen amplitud grande) degradan la calidad de la
recepcin de la seal.
c) Cuando los sistemas de comunicaciones reciben seales tiles (una o varias
simultneamente), o cuando la seal til se recibe en presencia de interferencias, aparece todo
un conjunto de efectos indeseables que degradan o hacen imposible la recepcin de la seal, a
causa de la interaccin no lineal entre los diferentes componentes de la seal o entre la seal y
las oscilaciones interferentes. Los efectos de estas interacciones son insignificantes cuando se
considera a las amplitudes de las seales y oscilaciones interferentes pequeas.
d) Cuando se disean y construyen sistemas de comunicaciones, un mal desacoplamiento del
subsistema de tierras, o del subsistema de alimentacin degrada significativamente el
funcionamiento del sistema o de los bloques que lo constituyen.
e) En los circuitos analgicos de radiofrecuencia o circuitos digitales rpidos, un mal
acoplamiento de impedancias induce reflexiones que degradan severamente el funcionamiento
de los circuitos o incluso se puede llegar a su destruccin.
f) La operacin simultnea de sistemas de radiocomunicacin y de equipo que emplea para su
funcionamiento energa elctrica, generan un ambiente electromagntico complejo y
cambiante, que puede interferir a los sistemas de comunicaciones y a equipo electrnico. Este
problema se vuelve ms crtico conforme crece el nmero de sistemas de radiocomunicacin
tanto fijo como mvil, tambin conforme se incrementa la velocidad del reloj de los sistemas
digitales y la escala de integracin se hace mayor.
Para alcanzar el objetivo planteado, el curso tiene el siguiente contenido:
CONTENIDO
I. MODELOS DE ELEMENTOS FISICOS E INTERACCIONES DE LOS SISTEMAS DE
COMUNICACIONES
1.1 Limitaciones de los modelos de elementos fsicos.
1.2 Elementos semiconductores en circuitos de alta frecuencia para sistemas de
comunicaciones.
1.3 Interaccin entre los sistemas de comunicaciones.
II. INTRODUCCION A LA COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA
2.1 Qu es la compatibilidad electromagntica y su importancia en los sistemas de
comunicaciones.
2.2 Fuentes de oscilaciones interferentes, y emisiones espurias como manifestacin de
fenmenos de segundo orden.
2.3 Susceptibilidad a oscilaciones interferentes en radiorreceptores como manifestacin
de efectos de segundo orden de los componentes y circuitos que los constituyen.
2.4 Anlisis funcional de un enlace de radiocomunicacin, con nfasis en fenmenos de
segundo orden de los bloques que los constituyen.
III. CARACTERISTICAS DE LOS ELEMENTOS PASIVOS EN RADIOFRECUENCIA
3.1 Conductores: Efecto superficial y autoinductancia.
3.2 Resistores.
3.3 Condensadores.
3.4 Microcintas.
3.5 Inductores y transformadores.
3.6 Transformadores y acopladores direccionales.
3.7 Lneas de transmisin: Elementos de parmetros distribuidos.
IV. DESACOPLAMIENTO DE FUENTES DE ALIMENTACION
4.1 Problemtica general.
67

4.2 Acoplamiento de ruido a travs de una impedancia comn.


4.3 Clasificacin de las tierras de seal.
4.4 Desacoplamiento de las fuentes de alimentacin.
4.5 Filtros de desacoplamiento.
4.6 Desacoplamiento de amplificadores.
4.7 Caractersticas particulares del desacoplamiento del sistemas de alimentacin
para circuitos digitales.
V. MODELAMIENTO DE ELEMENTOS ACTIVOS PARA EL DISEO ASISTIDO POR
COMPUTADORA DE CIRCUITOS ELECTRONICOS
5.1 Modelamiento de transistores bipolares.
5.2 Tcnica de medicin de los parmetros de modelo de ebers-Moll.
5.3 Transistores de efecto de campo.
5.4 Fets de arseniuro de galio.
5.5 Amplificadores paramtricos.
5.6 Elementos activos de dos terminales para amplificar generar seales de microondas.
VI. ELEMENTOS DE DISEO DE CIRCUITOS DE ALTA FRECUENCIA
6.1 Acoplamiento de impedancias.
6.2 Acoplamiento de resistencias reales.
6.3 Acoplamiento de impedancias complejas.
6.4 Diagramas de SMITH.
6.4.1 Construccin de diagramas de Smith.
6.5 Ejemplos del empleo del diagrama de Smith.
6.5.2 Graficacin de impedancias.
6.5.3 Manipulacin de impedancias en el diagrama de Smith
6.5.4 Conversin de impedancias a admitancias.
6.5.5 Diseo de redes de acoplamiento de impedancias con ayuda del diagrama
de Smith.
6.5.6 Diseo de redes de acoplamiento tipo L con la ayuda del diagrama de
Smith.
6.6 Parmetros Y y parmetros S.
6.6.1 Parmetros distribuidos de redes de N puertos.
6.6.2 Ejemplo del empleo de estas ecuaciones: Matriz de parmetros de
dispersin de corriente.
6.6.3 Limitaciones de los parmetros Y, h, z, g.
6.6.4 Parmetros de redes de dos puertos.
VII. RUIDO EN AMPLIFICADORES Y RADIORRECEPTORES
7.1 Introduccin
7.1.1 Definicin del ruido.
7.2 Ruido en elementos electrnicos.
7.3 Ancho de banda de ruido.
7.4 Circuitos equivalentes del ruido trmico de elementos concentrados.
7.4.1 Adicin de fuentes de ruido.
7.5 Ruido de exceso.
7.6 Ruido de disparo.
7.7 Circuitos equivalentes de redes de dos puertos con ruido y de parmetros
concentrados.
7.7.1 Obtencin de los parmetros del modelo de una red ruidosa.
7.8 Figura de ruido y temperatura de ruido.
68

7.9 Resistencia optima de la fuente.


7.10 Ruido de redes conectadas en cascada.
7.11 Ruido en transistores bipolares.
7.11.1 Ruido equivalente de los transistores bipolares.
7.11.2 Figura de ruido ptima de los transistores bipolares.
7.12 Ruido en transistores de efecto de campo.
7.13 Ruido en amplificadores operacionales.
7.14 Otros tipos de ruido.
VIII. DISTORSIONES NO LINEALES EN SISTEMAS CUASILINEALES E
INTRODUCCION A LOS RADIORRECEPTORES
8.1 Introduccin
8.2 Distorsiones e interferencias en los radiorreceptores de comunicaciones.
8.3 Representacin en serie de potencias de las distorsiones no lineales en sistemas con
no linealidades pequeas.
8.4 Generacin de armnicas.
8.5 Compresin de ganancia.
8.6 Bloqueamiento.
8.7 Intermodulacin.
8.8 Modulacin cruzada.
8.9 Generacin AM-PM en sistemas con linealidades pequeas.
8.10 Series de volterra.
8.11 Mtodo estructural de anlisis para circuitos y sistemas no lineales.
8.12 Balance armnico modificado.
8.13 Mtodos de compensacin de las no linealidades en amplificadores.
8.13.1 Retroalimentacin negativa.
8.13.2 Anlisis del amplificador con retroalimentacin negativa no lineal.
8.13.3 Carga no lineal.
8.13.4 Amplificadores con transmisin de error hacia adelante.
IX. ELEMENTOS AVANZADOS DE LA ELECTRONICA PARA SISTEMAS DE
RADIOCOMUNICACION MOVIL Y DIGITAL
BIBLIOGRAFIA
TEXTOS

Electrnica para Sistemas de Comunicacin y Medicin. Dr. Hildeberto Jardn Aguilar


CINVESTAV-IPN, Reporte interno serie verde, octubre de 1989.

Compatibilidad Electromagntica de los Sistemas de Radiocomunicacin: Alfa Omega.

Amplificador de Alta Linealidad (reporte tcnico)

Radiorreceptores para sistemas de radiocomunicacin.

REFERENCIAS

Microwaves.

RF and Microwaves.

IEEE Microwaves.

RF and Microwave Linear and Nonlinear Circuits Rhode.

Communications Receiver W. Rhode.

Libros sobre Compatibilidad Electromagntica.

Libros sobre Electrnica de RF y Microondas.

69

3.2.3 PROCESAMIENTO DIGITAL DE SEALES


Parte I: Seales y Sistemas Analgicos
1.0 Caracterizacin de seales y sistemas analgicos
1.1 Clasificacin de seales y sistemas
1.2 Correlacin de seales determinsticas
1.3 Anlisis de sistemas lineales invariantes en el tiempo (LTI)
1.4 Seales aleatorias y correlacin
1.5 Respuesta de sistemas LTI a seales aleatorias
1.6 Seales complejas
2.0 Anlisis en frecuencia de seales y sistemas analgicos
2.1 El principio de mnimos cuadrados
2.2 Expansin en funciones ortogonales
2.3 Las series de Fourier para seales peridicas
2.4 La transformada de Fourier para seales transitorias
2.5 Densidad espectral de energa y potencia
2.6 Respuesta en frecuencia de sistemas LTI
2.7 Seales aleatorias y sistemas LTI
3.0 Tpicos selectos de seales y sistemas analgicos
3.1 La transformada de Laplace
3.2 Representacin de seales y sistemas pasabanda
3.3 Filtros analgicos
Parte II: Seales y Sistemas Discretos
4.0 Caracterizacin de seales y sistemas discretos
4.1 Clasificacin de seales y sistemas
4.2 Correlacin de seales determnisticas
4.3 Anlisis de sistemas lineales invariantes en el tiempo (LTI)
4.4 Sistemas descritos por ecuaciones de diferencia
4.5 Seales aleatorias y sistemas LTI
4.6 Generacin de secuencias aleatorias
5.0 Anlisis en frecuencia de seales y sistemas discretos
5.1 Las series de Fourier para seales peridicas
5.2 La transformada de Fourier para seales transitorias
5.3 Densidad espectral de energa y potencia
5.4 Respuesta en frecuencias de sistemas LTI
5.5 Seales aleatoria y sistemas LTI
6.0 La transformada z y sus aplicaciones a sistemas LTI
6.1 La transformada z y sus propiedades
6.2 Transformadas z racionales
6.3 Inversin de la transformada z
6.4 La transformada z universal
6.5 Anlisis de sistemas LTI en el dominio z
7.0 Anlisis y diseo de sistemas en el dominio de la frecuencia
7.1 La funcin de sistema y la respuesta en frecuencia de sistemas LTI
7.2 Clculo de la funcin de respuesta en frecuencia
7.3 Sistemas LTI como filtros de frecuencia selectivos
7.4 Sistemas inversos, deconvolucin e identificacin de sistemas
Parte III: Procesamiento Digital de Seales Analgicas
70

8.0 Muestreo de seales en los dominios del tiempo y la frecuencia


8.1 Muestreo en el tiempo de seales continuas en el tiempo
8.2 Conversin analgico-digital y digital-analgico
8.3 Muestreo en el dominio de la frecuencia de seales discretas en el tiempo:
La transformada discreta de Fourier
9.0 La transformada discreta de Fourier (DFT) y su clculo
9.1 La DFT y sus propiedades
9.2 Algoritmos de transformada rpida de Fourier (FFT)
9.3 Uso de la FFT en filtraje lineal y correlacin
10.0 Diseo de filtros digitales
10.1 Estructuras para filtros FIR
10.2 Estructuras para filtros IIR
10.3 Diseos de filtros FIR
10.4 Diseo de filtros digitales IIR de filtros analgicos
11.0 Prediccin lineal y filtros lineales ptimos
11.1 Representacin de las innovaciones de un proceso aleatorio
11.2 Prediccin lineal adelantada y retardada
11.3 Solucin de las ecuaciones normales
11.4 Filtros de Wiener para filtraje y prediccin
Bibliografa
- Proakis, J.G. and Manolakis, D.G., (1992). Digital Signal Processing: Principles, Algorithms,
and applications, Second Edition, Macmillan New Yor

3.2.4 TEORA ELECTROMAGNTICA


OBJETIVOS:
Los objetivos fundamentales de este curso de. Teora Electromagntica, es la de proporcionar
a los estudiantes de la especialidad de comunicaciones, una slida preparacin, en el
significado fsico y matemtico, del campo electromagntico y, adems, para que les sirva para
otros cursos que pueden tener relacin con este tema.
I. INTRODUCCION
II. LEYES DEL CAMPO ELECTROMAGNETICO EN EL ESPACIO LIBRE
2.1 Postulados Bsicos y Definiciones.
2.2 Densidad de Carga y Densidad de corriente.
2.3 Cuarto Postulado: Las Ecuaciones del Campo Electromagntico en el Espacio
Libre. Ecuaciones de Maxwell, de Gauss y de Conservacin de Carga, en Forma
Integral.
2.3.1 El Significado fsico de las leyes integrales del campo Electromangtico.
2.3.2 Ejemplos.
2.4 Resumen.
III. TEMAS DE ANALISIS VECTORIAL
3.1 El Gradiente, y las Derivadas Direccionales de Campos Escalares.
3.2 La Divergencia y el Teorema de Gauss.
3.3 El Rotacional y el Teorema de Stockes.
3.4 Resumen.
71

IV. LAS LEYES DIFERENCIALES DEL CAMPO ELECTROMAGNETICO


4.1 Las Leyes Diferenciales del Campo Electromagntico.
4.1.1 Las leyes o Ecuaciones de Maxwell.
4.1.2 El significado de las Leyes Diferenciales del Campo
Electromagntico.
4.2 Densidades Superficiales de Carga y de Corriente.
4.3 Condiciones de Frontera.
4.3.1 Discontinuidades en las Componentes Normales de los Campos Elctrico
y Magntico.
4.3.2 Discontinuidades en las Componentes Tangenciales de los Campos
Elctrico y Magntico.
4.3.3 El significado de las Condiciones de Frontera.
4.4 Ejemplos de Aplicacin de las Leyes del Campo Electromangtico, en su Forma
Diferencial.
4.5 El Campo Electromagntico en Conductores.
4.5.1 El modelo Macroscpico de Materia Conductora.
4.5.2 Las Leyes Diferenciales del Campo Electromagntico en Conductores.
4.6 Resumen.
V. CAMPOS ESTATICOS
5.1 Las Leyes de los Campos Electrosttico y Magnetosttico.
5.2 Campos Electrostticos.
5.2.1 El campo de Coulomb de Cargas Estticas Conocidas en todas partes.
5.2.2 Ejemplos de campos Electrostticos.
5.3 El Potencial Escalar.- Las Ecuaciones Diferenciales del Potencial Escalar.
5.3.1 Ecuaciones de Laplace y de Poisson.
5.3.2 La solucin particular de la Ecuacin de Poisson.
5.3.3 La Necesidad de una solucin Homognea.
5.4 Campos Magnetostticos.
5.4.1 El Potencial Magntico Vectorial.
5.4.2 El Campo Magnetosttico de Corrientes Conocidas Fijas.
5.5 El Potencial Magntico Escalar.
5.5.1 Corrientes dentro de V.- La Solucin Particular.
5.5.2 La Solucin Homognea y el Potencial Magntico Escalar.
5.5.3 Condiciones de Frontera.
5.6 Ejemplos de Campos Magnetrostticos.
5.7 Resumen.
VI. CAMPOS MACROSCOPICOS EN MATERIA
6.1 Campos Microscpicos y Macroscpicos en Materia.
6.2 El Modelo Macroscpico de Materia Polarizable.
6.2.1 Breve Descripcin de los Mecanismos de Polarizacin.
6.2.2 Densidad de Polarizacin.
6.2.3 Densidades de Carga y de Corriente de Polarizacin.
6.3 El Modelo Macroscpico de Materia Magnetizable
6.3.1 La Base Fsica del Magnetismo.
6.3.2 Breve Descripcin de los Mecanismos de Magnetizacin.
6.4 El Modelo de Corriente Amperiana
6.4.1 La Densidad de Corriente Amperiana.
6.5 El Modelo de Carga Magntica.
72

6.5.1 El Concepto de Carga Magntica.


6.5.2 Densidad de Carga Magntica.
6.6 Las Relaciones Constituyentes.
6.7 Resumen.
VII. ENERGIA Y POTENCIA ELECTROMAGNETICA
7.1 Fuerzas Electromanticas Ejercidas sobre Cargas Electricas en Movimiento.
7.2 Potencia Suministrada, por el Campo Electromagntico, a las cargas
Elctricas en Movimiento.
7.3 Conservacin de la Energa. Teorema de Poynting.
7.3.1 Forma Diferencial del Teorema de Poynting.
7.3.2 Forma Integral del Teorema de Poynting.
7.3.3 Algunas Dificultades en la Identificacin de la Densidad de Potencia S y
de la Densidad de Energa W.
7.4 La Energa Almacenada en los Campos Elctrico y Magnetismo.
7.5 Potencia Absorbida por Materia.
7.5.1 Densidades de Potencia de Polarizacin, de Magnetizacin y de Conduccin.
7.5.2 Teorema de Poynting en Materia.
7.6 Flujo de Potencia, de Campos Estticos y Disipacin en Materia.
7.7 Ejemplos de Aplicacin.
7.8 Resumen y Conclusiones.
VIII. ONDAS ELECTROMAGNETICAS
8.1 Ondas Electromagnticas en Medios Homogneos.
8.1.1 Ecuaciones de Propagacin de las Ondas, en el Espacio Libre.
8.1.2 Propagacin de Ondas Planas Uniformes. Solucin General de Ecuacin
de Propagacin de las Ondas, para Ondas Planas.
8.1.3 Ondas Planas Uniformes.
8.1.4 Relacin entre los Campos E y H, en Ondas Planas Uniformes.
8.1.5 Polarizacin.
8.2 La Ecuacin de Propagacin de las Ondas en Medios Conductores.
8.3 Conductores y Dielctrica.
8.4 Campos y Potencia en el Dominio de la Frecuencia.
8.4.1 Uso de vectores Complejos.
8.4.2 Polarizacin Elptica, Circular y Lineal.
8.4.3 El Teorema de Poynting en su Forma Compleja.
8.5 Velocidades de Fase, de Grupo y de Seal.
8.6 Ejemplos de Aplicacin.
8.7 Resumen y Conclusiones.
IX. RADIACION Y ANTENAS
9.1 Definiciones.
9.2 Leyes Bsicas del Campo Electromagntico y Potenciales
9.2.1 Potenciales Escalares y Vectoriales.
9.2.2 Ecuaciones Generales de Propagacin de Ondas.
9.2.3 Soluciones de las Ecuaciones Generales de Propagacin de las Ondas. Uso
de Potenciales Retardados.
9.3 Radiacin del Dipolo Elemental.
9.3.1 Campo de Fuentes Puntuales.
9.3.2 La solucin par el Dipolo Elctrico.
9.3.3 Propiedades del Campo del Dipolo.
73

9.3.3.1 Movimiento de Propagacin de Ondas.


9.3.3.2 Impedancias de Onda.
9.3.3.3 Vector de Poynting Complejo y Potencia Radiada.
9.3.3.4 Solucin para el Dipolo Magntico.
9.4 Antenas Fsicas
9.4.1 Naturaleza del Problema.
9.4.2 El dipolo Elctrico Fsico.
9.4.2.1 Detalles de Solucin.
9.4.2.2 Impedancias de Onda.
9.4.2.3 Caractersticas de Radiacin.
9.4.3 Antena Radiadora de Media Longitud de Onda.
9.4.3.1 Detalles de Solucin.
9.4.3.2 Caractersticas de Radiacin.
9.5 Arreglos.
9.5.1 Arreglos de Dipolos.
9.5.2 Factor de Fase o de Elementos, Factor de Arreglo.
9.5.3 Celosas, Factor de Elemento, Factor de Arreglo.
9.6 Ejemplos de Aplicacin.
9.7 Resumen y Conclusiones.
X. REFERENCIAS.
1. EXPERIMENTAL RESEARCH IN ELECTRICITY. By M. Faraday 1855
2. A TREATISE ON ELECTRICITY AND MAGNETISM VOLS. I & II. By James Clerk
Maxwell Third Edition 1981
3. ELECTROMAGNETIC THEORY VOLS. I, II & III. By Oliver Heaviside 1893
4. ELECTRIC WAVES. By H. R. Hertz 1900
5. THE MATHEMATICAL THEORY OF ELECTRICITY AND MAGNETISM. By Sir
James Jeans Five Edition 1925
6. INTRODUCTORY ELECTRODYNAMICS FOR ENGINEERS. By E. Benett and H. M.
Grothers 1926
7. THE ELECTROMAGNETIC FIELD. By Max Mason and Warren Weaver 1929
8. ELECTRICITY AND MAGNETISM. By M. Abraham and R. Becker 1930
9. PRINCIPLES OF ELECTRICITY. By L: Page and N.I. Adams 1931
10. TEXT BOOK OF PHYSICS, ELECTRICITY AND MAGNETISM. By J. H. Poynting and
Sir J.J. Thomson 1932
11. THEORY OF ELECTRICITY AND MAGNETISM. By M.K:E.L. Plank 1932
12. STATIC AND DYNAMIC ELECTRICITY By W. R. Smithe 1939
13. ELECTRODYNAMICS By L. Page and N. Y. Adams 1940
14. INTRODUCTION TO ELECTRICITY AND OPTICS By N. H. Frank 1940
15. ELECTROMAGNETIC THEORY By J. A. Stratton 1941
16. FUNDAMENTALS OF ELECTRIC WAVES By H.H. Skilling 1942
17 ELECTROMAGNETIC WAVES By S. Schelkunoff 1943
18. HYPER AND ULTRA-HIGH FRECUENCY ENGINEERING By R. Y. Sarabacher and
W. A. Edson 1943
19. ELECTROMAGNETIC ENGINEERING By R. W. P. King 1945
20. ELECTROMAGNETISM By J. C. Slater and N. H. Franki 1947
21 ELECTRIC AND MAGNETIC FIELDS By S. S. Attwood Third Edition 1949
22. ELECTROMAGNETIC WAVES AND RADIATING SYSTEMS By E.C. Jordan 1959
74

23. ELECTROMAGNETICFIELDS By E. Weaver 1959


24. ELECTRODYNAMICS By A. Somerfeld 1952
25. SHORT WAVE RADIATION PHENOMENA - VOLS I & II By A. Hund 1953
26. ELECTROMAGNETIC WAVES By G. Toraldo Di Francia 1953
27. FIELDS AND WAVES IN MODER RADIO By S. Ramo & J. R. Whinnery 1953
28. ELECTROMAGNETICS By J. D. Kraus 1953
29. TOPICS IN ELECTROMAGNETIC THEORY By D. A. Watkins 1958
30. ELECTROMAGNETIC FIELDS ENERGY AND FORCES By R. B. Adler, L. J. Chu, R.
M. Fano 1960
31. ELECTROMAGNETIC ENERGY TRANSMISSION AND RADIATION By R. B. Adler,
L. J. Chu, R. M. Fano 1960
32 ELECTROMAGNETIC FIELDS By R. A. Wangsness 1979
33. ELECTROMAGNETIC THEORY By Hayt 1979
34. ELECTROMAGNETIC FIELD, ENERGY AND WAVES By L. M. Magid 1981
35. INTRODUCTION TO ELECTROMAGNETIC FIELDS By C. R. Paul and S. A. Nasar
1982
36. THEORY OF ELECTROMAGNETIC WAVES: COORDINATE-FREE APPROACH By
H. C. Chen 1983
37. ELECTROMAGNETICS By J. D. Kraus Third Edition 1984
38. FUNDAMENTAL ELECTROMAGNETIC THEORY By reitz 1984
39. FUNDAMENTAL ELECTROMAGNETIC THEORY AND APPLICATIONS By R.W.P.
King and S. Prasad 1986
40. ELECTROMAGNETIC THEORY By Jin Au Kong 1986

3.2.5 SISTEMAS TELEFNICOS DE COMUNICACIN


CONTENIDO.
I. Estructura de la Red Telefnica.
1.1 Introduccin
1.2. Organizaciones de normalizacin.
1.3. Numeracin.
1.4. Enrutamiento.
1.5. Red de acceso y red de transporte.
1.6. Conmutacin.
II. Fuentes de informacin.
2.1. Informacin de voz.
2.2. Informacin de imgenes.
2.3. Informacin de video.
2.4. Informacin de datos.
III. Red de Acceso.
3.1 Lazo de abonado analgico.
3.2. Lazos de abonado digital.
3.3. Acceso por fibra ptica.
3.4. Acceso por cable coaxial.
IV. Nodos de conmutacin.
4.1 Introduccin.
4.2 Nodos de Conmutacin de circuitos.
75

4.3. Nodos de conmutacin de paquetes.


V. Sealizacin.
5.1. Sealizacin en redes de conmutacin de circuitos.
5.2. Voz sobre IP.
5.3. Arquitectura de protocolos TCP/IP.
5.4. Sealizacin en redes VoIP.
5.5. Servicios en VoIP.
5.6. Ejemplos de sistemas.
VI. Red de transporte.
6.1. Introduccin.
6.2. Medios de transmisin.
6.3. Multiplexaje digital plesicrono.
6.4. Multiplexaje digital sncrono.
6.5. Sistemas de transmisin por fibra ptica.
VII. Sincronizacin.
7.1. Introduccin.
7.2. Fluctuacin de fase.
7.3. Fluctuacin de frecuencia.
7.4. Sincronizacin global de las redes.

BIBLIOGRAFA
-Thomas Starr, et. al., Understanding Digital Subscriber Line Technology, Prentice Hall 1999.
-Tomas Starr, et. al., DSL Advances, Prentice Hall, 2003.
-David Large, et. al., Broadband Cable Access Networks: The HFC Plant, Elsevier, 2008.
-Leonid Kasawsky, et. el., Broad Band Optical Access Networks, Wiley, 2011.
-Stephen Wenstein, Passive Optical Networks, The last Mile Access, Wiley, 2012,
-John Bellamy. Digital Telephony, John Wiley & Sons, 2000.
-John C. McDonald. Fundamentals of Digital Switching, Plenum Press, 1990.
-Gary C. Kessler. ISDN, Concepts, Facilities and Services, McGraw-Hill, 1993.
- P. K. Bhatnagar. Engineering Networks for Synchronization, CCS7, and ISDN, IEEE Press,
1997.
-David J. Wright. Voice Over Packet Networks, John Wiley and Sons, 2001.
-Stefano Bregni. Sincronization of Digital Telecommunications Networks, John Wiley and
Sons, LTD, 2002.
-Byeong Gi Lee, Woojune Kim. Integrated Broadbnad Networks, Artech House, 2002.
-Sulkin, Alan. PBX Systems for IP Telephony, McGraw-Hill, 2002.
-Stallings, William. Wireless Communication and Networking, Prentice Hall, 2002.

3.2.6 INGENIERA DE TELETRFICO


Objetivos:
Comprender los conceptos y principios de la ingeniera de teletrfico y sus aplicaciones a
diferentes sistemas de comunicaciones. Por medio de modelos matemticos, entender la
relacin entre sistema, calidad de servicio y trfico ofrecido para ser utilizada como
herramienta de dimensionamiento, planeacin y/u optimizacin. Finalmente, revisar la forma
76

en que los anlisis matemticos pueden ser validados y empleados para la evaluacin del
desempeo.
CONTENIDO:
I. Introduccin
1.1 Motivacin a la teora de colas.
1.2 Caracterizacin de una estacin de servicio.
1.3 Naturaleza del trfico.
1.4 Igualdad de Little.
II. Tpicos de Probabilidad
2.1 Distribucin de probabilidad tiles en teletrfico.
2.2 Definicin de proceso estocstico.
2.3 Procesos de Poisson.
2.4 Funcin generatriz
III Procesos de Nacimiento y Muerte Unidimensional
3.1 Arribos aleatorios y cuasialeatorios.
3.2 Sistema con llamada perdida.
3.3 Sistema con cola de espera.
3.4 Simulacin de procesos de nacimiento y muerte.
IV. Procesos de nacimiento y muerte multidimensional
4.1 Algunos casos particulares.
4.2 Servicio en tndem.
4.3 Redes de colas de espera.
4.4 Mtodo de Wilkinson y trfico de desborde.
4.5 Tcnicas numricas.
4.6 Simulacin.
V. Redes de Conexin
5.1 Sistemas eslabn.
5.2 Graduaciones.
5.3 Redes sin bloqueo.
5.4 Mtodo de Jacoboeus.
5.5 Mtodo de Lee.
VI. Cademas de Markov Inmersas
6.1 Sistema M/G/s.
6.2 Sistema M/G/1/n.
6.3 Sistema GI/M/n.
VII Dimensionamiento y Planificacin de Redes
7.1 Retardo en redes de computadoras.
7.2 Asignacin de flujo.
7.3 Planificacin de redes pblicas telefnicas.
BILBIOGRAFIA
Tema 1.- R.B. Cooper, Introduction to Queueing Theory,
Mac Millan, EE.UU., 1972
Captulo 1
Tema 2.- R.B. Cooper, Introduction to Queueing Theory,
Mac Millan, EE.UU., 1972
77

Captulo 2
Tema 3.- R.B. Cooper, Introduction to Queueing Theory,
Mac Millan, EE.UU., 1972
Captulo 3
K.M: Olsson, Simulation on Computers, English
Translation of the Swedish edition of TELE #4,
Suecia, 1964
Tema 4.- R.B. Cooper, Introduction to Queueing Theory,
Mac Millan, EE.UU., 1972
Captulo 4
Tema 5 R. Mina, Introduction to Teletraffic Engineering
Telephony, EE.UU., 1974
A. Elldin, Switch Calculations General Survey,
L.M. Ericsson, Suecia, 1969
A. Elldin and G. Lind, Elementary Tepephone Traffic Theory,
L.M. Ericsson, Suecia, 1971.
C. Clos, A Study of Non Blocking Switching Networks
Bell System Technical Journal, March 1953, pp. 406-424.
C.Y. Lee, Analysys of Switching Networks, Bell System
Technical Journal, November 1955, pp. 1287-1315.
Tema 6.- R.B. Cooper, Introduction to Queueing Theory,
Mac Millan, EE.UU., 1972
Captulo 5 y 6.
Tema 7.- A.S. Tanenbaum, Computer Networks, Prentice Hall,
EE.UU., 1981, Captulo 2.
C. Marazzi, Pronsticos y Planificacin en Telecomunicaciones,
Ingeniera Elctrica, CINVESTAV.
Mxico, D.F., captulos 9 y 10.
G.J. jones, Tarifas del Servicio Telefnico,
Boletn de Telecomunicaciones,
Vol. 50, V-1983
Y. Rapp, Algunos Puntos de Vista Econmicos para el Planeamiento
de Largo Plazo de la Red Telefnica ,
L.M. Ericsson, Suecia
78

3.2.7 REDES DE COMPUTADORAS


Objetivos

Adquirir los fundamentos de las redes de computadoras y los protocolos

de comunicacin.

Asociar los fundamentos con los principales mtodos y tecnologas aplica

dos en la actualidad en la redes de computadoras y la Internet.


Programa del curso
Parte I: COMUNICACION DE DATOS
1.1 Transmisin de datos

Datos analgicos y datos digitales

Codificacin de datos analgicos en datos digitales

Seales digitales para la transmisin de datos

Razn de transmisin de bits y razn de sealizacin


1.2 Tcnicas de codificacin de seales

Modulacin digital

Codificacin de lnea
1.3 Tcnicas de comunicacin de datos

Transmisin asncrona y sncrona

Errores

Deteccin de errores

Correccin de errores
1.4 Control de enlace de datos

Requerimientos del control de enlace de datos

Sincrona de trama

Configuraciones de lnea

Direccionamiento

Control de flujo

Control de errores

Protocolo HDLC
1.5 Multiplexaje

Multiplexaje por divisin de frecuencia

Multiplexaje sncrono por divisin de tiempo

Multiplexaje estadstico

ADSL
Parte II: CLASIFICACION DE LAS REDES Y ARQUITECURA DE PROTOCOLOS
2.1 Redes de comunicacin de datos

Usos de las redes de computadoras

Caractersticas de los diferentes tipos de trfico

Modelos de servicio: sin conexin y orientado a conexin

Tcnicas de comunicacin en redes: conmutacin y broadcasting

Conmutacin de circuitos

Conmutacin de paquetes: circuitos virtuales y datagramas

Control del acceso al medio

LANs, MANs, WANs y PANs


2.2 Arquitectura de protocolos y modelos de referencia
79


La necesidad de una arquitectura de protocolos

Modelo OSI

Arquitecura de los protocolos TCP/IP


Parte III: REDES DE COMUNICACION
3.1 Enrutamiento en redes basadas en conmutacin de paquetes

Tcnicas de enrutamiento

Enrutamiento en Arpanet

Algoritmos de costo mnimo


3.2 Modo de transferencia asncrono

Antecedentes: X.25 y frame relay

Arquitectura de protocolos ATM

Conexiones lgicas en redes ATM

Celdas ATM

Transmisin de celdas ATM

Categoras de servicio en redes ATM

Capa de adaptacin ATM


3.3 Control de congestin

Efectos de la congestin

Control de la congestin

Manejo de trfico

Control de la congestin en redes basadas en conmutacin de paquetes

Control de la congestin en redes Frame Relay

Manejo de trfico en redes ATM


3.4 Redes de rea local (LANs)

Introduccin

Topologas y medios de transmisin

Arquitectura de los protocolos de una LAN: IEEE802

Puentes

Switches de capa 2 y capa 3

Redes Ethernet, Fast Ethernet y Gigabit Ethernet


3.5 Redes de rea local inalmbricas (WLANs)

Introduccin

Tecnologas para redes inalmbricas

WiFi: LANs inalmbricas IEEE 802.11


Parte IV: INTERCONEXION DE REDES Y CAPAS SUPERIORES
4.1 Interconexin de redes

Introduccin a la interconexin de redes

Operacin de los protocolos para interconexin de redes

Protocolo ARP

Protocolo Internet (IP)

Protocolo ICMP

IPv6

IP switching

MPLS

IP para mviles

Redes privadas: NAT, VPN


4.2 Mecanismos internos en una internet

Multicasting
80


Protocolos de enrutamiento en Internet

Servicios diferenciados
4.3 Protocolos de transport

Protocolo UDP

Mecanismos de los protocolos de transporte orientados a conexin

Protocolo TCP

Control de la congestion en TCP


4.4 Aplicaciones en Internet

Correo electrnico: SMTP y MIME

Administracin de redes: SNMP

Servicio de directorio: DNS

Transferencia de archivos: FTP

Acceso a la Web : URLs, URIs y HTTP

Voz y video sobre IP: RTP, RSVP, QoS


Bibliografa
[1] William Stallings. Data and Computer Communications. Prentice Hall, eighth edition,
2007.
[2] Andrew S. Tanenbaum. Computer Networks. Prentice Hall, fourth edition, 2003.
[3] Douglas E. Comer. Internetworking with TCP/IP. Prentice Hall, fifth edition, 2006.
[4] James F. Kurose. Computer Networking: A TopDown Approach. Addison-Wesley, fourth
edition, 2007.

3.2.8 FUNDAMENTOS DE SISTEMAS DE COMUNICACIONES


Objetivo
El objetivo de este curso es que el estudiante adquiera los conceptos fundamentales de los
sistemas de comunicaciones. Para lograr lo anterior, se inicia con un simple diagrama a bloques
de estos sistemas, de donde se desprenden todo un conjunto de tpicos asociados como los
medios de transmisin, las limitaciones del ruido, ancho de banda e interferencias, la
problemtica de la propagacin de las ondas de radio en diferentes frecuencias y ambientes, el
acondicionamiento de las seales al canal de comunicacin por medio de las tcnicas de
modulacin digital y los esquemas de diversidad como un mecanismo para combatir algunos
de los efectos que introduce el canal de radio. Posteriormente se abordan las consideraciones a
tomar en cuenta para la planeacin de un sistema de radiocomunicaciones y las diferentes
posibilidades de acceso mltiple y multiplexaje empleadas para hacer un uso ms eficiente del
medio de transmisin. Finalmente el curso concluye con las tcnicas de control de potencia
usadas en diferentes sistemas de comunicacin.
Contenido
1. Introduccin a los Sistemas de Comunicaciones
1.1 Definicin de un sistema de comunicaciones
1.2 Clasificacin de los sistemas de comunicaciones
1.3 Aplicaciones
1.4 Diagrama a bloques de un sistema de comunicaciones
1.5 Bloques del transmisor
1.6 Bloques del receptor
1.7 Definicin de canales de comunicacin
81

2. Medios de Comunicacin
2.1 Introduccin
2.2 El espectro electromagntico
2.3 Constantes primarias y secundarias de los cables elctricos
2.4 Caractersticas de transmisin del par torcido
2.5 Caractersticas de transmisin del cable coaxial
2.6 Caractersticas de transmisin de las fibras pticas
2.7 Caractersticas de transmisin de la atmsfera
2.8 Comparacin de los medios usados en los sistemas de comunicaciones
3. Problemas Generales de las Redes de Comunicaciones
3.1 Lmites fundamentales en los sistemas de comunicaciones
3.2 Ruido
3.3 Ancho de banda
3.4 Interferencia
3.5 Medidas de desempeo
3.6 Compromisos en los sistemas de comunicaciones
3.7 Sistema ideal de comunicaciones
4. Propagacin
4.1 Introduccin
4.2 Propagacin en el espacio libre
4.3 Propagacin sobre una superficie reflejante
4.4 El efecto de la atmsfera
4.5 Propagacin sobre terreno irregular
4.6 Propagacin en reas construidas
4.7 Caracterizacin del fenmeno multitrayectoria
5. Modulacin Digital
5.1 Introduccin
5.2 Clasificacin de los esquemas de modulacin
5.3 Modulacin por pulsos: PAM, PDM, PPM
5.4 Modulacin pasabanda
5.5 Espacio de seal y ruido
5.6 Deteccin
5.7 Tcnicas de modulacin BPSK, BFSK, QPSK, DQPSK, /2QPSK, MSK, OQPSK
5.8 Tcnicas de modulacin de alto nivel: M-PSK, M-QAM
5.9 Espectros
5.10 Eficiencia espectral
6. Tcnicas de Diversidad
6.1 Introduccin
6.2 Principio de reciprocidad
6.3 Macrodiversidad y microdiversidad
6.4 Diversidad en frecuencia
6.5 Diversidad en tiempo
6.6 Diversidad espacial
6.7 Combinadores
6.8 Coeficiente de correlacin
7. Consideraciones en la Planeacin de una Red de Radiocomunicacin
7.1 Trminos y objetivos de calidad
82

7.2 Necesidad de lnea de vista en sistemas de radiocomunicacin


7.3 Eleccin de la posicin ideal para las estaciones
7.4 Lnea de vista en sistemas punto a punto y punto (PP) a multipunto (PMP)
7.5 Incremento en el alcance del enlace y resolucin de obstculos en enlaces PP
7.6 Resolucin de problemas de cobertura y sombras en reas con enlaces PMP
7.7 ngulo de apertura de las antenas
7.8 Anlisis del enlace deseado (link budget)
7.9 Radio de cobertura en enlaces terrestres
8. Esquemas de Multiplexaje y Acceso Mltiple
8.1 Introduccin 8.2 Tcnicas de multiplexaje: FDM, TDM sncorno y TDM estadstico
8.3 Comparacin entre FDM y TDM
8.4 Clasificacin de las tcnicas de acceso mltiple
8.5 FDMA
8.6 TDMA
8.7 DS-CDMA
8.8 FH-CDMA
8.9 SDMA y antenas inteligentes
9. Control de Potencia
9.1 Introduccin
9.2 Control de potencia de lazo abierto
9.3 Control de potencia de lazo cerrado
9.4 Control de potencia en el enlace de bajada
9.5 Control de potencia en redes VSAT
Bibliografa
-Bell Telephone Laboratories, Transmission Systems for Communications, 1982.
-M. Schwartz, Information Transmission, Modulation and Noise, McGraw-Hill, 1990. -B.
Sklar, Digital Communications, Prentice Hall, 1988.
-W. Stallings, Data and Computer Communications, Macmillan, 1991.
-R. Steele, Mobile Radio Communications, Pentech Press & IEEE Press, 1992.
-J. D. Parsons, The Mobile Radio Propagation Channel, John Wiley & Sons, 1992.
-W. C. Jakes (Editor), Microwave Mobile Communications, IEEE Press, 1974.
-J. D. Parsons and J. G. Gardiner, Mobile Communications Systems, Halsted Press, 1989.
-S. Haykin, Digital Communications, John Wiley & Sons, 1988.
-J. G. Proakis, Digital Communications, McGraw-Hill, 1989.
-R. L. Freeman, Radio System Design for Telecommunications, John Wiley & Sons, 1997. R. Rom and M. Sidi, Multiple Access Protocols, Springer-Verlag, 1990.
-K. I. Kim (Editor), Handbook of CDMA System Design, Engineering and Optimization,
Prentice Hall PTR, 2000.
-G. Maral and M. Bousquet, Satellite Communications Systems, John Wiley & Sons, 2006.

3.2.9 TEORA ESTADSTICA DE LAS COMUNICACIONES


OBJETIVOS:
Ampliar y profundizar los conceptos de las comunicaciones, formar el sistema de los conceptos
tericos para los sistemas de comunicaciones.
83

Capitulo 1 Sistemas de Transmisin


1.1 Introduccin
1.2 Conceptos Preeliminares
1.2.1 Informacin, mensajes y seales
1.2.2 Canal de comunicacin
1.3 Transformaciones de mensajes y seales
1.3.1 Codificacin y Modulacin
1.3.2 Demodulacin y Decodificacin
1.3.3 Digitalizacin y cuantizacin de mensajes analgicos
1.4 Interferencia y Distorsin
1.4.1 Caracterizacin de la interferencia
1.5 Caractersticas de los sistemas de comunicacin
1.6 Preguntas acerca del captulo I
Capitulo 2 Sistemas de Modulacin Digital
2.1 Introduccin
2.2 El concepto de modulacin Digital
2.2.1 Parmetros modificables en la portadora
2.2.2 El subbloque de mapeador
2.3 Tipos de modulacin Digital
2.3.1 Modulacin de amplitud
2.3.2 Modulacin angular: Fase
2.3.3 Modulacin angular de fase binaria
2.3.4 Modulacin angular de fase M-aria
2.3.5 Modulacin angular de frecuencia binaria
2.3.6 Modulacin angular de frecuencia M-aria
2.3.7 Modulacin mezclada de amplitud y fase
2.4 Tcnicas para eficientar los mtodos de modulacin
2.4.1 El filtro formador
2.4.2 Cambios de fase mnimos en modulaciones de amplitud
2.4.3 Cambios de fase mnimos en modulacin de frecuencia
2.4.4 Relacin entre los cambios de fase mnimos de las modulaciones de
frecuencia y amplitud 2.4.5 Conclusin del captulo
2.5 Modulacin por codificacin de pulsos (PCM)
2.5.1 Diferentes tipos de modulacin por pulsos
2.5.2 Distorsin
2.6 Preguntas acerca del captulo 2
Captulo 3 Caracterizacin de seales
3.1 Introduccin
3.2 Representacin estadstica
3.2.1 Conceptos de procesos estocsticos
3.2.2 Espectro de una seal
3.2.2.1 Procesos estocsticos
3.2.2.2 Densidad espectral de potencia
3.2.3 Teorema de Wiener-Khinchin
3.3 Representaciones complejas y pasa-banda
3.3.1 Transformada de Hilbert
3.3.2 Representaciones pasa-banda y pasa-bajas
3.3.3 Procesos Cuasiarmnicos
84

3.3.3.1 Distribuciones de la envolvente y la fase de procesos Gaussianos


3.4 Preguntas acerca del captulo 3
Captulo 4 Espacio de seales
4.1 Introduccin
4.2 Espacio mtrico
4.3 Espacio lineal
4.3.1 Dimensin de un espacio vectorial
4.3.2 Espacio normado
4.3.3 Espacio Eucldeo
4.4 Expansin en series con polinomios ortogonales
4.5 Espacio de seales de energa finita
4.6 Teorema de Nyquist-Kotelnikov
4.7 Preguntas acerca del captulo 4
Captulo 5 Canales de comunicacin
5.1 Introduccin
5.2 Transformacin de seales en canales analgicos
5.2.1 Seales aleatorias en canales determinsticos
5.3 Multitrayectoria y desvanecimientos
5.3.1 Correlacin y tasa de desvanecimientos
5.4 Modelos matemticos de canales continuos
5.4.1 Canales continuos
5.4.2 Canales discretos
5.5 Modelos estadsticos
5.6 Preguntas acerca del captulo 5
Captulo 6 Transmisin de datos discretos en canales continuos
6.1 Introduccin
6.2 Criterios de recepcin
6.3 Algoritmos para deteccin coherente
6.4 Filtros acoplados. Implementaciones pasivas
6.4.1 Filtrado Cuasiptimo
6.5 Inmunidad al ruido de la deteccin coherente
6.6 Receptores no-coherentes
6.7 Inmunidad al ruido de la deteccin no-coherente
6.8 Canales con desvanecimiento
6.9 Diversidad en la recepcin
6.10 Receptores de seal ptimos en presencia de ruido no-Gaussiano
6.10.1 Ruido no-Gaussiano
6.10.2 Receptores lineales en presencia de ruido no-Gaussiano
6.10.3 Receptores localmente ptimos
6.11 Preguntas acerca del captulo 6
Captulo 7 Principios de la teora de la informacin
7.1 Introduccin
7.2 Parmetros de informacin, de mensajes y de seales
7.2.1 Informacin mutua
7.2.2 Redundancia
7.3 Entropa diferencial
7.4 Capacidad de canal
7.5 Comentarios acerca de la frmula de Shannon
85

7.6 Teoremas de codificacin de Shannon


7.7 Aplicaciones de la teora de la informacin a los sistemas de transmisin analgicos
7.8 Preguntas acerca del captulo 7
Captulo 8 Multiplexaje de seales y canales
8.1 Introduccin
8.2 Teora del multiplexaje
8.2.1 Divisin de cdigo
8.3 Acceso mltiple por divisin de frecuencia (FDMA)
8.3.1 Multiplexaje por divisin de frecuencia ortogonal (OFDM)
8.4 Acceso mltiple por divisin de tiempo (TDMA)
8.5 Sistemas con acceso libre
8.6 Acceso mltiple por divisin de cdigo (CDMA)
8.6.1 Formas de la seal
8.6.2 Tipos de sistemas CDMA
8.6.3 Receptor RAKE
8.6.4 Propiedades antijamming
8.7 Sistemas de banda ultra ancha (UWB)
8.7.1 Definicin y propiedades de un sistema UWB
8.7.2 Seales y principios de los sistemas UWB
8.8 Preguntas acerca del captulo 8
Captulo 9 Mtodos de codificacin
9.1 Introduccin
9.2 Codificacin de fuente
9.2.1 Ejemplo del cdigo Shannon-Fano
9.3 Cdigos correctores de errores (cdigos de bloque)
9.4 Cdigos con ponderacin constante
9.4.1 Cdigo Simplex
9.5 Cdigos lineales de bloques
9.6 Cdigos cclicos
9.6.1 Decodificacin de mayora para cdigos cclicos
9.7 Cdigos Concatenados
9.8 Un criterio para la comparacin de cdigos de bloques
9.9 Cdigos Convolucionales
9.9.1 Introduccin
9.9.2 Diagrama de trellis para cdigos convolucionales
9.9.3 Comentarios generales
9.10 Turbo cdigos
9.11 Sistemas de transmisin con retroalimentacin
9.11.1 Sistemas ARQ
9.12 Cdigos de lnea
9.13 Preguntas acerca del captulo 9
Captulo 10 Construcciones seal-cdigo
10.1 Introduccin
10.2 Constelaciones de seales basadas en PSK DPSK
10.2.1 Seales QAM
10.3 Construcciones seal-cdigo
10.3.1 Controversia entre tasa de transmisin e inmunidad contra el ruido
10.3.2 Introduccin a la modulacin codificada
86

10.3.3 Ejemplo de una construccin seal-cdigo


10.4 Modulacin codificada por trellis (TCM)
10.4.1 Mapeo por particin de conjunto
10.4.2 Codificacin
10.5 Preguntas acerca del captulo 10
Bibliografa:

J.G. Proanis Digital Communications, Yrd edition, MC Graw Hill, 2001

V. Ya. Kontorovitch, F. Ramos Alarcn Apuntes de Teora de las Comunicaciones


CINVESTAV-IPN, 2000, No. 56 serie verde

CURSOS OPCIONALES
3.2.10 COMUNICACIONES DIGITALES
Objetivo
El objetivo principal es el aprendizaje de los principios de la transmisin digital y la
implementacin de los distintos mtodos de la transmisin mediante el uso del procesamiento
digital de seales. Se propone proporcionar una base slida en los fundamentos de modulacin
digital, deteccin, codificacin de canal, igualacin y sincronizacin mediante planteamientos
generales y rigurosos, sin perder de vista la intuicin y la aplicabilidad prctica de los
conceptos abarcados. En este sentido se pretende capacitar tanto para el diseo bsico de
receptores ptimos como para la evaluacin de los sistemas de comunicaciones digitales en
trminos de sus factores de coste, tales como velocidad de transmisin, potencia, ancho de
banda y tasa de errores de bit.
Contenido
1 Codificacin de Fuente.
1.1 Conceptos y Medidas de Informacin.
1.2 Codificacin de Fuentes Discretas.
1.3 Codificacin de Fuentes Analgicas.
2 Codificacin de Canal
2.1 Cdigos de Bloque.
2.2 Cdigos convolucionales
2.3 Decodificacin de mximaverosimilitud
2.4 Cdigos concatenados y turbo cdigos-entrelazadores
2.5 Decodificacin suave de cdigos convolucionales
2.6 Decodificacin iterativa de turbo cdigos
3 Sincronizacin de Portadora y de Smbolo.
3.1 Estimacin de los Parmetros de la Seal.
3.2 Estimacin de la Fase de la Portadora.
3.3 Estimacin del Tiempo del Smbolo.
3.4 Estimacin Conjunta de la Fase de la Portadora y del Tiempo del Smbolo.
4 Transmisin en Canales Limitados en Ancho de Banda.
4.1 Interferencia entre Smbolos (IES).
87

4.2 Modulacin y Conformacin de Pulsos.


4.3 Ancho de Banda y Eficiencia espectral.
4.4 Receptor ptimo ML para canales con IES.
4.5 Igualadores Lineales.
4.6 Igualadores Realimentados.
4.7 Igualadores Lineales Adaptables.
5 Aspectos de Radio Frecuencia y Frecuencia Intermedia en Sistemas Digitales de
Comunicacin
5.1 El concepto Software Radio
5.2 Subsistemas de Radio Frecuencia
5.3 Distorsiones en la Etapa de Radio Frecuencia
5.4 Control Automtico de Ganancia
6 Otras Tcnicas de Transmisin Digital.
6.1 Sistemas Multiportadora OFDM.
6.2 Sistemas de Espectro disperso.
6.3 Sistemas Multiusuario CDMA.
6.4 Comunicacin en Canales con Desvanecimientos.
7 Sistemas de Comunicacin Tipo MIMO
7.1 Capacidad de canal en sistemas MIMO.
7.2 Diversidad contra Incremento de Tasa.
7.3 Codificacin Espacio-Tiempo.
Bibliografa
- J. G. Proakis. Digital Communications . 4th edition. McGraw-Hill International Editions.
2001.
- S. Benedetto and E. Biglieri , Principles of Digital Transmission with Wireless Applicatins ,
Kluwer Academic, 1999.
- E. A. Lee, D. G. Messerschmitt. Digital communication . 2nd ed. Kluwer Academic, 1994
- S. Haykin. Digital Communications . John Wiley & Sons Inc. 1988.
- B. Sklar. Digital Communications. Fundamentals and Applications . Prentice Hall
International Editions. 1988.
- E. G. Larsson and Petre Stoica, Space-Time Block Coding for Wireless Communications ,
Cambridge University Press, 2003.

3.2.11 PROCESAMIENTO DIGITAL DE SEALES AVANZADO


Objetivos:
Profundizar los conocimientos en el rea del procesamiento digital de seales aleatorias para
que el estudiante pueda abordar con seguridad distintos temas en esta rea que son importantes
desde puntos de vista tericos y prcticos. Se pone nfasis en tpicos que son importantes en el
campo de la ingeniera en comunicaciones.
Contenido
1 Modelos Lineales de Seal.
1.1 Introduccin.
1.2 Modelos de Puros Polos.
1.3 Modelos de Puros Ceros.
88

1.4 Modelos de Polos y Ceros.


2 Estimacin No-Paramtrica del Espectro de Potencia.
2.1 Anlisis Espectral de Seales Determinsticas.
2.2 Estimacin de la Autocorrelacin.
2.3 Estimacin del Espectro de Potencia.
3 Filtros Lineales ptimos.
3.1 Estimacin ptima de Seales.
3.2 Estimacin Lineal Mediante el Error Cuadrado Medio.
3.3 Solucin de las Ecuaciones Normales.
3.4 Prediccin Lineal.
4 Filtrado y Prediccin de Mnimos Cuadrados.
4.1 Principio de Mnimos Cuadrados.
4.2 Estimacin Lineal de Error por Mnimos Cuadrados.
4.3 Filtros FIR de Mnimos Cuadrados.
4.4 Estimacin Lineal de Seales por Mnimos Cuadrados.
4.3 Clculo de los Mnimos Cuadrados.
5 Modelado de la Seal y Estimacin Espectral Paramtrica.
5.1 El Proceso de Modelado de la Seal.
5.2 Estimacin de los Modelos de Puros Polos.
5.3 Estimacin de los Modelos de Polos y Ceros.
5.4 Aplicaciones: Estimacin Espectral y Modelado de la Voz.
5.5 Estimacin Espectral de Mnima Varianza.
5.5 Modelos Armnicos y Tcnicas de Estimacin de Frecuencia.
6 Filtros Adaptables.
6.1 Aplicaciones de Filtros Adaptables.
6.2 Principios de Filtros Adaptables.
6.3 Mtodo del Descenso Ms Empinado.
6.4 Filtros Adaptables por Cuadrado Medio Mnimo.
6.5 Filtros Adaptables por Mnimos Cuadrados Recursivo.
6.6 Funcionamiento de Rastreo de los Algoritmos Adaptables.
Bibliografa Bsica:
- D. G. Manolakis, V. K. Ingle and S. M. Kogon, Statistical and Adaptive Signal Processing:
Spectral Estimation, Signal Modeling, Adaptive Filtering and Array Processing, Artech House,
2005.
3.2.12 INTRODUCCIN A LOS SISTEMAS DE COMUNICACIONES
MVILES
Descripcin General:
Curso introductorio a los sistemas de comunicaciones mviles y a la metodologa de anlisis
matemtico para la evaluacin de su desempeo.
Objetivos:
Revisar la evolucin tecnolgica de los sistemas de comunicaciones mviles (estndares
1G 3G4G). Estudiar los principios de operacin, diseo, anlisis y optimizacin de los
sistemas de comunicaciones mviles. Adems, estudiar el modelado y las metodologas
de anlisis matemtico y por simulacin para su evaluacin y dimensionamiento.
89

Finalmente, estudiar diferentes estrategias y mecanismos de manejo de recursos para mejorar


su desempeo.
Contenido:
Conceptos Bsicos.
Propagacin en Radio Mvil.
Elementos de Control de los Sistemas Celulares.
Esquemas de Acceso Mltiple para Comunicaciones Inalmbricas.
Evolucin de los Sistemas Celulares (Estndares de 1G, 2G, 3G, 4G).
Elementos de Diseo de los Sistemas Celulares.
Manejo de Frecuencia y Asignacin de Canales.
Cobertura de las Celdas.
Interferencia.
Sectorizacin y Divisin de Celdas.
Transferencia de Llamada y Control de Potencia.
Modelado de Teletrfico.
Simulacin de Sistemas Celulares.
Dimensionamiento y Evaluacin de Capacidad de Sistemas con
TDMA/FDMA.
Dimensionamiento y Evaluacin de Capacidad de Sistemas con CDMA.
Esquemas de Manejo de Recursos.
Sistemas Celulares Jerrquicos.
Sistemas Microcelulares.
Elementos de Optimizacin de Sistemas Celulares.
Evolucin de los sistemas celulares para transmisin de datos (CDPD,
GPRS, EDGE, 1xRTT, 1xEVDO, HSDPA, HSUPA, WiMax, FlashOFMA
and IEEE 802.20).
Tendencias.
Bibliografa:
-Wireless and Cellular Communications by William C. Y. Lee.
-Wireless Network Evolution: 2G to 3G by Vijay K. Garg.
-WCDMA for UMTS: Radio Access for Third Generation Mobile Communications by Harri
Holma and Antti Toskala.
-WCDMA for UMTS: HSPA Evolution and LTE by Harri Holma and Antti Toskala.
-Fundamentals of Cellular Network Planning and Optimisation: 2G/2.5G/3G. Evolution to
4G by Ajay R. Mishra
-Fundamentals of WiMAX: Understanding Broadband Wireless Networking (Prentice Hall
-Communications Engineering and Emerging Technologies Series)
by Jeffrey G. Andrews, Arunabha Ghosh, Rias Muhamed.
-Artculos varios.

3.2.13 INGENIERA DE RADIOFRECUENCIA Y MICROONDAS


Objetivo

90

Preparar a estudiantes de maestra en los fundamentos, as como con las tcnicas de su anlisis
por computadora de los circuitos tanto pasivos como activos de RF y microondas que se
emplean en los modernos sistemas de radiocomunicacin.
Contenido
Introduccin a la ingeniera de RF y microondas: elementos de la teora de las lneas de
transmisin.
Lneas de transmisin y anlisis de circuitos de RF y microondas.
Acoplamiento de impedancias.
Resonadores, divisores de potencia y acopladores direccionales de RF y microondas.
Filtros y elementos unidireccionales de RF y microondas.
Circuitos activos para radiorreceptores.
Circuitos activos para transmisores.
Osciladores y mezcladores de RF y microondas.
Introduccin a sistemas de microondas.
Introduccin al diseo de circuitos de RF y microondas por computadora.
Bibliografa
- D. M. Pozar Microwave Engineering John Wiley and Sons.
- D. M. Pozar Microwave and RF Wireless Systems John Wiley and Sons.
- V. Rohde, D.P. Newkirk RF/Microwave Circuit Design for Wireless Applications John
Wiley and Sons.
Bibliografa Complementaria
- R. S. Carlson Radio Communications Concepts: Analog John Wiley and Sons.
- T. Itoh, G. Haddad, J. Harvey RF Technologies for low Power Wireles Communications
John Wiley and Sons.
- C. A. Balanis Antena Theory: Analysis and Design John Wiley and Sons.
- Manuales de operacin de paquetes de anlisis de circuitos de RF y microondas por
computadora.
- Pettai Noise in Recerving Systems John Wiley and Sons.
- K. Chang, Editor Encyclopedia de RF and Microwave Engineering John Wiley and Sons.

3.2.14 DISEO DE RECEPTORES Y


SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACIN

TRANSMISORES

PARA

Objetivo
Introducir a los estudiantes de la maestra en los requerimientos, diseo y tcnicas de
simulacin de bloques de RF para radiorreceptores y radiotransmisores de sistemas de
comunicacin, adems se presentan los requerimientos impuestos por los sistemas modernos de
comunicacin en los bloques de RF de receptores y transmisores.
Contenido
1. Introduccin a receptores y transmisores de los modernos sistemas de radiocomunicacin.
2 Diseo de bloque de RF de receptores.
3 Criterios de diseo del bloqueo de RF de transmisores.
91

4 Eficiencia de amplificadores de potencia de RF para transmisores.


5 Tcnicas de incrementar la linealidad de amplificadores de RF para radiorreceptores.
6 Tcnicas de linealizacin de amplificadores de RF para transmisores.
7 Tcnicas de simulacin por computadora de bloques de la etapa de RF de receptores y
transmisores.
8 Introduccin a enlaces de radiocomunicacin.
Bibliografa
- Razavi RF Microelectronics, John Wiley and Sons.
- Kevin Mcclaning, Tom Vito Radio Receiver Design Noble Publishing.
- Ulrich L. Rohde, David P. Newkirk, RF and Microwave Circuit Desing for Wireles
Application.
- G. Gonzalez Microwave Transistor Amplifier Analysis and Design, Prentice-Hall.
- Mihai Albulet RF Power Amplifiers, Noble Publishing.
- U.L. Rohde, J.C: Whitakor, and T.T. Bucher Communication Receiver: Principles and
Design, McGraw-Hill.
- J.C: Pedro, N. B. Carvalho Intermodulation Distrortion in Microwave and Wireless
Circuits, Artech House.
Bibliografa Complementaria
- George D. Vendelin Design of Amplifiers and Oscillators by The S-Parameter Method,
John Wiley and Sons.
- R. Petti Noise in Receiving Systems, John Wiley and Sons.
- H. W. Ott.., Noise Reduction Techniques in Electronic Systems John Wiley and Sons.
- H. Jardn Aquilar, Fundamentos de los Sistemas Modernos de Comunicacin, AlfaOmega.
- K. Chang Enciclopedia of RF and Microwave Engineering John Wiley and Sons.
- L. Laskar Modern Receiver Frond-Ends, John Wiley and Sons.

3.2.15 DIMENSIONAMIENTO DE SISTEMAS DE COMUNICACIN


MVIL
Objetivo
Proporcionar al estudiante los fundamentos matemticos para el dimensionamiento de Sistemas
de Comunicacin Mvil.
Contenido
1. Introduccin y Repaso de Probabilidad.
2. Procesos de Poisson.
3. Procesos de renovacin.
4. Cadenas de Markov finitas.
5. Cadenas de Markov con espacios de estados finitos contables.
6. Procesos de Markov con espacios de estado contables.
7. Dimensionamiento de Redes Celulares que transmiten por conmutacin de circuitos.
8. Dimensionamiento de Redes celulares que transmiten por conmutacin de paquetes.
92

Bibliografa
- Gallager, Robert, Discrete Stochstic Propcesses, Kluwer Academi Publishers, 1996.
- Cooper, Robert, Introduction to Queueing Theory, Ceep Press, 1990.
- The Member of the Technical Staf, Bell Labs, Handbook of CDMA System Design,
Engineering and Optimization, Prentice Hall, 2000.

3.2.16 REDES DE COMUNICACIONES INALMBRICAS


Objetivos
- Proporcionar al estudiante los fundamentos de diseo de las redes de comunicacin
inalmbrica.
- Estudiar las normas en las que se basan diversos sistemas inalmbricos en operacin en la
actualidad.
Contenido
1. Introduccin.
2. Redes de Comunicaciones.
3. Protocolos y TCP/IP.
4. Vo/IP.
5. Propagacin.
6. Esquemas de acceso.
7. Sistemas Celulares.
8. Ip Mvil.
9. Redes locales inalmbricas.
10. Lazo de abonado inalmbrico.
11. WiMax.
Bibliografa
- Stallings, William. Wireless Communications and Networking, Prentice Hall, 2002.
- Sklar, B, Digital Communications,Prentice Hall, 2001.
- Parsons, David,The Mobile Radio Propagatio Channel, John Wiley and Sons, 1992.
- Kumar, Vineet, IP Telephony with H.323, John, Wiley and Sons,

3.3 ELECTRNICA DEL ESTADO SLIDO


CURSOS OBLIGATORIOS
3.3.1 ELECTRNICA DIGITAL
OBJETIVO: Proporcionar al alumno un panorama general de las herramientas modernas de
diseo, simulacin e implementacin de circuitos digitales en base a dispositivos programables
como FPGAs, DSPs y Microcontroladores para la solucin de aspectos de ingeniera.
93

Este curso requiere conocimientos medios de electrnica digital, analgica y lenguajes de


programacin C y C++. Esta dirigido a gente con perfil de Ingeniera Electrnica, Ingeniera
Industrial, Ingeniera Mecnica, Fsico-Matemticos, Ingenieros en Computacin.
Contenido:
1.- DESCRIPCIN Y SIMULACIN DE CIRCUITOS DIGITALES UTILIZANDO
VHDL
1.1 Estado actual de la lgica programable.
1.1.1 Conceptos fundamentales.
1.1.2 Dispositivos lgicos programables simples.
1.1.3 Dispositivos lgicos programables complejos.
1.1.4 Arreglo de compuertas programables en campo.
1.2 Sintaxis del lenguaje.
1.2.1 Introduccin a lal descripcin en VHDL de circuitos digitales.
1.2.2 Estilos de programacin en VHDL.
1.2.3 Operadores y expresiones.
1.2.4 Objetos de datos.
1.2.5 Tipos de datos.
1.2.6 Atributos.
1.2.7 Declaracin de entidad y arquitectura.
1.3 Descripcin de flujo de datos.
1.3.1 Ejecucin concurrente y ejecucin serie.
1.3.2 Estructuras de la ejecucin flujo datos.
1.3.2.1 Asignacin condicional
1.3.2.2 Asignacin con seleccin.
1.3.2.3 Bloque concurrente.
1.3.3 Ejemplos.
1.4 Descripcin algortmica o funcional.
1.4.1 Diferencia entre variable y seal
1.4.2 Estructuras de ejecucin serie.
1.4.2.1 El bloque de ejecucin serie.
1.4.2.2 Sentencia de espera.
1.4.2.3 Sentencia condicional.
1.4.2.4 Sentencia de seleccin.
1.4.2.5 Bucles.
1.4.3 Ejemplos.
1.5 Descripcin estructural.
1.5.1 Definicin de componentes.
1.5.2 Llamado a componentes.
1.5.3 Estructuras de repeticin.
1.5.4 Ejemplos.
94

1.6 Diseo jerrquico en VHDL.


1.6.1 Subprogramas.
1.6.1.1 Declaracin de procedimientos funciones.
1.6.2 Llamadas a subprogramas.
1.6.3 Bibliotecas y paquetes.
1.6.4 Metodologa para el diseo jerrquico.
1.6.5 Ejemplos.
1.7 VHDL para simulacin.
1.7.1 Asignacin de retardos.
1.7.2 Notificacin de sucesos.
1.7.3 Descripcin de un banco de pruebas
1.7.3.1 Mtodo tabular
1.7.3.2 Utilizacin de archivos.
1.7.3.3 Metodologa de archivos
1.7.4 Ejemplos.
2.- MICROCONTROLADORES
2.1 Microcontroladores programables.
2.1.1 Introduccin.
2.1.2 Programacin de microcontroladores.
2.2 Arquitectura de un sistema con microcontroladores.
2.2.1 Arquitectura interna.
2.2.2 Mapa de memoria.
2.3 Microcontroladores de 8 bits.
2.3.1 Mtodos de operacin.
2.3.2 Recursos.
2.3.2.1 Manipulacin de puertos de entrada/salida.
2.3.2.2 Temporizadores y contadores.
2.3.2.3 Convertidor analgico/digital.
2.3.3 Manejo de interruptores.
2.3.4 Ejecucin de programas en varios modos.
2.3.4.1 Programa ejecutado desde EEPROM.
2.3.4.2 Programa ejecutado desde EPROM.
3.- PROCESADORES DIGITALES DE SEALES
3.1 Ventajas, caractersticas y aplicaciones de los procesadores digitales de seales.
3.2 Representaciones numricas de datos y aritmtica.
3.3 Arquitectura de procesadores digitales de seales.
3.3.1 Memoria.
3.3.2 Direccionamiento.
3.3.3 Conjunto de instrucciones.
3.3.4 Control de Ejecucin.
3.3.5 Cola de ejecucin (Pipeline).
95

3.3.6 Perifricos.
3.3.7 Facilidades de depuracin internas.
3.3.8 Manejo y consumo de energa.
3.3.9 Caractersticas de reloj.
3.4 Programacin de procesadores digitales de seales.
3.4.1 Software de programacin, depuracin y prueba.
3.4.2 Pr4ogramacin en lenguaje ensamblador.
3.4.3 Programacin en C y C++.
3.4.4 DSP-BIOS.
3.4.5 Bibliotecas de soporte del chip.
3.4.6 Bibliotecas de soporte de la tarjeta de desarrollo.
3.4.7 Bibliotecas numricas y de procesamiento digital de seales.
3.5 Tarjeta de programacin y depuracin de aplicaciones.
3.6 Utilizacin del procesador digital de seales.

BIBLIOGRAFA:

HDL Chip Design. Douglas J. Smith.


Doone Publications, Madison , AL , USA 1996.
Analysis and Design of Digital Systems with VHDL. Allen M. Dewey. PWS
Publishing Company, Boston , MA 1997.
VHDL: Lenguaje para Sntesis y Modelado de Circuitos. Fernando Pardo y Jos A.
Boluda Alfaomega, 2000.
Digital System Design Using VHDL. Charles H. Roth.
VHDL for logic synthesis. Andrew Rushton.
Analog and Digital Circuits for Electronic Control System Applications: Using the TI
MSP430 Microcontroller. Jerry Luecke. Newnes (2004).
Embedded Systems Design Using the TI MSP430 series. Chris Nagy. Newnes (2003).
Pic microcontrollers: An Introduction to Microelectronics. Martin P. Bates. Newnes, 2
Ed. (2004)
DSP Processor Fundamentals, Architectures and Features. Phil Lapsley, Jeff Bier, Amit
Shoham, Edward A. Lee. IEEE Press, 1997.
DSP-Based Electromechanical Motion Control. Hamid A. Toliyat and Steven Campbell
CRC Press, 2003.
Manuales de Texas Instruments. Versiones en formato PDF disponibles en www.ti.com
(DSP Developers Villag.

96

3.3.2 ELECTRNICA COMPUTACIONAL


Introduccin
El uso de computadoras para la solucin de problemas del mundo fsico es una experiencia casi
universal para aqullos que estn en las reas tcnico-cientficas. En el campo de la electrnica,
los simuladores de circuitos como Spice surgen en los aos 70, primero como herramienta
altamente especializada, para convertirse con los aos en un recurso al alcance de todos. Desde
entonces, se han desarrollado y comercializado muchos otros simuladores de inters en la
ingeniera.
Estas herramientas al alcance de todos han dado lugar a diversas reacciones que van de la
trivializacin la ms frecuente- hasta planteamientos filosficos profundos. No poco de lo que
sabemos del origen del universo es producto de la observacin directa modelos tericos y
simulaciones por computadora.
El rea de electrnica del estado slido, es de inters, aparte de la simulacin circuital
tradicional, la de transporte de carga elctrica en slidos, y en particular en semiconductores,
para el diseo de dispositivos semiconductores y circuitos integrados. Tambin son de inters
para la ingeniera la simulacin de la propagacin de calor y la de ondas pticas en medios
peridicos, incluyendo el transporte cuntico en transistores muy pequeos y en dispositivos
fotnicos.
En el rea de bioingeniera, por otra parte, se han utilizado modelos como el de HodgkinHuxley de la membrana celular, que pueden representarse como circuitos elctricos, con
caractersticas no-lineales diversas, en contraste con los transistores de la electrnica, donde la
no-linealidad dominante es la exponencial del diodo o transistor. La difusin volumtrica de
calor, tema clsico de la fsica, interesa en la terapia de calor. El clculo de campos
bioelctricos de origen cardiaco o cerebral, en sus modalidades directa e inversa, tiene
aplicaciones prcticas relevantes.
Un simulador computacional consta de modelos matemticos que traducen el fenmeno fsico
a ecuaciones que se resuelven analtica o numricamente, con la computadora como
herramienta de clculo. Este curso cubre diversos aspectos fundamentales de simulacin
comunes a la bioingeniera y la electrnica del estado slido, ejemplificados en los dos
prrafos anteriores. Al ser ambas multidisciplinarias, el nmero de disciplinas que tocan es
consecuentemente muy grande: matemticas, fsica, fsica del estado slido, electrnica del
estado slido, mecnica, qumica, bioqumica, electroqumica, entre otras. Afortunadamente, se
pueden aglutinar desde el punto de vista de modelos matemticos y mtodos computacionales,
permitiendo as una visin integral que parte del concepto de modelo y desemboca en
resultados numricos.
La validez de una simulacin descansa sobre todo en los modelos. El curso contiene elementos
de filosofa de la ciencia, en particular sobre los conceptos de teora, modelo y ley. Se
introducen las nociones sintctica y semntica de modelo, que definen dos campos de
simulacin extremos: el primero de ciencias duras, representado por ejemplo por la teora de
los circuitos, y el segundo, propio de la biologa, con el modelo de Lotka-Volterra de
97

depredador-presa. El punto de vista semntico se puede identificar tambin en modelos


compactos de circuitos elctricos/electrnicos. Las diferencias entre ambas visiones y las
intermedias, definen lo que se puede interpretar o deducir de una simulacin.
El tema de circuitos elctricos/electrnicos ilustra cmo se procede en todos los temas del
curso. En el mismo, se empieza con la representacin en forma de ecuacin matricial de las
ecuaciones de un circuito lineal de C.D. Se tocan los temas de lgebra lineal directamente
relacionados, y de teora de grficas. La ecuacin matricial de C.D. es la base de la solucin de
circuitos no-lineales, por medio del mtodo de Newton-Raphson, que tambin es expuesto en
clase. A continuacin, se tratan numricamente los circuitos dinmicos, mediante el mtodo de
Euler. A lo largo del proceso, se hace referencia a soluciones analticas, y se contrastan con los
resultados numricos. Se tratan a continuacin, con una lnea de razonamientos similar,
sistemas dinmicos representados con variables de estado, tanto continuos como discretos. Se
analiza, con ayuda de conceptos filosficos, la naturaleza de resultados en casos fsicos
diversos.
A continuacin, se pasa a problemas distribuidos del medio continuo como el de difusin de
calor, el de lneas de transmisin y potencial, y problemas de valores propios. Todos ellos
modelados con ecuaciones diferenciales parciales. Se introducen soluciones tanto analticas
como numricas, as como ejemplos de inters para la bioingeniera y la electrnica del estado
slido.
Por ltimo, se aborda el tema de propagacin de ondas en medios peridicos, de inters en
electrnica del estado slido y fotnica.
Con Mathematica, escogido para el curso, se pueden resolver problemas simblicamente
cuando la solucin existe, y tambin numricamente. Se cuenta ya con un nmero de ejemplos
programados con Mathematica, de complejidades diversas, que van de ejercicios de tarea
sencillos a un simulador simblico de circuitos, y la simulacin numrica de celdas solares.
Referencias
Electrnica del estado slido:
A. Vladimirescu, The Spice Book, John Wiley, 1994
S. Selverherr, Analysis and Simulation of Semiconductor Devices, 1984
John D. Joannopoulos Photonic Crystals: Molding the Flow of Light, Princeton University
Press, 2008
Bioelectrnica:
Joseph D. Bronzino, "The Biomedical Engineering Handbook," Third Edition.
Hodgkin, A., Huxley, A. "A quantitative description of membrane current and its application to
conduction and excitation in nerve," Bulletin of Mathematical Biology, v.52, 1, 1990.
Bin He (editor) "Modeling & Imaging of Bioelectrical Activity: Principles and Applications
(Bioelectric Engineering)", Springer, 2005.
98

Antecedentes
Este programa es precedido por 12 aos de enseanza del curso de Simulacin Electrnica
http://www.sees.cinvestav.mx/simulacion/. Difiere del programa del mismo en el reducido
nfasis en la simulaciones circuital y de dispositivos, y a cambio, la introduccin de ms
fenmenos descritos por ecuaciones diferenciales hiperblicas, as como la propagacin de
ondas en en medios peridicos como semiconductres cristalinos y cristales fotnicos. En los
dos aos que se ha impartido este curso, se ha enriquecido ya con la visin multidisciplinaria
de la bioingeniera, y se espera que dicha visin ampliada se refleje claramente en este
programa actualizado.
Contenido:
1.INTRODUCCIN.
Computacin en las ciencias e ingenieras.
Fsica, qumica, geometra, ingeniera.
Grado de utilizacin segn el campo.
Solidez e interpretacin de resultados segn el rea, y fines perseguidos.
Algunos paquetes de software al alcance, segn la aplicacin.
Electrnica computacional.
Simuladores al alcance para electrnica y bioingeniera.
2. CIRCUITOS ELCTRICOS.
Representacin para fines computacionales de circuitos elctricos: modelos y mtodo nodal
modificado (MNA).
Elementos RLC como modelos de fenmenos electromagnticos.
Leyes de Kirchhoff.
Modelos RLC fenomenolgicos.
Desarrollo de modelos de elementos circuitales de dos terminales mediante la
aplicacin de una teora o por simulacin.
Relacin entre la teora de los circuitos y la teora electromagntica: elementos RLC.
Ecuaciones de Maxwell: origen de los modelos R, L y C.
Relacin entre la teora de los circuitos con las ecuaciones de Maxwell: ecuaciones de
Kirchhoff .
Mtodo nodal modificado (MNA) de escritura automtica de ecuaciones circuitales.
Circuitos elctricos: resistivos y lineales.
Escritura por inspeccin de ecuaciones nodales de circuitos resistivos con slo fuentes
de corriente.
Escritura por inspeccin de ecuaciones de malla de circuitos resistivos con slo fuentes
de voltaje.
Mtodo nodal modificado (MNA) para circuitos resistivos con fuentes de voltaje.
99

Plantillas para diversos elementos anmalos de 2 y 4 terminales: fuentes de voltaje,


VCCS, etc.
Mtodo STA y teora de grficas.
Definicin de grfica, y sus elementos: nodos, ramas de rbol y eslabones.
Matrices A de incidencia, independencia lineal. Matrices B, C y D. Relaciones entre
estas matrices.
Formulacin de ecuaciones circuitales.
Escritura sistemtica de la matriz asociada al mtodo STA.
Ventajas y desventajas del Mtodo STA.
Solucin de sistemas de ecuaciones algebraicas lineales.
Mtodo de eliminacin de Gauss.
Nmero de operaciones requerido.
Invertibilidad de matrices y dominancia de la diagonal.
Patrn de doblamiento de la matriz.
Obtencin del nmero de condicin. Relacin del mismo con la singularidad de
matrices.
Solucin de sistemas algebraicos lineales con Mathematica.
Elementos de circuito no-lineales.
Elementos lineales y superposicin.
Definiciones de funcin y de biyeccin.
Elementos no-lineales y superposicin.
Ecuacin exponencial del diodo: inyectiva montona.
Soluciones grficas: diodo con resistencia y fuente de voltaje en serie.
Diodo con fuente de corriente.
Clasificacin de no-linealidades: no-lineal montona, no-lineal montona II.
Efecto de los elementos no-lineales en las ecuaciones MNA.
Ecuaciones de Maxwell y elementos no-lineales, definicin de ecuaciones constitutivas.
Mtodos numricos para elementos dinmicos insertos en el algoritmo MNA.
Solucin de circuitos RLC lineales grandes por el mtodo MNA.
Solucin numrica de una ecuacin diferencial de primer grado en una variable.
Mtodos de solucin de Euler hacia delante y hacia atrs, y mtodo trapezoidal.
Planteamiento general de estos mtodos.
El mtodo trapezoidal en lenguaje circuital adecuado al mtodo MNA.
Regiones de estabilidad para los tres mtodos.
Diagrama de flujos para un circuito con elementos dinmicos.
Perspectiva amplia de modelos electrnicos y simulacin.
Circuitos elctricos como modelos de fenmenos fsicos.
Modelos de un transistor: modelos de dispositivo y modelos compactos.
Definicin de modelo compacto.
Transistor bipolar y su modelo compacto.
Gummel-Poon del transistor bipolar.
Modelos compactos para la simulacin circuital de circuitos integrados.
100

Modelo compacto de Gummel-Poon del transistor bipolar


Modelo compacto del transistor MOS
Comparacin del anlisis de circuitos con la sntesis de los mismos.
Ayudas para resolver analticamente: realimentacin negativa, desacoplamiento y
pequea seal.
Ayuda para la solucin analtica: encapsulamiento de la complejidad.
Circuitos digitales fuertemente no-lineales: son ms resistentes todava a mtodos
analticos.
Conforme crecen los circuitos, su solucin analtica se va haciendo imposible.
Herramientas analticas para clculos de primer orden: realimentacin negativa,
linalizacin, divisin en bloques, desacoplamiento de DC, anlisis de pequea seal,
etc.
Dnde encajan los simuladores?.
Dependencia de la temperatura.
Clculo ms exacto de la ganancia.
Distorsin harmnica.
Variaciones por tolerancia de componentes.
Qu tan grandes puede ser un circuito?.
Ejemplos reportados y tiempos de simulacin en diversas plataformas.

Referencias
W. E. Boyce, Richard R. C. Diprima, Ecuaciones diferenciales y problemas con valores en la
frontera Editorial Limusa (1998).
S. S. Skiena, Graph Theory with Mathematica (1990)
Farid N. Najm, Circuit Simulation,, John Wiley, 2010.
Jan Ogrodzki, Circuit Simulation Methods and Algorithms.
A. Vladimiresku, The Spice Book, John Wiley (1994).
Pozo cuntico: E. F. Schubert, Physical Foundations of Solid-State Devices
http://www.docstoc.com/docs/8979481/Physical-Foundations-of-Solid-State-Devices
Shooting method: N. J. Giordano, H. Nakanishi "Computational Physics, 2nd edition, Cap. 6"
(QC20.7E4G56 2005 EJ.2 en IPN-ESFM).
Ecuaciones de Kirchoff: http://en.wikipedia.org/wiki/Kirchoff%27s_circuit_laws
Leyes de convervacin: http://en.wikipedia.org/wiki/Conservation_law

3. Sistemas dinmicos.
101

Dinmicos continuos.
Sistemas dinmicos y vectores de estado.
Un oscilador mecnico lineal.
Oscilador elctrico RLC.
Dinmica de zorros con rabia: ecuacin de Lotka-Volterra.
Dinmicos discretos.
El mtodo de Newton-Raphson visto como sistema dinmico discreto.
Un ejemplo de finanzas personales.
Estabilidad de sistemas dinmicos discretos y continuos.
Puntos fijos y estabilidad en una variable.
Puntos fijos y estabilidad en varias variables.
Estabilidad de sistemas no-lineales.
Puntos fijos y estabilidad.
Matemticas asociadas (tambin a temas posteriores).
Diagonalizacin de matrices.
Propiedades de matrices diagonalizadas.
Exponencial de una matriz.
Valores y vectores propios de una matriz.
Ecuacin diferencial homognea vista como problema de valores propios.
Funciones y variables de estado como vectores.
Operadores como matrices.
Operadores hermitianos y sus propiedades.
Referencias
E. R. Scheinerman, "Invitation to dynamical systems".
4. Filosofa de la ciencia, modelos y arte de modelar
.
Definiciones de modelo.
Ejemplos de modelo: simulador de vuelo, maniqu para entrenamiento mdico,
simulador de caballo para aprender a montar.
Razones comunes para el uso de muchos simuladores: economa y reduccin de riesgos,
ayudan tambin a construir modelos tericos.
Simuladores de mundos virtuales.
Dos definiciones de simulacin.
Elementos constitutivos de un simulador.
El arte de modelar: modelado en matemticas, fsica, biofsica e ingeniera.
Referencias
Rosenblueth, N. Wiener, The Role of Models in Science.
A. Bird, The Philosophy of Science, Introduction.
Modeling: Gateway to the Unknown by Rom Harr (2004).
102

5. Ecuaciones diferenciales parciales (EDPs).


Potencial: ecuacin diferencial parcial elptica.
EDPs elpticas: pueden representar campos estticos, elctricos y gravitacionales, entre
otros.
Obtencin a partir de las ecuaciones de Maxwell, de las ecuaciones de Poisson y
Laplace de campos electrostticos.
Ejemplos de condiciones de frontera de Dirichlet.
Solucin de la ecuacin de Laplace en dos dimensiones, por separacin de variables.
Solucin analtica de la ecuacin de Poisson en coordenadas esfricas.
Solucin por diferencias finitas por los mtodos explcito e implcito de CrankNicholson.
Obtencin del error de truncamiento y las condiciones de estabilidad en los casos
anteriores.
Nmero de condicin de la matriz caracterstica.
Solucin con Mathematica.
Difusin: ecuacin hiperblica.
Aplicaciones: en bioingeniera, terapia hipertrmica de cuerpo entero para curar cncer,
en electrnica, difusin trmica de impurezas en semiconductores.
Leyes de transporte y EDPs parablicas.
Transporte de sustancia: ley de Fick.
Transporte de calor: ley de Fourier.
Transporte de carga: ley de Ohm.
Condiciones de frontera de Dirichlet, Neuman y Robin.
Obtencin de las EDPs parablicas de transporte asociadas a las leyes anteriores.
Lnea de transmisin RC, leyes de Ohm y de Ampere.
Solucin analtica de la EDP parablica, lineal y homognea, con condiciones de
frontera, por separacin de variables.
Solucin de la EDP parablica con condiciones infinitas por medio de transformadas
integrales.
Solucin numrica del problema con condiciones espaciales de frontera.
Sustitucin de la EDP por un problema discreto de diferencias finitas.
Mtodo explcito y mtodo implcito de Crank-Nicholson.
Deduccin del error de truncamiento local y de la condicin de estabilidad.
Nmero de condicin de la matriz resultante.
Solucin con Mathematica.
Ondas estacionarias: ecuacin hiperblica con condiciones de frontera.
Aplicaciones: esferas micromtricas de slica fundida, con aplicaciones en bioingeniera
y la fotnica, cavidades resonantes lser, etc. Tambin describen la acstica de
instrumentos musicales y la de la Galera de Susurros de la Bveda de la catedral de
San Pablo en Londres, entre muchos fenmenos oscilatorios.
Obtencin de la ecuacin de onda a partir de las ecuaciones de Maxwell.
Condiciones de frontera de Dirichlet, Neuman y cclicas.
Pozo cuntico infinito: un caso de solucin analtica muy simple de la ecuacin de
Schroedinger.
103

Deduccin de la EDP de una cuerda en vibracin PDE, a partir de la segunda ley de


Newton y de la ley de Hooke.
Solucin analtica de la EDP hiperblica, lineal y homognea con condiciones de
frontera de Dirichlet, por separacin de variables.
Solucin analtica de la EDP hiperblica, lineal y no-homognea, mediante una
transformacin integral.
Solucin numrica por diferencias finitas.
Mtodo explcito y mtodo implcito de Crank-Nicholson.
Deduccin del error de truncamiento local y de la condicin de estabilidad.
Nmero de condicin de la matriz resultante.
Solucin con Mathematica.
Referencias
De Maxwell a Poisson http://en.wikipedia.org/wiki/Laplace_equation
Stanley J. Farlow, Partial Differential Equations for Scientists and Engineers, Dover, 1993.
Muchos de los temas de estee temario son tratados matemticamente, pero de forma accesible.
Dennis M. Sullivan Quantum Mechanics for Engineers, Wiley, 2012. Ecuacin de
Schroedinger.
W. E. Boyce, Richard R. C. Diprima, Ecuaciones diferenciales y problemas con valores en la
frontera Editorial Limusa (1998). Trata separacin de variables.
6. Ondas viajeras en medios continuos e infinitos.
Ecuacin de onda en medios continuos y lineales.
Describe: la propagacin de ondas de radio, ondas de ultrasonido en el cuerpo humano,
propagacin de luz en el espacio abierto, y en fibras pticas, pozo infinito de la
mecnica cuntica.
Deduccin de la ecuacin de onda a partir de las ecuaciones de Maxwell.
Condiciones de frontera aislante-metal y aislante-aislante.
Ondas acsticas y la ecuacin de onda, misma ecuacin, pero origen fsico
distinto.
Solucin analtica de DAlambert de la ecuacin de onda.
Primera solucin particular.
Segunda solucin particular.
Ondas estacionarias.
Velocidad de grupo y velocidad de fase.
Solucin numrica
Por descomposicin en valores propios.
Por diferencias finitas en el dominio del tiempo (FDTD).
104

Referencias
Stanley J. Farlow, Partial Differential Equations for Scientists and Engineers, Dover, 1993.
Muchos de los temas de este temario son tratados matemticamente, pero de forma accesible.
Richard Feynman, The Feynman Lectures on Physics, Vol. II (electromagnetismo).
7. Propagacin de ondas en medios peridicos.
Ejemplos: propagacin de una onda ptica por un medio cuya permitividad vara.
Peridicamente con la distancia, propagacin de ondas en cristales. Circuito resonante
LC en el que C vara peridicamente. Filtros fotnicos de 1, 2 y 3 dimensiones.
Casos particulares con soluciones analticas aproximada.
Solucin de Floquet de la ecuacin de Mathieu, en el caso de un medio cuya
permitividad vara peridicamente en forma senoidal.
Mtodo WKB combinado con el de perturbaciones.
Teorema de Bloch: Propagacin de un electrn a travs de un potencial rectangular
peridico: modelo de Kronig-Penney.

Bandas prohibidas en cristales fotnicos.


Formulacin general como problema de valores propios en 3 dimensiones.
Mtodo de diferencias finitas en el dominio del tiempo (FDTD).
Mtodo espectral de ondas planas.
Solucin con Mathematica de un probema en 1D por por el mtodo de matrices de 2x2.

Referencias
Kronig-Penney: E. F. Schubert, Physical Foundations of Solid-State Devices
http://www.docstoc.com/docs/8979481/Physical-Foundations-of-Solid-State-Devices
Mathieu, Floquet y Brillouin: Lon Brillouin, "Wave propagation in periodic structures pp 173", (1946), QC661.B73.
Pochi Yeh, "Optical wavesin layerd media," John Wiley, 1988.
John D. Joannopoulos, S. G. Johnson, J.N Winn, R. D. Meade, "Photonic crystals: molding the
flow of light", (2008), http://ab-initio.mit.edu/book/.
Programa de simulacin: MPB (MIT Photonic-Bands (MPB).
http://ab-initio.mit.edu/wiki/index.php/MIT_Photonic_Bands
105

Programa de simulacin: MEEP (Finite Differences Time Domain).


http://ab-initio.mit.edu/wiki/index.php/Meep

3.3.3 FSICA DE SEMICONDUCTORES


OBJETIVOS: Proporcionar al estudiante los elementos tericos necesarios para entender las
propiedades estructurales, elsticas y elctricas de los semiconductores.
Contenido:
TEMA 1: CRISTALOGRAFA.
1.1 Definicin de un cristal
1.2 Ordenaciones atmicas, planos cristalinos, ndice de Miller, distancia entre planos, malla
elemental, base.
1.3 Estructuras cristalinas, redes de Bravais.
1.4 Difraccin de rayos X; Condiciones de Von Laue, Ley de Bragg, esfera de Ewald, red
recproca, factor de estructura.
1.5 Mtodos Experimentales de difraccin
* Determinacin de direcciones cristalinas en monocristales.
* Determinacin de la estructura cristalina.
TEMA 2: FONONES.
1.1 Vibraciones de redes monoatmicas
i) 1a. Zona de Brillouin
ii) Velocidad de grupo
iii) Lmite contino
2.2 Redes con dos tomos en la celda primitiva.
2.3 Propiedades pticas en el infrarrojo.
2.4 Modos locales de fonones.
2.5 Momentum de fonones.
2.6 Dispersin inelstica de fotones por fonones de longitud de onda larga.
2.7 Dispersin inelstica de neutrones por fonones
TEMA 3: MOVIMIENTO DE ELECTRONES EN SLIDOS.
3.1 Modelo de Kronig-Penney: E(k), zona reducida.
3.2 Modelo de electrn casi libre.
3.3 Modelo del electrn fuertemente ligado: caso de la red cbica simple
3.4 Dinmica de partculas cargadas: masa efectiva, cantidad de movimiento.
3.5 Electrones y huecos, condiciones de difraccin en las fronteras de las zonas de Brillouin.
3.6 Densidad de estados y ocupacin: Conductores, Dielctricos y Semiconductores.
TEMA 4: SEMICONDUCTORES HOMOGNEOS.
106

4.1 Estadstica de Fermi-Dirac.


4.2 Estadstica de semiconductores homogneos no degenerados.
4.3 Ley de accin de masas
4.4 Semiconductores intrnsecos: ni(Eg, m*e,h, T), Concentracin de portadores libres,
conductividad, nivel de Fermi en funcin de Eg, m*, T.
4.5 Semiconductores extrnsecos: impurezas hidrogenoides, estadstica de impurezas.
4.6 Clculo del nivel de Fermi: ionizacin total, parcial, mtodo de Shockley.
4.7 Variacin del nivel de Fermi en un Semiconductor con varios niveles en la Banda
prohibida, dependencia con la temperatura.
4.8 Conductividad en semiconductores extrnsecos.
4.9 Semiconductores inhomogeneos.
TEMA 5: TEORA
TRANSPORTE.

CINTICA

ELEMENTAL

EN

LOS

PROCESOS

DE

5.1 Tiempo de colisin.


5.2 Seccin eficaz de dispersin y su relacin con el tiempo de colisin.
5.3 Conductividad trmica.
5.4 Conductividad elctrica.
5.5 Autodifusin.
TEMA 6: TEORA DEL TRANSPORTE UTILIZANDO LA APROXIMACIN DEL
TIEMPO DE RELAJACIN.
6.1 Propiedades trmicas y elctricas de un gas de electrones.
6.2 Dispersin por impurezas en semiconductores degenerados.
6.3 Dispersin por fonones en semiconductores no degenerados.
6.4 Efecto de electrones calientes.
6.5 Efectos termoelctricos.
6.6 Efectos galvanomagnticos.
TEMA 7: SEMICONDUCTORES EN DESEQUILIBRIO.
7.1 Ecuaciones de continuidad.
7.2 Mecanismos de recombinacin; teora de Schokley-Read.
7.3 Dependencia del tiempo de vida de los portadores de carga en funcin de la temperatura
y de la posicin de los centros de atrapamiento dentro de la banda prohibida.
7.4 Definicin de centros de atrapamiento de adherencia y centros de
recombinacin.
7.5 Generacin luminosa de centros de carga.
7.6 Ecuacin de transporte ambipolar y coeficiente de difusin ambipolar.
BIBLIOGRAFA:

Quantum Theory of Atoms, Molecules Solids, Nuclei and particles, R. B. Eisberg & R.
Resnik J. Wiley.
Quantum Mecahnics, L. I. Shiff, Mc. Graw Hill.
Principles of Modern Physics, R. B. Leighton, Mc. Graw Hill.
107

Introduction to Solid State Physics, C. Kittel, John Wiley & Sons.


Physics of Semiconductors, J. L. Moll, Mc. Graw Hill.
Solid State and Semiconductor Physics, J. P. McKelvey, Harper & Row.
Electronic Properties of Crystalline solids: an Introduction to Fundamentals, R. H. Bube
Acad. Press.
Electrons and Crystals, T. L. Martin & W. F. Leonard, Cole Pub.
Physics and Technology of Semiconductor Devices, A. S. Grove, J. Wiley
Physics of Semiconductor Devices, S. M. Sze, J. Wiley
Fsica de los Semiconductores, K. V. Shalimova, Editorial Mir

3.3.4 TECNOLOGA DE SEMICONDUCTORES I


OBJETIVOS: Introducir al estudiante al estado del arte de la tecnologa del silicio,
aplicaciones fundamentales de los procesos tecnolgicos bsicos ya estudiados y
complementacin de los conocimientos sobre tcnicas de depsito y ataque en seco de capas
dielctricas y semiconductoras, as como procesos fotolitogrficos y algunos aspectos sobre
caracterizacin y control de parmetros tecnolgicos. Introducir al estudiante en procesos de
fabricacin de dispositivos orgnicos.
Como resultados el estudiante deber saber:
1) Los procesos tecnolgicos que se requieren para fabricar dispositivos discretos y circuitos
integrados en base a silicio y materiales orgnicos:
2) Algunas tcnicas de evaluacin de los mismos como resistividad por 4 puntas y curvas C-V.
3) Deber saber calcular un proceso de oxidacin y caracterizarlo una vez obtenido.
4) Deber conocer los pasos fundamentales de una secuencia tecnolgica para realizar un
circuito integrado CMOS.
Metodologa
El curso se impartir mediante conferencias, ejercicios prcticos y sesiones en las que los
alumnos se le asignarn temas para presentar y discutir.
MODO DE EVALUACIN: La evaluacin consistir en preguntas orales o tareas asignadas
durante el semestre, y un examen final escrito.
Contenido:
TEMA1: INTRODUCCIN A LA TECNOLOGA PLANAR, CONCEPTO DE
TECNOLOGA LIMPIA.
TEMA 2: CARACTERISTICAS, APLICACIONES Y METODOS DE OBTENCIN
DEL XIDO DE SILICIO TRMICO.
2.1 Cintica de crecimiento, estructura y caractersticas de la interfaz SiO 2 -Si; estados
superficiales, carga fija y mvil. Origen y naturaleza fsica y formas de disminuirlos
mediante TTAT y TTBT.
2.2. Mtodos de obtencin del SiO 2 trmico principales aplicaciones.
TEMA 3: MEDICIN Y CONTROL DE PARMETROS TECNOLGICOS DE
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.
3.1. Curvas C-V: fundamento terico y aplicaciones fundamentales.
3.2. Aplicacin de las curvas C-V de alta frecuencia a la determinacin
De las propiedades de la interfase SiO2 Si, determinacin de la magnitud de la carga mvil,
determinacin de la concentracin de impurezas en el semiconductor.
108

3.3. Medicin de resistividad por 4 puntas.


3.4. Otras tcnicas de caracterizacin y control.

TEMA 4: EPITAXIA.
4.1 Epitaxia en haces moleculares (MBE).
4.2 Epitaxia en fase de vapor (VPE). Nucleacin, cintica de crecimiento.
4.3 Procesos para silicio.
4.4 Procesos para GaAs. Sistemas inorgnicos (haluros e hidruros), mtodo metaorgnico.
4.5 Epitaxia en fase lquida.

TEMA 5: IMPLANTACIN INICA.


5.1 Profundidad de penetracin.
5.2 Diseo de implantacin.
5.3 Recocido.
5.4 Sistemas de implantacin inica.
5.5 Consideraciones del proceso.
TEMA 6: MTODOS DE DEPSITO Y APLICACIONES FUNDAMENTALES DE
CAPAS DIELCTRICAS METLICAS Y SEMICONDUCTORAS.
6.1 Capas dielctricas utilizadas en la tecnologa Planar. Capas de xido de silicio;
capas de vidrio fosfosilicato; capas de vidrio brofosfosilicato; capas de nitruro de
silicio; capas de polisilicio y silicio amorfo: caractersticas y aplicaciones.
6.2 Dposito qumico a partir de la fase de vapor (CVD) y sus variantes: (APCVD,
LPCVD, PECVD, RTCVD, MOCVD).
6.2.1. Depsito de SiO2 ;
6.2.2. Depsito de capas de vidrio fosfosilicato;
6.2.3. Depsito de capas de vidrio borofosfosilicato;
6.2.4. Depsito de capas de nitruro de silicio;
6.2.5. Depsito de capas de polisilicio y silicio mamorfo.
6.3 Caractersticas del equipamiento utilizado en la deposicin qumica a partir de la
fase de vapor.
6.4 Otros mtodos de depsito de capas semiconductoras.
6.5 Tcnicas de depsito de metales;
6.5.1 Depsito de metales para contactos y metales refractarios.
TEMA 7: ATAQUE EN SECO DE CAOAS DEILCTRICA SEMICONCDUCTORAS Y
METLICAS.
7.1 Mtodos fundamentales de ataque en seco y principios fsicos en los que se basan;
descarga elctrica auto-mantenida; fenmenos fsicos asociados a la introduccin de un
electrodo en una descarga gaseosa.
7.2 Equipos ms utilizados en los procesos de ataque con ayuda de plasma; equipos de
tipo barril y de placas paralelas.
7.3 Equipos utilizados para el ataque por erosin catdica reactiva (RIE).
7.4 Ataques isotrpos y anisotrpos, principales caractersticas y aplicaciones;
selectividad y control de dimensiones.
109

7.5 Aplicaciones fundamentales del ataque en seco.


TEMA 8: PROCESOS FOTOLITOGRFICOS EN LA MICROELECTRNICA.
8.1 Introduccin, concepto de mscaras, fotorresinas, preparacin de mscaras.
8.2 Tipos de fotolitografa ptica; situacin actual y tendencias.
8.3 Fotolitografa con haz de electrones, equipos, fotorresina electrnica, la dispersin y
el efecto de proximidad; aplicaciones.
8.4 Otras tcnicas litogrficas en la microelectrnica.
TEMA 9: DIELCTRICOS ULTRA FINOS Y DE BAJA CONSTANTE
DIELCTRICA PARA DISPOSITIVOS SEBMICROMTRICOS.
TEMA10: PROCESOS DE FABRICACIN DE DISPOSITIVOS EN BASE A
MATERIALES ORGNICOS.
TEMA 11: EJEMPLO DE SECUENCIA TECNOLGICA INTERACCIN ENTRE
LOS DIFERENTES PROCESOS QUE CONFORMAN LA SECUENCIA.
11.1 Secuencia para realizar un C.I. CMOS:
BIBLIOGRAFA:

Grove, A.S., Physics and Technology of Semiconductor Devices, 1967.


Sze. S.M., Semiconductor Device Technology, 1985.
M. Estrada, A. Cerdeira, R. Martnez, Circuitos Integrados: Fundamentos Tecnolgicos,
Editorial Pueblo y Educacin, 1987.
M. Peckerar, Electronic Materials: Science and Technology, Academic Press, 1989.
S.A. Campbell, The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication, Oxford,
1996.
S. Wolf, Silicon Processing for the VLSI era, Vol. 4: Deep-submicron Process Technology,
Lattice Press, 2002.

3.3.5 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES I


OBJETIVOS: Este curso introducir al estudiante al conocimiento de las bases de
funcionamiento de los dispositivos semiconductores y de los modelos tericos que explican sus
comportamientos. Se analizan los fenmenos fsicos que constituyen la base del
funcionamiento, la configuracin de sus estructuras bsicas, y las limitaciones fsicas de los
dispositivos. Se har nfasis en los parmetros que caracterizan a los dispositivos y en la
dependencia de stos con las propiedades intrnsecas de los semiconductores, as como el
diseo (geometra, configuracin,...) del dispositivo. Se sealarn las desviaciones ms
comunes que ocurren en los dispositivos reales y las limitaciones de los modelos existentes.
Contenido:
110

TEMA 1: UNIN P-N (UPN).


1.1.- Estructura fsica de la UPN , unin abrupta y gradual.
1.2.- Establecimiento del equilibrio termodinmico en la unin.
1.3.- Modificacin de la energa potencial electrosttica de cada regin de la unin.
1.4.- Anlisis electrosttico: Solucin de la ecuacin de Poisson, distribucin de carga
fija, campo elctrico, potencial y energa, potencial electrosttico.
1.5.- Diagrama de bandas de energa.
1.6.- Capacidad de la UPN.
1.7.- Efecto de la impurificacin de las diferentes regiones de la unin
1.8.- Concentracin de portadores libres en la zona de vaciamiento
1.9.- Flujo de portadores a travs de la unin en equilibrio y fuera de equilibrio
1.10.- Diagrama de bandas de la UPN en condiciones de polarizacin
1.11.- Transporte elctrico a travs de la UPN : Modelo de Shockley para el diodo de
regiones infinitas y de regiones finitas
1.12.- Presencia de centros de recombinacin-generacin
1.13.- Almacenamiento de carga: transitorios de voltaje en la UPN , fenmenos de
ruptura y alta inyeccin
1.14.- Circuito equivalente a pequea seal
1.15.- Efecto de la temperatura sobre cada aspecto caracterstico de la UPN.
TEMA 2: UNIN METAL SEMICONDUCTOR Y CONTACTO HMICO.
2.1,- Estructura fsica.
2.2.-.Efecto de la posicin relativa del nivel de Fermi en cada material y
establecimiento del equilibrio termodinmico de las estructuras.
2.3.- Anlisis electrosttico.
2.4.- Anlisis de los mecanismos de transporte elctrico:
2.4.1- Emisin termoinica,
2.4.2- Emisin por campo, arrastre-difusin, recombinacin y efecto de carga
imagen sobre los mecanismos de transporte.
2.5.- Transitorio de voltaje en la barrera Schottky.
2.6.- Contacto hmico por acumulacin.
2.7.- Contacto hmico por efecto tnel.
TEMA 3: TRANSISTOR BIPOLAR.
3.1.- Estructura fsica y diagrama de bandas.
3.2.- Flujos de carga en equilibrio.
3.3.- Polarizacin del transistor y efecto transistor.
3.4.- Transporte elctrico: flujos de carga bajo polarizucioll.
3.5.- Tiempo de transito en la base
3.6.- Modelo de Ebbers-Mol (E-M) y Modelo de Control de Carga.
3.7.- Efecto Early.
3.8.- Modelo a pequea seal.
3.9.- Respuesta en frecuencia.
TEMA 4: ESTRUCTURA MOS.
111

4.1.- Estructura fsica y diagrama de bandas de energa.


4.2.- Estructura MOS ideal.
4.3.- Curvas C- V en las diferentes regiones de polarizacin.
4.4.- Efecto de la frecuencia sobre curvas C- V.
4.5.- Efectos de la funcin de trabajo del metal, cargas en el aislante y estados en la
interface xido-semiconductor en las curvas C- V.
4.6.- Efecto de la temperatura en la estructura MOS.
TEMA 5: TRASISTOR MOS.
5.1.- Principio de funcionamiento del transistor MOS.
5.2.- Ecuaciones fundamentales: ecuacin de Poisson, densidad de corriente de huecos
y electrones, etc.
5.3.- Modelos de bandas en la interfase xido-silicio con diferentes potenciales de V GS
. Equilibrio y no equilibrio V DS =0.
5.4.- Corriente de drenador.
5.5.- Relacin corriente-tensin
5.6.- Densidad de carga.
5.7.- Empobrecimiento.
5.8.- Dbil inversin.
5.9.- Fuente de inversin.
5.10.- Acumulacin.
5.11.- Tensin de umbral en fuerte inversin.
5.12.- Modelo con movilidad constante.
5.13.- Expresin de corriente.
5.14.- Parmetros dinmicos.
5.15.- Modelo con movilidad variable.
5.16.- Ley de velocidad.
5.17.- Campo elctrico. Longitudinal y transversal Transistor MOS en dbil inversin.
5.18.- Modelo aproximado.
5.19.- Modelo completo.
5.20.- Transistor MOS fuera de saturacin.
5.21.- Modelo simple.
5.22.-Modelo con campo elctrico longitudinal.
5.23.-Transistor MOS en saturacin.
5.24.-Zona de oclusin en el canal.
5.25.-Clculo de I D , V DSS , V DS , Y R D Respuesta en C.A.
5.26.-Circuitos equivalentes a pequea seal.
5.27.-Frecuencia de corte.
BIBLIOGRAFA:

Physics of Semiconductor Devices (2nd. Edition). S.M. Sze. John Wiley & Sons
Semiconductor Devices and Integral Electronics A.G. Milnes
Solid State and Semiconductor Physics J.P. McKelvey Harper& Row (1966)
Principles of Semiconductor Devices Operation. A.K. Johnscher. John Wiley & Sons
Physics and Technology of Semiconductor Devices A.S. Grove. John Wiley & Sons
112

MOS Physics and Technology E.H. Nicollian & J.R. Brews. John Wiley & Sons (1982)
Device Electronics for Integrated Circuits. Richard S. Muller

3.3.6 CARACTERIZACIN DE SEMICONDUCTORES


OBJETIVO: El objetivo principal de este curso es que el alumno conozca y maneje las
tcnicas de caracterizacin ms usuales en el campo de los materiales y dispositivos
semiconductores. Asimismo, se espera que este curso ayude al alumno a comprender mejor los
conceptos que son expuestos en los cursos de Fsica de Semiconductores y Fsica de
Dispositivos Semiconductores del programa de posgrado de la SEES-IE.
En este curso se desarrollarn una serie de prcticas de laboratorio utilizando los equipos de
caracterizacin disponibles en la SEES-IE. Se incluyen prcticas para la medicin de
parmetros y propiedades fundamentales de los semiconductores, y prcticas que permiten
conocer las caractersticas elementales de dispositivos simples, como son las uniones p-n.
Se pretende que, al final del curso el alumno posea la capacidad de realizar una caracterizacin
integral de un material semiconductor, por lo que se propone una serie de prcticas que
permiten realizar la caracterizacin ptica, estructural, morfolgica, de composicin y
elctrica.
Contenido:
Prctica 1. Transmitancia ptica (UV-Vis).
Prctica 2. Difraccin de Rayos X.
Prctica 3. Fotoluminiscencia.
Prctica 4. Elipsometra.
Prctica 5. Espectroscopa Raman.
Prctica 6. Microscopa de Fuerza Atmica (AFM).
Prctica 7. Microscopa Electrnica de Barrido (SEM) y Anlisis Qumico por Espectroscopa
por Dispersin de Energa (EDS).
Prctica 8. Espectroscopa de Masas de Iones Secundarios (SIMS).
Prctica 9. Parmetros TMOS.
Prctica 10. Resistencia de hoja, Resistividad elctrica y Efecto Hall.
Prctica 11. Mediciones I-V.
Prctica 12. Mediciones C-V.
BIBLIOGRAFA:
TRANSMITANCIA PTICA (UV-VIS).
Optical processes in semiconductors. Jacques I. Pankove. Prentice-Hall, 1971.
DIFRACCIN DE RAYOS X.
X-ray scattering from semiconductors. Fewster, Paul F. River Edge, NJ: Imperial
College Press, 2003.
High resolution X-ray diffractometry and topography. Bowen, David Keith. 1940.
London, Taylor & Francis, 1998.
113

ELIPSOMETRA
Ellipsometry and Polarized Light. R.M.A. Azzam and N.M. Bashara. Elsevier Science
BV, Amsterdam, 1987.
ESPECTROSCOPA RAMAN
Raman Spectroscopy for Chemical Analysis. Richard L. McCreery. John Wiley &
Sons, 2000.
FOTOLUMINISCENCIA
Optical characterization of semiconductors: infrared, Raman, and photoluminescence
spectroscopy. Perkowitz, Sidney. London: Academic Press, 1993.
MICROSCOPA DE FUERZA ATMICA (AFM)
Noncontact Atomic Force Microscopy. S. Morita, R. Wiesendanger, E. Meyer.
Springer, 2002.
MICROSCOPA ELECTRNICA DE BARRIDO Y ANLISIS QUMICO POR EDS
Physical Principles of Electron Microscopy: An Introduction to TEM, SEM, and AEM.
Egerton, Ray F. Boston, MA: Springer Science+Business Media, Inc., 2005.
SIMS
Modern techniques of Surface Analysis. D.P. Woodruff, T.A. Delcha. Cambridge
University Press, New York, 1986.
Methods of surface analysis. A.W. Czanderna, Elsevier, 1975.
Physical methods for materials characterization. P. E. J. Flewitt and R. K. Wild. Bristol;
Philadelphia: Institute of Physics, 1994.
PARMETROS TMOS
Notas para el curso de Microelectrnica. Antonio Cerdeira Altuzarra, Serie Verde , No.
53, Marzo 11, 1996. Edicin del DIE.
Physics of Semiconductor Devices. S. M. Zse, Kwonk K. 3rd edition, Wiley & Sons,
2007.
Operation and Modeling of the MOS transistor. Y. Tsividis. 2nd Edition, McGraw Hill,
1999.
RESISTENCIA DE HOJA, RESISTIVIDAD ELCTRICA Y EFECTO HALL
L.J. van der Pauw. A method of measuring the specific resistivity and Hall Effect of
discs of arbitrary shapes. Philips Tech. Rev. 20, (1958) 220-224.
Semiconductor Material and Device. D.K. Schrode. Segunda edicin, John Wiley &
Sons, New York, 1998.
Fsica de los Semiconductores. K.V. Shalmova, 1975.
MEDICIONES I-V
Physics and technology of semiconducgor devices. A. S. Grove, Wiley & Sons., 1967.
Physics of Semiconductor Devices. S. M. Zse, Kwonk K. 3rd edition, Wiley & Sons,
2007.
114

Procesos Tecnolgicos de fabricacin de microcircuitos: aspectos bsicos. M. Estrada,


A. Escobosa., libro 2007 en CD y en internet de la SEES.

MEDICIONES C-V
Semiconductor Material and Device Characterization. Dieter K. Schroder 2006.
Physics of Semiconductor Devices. S. M. Zse, Kwonk K. 3rd edition, Wiley & Sons,
2007.

CURSOS OPCIONALES
3.3.7 ESTRUCTURA ELECTRNICA DE LOS MATERIALES
El conocimiento de la Simetra de un Cristal y su clasificacin en trminos de su pertenencia a un grupo
puntual permite hacer predicciones cualitativas acerca de la naturaleza del Enlace Interatmico,
determinar las Transiciones Espectroscpicas permitidas y hacer comentarios generales acerca de su
Espectro de Absorcin (ie. Cuntas Bandas de Absorcin podran aparecer en dicho Espectro y como
cambiara ste cuando la Celda unitaria es alterada).
OBJETIVOS: En este curso nos proponemos usar la Teora de Grupos y su relacin con la Simetra de
un Cristal, como una herramienta para el Anlisis de las Propiedades pticas y Elctricas de los
Semiconductores. El Presente Curso puede ser considerado como una extensin al trmino de algunos
temas ya cubiertos en otras materias de nuestro Programa de Maestra, tales como el Enlace Atmico y
su Relacin con la Estructura de las Bandas de Energa, las Espectroscopias Infrarroja y Raman y la
Estructura Cristalina.

Contenido:
TEMA 1: ANTECEDENTES.
1.1 Postulados de la mecnica cuntica.
1.2 Notacin de Dirac.
1.3 El tomo de hidrgeno.
1.4 El oscilador armnico.
1.5 Conceptos bsicos del algebra de matrices.
TEMA 2: TEORA DE GRUPOS Y LA SIMETRA.
2.1 Concepto de grupo y sus propiedades.
2.2 Grupos puntuales.
2.3 Simetra de traslacin y grupos especiales.
2.4 Teora de la representacin.
2.5 Operadores de proyeccin.
TEMA 3: REPRESENTACIONES Y VIVRACIONES.
3.1 Fundamentos de la teora de representacin de un grupo.
3.2 Representaciones reducibles e irreducibles.
115

3.3 Tablas de multiplicacin y sistemas de caracteres.


3.4 Operadores de proyeccin.
3.5 Modos y coordenadas normales.
3.6 Educacin de Shedinger y el dipolo elctrico.
3.7 Reglas de seleccin
3.8 Espectroscopas infrarroja y raman.

TEMA 4: ENLACE QUMICO Y LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE ENERGA DE


SLIDOS.
4.1 tomos multielectrnicos.
4.2 Orbitales atmicos e hibridacin.
4.3 Teora de grupos y enlaces hbridos.
4.4 Modelo de la combinacin lineal de orbitales atmicos.
4.5 Molculas biatmicas.
4.6 Cristales unidimensionales.
4.7 Cristales bi- y tri- dimensionales.
BIOGRAFA:

Applied Group Theory for Chemists, Phisicists and Engineers, Allen Nussbaum,
Prentice Hall, Inc. (1971).
Valance, C. A. Coulson, 2 Edition, Oxford University Press (1961).
Electrons and Chemical Bonding, Harry B. Gray, W. A. Benjamin, Inc. (1977).
Quantum Chemistry of Solids, Alexander A. Levin, Mc GRAW-HILL (1977).
Quantum Chemistry H. Eyring, J. Walter, G. E. Kimball, Jhon Wiley and Sons (1961).

3.3.8 PROPIEDADES PTICAS DE SEMICONDUCTORES


OBJETIVO: El propsito del curso es proporcionar al estudiante una visin general de los
fenmenos fsicos que resultan de la interaccin entre la radiacin electromagntica y tomos
en un semiconductor.
Contenido:
TEMA 1: CONSTANTES PTICAS DE LOS SLIDOS.
1.1 Relacin entre las constantes pticas y elctricas de los slidos.
1.2 Coeficiente de reflexin en incidencia normal.
1.3 Reflexin en incidencia oblicua.
1.4 Transmisin en incidencia normal.
1.5 Efectos de interferencia.
1.6 Transmisin en incidencia oblicua.
1.7 Elipsometra.
116

TEMA 2: ABSORCIN.
2.1 Introduccin
2.2 Dispersin y absorcin por portadores libres
2.3 Teora elemental de estados debido a impurezas
2.4 Excitones
2.5 Par aceptor-donador
2.6 Teora de transiciones cunticas (perturbaciones dependientes del tiempo)
2.7 Regla de oro de Fermi
2.8 Absorcin intrnseca de la luz por semiconductores
2.9 Calculo del coeficiente de absorcin intrnseco de un semiconductor
2.10 Absorcin por transiciones indirectas
2.11 Absorcin debido a bandas de impurezas
2.12 Absorcin de luz por estados localizados
2.13 Absorcin por la red.
TEMA 3: EMISIN DE RADIACIN EN SEMICONDUCTORES.
3.1 Introduccin.
3.2 Velocidad de recombinacin.
3.3 Tiempo de relajacin y de vida
3.4 Eficiencia cuntica interna de emisin.
3.5 Relacin de Van-Roosbroeck-Shokley.
3.6 Recombinacin radiativa banda a banda.
3.7 Transiciones directas e indirectas.
3.8 Autoabsorcin.
3.9 Recombinacin radiativa a travs de estados localizados.
3.10 Recombinacin a travs de niveles poco profundos.
3.11 Transiciones hacia niveles profundos.
3.12 Corrimiento de Frank-Condon.
3.13 Transiciones donador-aceptor.
3.14 Recombinacin entre pares ms prximos.
3.15 Recombinacin no-radiativa.
3.16 Efecto Auger.
3.17 Recombinacin superficial.
BIBLIOGRAFA:

Semiconductor Optoelectronics, T.S. Moss, G.J. Burrel, B. Ellis London Butterworths


1973
Semiconductor Physics, P. Kireev, Ed. MIR Moscu 1978
Optical Process in Semiconductor, P.I. Pankove, Prentice Hall New Jersey 1971

117

3.3.9 SUPERFICIES, INTERFACES Y HETEROUNIONES


OBJETIVOS: Al finalizar el curso el alumno resolver problemas bsicos y aplicados
relacionados con la fsica de las superficies y de los dispositivos a base de heterouniones,
evaluando experimentalmente los parmetros necesarios en una aplicacin dada.
Contenido:
TEMA 1: SUPERFICIES.
1.1 El origen de la carga especial.
1.1.1 Campos externos.
1.1.2 Potencial de contacto.
1.1.3 Efecto de los estados superficiales.
TEMA 2: FORMA DE LA BARRERA POTENCIAL.
2.1 Potencial y barrera de potencial, normalizados.
2.2 Ecuacin de Poisson.
TEMA 3: DENSIDADES DE PORTADORES EN EXCESO An Y Ap.
TEMA 4: REGIN DE CARGA ESPACIAL EN PRESENCIA DE NIVELES
NPROFUNDOS.
4.1 Conjunto discreto de niveles localizados.
4.2 Densidad contina de estados localizados.
TEMA 5: ESTADOS DE TAMM Y ESTADOS DE SHOCKLEY.
TEMA 6: INTERACIN DE LOS ESTADOS SUPERFICIALES CON UNA BANDA.
TEMA 7: RECOMBINACIN SUPERFICIAL.
TEMA 8: HETEROUNIONES.
8.1 Introduccin.
8.2 Bandas de energa.
8.3 Desacople de la red.
8.4 Desacople trmino.
8.5 Interdifusin.
8.6 Ingeniera de banda prohibida.

TEMA 9: MECANISMOS DE TRANSPORTE.


9.1 Modelo de difusin.
118

9.2 Modelo de emisin.


9.3 Modelo de emisin-recombinacin.
9.4 Modelo de tuneleo.
9.5 Modelo de tuneleo-recombinacin.
TEMA 10: PROPIEDADES PTICAS.
10.1 Ondas guiadas en una barra dielctrica.
10.2 Gua de onda de tres capas.
10.3 Propagacin de onda en una gua simtrica.
10.4 Guas de onda de cuatro y cinco capas.
TEMA 11: DISPOSITIVOS CON HETEROUNIONES.
11.1 Transistores bipolares de heterounin.
11.2 Transistores de efecto de campo de heterounin.
11.3 Celdas solares.
11.4 Estructuras SAS.
11.5 Diodos electroluminiscentes.
11.6 Lseres.
11.7 Detectores en base a transistores y diodos de heterounin.
BIBLIOGRAFA:

Semiconductor surfaces. A. Many, Y.Goldstein and N.B. Grover, North_holland


Publishing Company, Amsterdam-London, 1971
Heterojuntions and Metal-Semiconductor Junctions. Milnes and Feucht, Academic
Press, 1972
Heterojunction band discontinuities. Physics and device applications, F. Capasso
and G. Margaritondo (Eds), North-Holland, 1987
Heterojuntions. A. G. Milnes, Solid-State Electronics, 29, 1986, 99-121
Semiconductor heterojunctions, B.L. Sharma, R.K. Purohit, Pergamon Press,
Oxford , N.Y. 1974
Heterostructure lasers. H. C. Casey Jr. M.B. Panish, Academic Press, N.Y. 1978

3.3.10
INTRODUCCIN
NANOESTRUCTURADOS

LOS

MATERIALES

OBJETIVO: In this course it is intended to introduce the synthesis, characterization and


applications of materials functioning at nano scale - meaning a billionth (1 x 10 -9) of a meter.
Even though the word nanotechnology is relatively new, the existence of functional devices
and structures of nanometer dimensions is not new, and in fact such structures have existed on
Earth as long as life itself.. This course basically provides a fundamental understanding of the
relationships between physical properties or phenomena and materials dimensions. In the first
three parts synthesis of various nanostructured materials are dealt in detail and last two units
concentrate on the characterizations technique and the possible applications. Also a thorough
119

review on the recently published articles will be done in order to have an up-to-date knowledge
on the synthesis and characterization of nanostructured materials.
Provide an introduction to the synthesis and characterization of various nanostructured
materials for its device applications.
Contenido:
TEMA 1: INTRODUCTION AND ZERO DIMENSIONAL NANOESTRUCTURES.
1.1 Introduction, Emergence of nanotechnology, physical chemistry of solid surfaces
surface energy chemical potential as function of surface curvature electrostatic
stabilization - steric stabilization: Zero dimension nanostructures Homogeneous
Nucleation synthesis of metallic, semiconductor and oxide nanoparticles, vapor
phase segregation, Hetrogeneous nucleation fundamentals and synthesiskinetically confined synthesis, epitaxial core shell nanoparticles.
TEMA 2: ONE DIMENSIONAL NANOESTRUCTURES.
2.1 One dimensional: Spontaneous growth evaporation vapor stress induced
Template based synthesis electrochemical electrophoretic template filling
electrospinning Lithography.
TEMA 3: TWO DIMENSIONAL NANOESTRUCTURES.
3.1 Two dimensional fundamentals of film growth vacuum science Physical vapor
deposition, Chemical vapor deposition- Atomic layer deposition, super lattices self
assembly electrochemical deposition Sol-Gel.
TEMA
4:
SPECIAL
NANOMATERIALS
NANOSTRUCTURED MATERIALS.

AND

PROPERTIES

OF

4.1 Carbon and fullerene nanotubes, nanoclusters, Quantum wells, Quantum wire and
quantum dot structures, Structural characterization XRD, SAXS, SEM, TEM, SPM
Chemical characterization physical properties of nanomaterials optical, mechanical,
electrical.
TEMA 5: APPLICATION AND RECENT ADVANCES IN NANOESTRUCTURED
MATERIALS.
5.1 Molecular electronics and nanoelectronics nanobots biological applikcaitons
bandgap engineered quantum devices Review of selected and latest articles published
on the synthesis of nanostructured materials in peer reviewed international journals.
Specific objectives covered in each topic and subtopics.
1. Introduction and Zero dimensional nanostructures.
120

A thorough understanding of the concept of the nanostructured materials on the basis that
particles less than the size of 100 nm has different new properties and behavior.
Imparting various terminologies used in the nanostructured materials.
Introduction to zero dimensional nanostructured materials and its various growth phenomenon
etc.
2. One dimensional nanostructures.
Understanding the concepts and functioning of the nanostructured materials treating it as one
dimensional material.
Study on various growth techniques and synthesis of one dimensional structure.
3. Two dimensional nanostructures.
Various types of physical and chemical methods to prepare two dimensional nanostructured
materials.
Main concentration will be on the synthesis of nanoparticle, nanorods, nanowires, nanotubes
by the physical and chemical methods.
Limitations and intricacies involved in the synthesis of the nanostructured materials.
4. Special nanomaterials and Properties of nanostructured materials.
Special emphasis on the carbon nanostructures will be given based on its multifaceted
applications.
Various nanostructures and its quantum confinement effects will be reviewed.
Various structural and physical properties of the nanostructured materials will be described and
the characterizations techniques will be elaborated.
5. Application and Recent Advances in Nanostructured materials.
Students will be asked to collect latest research publications appearing in various international
and national journals and a survey of the present advancement in the synthesis and
characterization of nanostructured materials will be provided.
Recent advances in the various metals, organic and organic semiconductor nanostructured
materials for various device applications will be reviewed.
A review on recent advances in the nanofabrication technologies in various fields of
applications and its potential competence with many other existing fabrication techniques.
Suggested Methodology and Activities Of Learning.
Short expositions of the instructor on key concepts of synthesis various nanostructured
materials.
To make understand the functioning of materials at nanoscale by small demonstrations.
Will be trained in synthesis and characterization of selected nanostructured materials in the
laboratory scale.
Sessions in the AFM and SEM will be incorporated to have hands on experience and
appreciation of the nanostructures.
Bibliografic research project based on recent scientific research in the field.
121

Estimated Time to Cover Each Topic.


1. Introduction and Zero dimensional nanostructures - 10 hrs.
2. One dimensional nanostructures 10 hrs.
3. Two dimensional nanostructures 10 hrs.
4. Special nanomaterials and Properties of nanostructured materials 10 hrs.
5. Application and Recent Advances in Nanostructured materials 8 hrs.
BIBLIOGRAFA:

Nanostructures and Nanomaterials synthesis, properties and applications by


Guozhong Cao, Imperial college press, London and distributed by World Scientific
Publishing Co. Pte Ltd.
Introduction to Nanotechnology by Charles P.Poole, Jr and Frank J.Owens, 2003, A
John Wiley & Sons, Inc.,

Suggested Evaluation.
It is recommended to evaluate the students on the basis of his involvement/interaction in the
class, the practical work and by means of projects, giving equal responsibilities on any of the
individual components/topics of interest involved in the synthesis and characterization of
nanoparticles, nanorods, nanotubes etc. Also his/her involvement in collecting the latest
informations available from various international and national journals will be taken into
account.
Instructors profile.
A professor with Doctorate degree in Materials Science, specialist in synthesis and
characterization of various nanostructured materials for device applications. Typically the
professor of this subject is engaged in the synthesis and characterization of various
semiconductor and metal nanostructured materials.

3.3.11 TECNOLOGA DE SEMICONDUCTORES II


OBJETIVOS: Introducir al estudiante al estado del arte de la tecnologa del silicio,
aplicaciones fundamentales de los procesos tecnolgicos bsicos ya estudiados y
complementacin de los conocimientos sobre tcnicas de deposicin y ataque en seco de capas
dielctricas y semiconductoras, as como procesos fotolitogrficos y algunos aspectos sobre
caracterizacin y control de parmetros tecnolgicos requeridos para fabricar dispositivos
discretos y circuitos integrados en base a silicio as como dispositivos discretos de AsGa y las
tcnicas de evaluacin de los mismos. Deber saber calcular un proceso de oxidacin y
caracterizarlo una vez obtenido. Podr ser capaz de medir resistividad, utilizar las curvas C-V
y utilizar programas de simulacin tecnolgica. Ser capaz de poder disear los pasos
fundamentales de una secuencia tecnolgica para realizar un dispositivo discreto bipolar de
silicio; un transistor MESFET; un circuito integrado bipolar y CMOS.
Contenido:
122

TEMA 1: INTRODUCCIN A LA TECNOLOGA PLANA


1.1 Concepto de tecnologa planar.
1.2 Concepto de tecnologa limpia.
TEMA 2: CARACTERSTICAS DEL XIDO DE SILCIO TRMICO
2.1 Aplicaciones y mtodos de obtencin del xido de silicio trmico.
2.2 Cintica de crecimiento. Estructura y caractersticas de la interfaz SiO2-Si: estados
superficiales, carga fija y mvil; origen naturaleza fsica y formas de disminuirlos;
TTAT y TTBT.
2.3 Mtodos de obtencin de SiO2 trmico (tubo abierto, alta presin y RTP),
principales aplicaciones.
TEMA 3: MEDICIN Y CONTROL DE PARMETROS TECNOLGICOS Y DE
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.
3.1 Curvas C-V; fundamento terico y aplicaciones fundamentales.
3.2 Aplicacin de las curvas C-V de alta frecuencia a la determinacin de las
propiedades de la interfase SiO2-Si; determinacin de la magnitud de la carga mvil;
determinacin de la concentracin de impurezas en el semiconductor.
3.3 Medicin de resistividad por 4 puntas.
3.4 Otras tcnicas de caracterizacin y control.

TEMA 4: MTODOS DE DEPOSICIN Y APLICACIONES FUNDAMENTALES DE


CAPAS DIELCTRICAS METLICAS Y SEMICONDUCTORAS.
4.1 Capas dielctricas utilizadas en la Tecnologa Planar. Capas de xido de silicio;
capas de vidrio fosfosilicato; capas de vidrio borofosfosilicato; capas de nitruro de
silicio; capas de polisilicio y silicio amorfo: caractersticas y aplicaciones.
4.2 Depisicin qumica a partir de la fase de vapor (CVD) y sus variantes: (APCVD,
LPCVD, PECVD, RTCVD, MOCVD).
4.2.1 Deposicin de SiO2 por CVD a presin atmosfrica y a baja presin.
4.2.2 Deposicin de capas de vidrio fosfosilicato;
4.2.3 Deposicin de capas de vidrio borofosfosilicato;
4.2.4 Deposicin de capas de nitruro de silicio;
4.2.5 Deposicin de capas de polisilicio y silicio amorfo
4.3 Caracterizacin del equipamiento utilizado en la deposicin qumica a partir de la
fase de vapor.
4.4 Caractersticas del equipamiento utilizado en la deposicin de capas por
pulverizacin catdica.
4.4.1 Deposicin de nitruro de silicio, polisilicio y silicio amorfo por
pulverizacin catdica.
4.5
Tcnicas de deposicin de metales;
4.5.1 Deposicin de metales para contactos y metales refractarios;
123

4.5.2 Deposicin de siliciuros y sus caractersticas y aplicaciones; problemas


de los contactos ohmicos.
TEMA 5: ATAQUE EN SECO DE CAPAS DIELCTRICAS, SEMICONDUCTORAS Y
METLICAS.
5.1 Mtodos fundamentales de ataque en seco y principios fsicos en los que se basan;
descarga elctrica automantenida; fenmenos fsicos asociados a la introduccin de un
electrodo en una descarga gaseosa.
5.2 Equipos mas utilizados en los procesos de ataque con ayuda de plasma; equipos de
tipo barril y de placas paralelas.
5.3 Equipos utilizados para el ataque por erosin catdica reactiva (RIE).
5.4 Ataques isotrpicos y anisotrpicos, principales caractersticas y aplicaciones;
selectividad y control de dimensiones.
5.5 Aplicaciones fundamentales del ataque en seco.
TEMA 6: PROCESOS FOTOLITOGRFICOS EN LA MICROELECTRNICA.
6.1 Introduccin, concepto de mscaras, fotorresinas, preparacin de mscaras.
6.2 Tipos de fotolitografa ptica; situacin actual y tendencias.
6.3 Fotolitografa con haz de electrones, equipos, fotorresina electrnica, la dispersin y
el efecto de proximidad; aplicaciones.
6.4 Fotolitografa de rayos X, caractersticas generales; fotorresina para rayos X;
mscaras; fuentes.
TEMA 7: ASPECTOS RELACIONADOS CON LA SOLDADURA DE DADO, DE
HILO Y ENCAPSULADO DE DISPOSITIVOS.

TEMA 8: EL PROCESAMIENTO TRMICO RPIDO (RTP), CARACTERSTICAS


FUNDAMENTALES.

TEMA 9: EJEMPLO DE SECUENCIAS TECNOLGICA INTERACCIN ENTRE


LOS DIFERENTES PROCESOS QUE CONFORMAN LA SENCUENCIA.
9.1 Secuencia para realizar un transistor bipolar y un C. I. bipolar en base al silicio.
9.2. Secuencia para realizar un transistor MESFET de AsGa;
9.3. Secuencia para realizar un C. I. CMOS. Las prcticas se realizarn en 8 sesiones.
BIBLIOGRAFA:

Estrada, A. Cerdeara, R. Martnez, Circuitos Integrados: Fundamentos Tecnolgicos,


Editorial Pueblo y Educacin, 1987.
Sze. S. M., Semiconductor Device Technology, 1985.
Grove, A. S., Physics and Technology of Semiconductor Devices, 1967.
Burguer and Donovan, Fundamentals of Silicon Integrated Device Technology,
Prentice-Hall International Inc., London, 1967.
124

3.3.12 FISICOQUMICA DE SEMICONDUCTORES I


OBJETIVOS: Introducir al estudiante a los diferentes mtodos de fisicoqumica equilibrada
usados en desarrollo de las tecnologas de semiconductores y tecnologas de dispositivos
semiconductores. Al finalizar el curso el estudiante deber conocer los modelos modernos y los
mtodos para descripcin de las caractersticas de materiales semiconductores.
El estudiante deber conocer como se hacen en realidad los modelos para predecir las
caractersticas de semiconductores modernos y futuros. Deber conocer las ventajas,
desventajas y limitaciones de los diferentes modelos, aproximaciones y conocer los problemas
que puede resolver.
El curso est enfocado principalmente a las aleaciones semiconductoras porque la mayora de
los materiales modernos de electrnica del estado slido son tales aleaciones.
Contenido:
TEMA 1: INTRODUCCIN A LA FISICOQUMICA DE SEMICONDUCTORES.
1.1 Que es fisicoqumica?.
1.2. Mtodos de termodinmica y termodinmica estadstica.
1.3. Concepto de miscibilidad.
1.4. Diagramas binarias de fases.
1.5. Compuestos, aleaciones.
1.6. Diagramas ternarias de fases.
1.7. Materiales semiconductores.
1.8. Estructuras cristalinas de semiconductoras.
TEMA 2: MTODOS DE TERMODINMICA Y TERMODINMICA ESTADSTICA.
2.1 Formalismo matemtico de termodinmica.
2.2 Postulados de mecnica estadstica.
2.3 Ensamble microcannico de Gibbs.
2.4 Ensamble cannico de Gibbs.
2.5 Ensamble macrocannico de Gibbs.
2.6 Ley de Boltzman.
2.7 Funcin de particin, energa libre de los ensambles de Gibbs.
2.8 Sistemas macroscpicos y grados de libertad.
TEMA 3: ALEACIONES BINARIAS, TERNARIAS Y CUATERNARIAS DE TRES
COMPUESTOS BINARIOS ESTRICTAMENTE REGULARES.
3.1 Modelo de las aleaciones regulares.
3.2 Aleaciones binarias regulares.
3.3 Aproximacin estrictamente regular.
3.4 Aleaciones binarias ideales, diluidas y no diluidas.
3.5 Zona immiscibilidd de las aleaciones binarias.
3.6 Zona de descomposicin espnodal de las aleaciones binarias.
3.7 Aleaciones ternarias y cuaternarias ideales, diluidas y no diluidas.
125

3.8 Zona immiscibilidd de las aleaciones ternarias y cuaternarias.


3.9 Zona de descomposicin espnodal de las aleaciones ternarias y cuaternarias.
3.10 Diagrama de fases del sistema (Al, Ga, B V ) LIQIDO (Al x Ga 1-x B V )
SOLIDO ,
(B V = P, As, Sb).
3.11 Diagrama de fases del sistema (In, Ga, B V ) LIQIDO (In x Ga 1-x B V )
SOLIDO ,
(B V = P, As).
TEMA 4: ALEACIONES BINARIAS, TERNARIAS Y CUATERNARIAS DE TRES
COMPUESTOS BINARIOS QUASIQUIMICAS Y EN MTODO DE VARIACIN DE
CLUSTERES.
4.1 Aproximacin quasiqumica de las aleaciones regulares.
4.2 Orden del corto alcanzo de las aleaciones binarias.
4.3 Zona immiscibilidd de las aleaciones binarias.
4.4 Zona de descomposicin espnodal de las aleaciones binarias.
4.5 Zona immiscibilidd de las aleaciones ternarias y cuaternarias.
4.6 Zona de descomposicin espnodal de las aleaciones ternarias y cuaternarias.
4.7 Mtodo de variacin de clsteres de las aleaciones binarias.
4.8 Orden del corto alcanzo de las aleaciones binarias con estructuras diferentes.
4.9 Zona immiscibilidd de las aleaciones binarias con la estructura de diamante.
4.10 Zona immiscibilidd de las aleaciones ternarias con las estructuras de zincblenda y
wurzita.
TEMA 5: ALEACIONES CUTERNARIAS DE CUATRO COMPUESTOS BINARIAS
ESTRICTAMENTE REGULARES.
5.1 Modificacin del modelo de aleaciones regulares para aleaciones cuaternarias de
cuatro compuestos binarios.
5.2 Aleaciones cuaternarias estrictamente regulares.
5.3 Zona immiscibilidd.
5.4 Zona de descomposicin espnodal.
5.5 Diagrama de fases del sistema (A III , B III , C V , D V ) LIQIDO (A III X B III
1- x C V y
D V 1-y ) SOLIDO.
TEMA 6: ALEACIONES CUATERNARIAS DE CUATRO COMPUESTOS BINARIAS
QUASIQUIMICAS Y EN MTODO DE VARIACIN DE CLUSTERES.
6.1 Aproximacin quasiquimica.
6.2 Orden del corto alcanzo.
6.3 Zona immiscibilidd.
6.4 Zona de descomposicin espnodal.
6.5 Diagrama de fases del sistema (A III , B III , C V , D V ) LIQIDO (A III X B III
1-x C V y D V 1-y ) SOLIDO.
6.6 Modificacin del mtodo de variaciones de clusteres para aleaciones cuaternarias de
cuatro compuestos binarios.
126

6.7 Energa libre en mtodo de variacin de clsteres.


TEMA 7: MODELO DE CAMPO DE FUERZA VALENCIA.
7.1 Estructura de las aleaciones real.
7.2 Modelo del campo de fuerza de valencia.
7.3 Energa de deformacin interna de las aleaciones A x B 1-x C y AB x C 1-x con la
estructura de zincblenda.
7.4 Tendencia a formacin de superestructura.
7.5 Orden del largo alcanzo.
7.6 Tipos de superestructuras y transiciones de fase.
7.7 Transicin de fase con formacin de superestructura en las aleaciones A 0.5 B 0.5 C
y AB 0.5 C 0.5.
7.8 Transicin de fase con formacin de superestructura en las aleaciones A 0.75 B 0.25
C y AB 0.75 C 0.25.
7.9 Estabilidad termodinmica con respeto a descomposicin espnodal y formacin de
superestructura de las aleaciones A 0.75 B 0.25 C y AB 0.75 C 0.25.
BIBLIOGRAFA:

Peter Y. Yu and Manuel Cardona, Fundamentals of Semiconductors, Physics and


Materials Properties, Springer, Berlin, 2002.
S. H. Maron, C. F. Prutton, Fundamentos de Fisicoqumica, LIMUSA, Mxico, 2002.
P. W. Atkins, Physical Chemistry, Vol. 1 and 2, Oxford University Press, Oxford, 1979.
W. A. Harrison, Elementary Electronic Structure, World Scientific, Singapore, 1999.
J. E. Mayer and M. G. Mayer, Statistical Mechanics, Wiley, New York, 1978.

3.3.13 SISTEMAS NEURODIFUSOS I


OBJETIVOS: En este curso, el estudiante conocer y aprender los conceptos fundamentales
de modelos neuronales artificiales con los cuales se pueden abordar problemas complejos
relativos al reconocimiento y clasificacin de patrones, los cuales pueden representar
informacin de sistemas paralelos en reas de visin, procesamiento de seales, identificacin
de sistemas, entre otros.
Contenido:
TEMA 1: INTRODUCCIN.
TEMA 2: MODELO DE UNA NEURONA Y ARQUITECTURA DE REDES
NEURONALES ARTIFICIALES.
TEMA 3: LA REGLA DE APRENDIZAJE DE UN PERCEPTRN.
TEMA 4: RELACION ENTRE TRANSFORMACIONES LINEALES Y REDES
NEURONALES.
127

TEMA 5: APRENDIZAJE SUPERVISADO. REGLA DE HEBB.


TEMA 6: REGLA DE WIDROW-HOFF.
TEMA 7: REGLA DE RETRO-PROPAGACIN.
TEMA 8: VARIANTES DE LA REGLA DE RETRO-PROPAGACIN.
TEMA 9: APRENDIZAJE ASOCIATIVO.
TEMA 10: REDES NEURONALES DE COMPETENCIA.
TEMA 11: REDES NEURONALES DE GROSSBERG.
TEMA 12: TEORA DE RESONANCIA ADAPTATIVA.
TEMA 13: RED NEURONAL DE HOPFIELD.
CONCLUSIONES
BIBLIOGRAFA:

Neural Network Design. Martin T. Hagan, Howard B. Demuth and Mark Beale
PWS Publishing Company, Boston MA , USA (1995).
Neural Networks, A comprehensive foundation. Simon Haykin Macmillan
College Publishing Company, New York NY , USA (1994).

3.3.14 DISEO DE CIRCUITOS INTEGRADOS I


OBJETIVO: Introducir al alumno en la tecnologa MOS de los circuitos integrados de muy
alto nivel de integracin (VLSI), para que comprenda los diferentes aspectos tecnolgicos que
intervienen en el funcionamiento de un dispositivo MOS, y de este modo saber caracterizarlo y
utilizar su modelo en la concepcin de circuitos bsicos.
Contenido:
TEMA 1: INTRODUCCIN.
1.1 Diseo de Circuitos Integrados Analgicos.
1.2 Notacin, simbologa y terminologa.
TEMA 2: TECNOLOGA CMOS.
2.1 Procesos de fabricacin de dispositivos MOS.
2.2 Transistor MOS.
128

2.3 Componentes pasivos.


2.4 Consideraciones geomtricas para los Circuitos Integrados.
TEMA 3: MODELADO DE CIRCUITOS ANALGICOS CMOS.
3.1 Modelo simple a gran seal para el transistor MOS.
3.2 Modelo a pequea seal para el transistor MOS.
3.3 Modelo de subumbral del transistor MOS.
3.4 Uso de la computadora para la simulacin del transistor MOS.
TEMA 4: CARACTERIZACIN DE LOS DISPOSITIVOS CMOS.
4.1 Aspectos geomtricos de la caracterizacin.
4.2 Caracterizacin mediante el modelo MOS simple y el modelo extendido.
4.3 Caracterizacin de componentes resistivos.
4.4 Caracterizacin de capacitancias.
TEMA 5: CIRCUITOS ANALGICOS CMOS.
5.1 Interruptor MOS.
5.2 Cargas activas.
5.3 Fuentes de corriente.
5.4 espejos de corriente.

TEMA 6: AMPLIFICADORES CMOS.


6.1 Inversores.
6.2 Amplificadores diferenciales.
6.3 Amplificadores cascode.
6.4 Etapas de salida.
BIBLIOGRAFA:

CMOS Analog Circuit Design. Phillip E. Allen and Douglas R. Holberg. Sunders
College Publishing 1987

3.3.15 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES II


OBJETIVOS: Comprender los fenmenos adicionales a los dispositivos bipolares
convencionales debido a la alta inyeccin de los portadores. Conocer los diseos y las
tecnologas para la fabricacin de los dispositivos de potencia eficientes.
Contenido:
129

TEMA 1: TRANSPORTE DE LOS PORTADORES.


1.1 Movilidad: Dependencias en Temperatura; Concentracin de impurezas; Campo
elctrico; Niveles de inyeccin; Dispersin superficial.
1.2 Resistividad: Impurificacin mediante la trasmutacin de neutrones.
1.3 Tiempo de vida: Recombinacin SRH; Generacin carga-espacial; Optimizacin de
niveles de recombinacin; Control de tiempo de vida.
TEMA 2: VOLTAJE DE RUPTURA.
2.1 Avalancha.
2.2 Unin abrupta.
2.3 Por alcance.
2.4 Unin graduada.
2.5 Unin difundida.
2.6 Terminacin de uniones.
TEMA 3: TRANSISTORES POR EFECTO DE CAMPO DE UNIN J-FET.
3.1 Estructura y caractersticas.
3.2 Anlisis del dispositivo.
3.3 Operacin bipolar.
3.4 Estructuras tecnolgicas.
TEMA 4: DIODOS p-i-n CONTROLADOS POR CAMPO.
4.1 Estructuras y caractersticas.
4.2 Anlisis del dispositivo.
4.3 Funcionamiento a altas temperaturas.
4.4 Respuesta a frecuencia.
5.5 Estructuras y tecnologas.
TEMA 5. TRANSISTORES MOS.
5.1 Estructuras y caractersticas.
5.2 Anlisis del dispositivo.
5.3 Respuesta en frecuencia.
5.4 Funcionamiento bajo conmutacin.
5.5 Diodo integral.
5.6 Tolerancia a radiacin de neutrones.
5.7 Funcionamiento a altas temperaturas.
5.8 Estructuras y tecnologas.
TEMA 6: DISPOSITIVOS MOS BIPOLAR.
6.1 Tiristor con compuerta MOS.
6.2 Transistor IGBT con compuerta aislada.
6.3 Estructura y operacin.
130

6.4 Anlisis del dispositivo.


6.5 Respuesta en frecuencia.
TEMA 7: TIRISTORES.
7.1 Operacin estacionaria.
7.2 Estados de bloqueo inverso y directo.
7.3 Perfiles superficiales.
7.4 El estado de conduccin directa.
7.5 El modelo de dos transistores.
7.6 Procesos transitorios de encendido (por compuerta; di/dt; dv/dt).
7.7 Procesos transitorios de apagado (Circuito de conmutacin; decremento de
corriente; por compuerta).
BIBLIOGRAFA:

Transistors, Warner and Grung, John Wiley & Sons (1983).


Physics of Semiconductor Devices, S.M. Sze, John Wiley & Sons, Second Edition
(1981).
Semiconductor Power Devices, S.K. Ghandhi, John Wiley and Sons (1977).
Thyristor Physics, A. Blicher, Springer Verlag (1976).
Theoric approfondie du transistor bipolaire, G. Rey et P. Leturcq, Manon (1972).
Caractersticas y Limitaciones de los Transistores, R.D. Thornton, et al.,Tomo 3 de la
serie SEEC, Edit Revert (1971).
Thyristor Desing and Realization, Paul D. Tylor, Marconi Electronic Device, Inc.
Wiley & Sons (1987).
Field Effect and Bipolar Power, Transistors Physics, Adolph Blicher, Academic Press
(1981).
Physics and Technology of Semiconductor Devices, A. S. Grove, John Wiley and Sons
(1967).
Modern Power Devices , Jayant Baliga, John Wiley & Sons (1987).
Power Semiconductor Devices (Theory and Application) , Vitezslav Benda, John
Gowar, Duncan A. Grant, John Wiley & Sons (1999).

3.3.16 FSICA ANALTICA


OBJETIVOS: Consideracin terica de la interaccin in-slido, Rayos-X-solid y electrnslido como principio fsico de diferentes tcnicas de anlisis superficial. Estudio de algunas
caractersticas analticas de tcnicas modernas de anlisis de superficies y revisin de
instrumentos modernos de anlisis.
Contenido:
TEMA 1: INTRODUCCIN.
1.1 Aplicaciones de rayo de electrones o rayo de iones en el anlisis de superficies.
131

1.2 Sistemas con alto vaco: formacin de vaco, medicin de vaci, tcnica de alta
vaci.
TEMA 2: DESCRIPCIN FSICA DE LA INTERACCIN IN-SLIDO.
2.1 Teora de colisiones atmicas.
2.2 Erosin mediante bombardeo con iones (sputtering).
2.3 Implantacin de iones.
TEMA 3: RAYO DE IONES EN ANLISIS DE MATERIALES.
3.1 Espectrometra de Iones Dispersados, (ISS).
3.2 Espectroscopia Rutherford de Retrodispersin, (RBS).
3.3 Espectrometra de Masas de Iones Secundarios, (SIMS).
3.4 Espectrometra de Masas de tomos Neutros Secundarios, (SNMS).
TEMA 4: INTERACCIN DE RAYO DE ELECTRNES Y SLIDO.
4.1 Procesos fsicos involucrados en la interaccin electrn-slido.
4.2 Difraccin de electrones en cristales.
4.3 Algunos efectos especiales en la interaccin electrn-slido.
TEMA 5: RAYADO DE ELECTRNES EN EL ANLISIS DE MATERIALEAS.
5.1 Difraccin de electrones de baja energa o alta energa, (LEED, HEED).
5.2 Microscopio electrnico de barrido, (SEM).
5.3 Microscopio electrnico de transmisin, (TEM).
5.4 Microscopio de Electrn Auger, (AES, SAM).
5.5 Microanlisis Electrn Fotn , (EPMA).
5.6 Espectroscopia Electrnica para Anlisis Qumico, (ESCA, XPS).

TEMA 6: RAYOS X EN EL ANLISIS DE MATERIALES.


6.1 Difraccin de Rayos-X.
6.2 Fluorescencia de Rayos-X.
TEMA 7: NUEVOS MTODOS PARA EL ANLISIS DE SUPERFICIES.
7.1 Bases fsicas de microscopio de contacto.
7.2 Microscopia de Fuerza Atmica Microscopia de Tunelamiento, (STM AFM).
BIBLIOGRAFA:

Sputtering by Particle Bombardment, Part I Physical Sputtering of Single-Element


Solids. Ed. by R. Behrisch, Springer Verlag, 1981.
Methods of surface analysis, Ed. by A.W. Czanderna, Elsevier, 1975.
132

Feldman, Leonard C., Fundamentals of surface and thin film analysis, North Holland ,
1986.
Briggs, D. and Seah M.P., Practical surfaces analysis by Auger and X-ray
Photoelectron Spectroscopy, J. Wiley and Sons, 1984.
D.P. Woodruff, T.A. Delchar, Modern techniques of Surface Analysis, Cambridge
University Press, New York, 1986.
D. Sarig, Scanning Force Microscopy, Oxford University Press, 1991.

3.3.17 CELDAS SOLARES


OBJETIVO: El objetivo fundamental del curso es que el estudiante comprenda claramente y
que sepa explicar cualitativa y cuantitativamente el fenmeno fotovoltaico en diversas
estructuras sobre materiales cristalinos, policristalinos y amorfos. Adems sabr disear y
caracterizar celdas solares, as como interpretar sus caractersticas ms importantes, tales como:
curvas I-V bajo iluminacin y bajo obscuridad, y de fotorespuesta espectral. Tambin tendr la
capacidad de utilizar computadoras digitales para calcular o interpretar en forma cuantitativa
los fenmenos que ocurren, y para determinar parmetros importantes en celdas solares tales
como corriente de corto circuito, voltaje de circuito abierto, factor de llenado, corriente de
saturacin en obscuridad y factor de idealidad.
Contenido:
TEMA 1: INTRODUCCIN.
1.1 Breve revisin del efecto fotovoltaico. Una explicacin cualitativa.
1.2 Discusin general sobre los temas a tratar en el curso.
1.3 La computadora y su uso para clculo de parmetros en las celdas solares. Ejemplo:
Determinacin de la mxima corriente en una celda solar de silicio.
TEMA 2: REPASO SOBRE ECUACIONES DE SEMICONDUCTORES FUERA DE
EQUILIBRIO.
2.1 Ecuaciones de continuidad en semiconductores uniformes.
2.2 Recombinacin volumtrica y recombinacin superficial.
2.3 Experimento de Haynes-Shockley.
2.4 Solucin de las ecuaciones de transporte en casos simples.
TEMA 3: LA RADIACIN SOLAR.
3.1 Origen de la radiacin solar.
3.2 La constante solar en la superficie terrestre.
3.3 La radiacin directa y la radiacin difusa en la superficie terrestre.
3.4 Clculo simple de la radiacin sobre una superficie inclinada a lo largo de un ao.
TEMA 4: FUNDAMENTOS DE FSICA DE CELDAS SOLARES.
133

4.1 Absorcin de la radiacin luminosa en semiconductores directos e indirectos.


4.2 Solucin de las ecuaciones de transporte en celdas solares de unin n-p.
4.3 Clculo de eficiencia cuntica, corriente de iluminacin y de la corriente de
saturacin.
4.4 Clculo de la eficiencia en una celda solar ideal.
4.5 Efectos de las resistencias internas (serie y paralelo) en el factor de llenado.
4.6 Efectos de degradacin en funcin de la temperatura.
TEMA 5: DISEO DE LAS CELDAS SOLARES CONVENCIONALES.
5.1 Diseo de la estructura (resistividades, espesores, campo elctrico posterior) de las
celdas solares convencionales de unin n-p.
5.2 Diseo del enrejado de coleccin de corriente en una celda solar.
5.3 Diseo de capas antirreflejantes en celdas solares.
5.4 Diseo de celdas solares para operar bajo concentracin.
TEMA 6: TECNOLOGA ACTUAL PARA LA FABRICACIN DE CELDAS
SOLARES Y MODULOS FOTOVOLTAICOS.
6.1 Obtencin del silicio cristalino.
6.2 Obtencin de la unin n-p por difusin de impurezas.
6.3 Fabricacin de campo elctrico posterior.
6.4 Fabricacin de enrejado y contactos hmicos por serigrafa.
6.5 Fabricacin de las capas antirreflejantes.
6.6 Fabricacin de los mdulos fotovoltaicos.
TEMA 7: CELDAS SOLARES EN MATERIALES POLICRISTALINOS Y AMORFOS.
7.1 El efecto de la recombinacin en las fronteras de grano.
7.2 Celdas solares de hetero-unin en materiales policristalinos de pelcula delgada.
7.3 Los materiales amorfos y sus propiedades.
7.4 Celdas solares PIN en silicio amorfo.
TEMA 8: INTRODUCCIN A LOS SISTEMAS FOTOVOLTAICOS.
8.1 Definicin de sistemas fotovoltaicos autnomos.
8.2 Concepto de horas pico de radiacin.
8.3 Diseo de pequeos sistemas fotovoltaicos.
8.4 Utilizacin de computadoras en el diseo de sistemas fotovoltaicos autnomos.
BIBLIOGRAFA:

M.A. Green, Solar Cells: Operating Principles, Technology and system Applications,
Prentice Hall, Englewood Cliffs, NJ. (1982)
H.J. Hovel, Solar Cells, Voll. 11 of Semiconductors and Semimetals Series, Academic
Press, N.Y. (1975)
J.P. Mckelvey, Solid State and Semiconductor Physics, Harper and Row, N.Y. (1966)

134

3.3.18 NANOTECNOLOGA
OBJETIVOS: Imparting various terminologies used in the nanostructured materials and a
thorough understanding of the concept of the nanostructured materials on the basis that particle
less than the size of 100 nm have completely different behavior compared to the same in bulk
form.
Study on varies properties like, geometric structure, electronic structure, optical properties,
reactivity etc.
Various types of top-bottom and bottom-top manufacturing methodologies for molecular
manufacturing and the intricacies involved in those will be dealt thoroughly.
Based on nanotechnology, the revolution taking place in the IC industries, micro machining,
and fabrication of various devices will be described in detail.
Extraordinary potential for chemical synthesis or the spontaneous self assembly of molecular
clusters from simple reagents producing 3 D nanostructures or quantum dots of arbitrary
diameter will be described.
The requirements of miniaturization are becoming more stringent and how these
nanostructured materials fulfill these requirements will be dealt in detail
Students will be asked to collect latest research publications appearing in various international
and national journals and a survey of the present advancement in the synthesis and
characterization of nanostructured materials will be provided.
Recent advances in the various inorganic and organic semiconductor nanostructured materials
for various device applications will be reviewed.
A review on recent advances in the nanofabrication technologies in various fields of
applications and its potential competence with many other existing fabrication techniques.
Course (Catalog) Description:
This course provides a broad introduction to nanotechnology, a rapidly evolving field of
increasing relevance to engineering. We first explain what makes the nanoscale so different
from the other length scales by considering the underpinning science (i.e. nanoscience) and
some key examples of nanotechnology. The remainder of the course focuses on the main
engineering activities of design, manufacture and testing in a nanotechnology context. Finally a
through review and impact on the applications of nanotechnology will be given considering the
todays technological advances and we'll detail how one of the most promising technologies
works, and we'll discuss the potential immediate applications in various fields based on the
recent international publications.
Prerequisite(s):
Fundamental Physics, Chemistry and Mathematics, preferably a good back ground on the solid
state physics and chemistry.

Contenido:
TEMA 1: NANOELECTRONICS FOR ADVANCED COMPUTATION AND
COMMUNICATION.
135

TEMA 2: FABRICATION OF ATOMICALLY CONTROLLED NANOESTRUCTURES


AND THEIR DEVICE APPLICATIONS.
TEMA 3: MOLECULAR MANUFACTURING SYSTEM PREPARATION.
TEMA 4: BIOLOGICAL MATERIALS AND NANOMACHINES.
TEMA 5: RECENT ADVANCES IN NANOESTRUCTURED.
BIBLIOGRAFA:

Charles P.Poole, Jr and Frank J.Owens, Introduction to nanotechnology, A John Wiley


& Sons, Inc., 2003.
Eric Drexler, Nanosystems Molecular Machinery, Manufacturing and computation,
John Wiley & Sons, Inc. US.
Gregory Timp, Nanotechnology, AIP press, Springer Verlag Newyork, Inc.

3.3.19 DIODOS EMISORES DE LUZ


OBJETIVOS: Estudiar los mecanismo de operacin y las estructuras de los diodos emisores
de luz.
Contenido:
TEMA 1: PRINCIPIOS BSICOS DE INTERACCIN PTICA EN MATERIALES
SEMICONDUCTORES.
TEMA 2: MECANISMOS DE EMISIN LUMINOSA.
TEMA 3: ESTRUCTURAS DE DIODOS EMISORES DE LUZ.
TEMA 4: DIODOS EMISORES DE LUZ ORGNICOS.
TEMA 5: INTRODUCCIN FOTN SEMICONDUCTOR .
TEMA 6: ABSORCIN.
TEMA 7: EMISIN.
TEMA 8: EMISIN ESTIMULADA.
TEMA 9: PROCESOS DE RECOMBINACIN.
TEMA 10: RECOMBINACIN RADIOACTIVA VS. RECOMBINACIN NO
RADIATIVA.
136

TEMA 11: RECOMBINACIN EN SEMICONDUCTORES DE BANDA DIRECTA Y


BANDA INDIRECTA.
TEMA 12: RECOMBINACIN SUPERFICIAL.
TEMA 13: RECOMBINACIN VIA CENTROS (IMPUREZAS O DEFECTOS).
TEMA 14: UNIN PN.
TEMA 15: DIFERENTES MECANISMOS DE CONDUCCIN.
TEMA 16: CORRIENTE DE DIFUSIN VS. CORRIENTE DE RECOMBINACIN.
TEMA 17: RESPUESTA VISUAL, COLOR.
TEMA 18: EFICIENCIA.
TEMA 19: EFICIENCIA CUNTICA EXTERNA.
TEMA 20: ESTRUCTURAS.
TEMA 21: OLEDS.
BIBLIOGRAFA:

A. Bergh and P. J. Dean. Light-emitting diodes Oxford: Clarendon Press, 1976.


E. F. Schubert Light Emitting Diodes, Cambridge University Press, 2006.
Mllen, K. (Klaus) ed. Organic light-emitting devices: synthesis, properties, and
applications, Weinheim: Wiley-VCH, 2006.

3.3.20 SENSORES QUMICOS DE GASES


OBJETIVOS: Proporcionar al alumno los fundamentos de la teora de los estados
superficiales en un semiconductor.
Revisar el principio de funcionamiento de los sensores qumicos de gases a base de pelculas
delgadas y gruesas, as como de sensores volumtricos de estado slido.
Revisar las caractersticas que hacen posible la aplicacin de un material como sensor de gases.
Estudiar la funcin de los catalizadores y la temperatura de operacin sobre el desempeo de
un sensor.
Adquirir informacin general sobre el estado actual de la investigacin sobre sensores
qumicos de estado slido.
Contenido:
TEMA 1: CONCEPTOS BSICOS.
137

TEMA 2: SENSORES QUMICOS DE GASES.


TEMA 2: CLASIFICACIONES DE SENSORES QUMICOS.
TEMA 3: APLICACIONES DE LOS SENSORES QUMICOS.
TEMA 4: DISTRIBUCIN DE CARGA SUPERFICIAL.
TEMA 5: ESTADOS SUPERFICIALES EN SEMICONDUCTORES.
TEMA 6: REACCIONES SUPERFICIALES: ADSORCIN Y CATLISIS.
TEMA 7: PRINCIPIOS DE OPERACIN DE UN SENSOR QUMICO.
TEMA 8: XIDOS METLICOS SEMICONDUCTORES DE GASES.
TEMA 9: CATALIZADORES
RUDUCCIN.

DE

LAS

RELACIONES

DE

OXIDACIN-

TEMA 10: SENSORES DE PELCULA DELGADA.


TEMA 11: CARACTERIZACIN DE UN SENSOR DE GASES.
TEMA 12: SENSIBILIDAD DE UN SENSOR.
TEMA 13: SELECTIVIDAD DE LA RESPUESTA.
TEMA 14: REVISIN DEL ESTADO ACTUAL DE LOS SENSORES.

Pelculas delgadas.
Pelculas gruesas.
Catalizadores.
Tcnicas de fabricacin.
Resultados recientes.
Futuras tendencias en el desarrollo de sensores de gases.

BIBLIOGRAFA:

G. Sbervegliere. Gas Sensors. Kluwer Academic Publishers, (2004).


Ji Janata. Principles of Chemical Sensors. Plenum Press, New York. 1989.
PT Moseley and BC Tofield. Solid State Gas Sensors. The Adam Hilger Series on
Sensors, 1987.
P. Ciureanu and S. Middelhoek. Thin Films Resistive Sensors. Institute of Physics
Publihing Bristol. Sensors Series, 1992.
L. Yu Kupriyanov. Semiconductor Sensors in Physico-Chemical Studies. Elselvier
1996.

138

3.3.21 MICROELECTRNICA
OBJETIVO: Ensear al alumno los fundamentos de la microelectrnica y su relacin con
parmetros elctricos de estructuras para la fabricacin de circuitos integrados MOS y CMOS.
Para este objetivo se calculan las expresiones de corriente del transistor MOS, se dan varios
modelos aproximados, y se emplean dichas expresiones en el diseo de circuitos de sistemas de
procesamiento digital. Se muestra adems una Metodologa asistida con herramientas de
cmputo para la simulacin de los circuitos incluidos en este programa.
El grupo de temas en este programa constituye el ncleo de conocimientos requeridos para
continuar con cursos avanzados de diseo de circuitos integrados, as como del anlisis de
dispositivos individuales con tecnologa de alta integracin.
Contenido:
TEMA 1: EL TRANSISTOR MOS: LIMITACIONES.
1.1 Velocidad de respuesta.
1.2 Resistencias en serie.
1.3 Corriente subumbral.
1.4 Escalamiento.
1.5 Efecto de las geometras pequeas.
1.5.1 Velocidad lmite.
1.5.2 Canal corto.
1.5.3 Canal estrecho.
1.5.4 Portadores calientes.
1.5.5 Ruptura.
1.5.6 El efecto "punch-trought.
TEMA 2: EL TRANSISTOR MOS COMO ELEMENTO CIRCUITAL.
2.1 El inversor.
2.1.1 Inversor con carga resistiva.
2.1.2 Inversor con carga saturada.
2.1.3 Inversor con carga no saturada.
2.1.4 Inversor con carga de empobrecimiento.
2.1.5 El inversor CMOS.
2.2 La compuerta de transmisin.
2.3 Las compuertas lgicas: NAND; NOR.
2.4 El efecto "latch-up".
2.5 Las memorias RAM.
2.5.1 La celda de memoria RAM dinmica.
2.5.2 La celda de memoria RAM esttica.
2.6 La celda de memoria no-voltil.
TEMA 3: LA SIMULACIN DEL TMOS.
3.1 Introduccin.
139

3.2 Descripcin del TMOS.


3.3 Sobre los modelos elctricos (niveles).
3.3.1 Nivel 1.
3.3.2 Nivel 2.
3.3.2.1 Corriente entre D y S.
3.3.2.2 Saturacin por "pinch-off".
3.3.2.3 Saturacin por velocidad lmite.
3.3.2.4 Conduccin en inversin dbil.
3.3.3 Nivel 3.
3.4 Capacitancias del MOSFET.
3.5 Dependencia de la temperatura.
3.6 Empleo del PSPICE.
3.7 Ejemplos.
3.8 La extraccin de parmetros.
3.8.1 Extraccin individual.
3.8.2 Extraccin por optimizacin matemtica.
3.8.2.1 Un ejemplo.
TEMA 4: DISEO TOPOLGICO DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS.
4.1 Etapas de fabricacin de un CIMOS con compuerta de polisilicio.
4.2 Reglas de diseo con el factor ( (Mead-Conway).
4.3 Topologas tpicas de las celdas de inversores.
4.4 Celdas bsicas digitales ms utilizadas.
4.5 Lneas de interconexin: resistencia y capacitancia. Mtodo Manhattan.
4.6 Los voltajes de alimentacin de un circuito integrado.
4.7 Circuitos de entrada/salida.
4.8 Diseo semi a la orden: arreglos de compuerta y celdas estndar.
4.9 Diseo a la orden.
4.10 Herramientas para el diseo de los CI.
BIBLIOGRAFA:

Cerdeira, "Notas de clase de Microelectrnica", 1996


A.S. Grove, "Physics and Technology of Semiconducotr Devices", Wiley, 1967
S.M Sze. "Physics of Semiconductor Devices", Wiley, 1981
A.G. Milnes, "Semiconductor Devices and Integrated Electronics", VanNostrand, 1980
R.S. Muller, T.I. Kaminis, "Device Electronics for Integrated Circuits", 2d. Ed. Wiley,
1986
L.H. Fenicel, "PSPICE: A tutorial, Pertice Hall, 1992
F. Moussen, "PSPICE with circuit analysis" Mckmillan, 1993
Vladimirescu, S. Liu. "The Simulation of MOS Integrated Circuits using SPICE2",
Univ. Of California, Berkeley, feb. 1980
Cerdeira, F. Guerra, J.C. Mori, L. Garca, "Extraccin de parmetros de transistores
MOS a partir de la tcnica de optimizacin", Ing. Electrnica, Automtica y
Comunicaciones, vol. X, No. 2, 1989

140

Brown, J.E. Dennis, "Derivative free analogues of the Levenberg Marquard and Gauss
algorithms for nonlinear squares aproximations" Numer. Math. Vol. 18, pp. 289-297,
1972
Mead, L. Conway, "Introduction to VLSI Systems", Addison Wesley, 1980
Yannis P. Tsividis, "Operation and Modeling of the MOS Transistor", Mc.Graw-HIll,
1987
John P. Uyemura, "Circuit Design for CMOS VLSI", Kluwer Academic Publ. 1982

3.3.22 FISICOQUMICA DE SEMICONDUCTORES II


OBJETIVOS: Introducir al estudiante a los diferentes mtodos de fisicoqumica
desequilibrada y cristalografa de tres y dos dimensiones usadas en desarrollo de las
tecnologas de semiconductores y tecnologas de dispositivos semiconductores. Al finalizar el
curso el estudiante deber conocer los mtodos modernos para investigacin de las
caractersticas de materiales semiconductores.
El estudiante deber conocer como se hacen en realidad los mtodos para predecir las
caractersticas de semiconductores modernos y futuros. Deber conocer las ventajas,
desventajas y limitaciones de los diferentes modelos, aproximaciones y conocer los problemas
que puede resolver.
El curso est enfocado a los semiconductores III-V, II-VI y IV-VI porque los materiales
modernos de electrnica del estado slido son tales semiconductores.
Contenido:
TEMA 1: FISICOQUMICA DESEQUILIBRADA DE SEMICONDUCTORES.
1.1 Estabilidad termodinmica de las aleaciones ternarias de compuestos III-V con
superestructura CuPt.
1.2 Desviacin del equilibrio de crecimiento de los compuestos III-V por la epitaxia
por fase lquida.
1.3 Desviacin del equilibrio de crecimiento de las aleaciones ternarias de compuestos
III-V por la epitaxia por fase liquida.
1.4 Desviacin del equilibrio de crecimiento de las aleaciones cuaternarias de
compuestos III-V por la epitaxia por fase lquida.
1.5 Modelo desequilibrado de crecimiento de GaN por MOCVD en baja temperatura.
1.6 Modelo desequilibrado de crecimiento de GaN por MBE en baja temperatura.
TEMA 2: ELEMENTOS DE LA TEORA DE GRUPOS.
2.1 Grupos.
2.2 Subgrupos.
2.3 Clases adyacentes de subgrupos.
2.4 Isomorfismo y homomorfismo de grupos.
2.5 Grupo de rotaciones.
2.6 ngulos de Eiler.
2.7 Grupo ortogonal completo.
141

2.8 Grupo de Euclid.


2.9 Grupos puntuales.
2.10 Grupos puntuales de primer orden.
2.11 Grupos puntuales de segundo orden.
2.12 Grupos de translaciones.
TEMA 3: CRSTALOGRAFA DE TRES DIMENSIONES.
3.1 Sistemas coordenadas fsicos y cristalogrficos.
3.2 Sistemas cristalinos.
3.3 Clases de cristales.
3.4 Redes de Bravais.
3.5 Grupos de espacio.
3.6 Notaciones de Schoenfliess y Notaciones Internacionales.
3.7 Grupo de espacio de estructura de diamante.
3.8 Grupo de espacio de estructura de zincblenda.
3.9 Grupo de espacio de estructura de cloruro de sodio.
3.10 Grupo de espacio de estructura de wurzita.
3.11 Grupo de espacio de estructura de calcopirita.
3.12 Grupo de espacio de la aleacin con superestructura CuPt.
3.13 Grupo de espacio de la aleacin con superestructura CuAu-I.
3.14 Grupo de espacio de la aleacin con superestructura Cu 3 Au.
3.15 Grupo de espacio de la aleacin con superestructura Al 3 Ti.
TEMA 4: CRSITALOGRAFA DE DOS DIMENSIONES.
4.1 Planos de la redes.
4.2 Superficies de cristales ideales.
4.3 Simetra de translaciones y las redes de superficies ideales.
4.3.1 Sistemas cristalinos.
4.3.2 Redes de Bravais.
4.4 Grupos puntuales.
4.5 Grupos de espacio.
4.6 Grupos de espacio de superficies de semiconductores con la estructura de diamante.
4.7 Grupos de espacio de superficies de semiconductores con la estructura de
zincblende.
4.8 Grupos de espacio de superficies de semiconductores con la estructura de cloruro de
sodio.
4.9 Grupos de espacio de superficies de semiconductores con la estructura de wurzita.
4.10 Proyeccin de cristal de tres dimensiones encima de su superficie.
4.11 Vectores bsicos de superficies ideales de semiconductores con la estructura de
diamante.
4.12 Vectores bsicos de superficies ideales de semiconductores con la estructura de
zincblende.
4.17 Vectores bsicos de superficies ideales de semiconductores con la estructura de
cloruro de sodio.
4.18 Vectores bsicos de superficies ideales de semiconductores con la estructura de
wurzita.
142

4.19 Desplazamientos atmicos adentro de superficie.


4.20 Simetra de estructura de superficie relajada.
4.21 Simetra de estructura de superficie reconstruida.
4.22 Simetra de translaciones.
4.23 Simetra puntual.
4.24 Simetra de espacio.
4.25 Reconstrucciones de superficies (001) de semiconductores III-V y II-VI con la
estructura de zincblenda.
4.26 Reconstrucciones de superficies (111) A y (111) B de semiconductores III-V y IIVI con la estructura de zincblenda.
4.27 Reconstrucciones de superficies (110) de semiconductores III-V y II-VI con la
estructura de zincblenda.
BIBLIOGRAFA:

Peter Y. Yu and Manuel Cardona, Fundamentals of Semiconductors, Physics and


Materials Properties, Springer, Berlin, 2002.
W. A. Harrison, Elementary Electronic Structure, World Scientific, Singapore, 1999.
P. Glansdorff and I. Prigogine, Thermodynamic Theory of Structure, Stability and
Fluctuations, Wiley, London, 1974.
G. Y. Lyubarskii, The Application of Group Theory in Physics, Pergamon Press,
Oxford, 1960.
F. Bechstedt and R. Enderlein, Semiconductor Surfaces and Interfaces, Physical
Research, Vol. 5, Akademie-Verlag, Berlin, 1988.
W. Adamson, Physical Chemistry of Surfaces, Wiley, New York, 1988.

3.3.23 SISTEMAS NEURODIFUSOS II


OBJETIVOS: Proporcionar los conceptos fundamentales de la lgica difusa, operaciones,
propiedades, caractersticas, operadores y relaciones de los conjuntos difusos, implantacin de
circuitos para lgica difusa, as como los principios de funcionamiento de controladores difusos
utilizando herramientas de cmputo.
Contenido:
TEMA 1: CONJUNTOS DIFUSOS Y CONJUNTOS CERTEROS.
1.1 Introduccin.
1.2 Conceptos bsicos de conjuntos difusos.
1.3 Lgica clsica y Lgica multivaluada.
1.4 Lgica difusa.
TEMA 2: OPERACIONES SIMPLES SOBRE CONJUNTOS DIFUSOS.
2.1 Inclusin difusa.
2.2 Igualdad difusa.
143

2.3 Interseccin difusa.


2.4 Unin difusa.
2.5 Negacin difusa.
TEMA 3: PROPIEDADES DE LOS CONJUNTOS DIFUSOS.
3.1 Conmuntatividad.
3.2 Asociatividad.
3.3 Distributividad.
3.4 Involucin.
3.5 Idempotencia.
3.6 Leyes de De Morgan.
3.7 Absorcin.
3.8 Frmulas de equivalencia.
3.9 Ley de no contradiccin. Ley del Tercero Excluido.
TEMA 4: CARACTERSTICAS DE LOS CONJUNTOS DIFUSOS.
4.1 Soporte.
4.2 Altura.
4.3 Punto de cruce.
4.4 Corte-alfa.
4.5 Corte-alfa estricto.
4.6 Escalamiento difuso.
4.7 Impulso difuso.
4.8 Convexidad.
4.9 Producto cartesiano.
4.10 Relaciones difusas.
4.11 Composicin.
4.12 Principio de extensin.
TEMA 5: OPERADORES ALTERNOS EN LA LGICA DIFUSA.
5.1 Normas-t.
5.2 Conormas-t.
5.3 Parejas de normas t y conormas t tpicas.
5.3.1 Producto drstico. Producto acotado. Suma acotada.
5.3.2 Producto einsteniano. Suma einsteniana. Suma algebraica.
5.3.3 Producto de hamacher. Suma de hamacher.
5.3.4 Operador mnimo. Operador mximo. Diferencia acotada.
5.4 Criterios para seleccionar operadores apropiados de agregacin.
TEMA 6: RELACIONES DFUSAS.
6.1 Ecuaciones certeras y difusas.
6.2 Relaciones binarias.
6.3 Relacin binaria sobre un conjunto simple.
6.4 Relaciones de equivalencia y similitud.
144

6.5 Relaciones de compatibilidad o tolerancia.


6.6 Ordenamientos.
6.7 Morfismos.
6.8 Ecuaciones de relacin difusa.
TEMA 7: INTERFERENCIA DIFUSAS.
7.1 Sistemas expertos difusos.
7.2 Modelos de inferencia difusa.
7.3 Inferencia de tipo Modus Ponens-Tollens.
7.4 Funciones de implicacin.
7.5 Inferencia basada en el Modus Ponens.
7.6 Inferencia en sistemas con mltiples reglas.
7.7 Planos de inferencia.
TEMA 8: ARITMTICA DE NMEROS DIFUSOS.
8.1 Intervalo de certidumbre.
8.2 Nmeros inciertos o nmeros difusos.
8.3 Suma de nmeros difusos.
8.4 Multiplicacin de nmeros difusos.
8.5 Mnimo y Mximo de nmeros difusos.
8.6 Convolucin y Doconvolucin.
8.7 L-R.
8.8 Nmeros triangulares.
TEMA 9: CONTROLADORES LGICOS DIFUSOS.
9.1 Sistema de control difuso. Componentes del sistema.
9.2 Mtodos de fusificacin.
9.2.1 Tablas de bsqueda.
9.2.2 Funciones de membresa triangulares y trapezoidales.
9.2.3 Funciones matemticas.
9.2.4 Universo de discurso.
9.3 Evaluacin de reglas.
9.3.1 Definicin de reglas.
9.3.2 Representacin matricial.
9.4 Defusificacin. Mtodos de defusificacin.
9.5 Etiquetas difusas.
9.6 Estrategia de diseo de un controlador lgico difuso.
9.6.1 Modelizacin del operador experto.
9.6.2 Modelizacin del sistema.
9.6.3 Dictado de reglas.
9.6.4 Superficies de control.
TEMA 10: ARQUITECTURAS CLASICAS DE CIRCUITOS CON LGICA DIFUSA.
10.1 Realizaciones analgicas.
145

10.2 Realizaciones digitales.


TEMA 11: MANEJO DE UN SIMULADOR PARA INTERFERENCIAS DIFUSAS.
11.1 Edicin.
11.2 Creacin de funciones de membresa.
11.3 Dictado de reglas.
11.4 Defusificacin.
11.5 Superficies de control.
11.6 Ejemplos de aplicacin.
BIBLIOGRAFA:

Klir G. J. And Folger T.A. FUZZY SETS, UNCERTAINTY AND INFORMATION


Eds. Prentice Hall 1988.
Kosko B. NEURAL NETWORKS AND FUZZY SYSTEMS Eds. Prentice Hall 1992.
Kaufmann A. And Gupta M. M. INTRODUCTION TO FUZZY ARITHMETIC Eds.
Van Nostrand Reinhold 1991.

3.3.24 DISEO DE CIRCUITOS INTEGRADOS II


OBJETIVO: Presentacin y estudio de los sistemas analgicos fundamentales en tecnologa
CMOS para procesamiento de seales continas.
Contenido:
TEMA I: MODELO DE UN COMPARADOR.
1.1 Modelo de un comparador.
1.2 Desarrollo de un comparador CMOS.
1.3 Comparador de dos etapas.
1.4 Comparador con histresis.
1.5 Tcnicas de auto-cero.
1.6 Resumen.
TEMA 2: AMPLIFICADORES OPERACIONALES CMOS DE
TRANSCONDUCTANCIA.
2.1 Metodologa de diseo.
2.2 Compensacin de amplificadores operacionales.
2.3 Diseo de un amplificador operacional de dos etapas.
2.4 Amplificadores operacionales "cascode".
2.5 Simulacin y medicin de amplificadores operacionales.
TEMA 3: AMPLIFICADORES OPERACIONALES DE ALTO DESEMPEO.
146

3.1 Amplificadores operacionales con etapa de salida MOS.


3.2 Amplificadores operacionales con etapa de salida MOS/BJT.
3.3 Amplificadores operacionales de alta velocidad y frecuencia.
3.4 Estabilizacin por muestreo.
3.5 Amplificadores operacionales de micro-potencia.
3.6 Circuitos dinmicos con amplificadores operacionales.
TEMA 4: CONVERTIDORES CMOS-CMOS D/A y A/D
4.1 Caracterizacin de convertidores D/A.
4.2 Convertidores D/A con escalamiento de voltaje y carga.
4.3 Convertidores D/A tipo serie.
4.4 Caracterizacin de convertidores A/D.
4.5 Convertidores A/D tipo serie.
4.6 Convertidores A/D de velocidad media.

TEMA 5: CIRCUITOS Y SISTEMAS ANALGICOS CMOS.


5.1 Multiplicadores analgicos.
5.2 Circuitos generadores de ondas.
BIBLIOGRAFA:

CMOS Analog Circuit Design Phillip E. Allen and Douglas R. Holberg, Sunders HBJ
(1987).

3.3.25 DISPOSITIVOS ORGNICOS


PRINCIPIOS DE FUNCIONAMIENTO, MTODOS DE OBTENCIN Y
APLICACIONES
OBJETIVOS: Profundizar en los aspectos de la qumica de los polmeros necesarios para entender
los mecanismos de dopaje y dedopaje, as como de conduccin de los polialquiltionefnos y sus
derivados. Estudiar sus propiedades de interfaz. Profundizar en el principio de funcionamiento,
estructuras y mtodos de fabricacin de PLEDs, PTFTs y celdas solares polimricas.

Contenido:
TEMA 1: CARACTERSTICAS DE LOS MATERIALES ORGNCIOS
OLIGMEROS Y POLMEROS.
1.1 Conceptos bsicos de la qumica orgnica.
1.2 Poli (3-alquiltiofenos), poliparafenilenos y polifluorenos.
1.3 La familia de los PPV y copolmeros ms utilizados en dispositivos polimricos.
147

1.4 Efectos de dopaje y dedopaje. Propiedades elctricas y pticas en poli (3alquiltiofenos) y PPV.
TEMA 2: CONCEPTOS BSICOS RELACIONADOS CON LOS MECANISMOS DE
CONDUCCIN Y EMISIN Y MOVILIDAD EN MATERIALES ORGNCIOS.
2.1 Conceptos de polarn-electrn y polarn hueco, y de excitn.
2.2 Tiempo de vida.
2.3 Mecanismos de inyeccin metal-polmero.
2.4 Estructura de bandas.
TEMA 3: PROBLEMAS INTERFACIALES EN LOS DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES POLIMRICOS.
3.1 Segregacin superficial, y propiedades electrnicas de las superficies e interfaces.
3.2 Interfaz metal-semiconductor orgnico, material orgnico-inorgnico y orgnicoorgnico.
TEMA 4: DIODOS EMISORES DE LUZ POLIMRICOS: DIFERENTES TIPOS DE
ESTRUCTURAS (MIM Y MSM).
4.1 Procesos fsicos asociados y principio de funcionamiento. Recombinacin radiativa
y no radiativa en semiconductores orgnicos.
4.2 Eficiencia cuntica externa.
TEMA 5: TRANSISTORES DE CAPAS FINAS POLIMRICOS: ESTRUCTURAS Y
PROCESOS FSICOS ASOCIADOS.
5.1 Mecanismos de conduccin por saltos y limitado por carga espacial.
5.2 Distribucin de estados localizados en volumen.
5.3 Interfaz polmero semiconductor-dielctrico.
5.4 Modelos y dependencia de los parmetros elctricos con parmetros tecnolgicos.
TEMA 6: CELDAS SOLARES POLIMRICAS.
6.1 Conceptos bsicos y principio de funcionamiento.
6.2 Propiedades elctricas y pticas de las estructuras. Unin volumtrica.
6.3 Heterouniones.
6.4 Aspectos tecnolgicos y mtodos de encapsulado.
BIBLIOGRAFA:

Semiconducting Polymers: Chemistry, physics and Engineering, Vol. 1 and 2, edited


by G. Hadziioannoi and G. G. Malliaras, Wiley-VCH Verlag GmbH&Co. KGaA,
Weinheim, Germany, 2007.

Physics of Organic Semiconductors, Wolfgang Brutting (2005), Wiley-VCH.


148

Fundamentals of Solar Cells (Photovoltaic Solar Energy Conversion) Alan L.


Fahrenbruch & Richard H. Bube, Academic Press (1983).
Semiconductor and Semimetals, vol 11 Solar Cells, Harold J. Hovel Academic Press
(1975).

3.3.26 INTRODUCCIN
INTERFACES

LA

FSICA

DE

SUPERFICIES

OBJETIVOS: Revisar las propiedades fisicoqumicas de las superficies e interfaces, y los mtodos y
tcnicas de caracterizacin elctrica y ptica, con el objetivo de desarrollar aplicaciones tecnolgicas
aprovechando los comportamientos de las superficies e interfaces.
Los temas que se abordaran en el curso se han seleccionado tomando como base algunos de los temas
que se introdujeron en los cursos de Tecnologa de Semiconductores I y Fsica de Semiconductores. Se
han seleccionado los temas evitando abordar tpicos excesivamente especializados, buscando sentar las
bases para desarrollar aplicaciones tecnolgicas de las superficies y las interfaces. Las aplicaciones
pueden ser tan variadas como el desarrollo de sensores de gases o bien el de la formacin de pelculas
antirreflejantes. Se examinan algunos temas relacionados a tcnicas de caracterizacin, las cuales
pueden implementarse en nuestros laboratorios, o se vienen utilizando de manera regular como es el
caso de la elipsometra.

Contenido:
PARTE 1 PROPIEDADES FISICOQUMICAS DE LAS SUPERFICIES E
INTERFACES.
TEMA 1: IMPORTACIA DE LA TECNOLOGA DE SUPERFICIES E INTERFACES.
1.1 Mtodos de Preparacin de Superficies.
1.2 Mtodos de Caracterizacin de Superficies e Interfaces.
1.3 Condiciones Ideales para el Estudio de las Superficies e Interfaces.
TEMA 2: MORFOLOGA Y ESTRUCTURA DE SUPERFICIES E INETRFACES
2.1 Tensin Superficial y Forma Macroscpica.
2.2 Relajacin, Reconstruccin y Defectos.
2.3 Redes Bidimensionales, Superestructura y Espacio Reciproco.
2.4 Modelos Estructurales de Interfaces Slido/Slido.
2.5 Nucleacin y Crecimiento de Pelculas Delgadas.
2.6 Estudios de Crecimiento de Pelculas.
TEMA 3: FONNES Y VIBRACIONES DE REDES EN SUPERFICIES.
3.1 Revisin de las Propiedades pticas Volumtricas.
3.2 Vibraciones en redes monoatmicas.
3.3 Redes con dos tomos en la celda primitiva.
3.4 Funcin dielctrica de los slidos.
3.5 Existencia de Vibraciones de una Red superficial.
3.6 Extensin a un slido de Tres dimensiones con una superficie.
149

3.7 Curvas de Dispersin desde los experimentos y desde clculos reales.

PARTE 2 MTODOS DE CARACTERIZACIN DE SUPERFICIES E INTERFACES.


TEMA 4: MTODOS DE CARACTERIZACIN DE SUPERFICIES.
4.1 Fundamentos de las propiedades pticas de superficies.
4.2 Propiedades pticas relevantes a las superficies.
4.3 Aproximacin de la funcin dielctrica en superficies.
4.4 Revisin de los modelos para la funcin dielctrica en superficies.
4.5 Espectroscopa de transmisin y reflexin, fundamentos y aplicaciones.
4.6 Aplicacin de la Elipsometra para el anlisis de superficies.
BIBLIOGRAFA:

Surfaces and interfaces of Solids. H. Lth; Springer-Verlag; Berlin Heidelberg , 1993


Surface Science: An Introduction. John B. Hudson; John Wiley & Sons. New York , 1998
Surface Physics of materials. Ed. by J.M.Blakely . Academic Press. New York . 1975. Vol. I
and II
Fundamentos de la Teora Electromagntica . J.R. Reitz, F.J. Milford y R.W. Christy. Pearson
Education, 1996
Introduction to Solid State Physics. Charles Kittel. John Wiley & Sons. New York , 1976
Physical Chemistry. P. W. Atkins. Oxford University Press. 1982
Fundamentals of Statistical and Thermal Physics, Federick Reif. Mc Graw Hill.
Interfaces in Materials: Atomic Structure, Thermodynamics and Kinetics of Solid-Vapor, SolidLiquid and Solid-Solid Interfaces. James M Howe. John Wiley & Sons. New York , 1997
Physics at Surfaces Andrew Zangwill. Cambridge University Press, Cambridge 1988
Ellipsometry and polarized light R.M.A.Azzam, N.M. Bashara. Amsterdam : North-Holland,
1977

3.3.27 TPICOS DE CIENCIA DE MATERIALES


OBJETIVOS: En este curso se revisan los conceptos, principios y las aplicaciones de la
ciencia de materiales que son necesarios para el desarrollo de mtodos y tcnicas requeridas
para la fabricacin y procesamiento y caracterizacin de dispositivos semiconductores. Se
abordan temas que son esenciales para la fabricacin y caracterizacin de dispositivos
elctricos y magnticos.
Contenido:
TEMA 1: MATERIALES EN LA INGENIERA.
1.1 Perspectiva histrica de los materiales.
1.2 Concepto de Ciencia en Ingeniera de materiales.
1.3 Tipos de materiales.
1.4 Estructura y propiedades de los materiales.
1.5 Procesado y seleccin de materiales.
150

TEMA 2: EL ENLACE ATMICO.


2.1 Estructura atmica.
2.2 Enlaces. Inico, Covalente, Metlico y de Van der Waals.
2.3 Clasificacin de materiales en funcin del tipo de enlace.
TEMA 3: ESTRUCTURA CRISTALINA.
3.1 Sistemas y redes cristalinas.
3.2 Estructuras metlicas.
3.3 Estructuras polimricas.
3.4 Estructuras semiconductoras.
TEMA 4: DEFECTOS CRSITALINOS Y ESTRUCTURA NO CRISTALINA.
4.1 Imperfeccin qumica: Soluciones slidas.
4.2 Defectos cristalinos:
4.2.1 Puntuales o imperfecciones de dimensin cero.
4.2.2 Lineales o imperfecciones unidimensionales.
4.2.3 Superficiales o imperfecciones bidimensionales.
4.3 Slidos no cristalinos o con imperfeccin cristalina tridimensional.
TEMA 5: PROCESOS DE CRECIMIENTO Y APLICACIONES DE LOS PROCESOS
DE CRECIMIENTO.
5.1 Transporte en fase gaseosa. Adsorcin. Desorcin. Coeficiente de pegado (sticking)
y recubrimiento superficial.
5.2 Transporte en fase gaseosa. Adsorcin. Desorcin. Coeficiente de pegado (sticking)
y recubrimiento superficial.
5.3 Nucleacin y crecimiento de pelculas delgadas. Difusin superficial. Energa
superficial.
5.4 Morfologa determinada por la nucleacin. Evolucin de la microestructura.
Tensiones residuales y adherencia. Adsorcin, desorcin y enlace del hidrgeno sobre
el silicio. Procesos superficiales en el crecimiento epitaxial.
TEMA 6: CONDUCCIN
SEMICONDUCTORES.

ELCTRICA,

MATERIALES

ELCTRICOS

6.1 Portadores de carga y conduccin elctrica.


6.2 Niveles y bandas de energa.
6.3 Materiales conductores.
6.4 Materiales semiconductores.
6.5 Materiales compuestos.
6.6 Materiales aislantes.
6.7 Semiconductores elementales intrnsecos.
6.8 Semiconductores elementales extrnsecos.
6.8.1 Tipo p
151

6.8.2 Tipo n
6.9 Compuestos semiconductores.
6.10 Semiconductores amorfos.
6.11 Procesado de semiconductores.
6.12 Dispositivos semiconductores.
TEMA 7: MATERIALES MAGNTICOS.
7.1 Conceptos generales sobre magnetismo.
7.2 Ferromagnetismo.
7.3 Ferrimagnetismo.
7.4 Imanes metlicos.
7.5 Imanes cermicos.
TEMA 8: SELECCIN DE MATERIALES ELCTRICOS, ELECTRNICOS Y
MAGNTICOS. ESTUDIO DE CASOS.
8.1 Metales amorfos en la distribucin de energa elctrica.
8.2 Sustitucin de polmero termoestable por un termoplstico en la fabricacin de
aislantes industriales.
8.3 Soldadura de aleacin metlica.
8.4 Diodos electroluminiscentes luminosos.
8.5 Los polmeros para la construccin de dispositivos electrnicos.

TEMA 9: CIRCUITOS MAGNTICOS, ENERGA Y PRDIDAS DE ENERGA EN


LOS NCLEOS MAGNTICOS.
9.1 Leyes de los circuitos magnticos.
9.2 Ejemplos de aplicacin.
9.3 Conceptos de Energa y Co-energa Magnticas.
9.4 Prdidas de energa en los ncleos ferromagnticos.
9.4.1 Por histresis.
9.4.2 Por corrientes de Foucault.
9.4.3 Consecuencias tecnolgicas.
9.5 Conceptos generales sobre circuitos magnticos excitados con corriente alterna
senoidal.
9.6 Circuito elctrico equivalente de una bobina con ncleo de hierro alimentada con
corriente alterna senoidal.
9.6.1 Caso de ncleo sin prdidas.
9.6.2 Caso de ncleo con prdidas.
9.7 Corriente de excitacin en una bobina con ncleo de hierro alimentada con corriente
alterna senoidal.
9.7.1 Caso de ncleo sin prdidas.
9.7.2 Caso de ncleo con prdidas.
9.8 Ejemplos de aplicacin.
152

TEMA 10: CONVERSIN DE ENRGA EN SISTEMAS MAGNTICOS CON


MOVIMIENTO.
10.1 Conversin de energa en sistemas magnticos con movimiento de traslacin.
Electroimanes.
10.2 Conversin de energa en sistemas magnticos con movimiento de rotacin.
Mquinas elctricas rotativas.
BIBLIOGRAFA:

Shackelford J. F, Introduccin a la ciencia de los materiales para ingenieros. Ed.


Prentice Hall, 6 edicin.
Smith, W F. ; Hashemi, J. Fundamentos de la Ciencia e Ingeniera de Materiales. Ed.
Mc. Graw Hill, 4 edicin.
Applied Photovoltaics - Second Edition, S.R. Wenham , M.A. Green, M.E. Watt y R.
Corkish, ARC Centre for Advanced Silicon Photovoltaics and Photonics, 2007.
Photovoltaic Solar Energy Generation, A. Goetzberge, V.U. Hoffmann, Springer,
Berlin, 2005.
Solar Cells: Materials, Manufacture and Operation, T. Markvart y L. Castaer, Elsevier,
2005.
Optoelectronic and Photonics, S.O. Kasap, Prentice Hall, 2001.
Semiconductor Optoelectronics, Bhatacharva, Prentice Hall, 1994.
Semiconductor Optoelectronics: Physics and Technology, Singh, Mc. Graw Hill, 1995.
Hydrogenated amorphous silicon, Semiconductors and Semimetals, Vol 21, Pankove,
Academic Press, 1984.
Amorphous Semiconductors, M. Brodsky, Springer, 1985.
Hydrogenated Amorphous Slicon, R. Street, Cambridge, 1991.
Amorphous and Microcrystalline Silion Solar Cells, R.E.I.Schropp y M.Zeman, Kluwer
Academic Press, 1998.
Publicaciones de las revistas Physical Review B, Journal of Applied Physics, IEEE
Transaction of Electron Devices, Journal of Non-Crystalline Solids, Proceedings of
IEEE y MRS, etc.

3.3.28 PELCULAS DELGADAS SEMICONDUCTORAS


OBJETIVO: Introducir al estudiante al campo de las pelculas delgadas, en aspectos tales
como: fabricacin, fenmenos de transporte y estructura, propiedades pticas y aplicaciones.
Contenido:
TEMA 1: TERMODINMICA Y CINTICA.
1.1 Introduccin histrica.
1.2 Equilibrio de fases.
1.3 termodinmica de defectos y diagramas de fases en cristales compuestos.
153

1.4 Teora de nucleacin.


1.5 Estructura de soluciones supersaturadas.
1.6 Mecanismo de crecimiento de cristales.
1.7 Modelo a escala atmica de crecimiento de cristales.
TEMA 2: TRANSPORTE Y ESTABILIDAD.
2.1 Descripcin de procesos de transporte.
2.2 Modelos en volumen de solidificacin.
2.3 Estabilidad morfolgica.
2.4 Efectos de flujo sobre la estabilidad morfolgica.
2.5 Formacin de patrones en crecimiento de cristales.
TEMA 3: CRECIMIEMTO DE CRISTALES EN VOLMEN.
3.1 Tcnicas bsicas.
3.2 Investigacin de crecimiento de cristales en ciencias de la tierra y planetarias.
3.3 Tcnicas de crecimiento de Bridgemen y relacionadas.
3.4 Crecimiento de Czochralski.
3.5 Crecimiento de cristales por fundicin en zona flotante.
3.6 Empleo de campos magnticos en crecimientos a partir del fundido.
3.7 Cristalizacin fraccional.
3.8 Mecanismo de crecimiento y dinmica.
3.9 Fenmenos de segregacin en crecimiento de cristales a partir del fundido.
3.10 Convencin en crecimiento del fundido.
3.11 Esfuerzos en el enfriamiento del cristal.
3.12 Modelacin del crecimiento de Bridgeman y Czochralsk.i
3.13 Crecimiento de cristales con formas definidas.
3.14 Cristalizacin de autcticos, monotcticos y peritcticos.
3.15 Pelculas delgadas y epitaxia.
3.16 Tcnicas bsicas.
3.17 Epitaxia por transporte de halgenos.
3.18 Epitaxia en fase vapor de organometlicos.
3.19 Principios de epitaxia de haces moleculares.
3.20 MBE con fuente gaseosa.
3.21 Epitaxia en fase lquida.
3.22 Epitaxia en fase slida.
3.23 Mecanismos de crecimiento.
3.24 Procesos de cintica en fase vapor.
3.25 Cintica de reaccin en OMVPE.
3.26 Fenmenos de transporte en reactores de epitaxia en fase vapor.
3.27 Epitaxia de capas atmicas.
3.28 Nucleacin y difusin superficial en MBE.
3.29 MOVPE de pozos cunticos ultradelgados.
3.30 Epitaxia auxiliada por luz.
3.31 Estudio ptico in situ de crecimiento epitaxial.
BIBLIOGRAFA:
154

Semiconductor Handbook.

3.3.29 TECNOLOGA DE CELDAS SOLARES FOTOVOLTAICAS


OBJETIVOS: El alumno de Maestra en Ingeniera Elctrica, conocer los ms recientes
avances tecnolgicos e investigaciones sobre la conversin de energa fotovoltaica, desde los
materiales semiconductores utilizados, el principio de funcionamiento de las celdas, los
mdulos fotovoltaicos, los fundamentos matemticos, el diseo de una celda fotovoltaica, el
anlisis matemtico de las variables del dispositivo como generador de potencia elctrica a
travs de la transformacin de la energa solar, el diseo y aplicacin de sistemas fotovoltaicos
(SFV) para ser utilizados como fuentes de energa elctrica, la electrnica asociada tanto para
la caracterizacin del dispositivo as como para el control de operacin de los SFV. El alumno
conocer tambin algunas tcnicas de caracterizacin de la celda, mdulo y de los SFV
mediante prcticas de laboratorio.
Contenido:
INTRODUCCIN.
TEMA 1: FSICA DE LA CELDA FOTOVOLTAICA.
I.1 Materiales semiconductores.
I.2 Efecto fotovoltaico.
I.3 Tipos de celadas FV.
I.4 Teora de la unin P-N de semiconductores de la Celda fotovoltaica.
I.5 Representacin elctrica de la celda.
I.6 Ecuacin y curva caracterstica.
I.7 Aspectos tecnolgicos de fabricacin de la celda.
I.8 Diseo de una celda fotovoltaica de silicio.
I.9 Prcticas laboratorio.
TEMA 2: CIRCUITO ELCTRICO, VARIABLES Y CURVA CARCTERISTCA DE
LA CELDA SOLAR.
2.1 Circuito elctrico equivalente de la celda en iluminacin.
2.2 Variables elctricas de la celda.
2.3 Anlisis matemtico de las variables elctricas.
2.4 Curva Caracterstica de la celda con efecto de resistencia solar.
2.5 Condiciones de circuito corto y de circuito abierto.
2.6 Potencia elctrica.
2.7 Condicin de mxima potencia.
2.8 Eficiencia de conversin Fotovoltaica de la celda solar.
2.9 Circuito elctrico equivalente de la celda en obscuridad.
2.10 Efecto de la temperatura de la celda.
2.11 Practicas de laboratorio.
155

TEMA 3: SISTEMAS FOTOVOLTAICOS.


3.1 Mdulos Fotovoltaicos y caractersticas elctricas.
3.2 Formas de conexin de mdulos FV.
3.3 Batera Automotriz.
3.4 Condiciones Ambientales.
3.5 Efecto de la temperatura en las variables elctricas del mdulo.
3.6 Criterios de diseo de un sistema fotovoltaico Solar.
3.7 Materiales elctricos y mecnicos requeridos en SFV.
3.8 Criterios tcnicos de instalacin.
3.9 Practicas de laboratorio.
TEMA 4: ELECTRNICA ASOCIADA A LOS SISTEMAS SOLARES.
1 Dispositivos elctricos y electrnicos.
2 Diseo de circuito electrnico para medicin de la curva I-V de la Celda.
3 Tcnicas de diseo electrnico para la deteccin de potencia mxima.
4 Tcnicas de diseo de un control de voltaje para bateras.
5 Tcnicas de diseo de un seguidor electrnico de mxima potencia.
6 Practicas de laboratorio.
BIBLIOGRAFA:

Solar Voltaic Cells, W.D. Johnston, Jr (1980) Marcell Dekker, Inc.


Solar Cells Operating Principles, Technology and System Applications, Martin A.
Green (1982) Prentice Hall, Inc.
Thin-Film Crystalline Silicon Solar Cells, Physics and Technology, Rolf Brendel
(2003) Wiley-VCH.
Third Generation Photovoltaics, Advanced Solar Energy Conversion, Martin A. Green,
(2003) Springer.
Thin Film Solar Cells, Next Generation Photovoltaics and its Applications, Yoshihiro
Hamakawa (2004) Springer.

156

3.3.30 TRANSISTORES MOS AVANZADOS


OBJETIVO: Preparar al estudiante en el conocimiento de los transistores con ms
perspectivas de utilizacin en los circuitos integrados de muy alta integracin, tanto de
aplicaciones digitales como analgicas.
Contenido:
TEMA 1: DESARROLLO HISTRICO DE LOS TRANSISTORES MOS.
TEMA 2: LOS TRANSISTORES SOI.
2.1 Obtencin de las obleas SOI.
2.2 Tipos de transistores SOI: parcialmente empobrecidos y totalmente empobrecidos.
2.3 Capacitancias.
2.4 Voltaje umbral.
2.5 Efecto de cuerpo.
2.6 Efectos de canal corto.
2.7 Modelos continuos.
2.8 Transconductancia.
2.9 Relacin gm/Id.
2.10 Movilidad.
2.11 Pendiente subumbral.
2.12 Efectos de campo intenso: efecto kink y electrones calientes.
2.13 Efectos de cuerpo flotante.
2.14 Autocalentamiento.
2.15 Modo de acumulacin: sus caractersticas.
TEMA 3: TRANSISTORES SOI DE COMPUERTYAS MULTIPLES.
3.1 Anlisis de sus caractersticas y parmetros.
3.2 Transistores nanomtricos.
3.3 Transistores de doble compuerta.
3.4 Transistores de 3 compuertas.
3.5 Transistores de compuerta alrededor (GAA).
3.6 Transistores FinFET.
TEMA 4: TRANSISTORES BALSTICOS.
4.1 Principio de operacin.
4.2 Lmites de transicin.
4.3 Caractersticas elctricas.

TEMA 5: MODELOS CONTINUOS PARA LOS TRANSISTORES MOS


AVANZADOS.
157

BIBLIOGRAFA:

Y. Tsividis, Operation and modeling of the MODS transistor, 2nd Ed., McGraw-Hill,
1999.
J.-P. Colinge, Silicon-Insulator Technology: Materials to VLSI, 3er. Ed., Kluwer,
2004.
FinFETs and other multi-gate transistors, Ed. By J.-P. Colinge, Springer, 2008.

3.3.31 VLSI PARA SISTEMAS NEURODIFUSOS


OBJETIVO: El objetivo de este curso es el de identificar las propiedades dinmicas de
circuitos integrados analgicos en tecnologa CMOS que son tiles para representar variables
de procesamiento paralelo de modelos neuronales artificiales y biolgicos. Casos especficos
son estudiados, por ejemplo, la plasticidad dinmica de sinpsis entre neuronas; otro estudio
sera la representacin de corriente voltaje en el rgimen de subumbral de transistores MOS
complementarios
Contenido:
INTRODUCCIN.
TEMA 1: REVISIN DE TCNICAS DE IMPLEMENTACIN AN HARDWARE.
TEMA 2: REDES NEURONALES ARTIFICIALES GENERALIZADAS.
TEMA 3: DISEO DE ARQUITECTURA.
3.1 Fundamentos.
TEMA 4: DISEO, MODELADO E IMPLANTACIN DE UN DISPOSITIVO MOS
SINPTICO.
TEMA 5: RED NEURONAL ARTIFICIAL BASDA EN EL DISPOSITIVO MOS
SINPTICO.
TEMA 6: RED NEURONAL ARTIFICIAL CUADRTICA.
TEMA 7: CONSIDERACIONES TECNOLGICAS.
7.1 Memorias analgicas.
7.2 Efectos de escalamiento.
TEMA 8: MEMORIAS ANALGICAS AVANZADAS.
8.1 Mecanismos de inyeccin con portadores calientes y por tuneleo.
158

TEMA 9: ESTRUCTURAS DE MEMORIA ANTI-FUSIBLE.


CONCLUSIONES.
BIBLIOGRAFA:

VLSI-Compatible Implementations for Artificial Neural Networks. Sied Mehdi


Fakhraie and Kenneth C- Smith.
Kluwer Academic Publishers, Boston MA, USA (1997).
Learning on Silicon. Adaptive VLSI neural systems. Gert Cauwenberghs and Magdy A.
Bayoumi (editors).
Kluwer Academic Publishers, Boston MA, USA (1999).

3.3.32 SISTEMAS NEURODIFUSOS III


OBJETIVO: Presentar al estudiante los conceptos fundamentales en las reas de diseo de
sistemas electrnicos desarrollados en tecnologa CMOS, mostrando las propiedades elctricas
que son anlogas a los modelos de sistemas neuronales artificiales y de sistemas de lgica
difusa. Se abordan casos especficos para mostrar una metodologa de desarrollo de estos
sistemas.
Contenido:
TEMA 1: SISTEMAS NEURODIFUSOS.
1.1 Modelado de sistemas neurodifusos.
1.2 Combinacin de redes neuronales y sistemas difusos.
1.3 Tipos de sistemas neurodifusos.
TEMA 2: SISTEMAS NEURODIFUSOS HBRIDOS.
2.1 Introduccin
2.2 La arquitectura ANFIS
2.2.1 Descripcin de capas funcionales.
2.2.2 Algoritmo de aprendizaje hbrido.
2.2.3 Regla de aprendizaje hbrida.
2.2.4 Mtodo descendiente abrupto.
2.2.5 Mtodo de mnimos cuadrados.
2.2.6 ANFIS y la regla de aprendizaje hbrida.
2.2.7 ANFIS en el ambiente de Matlab.
TEMA 3: SISTEMAS NEURODIFUSOS BASADOS EN EL PERCEPTRON DIFUSO.
3.1 El perceptron difuso.
3.2 El controlador neurodifuso Nefcon.
159

3.2.1 Arquitectura.
3.2.2 Regla de aprendizaje.
3.2.3 Software de simulacin.
3.3 El clasificador neurodifuso Nefclasss.
3.3.1 Arquitectura.
3.3.2 Regla de aprendizaje.
3.3.3 Software de simulacin.
3.4 Aproximador de funciones Nefprox.
3.4.1 Arquitectura.
3.4.2 Aprendizaje de parmetros y estructura.

TEMA 4: DISEO DE CIRCUITOS INTEGRADOS NEURODIFUSOS.


4.1 Principio translineal generalizado.
4.2 Derivacin del Principio MOS Translineal MTL.
4.3 Topologas de Mallas.
4.4 Anlisis de circuitos MOS translineales.
4.5 Grafos translineales (TL graphs).
4.6 Anlisis sistemtico de redes MTL.
4.7 Multiplicador de Cuatro Cuadrantes MTL.
4.8 Circuitos CMOS para construir celdas bsicas de ANFIS.
4.8.1 Generador de funciones de membresa.
4.8.2 Operador norma-T.
4.8.3 Multiplicador/divisor.
4.8.4 Circuitos auxiliares.
TEMA 5: SIMULACIN DE CELDAS Y PRUEBAS ELCTRICAS.
5.1 Simulacin a nivel funcional (Matlab).
5.2 Simulacin elctrica (PSpice).
5.2.1 Modelos, parmetros y tipos de anlisis.
5.2.2 Generador de funciones de membresa.
5.2.3 Operador norma-T.
5.2.4 Multiplicador/divisor.
5.3 Diseo topolgico.
5.3.1 Celdas bsicas.
5.3.2 Circuito integrado completo.
5.3.3 Extraccin elctrica.
5.4 Fabricacin.
5.5 Pruebas elctricas.
5.5.1 Diseo de circuitos de prueba.
5.5.2 Pruebas a nivel de celdas.
5.5.3 Pruebas a nivel sistema.
BIBLIOGRAFA:

160

J. S. R. Jang, C. T. Sun and E. Mizutani , Neuro-Fuzzy and Soft Computing: A


Computational Approach to Learning and Machine Intelligence . Prentice Hall, 1997.
ISNB: 0-13-261066-3.
D. Nauck, F. Klawonn and R. Kruse, Foundations of Neuro-fuzzy Systems . John
Wilwy & Sons, 1997. ISBN: 0-471-97151-0.
R. J. Wiegerink, Analysis and Synthesis of MOS Translinear Circuits , Kluwer
Academic Publishers, 1993. ISBN: 0-7923-9390-2.
C. T. Lin and C. S. G. Lee, Neural Fuzzy Systems . Prentice Hall PTR, 1996. ISBN: 013-235169-2.

Sitios WEB:
Jyh-Shing Roger Jang ( ??? ).
http://neural.cs.nthu.edu.tw/jang/
Neural Networks and Fuzzy Systems.
Nauck/Klawonn/Kruse.
http://fuzzy.cs.uni-magdeburg.de/papers.html.
Internet's Resources for Neuro-Fuzzy and Soft Computing.
http://www.cs.nthu.edu.tw/~jang/nfsc.htm.

3.4 MECATRNICA
La duracin del plan de estudios de la Maestra en Mecatrnica es de dos aos divido en 6
cuatrimestres. Durante los primeros tres cuatrimestres los estudiantes cursan 10 materias
obligatorias y un mnimo de 2 materias optativas. La distribucin de las materias durante el
primer ao es la siguiente:
Cuatrimestre 1 (septiembre-diciembre)
Matemticas
Modelado de sistemas dinmicos
Ingeniera de control
Mecnica de materiales
Cuatrimestre 2 (enero-mayo)
Sistemas en tiempo real
Diseo de elementos de mquinas
CAD/CAM/CAE
Introduccin al control no lineal
Cuatrimestre 3 (mayo-agosto)
Robtica
Sistemas de manufactura
Curso optativo I
Curso optativo II

161

El segundo ao del programa de Maestra se enfoca al desarrollo del tema de tesis.


Cuatrimestre 1 (septiembre-diciembre)
Trabajo de tesis
Cuatrimestre 2 (enero-mayo)
Trabajo de tesis
Cuatrimestre 3 (mayo-agosto)
Trabajo de tesis
Los programas condensados de los cursos obligatorios se presentan a continuacin.

CURSOS OBLIGATORIOS
3.4.1 MATEMTICAS
Objetivo. Proporcionar al alumno fundamentos adecuados para abordar los problemas
matemticos a los que se enfrenta en las diferentes disciplinas de la ingeniera que convergen
en la Mecatrnica.
CONTENIDO:
1. lgebra.
1.1. Elementos de lgebra Abstracta.
1.1.1. Conjuntos.
1.1.2. lgebra de conjuntos.
1.1.3. Clases de equivalencia.
1.1.4. Funciones.
1.1.5. Homomorfismos, Isomorfismos.
1.1.6. Operaciones binarias.
1.2. Grupos.
1.2.1. Estructuras binarias isomorfas.
1.2.2. Grupos, subgrupos, grupos cclicos.
1.2.3. Grupos Abelianos.
1.3. Anillos y campos
1.3.1. Definiciones y ejemplos.
1.3.2. Propiedades elementales.
1.3.3. Espacios vectoriales.
1.3.4. Espacios finitos.
2. Anlisis funcional.
2.1. Anlisis Real.
2.1.1. La lnea real y el espacio euclidiano.
2.1.1.1. Secuencias de Cauchy, Supremo, nfimo.
2.1.1.2. Producto interno, Norma.
2.1.2. Topologa del Espacio Euclidiano.
2.1.2.1. Abiertos, Cerrados, Puntos de acumulacin, Cerradura, Frontera.
162

2.2. Series en R y R.
2.2.1. Sucesiones.
2.2.2. Criterios de convergencia de series.
2.3. Compacidad.
2.3.1. Compacidad.
2.3.2. Teorema de Heine-Borel.
2.3.3. Conjuntos conexos y conectados.
2.4. Mapeos Continuos.
2.4.1. Continuidad.
2.4.2. Continuidad uniforme.
2.4.3. Propiedades de funciones continuas.
2.4.4. Convergencia de funciones.
2.4.5. Convergencia uniforme y puntual.
2.4.5.1. Criterio de Weierstrass.
2.4.5.2. Funciones elementales.
2.4.5.3. El espacio de las funciones continas.
2.5. Mapeos Diferenciales.
2.5.1.1. Derivada.
2.5.1.2. Continuidad de los mapeos diferenciales.
2.5.1.3. Condiciones de diferenciabilidad.
2.5.1.4. Regla de la cadena.
2.5.1.5. Teorema del valor medio.
2.5.1.6. Teorema de Taylor.
2.5.2. Mximos y mnimo.
3. Ecuaciones diferenciales.
3.1. Existencia y unicidad.
3.1.1. Caso lineal.
3.1.2. Caso general.
3.2. Dependencia de las soluciones sobre condiciones iniciales y parmetros.
3.3. Condiciones globales.
Bibliografa.
1.
W. E. Deskins, Abstract Algebra, New York, Macmillan, 1964. ISBN 0-486-68888-7.
2.
I. N. Herstein, Abstract Algebra, John Wiley & Sons, 1996, ISBN 0471368792.
3.
C. Lanski, Concepts in Abstract Algebra, The Brooks/Cole Series in Advanced
Mathematics, Paul J. Sally Jr., Editor, 2005, ISBN 0-534-42323-X
4.
I.N. Herstein, Abstract Algebra, John Wiley and Sons, 1999.
5.
J.B. Fraleigh, First course in Abstract Algebra, Pearson, 2003.
6.
J. Tinsley Oden, Applied Functional Analysis, Prentice-Hall, New Jersey, 1979.
7.
J. E. Marsden, M. J. Hoffman, Anlisis Clsico Elemental, S.Ed. Addison-Wesley
Iberoamericana, 1993.
8.
Perko, Differential equations and dynamical systems, Third Ed., Springer, 2000.
9.
Lang, Introduccin al anlisis matemtico, Addison-Wesley Iberoamericana, 1990.
10.
B. Goodwine, Engineering Differential Equations Theory and Applications, Springer
New York, 2011.

163

3.4.2 MODELADO DE SISTEMAS DINMICOS


Objetivo. Proporcionar las herramientas para el modelado y simulacin de sistemas
mecatrnicos, enfocndose en los componentes mecnicos y principalmente desde el punto de
vista de la mecnica clsica con las metodologas de Euler-Lagrange. Se exploran muchos
ejemplos de sistemas comunes en la mecnica clsica y tambin distintas configuraciones de
robots.
Estudiar la representacin de sistemas electro-mecnicos mediante el uso de diagramas de
unin (bondgraph), para fines de anlisis y simulacin. Analizar, modelar y simular sistemas
mecnicos que presentan discontinuidades estructurales o debidas a fenmenos de friccin.
CONTENIDO:
1.

Ecuaciones de movimiento.
1.1. Coordenadas generalizadas.
1.2. Punto material o partcula.
1.3. Principio de mnima accin (Hamilton).
1.4. Ecuaciones de Euler-Lagrange.
1.5. Principio de Relatividad de Galileo.
1.6. Funcin de Lagrange de una partcula libre.
1.7. Funcin de Lagrange de un sistema de puntos materiales.
1.8. Movimiento de una partcula en un campo exterior.
1.9. Ejemplos:

Pndulo controlado
Maquina de Atwood

Pndulo con resorte torsional


Bola en un anillo

Pndulo elstico

Bola en un riel

Pndulo con resorte fijo

Pndulo de longitud variable

Doble pndulo
Pndulo sobre carro

Robot de 2 DOF

Manipulador de unin flexible

Pndulo con masa y resorte


Cohete

Polea compuesta

Robot PPR
2.
Leyes de conservacin.
2.1. Ley de la conservacin de la energa.
2.2. Ley de la conservacin del impulso.
2.3. Centro de inercia.
2.4. Momento cintico o momento del impulso.
3. Modelado de robots articulados.
3.1. Modelado de robots simples.
3.2. Modelado de robos complejos.
3.3. Ejemplos:

Robot de 1 DOF

Brazo manipulador planar PR

Robot de 2 DOF

Robot cartesiano planar

Robot planar de 1 DOF

Robot cartesiano de 3 dimensiones

Robot planar
Robot PPR
3.4. Robots con restricciones holonmicas
3.5. Robots con restricciones no holonmicas
4. Diagramas de unin (Bondgraph)
164

4.1. Generalidades y ejemplo motivador


4.2. Flujos y esfuerzos
4.3. Orientacin de la unin
4.4. Causalidad
4.5. Elementos estndar
4.6. Uniones 0 y 1
4.7. Reglas de conexin
4.8. Ejemplos
5. Modelado de sistemas con discontinuidades por fenmenos de friccin.
5.1. Modelos de friccin seca.
5.2. Sistemas discontinuos:

Sistema con fenmeno de atascamiento/deslizamiento

Sistema con fenmeno de atascamiento/deslizamiento y amortiguador

Masa con soporte discontinuo


5.3. Modelado de sistemas de perforacin:

Modelo con fuerzas externas

Modelo con fenmeno de remolino

Modelo combinado
Bibliografa:
1.
V.I. Arnold, Mathematical methods of classical mechanics, 2a edicin, SpringerVerlag, 1989.
2.
L.D. Landau y E.M. Lifshitz, Fsica terica, Tomo I: Mecnica, Editorial MIR, Mosc,
1982.
3.
Fantoni y R. Lozano, Nonlinear control of under actuated systems, Springer-Verlag,
London, 2002.
4.
H. Goldstein, Classical Mechanics, Addison Wesley, Reading, Massachussetts, 1980.
5.
Jorge V. Jose, Eugene J. Saletan, Classical Dynamics: A Contemporary Approach,
Cambridge, University Press, 1998.
6.
J. Marsden y T. Ratiu, Introduction to mechanical systems and symmetry: a basic
exposition to classical mechanical systems, Nmero 17 en Texts in Applied Mathematics,
Springer-Verlag, 1999.
7.
R. Kelly y V. Santibez, Control de movimiento de robots manipuladores, PearsonPrentice Hall, Madrid, 2002.
8.
Remco Leine, Bifurcations in discontinuous mechanical systems of Filippov type, Tesis
doctoral, Eindhoven University of Technology, The Netherlands, 2000. ISBN 90-386-2911-7.
http://w3.tue.nl/en/services/library/
9.
20-sim Bondgrpah modeling tutorial.
10.
http://www.20sim.com/webhelp4/modelingtutorial/ModelingTutorial.htm
11.
Jean U. Thoma, Introduction to bond graphs and their applications, Pergamon Press,
Great Britain, 1975.
12.
Dean Karnopp, Ronald Rosenberg, System Dynamics: A unified Approach, Hohn
Wiley & Sons, New York, 1975.
13.
Dean C. Karnopp, Donald L. Margolis, Ronald C. Rosenberg, System dynamics :
modeling and simulation of mechatronic systems, New York : Wiley, 2000

165

3.4.3 INGENIERA DE CONTROL


Objetivo. Que el alumno aprenda herramientas bsicas de la Ingeniera de Control y utilice
paquetes computacionales para propsitos de modelacin, anlisis, diseo y simulacin de
sistemas de control. A lo largo del curso se mantendr un nfasis especial sobre los sistemas
mecnicos, electrnicos, elctricos comunes en los sistemas mecatrnicos.
Captulo 1. Introduccin.
1.1
Resea histrica de la ingeniera de Control.
1.2
Elementos bsicos de un sistema de control.
1.3
Concepto de control retroalimentado.
1.4
La computadora como herramienta de diseo y controlador en tiempo real.
1.5
Modelos de sistemas fsicos.
Captulo 2. Elemento de la transformada de Laplace y la transformada Z.
2.1 Definicin de la transformada de Laplace y transformada Z.
2.2 Teoremas de la transformada Z.
2.3 Transformada Z inversa.
2.4 Retenedor de orden cero y respuesta entre instantes de muestreo.
2.5 La funcin de transferencia como modelo de un sistema lineal.
Captulo 3. Descripcin de sistemas en variables de estado.
3.1 Introduccin.
3.2 Ejemplos.
3.3 La ecuacin de estado en tiempo continuo (o discreto).
3.4 La forma cannica controlable y observable.
3.5 Solucin de la ecuacin de estado mediante la transformada de Laplace
Z).
3.6 Ecuacin caracterstica, valores y vectores propios.
3.7 Discretizacin de seales en tiempo contino.
3.8 Respuesta de sistemas muestreados entre instantes de muestreo.

(transformada

Captulo 4. Estabilidad de sistemas de control.


4.1 Introduccin.
4.2 Definiciones de estabilidad.
4.3 Los mtodos clsicos de Lyapunov.
4.4 Resultados importantes para determinar la estabilidad en sistemas lineales en tiempo
continuo y discreto.
Captulo 5. Anlisis en el dominio del tiempo.
5.1 Introduccin.
5.2 Comparacin de la respuesta en el tiempo de sistemas en tiempo continuo y
sistemas muestreados
5.3 Respuesta en el tiempo en funcin de la localizacin de las races en el plano S y en
el plano Z.
Captulo 6. Anlisis en el dominio de la frecuencia.
6.1 Introduccin.
6.2 Diagramas de Nyquist y de Bode.
6.3 Margen de fase y margen de ganancia.
166

Captulo 7. Controlabilidad y observabilidad.


7.1 Introduccin.
7.2 Definicin de controlabilidad. Teoremas de controlabilidad para sistemas lineales
invariantes en el tiempo.
7.3 Definicin de observabilidad. Teoremas de observabilidad para sistemas lineales
invariantes en el tiempo.
7.4 Relacin dual entre controlabilidad y observabilidad.
7.5 Relaciones entre controlabilidad, observabilidad y funciones de
transferencia.
7.6 Controlabilidad y observabilidad en funcin del periodo de muestreo.
Captulo 8. Diseo de sistemas de control.
8.1 Introduccin.
8.2 Compensacin en cascada con controladores en tiempo contino.
8.3 Compensacin por retroalimentacin en tiempo contino.
8.4 El controlador digital.
8.5 El controlador PID digital.
8.6 Asignacin de polos por retroalimentacin esttica del estado.
8.7 La retroalimentacin dinmica del estado.
Captulo 9. Observadores de estado.
9.1 Introduccin.
9.2 Diseo de observadores.
Captulo 10. Esquemas de control industrial
10.1 Control en cascada.
10.2 Control de relacin.
10.3 Control pre alimentado.
10.4 Control PID.
10.5 Esquemas combinados.
Bibliografa:
1. K.J. Astrom, Computer Controlled Systems, Addison-Wesley, NY, 1993.
2. G.P. Franklin, J.D. Powell and M.L. Workman, Digital Control of Dynamic Systems, 2nd
edition, Addison-Wesley, NY, 1990.
3. T. Kailath, Linear Systems. Prentice-Hall, Englewood Cliffs, NJ, 1980.
4. B.C. Kuo, Sistemas Automticos de Control, Mc-Graw Hill, Mxico, 1987.
5. D.G. Luenberger, Introduction to Dynamic Systems: Theory, models, and applications,
Wiley, NY, 1979.
6. K. Ogata, Ingeniera de Control Moderna, 2a. edicin, Prentice-Hall
Hispanoamericana,1993.
7. K Ogata, Sistemas de Control en Tiempo Discreto, 2. Edicin, Prentice-Hall
Hispanoamericana, 1996.
8. The Student Edition of MATLAB, The Math Works Inc., Prentice-Hall, NJ, 1992.
9. Program CC for Computer-aided Control System Design, User Manual for PC Computers.
Peter M. Thompson and Systems Tech., Inc., 1988, 1990.

3.4.4 MECNICA DE MATERIALES


167

Objetivo. Proporcionar fundamentos para el anlisis de cargas, esfuerzos bsicos y


combinados, deformaciones, pruebas en materiales, teoras de falla y mecnica de la fractura.
El curso contempla diversos aspectos de la mecnica de slidos, mecnica de materiales,
mecnica de la fractura y propiedades de materiales que son importantes en Mecatrnica.
CONTENIDO:
1. Introduccin.
1.1. Introduccin general.
1.2. Una revisin histrica de la Mecnica.
1.3. Clasificacin de la Mecnica.
1.4. Evolucin de la Mecnica.
1.5. Definiciones de Mecatrnica.
1.6. Enfoques y filosofa de la Mecatrnica.
1.7. Mecnica vs Mecatrnica.
1.8. Consideraciones importantes.
2. Anlisis de cargas.
2.1. Modelos bsicos en Mecnica.
2.2. Anlisis y tipos de cargas.
2.3. Leyes de Newton.
2.4. Ecuaciones de equilibrio en un cuerpo rgido.
2.5. Anlisis de las cargas internas en un cuerpo deformable.
3. Esfuerzo y deformacin.
3.1. Definicin de esfuerzo normal y cortante.
3.2. Componentes del esfuerzo.
3.3. Estado general de esfuerzos.
3.4. Definicin de deformacin unitaria normal y cortante.
3.5. Componentes de la deformacin unitaria.
3.6. Estado general de deformacin.
3.7. Ley de Hooke.
3.8. Relacin de Poisson.
3.9. Ley de Hooke generalizada.
3.10. Energa de deformacin.
3.11. Teorema de Castigliano.
4. Tensin y compresin.
4.1. Esfuerzo normal promedio.
4.2. Distribucin
4.3. Frmula del esfuerzo normal promedio.
4.4. Condicin de esbeltez para elementos sometidos a compresin (columnas cortas).
5. Cortante directo.
5.1. Esfuerzo cortante promedio.
5.2. Distribucin del esfuerzo cortante.
5.3. Tipos de cortante.
6. Torsin.
6.1. Deformacin por torsin (cortante).
6.2. Frmula del esfuerzo de torsin.
6.3. Flechas de seccin circular.
6.4. Flechas de seccin no circular.
7. Flexin en vigas.
168

7.1. Tipos de apoyos en vigas.


7.2. Procedimiento de anlisis de vigas.
7.3. Diagramas de fuerza cortante y momento flexionante.
7.4. Mtodo analtico.
7.5. Deflexin en vigas.
7.6. Frmula del esfuerzo flexionante.
7.7. Casos ms generales de esfuerzos en vigas.
8. Columnas
8.1. Tipos de columnas, apoyos y cargas.
8.2. Esfuerzos en columnas.
9. Propiedades mecnicas de materiales.
9.1. Prueba de tensin.
9.2. Curvas de esfuerzo vs deformacin unitaria.
9.3. Prueba de compresin.
9.4. Ductilidad, fragilidad, flexibilidad y tenacidad.
9.5. Prueba de flexin.
9.6. Prueba de torsin.
9.7. Prueba de fatiga.
9.8. Prueba de impacto.
9.9. Homogeneidad e isotropa.
9.10. Dureza.
9.11. Aleaciones de hierro y carbono.
9.12. Estructuras cristalinas.
9.13. Diagramas de equilibrio de aleaciones de hierro y carbono.
9.14. Tratamientos trmicos.
9.15. Endurecimiento superficial.
9.16. Denominacin AISI/SAE de los aceros.
9.17. Otros materiales.
10. Anlisis de los esfuerzos principales.
10.1. Esfuerzos combinados.
10.2. Transformacin del esfuerzo plano.
10.3. Esfuerzos principales en el plano.
10.4. Esfuerzo cortante mximo en el plano.
10.5. Esfuerzos principales en 3D.
10.6. Crculo de Mohr.
10.7. Circulo de Mohr 3D.
11. Teoras de falla esttica.
11.1. Clasificacin de las fallas.
11.2. Teora de la energa de distorsin (von Mises-Hencky).
11.3. Teora del esfuerzo cortante mximo.
11.4. Teora del esfuerzo normal mximo.
11.5. Falla de materiales frgiles.
12. Impacto y fatiga.
12.1. Clasificacin de esfuerzos dinmicos.
12.2. Choque e impacto.
12.3. Fatiga.
13. Introduccin a la mecnica de la fractura.
13.1. Introduccin.
169

13.2. Concentracin de esfuerzos.


13.3. Sensibilidad a las muescas.
13.4. Teora de la mecnica de fracturas.
13.5. Tenacidad a la fractura.
13.6. Factor de seguridad para la fractura.
13.7. Fractura por fatiga.
13.8. Consideraciones generales.
Bibliografa:
1. ASM Handbook Committee, Metals Handbook, 9th edition, American Society for Metals,
Materials Park, OH, USA, 2001.
2. M.F. Ashby, D.R.H. Jones, Engineering Materials: An Introduction to Their Properties and
Applications, Pergamon Press, Oxford, 1980.
3. S.H. Avner, Introduccin a la metalurgia fsica, 2 Edicin, McGraw-Hill, Mxico, 1984.
4. J.M. Barsom, S.T. Rolfe, Fracture and fatigue control in structures. Prentice-Hall, NJ, 1987.
5. F.P.Beer, E.R. Johnston Jr., J.T. Dewolff, Mecnica de Materiales, 3 edicin, Mc-Graw Hill
Interamericana, Mxico, 2001.
6. R.E. Bishop, The Mechatronics Handbook, CRC Press, Boca Raton, FL, 2002.
7. W.D. Callister, Jr., Materials Science and Engineering: An Introduction, Second Edition,
John Wiley & Sons, NY, 1991.
8. A. Boresi and R. J. Schmidt, Advanced Mechanics of Material, 6th edition, John Wiley &
Sons, USA, 2002.
9. J.M. Gere, S.P. Timoshenko, Mechanics of Materials, 2nd edition, PWS Publishers, 1984.
10. W. Goldsmith, Impact: the Theory and Physical Behaviour of Colliding Solids. Dover
Publications, NY, 2001.
11. D. Gross, T. Seelig, Fracture Mechanics: with an Introduction to Micromechanics.
Springer-Verlag, Berlin, 2006.
12. H.W. Hayden, W.G. Moffatt, J. Wulff, Propiedades Mecnicas, Editorial Limusa, Mxico,
1982.
13. R.W. Hertzberg, Deformation and Fracture Mechanics of Engineering Materials, Second
Edition, John Wiley & Sons, NY, 1983.
14. R.C. Hibbeler, Mecnica de Materiales, 3 Edicin, Prentice Hall, Mxico, 1998.
15. F. Kreith, Mechanical Engineering Handbook. CRC Press, Boca Raton, 1999.
16. A.E.H. Love. A Treatise on the Mathematical Theory of Elasticity. Dover Publications,
NY, 1944.
17. R.L. Mott. Resistencia de Materiales Aplicada, 3 edicin, Prentice Hall Hispanoamericana,
1996.
18. W. Soboyejo, Mechanical Properties of Engineered Materials, Marcel Dekker, NY, 2003.
19. S.P. Timoshenko, D.H. Young, Elementos de Mecnica de Materiales, Limusa, Mxico,
1999.
20. S.P. Timoshenko, Resistencia de Materiales. Primera y Segunda Parte. Espasa-Calpe,
Madrid, 1957.
21. E.P. Popov, Engineering Mechanics of Solids. Prentice-Hall, NJ, 1990.
22. A.T. Zehnder. Fracture Mechanics. Cornell University, Ithaca, NY, 2010.
23. Matweb: www.matweb.com

170

3.4.5 SISTEMAS EN TIEMPO REAL


Objetivo. Proporcionar las metodologas y tcnicas disponibles para escribir programas de
tiempo real estricto. Una parte importante del curso involucra prcticas de programacin en
PCs (Linux-RTAI) para aplicaciones de control de procesos, adquisicin de seales y
comunicacin.
1. Conceptos Bsicos de Programacin en C
1.1
Variables
1.2
Operadores
1.3
Control de Flujo
1.4
Funciones
1.5
Punteros
1.6
Arreglos
1.7
Estructuras
1.8
Administracin de Memoria en C
1.9
Escritura a puertos y temporizacin
1.10 Prcticas de Programacin
1.10.1 Aspectos miscelneos de programacin
1.10.2 Adquisicin y generacin de seales
2. Introduccin
2.1
Definicin de Sistemas de Tiempo Real (STR)
2.2
Ejemplos de Sistemas de Tiempo Real
2.3
Caractersticas de Sistemas de Tiempo Real
3. Programacin concurrente
3.1 Definicin de Procesos
3.2 Ejecucin concurrente
3.3 Sincronizacin
3.4 Exclusin Mutua
3.5 Comunicacin
3.6 Implementacin de Procesos en RTAI
3.7 Prcticas de programacin
3.7.1 Instalacin de RTAI
3.7.2 Escritura y compilacin de mdulos de Kernel (MK)
4. Comunicacin entre procesos
4.1 Semforos
4.2 FIFOS
4.3 Memoria Compartida
4.4 Mailboxes
4.5 Prcticas de programacin
4.5.2 Comunicacin MK Linux
4.5.3 Comunicacin MK MK
5. Planificacin
5.1 Conceptos de planificacin
5.2 Rate Monotonic
5.3 Deadline Monotonic
5.4 Earliest Deadline First
6. Mtodos formales de anlisis y diseo
171

6.1 Introduccin
6.2 Redes de Petri
6.3 Redes de Petri con tiempo
7. Casos de estudio
7.1 Especificacin
7.2 Programacin
7.3 Integracin
Bibliografia:
1.
Karl-Erik Arzen, Real-Time Control Systems, Department of Automatic Control, Lund
Institute of Technology, Lund 2001.
2.
A. Burns and A. Welling, Real-Time Systems and Programming Languages, Addison
Wesley, 1997.
3.
E. Bianchi, L. Dozio, P. Mantegazza., RTAI, A Hard Real Time support for LINUX,
Dipartimento di Ingegneria Aerospaziale, Politecnico di Milano, 2001.

3.4.6 DISEO DE ELEMENTOS DE MQUINAS


Objetivo. Proporcionar los fundamentos y herramientas bsicas para resolver problemas que se
originan en el Diseo Mecnico, desde la concepcin hasta el diseo de mecanismos,
elementos de mquinas e integracin de sistemas mecatrnicos. El curso contempla elementos
de mecnica de materiales, cinemtica, vibraciones, elemento finito y optimizacin.
CONTENIDO:
1. Introduccin.
1.1. Introduccin general.
1.2. Definiciones de diseo y diseo mecnico.
1.3. Procedimiento clsico de diseo.
1.4. Otros enfoques de diseo.
1.5. Consideraciones importantes en el diseo.
1.6. Algunos casos documentados de fallas.
1.7. Cdigos y normas.
1.8. El papel del diseo mecnico en Mecatrnica.
2. Diseo de elementos de mquinas.
2.1. Tornillos y sujetadores.
2.2. Uniones soldadas y adherentes.
2.3. Resortes.
2.4. Ejes, flechas y cojinetes.
2.5. Engranes y trenes de engranes.
2.6. Transmisiones mecnicas con elementos flexibles.
3. Aplicacin de mtodos de elemento finito.
3.1. Introduccin.
3.2. Anlisis de esfuerzos y equilibrio.
3.3. Condiciones de frontera.
3.4. Energa potencial.
3.5. Mtodo de Rayleigh-Ritz.
172

3.6. Mtodo de Galerkin.


3.7. Casos de esfuerzo unidimensional, plano y tridimensional.
3.8. Programas para anlisis y simulacin.
4. Introduccin a la optimizacin de elementos de mquinas.
4.1. Introduccin general.
4.2. Definicin del problema de optimizacin.
4.3. Tcnicas de optimizacin clsicas.
4.4. Tcnicas de programacin lineal.
4.5. Tcnicas de programacin no lineal.
4.6. Aspectos prcticos de la optimizacin.
Bibliografa:
1. R.E. Bishop, The Mechatronics Handbook, CRC Press, Boca Raton, FL, 2002.
2. T. Chandrupatla, A.D. Belegundu, Introduccin al Estudio del Elemento Finito en
Ingeniera, 2 Edicin, Prentice Hall, Mxico, 1999.
3. A.D. Dimarogonas, Machine Design: A CAD Approach, 1st edition, Wiley-Interscience,
NY, 2000.
4. R.C. Hibbeler, Mecnica de Materiales, 3 Edicin, Prentice Hall, Mxico, 1998.
5. S. Moaveni, Finite Element Analysis: Theory and Application with ANSYS, 2nd edition,
Pearson Education, NJ, 2003.
6. R.L. Norton, Diseo de Mquinas, 1 Edicin, Prentice Hall, Mxico, 1999.
7. O.D. Nwokah, Y. Hurmuzlu, The Mechanical Systems Design Handbook: modeling,
measurement, and control, CRC Press, Boca Raton, FL, 2001.
8. S.S. Rao, The Finite Element Method in Engineering, Elsevier-Butterworth-Heinemann,
Oxford, UK, 2005.
9. S.S. Rao, Engineering Optimization: Theory and Practice, 3rd Edition, Wiley-Interscience,
NY, 1996.
10. J.E. Shigley, C.R. Mischke, Diseo en Ingeniera Mecnica, 5 Edicin, McGraw-Hill,
Mxico, 1990.
11. J.E. Shigley, C.R. Mischke, Mechanical Engineering Design, 6th Edition, McGraw-Hill,
NY, 2001.
12. J.E. Shigley, J.J. Uicker, Teora de Mquinas y Mecanismos, McGraw-Hill, Mxico, 1988.
13. J.E. Shigley, C.R. Mischke, Standard Handbook of Machine Design, 2nd Edition,
McGraw-Hill, 1996.
14. G. Silva-Navarro. Notas del curso de Diseo Mecnico. CD-ROM. Seccin de
Mecatrnica, CINVESTAV-IPN, 2011.

3.4.7 CAD/CAM/CAE
Objetivo. Proporcionar los principios fundamentales sobre los cuales estn basados los
sistemas CAD/CAM/CAE. Capacitar en la utilizacin de un sistema CAD/CAM/CAE para
desarrollar un proyecto de diseo.
CONTENIDO:
1. Introduccin a los sistemas CAD/CAM/CAE.
1.1. Definiciones de CAD, CAM y CAE.
173

1.2. Integracin en una base de informacin de los procesos de diseo, anlisis y


manufactura.
1.3. Uso de los sistemas CAD/CAM/CAE en el desarrollo de un producto.
1.4 Ciclo de vida de un producto.
1.5 Ingeniera concurrente.
1.6 Componentes de hardware de un sistema CAD/CAM/CAE
1.7 Componentes de software de un sistema CAD/CAM/CAE
2. Especificaciones de diseo de un componente.
2.1 Ingeniera de diseo.
2.2 Dibujo de la parte. Mltiples vistas, vista parcial, dimensiones y tolerancias y
tolerancia geomtrica.
2.3 Interpretacin del dibujo. Tolerancias, ejemplos.
3. Diseo asistido por computadora CAD.
3.1 Historia del CAD.
3.2 Arquitectura de CAD.
3.3 Modelado de objetos. Geometras bsicas. Dibujos en 2-D y 3-D.
3.4 Fundamentos del modelado geomtrico. Topologa, curvas, superficies y
transformaciones geomtricas.
3.5 Intercambio de datos CAD. Formato DXF, IGES y PDES.
4. Ingeniera asistida por computadora CAE.
4.1. Introduccin al modelado por elemento finito.
4.2. Formulacin del mtodo del elemento finito.
4.3. Generacin automtica del mallado. Enfoque por nodos conectados, por
descomposicin topolgica, por descomposicin geomtrica, por cuadriculado, por
mapeo.
4.5 Mejoramiento de la calidad del mallado.
4.6 Caso de estudio.
5. Manufactura asistida por computadora (CAM).
5.1 Introduccin.
5.2 Configuracin del hardware de una maquina de control numrico.
5.3 Tipos de sistemas de control numrico.
5.4 NC/CNC/DNC
5.5 Conceptos bsicos del programa de parte. Sistemas de coordenadas, sintaxis del
programa de parte.
5.6 Programacin manual del programa de parte.
5.7 Programacin del programa de parte asistida por computadora del programa de
parte. Lenguaje APT y otros lenguajes de programacin.
5.8 Programacin del programa de parte a partir de una base de datos CAD.
Generacin, simulacin y verificacin de la trayectoria de la herramienta.
Bibliografa:
1.K. Lee, Principles of CAD/CAM/CAE Systems, Addison-Wesley, 1999.
2.Chang T.C, Wysk R. A. and Wang, H.P., Computer-Aided Manufacturing, Prentice Hall
International Series in Industrial and Systems Engineering, W.J. Fabrycky and J. H. Mize,
editors, 1991.
3.Groover M. P. and Zimmers E. W., CAD/CAM Computer-Aided Design and Manufacturing,
Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, New Jersey, 1984.
174

4.Kusiak A., Concurrent Engineering, Automation, Tools and Techniques, John Wiley & Sons,
Inc., 1993.

3.4.8 INTRODUCCIN AL CONTROL DE SISTEMAS NO LINEALES


Objetivo. Proporcionar al estudiante los elementos fundamentales para el anlisis de sistemas
dinmicos descritos por ecuaciones diferenciales ordinarias y por ecuaciones en derivadas
parciales. En este curso el alumno aprender a relacionar conceptos como equilibrio,
estabilidad, soluciones peridicas con ejemplos fsicos que surgen en los sistemas
mecatrnicos.
Contenido:
1. Introduccin.
1.1. Algunos ejemplos introductorios de sistemas no lineales descritos por ecuaciones
diferenciales ordinarias: el pndulo, sistemas masa resorte, manipulador robtico de
uno y dos grados de libertad.
1.2. Otros ejemplos de sistemas dinmicos de inters en la mecatrnica.
2. Conceptos Fundamentales.
2.1. Concepto de punto de equilibrio, puntos de equilibrio mltiples.
2.2. Comportamiento alrededor de puntos de equilibrio.
2.3. Ciclos lmites.
2.4. Planos de fase.
2.5. Bifurcaciones.
2.6. Estabilidad en el sentido de Lyapunov.
2.6.1. Funciones de Lyapunov.
2.6.2. Criterio de Sylvester.
2.6.3. Teoremas de Lyapunov sobre la estabilidad del movimiento.
2.6.4. Teoremas de estabilidad asinttica.
2.6.5. Teoremas de inestabilidad.
2.6.6. Mtodos para la obtencin de funciones de Lyapunov.
2.6.7. Aplicaciones.
2.7. Conceptos avanzados de estabilidad.
2.7.1. El teorema de la variedad central.
2.7.2. Regiones de atraccin y Teoremas de Invarianza.
2.7.3. Ejemplos fsicos.
3. Sistemas dinmicos en tiempo discreto.
3.1. Existencia y unicidad de soluciones.
3.2. Equilibrios.
3.3. Estabilidad.
3.4. Primer y segundo mtodo de Lyapunov.
4. Control de Sistemas No Lineales.
4.1. Diseo por aproximacin tangente, Estabilizacin, Regulacin y Seguimiento de
Trayectorias.
4.2. Linealizacin exacta por realimentacin y cambio de coordenadas.
4.3. Diseos basados en Lyapunov.
5. Sistemas Dinmicos de Dimensin Infinita.
175

5.1. Algunos ejemplos motivadores dentro de la mecatrnica que ameriten descripcin


mediante ecuaciones en derivadas parciales.
5.2. La ecuacin de transporte. El caso homogneo y no-homogneo.
5.3. Ecuaciones de onda. La solucin de DAlembert. Solucin por mtodos esfricos.
El problema no homogneo.
5.4. La cuerda vibrante finita, la barra vibrante, longitudinal y torsional.
Bibliografa
1. S. Sastry, Nonlinear Systems, Systems and Control, Springer, New York, 1999.
2. H. Khalil, Nonlinear Systems, Third Edition, Prentice Hall, 2006.
3. D. Merkin, Introduction to the Theory of Stability, Texts in Applied Mathematics, Springer
1997.
4. S. Karlov, Partial Differential Equations for Scientists and Engineers, John Wiley and Sons,
New York, 1982.
5. M. Vidyasagar, Nonlinear Systems Analysis, Second Edition, Prentice-Hall, Englewood
Cliffs, N.J., 1993.
6. H. Sira-Ramrez and S. K. Agrawal, Differentially Flat Systems, Marcer Dekker, New York,
2004.
7. E.D. Sontag, Mathematical control theory, Deterministic finite dimensional systems, 2nd.
Edition, Texts in applied mathematics 6, Springer-Verlag, 1990.
8. J. Zabczyk, Mathematical control theory: An introduction, Birkhuser, Boston, 1992.
9. F. John, Partial Differential Equations, Fourth edition, Springer, New York, 1982.

3.4.9 SISTEMAS MECATRNICOS


Objetivo. Aprender los conceptos asociados con las Redes de Petri y Autmatas Finitos,
relacionados con el modelado y diseo de sistemas de manufactura flexible (SMF) as como
sistemas de eventos discretos (SED).
CONTENIDO:
1.
Introduccin.
1.1. El concepto de evento.
1.2. Propiedades de los DES
1.3. Ejemplos de DES
1.4. Niveles de abstraccin para el estudio de DES (Lgico, Temporizado).
1.5. Maquinas de estado finitos (MEF)
2.
Lenguajes y Autmatas
2.1. Definiciones de Lenguaje y Autmata.
2.2. Operaciones con Autmatas.
2.3. Autmatas de estado finito.
2.4. Aplicacin a DES (Seguridad, Bloqueo, Diagnstico).
3.
Control Supervisorio
3.1. Control mediante supervisores.
3.2. Especificaciones de un sistema controlado.
3.3. Incontrolabilidad.
3.4. Bloqueo.
176

4.

5.

6.

7.

3.5. Control modular.


3.6. Control descentralizado.
Redes de Petri (RP)
4.1
Conceptos Bsicos
4.2
Nocin de RP
4.3
Ejemplos introductorios
4.4
Algunos ejemplos con MEF
4.5
Representacin Numrica y Definicin formal
4.6
Propiedades e implicaciones de las RP
4.7
Mtodos de anlisis y de reduccin
Modelado de DES con RP.
5.1
RP interpretadas (RPI)
5.2
RP cronometradas (RPC)
5.3
RP estocsticas (RPE)
5.4
Ejemplos diversos de modelos de SED
5.5
Tcnicas de modelado
5.6
Modelos de controladores (implementacin)
5.7
Maquinas de estado
5.8
Grafos marcados
Estabilidad y controlabilidad
6.1.
Definicin de estabilidad
6.2. Teoremas sobre estabilidad
6.3. Control supervisor con AF
6.4. Control supervisor con RP
6.5. Regulacin
Programas de cmputo para el anlisis y simulacin de DES.
7.1. Simulacin de SED
7.2. Esquemas y herramientas de simulacin de RPC
7.3. TCT (Wonham)
7.4. UMDES (Lafortune)
7.5. Supremica (Chalmers University of Technology, Sweden)

Bibliografa:
1.
Silva, M. Las Redes de Petri: en la Informtica y en la Automtica. Ed. Ac, Madrid,
1985
2.
C. G. Cassandras, S. Lafortune, Introduction to Discrete Event Systems, Kluwer
Academic Publishers, Boston, 1999.
3.
J. Wang, Timed Petri Nets Theory and Applications, Kluwer Academic Publishers,
Boston, 1998.
4.
J. Hopcroft, J. Ullman, Introduction to Automata Theory, Languages, and Computation,
Addison-Wesley, 1979.
5.
P.J. Ramadge, W.M. Wonham, The control of discrete event systems, IEEE
Proceedings: Special Issue on Discrete Event Systems, Vol. 77, 1989, pp. 81-98.
6.
P.J. Ramadge, W.M. Wonham, Supervisory control of a class of Discrete Event
Processes, SIAM J. Control Optim., Vol. 25, 1987, pp. 206-230.
7.
W.M. Wonham, Notes on control of discrete-event systems, University of Toronto,
2003.
177

3.4.10 ROBTICA I
Objetivo. Este curso pretende fomentar en el alumno una visin global de la robtica como una
aplicacin central de la Mecatrnica. Se proporcionarn conocimientos y herramientas para
resolver problemas del modelado, anlisis, diseo y control de robots, desde la concepcin
hasta el diseo y operacin de robots manipuladores.
CONTENIDO:
1. Introduccin
1.1 Robtica.
1.2 Robots industriales.
1.3 Estructuras de manipuladores.
1.4 Modelacin y control de robots manipuladores.
1.5 Robtica como una aplicacin de la Mecatrnica.
2. Cinemtica
2.1. Posicin y orientacin de un cuerpo rgido.
2.2. Matriz de rotacin.
2.3 ngulos de Euler.
2.4 Transformaciones homogneas.
2.5 Cinemtica directa.
2.6 Espacio de trabajo.
2.7 Cinemtica inversa.
2.8 Cinemtica diferencial y esttica.
2.9 Ejemplos.
3. Dinmica
3.1 Formulacin Euler-Lagrange.
3.1.1. Clculo de la energa potencial.
3.1.2. Clculo de la energa cintica.
3.1.3 Ecuaciones de movimiento.
3.2 Propiedades del modelo dinmico.
3.3 Formulacin Newton-Euler.
3.4 Dinmica directa y dinmica inversa.
3.5 Ejemplos.
4. Planificacin de trayectorias
4.1 Distincin entre ruta y trayectoria.
4.2 Trayectorias en el espacio articular.
4.2.1. Movimiento punto a punto.
4.2.2. Movimiento a lo largo de rutas.
4.3 Trayectorias en el espacio operacional.
4.3.1. Rutas primitivas.
4.3.2. Posicin.
4.3.3. Orientacin.
5. Control del movimiento
5.1 El problema del control.
5.2 Control en el espacio articular.
5.3 Control independiente de las articulaciones.
178

5.4 Control por par calculado.


5.5. Control centralizado.
5.6 Control en el espacio operacional.
5.7 Interaccin de robots con el entorno.
5.7.1. Control de compliancia.
5.7.2. Control de impedancia.
5.7.3 Control de fuerza.
6. Actuadores y sensores
6.1 Actuadores, transmisiones y servomotores.
6.2 Sensores de posicin, velocidad, aceleracin y fuerza.
7. Consideraciones generales
7.1 Configuraciones y arquitecturas de robots.
7.2 Sobre los lenguajes de programacin y simulacin.

Bibliografa
1. J. Angeles, Fundamentals of Robotic Mechanical Systems: Theory, Methods and
Algorithms, Springer-Verlag, New York, 1997.
2. K.S. Fu, R.C. Gonzlez, C.S.G. Lee, Robotics: Control, Sensing, Vision and Intelligence,
McGraw-Hill, New York, 1987.
3. B-Z. Sandler, Robotics: Designing for Mechanisms for Automated Machinery, Second
Edition, Academic Press, San Diego, 1999.
4. L. Sciavicco, B. Siciliano, Modelling and Control of Robot Manipulators, Second Edition,
Springer-Verlag, London, 2000.
5. J.M. Selig, Introductory Robotics, Prentice-Hall International, UK, 1992.
6. J.E. Shigley, J.J. Uicker, Teora de Mquinas y Mecanismos, McGraw-Hill, Mxico, 1988.
7. M.W. Spong, M. Vidyasagar, Robot Dynamics and Control, Wiley, New York, 1989.
8. W. Stadler, Analytical Robotics and Mechatronics, McGraw-Hill, Singapore, 1995.

CURSOS OPCIONALES
3.4.11 MECNICA CLSICA
Objetivo
Proveer al alumno de las bases fundamentales de tipo terico sobre la mecnica clsica, sus
postulados y resultados principales as como sus problemas fundamentales. Este curso es un
curso formativo que dar al alumno un espritu y visin de la ciencia fsica a lo largo de los
ltimos 3 siglos en el contexto de los problemas que han debido ser resueltos para lograr una
descripcin convincente del mundo fsico, en general, y de sistemas mecnicos en particular.
Contenido
1. Revisin de la mecnica newtoniana
2. Clculo de Variaciones y la Ecuacin de Euler
3. Los principios de Lagrange y Hamilton
4. Lagrangianos con restricciones
5. Coordenadas generalizadas y el principio del trabajo virtual
6. Conservacin de la Energa y la Dinmica de Hamilton
179

7. Ecuaciones Cannicas en el espacio de fase. El teorema de Noether


8. Transformaciones Cannicas
9. El problema de Kepler
10. Colisiones elsticas e inelsticas
11. Scatering (Dispersin)
12. Mecnica del cuerpo rgido. Angulos de Euler y Ecuaciones del movimiento
13. Lagrangianos de sistemas continuos. Slidos y fluidos. Generalizacin a las Ecuaciones de
Lagrange.
Bibliografa
- Goldstein, Herbert. Classical Mechanics . 3rd ed. San Francisco , CA : Addison-Wesley,
2002.
- Marion, Jerry B., and Stephen T. Thornton. Classical Dynamics . 4th ed. Fort Worth , TX :
Saunders College Pub., 1995.
- L. Landau, y E. Lifchitz, , Fsica Terica , Tomo 1. Mecnica , Editorial MIR, Mosc, 1982.
- I. Fantoni y R. Lozano, Nonlinear Control of Underactuated Systems , Springer, London,
2002.
- J. Marsden y T. Ratiu Introduction to Mechanical Systems and Symmetry. A basic exposition
of Classical Mechanical Systems, . Texts in Applied Mathematics, Nmero 17. SpringerVerlag, 1999.
- J. Jos and E. Saletan , Classical Dynamics: A contemporary Approach . Cambridge
University Press. 2002.

3.4.12 CONTROL DE SISTEMAS NO LINEALES


Objetivo
Que el estudiante sea capaz de utilizar las herramientas bsicas de anlisis de sistemas no
lineales utilizando el enfoque geomtrico. De igual manera, el estudiante disee esquemas de
control bsicos para resolver problemas clsicos en este tipo de sistemas.
Contenido
1. Introduccin.
1.1. Modelos No Lineales.
1.2. Complejidad de la Dinmica No Lineal.
1.3. Algunos Ejemplos de Sistemas No Lineales.
2. Conceptos Bsicos de Geometra Diferencial.
2.1 Difeomorfismos.
2.2 Espacios Tangentes y Campos Vectoriales.
2.3 Variedades.
2.4 Distribuciones y Codistribuciones.
2.5 Teorema de Frobenius.
3. Controlabilidad, Observavilidad y Descomposiciones Locales.
3.1 Controlabilidad.
3.2 Observabilidad.
3.3 Distribuciones Invariantes.
3.4 Descomposiciones Locales.
4. Control No Lineal de Sistemas Multivariables.
180

4.1. Transformacin de Coordenadas.


4.2. Linealizacin Exacta por Retroalimentacin.
4.3. Control No Interactivo.
4.4. Desacoplamiento a Perturbaciones y Seguimiento en la Salida.
4.4. Extensin Dinmica.
5. Tpicos Avanzados de Control No Lineal.
5.1. Control por Modos Deslizantes.
5.2. Observadores No Lineales.
5.3. Linealizacin por Retroalimentacin Adaptable.
Bibliografa
- A. Isidori , Nonlinear Control Systems , 3rd Edition, Springer, London , 1995.
- S. Sastry , Nonlinear Systems: Anlisis, Stability and Control, Springer, NY, 1999.
- R. Marino, P. Tomei , Nonlinear Control Design, Prentice Hall, London , 1995.
- J.J. Slotine, W. Li , Applied Nonlinear Control, Prentice Hall, NJ, 1991.
- H.J. Marquez , Nonlinear Control Systems, Wiley-Interscience , NJ , 2003.
- H. Nijmeijer, A.J. van der Schaft , Nonlinear Dynamical Control Systems, Springer, NY,
1990.

3.4.13 CONTROL POR PLANITUD DIFERENCIAL


Objetivo
Proporcionar al alumno las bases tericas as como la significacin prctica del concepto de la
Planitud diferencial en las siguientes clases de sistemas dinmicos controlados: Sistemas
Lineales continuos y discretos del tipo mono-variable y multi-variable. Sistemas no lineales
continuos y discretos de naturaleza mono y multi-variables. Sistemas lineales con retardos y
sistemas descritos por ecuaciones en derivadas parciales cuya accin de control concentrada
reside en la frontera del sistema. El nfasis del curso ser tratar el diseo de controladores para
sistemas de naturaleza fsica mediante la adecuada planificacin de trayectorias.
Contenido
1. Introduccin
La planitud como elemento natural en los sistemas sobredeterminados. Ejemplo en
ecuaciones lineales algebraicas. Ventajas y dificultades de una parametrizacin
diferencial. Preclculo. Satisfaccin de restricciones. Invertibilidad dinmica sin
dinmica de ceros. El control calculado como precursor de la planitud. Diseo de
controladores para estos casos. Ejemplos de aplicacin.
2. Planitud en Sistemas Lineales mono-variables y multi-variables, continuos y discretos .
Sistemas descritos por funciones y matrices de transferencia. La igualdad de Bezout.
Sistemas descritos por ecuaciones de estado. Equivalencia entre controlabilidad y
planitud. Sistemas descritos por ecuaciones matriciales. Diseo de controladores
usando planitud en esta clase de sistemas. Ejemplos fsicos.
3. Planitud en Sistemas no lineales continuos mono-variables . Controlabilidad no lineal.
Comparacin con las condiciones de Isidori para el caso contnuo. Ejemplos fsicos.
Caso multivariable. Extensiones dinmicas. Ejemplos fsicos. El PVTOL, Robtica
Mvil. Sistemas en forma de cadenas. Diseo de controladores. Planitud en sistemas no
lineales discretos.
181

4. Planitud en Sistemas de dimensin infinita . El caso de sistemas lineales con retardos.


Ejemplos de naturaleza fsica. Revisin del concepto de planitud en sistemas descritos
por ecuaciones en derivadas parciales lineales controladas desde la frontera. Plenitud
infinito dimensional. La ecuacin de la transmisin del calor. La barra flexible torsional
y la barra flexible longitudinal. Crecimiento de cristales y otros ejemplos de naturaleza
fsica. etc.
5. Sistemas no diferencialmente planos . El caso de los sistemas Liouvilianos. Ejemplos fsicos.
Plenitud infinita a la Picard. Ejemplos de sistemas subactuados no planos. El pndulo
de longitud variable. El pndulo de Furuta. Control de Sistemas de fase no-mnima.
Ejemplos de aplicacin.
6. Estimacin de estados mediante mtodos algebraicos . Cerrando el lazo en sistemas no
lineales controlados mediante plenitud. Ejemplos fsicos relevantes.

Bibliografa
- M. Fliess, J. Levine, Ph. Martin and P. Rouchon Flatness and Defect of Nonlinear Systems:
Introductory Theory and Examples International Journal of Control ., Vol 61, pp. 1327-1361,
1995.
- M. Fliess, J. Levine, Ph. Martin and P. Rouchon A Lie-Backlund approach to equivalence
and Flatness of Nonlinear Systems. IEEE Transactions on Automatic Control. Vol. AC-44, pp.
922-937, 1999.
- J. Rudolph. Flatness based control of Distributed Parameter Systems , Shaker-Verlag, Aagen
2003.
- J. Rudolph. Flatness based control of Distributed Parameter Systems : Examples and
Computer Exercises from Various Technological Domains . Shaker Verlag, Aagen 2003.
- H. Sira-Ramrez and S. K. Agrawal, Differentially Flat Systems , Marcel Dekker, New York ,
2004.

3.4.14 ANLISIS Y CONTROL DE SISTEMAS NO LINEALES EN


TIEMPO DISCRETO
Objetivo
El objetivo del curso es presentar un panorama general de la caracterizacin de propiedades
estructurales y solucin de algunos problemas de control para sistemas no lineales en tiempo
discreto, empleando la nocin de forma diferencial como herramienta principal.
Contenido
1. Ejemplos de sistemas no lineales en tiempo discreto
2 Ecuaciones de diferencias
Sistemas dinmicos discretos
Funciones de Lyapunov
Estabilidad e inestabilidad
3. Herramientas matemticas
Formas diferenciales
182

La versin dual del Teorema de Frobenius


El Teorema de la funcin implcita
4. La nocin de grado relativo
El caso de sistemas lineales
El caso de sistemas no lineales en tiempo continuo
El caso de sistemas no lineales en tiempo discreto
Grado relativo de una forma diferencial
5. Accesibilidad
Clasificacin de formas diferenciales segn su grado relativo.
La definicin clsica de accesibilidad
Elementos autnomos
Caracterizacin de la propiedad de accesibilidad
6. Linealizacin exacta
Linealizacin por retroalimentacin esttica
Linealizacin por retroalimentacin dinmica
Equivalencia a sistemas primos bajo transformaciones clsicas
Equivalencia a sistemas primos bajo transformaciones unimodulares
7. Codistribuciones invariantes y sus aplicaciones
Definicin de codistribucin invariante
Solucin al problema de rechazo de perturbaciones
Equivalencia a la feedforward form
8. Tpicos avanzados: linealizacin mediante retroalimentacin dinmica exgena.
9. Caso de estudio: aplicacin a un robot mvil.
Bibliografa
- E. Aranda-Bricaire, U. Kotta, C.H. Moog, Discrete-time nonlinear control systems, en
preparacin.
- E. Aranda-Bricaire, C.H. Moog, J.-B. Pomet, A Linear Algebraic Framework for Dynamic
Feedback Linearization, IEEE Transactions on Automatic Control, Vol. 40, No. 1, January
1995, pp. 127-132.
- E. Aranda-Bricaire, U. Kotta, C.H. Moog, Linearization of discrete-time systems, SIAM
Journal on Control and Optimization, Vol. 34, No. 6, December 1996, pp. 1999-2023.
- E. Aranda-Bricaire, R.M. Hirschorn, Equivalence of nonlinear systems to prime systems
under generalized output transformations, SIAM Journal on Control and Optimization, Vol. 37,
No. 1, 1999, pp. 118-130.
- E. Aranda-Bricaire, U. Kotta, Equivalence of discrete-time nonlinear systems to prime
systems, Journal of Mathematical Systems, Estimation and Control, Vol. 8, No. 4, 1998, pp.
471-474.
- E. Aranda-Bricaire, U. Kotta, Generalized controlled invariance for discrete-time nonlinear
systems with an application to the dynamic disturbance decoupling problem, IEEE
Transactions on Automatic Control, Vol. 46, No. 1, January 2001, pp. 165-171.
- E. Aranda-Bricaire, U. Kotta, A geometric solution to the dynamic disturbance decoupling for
discrete-time nonlinear systems, Kybernetika, Vol. 40, No. 2, 2004, pp. 197-206.
- E. Aranda Bricaire, C.H. Moog, Invariant codistributions and the feedforward form for
discrete-time nonlinear systems, Systems & Control Letters, Vol. 52, No. 2, June 2004, pp.
113-122.
- E. Aranda Bricaire, C.H. Moog, Linearization of discrete-time systems by exogenous
dynamic feedback, accepted for publication in Automatica, February 2007.
183

- U. Kotta, Inversion Method in the discrete.time nonlinear control systems synthesis problems,
Lecture Notes in Control and Information Sciences, Vol. 205, Springer, 1995
- J.P. La Salle , The stability of dynamical systems, CBMS-NSF Regional Conferences in
Applied Mathematics, Vol. 25, SIAM, 1976.
- H.Nijmeijer, A.J. van der Schaft, Nonlinear Dynamical Control systems, Springer, 1990.
- E.D. Sontag, Mathematical control theory, deterministic finite dimensional systems, Second
Edition, Texts in Applied Mathematics, Vol. 6, Springer, 1998.

3.4.15 INGENIERA DE ROBOTS


Objetivo
Conocer los fundamentos de la robtica, estudiando el modelo dinmico del manipulador
robtico como mecanismo rgido, en su modalidad de cadena cinemtica cerrada, los
componentes electromecnicos de sensado y actuacin, las tcnicas bsicas de control de
manipuladores.
Contenido
1.
Introduccin a la Robtica
1.1 Antecedentes Histricos
1.2 Origen y desarrollo de la Robtica
1.3 Definicin y Clasificacin de Robots
1.4 Aplicaciones de los Robots
2.
Anlisis Cinemtico del Robot de Cadena Cinematica Cerrada
2.1 Estructura mecnica cerrada del Robot
2.2 Representacin de la Posicin y orientacin
2.3 Anlisis Cinemtico Directo
2.4 Anlisis Cinemtico Inverso
2.5 Matriz Jacobiana de Cinematica Directa e Inversa
2.6 Generacin de trayectorias
3.
Anlisis Dinmico del Robot de Cadena Cinematica Cerrada
3.1 Modelo Dinmico de la estructura mecnica de un Robot Rgido por Newton-Euler
3.2 Modelo Dinmico mediante la formulacin de Euler- Lagrange
3.3 Modelo de impedancia para robots en contacto
3.4 Descomposicin ortogonal para robots en contacto
4.
Control de Robots
4.1 Estabilidad
4.2 Control PID
4.3 Control Par Calculado
4.4 Control adaptable
4.5 Control por modos deslizantes
4.6 Control hbrido de fuerza - posicin.
4.7 Aspectos prcticos de la implantacin del controlador
Bibliografa
- Mark W. Spong, M. Vidyasagar. Robot Dynamics and Control. John Wiley & Sons Publisher,
1989. ISBN: 0-471-61243-X
184

- F .L. Lewis, C.T. Abdallah and D.M. Dawson. Control of Robot . Macmillan Publishing
Company, 1993, ISBN 0-02-370501-9.
- John Craig. Introduction to Robotics Mechanics and Control. Second Edition. Addison
Wesley, 1989.
- Lorenzo Sciavicco, Bruno Siciliano. Modeling and control of robot manipulators. The
McGraw-Hill Companies, Inc., 1996, ISBN 0-07-114726-8.
- Richard M. Murray. Zexiang Li, S. Shankar Sastry. A Mathematical Introduction to Robotic
Manipulation. CRC Press. ISBN: 0-8493-7981-4
- Lung-Wen Tsai, Robot Analysis, John-Wiley & Sons, Inc., 1999, ISBN 0-471-32593-7

3.4.16 ROBTICA II
Objetivo
Introducir al estudiante en el anlisis y control de vehculos propulsados por ruedas. Se
impartirn los conocimientos bsicos para el anlisis cinemtico y dinmico de este tipo de
vehculos haciendo nfasis en los vehculos propulsados por velocidades diferenciales y los del
tipo omnidireccional. Asimismo, se introducir el estudio de los vehculos articulados. Se
analizar especialmente los problemas de seguimiento de trayectorias y evasin de obstculos.
Contenido
1. Modelado y propiedades estructurales de robots mviles
a. Descripcin de robots mviles
b. Restricciones de robots mviles
c. Robots de tres ruedas
d. Modelo cinemtica.
i. Modelo general
ii. Movilidad, direccionabilidad y maniobrabilidad
e. Modelo dinmico.
i. Derivacin del modelo
2. Objetivos de Control.
a. Problema de regulacin (Postura)
b. Problema de Seguimiento
c. Control de velocidad y torque
3. Retroalimentacin en robots mviles
a. Retroalimentacin esttica
i. Robots ommidireccionales
ii. Robots con restricciones
b. Retroalimentacin dinmica.
i. Algoritmo de extensin dinmica
ii. Problema de singularidades
4. Vehculos articulados
a. Modelado
b. Problema de Regulacin (Postura)
c. Problema de seguimiento de trayectorias
5. Control discreto de robots mviles
a. Modelado
b. Problema de Regulacin (Postura)
185

c. Seguimiento de trayectorias.
Bibliografa
- C. Canudas de Wit, B. Siciliano and G. Bastin (Eds.). Theory of robot Control. SpringerVerlag, 1997.
- W. E. Dixon , D. M. Dawson, E. Zergeroglu and A. Behal, Nonlinear control of wheeled
mobile robots. Springer-Verlag, 2001.

3.4.17 SISTEMAS DE MANUFACTURA


Objetivo
Aprender los conceptos asociados con las Redes de Petri y Autmatas Finitos, relacionados con
el modelado y diseo de sistemas de manufactura flexible (SMF) as como sistemas de eventos
discretos (SED).
Contenido
1. Introduccin.
1.1 El concepto de evento.
1.2 Propiedades de los DES
1.3 Ejemplos de DES
1.4 Niveles de abstraccin para el estudio de DES (Lgico, Temporizado).
2. Lenguajes y Autmatas
2.1 Definiciones de Lenguaje y Autmata.
2.2 Operaciones con Autmatas.
2.3 Autmatas de estado finito.
2.4 Aplicacin a DES (Seguridad, Bloqueo, Diagnstico).
3. Control Supervisorio
3.1 Control mediante supervisores.
3.2 Especificaciones de un sistema controlado.
3.3 Incontrolabilidad.
3.4 Bloqueo.
3.5 Control modular.
3.6 Control descentralizado.
4. Redes de Petri (RP)
4.1 Conceptos Bsicos
4.2 Nocin de RP
4.3 Ejemplos introductorios
4.4 Algunos ejemplos con MEF
4.5 Representacin Numrica y Definicin formal
4.6 Propiedades e implicaciones de las RP
4.7 Mtodos de anlisis y de reduccin
5. Modelado de DES con RP.
5.1 RP interpretadas (RPI)
5.2 RP cronometradas (RPC)
5.3 RP estocsticas (RPE)
5.4 Ejemplos diversos de modelos de SED
5.5 Tcnicas de modelado
186

5.6 Modelos de controladores (implementacin)


5.7 Maquinas de estado
5.8 Grafos marcados
6. Programas de cmputo para el anlisis y simulacin de DES.
6.1 Simulacin de SED
6.2 Esquemas y herramientas de simulacin de RPC
6.3 TCT (Wonham)
6.4 UMDES (Lafortune)
6.5 Supremica ( Chalmers University of Technology , Sweden )
Bibliografa
- C. Cassandras, S. Lafortune, Introduction to Discrete Event Systems, Kluwer Academic
Publishers, Bosto, 1999.
- S. Gaubert, Introduction aux Systmes Dynamiques vnements Discrets, Notes du Cours.
- J. Hopcroft, J. Ullman, Introduction to Automata Theory, Languajes, and Computation,
Addison-Wesley, 1979.
- P.J. Ramadge, W.M. Wonham, The control of discrete event systems, IEEE Proceedings:
Special Issue on Discrete Event Systems, Vol. 77, 1989, pp. 81-98.
- P.J. Ramadge, W.M. Wonham, Supervisory control of a class of Discrete Event Processes,
SIAM J. Control Optim., Vol. 25, 1987, pp. 206-230.
- Silva, M. Las Redes de Petri: en la Informtica y en la Automtica. Ed. Ac, Madrid, 1985
- W.M. Wonham, Notes on control of discrete-event systems, University of Toronto , 2003.
- J. Wang, Timed Petri Nets Theory and Applications, Kluwer Academic Publishers, Boston ,
1998.

3.4.18 VIBRACIONES MECNICAS


Objetivos
Que el alumno aprenda los fundamentos y herramientas bsicas de la Teora de Vibraciones
Mecnicas para el anlisis y el diseo de sistemas mecatrnicos eficientes, donde la presencia
de vibraciones indeseables sea disminuida mediante diseos estructurales adecuados y/o la
aplicacin de mtodos de control pasivo o activo. Se realizarn experimentos de anlisis de
vibraciones en sistemas mecatrnicos simples, auxilindose de herramientas computacionales
para el clculo y simulacin numrica, del equipo didctico ECP y otra instrumentacin
disponible en los laboratorios.
Contenido
1. Fundamentos de vibraciones.
1.1 Introduccin.
1.2 Importancia del estudio de las vibraciones.
1.3 Elementos de un sistema dinmico.
1.4 Conceptos bsicos de vibraciones.
1.5 Clasificacin de las vibraciones.
1.6 Resortes, masa o inercia y amortiguadores.
1.7 Movimiento armnico.
1.8 Anlisis de estabilidad.
2. Vibraciones en sistemas de un grado de libertad.
187

2.1 Vibraciones libres de un sistema no amortiguado.


2.2 Vibraciones libres con amortiguamiento.
2.3 Vibraciones excitadas armnicamente.
2.4 Vibraciones excitadas armnicamente a travs de la base o estructura del sistema.
2.5 Respuesta de sistemas con desbalance rotatorio.
2.6 Vibraciones no lineales.
3. Vibraciones en sistemas con varios grados de libertad.
3.1 Vibraciones libres en sistemas de dos grados de libertad.
3.2 Anlisis de vibraciones forzadas.
3.3 Autoexcitacin y anlisis de estabilidad.
3.4 Vibraciones sncronas en rotores.
3.5 Sistemas de varios grados de libertad.
3.6 Modelado de sistemas continuos como sistemas discretos de un nmero finito de
grados de libertad.
3.7 Ecuacin de Lagrange de un sistema de varios grados de libertad.
3.7.1 Coordenadas y fuerzas generalizadas.
3.7.2 Matrices de energa potencial y cintica.
3.7.3 Valores caractersticos.
3.8 Coeficientes de influencia de rigidez y flexibilidad.
4. Control de vibraciones.
4.1 Introduccin.
4.2 Mtodos de balanceo en maquinaria rotatoria.
4.2.1 Balanceo en un plano.
4.2.2 Balanceo en dos planos.
4.3 Control de vibraciones.
4.3.1 Clasificacin de mtodos.
4.3.2 Mtodos de control pasivo.
4.3.3 Mtodos de control activo.
4.3.3.1 El problema de control activo.
4.3.3.2 Control de sistemas vibratorios lineales.
4.4 Control de sistemas vibratorios no lineales.
5. Medicin de vibraciones mecnicas y sus aplicaciones.
5.1 Tipos de transductores.
5.2 Sensores de vibraciones.
5.3 Generadores o excitadores de vibraciones.
5.4 Analizadores de seales.
5.5 Mtodo experimental de anlisis modal con un martillo de impacto.
5.6 Plataforma experimental ECP.
Bibliografa
- C.F. Beards , Structural Vibration: Analysis and Damping , Arnold , London , 1996.
- S.G. Braun, D.J. Ewins, S.S. Rao (Eds.), Encyclopedia of Vibration , Vols. 1-3, Academic
Press, San Diego, CA, 2001.
- R.L. Clark, W.R. Saunders, G.P. Gibbs , Adaptive Structures: Dynamics and Control , John
Wiley & Sons, 1998.
- J.P. Den Hartog , Mechanical Vibrations , 4 th Edition, Mc-Graw Hill , NY , 1956. (Edicin
disponible en espaol).
- C.W. De Silva , Vibration: Fundamentals and Practice , CRC Press, Boca Raton , FL 2000.
188

- A.D. Dimarogonas , Vibration for Engineers , Prentice-Hall , NJ , 1996.


- C.R. Fuller, S.J. Elliot and P.A. Nelson , Active Control of Vibration , Academic Press, San
Diego, CA, 1997.
- C.R. Fuller and A.H. von Flotow , Active Control of Sound and Vibration: An Overview.
IEEE Control Systems Magazine, Vol. 15, No. 6, December 1995.
- C.R. Fuller, S.J. Elliot and P.A. Nelson, Active Control of Vibration , Academic Press, San
Diego, CA, 1997.
- G. Genta , Vibration of Structures And Machines: Practical Aspects , 2 nd Edition, SpringerVerlag, 1995.
- W. Heylen, S. Lammens, P. Sas , Modal Analysis Theory and Testing , Katholieke
Universiteit Leuven, Faculty of Engineering, Department of Mechanical Engineering, Belgium,
2000.
- D.J. Inman , Engineering Vibration , 1 st Edition, Prentice-Hall , NJ , 1996.
- B.G. Korenev, L.M. Reznikov , Dynamic Vibration Absorbers: Theory and Technical
Applications , 1993.
- S.G. Kelly, Fundamentals of Mechanical Vibrations, 2 nd Edition, Mc-Graw-Hill , NY ,
2000.
- L. Meirovitch , Fundamentals of Vibrations, Mc-Graw-Hill , NY , 2001.
- L. Meirovitch , Dynamics and Control of Structures , John Wiley & Sons, NY, 1990.
- A.H. Nayfeh, D.T. Mook , Nonlinear Oscillations, Wiley, NY, 1979.
- S.S. Rao , Mechanical Vibrations , 3 rd Edition, Addison-Wesley , NY , 1995.
- M. Roseau, Vibrations in Mechanical Systems: Analytical Methods and Applications ,
Springer Verlag, 1987.
- A.A. Shabana, Theory of Vibration: An Introduction , 2 nd Edition, Springer-Verlag, 1995.
- W.T. Thomson, M.D. Dahleh, Theory of Vibrations with Applicactions , 5 th Edition,
Prentice-Hall , NJ , 1997. (La 2 Edicin de 1982 est disponible tambin en espaol por
Prentice-Hall Hispanoamericana, Mxico).
- H. van Brussel, P. Sas, W. Dehandschutter, P. Van den Braembussche, Indrawanto , New
methods for Active and Semi-active Vibration Control in Machines , Katholieke Universiteit
Leuven, Dept. of Mech. Eng., B-3001, Leuven Belgium, 1994.
- D.J. Ewins , Modal Testing: Theory, Practice and Applications, Research Studies Press Ltd.,
Baldock, Hertfordshire , U.K. , 2000.

3.4.19 IDENTIFICACIN DE SISTEMAS


Objetivo
Familiarizacin con las tcnicas y mtodos ms comnmente utilizados para la identificacin
de sistemas dinmicos tanto fuera de lnea como en lnea. Se har nfasis especial en el anlisis
de las principales propiedades y limitaciones de los mtodos y en las posibles aplicaciones a la
regulacin de sistemas mecatrnicos.
Contenido
1. Introduccin a la Identificacin
1.1 Objetivo de la identificacin
1.2 Caracterizacin
1.3 Distancias y criterios
1.4 Tcnicas de identificacin, validacin.
189

2. Modelos
2.1 Ecuaciones diferenciales y en diferencias
2.2 Modelos de estado
2.3 Modelos de entrada-salida, funciones de transferencia
2.4 Relacin entre modelos de estado discreto y continuo
3. Mtodos no paramtricos de identificacin
3.1 Anlisis de la respuesta transitoria
3.2 Anlisis de respuesta en frecuencia
3.3 Mtodo de correlacin con sucesiones binarias pseudo-aleatorias
4. Mtodo del modelo de referencia
4.1 Descripcin del mtodo
4.2 Influencia del ruido en el proceso de la identificacin
4.3 Algoritmos recursivos
5. Mnimos cuadrados
5.1 Planteamiento del problema
5.2 Caractersticas del ruido
5.3 Solucin analtica de los mnimos cuadrados
5.4 Interpretacin geomtrica
5.5 Propiedades
5.6 Problemas de caracterizacin
5.7 Mnimos cuadrados recursivos
6. El Mtodo Algebraico de Estimacin
6.1 La identificacin en lnea. Ejemplos elementales
6.2 Robustez respecto de condiciones iniciales y perturbaciones estructuradas
6.3 Identificacin de perturbaciones de manera seccional
6.4 Estimacin en lnea de estados en sistemas lineales y no lineales
6.5 El clculo en lnea de derivadas temporales.
6.6 Casos de estudio.
Bibliografa
- L. Ljung. System identification: Theory for the user. Prentice Hall Inc. (1987).
- R. Johansson. System modeling identification. Prentice Hall Inc. (1993).
- L. Ljung and T. Soderstrom. Theory and practice of recursive identification. MIT Press,
(1983).
- D.T. Pham and X. Liu. Neural networks for identification, prediction and control. Springer
Verlag, (1995).
- Jaime Alvarez, Moiss Bonilla. Introduccin a la identificacin de procesos. Notas de
curso. CINVESTA-IPN. Departamento de Ingeniera Elctrica. (1983).
- M. Fliess y H. Sira-Ramrez ``An algebraic framework for linear identification ESAIM,
Control, Optimization and Calculus of Variations , Vol 9, pp. 151-168, January. 2003.
- M. Fliess and H. Sira-Ramrez ``Closed-loop Parametric Identification for Continuous-time
Linear Systems via New Algebraic Techniques" en H. Granier & L. Wang (Eds.) Continuous
Time Model Identification from Sampled Data , Springer-Verlag , Berlin , 2008.
- Notas del curso elaboradas por el profesor.

190

3.4.20 CONTROL POR MODOS DESLIZANTES


Objetivo
En este curso el alumno encontrar los elementos fundamentales del control de sistemas fsicos
gobernados por uno o varios conmutadores, o controles que toman valores en conjuntos
discretos y las condiciones bajo las cuales se podrn traducir objetivos de control especficos
en restricciones algebraicas sobre las que el sistema puede y debe evolucionar utilizando
conmutacin de frecuencia infinitamente grande. Se sistematiza el control por regmenes
deslizantes a sistemas lineales y no lineales de uno y varios controles conmutados. Se revisan
una serie de metodologas de diseo de control en promedio que pueden ser instrumentadas a
travs de modulacin sigma delta en sistemas conmutados.
Contenido
1. Generalidades sobre regmenes deslizantes.
Ejemplos de revisin y alcances de la teora. Regimenes deslizantes locales y globales.
Regmenes deslizantes en mltiples niveles. El esquema de control en promedio
mediante modulacin sigma delta.
2. Condiciones generales de existencia de regmenes deslizantes
Regmenes deslizantes en sistemas no lineales controlados por un solo conmutador.
Operadores de Proyeccin. El control equivalente. Robustez con respecto a
perturbaciones aditivas desconocidas de planta. Ejemplos.
3. El caso de Sistemas multi-variables .
Existencia de regmenes deslizantes. El mtodo de la jerarqua de los controles.
Obstculos dinmicos. La planitud diferencial en promedio como mtodo general de
creacin de regmenes deslizantes. Modulacin Sigma-Delta multivariable. Ejemplos
fsicos.
4. El mtodo geomtrico
Formulacin geomtrica de control por regmenes deslizantes para sistemas
conmutados. El grado relativo promedio. El caso de los sistemas de fase no-mnima
Diseo de superficies de deslizamiento linealizantes. Generacin de derivadas de la
salida. Controladores y alternativas clsicos. Ejemplos de aplicacin,
5. El mtodo algebraico .
Un sistema lineal visto como un mdulo. Ventajas para el diseo de regmenes
deslizantes. Generalizaciones posibles. Regmenes deslizantes desde la perspectiva
algebraica. Regmenes deslizantes dinmicos. El caso no lineal y las extensiones de
campos diferenciales. Generalizaciones. Ejemplos fsicos.
6. Diseo de control discontinuo mediante modelos promedio .
El control generalizado proporcional integral (GPI), el control deslizante y la planitud
diferencial. El controlador lineal variante en el tiempo de Hagenmayer-Delaleau.
Ejemplos de naturaleza fsica. Extensin a sistemas con retardos y otros sistemas
infinito dimensionales.
7. Tpicos de investigacin.
Otros enfoques sobre los regmenes deslizantes. Regmenes deslizantes de segundo
orden. Extensiones al caso discreto. Conos de deslizamiento. La propuesta de Furuta.
Ejemplos.
Bibliografa
191

- Edwards, C., and S. K. Spurgeon, Sliding Mode Control , Taylor and Francis, London ,
(1998).
- H. Sira-Ramrez and S. Agrawal, Differentially flat systems , Marcel Dekker, Boston , (2004).
- Sira-Ramrez, H., Differential Geometric Methods in Variable Structure Control,
International Journal of Control , Vol. 48, No. 4 pp. 1359-1391 (1988).
- Sira-Ramrez, H., Sliding modes, Delta-modulators, and Generalized Proportional Integral
Control of linear systems, Asian Journal of Control , Special Issue on Variable Structure
Systems. Vol. 5, No. 4, pp. 467-475, December 2003.
- Slotine J.J. and W. Li, Applied Nonlinear Control , Prentice Hall, Upper Saddle River , N.J. ,
(1991).
- Steele, R., Delta Modulation Systems , Pentech Press, London (1975).
- Utkin, V. I., Sliding modes and their applications in Variable Structure Systems , Mir
Publishers, Moscow (1978).
- Utkin, V. I., Sliding Modes in Control and Optimization , Springer-Verlag , Berlin (1992).
- Utkin, V. I., J. Guldner and J. Shi, Sliding Mode Control in Electromechanical Systems ,
Talylor and Francis, London (1999).
- Notas para el curso elaboradas por el profesor.

3.4.21 DISEO MECNICO II


Objetivo. Proporcionar las tcnicas de optimizacin que seleccionen el conjunto de soluciones
factibles para el problema de diseo paramtrico de sistemas electromecnicos.
CONTENIDO:
1. Introduccin
1.1 Historia de la optimizacin
1.2 La optimizacin en el proceso de diseo
1.2.1 Diseo de un embrague cnico
1.2.2 Diseo de un filtro pasa bajas
1.3 Estructura de problemas de diseo ptimo
2. Condiciones de optimalidad y dualidad
2.1 Condiciones de optimalidad KKT
2.1.1 Sin restricciones
2.1.2 Con restricciones
2.1.3 Condiciones suficientes y de segundo orden
2.2 Calificacin de las restricciones
2.2.1 Conos tangentes
2.2.2 Problemas con restricciones
2.3 Dualidad Lagrangiana
3. Optimizacin esttica
3.1 Problemas sin restricciones
3.2 Problemas con restricciones de igualdad
3.3 Condiciones suficientes para un mnimo
3.4 Solucin numrica
4. Casos prcticos de diseo ptimo esttico
4.1 Diseo de un sistema de transmisin del tipo banda-polea
4.2 Diseo de una estructura planar
192

4.3 Diseo de una mquina de combustin interna (modelo


4.4 Diseo de un tren de engranes
5. Optimizacin Dinmica
5.1 Sistemas dinmicos discretos (Programacin dinmica)
5.2 Solucin numrica con mtodos gradiente
5.3 Sistemas dinmicos continuos (Principio de Mximo)
5.4 Solucin numrica con mtodos gradiente
6. Casos prcticos de diseo ptimo dinmico
6.1 El problema de control ptimo
6.2 El problema de tiempo mnimo
6.3 Planeacin de trayectorias en robots redundantes
6.4 Planeacin de trayectorias y control de robots redundantes

termodinmico)

Bibliografa
1. A.E. Bryson, Dynamic Optimization, Addison Wesley Longman, 1999.
2. P.P. Papalambros, D.J. Wilde, Principles of Optimal Design, 2nd. Ed. Cambridge
University Press, 2000.
3. Bazaraa M., Sherali H. D. and Shetty C.M. Nonlinear programming. Theory and
algorithms, 2 nd Editionn, John Wiley & Sons Inc. New York , 1993.
4. Angeles J. Optimum Design, Lecture Notes, Department of Mechanical Engineering &
Centre for Intelligent Machines, McGill University, Montreal (Quebec), Canada, 2004
5. Eschenauer H., Koski J. and Osyczka A. Multicriteria Design Optimization. Procedures and
Applications Springer Verlag, Berlin , 1990.

3.4.22 PASIVIDAD
DINMICOS

DISEOS

RECURSIVOS

EN

SISTEMAS

Objetivo. Que el estudiante conozca algunas tcnicas recientes para el diseo recursivo de
controladores utilizando los conceptos de pasividad y de estabilizacin.
Contenido
0. Conceptos geomtricos bsicos, g p
0.1 Transformacin no lineal de coordenadas.
0.2 Formas normales locales.
0.3 Linealizacin exacta por retroalimentacin del estado.
0.4 La dinmica cero.
0.5 Conceptos de estabilidad en el sentido de Lyapunov.
1. Conceptos de Pasividad.
1.1 Disipacin y pasividad.
1.2 Interconexin de sistemas pasivos.
1.3 Estabilidad en el sentido de Lyapunov y pasividad.
1.4 Equivalencia a sistemas pasivos.
2. Mrgenes de estabilidad y optimalidad.
2.1 Mrgenes estabilidad para sistemas lineales.
2.2 Incertidumbres en la entrada.
2.3 Optimalidad, estabilidad y pasividad.
193

3. Diseos en cascada.
3.1 Sistemas en cascada.
3.2 Diseo por retroalimentacin parcial del estado.
3.3 Pasivacin por retroalimentacin de sistemas en cascada.
3.4 El sistema TORA.
4. Construccin de funciones de Lyapunov.
4.1 Funciones de Lyapunov compuestas para sistemas en cascada.
4.2 Construccin de funciones de Lyapunov con un trmino.
4.3 Estabilizacin de cascadas aumentadas.
5. Diseos recursivos.
5.1 Backstepoing.
5.2 Forwarding.
5.3 Sistemas interconectados.
Bibliografa
1. A. Isidori, Nonlinear control systems, Springer-Verlag, Londres, 1995.
2. R. Sepulchre, M. Jankovie y P. Kokotovic. Constructive nonlinear control, Springer-Verlag,
1997.

3.4.23 MECNICA COMPUTACIONAL


Objetivo. Se pretende que los asistentes aprendan los fundamentos y herramientas de la teora
de vibraciones mecnicas para el anlisis, diseo y control de sistemas mecatrnicos eficientes,
donde la presencia de vibraciones indeseables sea disminuida mediante diseos estructurales
adecuados y/o la aplicacin de mtodos de control pasivo o activo de vibraciones. Se incluirn
aspectos de simulacin numrica y algunos experimentos de dinmica de vibraciones,
identificacin de parmetros, respuesta en frecuencia, absorcin pasiva y activa, etc. Se
presentarn diversos casos de estudio de investigaciones recientes sobre absorcin de
vibraciones y maquinaria rotatoria.
CONTENIDO:
1. Fundamentos.
1.1. Introduccin general.
1.2. Elementos de un sistema vibratorio.
1.3. Conceptos bsicos de vibraciones.
1.4. Clasificacin de las vibraciones.
1.5. Resortes, masa/inercia y amortiguadores.
1.6. Movimiento armnico.
1.7. Aspectos de estabilidad.
2. Sistemas vibratorios.
2.1. Vibraciones libres de un sistema de un grado de libertad no amortiguado.
2.2. Vibraciones libres con amortiguamiento.
2.3. Vibraciones excitadas armnicamente.
2.4. Vibraciones excitadas armnicamente a travs de la base o estructura del sistema.
2.5. Respuesta de sistemas con desbalance rotatorio.
2.6. Vibraciones no lineales.
194

2.7. Vibraciones libres en sistemas de dos grados de libertad.


2.8. Anlisis de vibraciones forzadas en sistemas de dos grados de libertad.
2.9. Sistemas de mltiples grados de libertad.
2.10. Modelado de sistemas continuos como sistemas discretos de un nmero finito de
grados de libertad.
2.11. Ecuacin de Lagrange para sistemas de varios grados de libertad.
2.12. Estabilidad y auto-excitacin.
2.13. Sistemas continuos (parmetros distribuidos).
3. Mtodos de anlisis modal.
3.1. Introduccin.
3.2. Modos normales de vibracin.
3.3. Transformaciones de coordenadas vs acoplamiento dinmico.
3.4. Vectores modales y propiedades.
3.5. Respuesta a excitaciones armnicas.
3.6. Respuesta a excitaciones armnicas por anlisis modal.
3.7. Mtodos de estimacin y validacin de parmetros modales.
4. Aplicacin del Mtodo de Elemento Finito.
4.1. Introduccin.
4.2. Ecuaciones de movimiento de un elemento.
4.3. Algunos casos prcticos.
4.4. Programas para anlisis y simulacin.
5. Maquinaria rotatoria.
5.1. Introduccin.
5.2. Fuentes de vibraciones.
5.3. Terminologa de maquinaria rotatoria.
5.4. Tipos y modelos de rotores.
5.5. Vibraciones sncronas en sistemas rotorchumacera.
5.6. Mtodos de compensacin del desbalance.
5.7. Balanceo de maquinaria rotatoria.
6. Absorcin de vibraciones.
6.1. Introduccin.
6.2. Mtodos de control de vibraciones.
6.2.1. Clasificacin general.
6.2.2. Mtodos de control pasivo.
6.2.3. Mtodos de control activo.
6.2.3.1. El problema de control activo.
6.2.3.2. Control de sistemas vibratorios lineales.
6.3. Algunos casos de estudio.
BIBLIOGRAFA :
1. C.F. Beards, Structural Vibration: Analysis and Damping, Arnold, London, 1996.
2. S.G. Braun, D.J. Ewins, S.S. Rao (Eds.), Encyclopedia of Vibration, Vols. 1-3, Academic
Press, San Diego, CA, 2001.
3. R.L. Clark, W.R. Saunders, G.P. Gibbs, Adaptive Structures: Dynamics and Control, John
Wiley & Sons, 1998.
4. J.P. Den Hartog, Mechanical Vibrations, 4th Edition, Mc-Graw Hill, NY, 1956.
5. C.W. De Silva, Vibration: Fundamentals and Practice, CRC Press, Boca Raton, FL 2000.
6. A.D. Dimarogonas, Vibration for Engineers, Prentice-Hall, NJ, 1996.
195

7. D.J. Ewins, Modal Testing: Theory, Practice and Applications, Research Studies Press Ltd.,
Baldock, Hertfordshire, U.K., 2000.
8. L.L. Faulkner, E. Logan Jr. (Eds.), Handbook of Machinery Dynamics, Marcel Dekker, NY,
2001.
9. C.R. Fuller, S.J. Elliot and P.A. Nelson, Active Control of Vibration, Academic Press, San
Diego, CA, 1997.
10. M.R. Hatch, Vibration Simulation using MATLAB and ANSYS, Chapman and Hall, CRC
Press, FL, 2001.
11. W. Heylen, S. Lammens, P. Sas, Modal Analysis Theory and Testing, Katholieke
Universiteit Leuven, Faculty of Engineering, Department of Mechanical
Engineering, Belgium, 2000.
12. D.J. Inman, Engineering Vibration, 1st Edition, Prentice-Hall, NJ, 1996.
13. B.G. Korenev, L.M. Reznikov, Dynamic Vibration Absorbers: Theory and Technical
Applications, 1993.
14. G. Silva-Navarro. Notas del Curso de Mecnica Computacional, Seccin de Mecatrnica,
CINVESTAV-IPN, 2011.
15. S.G. Kelly, Fundamentals of Mechanical Vibrations, 2nd Edition, Mc-Graw-Hill, NY,
2000.
16. L. Meirovitch, Fundamentals of Vibrations, Mc-Graw-Hill, NY, 2001.
17. L. Meirovitch, Dynamics and Control of Structures, John Wiley & Sons, NY, 1990.
18. S. Moaveni, Finite Element Analysis: Theory and Application with ANSYS, 2nd edition,
Pearson Education, NJ, 2003.
19. S.S. Rao, The Finite Element Method in Engineering, Elsevier-Butterworth-Heinemann,
Oxford, UK, 2005.
20. S.S. Rao, Mechanical Vibrations, 3rd Edition, Addison-Wesley, NY, 1995.
21. J.M. Vance, Rotordynamics of Turbomachinery, John Wiley & Sons, NY, 1988.
22. V. Wowk. Machinery Vibration: Balancing, Mc-Graw Hill, 1995.
23. V. Wowk. Machinery Vibration: Measurement and analysis, Mc-Graw Hill, 1991.

3.4.24 CONTROL DE SISTEMAS MULTI-AGENTE


Objetivo: Presentar al estudiante la definicin y los problemas fundamentales del control de
sistemas multi-agente. Definir los modelos cinemticos de los agentes holonomos
(omnidireccionales) y no-holonomos (uniciclos). Presentar algoritmos de control, basados en
campos potenciales artificiales, para resolver los problemas de formacin, marcha y no
colisin, para robots holonomos. Generalizar las soluciones al caso de robots noholonomos.
Exponer algunos temas avanzados, tales como: mode lado y control en tiempo discreto;
formaciones variantes en el tiempo; control de orientacin. Concluir con un proyecto
experimental.
CONTENIDO:
1. Introduccin general. Orgenes de los sistemas multi-agente. Paradigma basado en
comportamiento y paradigma basado en modelos.
2. Modelado y control de un solo robot. Caso omnidireccional. Caso no-holonomo basado en
control del punto frontal y del punto medio del eje de las ruedas.
3. Herramientas Matemticas. Funciones potenciales artificiales. Teora algebraica de grficas.
El Laplaciano y sus propiedades.
196

4. Coordinacin de movimiento para el caso holonomo (formacin, formacin con no colisin


y marcha)
5. Coordinacin de movimiento para el caso no-holonomo (formacin, formacin con no
colisin y marcha)
6. Formaciones variantes en el tiempo. Emulacin de estructuras mecnicas.
7. El problema de orientacin en el caso no-holonomo.
8. Coordinacin de movimiento en tiempo discreto.
9. Experimentos.
BIBLIOGRAFIA:
1. E.G. Hernndez-Martnez, E. Aranda-Bricaire, Convergence and collision avoidance in
formation control: A survey of the artificial potential functions approach, in F. Alkhateeb, E. A.
Maghayreh, I. A. Doush, Eds., Multi-Agent Systems - Modeling, Control, Programming,
Simulations and Applications, Intech Open Access Publisher, Croatia, March 2011, ISBN 978953-307-174-9, pp. 103-126.
2. E. G. Hernandez-Martinez, E. Aranda-Bricaire, Non-Collision Conditions in Multi-agent
Robots Formation using Local Potential Functions, Proc. IEEE International Conference on
Robotics and Automation (ICRA 2008), pp. 3776-3781, May 19-23, 2008, Pasadena,
California, E.U.
3. E. G. Hernandez-Martinez, E. Aranda-Bricaire, Multi-Agent Formation control with
Collision Avoidance based on Discontinuous Vector Fields, Proc. 35th Annual Conference of
the IEEE Industrial Electronics Society (IECON), November 3-5, 2009, Porto, Portugal, pp.
2303-2308.
4. E. G. Hernandez-Martinez, E. Aranda-Bricaire, Marching Control of Unicycles based on the
Leader-Followers Scheme, Proc. 35th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics
Society (IECON), November 3-5, 2009, Porto, Portugal, pp. 2285-2290.
5. E. G. Hernandez-Martinez, E. Aranda-Bricaire, Trajectory Tracking for Groups of Unicycles
with Convergence of the Orientation Angles, Proc. 49th IEEE Conference on Decision and
Control (CDC), December 15-17, 2010, Atlanta, Georgia, USA, pp. 6323-6328.
6. W. Ren, R. W. Beard, Distributed Consensus in Multi-vehicle Cooperative Control,
Communications and Control Engineering Series, Springer-Verlag, London, 2008 (ISBN: 9781-84800-014-8)
7. W. Ren, Y. Cao, Distributed Coordination of Multi-agent Networks, Communications and
Control Engineering Series, Springer-Verlag, London, 2011 (ISBN: 978-0-85729-168-4)
8. C. Canudas de Wit, B. Siciliano, G. Bastin, et al, Theory of Robot Control, Springer Verlag,
1996.

197

4. ESTRUCTURA ACADMICA
PUESTOS Y FUNCIONES
4.1 COLEGIO DE PROFESORES DEL DIE (CP)
Es la autoridad acadmica del DIE y lo forma el pleno del personal acadmico. Es decir, todos
los Profesores del DIE en activo con nombramiento de Investigador Cinvestav.
Funciones:
-Elaborar planes de desarrollo del DIE.
-Desarrollar programas de estudio y de investigacin.
-Conformar al interior del DIE los comits de estudio y/o de trabajo que aseguren el
buen funcionamiento del DIE.
-Conocer y opinar sobre las polticas de desarrollo institucional.
-Para el caso de votaciones tienen derecho de voz y voto los profesores en activo, como
son aquellos que estan recibiendo ntegras sus percepciones econmicas, incluyendo a
quienes se encuentren de sabtico o de comisin con goce de sueldo.
-Determinar la forma de operar mediante un Reglamento de Colegio.

4.2 COLEGIO DE PROFESORES DE LA ESPECIALIDAD (CPE)


Este Colegio est compuesto por el pleno del personal acadmico de la especialidad. Formar
parte del CP. El CPE establece su forma de operar.
Funciones:
-Modificar y revisar el programa de estudio as como de investigacin de la Especialidad.
-Elaborar planes de desarrollo de la Especialidad.
-Determinar internamente el nmero de estudiantes de nuevo ingreso, considerando factores
como tamao de la planta acadmica, infraestructura, espacio para estudiantes, etc.
-Conformar hacia el interior de su entidad los comits de estudio y/o de trabajo que aseguren el
buen funcionamiento de la especialidad, tales como: CAM, CAE, CAS y CAD.

4.3 COMIT DE ADMISIN DE MAESTRA (CAM)


Integrado por: Coordinador de admisin, Coordinador acadmico de maestra y los
Representantes de cada especialidad.
Funciones:
-Planeacin de las actividades de promocin del posgrado.
-Revisar las solicitudes de admisin y determinar su pertinencia.
-Analizar y dictaminar la viabilidad de la admisin de estudiantes cuando el alumno no cumpla
con el promedio superior a 8.0 en la licenciatura.
-Planeacin de cursos propeduticos y exmenes de admisin.
-Planeacin de los procedimientos de admisin.
-Revisin y seleccin de los aspirantes y canalizacin a los CAE.
-Solicitar los recursos fsicos y financieros para los cursos propeduticos y/o tronco comn.
198

4.4 COORDINACIN DE ADMISIN


Investigador del DIE que forma parte del CAM, CAD y los Comits del Programa de Maestra.
Funciones:
-Coordinacin de las actividades de promocin del posgrado de Maestra.
-Coordinacin de los cursos propeduticos.
-Ejecucin de los procedimientos de admisin.
-Coordinacin de los exmenes de admisin.

4.5 COMIT DEL PROGRAMA DE MAESTRA (CPM)


Integrado por: El Jefe del DIE, Coordinador acadmico de maestra, Coordinador de admisin,
Representantes de cada una de las especialidades (pueden ser diferentes a los miembros de
otros comits).
Funciones
-Revisin del plan de estudios.
-Revisin y aprobacin del reglamento de posgrado de maestra.
-Planeacin, Programacin y Presupuestacin de los recursos necesarios para la realizacin de
los cursos a propuesta del CAM.
-Atencin a los casos de conflicto con los estudiantes.
-Avalar los jurados propuestos por los CAE correspondientes.

4.6 COORDINADOR ACADMICO DE MAESTRA


-Investigador del DIE que formar parte del Comit de Programa de Maestra.
Funciones:
-Estudio y dictamen sobre las solicitudes de admisin a la maestra.
-Supervisin de las actividades acadmicas de la maestra.
-Programacin de los cursos de maestra del DIE.
-Atencin a los trmites acadmicos de los estudiantes de maestra.
-Proponer para su anlisis al CP los asuntos acadmicos del programa de maestra que
considere pertinentes.
-Verificar la eficiencia terminal de los estudiantes.
-Seguimiento del desarrollo profesional de los egresados.
-Elaboracin de las estadsticas e indicadores relevantes del Programa de Maestra.
-Informar de las actividades desarrolladas dentro el Programa de Maestra del DIE a la
Secretara Acadmica del Cinvestav y al Conacyt PNP, as como realizar los reportes e
informes correspondientes.
-Coordinar los trabajos para la elaboracin del Reglamento Acadmico de Maestra del DIE.

4.7 COMIT ACADMICO DE ESPECIALIDAD (CAE)


- Es elegido de entre los miembros del CPE.

199

Funciones.
-Nombrar representantes ante los comits de admisin y acadmicos.
-Proponer ante el comit de programa cambios en el plan de estudios de la especialidad.
-Revisar las solicitudes de admisin al doctorado de estudiantes que deseen hacerlo en la
especialidad. Turnar la propuesta al comit de admisin.
-Avalar los temas de tesis propuestos de la especialidad.
-Determinar la capacidad de estudiantes que pueden ser admitidos en la especialidad.
-Revisar y dictaminar las solicitudes de los aspirantes a la maestra que hayan sido turnados por
el comit de admisin. En este caso los expedientes podrn ser turnados a subcomits.
-Nombrar a los jurados para los exmenes de grado.

4.8 JURADO DE MAESTRA


Es designado por el CAE y deber incluir: El Director. El Codirector (Si as corresponde). Al
menos un profesor del CPE. Al menos un profesor del CP. Se sugiere integrar al menos un
profesor externo al DIE.

200

ANEXOS

201

A) Planta Acadmica del Ncleo Acadmico Bsico de Tiempo Completo y su membresia


al Sistema Nacional de Investigadores.
BIOELECTRNICA

Nivel Sistema Nacional de


Investigadores del
Conacyt

Dr. Carlos Alvarado Serrano

Dr. David Elas Vias

Dr. Juan Manuel Gutirrez Salgado

Dr. Pablo R. Hernndez Rodrguez

Dr. Lorenzo Leija Salas

Dr. Daniel Lorias Espinoza

Dr. Arturo Minor Martnez

Dr. Roberto Muoz Guerrero

Dr. Ruperto Osorio Saucedo

10

Dr. Ernesto Suaste Gmez

11

Dr. Arturo Vera Hernndez

12

COM UNICACIONES
Dr. Felipe Alejandro Cruz Prez

13

Dra. Giselle M. Galvn Tejeda

14

Dr. Ral Garca Ruz

15

Dr. Hildeberto Jardn Aguilar

16

Dr. Valeri Kontorovich Mazover

17

Dr. Manuel Mauricio Lara Barrn

18

Dr. Domingo Lara Rodrguez

19

Dr. Jos Oscar Olmedo Aguirre

20

Dr. Aldo Gustavo Orozco Lugo

21

M ECATRNICA
Dr. Jaime lvarez Gallegos

22

Dr. Eduardo Aranda Bricaire

23

Dr. Rafael Castro Linares

24

Dr. Carlos Alberto Cruz Villar

25

Dr. Alejandro Rodrguez Angeles

26

Dr. Hugo Rodrguez Corts

27

Dr. Gerardo Silva Navarro

28

Dr. Hebertt Jos Sira Ramrez

29

Dr. Martn Velasco Villa

0
SEES

30

Dr. Jos P. Ren Asomoza Palacio

31

Dr. Alejandro vila Garca

32

Dr. Antonio Cerdeira Altuzarra

33

Dr. Arturo Escobosa Echavarra

34

Dra. Magali Estrada del Cueto

35

Dr. Vyacheslav Elyukhin

36

Dr. Felipe Gmez Castaeda

37

Dr. Iouri Koudriavtsev

38

Dr. Arturo Maldonado lvarez

39

Dr. Yasuhiro Matsumoto Kuwabara

40

Dr. Jaime Mimila Arroyo

41

Dr. Arturo Morales Acevedo

42

Dr. Jos Antonio Moreno Cadenas

43

Dra. Ma. de la Luz Olvera Amador

44

Dr. Mauricio Ortega Lpez

45

Dr. Ramn Pea Sierra

46

Dr. Rodolfo Quintero Romo

47

Dr. Mario Alfredo Reyes Barranca

48

Dr. Gabriel Romero-Paredes Rubio

49

Dr. Vctor Snchez Resndiz

50

Dr. Velumani Subreamaniam

202

B) Lista de Abreviaturas y Definiciones


1. Consejo Nacional de Ciencia y Tecnologa (Conacyt)
2. Centro de Investigacin y de Estudios Avanzados del I.P.N. (Cinvestav)
3. Comisin de Promocin y Estmulos para los Investigadores del Cinvestav (COPEI)
4. Departamento de Ingeniera Elctrica (DIE)
5. Colegio de Profesores del DIE (CP).
Es la autoridad acadmica del DIE y lo forma el pleno del personal acadmico. Es
decir, todos los Profesores del DIE en activo con nombramiento de Investigador
Cinvestav
6. Colegio de Profesores de la Especialidad (CPE).
Este Colegio estar compuesto por el pleno del personal acadmico de la especialidad.
Formar parte del CP
7. Coordinador de Admisin.
Investigador del DIE (nombramiento equivalente a coordinador acadmico)
8. Coordinador Acadmico de Especialidad (CA)
Investigador del DIE
9. Comit del Programa de Maestra (CPM).
Formado por el Jefe del DIE, el Coordinador de Admisin y los Coordinadores
Acadmicos de Especialidades (CA).
10. Comit del Programa de Doctorado(CPD).
Formado por el Jefe del DIE, el Coordinador de Admisin y los Coordinadores
Acadmicos de Especialidades (CA).
11. Comit Acadmico de Especialidad (CAE).
Ser elegido de entre los miembros del CPE
12. Comit de Admisin de Maestra (CAM).
Formado por el Coordinador de Admisin y los Coordinadores Acadmicos de
Especialidades (CA).
13. Comit de Admisin de Doctorado (CAD).
Formado por el Coordinador de admisin y los Coordinadores Acadmicos de
Especialidades (CA).
15. Jurado de Maestra.
Ser designado por el CAE y deber incluir:
El Director El Codirector (Si as corresponde).
Al menos un profesor del CPE.
Al menos un profesor del CP.
Se sugiere integrar al menos un profesor externo al DIE
17. Director de Tesis.
Investigador del DIE
18. Codirector de Tesis.
Podr ser un investigador del DIE o un investigador externo al Cinvestav, activo en
investigaciones y con grado de doctor. En caso de codirecciones al menos uno de ellos
deber ser profesor del DIE.
19. Test of English as a Foreing Language (TOEFL)

203