Está en la página 1de 720

Electrnica de potencia

Circuitos, dispositivos
y aplicaciones
Segunda edicin
M UHAM M AD H. RASHID
Ph.D., Fellow IEE
Professor o f Elctrica! Engineerng
Purdue University at Fort Wayne

TRADUCCION:

ING. GABRIEL SANCHEZ GARCIA


Ingeniero Mecnico Electricista-UNAM
REVISION TECNICA:

ING. JOSE ANTONIO TORRES HERNANDEZ]


Ingeniero en Electrnica
Universidad La Salle, A.C.

C l l l A P O LITE C N IC A
0 ;i i ?^ o t o

W B LIO W . .t. IV'F-L


-f-A1 A C/H t rA
N O ..B .3 3 .F * :

..,...<8001

Precio:...... Dmrio: .... L .


PRENTICE H ALL H ISPA N O A M ER IC A N A , S.A.
M EXICO NUEVA YORK BOGOTA LONDRES SYDNEY
PARIS MUNICH TORONTO NUEVA DELHI TOKIO
SINGAPUR RIO DE JANEIRO ZURICH

, 2 1. 3 S ( 5 3 t

EDICION EN ESPAOL
PRESIDENTE DE LA DIVISION
LATINO AMERICANA DE SIMON & SCHUSTER
DIRECTOR GENERAL:
DIRECTOR DE EDICIONES:
GERENTE DIVISION UNIVERSITARIA:
GERENTE EDITORIAL:
EDITOR:
GERENTE DE EDICIONES:
SUPERVISOR DE TRADUCCION:
SUPERVISOR DE PRODUCCION:

RAYMUNDO CRUZADO GONZALEZ


MOISES PEREZ ZAVALA
ALBERTO SIERRA OCHOA
ENRIQUE IVAN GARCIA HERNANDEZ
JOSE TOMAS PEREZ BONILLA
LUIS GERARDO CEDEO PLASCENCIA
JULIAN ESCAMILLA LIQUIDANO
TOAQUIN RAMOS SANTALLA
ENRIQUE GARCIA CARM ONA

EDICION EN INGLES:
Publisher: Alan Apt
Production Editor: Mona Pompili
Cover Designer: Wanda Lubelska Design
Copy Editor: Barbara Zeiders
Prepress Buyer: Linda Behrens
Manufacturing Buyer: Dave Dickey
Supplements Editor: Alice Dworkin
Editorial Assistant: Sherley McGuire

RASH1D: ELECTRONICA DE POTENCIA, CIRCUITOS,


DISPOSITIVOS Y APLICACIONES 2tEd.
Traducido del ingls de la obra: Power Electronics Circuits, Devices, and Applications
All Rights Reserved. Authorized translation from english
language edition published by Prentice Hall Inc.
Todos los Derechos Reservados. Traduccin autorizada de la
edicin en ingls publicada por Prentice Hall Inc.
All Rights Reserved. N o part of this book may be reproduced or transmitted in any form
or by any means, electronic or mechanical, including photocopying recording or by any
information storage retrieval system, without permission in writing from the publisher.
Proihibida la reproduccin total o parcial de esta obra, por cualquier medio o mtodo
sin autorizacin por escrito del editor.
Derechos reservados 1995 respecto a la primera edicin en espaol publicada por
PRENTICE HALL HISPANOAMERICANA, S.A.
Enrique Jacob 20, Col. El Conde
53500 Naucalpan de Jurez, Edo. de Mxico.
ISBN 968-880-586-6
Miembro de la Cmara Nacional de la Industria Editorial, Reg. Nm. 1524
Original Eiglish Language Edition Published by Prentice Hall Inc.
Copyright 1993
All Rights Reserved
ISBN 0-13-678996-X
Impreso en Mxico/Printed in Mxico

LITOGRAFIO* IN GRAM EX .SA DE C.V.


CEN TEN O No. 162-1
COL. GRANJAS ESMERALDA
MEXICO 09810, O.F.

A mis padres, mi esposa Ftima


y mis hijos,
Faeza, Farzana y Hasan

Prefacio

El libro Electrnica de potencia est concebido como libro de texto para el curso sobre electrni
ca de potencia/convertidores estticos de potencia para estudiantes intermedios y avanzados en
ingeniera elctrica y electrnica. Tambin se podr utilizar como libro de texto para estudiantes
graduados, y podr considerarse como libro de referencia para ingenieros practicantes involucra
dos en el diseo y en las aplicaciones de la electrnica de potencia. Los prerrequisitos seran cur
sos sobre electrnica bsica y circuitos elctricos bsicos. El contenido de Electrnica de potencia
sobrepasa el alcance de un curso de un semestre. Para un curso elemental, los captulos 1 al 11 de
bern ser suficientes para dar una slida base de la electrnica de potencia. Los captulos 11 al 16
debern dejarse para otros cursos, o bien incluirse en un curso de graduados.
El tiempo que se asigna normalmente a un curso sobre electrnica de potencia en una curri
cula tpica de subgraduados es un semestre. La electrnica de potencia se ha desarrollado ya a tal
punto que en un curso de un solo semestre resulta difcil cubrir completamente el tema. Los fun
damentos de la electrnica de potencia estn bien establecidos y no cambian con rapidez. Sin em
bargo, las caractersticas de los dispositivos mejoran en forma continua y aparecen otros nuevos.
Electrnica de potencia, mediante el mtodo de anlisis emprico, cubre primero las tcnicas de
conversin y las caractersticas de los dispositivos y despus sus aplicaciones. Hace nfasis en los
principios fundamentales de la conversin de potencia. Esta edicin de electrnica de potencia es
una revisin completa de su primera edicin, que (i) utiliza mtodos de anlisis empricos, en vez
de mtodo deductivos, (ii) introduce lo ms avanzado y de actualidad en tcnicas de modulacin,
(iii) presenta un nuevo captulo sobre Inversores de pulso resonante y cubre las tcnicas corres
pondientes de avanzada, (iv) integra el software estndar de la industria, SPICE, y los ejemplos de
diseo que se verifican mediante la simulacin SPICE, (v) analiza convertidores con cargas RL, y
(vi) ha corregido errores tipogrficos y expandido secciones y/o prrafos a fin de aadir explica
ciones. El libro est dividido en cinco partes:
1. Introduccin captulo 1
2. Tcnicas de conmutacin del SCR y tcnicas de conversin de potenciacaptulos 3, 5, 6,
7 ,9 , 10 y 11

vii

;'T3aa

3. Dispositivoscaptulos 2 ,4 y 8
4. Aplicaciones captulos 12, 13,14 y 15
5. Protecciones captulo 6
Los temas como los referentes a los circuitos trifsicos, circuitos magnticos, funciones de con
mutacin de convertidores, anlisis transitorios en cd y anlisis de Fourier se incluyen en los
apndices.
La electrnica de potencia se ocupa de la aplicacin de la electrnica de estado slido para
el control y la conversin de la potencia elctrica. Las tcnicas de conversin requieren de la con
mutacin de dispositivos semiconductores de potencia. Los circuitos electrnicos de bajo nivel,
que por lo comn estn formados por circuitos integrados y de componentes discretos, generan las
seales de compuerta requeridas para los dispositivos de potencia. Tanto los circuitos integrados
como los componentes discretos se han ido reemplazando por los microprocesadores.
Un dispositivo de potencia ideal no debera presentar limitaciones de conmutacin, en tr
minos del tiempo de activacin, el tiempo de desactivacin y las capacidades de manejo de co
rriente y de voltaje, o conectarse ni al desconectarse. La tecnologa de los semiconductores de
potencia est desarrollando rpidamente dispositivos de potencia de conmutacin rpida, con l
mites crecientes de voltaje y de corriente. Dispositivos de conmutacin de potencia como los TBJ
de potencia, los MOSFET, S1T, IGBT, MCT, SITH, SCR, TRIAC, GTO y otros, estn encontran
do crecientes aplicaciones en una amplia gama de productos. Con dispositivos de conmutacin
ms rpidos disponibles, las aplicaciones de los microprocesadores modernos en la sntesis de las
estrategias de control de los dispositivos de potencia manejados por compuerta para cumplir con
las especificaciones de conversin, han ampliado el mbito de la electrnica de potencia. La revo
lucin de la electrnica de potencia ha ganado un gran impulso, desde fines de los aos ochenta y
principios de los aos noventa. En el curso de los siguientes 30 aos, la electrnica de potencia
conformar la forma y el estado de la electricidad en algn lugar entre su generacin y todos sus
usuarios. Las aplicaciones potenciales de la electrnica de potencia an estn pendientes de ser
exploradas por completo, pero en este libro hemos hecho toda suerte de esfuerzos para cubrir tan
tas aplicaciones como nos ha sido posible.
M uhamm ad H. Rashid
Fort Wayne, Indiana

vi

Prefacio

Reconocimientos

Muchas personas han contribuido a esta edicin y han hecho sugerencias basadas en sus experien
cias como profesores o como estudiantes en el saln de clase. Me gustara dar las gracias a las si
guientes personas por sus comentarios y sugerencias:
Mazen Abdel-SalamUniversidad del Petrleo y los Minerales King Fahd Arabia Saudita
Ashoka K. S. Bhat Universidad de Victoria, Canad
Fred Brockhurst Instituto de Tecnologa Rose-Hulman
Joseph M. Crowley Universidad de Illinois, Urbana-Champaign
Mehrad Ehsani Universidad Texas A&M
Alexander E. Emanuel Instituto Politcnico de Worcester
George GelaUniversidad Estatal de Ohio
Hermn W. Hill Universidad de Ohio
Wahid Hubbi Instituto de Tecnologa de New Jersey
Marrija Ilic-Spong Universidad de Illinois, Urbana-Champaign
Shahidul I. Khan Universidad de Concordia, Canad
Peter LauritzenUniversidad de Washington
Jack Lawler Universidad de Tennessee
Arthur R. Miles Universidad Estatal del Norte North Dakota
Mehdat M. MorcosUniversidad Estatal de Kansas
Hassan Moghbelli Universidad Calumet de Purdue
H. Ramezani-Ferdowsi Universidad de Mashhad, Irn
Ha sido muy placentero poder trabajar con el editor, Alan Apt, y con la editora de desarrollo, Sondra Chvez. Finalmente, me gustara agradecer a mi familia por su cario, paciencia y compren
sin.

Contenido

C A PITU L01
1-1
1-2
1-3
1-4
1-5
1-6
1-7
1-8
1-9
1-10

INTRODUCCION

Aplicaciones de la electrnica de potencia, 1


Historia de la electrnica de potencia, 2
Dispositivos semiconductores de potencia, 5
Caractersticas de control de los dispositivos de potencia, 10
Tipos de circuitos electrnicos de potencia, 12
Diseo de equipo de electrnica de potencia, 15
Efectos perifricos, 15
M dulos de potencia, 16
Mdulos inteligentes, 17
Publicaciones peridicas y conferencias sobre electrnica de potencia, 17
Resumen, 18
Referencias, 18
Preguntas de repaso, 19

CAPITULO 2
2-1
2-2
2-3
2-4

DIODOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

20

Introduccin, 20
Caractersticas de diodos, 20
Caractersticas de la recuperacin inversa, 23
Tipos de diodos de potencia, 25
2-4.1
Diodos de uso general, 25
2-4.2
Diodos de recuperacin rpida, 25
2-4.3
Diodos Schottky, 26
Efectos del tiempo de recuperacin directa e inversa, 27
Diodos conectados en serie, 29
Diodos conectados en paralelo, 31
Modelo SPice de diodo, 32
Resumen, 34
Referencias, 35
Preguntas de repaso, 35
Problemas, 35

2-5
2-6
2-7
2-8

CAPITULO 3
3-1
3-2
3-3
3-4
3-5
3-6
3-7
3-8
3-9
3-10
3-11
3-12
3-13
3-14
3-15

xii

37

Introduccin, 37
Diodos con cargas RC y RL, 37
Diodos con cargas LC y RLC, 40
Diodos de marcha libre, 46
Recuperacin de la energa atrapada con un diodo, 48
Rectificadores monofsicos de media onda, 51
Parmetros de rendimiento, 52
Rectificadores monofsicos de onda completa, 59
Rectificador monofsico de onda completa con carga RL, 63
Rectificadores multifase en estrella, 67
Rectificadores trifsicos en puente, 71
Rectificador trifsico con carga RL, 74
Diseo de circuitos rectificadores, 76
Voltaje de salida con filtro LC, 85
Efectos de las inductancias de la fuente y de la carga, 88
Resumen, 90
Referencias, 91
Preguntas de repaso, 91
Problemas, 91

CAPITULO 4
4-1
4-2

CIRCUITOS CON DIODOS Y CIRCUITOS RECTIFICADORES

TIRISTORES

96

Introduccin, 96
Caractersticas de los tiristores, 96

C o n ten id o

4-3
4-4
4-5
4-6
4-7

4-9
4-10
4-11
4-12
4-13
4-14

M odelo de tiristor de dos transistores, 98


Activacin del tiristor, 100
Proteccin contra di/dt, 102
Proteccin contra dvldt, 103
Desactivacin del tiristor, 105
Tipos de tiristores, 106
4-8.1
Tiristores de control de fase, 107
Tiristores de conmutacin rpida, 107
4-8.2
Tiristores de desactivado por compuerta, 108
4-8.3
4-8.4
Tiristores de triodo bidireccional, 109
Tiristores de conduccin inversa, 110
4-8.5
Tiristores de induccin esttica, 111
4-8.6
Rectificadores controlados de silicio fotoactivados por luz, 111
4-8.7
Tiristores controlados por FET, 112
4-8.8
Tiristor controlados por MOS, 112
4-8.9
Operacin en serie de tiristores, 114
Operacin en paralelo de tiristores, 117
Circuitos de disparo de tiristor, 118
Transistor monounin, 120
Transistor monounin programable, 123
M odelo SPice para el tiristor, 124
Resumen, 126
Referencias, 127
Preguntas de repaso, 128
Problemas, 128

CAPITULO 5

RECTIFICADORES CONTROLADOS

130

5-1
5-2
5-3

Introduccin, 130
Principio de operacin del convertidor controlado por fase, 131
Semiconvertidores monofsicos, 133
5-3.1
Semiconvertidor m onofsico con carga RL, 136
5-4
Convertidores monofsicos completos, 138
5-4.1
Convertidor m onofsico completo con carga RL, 141
5-5 Convertidores monofsicos duales, 143
5-6 Convertidores monofsicos en serie, 145
5-7 Convertidores trifsicos de media onda, 150
5-8
Semiconvertidores trifsicos, 153
5-8.1
Semiconvertidores trifsicos con carga RL, 157
5-9 Convertidores trifsicos completos, 158
5-9.1
Convertidor trifsico completo con carga RL, 164
5-10 Convertidores trifsicos duales, 165

C o n ten id o

xi

5-11

5-12
5-13
5-14

Mejoras al factor de potencia, 167


5-11.1
Control del ngulo de extincin, 167
5-11.2
Control del ngulo simtrico, 169
5-11.3
Control por modulacin del ancho de pulso, 172
5-11.4
Modulacin senoidal del ancho de pulso, 175
Diseo de circuitos convertidores, 176
Efectos de las inductancias de carga y de alimentacin, 182
Circuitos de disparo, 184
Resumen, 184
Referencias, 186
Preguntas de repaso, 186
Problemas, 187

CAPITULO 6

CONTROLADORES DE VOLTAJE CA

190

6-1
6-2
6-3
6-4
6-5
6-6
6-7
6-8
6-9
6-10

Introduccin, 190
Principio del control de abrir y cerrar, 191
Principio del control de fase, 193
Controladores bidireccionales monofsicos con cargas resistivas, 195
Controladores monofsico con cargas inductivas, 198
Controladores trifsicos de media onda, 201
Controladores trifsicos de onda completa, 206
Controladores trifsicos bidireccionales conectados en delta, 210
Cambiadores de derivaciones de un transformador monofsico, 214
Cicloconvertidores, 218
6-10.1
Cicloconvertidores monofsicos, 219
6-10.2
Cicloconvertidores trifsicos, 221
6-10.3
Reduccin de armnicas de salida, 222
6-11 Controladores de voltaje de ca con control PWM, 225
6-12 Diseo de circuitos de controladores devoltaje ca, 226
6-13 Efectos de las inductancias en alimentacin y en la carga, 233
Resumen, 234
Referencias, 234
Preguntas de repaso, 235
Problemas, 236

CAPITULO 7
7-1
7-2
7-3

xiv

TECNICAS DE CONMUTACION DE TIRISTORES

239

Introduccin, 239
Conmutacin natural, 240
Conmutacin forzada, 240
7-3.1
Autoconmutacin, 241
7-3.2
Conmutacin por impulso, 243

C o n ten id o

7-3.3
Conmutacin por pulso resonante, 246
7-3.4
Conmutacin complementaria, 250
7-3.5
Conmutacin por pulso extem o, 251
7-3.6
Conmutacin del lado de la carga, 252
7-3.7
Conmutacin del lado de la lnea, 252
Diseo de circuitos de conmutacin, 254
M odelo SPice del tiristor de cd, 256
Capacitores de conmutacin, 259
Resumen, 259
Referencias, 260
Preguntas de repaso, 260
Problemas, 260

7-4
7-5
7-6

CAPITULO 8
8-1
8-2

8-3

8-4
8-5
8-6
8-7
8-8

8-9

262

Introduccin, 262
Transistores de unin bipolar, 263
8-2.1
Caractersticas en rgimen permanente, 263
8-2.2
Caractersticas de conmutacin, 267
8-2.3
Lmites de conmutacin, 274
8-2.4
Control de la excitacin de la base, 276
MOSFET de potencia, 280
8-3.1
Caractersticas en rgimen permanente, 280
8-3.2
Caractersticas de conmutacin, 284
8-3.3
Excitacin de compuerta, 285
SIT, 286
IGBT, 287
Operacin en serie y en paralelo, 289
Limitaciones por di/dt y dvldt, 291
Aislamiento de las excitaciones de compuerta y de base, 294
8-8.1
Transformadores de pulso, 295
8-8.2
Acopladores pticos, 295
M odelos SPice, 296
Resumen, 299
Referencias, 299
Preguntas de repaso, 300
Problemas, 301

CAPITULO 9
9-1
9-2
9-3

TRANSISTORES DE POTENCIA

PULSADORES DE CD

303

Introduccin, 303
Principio de la operacin reductora, 303
Pulsador reductor con carga RL, 306

C on ten id o

xv

9-4
9-5'
9-6
9-7

Principio de operacin elevadora, 309


Parmetros de rendimiento, 312
G asificacin de pulsadores, 312
Reguladores en modo conmutado, 316
9-7.1
Reguladores reductores, 317
9-7.2
Reguladores elevadores, 320
9-7.3
Reguladores reductores-elevadores, 323
9-7.4
Reguladores Ck, 326
9-7.5
Limitaciones de la conversin en un paso, 330
9-8
Circuitos pulsadores con tiristores, 331
9-8.1
Pulsadores conmutados por impulso, 331
9-8.2
Efectos de las inductancias de la alimentacin y de la carga, 336
9-8.3
Pulsadores de tres tiristores conmutados por impulso, 337
9-8.4
Pulsadores de pulso resonante, 338
9-9
Diseo de un circuito pulsador, 342
9-10 Consideraciones magnticas, 350
Resumen, 351
Referencias, 351
Preguntas de repaso, 352
Problemas, 353

CAPITULO 10

INVERSORES DE MODULACION DE ANCHO DE PULSO

356

10-1
10-2
10-3
10-4
10-5

Introduccin, 356
Principio de operacin, 357
Parmetros de rendimiento, 359
Inversores monofsicos en puente, 360
Inversores trifsicos, 364
10-5.1
Conduccin a 180, 364
10-5.2
Conduccin a 120, 370
10-6 Control de voltaje de inversores monofsicos, 372
10-6.1
Modulacin de un solo ancho de pulso, 372
10-6.2
Modulacin varios anchos de pulso, 374
10-6.3
Modulacin senoidal del ancho de pulso, 376
10-6.4
Modulacin senoidal modificada del ancho de pulso, 378
10-6.5
Control por desplazamiento de fase, 380
10-7 Control de voltaje en inversores trifsicos, 381
10-8 Tcnicas avanzadas de modulacin, 382
10-9 Reduccin de armnicas, 387
10-10 Inversores con tiristor por conmutacin forzada, 390
10-10.1
Inversores con conmutacin auxiliar, 391
10-10.2
Inversores de conmutacin complementaria, 393

xvi

C o n ten id o

10-11
10-12
10-13
10-14

Inversores de fuente de corriente, 400


Inversor de enlace de cd variable, 402
Diseo de circuitos inversores, 404
Consideraciones magnticas, 410
Resumen, 410
Referencias, 410
Preguntas de repaso, 411
Problemas, 412

CAPITULO 11
11-1
11-2

11-3
11-4
11-5
11-6

11-7
11-8
11-9

414

Introduccin, 414
Inversores resonantes en serie, 415
11-2.1
Inversores resonantes en serie con interruptores unidireccionales, 415
11-2.2
Inversores resonantes en serie con interruptores bidireccionales, 422
11-2.3
Respuesta de frecuencia para cargas en serie, 428
11-2.4
Respuesta de frecuencia para carga en paralelo, 431
11-2.5
Respuesta de frecuencia para cargas en serie-parallo, 433
Inversores resonantes en paralelo, 434
Inversor resonante de clase E, 439
Rectificador resonante de clase E, 443
Convertidores resonantes de conmutacin a corriente cero, 446
11-6.1
Convertidor resonante ZCS de tipo L, 446
11-6.2
Convertidor resonante ZCS de tipo M, 451
Convertidores resonantes de conmutacin a voltaje cero, 451
Convertidores resonantes de conmutacin a voltaje cero en dos cuadrantes, 454
Inversores resonantes de enlace cd, 457
Resumen, 460
Referencias, 461
Preguntas de repaso, 462
Problemas, 462

CAPITULO 12
12-1
12-2
12-3
12-4
12-5
12-6
12-7
12-8

CONVERTIDORES DE PULSO RESONANTE

INTERRUPTORES ESTATICOS

464

Introduccin, 464
Interruptores monofsicos de ca, 464
Interruptores trifsicos de ca, 467
Interruptores inversores trifsicos, 469
Interruptores de ca para transferencia de bus, 470
Interruptores de cd, 471
Relevadores de estado slido, 472
Diseo de interruptores estticos, 474
Resumen, 474

C o n ten id o

xv

Referencias, 475
Preguntas de repaso, 475
Problemas, 475

CAPITULO 13
13-1
13-2

13-3

13-4
13-5
13-6

14-5

14-6

477

Introduccin, 477
Fuentes de poder de cd, 478
13-2.1
Fuentes de poder de cd en modo de conmutacin, 478
13-2.2
Fuentes de poder de cd resonantes, 481
13-2.3
Fuentes de poder bidireccionales de ca, 481
Fuentes de poder de ca, 483
13-3.1
Fuentes de poder de ca en modo interrumpido, 485
13-3.2
Fuentes de poder de ca resonantes, 486
13-3.3
Fuentes de poder de ca bidireccionales, 486
Conversiones multietapas, 487
Acondicionamiento del factor de potencia, 487
Consideraciones magnticas, 488
Resumen, 490
Referencias, 490
Preguntas de repaso, 491
Problemas, 491

CAPITULO 14
14-1
14-2
14-3
14-4

FUENTES DE PODER

PROPULSORES DE CD

493

Introduccin, 493
Caractersticas bsicas de los motores de cd, 494
Modos de operacin, 498
Propulsores monofsicos, 501
14-4.1
Propulsores de convertidor de media onda monofsico, 501
14-4.2
Propulsores de sem i convertidor monofsico, 503
14-4.3
Propulsores de convertidor completo monofsico, 504
14-4.4
Propulsores de convertidor dual monofsico, 505
Propulsores trifsicos, 508
14-5.1
Propulsores de convertidor trifsico de media onda, 509
14-5.2
Propulsores de semiconvertidor trifsico, 509
14-5.3
Propulsores de convertidor trifsico completo, 509
14-5.4
Propulsores de convertidor trifsico dual, 510
Propulsores de pulsador, 513
14-6.1
Principio de control de potencia, 514
14-6.2
Principio de control de freno regenerativo, 515
14-6.3
Principio de control de freno reosttico, 518
14-5.4
Principio de control combinado de freno regenerativo y reosttico, 519

x viii

C o n ten id o

14-7

14-6.5
Propulsores pulsadores de dos y uatro cuadrantes, 520
14-6.6
Pulsadores multifase, 522
Control en lazo cerrado de los propulsoresvde cd, 524
14-7.1
Funcin de transferencia en lazo abierto, 524
14-7.2
Funcin de transferencia en lazo cerrado, 528
14-7.3
Control en lazo por seguimiento de fase, 533
14-7.4
Control por microcomputadora de propulsores de cd, 534
Resumen, 535
References, 536
Preguntas de repaso, 536
Problemas, 537

CAPITULO 15
15-1
15-2

15-3

541

Introduccin, 541
Propulsores de motores de induccin, 542
15-2.1
Caractersticas de rendimiento, 543
15-2.2
Control del voltaje del estator, 549
15-2.3
Control del voltaje del rotor, 552
15-2.4
Control por frecuencia, 559
15-2.5
Control de voltaje y de frecuencia, 561
15-2.6
Control de corriente, 563
15-2.7
Control de voltaje, corriente, y frecuencia, 566
15-2.8
Control en lazo cerrado de motores de induccin, 568
Propulsores de motores sncronos, 573
15-3.1
Motores de rotor cilindrico, 575
15-3.2
Motores de polos salientes, 578
15-3.3
Motores de reluctancia, 579
15-3.4
Motores de imn permanente, 580
15-3.5
Motores de reluctancia conmutada, 581
15-3.6
Control en lazo cerrado de motores sncronos, 582
15-3.7
Propulsores de motor de cd y ca sin escobillas, 582
Resumen, 586
Referencias, 587
Preguntas de repaso, 588
Problemas, 588

CAPITULO 16
16-1
16-2
16-3
16-4

PROPULSORES DE CA

PROTECCION DE DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS

591

Introduccin, 591
Enfriamiento y disipadores de calor, 591
Circuitos de apoyo, 597
Transitorios de recuperacin inversa, 597

C o n ten id o

xix

16-5
16-6
16-7

Transitorios del lado de alimentacin y del lado de carga, 603


Proteccin de voltaje mediante diodos de selenio y varistores de xido metlico, 606
Protecciones de corriente, 607
16-7.1
Cmo utilizar los fusibles, 608
16-7.2
Corriente de falla con fuente de ca, 615
16-7.3
Corriente de falla con fuente de cd, 617
Resumen, 620
Referencias, 620
Preguntas de repaso, 620
Problemas, 621

APENDICE A

CIRCUITOS TRIFASICOS

624

APENDICE B

CIRCUITOS MAGNETICOS

628

APENDICE C

FUNCIONES DE CONMUTACION DE LOS CONVERTIDORES

APENDICE D

ANALISIS DE TRANSITORIOS EN CD

APENDICE E

ANALISIS DE FOURIER

APENDICE F

APENDICE G

HOJAS DE DATOS

BIBLIOGRAFIA

xx

639

643

LISTADO DE PROGRAMAS DE COMPUTO


EN IBM-PC BASICA

INDICE

633

646

656

695

697

C o n ten id o

Introduccin
1-1 APLICACIONES DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA
Durante muchos aos ha existido la necesidad de controlar la potencia elctrica de los sistemas de
traccin y de los controles industriales impulsados por motores elctricos; esto ha llevado a un
temprano desarrollo del sistema Ward-Leonard con el objeto de obtener un voltaje de corriente di
recta variable para el control de los motores e impulsores. La electrnica de potencia ha revolu
cionado la idea del control para la conversin de potencia y para el control de los motores
elctricos.
La electrnica de potencia combina la energa, la electrnica y el control. El control se en
carga del rgimen permanente y de las caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo cerrado.
La energa tiene que ver con el equipo de potencia esttica y rotativa o giratoria, para la genera
cin, transmisin y distribucin de energa elctrica. La electrnica se ocupa de los dispositivos y
circuitos de estado slido requeridos en el procesamiento de seales para cumplir con los objeti
vos de control deseados. La electrnica de potencia se puede definir como la aplicacin de la
electrnica de estado slido para el control y la conversin de la energa elctrica. En la figura 1-1
se muestra la interrelacin de la electrnica de potencia con la energa, la electrnica y el control.
La electrnica de potencia se basa, en primer trmino, en la conmutacin de dispositivos se
miconductores de potencia. Con el desarrollo de la tecnologa de los semiconductores de potencia,
las capacidades del manejo de la energa y la velocidad de conmutacin de los dispositivos de po
tencia han mejorado tremendamente. El desarrollo de la tecnologa de los microprocesadores-microcomputadoras tiene un gran impacto sobre el control y la sntesis de la estrategia de control
para los dispositivos semiconductores de potencia. El equipo de electrnica de potencia moderno
utiliza (1) semiconductores de potencia, que pueden compararse con el msculo, y (2) microelec
trnica, que tiene el poder y la inteligencia del cerebro.
La electrnica de potencia ha alcanzado ya un lugar importante en la tecnologa moderna y
se utiliza ahora en una gran diversidad de productos de alta potencia, que incluyen controles de
calor, controles de iluminacin, controles de motor, fuentes de alimentacin, sistemas de propul
sin de vehculos y sistemas de corriente directa de alto voltaje (HVDC por sus siglas en ingls).

Figura 1-1 Relacin de la electrnica de potencia con la energa, la electr


nica y el control.

Resulta difcil trazar los lmites de las aplicaciones de la electrnica de potencia; en especial con
las tendencias actuales en el desarrollo de los dispositivos de potencia y los microprocesadores, el
lmite superior est an indefinido. En la tabla 1.1 se muestran algunas de las aplicaciones de la
electrnica de potencia.

1-2 HISTORIA DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA


La historia de la electrnica de potencia empez en el ao 1900, con la introduccin del rectifica
dor de arco de mercurio. Luego aparecieron, gradualmente, el rectificador de tanque metlico, el
rectificador de tubo al alto vaco de rejilla controlada, el ignitrn, el fanotrn y el tiratrn. Estos
dispositivos se aplicaron al control de la energa hasta la dcada de 1950.
La primera revolucin electrnica inicia en 1948 con la invencin del transistor de silicio en
los Bell Telephone Laboratories por los seores Bardecn, Brattain y Schockley. La mayor parte de
las tecnologas electrnicas avanzadas actuales tienen su origen en esta invencin. A travs de los
aos, la microelectrnica moderna ha evolucionado a partir de los semiconductores de silicio. El
siguiente gran parteaguas, en 1956, tambin provino de los Bell Telephone Laboratories: la inven
cin del transistor de disparo PNPN, que se defini como un tiristor o rectificador controlado de
silicio (SCR por sus siglas en ingls).
La segunda revolucin electrnica empez en 1958 con el desarrollo del tiristor comercial
por General Electric Company. Ese fue el principio de una nueva era en la electrnica de poten
cia. Desde entonces, se han introducido muy diversos tipos de dispositivos semiconductores de
potencia y tcnicas de conversin. La revolucin de la microelectrnica nos dio la capacidad de

In trod u cci n

Cap. 1

T A B L A 1.1

A L G U N A S APLICACIONES DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA

Abre puertas elctricos


Acondicionam iento del aire
Alarmas
Alarm as contra robo
Am plificadores de audio
Arrancadores para turbinas de gas
Atenuadores
Atenuadores lum inosos
Calderas
Calefaccin por induccin
Cargador de batera
Centelladores luminosos
Charolas para calentar alimentos
Cobijas elctricas
Com putadoras
Conductores
Controles de calor
Controles lineales de m otor de induccin
Corriente directa de alto voltaje (HVDC)
Crisoles
Electrodepsito electrom ecnico
Electrodom sticos
Electroim anes
Elevadores
Estibadores
Excitadores de generador
Exhibidores
Fuentes de alimentacin para aeronaves
Fuentes de alimentacin para lser
Grabaciones m agnticas
G ras y tom os
Herramientas elctricas
Herram ientas m anuales de potencia
Hornos de cem ento
Ignicin electrnica
Ilum inacin de alta frecuencia
Juegos
Licuadoras
Locomotoras
M ezcladores de alim ento
Molinos
Precipitadores electrostticos
Procesos qumicos
Publicidad
Puertas de cochera automticas
Pulsador
Relevadores de enganche
Secadoras de ropa
Secadoras elctricos
Sopladores
V ehculos elctricos
Ventiladores
Ventiladores elctricos

Fuentes de alim entacin para radar/sonar


Transito masivo
M inera
Control de hornos
Controles de m otor
Circuitos de televisin
Fuentes de alim entacin
Compensacin de voltam perios reactivos
Perforacin de pozos petroleros
Generadores ultrasnicos
Propulsores m otores
M quinas dispensadoras automticas
Interruptores estticos
Bombas y compresores
Fongrafos
Fotocopias
Controles de seales de trnsito
Transmisores de muy baja frecuencia
Dcflectores de televisin
Trenes de laminacin
Sistem as de seguridad
Trenes miniatura
Amplificadores de radio frecuencia
Fuentes de alim entacin de energa solar
Relevadores estticos
Controles de temperatura
Prensas de impresin
Balastras para lmpara de arco de m ercurio
Fuentes de alim entacin no interrum pibles
Soldadura
Material fotogrfico
Lavadoras
Juguetes
Produccin de papel
Sistem as servo
Trenes
Arranque de mquinas sncronas
Proyectores de cine
Reguladores de voltaje
Fuentes de poder para aplicaciones espaciales
Tem porizadorcs
Mquinas de coser
Aceleradores de partculas
M agnetos o electroim anes
Fibras sintticas
Relevadores de estado slido
Aspiradoras de vaco
T ransportadores de personas
Unidad superficial de rango
Barra de control de reactor nuclear
Reguladores
C ontadores de estado slido
Refrigeradores

Fuente: Ref. 5

Sec. 1-2

H istoria de la electrnica de potencia

1990

Figura 1-2 Historia de ia electrnica de potencia. (Cortesa del Tennessee


Center for Research and Develop ment.)

procesar una gran cantidad de informacin a una velocidad increble. La revolucin de la electr
nica de potencia nos est dando la capacidad de dar forma y controlar grandes cantidades de ener
ga con una eficiencia cada vez mayor. Debido a la fusin de la electrnica de potencia, que es el
msculo, con la microelectrnica, que es el cerebro, se han descubierto muchas aplicaciones po
tenciales de la electrnica de potencia, y se descubrirn ms. Dentro de los siguientes 30 aos, la
elctrnica de potencia formar y condicionar la electricidad, en alguna parte de la lnea de trans
misin, entre el punto de generacin y todos los usuarios. La revolucin de la electrnica de po
tencia ha ganado inercia, desde el fin de los aos 80 y principios de los 90. En la figura 1.2 se
muestra la historia cronolgica de la electrnica de potencia.

1-3 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA


Desde que se desarroll el primer tiristor de rectificador controlado de silicio (SCR), a fines de
1957, ha habido grandes adelantos en los dispositivos semiconductores de potencia. Hasta 1970,
los tiristores convencionales se haban utilizado en forma exclusiva para el control de la energa
en aplicaciones industriales. A partir de 1970, se desarrollaron varios tipos de dispositivos semi
conductores de potencia que quedaron disponibles en forma comercial. stos se pueden dividir en
cinco tipos principales: (1) diodos de potencia, (2) tiristores, (3) transistores bipolares de juntura
de potencia (BJT), (4) MOSFET de potencia, y (5) transistores bipolares de compuerta aislada
(IGBT) y transistores de induccin estticos (SIT). Los tiristores se pueden subdividir en ocho ti
pos: (a) tiristor de conmutacin forzada, (b) tiristor conmutado por lnea, (c) tiristor desactivado
por compuerta (GTO), (d) tiristor de conduccin inversa (RCT), (e) tiristor de induccin esttico
(SITH), (f) tiristor desactivado con asistencia de compuerta (GATT), (g) rectificador controlado
de silicio fotoactivado (LASCR), y (h) tiristores controlados por MOS (MCT). Los transistores de
induccin estticos tambin estn disponibles en forma comercial.
Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (o de recupera
cin rpida) y Scholtky. Los diodos de uso general estn disponibles hasta 3000 V, 3500 A, y la
especificacin de los diodos de recuperacin rpida puede llegar hasta 3000 V, 1000 A. El tiempo
de recuperacin inversa vara entre 0.1 y 5 jas. Los diodos de recuperacin rpida son esenciales
para la interrupcin de los convertidores de potencia a altas frecuencias. Un diodo tiene dos termi
nales: un ctodo y un nodo. Los diodos Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un
tiempo de recuperacin muy pequeo, tpicamente en nanosegundos. La corriente de fuga aumen
ta con el voltaje y sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A. Un diodo conduce cuando el voltaje de su nodo es ms alto que el de su ctodo; siendo la cada de voltaje directa de un diodo
de potencia muy baja, tpicamente 0.5 y 1.2 V. Si el voltaje de ctodo es ms alto que el voltaje de
nodo, se dice que el diodo est en modo de bloqueo. En la figura 1-3 aparecen varias configura
ciones de diodos de uso general, mismos que se agrupan bsicamente en dos tipos. Uno se conoce
como de perno o montado en perno y el otro como de disco empacado a presin o de disco de
hockey. En el de perno, tanto el nodo como el ctodo podran ser el perno.
Un tiristor tiene tres terminales: un nodo, un ctodo.y una compuerta. Cuando una pequea
corriente pasa a travs de la terminal de la compuerta hacia el ctodo, el tiristor conduce, siempre y
cuando la terminal del nodo est a un potencial ms alto que el ctodo. Una vez que el tiristor est
en un modo de conduccin, el circuito de la compuerta no tiene ningn control y el tiristor contina
conduciendo. Cuando un tiristor est en un modo de conduccin, la cada de potencial en directa es

Seo. 1-3

D ispositivos sem ico n du cto res de potencia

muy pequea, tpicamente 0.5 a 2 V. Un tirislor que conduce se puede desactivar haciendo que el
potencial del nodo sea igual o menor que el potencial del ctodo. Los tiristores conmutados en l
nea se desactivan en razn de la naturaleza senoidal del voltaje de entrada, y los tiristores conmuta
dos en forma forzada se desactivan mediante un circuito adicional conocido como circuitera de
conmutacin. En la figura 1-4 se muestran varias configuraciones de tiristores de control de fase (o
de conmutacin de lnea): tipo perno, tipo disco de hockey, tipo plano, y tipo de aguja.
Los tiristores naturales o conmutados en lnea estn disponibles con especificaciones de
hasta 6000 V, 3500 A. El tiempo de desactivacin de los tiristores de bloqueo inverso de alta ve
locidad ha mejorado en forma sustancial y es posible obtener de 10 a 20 (is con un tiristor de
1200-V, 2000-A. El tiempo de desactivacin se define como el intervalo de tiempo entre el ins
tante en que la corriente principal se reduce a cero despus de la interrupcin externa del circuito
de voltaje principal, y el instante en que el tiristor es capaz de aceptar un voltaje principal especi
ficado, sin activarse [2], Los RCT y los GATT se utilizan en gran medida para la interrupcin de
alta velocidad, en especial en aplicaciones de traccin. Un RCT se puede considerar como un ti-

Figura 1-4 Varias configuraciones de


tiristor. (Cortesa de Powerex, Inc.)

Introduccin

Cap. 1

ristor que incluye un diodo inverso en paralelo. Los RCT estn disponibles hasta 2500 V, 1000 i
(y 400 A de conduccin inversa) con un tiempo de interrupcin de 40 p.s. Los GATT estn dispo
nibles hasta 1200 V, 400 A con una velocidad de interrupcin de 8 p,s. Los LASCR, que se fabri
can hasta 6000 V, 1500 A, con una velocidad de interrupcin de 200 a 400 ps, son adecuados para
sistemas de energa de alto voltaje, especialmente en HVDC. Para aplicaciones de corriente alter
na de baja potencia los TRIAC, se utilizan ampliamente en todo tipo de controles sencillos de ca
lor, de iluminacin, de motor, as como interruptores de corriente alterna. Las caractersticas de
los TRIAC son similares a dos tiristores conectados en inverso paralelo con una sola terminal de
compuerta. El flujo de corriente a travs de un TRIAC se puede controlar en cualquier direccin.
Los GTO y los SITH son tiristores auto desactivados. Los GTO y los SITH se activan me
diante la aplicacin de un pulso breve positivo a las compuertas, y se desactivan mediante la apli
cacin de un pulso corto negativo a las mismas. No requieren de ningn circuito de conmutacin.
Los GTO resultan muy atractivos para la conmutacin forzada de convertidores y estn disponi
bles hasta 4000 V, 3000 A. Los SITH, cuyas especificaciones pueden llegar tan alto como 1200
V, 300 A, se espera que puedan ser aplicados a convertidores de mediana potencia con una fre
cuencia de varios cientos de kilohcrly y ms all del rango de frecuencia de los GTO. En la figura
1-5 se muestran varias configuraciones de GTO. Un MCT se puede activar mediante un peque
o pulso de voltaje negativo sobre la compuerta MOS (respecto a su nodo), y desactivar median*
te un pulso pequeo de voltaje positivo. Es similar a un GTO, excepto en que la ganancia de
desactivacin es muy alta. Los MCT estn disponibles hasta 1000 V, 100 A.
Los transistores bipolares de alta potencia son comunes en los convertidores de energa a
frecuencias menores que 10 kHz y su aplicacin es eficaz en las especificaciones de potencia de
hasta 1200 V, 400 A. Las diferentes configuraciones de los transistores bipolares de potencia apa
recen en la figura 8-2. Un transistor bipolar tiene tres terminales: base, emisor y colector. Por lo
general, se opera en forma de interruptor en la configuracin de emisor comn. Mientras que la
base de un transistor NPN est a un potencial ms alto que el emisor, y la corriente de base sea lo
suficientemente grande como para excitar al transistor en la regin de saturacin, el transistor se
conservar activado, siempre que la unin del colector al emisor est correctamente polarizada. La
cada directa de un transistor en conduccin est en el rango de 0.5 a 1.5 V. Si el voltaje de excita-

Sec. 1-3

D ispositivos sem ico n du cto res de potencia

cin de la base es retirado, el transistor se conserva en modo de no conduccin (es decir desacti
vado).
Los MOSFET de potencia se utilizan en convertidores de potencia de alta velocidad y estn
disponibles en una especificacin de relativamente poca potencia en rango de 1000 V, 50 A, en un
rango de frecuencia de varias decenas de kilohertz. Los diferentes MOSFET de potencia de distin
tos tamaos aparecen en la figura 8-21. Los IGBT son transistores de potencia controlados por
voltaje. Por naturaleza, son ms rpidos que los BJT, pero an no tan rpidos como los MOSFET.
Sin embargo, ofrecen caractersticas de excitacin y de salida muy superiores a las de los BJT.
Los IGBT son adecuados para altos voltajes, altas corrientes y frecuencias de hasta 20 KHz. Los
IGBT estn disponibles hasta 1200 V, 400 A.
Un SIT es un dispositivo de alta potencia y de alta frecuencia. Es, en esencia, la versin en
estado slido del tubo de vaco triodo, y es similar a un JFET. Tiene una capacidad de potencia de
bajo ruido, baja distorsin y alta frecuencia de audio. Los tiempos de activacin y desactivacin
son muy cortos, tpicamente de 0.25 j_ls. La caracterstica de normalmente activo y la alta cada de
voltaje limitan sus aplicaciones para conversiones de energa de uso general. La especificacin de
uso de corriente de los SIT pueden ser hasta de 1200 V, 300 A, y la velocidad de interrupcin
puede ser tan alta como 100 kHz. Los SIT son adecuados para aplicaciones de alta potencia, alta
frecuencia (es decir audio, VHF/UHF, y amplificadores de microondas). Las especificaciones de
los dispositivos semiconductores de potencia comercialmente disponibles aparecen en la tabla 1.2,
donde el voltaje activo es la cada del voltaje de estado activo del dispositivo a la corriente especi
ficada. En la tabla 1.3 aparecen las caractersticas v-i y los smbolos de los dispositivos semicon
ductores de potencia comnmente utilizados.
TABLA 1.2

ESPECIFICACIONES DE DISPOSITIVOS SEM ICONDUCTO RES DE PO TENCIA

T ip o
Diodos

Tiristores desactivados
en form a forzada

TRIAC
T iristores desactivados
autom ticam ente
T ransistores de
potencia

Uso general
Alta velocidad
Schottky
De bloqueo inverso
Alta velocidad
Bloqueo inverso
Conduccin inversa
GATT
Disparo lum nico
GTO
SITH
Individual

Darlington
S IT
M O SFET de potencia

Individual

IG B T
MCT

Individual
Individual

E s p e c ific a c i n
d e v o lta je /
c o rrie n te
5000
3000
40
5000
1200
2500
2500
1200
6000
1200
4500
4000
400
400
630
1200
1200
500
1000
500
1200
600

V/5000 A
V /1000 A
V/60 A
V/5000A
V/1500 A
V/400 A
V /1000 A
V /400 A
V/1500 A
V/300 A
V/3000 A
V /2200 A
V/250 A
V/40 A
V/50 A
V /400 A
V/300 A
V/8.6 A
V/4.7 A
V/50 A '
V/400 A
V/60 A

A lta
fre c u e n c ia
(H z)
lk
lOk
20k
lk
lOk
5k
5k
20k
400
400
lOk
20k
20k
20k
25k
lOk
lOOk
lOOk
lOOk
lOOk
20k
20k

T ie m p o d e
c o n m u ta c i n
(H-s)

R e s is te n c ia e n
e s ta d o a c tiv o
( i)

100
2-5
0.23
200
20
40
40
8
200-400
200-400
15
6.5
9
6
1.7
30
0.55
0.7
0.9
0.6
2.3
2.2

0.16m
lm
lOm
0.25m
0.47m
2.16m
2.1m
2.24m
0.53m
3.57m
2.5m
5.75m
4m
31m
15m
lOm
1.2
0.6
2
0.4m
60m
18m

Fuente: Ref. 3.

Introd u cci n

Cap. 1

TABLA 1.3

CARACTERISTICAS Y SIM BO LO S DE ALG U N O S DISPOSITIVOS DE PO TENCIA

Las hojas de datos para un diodo, SCR, GTO, BJT, MOSFET, IGBT y MCT se dan en el
apndice G. En la figura 1-6 se muestran las aplicaciones y los rangos de frecuencia de los dispo
sitivos de potencia. Un supcrdispositivo de potencia debera (1) tener un voltaje activo igual a ce
ro, (2) soportar un voltaje fuera de conduccin infinito, (3) manejar una corriente infinita, y (4)
activarse y desactivarse en un tiempo cero, teniendo por lo tanto una velocidad de conmuta
cin infinita.

F r e c u e n c ia d e o p e r a c i n (H z)

Figura 1-6

Aplicaciones de los dispositivos de potencia. (Cortesa de Powerex, Inc.)

1-4 CARACTERISTICAS DE CONTROL DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA


Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden operar como interruptores mediante la
aplicacin de seales de control a la terminal de compuerta de los tiristores (y a la base de los
transistores bipolares). La salida requerida se obtiene mediante la variacin del tiempo de conduc
cin de estos dispositivos de conmutacin. En la figura 1-7 se muestran los voltajes de salida y las
caractersticas de control de los dispositivos de interrupcin de potencia de uso comn. Una vez
que un tiristor est en modo de conduccin, la seal de la compuerta ya sea positiva o negativa no
tiene efecto; esto aparece en la figura l-7a. Cuando un dispositivo semiconductor de potencia est
en modo de conduccin normal, existe una pequea cada de voltaje a travs del mismo. En las
formas de onda de voltaje de salida de la figura 1-7, estas cadas de voltaje se consideran despre
ciables y, a menos que se especifique lo contrario, esta suposicin se conservar a travs de los
captulos siguientes.

10

Introd u cci n

Cap. 1

V.

(a)

T iristo r in te rru p tor

SITH

(b)

In te rru pto r GTO/MCT/SITH (en el caso de MCT, la polaridad de V , se invierte co m o se m uestra)

(c) Transistor in te rru p tor


?C

(d)

Figura 1-7

Sec. 1-4

Inte rru pto r MOSFET/IGBT

Caractersticas de control de los dispositivos de interrupcin de potencia.

Caractersticas de control de los dispositivos de potencia

11

Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden clasificar a partir de:


1. Activacin y desactivacin sin control (por ejemplo diodo)
2. Activacin controlada y desactivacin sin control (por ejemplo SCR)
3. Caractersticas de activacin y desactivacin controladas (por ejemplo BJT, MOSFET,
GTO, S1TH, 1GBT, S1T, MCT)
4. Requisito de seal continua en la compuerta (BJT, MOSFET, IGBT, SIT)
5. Requisito de pulso en la compuerta (por ejemplo SCR, GTO, MCT)
6. Capacidad de soportar voltajes bipolares (SCR, GTO)
7. Capacidad de soportar voltajes unipolares (BJT, MOSFET, GTO, IGBT, MCT)
8. Capacidad de corriente bidireccional (TRIAC, RCT)
9. Capacidad de corriente unidireccional (SCR, GTO, BJT, MOSFET, MCT, IGBT, SITH,
SIT, diodo)

1-5 TIPOS DE CIRCUITOS ELECTRONICOS DE POTENCIA


Para el control de la potencia elctrica o del acondicionamiento de la misma, es necesario conver
tir la potencia de una forma a otra, las caractersticas de interrupcin de los dispositivos de poten
cia permiten dicha conversin. Los convertidores de potencia estticos llevan a cabo estas
funciones de conversin de potencia. Un convertidor se puede considerar como una matriz de
conmutacin. Los circuitos electrnicos de potencia se pueden clasificar en seis tipos:
1. Rectificadores de diodos
2. Convertidores ca-cd (rectificadores controlados)
3. Convertidores ca-cd (controladores de voltaje de ca)
4. Convertidores ca-cd (pulsadores de cd)
5. Convertidores cd-ca (inversores)
6. Interruptores estticos
Los dispositivos de los convertidores siguientes se utilizan nicamente para ilustrar los prin
cipios bsicos. La accin de interrupcin de un convertidor puede ser llevada a cabo por ms de
un dispositivo. La seleccin de un dispositivo en particular depender del voltaje, la corriente y
los requisitos de velocidad del convertidor.
Rectificadores.
Un circuito rectificador por diodos convierte el voltaje de ca en un vol
taje fijo de cd como se muestra en la figura 1-8. El voltaje de entrada al rectificador puede ser mo
nofsico o trifsico.
Convertidores ca-cd.
Un convertidor monofsico con dos tiristores de conmutacin
natural aparece en la figura 1-9. El valor promedio del voltaje de salida se puede controlar varian
do el tiempo de conduccin de los tiristores o el ngulo de retraso de disparo, a . La entrada puede
12

Introduccin

Cap. 1

ut

ut
Diodo D2
(a) Diagrama de circuito

Figura 1-8

Circuito rectificador monofsico.

ser una fuenic mono o trifsica. Estos convertidores tambin se conocen como rectificadores con
trolados.
Convertidores ca-ca.
Estos convertidores se utilizan para obtener un voltaje de salida
de corriente alterna variable a partir de una fuente de corriente alterna fija, la figura 1-10 muestra
un convertidor monofsico con un TRIAC. El voltaje de salida se controla mediante la variacin
del tiempo de conduccin de un TRIAC o el ngulo de retraso de disparo, a . Estos tipos de con
vertidores tambin se conocen como controladores de voltaje de ca.
Convertidores cd-cd.
Un convertidor cd-cd tambin se conoce como un pulsador o
un regulador de conmutacin, en la figura 1-11 aparece un pulsador de transistor. El voltaje pro
medio de salida se controla mediante la variacin del tiempo de conduccin t, del transistor Q x. Si
T es el periodo de corte, entonces t\ = 87. 8 se conoce como el ciclo de trabajo del pulsador.

T iristo r T,

V, = Vmsen cot
Resistencia de carga
Alim entacin
de ca

- w -------

T iristo r T*
(b) Formas de onda de voltaje

(a) Diagrama de circuito

Figura 1-9

Sec. 1-5

Convertidor monofsico ca-cd.

T ip o s de circuitos electrnicos de potencia

13

TRIAC

t+

A lim entacin
de ca

si

V , = Vm sen (i>t

,+
vo

Resistencia
de carga R

(b) Form as

(a) D iagram a de circuito

Figura 1-10

de onda de voltaje

Convertidor monofsico ca-ca.

Convertidores cd-ca.
Un convertidor de cd a ca tambin se conoce como un inversor.
Un inversor monofsico de transistor se muestra en la figura 1-12. Si los transistores Afi y Mt con
ducen durante medio periodo, y M- y A/4 conducen durante la otra mitad, el voltaje de salida tiene
una forma alterna. El voltaje de salida puede ser controlado variando el tiempo de conduccin de
los transistores.
Interruptores estticos.
Dado que los dispositivos de potencia pueden ser operados
como interruptores estticos o contactores, la alimentacin a estos interruptores puede ser de ca o
de cd y se conocen como interruptores estticos de ca o interruptores de cd.

Figura 1.11

14

Convertidor de cd-cd.

Introd u cci n

Cap. 1

V...V,
gl. V92

0
1

o
V,

-V,
(b) Form as de onda de voltaje

Figura 1-12

(a) D iagram a de circuito

C o n v e rtid o r m o n o f sic o c d -c a .

1-6 DISEO DE UN EQUIPO DE ELECTRONICA DE POTENCIA___________________________


El diseo de un equipo de electrnica de potencia se puede dividir en cuatro partes:
1.
2.
3.
4.

Diseo de los circuitos de potencia


Proteccin de los dispositivos de potencia
Determinacin de la estrategia de control
Diseo de los circuitos lgicos y de mando

En los captulos siguientes, se describen y analizan varios tipos de circuitos electrnicos de


potencia. En el anlisis se supone que los dispositivos de potencia son interruptores ideales, a me
nos que se indique lo contrario, desprecindose los efectos de la inductancia de dispersin de cir
cuito, la resistencia del circuito y la inductancia de la fuente. Los dispositivos y circuitos de
potencia prcticos difieren de estas condiciones ideales quedando los diseos de los circuitos tam
bin afectados. Sin embargo, en las primeras etapas del diseo, resulta muy til el anlisis simpli
ficado del circuito para comprender la operacin del mismo y para establecer las caractersticas y
la estrategia de control.
Antes de elaborar un prototipo, el diseador deber investigar los efectos de los parmetros
del circuito (y las imperfecciones de los dispositivos) modificando el diseo, si es necesario. Slo
despus de que se haya construido y probado el prototipo, el diseador podr confiar en la validez
del mismo y podr estimar con ms exactitud algunos de los parmetros de circuito (por ejemplo
la inductancia de dispersin).

1-7 EFECTOS PERIFERICOS


Las operaciones de los convertidores de potencia se basan principalmente en la conmutacin de
dispositivos semiconductores de potencia; y como resultado, los convertidores introducen armni
cas de corriente y de voltaje en el sistema de alimentacin y en la salida de los convertidores.

S e c . 1-7

E fecto s p erifrico s

15

Estas pueden originar problemas de distorsin del voltaje de salida, generacin de armnicas en el
sistema de alimentacin e interferencia con circuitos de comunicacin y sealizacin. Normal
mente es necesario introducir filtros en la salida y en la entrada de un sistema convertidor, para re
ducir a una magnitud aceptable el nivel de armnicas. En la figura 1-13 se muestra el diagrama de
bloque de un convertidor de potencia generalizado. La aplicacin de la electrnica de potencia pa
ra alimentar cargas electrnicas sensibles presenta un reto sobre temas de calidad de la potencia y
presenta problemas y preocupaciones que deben ser resuellas por los investigadores. Las cantida
des de entrada y de salida de los convertidores pueden ser ca o cd. Factores tales como la distor
sin armnica total (THD), el factor de desplazamiento (HF) y el factor de potencia de entrada
(IPF) son medidas de la calidad de una forma de onda. A fin de determinar estos factores, es nece
sario encontrar el contenido armnico de las formas de onda. Para evaluar el rendimiento de un
convertidor, los voltajes/corrientes de entrada y de salida de un convertidor se expresan en series
de Fourier. La calidad de un convertidor de potencia se juzga por la calidad de sus formas de onda
de voltaje y de corriente.

Figura 1-13

S iste m a c o n v e rtid o r d e p o te n c ia g e n e ra liz a d o .

La estrategia de control para los convertidores de potencia juega un papel importante en la


generacin de armnicas y en la distorsin de la forma de onda de salida, y puede guiarse a fin de
minimizar o reducir estos problemas. Los convertidores de potencia pueden causar interferencia
de radio frecuencia, debido a radiacin electromagntica, y los circuitos de mando generar seales
errneas. Esta interferencia se puede evitar mediante un blindaje aterrizado.

1-8 M ODULOS DE POTENCIA


Los dispositivos de potencia estn disponibles como unidades individuales o como mdulos. A
menudo un convertidor de potencia requiere de dos, cuatro o seis dispositivos, dependiendo de su
topologa. Los mdulos de potencia con dual (en configuracin de medio puente), quad (en puente
completo), o seis (trifsicos) estn disponibles para prcticamente todos los tipos de dispositivos
de potencia. Los mdulos ofrecen las ventajas de menores perdidas en estado activo, altas caracte
rsticas de interrupcin de voltaje y corriente y una velocidad ms alta que la de los dispositivos
convencionales. Algunos mdulos incluyen circuitcra para la proteccin de transitorios y de la
excitacin de compuerta.

16

Introd u cci n

Cap. 1

1-9 M O D U L O S IN TELIG EN TES

Los circuitos de excitacin de compuerta estn disponibles comcrcialmente para excitar dispositi
vos individuales o mdulos. Los mdulos inteligentes, que representan el estado ms avanzado de
la electrnica de potencia, integran el mdulo de potencia junto con el circuito perifrico. El cir
cuito perifrico es til formado por un aislamiento de entrada/salida de una interfaz con el sistema
de la seal y el sistema de alto voltaje, un circuito de excitacin, un circuito de proteccin y de
diagnstico (para evitar una corriente excesiva, corto circuito, carga abierta, sobrecalentamiento y
voltaje excesivo), control por microcomputadora y una alimentacin de energa de control. Los
usuarios slo necesitan conectar fuentes de alimentacin externas (flotantes). Un modelo inteli
gente tambin se conoce como potencia inteligente. Estos mdulos se utilizan cada vez ms en la
electrnica de potencia [8]. Los siguientes son algunos fabricantes de dispositivos y de mdulos:
Advanced Power Technology
Brown Boveri
Fuji Electric/Collmer Semiconductor, Inc.
Harris Corp.
Hitachi Ltd.
International Rectifier
Marconi Electronic Devices, Inc.
Mitsubishi Electric
Motorola, Inc.
National Semiconductor, Inc.
Nihon International Electronics Corp.
Power Integrations, Inc.
Powerex, Inc.
PowerTech, Inc.
RCA Corp.
Semikron International
Siliconix, Inc.
Tokin, Inc.
Tokyo Denki
Toshiba Corp.
Unitrode Integrated Circuits
Westcode Semiconductors Ltd.

1-10 PUBLICACIONES PERIODICAS Y CONFERENCIAS SOBRE


LA ELECTRONICA DE POTENCIA
Existen muchas publicaciones peridicas y conferencias profesionales en los cuales se hacen p
blicos los desarrollos nuevos. Algunos de ellos son:

S e c . 1-10

P u b lica cio n es p eri d ica s y c o n fe r en cia s so b r e la elec tr n ica de p o ten cia

17

IEEE Transaciions on Industrial Electronics


IEEE Transaciions on Induslry Applications
IEEE Transaciions on Power Delivery
IEEE Transaciions on Power Electronics
IEE Proceedings on Electric Power
Journal ofElectrical Machinery and Power Systems
Applied Power Electronics Confcrcncc (APEC)
European Power Electronics Confercnce (EPEC)
IEEE Industrial Electronics Confcrcncc (IECON)
IEEE Industry Applications Socicty Annual Meeting (IAS)
International Confcrcncc on Elcctrical Machines (ICEM)
International Power Electronics Confcrcncc (1PEC)
Power Conversin Intclligcnt Motion (PCIM)
Power Electronics Spccialist Confcrcncc (PESC)

RESUMEN
Conforme se desarrolla la tecnologa de los dispositivos semiconductores de potencia y los circui
tos integrados, se ampla el potencial para la aplicacin de la electrnica de potencia. Ya existen
muchos dispositivos semiconductores de potencia comcrcialmcntc disponibles; sin embargo, con
tina el desarrollo en esta direccin. Los convertidores de potencia se agrupan por lo general en
seis categoras: (1) rectificadores, (2) convertidores ca-cd, (3) convertidores de ca-ca, (4) converti
dores cd-cd, (5) convertidores cd-ca y (6) interruptores estticos. El diseo de los circuitos de la
electrnica de potencia requiere del diseo de los circuitos de potencia y de control. Las armni
cas de voltaje y de corriente generadas por los convertidores de potencia se pueden reducir (o mi
nimizar) con una eleccin apropiada de la estrategia de control.

REFERENCIAS
1.

2.

3.

R. G. Hft. Historical review, present status and future prospeets. International Power Electronics
Conference, Tokio, 1983, pp. 6-18.
General Electric, D. R. Grafham y F. B. Goldcn, eds.,
6th ed. Englcwood Cliffs. N.J.: Prcntice Hall, 1982.

1982, pp. 1-19.


5.

SCR Manual,

6.

F. Harashima. State of thc art on powcr clccironics


and electrical drives in Japan. 3rd IFAC Symposium

7.

on Control in Power Electronics and Electrical Drivers, Lausanne, Sui/.a, 1983, tutorial session and survey papers, pp. 23-33.
4.

tional Semiconductor Power Converter Conference,

B. R. Pelly, Power semiconductor devices: a status


review. IEEE Industry Applications Sociely Interna

18

R. G. Holt, Semiconductor Power Electronics. New


York: Van Nostrand Reinhold Company, Inc., 1986.
T. M. Jahns, Designing intelligent muscle into in
dustrial motion control, IEEE Transaciions on In
dustrial E lectronics , V ol. IE37, N o. 5 1990, pp.
329-341.
B. K. Bose, Recent advances in power electronics.

IEEE Transaciions Power Electronics, Vol. PE7, No.


1, 1992, pp. 2-16.

8.

B. K. Bose, Modern Power Electronics: Evolution,


Technology, and Applications. Nueva York: IEEE
Press, 1992.

Introduccin

Cap. 1

PREGUNTAS DE REPASO
1-1. Qu es electrnica de potencia?
1-2. Cules son los diversos tipos de tiristores?
1-3. Qu es un circuito de conmutacin?
1-4. Cules son las condiciones para que un tiristor
conduzca?
1-5. Cmo se puede desactivar un tiristor en conduc
cin?
1-6. Qu es conmutacin de lnea?

1-16. Cules son los pasos incluidos en el diseo de un


equipo de electrnica de potencia?
1-17. Cules son los efectos perifricos del equipo elec
trnico de potencia?
1-18. Cules son las diferencias entre las caractersticas
de compuerta de los GTO y los tiristores?
1-19. Cules son las diferencias entre las caractersticas
de compuerta de tiristores y transistores?

1-7. Qu es conmutacin forzada?

1-20. Cules son las diferencias en las caractersticas de


compuerta de los TBJ y los MOSFET?

1-8. Cul es la d iferen cia entre un tiristor y un


TRIAC?

1-21. Cul es la caracterstica de com puerta de un


IC.BT?

1-9. Cul es la caracterstica de compuerta de un


GTO?

1-22. Cul es la caracterstica de com puerta de un


MCT?

1-10. Cul es el tiempo de desactivacin de un tiristor?

1-23. Cul es la caracterstica de compuerta de un SIT?

1-11. Qu es un convertidor?

1-24. Cules son las diferencias entre un TBJ y los


CBT?

1-12.

Cul es el

principiode conversin deca-cd?

1-13.

Cul es el

principiode conversin deca-ca?

1-14.

Cul es el

principiode conversin decd-cd?

1-15.

Cul es el

principiode conversin decd-ca?

Cap. 1

Preguntas de repaso

1-25. Cules son las diferencias entre los MCT y los


GTO?
1-26. Cules son las diferencias entre los SITH y los
GTO?

19

2
Diodos semiconductores de potencia

2-1 INTRODUCCION
Los diodos semiconductores de potencia juegan un papel significativo en los circuitos electrni
cos de potencia. Un diodo funciona como un interruptor, a fin de llevar a cabo varias funciones,
como la de interruptores en los rectificadores, de marcha libre en los reguladores conmutados, in
versin de carga de capacitores y transferencia de energa entre componentes, aislamiento de vol
taje, retroalimentacin de la energa de la carga a la fuente de energa y recuperacin de la energa
atrapada.
Para la mayor parte de las aplicaciones, se puede suponer que los diodos de potencia son in
terruptores ideales, pero los diodos prcticos o reales difieren de las caractersticas ideales y tie
nen ciertas limitaciones. Los diodos de potencia son similares a los diodos de seal de unin pn.
Sin embargo, los diodos de potencia tienen mayores capacidades en el manejo de la energa, el
voltaje y la corriente, que los diodos de seal ordinarios. La respuesta a la frecuencia (o velocidad
de conmutacin) es baja en comparacin con los diodos de seal.

2-2 CARACTERISTICAS DE LOS DIODOS


Un diodo de potencia es un dispositivo de unin pn de dos terminales, por lo general, una unin
pn est formada por aleacin, difusin y crecimiento epitaxial. Las tcnicas modernas de control
en los procesos de difusin y epilaxiales permiten obtener las caractersticas deseadas para el dis
positivo. En la figura 2-1 aparece un corte transversal de una unin pn y un smbolo de diodo.
Cuando el potencial del nodo es positivo con respecto al ctodo, se dice que el diodo tiene
polarizacin directa o positiva y el diodo conduce. Un diodo en conduccin tiene una cada de
voltaje directa relativamente pequea a travs de s mismo; la magnitud de esta cada de voltaje
depende del proceso de manufactura y de la temperatura de la unin. Cuando el potencial del c
todo es positivo con respecto al nodo, se dice que el diodo tiene polarizacin inversa. Bajo con20

A nodo

Ctodo

Figura 2-1

Smbolo de diodo y unin pn.

diciones de polarizacin inversa, fluye una pequea corriente inversa (tambin conocida como co
rriente de fu g a ) en el rango de los micros o de los miliamperios, cuya magnitud crece lentamente
en funcin del voltaje inverso, hasta llegar al voltaje de avalancha o zener. En la figura 2-2a se
muestran las caractersticas v -i de un diodo en rgimen permanente. Para fines prcticos, un diodo
se puede considerar como un interruptor ideal, cuyas caractersticas se muestran en la figura 2-2b.
Las caractersticas v -i mostradas en la figura 2-2a se pueden expresar mediante una ecua
cin conocida como la ecuacin Schockley de diodo, y est dada por
I D = IA e v'>lnVl - 1)

(2-1)

donde Id = corriente a travs del diodo, A


VD = voltaje del diodo con el nodo positivo con respecto al ctodo,V
I s = corriente de fuga (o corriente de saturacin inversa),tpicamente en el rango entre 1CT6
y 10-15 A
n = constante emprica conocida como coeficiente de emisin o fa cto r de idealidad, cuyo
valor vara de 1 a 2.
El coeficiente de emisin n depende del material y de la construccin fsica del diodo. En el caso
de los diodos de germanio, n se considera igual a 1. En los diodos de silicio, el valor predicho de
n es 2, pero en la mayor parte de los diodos de silicio reales, el valor de n cae entre 1.1 y 1.8.
En la ecuacin (2-1), V> es una constante llamada voltaje trmico y est dada por

<7

(a)

Prctica o real

Figura 2-2

Sec. 2-2

Caractersticas

C aractersticas de los diodos

(b) Ideal

v-i del diodo.


21

donde q = carga del electrn: 1.6022 x 10-ly culombios (C)


T = temperatura absoluta en Kelvins (K = 273 + C)
k = constante de Boltzmann: 1.3806 x 1023 J./K
A una temperatura de unin de 25 QC, la ecuacin (2-2) da
kT

Vt ~ J ~

1.3806 x lO"23 x (273 + 25)


------------1.6022 x

1 0 - " ----------- "

2 5 8 mV

A una temperatura especificada, la corriente de fuga Js es una constante para un diodo dado. La
caracterstica del diodo de la figura 2-2a se puede dividir en tres regiones:
Regin de polarizacin directa, donde VD > 0
Regin de polarizacin inversa, donde VD < 0
Regin de ruptura, donde VD < - Vyj<
Regin de polarizacin directa.
En la regin de polarizacin directa, VD > 0. La co
rriente del diodo 1D es muy pequea si el voltaje del diodo VD es menor que un valor especfico
Vtd (tpicamente 0.7 V). El diodo conduce totalmente si VD es mayor que este valor VTD, que se
conoce como el voltaje umbral, voltaje de corte, o voltaje de activacin. Por lo tanto, el voltaje
umbral es un voltaje al cual el diodo conduce totalmente.
Consideremos un pequeo voltaje de diodo VD = 0.1 V, n = 1 y Vr = 25.8 mV. De la ecua
cin (2-1) podemos encontrar que la corriente correspondiente al diodo I d es

l f

,(eVl>l"Vl -

1) = / , 1/1ixo.iow - l] = / 1(48.23 -

1)

= 48.23/f con 2.1 % de error


Por lo tanto, para VD > 0.1 V, que es por lo general el caso, o
aproximar, dentro de un error de 2.1 %, a

In

l,(e v,,h,v!

1) ~

h , y la ecuacin (2-1) se puede

se vi,/v'

(2' 3)

Regin de polarizacin inversa.


En la regin de polarizacin inversa, VD < 0. Si VD
es negativo y IVDI VT, cosa que ocurre para VD < -0 .1 , el termino de la exponencial de la ecua
cin (2-1) se vuelve despreciablemente pequeo en comparacin con la unidad, y la corriente del
diodo o se vuelve
ID = s(e~AV,lnVl -

1) =

(2-4)

lo que indica que la corriente del diodo D en la direccin inversa es constante y es igual a Is.
Regin de ruptura.
En la regin de ruptura, el voltaje inverso es alto, por lo general
mayor que 1000 V. La magnitud del voltaje inverso excede un voltaje especificado conocido co
mo voltaje de ruptura, VW. La corriente inversa aumenta rpidamente con un pequeo cambio en
el voltaje inverso ms all de V^r. La operacin en la regin de ruptura no ser destructiva, siem
pre y cuando la disipacin de la potencia est dentro del nivel seguro especificado en la hoja de
datos del fabricante. A menudo es necesario limitar la corriente inversa en la regin de la ruptura,
a fin de mantener la disipacin de la energa dentro de valores permisibles.

22

D iodos sem ico n du cto res de potencia

Cap. 2

Ejemplo 2-1
La cada de voltaje directa de un diodo de potencia es V) = 1.2 V a I d = 300 A. Suponiendo que
n = 2 y V f = 25.8 mV, encuentre la corriente de saturacin Is.
Solucin Aplicando la ecuacin (2-1), podemos encontrar la corriente de fuga (o corriente de
saturacin) /, a partir de
300 =

25.8x10*) _ ]]

lo que nos da Is = 2.38371 x 108 A.

2-3 CARACTERISTICAS DE LA RECUPERACION INVERSA


La corriente de un diodo de unin con polarizacin directa se debe al efecto neto de los portadores
mayoritarios y minoritarios. Cuando un diodo est en modo de conduccin directa y su corriente se
reduce a cero (debido al comportamiento natural del circuito del diodo o a la aplicacin de un vol
taje inverso), el diodo contina conduciendo, debido a los portadores minoritarios que permanecen
almacenados en la unin pn y en el material del cuerpo del semiconductor. Los portadores minori
tarios requieren de un cierto tiempo para recombinarse con cargas opuestas y neutralizarse. Este
tiempo se conoce como tiempo de recuperacin inversa del diodo. En la figura 2-3 se muestran dos
caractersticas de recuperacin inversa de diodos de unin. El ms comn es el tipo de recupera
cin suave. El tiempo de recuperacin inversa se denomina trr y se mide a partir del cruce del cero
inicial de la corriente del diodo con el 25% de la corriente inversa mxima (o de pico), Irr. t,r est
formado por dos componentes, ta y ib. ta est generado por el almacenamiento de carga en la regin
de agotamiento de la unin y representa el tiempo entre el cruce por cero y la corriente inversa pi
co, I r r . h es debido al almacenamiento de carga en el material del cuerpo del semiconductor. La re
lacin tb/ta se conoce como el factor de suavidad, SF. Para efectos prcticos, uno debe preocuparse
por el tiempo total de recuperacin t y por el valor pico de la corriente inversa I r r .
trr = la

tfr

(2-5)

La corriente inversa pico se puede expresar en dildt inversa como,

I rr

ta

dt

(2 -6 )

(a) Recuperacin suave

Figura 2-3

Sec. 2-3

Caractersticas de recuperacin inversa.

C aractersticas de la recuperacin inversa

23

El tiempo de recuperacin inversa trr, puede definirse como el intervalo de tiempo entre el
instante en que la corriente pasa a travs del cero, durante el cambio de la conduccin directa a la
condicin de bloqueo inverso, y el momento en que la corriente inversa se ha reducido al 20% de
su valor inverso pico rr. t depende de la temperatura de la unin, de la velocidad de abatimiento
de la corriente directa y de la corriente directa antes de la conmutacin.
La carga de recuperacin inversa Qrr, es la cantidad de portadores de carga que fluyen a
travs del diodo en direccin inversa debido a un cambio de la conduccin directa a la condicin
de bloqueo inverso. Su valor queda determinado por el rea encerrada por la trayectoria de la co
rriente de recuperacin inversa.
La carga de almacenamiento, que es el rea envuelta por la trayectoria de la corriente de re
cuperacin, es aproximadamente
Q rr U rr Iu + 51RR t k = i I rr ,,-

(2-7)

o bien
hr

( 2 -8 )

Igualando la ecuacin (2-6) con la ecuacin (2-8) nos da


trrta = d ild t

(29)

Si tb es despreciable en comparacin con ta, que por lo general es el caso, t ~ ta, y la ecuacin (2-9)
se convierte en

' v i f

l R R = \ J 2Q J t

(2- |0 >

(2-11)

Se puede notar, de las ecuaciones (2-10) y (2-11), que el tiempo de recuperacin inversa t
y la corriente de recuperacin inversa pico Irr dependen de la carga de almacenamiento Qrr y de
dildt inverso (o reaplicado). La carga de almacenamiento depende de la corriente directa del diodo
Ip. La corriente de recuperacin inversa pico IKK, la carga inversa Q rr y el factor de suavidad son
todos de inters para el diseador de circuitos, y estos parmetros se incluyen en forma comn en
las hojas de especificacin de diodos.
Si un diodo est en una condicin de polarizacin inversa, fluye una corriente de fuga debi
da a los portadores minoritarios. En ese caso, la aplicacin de un voltaje directo obligara al diodo
a conducir la corriente en la direccin directa. Sin embargo, se requiere de un cierto tiempo, cono
cido como el tiempo de recuperacin directa (o de activacin), antes de que los portadores mayoritarios de toda la unin puedan contribuir al flujo de corriente. Si la velocidad de elevacin de la
corriente directa es alia, y la corriente directa est concentrada en una pequea superficie de la
unin, el diodo puede fallar. Por lo tanto, el tiempo de recuperacin directo limita la velocidad de
elevacin de la corriente directa y la velocidad de conmutacin.

24

D iodos sem ico n d u cto res de potencia

Cap. 2

Ejemplo 2-2
El tiem po de recuperacin inversa de un diodo es t = 3 |is y la velocidad del decremento o de la
reduccin de la corriente del diodo es dildt = 30 A/(J.s. Determine (a) la carga de almacenamiento
Q rr y (b) la corriente inversa pico I r r .
Solucin t = 3 |is y dildt = 30 A/ji.s.
(a) D e la ecuacin (12-10),

= ' 5 X 30 A/| s x (3 x 10^>: = 135 /jlC

(b) D e la ecuacin (2-11)

l RR = y j 2 Q RR

= V2 x

135

l(r 6

30

1 0 "ft

90 A

2-4 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA


Idealmente, un diodo no debera tener tiempo de recuperacin inversa. Sin embargo, el costo de
fabricacin de un diodo semejante aumentara. En muchas aplicaciones, no son de importancia los
efectos del tiempo de recuperacin inversa, y se pueden utilizar diodos poco costosos. Dependien
do de las caractersticas de recuperacin y de las tcnicas de fabricacin, los diodos de potencia se
pueden clasificar en tres categoras. Las caractersticas y las limitaciones prcticas de cada uno de
estos tipos restringen sus aplicaciones.
1. Diodos estndar o de uso general
2. Diodos de recuperacin rpida
3. Diodos Schottky
2-4.1 Diodos de uso general
Los diodos de rectificacin de uso general tienen un tiempo de recuperacin inversa relativamente
alto, tpicamente de 25 |is, y se utilizan en aplicaciones de baja velocidad, en las que el tiempo de
recuperacin no es crtico (por ejemplo, en rectificadores de diodos y convertidores para una baja
frecuencia de entrada, de hasta 1 kHz, y en convertidores conmutados en lnea). Estos diodos cu
bren especificaciones de corriente desde menos de uno hasta varios miles de amperios, con espe
cificaciones de voltaje desde 50 V hasta alrededor de 5 kV. Estos diodos generalmente se fabrican
por difusin. Sin embargo, los rectificadores de tipo de aleacin usados en las fuentes de alimen
tacin para mquinas de soldadura son muy econmicos y duraderos, cuyas especificaciones pue
den llegar hasta 300 A y 1000 V.
2-4.2 Diodos de recuperacin rpida
Los diodos de recuperacin rpida tienen un tiempo de recuperacin bajo, por lo general menor
que 5 jj.s . Se utilizan en circuitos convertidores cd-cd y cd-ca, en los que la velocidad de recupe
racin es a menudo de importancia crtica. Estos diodos cubren especificaciones de corriente, des
de menos de uno hasta cientos de amperios, con especificaciones de voltaje desde 50 V hasta
aproximadamente 3 kV.
Para especificaciones de voltaje por arriba de 400 V, los diodos de recuperacin rpida por
lo general se fabrican por difusin y el tiempo de recuperacin es controlado por difusin de oro o

Sec. 2-4

T ip o s de diodos de potencia

25

platino. Para especificaciones de voltaje por debajo de 400 V, los diodos epiuixiales proporcionan
velocidades de conmutacin mayores que las de los diodos de difusin. Los diodos epitaxiales tie
nen la base ms angosta, lo que permite un rpido tiempo de recuperacin, tan bajo como 50 ns.
En la figura 2-4 se muestran diodos de recuperacin rpida de varios tamaos.
2-4.3 Diodos Schottky
En un diodo Schottky se puede eliminar (o minimizar) el problema de almacenamiento de carga
de una unin pn. Esto se lleva a cabo estableciendo una barrera de potencial con un contacto en
tre un metal y un semiconductor. Sobre una capa delgada epitaxial de silicio de tipo n se deposita
una capa de metal. La barrera de potencial simula el comportamiento de una unin pn. La accin
rectificadora slo depende de los portadores mayoritarios, y como resultado no existen portadores
minoritarios en exceso para recombinar. El efecto de recuperacin se debe nicamente a la autocapacitancia de la unin semiconductora.
La carga recuperada de un diodo Schottky es mucho menor que la de un diodo equivalente
de unin pn. Dado que se debe slo a la capacitancia de la unin, bsicamente es independiente de
la di/dt inversa. Un diodo Schottky tiene una salida de voltaje directa relativamente baja.
La corriente de fuga de un diodo Schottky es mayor que la de un diodo de unin pn. Un dio
do Schottky con un voltaje de conduccin relativamente bajo tiene una corriente de fuga relativa
mente alta, y viceversa. Como resultado, su voltaje mximo permisible est por lo general
limitado a 100 V. Las especificaciones de corriente de los diodos Schottky varan de 1 a 300 A.
Los diodos Schottky son ideales para las fuentes de alimentacin de alta corriente y de bajo volta
je en corriente directa. Sin embargo, tambin se utilizan en fuentes de alimentacin de baja co
rriente para una eficiencia mayor. En la figura 2-5 se muestran rectificadores Schottky de 20 y de
30 A duales.

26

D io do s sem ico n d u cto res de potencia

Cap. 2

La importancia de estos parmetros se puede explicar con la figura 2-6a. Si el interruptor, SW, se
cierra en t = 0 y se mantiene cerrado el tiempo suficiente, una corriente en rgimen permanente o =
Vs /R fluir a travs de la carga y el diodo en marcha libre D m quedar con polarizacin inversa. Si

Figura 2-6 Circuito pulsador sin inductor


limitante dildt.

Sec. 2-5

Efectos del tie m p o de recuperacin directa e inversa

27

el interruptor se desconecta en t = t\, el diodo D m conducir y la corriente de carga circular a tra


vs de D n. Ahora, si el interruptor se vuelve a conectar en el tiempo t = h, el diodo D m se compor
tar como si estuviera en corto circuito. La velocidad de elevacin de la corriente directa del
interruptor (y del diodo D i), y la velocidad de reduccin de la corriente directa en el diodo D m se
ran muy altas, tendiendo al infinito. De acuerdo con la ecuacin (2-11), la corriente de pico inver
sa del diodo D mpodra ser muy alta, y los diodos D { y D m podran daarse. En la figura 2-6b se
muestran las diversas formas de onda para las corrientes de diodos. Este problema por lo general
se resuelve conectando un inductor limitante dildt, Ls, tal y como aparece en la figura 2-7a. Los
diodos reales o prcticos requieren de un cierto tiempo de activacin, antes de que toda la superfi
cie de la unin se haga conductora, dildt debe mantenerse bajo, para alcanzar el lmite de tiempo
de activacin. Este tiempo a veces se conoce como tiempo de recuperacin directa tr.
La velocidad de elevacin de la corriente a travs del diodo D i, que debera ser la misma
que la velocidad de reduccin de la corriente a travs del diodo D m, es
di

(2- 12)

~dF

Figura 2-7

28

Circuito pulsador con inductor limitante

dildt.

D io do s sem ico n d u cto re s de potencia

Cap. 2

Si trr es el tiempo de recuperacin inversa de D n , la corriente de pico inversa de Dm es

y la corriente de pico a travs del inductor Ls sera


lp

/o +

R R - h + t rr trrV*
Ls

(2-14)

Cuando la corriente del inductor se convierte en p, el diodo Dm se desconecta o desactiva repenti


namente (suponiendo una recuperacin abrupta) y rompe la trayectoria del flujo de corriente. En
razn de una carga altamente inductiva, la corriente de carga no puede cambiar rpidamente de / 0
a l p. La energa excedente almacenada en Ls inducira un alto voltaje inverso a travs de D, y esto
podra daar al diodo D m. La energa almacenada excedente resultante de un tiempo de recupera
cin inverso se calcula a partir de
WR = L ,[(/0 + IRR)2 - I]
WR = U s

t,rV,s\2

7(1 +

lT'

(2-15)
,2

' 7

(2-16)

Las formas de onda de las varias corrientes se muestran en la figura 2-7b. Esta energa excedente
se puede transferir del inductor Ls a un capacitor Cs, que se conecta a travs del diodo Dm. El valor
de Cs se puede determinar a partir de
!C ,V (2 = w*
o bien
Cs =

(2-17)

donde Vc es el voltaje inverso permisible del diodo.


Una resistencia Rs, que se muestra en la figura 2-7a con lneas punteadas, se conecta en se
rie con el capacitor, para amortiguar cualquier oscilacin transitoria. La ecuacin (2-17) es aproxi
mada y no toma en consideracin los efectos de L s y de R s durante los transitorios de la
transferencia de energa. El diseo de Cs y de Rs se analiza en la seccin 15-4.

2-6 DIODOS CONECTADOS EN SERIE


En muchas aplicaciones de alto voltaje (cs decir, en lneas de transmisin HVDC), un diodo comercialmente disponible no puede dar la especificacin de voltaje requerida, por lo que los diodos
se conectan en serie para aumentar las capacidades de bloqueo inverso.
Consideremos dos diodos conectados en serie, tal y como se muestra en la figura 2-8a. En la
prctica, las caractersticas v -i para el mismo tipo de diodo difieren debido a tolerancias en su
proceso de produccin. En la figura 2-1 Ib se muestran dos caractersticas v -i para tales diodos.
En condicin de polarizacin directa, ambos diodos conducen la misma cantidad de corriente, y la
cada de voltaje directa de cada diodo debera ser prcticamente la misma. Sin embargo, en la
condicin de bloqueo inverso, cada diodo tiene que llevar la misma corriente de fuga y, como re
sultado, los voltajes de bloqueo variarn en forma significativa.

Sec. 2 -6

D iodos conectados en serie

29

VD,

VDj

(b)

Figura 2-8

Caracterstica v-i

Dos diodos conectados en serie con polarizacin inversa.

Una solucin sencilla a este problema, tal y como se muestra en la figura 2-9a, es obligar a
que se comparta el mismo voltaje conectando una resistencia a travs de cada diodo. Debido a es
ta distribucin de voltajes iguales, la corriente de fuga de cada diodo sera diferente mostrndose,
esto en la figura 2-9b. En vista de que la corriente de fuga total debe ser compartida por un diodo
y su resistencia,
s = h \ + R\ = l s2 + IR2

(2-18)

Pero r \ = Vdi/R i e I r2 = VdtJRi = Vm/Ri- La ecuacin 2-18 proporciona la relacin entre R\ y R i


para una distribucin de voltaje igual, en la forma

/ +
/ +
/,
R{ - /,2
Ri

(2-19)

Si las resistencias son iguales, R = /?i = R t y los dos voltajes del diodo seran ligeramente distin
tos, dependiendo de las similitudes entre las dos caractersticas v-i.

Figura 2-9 Diodos conectados en serie, con caractersticas de distribucin de voltaje


en rgimen permanente.

30

D io do s sem ico n d u cto res de potencia

Cap. 2

Los valores de Vd \ y VD2 se pueden determinar de las ecuaciones (2-20) y (2-21):


/,> + ~

= 1,2 +

(2-20)

+ VD2 = V,

(2-21)

La distribucin del voltaje bajo condiciones transitorias (es decir, debido a cargas en conmuta
cin, aplicacionesiniciales de un voltaje de entrada) selleva a caboconectandocapacitores a tra
vs de cadadiodo, lo que se muestra en la figura 2-10. Rslimita la velocidad de elevacin del
voltaje de bloqueo.

: H,

Y D,
Cs - r - Distribucin
de voltaje
en

Distribucin
de voltaje en
e stado per
m an en te

V 02

F igura 2-10 Diodos en serie con redes de


distribucin de voltaje bajo condiciones de r
gimen permanente y transitoria.

2-7 DIODOS CONECTADOS EN PARALELO


En aplicaciones de alta potencia, los diodos se conectan en paralelo para aumentar la capacidad de
conduccin de corriente, a fin de llenar las especificaciones de corriente deseadas. La distribucin
de corriente de los diodos estara de acuerdo con sus respectivas cadas de voltaje directas. Se
puede obtener una distribucin uniforme de corriente proporcionando inductancias iguales (por
ejemplo en las terminales), o conectando resistencias de distribucin de corriente (cosa que puede
no ser prctica debido a perdidas de energa); lo anterior se muestra en la figura 2-11. Es posible
minimizar este problema seleccionando diodos con cadas de voltaje directas iguales o diodos del
mismo tipo. Dado que los diodos estn conectados en paralelo, los voltajes de bloqueo inverso de
cada diodo seran los mismos.
Las resistencias de la figura 2-11 a ayudarn a la reparticin de corriente en condiciones de
rgimen permanente. La reparticin de la corriente bajo condiciones dinmicas se puede llevar a
cabo mediante la conexin de inductores acoplados, tal y como se muestra en la figura 2-1 Ib. Si

Figura 2-11

Sec. 2-7

D iodos co n ectad os en p aralelo

Diodos conectados en paralelo.

31

se eleva la corriente a travs de D u el L dildt a travs de L aumenta, y se induce un voltaje co


rrespondiente de polaridad opuesta a travs del inductor L2. El resultado es una trayectoria de baja
impedancia a travs del diodo D 2 y la corriente se transfiere a D 2- Los inductores generaran picos
de voltaje y podran resultar costosos y voluminosos, especialmente en corrientes altas.

2-8 MODELO SPICE DE DIODO


El modelo SPice de un diodo aparece en la figura 2-12a. La corriente de diodo I d , que depende de
su voltaje, est representada por una fuente de corriente. Rs es la resistencia en serie, y se debe a la
resistencia del semiconductor. Rs, tambin conocido como resistencia del cuerpo, depende de la

O
d
Di

CD

(b) M od elo SPice

(a) Diodo

Rs
Cd
Vd

K
(d) M odelo esttico

32

F igu ra 2-12 M odelo de diodo SPice,


con diodo de polarizacin inversa.

D iodos sem ico n d u cto res de potencia

Cap. 2

cantidad de dopados. Los modelos de pequea seal y estticos que se generan mediante SPice
aparecen en la figura 2 -12b y c, respectivamente. Cd es una funcin no lineal del voltaje de diodo
v0 y es igual a C = dqdldvD, donde qd es la carga de la capa de agotamiento. SPice genera los pa
rmetros de pequea seal a partir del punto de operacin.
El enunciado del modelo SPice de un diodo tiene la forma general
.MODEL D NAME

(P1=V1

P2 = V2 P 3 =V3

PN=VN)

DNAME es el nombre del modelo y puede empezar con cualquier carcter; pero el tamao de esta
palabra por lo general se limita a ocho caracteres. D es el smbolo del tipo para diodos. P l, P 2 ,...
y V I, V 2 ,... son los parmetros de modelo y sus valores, respectivamente.

E jem p lo 2-3
D os diodos que se muestran en la figura 2-9a estn conectados en serie, un voltaje total de Vq =
5 kV. Las corrientes de fuga inversas de los dos diodos son /.vi = 30 mA e Is2 = 35 mA. (a) En
cuentre los voltajes de diodo, si las resistencias de distribucin del voltaje son iguales, /?i = /?2 =
R = 100 k2. (b) Encuentre las resistencias de reparticin del voltaje R\ y R% si los voltajes del
diodo son iguales, Vp\ = Vp 2 = Vp/2. (c) Utilice PSpice para verificar los resultados de la parte
(a). Los parmetros del m odelo PSpice son: BV = 3KV e IS = 30 mA para el diodo D 1 , e IS = 35
mA para el diodo DzSolucin (a) / si = 30 mA, /,v2 = 35 mA, R\ = /?2 = R = 100 kQ. Vp = Vp\ + Vp 2 o bien Vp2 =
- V q i . D e la ecuacin (2-19),

Sustituyendo

Vp 2 = V p - Vp. Y resolviendo para encontrar el voltaje del diodo D, obtenem os

5 kV
=
y

100 k fi . .
+ 2
X 1

~ 30 x 10"3) = 2750 V

VD1 = V n - Vm = 5 kV - 2750 = 2250 V.


(b) lsl = 30 m A , s2 = 35 m A, y VD\ = VD2 = VD/2 = 2.5 kV. D e la ecuacin!

que nos da la resistencia

R 2 para un valor conocido R\

com o

n _______VpjR\____
Suponiendo que

R\

(2-23)

= l(X) kf2, obtenemos

Ri = 2.5

Sec. 2 -8

(2-19)

kV -

2.5 kV x 100 k l
= 125 k l
100 k l x (35 x 1 0 '3 - 30 x 10~3)

M o d e lo SPice de D io do

33

(c)
El circuito del diodo para la simulacin PSpice aparece en la figura 2-13. La lista del archi
vo de circuito es como sigue:

D iode V o l t a j e - S h a r i n g C i r c u i t
5KV
DC

0 .01

R1

R2

3
0

100 K
100K

DI

Example
VS

2-3

MOD1

D2
0
3
MODEL
M OD1

MOD 2
D

(IS = 3 0 MA

BV=3KV)

Diode model

parameters

MODEL

(IS = 3 5 MA

BV=3KV)

Diode model

parameters

MOD 2

De o p e r a t i n g p oin t

OP
END

analysis

Los resultados de la simulacin PSpice son


AME
ID
VD
REQ

DI
-3.00E-02
- 2 . 7 5 E + 03
1.00 E + 12

I D1 = -30 mA

D2
-3.50E-02

I D2 =

V D1

- 2 . 2 5 E + 03

V D2 =

= -2 75 0 V

R d i = 1 GJ

1 .00E + 12

-35 mA
-22 50 V

R D2 = 1 Gi

Figura 2-13 Circuito de diodo par


la simulacin PSpice del ejemplo 2-3.

RESUMEN
Las caractersticas de los diodos prcticos difieren de las de los diodos ideales. El tiempo de recu
peracin inversa juega un papel significativo, especialmente en aplicaciones de interrupcin de al
ta velocidad. Los diodos se pueden clasificar en tres tipos: (1) diodos de uso general, (2) diodos
de recuperacin rpida y (3) diodos Schottky. Aunque un diodo Schottky se comporte como un
diodo de unin pn, no existe unin fsica; y como consecuencia, un diodo Schottky es un disposi
tivo de portadores mayoritarios. Por otra parte, un diodo de unin pn es un diodo de portadores
tanto mayoritarios como minoritarios.
Si para aumentar la capacidad del voltaje de bloqueo los diodos se conectan en serie, se re
quieren de redes de reparticin de voltaje bajo condiciones de rgimen permanente y transitorio.
Cuando los diodos se conectan en paralelo, para aumentar la capacidad de conduccin de corrien
te, tambin requieren de elementos de reparticin de corriente.

34

D io do s sem ico n d u cto re s de potencia

Cap. 2

REFERENCIAS
1. M . S. G hausi, E lectronic D evices and C ircuits.
N ueva York: Holt, Rinehart and W inston, 1985, p.
672.

Analysis and Design o f


A n a lo g ln te g ra ted C ircuits. N u ev a Y ork: John

2. P. R. Gray y R. G. M eyer,

SPICE: A Guide to Circuit Simulation and A n a lysis U sing P Spice. E n g le w o o d

4. P. W. Tuinenga,

Cliffs, N. J.: Prentice Hall, 1992.

5.

PSpice M anual.

Irvine, Calif.: M icroSim Corpora

tion, 1992.

W iley & Sons, Inc., 1984, p. 1.


3. M . H. Rashid,

U sing PSpice.

SPICE fo r Circuits and Electronics


E n glew ood C liffs, N . J.: Prentice

H all, 1990.

PREGUNTAS DE REPASO

2-2. Qu es la corriente de fuga de los diodos?

2-11. Cules son las diferencias principales entre los


diodos de unin pn y los diodos Schottky?

2-3. Qu es el tiem po de recuperacin inversa de


los diodos?

2-12. C u les son la s lim ita c io n e s d e lo s d io d o s


Schotlky?

2-4. Qu es la corriente de recuperacin inversa de


los diodos?

2-13. Cul es el tiempo de recuperacin inversa tpi


co de los diodos de uso general?

2-5. Qu es el factor de suavidad de los diodos?

2-14. Cul es el tiempo de recuperacin inversa tpi


co de los diodos de recuperacin rpida?

2-1. Cules son los tipos de diodos de potencia?

2-6. C ules son lo s tipos de recuperacin de los


diodos?
2-7. Cul es la causa del tiem po de recuperacin
inversa de un diodo de unin p n l
2-8. Cul es el efecto del tiem po de recuperacin
inversa?
2-9. Por qu es necesario utilizar diodos de recupe
racin rpida para conversin de alta velocidad?
2-10. Qu es el tiempo de recuperacin directo?

2-15. Cules son los problemas de los diodos conec


tados en serie, y cules son las soluciones p osi
bles?
2-16. Cules son los problemas de los diodos con ec
tados en paralelo, y cules son las so lu cion es
posibles?
2-17. Si d o s d io d o s estn co n e cta d o s en serie con
igual reparticin de voltaje, por qu difieren las
corrientes de fuga de los diodos?

PROBLEMAS
2-1. El tiempo de recuperacin inversa de un diodo es
trr = 5 |is, y la velocidad de reduccin de la c o
rriente del diodo es dildt = 80 A/jis. Si el factor
de suavidad es SF = 0.5, determine (a) la carga de
alm acenam iento Q rr , y (b) la corriente inversa
pico IRR.
2-2. L os valores m edidos de un diodo a una tempera
tura de 25 C son

VD = 1.0 V a lD = 5 0 A
= 1.5 V a ID = 6 0 0 A
P ro b lem a s

Determine (a) el coeficiente de em isin


la corriente de fuga Is.

n,

y (b)

2-3. D os diodos estn conectados en serie y el voltaje


a travs de cada uno de ellos se mantiene igual
mediante la conexin de una resistencia de distri
bucin de voltaje, de tal forma que V q \ = V d i =
2000 V y R\ = 100 k2. Las caractersticas v -t de
los diodos aparecen en la figura P2-3. Determine
las corrientes de fuga de cada diodo y la resisten
cia y?2 a travs del diodo Di.

35

Figura P2-3

2-4. D o s diodos estn conectados en paralelo siendo


la cada de voltaje directa a travs de cada uno de
ellos de 1.5 V. Las caractersticas v-i de los dio
dos aparecen en la figura P2-3. Determine las c o
rrientes directas a travs de cada diodo.
\

2-5. D os diodos estn conectados en paralelo, corrio se


muestra en la figura 2-11 a, con resistencias de re
particin de corriente. Las caractersticas v-i se
muestran en la figura P2-3. La corriente total es
T = 200 A. El voltaje a travs de un diodo y su

36

resistencia es v = 2.5 V. Determ ine los valores de


las resistencias R\ y R 2 si la corriente se comparte
en forma ideal entre ambos diodos.
2-6. Dos diodos estn conectados en serie, com o apa
rece en la figura 2-9a. La resistencia a travs de
los diodos es R\ = R 2 = 10 k l. El voltaje de en
trada de corriente directa es 5kV. Las corrientes
de fuga son ls\ = 25 m A e I 2 = 4 0 mA. Determ i
ne el voltaje a travs de los diodos.

Diodos sem ico n d u cto re s de potencia

Cap. 2

3
Circuitos de diodos y rectificadores
3-1 INTRODUCCION
Los diodos semiconductores tienen muchas aplicaciones en la electrnica y en los circuitos de in
geniera elctrica. Los diodos tambin son ampliamente utilizados en los circuitos de electrnica
de potencia para la conversin de energa elctrica. En este captulo se analizan algunos circuitos
de diodos de uso comn en la electrnica de potencia para el procesamiento de la energa. Se hace
una introduccin a las aplicaciones de los diodos para la conversin de energa de ca a cd. Los
convertidores de ca a cd se conocen comnmente como rectificadores, los rectificadores de dio
dos entregan a la salida un potencial fijo de corriente directa. Para simplificar, los diodos sern
considerados como ideales. Por ideales queremos decir que el tiempo de recuperacin inversa
tn y la cada de voltaje directo Vd son despreciables. Esto es, tn = 0 y V d = 0.

3-2 DIODOS CON CARGAS R C Y RL


La figura 3 -la muestra un circuito de diodos con una carga RC. Cuando se cierra el interruptor S
en t = 0, la corriente de carga i, que fluye a travs del capacitor, se puede determinar a partir de
(3-1)
(3-2)

vR = R i

Con la condicin inicial vc(t = 0) = 0, la solucin de la ecuacin (3-1) (misma que se resuelve en
el apndice D. 1) da la corriente de carga i como
i{t) = ^

e -"*c

(3-3)

37

(a) Diagrama de circuito

(b) Formas de onda

Figura 3-1

Circuito de diodo con carga RC.

El voltaje del capacitor vc es


^ I ' i d t = V ,(l - e~llRC) = Vs(l - <r'/T)

(3-4)

donde x = RC es la constante de tiempo de una carga RC. La velocidad de cambio en el voltaje del
capacitor es

dvL = X i . e - m c
dt

RC

(3-5)

y la velocidad de cambio inicial del voltaje del capacitor (cuando = 0) se obtiene a partir de la
ecuacin (3-5):
d vc
= A
RC
dt =o

(3-6)

En la figura 3-2a aparece un circuito de diodo con una carga RL. Cuando el interruptor Si se
cierra en t = 0, la corriente i a travs del inductor aumenta y se expresa como
Vv =

VL

VR

L ~} + R i

(3-7)

(a) Diagrama de circuito

Figura 3-2

38

Circuito de diodo con carga RL.

Circuitos de dio d os y rectificad o res

Cap. 3

Con la condicin inicial i(t = 0) = 0, la solucin de la ecuacin (3-7) (que se resuelve en el apndi
ce D.2) da

i(t) = ~ ( l - e - lRIL)

(3-8)

La velocidad de cambio de esia corriente se puede obtener a partir de la ecuacin (3-8), como sigue
^ = Y i e -,RiL
dt
L

(3-9)

y la velocidad inicial de elevacin de la corriente (en t = 0) se obtiene de la ecuacin (3-9):


di
(3-10)

Jt
El voltaje

a travs del inductor es


Vt{t) = L

= Vse - 'WL

(3-11)

cuando LIR = x es la constante de tiempo de una carga RL.


Las formas de onda para el voltaje v y para la corriente aparecen en la figura 3-2b. Si t
LIR, el voltaje a travs del inductor tiende a cero y su corriente alcanza un valor en rgimen perma
nente de Is = Vs/R. Si en ese momento se intenta abrir el interruptor Si, la energa almacenada en el
inductor (=0.5Li2) se transformar en un alto voltaje inverso a travs del interruptor y del diodo. Esta
energa se disipar en forma de chispas en el interruptor, y es probable que el diodoD \ se dae en es
te proceso. Para resolver una situacin como sta, se conecta un diodo comnmente conocido como
diodo de marcha libre a travs de la carga inductiva, tal y como se ve en la figura 3-8a.
Nota. Dado que la corriente i en las figuras 3 -la y 3-2a es unidireccional y no tiende a cam
biar de polaridad, los diodos no afectan la operacin del circuito.
E jem p lo 3-1______________________________________________________________________________________
Un circuito de diodo aparece en la figura 3-3a con /? = 4 4 2 y C = 0.1 (iF. El capacitor tiene un
voltaje inicial, Vo = 220 V. Si el interruptor .S'i se cierra en t = 0, determine (a) la corriente pico del
diodo, (b) la energa disipada en la resistencia R y (c) el voltaje del capacitor en el tiempo t - 2 [is.
Solucin Las formas de onda se muestran en la figura 3-3b.
(a) Se puede utilizar la ecuacin (3-3) con
= Vo siendo la corriente de pico del diodo lp

/ _

p
(b) La energa

_ 220

44

ja

yA

W disipada es

W = 0 .5 0 ^ 0 = 0.5 x 0.1 x 10-6 x 2202 = 0 .0 0 2 4 2 J = 2.42 mJ


(c) Para

RC

= 4 4 x 0.1 = 4 .4 (is y = i = 2 (xs, e,l voltaje del capacitor es

vc(t =

2 yus) =

V0e~'IRC =

220 x

e ^ MA

= 139.64 V

Nota. Como la corriente es unidireccional, el diodo no afecta la operacin del circuito.

Sec. 3-2

D io do s con cargas RC y RL

39

'

<
R:

S D,
+

i k_v0

Ve
-

(a) D iagram a de circuito

Figura 3-3

Circuito de diodo con carga RC

3-3 D .P O S CON CARGAS LC Y RLC


Un circuito de diodo con carga LC aparece en la figura 3-4a. Cuando se cierra el interruptor Si en
t = 0, la corriente de carga i del capacitor se expresa como
Kv = L ^

I i d t + v, ( = 0)

(3-12)

Con condiciones iniciales i(t = 0) = 0 y vc(t = 0) = 0, se puede resolver la ecuacin (3-12) en fun
cin de la corriente i del capacitor como (vea el apndice D.3)
C
i(t) = Vs

(3-13)

sen oj

(3-14)

= Ip sen oj t
donde co = 1/VLC y la corriente de pico p es
/C
/ , = V, V Z

(3-15)

s,

-ot-

i +
L}

VL

V,

(a) D iagram as de circuito

Figura 3-4

40

(b) Form as de onda

Circuito de diodo con carga LC.

Circuitos de dio d os y rectificad o res

Cap. 3

La velocidad de elevacin de la corriente se obtiene a partir de la ecuacin (3-13) como


di
V,
= ~ r eos oj t
dt
L

(3-16)

y la ecuacin (3-16) da la velocidad inicial de elevacin de la corriente (en t = 0) como


di_
= V,
dt f0
L

(3-17)

El voltaje vc a travs del capacitor se puede deducir como

Vc(t) = Jo / d t = Vv(l - eos ct)

(3-18)

En un momento t = t\ = n V L C , la corriente del diodo cae hasta cero y el capacitor se carga hasta
2VS. En la figura 3-4b se muestran las formas de onda para el voltaje
y la corriente i.
Ejemplo 3-2_________________________________________________________ ___________________
Un circuito de diodo con una carga LC se muestra en la figura 3-5a, el capacitor tiene un voltaje
inicial Vo = 220 V, capacitancia C = 20 |iF e inductancia L = 80 |J.H. Si el interruptor Si se cierra
en = 0, determine (a) la corriente de pico a travs del diodo, (b) el tiempQ de conduccin del
diodo y (c) el voltaje del capacitor en rgimen permanente.
S olucin (a) Utilizando la ley de voltaje de K irchhoff (K VL K irchhoffs Voltage Law ), podem os
escribir la ecuacin de la corriente i de la siguiente forma

. ddii ,. 1 f
di C I
y la corriente i con condiciones iniciales

i(t)

Vc(t

= 0) = 0

i(l = 0) = 0 y vc(i = 0) = -V o se resuelve com o


z

= V0 "y sen< ot

donde co = 1/V LC = 106/V 20 x 80 = 25,000 rad/s. La corriente de pico Ip es

[C

/20

1P = ^ o V l = 220 y Q = 110 A

Figura 3-5

Sec. 3-3

Circuito del diodo con carga LC.

D io do s con cargas RC y RLC

41

(b) En t = t\ = % V LC, la corriente del diodo se convierte en cero y el tiempo de conduc


cin del diodo t\ es
fi =

77

V L C 77 V20 x 80 = 125.66

a s

(c) Se puede demostrar fcilmente que el voltaje del capacitor es

1 r,
v c ( t ) = J g i d t - V0 = - V0 eos o jt
Para t = t\ = 125.66 (is, vc(t = t\)= -220 eos k = 220 V.
En la figura 3-6 aparece un circuito de diodo con carga RLC. Si el interruptor Si se cierra en
= 0, podemos utilizar la ley KVL para escribir la ecuacin de la corriente de carga i como
L

+ Ri +

i d t + vc(t = 0) = Vs

(3-19)

con condiciones iniciales i(t = 0) y vc(t = ())= v0. Al diferenciar la ecuacin (3-19) y dividir ambos
miembros entre L, obtenemos
^ + ^ ^ + _L = 0
d t2
Ldt
LC

(3-20)

Bajo condiciones de rgimen permanente, el capacitor est cargado al voltaje fuente V,, siendo co
rriente de rgimen permanente cero. Tambin en la ecuacin (3-20) es cero la componente forzada
de la corriente. La corriente se debe al componente natural.
La ecuacin caracterstica en el dominio de Laplace de s es
,
R
1
5 + L S + LC~

(3-21)

las races de la ecuacin cuadrtica (3-21) estn dadas por

A ) 2 _ J_

R_
2L

Si,2

2U

(3-22)

LC

Definamos dos propiedades importantes de un circuito de segundo orden: el fa cto r de amortigua


miento,
a =

R_
2L

(3-23)

y la frecuencia de resonancia,
)0

(3-24)

VZc

R
-vVv
Vi
V,
c

V,
Figura 3-6

42

Circuito de diodo con carga RLC.

Circuitos de dio d os y rectificad o res

Cap. 3

Sustituyendo estos valores en la ecuacin (3-22), obtenemos


j ,.2

= -a Va2

(3-25)

La solucin en funcin de la corriente, que depender de los valores de c y de coo, seguira alguno
de tres casos posibles.

Caso 1. Si a = coo, las races son iguales, si = sz, y el circuito se conoce como crtica
mente amortiguado. La solucin ser de la forma
i(t) = (A, + A 2t ) e "

(3-26)

Caso 2. Si a > o)o, las races sern reales y el circuitose dice que estar sobreamortiguado. La solucin toma la forma
i(t) = Ai"'1' + A 2e sl

(3-27)

Caso 3. Si a < o, las races sern complejas y el circuito se dice que estar subamortiguado. Las races son
s U2 = - a j c o r

(3-28)

donde cor se conoce como la frecuencia de resonancia (o la frecuencia resonante amortigua


da) y Cr = V co02- a 2. La solucin toma la forma
i(t) = e '(A| eos a),./ + A 2 sen u>rt)

(3-29)

que es una sinusoide amortiguada o de decaimiento.


Nota. Las constantes /h y A i se pueden determinar a partir de las condiciones iniciales del
circuito. La relacin a/(o se conoce comnmente como la relacin de amortiguamiento, 5. Por lo
general, los circuitos electrnicos de potencia estn subamortiguados, de forma que la corriente
del circuito se hace prcticamente sinusoidal, a fin de tener una salida de corriente alterna y/o de
sactivar un dispositivo semiconductor de potencia.
Ejemplo 3-3____________________________________________________________________________
El circuito RLC de segundo orden de la figura 3-6 tiene el voltaje fuente Vs = 220 V, una inductancia L = 2 mH, una capacitancia C = 0.05 jxF y una resistencia R = 160 2. El valor inicial de
voltaje del capacitor es Vo = 0. Si el interruptor j se cierra en t = 0, determine (a) una expresin
para la corriente i(t) y (b) el tiempo de conduccin del diodo, (c) Dibuje un esbozo de i(t). (d)
Utilice PSpice para graficar la corriente instantnea i para R = 50 2, 160 2 y 320 2.
Solucin (a) De la ecuacin (3-23), a = R/2L = 160 x 103/(2 x 2) = 40,000 rad/s, y de la ecua
cin (3-24), coo = /V Z C = 10 rad/s.

jr =

V i o 10 -

16 X 108 = 91,652 rad/s

Dado que a < (Oo, se trata de un circuito subamortiguado, y la solucin es de la forma

i(t) = e~a,(A\

eos

wrt

Ai

se n 0)rt)

En t = 0, i(t = 0) = 0 y esto da A- = 0. La solucin se convierte en

i(t) = e~a,A i sen <x>rt

Sec. 3-3

Diodos con cargas L C y RLC

43

La derivada de (O se convierte en
di
dt

eos ctvMif

cd,

a sen a>rtA-e ~al

Cuando el interruptor se cierra en t = 0, el capacitor ofrece una baja impedancia y el inductor una
alta impedancia. La velocidad inicial de elevacin de la corriente est limitada nicamente por el
inductor L. Por lo tanto, en t = 0, el dildt del circuito es Vs/L. Por lo tanto,
v'
=

=
-o

lo que nos da la constante en la forma,


Ai

V,
w,L

220 x 1000
91,652 x 2

1.2

La expresin final para la corriente i{t) es


/(/) = 1.2 sen (9l,652f)'~4,l'0tl0' A
(b) El tiempo de conduccin del diodo t\ se obtiene cuando t = 0. Esto es,
(ort, = tt

t, =

= 34.27 /Xs

(c) El esbozo de la forma de onda de la corriente aparece en la figura 3-7.


(d) El circuito correspondiente a la simulacin PSpice [3] se muestra en la figura 3-8. La lista del
archivo de circuito es como sigue:
Example

3-3

PARAM

VALU

.STEP
VS

RLC C i r c u i t

PARAM
1

V ALU

L IST

PWL

{ VALU

L
C

4
0

2MH
0 .05UF

DI
1
2
MODEL
D MOD
TRAN
PROBE

0 .1US

W ith

Diode

=160

(0

50

160

320

INS

220V

DMOD
(IS=2 .22E-1 5
60US

Define parameter
Vary parameter

;
IMS

220V)
;

BV =1800V)

Picewise

Variable

Diode
Diode

VALU
VALU
l i near

resistance

w i t h m o d e l D MOD
model parameters

Transient analysis
Graphics postprocessor

END

El trazo PSpice de la corriente /(/?) a travs de la resistencia R aparece en la figura 3-9.

Figura 3-7 Forma de onda de corriente para el


ejemplo 3-3.

44

Circuitos de dio d os y rectificad o res

Cap. 3

Figura 3-8

Date/Time

run:

Example
07/17/92

Figura 3-9

Sec. 3 -3

3-3
15:

ARLC Circuit
45: 11

with

Circuito RLC para simulacin PSpice.

a Diode
T e m p e r a t u r e : 27.0

Graficaciones para el ejemplo 3-3.

D io do s con cargas LC y RLC

45

3-4 DIODOS DE MARCHA LIBRE


Si el interruptor Si de la figura 3-2a se cierra durante el tiempo tu se establece una corriente a tra
vs de la carga; si entonces se abre el interruptor, se debe encontrar una trayectoria para la corriente
de la carga inductiva. Esto se efecta normalmente conectando un diodo Dm tal y como aparece en
la figura 3 -10a, este diodo usualmente se llama diodo de marcha libre. La operacin del circuito se
puede dividir en dos modos. El modo 1 empieza cuando el interruptor se cierra en t = 0, y el modo
2 empieza cuando se abre el interruptor. Los circuitos equivalentes para cada uno de los modos
aparecen en la figura 2 - 10b. i\ e 2 se definen como las corrientes instantneas correspondientes a
los modos 1 y 2 , respectivamente. t\ y 12 son las duraciones correspondientes de dichos modos.

Modo 1.

Durante este modo, la corriente del diodo 1, que es similar a la de la ecuacin

(3-8), es
/,(/) = \

(1 - e~ML)

(3-30)

Cuando el interruptor se abre en t = t\ (al final de este modo), la corriente de dicho momento se
convierte en
/, = /,(/ = ?i) = ^ (l - e''RIL)

(3-31)

v,

M odo 1
(a) D iagram a de circuito

M od o 2

(b) Circuitos equivalentes

Figura 3-10 Circuito con diodo de marcha libre.

46

Circuitos de d io d os y rectificad o res

Cap. 3

Si el tiempo t\ es lo suficientemente largo, la corriente llega al valor de rgimen permanente y una


corriente I = vy/? fluye a travs de la carga.
M odo 2. Este modo empieza cuando se abre el interruptor yla corrientede carga em
pieza a fluir atravs del diodo de marcha libre D m. Si redefinimos elorigen deltiempo al princi
pio de este modo, la corriente a travs del diodo de marcha libre se encuentra a partir de
0 = L ^

+ R 2

(3-32)

con la condicin inicial h (t = 0) = l\. La solucin correspondiente a la ecuacin (3-32) da la co


rriente libre i/= 2 como
( 3- 33 )

iz(t) = I\e ~ ,RIL

esta corriente decae en forma exponencial hasta cero en el momento t = 2, siempre y cuando 2
L/R. Las formas de onda de las corrientes aparecen en la figura 3 -10c.
Ejemplo 3-4____________________________________________________________________________
En la figura 3-l()a, la resistencia es despreciable (R = 0), el voltaje de fuente es V* = 200 V, y la
inductancia de carga es L = 220 |J.H. (a) Dibuje la forma de onda de la corriente de carga si el in
terruptor se cierra durante un tiempo t\ = 100 |Xs y a continuacin se abre, (b) Determine la ener
ga almacenada en el inductor de carga.
Solucin (a) El diagrama del circuito aparece en la figura 3-1 la con una corriente inicial cero.
Cuando el interruptor se cierra en 1 = 0, la corriente de carga aumenta en forma lineal y se expre
sa de la forma
V

W = f

y en t = tu /0 = VstxIL = 220 x 100/220 = 100 A.


(b)
Cuando el interruptor S\ se abre en un tiempo t = t\, la corriente de carga empieza a
fluir a travs del diodo Dm. Dado que en el circuito no hay ningn elemento disipativo (resisti
vo), la corriente de carga se mantiene constante en / o = 100 A, y la energa almacenada en el in
ductor ser de 0.5 L/q = 1.1 J. Las formas de onda de la corriente aparecen en la figura 3 -llb .

(a)

D ia g ram a de c irc u ito s

Figura 3-11

Sec. 3-4

D iodos de m archa libre

(b) F orm as de o n d a

Circuito del diodo con carga L.

47

3-5 RECUPERACION DE LA ENERGIA ATRAPADA CON UN DIODO


En el circuito ideal sin prdidas de la figura 3-1 la, la energa almacenada en el inductor queda
atrapada, dado que en el circuito no existe resistencia. En un circuito real es deseable mejorar la
eficiencia devolviendo esa energa almacenada a la fuente de alimentacin. Esto se puede llevar a
cabo si se agrega al inductor un segundo bobinado y se conecta un diodo D i, tal y como aparece
en la figura 3-12a. El inductor se comporta como un transformador. El secundario del transforma
dor se conecta de tal forma que si vi es positivo, V2 es negativo con respecto a vi y viceversa. El
bobinado secundario, que facilita el retorno de la energa almacenada a la fuente va el diodo D \,
se conoce como bobinado de retroalimentacin. Suponiendo un transformador con una inductancia magnetizante L m, el circuito equivalente es como el que aparece en la figura 3 -12b.

N,:N2
(a) D iagram a de circuito

ideal
(b) Circuito equivalente

en m odo 1

Lm en m o d o 2

(c) Circuito equivalen te

Figura 3-12

48

Circuito con un diodo de recuperacin de energa.

Circuitos de dio d os y rectificad o res

Cap. 3

Si el diodo y el voltaje secundario (voltaje de la fuente) se refieren al lado primario del


transformador, el circuito equivalente es como se muestra en la figura 3-12c. i\ e i2 definen las co
rrientes primaria y secundaria del transformador, respectivamente.
La relacin de vueltas de un transformador ideal se define como
a =

(3-34)

Ni

La operacin del circuito se puede dividir en dos modos. El modo 1 empieza cuando se cierra el
interruptor Si en t = 0 y el modo 2 empieza al abrirse el interruptor. Los circuitos equivalentes pa
ra los modos correspondientes aparecen en la figura 3-13a. t\ y -ti son las duraciones de los modos
1 y 2 , respectivamente.

Modo 1. Durante este modo, el interruptor Si est cerrado en t = 0. El diodo D\ tiene po


larizacin inversa y la corriente a travs del diodo (corriente secundaria) es ai% = 0, o bien, 12 = 0.
Utilizando el KVL de la figura 3-13a para el modo 1, Vs = ( v p - Vs)/a, y eso nos da el voltaje inver
so del diodo como
VD = v ,( l + a)

(3-35)

Suponiendo que no existe una corriente inicial en el circuito, la corriente primaria es la misma que
la corriente is del interruptor, y se expresa como
= Lm^

(3-36)

lo que da
i'i() = is(t) =

*->))}

(3-37)

Este modo es vlido para 0 < / < i y termina cuando el interruptor se abre en t = t\. Al final de es
te modo, la corriente en el primario se convierte en
/o = -L->
rm *1

<3-38)

Modo 2. Durante este modo se abre el interruptor, se invierte el voltaje a travs del in
ductor y el diodo >1 se polariza directamente. Fluye una corriente a travs del secundario del trans
formador y la energa almacenada en el inductor se regresa a la fuente. Utilizando la ley KVL y
redefiniendo el origen del tiempo al principio de este modo, la corriente primaria se expresa como
Lm^ + - = 0
dt
a

(3-39)

con la condicin inicial i(/ = 0) = /o, y podemos despejar la corriente como


(3-40)

Sec. 3-5

Recuperacin de la en erga atrap ad a con un dio d o

49

a2 - O

(a) Circuito equivalente

Figura 3-13

50

Circuitos y formas de onda equivalentes.

Circuitos de d iodos y rectificad o res

Cap. 3

Se puede calcular el tiempo de conduccin del diodo D i a partir de la condicin i\(t = t2) = 0 de la
ecuacin (3-40) y es
Cli <iI!It)
ti =
= ah
(3-41)
El modo 2 es vlido para 0 < t < t-. Al final de este modo en t = t, toda la energa almacenada en
el inductor L m ha sido devuelta a la fuente. Las diversas formas de onda para a = 10/6 correspon
dientes a los voltajes aparecen en la figura 3 -13b.
E jem p lo 3-5______________________________________________________________________________________
Para el circuito de recuperacin de la energa de la figura 3-12a, la inductancia magnetizante del trans
formador es Lm = 250 |iH , N \ = 10 y N i = 100. Las inductancias de fuga y la resistencia del transfor
mador son despreciables. El voltaje de la fuente es
= 220 V y no existe corriente inicial en el
circuito. Si se cierra el interruptor Si durante un tiempo i = 50 |is y despus se abre, (a) determine el
voltaje inverso del diodo Di, (b) calcule el valor pico de la corriente en el primario, (c) calcule el valor
pico de la corriente en el secundario, (d) determine el tiempo de conduccin del diodo Di y (e) deter
mine la energa suministrada por la fuente.
Solu cin La relacin de vueltas es a = N-JN\ = 100/10 = 10.
(a) D e la ecuacin (3-35), el voltaje inverso del diodo es

Vd = Vs(l + a) =
(b) D e la ecuacin (3-38), el valor pico de la corriente primaria,

,o r , " - m

' 4 tA

(c) El valor pico de la corriente secundaria / = /o/a = 4 4 /1 0 = 4 .4 A.


(d) D e la ecuacin (3-41), el tiempo de conduccin del diodo es

h - ^
(e)

= 25o x 44 x ^

= 500

La energa de fuente,

/2

w = Io Vidt = \ l v> h tdt = \2 Lh t]


Utilizando la ecuacin (3-38), obtenemos

W = 0.5 L j l = 0.5 x 250 x 10 6 x 442 = 0.242 J = 242 mJ

3-6 RECTIFICADORES MONOFASICOS DE MEDIA ONDA


Un rectificador es un circuito que convierte una seal de corriente alterna en una seal unidirec
cional. Los diodos se usan extensamente en los rectificadores. Un rectificador monofsico de me
dia onda es el tipo ms sencillo, pero no se utiliza normalmente en aplicaciones industriales. Sin
embargo, resulta til para comprender el principio de la operacin de los rectificadores. En la fi
gura 3 -14a aparece el diagrama de circuito con una carga resistiva. Durante el medio ciclo positi
vo del voltaje de entrada, el diodo Dj conduce y el voltaje de entrada aparece a travs de la carga.

Sec. 3 -6

R ectificadores m on ofsico s de m edia onda

51

(a) D iagram a de circuito

(b) Form as de onda

Figura 3-14 Rectificador monofsico de media onda.

Durante el medio ciclo negativo del voltaje de entrada, el diodo est en condicin de bloqueo y el
voltaje de salida es cero. Las formas de onda para los voltajes de entrada y de salida se muestran
en la figura 3 -14b.

3-7 PARAMETROS DE RENDIMIENTO


Aunque el voltaje de salida, tal y como aparece en la figura 3-14b, es cd, es discontinuo y contie
ne armnicas. Un rectificador es un procesador de potencia que debe proporcionar una salida de
cd con una cantidad mnima de contenido armnico. Al mismo tiempo, deber mantener la co
rriente de entrada tan sinusoidal como sea posible y en fase con l voltaje de entrada, de tal forma
que el factor de potencia est cercano a la unidad. La calidad del procesamiento de energa de un
rectificador requiere de la determinacin del contenido armnico de la corriente de entrada, del
voltaje de salida y de la corriente de salida. Utilizaremos las expansiones de la serie de Fourier pa
ra encontrar el contenido armnico de voltajes y corrientes. Hay distintos tipos de circuitos de rec
tificadores y los rendimientos de un rectificador se evalan normalmente en funcin de los
parmetros siguientes:
El valor promedio del voltaje de salida (o de carga),
El valor promedio de la corriente de salida (de carga), / Cd
La salida de potencia en cd,
Pcd = Vcd/cd

(3-42)

El valor medio cuadrtico (rms) del voltaje de salida, Vms


El valor medio cuadrtico (rms) de la corriente de salida, lm s

52

Circuitos de d io d os y rectificadores

Cap. 3

La potencia de salida en ca
^*ca

^ rm s A'ms

(3-43)

La eficiencia (o relacin de rectificacin) de un rectificador, que es una cifra de mrito y


nos permite comparar la efectividad, se define como
, =

(3-44)
r ca t

El voltaje de salida se puede determinar como formado de dos componentes: (1) el valor cd
y ( 2 ) la componente de ca u ondulatoria.
El valor efectivo (rms) de la componente de ca del voltaje de salida es
^ca = V V?ms - V?d

(3-45)

El fa cto r de fo rm a , que es una medida de la forma del voltaje de salida, es


FF =

V
v rms
V'cd

(3-46)

El fa cto r de componente ondulatoria, que es una medida del contenido de la componente


ondulatoria, se define como
vca
Vra
(3-47)
RF"
Sustituyendo la ecuacin (3-45) en la (3-47), el factor de la componente ondulatoria se puede ex
presar como
V < )2 _ j
RF =
v f f 2 - i
(3-48)
v cd/
El fa cto r de utilizacin del transformador se define como
TUF =

cd

(3-49)

donde Vs e I s son el voltaje y la corriente media cuadrtrica (rms) del secundario del transforma
dor, respectivamente. Veamos las formas de onda que se muestran la figura 3-15, donde vs es el

Figura 3-15

Sec. 3-7

Formas de onda del voltaje y corriente de entrada.

P arm etro s de re n d im ien to

53

voltaje de entrada sinusoidal, is es la corriente de entrada instantnea, e is\ es el componente fun


damental.
Si <J> es el ngulo entre las componentes fundamentales de la corriente y el voltaje de entra
da, <> se llama el ngulo de desplazamiento. El factor de desplazamiento se define como
D F = eos

(3-50)

El fa cto r armnico de la corriente de entrada se define como


r2

r2 \ 1/2

1/2

(3-51)

( S r 1

donde I s\ es la componente fundamental de la corriente de entrada Is. Tanto Isi como Is se expre
san aqu en valores rms. El factor de potencia de entrada se define como
PF = ~y~j~ eos <f> -

eos <j)

(3-52)

A menudo resulta de inters el factor de cresta CF, que resulta una medida de la corriente de
entrada pico /^co) encomparacin con su valor rms / a fin de establecer las especificaciones de
corriente de pico de dispositivos y componentes. El CF de la corriente de entrada se define me
diante
CF -

(3. 53)

Notas
1. El factor armnico HF es una medida de la distorsin de una forma de onda y tambin se
conoce como distorsin armnica total (THD).
2. Si la corriente de entrada Is es puramente sinusoidal, Is\ = h y el factor de potencia PF es
igual al factor de desplazamiento DF. El ngulo de desplazamiento <|> se convierte en el n
gulo de impedancia 0 = tan~'()//?) en el caso de una carga RL.
3. El factor de desplazamiento DF a menudo se conoce como el fa cto r de potencia de despla
zamiento (DPF).
4. Un rectificador ideal debera tener r| = 100%, Va = 0, RF = 0, TUF = 1, HF = THD = 0, y
PF = DPF = 1.
Ejemplo 3-6____________________________________________________________________________
El rectificador de la figura 3-14a tiene una carga resistiva pura igual a R. Determine (a) la efi
ciencia, (b) el factor de forma, (c) el factor de componente ondulatoria, (d) el factor de utiliza
cin de transformacin, (e) el voltaje inverso pico (PIV) del diodo D\ y (f) el valor CF de la
corriente de entrada.
Solucin El voltaje de salida promedio
se define como
^cd ~ T

Vt^

Debemos notar de la figura 3 .14b que v(t) = 0 para 7/2 < t< T . Por lo tanto, tenemos
Kd _ f jo

54

l _- 1i)^
sen cot dt = y 1 (^cos
2

Circuitos de dio d os y rectificad o res

Cap. 3

Pero la frecuencia de la fuente es / = 1/Ty (0 = 2nf. Por lo tanto,


VC
cQ ^
y. = 0.318V,
(3-54)
Ved

Id : R

0.318V,,;
R

El valor medio cuadrtico (rms) de una forma de onda peridica se define como
Y

V rm s =

Ja

ul (0

dt

Para un voltaje sinusoidal de valor vL(t) = Vmsenco/ para 0 < t < T/2, el valor rms del voltaje de
salida es
......
772

IT Jo
A-ms

>

( Vm senw /)2 dt

Vrms

0.5V,

11/2

Vm
2 = 0.5 Vm

1/

(3-55)

De la ecuacin (3-42), Pc = (0.3 \ftVm)2/R, y de la ecuacin (3-43), PCi = (0.5Vm)2/R.


(a) De la ecuacin (3-44), la eficiencia T| = (0.318V?m)2/(0.5V'm)2 = 40.5%.
(b) De la ecuacin (3-46), el factor de forma FF = 0.5V'm/0.318V'm= 1.57 es decir 157%.
(c) De la ecuacin (3-48), el factor de componente ondulatoria RF = \ 1.572 - 1 = 1.21 es
decir 121 %.
(d) El voltaje rms del secundario del transformador es
1 T
l l/2
V
V, = J. jo (V, sen cor)2 drj = ^

= 0.707V,

(3-56)

El valor rms de la corriente del secundario del transformador es la misma que la carga:
_ 0.5Vm
s

~R~

La especificacin en voltamperios (VA) del transformador, VA = Vsls = 0.707 Vm x 0.5 Vm/R.


De la ecuacin (3-49), TUF = P J { V s ls) = 0.3182/(0.707 x 0.5)= 0.286.
(e) El voltaje de bloqueo inverso pico PIV = Vm.
(f) /y(pico) = Vm/R e ls = 0.5Vm/R. El factor de cresta CF de la corriente de entrada es CF =
As(pico/Ar = 1/0.5 = 2.
Nota. 1/TUF = 1/0.286 = 3.496, lo que significa que el transformador debe ser 3.496 veces
mayor de lo que tendra que ser para proporcionar energa a partir de un voltaje de ca puro. Este
rectificador tiene un alto factor de componente ondulatoria, 121%; una eficiencia baja, 40.5%; y
un TUF pobre, 0.286. Adems, el transformador tiene que conducir cd, y esto da como resultado
un problema de saturacin en el ncleo del transformador.
Veamos el circuito que se muestra en la figura 3-14a con una carga RL tal y como aparece en
la figura 3-16a. Debido a la carga inductiva, el periodo de conduccin del diodo D \ se extender
ms all de los 180 hasta que la corriente se haga cero en coi = n + <y. Las formas de onda de la

Seo. 3-7

P arm etro s de re n d im ien to s

55

_________ i___
(a) D iagram a de circuito

(b) Form as de onda

Figura 3-16

Rectificador de media onda con carga RL.

y del voltaje aparecen en la figura 3 -16b. Debe hacerse notar que el


cero.

^cd =

2^

j0

sen v i d(a>t) =

promedio del inductor es

[ - e o s <of]o+(T
(3-57)

= 2^ [1 ~ cos(77 + o-)]
La corriente de carga promedio es Ic< = Vc //?.
De la ecuacin (3-57) se puede notar que es posible aumentar el voltaje promedio (y la co
rriente) haciendo que a = 0, lo que es posible aadiendo un diodo de marcha libre D m, tal y como
aparece en la figura 3 -16a con lneas punteadas. El efecto de este diodo es evitar que aparezca un
voltaje negativo a travs de la carga; y como resultado, aumenta la energa magntica almacenada.
En = i = jt/co, la corriente proveniente de Di se transfiere a D m, proceso conocido como conmu
tacin de diodos. En la figura 3 -16c se muestran las formas de onda. Dependiendo de la constante

56

Circuitos de d io d os y rectificad o res

Cap. 3

de tiempo, la corriente de la carga puede resultar discontinua. Con una carga resistiva, la corriente
ser discontinua y continua con una carga muy inductiva. La continuidad de la corriente de car
ga depender de su constante de tiempo x = coL/R.
Si la salida se conecta a una batera, el rectificador se puede utilizar como cargador de bate
ras. Esto se muestra en la figura 3 -17a. Para vs > E, el diodo D\ conduce. Se puede encontrar el
ngulo a cuando el diodo inicia la conduccin, a partir de la condicin
l

Vm sen a = E
lo que nos da
a - sen

E_
Vm

(3-58)

El diodo D i se desactivar cuando v* < E en


/3 = 77

(a) Circuito

Figura 3-17

Sec. 3-7

P arm etro s de re n d im ien to s

Cargador de bateras.

57

La corriente de carga

que se muestra en la figura 3 -17b, se puede determinar a partir de

vs - E

Vm s e n cot = 2 --------- :--------

11 =

para a

< cot < p

E jem p lo 3-7

El voltaje de batera de la figura 3-17a es E = 12 V y su capacidad es 100 W-h. La corriente pro


medio de carga deber ser Ic = 5 A. El voltaje de entrada primario es Vp = 220 V, 60 Hz tenien
do el transformador una relacin de vueltas n = 2:1. Calcule (a) el ngulo de conduccin 8 del
diodo, (b) la resistencia limitadora de corriente R, (c) la especificacin de potencia Pr de R, (d)
el tiempo de carga h en horas, (e) la eficiencia del rectificador T|, y (f) el voltaje de pico inverso
PIV del diodo.
_
_
Solucin E = 12 V, Vp = 220 V, Vs = V/n = 120/2 = 60 V, y
= V 2 l7, = \' 2 x 60 = 84.85 V.
(a) De la ecuacin (3-58), a = sen (12/84.85) = 8.13, o bien 0.1419 rad. P = 180 - 8.13 =
171.87. El ngulo de conduccin es 5 = P - a = 171.87 - 8.13 = 163.74.
(b) La corriente de carga promedio Ic es
1 {73 Vm senw - E
1
27t J -------- R
= I ttR

(2Vm eos a

= 2^

+ 2E a

' c0s

~~

(3-59)

ttE)

lo que nos da

(2Vm eo s

Zjticd

^
(c)

a + 2E a - n E )

*x 5 (2 x 84.85 x eo s 8.13 + 2 x 12 x 0.1419 - tt x 12) = 4.26

La corriente rms en la batera


2

= 2

Ims es

f/s (V m sen oot


u t -- E
EY
Y ^
p

)a

= I

IV-

d{(t)

[ ( 2 ^ + ^ 2) <-7r

~ 2t) + ~ y

sen 2a - 4 VmE eo s a j

(3-60)

= 67.4
o bien

l ms = V 67.4 = 8.2 A. La especificacin de potencia de R es Pn = 8.22 x


(d) La potencia entregada Pc a la batera es
Ped = Elc = 12 x 5 = 60 W
100
100
, .
* cd = 1 0 0

* = _

4 .2 6 = 286.4 W.

= =1.66^

(e) La eficiencia del rectificador r| es


Potencia entregada a la batera

TI = ------------------------------- =

potencia de entrada total

Pcd
Pc + P r

60

,_

= 1/ . 3 2 %

6 0 + 286.4

(f) El voltaje de pico inverso PIV del diodo es


PIV

58

= Vm + E
= 84.85 +

12 = 96.85 V

Circuitos de d io d o s y rectificad o res

Cap. 3

E jem plo 3-8___________________________________________________________________________________

El rectificador monofsico de media onda de la figura 3-14a est conectado a una fuente Vs =
120 V, 60 Hz. Exprese en series de Fourier el voltaje de salida instantneo v(f).
Solucin El voltaje de salida del rectificador
se puede describir mediante una serie de Fou
rier como
x

VL.(t) =

(Qn senco/ + bn eos cot)

n= 1,2, ...

i: vld{m
t)=

V=d = 1 f2"
'cd ~ 2^

/;

v sen ^

(a))=

1 [2TT
1
a =
v sen ncot d(ojt) = V, sen coi sen coi d(o)t)
77 JO
77 JO
v-- ~2

para n = 1

= 0

para n = 2, 4, 6, ...

(ItTt
,
11 l7
"t ~ ^ Jo
_
77

,
1 >
cos nftJ d{ot) = Jo Vmsenw/ eos c c/(&>r)

1 + ( - 1)"
;------ 2
1 -

= 0

.
pa
= 2, 3, 4, ...
r
para n = 1

Sustituyendo an y 2>> el voltaje de salida instntaneo se convierte en


=

+ ~y scnct -

2V

cos leut +

IV

cos 4wr -

IV

cos 6oj + ... (3-61)

donde Vm = V"2 x 120 = 169.7 V y c = 2p x 60 = 377 rad/s.

3-8 RECTIFICADORES MONOFASICOS DE ONDA COMPLETA


En la figura 3-18a aparece un circuito rectificador de onda completa con un transformador de de
rivacin central. Cada mitad del transformador con un diodo asociado acta como si fuera un rec
tificador de media onda. La salida de un rectificador de onda completa aparece en la figura 3-18b.
Dado que a travs del transformador no fluye corriente directa, no hay problema por saturacin en
el ncleo de este mismo transformador. El voltaje de salida promedio es
y cd = J \ m V, sen c td t =
J

JO

= 0.6366Vm

(3-62)

TT

En vez de utilizar un transformador con toma o derivacin central, podemos utilizar cuatro dio
dos, como se muestra en la figura 3-19a. Durante el medio ciclo positivo del voltaje de entrada, se
suministra potencia a la carga a travs de los diodos D \ y D 2. Durante el ciclo negativo, los diodos
>3 y >4 conducirn. La forma de onda del voltaje de salida aparece en la figura 3-19b y es similar
a la de la figura 3 -18b. El voltaje de pico inverso de un diodo es solo Vm. Este circuito se conoce
como rectificador puente, y es de uso comn en aplicaciones industriales.

Sec. 3 -8

R ectificadores m o n ofsico s de o nd a co m p leta

59

V.

<t

0)1

V D2

(b) Form as d & o n d a

(a) D iagram a de circuito

Figura 3-18

Rectificador de onda completa con transformador con derivacin central.

Vi

(a) D iagram a de circuito

Figura 3-19

60

Rectificador puente de onda completa.

Circuitos de dio d os y rectificad o res

Cap. 3

Ejemplo 3-9_____________________________________________________ ._______________________


Si el rectificador de la figura 3-18a tiene una carga resistiva pura de valor R, determine (a) la efi
ciencia, (b) el factor de forma, (c) el factor de componente ondulatoria, (d) el factor de utilizacin
del transformador, (e) el voltaje de pico inverso (PIV) del diodo Di y (f) el CF de la corriente de
entrada.
Solucin De la ecuacin (3-62), el voltaje promedio de salida es
Ved = = 0.6366Vm
7T
y la corriente promedio de carga es
VCd
k

/ cd
Ci

0.6366Vm
R

El valor rms del voltaje de salida es


\2

^rms

~y

( T/ 2

Jq

' rms

( Vm SCTlOJt) dt

1/2

= ^

= 0-707V,

0.707V,,,
R

De la ecuacin (3-42), Pc = (0.6366Vm) /R, y de la ecuacin (3-43), Pca = (0.707Vm)2/R.


(a) De la ecuacin (3-44), la eficiencia T| = (0.6366V/m)!/(0.707V/m)/ = 81%
(b) De la ecuacin (3-46), el factor de forma FF = 0.707Vm/0.6366Vm= 1.11.
(c) De la ecuacin (3-48), el factor de componente ondulatoria RF = V 1.11* 1 = 0.482, o
bien 48.2%.
__
(d) El voltaje rms del secundario del transformador Vs = Vm/y 2 = 0.707Vm. El valor rms
de la corriente del secundario del transformador [s = 0.5Vm/R. La especificacin en volts-ampe
res (VA) del transformador, VA = 2 VSIS = 2 x 0.707 Vm x 0.5Vm/R. De la ecuacin (3-49),
TUF = 2 X S f x

0.5 " -5732 ' 57-32%

(e) El voltaje de bloqueo de pico inverso PIV = 2 Vm.


(f) /j(pico)= Vm/R e !s = 0.707 Vm/R. El factor de cresta CF de la corriente de entrada es CF
= /(pco)//, = 1/0.707 = '2.

Nota. El rendimiento de un rcciificador de onda completa representa una mejora significati


va en comparacin con el de un rectificador de media onda.

Ejemplo 3-10___________________________________________________________________________
El rectificador de la figura 3-18a tiene una carga RL. Utilice el mtodo de las series de Fourier
para obtener expresiones del voltaje de salida v().
Solucin El voltaje de salida del rectificador puede ser representado por una serie de Fourier
(misma que se ver en el apndice E) de la forma
x

VlU) = Vc+

( eos cot + b sen nmt)

n = 2,4,...

Sec. 3-8

R ectificadores m o n ofsico s de onda co m p leta

61

donde

Vcd~ 2^ lo Vl() d((at) =

o v m sen <? d(>t) =

1 r-n
, 2 cv
7r Jo L c o s fw (<*>*) ~ J0 Vm sen w / e o s

a"

d((ot)

-1
77 =2A... ( - !)( + 1)

1I p>

- J0 u. sen mu d(a>)
Sustituyendo los valores de

vL(t)

= ^

= ~ JQ V, sen ait

sen coi (t) = 0

an y bn, la expresin del voltaje de salida es


^

TT

co s 2cO - ^
co s
1577

Aoit

- ^
co s 6 a>t
3577

(3-63)

Nota. La salida de un rectificador de onda completa contiene slo armnicas pares. La se


gunda armnica es la ms dominante y su frecuencia es 2 /(= 120 Hz). El voltaje de salida de la
ecuacin (3-63) se puede deducir mediante la multiplicacin espectral de la funcin de conmuta
cin, esto queda explicado en el apndice C.
Ejemplo 3-11_________________________ __________________________________________________
U n rectificador puente m onofsico, que alimenta una carga inductiva m uy alta, com o sera un
motor de cd, aparece en la figura 3-20a. La relacin de vueltas del transformador es la unidad. La
carga es tal que el motor utiliza una corriente de armadura libre de oscilaciones Ia tal y com o

1i

(b) Form as de onda

Figura 3-20

62

Rectificador puente de onda completa con carga de motor cd.

Circuitos de dio d os y rectificad o res

Cap. 3

aparece en la figura 3-20b. Determine (a) el factor armnico HF de lacorriente deentrada y (b)
el factor de potencia de entrada PF del rectificador.
Solucin Normalmente, un motor de cd es altamente inductivo y acta como un filtro en la re
duccin de la corriente de componente ondulatoria de la carga.
(a) Las formas de onda de la corriente y del voltaje de entrada delrectificadoraparecen en
la figura 3-20b. La corriente de entrada se puede expresar en una serie de Fourier, como
x

h ( 0 = / Cd +

(an eos no)t

+ b

sennojt)

/?=1,3,...

donde
r

f2*

/dc = 2 Jo | W d{b)t) =
I f!ir,
a n - ~ L i(0
77 JO

f 2tt

Jo

2 fr
eos nw d ( c t) = / eos n o ) t d (c o t) = 0
77 JO

2 ir ,

77 JO

d(wt) =

'i() sen n u t d(wt) =

41

77 JO

Ia sen nu>t d(ojt) = 77

Sustituyendo los valores de an y bn, la expresin correspondiente a la corriente de entrada es


4/ /sen w/ , sen 3&jt , sen5ai
, \
'i(0 = V ( +
+ 5 + j

(3-64)

El valor rms de la componente fundamental de la corriente de entrada es


/sl = ^

= -90/

El valor rms de la corriente de entrada es


1/2

= I
De la ecuacin (3-51),
HF = THD =

1 V

Va

090 - !J

= -4843

48.43%

(b) El ngulo de desplazamiento (J) = 0 y el factor de desplazamiento DF = eos <|>= 1. De la


ecuacin (3-52), el factor de potencia PF = (Js\/!s)cos (> = 0.90 (en atraso).

3-9 RECTIFICADOR MONOFASICO DE ONDA COMPLETA CON CARGA RL


Con una carga resistiva, la corriente de carga tiene una forma idntica al voltaje de salida. En la prc
tica, la mayor parte de las cargas son en cierta cantidad inductivas, la corriente de carga depende de
los valores de la resistencia de carga R y de la inductancia de carga L. Esto aparece en la figura 3-2 la.
Se aade una batera de voltaje E para poder desarrollar ecuaciones de tipo general. Si el voltaje de
entrada es v* = Vm sen cor = V 2 Vs sen cot, la corriente de carga se puede deducir de
L

Sec. 3 -8

+ R l + E = V 2 V, sen cut

R ectificador m o n ofsico de onda co m p leta con carga RL

63

(a) Circuito

Figura 3-21

tb) Form as de onda

Rectificador de puente completo con carga RL.

que tiene una solucin de la forma


(3-65)

k = ^ 7 V ' sen(ojt - d) + A \e ~ WL)t - - |

donde la impedancia de la carga Z = [ R 2 + (coL)2]l!2, y el ngulo de impedancia 0 = tan l((L/R).


Caso 1: corriente de carga continua.
La constante A \ en la ecuacin (3-65) se pue
de determinar a partir de la condicin: en cor = n, / = h Ai -

/i + -77 R

V 2 V,
sen o e
Z

Si sustituimos de Ai en la ecuacin (3-65), obtenemos


iL =

V 2V ,
.
..
/.
E
V 2 V,
z -sen (coi - 6) + (/, + ^ -------

Bajo una condicin de rgimen permanente, /(ca = 0) = /(ca = n). Esto significa que, /(coi = 0)
= I\. Aplicando esta condicin, obtenemos el valor de I\ como
\/2 V
1 + e ~(RIL)(7rla)
\ = 2 1 sen 6 1 e -(R/L)Wu)

E
R

para /, > 0

(3-66)

el cual, despus de sustituirse en la ecuacin (3-66) y de simplificarse, nos da


V 2 V,
lL =

sen (coi - 6) + 1 _ g-iR/LHvIa) sen 6 e IRll-u

E
R

(3-67)

para O c o / < j c e / > 0

64

Circuitos de d io d o s y rectificad o res

Cap. 3

La corriente rms del diodo se puede encontrar de la ecuacin (3-67) como


Ir

1 /v
n 1/2
Jo il d(cDt)

-277

y entonces, la corriente rms de salida se puede determinar mediante la combinacin de las corrien
tes rms de cada diodo como
/rm s

(/?

I r2 V ' 2 =

2 /,

Tambin se puede encontrar la corriente promedio del diodo a partir de la ecuacin (3-67) como

k d()t)

2lT Jo

Caso 2: corriente de carga discontinua.


La corriente de carga fluye slo durante el
perodo a < <at < b. Los diodos empiezan a conducir en coz = a, dado por
a = sen
En coi = a , (coT) = 0 y la ecuacin (3-65) nos da
V 2 V,
A i

sen (a - 6)

que, despus de sustituirse en la ecuacin (3-65), proporciona la corriente de carga


V 2 V,

sen(w/ - 6) +

E
R

V 2 V.v

sen(a - 9)

p R /L )( a !( -t)

(3-68)

En (O = (3, la corriente cae a cero, e z'(co7' = i) = 0. Esto es


V 2 V,

sen(/3 - 0) +

E
R

V 2 V,

sen (a - d)

^ R L H a - f D lu _

P se puede determinar de esta ecuacin trascendental mediante un mtodo de solucin iterativo


(prueba y error), que se analiza en la seccin 6-5. Inicie con P = 0, e incremente su valor en canti
dades muy pequeas, hasta que el lado izquierdo de esta ecuacin se convierta en cero.
La corriente rms del diodo se puede encontrar a partir de la ecuacin (3-68) como

1 fp i

1/2

2tt L L d<0Jt)
La corriente promedio del diodo tambin se puede encontrar a partir de la ecuacin (3-68) como
1 ft3

Id = T L L
Ejemplo 3-12 *__________________________________________________________________________
El rectificador de onda completa monofsico de la figura.3-2la tieneL = 6.5 mH, R = 2.5 2, y E =
10 V. El voltaje de entrada es Vs = 120 V a 60 Hz. (a) Determine (1) la corriente de carga en rgi
men permanente /] en coi = 0, (2) la corriente promedio del diodo 1, (3) la corriente rms del diodo

Sec. 3 -9

R ectificador m o n ofsico de onda co m p leta con carg a RL

65

1, y (4) la corriente rms de salida Imi. (b) Utilice PSpice para graficar la corriente de salida instant
nea (,. Suponga los parmetros de diodo IS = 2.22E-15, BV = 1800 V.
Solucin No se sabe si la corriente de carga es continua o discontinua. Supongamos que la co
rriente de carga es continua y procedamos con la solucin. Si la hiptesis no es correcta, la co
rriente de carga ser cero y entonces pasaremos al caso discontinuo correspondiente.
(a) R = 2.5 2, L = 6.5 mH, / = 60 Hz, (0 = 2k x 60 = 377 rad/s, V* = 120 V, Z = [R2 +
(toL)2]1/2 = 3.5 2 y 0 = tan \(L/R) = 44.43Q.
(1) La corriente de carga en rgimen permanente en (O = 0, I\ = 32.8 A. Dado que /i > 0, la
corriente de carga es continua y la hiptesis es correcta.
(2) La integracin numrica de
do Id= 19.61 A.

de la ecuacin (3-67) nos da una corriente promedio de dio

(3) Mediante la integracin numrica de l entre los lmites co/ = 0 y n, obtenemos la corriente
rms del diodo Ir = 28.5 A.
(4) La corriente rms de salida / ms = VT Ir = V 2 x 28.50 = 40.3 A.

Notas
1.

tiene un valor mnimo de 25.2 A en CO = 25.5 y un valor mximo de 51.46 A en c =


125.25. I l se convierte en 27.41 A en (f = 0 y en 48.2 A en (t = 0 + n. Por lo tanto, el
valor mximo de II ocurre aproximadamente en coi = 0.
IL

2. La conmutacin de los diodos hace que las ecuaciones de las corrientes sean no lineales.
Un mtodo numrico de solucin de las corrientes de diodo es ms eficaz que las tcnicas
clsicas. Para resolver en funcin de //, j e lr se utiliza un programa de computadora que
hace uso de la integracin numrica. Se recomienda a los estudiantes que verifiquen los re
sultados de este ejemplo y que valoricen la utilidad de la solucin numrica, especialmente
en la resolucin de ecuaciones no lineales de circuitos de diodos.

(b) El rectificador puente monofsico para la simulacin PSpice aparece en la figura 3-22.
La lista de archivo de circuito es como sigue:
Example

3-12

VS

Si ngle--Phase B r i d g e R e c t i f i e r
SIN

(0

'2

6 .bMH

2.3

VX

DC

DI

DMOD

D2

DMOD

D3

DMOD

D4

.MODEL
T RA N
PROBE

DMOD
1US

1 6 9 . /V

]0V

wit h RL

load

60HZ)

Voltaje

sourc e

to m e a s u r e

the o u t p u t

cu r r e n t

; D i o d e Model

DMOD
D(1S=2 .2 2 E - 15
32MS
16.667MS

BV-1800V)

; D io de m o d e l p a r a m e t e r s
; Transient analysis
; Graphics

postprocessor

.END

La graficacin PSpice de la corriente de salida instantnea l se muestra en la figura 3-23,


que da I\ = 31.83 A.

66

C ircuitos de dio d os y rectificadores

Cap. 3

Figura 3-22 Rectificador puente


monofsico para simulacin de PSpice

Ex am pl e 3-12
Da t e / T i m e run: 07 / 1 7 / 9 2

Si ng le -P ha se Br id g e - R e c t i f i e r a with R-L load


15:53:17
Temporature:

>V (3, 4)
Time

Figura 3-23

C1 =
C2 =
dif =

22 .7 47 m
16.667m,
6 . 0800m.

27.0

50.179
31.B24
18.355

Graficas de PSpice para el ejemplo 3-12.

3-10 RECTIFICADORES MULTIFASE EN ESTRELLA


Hemos visto en la ecuacin (3-62) que el voltaje promedio de salida que se podra obtener de los
rectificadores de onda completa monofsicos es 0 . 6 3 6 6 Estos rectificadores se utilizan en
aplicaciones hasta un nivel de potencia de 15 kW. Para salidas de potencia mayores, se utilizan
los rectificadores trifsicos y multifsicos. Las series de Fourier de los voltajes de salida dados
por la ecuacin (3-63) indican que las salidas contienen armnicas, la frecuencia de la componen
te fundam ental es el doble de la frecuencia de la fuente (2 /). En la prctica es comn utilizar un

Sec. 3 -1 0

R ectificadores m u ltifa se en estrella

67

filtro para reducir el nivel de armnicas en la carga; el tamao del filtro se reduce con el aumento
de la frecuencia de las armnicas. Adems de la mayor salida de potencia de los rectificadores
multifase, tambin aumenta la frecuencia fundamental de las armnicas y resulta q veces la fre
cuencia fuente (q f ). Este rectificador se conoce como un rectificador estrella.
El circuito rectificador de la figura 3-18a se puede extender a varias fases mediante embobi
nados multifase en el secundario del transformador, tal y como se muestra en la figura 3-24a. Este
circuito se puede considerar como q rectificadores monofsicos de media onda y es del tipo de
media onda. El diodo de orden k conducir durante el periodo cuando el voltaje de la fase k sea
mayor que el de las dems fases. Las formas de onda para voltajes y corrientes aparecen en la fi
gura 3-24b. El perodo de conduccin de cada diodo es 2n/q.
De la figura 3-24b se puede notar que la corriente que fluye a travs del embobinado secun
dario es unidireccional y contiene una componente de cd. Slo el embobinado secundario lleva
corriente en un momento determinado y, como resultado, el primario debe estar conectado en del

Figura 3-24

68

Rectificadores multifase.

Circuitos de d io d os y rectificadores

C ap. 3

ta, a fin de eliminar la componente de cd del lado de la entrada del transformador. Esto minimiza
el contenido armnico de la corriente de lnea primaria.
Si suponemos una onda coseno desde n/q hasta 2n/q, el voltaje promedio de salida para un
rectificador de q fases est dado por
Ctrlq

Ved

2 n l q Jo

Vrms =

-2ir/q
a

V,

V,

fttIcj
Jo

eos

oji d((tt) = V,

17

sen
77

(3-69)

V m eos- cot d()t)


(3-70)
1
2 77
- sen
2
q

TT

L27T \ q

Si la carga es resistiva pura, la corriente de pico a travs del diodo es l m = Vm/R pudindose encontrar
el valor rms de la corriente del diodo (o de una corriente secundaria de transformador) como

2_ ttU

/* =

~2 tt

Ir

l]neos 2 o) d(w t)
(3-71)
77

271

1
2
+ - sen -

1/2

r rm s

Ejemplo 3-13
Un rectificador trifsico en estrella tiene una carga puramente resistiva con R ohms. Determine
(a) la eficiencia, (b) el factor de forma, (c) el factor de componente ondulatoria, (d) el factor de
utilizacin del transformador, (e) el voltaje de pico inverso PIV de cada diodo (f) la corriente pi
co a travs del diodo, si el rectificador entrega 1C= 30 A a un voltaje de salida de Vdc = 140 V.
Solucin Para un rectificador trifsico q = 3 en las ecuaciones (3-69), (3-70) y (3-71).
(a)
De la ecuacin (3-69), VcA = 0.827 Vm e Ic = 0.827 Vm/R. De la ecuacin (3-70), Vms =
0.84068 Vm e lms = 0.84068 Vm/R. De la ecuacin (3-42), Pa = (0.827Vm)2/R, de la ecuacin (3-43),
Pea = (0.84068Vm)2//? y de la ecuacin (3-44) la eficiencia
(0.827 V,,,)2
= 96.77%
(0.84068 V,,,)2
(b) De la ecuacin (3-46), el factor de forma FF = 0.84068/0.827 = 1.0165, o bien
101.65%.
___________
(c) De la ecuacin (3-48), el factor de componente ondulatoria RF = V 1.01652 - 1 =
0.1824= 18.24%.
(d) De la ecuacin (3-56), el voltaje rms del secundario del transformador,
= 0.707 Vm.
De la ecuacin (3-71), la corriente rms del secundario del transformador,
Is = 0.4854/, =

0.4854V,,,
R

La especificacin en volts-amperes (VA) del transformador para q = 3 es


0.4854
VA = 3Vj/.v = 3 x 0.77V, x
R

De la ecuacin (3-49)

Sec. 3 -1 0

TUF =

0.8272
= 0.6643
3 x 0.707 x 0.4854

R ectificadores m u ltifa se en estrella

69

(e) El voltaje de pico inverso de cada diodo es igual al valor pico del voltaje lnea a lnea en
el secundario. En el apndice A se analizan los circuitos trifsicos. El voltaje lnea a lnea es V 3
veces el voltaje de fase y, por lo tanto, PIV = V~3~Vm.
(f) La corriente promedio a travs de cada diodo es
ld = rr- lq /, eos ait d(c)t) = /, sen
1T JO

77

(3-72)

Para q = 'i,I = 0.2757/m. La corriente promedio a travs de cada diodo es Id = 30/3 = 10 A dan
do esto la corriente pico como m = 10/0.2757 = 36.27 A.
Ejemplo 3-14
(a) Exprese el voltaje de salida del rectificador de q fases de la figura 3-24a en series de Fourier.
(b) Si q = 6, Vm = 170 V, y la frecuencia de alimentacin es / = 60 Hz, determine el valor rms de
la armnica dominante y su frecuencia.
Solucin (a) Las formas de onda para q pulsos se muestran en la figura 3-24b, siendo la fre
cuencia de salida q veces la componente fundamental (qf). Para encontrar las constantes de la
serie de Fourier, integremos desde -n /q hasta n!q donde las constantes son

= 0

= 7

qV m (n

V', eos

(ot eos na>t d(oit)

+ l)sen[( - 1W g] + (n - l)sen[(fl + 1)7r/q]


n2 - 1

Despus de simplificar y usar las relaciones trigonomtricas, obtenemos


sen (A + B) = sen A eos B + eos A sen B

y
sen (A - B) = sen A eos B - eos A senB
obtenemos
(3-73)
En el caso del rectificador con q pulsos por ciclo, las armnicas del voltaje de salida son: la de
orden q, la de orden 2q, la de orden 3q, la de orden 4q, la ecuacin (3-73) es vlida para n = 0,
\q, 2q, 3q. El trmino se.no(nn/q) - sen n = 0 y la ecuacin (3-73) se convierte

la componente en cd se encuentra haciendo que n = 0 y es


(3-74)
que es el mismo que el de la ecuacin (3-69). La serie de Fourier del voltaje de salida v se ex
presa como

70

Circuitos de dio d os y rectificad o res

Cap. 3

Sustituyendo el valor de

an, obtenem os
(3-75)

(b)

Para

q = 6, el voltaje de salida se expresa com o


vL(t) = 0.9549V,,, (l + ^ cos bwt -

cos 12</ + ' )

(3-76)

La sexta armnica es la dominante. El valor rms de un voltaje sinusoidal e s_ l/V T v e c e s su m ag


nitud de pico, y el rms de la sexta armnica es V(, = 0 .9549 Vm x 2/(35 x V 2) = 6 .5 6 A siendo su
frecuencia f( = 6 / = 360 H/,.

3-11 RECTIFICADORES TRIFASICOS EN PUENTE


Un rectificador trifsico en puente como el que se muestra en la figura 3-25 es de uso comn en
aplicaciones de alta energa. Este es un rectificador de onda completa. Puede operar sin o con
transformador y genera componentes ondulatorias de seis pulsos en el voltaje de salida. Los dio
dos estn numerados en orden de secuencia de conduccin, cada uno de ellos conduce durante
120. La secuencia de la conduccin de los diodos es 12, 23, 3 4 ,4 5 , 56 y 61. El par de diodos co
nectados entre el par de lneas de alimentacin que tengan la diferencia de potencial instantneo
ms alto de lnea a lnea sern los que conduzcan. En una fuente conectada en estrella trifsica el
voltaje de lnea a lnea es V 3 veces el voltaje de fase. Las formas de onda y los tiempos de con
duccin de los diodos aparecen en la figura 3-26.
El voltaje promedio de salida se encuentra a partir de

(3-77)

Prim ario

Secundario

Figura 3-25

Sec. 3-11

tf1miiin

Rectificador puente trifsico.

Rectificadores trifsicos en puente

Mam

71

Diodos
activados

56

Figura 3-26

12

61

23

34

45

Formas de onda y tiempos de conduccin de los diodos.

donde Vm es el voltaje de fase pico. El voltaje rms de salida es


2

1/2

3V; e o s 2 (ot d(ojt)


(3-78)

(3
9 V 3 \ l/2 i/
" 2 + 47T )
m

L6554V"

Si la carga es puramente resistiva, la corriente pico a travs de un diodo es Im = V~3~Vm/R y el va


lor rms de la corriente del diodo es
4
Ir

.27T

1/2
fff/6
J / e o s 2 c d((tit)

277 1/2
Ll6 + 2 " T

1 (ir

(3-79)

= 0.5518/

72

Circuitos de dio d os y rectificad o res

Cap. 3

el valor rms de la corriente secundaria del transformador, es


p r /6

/.v =

J
-277

= /

I, e o s 2 (ot d(o)t)
1/2

2/ 7 7
1
277
56 + 2 T

(3-80)

= 0.7804/m
donde / mes la corriente de lnea pico en el secundario.
Ejemplo 3-15_____________________________________
Un rectificador trifsico en puente tiene una carga puramente resistiva de valor R. Determine (a)
la eficiencia, (b) el factor de forma, (c) el factor de componente ondulatoria, (d) el factor de utili
zacin del transformador, (e) el voltaje de pico inverso (PIV) de cada diodo y (f) la corriente pi
co a travs de un diodo. El rectificador entrega Ic = 60 A a un voltaje de salida de Vcd = 280.7 V
la frecuencia de la fuente es 60 Hz.
Solucin (a) De la ecuacin (3-77), Vc<j = 1.654 Vm e /ca = 1.654V/R. De la ecuacin (3-78),
Vms = 1.6554 Vm e / ms = 1,6554V'm/R. De la ecuacin (3-42), Pcd = (1.654Vm)2/R, de la ecuacin
(3-43), Pca = (1.6554Vn)2/R, y de la ecuacin (3-44) la eficiencia es
(1.654VJ2
71 ~ (K6554VJ5 - " 83%
(b) De la ecuacin (3-46), el factor de forma FF = 1.6554/1.654 = 1.0008 = 100.08%.
(c) De la ecuacin (3-48), el factor de componente ondulatoria RF = V 1.00082-1 = 0.04 = 4%.
(d) De la ecuacin (3-57), el voltaje rms del secundario del transformador, cdVs =
0.707Vm.
De la ecuacin (3-80), la corriente rms del secundario del transformador es
Is = 0.7804/m = 0.7804 x V I ^
K
La especificacin en volt-amperes del transformador es
Vm
VA = 3V J , = 3 x 0.707V, x 0.7804 x V3 D
J\
De la ecuacin (3-49)
1 6542
TUF = -------- ^
= 0.9542
3 x V 3 x 0.707 x 0.7804
(e) De la ecuacin (3-77), el voltaje de lnea pico a neutro es Vm = 280.7/1.654 = 169.7 V.
El voltaje de pico inverso de cada diodo es igual al valor pico del voltaje en el secundario de l
nea a lnea, PIV = V 3V m= V T x 169.7 = 293.9 V.
(f) La corriente promedio a travs de cada diodo es
Ij = =

|V 6

Z77 JO

2
77
l m eos oit d{(nt) = Im sen = 0.3183/m
77

La corriente promedio a travs de cada diodo es l = 60/3 = 20 A, y por lo tanto la corriente pico
es l m = 20/0.3183 = 62.83 A.
Nota. Este rectificador tiene un rendimiento considerablemente mayor que el rectificador
multifase de la figura 3-24 con seis pulsos.

Sec. 3-11

Rectificadores trifsicos en puente

73

3-12 RECTIFICADOR TRIFASICO EN PUENTE CON CARGA RL


Se pueden aplicar las ecuaciones que se han deducido en la seccin 3-9 para determinar la co
rriente de carga de un rectificador trifsico con carga RL (similar al de la figura 3-17a). De la figu
ra 3-26 se puede notar que el voltaje de salida se convierte en
r-

vuh = V 2 Vh sen wt

77

para

277

y : w/ <

donde Va, es el voltaje rms de entrada de lnea a lnea. La corriente de carga i se puede encontrar
a partir de
L

dt

+ R l + E = \ i l Vah sen w?

que tiene una solucin de la forma


L =

^ b~
Z

(3-81)

s&n(cot - B ) + A ,*-<>' - |
K

donde la impedancia de carga Z = [R2 + (u ) 2]1/2 y el ngulo de impedancia de la carga es 0 =


tan_1(o)L/R). La constante Ai de la ecuacin (3-81) se puede determinar a partir de la condicin:
en coi = n/3, l = hA\

, E

V 2 Vah

( 77

'T

(?{R/L){ir/3t)

~~

La sustitucin de A] en la ecuacin (3-81) da como resultado


l

senfojf - 0) +

V 2 Vah

(3-82)

I' + R ~

En condicin de estado permanente, /(coi = 2tc/3) = /(<nt = ti/3). Esto significa que /(cor = 2;t/3) =
I\. Aplicando esta condicin obtenemos el valor de I\ como
V 2 V/,sen (277/3 - 0) - sen(7r/3 J

g-(R/L)(7r/<)

E
R

para /, > 0

(3-83)

que, despus de sustituirse en la ecuacin (3-82) y simplificarse, nos da

sen (277/3 - 6) - sen (77/3 - 6)


.
V 2 Vab
sen (w - 0) + ------- :-------D , ----------------------- e-wu>
lL =
I (>-{R/L)( tt/ )

para 77/3 < co? < 277/3

i 0

(3-84)

La corriente rms del diodo se puede determinar a partir de la ecuacin (3-84) como
2 f 2tt/3
Ir =

74

-277 J itB

Circuitos de dio d os y rectificad o res

Cap. 3

y entonces la com ente rms de salida se puede determinar combinando las corrientes rms de cada
diodo como
/rm s =

( / ? + l ] + I}-)'12 =

/,.

La corriente promedio de cada diodo tambin se puede encontrar a partir de la ecuacin (3-84) como
2

[ 2 jtB

// = 2^ L

Ld(<t)

Ejemplo 3-16 *__________________________________________________________________________


El rectificador de onda completa trifsico de la figura 3-25a tiene una carga de L = 1.5 mH, R = 2.5 2
y E = 10 V. El voltaje de entrada de lnea a lnea es
= 208 V, 60 Hz. (a) Determine (1) la corriente
de carga en rgimen permanente I\ en (O = Jt/3, (2) la corriente promedio del diodo /<, (3) la corriente
rms del diodo l r, (4) la corriente rms de salida lms. (b) Utilice PSpice para graficar la comente instan
tnea de salida i_. Suponga los parmetros de diodo IS = 2.22E-15, BV = 1800 V.
Solucin (a) R = 2.5 2, L = 1.5 mH, / = 60 Hz, (0 = 2ti x 60 = 377 rad/s,
= 208 V, Z = [R2
+ (coL)2]1/z = 2.56 Q, y 0 = tan-1((D//?) = 12.74.
(1) La corriente de carga en rgimen permanente en coi = Jt/3 , I\ = 105.85 A.
(2) La integracin numrica de en la ecuacin (3-84) da la corriente promedio del diodo co
mo Id = 36.27 A. Dado de que I\ > 0, la corriente de carga es continua.
(3) Mediante la integracin numrica de entre los lmites coi = it/3 y 2rt/3, obtenemos la co
rriente rms del diodo, como I r = 62.71 A.
(4) La corriente rms de salida lms = V~3"Ir = V~3~x 62.71 = 108.62 A.
(b)
El rectificador trifsico en puente para la simulacin PSpice aparece en la figura 3-27.
La lista del archivo de circuito es como sigue:
Ex a m p l e 3-16

Three Phase Bridge

VAN

SIN

(0

1 6 9 . 7V

60H2)

Rectifier

With

RL

load

V BN

SIN

(0

1 6 9 . 7V

60H2

120DEG)

V CN

SIN

(0

1 6 9 . 7V

60HZ

120DEG)

1. 5MH

2.5

VX

DC

10V

Voltaje

s o u rce

to m e a s u r e the o u t p u t

VY

DC

OV

Voltaje

s o urce

to m e a s u r e

DI

DMOD

D3

DMOD
DMOD

D5

D2

DMOD

D4

DMOD

D6

DM OD

MODEL

DMOD

TRAN

10US

25MS

i nput

current
current

Diode model

(IS=2 .2 2 E - 1 5

BV=1800V)

16.667MS

Diode model p arameters


Transient

10US

PROBE
.o p t i o n s

th e

analysis

Graphics postprocessor
ITL5 =0

a b s t o l = l .OOOn

reltol

.01

vntol = l.OOOm

E ND

La graficacin PSpice de la corriente instantnea de salida t se muestra en la figura 3-28


que nos da i = 104.89 A.

Sec. 3-12

R ectificad o r trifsico en puente con carga RL

75

Figura 3-27

Rectificador trifsico en puente para la simulacin PSpice.

Ex am pl e 3-16
Th re e-Phase Bridge R e c t if ie r with RL load .
Date /T im e run: 07/1 7/ 92
16:02:36
Temperature:

Time

Figura 3-28

Ci =

C2 d if -

iS.OSSm.
19.B92m,

-.esoom .

27.0

104.085

110.911
- 6 .0 2 6 0

Graficacin PSpice para el ejemplo 3-16.

3-13 DISEO DE CIRCUITOS RECTIFICADORES


El diseo de un rectificador significa determinar las especificaciones de los diodos semiconductores.
Las especificaciones de los diodos se llenan normalmente en trminos de la corriente promedio, la
corriente rms, la corriente pico y el voltaje de pico inverso. No existen procedimientos estndar para
el diseo, pero es necesario determinar las formas de la corriente y del voltaje del diodo.

76

Circuitos de d io d os y rectificad o res

C ap. 3

O
+

<
o
1

li

>

<
r*

II

0
>

(b)

(a)

Figura 3-29

(c)

Filtros de corriente directa.

,+
v, = Vmsen(ot

Rectificador

C =

vl

Figura 3-30

Filtros de comente alterna.

En las ecuaciones (3-61), (3-63) y (3-76) hemos notado que la salida de los rectificadores
contiene armnicas. Se pueden utilizar filtros para suavizar la salida de voltaje en cd del rectifica
dor, que se conocen como filtro s de cd. Los filtros de cd normalmente son de tipo L ,C y LC , tal y
como se muestra en la figura 3-29. Debido a la accin de rectificacin, la corriente de entrada del
rectificador tambin contiene armnicas, para eliminar algunas de las armnicas del sistema de
alimentacin de energa se utiliza un filtro de ca. El filtro de ca es, por lo regular, detipo LC, tal y
como se muestra en la figura 3-30. Normalmente, es necesario determinar las magnitudes y las
frecuencias de las armnicas para el diseo del filtro. Mediante ejemplos se explican los pasos ne
cesarios en el diseo de rectificadores y filtros.
Ejemplo 3-17___________________________________________________________________________
Un rectificador trifsico en puente alimenta una carga altamente inductiva, de tal forma que la
corriente promedio de carga es lc = 60 A, el contenido de las componentes ondulatorias es des
preciable. Determine las especificaciones de los diodos, si el voltaje de lnea a neutro de la ali
mentacin, conectada en estrella, es 120 V a 60 Hz.
Solucin Las corrientes a travs de los diodos aparecen en la figura 3-31. La corriente prome
dio de un diodo d = 60/3 = 20 A. La corriente rms es
/( = [ b L Ildi(Jit)\

= ^

= 34.64 A

El voltaje de pico inverso, PIV = V 3 V m= V 3 x V-Tx 120 = 294 V.


Nota. El factor de

2 se utiliza para convertir el valor de rms a valor pico.

Ejemplo 3-18____________________________________________
La corriente a travs de un diodo aparece en la figura 3-32. Determine (a) la corriente rms y (b)
la corriente promedio del diodo, si l\ = 100 |is, 2 = 350 |i.s, t- = 500 |xs, / = 250 Hz, f s = 5 kHz,
Im = 450 A e Ia = 150 A.

Sec. 3 -1 3

D iseo de circuitos rectificadores

77

'd i

la * fcd

I.
O
<J2
I.

wt

2n

4n

5n

2n

fc>t

d3
i.
o

a>t

---------o

u>t
as

o
I.

- cat

>o
- Ctft

Figura 3-31

Solu cin

Corriente a travs de los diodos.

(a) El valor rms se define com o

1 = [ ? lo' (lm sen ^ 2 dt + T l i

(/? +

dt\

(3-85)

l a )1'2

donde (s = 2n f s = 31,415.93 rad/s, t\ = %/(s = 100 ms, y T = 1//.


Ir,

i f'<
j. j o (/, sencoj/)2 dt 1/2 - f

J-fh
(3-86)

= 50.31 A

/ r2 = ( ^ / ^ f ) 2 = / , V / (f3 - 2 )
(3-87)
= 29.05 A

,1

i = U s e n w st
.

ti
----------- T

2
m

.L

Y
T + t,

1 / f ----------

Figura 3-32

78

*2

Forma de onda de corriente

Circuitos de d io d os y rectificad o res

C ap. 3

Sustituyendo las ecuaciones (3-86) y (3-87) en la ecuacin (3-85), el valor rms es


, ,

[! jf

, lf(

(3-88)

= (50.312 + 29.052)1/2 = 58.09 A


(b) La corriente promedio se encuentra a partir de
1 f'i ,,
,
I 'j
Ij = j , I ^ (/, sen (0, 1) d t + j I ' ' / d t
= Al + di
donde
/ji = j. j 0' (Im seneo.,/) d t =

(3-89)

1 fr,
Ui = y
/ d t = / /(/, - f2)

(3-90)

Por lo tanto, la corriente promedio se convierte en


/cd =

//Ua - h) = 7.16 + 5.63 = 12.79 A

Ejemplo 3-19
El rectificador monofsico en puente est alimentado de una fuente a 12 V, 60 Hz. La resistencia
de carga es R = 500 2. Calcule el valor de un inductor en serie que limitar la corriente rms de
componente ondulatoria /ca a menos del 5% de IQ.
Solucin La impcdancia de carga
Z = R + j(na)L) = \ / R

+ (nwL)2 jK

$ = tan-1 ^

(3-91)

(3-92)

y la corriente instantnea es
'' c

4Vn

7t \ / R 2 + (nu>L)2

| cos(2o t - d 2) +

cos(4af - 04).

(3-93)

donde
Vc

/cd

2Vm

nR

La ecuacin (3-93) da el valor rms de la corriente de componente ondulatoria como

,2 =
a

(4VJ2

(W .

2ir2[R2 + (2)L)2] \ 3 /

. <AVm)2

(J_)2 . . . .

2tt2[R2 + (4ttL)2] \15/

Considerando nicamente la armnica de orden ms bajo (n = 2), tenemos


4Vm

\\

V ir V R 2 +

( 2 o j L ) 2 v3

,
C

Sec. 3 -1 3

D iseo de circuitos rectificadores

79

Usando el valor de IQ y despus de simplificar, el factor de componente ondulatoria es


RF = y - = - 7 '-4
- = 0.05
/cd V i + (2(L/R)2
Para R = 500 Q y / = 60 Hz, el valor de inductancia se obtiene como 0.47142 = 0.052 [1 + (4 x
60 x 71L/5002)] y esto da un valor de L = 6.22 H.
De la ecuacin (3-93) podemos notar que una inductancia en la carga ofrece una alta impedancia para las corrientes armnicas y acta como filtro para reducirlas. Sin embargo, esta induc
tancia introduce un retraso de la corriente de carga con respecto al voltaje de entrada; en el caso
de un rectificador de media onda monofsico, se requiere de un diodo de marcha libre para per
mitir una trayectoria para esta corriente inductiva.
Ejemplo 3-20
Un rectificador monofsico en puente es alimentado a partir de una fuente de 120 V 60 Hz. La
resistencia de la carga es R = 500 2. (a) Disee un filtro C, de tal forma que el factor de compo
nente ondulatoria del voltaje de salida sea menor de 5%. (b) Con el valor del capacitor C de la
parte (a), calcule el voltaje promedio de la carga Vg.
Solucin Cuando el voltaje instantneo vs de la figura 3-33 es ms alto que el voltaje instant
neo del capacitor vc, los diodos (Di y D j o D- y D 4) conducen; entonces el capacitor se carga de
la alimentacin. Si el voltaje instantneo de alimentacin v.r baja por debajo del voltaje instant
neo del capacitor vc, los diodos (Di y D 2 o D 3 y D 4) tienen polarizacin negativa y el capacitor
Ce descarga a travs de la resistencia de carga R. El voltaje del capacitor vc vara entre un mni
mo
y un mximo Vc(mixy Esto se muestra en la figura 3-33b.
Supongamos que t\ es el tiempo de carga y que 2 es el tiempo de descarga del capacitor
Ce. El circuito equivalente durante la carga se muestra en la figura 3-33c. El capacitor se carga
prcticamente en forma instantnea al voltaje de alimentacin vs. El capacitor Ce ser cargado al
voltaje pico de alimentacin Vm, de tal forma que vc(t = ?i) = Vm. En la figura 3-33d se muestra
el circuito equivalente durante la descarga. El capacitor se descarga en forma exponencial a tra
vs de R.
| iL dt + vc(t = 0) + Ri = 0
Ce
que, con la condicin inicial de vc(t = 0) = Vm, da la corriente de descarga como
= Y L e ~HRCr
R
El voltaje de salida (o del capacitor)
tir de

durante el perodo de descarga se puede determinar a par

vL{t) = R l = Vme -'IRC


El voltaje de componente ondulatoria de pico a pico V^pp) se puede encontrar a partir de
Vrtpp, = " d t = ti) - vL(t = h) = Vm ~ Vme - '-IRC- = V J l - e~KC')

(3-94)

dado que e~%= 1 - x, la ecuacin (3-94) se puede simplificar a


v

VkPP) =

v (1

Vm
R?2-)
C j = Vn,t2
RCe=2fRCe

Por lo tanto, el voltaje promedio de carga Vc est dado por


y

Y cd

80

y ni

V r i EE)

Y L -.

AfRC

Circuitos de dio d os y rectificad o res

(3-95)

Cap. 3

' +
R vl

c) Carga

Figura 3-33

(d) Descarga

Rectificador puente monofsico con filtro

C.

Por lo tanto, el voltaje de componente ondulatoria de salida en valor rms


en forma aproximada a partir de
V,,

_ ^V(pp)
2V 2

VCi se puede encontrar

Vm

\flfR C e

Y el factor de com ponente ondulatoria RF se puede determinar a partir de

RF =

Sec. 3 -1 3

-rr1

Vcd

Vm
4.fR C e
fR C e Vm(4fR C e -

4 V2

Diseo de circuitos rectificadores

_
1)

V2

(4fRC e -

1)

(3-96)

81

que se puede resolver para Ce:


Ce = ~7r ( l "I------ 7=-) =
4/7? V
V 2 RF;
(b)
^

0 ^---- 7=-----------) = 126.2 aF


4 x 60x 500 V
V 2 x 0.05y

De la ecuacin (3-95), el voltajepromedio de la carga Vc es


169 7 - 4 x 60 x soi.6x 7126.2 x 1 0 - m l ~ I L 2 1 = , 5 f U 9 V

Ejemplo 3-21
Un filtro LC tal y como se muestra en la figura 3-29c se utiliza para reducir el contenido de
componente ondulatoria del voltaje de salida para un rectificador monofsico de onda completa.
La resistencia de carga cs R = 40 2, la inductancia de carga es L = 10 mH y la frecuencia de la
fuente es 60 Hz (es decir 377 rad/s). (a) Determine los valores Le y Ce de tal manera que el fac
tor de componente ondulatoria de voltaje de salida sea 10%. (b) Utilice PSpice para calcular las
componentes de Fouricr del voltaje de la corriente de salida v. Suponga parmetros de diodo
IS = 1E-25, BV = 1000 V.
Solucin (a) El circuito equivalente para las armnicas aparece en la figura 3-34. Para facilitar
el paso de la corriente de componente ondulatoria de la armnica de rango n a travs del capaci
tor del filtro, la impcdancia de la carga debe ser mucho mayor que la del capacitor. Esto es,
1
V R 2 + (nojL)2

n(Ce
Esta condicin generalmente queda satisfecha mediante la relacin
10

V R 2 + (nwL)2 = 7 t
(3-97)
na>Ce
y bajo esta condicin, el efecto de la carga ser despreciable. El valor rms de la componente ar
mnica de rango n, que aparecer en la salida, se puede encontrar utilizando la regla del divisor
de voltaje, y se expresa como
1
- 1 l(nu>Ce)
(3-98)
vv on - (no)Le) - \l(n<i)Ce) ' n (noj)2L eCe 1
La cantidad total de voltaje de componente ondulatoria debida a todas las armnicas es

v ca = (

\ 1/2

V 2m )

n=2,4,6...

(3-99)

Para un valor especificado de VC1 y con el valor de Ce correspondiente de la ecuacin (3-97), se


puede calcular el valor de Le. Podemos simplificar el clculo considerando slo la armnica do
minante. De la ecuacin (3-63) encontramos que la segunda armnica es la dominante y su valor
rms es V2 = 4Vm/(3'\/~2t) y el valor de cd, Vc(j = 2Vm/n.

L.

V o (n u )

Figura 3-34
armnicas.

82

Circuito equivalente para

Circuitos de dio d os y rectificad o res

Cap. 3

Para n = 2, las ecuaciones (3-98) y (3-99) dan


-1

= Vo2 = (2m)2L eCe - 1

El valor del capacitor Ce se calcula a partir de


V i?2 + (2a>L)2 =

10

2biCe

o bien
C. =

10

477/ V i?2 + (477f L )2

= 326 xF

A partir de la ecuacin (3-47), el factor de componente ondulatoria se define como


RF =

Vd

V2
1
3 [(4nf)2LeCe - 1]

1
Vdc (477f ) 2L eCe - 1

Vo2
Vd

0.1

o bien, (4rc/) L<Ce - 1 = 4.714 y Le = 30.83 mH.


(b)
El rectificador monofsico en puente para la simulacin PSpice aparece en la figura
3-35. La lista del archivo del circuito es como sigue:
Example

vs
LE

Single-Phase

3-21

Bridge Rectifier

3
7

SIN (0 1 6 9 . 7V
3 0 . 83MH

Rx

4
7

32 6UF
80M

10MH

6
5

VX
VY

DC
DC

DI

DMOD

0
3

DMOD
D M OD

DMOD

D2
D3

D4

MODEL

; U sed to c o n v e r g e

the

solution

40

DMOD

TRAN

10US

F O U R

120HZ

options

w ith LC F i l t e r

60HZ)

ITL5=:0

0V
0V

; Voltaje
; Voltaje

(IS=2. 2 2 E - 1 5
50MS
33MS

source
source

BV=180 0V)

; Diode model parameters


; Transient

50US

; Fourier

V(6, 5)
abstol

to m e a s u r e the o u t p u t c u r r e n t
to m e a s u r e the input cu r r e n t
; Diode Models

= l .O OOn

reltol

.01

analysis

analysis

vntol

of o u t p u t

voltaje

= l.OOOm

END

Sec. 3-13

Le

Diseo de circuitos rectificadores

Rx

83

Los resultados de la simulacin PSpice para el voltaje de salida V(6,5) son como sigue:
FOURIER COMPONENTS
DC C O M P O N E N T
HARMONIO
NO

OF T R A N S I E N T R E S P O N S E

V (6,5)

= 1 . 1 4 0 973E+02

FREQUENCY
(HZ)

FOURIER

NORMALIZED
COMPONENT

COMPONENT

PHASE
(DEG)

NORMALIZED
P H A S E (DEG)

. 1 .200E + 02

1 .304E+01

1 . 0 0 0E +00

1. 038E + 02

2 . 4 0 0E+ 02

6.4 96E-01

4 . 981E-02

1.236E+02

0.000E+00
1 . 9 8 8E+01

3 . 600E+02

2.277E-01

1.74 6E-02

9 . 226E + 01

- 1 . 1 5 0E +01

4 .800E + 02

1 .566E-01

1 . 2 0 1E-02

4 .8 75E + 0 1

-5.501E+01

6.000E+02

1.2 7 4 E - 0 1

9.7 6 7 E - 0 3

2 .2 3 2 E + 0 1

-8 .1 4 4 E + 0 1

6
7

7.200E+02
8 . 4 0 0E+02

1 . 0 2 0 E-01
8 .27 2E-02

7 . 82 2E-03
6 . 3 4 3 E-03

8 .3 58E + 00
1 . 997E + 00

-1.018E+02

9 . 600E+02
6. 9 8 2 E - 0 2
5 . 3 5 4E-0 3
-1.061E+00
4 . 612E-03
-3.436E+00
9
1 . 0 8 0E+0 3
6 . 015E -02
TOTAL HARMONIO DISTORTION =
5.636070E+00 PERCENT

-9.540E+01
- 1 . 048E + 02
-1 .072E + 02

lo que verifica el diseo.


E jem p lo 3-22
Un filtro de entrada LC, tal y com o aparece en la figura 3-30, se utiliza para reducir las armni
cas de corriente de entrada de un rectificador de onda completa m onofsico de la figura 3-20a.
La corriente de carga est libre de componentes ondulatorias y su valor promedio es / a. Si la fre
cuencia de alimentacin es / = 60 Hz (o 377 rad/s), determine la frecuencia de resonancia del fil
tro, de tal form a que la corriente arm nica total de entrada q u ede red u cid a al 1% de la
com ponente fundamental.
S olucin El circuito equivalente a la componente armnica de orden n aparece en la figura 3-36.
El valor rms de la corriente armnica de orden n que aparece en la alimentacin se obtiene utili
zando la regla de divisor de corriente

l/(coC,)
(ncLj)

\l(nwC)

( c)2L,C, - 1

(3-100)

donde / CS el valor rms de la corriente armnica de orden n. La cantidad total de corriente ar


m nica en la lnea de alimenlacin es

y el factor armnico de corriente de entrada (con el filtro instalado) es

llL

(3-101)

i.. &

l(nu>)

Figura 3-36
armnica.

84

Circuito equivalente para corriente

Circuitos de dio d os y rectificad o res

Cap. 3

De la ecuacin (3-64), I4 = 4/a /V~2 7Ce / = 4/a/(V 2 Mi) para n = 3, 5, 7,... De las ecuaciones
(3-100) y (3-101) obtenemos

n-3,5,7,...

n=3,5,7...

M2[(nw)2L;C - l]2

(3-102)

Esto se puede resolver para el valor de L,C. Para simplificar los clculos, si consideramos nica
mente la tercera armnica, 3[(3 x 2 x tc x 60)2 L,C - 1] = 1/0.01 = 100, o bien, LC = 26.84 x
10-6 y la frecuencia del filtro es 1h LC = 193.02 rad/s, o sea 30.72 Hz. Suponiendo que C sea
= 1500 (J.F, obtenemos que L - 17.893 mH.
Nota. El filtro de corriente alterna se sintoniza por lo general con la frecuencia armnica in
volucrada, pero requiere de un diseo cuidadoso, para evitar cualquier posibilidad de resonancia con
el sistema de energa. La frecuencia de resonancia de la corriente de tercera armnica es 377 x 3 =
1131 rad/s.

3-14 VOLTAJE DE SALIDA CON FILTRO LC


El circuito equivalente de un rectificador de onda completa con un filtro LC aparece en la figura
3-37a. Suponga que el valor de Ce es muy grande, de tal forma que su voltaje est libre de compo
nentes ondulatorias con un valor medio de V0(cd). L e es la inductancia total, incluyendo la inductancia de fuente o de lnea, y se coloca generalmente del lado de la entrada, para que acte como
una inductancia de corriente alterna ms que un filtro de corriente directa.'
Si Vcd es menor que Vm, la corriente z' empezar a fluir en el ngulo a , que est dado por
Vcd = Vm sen a
queda
a = sen

Vcd

Vm

Icd

r 57fiP-------- ---------- ----------- -

Ve

P A A c,=

= Vcd

je

2n oot

(a) Circuito equivalen te

(b) Circuito equivalen te

Figura 3-37

Sec. 3-14

Voltaje de salida con filtro LC.

V o lta je de salida con filtro LC

85

donde x = VciIVm. La corriente de salida / est dada por


I , ^

Vn sen ojt

V'cd

que se puede resolver en funcin de II


il

1 f,
(Vm sen w - Ved) d(co)
=
_//j ' O!

)Le

(eos a co s cot) 7^ (coi a)


iLt,

para1 w s a

(3-103)

El valor de m = P en el cual la corriente l baja hasta cero se puede encontrar a partir de la condi
cin l (c = p).
co s j8 + x/3 = cos a + x a

(3-104)

La ecuacin (3-104) se puede resolver en funcin de P mediante iteracin. Una vez que se cono
cen los valores de a y de p, a partir de la ecuacin (3-103), se puede determinar la corriente pro
medio de carga c<. Para Vc< = 0, la corriente pico que puede fluir a travs del rectificador es / pk =
V J io L e. Normalizando /C( con respecto a / Pk obtenemos
hd
/ pk
TABLA 3-1

)f.,.
(3-105)

CORRIENTE DE CARGA N O RM ALIZADA

/cd//pk

n v s / pk

(%)

(%)

(%)

(grados)

(grados)

0
5
10

36.34
30.29
25.50
21.50
18.09
15.15
12.62
10.42
8.53
6.89
5.48
4.28
3.27
2.42
1.72
1.16
0.72
0.39
0.17
0.04
0

47.62
42.03
37.06
32.58
28.52
24.83
21.48
18.43
15.67
13.17
10.91
8.89
7.10
5.51
4.13
2.95
1.96
1.17
0.56
0.16
0

0
2.97
5.74
8.63
11.54
14.48
17.46
20.49
23.58
26.74
30.00
33.37
36.87
40.54
44.43
48.59
53.13
58.21
64.16
71.81
90.00

180
150.62
139.74
131.88
125.79
120.48
116.21
112.24
108.83
105.99
103.25
100.87
98.87
97.04
95.43
94.09
92.88
91.71
90.91
90.56
90.00

15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100

86

(Lelcd
2 f/3 (Le . ,
=
- r j - i L d{(tt)
V,
2ir Je, V

Circuitos de d io d os y rectificadores

Cap. 3

Normalizando /rms con respecto a /pk obtenemos

(OL J rm!

^rms

(3-106)

/pk

Dado que a y P dependen de la relacin de voltaje x, las ecuaciones (3-105) y (3-106) tambin de
penden nicamente de x. La tabla 3-1 muestra los valores de las relaciones / Cd//Pk y de /m,s//pk en
funcin de la relacin de voltaje x.
Ejemplo 3-23 *__________________________________________________________________________
El voltaje rms de entrada al circuito de la figura 3-37a es 120 V, 60 Hz. (a) Si el voltaje de salida en
corriente directa es Vc = 100 V a /c(j = 10 A, determine los valores de la inductancia Le, a, P, e
Ams- (b) Si /cd = 5 A y Le = 6.5 mH, utilice la tabla 3-1 para determinar los valores de Vcd, ex, P, e
/rmsSolucin (o = 2% x 60 = 377 rad/s, Vs = 120 V, Vm = V 2 x 120 = 169.7 V.
(a) La relacin de voltaje* = VcdAm esto es = 100/169.7 = 58.93%; a = sen-1 (x) = 36.1.
Resolviendo la ecuacin (3-104) en funcin de P, obtenemos un valor de P = 99.35. La ecua
cin (3-105) da la relacin de corriente /c<//pk = 3.464%. De ah l py = /Cd/0.03464 = 288.67 A. El
valor requerido de inductancia es
169.7
_ ,
u
377 x 288.67
1,56 m

Vm

(co/pk)

La ecuacin (3-106) da la relacin de corriente /rms//pk = 7.466%. De ah Ims = 0.07466 x


0.07466 x 288.67 = 21.55 A.
(b) Le = 6.5 mH, /pk = Vm/(coLe) = 169.7/(377 x 6.5 mH) = 69.25 A.

y - ' i - i k - 1'
Utilizando la interpolacin lineal, obtenemos
(x+] - x)(y - y)
x = x -i,--------------------------y n+\ ~ y

(45 - 40)(7.22 - 8A 3)
6.89 - 8.53

Ved = x V m = 0.4399 x 169.7 = 74.66 V

an + (ocn+\ - a)(y

y)

, (26.74 - 23.58)(7.22 - 8.53) _


10
- 23.58 +
6.89 - 8.53
26,1

R = R + (j8"+l ~

yn)

y n+\ ~ y n

=
_

108.83 + (105- " " 6? g - g 3 2 '


/rm s _

z ~~ V

( n + l

Zn

Z>n)(y ~

8 '53) = 106' 56

3 ^)

y+i - yn

. (13.17 - 15.67K7.22 - 8.53)


^
= 15.67 + ------------ 6 .89 _ 8.53----------------- 13'6?%

Por lo tanto, Ims = 0.1367 x / pk = 0.1367 x 69.25 = 9.47 A.

Sec. 3 -1 4

V o lta je de salid a con filtro LC

87

3-15 EFECTOS DE LAS INDUCTANCIAS DE LA FUENTE Y DE LA CARGA


En las deducciones de los voltajes de salida y de los criterios de rendimiento de los rectificadores,
se supuso que la fuente no tena ni inductancias ni resistencias. Pero en un transformador y en una
alimentacin real, stas estn siempre presentes por lo que los rendimientos de los rectificadores
se modifican ligeramente. El efecto de la inductancia de la fuente, que es ms significativa que la
de la resistencia, se puede explicar haciendo referencia a la figura 3-38.
El diodo con el voltaje ms positivo conducir. Consideremos el punto coi = n donde los vol
tajes Vac y Vbc son iguales, tal y como se muestra en la figura 3-38. La corriente /cd sigue todava
fluyendo a travs del diodo D . Debido a la inductancia L, la corriente no puede bajar a cero de in
mediato, y la transferencia de corriente no puede ser instantnea. La corriente i\ se reduce, resul
tando en un voltaje inducido a travs de L \, de valor +vi, y el voltaje de salida se convierte en v =
Vea + vi. Al mismo tiempo, la corriente a travs de D, id3 aumenta desde cero, induciendo un vol
taje igual a travs d e 2. de valor -v 2, el voltaje de salida se convierte en v = v** -v. El resultado
es que los voltajes de nodo de los diodos D y D3 son iguales; y ambos diodos conducen durante
un cierto perodo, que se conoce como ngulo |i de conmutacin (o de superposicin). Esta trans
ferencia de corriente de un diodo al otro se conoce como conmutacin. La reactancia correspon
diente a la inductancia se conoce como reactancia de conmutacin.
La

(a) Diagrama de circuito

(b) Formas de onda

Figura 3-38

88

Rectificador puente trifsico, con inductancias de fuente.

Circuitos de dio d os y rectificad o res

Cap. 3

un cierto perodo, que se conoce como ngulo jj. de conmutacin (o de superposicin). Esta trans
ferencia de corriente de un diodo al otro se conoce como conmutacin. La reactancia correspon
diente a la inductancia se conoce como reactancia de conmutacin.
El efecto de esta superposicin es reducir el voltaje promedio de salida de los convertidores.
El voltaje a travs de 2 es
VL2 = L 2 f t

(3-107)

Suponiendo una elevacin lineal de corriente i desde 0 hasta / cd (o una constante di/dt = Ai/At),
podemos escribir la ecuacin (3-107) como
vL2 A t = L 2 Ai

(3-108)

esto se repite seis veces en el caso de un puente rectificador trifsico. Utilizando la ecuacin (3-108),
la reduccin promedio de voltaje debida a las inductancias de conmutacin es
Vx =

2{vL \

+ vLi + vL3) At = 2 /( L | + L 2 + Ls) Ai

(3-109)

= 2 /( L | + L 2 + L3)/cd
Si todas las inductancias son iguales, y Lc es = L = L2 = L3, la ecuacin (3-109) se convierte en
Vx = 6 /L < /cd

(3-110)

donde / es la frecuencia de alimentacin en hertz.


Ejemplo 3-24

_______________________________________________________________________

Un puente reclificador trifsico es alimentado a partir de una fuente conectada en estrella de


208V 60Hz. La corriente promedio de carga es de 60 A y tiene una componente ondulatoria des
preciable. Calcule la reduccin porcentual del voltaje de salida debida a la conmutacin si la in
ductancia de lnea por fase es 0.5 mH.
Solucin Lc = 0.5 mH, Vs = 208/V~3 = 120V, / = 60 Hz, /j = 60 A y Vm =
x 120 = 169.7 V.
De la ecuacin (3-77), Vc(j = 1.654 x 169.7 = 280.7 V. La ecuacin (3-110) da la reduccin de vol
taje de salida,
V, = 6 x 60 x 0.5 x 103 x 60 = 10.8 V

10.8 x 4 ^ = = 3.85%
ZoU. /

y el voltaje de salida efectivo es (280.7 - 10.8) = 266.9 V.


Ejemplo 3-25______________________________________________________________________ _
Los diodos de un rectificador de onda completa monofsico de la figura 3-19a tienen un tiempo
de recuperacin inverso tn = 50 ms y el voltaje rms de entrada es
= 120 V. Determine el efec
to del tiempo de recuperacin inversa sobre el voltaje promedio de salida si la frecuencia de la
alimentacin es (a) f s = 2 kHz, y (b) f s = 60 Hz.
Solucin El tiempo de recuperacin inversa debera afectar el voltaje de salida del rectifica
dor. En el rectificador de onda completa de la figura 3-19a, el diodo D 1 no estar desactivado
en wt = n; ms bien, seguir conduciendo hasta que t = 7t/( + trr. Como resultado del tiempo de
recuperacin inversa, el voltaje promedio de salida se reducir y la forma del voltaje de salida
aparece como se muestra en la figura 3-39.

Sec. 3 -1 4

V o lta je de salida con filtros LC

89

vl

Si el voltaje de entrada es v = Vm senct = V 2Vt sencot, la reduccin promedio de salida es


= -rfio
" Vm sen oj t dt =

2Vm

eos cot
(o

(3-111)

= (1 eos (Otrr)
7T

Vm = V 2 V, = V 2 x 120 = 169.7 V
Sin tiempo de recuperacin inversa, la ecuacin (3-62) da el voltaje promedio de salida
0.6366Vm= 108.03 V.
(a) Para trr = 50 jls y f s = 2000 Hz, la reduccin del voltaje promedio de salida es
V =

1T

(1 -

COS

iTTf.trr)

= 0.061 Vm = 10.3 V

or 9.51% of Vdc

(b) Para trr = 50 |is y f s = 60 Hz, la reduccin del voltaje de salida de corriente directa es
Vrr =

Vm

___ ,
,_s
(1 - eos 2Trfstn) = 5.65 x 10 5

= 9.6 x 10~3 V

8.88 x 10-3% of Vdc

Nota. El efecto de t es significativo para una fuente de alta frecuencia, en el caso de una
fuente normal de 60 Hz, este efecto se puede considerar despreciable.

RESUMEN
En este captulo hemos visto las aplicaciones de los diodos semiconductores de potencia en accin
de marcha libre, recuperando energa a partir de cargas inductivas y en la conversin de seales de
corriente alterna a corriente directa. Existen tipos distintos de rectificadores, dependiendo de las
conexiones de los diodos y del transformador de entrada. Se definieron los parmetros de rendi
miento de los rectificadores y se mostr que los rendimientos de los rectificadores varan segn
sus tipos. Los rectificadores generan armnicas en la carga y en la lnea de alimentacin, estas ar
mnicas se pueden reducir mediante filtros. Los rendimientos de los rectificadores tambin son
influidos por las inductancias de fuente y de carga.

90

Circuitos de dio d os y rectificad o res

Cap. 3

REFERENCIAS
1. J. Schaefer, Reclifier Circuits: Theory and Design.
Nueva York: John Wilcy & Sons, Inc., 1975.
2. R. W. Lee, Power Converter Handbook: Theory,
Design, and Application. Pcterborough, Ont.: Canadian General Electric, 1979.

3. M. H. Rashid, SPICE fo r Power Electronics and


Electric Power. Englewood Cliffs, N. J.: Prentice
Hall, 1993.

PREGUNTAS DE REPASO
3-1. Cul es la constante de tiempo en un circuito
RL1
3-2. Cul es la constante de tiempo en un circuito
RC1
3-3. Cul es la frecuencia de resonancia en un cir
cuito LC1
3-4. Qu es el factor de amortiguacin en un circui
to RLC1
3-5. Cul es la diferencia entre frecuencia de reso
nancia y frecuencia de amortiguacin de un cir
cuito RLC1
3-6. Qu es un diodo de marcha libre y cul es su
uso?
3-7. Qu es la energa atrapada en un inductor?
3-8. Cmo se puede recuperar la energa atrapada,
mediante un diodo?
3-9. Qu es relacin de vueltas en un transforma
dor?
3-10. Qu es un rectificador? Cul es la diferencia
entre un rectificador y un convertidor?
3-11. Qu es la condicin de bloqueo de un diodo?
3-12. Cules son los parmetros de rendimiento de
un rectificador?
3-13. Cul es el significado del factor de forma de un
rectificador?
3-14. Cul es el significado del factor de componente
ondulatoria de un rectificador?
3-15. Qu es la eficiencia de la rectificacin?
3-16. Cul es el significado del factor de utilizacin
del transformador?

3-17.
3-18.
3-19.
3-20.
3-21.
3-22.
3-23.

3.24.
3-25.
3-26.

3-27.
3-28.
3-29.

3-30.
3.31.
3.32.

Qu es el factor de desfase?
Qu es el factor de potencia de entrada?
Qu es el factor de armnicas?
Cul es la diferencia entre un rectificador de
media onda y uno de onda completa?
Cul es el voltaje de salida en cd de un rectifi
cador monofsico de media onda?
Cul es el voltaje de salida en cd de un rectifi
cador de onda completa monofsico?
Qu es la frecuencia fundamental del voltaje de
salida de un rectificador monofsico de onda
completa?
Cules son las ventajas de un rectificador trif
sico sobre uno monofsico?
Cules son las desventajas de un rectificador
multifasc de media onda?
Cules son las ventajas de un puente rectifica
dor trifsico sobre un rectificador en estrella de
seis fases?
Cules son los objetivos de los filtros en los
circuitos de rectificacin?
Cules son las diferencias entre los filtros de ca
y los de cd?
Cules son los efectos de las inductancias de la
fuente sobre el voltaje de salida de un rectifica
dor?
Cules son los efectos de las inductancias de
carga sobre la salida de un rectificador
Que es la conmutacin de diodos?
Qu es el ngulo de conmutacin de un rectifi
cador?

PROBLEMAS
3-1. En la figura P3-1 aparecen las formas de onda
de corriente de un capacitor. Determine las es-

Pro b lem as

pecificaciones promedio, rms y pico de este ca


pacitor.

91

Figura P3-1
3-2.

Las formas de onda de la corriente que fluye a


travs de un diodo aparecen en la figura P3-2.

3-3.

Un circuito de diodo se muestra en la figura P33 con R = 22 Q. y C = 10 jiF. Si el interruptor S\


se cierra en t = 0, determine la expresin para el
voltaje a travs del capacitor y la energa perdi
da en el circuito.

Determine las especificaciones de corriente pro


medio, rms y pico del diodo.

3-5.

Si el inductor del circuito de la figura 3-4 tiene


una corriente inicial de /o, determine la expre
sin para el voltaje a travs del capacitor.

3-6.

Si el interruptor Si de la figura P3-6 se cierra en


= 0, determine la expresin para (a) la corrien
te que fluye a travs del interruptor i(t) y (b) la
velocidad de elevacin de la corriente di/dt. (c)
Dibuje esbozos de i(t) y de di/dt. (d) Cul es el
valor de di/dt inicial? Para la figura P3-6 en
cuentre slo di/dt inicial.

3-7.

El circuito de segundo orden de la figura 3-6 tie


ne un voltaje de fuente Vs = 220V, una inductancia L - 5 mH, una capacitancia C = 10 JJ.F y
una resistencia R = 22 Q. El voltaje inicial del
capacitor es Vq = 50 V. Si el interruptor se cierra
en t = 0, determine (a) una expresin para el va
lor de la corriente y (b) el tiempo de conduccin
del diodo, (c) Dibuje un esbozo de i(t).

3-8.

Para el circuito de recuperacin de energa de la


figura 3-12a, la inductancia magnetizante del
transformador es Lm = 150 |i.H, N\ = 10 y N2 =
200. Las inductancias de fuga y las resistencias
del transformador son despreciables. El voltaje
de fuente es Vs = 200 V y en el circuito no exis
te corriente inicial. Si durante un tiempo t\ =
100 (is se cierra el interruptor
y a continua-

-vW aV = 2 2 0
S,

D,
-C * -

Figura P3-3
3-4.

Un circuito de diodo aparece en la figura P3-4


con /? = 10 2, L = 5 mH y Ks = 220 V. Si fluye
una corriente de carga de 10 A a travs del dio
do de marcha libre Dm y el interruptor .V] se cie
rra en t = 0, determine la expresin de la
corriente i a travs del interruptor.

L i 1A
Figura P3-4

92

Circuitos de dio d os y rectificad o res

Cap. 3

s,
O"1 '

S,

^
1

+ >

o ^

11

vVy*'

<

>
V,

1
+
: V0

V,

" 0

0--------------------------------

(c)

(b)

(a)

<__ _ \

o o --------- a -----------,
t *
D,
b

+ \

L,
fS_____ ------------20 hH
R - 0 .5 S

L
v>

o<

i
1-2 = 10*jH

, i

10HF - :C

vs

> ............................ ....

(e)

(d)

Figura P3-6

3-9.

3-10.

3-11.

3-12.

3-13.

cin se abre, (a) determine el voltaje inverso del


diodo D], (b) calcule la corriente pico del pri
mario, (c) calcule la corriente pico del secunda
rio, ( d ) determine el tiempo durante el cual el
diodo D i conduce y (e) determine la energa
proporcionada por la fuente.
Un puente rectificador monofsico tiene una
carga puramente resistiva R = 10 Q, el voltaje
pico de alimentacin Vm = 170 V y la frecuencia
de alimentacin / = 60 Hz. Determine el voltaje
promedio de salida del rectificador, si la induc
tancia de la fuente es despreciable.
Repita el problema 3-9 si la inductancia de la
fuente por fase (incluyendo la inductancia de fu
ga del transformador) es Lc = 0.5 mH.
Un rectificador de seis fases en estrella tiene
una carga puramente resistiva R = 10 Q, un vol
taje pico de alimentacin Vm = 170 V y la fre
cuencia de alimentacin / = 60 Hz. Determine
el voltaje promedio de salida del rectificador, si
la inductancia de fuente es despreciable.
Repita el problema 3-11 si la inductancia de
fuente por fase (incluyendo la inductancia de fu
ga del transformador) es Lc = 0.5 mH.
Un puente rectificador trifsico tiene una carga
puramente resistiva R = 100 Q y est alimenta
do a partir de una fuente de 280-V 60-Hz. El
primario y el secundario del transformador de
entrada estn conectados en estrella. Determine

Pro b lem as

3-14.

3-15.

3-16.

3-17.

3-18.

el voltaje promedio'de salida del rectificador si


las inductancias de fuente son despreciables.
Repita el problema 3-13 si la inductancia de
fuente por fase (incluyendo la inductancia de fu
ga del transformador es) Lc = 0.5 mH.
El puente rectificador monofsico de la figura
3-19a se necesita para alimentar un voltaje
promedio de
= 400 V a una carga resistiva R
= 10 l. Determine las especificaciones del vol
taje y de corriente de los diodos y del transfor
mador.
Se requiere de un puente rectificador trifsico
para alimentar un voltaje promedio de
= 750
V en una corriente libre de componente undula
toria de /cd= 9000 A. El primario y el secundario
del transformador estn conectados en estrella.
Determine las especificaciones de voltaje y de
corriente para los diodos y el transformador.
El rectificador monofsico de la figura 3-18a
tiene una carga RL. Si el voltaje pico de entrada
es Vm = 170 V, la frecuencia de entrada / = 60
Hz, y la resistencia de carga R = 15 2, determi
ne la inductancia de carga L para limitar la ar
mnica de conriente de carga a un 4% del valor
promedio I q.
El rectificador trifsico estrella de la figura 3-24a
tiene una carga RL. Si el voltaje pico en el secun
dario por fase es Vm = 170 V a 60 Hz y la resisten
cia de carga es R = 15 Q, determine la inductancia

93

de carga L para limitar las armnicas de corriente


de la carga a 2% del valor promedio IQ.
3-19. El voltaje de batera de la figura 3-17a es E = 20
V y su capacidad es 200 W-h. La comente de
carga promedio deber ser Ic = 10 A. El voltaje
de entrada en el primario es Vp = 120 V, 60 Hz
teniendo el transformador una relacin de vuel
tas n = 2:1. Calcule (a) el ngulo de conduccin
8 del diodo, ( b ) la resistencia limitadora de co
rriente R, (c) la especificacin de potencia Pr de
R, (d) el tiempo de carga h en horas, (e) la efi
ciencia Ti de rectificador y (f) el voltaje de pico
inverso PIV del diodo.
3-20. El rectificador monofsico de onda completa de
la figura 3-21a tiene una L = 4.5 mH, R = 5 Q y
E = 20 V. El voltaje de entrada es V, = 120 V a
60 Hz. (a) Determine (1) la corriente de carga
en rgimen permanente \ a (O = 0, (2) la co
rriente promedio del diodo d, (3) la corriente
rms del diodo 1r, y (4) la corriente de salida rms
Ums- (b) Utilice PSpice para graficar la corriente
instantnea de salida . Suponga los parmetros
de diodo S = 2.22E-15, BV=1800V.

3-25.

3-26.

3-27.

3-21. El rectificador trifsico de onda completa de la


figura 3-25a! tiene una carga L = 2.5 mH, R =
5 1 y E = 20 V. El voltaje de entrada, lnea a
lnea, es Vab = 208 V, 60 Hz. (a) Determine (1)
la corriente de carga en rgimen permanente I\ a
3-28.
(O = 71/3, (2) la corriente promedio de diodo 1,
(3) la corriente rms de diodo lr y (4) la corriente
rms de salida / ms. ( b ) Utilice PSpice para graficar la corriente instantnea de salida l- Suponga
los parmetros de diodo IS = 2 .2 2 E -1 5 ,
BV=1800V.
3-22. Un puente rectificador monofsico est alimen
tado desde una fuente de 120 V, 60 Hz. La resis
tencia de carga es R = 200 Q. (a) Disee un filtro
C, de tal forma que el factor de componente on
dulatoria del voltaje de salida sea menor del 5%.
3-29.
( b ) Con el valor del capacitor C de la parte (a),
calcule el voltaje promedio de la carga Ved3-23. Repita el problema 3-22 para un rectificador
monofsico de media onda.
3-24. El voltaje rms de entrada al circuito de la figura
3-33a es 120 V, 60 Hz. (a) Si el voltaje de salida
de comente directa es Vc = 48 V a /cl| = 25 A,
determine los valores de la inductancia Le, a, (3 e

94

rms- (b) Si /i = 15 A y Le = 6.5 mH, utilice la ta


bla 3-1 para calcular los valores de
a, e / ms.
El rectificador monofsico de la figura 3-18a
tiene una carga resistiva R, y un capacitor C est
conectado a travs de la carga. La corriente pro
medio de carga es lc. Suponiendo que el tiempo
de carga del capacitor es despreciable en com
paracin con el de descarga, determine las ar
mnicas del voltaje rms de salida, Va .
El filtro LC que se muestra en la figura 3-29c es
utilizado para reducir el contenido de compo
nente ondulatoria del voltaje de salida en un rec
tificador estrella de seis fases. La resistencia de
carga es R = 20 2, la inductancia de carga es L
= 5 mH, y la frecuencia de la fuente es 60 Hz.
Determine los parmetros del filtro Le y Ce, de
tal manera que el factor de componente ondula
toria del voltaje de salida sea 5%.
El puente rectificador trifsico de la figura 3-25a
tiene una carga RL y es alimentado a partir de
una fuente conectada en estrella, (a) Use el m
todo de las series de Fourier para obtener expre
siones para el voltaje de salida v() y de la
corriente de carga /(). (b) Si el voltaje pico de
fase es Vm = 170 V a 60 Hz y la resistencia de
carga es R = 200 2, determine la inductancia de
carga L para limitar la corriente de componente
ondulatoria a 2% del valor promedio IQ.
El rectificador monofsico de media onda de la
figura 3-16a tiene un diodo de marcha libre y
una corriente promedio de carga, libre de com
ponente ondulatoria, Ia. (a) Dibuje las formas de
onda para las corrientes en D i, Dm, y el primario
del transformador, (b) exprese la corriente del
primario en series de Fourier y (c) determine el
factor de potencia de entrada PF y el factor ar
mnico HF de la corriente de entrada del rectifi
cador. Suponga una relacin de vueltas del
transformador igual a la unidad.
El rectificador monofsico de onda completa de
la figura 3-18a tiene una corriente promedio de
carga, libre de componente ondulatoria, la. (a)
Dibuje las formas de onda de las corrientes en
Di, D 2 y el primario del transformador, ( b ) ex
prese la corriente del primario en series de Fou
rier y (c) determine el factor de potencia de
entrada PF y el factor armnico HF de la co
rriente de entrada al rectificador. Suponga una

Circuitos de d io d o s y rectificad o res

Cap. 3

relacin de vueltas del transformador igual a la


unidad.
3-30. El rectificador multifase en estrella de la figura
3-24a tiene tres pulsos proporcionando una co
rriente promedio de carga, libre de componente
ondulatoria, la. El primario y el secundario del
transformador estn conectados en estrella. Su
ponga una relacin de vueltas del transformador
igual a la unidad, (a) Dibuje las formas de onda
para las corrientes en D\, Dz,
y en el prima
rio del transformador, (b) exprese la corriente
en el primario en series de Fourier y (c) determi
ne el factor de potencia de entrada PF y el factor
armnico HF de la corriente de entrada.
3-31. Repita el problema 3-30 si el primario del trans
formador est conectado en delta y el secunda
rio en estrella.
3-32. El rectificador multifase en estrella de la figura
3-24a tiene seis pulsos proporcionando una co
rriente promedio de carga, libre de componente
ondulatoria, Ia. El primario del transformador
est conectado en delta y el secundario en estre
lla. Suponga una relacin de vueltas del trans
formador igual a la unidad, (a) Dibuje las
formas de onda para las corrientes en D i, D i, D3
y el primario del transformador, (b) exprese la
corriente en el primario en series de Fourier (c)
determine el factor de potencia de entrada PF y
el factor armnico HF de la corriente de entrada.
3-33. El puente rectificador trifsico de la figura 3-25a
proporciona una corriente de carga, libre de
componente ondulatoria, la. El primario y el se
cundario del transformador estn conectados en
estrella. Suponga una relacin de vueltas del

Sec. 3-2

H istory o f P o w e r Electronics

transformador igual a la unidad, (a) Dibuje las


formas de onda para las corrientes en Di, Di, D5
y la corriente de fase en el secundario del trans
formador, (b) exprese la corriente de fase en el
secundario en series de Fourier y (c) determine
el factor de potencia de entrada PF y del factor
armnico HF de la corriente de entrada.
3-34. Repita el problema 3-33 si el primario del trans
formador est conectado en delta y el secunda
rio en estrella.
3-35. Repita el problema 3-33 si tanto el primario co
mo el secundario del transformador estn conec
tados en delta.
3-36. Un circuito de diodos se muestra en la figura
P3-36, donde la corriente de carga est fluyendo
a travs del diodo Dm. Si se cierra el interruptor
Si en = 0, determine (a) expresiones para vc(),
ic(t) e (i); ( b ) el tiempo i donde el diodo D 1
deja de conducir; (c) el tiempo tq donde el volta
je a travs del capacitor se convierte en cero y
( d ) el tiempo requerido para que el capacitor se
recargue al voltaje de alimentacin Vs.

L
D,
-------- ------------ ------- P
s,
rN

U. Vc. - |
1
II
r
+
1
V,

i.

V,

Figura P3-36.

95

Los tiristores

4-1 INTRODUCCION
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de dispositivos semiconductores de potencia. Los
tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como
conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas
aplicaciones se puede suponer que los tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque
los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones.

4-2 CARACTERISTICAS DE LOS TIRISTORES


Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones
pn. Tiene tres terminales: nodo, ctodo y compuerta. La figura 4-1 muestra el smbolo del tiristor
y una seccin recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusin.
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J\ y J-, tie
nen polarizacin directa o positiva. La unin J i tienen polarizacin inversa, y slo fluir una pe
quea corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en condicin de
bloqueo directo o en estado desactivado llamndose a la corriente de fuga corriente de estado
inactivo Id- Si el voltaje nodo a ctodo Vak se incrementa a un valor lo suficientemente grande,
la unin J2 polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalan
cha y el voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa Vgo- Dado que las uniones J\
y J2 ya tienen polarizacin directa, habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres
uniones, que provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice entonces que el dispositivo
est en estado de conduccin o activado. La cada de voltaje se deber a la cada hmica de las
cuatro capas y ser pequea, por lo comn 1 V. En el estado activo, la corriente del nodo est li
mitada por una impedancia o una resistencia externa, /?, tal y como se muestra en la figura 4-2a.

96

A fr A nodo
? A

O
^

a _
C om puerta

ki

Figura 4-1 Smbolo del tiristor y


tres uniones pn.

Ctodo

La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche II, a
fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo contrario,
al reducirse el voltaje del nodo a ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La
corriente de enganche, /,es la corriente del nodo mnima requerida para mantener el tiristor en
estado de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado la seal de
la compuerta. En la figura 4-2b aparece una caracterstica v-i comn de un tiristor.
Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay
control sobre el dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe una
capa de agotamiento debida a movimientos libres de los portadores. Sin embargo, si se reduce la
corriente directa del nodo por debajo de un nivel conocido como corriente de mantenimiento h,
se genera una regin de agotamiento alrededor de la unin J 2 debida al nmero reducido de porta
dores; el tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del orden

Cada directa de voltaje


(en conduccin)
Corriente de
enganche
V oltaje
inverso
de ruptura

Disparo de
com puerta

C orriente de
m an ten im iento

V oltaje
de ruptura
directa

<h

Veo Vak
Corriente
de fuga
inversa

Corriente
de fuga
di recta

(b) Caractersticas v-i

Figura 4-2

Sec. 4-2

Circuito tiristor y caractersticas v-.

C aractersticas de los tiristo res

97

de los miliamperios y es menor que la corriente de enganche, /. Esto significa que I I > h - La co
rriente de mantenimiento I h es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en estado
de rgimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche.
Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al nodo, la unin J% tiene polariza
cin directa, pero las uniones J\ y J3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos co
nectados en serie con un voltaje inverso a travs de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo
inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente inversa, I r , fluir a travs del
dispositivo.
Un tiristor se puede activar aumentando el voltaje directo de V A k ms all de V b o , pero esta
forma de activarlo puede ser destructiva. En la prctica, el voltaje directo se mantiene por debajo
de V b o y el tiristor se activa mediante la aplicacin de un voltaje positivo entre la compuerta y el
ctodo. Esto se muestra en la figura 4-2b con lneas punteadas. Una vez activado el tiristor me
diante una seal de compuerta y una vez que la corriente del nodo es mayor que la corriente de
mantenimiento, el dispositivo contina conduciendo, debido a una retroalimentacin positiva, aun
si se elimina la seal de compuerta. Un tiristor es un dispositivo de enganche.

4-3 MODELO DE TIRISTOR DE DOS TRANSISTORES


La accin regenerativa o de enganche debida a la retroalimentacin directa se puede demostrar
mediante un modelo de tiristor de dos transistores. Un tiristor se puede considerar como dos
transistores complementarios, un transistor pnp, Q, y otro npn, Q2, tal y como se muestra en la
figura 4-3a.
La corriente del colector Ic de un tiristor se relaciona, en general, con la corriente del emi
sor Ig y la corriente de fuga de la unin colector-base / o , como
Ic

oJ e

(4-1)

+ C B O

la ganancia de corriente de base comn se define como a = I c/I e Para el transistor Q \, la corrien
te del emisor es la corriente del nodo I \ , y la corriente del colector Ic \ se puede determinar a par
tir de la ecuacin (4-1):
Ici = o.\Ia +

p
Qi

(4-2)

cboi

q2

j,

J2

p
n

(a) Estructura bsica


Figura 4-3

98

Modelo de tiristor de dos transistores.

Los tiristo res

Cap. 4

donde a i es la ganancia de corriente y Icboi es la corriente de fuga para Q \. En forma similar, pa


ra el transistor Q2, la corriente del colector cz es
lC2 = 2K + CB02

(4-3)

donde a 2 es la ganancia de corriente y I cboi es la comente de fuga correspondiente a Q i. Al com


binar Ic\ e a , obtenemos
U = Ici + IC2 = 0.\A + Icbo\ + 0.2k + Icbo2

(4-4)

Pero para una corriente de compuerta igual a /c , k = a + g resolviendo la ecuacin (4-4) en fun
cin de a obtenemos

ajlcj + cbo\ + I cboi


1 - (c +,)

<4-5>

La ganancia de corriente a i vara con la corriente del emisor


= e\ y a 2 vara con k = a
+ I g . Una variacin tpica de la ganancia de corriente a con la corriente del emisor e se muestra
en la figura 4-4. Si la corriente de compuerta g se incrementa en forma repentina, digamos desde
0 hasta 1 mA, la corriente del nodo a aumenta inmediatamente, lo que incrementar an ms a
a i y a.2. a 2 depender tanto de a como de lo- El aumento en los valores de a i y de a 2 incremen
tara an ms a a. Por lo tanto, existe un efecto regenerativo o de retroalimentacin positiva. Si
(a i + a 2) tiende a la unidad, el denominador de la ecuacin (4-5) se acerca a 0; esto dar como re
sultado un valor grande de la corriente del nodo a, y el tiristor se activar con una pequea co
rriente de compuerta.
Bajo condiciones transitorias, las capacitancias de las uniones p n , como aparecen en la figura
4-5, influirn en las caractersticas del tiristor. Si el tiristor est en un estado de bloqueo, un voltaje
de crecimiento rpido aplicado a travs del dispositivo causara un flujo alto de corriente a travs
de los capacitores de la unin. La corriente a travs del capacitor C2 se puede expresar como
dififi) _ d . _
. _
dCj2

lJ2 ~ ~ d T " d t (Cj2Vj2} ~ V'2 dt +

dVj2
dt

..
(4*6)

donde Ci y V2 son la capacitancia y el voltaje de la unin J 2, respectivamente. qp_ es la carga de


la unin. Si la velocidad de elevacin del voltaje dv/dt es grande, entonces i2 tambin ser grande

Figura 4-4

Sec. 4-3

Variacin tpica de ganancia de corriente con la corriente del emisor.

M o d e lo de tiristo r de dos transistores

99

|K
K

Figura 4-5 M odelo transitorio de un


tiristor de dos transistores.

dando esto como resultado corrientes de fuga incrementadas Icboi e Icboi De acuerdo con la
ecuacin (4-5), valores lo suficientemente altos de Icboi y de Icboi pueden causar que (a i + 012)
tienda a la unidad dando como resultado una activacin indeseable del tiristor. Sin embargo, una
corriente grande a travs de los capacitores de unin tambin puede daar al dispositivo.

4-4 ACTIVACION DEL TIRISTOR


Un tiristor se activa incrementando la corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo mediante
una de las siguientes formas.
Trmica.
Si la temperatura de un tiristor es alta, habr un aumento en el nmero de pa
res electrn-hueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes har
que a i y a 2 aumenten. Debido a la accin regenerativa (ai + a 2) puede tender a la unidad y el ti
ristor pudiera activarse. Este tipo de activacin puede causar una fuga trmica que por lo general
se evita.
Luz.
Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentarn los pares
electrn-hueco pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra al permi
tir que sta llegue a los discos de silicio.
Alto voltaje.
Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura di
recto V bo . fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo
de activacin puede resultar destructiva por lo que se debe evitar.
d v /d t.
Se puede notar de la ecuacin (4-6) que si la velocidad de elevacin del voltaje
nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente para ac
tivar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga puede daar el tiristor; por lo que el dispositivo

1 00

Los tiristo res

Cap. 4

Il
Ih

V3

V2

v,>v 2>v 3

Figura 4-6

Efectos de la corriente de compuerta sobre el voltaje de bloqueo directo.

debe protegerse contra un dv/dt alto. Los fabricantes especifican el dv/dt mximo permisible de
los tiristores.
Corriente de compuerta.
Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una
corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las termi
nales del ctodo activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el
voltaje de bloqueo directo, tal y como aparece en la figura 4-6.
La figura 4-7 muestra la forma de onda de la corriente del nodo, inmediatamente despus
de la aplicacin de la seal de compuerta. Existe un retraso conocido como tiempo de activacin
ton entre la aplicacin de la seal de compuerta y la conduccin de un tiristor. ton se define como
el intervalo de tiempo entre el 10 % de la corriente de compuerta de rgimen permanente (0. 1 /c ) y
el 90% de la corriente activa del tiristor en rgimen permanente (0.9/7-). ion es la suma del tiempo
de retraso t y el tiempo de elevacin tr. td se define como el intervalo de tiempo entre el 10 % de
la corriente de compuerta (0.1/ g) y el 10% de la corriente activa del tiristor (O.l/y). r es el tiempo
requerido para que la corriente del nodo se eleve del 10% del estado activo (O.I/7) al 90% de la
corriente en estado activo (0.9It). Estos tiempos se ilustran en la figura 4-7.

It

0.9 lT

0.1 lT

0 .1 1

Figura 4-7

Sec. 4-4

A ctivaci n del tiristo r

Caractersticas de activacin.

101

Se deben tomar en cuenta los siguientes puntos en el diseo de un circuito de control de


compuerta:
1. La seal de compuerta debe eliminarse despus de activarse el tiristor. Una seal conti
nua de compuerta aumentara la prdida de potencia en la unin de la compuerta.
2. Mientras el tiristor est con polarizacin inversa, no debe haber seal de compuerta; de
lo contrario, el tiristor puede fallar debido a una corriente de fuga incrementada.
3. El ancho del pulso de la compuerta g debe ser mayor que el tiempo requerido para que
la corriente del nodo se eleve al valor de corriente de mantenimiento Ih. En la prctica, el ancho
del pulso g por lo general se disea mayor que el tiempo de activacin 0n del tiristor.

Ejemplo 4-1
La capacitancia de una unin con polarizacin inversa J i en un tiristor es Cjj = 20pF y se puede
suponer independiente del voltaje en estado desactivado. El valor limitante de la corriente de car
ga para activar el tiristor es de 16 mA. Determine el valor crtico de dv/dt.
Solucin Cj2 = 20pF e )2 = 16 mA. Dado que d(Cj2)/dt = 0, podemos encontrar el valor crtico
de dv/dt a partir de la ecuacin (4-6):
dv
m

ij2

16 x 10-3

t n = M

in r "

on ...
-

800 v ,

4-5 PROTECCION CONTRA d ild t


Un tiristor requiere de un tiempo mnimo para dispersar la conduccin de la corriente en forma
uniforme a travs de las uniones. Si la velocidad de elevacin de la corriente del nodo es muy al
ta en comparacin con la velocidad de dispersin del proceso de activacin, aparecer un punto de
calentamiento, debido a una alta densidad de corriente, por lo que el dispositivo puede fallar, de
bido a una temperatura excesiva.
Los dispositivos prcticos deben protegerse contra un dildt alto. Como ejemplo, considere
mos el circuito de la figura 4-8. Bajo una operacin de rgimen permanente, Dm conduce cuando
el tiristor Ti est desactivado. Si T\ se dispara cuando Dm an est conduciendo, dildt puede resul
tar muy alto y solamente limitado por la inductancia dispersa del circuito.

Figura 4-8

102

Circuito pulsador con inductores limitantes de dildt.

Los tiristo res

Cap. 4

En la prctica, dildt se limita al aadir un inductor en serie Ls, tal y como aparece en la figu
ra 4-8. El dildt directo es
L = h
dt
Ls

(4-7 )

donde Ls es la inductancia en serie, que incluye cualquier inductancia dispersa.

4-6 PROTECCION CONTRA dv/dt


Si el interruptor Si de la figura 4-9a se cierra en t = 0, se aplicar un escaln de voltaje a travs del
tiristor T\ por lo que dv/dt puede ser lo suficientemente alto para activar el dispositivo. El dv/dt se
puede limitar conectando el capacitor Cs, como aparece en la figura 4-9a. Cuando el tiristor Ti se
active, la corriente de descarga del capacitor estar limitada por el resistor Rs, como aparece en la
figura 4-9b.
Con un circuito RC conocido como circuito de freno, el voltaje a travs del tiristor se eleva
r en forma exponencial, como se muestra en la figura 4-9c, y el circuito dv/dt puede encontrarse
aproximadamente a partir de
dv

Tt

0.632V,

0.632 V,

(4-8)

R SC S

El valor de la constante de tiempo del freno t = RSCS se puede determinar de la ecuacin (4-8)
a partir de un valor conocido dv/dt. El valor de Rs se encuentra a partir de la corriente de des
carga T D R, =

Vv

(4-9)

'T D

+
p
11__

<

s,

s T,
Vak N

(a)

(b)

Figura 4-9

Sec. 4-6

Proteccin contra d v /d t

(c)

Circuitos de proteccin dv/dt.

103

Es posible utilizar ms de una resistencia para dv/dt y para la descarga, tal y como aparece en la
figura 4-9d. dv/dt queda limitado por R\ y por Cs. (Ri + Ri) limita la corriente de descarga, de mo
do que
= r T T r 1

(4' i0)

La carga puede formar un circuito en serie con la red de freno, tal y como se muestra en la figura
4-9e. De las ecuaciones (3-23) y (3-24), la relacin de amortiguacin 8 de una ecuacin de segun
do orden es
a
R, + R I Cv
.........

s= =-^vr?L

(4-|l)

donde Ls es la inductancia dispersa, y L y R son la inductancia y la resistencia de la carga, respec


tivamente.
A fin de limitar el excedente de voltaje pico aplicado a travs del tiristor, la relacin de
amortiguacin se utiliza en el rango de 0.5 a 1.0. Si la inductancia de la carga es alta, que por lo
general es el caso, R, puede ser alto y Cs puede ser pequeo, para reterer el valor deseado de la re
lacin de amortiguacin. Un valor alto de R reducir la corriente de descarga y un valor bajo de
Cs reducir la prdida del circuito de freno. Los circuitos de la figura 4-9 debern ser totalmente
analizados a fin de determinar el valor requerido de la relacin de amortiguacin para limitar
dv/dt a un valor deseado. Una vez conocida la relacin de amortiguacin, se pueden determinar/?,
y Cs. Por lo general, se utiliza la misma red RC o de freno, tanto para la proteccin dv/dt como pa
ra suprimir el voltaje transitorio debido al tiempo de recuperacin inversa. En la seccin 15-4 se
analiza la supresin del voltaje transitorio.

Ejemplo 4-2_____________________________________________________________________________
El voltaje de entrada de la figura 4-9e es Vs = 200 V con una resistencia de carga R = 52. Las in
ductancias de carga y dispersas son despreciables y el tiristor es operado a una frecuencia de f s
= 2 kHz. Si el dv/dt requerido es 100 V7|is y la corriente de descarga debe limitarse a 100 A, de
termine (a) los valores de Rs y Cs, (b) la perdida en el circuito de freno y (c) la especificacin de
potencia de la resistencia del circuito de freno.
Solucin dv/dt = 100 V7|s, ljo = 100 A,R = 52, L = Ls = 0 ,y Vs = 200 V.
(a)
A partir de la figura 4-9e, la corriente de carga del capacitor del circuito de freno se
puede expresar de la siguiente forma

Vs

= (R v + R )i +

J /

dt

vc{t

0)

Con la condicin inicial vc(t = 0) = 0, la corriente de carga se encuentra como

i(,) - w

-'a

donde x = (Rs + R)CS. El voltaje directo a travs del tiristor es


M 0 = v * ~ r ^ T r e~,lT
En t = 0 ,

v t< 0 )

= V, - RVS/(RS + R) y en t = x, vj<x) = VS- 036SRVJ(Rs + R):


dv

dt

104

(413)

vt(t)

- i>7-(0) _

0 .6 3 2 /? V j

CS(RS + R Y

(4_14)

Los tiristo res

Cap. 4

De la ecuacin 4-9, Rs = Vy/TO = 200/100 = 22. La ecuacin 4-14 da

^
0.632 x 5 x 200 x 106 .
C' = ------ (2 + 5)*' x~ 100------- = - '29

(b) La prdida del circuito de freno es


Ps = 0.5 C<V)fs

(4-15)

= 0.5 x 0.129 x 10'6 x 2002 x 2000 = 5.2 W


(c) Suponiendo que toda la energa almacenada en Cs se disipa nicamente en Rs, la espe
cificacin de potencia de la resistencia del circuito de freno es 5.2 W.

4-7 DESACTIVACION DEL TIRISTOR


Un tiristor que est en estado activo se puede desactivar reduciendo la corriente directa a un ni
vel por debajo de la corriente de mantenimiento ///. Existen varias tcnica;? para desactivar un ti
ristor, y se analizan en el captulo 7. En todas las tcnicas de conmutacin, la corriente del nodo
se mantiene por debajo de la corriente de mantenimiento durante un tiempo lo suficientemente
largo, de tal manera que todos los portadores en exceso en las cuatro capas sean barridos o re
combinados.
Debido a las dos uniones p n exteriores J\ y
las caractersticas de desactivacin deberan
ser similares a las de un diodo, con la exhibicin de un tiempo de recuperacin inverso trr y una
corriente de recuperacin de pico inverso I r r . I rr jpuede ser mucho mayor que la corriente de blo
queo inversa normal, Ir. En un circuito convertidor, conmutado por lnea, en el que el voltaje de
entrada es alterno, como se muestra en la figura 4 -10a, aparece un voltaje inverso a travs del ti
ristor inmediatamente despus de que la corriente directa pasa a travs de un valor cero. Este vol
taje inverso acelerar el proceso de desactivacin, al barrer los portadores en exceso de las
uniones p n J \ y J i . Para calcular trr e I rr son aplicables las ecuaciones (2-6) y (2-7).
La unin p n interior J i requerir de un tiempo conocido como tie m p o d e r e c o m b in a c i n trc
para recombinar los portadores en exceso. Un voltaje inverso negativo reducira dicho tiempo de
recombinacin. t rc depende de la magnitud del voltaje inverso. Las caractersticas de desactiva
cin se muestran en las figuras 4-10a y b para un circuito conmutado por lnea y para un circuito
de conmutacin forzada, respectivamente.
El tiempo de desactivacin tq es la suma del tiempo de recuperacin inverso t rr y el tiem
po de recombinacin t rc. Al final de la desactivacin, se desarrolla una capa de agotamiento a
travs d la unin J 2, y el tiristor recupera su capacidad de soportar voltaje directo. En todas las
tcnicas de conmutacin del captulo 7, se aplica un voltaje inverso a travs del tiristor durante
el proceso de desactivacin.
El tie m p o d e d e s a c tiv a c i n tq es el valor mnimo del intervalo de tiempo entre el instante en
que la corriente de activacin se ha reducido a cero y el instante en que el tiristor es capaz de so
portar un voltaje directo sin activarse. tq depende del valor pico de la corriente de estado activo y
del voltaje instantneo de estado activo.
La c a r g a r e c u p e r a d a in v e r s a Q rr es la cantidad de carga que debe recuperarse durante el
proceso de desactivacin. Su valor queda determinado por el rea encerrada por la trayectoria de
la corriente de recuperacin inversa. El valor de Q rr depende de la velocidad de reduccin de la

Sec. 4-7

Desactivacin del tiristo r

105

Figura 4-10 Caractersticas de desactivacin.


corriente de estado activo y del valor pico de la corriente de estado activo, antes de la desactiva
cin. Q kr causa una correspondiente prdida de energa dentro del dispositivo.

4-8 TIPOS DE TIRISTORES___________________________________ ___________________


Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un
tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta
cuando inicia la serial de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de
activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta.

1 06

Los tiristo res

Cap. 4

Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y de desactivacin, en


general los tiristores pueden clasificarse en nueve categoras:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.

Tiristores de control de fase (SCR)


Tiristores de conmutacin rpida (SCR)
Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO)
Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC)
Tiristores de conduccin inversa (RCT)
Tiristores de induccin esttica (SITH)
Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)
Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
Tiristores controlados por MOS (MCT)

4-8.1 Tiristores de control de fase


Este tipo de tiristores por lo general opera a la frecuencia de lnea, y se desactiva por conmutacin
natural. El tiempo de desactivacin, tq, es del orden de 50 a 100|j.s. Esto es muy adecuado en espe
cial para las aplicaciones de conmutaciones a baja velocidad. Tambin se les conoce como tiristo
res convertidores. Dado que un tiristor es bsicamente un dispositivo controlado y fabricado de
silicio, tambin se conoce como un rectificador controlado de silicio (SCR).
El voltaje en estado activo, Vy, por lo comn vara desde aproximadamente 1.15 V para 600
V, hasta 2.5 V para dispositivos de 4000-V; y para un tiristor de 5500-A 1200-V es tpicamente
1.25 V. Los tiristores modernos utilizan una compuerta amplificadora, en la que se dispara un ti
ristor auxiliar TA mediante una seal de compuerta, y de all la salida amplificada de Ta se aplica
como seal de compuerta al tiristor principal Tm. Esto se muestra en la figura 4-11. La compuerta
amplificadora permite caractersticas altamente dinmicas con dvldt tpicas de 1000 V/p.s y dildt
de 500 A/|lIs, simplificando el diseo de los circuitos para reducir el inductor limitante dildt y los
circuitos de proteccin dvldt.
4-8.2 Tiristores de conmutacin rpida
Estos se utilizan en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad con conmutacin forzada (por
ejemplo, pulsadores en el captulo 9 e inversores en el captulo 10). Tienen un tiempo corto de de
sactivacin, por lo general de 5 a 50 (is, dependiendo del rango de voltaje. La cada directa en es
tado activo vara aproximadamente en funcin inversa del tiempo de desactivacin tq. Este tipo de
tiristor tambin se conoce como tiristor inversor.
Estos tiristores tienen un dvldt alto, tpicamente de 1000 V/(is, y un dildt de 1000 A/(xs. La
desactivacin rpida y el dildt alto son muy importantes para reducir el tamao y el peso de los

11 A nodo

Corr
i Ctodo

Sec. 4-8

T ip o s de tiristo res

Figura 4-11 Tiristor de compuerta


amplificadora.

107

componentes de conmutacin o reactivos del circuito 4. El voltaje en estado activo de un tiristor


de 2200 A 1800 V es por lo comn de 1.7 V. Los tiristores inversores con una muy limitada capa
cidad de bloqueo inverso, tpicamente de 10 V, y un tiempo de desactivacin muy corto, entre 3 y
5 |xs, se conocen comnmente como tiristores asimtricos (ASCR). En la figura 4-12 se muestran
tiristores de conmutacin rpida de varios tamaos.
4-8.3 Tiristores de desactivacin por compuerta
Un tiristor de desactivacin por compuerta (GTO), al igual que un SCR, puede activarse mediante
la aplicacin de una seal positiva de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar mediante una
seal negativa de compuerta. Un GTO es un dispositivo de enganche y se puede construir con es
pecificaciones de corriente y voltaje similares a las de un SCR. Un GTO se activa aplicando a su
compuerta un pulso positivo corto y se desactiva mediante un pulso negativo corto. Los GTO tie
nen varias ventajas sobre los SCR: (1) la eliminacin de los componentes auxiliares en la conmu
tacin forzada, que da como resultado una reduccin en costo, peso y volumen; (2) la reduccin
del ruido acstico y electromagntico debido a la eliminacin de bobinas de induccin en la con
mutacin; (3) una desactivacin ms rpida, que permite frecuencias de conmutacin ms altas; y
(4) una eficiencia mejorada de los convertidores.
En aplicaciones de baja potencia, los GTO tienen las siguientes ventajas sobre los transisto
res bipolares: (1) una ms alta capacidad de voltaje de bloqueo; (2) una relacin alta de corriente
de pico controlable a corriente promedio; (3) una relacin alta de corriente de pulsacin pico a co
rriente promedio, tpicamente de 10:1; (4) una ganancia alta en estado activo (corriente del nodo
dividida entre la corriente de la compuerta) tpicamente 600; y (5) una seal de compuerta pulsada
de corta duracin. Bajo condiciones de pulsacin de carga, un GTO pasa a una saturacin ms
profunda debido a la accin rcgcncrativa. Por otra parle, un transistor bipolar tiende a salirse de
saturacin.
Un GTO tiene una ganancia baja durante el desactivamiento, tpicamente de 6, y para desac
tivarse requiere de un pulso de corriente negativa relativamente alto. Tiene un voltaje en estado
activo ms alto que el de los SCR. El voltaje en estado activo de un GTO tpico de 550 A 1200 V
es de 3-4 V. Un GTO de 160 A 200 V del tipo 160PFT aparece en la figura 4-13, las uniones de
este GTO se muestran en la figura 4.14.

1 08

Los tiristo res

Cap. 4

La c o r r ie n te p i c o en e s ta d o a c tiv o c o n tr o la b le I tg q es el valor pico de la corriente activa


que puede desconectarse por control de compuerta. El voltaje en estado desactivado se reaplica en
forma inmediata despus de la desactivacin y el d v /d t rcaplicado se limita nicamente a la capa
citancia del circuito de frenado. Una vez desactivado un GTO, la corriente de carga /, que es des
viada y carga al capacitor de circuito de freno, determina el d v /d t reaplicado.
d v _ // .
d i ~

donde Cs es la capacitancia del circuito de frenado.


4-8.4 Tiristores de triodo bidireccional
Un TRIAC puede conducir en ambas direcciones, y normalmente se utiliza en el control de fase
de corriente alterna (por ejemplo, controladores de voltaje de ca del captulo 6). Se puede conside-

Figura 4-14 Uniones del GTO de


160 A de la figura 4-13. (Cortesa de
International Rectifier.)

Sec. 4 -8

T ip o s de tiristo res

109

rar como si fueran dos SCR conectados en antiparalelo, con una conexin de compuerta comn,
como se muestra en la figura 4 -15a. Las caractersticas v-i aparecen en la figura 4-15c.
Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales
como nodo y ctodo. Si la terminal M T2 es positiva con respecto a la terminal M T\, el TRIAC se
puede activar aplicando una seal de compuerta positiva entre la compuerta G y la terminal M T\.
Si la terminal M Tz es negativa con respecto a la terminal M T\, se activar al aplicar una seal ne
gativa a la compuerta, entre la compuerta G y la terminal M T\. No es necesario que estn presen
tes ambas polaridades en las seales de la compuerta y un TRIAC puede ser activado con una sola
seal positiva o negativa de compuerta. En la prctica, la sensibilidad vara de un cuadrante a otro,
el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante / + (voltaje y corriente de compuerta positivos) o
en el cuadrante IIP (voltaje y corriente de compuerta negativos).
4-8.5 Tiristores de conduccin inversa
En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo antiparalelo a travs de un SCR,
con la finalidad de permitir un flujo de corriente inversa debido a una carga inductiva, y para me
jorar el requisito de desactivacin de un circuito de conmutacin. El diodo fija el voltaje de blo
queo inverso del SCR a 1 o 2 V por debajo de las condiciones de rgimen permanente. Sin
embargo, bajo condiciones transitorias, el voltaje inverso puede elevarse hasta 30 V debido al vol
taje inducido en la inductancia dispersa del circuito dentro del dispositivo.

Figura 4-15

1 10

Caractersticas de un TRIAC.

Los tiristo res

Cap. 4

Un RCT es un intercambio entre caractersticas del dispositivo y requisitos del circuito;


puede considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado, tal y como se muestra
en la figura 4-16. Un RCT se conoce tambin como tiristor asimtrico (ASCR). El voltaje de blo
queo directo vara de 400 a 2000 V y la especificacin de corriente llega hasta 500 A. El voltaje
de bloqueo inverso es tpicamente 30 a 40 V. Dado que para un dispositivo determinado est pre
establecida la relacin entre la corriente directa a travs de un tiristor y la corriente inversa del
diodo, sus aplicaciones se limitarn a diseos de circuitos especficos.

Figura 4-16 Tiristor de conduccin inversa.

4-8.6 Tiristores de induccin esttica


Las caractersticas de un SITH son similares a las de un MOSFET del captulo 8. Por lo general,
un SITH es activado al aplicrsele un voltaje positivo de compuerta, como los tiristores normales,
y desactivado al aplicrsele un voltaje negativo a su compuerta. Un SITH es un dispositivo de
portadores minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado activo
as como una baja cada de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y co
rriente ms altas.
Un SITH tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades altas de dvldt y
dildt. El tiempo de conmutacin es del orden de 1 a 6 (j.s. La especificacin de voltaje puede al
canzar hasta 2500 V y la de corriente est limitada a 500 A. Este dispositivo es extremadamente
sensible a su proceso de fabricacin, por lo que pequeas variaciones en el proceso de manufactu
ra pueden producir cambios de importancia en sus caractersticas.
4-8.7 Rectificadores controlados de silicio activados por luz
Este dispositivo se activa mediante radiacin directa sobre el disco de silicio provocada con luz.
Los pares electrn-hueco que se crean debido a la radiacin producen la corriente de disparo bajo
la influencia de un campo elctrico. La estructura de compuerta se disea a fin de proporcionar la
suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas prcticas (por ejemplo, LED
y para cumplir con altas capacidades de dildt y dv/dt).
Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente [por ejemplo, transmisin
de cd de alto voltaje (HVDC) y compensacin de potencia reactiva esttica o de volt-amperes re
activos (VAR)]. Un LASCR ofrece total aislamiento elctrico entre la fuente de disparo luminoso
y el dispositivo de conmutacin de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto
como unos cuantos cientos de kilovollios. La especificacin de voltaje de un LASCR puede llegar
tan alto como 4 kV a 1500 A, con una potencia de disparo luminoso de menos de 100 mW. El
dildt tpico es 250 A/|j.s y el dvldt puede ser tan alto como 2000 V/(is.

Sec. 4-8

T ip o s de tiristo res

111

4-8.8 Tiristores controlados por FET


Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal y como se muestra en
la figura 4-17. Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje suficiente, tpicamente 3 V,
se genera internamente una corriente de disparo para el tiristor. Tiene una alta velocidad de con
mutacin, un di/dt alto y un dv/dt alto.
Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales, pero no se puede de
sactivar mediante control de compuerta. Esto servira en aplicaciones en las que un disparo ptico
debe utilizarse con el fin de proporcionar un aislamiento elctrico entre la seal de entrada o de
control y el dispositivo de conmutacin del convertidor de potencia.

4-8.9 Tiristores controlados por M OS


Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las caractersticas de un tiristor regenerativo de
cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. En la figura 4 -18a aparece un diagrama esque
mtico de una celda MCT. El circuito equivalente se muestra en la figura 4 - 18b y el smbolo co
rrespondiente en la 4 -18c. La estructura NPNP se puede representar por un transistor N PN Q\ y
un transistor PNP Qi. La estructura de compuerta MOS se puede representar por un MOSFET de
canal p M i y un MOSFET de canal n M i.
Debido a que se trata de una estructura NPNP, en vez de la estructura PNPN de un SCR
normal, el nodo sirve como la terminal de referencia con respecto a la cual se aplican todas las
seales de compuerta. Supongamos que el MCT est en estado de bloqueo directo y se aplica un
voltaje negativo Vqa Un canal p (o una capa de inversin) se forma en el material dopado n, ha
ciendo que los huecos fluyan lateralmente del emisor p 2 de Q2 (fuente Si del MOSFET M \ del
canal p) a travs del canal p hacia la base p B \ de Q\ (que es drenaje D \ del MOSFET M \ del ca
nal p). Este flujo de huecos forma la corriente de base correspondiente al transistor npn Q. A
continuacin, el emisor n+ E\ de Q inyecta electrones, que son recogidos en la base n B 2 (y en el
colector n C 1) que hace que el emisor p 2 inyecte huecos en la base n B 2, de tal forma que se ac
tive el transistor PNP Q2 y engancha al MCT. En breve, un Vqa de compuerta negativa activa al
MOSFET M\ del canal p, proporcionando as la corriente de base del transistor Q2.
Supongamos que el MCT est en estado de conduccin, y se aplica un voltaje positivo V g a Se forma entonces un canal n en el material contaminado p, haciendo que fluyan lateralmente
electrones de la base n B 2 de Q2 (fuente S2 del MOSFET M2 del canal n) a travs del canal n del
emisor n+ fuertemente contaminado de Q\ (drenaje D 2 del MOSFET M 2 del canal +). Este flujo
de electrones desva la corriente de base del transistor PNP Q2 de tal forma que su unin baseA nodo

11

Figura 4-17
o

112

Ctodo

Tiristor controlado por

FET.

Los tiristo res

Cap. 4

Anodo

(a) D iagram a esquem tico

A nod o

A nodo

O
C om puerta

1K
K

Ctodo

(b) Circuito equivalen te

Figura 4-18

Sec. 4-8

(c) S m bo lo

Diagrama esquemtico de circuito equivalente correspondiente a los MCT.

T ip o s de tiristo res

113

emisor se desactiva, y ya no habr huecos disponibles para recoleccin por la basep B \ de Q\ (y el


colector p C2 de Qi). La eliminacin de esta corriente de huecos en la base p B\ hace que se desac
tive el transistor NPN Q, y el MCT regresa a su estado de bloqueo. En breve, un pulso positivo de
compuerta Vga desva la corriente que excita la base de Q u desactivando por lo tanto el MCT.
El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es me
nor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores que su co
rriente controlable pico de especificacin, puede provocar la destruccin del dispositivo. Para
valores ms altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un SCR estndar. Los anchos
de pulso de la compuerta no son crticos para dispositivos de corrientes pequeas. Para corrientes
mayores, el ancho del pulso de desactivacin debe ser mayor. Adems, durante la desactivacin,
la compuerta utiliza una corriente pico. En muchas aplicaciones, incluyendo inversores y pulsado
res, se requiere, de un pulso continuo de com puerta sobre la totalidad del perodo de
encendido/apagado a fin de evitar ambigedad en el estado.
Un MCT tiene (1) una baja cada de voltaje directo durante la conduccin; (2) un tiempo de
activado rpido, tpicamente 0.4 as, y un tiempo de desactivado rpido, tpicamente 1.25 |a.s, para
un MCT de 300 A, 500 V; (3) bajas perdidas de conmutacin; (4) una baja capacidad de bloqueo
de voltaje inverso y (5) una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los
circuitos de excitacin. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para interrumpir corrientes
altas, con slo modestas reducciones en la especificacin de corriente del dispositivo. No se puede
excitar fcilmente a partir de un transformador de pulso, si se requiere de una polarizacin conti
nua a fin de evitar ambigedad de estado.
E jem plo 4-3
Un tiristor conduce una com ente, tal y com o se muestra en la figura 4-19, y el pulso de corriente
se repite con una frecuencia f s = 50 Hz. Determine la corriente promedio en estado activo IrSolucin p = I tm = 1000 A, T = 1/ f s = 1/50 = 20 ms, y t\ = t2 = 5 |is. La corriente promedio en
estado activo es

20,000 [0.5

x 5 x 1000 + (20,000 - 2 x 5) x 1000 + 0.5 x 5 x 1000]

1000

Figura 4-19

Forma de onda de corriente del tiristor.

4-9 OPERACION EN SERIE DE TIRISTORES


Para aplicaciones de alto voltaje, es posible conectar dos o ms tiristores en serie, a fin de propor
cionar la especificacin de voltaje. Sin embargo, debido a la diversidad en la produccin, las ca
ractersticas de los tiristores del mismo tipo no son idnticas. En la figura 4-20 se muestran las

1 14

Los tiristo res

Cap. 4

caractersticas en estado no activo de dos tiristores. Para la misma corriente en estado inactivo, los
voltajes difieren.
En el caso de los diodos, slo se tienen que compartir los voltajes de bloqueo inverso, en
tanto que tratndose de los tiristores, se requieren redes de distribucin de voltaje, tanto para con
diciones inversas, como para condiciones de inactividad. La distribucin del voltaje se lleva a ca
bo, por lo comn, conectando resistencias a travs de cada tiristor, tal y como se muestra en la
figura 4-21. Para voltajes compartidos iguales, las corrientes de estado inactivo difieren, tal y co
mo se muestra en la figura 4-22. Supongamos que en la cadena existen ns tiristores. La corriente
en estado inactivo del tiristor T\ es d\ y las de los dems tiristores son iguales, de tal forma que
I)2 = d = iDn e fo i < D2- Dado que el tiristor 7j en estado inactivo tiene la corriente ms baja, T\
compartir un mayor voltaje.
Si I\ es la corriente de la resistencia R a travs de Ti y las corrientes de las dems resisten
cias son iguales, de tal manera que h - h = In, la reparticin de corriente en estado inactivo es
A lo = Id\ ~ Id i = I t 12 ~ I t + I\ = I\ ~ h

I 2 = I\ ~ AId

El voltaje a travs de T\ es Vd \ = RI\. Utilizando las leyes de voltaje de Kirchhoff obtenemos


Vs = Vm + (n, ~ 1)I2R = VDi + (n, - !)(/, - M D)R
(4-16)

= Vm + {ns - 1)IR - (n s - 1)R A ID


= nsVm - (ns - 1)7? M d
Resolviendo la ecuacin (4-16) en funcin del voltaje Vd \ a travs de T\ obtenemos
+ (n, - 1)R M d

(4-17)

V Di =

--------11------- A V ------------ 1------------1 l---------A V ------------ - ------------- 1[


C,
R,
C,
R,
c,

..
It

.
,
b,

-.-cy
y -
j,

Sec. 4-9

R<

It
r
ba

c /
T2

- - Vu,
*
"V-f
r
+
~
+
L-m. -VW*
-----------w ------
Figura 4-21

-v W

c /

T
W"'

>

Tres tiristores conectados en serie.

O peracin en serie de tiristores

115

Figura 4-22 Corrientes de fuga di


recta en el caso de una distribucin
igual del voltaje.

Vdi resultar mximo cuando d sea mximo. Para /di = 0 y Ao = Ip2, la ecuacin (4-17) propor
ciona el voltaje en rgimen permanente en el peor de los casos a travs de Ti,
^D.Smax)

V, + (n s - 1)R ID2

(4-18)

'*s

Durante la desactivacin, las diferencias en la carga almacenada causan diferencias en la


distribucin del voltaje inverso, tal y como aparece en la figura 4-23. El tiristor con menos carga
recuperada (o con menos tiempo de recuperacin inversa) se enfrentar al voltaje transitorio ms
alto. Las capacitancias de unin, que controlan las distribuciones de voltaje transitorias, no sern
adecuadas y, por lo
general,ser necesario conectar un capacitor C\a travsde cada tiristor, tal y
como aparece en la figura 4-21.R\ limita la corriente de descarga. Por logeneral, se utiliza la mis
ma red RC, tanto para la comparticin de voltaje transitorio, como para la proteccin de dv/dt.
El voltaje transitorio a travs de T\ se puede determinar a partir de la ecuacin (4-17) apli
cando la relacin de la diferencia de voltajes
A V = R A /d = Ql I -g -! = ^
C|
C|

(4-19)

Figura 4-23 Tiempo de recuperacin


inversa y distribucin de voltaje.

1 16

Los tiristo res

Cap. 4

donde Q\ es la carga almacenada de T\, y Q2 es la carga de los dems tiristores, de tal forma que
<22 = 23 = Qn y Q\ < Qi- Sustituyendo la ecuacin (4-19) en la ecuacin (4-17) obtenemos
V, +

(,

1) A g

(4-20)

C,

La comparticin de voltaje transitorio, en el peor caso ocurrir cuando Q\ = 0 y AQ = Q% es


VDT{mx) -

v, +

ns L "

(4-21)
Ci

Un factor de reduccin de especificacin, que se utiliza normalmente para aumentar la confiabilidad de la cadena, se define como
DRF = 1 - ^

-----

(4-22)

f ts V D S ( m ax)

Ejemplo 4-4_____________________________________________________________________________
En una cadena se utilizan diez tiristores para soportar un voltaje de cd V, = 15 kV. La corriente
de fuga mxima y las diferencias de carga de recuperacin de los tiristores son 10 mA y 150 (iC,
respectivamente. Cada tiristor tiene una resistencia de distribucin de voltaje R = 56 k2 y una
capacitancia C\ = 0.5 (J.F. Determine (a) la distribucin de voltaje mxima en rgimen permanen
te V[>s(max), (b) el factor de reduccin de especificacin de voltaje en rgimen permanente, (c) la
comparticin de voltaje transitorio mximo VoTimax) y (d) el factor de reduccin de especifica
cin de voltaje transitorio.
Solucin ns = 10, Vs = 15 kV, Ao = d i = 10 mA, y AQ = Qi = 50 |iC.
(a) De la ecuacin (4-18), la distribucin de voltaje mximo de rgimen permanente es
15,000 + (10 - 1) x 56 x 103 x 10 x 10~3
,,
VDS(mx) = ---------------------- Jq----------------------------- = 2004 V
(c)

De la ecuacin (4-22), el factor de reduccin de especificacin en rgimen permanente es


DRF = 1

10 x 2004 = 25A5%

(c) De la ecuacin (4-21), la comparticin mxima del voltaje transitorio es

_ 15,000 + (10 - 1)

KXT(mx)

150 x 10~6/(0.5 x 1Q-) _


jq

1770 V

(d) De la ecuacin (4-22) el factor de reduccin de especificacin transitorio es

4-10 OPERACION EN PARALELO DE TIRISTORES


Cuando los tiristores se conectan en paralelo, la corriente de la carga no se comparte en forma
igual, debido a diferencias en sus caractersticas. Si un tiristor conduce ms corriente que los
dems, aumenta su disipacin de potencia, incrementando por lo tanto la temperatura de la
unin y reduciendo su resistencia interna. Esto, a su vez, aumentar la distribucin de corriente
y puede daar al tiristor. Esta fuga trmica puede evitarse si se instala un disipador de calor co-

Sec. 4-10

O peracin en p aralelo de tiristo res

117

mn, tal y como se analiza en el captulo 15, de forma que todas las unidades operen a la misma
temperatura.
Una pequea resistencia, como se muestra en la figura 4-24, puede conectarse en serie con
cada tiristor, para forzar una distribucin igual de corriente, pero existir una prdida considerable
de potencia en las resistencias en serie. Una solucin comn para la reparticin de corriente en los
tiristores es la utilizacin de inductores acoplados magnticamente, como se muestra en la figura
4-24b. Si aumenta la corriente a travs del tiristor Ti, se inducir un voltaje de polaridad opuesta
en los embobinados del tiristor Tz y se reducir la impedancia a travs de la trayectoria de Tz, in
crementando por lo tanto el flujo de corriente a travs de Tz.

(a) Distribucin esttica de corriente

Figura 4-24

(b) D istribucin dinm ica de corriente

Distribucin de corriente en los tiristores.

4-11 CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTOR


En los convertidores de tiristor, aparecen diferentes potenciales en las distintas terminales. El cir
cuito de potencia est sujeto a un alto voltaje, por lo general mayor de 100 V, y el circuito de
compuerta se mantiene a un bajo voltaje, tpicamente de 12 a 30 V. Se requiere de un circuito ais
lante entre el tiristor individual y su circuito generador de impulso de compuerta. El aislamiento
se puede llevar a cabo ya sea mediante transformadores de pulso, o mediante acopladores pticos.
Un acoplador ptico podra ser un fototransistor o un foto SCR, tal y como se muestra en la figura
4-25. Un pequeo pulso a la entrada de un diodo de emisor de luz infrarroja (ILED), D i, activa el
foto SCR T i, y dispara el tiristor de potencia 7. Este tipo de aislamiento requiere de una fuente
de alimentacin de energa por separado Vcc, y aumenta el costo y el peso del circuito de disparo.
En la figura 4-26a aparece un sencillo arreglo de aislamiento con transformadores de pulso.
Cuando se aplica un pulso de voltaje adecuado en la base del transistor conmutador Q i, el transis
tor se satura y el voltaje de cd Vcc aparece a travs del primario del transformador, produciendo un

Figura 4-25

118

Aislador acoplado por foto SCR.

Los tiristo res

Cap. 4

Figura 4-26

Aislamiento por transformador de pulso.

voltaje pulsado sobre el secundario del transformador, el cual es aplicado entre la compuerta del
tiristor y su ctodo. Cuando se elimina el pulso de la base del transistor Q, el transistor se desac
tiva apareciendo un voltaje de polaridad opuesta inducido en el primario del transformador por lo
que el diodo de marcha libre D m conduce. La corriente debida a la energa magntica del transfor
mador se reduce desde D m hasta cero. Durante esta reduccin transitoria, un voltaje inverso co
rrespondiente se induce en el secundario. El ancho del pulso se puede hacer ms largo,
conectando un capacitor C a travs de la resistencia R, tal y como se muestra en la figura 4-26b.
El transformador conduce corriente unidireccional y el ncleo magntico se saturar, limitando
por lo tanto el ancho del pulso. Este tipo de aislamiento es adecuado para pulsos tpicamente de
50 (j.s a 100 |is.
En muchos convertidores de potencia con cargas inductivas, el perodo de conduccin de un
tiristor depende del factor de potencia de la carga; por lo tanto, el inicio de la conduccin del tiris
tor no queda bien definido. En esta situacin, a menudo resulta necesario disparar los tiristores en
forma continua. Sin embargo, una conmutacin continua aumenta las prdidas del tiristor. Se pue
de obtener un tren de pulsos, cosa que resulta preferible, mediante un embobinado auxiliar, tal y
como se muestra en la figura 4-26c. Cuando se activa el transistor Q \, tambin se induce un volta
je en el embobinado auxiliar N i en la base del transistor Q, de tal forma que el diodo D i queda
con polarizacin inversa y Q\ se desactiva. Entretanto, el capacitor C\ se carga a travs de R \ y
vuelve a activar a Q \. Este proceso de activacin y desactivacin continuar siempre que exista
una seal de entrada v\ al circuito aislador. En vez de utilizar el embobinado auxiliar como oscila

Sec. 4-11

Circuitos de d isparo de tiristo r

119

dor de bloqueo, se podra generar un tren de pulsos mediante una compuerta lgica AND con un
oscilador (o un mecanismo de tiempo), tal y como se muestra en la figura 4-26d. En la prctica, la
compuerta AND no puede excitar directamente al transistor Q, y normalmente se conecta una
etapa intermedia antes del transistor.
La salida de los circuitos de compuerta de las figuras 4-25 o 4-26 normalmente se conecta
entre compuerta y ctodo, junto con otros componentes de proteccin de compuerta, tal y como
aparece en la figura 4-27. La resistencia Rg de la figura 4-27a aumenta la capacidad dv/dt del tiris
tor, reduce el tiempo de desactivacin y aumenta las corrientes de mantenimiento y de enganche.
El capacitor Cg de la figura 4-27b elimina los componentes de ruido de alta frecuencia, aumenta la
capacidad dv/dt y el tiempo de retraso de la compuerta. El diodo Dg de la figura 4-27c protege la
compuerta de un voltaje negativo. Sin embargo, para SCR asimtricos, es deseable tener cierta
cantidad de voltaje negativo de compuerta, para mejorar la capacidad dv/dt y tambin para reducir
el tiempo de desactivacin. Todas estas caractersticas se pueden combinar, tal y como se muestra
en la figura 4-27d, en la que el diodo D i permite slo pulsos positivos, R \ amortigua cualquier os
cilacin transitoria y limita la corriente de compuerta.

'It
G

G -

It
T,

F>1

/7

o-X v*v-,

$ 0o

; c9
K o-

SR,

K o-

(a)

(b)
Figura 4-27

(c)

(d)

Circuitos de proteccin de compuerta.

4-12 TRANSISTOR M O N O U N IO N
El transistor monounin (UJT) se utiliza comnmente para generar seales de disparo en los SCR.
En la figura 4-28a aparece un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, cono
cidas como emisor E , base uno B \ y base dos B 2. Entre B \ y B 2 la monounin tiene las caracters
ticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases Rbb teniendo valores en el rango de
4.7 a 9.1 kQ). Las caractersticas estticas de un UJT se muestran en la figura 4-28b.
Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs en cd, se carga el capacitor C a travs la re
sistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en estado abierto. La constante de tiempo del
circuito de carga es t i = RC. Cuando el voltaje del emisor Ve, el mismo que el voltaje del capaci
tor ve, llega al voltaje pico, VP, se activa el UJT y el capacitor C se descarga a travs de Rb\ a una
velocidad determinada por la constante de tiempo x2 = RgiC. t 2 es mucho menor que ij . Cuando
el voltaje del emisor Ve se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se desactiva el
UJT y se repite el ciclo de carga. Las formas de onda del emisor y de los voltajes de disparo apa
recen en la figura 4-28c.
La forma de onda del voltaje de disparo Vn\ es idntica a la corriente de descarga del capa
citor Ci. El voltaje de disparo Vm debe disearse lo suficientemente grande como para activar al

1 20

Los tiristo res

Cap. 4

(a) Circuito

(c) Form as de onda

(b) Caractersticas estticas

Figura 4-28

Circuito de disparo UJT.

SCR. El perodo de oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin V, y es


t dado por
T = 7 = R C ln
/
1

Sec. 4-12

T ran sis to r m o n o u n i n

(4-23)

121

donde el parmetro t) se conoce como la relacin intrnseca de equilibrio. El valor de t| est entre
0.51 y 0.82.
La resistencia R est limitada a un valor entre 3 k2 y 3 M2. El lmite superior de R est de
terminado por el requisito de que la recta de carga formada por R, y V, intersecte a las caractersti
cas del dispositivo a la derecha del punto de pico, pero a la izquierda del punto de valle. Si la recta
de carga no cae a la derecha del punto de pico, el UGT no se activa. Esta condicin se satisface si
Vj - IpR > Vp. Esto es,
V - V
R < ph

(4-24)

En el punto de valle e = v y Ve = Vv de tal forma que la condicin del lmite inferior de R para
asegurar la desactivacin es V, - VR < Vv. Esto es,
R >

V - V
s
v
u

(4-25)

El rango recomendado de voltaje de alimentacin Vs es de 10 a 35 V. Para valores fijos de t|, el


voltaje pico Vp vara con el voltaje entre las dos bases, V/j. Vp est dado por
Vp = v V bb + V d = 0.5 V) - r,V s + VD(= 0.5 V)

(4-26)

donde Vd es la cada de voltaje directa de un diodo. El ancho tg del pulso de disparo es


tg = R bxC

(4-27)

En general, R/\ est limitado a un valor por debajo de 100 Q, aunque en algunas aplicacio
nes es posible tener valores de 2 a 3 kQ. Por lo general, una resistencia R bi se conecta en serie
con la base dos, para compensar la reduccin de Vp debida al aumento de la temperatura, y para
proteger al UJT de un posible desbocamiento trmico. La resistencia Rb2 tiene un valor de 100 2
o mayor, y se puede determinar en forma aproximada a partir de

(428)

- w ,

Ejemplo 4-5_____________________________________________________________________________
Disee el circuito de disparo de la figura 4-28a. Los parmetros del UJT son Vj = 30 V, T| = 0.51,
Jp - 10 (xA, Vv = 3.5 V e Iv = 10 mA. La frecuencia de oscilacin es / = 60 Hz, y el ancho del
pulso de disparo tg = 50 ms.
Solucin 7 = 1 / / = 1/60 Hz = 16.67 ms. De la ecuacin (4-26), Vp = 0.51 x 30 + 0.5 = 15.8 V.
Si suponemos que C = 0.5 (xF. De las Ecuaciones (4-24) y (4-25), los valores limitantes de R son
R <

3010~ /xA
l5. S = 1.42 M il

30-3.5

_
R > = 2.65 kl
10 mA
De la ecuacin (4-23), 16.67 ms = R x 0.5 (iF x In[ 1/(1 - 0.51 )], lo que da un valor de R =
46.7 ki, que cae dentro de los valores limitantes. El voltaje de compuerta pico Vgi = Vp = 15.8 V.

122

Los tiristo res

Cap. 4

D e la ecuacin (4-27),

Y de la ecuacin (4-28),

4-13 TRANSISTOR M O N O U N IO N PROGRAMABLE


El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor que aparece en la figura 4-29a.
Un PUT se puede utilizar como un oscilador de relajacin, tal y como se muestra en la figura
4-29b. El voltaje de compuerta Vg se mantiene desde la alimentacin mediante el divisor resistivo
de voltaje R\ y Rz, y determina el voltaje de punto de pico Vp. En el caso del UJT, Vp est fijo para
un dispositivo por el voltaje de alimentacin de cd. Pero el Vp de un PUT puede variar al modifi
car el valor del divisor resistivo R\ y Rz- Si el voltaje del nodo Va es menor que el voltaje de
compuerta Vg, el dispositivo se conservar en su estado inactivo. Si VA excede el voltaje de com
puerta en una cada de voltaje de diodo Vd, se alcanzar el punto de pico y el dispositivo se acti
var. La corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle / v dependen de la impedancia
equivalente en la compuerta Rg = R\Rz/(R\ + Rz) y del voltaje de alimentacin de cd Vs. En gene
ral, Rk est limitado a un valor por debajo de 100 Q.
Vp est dado por

que da la relacin intrnseca como


V

yp
V,

Ri
R + R 2

(4-30)

+VS

R
A nodo

Com puerta

A n -J-

C om puerta

R2 Vq

Ctodo

(a) Sm bolo

(b) Circuito

Figura 4-29

Seo. 4-13

Circuito de disparo para un PUT.

T ran sis to r m o n o u n i n p ro g ra m a b le

123

R y C controlan la frecuencia, junto con R \ y R i. El perodo de oscilacin T est dado en forma

aproximada por
T = \~
/

R C ln . . V' . . = R C ln ( l +
V'.v

Vp

(4-31)

K \f

La corriente de compuerta I g en el valle est dada por


I G = (1 t,)

(4-32)

donde Rg = R\RtJ{R\ + Ri)- R\ y Rz se pueden determinar a partir de


R =
V

(4-33)

R 2 = 7
1 - 7]

( 4- 34)

Ejemplo 4-6_____________________________________________________________________________
Disee el circuito de disparo de la figura 4-29b. Los parmetros del PUT son Vs =30 V e / q = 1
mA. La frecuencia de oscilacin es / = 60 Hz. El ancho del pulsoestg = 50 ms y el voltaje de
pico de disparo es
= 10 V.
Solucin T = l / f = 1/60 Hz = 16.67 ms. El voltaje pico de disparo V/?* = Vp = 10 V. Sea C =
0.5 |iF. De la ecuacin (4-27), Rk = tg/C = 50 is/0.5 (iF = 100 Q. De la ecuacin (4-30), T| =
Vp/Vs = 10/30 = 1/3. De la ecuacin (4-31), 16.67 ms = R x 0.5 |iF x In[30/(30 - 10)] lo que da R
= 82.2 k2. Para 1q = 1 mA, la ecuacin (4-32) da un valor R g = (1 - '/3) x 30/1 mA = 20 ki. De
la ecuacin (4-33),
R\ = = 20 k x ^ = 60 kl
V

De la ecuacin (4-34),
R 2 = t - ^ - = 20 ki x \ = 30 ki
1-17
2

4-14 MODELO SPICE DE TIRISTOR


Supongamos que el tiristor, tal y como se muestra en la figura 4-30a, es operado a partir de una
fuente de alimentacin de corriente alterna. Este tiristor deber tener las siguientes caractersticas.
1. Deber conmutarse al estado activo, con la aplicacin de un pequeo voltaje
compuerta, siempre y cuando el voltaje nodo a ctodo sea positivo.

positivo enla

2. Deber mantenerse enestado activo, en tanto fluya corriente en el nodo.


3. Deber conmutarse al
reccin negativa.

estado inactivo cuando la corriente del nodo pasepor cero en la di-*

La accin de conmutacin del tiristor se puede representar en un modelo mediante un inte


rruptor controlado por voltaje y una fuente de corriente polinomial [14]. Esto aparece en la figura

124

Los tiristo res

Cap. 4

Figura 4-30

Modelo SPICE de tiristor.

4-30b. El proceso de activacin se explica en los pasos siguientes:


1. Para un vltaje de compuerta positivo Ve entre los nodos 3 y 2, la corriente de compuerta es
Ig = I{VX) = VgIRCl.
2. La corriente de compuerta Ig activa la fuente de corriente F\ produciendo una corriente de
valor Fg = P\g = P\I{VX), de tal forma que F\ = Fg + F a.
3. La fuente de corriente Fg produce un voltaje de rpido crecimiento
tencia R j.

Vr

a travs de la resis

4. Conforme V r se incrementa sobre cero, la resistencia Rs del interruptor controlado por vol
taje Si se reduce desde R o ff hasta Ros5. Conforme la resistencia Rs del interruptor Si se reduce, la corriente del nodo Ia = /(VT) au
menta, siempre que el voltaje nodo a ctodo sea positivo. Esta corriente creciente del no
do I a produce una corriente F a = P ila = P 2K V Y ). Esto da com o resultado un valor
incrementado de voltaje V r .
6. Esto produce una condicin regenerativa, que lleva rpidamente al interruptor a una baja re
sistencia (estado activo). El interruptor se mantiene activo aun cuando el voltaje de la com
puerta Vg se elimine.
7. La corriente del nodo Ia contina fluyendo, siempre que sea positiva y que el interruptor se
mantenga en estado activo.
Durante la desactivacin, la corriente de compuerta es nula t l g = 0. Esto es, Fg = 0 ,F \ =
Fg + Fa = Fa. La operacin de desactivacin se puede explicar mediante los pasos siguientes:
1. Conforme se hace negativa la corriente del nodo Ia, se invierte la corriente F \, siempre que

Sec. 4-14

M o d e lo Spice de tiristo r

125

ya no est presente el voltaje de la compuerta Vg.

2. Con un F\ negativo, el capacitor C j se descarga a travs de la fuente de corriente F\ y de la


resistencia R t .
3. Con la cada de voltaje VR a un bajo nivel, la resistencia Rs del interruptor Si se incrementa
desde un valor bajo (Ron) hasta uno alto (/?o f f )4. Esta es, otra vez, una condicin regenerativa, con la resistencia del interruptor excitada rpi
damente a un valor /?o f f ,conforme el voltaje Vr tienda a cero.
Este modelo funciona bien en un circuito convertidor, en el cual la corriente del tiristor cae
a cero por s misma, debido a las caractersticas naturales de la corriente. Pero para un convertidor
de onda completa ca-cd con una corriente de carga continua analizada en el captulo 5, la corrien
te del tiristor se desva a otro tiristor y este modelo puede no dar la salida real. Este problema se
puede remediar aadiendo el diodo D j, tal y como aparece en la figura 4-30b. El diodo impide
cualquier flujo de corriente inverso a travs del tiristor, debido al disparo de otro tiristor dentro del
circuito.
Este modelo de tiristor se puede utilizar como un subcircuito. El interruptor Si es controlado
por el voltaje de control V r conectado entre los nodos 6 y 2. El interruptor y/o los parmetros del
diodo pueden ajustarse para obtener la cada deseada activa del tiristor. Utilizaremos los parme
tros de diodo IS=2.2E-15, BV=1800V, TT=0, y los parmetros de interruptor RC)N=0.0125,
RC)FF=10E+5, VON=().5 V, VOFF=OV. La definicin del subcircuito para el modelo de tiristor
SCR se puede describir como sigue:
*

Subcircuit

for ac t h y r i s t o r mode l

SCR

.S U B C K T
*
*

m odel
a me

SI

RG

VX

VY

1
anode
6
50

. 2
ca t h o d e
2

DC

OV

DC

OV

DT

DM OD

CT

1
10UF

tcontrol

-control

voltage

voltaje

; Voltage-controlled

smod

2
7

RT

; Switch diode

0
F1
2
6
P O L Y (2)
VX
VY
MODE L
SMOD
VSWITCH
(RON=0. 012 5 R O F F = 1 0 E + 5
M O D E L
ENDS

DMOD
SCR

D (IS=2 .2 E-1 5 B V = 1 8 0 0 V TT=0)

50

11

V O N = 0 . 5 V VO FF =OV )

; Switch model

; D io de m o d e l p a r a m e t e r s
; Ends

subcircuit

definition

RESUMEN
Existen nueve tipos de tiristores. Slo los GTO, SITH y MCT son dispositivos de desactivacin
por compuerta. Cada uno de los tipos tiene ventajas y desventajas. Las caractersticas de los tiris
tores reales difieren en forma significativa de las de los dispositivos ideales. Aunque existen va
rios procedimientos para activar los tiristores, el control de la compuerta es el que resulta ms

1 26

Los tiristo res

Cap. 4

dvldt alto. Debido a la carga recuperada, algo de energa se almacena en el di/dt y en inductores
dispersos; los dispositivos deben protegerse de esta energa almacenada. Las prdidas de conmu
tacin de los GTO son mucho ms altas que las de los SCR normales. Los componentes del cir
cuito de freno del GTO resultan crticos para su rendimiento.
Debido a diferencias en las caractersticas de tiristores de un mismo tipo, las operaciones en
serie y en paralelo requieren de redes para reparticin de voltaje y de corriente, a fin de proteger
los bajo condiciones de regmenes permanente y transitorio. Es obligatorio un procedimiento de
aislamiento entre el circuito de potencia y los circuitos de compuerta. El aislamiento por transfor
mador de pulso es simple, pero eficaz. En el caso de las cargas inductivas, un tren de pulsos redu
ce las prdidas de tiristor y se utiliza normalmente para disparar dispositivos, en vez de un pulso
continuo. Los UJT y los PUT se utilizan para la generacin de pulsos de disparo.

REFERENCIAS
1. General Electric, D. R. Grafham y F. B. Golden,
eds., SCR Manual, 6a ed. Englewood Cliffs. N. J.:
Prentice Hall, 1982.

tion thyristor. IEEE Transactions on Industry


Applications, Vol. IA22, No. 6, 1986, pp. 10001006.

2. D. Grant y A. Honda, Applying International


Rectifier's Gate Turn-O ff Thyristors, Application
Note AN-315A. El Segundo, Calif.: International
Rectifier.

9. V. A. K. Temple, MOS controlled thyristors: a


class of power devices. IEEE Transactions on
Electron Devices, Vol. ED33, No. 10, 1986, pp.
1609-1618.

3. C. K. Chu, P. B. Spisak, y D. A. Walczak, High


power asymmetrical thyristors. IEEE Industry
Applications Society Conference Record, 1985,
pp. 267-272.

10. T. M. Jahns, R. W. De Donker, J. W. A. Wilson,


V. A. K. Temple y S. L. Watrous Circuit utilization characteristics or MOS-controlled thyris
tors. C o n ference R eco rd o f the IE E E -IA S
Annual Meeting, San Diego, Octubre 1989, pp.
1248-1254.

4. O. Hashimoto, H. Kirihata, M. Watanabe, A. Nishiura y S. Tagami, Tum-on and tum-off characteristics o f a 4.5-K V 3 0 0 0 -A gate tu m -o ff
thyristor. IEEE Transactions on Industry Appli
cations, Vol. IA22, No. 3, 1986, pp. 478-482.
5. O. Hashimoto, Y. Takahashi, M. Watanabe, O.
Yamada y T. Fujihira, 2.5kV, 2000-A monolithic gate tum-off thyristor. IEEE Industry Appli
cations Society Conference Record, 1986, pp.
388-392.
6. E. Y. Ho y P. C. Sen, Effect of gate drive on
GTO thyristor characteristics. IEEE Transac
tions on Industrial Electronics, Vol. IE33, No. 3,
1986, pp. 325-331.
7. H. Fukui, H. Amano y H. Miya, Paralleling of
gate tum-off thyristors. IEEE Industry Applica
tions Society Conference Record, 1982, pp. 741746.
8. Y. Nakamura, H. Tadano, M. Takigawa, I. Igarashi y J. Nishizawa, Very high speed static induc-

Cap. 4

Referencias

11. J. L. Hudgins, D. F. Blanco, S. Menhart y W. M.


Portnoy, Comparison of the MCT and MOSFET
for high frequency inverter. Conference Record
o f the IEEE-IAS Annual Meeting, San Diego, Oc
tubre 1989, pp. 1255-1259.
12. General Electric Company, SCR Manual: Gate
Trigger Characteristics, Ratings, and Methods,
6a ed. Englewood Cliffs, N. J.: Prentice Hall,
1982.
13. Transistor Manual, Unijunction Transistor Circuits, 7a ed. Publication 450.37. Syracuse, N. Y.:
General Electric Company, 1964.
14. L. J. Giacoletto, Simple SCR and TRIAC PSpice
Computer models. IEEE Transactions on Indus
trial Electronics, Vol. IE36, No. 3, 1989, pp.
451-455.

127

PREGUNTAS DE REPASO
4*1. Qu es la caracterstica v-t de los tiristores?
4*2. Qu es la condicin inactiva de los tiristores?
4*3. Qu es la condicin activa de los tiristores?
4 -4 . Q u e s la corriente d e en gan ch e entre tiris
tores?

4 -2 0 . Cules son las ventajas y las desventajas de los


RCT?
4 -2 1 . Cules son las ventajas y las desventajas de los
LASCR?
4-22. Qu es una red de freno?

4*5. Q u es la corriente de m antenim iento de los


tiristores?

4-2 3 . Cules son las consideraciones de diseo para


las redes de freno?

4-6. Cul es el m odelo del tiristor con dos transis


tores?

4-24. Cul es la tcnica com n para la reparticin de


voltaje en tiristores conectados en serie?

4-7. C ules son lo s p ro ced im ien to s para activar


tiristores?
4-8. Cul es el tiem po de activacin de los tiris
tores?

di/dtl
Cul es m todo comn de proteccin di/dtl
Cul es el objeto de la proteccin dv/dt!
Cul es el m todo comn de proteccin dv/dtl

4 -9. Cul es el objeto de la proteccin


4-10.
4-11.
4-12.

4-13. Cul es el tiempo de desactivacin de los tiris


tores?
4 -1 4 . Cules son los tipos d e tiristores?

4-2 5 . Cules son las tcnicas com unes para la repar


ticin de corriente entre tiristores conectados en
paralelo?
4-26. Cul es el efecto del tiem po de recuperacin
inverso sobre la reparticin del voltaje transito
rio de los tiristores conectados en paralelo?
4 -27. Cul es el factor de reduccin de la esp ecifica
cin o decaim iento de los tiristores conectados
en serie?
4 -28. Qu es un UJT?
4 -29. Cul es el voltaje pico de un UJT?

4-15. Qu es un SCR?
4-16. C u l e s la d if e r e n c ia en tre un SC R y un
TRIAC?
4-17. Cul es la caracterstica de desactivacin de los
tiristores?
4-18. Cules son las ventajas y las desventajas de los
GTO?
4-19. Cules son las ventajas y las desventajas de los
SITH?

4 -3 0 . Cul es el v o lta je del punto de v a lle d e un


UJT?
4 -3 1 . Cul es la relacin de equilibrio intrnseca de
un UJT?
4 -32. Qu es un PUT?
4 -3 3 . Cules son las ventajas d e un PUT sobre un
UJT?

PROBLEMAS
4-1. La capacitancia de unin de un tiristor puede su
po n erse in d ep en d ien te del v o lta je en estad o
inactivo. E l valor lim itante d e la corriente de
carga para activar el tiristor es 12 mA. Si el va
lor crtico de dv/dt es 800 V/(xs, determine la ca
pacitancia de la unin.

4-3. En la figura P4-3 aparece un circuito de tiristor.


La capacitancia de unin del tiristor e s C j2 = 15
pF y se puede suponer independiente del voltaje
en estado inactivo. El valor limitante de la c o
rriente de carga para activar el tiristor es 5 m A y

4-2. La capacitancia de unin de un tiristor es C j2 =


20 pF y se puede suponer independiente del v o l
taje en estado inactivo. El valor limitante de la
corriente de carga para activar el tiristor es 15
m A. Si se conecta un capacitor de 0.01 (xF a tra
v s del tiristor, determ ine el valor crtico de

dv/dt.

128

F igu ra P4-3

Los tiristo res

Cap. 4

el valor crtico de dv/dt es 200 V/(j.s. Determine


el valor de la capacitancia Cs tal que el tiristor
no se activa debido a dv/dt.
4-4. El voltaje de entrada en la figura 4 -9 e es
=
200 V , con una resistencia de carga de R = 10 Q
y una inductancia de carga de L = 50 (J.H. Si la
relacin de amortiguacin es 0.7 y la corriente
de descarga del capacitor es de 5 A, determine

(a) los valores de Rs y Cs, y (b) el dv/dt m xi


mo.
4-5. Repita el problema 4-4 si el voltaje de entrada
es de ca, v* = 179 sen 377 1 .
4-6. Un tiristor conduce una corriente com o aparece
en la figura P4-6. La frecuencia de conmutacin
es f s = 5 0 Hz. Determine la corriente promedio
en estado activo Ij.

Figura P4-6
4-7. Una cadena de tiristores se conecta en serie para
soportar un voltaje de cd
= 15 kV. La corrien
te de fuga mxima y las diferencias de carga de
recuperacin de los tiristores son 10 mA y 150
JJ.C, respectivamente. Un factor de reduccin de
esp ecificacin o decaim iento del 2 0 % ha sido
aplicado a la distribucin en rgimen de estado
permanente y de voltaje transitorio de los tiristo
res. Si la comparticin mxima de voltaje de r
gim en permanente es 1000 V , determine (a) la
resistencia R de comparticin de voltaje en rgi
m en permanente de cada tiristor y (b) la capaci
tancia C \ del voltaje transitorio de cada tiristor.
4-8. D o s tiristores estn conectados en paralelo pa
ra convertir una corriente de carga total l =
6 0 0 A. La cada de voltaje en estado activo de

Cap. 4

P ro b lem as

un tiristor e s VYi = 1.0 a 6 0 0 A y la de lo s


otros tiristores es V77 = 1.5 V a 3 0 0 A . D eter
m in e lo s v a lo res de las resiste n c ia s en serie
n ecesarias para o b ligar a la com p articin de
corriente con una diferencia del 10%. El volta
je total v = 2.5 V.
4-9. D isee el circuito de disparo de la figura 4-28a.
L os parm etros del UJT son V* = 2 0 V , T| =
0.66, Ip = 10 |iA , Vv = 2.5 V e / , = 10 m A . La
frecuencia de oscilacin es / = 1 kHz, y el an
cho del pulso de compuerta es tg = 4 0 (xs.
4-10 . D ise e el circuito de disparo de la figura 4-29b.
Los parmetros del PUT son Vs = 20 V e g =
1.5 m A . L a fre c u e n c ia de o sc ila c i n e s / =
1 k H z. E l an ch o d e l p u lso e s tg = 4 0 (is, y el
p u lso p ic o d e d isp aro e s Vgs = 8 V .

129

5
Los rectificadores controlados
5-1 INTRODUCCION
En el captulo 3 vimos que los diodos rectificadores slo suministran un voltaje de salida fijo. Pa
ra obtener voltajes de salida controlados, se utilizan tiristores de control de fase en vez de diodos.
Es posible modificar el voltaje de salida de los rectificadores a tiristores controlando el retraso o
ngulo de disparo de los mismos. Un tiristor de control de fase se activa aplicndole un pulso cor
to a su compuerta y se desactiva debido a la conmutacin natural o de lnea', en el caso de una
carga altamente inductiva, se desactiva mediante el disparo de otro tiristor del rectificador durante
el medio ciclo negativo del voltaje de entrada.
Estos rectificadores controlados por fase son sencillos y menos costosos y, en general, su
eficiencia es superior al 95%. Dado que estos rectificadores controlados convierten ca en cd, se
conocen tambin como convertidores ca-cd, y se utilizan en forma extensa en aplicaciones indus
triales, especialmente en propulsores de velocidad variable, con potencias desde fraccionarias has
ta niveles de megawats.
Los convertidores de control de fase se pueden clasificar en dos tipos, dependiendo de la
fuente de alimentacin: (1) convertidores monofsicos y (2) convertidores trifsicos. Cada tipo se
puede subdividir en (a) semiconvertidor, (b) convertidor completo y (c) convertidor dual. Un semiconvertidor es un convertidor de un cuadrante, y tiene una misma polaridad de voltaje y de co
rriente de salida. Un convertidor completo es un convertidor de dos cuadrantes, la polaridad de su
voltaje de salida puede ser positiva o negativa. Sin embargo, la corriente de salida del convertidor
completo slo tiene una polaridad. Un convertidor dual puede operar en cuatro cuadrantes, y tanto
su voltaje como su corriente de salida pueden ser positivos o negativos. En algunas aplicaciones,
los convertidores se conectan en serie, a fin de que operen a voltajes ms altos y para mejorar el
factor de potencia de entrada.
Para analizar el rendimiento de los convertidores controlados por fase con carga R L se pue
de aplicar el mtodo de las series de Fourier, similar al de los rectificadores con diodos. Sin em
bargo, a fin de sim plificar el anlisis, se puede suponer que la inductancia de carga es lo
suficientemente alta como para que la corriente de carga se considere continua y tenga una com
ponente ondulatoria despreciable.

130

5-2 PRINCIPIO DE OPERACION DEL CONVERTIDOR CONTROLADO POR FASE


Consideremos el circuito de la figura 5 -la, con carga resistiva. Durante el medio ciclo positivo del
voltaje de entrada, el nodo del tiristor es positivo con respecto al ctodo por lo que se dice que el
tiristor tiene polarizacin directa. Cuando el tiristor Ti se dispara, en co/ = a el tiristor T 0
conduce, apareciendo a travs de la carga el voltaje de entrada. Cuando en el voltaje de entrada
empieza a hacerse negativo, cot = n, el nodo del tiristor es negativo con respecto al ctodo y se
dice que el tiristor T\ tiene polarizacin inversa; por lo que se desactiva. El tiempo desde que el
voltaje de entrada empieza a hacerse positivo hasta que se dispara el tiristor en cot = a , se llama
ngulo de retraso o de disparo a .
La figura 5 -lb muestra la regin de operacin del convertidor, donde el voltaje y la corrien
te de salida tienen una sola polaridad. La figura 5 -lc muestra las formas de onda de los voltajes de
entrada, y de salida, asi como de la corriente de carga y del voltaje a travs de Ti. por lo general,
este convertidor no se utiliza en aplicaciones industriales, porque su salida tiene un alto contenido
de componentes ondulatorias, de bajas frecuencia. Si f s es la frecuencia de la alimentacin de en
trada, la frecuencia ms baja del voltaje de salida de la componente ondulatoria es f s.

v ti

vs = V m sen tot

(a) Circuito

Figura 5-1

Sec. 5-2

Convertidor monofsico de tiristor, con carga resistiva.

P rincipio de o peracin del co n ve rtid o r c o n tro la d o p o r fase

131

Si Vm es el voltaje pico de entrada, el voltaje promedio de salida V d puede determinarse a


partir de
1 f*
V,
V'cd =
Vm sen cot d (a t) = x [ - e o s b
L 77 JO.
7T
(5-1)
Y jsl (1 + cos a)
2

tt

y Ved puede variar desde V j n hasta 0, al variar a desde 0 hasta n. El voltaje promedio de salida
se hace mximo cuando a = 0 y el voltaje de salida mximo Vdm es
Vjn
7T

Vdm

(5-2)

Normalizando el voltaje de salida con respecto a Vdm, el voltaje de salida normalizado sera
Vn = ^

y dm

(5-3)

= 0.5(1 + cos a)

El voltaje de salida rms est dado por


V, =

ctt

,7T J a
-277

Y ul
2

i 1/2

V ^sen2 a)t d(b)t)

1 /
177 .77 V

rv

1/2

(it

L47T Ja

(1 - cos 2w t) d(o)t)
(5-4)

/
sen 2 a \ 11/2
r2

Ejemplo 5-1
Si el convertidor de la figura 5-la tiene una carga puramente resistiva R y el ngulo de retraso es
a = 7C/2, determine (a) la eficiencia de la rectificacin, (b) el factor de forma FF, (c) el factor de
componente ondulatoria RF, (d) el factor de utilizacin del transformador TUF y (e) el voltaje de
pico inverso PIV del tiristor T\.
Solucin El ngulo de retraso, a = 7t/2. De la ecuacin (5-1), FCd = 0.1592^m e Ic =
0.1592VJR. De la ecuacin (5-3), V = 0.5 pu. De la ecuacin (5-4) Vms = 0.3536V'm e / ms =
03536Vm/R. De la ecuacin (3-42), Pc< = Vcd^cd = (0-1592Vm)2/R y de la ecuacin (3-43), Pc =
VrmJrms = (03536Vm)2/R.
(a) De la ecuacin (3-44), la eficiencia de la rectificacin
(0.1592VJ2
11 = (0.3536Vm)2 - 20'27%
(b) De la ecuacin (3-46), el factor de forma

F F " o i l f e 2-221 0

222 1%
2

1/2

(c) De la ecuacin (3-48), el factor de componente ondulatoria RF = (2.221 - 1) =


1.983 es decir 198.3%.
(d) El voltaje rms del secundario del transformador,
= Vm/'J~2 = 0.707Vm. El valor rms
de la corriente del secundario del transformador es la misma que la de la carga, ls = 0.3536Vm/R.
La clasificacin en volt-amperes (VA) del transformador, VA = VSIS = 0.707Vm / 0.3536Vm/R.
De la ecuacin (3-49)

132

Los rectificad o res co n tro la d o s

Cap. 5

TUF =

0.15922
= 0.1014
0.707 x 0.3536

TUF

= 9.86

(e) El voltaje de pico inverso PIV = Vm.


N ota. El rendimiento del convertidor se degrada en el rango inferior del ngulo de re
traso a .

5-3 SEMICONVERTIDORES MONOFASICOS


La disposicin del circuito de un semiconvertidor monofsico aparece en la figura 5-2a, con una
carga altamente inductiva. La corriente de carga se supone continua y libre de componentes ondu
latorias. Durante el medio ciclo positivo, el tiristor Ti tiene polarizacin directa. Cuando el tiristor
Ti se dispara en coi = a , la carga se conecta a la alimentacin de entrada a travs de Ti y D i durante
el perodo a < coi < n. Durante el perodo Jt < coi < (n + a), el voltaje de entrada es negativo y el
diodo de marcha libre D m tiene polarizacin directa. D m conduce para proporcionar la continuidad
de corriente de la carga inductiva. La corriente de carga se transfiere de Ti y >2 a D m, y el tiristor
Ti as como el diodo >2 se desactivan. Durante el medio ciclo negativo del voltaje de entrada, el ti
ristor T2 queda con polarizacin directa y el disparo del tiristor T2 en coi = n + a invierte la polari
zacin de D m. El diodo D m se desactiva y la carga se conecta a la alimentacin a travs de T%y D i.
La figura 5-2b muestra la regin de operacin del convertidor, donde tanto el voltaje como
la corriente de salida tienen polaridad positiva. La figura 5-2c muestra las formas de onda para el
voltaje de entrada, el voltaje de salida, la corriente de entrada y las corrientes a travs de Ti, T2,
D i y >2. Este convertidor tiene un mejor factor de potencia, debido a la operacin del diodo de
marcha libre y es de uso comn en aplicaciones hasta de 15 kW, donde la operacin en un cua
drante es todava aceptable.
El voltaje promedio de salida se puede encontrar a partir de
Vdc

fir _

217 Ja

1/

-|_

fYl r

Vm sen cot d(a>t) = -z L -co s w \a


27T

(5-5)

K
(1 + eos a)
7r

y ^cd puede modificarse o variar, desde 2 V J k hasta 0 al variar a desde 0 hasta n. El voltaje pro
medio mximo de salida es Vm = 2 VJn y el voltaje promedio de salida normalizado es
K lc

V n = 77 ^ = 0.5(1 + eo s a)

(5-6)

y dm

El voltaje de salida rms se determina a partir de


Vrms =

2 fn ?
x
Vmsen 2 (t d(cot)
L7T Ja
Vm
V2

Sec. 5-3

1 /

1 7r a -I
V

L7T

sen 2 a

1/2

1/2

V
y m
.2 7 7

fJau

eos 2 w) d(u)t)

(5-7)

1/2

r2

S em ic o n v e rtid o re s m o n ofsico s

133

o * U
n

>T.

>T,
R

T2

ODt

O 2

D m

>02

Om

(a) Circuito

Figura 5-2

Semiconvertidor monofsico.

Ejemplo 5-2
El semiconvertidor de la figura 5-2a est conectado a una alimentacin de 120 V 60 Hz. La co
rriente de carga Ia se puede suponer continua y su contenido de componentes ondulatorias des
preciable. La relacin de vueltas del transformador es la unidad, (a) Exprese la corriente de
entrada en una serie de Fourier; determine el factor armnico de la corriente de entrada HF, el
factor de desplazamiento DF, y el factor de potencia de entrada PF. (b) Si el ngulo de retraso es
a = rc/2, calcule Vcd, Vn,
HF, DF y PF.
Solucin (a) La forma de onda para la corriente de entrada aparece en la figura 5-2c y la co
rriente de entrada instantnea se puede expresar con una serie de Fourier de la forma
,(') = /de +

( cos noit + b sen ritat)

(5-8)

= 1 ,2,...

1 34

Los rectificad o res co n tro la d o s

Cap. 5

donde
l

/c d

2W
llT L
1
77

2tt

r
a

17 J a

= 0

/., cos n u t d(a>t) sen na

77

/v(0 d(cot) =

'77fa

I cos nu>t d(u>t)

para n = 1 , 3 , 5 , . . .

para n = 2, 4, 6, . . .
f2 IT

bn

/t(0 sen w? a(w/)

77 J a

= I f I sen nwt d(ut)


77 L J a

21
= mr

(1

= 0

Ji r- ta

+ eos na)

I sen noit d(oit)

para n = 1, 3, 5, . . .

para = 2 , 4 , 6 . . . .

Dado que 7cd = 0, la ecuacin (5-8) se puede escribircomo


x

isU) =

V 2 7sen(a)/+ <)

(5-9)

n -1 3 .5 ....

donde
na
=

ta n

(5-10)

El valor rms de la componente armnica de orden n de la corriente de entrada se deduce como


= 4 = (al + b lr~ = 2V5 lu eos .
na
77
2
V2

(5-11)

De la ecuacin (5-11), el valor rms de la corriente fundamental es

2V2 /
7T

a
l

/ sl = -------------- COS -Z

La corriente de entrada rms se puede calcular a partir de la ecuacin (5-11) como


/

' - ( /i= 1,2,...


2 ,' J
ls tambin se puede determinar directamente a partir de
/v = L S /.' 'iiM)

Sec. 5-3

S e m ic o n v e rtid o re s m onofsicos

135

D e la ecuacin (3-51), H F = [ ( / A l ) 2 - 1]1/2, o bien

HF =

77(77

ce)

1/2

(5-12)

4(1 + eos a)

De las Ecuaciones (3-50) y (5-10),


DF = eos <f>, = eos

(5-13)

De la ecuacin (3-52),
V 2 (1 + eos a)
P F

/,' C 0 S

[77(77 -

(5-14)

)]1/2

(b) a = 7C/2 y Vm = l x 120 = 169.7 V. De la ecuacin (5-5),


54.02 V, de la ecuacin (5-6), Vn = 0.5 pu, y de la ecuacin (5-7),
Vrms =
U\ =

v
V2

L77

177

sen

2a

= (V/n)(l + eos a) =

1/2

= 84.57 V

2V 2 L
* eos i = 0.6366/
4

77

\l/2
/, = / ( ! - - )
= 0.7071/,,
HF =

1/2

LV/,i

= 0.4835

77
<t>

1 =

PF =

3.35%

DF = eos - i = 0.7071
4

eos ^ = 0.6366 (atrasado)

Nora. Los parmetros de rendimiento del convertidor dependen del ngulo de retraso a .
5-3.1 Sem iconvertidor monofsico con carga RL
En la prctica, una carga tiene una inductancia finita. La corriente de carga depende de los valores
de la resistencia de carga R y de la inductancia de carga L. La operacin del convertidor se puede
dividir en dos modos: modo 1 y modo 2.
M odo 1.
Este modo es vlido para 0 < coi < a , durante el cual conduce el diodo de mar
cha libre D m. La corriente de carga 1 durante el modo 1 queda descrita por
dL 1

L i s r + Riu

(5-15)

E = 0

misma que, con la condicin inicial ii(o) = 0) = /> en el estado de rgimen permanente, da
l\

1 36

h e HRIL) - ^ (i - e - (RL")

para

iL ,

> 0

Los rectificad o res c o n tro la d o s

(5-16)

Cap. 5

Al final de este modo en io = a , la corriente de carga se convierte en /i; es decir


u = L\(o>t = a) = Loe-uvwocio>) _ [1 _ e -(R/L)(aio>)]

para/, > 0

(5-17)

M odo 2. Este modo es vlido para a < ( a t < n , donde el tiristor Ti conduce. Si v, = ^2V
sen cor
<t es el voltaje de entrada, la corriente de carga in durante el modo 2 se puede encontrar
mediante
inte

L ir^ + R in + E = V 2 Vs sen a>t


at

(5-18)

cuya solucin es de la forma


iL2 = - ^ r ^ s e n ( c ot - 6) + A \e HRIL)t - ^

para i n - 0

donde la impedancia de la carga Z = [R2 + (w)2] 1/2 y el ngulo de la impedancia de la carga


0 = tan_1(coL//?).
La constante Ai, que se puede determinar a partir de la condicin inicial: en coi = a, li =
Il \, se encuentra como
E

V 2 V,

Iu + R

^ se n (a -

0)

La sustitucin de Ai da como resultado

k2 =

^ sen(wr -

e)- f + [II' + f

e (R/L)(a/o>-t)

" ^ | ^ sen( - 0)
para
iL2
>0
fa
ia i
2 :u

(5-19)
y--iy ,

Al final del modo 2 en la condicin de rgimen permanente: /z^(co = n) = lu,. Al aplicar esta con
dicin a la ecuacin (5-16) y resolviendo en funcin de u obtenemos

V 2 Vtsen(7r - 6) - s e n ( a - e)ew m a~)lm E


^Lo ~~

1 g~(RIL)(nlo>)
para Ii> 0 y 0 < a < n

(5-20)

La corriente rms de un tiristor se puede determinar a partir de la ecuacin (5-19) como


- i

-j 1/2

2 tt j a i d ( ( t )

Ir =

La corriente promedio de un tiristor tambin se puede determinar de la ecuacin (5-19) como


1 f17
Ia =

2t t L

in

La corriente de salida rms puede encontrarse de las ecuaciones (5-16) y (5-19) como

/r =

Sec. 5-3

ihd((t)+ ihd{M
l)

S em ic o n v e rtid o re s m o n ofsico s

137

L a corriente de salida prom edio se puede encontrar de las ecuaciones (5-16) y (5-19) com o

Ejemplo 5-3*
El semiconvertidor monofsico de la figura 5-2a tiene una carga RL con L = 6.5 mH, R = 2.5 2 y
E - 10 V. El voltaje de entrada es Vs = 120 V (rms) a 60 Hz. Determine (a) la corriente de carga
lio en co/ = 0 y la corriente de carga /i en coi = a = 60, (b) la corriente promedio del tiristor a ,
(c) la corriente rms del tiristor I r , (d) la corriente rms de salida lms,y (e) la corriente promedio de
salida / Cd.
Solucin R = 2.5 2, L = 6.5 mH, / = 60 Hz, co = 2t x 60 = 377 rad/s, Vs = 120 V, 0 = tan-1
(oaL/R) = 44.43 y Z = 3.5 2.
(a) La corriente de carga en rgimen permanente en C = 0,Iu>= 29.77 A. La corriente de
carga en rgimen permanente en coi = a, Il\ = 7.6 A.
(b) La integracin numrica de iui en la ecuacin (5-19), da como resultado la corriente
promedio del tiristor como I= 11.42 A.
(c) De la integracin numrica de I2 entre los lmites coi = a hasta 7t, obtenemos la co
rriente rms del tiristor como Ia = 20.59 A.
(d) La corriente rms de salida Ims = 30.92 A.
(e) La corriente promedio de salida lcl = 28.45 A.

5-4 CONVERTIDORES MONOFASICOS COMPLETOS


El arreglo de circuito de un convertidor monofsico completo aparece en la figura 5-3a con una
carga altamente inductiva, de tal forma que la corriente de carga es continua y libre de componen
tes ondulatorias. Durante el medio ciclo positivo, los tiristores T\ y T 2 tienen polarizacin directa;
cuando en coi = a estos dos tiristores se disparan simultneamente, la carga se conecta a la alimen
tacin de entrada a travs de Ti y T^. Debido a la carga inductiva, los tiristores T\ y T2 seguirn
conduciendo ms all de cot = n, aun cuando el voltaje de entrada sea negativo. Durante el medio
ciclo negativo del voltaje de entrada, los tiristores T3 y T4 tienen una polarizacin directa; el dis
paro de los tiristores T3 y
aplicar el voltaje de alimentacin a travs de los tiristores Ti y T2
como un voltaje de bloqueo inverso. Debido a la conmutacin natural o de lnea, Ti y T2 se de
sactivarn y la-corriente de carga ser transferida de Ti y T 2 a T- y T 4 . En la figura 5-3b se mues
tran las regiones de operacin del convertidor y en la figura 5-3c aparecen las formas de onda para
el voltaje de entrada, el voltaje de salida y las corrientes de entrada y salida.
Durante el perodo que va desde a hasta n, el voltaje de entrada vs y la corriente de entrada
is son positivos; la potencia fluye de la alimentacin a la carga. Se dice que el convertidor se opera
en modo de rectificacin. Durante el perodo de n hasta n + a , el voltaje de entrada v, es negativo
y la corriente de entrada is es positiva; existiendo un flujo inverso de potencia, de la carga hacia la
alimentacin. Se dice que el convertidor se opera en modo de inversin. Este convertidor es de
uso extenso en aplicaciones industriales hasta 15 kW. Dependiendo del valor de a , el voltaje pro
medio de salida puede resultar positivo o negativo y permite la operacin en dos cuadrantes.

138

Los rectificad o res co n tro la d o s

Cap. 5

Figura 5-3

Convertidor monofsico completo.

El voltaje promedio de salida se puede determinar a partir de


^cd =

7T J a

2V

V m sen (t d(cjt) =

Ti

[-e o s
(5-21)

co s a

77

y variando a desde 0 hasta n se puede variar Vc< desde 2 V J n hasta - 2 V J n . El voltaje promedio
de salida mximo es Vdm = 2 V J n y el voltaje promedio de salida normalizado es
V =

= cos a

(5-22)

El valor rms del voltaje de salida est dado por

^ rm s

I/2
2 fn+a
V ^sen2 a)t d(o)t)
-Z7T Ja

1/2
V fv+a
~
\
(1 - cos 2 ct) (coi)
-7T Jen

(5-23)

= Zm. = y
V 2
Sec. 5-4

C o n vertid o res m o n ofsico s co m p leto s

139

Con una carga puramente resistiva, los tiristores T\ y T j conducirn desde a hasta tc, y los
tiristores T3 y T4 conducirn desde a + n hasta 2n. El voltaje instantneo de salida ser similar a
los de los semiconvertidores de la figura 5-2b. Las ecuaciones (5-5) y (5-7) son aplicables para
determinar los voltajes de salida rms y promedio.
Ejemplo 5-4
Para un ngulo de retraso de a = 71/3, repita el ejemplo 5-2 para el convertidor completo monof
sico de la figura 5-3a.
Solucin (a) La forma de onda de la corriente de entrada aparece en la figura 5-3c y la corrien
te instantnea de entrada se puede expresar con una serie de Fourier de la forma
(vW cd +

(an eos no)t + bn sen no)t)

n= 1 ,2 ,...

donde
1

1I" f n + a

fliT + a

t) diWt) = 2ir [Ja

= 2 L

f l n +a

7 d M

- La

~]

di(t)\ = 0

1 [2ir+a
7T a
i"
7T Ja

-l-a

/., eos n(t d()t) -

4[a
sen na
rnr
=o

C2ir+a
/ eos n<t d(ojt)
J 7T+a

para n 1, 3, 5,

para n = 2, 4, . . .

f277+a
i(t) sen ncot d(ojt)
b = 7lT Ja
C7T+a
C2TT+a
Ia sen nojt d(a>t) / sen nu>t d(u>t)
Ja
Jn+a
7T

=l

41,,
= 0

para = 1 , 3 , 5 , . . .

eos na

para n = 2, 4, . . .

Dado que /cd = 0, la comente de entrada se puede escribir en la forma


V 2 /sen(oj + <t>)

h(t) =
=1 ,3 ,5 ....

donde

.
l^/l
<}> = tan 1 -g- = - n a

(5-24)

y <>es el ngulo de desplazamiento de la corriente de la armnica de orden n. El valor rms de la


comente de entrada de la armnica de orden n es
Is,

1 40

4/
- (al + b l r - =
V2
V2

2V 2 L

Los rectificad o res co n tro la d o s

(5-25)

Cap. 5

y el valor rms de la corriente fundamental es

2V 2 /

El valor rms de la corriente de entrada se puede calcular a partir de la ecuacin (5-25), com o

h = (

'= 1 ,3,5 ,...

Is tambin se puede determinar directamente a partir de


2 flT+Ct ->
A = l2 Ja

l2 d< '>

la

D e la ecuacin (3-51) se puede encontrar el factor armnico con


1/2

HF =

Is\

= 0.483

48.3%

D e las ecuaciones (3-50) y (5-24), el factor de desplazamiento


D F = eo s

4>1 =

eo s -

(5-26)

D e la ecuacin (3-52) se encuentra el factor de potencia com o


PF = k 1 COS

(b)

- a

2V2

(5-27)

a = Tt/3.
eos

Vcd =
V rms =

V,
\/2

a =

Vn =

54.02 V

0.5 pu

= V = 120 V

i s, = (2V 2 - ) = 0.90032 /
1/2
HF =

= 0.4834

<j> = -O

PF =

D F = eos

48.34%

-a =

eos

0.5

eos - a = 0.45 (atrasado)

Nota. La componente fundamental de la corriente de entrada es siempre 90.03% de Ia y el


factor armnico se mantiene constante en 48.34%.
5-4.1 Convertidor monofsico completo con carga RL
La operacin del convertidor de la figura 5-3a se puede dividir en dos modos idnticos: modo 1,
cuando Ti y T2 conducen, y modo 2 cuando r 3 y T4 conducen. Las corrientes de salida durante es-

Sec. 5-4

C o n vertid o res m o n ofsico s co m p leto s

141

tos modos son similares, y por tanto es necesario slo considerar un modo para encontrar la
corriente de salida .
El modo 1 es vlido para a < d < (a + 7t). Si el voltaje de entrada es vs = V 2 Vs sen co, la
ecuacin (5-18) se puede resolver con la condicin inicial: en m = a , i, = Iu - La ecuacin (4-19)
da u, como
V 2 V,
,
m
E
il =
sen(o)/ - 6 ) -
z
K
(5-28)
E
V2 V
+ Lo + | - - ^
Sen( -
Al final del modo 1 en la condicin de rgimen permanente ot>/ = k + a ) = /i = u,- Aplicando
esta condicin a la ecuacin (5-28) y resolviendo en funcin de / u obtenemos
V 2 V, -s e n (a - 6) - sen(a - Q)e~(RIL)(n)l _ E
h \

g-(RL)(TT<)

para u, > 0

(5-29)

El valor crtico de a en el cual / se convierte en cero se puede resolver para valores conocidos de
0, R, L, E y Vs mediante un mtodo iterativo. La corriente rms o eficaz de un tiristor se puede en
contrar a partir de la ecuacin (5-28) como
r i f"+
i ' /2
Ir 2 }a 1 d((ot)
La corriente rms de salida se puede entonces determinar a partir de
/rms = U l + I

) V1 = V 2 / *

Le corriente promedio de un tiristor tambin se puede encontrar de la ecuacin (5-28) como


1 f7T+a
Ia = i
L
La corriente promedio de salida se puede determinar a partir de
/de = I a + I a ~ 2 a
Ejemplo 5-5*
El convertidor completo monofsico de la figura 5-3a tiene una carga RL con L = 6.5 mH, R =
0.5 2 y E = 10 V. El voltaje de entrada es V* = 120 V a (rms) 60 Hz. Determine (a) la corriente
de carga I^o a co/ = a = 60, ( b ) la corriente promedio del tiristor Ia, ( c ) la comente rms del tiris
tor I r , (d) la corriente rms de salida
y (e) la corriente promedio de salida /cc|.
Solucin a = 60, R = 0.5 2, L = 6.5 mH, / = 60 Hz, C = 2n x 60 = 377 rad/s, V, 120 V y 0 =
tan-\<>L/R) = 78.47.
(a) La corriente de carga en rgimen permanente en co/ = oc,
= 49.34 A.
(b) La integracin numrica de en la ecuacin (5-28), resulta en la corriente promedio
del tiristor como a = 44.05 A.
(c) Mediante la integracin numrica de i entre los lmites co/ = a hasta 7t + a, obtenemos
la corriente rms del tiristor como I r = 63.71 A.
(d) La corriente rms de salida Ims = V7* = V~2~x 63.71 = 90.1 A.
(e) La corriente promedio de salida /c = 21a = 2 x 44.04 = 88.1 A.

142

Los rectificad o res co n tro la d o s

Cap. 5

5-5 CONVERTIDORES MONOFASICOS DUALES


Vimos en la seccin 5-4 que los convertidores monofsicos completos con cargas inductivas slo
permiten la operacin en dos cuadrantes. Si se conectan dos de estos convertidores completos es
palda con espalda, tal y como aparece en la figura 5-4a, se pueden invertir tanto el voltaje de sali
da com o la corriente de carga. El sistem a permitir una operacin en cuatro cuadrantes,
llamndosele convertidor dual. Los convertidores duales son de uso comn en propulsores de ve
locidad variable de alta potencia. Si a i y a.2 son los ngulos de retraso de los convertidores 1 y 2,
respectivamente, los voltajes promedio de salida correspondientes son Vcdl y Vc2. Los ngulos de
retraso se controlan de tal forma que un convertidor funciona como rectificador y el otro converti
dor funciona como inversor; pero ambos convertidores producen el mismo voltaje promedio de
salida. En la figura 5-4b se muestran las formas de onda de salida de los dos convertidores, en los
que los dos voltajes promedio de salida son los mismos. En la figura 5-4c aparecen las caracters
ticas v-i de un convertidor dual.
, De la ecuacin (5-21), los voltajes promedio de salida son
Vedi = eos a ,
7T

(5-30)

2Vm
Vcd2 ~ ~ T~T

(5-31)

cos a 2

Dado que un convertidor rectifica y el otro invierte,


VCdi = Vcd2

o bien,

cos a.2 = -c o s a i = cos(n - a i)

Y, por lo tanto,
a2 = n - ai

(5-32)

Dado que los voltajes instantneos de salida de los dos convertidores estn fuera de fase, existir
una diferencia instantnea de voltaje que dar como resultado una corriente circulante entre am
bos convertidores. Esta corriente circulante no fluir a travs de la carga y por lo general estar li
mitada por un reactor de corriente circulante L r tal y como se muestra en la figura 5-4a.
Si Voi y vol son los voltajes de salida instantneos de los convertidores 1 y 2, respectivamen
te, la corriente circulante puede determinarse integrando la diferencia de voltaje instantneo a par
tir de m = 2 k - a x. Dado que los dos voltajes promedio de salida son iguales y opuestos durante
el intervalo coi = n + a i hasta 2 n - a u su contribucin a la corriente circulante instantnea i, es
cero.
1
ir

rt>/
L

/y,
(/)Lr ./7-jt
J2ir-aI

( W

Vm

a)Lr

1 c<oi
v r d { ( t)

C(ot
J1tt~ch

"
t\
(Lr
Jir-a,

sen cot d(a>t)

(u ,

sen

vo2)

o jt

d (c t)

d ( w t

(5-33)

2V

v ir,

= (cos coi - cos a i)


ojLr

Sec. 5-5

C o n vertid o res m o n ofsico s duales

143

t3

t2

k+
V,

t4

Figura 5-4 Convertidor monofsico dual.

144

Los rectificad o res c o n tro la d o s

Cap. 5

La corriente circulante instantnea depende del ngulo de retraso. Para a i = 0, su magnitud se ha


ce mnima cuando cot = nn, n = 0, 2, 4..., y mxima cuando coi = n n , n = 1, 3, 5,... Si la corriente
pico de carga es Ip, uno de los convertidores que controla el flujo de potencia puede llevar una co
rriente de pico de (Ip + 4V Jo)Lr).
Los convertidores duales pueden operarse con o sin corriente circulante. En caso de opera
cin sin corriente circulante, slo opera un convertidor a la vez llevando la corriente de carga; es
tando el otro convertidor totalmente bloqueado debido a pulsos de compuerta. Sin embargo, la
operacin con corriente circulante tiene las siguientes ventajas:
1. La corriente circulante mantiene conduccin continua en ambos convertidores sobre todo el
rango de control, independiente de la carga.
2. Dado que un convertidor siempre opera como rectificador y el otro como un inversor, el flu
jo de potencia es posible en cualquier direccin y en cualquier momento.
3. Dado que ambos convertidores estn en conduccin continua, es ms rpido el tiempo de
respuesta para pasar de una operacin de un cuadrante a otra.

Ejemplo 5-6_____________________________________________________________________________
El convertidor dual monofsico de la figura 5-4 se opera a partir de una alimentacin de 120-V
60-Hz la resistencia de carga es R = 10 Q. La inductancia circulante es Lc = 40 mH; los ngulos
de retraso son a i = 60 y CC2 = 120. Calcule la corriente de pico circulante y la corriente de pico
del convertidor 1.
__
Solucin co = 2rc x 60 = 377 rad/s, a i = 60, Vm = V 2 x 120 = 169.7 V, / = 60 Hz, y Lr = 40
mH. Para coi - 2n y a i = tc/3, la ecuacin (5-33) nos da la corriente de pico circulante.
7,.(max) =

2V

169 7
(1 - cos a ,) = 377 x 0 .04 = 1 L 2 5 A

La corriente de pico de carga Ip = 169.71/10 = 16.97 A. La corriente de pico del convertidor 1 es


(16.97+ 11.25) = 28.22 A.

5-6 CONVERTIDORES MONOFASICOS EN SERIE


En el caso de las aplicaciones en alto voltaje, se pueden conectar dos o ms convertidores en serie
para compartir el voltaje y mejorar el factor de potencia. En la figura 5-5a aparecen dos semiconvertidores conectados en serie. Cada secundario tiene el mismo nmero de vueltas, la relacin de
vueltas entre el primario y el secundario es Np/Ns = 2. Si a i y a 2 son los ngulos de retraso del
convertidor 1 y del convertidor 2, respectivamente, el voltaje mximo de salida Vdn se obtiene
cuando a i = a i = 0.
En sistemas de dos convertidores, uno de los convertidores se opera para obtener un voltaje
de salida desde 0 hasta VdJ 2 y el otro se pasa por alto a travs de su diodo de marcha libre. Para
tener un voltaje de salida a partir de VdJ 2 hasta Vdm, uno de los convertidores est totalmente acti
vo (en el ngulo de retraso a i = 0) siendo ngulo de retraso del otro convertidor, a 2, se modifica.
En la figura 5-5b se muestra el voltaje de salida, las corrientes de entrada a los convertidores y la

Sec. 5-6

C o n vertid o res m o n ofsico s en serie

145

u>t

o>t

)t

0>t

>0)t

wX

-tii

< A )\

Figura 5-5

Semiconvertidores monofsicos en serie.

corriente de entrada desde la alimentacin cuando ambos convertidores estn operando con una
carga altamente inductiva.
De la ecuacin (5-5), los voltajes promedio de salida de los dos semiconvertidores son
Vedi = (1 + eos a ,)
77

Vcd2 = (1 + eos a 2)
7T
El voltaje de salida resultante de los convertidores es
= Vcdi + Vcd2 = (2 + COS i + COS Ot2)

(5-34)

77

1 46

Los rectificad o res co n tro la d o s

Cap. 5

El voltaje promedio mximo de salida para a i = CX2 = 0 es Vm = 4 V J n . Si el convertidor 1 est


operando: 0 < a i < 71 y 0C
2 = n, entonces
Ved = Vedi + Vcd2 = (1 + eos a ,)
77

(5-35)

y el voltaje promedio de salida normalizado es


Vn = r - = 0.25(1 + eos a ,)

y dm

(5-36)

Si ambos convertidores estn operando: a i = 0 y 0 < a 2 ^ n, entonces


Ved = Vedi + Vedi = (3 + eos a 2)
77

(5-37)

y el voltaje promedio de salida normalizado es


Vn = r r - = 0.25(3 + eos a 2)

y dm

(5-38)

La figura 5-6a muestra dos convertidores completos conectados en serie, la relacin de vueltas en
tre el primario y el secundario es Np/Ns = 2. Debido a que no existen diodbs de marcha libre, no es
posible pasar por alto uno de los convertidores, y ambos convertidores deben operar al mismo
tiempo.
En modo de rectificacin, un convertidor est totalmente avanzado (i = 0) y el ngulo de
retraso del otro convertidor, a 2, vara desde 0 hasta n, a fin de controlar el voltaje de salida de co
rriente directa. En la figura 5-6b se muestra el voltaje de entrada, los voltajes de salida, las co
rrientes de entrada de los convertidores y la corriente de entrada de alimentacin. Comparando la
figura 5-6b con la figura 5-2b, podemos notar que la corriente de
entradadesdela alimentacin es
similar a la deun semiconvertidor. Como resultado, el factor de potencia delconvertidor mejora,
pero el factor de potencia es menor que en el caso de una serie de semiconvertidores.
En modo inversor, un convertidor est totalmente retrasado, 0.2 = n , y el ngulo de retraso
del otro convertidor, a i, vara desde 0 hasta n para controlar el voltaje promedio de salida. En la
figura 5-6d se muestran las caractersticas v -i de los convertidores completos en serie..
De la ecuacin (5-21) los voltajes promedio de salida de dos convertidores completos son
^2V
Ym

t/
Vedi

-----------

77

COS O\

^2V
m
V cd 2 --------- COS a i
,,

77

El voltaje promedio de salida resultante es


2V
v cd = Vcdi + Vcd2 = - f

(COS

a , + eos a 2)

(5-39)

El voltaje promedio de salida mximo para ai = a 2 = 0 es Vdn = 4VdJ n . En modo de rectificacin,


a i = 0 y 0 < a i < n; entonces
2V
Vcd = Vcd, + 1^2 =

7T

Sec. 5-6

C o n vertid o res m o n ofsico s en serie

(1 + eos 02)

(5-40)

147

Figura 5-6

148

Convertidores monofsicos completos.

Los rectificad o res co n tro la d o s

Cap. 5

y el voltaje d e salida de cd norm alizado es

V = ^

y dm

En m od o d e inversin, 0 < a i <

y a2 <

n;

Ved = Vedi +

0 .5 (1 + c o s a 2)

(5 -4 1 )

entonces

2V
VCd2 = 77-

(e o s

a\

1)

(5 -4 2 )

y el voltaje p rom ed io d e salida norm alizado es

y dm

= 0 .5 ( c o s a , -

1)

(5 -4 3 )

E jem p lo 5-7
La corriente de carga (con un valor promedio / 0) de los convertidores com pletos en serie de la fi
gura 5-6a es continua y el contenido de la com ponente ondulatoria es despreciable. La relacin
de vueltas del transformador es Np/Ns = 2. Los convertidores operan en m odo de rectificacin de
tal forma que oq = 0 y a 2 vara desde 0 hasta K. (a) Exprese la corriente de alimentacin de en
trada en series de Fourier, determine el factor armnico de la corriente de entrada HF, el factor
de desplazamiento D F y el factor de potencia de entrada PF. (b) Si el ngulo de retraso es a 2 =
n/2 y el voltaje pico de entrada es Vm= 162 V , calcule V ^, Vn, V7^ , HF, DF, y PF.
Solucin (a) La forma de onda para la corriente de entrada aparece en la figura 5-6b, y la co
rriente instantnea de alimentacin de entrada se puede expresar con una serie de Fourier en la
forma

's(t)
donde
=
de orden n

-nciall.

E
=I,2,...

/ sen
*

(n u t

4>)

(5-44)

La ecuacin (5-11) da el valor rms de la corriente de entrada de la armnica

r
Is

__ na2

1=
eo s - z - =
V 2 rnr
2

2V 2 1
na2
co s
nir
2

5-45)

El valor rms de la corriente fundamental es


/,I =

7t

COS

%2

1/2

(5-46)

La corriente rms de entrada se determina com o

h =

(5-47)

D e la ecuacin (3-51).
77(77

<x2)
a 2)

1/2

HF = h7TT
L4(l + cos

(5-48)

D e la ecuacin (3-50)

&2

D F = c o s </)| = co s

Sec. 5-6

.U.

C o n vertid o res m o n ofsico s en serie

(5-49)

149

De la ecuacin (3-52)

/ (i
a-,
V2 (1 + cos ai)
PF = cos y = ' [77(7: _- 2^1
^ Vn. "

(5-50)

(b) a i = 0 y a i = n/2. Partiendo de la ecuacin (5-41),


Vcd = (2 x i ^ ) (l + c o s f ) = 103.13 V
De la ecuacin (5-42), Vn = 0.5 pu y, por lo tanto,
2

V;ms = ^ J* (2Vm)2 sen2 wt d(wt)


sen 2a2'i]IP- _

= V2

7T a 2 H

, 2 V2

/,, = I,
l,
HF =

7T
COS

7T

A M/ J 2 iTJ ,:
7T

PF

0.6366/,,

0.4835

~ m ~

1 62 V

/, = 0.7071/,,

48.35%

DF = cos

= 0.7071

cos(-(/>i) = 0.6366 (atrasado)

Nota. El rendimiento de los convertidores completos en serie es igual al de los semiconvertidores monofsicos.

5-7 CONVERTIDORES TRIFASICOS DE M EDIA ONDA


Los convertidores trifsicos suministran un voltaje de salida ms alto, y adems la frecuencia de
las componentes ondulatorias dcl voltajc de salida es mayor en comparacin con los convertidores
monofsicos. Como consecuencia,!los requisitos de filtrado para suavizar la corrientey~rwltaje
de carga so nm s sencillos.Por estas razones,'los convertidores trifsicos son de amplia utilizacin en propulsores de vcjoddad ivariablefde alta potencia, Se pueden conectar tres convertidores
monofsicos de media onda de la figura 5-la, similar a un convertidor trifsico de media onda,
como se muestra en la figura 5-7a.
Cuando el tiristor T\ se dispara en m = rc/6 + a , el voltaje de fase vm aparece a travs de la
carga, en tanto no sea disparado el tiristor T% en cot = 5n/6 + a . Cuando el tiristor T2es disparado,
el tiristor T queda con polarizacin inversa, dado que el voltaje de lnea a lnea, Va* (= vM - vhn),
es negativo y entonces Ti se desactiva. El voltaje de fase vb aparece a travs de la carga hasta que
el tiristor r 3 se dispara en c = 3tt/2 + a . Al dispararse r 3, T2 se desactiva y v aparece a travs de
la carga hasta que T\ se vuelve a disparar al iniciar el siguiente ciclo. La figura 5-7b muestra las
caractersticas v -i de la carga y ste es un convertidor de dos cuadrantes. La figura 5-7c muestra
los voltajes de entrada, el voltaje de salida y la corriente a travs del tiristor Ti en el caso de una
carga altamente inductiva. En el caso de una carga resistiva y a > rc/6, la corriente de carga sera

1 50

Los rectificad o res co n tro la d o s

Cap. 5

Figura 5-7

Convertidor trifsico de media onda.

discontinua y cada tiristor se autoconmutara, al invertirse la polaridad de su voltaje de fase. La


frecuencia del voltaje de la componente ondulatoria de salida es 3f s. Normalmente no se utiliza en
sistemas prcticos este convertidor, porque las componentes de alimentacin contienen compo
nentes de cd.
Si el voltaje de fase es
= Vm sen (01, el voltaje promedio de salida para una com ente de
carga continua es
Ved =

Sec. 5-7

3 (STrlb+a
3V 3 V,
Vm sen cot d(<x)t) = z------- eos a
7T Jir/b+oc
L7T

C o n vertid o res trifsicos de m e d ia onda

,,,
(5-51)

151

donde V es el voltaje pico de fase. El mximo voltaje promedio de salida, que ocurre en el ngu
lo de retraso, a = 0 es
..
_ 3V 3 Vm
* dm
2 lT
y el voltaje promedio de salida normalizado es
(5-52)

Vn = = eos a
y dm
El voltaje de salida rms se determina a partir de
3_
. 2 tt

_J tt/6+o

v2
msen2 cjt

d(oji)
(5-53)

1
V3
V 3 V, (;- + eos 2 a
O

077

En caso de una carga resistiva y de a > n/6:


Vd =

Vrms =

3V m
I

277 Jw/b + a

v, sen w t d(<at) =

Ved = j _
Vdm
V3

1 + eos

1 + eos ( + a

(5-5 la)

TT

+ a

(5-52a)

3 f7r
-)
0

V m sen cot d(ojt)


.277 jttI^+c
5
24

V3

a^ 1
/ 77 _

+ sen I v
477 877
\3

2a

(5-53a)

Ejemplo 5-8*____________________________________________________________________________
El convertidor trifsico de media onda de la figura 5-7a es operado a partir de una alimentacin
conectada en estrella de 208 V 60 Hz la resistencia de la carga es # = 10 Q. Si se requiere obte
ner un voltaje promedio de salida del 50% del voltaje de salida mximo posible, calcule (a) el
ngulo de retraso a, (b) las comentes promedio y rms de salida, (c) las corrientes promedio y
rms de tiristor, (d) la eficiencia de rectificacin, (e) el factor de utilizacin del transformador
TUF y (f) el factor de potencia de entrada PF.
Solucin El voltaje de fase es V, = 208/V1 = 120.1 V, Vm = -2V S = 169.83 V,
= 0.5, y
R = 10 2. El voltaje de salida mximo es

= 3V3 x I ' ! ? - ,40.45 V

El voltaje promedio de salida,


= 0.5 x 140.45 = 70.23 V.
(a) Para una carga resistiva, la corriente de carga es continua si a < n/6, la ecuacin(5-52)
nos da que Vn > cos(7t/6) = 86.6%. Con una carga resistiva y una salida del 50%, la corriente de
carga es discontinua. A partir de la ecuacin (5-52a), 0.5 = (1/V3) [1 + cos(Jt/6 + a)], lo que da
el ngulo de retraso a = 67.7.
(b) La corriente promedio de salida, / cd = Vc/R = 70.23/10 = 702 A. De laecuacin
(5-53a), V^nus = 94.74 V y la corriente rms de carga l ms = 94.74/10 = 9.47 A.

152

Los rectificad o res co n tro la d o s

Cap. 5

(c) La corriente promedio de un tiristor, a = /dc/3 = 7.02/3 = 2.34 A y la corriente media


cuadrtica de un tiristor I r = m sl V3 = 9.47/~3 = 5.47 A.
(d) D e la ecuacin (3-44), la eficiencia de rectificacin es = 70.23 x 7.02 (94.74 x 9.47) =
54.95% .
(e) La corriente rms de la lnea de entrada es la misma que la corriente rms del tiristor, y la
especificacin de volt-amperes de entrada, V I = 3 V JS = 3 _ 120.1 x 5.47 = 1970.84 W. D e la
ecuacin (3-49), TUF = 70.23 x 7 .02/1970.84 = 0.25 es decir 25%.
(f) La potencia de salida, Pa = I2rmsR = 9 .4 7 2 x 10 = 896.81 W . El factor de potencia de en
trada, PF = 896.81/1970.84 = 0.455 (atrasado).

Nota. Debido al ngulo de retraso, a , la componente fundamental de la corriente de lnea


de entrada tambin est retrasada con respecto al voltaje de fase de entrada.

5-8 SEMICONVERTIDORES TRIFASICOS


Los semiconvertidores trifsicos se utilizan en aplicaciones industriales hasta el nivel de 120 kW,
en los que se requiere de una operacin de un cuadrante. Conforme aumenta el ngulo de retraso
se reduce el factor de potencia de este convertidor, aunque es mejor que el de los convertidores
trifsicos de media onda. En la figura 5-8a se muestra un semiconvertidor trifsico con una carga
altamente inductiva, la corriente de carga tiene un contenido de componentes ondulatorias despre
ciable.
La figura 5-8b muestra las formas de onda de los voltajes de entrada, del voltaje de salida,
de la corriente de entrada y de la corriente a travs de los tiristores y diodos. La frecuencia del
voltaje de salida es 3
El ngulo de retraso, a , se puede variar desde 0 hasta n. Durante el
perodo jt/6 < c < l n / 6, el tiristor T\ tiene polarizacin directa o positiva. Si Ti se dispara en coi =
(tc/6 + a ), Ti y D\ conducen y el voltaje de lnea a lnea Vea aparecer a travs de la carga. En co/ =
Jt/6, Vea empieza a ser negativo y el diodo de marcha libre Dmconduce. La corriente de carga con
tinuar fluyendo a travs de D m, y Ti y Di se desactivarn.
Si no existe un diodo de marcha libre, Ti contina conduciendo hasta que el tiristor Tj se
dispara en co = 5k/6 + a y la accin de marcha libre a travs de Ti y D2. Si a < tt/3, cada tiristor
conduce durante 2tc/3 y el diodo de marcha libre D m no conduce. La formas de onda de un semi
convertidor trifsico con a < tc/3 se muestran en la figura 5-9.
Si definimos los tres voltajes del lnea a neutro como sigue:
Van =

y , n S en Cd

Los voltajes lnea a lnea correspondientes son

Sec. 5 -8

S em ic o n v e rtid o re s trifsicos

153

TI

Figura 5-8

154

Semiconvertidor trifsico.

Los rectificad o res co n tro la d o s

Cap. 5

t 3 03 T 1 d ?

t, d1

] 2 D?

t 2 d2

T3 Df

t 3 d3

T1 d?

A ctivado

Figura 5-9

Sec. 5 -8

Semiconvertidor trifsico para a

S em ico n v ertid o res trifsicos

< n/3.
155

donde Vm es el voltaje pico de fase de una alimentacin conectada en estrella.


Para a > n /3 y un voltaje discontinuo de salida: el voltaje promedio de salida se determina a
partir de
(5-54)

3 V 3 Vm
(1 + eo s a)
2tt
El mximo voltaje promedio de salida que ocurre a un ngulo de retraso a = 0 es Vm = 'i'i~ 3 V Jn
y el voltaje promedio de salida normalizado es
V A
V = 77 = 0.5(1 + eos a)

(5-55)

V dm

El voltaje rms de salida se determina a partir de


1/2

Vy rms =

\ 1M 3 V zm sen2 ( o t - j ) d(ojt)
. 2. 7T

J t t / 6 +o

(5-56)

L ( " " + 2 X n 2 a
Para a < n/3, y un voltaje de salida continuo:
Ved =

r 7r/2

7T

L^Tr/6+a

Vn = - =

3V3
277

f5T776 + a

Vah d((t) +

vac d(<t)

J tt/2

(1 + eos a)

0.5(1 + eos a )

(5-55a)

* dm

V
v rms =

n/2

r57r/6+a: .

i 2 L +av d((t) + L

= V3V

(5-54a)

u d()).

(5-56a)

3 /2 tt
+ V 3 e o s2 a j
.477 V 3

Ejemplo 5-9___________________ _________________________________________________________


Repita el Ejemplo 5-8 para el semiconvertidor trifsico de la figura 5-8a.
Solucin El voltaje de fase es V* = 208/V 3 = 120.1 V, Vm = '2 V S = 169.83, Vn = 0 .5 y R = 10
2. El voltaje de salida mximo es

7T

. 3VJ x

7T

- 280.9 V

El voltaje promedio de salida V^d = 0.5 x 208.9 = 140.45 V.

1 56

Los rectificad o res co n tro la d o s

C ap. 5

(a) Para a < 7t/3 y la ecuacin (5-55), obtenemos Vn < (1 + eos n)/2 = 75%. Con una car
ga resistiva y una salida del 50%, el voltaje de salida es discontinuo. De la ecuacin (5-55), 0.5 =
0.5 /(I + eos a) lo que nos da un ngulo de retraso a = 90e.
(b) La corriente promedio de salida / cd = Vc(/R = 140.45/10 = 14.05 A. De la ecuacin
(5-56),
= V3 x 169.83 L

3 /

1/2

ir

V77 - - + 0.5 sen2 x 9) |

= 180.13 V

y la corriente de carga rms ms = 180.13/10 = 18.01 A.


(c) La corriente promedio de un tiristor = lc/3 = 14.05/3 = 14.68 A y la corriente rms de
un tiristor Ir =
= 18.01/V 3 = 10.4 A.
(d) De la ecuacin (3-44), la eficiencia de rectificacin es

x i:Si - O'688

m M

(e) Dado que un tiristor conduce durante 27C/3, la corriente de lnea rms de entrada es I =
Inm V ~2h = 14.71 A. La especificacin en volt-amperes de entrada, VI = 3VIS = 3 x 120.1 x
14.71 = 5300. De la ecuacin (3-49), TUF = 140.45 x 14.05/5300 = 0.372.
(f) La potencia de salida P0 = 2m s R = 18.01a x 10 = 3243.6 W. El factor de potencia de
entrada es PF = 3243.6/5300 = 0.612 (atrasado).
Nota. El factor de potencia es mejor que el de los convertidores trifsicos de media onda.
5-8.1 Sem iconvertidores trifsicos con carga RL
El voltaje de salida del semiconvertidor trifsico de la figura 5-8a ser continuo o discontinuo de
pendiendo del valor del ngulo de retraso a . En cualquier caso la forma de onda de salida se pue
de dividir en dos intervalos.
Caso 1: voltaje de salida continuo.
Para a < tc/3, la forma de onda del voltaje de
salida aparece en la figura 5-9.
Intervalo 1 para 7t/6 + a < coi < n/2: conducen el tiristor Ti y el diodo >3 . El voltaje de sali
da se convierte en

v0 = vah = V l Vab sen(w

para^ + a <

donde Vab es el voltaje rms lnea a lnea de entrada. La corriente de carga


se puede determinar a partir de
T d r 1

+ R il 1 + E = V 2 Vah sen (^co +

l\

<y
durante el intervalo 1

77

77

para + a < i s

con las condiciones lmite 2i(co = rc/6 + a) = u> e ji(c = rc/2) = /i.
Intervalo 2 para n/2 < coi < 5tc/6 + a: conducen el tiristor Ti y el diodo D i. El voltaje de sa
lida se convierte en
v0 = vac =

Sec. 5 -8

Vac sen (w t -

S em ic o n v e rtid o re s trifsicos

para^ < w < ^

+ a

157

La corriente de carga i n durante el intervalo 2 se puede determinar a partir de


L ^

+ R iL2 + E = V 2 Vcw sen (oit - ^

para^ < w < ^

+ a

con las condiciones lmite iui(b)t = n/2) = IA e '(coi = 57t/6 + a ) = Iu>.


Caso 2: voltaje de salida discontinuo.
Para a > n/3, la forma de onda del voltaje
de salida se muestra en la figura 5-8b.
Intervalo 1 para n/2 < coi < n/6 + a: conduce el diodo Dm. El voltaje de salida es cero, vQ=
0 para n/2 < coi < n/6 + a . La corriente de carga k i durante el intervalo 1 se puede determinar a
partir de
L ^
+ Ri i + E = 0
dt

para ^ < coi < ^ + a


L
6

con las condiciones lmite ,(c = n/2) = /^, e ,i(cd = 71/6 + a ) = / 1.


Intervalo 2 para tt/6 + a < m < 7rt/6: conducen el tiristor T\ y el diodo D i. El voltaje de sa
lida se convierte en
v0 = i v = V 2 Vm. sen ( - -7

77

Pa r a 6

donde Va es el voltaje rms lnea a lnea de entrada. La corriente de carga i n durante el intervalo 2
se puede determinar a partir de
L

+ R iL2 + E = V 2 Vac sen ( -

con las condiciones lmite (2(0 = n /6 + a ) = l\ e

para ^ + a < coi <


= 77r/6) = /z,0.

5-9 CONVERTIDORES TRIFASICOS COMPLETOS


Los convertidores trifsicos se utilizan ampliamente en aplicaciones industriales hasta el nivel de
220 kW, en las que se requiere de una operacin en dos cuadrantes. En la figura 5-10a se muestra
un circuito de convertidor completo, con una carga inductiva alta. Este circuito se conoce como
puente trifsico. Los tiristores se disparan a intervalos de n/3. La frecuencideTvoltaje de la com
ponente ondulatoria de salida es 6f s siendo la necesidad de filtraje menor que la de los convertidores trifsicos semi y de media onda. En c = tc76 + <x , e f tiristor T6 ya conduce y elln stor T\ se
activa. Durante el intervalo ( tc/ 6 + a ) < co < (n/2 + a) conducen los tiristores Ti y T6 y a travs de
la carga aparece el voltaje lnea a lnea vab(= vm - vbn). En co = n/2 + a , el tiristor T2 se dispara y
el tiristor T6 de inmediato invierte su polaridad. r 6 se desactiva debido a la conmutacin natural.
Durante el intervalo (n/2 + a ) < coi < (5n/6 + a ), los tiristores 7\ y T2 conducen y el voltaje de l
nea a lnea, V, a p a r e c e a travs de la carga. Si los tiristores se numeran tal y como se muestra en
la figura 5-10a, la secuencia de disparo es 12, 23, 34, 45, 56 y 61. En la figura 5-10b aparecen las
formas de onda para el voltaje de entrada, para el voltaje de salida, para la corriente de entrada y
las corrientes a travs de los tiristores.

158

Los rectificad o res co n tro la d o s

Cap. 5

A ctivado

Figura 5-10

Sec. 5-9

Convertidor trifsico completo.

C o n vertid o res trifsicos co m p leto s

159

Si los voltajes de lnea a neutro se definen com o


Van

= Vm sen (Dt

Vbn

v,

2-77

sen (wr -

Vm = Vm sen w/ +

2tt

los voltajes lnea a lnea correspondientes son


Vbn = V 3

vmsen

Vbc = Vbn ' - vc = V 3

vmsen

Ven ' - van = V 3

Vmsen

Vab =

Vea

El voltaje promedio de salida se determina a partir de


3

cd =

fn/2+ a

Z
I
vh d^
77 JTr/6+a
3V3
TT

veo s

7T/2+a

= ~7T Jrr/6+a
x ^

7r\

vm.sen (t
\

+ -q )/

d(wt)
(5-57)

El mximo voltaje promedio de salida, para el ngulo de retraso a = 0 es


Vdm =

3 V 3 Vm
77

y el voltaje promedio de salida normalizado es


V =

(5-58)

= eos a

El valor rms del voltaje de salida se determina a partir de

vrms=

3 fff/2+a

1_77

. /
77 \
3 V 2msen2 [(01 + -)d(<ot)

Jir/6+a
(\

= V 3 V

'X\/5

1/2

(5-59)

\ l/2

eos 2a)

En la figura 5-10b se muestran las formas de onda para a = n/3. Para a > n/3, el voltaje ins
tantneo de salida v0 tendr una parte negativa. Dado que la corriente a travs de los tiristores no
puede ser negativa, la corriente de carga ser siempre positiva. Por lo tanto, en el caso de una car
ga resistiva, el voltaje de carga instantneo no puede ser negativo, y el convertidor completo se
comportar como un semiconvertidor.

1 60

Los rectificad o res c o n tro la d o s

Cap. 5

Un puente trifsicororigina un voltaje de salida de seis pulsos. Para aplicaciones de alta po


tencia,, cornoJa transmisi0a.de cd de alto voltaje y la propulsin de motores de cd, se requiere nor
malmente de una salida de 12 pulsos para reducir las componentes ondulatorias de salida y para,
aumentar la frecuencia de las mismas, Para producir una salida efectiva de 12 pulsos se puede
combinar dos puentes de seis pulsos en serie o en paralelo. En la figura 5-11 se presentan dos con
figuraciones. Mediante la conexin de uno de los secundarios en estrella (Y) y el otro en delta (A)
es posible obtener un desplazamiento de fase de 30 entre los embobinados secundarios.
Ejemplo 5-10______________ _____________________________________________________________
Repita el ejemplo 5-8 para el convertidor completo trifsico de la figura 5-10a.
Solucin El voltaje de fase es Vs = 208/V 3 = 120.1 V, Vm = '2 V S = 169.83, V = 0.5, y R = 10
Q. El voltaje mximo de salida
=3
V j n = 3V 3 x 169.83/jt = 280.9 V. El voltaje prome
dio de salida VCd = 0.5 x 280.9 = 140.45 V.
(a) De la ecuacin (5-58), 0.5 = cos a, y el ngulo de retraso a = 60.
(b) La corriente promedio de salida ICd = VCJ R = 140.45/10 = 14.05 A. De la ecuacin
(5-59),
= V 3 x 169.83

3V3

L2 + "T C0S(2 X 6QO)

= 159.29 V

y la corriente rms / ms = 159.29/10 = 15.93 A.


(c) La corriente promedio del tiristor IA = /j/3 = 14.05/3 = 4.68 A y la corriente rms de un
tiristor Ir = /, V 2/6 = 15.93V 2/6 = 9.2 A.
(d) De la ecuacin (3-44), la eficiencia de rectificacin es

71 =

140.45 x 14.05
A 0
159^9 "x 15T93 = '778

77'8%

(e) La corriente de lnea de entrada rms s = Im s V 4/6 = 13 A y la clasificacin de volt-am


peres de entrada, VI = 3Vy,y = 3 x 120.1 x 13 = 4683.9 W. De la ecuacin (3-49), TUF = 140.45
x 14.05/4683.9 = 0.421.
(f) La potencia de salida P0 = I2m sR = 15.932 x 10 = 2537.6 W. El factor de potencia PF =
2537.6/4683.9 = 0.542 (atrasado).
Nota. El factor de potencia es menor que el de los semconvertidores trifsicos, pero mayor
que el de los convertidores trifsicos de media onda.
Ejemplo 5-11
La corriente de carga del convertidor completo trifsico de la figura 5-10a es continua con un
contenido de componentes ondulatorias despreciable, (a) Exprese la corriente de entrada en se
ries de Fourier, determinando el factor armnico HF de la corriente de entrada, el factor de des
plazamiento DF y el factor de potencia de entrada PF. (b) Si el ngulo de retraso a = 7t/3, calcule
Vn, HF, DF y PF.
Solucin (a) La forma de onda para la corriente de entrada aparece en la figura 5-10b y la co
rriente instantnea de entrada de una fase puede expresarse en una serie de Fourier de la forma
5C

eos nwt + b senneo)

iAt) = ^dc
= i ,2,...

Sec. 5-9

C o n vertid o res trifsico s co m p leto s

161

Figura 5-11

162

Configuraciones para una salida de 12 pulsos.

Los rectificad o res co n tro la d o s

Cap. 5

donde

= /cd =

2" !I* iA d(cot) = 0

n = ~ 2 /,(/) c o s
77 JO

r f5 ir /6 + a

ncot d(wt)

/ c o s

77 _ J ir /6 + a

nu>t d((ot)
,

4/
77
------ - s e n - ^ - s e n a

77

= 0
1

f2ir

77 JO
1

Ia c o s

w <z(oj)

, c

para = 1 , 3 , 5 , . . .

= 2, 4, 6, . . .

/s() sennco a(<)

f f5 7 r/6 + tt

TT Virlb+a

na>t d(a>t) ,

/ sen

"

4 /
77
= - sen
cos na
77

fll7 r/6 + a

para = 2 , 4 , 6 , . .

/ sen

JIM+a

para =

= 0

f llir / + o
J 7 r /6 + a

para

, i

1,3,5,.

nmt d(ojt)

. .

D ado que / cd = 0, la corriente de entrada se puede escribir com o

t 's ( f l =

V 2 / vsen(&) + </>)

2
n = 1,3,5,...

donde

4> = tan

_1* --t-t/l

(5-60)

El valor rms de la corriente de la ensim a armnica de entrada est dado por

= ia2 + ,2)i/2 _
V2

1,1 Sen
77

(5-61)

sen 3

El valor rms de la corriente fundamental es

V6

/ =

77

/ = 0.7797/

La corriente rms de entrada

2 1*577/6+0: t2

7' = f e U a

1/2

7" M
LV3

D F = cos
PF = ^

Is

Sec. 5-9

(>1 =

cos -

eos

= / a-y/3 = 0.8165/,,

= 0 .3 1 0 8

31.08%

= - co s a = 0.9549 D F
77

C o n vertid o res trifsico s co m p leto s

163

(b) Para a = 7t/3, Vn = cos(7t/3) = 0.5 pu, HF = 31.08%, DF = cos 60 = 0.5, y PF = 0.478 (atrs).
Nota. Si comparamos el factor de potencia con el del ejemplo 5-8, donde la carga es pura
mente resistiva, podremos notar que el factor de potencia de entrada depende del factor de poten
cia de la carga.
5-9.1 Convertidor trifsico completo con carga RL
De la figura 5 -10b, el voltaje de salida es
v = vah = V 2 Vah sen { u t +

para - + a < u t < ^ + a

r-

TT

= V 2 V ah sen coi'

2TT

para -^ + a ^ u>t < + a

donde co/' = co + 7t/6, y V ^ es el voltaje rms lnea a lnea de entrada. Seleccionando v** como el
voltaje de referencia de tiempo, se puede encontrar la corriente de carga a partir de

L ^ r + R l +
dt

E = V 2 Vah sen coi'

para ^ + a < c o / ' < ^ + a


5
j

cuya solucin a partir de la ecuacin (3-81) es

E
\ 1 Vah
( TT
I u + R -------- Z ~ S6n 1 3 + a "

g(R/L){(7r/3+a)/(o
t']

(5-62)

donde Z = [R1 + (c0L)2]112 y 0 = tan-1 (coL/R). En una condicin de rgimen permanente, (c' =
2rt/3 + a ) = (co/' = n/ 3 + a ) = u- Aplicando esta condicin a la ecuacin (5-62), obtenemos el
valor de Ili como

V 2 Vab sen(27r/3 + a - d) - sen(7r/3 + a - e)e~(R,L)Miol}


*L\

- -

1 _

o - ( R I L ) M 3<u)

(5-63)

para I u s 0

Ejemplo 5-12*__________________________________________________________________________
El convertidor completo trifsico de la figura 5-10a tiene una carga L = 1.5 mH, R = 2.5 2 y E =
10 V. El voltaje de entrada lnea a lnea es Vab = 208 V (rms), 60 Hz. El ngulo de retraso es a =
1/3. Determine (a) la corriente de carga de rgimen permanente /i en co/' = n/3 + a (o tambin
c0/ = 7t/6 + a), (b) la corriente promedio del tiristor Ia, ( c ) la corriente rms del tiristor Ir, (d) la
corriente rms de salida / ms y (e) la corriente promedio de salida /c<.
Solucin a = n/3, R = 2.5 Q, L = 1.5 mH, / = 60 Hz, co = 2n x 60 = 377 rad/s, Va, = 208 V,
Z = [R2 + (coL)TJ = 2.56Q y 9 = tan-1(coL//?) = 12.74.
(a) La corriente de carga en rgimen permanente en co/ = n/3 + a, i\ - 20.49 A.
(b) La integracin numrica de en la ecuacin (3-62), entre los lmites co/' = 7t/3 + a
hasta 2n/3 + a, proporciona la corriente promedio del tiristor, a = 17.42 A.

1 64

Los rectificad o res co n tro la d o s

Cap. 5

(c) Mediante la integracin numrica de i\, entre los limites (' = tc/3 + a hasta 27T/3 + a,
obtenemos la corriente rms del tiristor I r = 3_L32 A.
(d) La corriente rms de salida
= V 3Ir = ViTx 31.32 = 54.25 A.
(e) La corriente promedio de salida
= 31a = 3 x 17.42 = 52.26 A.

5-10 CONVERTIDORES TRIFASICOS DUALES


En muchos propulsores de velocidad variable se requiere normalmente de una operacin en los
cuatro cuadrantes, y en aplicaciones hasta el nivel de los 2000 kW se utilizan en forma extensa
convertidores trifsicos duales. En la figura 5-12a se muestran convertidores trifsicos duales en
los que dos convertidores trifsicos estn conectados espalda con espalda. Vimos en la seccin
5-5 que debido a diferencias instantneas de voltaje entre los voltajes de salida de los convertido
res, fluye una corriente circulante a travs de los convertidores. La corriente circulante est por lo
general limitada por el reactor circulante, L,, tal y como se muestra en la figura 5 -12a. Los dos
convertidores estn controlados de tal forma que si a i es el ngulo de retraso del convertidor 1, el
ngulo de retraso del convertidor 2 es a 2 = n - a i. En la figura 5-10b se muestran las formas de
onda de los voltajes de entrada, los voltajes de salida y el voltaje a travs del inductor L,. La ope
racin de cada convertidor es idntica a la de un convertidor trifsico completo. Durante el inter
valo (k/6 + a 0 < (O < (n/2 + a 0 , el voltaje lnea a lnea vah aparece a travs de la salida del
convertidor 1 y vbc aparece a travs del convertidor 2.
Si los voltajes lnea a neutro se definen como

vmsen ioot

Van

V h

= V,n sen ^cof

V c

= V, sen (tot

277
2 7T

los voltajes correspondientes lnea a lnea son


Vah

Van

Vbc

Vbn

Vea

V c

Vbn

= V3

v,

V a,

= V3

v,

Van

V3

(t +

77

6
77

vmsen

oit

577
ir

Si v0i y v02 son los voltajes de salida de los convertidores 1 y 2, respectivamente, el voltaje instan
tneo a travs del inductor durante el intervalo ( k / 6 + a ) < m < ( k / 2 + a i) ser
V-

V ,)

i "t-

= V3

U ( l2

V ab

sen \ coi +

Vkc

- sen [cot -

(5-64)

= 3V, COS ( (t ~

Sec. 5 -1 0

C o n vertid o res trifsicos duales

165

k
i.

t,

t3

Carga

s \

Vo2

v01

- 4 n-----

___ r\
Y

t4

^T g

/ n
V

t2

T 5-

Tv
:

r\

b
c

4 t,

(a) Circuito

Figura 5-12

1 66

Convertidor trifsico dual.

Los rectificad o res co n tro la d o s

Cap. 5

L a corriente circulante se puede determ inar a partir de

i,(t) =

vr d((ot) =

3V,
uL,

d(cot)
(5-65)

- sen i

La corriente circulante depende del ngulo de retraso a i y de la inductancia L,. Esta corriente se
hace mxima cuando cor = 2n/3 y a i = 0. Aun en ausencia de cualquier carga externa, los conver
tidores estaran activados continuamente debido a la corriente circulante como resultado de un
voltaje de componente ondulatoria a travs del inductor. Esto permite una inversin suave de la
corriente de carga durante el paso de una operacin de un cuadrante a otro proporcionando res
puestas dinmicas rpidas, especialmente en el caso de propulsiones de motores elctricos.

5-11 MEJORAS AL FACTOR DE POTENCIA


El factor de potencia de los convertidores controlados por fase depende del ngulo de retraso a , y
es por lo general bajo, especialmente en rangos bajos del voltaje de salida. Estos convertidores ge
neran armnicas en la alimentacin. Las conmutaciones forzadas pueden mejorar el factor de po
tencia de entrada y reducir los niveles de armnicas. Estas tcnicas de conmutacin forzada son
cada vez ms atractivas para la conversin de ca a cd. Con los adelantos tecnolgicos en dispositi
vos semiconductores de potencia (por ejemplo los tiristores con desactivacin por compuerta) la
conmutacin forzada se puede poner en operacin en sistemas prcticos. En esta seccin se anali
zarn las tcnicas bsicas de la conmutacin forzada para convertidores de ca a cd, que se pueden
clasificar como sigue:
1. Control del ngulo de extinci'
2. Control del ngulo simtrico
3. Modulacin del ancho de pulso
4. Modulacin senoidal del ancho de pulso
5*11.1 Control del ngulo de extincin
En la figura 5-13a se muestra un semconvertidor monofsico, en el que los tiristores T\ y T2 han
sido reemplazados por los interruptores Si y S. Las acciones de conmutacin de S\ y S2 pueden
llevarse a cabo por tiristores de desactivacin por compuerta (GTO). Las caractersticas de los
GTO son tales que un GTO se puede activar mediante la aplicacin de un corto pulso positivo a
su compuerta, como en el caso de los tiristores normales, y se puede desactivar mediante un corto
pulso negativo a su compuerta.
En el control del ngulo de extincin, el interrupt Si es activado en coi = 0 y desactiva
do mediante conmutacin forzada en coi = n - p. Elinterruptor S2 es activado en coi = n y de
sactivado en coi = (271 - P). El voltaje de salida se controla mediante la variacin delngulo de
extincin, (3. En la figura 5-13b se muestran las formas de onda para el voltaje de entrada, el
voltaje de salida, la corriente de entrada y la corriente a travs de los tiristores interruptores.

Sec, 5-11

M e jo ra s al factor de potencia

167

'o

(a) Circuito

Figura 5-13

Semiconvertidor monofsico de conmutacin forzada.

La componente fundamental de la corriente de entrada est adelantada respecto al voltaje de en


trada, y el factor de desplazamiento (as como el factor de potencia) esta en adelanto. En algunas
aplicaciones, esta caracterstica puede ser conveniente para simular una carga capacitiva y com
pensar por cadas de voltaje en lnea.
El voltaje promedio de salida se determina a partir de
V
Vm sen w t d(ct) = (1 + eos /3)

Vcd

(5-66)

y Vd se puede variar desde 2 V J n hasta 0, variando p de 0 hasta n. El voltaje rms de salida est
dado por
77-/3

Vrms =

V2sen2 coi d(o)t)


-2 7 7 Jo

(5-67)

Vm li ( _ p +
V 2
En la figura 5-14a aparece un convertidor monofsico completo, en el que los tiristores Tu
Ti, T- y r 4 han sido reemplazados por interruptores de conmutacin forzada Su S2, S3 y S4. Cada
uno de los interruptores conduce durante 180. Los interruptores Si y S2 estn ambos activos des
de coi = 0 hasta coi = 7t - (3 y proporcionan potencia a la carga durante el medio ciclo positivo de

168

Los rectificad o res co n tro la d o s

C ap. 5

voltaje de entrada. En forma similar, los interruptores Si y S4 estn activos desde 00/ = 7t hasta cot =
n - P y proporcionan potencia a la carga durante el medio ciclo negativo del voltaje de entrada.
En caso de cargas inductivas, debe proporcionarse una trayectoria de marcha libre para la corrien
te de carga mediante los interruptores S 1S4 o bien S3S2. La secuencia de disparo sera 12, 14,43 y
32. En la figura 5 -14b se puede observar las formas de onda para el voltaje de entrada, para el vol
taje de salida, para la corriente de entrada y para las corrientes a travs de los interruptores. Cada
interruptor conduce durante 180 operndose este convertidor como un semiconvertidor. La ac
cin de marcha libre se lleva a cabo a travs de dos de los interruptores de un mismo brazo. Los
voltajes de salida promedio y rms se expresan en las ecuaciones (5-66) y (5-67), respectivamente.
El rendimiento de los convertidores semi y completos con control de ngulo de extincin es
similar a los de control de ngulo de fase, excepto porque el factor de potencia es adelantado. En
el caso del control por ngulo de fase, el factor de potencia es atrasado.
5-11.2 Control del ngulo simtrico
El control del ngulo simtrico permite la operacin en un cuadrante, en la figura 5-13a se mues
tra un semiconvertidor monofsico con interruptores Si y S2 de conmutacin forzada. El interrup-

o *

(a) Circuito

Figura 5-14

Sec. 5-11

Convertidor monofsico completo de conmutacin forzada.

M e jo ra s al factor de potencia

169

tor Si se activa en c = (rc - P)/2 y se desactiva en c = (?t + P)/2. El interruptor S2 se activa en c


(37t - P)/2 y se desactiva en c = (3tc + P)/2. El voltaje de salida es controlado mediante la va
riacin del ngulo de conduccin p. Las seales de compuerta son generadas al comparar las on
das semisenoidales con una seal de cd, tal y como se muestra en la figura 5-15b. La figura 5-15a
muestra las formas de onda del voltaje de entrada, del voltaje de salida, de la corriente de entrada
y de la corriente a travs de los interruptores. La componente fundamental de la corriente de en
trada est en fase con el voltaje de entrada, y el factor de desplazamiento es la unidad. De tal for
ma, el factor de potencia queda mejorado.
El voltaje promedio de salida se encuentra a partir de
=

Ved = T - P ^

2 7 7 J (rr /3)/2

V m sen Mt d { w t) =

77

sen ^

(5-68)

y al variar p desde n hasta 0, se puede variar Vcd desde 2 V j n hasta 0. El voltaje rms de salida est
dado por
Vrm< =

2 f(7T+ |3)/2 T /2

V2, sen2 CUt d((t)


2iT h w -m

(5-69)

1/2

Vm
- (3 + sen /3)
V 2 L77
Ejemplo 5-13

El convertidor com pleto m onofsico de la figura 5-14a se opera con control de ngulo simtrico.
La corriente de carga con un valor promedio de Ia es continua, siendo la com ponente ondulatoria
despreciable, (a) Exprese la corriente de entrada del convertidor con una serie de Fourier y deter
m ine el factor
armnico HF de la corriente de entrada, el
factor de desplazamiento D F y el factor
de potencia de entrada PF. (b) Si el ngulo de conduccin es b = n/3 y elvoltaje pico de entrada
es Vm = 169.83 V , calcule Vcci, V ^ , HF, D F y PF.
Solucin (a) La forma de onda para la corriente de entrada aparece en la figura 5-15a, y la c o
rriente instantnea de entrada se puede expresar con una serie de Fourier de la forma

A0

1 [

f(w+p)l2

X
11= 1 .2 ....

(n

co s

ncot

b sen nu>t)

donde

=^

an =
b' =

1 f2ir

77

iA t)

cos

n w t d (w t) =

d(oit)\ = 0
0

JO

i 27 isU) sen coi

tJo

= 0
D ado que

f(3ir+/3)/2

[ L - m 7" d(ojt) ~ L - m

para

n =

d((ot)

nn

= sen ^

para

n=

1, 3, . . .

2, 4, . . .

Ic = 0, la corriente de entrada se puede escribir


'(O =

n=
2

"^2

Insen(n<t

+ <f>)

(5-70)

1,3,5....

170

Los rectificad o res co n tro la d o s

Cap. 5

(b)
Figura 5-15

Sec. 5-11

Control del ngulo simtrico.

M e jo ra s al fac to r de potencia

171

donde

<t> =

tan 1

(5-71)

El valor rms de la corriente de entrada de la ensima armnica est dado por

1
2-, 1/2 - 2V2 /
(a + b)
V2

nf3

(5-72)

E l valor rms de la corriente fundamental es

/ =

2V2 /

/3

TT L

(5-73)

^ " sen j

La corriente rms de entrada se encuentra com o

,
/v

(5-74)

1a V n

1/2

HF =

77/3

r
" j

. y

(5-75)

.4(1 - eos /3)

D F = eo s (>1 =

(5-76)

nc

2V 2

, , D F = 7=

PF

V/3t7

sen

j3

(5-77)

(b) P = n/3 y DF = 1.0. D e la ecuacin (5-68)

tt

169.83\

i_

Ved = i 2 x --------) senZ = 54-06 V


D e la ecuacin (5-69),
_ 169.83 / /3 + sen
V 2

Av, =

'

fi\

77

( ^ ) s e n | = 0.4502/,,

/ , = / a^ 77 = 0.5774/,,

HF =

PF =

AV
/.Vi

-y- =
*S

= 0.803

80.3%

0.7797 (atrasado)

Nota. El factor de potencia ha mejorado en forma significativa, aun ms alto que el del con
vertidor monofsico completo en serie de la figura 5-6a. Sin embargo, el factor armnico ha au
mentado.

5-11.3 Control por modulacin del ancho de pulso


Si se controla el voltaje de salida de los convertidores monofsicos semi o completos, mediante la
variacin del ngulo de retraso, el ngulo de extincin o el ngulo simtrico, slo habr un pulso

172

Los rectificad o res co n tro la d o s

Cap. 5

por cada medio ciclo en la corriente de entrada del convertidor, como resultado la armnica de
menor orden ser la tercera. Resulta difcil filtrar una corriente armnica de orden menor. En el
control por modulacin del ancho de pulso (PWM), los conmutadores del convertidor se cierran
y se abren varias veces durante medio ciclo, el voltaje de salida se controla variando el ancho de
los pulsos. Las seales de compuerta se generan comparando una onda triangular con una
seal de corriente directa, tal y como se muestra en la figura 5-16b. La figura 5-16a muestra el
voltaje de entrada, el voltaje de salida y la corriente de entrada. Se pueden eliminar o reducir
armnicas de orden menor, si se selecciona el nmero de pulsos por medio ciclo. Sin embargo, al
aumentar el nmero de pulsos aumentar tambin el nmero de armnicas de orden ms alto, que
se podrn filtrar con facilidad.
Se puede determinar el voltaje de salida y los parmetros de rendimiento del convertidor en
dos pasos: ( 1 ) considerando slo un par de pulsos, tales que si uno de ellos inicia en coi = ai y ter
mina en coi = ai + 81, el otro empieza en c = n + a, y termina en coi = (n + ai + 81), y (2) combi
nando los efectos de todos los pares. Si el pulso de orden m se inicia en c = a m, y su ancho es 8m,
el voltaje promedio de salida debido a un nmero p de pulsos se encuentra a partir de

(5-78)

77

m=

Si la corriente de carga con un valor promedio de Ia es continua y tiene una componente ondulato
ria despreciable, la corriente instantnea de entrada se puede expresar con una serie de Fourier de
la forma
4 (0

^cd

(5-79)

cos nct + bn sen nwt)

n~ 1,3,...

En vista de la simetra de la forma de onda de la corriente de entrada, no existirn armnicas pa


res, e
deber ser 0 y los coeficientes de la ecuacin (5-79) son

I a cos ntot f(w)

I u cos noit d(ojt)

= 0

(5-80)

I a sen ncot d(a)t) -

TT

Cn+ft,+Xi
l +a
Ia sen nw t d{oit)

21 p
~
[eos n a m - co s n (a m + Sm)]

mr m=)

Sec. 5-11

M e jo ra s al factor de potencia

para = 1 , 3 , 5 , . . .

173

ib)
Figura 5-16

1 74

Control por modulacin de ancho de pulso.

Los rectificad o res c o n tro la d o s

Cap. 5

L a ecuacin (5-79) se puede reescribir


x

,() =

V 2 / se n (n a ) + </>,,)

(5-81)

=1,3....

donde 0 = tan~ \ a j b n) = 0 e l = (a2 + b2)I/2/V T =

5-11.4 Modulacin senoidal del ancho de pulso


Para controlar el voltaje de salida se puede variar el ancho de los pulsos. Si cada medio ciclo exis
ten p pulsos de igual ancho, el ancho mximo de un pulso es n/p. Sin embargo, el ancho de los
pulsos puede ser diferente. Es posible seleccionar el ancho de los pulsos, de forma que ciertas ar
mnicas sean eliminadas. Existen distintos mtodos para variar el ancho de los pulsos, siendo el
ms comn la modulacin senoidal del ancho de pulso (SPWM). En el control senoidal PWM, tal
y como se muestra en la figura 5-17, se generan los anchos de pulso comparando un voltaje de re
ferencia triangular vr de amplitud A r y de frecuencia f r, con un voltaje semisenoidal portador vc
de amplitud variable A c y de frecuencia 2f s. El voltaje senoidal vc est en fase con el voltaje de
fase de entrada v* y tiene dos veces la frecuencia de la alimentacin f s. El ancho de los pulsos (y
el voltaje de salida) vara al modificar la amplitud Ac o el ndice de modulacin M desde 0 hasta 1.

Figura 5-17

Sec. 5-11

Control senoidal del ancho de pulso.

M e jo ra s al fac to r de potencia

175

El ndice de m odulacin se define com o

M = 41

(5-82)

A r

En un control con modulacin senoidal del ancho de pulso, el factor de desplazamiento es la


unidad y el factor de potencia se mejora. Las armnicas de orden menor se eliminan o se reducen.
Por ejemplo, con cuatro pulsos por medio ciclo, la armnica de orden ms reducido es la quinta; y
con seis pulsos por medio ciclo, la armnica de orden menor es la sptima. Se pueden utilizar pro
gramas de computadora para evaluar los rendimientos del control PWM uniforme y PWM senoi
dal, respectivamente.
5-12 DISEO DE CIRCUITOS CONVERTIDORES
Para disear circuitos convertidores es necesario determinar las especificaciones de los tiristores y
diodos. Los tiristores y los diodos se especifican mediante la corriente promedio, la corriente rms,
la corriente de pico y el voltaje de pico inverso. En el caso de los rectificadores controlados, las
especificaciones de corriente de los dispositivos dependen del ngulo de retraso (o de control).
Las especificaciones de los dispositivos de potencia deben disearse para la condicin del peor
caso, que ocurre cuando el convertidor entrega el voltaje de salida promedio mximo V m La salida de los convertidores contiene armnicas que dependen del ngulo de control (o de
retraso) y en la condicin de peor caso generalmente prevalecen bajo la condicin de voltaje de
salida mnima. Se deben disear los filtros de entrada y de salida bajo condiciones de voltaje m
nimas de salida. En el diseo de convertidores y de filtros los pasos necesarios son similares a los
del diseo de circuitos de rectificadores de la seccin 3-13.
Ejemplo 5-14____________________________________________________________________________
Un convertidor trifsico com pleto se opera a partir de una alimentacin de 230-V 60-H z. La car
ga es altamente inductiva y la corriente promedio de carga es Ia = 150 A con un contenido de
com ponente ondulatoria despreciable. Si el ngulo de retraso es a = k /3, determine las esp ecifi
caciones de los tiristores.
Solucin Las formas de onda para las corrientes de tiristor se muestran en la figura (5-10b), Vs
= 230/VT = 132.79 V , Vm = 187.79 V y a = n/3. D e la ecuacin (5-57), Vcd = 3(Vl/re) x 187.79
x cos(ji/3) = 155.3 V. La potencia de salida Pc = 155.3 x 150 = 23,295 W . La corriente prom e
dio a travs del tiristor
= 150/3 = 50 A. La corriente rms a travs de un tiristor I r = 150V 2/6 =
86.6 A. La corriente de pico a travs de un tiristor /p t = 1_50 A. El voltaje de p ico inverso es la
amplitud pico del voltaje de lnea a lnea PIV = V 3 V m = V 3 x 187.79 = 325.27 V.

Ejemplo 5-15*___________________________________________________________________________
Un convertidor m onofsico, com pleto tal com o el que se muestra en la figura 5-1 8 , utiliza el
control de ngulo de retraso siendo alimentado con 120-V 60-H z. (a) U tilice el m todo de las se
ries de Fourier para obtener expresiones para el voltaje de salida v0(t) y la corriente de carga i0(t)
com o una funcin del ngulo de retraso a . (b) Si a = 7t/3, E = 10 V, L = 2 0 mH y R = 10 2, de
termine el valor rms de la corriente armnica de menor orden en la carga, (c) Si en la parte (b) se
conecta un capacitor de filtro a travs de la carga, determine el valor del capacitor, necesario pa
ra reducir la corriente armnica de menor orden al 10% del valor que tendra sin el capacitor, (d)
U tilice PSpice para graficar el voltaje de salida y la corriente de carga as com o para calcular la
distorsin armnica total (THD) de la corriente de carga y el factor de potencia de entrada (PF)
con el capacitor de filtro de salida de la parte (c).

176

Los rectificad o res c o n tro la d o s

Cap. 5

o ' l

Figura 5-18 Convertidor monofsico


completo con carga RL.

Solu cin (a) La forma de onda para el voltaje de salida aparece en la figura 5-3c. La frecuencia
del voltaje de salida es dos veces la de la alimentacin principal. El voltaje instantneo de salida
se puede espaciar n una serie de Fourier de la forma

v0(t) = Vc +

(a co s nw t

b sen nwt)

(5-83)

=2,4,...

donde

1 (*277+a
2Vm
ycd=
Vm sen atd(cot) = vT cos
ATT Ja
2 f7r+ ,,

fl/i = _

2
=

,,

Vm sen oj c o s

7T J a
fn+ a

77 J a

Jt
no>t, d(wt)
=2V,

.
2Vm
Vm sen a j t sen noit a(oit) = ----77

cos(n + l ) a
n+ 1
sen (n + l) a
n+ 1

cos( l ) a ]
n1 J
sen ( -

1)a

n1

La impedancia total
Z =

R + j(na>L)

[R2 +

(moL)2] l/2

[Bj,

y 0 n = tan-1 ( n(L/R). D ividiendo v0(/) de la ecuacin (5-83) entre la im pedancia de la carga Z y


sim plificando los trminos del seno y el cosen o obtenem os la c o m en te instantnea de carga
com o
0W

= c +

^ 2 /.sen(coi + </>- 0)

(5-84)

=2,4,...

donde

[a = (V d -

-1,

)//?, 4>n = tan (aj bn), y

"

(b)
Si a = tt/3,
169.71 V y Vcd = 54.02 V.

Ic =

54.02 JQ

10

(al +

b l ) ' 12

V 2 V R 2 + (ncoL)2
10 V, L = 20 mH, R = 10Q, w = 2jc x

6 0 = 377 rad/s, Vm = V 2 x 120 =

= 4.40 A

b t = -0 .8 6 6 , 0 , = 223.9, 6t = 56.45
0.433, b2 = -0 .1 7 3 , <t>2 = 111.79, 62 = 71.65
-0 .0 2 9 , bi = 0.297, <>3 = - 5 .5 , 03 = 77.53

a, = -0 .8 3 3 ,

a2 =
o3 =
Sec. 5-12

D iseo de circuitos co n vertid o res

177

i nuL

iL(t) = 4 .4 +

2Vm

7t

[R2 +

(nwL)2] l/2

Figura 5-19 Circuito equivalente


para armnicas.

[1.2sen (2 <ot + 223.9 - 56.45)

+ 0.47sen(4&j + 111.79 71.65) + 0.3sen(6oj/ 5.5 77.53) + ]


= 4.4 +

2 x 169.71
[1.2sen (2w + 167.45)
+ (7.54n)2] l/2

tt[ 102

(5-85)

+ 0 .4 7 sen (4&> + 40.14) + 0.3sen(6cof - 80.03) + ]


La segunda armnica es la menor y su valor rms es
1.2

2 x 169.71

h = r[ 102 + (7.54 x 2)2] 1'2 VV 2

= 5.07 A

(c) La figura 5-19 muestra el circuito equivalente para las armnicas. Utilizando la regla
del divisor de corrientes, la corriente de armnicas a travs de la carga est dada por

h
Para

l/(no)C)
l/(na)C)]2}l/2

{R2 + [nmL -

n = 2 y co = 377,
1/(2 x 377C)
{102 + [2 x 7.54 - 1/(2 x 377C)]2}i/2

0.1

y esto da C = -6 7 0 (iF o bien 793 |J.F. Por lo tanto, C = 793 (J.F.


(d)
El voltaje de pico de la alimentacin Vm = 169.7 V. Para oti = 60, el retraso d e tiempo
/i = (6 0/360) x (10 0 0 /6 0 Hz) x 1000 = 2 7 7 7 .7 8 |is y el retraso de tiem po 2 = (2 4 0 /3 6 0 ) x
(1000/60 Hz) x 1000 = 11,111.1 |0.s. El circuito del convertidor total m onofsico para la sim ula
cin PSpice aparece en la figura 5-20a. Los voltajes de compuerta
Vg2, Vg- y
para los
vgi,vg2

tw = 100 ps
T = 16.67 m s
t r = ti = 1 ns

10 V

Vfl3.V fl4

10 V

ti

(a) Circuito

Figura 5-20

1 78

T
2

t2

(b) Voltajes de com puerta

Convertidor monofsico completo para la simulacin PSpice

Los rectificad o res co n tro la d o s

Cap. 5

tiristores se muestran en la figura 5-20b. La definicin de su circuito para el m odelo de tiristor


SCR se describi en la seccin 4-14.
La lista del archivo de circuito es la siguiente:
Example

S i n g l e - Pha se Full

5 -15

(0

169 .7V

Converter

10

SIN

Vgl

PULSE

(0V

10V

2 7 7 7 . 8US

1NS

1NS

100US

1 6 6 6 6 . 7US)

Vg2

PULSE

(0V

10V

2 7 7 7 . 8US

1NS

1NS

100 US

1 6 6 6 6 . 7US)

VS

60HZ)

Vg3

PULSE

(0V

10V

1 1 1 1 1 . 1US

1NS

1NS

1 00 US

1 6 6 6 6 . 7US)

Vg4

PULSE

(0V

10V

1 1 1 1 1 . 1US

1NS

1NS

100U S

1 6 6 6 6 . 7US)

10
20MH

10V

; L oad b a t t e r y v o l t a g e

OV

;V o l t a g e

11

RX

11

0.1

VX

DC

10

VY
*

Subcircuit

7 93UF
; Added

DC
c alls

for

to h e l p c o n v e r g e n c e

source

to m e a s u r e

XT1

SCR

; Thyristor

XT3

SCR

; Thyristor

T3

XT2

SCR

; Thyristor

T2

XT4

SCR

; Thyristor

Subcircuit

.TRAN 10US

SCR w hich

35M S

supply

cu r r e n t

t h y r i s t o r m odel

is m i s s i n g mu st

16.67'MS

be

; Graphics

.opt ions

a b stol

= l.OOu r eltol

.FOUR

120HZ

I (VX)

= 1.0 m

v ntol

T4
in s e r t e d

; Transient

.PROBE

TI

analysis
postprocessor

= 0.1

ITL5=10000

; Fourier analysis

.END

Las graficas de PSpice para el voltaje de salida V (2,3) y de la corriente de carga I(V X ) se
muestran en la figura 5-21.
Las com ponentes Fourier de la corriente de carga son:
F O U R I E R C O M P O N E N T S OF T R A N S I E N T R E S P O N S E
DC C O M P O N E N T
HARMONIO

I(VX)

= 1 . 1 4 7 1 63E+ 01

FREQUENCY

NO

(HZ)

NORMALIZED

PHASE

COMPONENT

COMPONENT

(DEG)

FOURIER

NORMALIZED
PHASE

(DEG)

1 .2 00E+02

2 .13 6E + 00

1 .OOOE+ OO

- 1 . 13 2 E + 0 2

0 . OOOE+OO

2
3

2 . 400E + 02

4 .91 7E-01
1.823E-01

2.302E-01

1 . 73 8 E + 0 2

2 . 871E+02

3 . 600E+0 2

8 .5 3 3E-02

1.199E+02

2 .3 3 2 E + 0 2

4 .800 E + 02

9 . 9 3 3 E-02

4 . 65 0E -02

7 .794E + 01

1. 9 1 2E+02

5
6

6 . 0 00E+02

7.140E-02

3. 3 4 2 E - 0 2

2.501E+01

1.382E+02

7 . 20 0 E + 0 2

4.339E-02

2 . 0 31E-02

-3 .2 6 0 E + 0 1

8 .063E+ 01

8 .400 E+02

2.642E-02

1.2 3 7 E - 0 2

-7 .2 0 0 E + 0 1

4 . 1 23E+01

8
9

9. 600E + 02
1 . 0 8 0E+03

2 .24 8E -02
2 . 0 1 2E-02

1 . 0 52E-02
9.420E-03

-1.126E+02
-1.594E+02

- 4 . 61 7 E + 0 1

TOTAL HARMONIO

DISTORTION = 2.535750E+01

6 .1 92E + 0 1

PERCENT

Para encontrar el factor de potencia de entrada, necesitam os encontrar los com ponentes de
Fourier de la corriente de entrada, que son los m ism os que los de la corriente a travs de la fuen
te de VY.

Sec. 5-12

Diseo de circuitos co n vertid o res

1 79

Date/Time run:

Example 5-14
0 7 /1 7/ 92
IB: 20: 5B

Si ngle-Phase Fu ll -C on ve rt er
Temperature:

C1 C2 =
di f-

Time

22.488m.
2 7 . 778m,
-5.2900m.

27.0

liOF
8.4338
4.9718

Figura 5-21 Graficas de SPice para el ejemplo 5-14.

F O U R I E R C O M P O N E N T S OF T R A N S I E N T R E S P O N S E
DC C O M P O N E N T

(VY)

= 1.013355E-02
NORMALIZED

HARMONIO

FREQUENCY

NORMALIZED

PHASE

NO

(HZ)

COMPONENT

COMPONENT

(DEG)

2 . 2 0 2E+01

1 .000E + 00

5 .80 1E + 01

6 .00 0E + 01
1 .200E + 02

2.073E-02

9 . 415E -04

4 .0 33E + 01

1 .800E + 02

1 . 95 8E+01

8 . 8 90E-01

-3 .93 5E + 00

6 . 19 4 E + 0 1

4
5

2 .400E + 02
3 . 0 0 0E+02

2 . 16 7E-02
1 . 613 E+0 1

9. 841E-04
7 . 32 3 E - 0 1

-1.159E+01
-5.968E+01

- 6 . 9 60E+01

3 . 60 0E +02

2 .2 1 8E- 02

1 .00 7E-03

-6.575E+01

-1.238E+02

4 . 20 0 E + 0 2

4 . 8 00E+02

1.375E+01
2.178E-02

6.243E-01
9 . 89 1E- 04

-1.077E+02
-1 .2 0 2 E + 0 2

-1.657E+02

5 . 4 00E+02

I .317E + 01

5 . 983E-01

-1 .5 42E + 02

TOTAL HARMONIO

FOURIER

DISTORTION

PHASE

(DEG)

0 .0 0 0 E + 0 0
-1 .7 6 8E+ 01

-1.177E+02

-1.783E+02
-2 .12 2 E + 0 2

= 1.440281E+02 PERCENT

Distorsin total de la corriente de entrada, THD = 144% = 1.44


Angulo de desplazamiento, <J>i = 58.01
Factor de desplazamiento, D F = eos <J>] = c o s(-5 8 .0 1 ) = 0.53 (atrasado)

PF = 7T 0S
= (i +

180

(b'

= [1 + (% THD/100)2] i/2 C0S ^

(5'86)

x ' 53 = - 302 (atrasado)

Los rectificad o res co n tro la d o s

Cap. 5

Notas
1. Los anlisis arriba efectuados son vlidos nicamente si el ngulo de retraso a es mayor que
ao, que est dado por
-i E
-

10
,,00
6M T = 3 3 8

2. Debido al capacitor de filtro C, una alta corriente de carga pico fluye de la alimentacin, y
el THD de la corriente de entrada tiene un alto valor de 144%.
3. Sin el capacitor C, la corriente de carga se hace discontinua, la corriente de carga pico de la
segunda armnica es / 2(Pico) = 5.845 A, / cd es 6.257 A, el TDH de la corriente de carga es
14.75% y la distorsin armnica total de la corriente de entrada es 15.66%.
4. Por lo comn se utiliza un filtro LC para limitar la corriente pico de alimentacin; esto se
ilustra en el ejemplo 15-15
Ejemplo 15-16*
El circuito equivalente del convertidor monofsico completo con un filtro LC aparece en la figu
ra 5-22a. El voltaje de entrada es 120 V (rms), 60 Hz. El ngulo de retraso es a = ic/3. El voltaje
de salida de cd es
= 100 V en / c(j = 10 A. Determine los valores de la inductancia Le, P y las
corrientes rms del inductor l ms.
__
Solucin co = 2it x 60 = 377 rad/s, Vcd = 100 V, V, = 120 V, Vm = V 2 x 120 = 169.7 V, Vcd =
100 V. La relacin de voltaje x = VQJVm = 100/169.7 = 58.93%. Supongamos que el valor de Ce
es muy grande, de tal forma que su voltaje est libre de componentes ondulatorias con un valor
promedio de Vc. Le es la inductancia total, incluyendo la inductancia de alimentacin o de lnea.
Si Vc es menor que Vm y el tiristor T se dispara en ( = a > Oto, la corriente de carga l empezar
a fluir. Para v5 = Vcd = Vm sen oto, o est dado por
a0 = sen -' = sen _l
*m

x = 36.1

Utilizando la ecuacin (3-103), la corriente de carga est dada por


i, =

u>Le

(eos

a -

eoscot)

Vdc
-- z- {(t
(oLe

Se puede determinar el valor de (0/ = P, donde la corriente


(coi = P) = 0. Esto es

a)

para cu?

> a

(5-87)

cae a cero, a partir de la condicin

eos a - eos /3 jc(/3 - a) = 0

(5-88)

Resolviendo la ecuacin (5-88) en funcin de P mediante iteracin, obtenemos que P = 91. Uti
lizando la ecuacin (3-105), obtenemos la relacin de corrientes promedio normalizadas, /cd//pk
= 1.865%. Por lo tanto,
= /CI/0.01865 = 536.2 A. El valor requerido de inductancia es
Le =

Vm
169.7
_
TT
= i -.
= 0.84 mH
c/pk 377 x 536.2

Utilizando la ecuacin (3-106), obtenemos la relacin de corrientes rms normalizadas rms/Ipk =


4.835%. Por lo tanto, Ims = 0.04835 x /p^ = 0.04835 x 536.2 = 25.92 A.

Sec. 5-12

Diseo de circuitos co n vertid o res

181

VL

' I ^

/cd

0)t

(a) Circuito

ao

[i
(b) Formas de onda

Figura 5-22

Circuito equivalente

con filtro LC.

5-13 EFECTOS DE LAS INDUCTANCIAS DE CARGA Y DE ALIMENTACION


Podemos notar, a partir de la ecuacin (5-85), que las armnicas de la corriente de carga dependen
de las inductancias de la misma. En el ejemplo 5-10 se calcula el factor de potencia de entrada pa
ra una carga puramente resistiva, y en el ejemplo 5-11 para una carga altamente inductiva. Tam
bin podemos notar que el factor de potencia de entrada depende del factor de potencia de la
carga.
En las deducciones de los voltajes de salida y de los criterios de rendimiento de los conver
tidores, hemos supuesto que la alimentacin no tiene inductancias ni resistencias. Normalmente,
los valores de las resistencias de lnea son pequeos y se puede despreciar. La cantidad de cada
de voltaje debida a las inductancias de la alimentacin es similar a la de los rectificadores, y no se
modifica debido al control de fase. La ecuacin (3-107) se aplica al clculo de la cada de voltaje
debida a la reactancia de conmutacin de lnea Lc. Si todas las inductancias de lnea son iguales, la
ecuacin (3-110) proporciona la cada de voltaje como V(,x = 6f L c!c< para el caso de un converti
dor trifsico completo.
En condiciones normales de operacin, la cada de voltaje no depende del ngulo de retraso
a i. Sin embargo, el ngulo de conmutacin (o de traslape) |a vara con el ngulo de retraso. Con-

182

Los rectificad o res co n tro la d o s

Cap. 5

forme aumenta el ngulo de retraso, el ngulo de traslape se hace ms pequeo. Esto queda ilus
trado en la figura 5-23. La integral de volt-tiempo se muestra en las reas rayadas como IcdLc, y es
independiente de los voltajes. Conforme aumenta el voltaje de fase de conmutacin, se hace ms
pequeo el tiempo requerido para la conmutacin, pero los volts-segundos se conservan.

Figura 5-23 Relacin entre el ngulo


de retraso y el ngulo de traslape.

Si Vx es la cada de voltaje promedio por conmutacin debida a traslape y V,, es la reduccin


promedio de voltaje debida al control del ngulo de fase, el voltaje promedio de salida para un n
gulo de retraso de a es
Vcd(a) = Vcd(a = 0 ) - V y = Vdm- V y

(5-89)

Vy = Vdm- V cd(a)

(5-90)

donde Vdm = mximo voltaje promedio posible de salida. El voltaje promedio de salida con el n
gulo de traslape |i y dos conmutaciones es
Vci(a + 11) = Kcd(cx = 0) - 2VX - V y = V dm- 2 V X - V y

(5-91)

Sustituyendo Vy de la ecuacin (5-90) en la ecuacin (5-91) podemos escribir la cada de voltaje


debida al traslape como
2VX = 2 fI ciL c = Vcd(a) - Vcd(a + n)

(5-92)

El ngulo de traslape |i se puede determinar a partir de la ecuacin (5-92) para valores conocidos
de la corriente de carga / cd, la inductancia de conmutacin Lc y el ngulo de retraso a . Debe no
tarse que la ecuacin (5-92) slo es aplicable para un convertidor monofsico completo.
Ejemplo 5-17*___________________________________________________________________
Un convertidor trifsico completo est alimentado desde una alimentacin de 230 V 60 Hz. La
corriente de carga es continua y tiene una componente ondulatoria despreciable. Si la corriente
promedio de carga 1^ = 150 A y la inductancia de conmutacin Lc = 0.1 mH, determine el ngu
lo de traslape cuando (a) a = 10, (b) a = 30 y (c) a = 60.
Solucin Vm = - 2 x 230/VT = 187.79 V y V dm = 3VT V J n = 310.61 V. De la ecuacin (5-57),
Vcd(a) = 310.6 cos a y
Vcd(a + (X) = 310.61 cos (a + (i.)

Sec. 5 -1 3

Efectos de las ind u ctan cias de carga y de alim e n ta ci n

183

Para un convertidor trifsico completo, se puede modificar la ecuacin (5-92) a

(>VX = 6/s/cd^c ~ Vcd(a) Vcd(a

+ (i)

6 x 60 x 150 x 0.1 x 10~3 = 310.61[cos a -c o s (a + |x)]

^ ^

(a) Para a = 10, (i = 4.66.


(b) Para a = 30, (i = 1.94.
(c) Para a = 60, |i. = 1.14.
E jem p lo 5.18
La corriente de mantenimiento de los tiristores del convertidor m onofsico com pleto de la figura
5-3a es h = 5 0 0 mA y el tiempo de retraso es t = 1.5 |is. El convertidor est alimentado con 120
V 6 0 H z y tiene una carga L = 10 mH y R = 10 Q. El convertidor se opera con un ngulo de re
traso de a = 30. Determine el valor mnimo del ancho del pulso de compuerta, teSolu cin h = 500 mA = 0.5 A, t = 1.5 ^.s, a = 30 = tc/6, L = 10 mH y R = 10 2. Elvalor ins
tantneo del voltaje de entrada es vs(t) = Vm sen (o, donde Vm = VXx 120 = 169.7 V.
Para coi = a ,
V, = uv(co = a) = 169.7 x sen ^ = 84.85 V
6

La velocidad de incremento de la corriente del nodo


madamente

di/dt en el m om ento del disparo es aproxi

~dtt ~r
L 10 x 103 = 85 A/s
Si se supone que di/dt es constante durante un corto perodo despus del disparo de la compuer
ta, el tiempo l\ requerido para que se eleve la corriente del nodo al nivel de la corriente de man
tenimiento se calcula a partir de t\ x (di/dt) = ///, es decir, t x 8485 = 0.5 y esto n os da j =
0.5/8485 = 58.93 jj.s . Por lo tanto, el ancho mnimo del pulso de compuerta es
G = i +

td = 58.93

+ 1.5 = 60.43 (is

5-14 CIRCUITOS DE DISPARO_________________________________________________________


La generacin de sefales de disparo para los tiristores de convertidores de ca a cd requiere (1) de
la deteccin del cruce por cero del voltaje de entrada, (2) del desplazamiento apropiado de fase
de las seales, (3) de la formacin del pulso para generar pulsos de corta duracin y (4) del aisla
miento del pulso a travs de transformadores de pulso o de acopladores pticos. El diagrama de
bloques para un circuito de disparo de un convertidor monofsico completo aparece en la figura
5-24.

RESUMEN
En este captulo hemos visto que el voltaje promedio de salida (y la potencia de salida) de los con
vertidores de ca-cd puede controlarse variando el tiempo de conduccin de los dispositivos de po
tencia. Dependiendo de los tipos de alimentacin, los convertidores pueden ser monofsicos o
trifsicos. Para cada uno de estos tipos de alimentacin, pueden ser de media onda, semi o com-

184

Los rectificad o res co n tro la d o s

Cap. 5

Figura 5-24

Diagrama de bloques para un circuito de disparo de tiristor.

pletos. Los convertidores semi o completos se usan extensivamente en aplicaciones prcticas.


Aunque los semiconvertidores resultan con un mejor factor de potencia de entrada que los conver
tidores completos, estos convertidores slo son adecuados-para la operacin en un solo cuadrante.
Los convertidores completos y los convertidores duales permiten operaciones en dos y en cuatro
cuadrantes, respectivamente. Los convertidores trifsicos normalmente se utilizan en aplicaciones
de alta potencia siendo la frecuencia de las componentes ondulatorias de salida mayor.
El factor de potencia de entrada, que depende de la carga, se puede mejorar, y la especifica
cin de voltaje puede aumentarse mediante la conexin en serie de los convertidores. Con conmu

Cap. 5

Resum en

185

taciones forzadas, se puede mejorar an ms el factor de potencia y ciertas armnicas de bajo or


den pueden reducirse o eliminarse.
La corriente de carga puede ser continua o discontinua dependiendo de la constante del
tiempo de carga y el ngulo de retraso. Para el anlisis de los convertidores se utiliza el mtodo de
las series de Fourier. Sin embargo, se pueden utilizar otras tcnicas (por ejemplo el enfoque de la
funcin de transferencia o la multiplicacin espectral de la funcin de conmutacin) para el anli
sis de circuitos de conmutacin de potencia. El control del ngulo de retraso no afecta la cada de
voltaje debida a inductancias de conmutacin, y esta cada de voltaje es la misma que la de los
rectificadores de diodo normales.

REFERENCIAS
1. P. C. Sen, Thyristor DC Orives. Nueva York: Wiley-Interscience, 1981.
2. P. C. Sen y S. R. Doradla, Evaluation of control
schemes for tiristor eontrolled de motors. IEEE
Transactions on Industrial Electronics and Control
Instrumentation, Vol. IEC125, No. 3, 1978, pp.
247-255.
3. P. D. Ziogas, Optimum voltage and harmonic con
trol PWM techniques for 3-phase static UPS systems. IEEE Transactions on Industry Applications,
Vol. IA16, No. 4,1980, pp. 542-546.
4. M. H. Rashid y M. Aboudina, Analysis of forcedcommutated techniques for ac-cd converters. ls t
European Conference on Power Electronics and

Applications, Bruselas, octubre 16-18, 1985, pp.


2.263-2.266.
5. P. D. Ziogas y P. Photiadis, An exact output cu
rrent analysis of ideal static PWM inverters. IEEE
Transactions on Industry Applications, Vol. IA119,
No. 2,1983, pp. 281-295.
6. M. H. Rashid y A. I. M aswood, Analysis of
3-phase ac-cd converters under unbalanced supply
conditions. IEEE Industry Applications Confer
ence Record, 1985, pp. 1190-1194.
7. A. D. Wilcox, Engineering Design fo r Electrical
Engineers. Englewood Cliffs, N. J.: Prentice Hall,
1990; captulo 10, Power module, by M. H.
Rashid.

PREGUNTAS DE REPASO
5-1.
5-2.
5-3.
5-4.
5-5.
5-6.
5-7.
5-8.
5-9.

Qu es una conmutacin natural o de lnea?


Qu es un rectificador controlado?
Qu es un convertidor?
Qu es el control del ngulo de retraso de los
convertidores?
Qu es un semiconvertidor? Dibuje dos circui
tos semiconvertidores.
Qu es un convertidor completo? Dibuje dos
circuitos de convertidor completo.
Qu es un convertidor dual? Dibuje dos circui
tos de convertidor dual.
Cul es el principio de control de fase?
Cules son los efectos de eliminar el diodo de
marcha libre en los semiconvertidores monof
sicos?

186

5-10. Por qu es mejor el factor de potencia de los


semiconvertidores que el de los convertidores
completos?
5-11. Cul es la causa de la corriente circulante en
los convertidores duales?
5-12. Por qu se requiere de un inductor de corriente
circulante en los convertidores duales?
5-13. Cules son las ventajas y las desventajas de los
convertidores en serie?
5-14. Cmo est relacionado el ngulo de retraso de
un convertidor con el ngulo de retraso de otro
convertidor en un sistema dual?
5-15. Cul es el modo de inversin de los converti
dores?

Los rectificad o res co n tro la d o s

Cap. 5

5-16. Cul es el m odo de rectificacin de los conver


tidores?
5-17. Cul es la frecuencia de la armnica de orden
m enor en sem iconvertidores trifsicos?
5-18. Cul es la frecuencia de la armnica de orden
m enor en lo s convertidores com pletos trifsi
cos?
5-19. Cul es la frecuencia de la armnica de orden
menor en el sem iconvertidor monofsico?
5-20. Cmo se activan y desactivan lo s tiristores d is
parados por compuerta?
5-21. C m o se activa y se desactiva un tiristor de
control de fase?
5-22. Qu e s la conm utacin forzada? C ules son
las ventajas d e la conmutacin forzada para los
convertidores de ca-cd?
5-23. Qu es e l control del ngulo de extincin de los
convertidores?
5-24. Qu es e l control del ngulo sim trico de los
convertidores?

5-25. Qu es el control de m odulacin del ancho de


pulso de los convertidores?
5-26. Qu es el control por m odulacin senoidal del
ancho de pulso de un convertidor?
5-27. Qu es el ndice de modulacin?
5-28. Cmo se vara el voltaje de salida de un con
vertidor de control de fase?
5-29. Cmo se vara el voltaje de salida en un con
vertidor con control por m od u lacin senoidal
del ancho de pulso?
5-30. Depende el ngulo de conmutacin del neulo
de retraso de lo s convertidores?
5-31. Depende la cada de voltaje debida a inductancias de conm utacin, del ngulo de retraso de
los convertidores?
5-32. Depende el factor de potencia de entrada de los
convertidores del factor de potencia de la carga?
5-33. Dependen del ngulo d e retraso los voltajes de
las com ponentes ondulatorias de salida de los
convertidores?

PROBLEMAS
5-1.

E l convertidor m o n o f sico de m edia onda de


la figura 5 - l a se opera a partir de una alim en
tacin de 120 V 60-H z. Si la carga resistiva es
R = 10 Q y el ngulo de retraso es a = n/3, d e
term ine (a) la eficien cia, (b) el factor de forma, (c) el factor de com ponente ondulatoria,
(d) el factor d e utilizacin del transformador y
(e) el voltaje de p ico inverso (PIV ) del tiristor

5-4.

Ti.
5 -2.

5-3.

E l convertidor m o n o f sico de m edia onda de


la figura 5 - l a se opera a partir de una alim en
tacin de 120 V 6 0 H z com ponente resistiva
de la carga es R = 10 2. Si el voltaje prom edio
de salida es 25% del voltaje prom edio de sa li
da m xim o p o sib le , c a lc u le (a) el n gu lo de
retraso, (b) las corrientes rms y prom edio de
salida, (c) las corrientes prom edio y rms del tiristor y (d) el factor de potencia de entrada.
E l sem iconvertidor m on ofsico de la figura 5la es alim entado a partir d e una alim entacin
de 120 V 6 0 H z y un d iodo de marcha libre se
conecta a travs de la carga. La carga con siste
en una resistencia formada en serie, R = 10 Q ,
una inductancia L = 5 m H y un voltaje de ba

Cap. 5

P ro b le m a s

5-5.
5-6.

tera E = 20 V . (a) E xprese el voltaje instant


neo de salida con una serie de Fourier, y (b) de
te r m in e e l v a lo r rm s d e la c o r r ie n te d e la
armnica de salida de orden menor.
El sem iconvertidor m onofsico de la figura 5-2a
se opera a partir de una alimentacin de 120 V
6 0 Hz. La corriente de carga con un valor pro
m edio de l a es continua, co n un contenido des
p r e c ia b le d e c o m p o n e n te s o n d u la to r ia s. La
relacin de vueltas del transformador es la uni
dad. Si el ngulo de retraso es a = Jt/3, calcule
(a) el factor armnico de la corriente de entrada,
(b) el factor d e desplazam iento y (c) el factor de
potencia de entrada.
Repita e l problema 5 -2 para un semiconvertidor
m onofsico de la figura 5-2a.
El sem iconvertidor m onofsico de la figura 5 -2a
se opera a partir de una alimentacin de 120 V
60 Hz. La carga consiste en una resistencia c o
nectada en serie R = 10 2, una inductancia L =
5 mH y un voltaje de batera E = 2 0 V. (a) E x
prese el voltaje de salida con una serie de Fou
rier y (b) determine el valor rms de la corriente
armnica de salida de orden menor.

187

5-7. Repita el problema 5-4 para un convertidor mo


nofsico completo de la figura 5-3a.
5-8. Repita el problema 5-2 para un convertidor mo
nofsico completo de la figura 5-3a.
5-9. Repita el problema 5-6 para el convertidor mo
nofsico completo de la figura 5-3a.
5-10. El convertidor dual de la figura 5-4a se opera a
partir de una alimentacin de 120 V 60 Hz y
entrega una corriente promedio libre de compo
nentes ondulatorias de /c(j = 20 A. La inductancia circulante es L r = 5 mH y los ngulos de
retraso son a i = 30 y a.%= 150. Calcule la co
rriente circulante pico y la corriente de pico del
convertidor 1.
5-11. El semiconvertidor monofsico en serie de la
figura 5-5a se opera a partir de una alimenta
cin de 120 V 60 Hz la resistencia de la carga
es R = 10 2. Si el voltaje promedio de salida es
75% del voltaje promedio de salida mximo
posible, calcule (a) los ngulos de retraso de
los convertidores, (b) las corrientes promedio y
rms de salida, (c) las corrientes promedio rms
de los tiristores y (d) el factor de potencia de
entrada.
5-12. El semiconvertidor monofsico en serie de la fi
gura 5-5a se opera a partir de una alimentacin de
120 V 60 Hz. La corriente de carga, que tiene un
valor promedio Ia, es continua y el contenido de
componente ondulatoria es despreciable. La re
lacin de vueltas del transformador es Np/Ns = 2.
Si los ngulos de retraso son aj = 0 y ot2 = tc/3,
calcule (a) el factor armnico de la corriente de
entrada, (b) el factor de desplazamiento y (c) el
factor de potencia de entrada.
5-13. Repita el problema 5-11 para un convertidor
monofsico completo en serie de la figura 5-6a.
5-14. Repita el problema 5-12 para un convertidor
monofsico completo en serie de la figura 5-6a.
5-15. El convertidor monofsico de media onda de la
figura 5-7a se opera a partir de una alimentacin
conectada en estrella de 220 V 60 Hz y un diodo
de marcha libre se conecta a travs de la carga.
La corriente de carga con un valor promedio a
es continua y el contenido de componente ondu
latoria es despreciable. Si el ngulo de retraso a
= tc/3, calcule (a) el factor armnico de la co
rriente de entrada, (b) el factor de desplaza
miento y (c) el factor de potencia de entrada.

1 88

5-16. El convertidor trifsico de media onda de la fi


gura 5-7a se opera a partir de una alimentacin
trifsica conectada en estrella de 220 V, 60 Hz,
la resistencia de la carga es R = 10 Q. Si el vol
taje promedio de salida es 25% del mximo vol
taje promedio de salida posible, calcule (a) el
ngulo de retraso, (b) las corrientes de salida
rms y promedio, (c) las corrientes promedio y
rms de los tiristores, (d) la eficiencia de rectifi
cacin, (e) el factor de utilizacin del transfor
mador y (f) el factor de potencia de entrada.
5-17. El convertidor trifsico de media onda de la fi
gura 7-7a se opera a partir de una alimentacin
conectada en estrella de 220 V 60 Hz, y un dio
do de marcha libre se conecta a travs de la car
ga. La carga est formada por una resistencia
conectada en serie R = 10 2, una inductancia L
= 5 mH y un voltaje de batera E = 20 V. (a) Ex
prese el voltaje instantneo de salida en series
de Fourier y (b) determine el valor rms de la ar
mnica de orden menor de la corriente de salida.
5-18. El semiconvertidor trifsico de la figura 5-8a se
opera a partir de una alimentacin trifsica co
nectada en estrella de 220 V 60 Hz. La corrien
te de carga, con un valor prom edio I a, es
continua con un contenido de componente on
dulatoria despreciable. La relacin de vueltas
del transformador es la unidad. Si el ngulo de
retraso es a = 2jc/3, calcule (a) el factor armni
co de la corriente de entrada, (b) el factor de
desplazamiento y (c) el factor de potencia de en
trada.
5-19. Repita el problema 5-16 para un semiconverti
dor trifsico de la figura 5-8a.
5-20. Repita el problema 5-19, si el voltaje promedio
de salida es 90% del voltaje de salida mximo
posible.
5-21. Repita el problema 5-17 para un semiconverti
dor trifsico de la figura 5-8a.
5-22. Repita el problema 5-18 para un convertidor tri
fsico completo de la figura 5-10a.
5-23. Repita el problema 5-16 para un convertidor tri
fsico completo de la figura 5-10a.
5-24. Repita el problema 5-17 para un convertidor tri
fsico completo de la figura 5 -10a.
5-25. El convertidor trifsico dual de la figura 5-12a
se opera a partir de una alimentacin trifsica
conectada en estrella de 220 V 60 Hz la resis

Los rectificad o res co n tro la d o s

Cap. 5

tencia de la carga R = 10 2. La inductancia cir


culante Lr = 5 mH y los ngulos de retraso son
aj = 60 y CC2 = 120. Calcule la corriente de pi
co circulante y la corriente pico de los converti
dores.
5-26. El semiconvertidor monofsico de la figura 5-2a
tiene una carga RL de L = 1.5 mH, R = 1.5 2 y
E = 0 V. El voltaje de entrada es Vs = 120 V
(rms) a 60 Hz. (a) Determine (1) la corriente de
carga I0 en coi = 0 y la corriente de carga \ en
coi = a = 30, (2) la corriente promedio del tiris
tor a , (3) la corriente rms del tiristor I r , (4) la
corriente rms de salida / ms y (5) la corriente
promedio de salida Ic. (b) Utilice SPice para
verificar sus resultados.
5-27. El convertidor monofsico completo de la figura
5-3a tiene una carga RL con L = 4.5 mH, R =
1.5 2 y E = 10 V. El voltaje de entrada es Vs =
120 V a (rms) 60 Hz. (a) Determine (1) la co
rriente de carga 0 a ( = a = 30, (2) la corrien
te promedio del tiristor 1a , (3) la corriente rms
del tiristor I r , (4) la corriente rms de salida l m s
y (5) la corriente promedio de salida I c(. (b) Uti
lice SPice para verificar sus resultados.
5-28. El convertidor completo trifsico de la figura
5-10a tiene una carga L = 1.5 mH, R = 1.5 2 y
E = 0 V. El voltaje de entrada lnea a lnea es
Vab = 208 V (rms), 60 Hz. El ngulo de retraso
es a = 7t/6. (a) Determine (1) la corriente de car
ga en rgimen permanente \ en (o' = 7t/3 + a (o
bien (O = n/6 + a), (2) la corriente promedio del
tiristor a , (3) la corriente rms del tiristor r , (4)
la corriente rms de salida /rmS y (5) la corriente
promedio de salida Ic. (b) Utilice SPice para
verificar sus resultados.
5-29. El semiconvertidor monofsico de la figura
5 -13a se opera a partir de una alimentacin de
120 V 60 Hz y utiliza un control de ngulo de
extincin. La corriente de carga con un valor
promedio de I a es continua y tiene un contenido
de componente ondulatoria despreciable. Si el
ngulo de extincin es p = n/3, calcule (a) las
salidas Vgd y V ^ , (b) el factor armnico de la
corriente de entrada, (c) el factor de desplaza
miento y ( d ) el factor de potencia de entrada.
5-30. Repita el problema 5-29 para un convertidor
monofsico completo de la figura 5-14a.

Cap. 5

Pro b lem as

5-31. Repita el problema 5-18 si se utiliza el control


de ngulo simtrico.
5-32. Repita el problema 5-18 si se utiliza el control
de ngulo de extincin.
5-33. El semiconvertidor monofsico de la figura
5-13a se opera con un control PWM senoidal y
es alimentado a partir de una fuente de 120 V 60
Hz. La corriente de carga con un valor promedio
Ia es continua, con un contenido de componente
ondulatoria despreciable. Existen cinco pulsos
por medio ciclo y los pulsos son a = 7.93, 5i
= 5.82; a 2 = 30, 52 = 16.25; a 3 = 52.07, 63 =
127.93; a 4 = 133.75, 5 4 = 16.25; y a 5 =
166.25, 85 = 5.82. Calcule (a) el valor de
y
de Vms, (b) el factor armnico de la corriente de
entrada, (c) el factor de desplazamiento y (d) el
factor de potencia de entrada.
5-34. Repita el problema 5-33 para el caso de cinco
pulsos por cada medio ciclo, con un ancho de
pulso igual, M = 0.8.
5-35. Un semiconvertidor trifsico se opera a partir de
una alimentacin trifsica conectada en estrella
de 220 V 60 Hz. La corriente de carga es conti
nua y tiene una componente ondulatoria despre
ciable. La corriente promedio de la carga es Icd
= 150 A y la inductancia de conmutacin por fa
se es Lc = 0.5 mH. Determine el ngulo de tras
lape si (a) a = 7c/6 y (b) a = jt/3.
5-36. El voltaje de entrada al circuito equivalente de
la figura 5-22a es 120 V (rms), 60 Hz. El ngulo
de retraso es a = Ji/6. El voltaje de salida en cd
es Vc(j = 75 V en /Cd = 10 A. Determine los valo
res de la inductancia Le, p, y de la corriente rms
del inductor / .
5-37. La corriente de mantenimiento de los tiristores
del convertidor trifsico completo de la figura
5-10a es /// = 200 mA y el tiempo de retraso es
de 2.5 |is. El convertidor es alimentado a partir
de una fuente trifsica conectada en estrella de
208 V y 60 Hz con una carga L = 8 mr y R =
2 2; se opera con un ngulo de retraso a = 60.
Determine el ancho mnimo del pulso de com
puerta, te5-38. Repita el problema 5-37 si L = 0.

189

6
Controladores de voltaje de ca

6-1 INTRODUCCION
Si un tiristor conmutador se conecta entre la alimentacin de ca y la carga, es posible controlar el
flujo de potencia variando el valor rms del voltaje de ca aplicado a la carga; este tipo de circuito
de potencia se conoce como un controlador de voltaje de ca. Las aplicaciones ms comunes de
los controladores de voltaje de ca son: calefaccin industrial, de derivaciones de transformadores
cambio con carga, control de luces, control de la velocidad de motores de induccin polifsicos y
control de los electromagnetos de ca. Para la transferencia de potencia, normalmente se utilizan
dos tipos de control:
1. Control de abrir y cerrar
2. Control de ngulo de fase
En el control de abrir y cerrar, los tiristores conectan la carga a la fuente de ca durante unos
cuantos ciclos de voltaje de entrada y a continuacin la desconectan por unos cuantos ciclos ms.
En el control de ngulo fase, los tiristores conectan la carga a la fuente de ca durante una porcin
de cada uno de los ciclos de voltaje de entrada.
Los controladores de voltaje de ca se pueden clasificar en dos tipos: (1) controladores mo
nofsicos y (2) controladores trifsicos. Cada uno de estos tipos se puede subdividir en (a) unidi
reccional o control de media onda y (b) bidireccional o control de onda completa. Existen varias
configuraciones de controladores trifsicos, dependiendo de las conexiones de los tiristores.
Dado que el voltaje de entrada es de ca, los tiristores son conmutados por lnea; normalmen
te se utilizan tiristores de control de fase, relativamente poco costosos y ms lentos que los tiristo
res de conmutacin rpida. Para aplicaciones hasta de 400 Hz, si hay TRIAC disponibles para
llegar a la especificacin de voltaje y de corriente de una aplicacin en particular, sern los que se
utilicen ms comnmente. Las tcnicas de conmutacin del tiristor se analizan en el captulo 7.

190

Dado que la conmutacin es por lnea o natural, no hay necesidad de circuitera adicional de
conmutacin, por lo que los circuitos para los controladores de voltaje de ca son muy sencillos.
Dada la naturaleza de las formas de onda de salida, no resulta sencilla la deduccin explcita de
los parmetros de rendimiento de estos circuitos, especialmente en el caso de los convertidores
controlados por ngulo de fase con cargas RL. En aras de la simplicidad en este captulo se pre
sentan las cargas resistivas, para comparar los rendimientos de varias configuraciones. Sin embar
go, las cargas reales son de tipo RL y en el diseo y el anlisis de los controladores de voltaje de
ca debern considerarse.

6-2 PRINCIPIO DEL CONTROL DE ABRIR Y CERRAR


El principio de control de abrir y cerrar se puede explicar en un controlador de onda completa mo
nofsico, tal y como se muestra en la figura 6 -la. El tiristor conecta la alimentacin de ca a la car
ga durante un tiempo tn; un pulso inhibidor de compuerta abre el interruptor durante un tiempo toEl tiempo activo, tn, est formado, por lo comn, de un nmero entero de ciclos. Los tiristores se
activan en los cruces por cero del voltaje de entrada de ca. Los pulsos de compuerta para los
tiristores T\ y Tz y las formas de onda de los voltajes de entrada y de salida aparecen en la figura
6 -Ib.
Este tipo de control se usa en aplicaciones que tienen una alta inercia mecnica y una alta
constante de tiempo trmica (por ejemplo, en la calefaccin industrial y en el control de velocidad

i.
+

v0

(a) Circuito

Factor de potencia, PF

Figura 6-1

Sec. 6-2

Control de abrir y cerrar.

P rincipio del control de ab rir y cerrar

191

de motores). Debido a la conmutacin en voltaje y en corriente cero de los tiristores, las armni
cas generadas por las acciones de conmutacin son reducidas.
Para un voltaje senoidal de entrada v, = Vm sen m = ' l l y , sen cor. Si el voltaje de entrada
est conectado a la carga durante n ciclos, y desconectado durante m ciclos, el voltaje rms de sali
da (o de la carga) se puede determinar a partir de

(l-n

.2 ir(n + m ) Ja

2Vj sen2 a>t d{u>t)

]1/2
(6- 1)

= V . V - 2 - = V ,V k
m + n
donde k - n/(m + n) y se conoce como el ciclo de trabajo. Vs es el voltaje rms de fase. Las confi
guraciones de los circuitos para el control de abrir y cerrar son similares a los del control de fase y
los anlisis de rendimiento son tambin similares. Por estas razones, en este captulo slo se anali
zan las tcnicas de control de fase.
Ejemplo 6-1
El controlador de voltaje de ca de la figura 6-la tiene una carga resistiva R = 102 y el voltaje
rms de entrada es Vs = 120 V, 60 Hz. El interruptor conduce durante n = 25 ciclos y permanece
abierto durante m = 75 ciclos. Determine (a) el voltaje rms de salida V0, (b) el factor de potencia
de entrada PF, y (c) la corriente promedio y rms de los tiristores.
Solucin R = 10 2, Vs = 120 V, Vm =
x 120 = 169.7 V, y k = n(n + m) = 25/100 = 0.25.
(a) A partir de la ecuacin (6-1), el valor rms del voltaje de salida es
V0 = V ,V k = V , J n =
= 60 V
Vm + i
V 100
y la corriente rms de la carga es ID= VJR - 60/10 = 6.0 A.
(b) La potencia de la carga es P0 = I20R = 62 x 10 = 360 W. Dado que la corriente de entra
da es la misma que la corriente de la carga, los volts-amperes son
VA = V J S = VSI0 = 120 x 6 = 720 W
El factor de potencia de entrada es
PF = P
k = ~m ~ +T ~n = ^
VA
= V0.25 =

(6_2)

= 0.5 (atrasado)

(c) La corriente pico del tiristor es lm = V J R = 169.7/10 = 16.97 A. La corriente promedio


de los tiristores es
n
(n i
i/
Im^l
kln,
,---- ;----r
Sen (? d ( 0) t ) = ---- ;----r = ---I a = -r
2 i r { m + n ) Jo
ir(m + n)
tt
(6-3)
16-97 x 0.25 = 1.33 A
TT

La corriente rms de los tiristores es

I r = -2Tr(m + n)
16.97

192

Ctt j
Jo Im sen oj/

d(ojt)

I,

I,V k

2 Vm + n

(6-4)

x V ^ 25 = 4.24 A

C o n tro lad o res de v o lta je de ca

Cap. 6

Notas
1. El factor de potencia del voltaje de salida vara proporcionalmente a la raz cuadrada del ci
clo de trabajo. El factor de potencia es pobre para un valor bajo del ciclo de trabajo, k, y se
muestra en la figura 6 -lc.
2. Si T es el perodo del voltaje de entrada (m + n)T es el perodo del control de abierto-cerra
do. (m + n)T debe ser menor que la constante mecnica o del tiempo trmico de la carga, y
virtualmente es menor que un segundo, pero no en horas o en das. La suma de m y n es por
lo general cercana a 100.
3. Si se utiliza la ecuacin (6-2) para determinar el factor de potencia con m y n e n das, el re
sultados ser errneo. Por ejemplo, si m = 3 das y n = 3 das, la ecuacin (6-2) da PF =
[3/(3 + 3)]1/2 = 0.707, lo cual no resulta fsicamente posible. Dado que el controlador est
cerrado durante 3 das y abierto durante 3 das, el factor de potencia depender del ngulo
de la impedancia de carga 0.

6-3 PRINCIPIO DE CONTROL DE FASE


El principio de control de fase se puede explicar haciendo referencia a la figura 6-2a. El flujo de
potencia hacia la carga queda controlado retrasando el ngulo de disparo del tiristor Ti. La figura
6-2b ilustra los pulsos de compuerta del tiristor Ti y las formas de onda de los voltajes de entrada
y de salida. Debido a la presencia del diodo D \, el rango de control est limitado y el voltaje rms
efectivo de salida slo puede variar entre 70.7 y 100%. El voltaje de salida y la corriente de entra
da son asimtricos y contienen una componente de cd. Si hay un transformador de entrada, puede
ocurrir un problema de saturacin. Este circuito es un controlador monofsico de media onda,
adecuado slo para cargas resistivas de poca potencia, como son la calefaccin y la iluminacin.
Dado que el flujo de potencia est controlado durante el semiciclo del voltaje de entrada, este tipo
de controlador tambin se conoce como controlador unidireccional.

Figura 6-2

Sec. 6-3

Control de ngulo monofsico.

Principio de control de fase

193

Si y, = Vm sen coi = V T V , sen c es el voltaje d e entrada y el ngulo d e retraso del tiristor T\


es co = a , el voltaje rm s de salida se encuentra a p artir de

v- - i i
2V ]
47T

= vs

2 V ] sen2 w t d{wt) +

2V ] sen2 wt d(w t)
J TT

Ja (1 -

eos 2 w t) d(cot) +

(1 - cos 2 (ot) d{wt)

(6-5)

sen 2a N11/2

i 2* ~ +

El valor promedio del voltaje de salida es


r ^ 2 v,. sen wt d{wt) + f

Ja

V 2 V s sen w t d(wt)

77

(6- 6)

V 2 V,
(cos a 2 tt
Si decide hacer variar a desde 0 hasta rc,
- 'F V J n .
Ejemplo 6-2

1)

V0 vara desde Vs hasta Vs / 'T i

Vcd vara desde 0

hasta

_______________________________________________________________________

El controlador monofsico de voltaje de ca de la figura 6-2a tiene una carga resistiva R = 10 2 y


el voltaje de entrada es V* = 120 V, 60 Hz. El ngulo de retraso del tiristor Ti es a n/2. Determi
ne (a) el valor rms del voltaje de salida V0, (b) el factor de potencia de entrada PF y (c) la co
rriente promedio de entrada.
Solucin R = 1 0 2, V, = 120 V, a = n/2, y Vm = < 2*. 120 = 169.7 V.
(a) De la ecuacin (6-5), el valor rms del voltaje de salida es
V = 1 2 0 =
(b)

103.92 V

La corriente rms de carga es


In =

103.92
= 10.392 A
10

La potencia de la carga es
P0 = 120R = 10.3922 x 10 = 1079.94 W
Dado que la corriente de entrada es la misma que la corriente de la carga, la especificacin de
entrada en volts-amperes es
VA = Vy.,. = V J 0 = 120 x 10.392 = 1247.04 VA
El factor de potencia de entrada es
PF =

1 94

VA

L2,rl
2
1
1079.94
= 0.866 (atrasado)
1747.04
C o n tro la d o re s de v o lta je de ca

(6-7)

Cap. 6

(c) D e la ecuacin (6-6), el voltaje promedio de salida

V2
Vcd = -120
- i z u x = -2 7 V
y la corriente promedio de entrada es
,

- Ys - _ H - - 2 7 A

Id~ r

10"

2 -7 A

Nota. El signo negativo de I d significa que durante el semiciclo, la corriente de entrada es


menor que durante el semiciclo. De haber un transformador de entrada, su ncleo podra saturarse.
Por lo regular, en la prctica no se utiliza el control unidireccional.

6-4 CONTROLADORES BIDIRECCIONALES MONOFASICOS CON CARGAS RESISTIVAS


El problema de la cd de entrada se puede evitar utilizando control bidireccional (o de onda com
pleta), en la figura 6-3a aparece un controlador monofsico de onda completa con carga resistiva.
Durante el semiciclo de voltaje de entrada, se controla el flujo de potencia variando el ngulo de
retraso del tiristor Ti; y el tiristor T i controla el flujo de potencia durante el semiciclo de voltaje
de entrada. Los pulsos de disparo de T\ y T2 se conservan a 180 uno del otro. Las formas de onda
para el voltaje de entrada, para el voltaje de salida y para las seales de compuerta de Ti y de T2
aparecen en la figura 6-3b.

oA

ojt

(a) Circuito

Figura 6-3

Sec. 6-4

Controlador monofsico de onda completa.

C o n tro lad o res bid ireccio nales m o n o f sico s con carg as resistivas

195

Si vs = V T Vs sen oor es el voltaje de entrada, y los ngulos d e retraso d e los tiristores T \ y T 2


son iguales ( a i = a 2 = a ) , el voltaje rm s de salida se puede determ inar a p artir de

V =

2 lT Ja

2 V l sen2 ojt d{(t)


1/2

4V |
4 tt

(6- 8 )

(1 eos 2cof) f(co)

1 (

sen 2 a

= Vs
Variando a desde 0 hasta n, se puede variar V0 desde V, hasta 0.
En la figura 6-3a, los circuitos de compuerta de los tiristores Ti y T2 deben quedar aislados.
Mediante la adicin de dos diodos es posible tener un ctodo comn para T \ y T 2, tal y como apa
rece en la figura 6-4. Durante el semiciclo, el tiristor Ti y el diodo D i conducen juntos; y el tiristor
T i y el diodo >2 conducen durante el semi ciclo. Dado que este circuito tiene una terminal comn
para seales de compuerta de T\ y de Ti, slo se requiere de un circuito de aislamiento, pero a
costa de dos diodos de potencia. Dado que existen dos dispositivos de potencia que conducen en
forma simultnea, las prdidas de conduccin de los dispositivos aumentarn y la eficiencia se re
ducir.
Tambin se puede poner en prctica un controlador monofsico de onda completa con un ti
ristor y cuatro diodos, como se muestra en la figura 6-5a. Los cuatro diodos funcionan como
puente rectificador. El voltaje a travsdel tiristor T\ y su corriente siempre sern unidireccionales.
Con una carga resistiva, la corriente del tiristor se reducir hasta cero cada medio ciclo, debido a
la conmutacin natural, como se puede observar en la figura 6-5b. Sin embargo, si en el circuito
existe una inductancia grande, el tiristor T\ puede no desactivarse en cada medio ciclo de voltaje
de entrada, y esto puede ocasionar una prdida de control. Se requerira de la deteccin del cruce
por cero de la corriente de carga a fin de garantizar la desactivacin del tiristor antes de poder dis
parar el siguiente. En este caso, tres dispositivos de potencia conducen simultneamente y la defi
ciencia se reduce tambin. El puente rectificador y el tiristor (o transistor) actan com o un
interruptor bidireccional, disponible en forma comercial como un solo dispositivo, con una prdi
da por conduccin en estado activo relativamente baja.

D,

------------ w ---------------

---------- 0

--------------

is

+
------------0 ^

Figura 6-4

1 96

lo

---------- ------- ----------------------

Controlador monofsico de onda completa con ctodo comn.

C o n tro la d o re s de v o lta je de ca

Cap. 6

n a+n

2ti

Pulso de com p u e rta de Ti

(a) Circuito

1_________0_
. uit

II

(b) Form as de onda

Figura 6-5 Controlador monofsico de onda completa con un tiristor.

Ejemplo 6-3
El controlador de voltaje de ca de onda completa monofsico de la figura 6-3a tiene una carga
resistiva R = 10 2, y el voltaje de entrada es Vs = 120 V (rms), 60Hz. Los ngulos de retraso de
los tiristores T\ y Ti son iguales: aj = ct2 = a = Jt/2. Determine (a) el voltaje rms de salida V0, (b)
el factor de potencia de entrada PF, (c) la corriente promedio de los tiristores Ia y (d) la corriente
rms de los tiristores I r .
Solucin R = 1 0 Q, V, = 120 V, a = tc/2y Vm =
120 = 169.7 V.
(a) A partir de la ecuacin (6-8), el voltaje rms de salida es

(b)
El valor rms de la corriente de carga, I0 = VJR = 84.85/10 = 8.485 A y la potencia de
la carga, P0 = I2aR= 8.4852 x 10 = 719.95 W. En vista de que la corriente de entrada es la misma
que la corriente de la carga, la especificacin de volts-amperes de entrada
VA = Vys = VSI0 = 120 x 8.485 = 1018.2 W
El factor de potencia de entrada

(6-9)

^
(c)

=w

= -707 (atrasado)

La corriente promedio del tiristor

-^ ^ ( VS
o o, s a + l )

Sec. 6-4

C o n tro la d o re s bid ireccio nales m o n ofsico s con cargas resistivas

(6- 10)

197

(d) El valor rms de la corriente del tiristor

1
I r 2nR2 J a 2 V ;

1/2

s e n 2 a it d(a)t)

i 2Vi2 frr
L4 ^ R 2 a 0

"

1 (

C0S 2c) d { i t )

s e n 2 a \ 11/2

- \ tt - a + r2
V 2 R I tt V
120

2 x 10

(6-11)

= 6A

6-5 CONTROLADORES MONOFASICOS CON CARGAS INDUCTIVAS


En la seccin 6-4 se discuten los controladores monofsicos con cargas inductivas. En la prctica,
la mayor parte de las cargas son hasta cierto punto inductivas. En la figura 6-6a aparece un con
trolador de onda completa con una carga RL. Supongamos que el tiristor Ti se dispara durante el
semiciclo y conduce la corriente de carga. Dada la inductancia del circuito, cuando el voltaje de
entrada empieza a ser negativo, en cor = n, la corriente del tiristor Ti no se reducira a 0. El tiristor
Ti seguir conduciendo hasta que su corriente i\ llegue a cero, en c = p. El ngulo de conduccin
del tiristor Ti es 8 = P - a y depende del ngulo de retraso a y del ngulo del factor de potencia
de la carga 9. Las formas de onda de la corriente del tiristor, de los pulsos de compuerta y del vol
taje de entrada se muestran en la figura 6-6b.
Si y* = ' i l Vs sen c es el voltaje instantneo de entrada y el ngulo de retraso del tiristor Ti
es a , la corriente del tiristor i se puede determinar a partir de
L ^ r + R ii = V 2 V s sen ott
dt

(6-12)

La solucin de la ecuacin (6-12) es de la forma


, =

sen (o - 0) + A ie ~ WL)l

(6-13)

2
2 1/2

1
donde la ppedancia de la carga Z = [ R + (cL) ] y el ngulo de la carga 0 = tan (coLIR).
La constante Ai se puede determinar a partir de la condicin inicial: en c = a , i\ = 0. D e la
ecuacin (6-13), Ai se determina como
A] =

1sen (a ))efl/,l/c,j|

(6-14)

La sustitucin de Ai de la ecuacin (6-14) en la ecuacin (6-13) nos proporciona


i =

\f5 V
2
[sen(co - 6) - sen(a - 0)e(R/L}(ala- t)]

(6-15)

El ngulo p , cuando la corriente ii pasa por cero y el tiristor Ti se desactiva, se puede determinar a
partir de la condicin i ( c = p ) = 0 en la ecuacin (6-15), y est dada por la relacin
sen(/3 6) = sen (a 0)e(R,L)(c~^)lw
1 98

C o n tro la d o re s de vo lta je de ca

(6-16)
Cap. 6

(a) Circuito

Figura 6-6

Controlador monofsico de onda completa con carga RL

El ngulo p, tambin conocido como ngulo de extincin, se puede determinar a partir de esta
ecuacin trascendente y requiere de un mtodo de solucin iterativo. Una vez conocido p, se pue
de determinar el ngulo de conduccin 8 del tiristor Ti a partir de
8 = 3 a

(6-17)

El voltaje rms de salida

V0 =

2 V ] sen2 (ot d(cot)


-27T Ja
4 V 2 8
^
(1 - cos 2ojt) d(o)t)
47?

= V,

Sec. 6-5

(6-18)

Ja

7T

/3 a +

sen 2 a

sen 2/8'

C o n tro lad o res m o n ofsico s con cargas inductivas

1/2

199

L a corriente rm s del tiristor se puede determ inar a partir d e la ecuacin (6-15) com o

r i -i*,
i !/2
l R = Y l ^ \ a ' d ^ t\

Ve r i fu

=
Z

L 7t J a

{sen(a> 0) sen(a 0)e(RIL](al: n}2 d(xot)

i 1/2

(6-19)

y entonces se puede determinar la corriente rms de salida combinando la corriente rms de cada ti
ristor como
h

= (I2
r + I 2
R) m = V 2 I r

( 6- 20)

El valor promedio del valor de la corriente del tiristor tambin se puede determinar a partir de la
ecuacin (6-15) como

( 6 - 21 )

^
P [sen(&>/ 6) sen(a 0)e(RIL>la,l'J ')] d(wt)
27T/j Ja
Las seales de compuerta de los tiristores pueden ser pulsos cortos para un controlador con
cargas resistivas. Sin embargo, para cargas inductivas, estos pulsos cortos no son adecuados. Esto
se puede explicar haciendo referencia a la figura 6-6b. Cuando se dispara en cd = ji + a el tiristor
72. el Ti an est conduciendo debido a la inductancia de la carga. Para el momento en que la co
rriente del tiristor T\ pasa por cero y T\ se desactiva en m = p = a + 8, el pulso de compuerta del
tiristor 72 ha dejado de funcionar y, en consecuencia, T i no se activar. Como resultado, slo ope
rar el tiristor T \, causando formas de onda asimtricas de voltaje y corriente de salida. Esta difi
cultad se puede resolver utilizando seales de compuerta continuas con una duracin de (n - a),
tal y como se muestra en la figura 6-6c. En cuanto la corriente de T\ cae hasta cero, el tiristor r 2
(con pulsos de compuerta tal y como se muestran en la figura 6-6c) se activa. Sin embargo, un
pulso de compuerta continuo aumenta la prdida de conmutacin de los tiristores requirindose
para el circuito de disparo de un transformador con mayor aislamiento. En la prctica, a fin de re
solver estos problemas, normalmente se utiliza un tren de pulsos de corta duracin.
La ecuacin (6-15) indica que el voltaje (y la corriente) de la carga sern senoidales, si el
ngulo de retraso, a , es menor que el ngulo de carga, 0. Si a es mayor que 9, la corriente de car
ga resultar discontinua y no senoidal.
N otas
1. Si a = 0, a partir de la ecuacin (6-16),
sen (3 6) = sen(/3 a) = 0

( 6 - 22 )

/3 a = 8 = 77

(6-23)

2. Dado que el ngulo de conduccin 8 no puede exceder de n y la corriente de carga debe pa


sar por cero, el ngulo de retraso a no puede ser menor que 0 y el ngulo de control del n
gulo de retraso es
(6-24)
200

C o n tro la d o re s de v o lta je de ca

Cap. 6

3. Si a < 0 y los pulsos de compuerta de los tiristores son de larga duracin, la corriente de
carga no cambiar con a , pero ambos tiristores conducirn a partir de k . El tiristor T\ se co
nectar en (Di = 0 y el tiristor 72 se conectar en el valor coi = t + 0.
Ejemplo 6-4*____________________________________________________________________________
El controlador monofsico de onda completa de la figura 6-6a alimenta una carga RL. El voltaje
rms de entrada es
= 120 V, 60 Hz. La carga es tal que L = 6.5 mH y R = 2.5 2. Los ngulos de
retraso de los tiristores son iguales: a i = a.2 = Jt/2. Determine (a) el ngulo de conduccin del ti
ristor T\, 8; (b) el voltaje rms de salida V0; (c) la corriente rms del tiristor r ; (d) la corriente rms
de salida l 0\ (e) la corriente promedio de un tiristor l/ y (0 el factor de potencia de entrada PF.
Solucin R = 2.5 2, L = 6.5 mH, / = 60 Hz, ( = 2jc x 60 = 377 rad/s, V, = 120 V, a = 90 y
0 = tan_1(cL/R) = 44.43B.
(a) El ngulo de extincin se puede determinar a partir de la solucin de la ecuacin
(6-16) y una solucin iterativa resulta en P = 220.35. El ngulo de conduccin es 8 = P - a =
220.43 - 9 0 = 130.43.
(b) De la ecuacin (6-18), el voltaje rms de salida es V0 = 68.09 V.
(c) La integracin numrica de la ecuacin (6-19) entre los lmites (O = a hasta P da la
corriente rms del tiristor como Ir = 15.07 A.
(d) De la ecuacin (6-20), 0 = / T x 15.07 = 21.3 A.
(e) La integracin numrica de la ecuacin (6-21) resulta en la. corriente promedio del ti
ristor Ia = 8.23 A.
(f) La potencia de salida P0 = 21.32 x 2.5 = 1134.2 W, y la especificacin en volts-ampe
res de entrada V A = 120x21.3 = 2556 W; por lo tanto,
DC =
P0 = ----1134.200
PF
VA
2556

KAAA,(atrasado)
*
= 0.444
'

Nota. La accin de conmutacin de los tiristores hace no lineales a las ecuaciones para las
corrientes. Un mtodo numrico de solucin para el ngulo de conduccin del tiristor y las co
rrientes es ms eficiente que los mtodos clsicos. Para resolver este ejemplo se utilizan progra
mas de computadora. Se invita a los estudiantes a verificar los resultados de este ejemplo y a
apreciar la utilidad de la solucin numrica, especialmente en la resolucin de ecuaciones no linea
les de circuitos de tiristor.

6-6 CONTROLADORES TRIFASICOS DE MEDIA ONDA


En la figura 6-7 aparece el diagrama de circuito de un controlador trifsico de media onda (o uni
direccional) con una carga resistiva conectada en estrella. El flujo de corriente hacia la carga est
controlado mediante los tiristores T \,T -$ y T s\ los diodos proporcionan la trayectoria de corriente
de regreso. La secuencia de disparo de los tiristores es T\, T^, Ts. Para que fluya la corriente a tra
vs del controlador de corriente, por lo menos un tiristor debe conducir. Si todos los dispositivos
fueran diodos, tres diodos conduciran simultneamente siendo ngulo de conduccin de cada uno
de ellos de 180. Debemos recordar que un tiristor conducir si su voltaje de nodo es ms alto
que el de ctodo y se dispara. Una vez que un tiristor empieza a conducir, slo puede desactivarse
cuando su corriente disminuye a cero.

Sec. 6-6

C o n tro lad o res trifsicos de m e d ia o nd a

201

II

Figura 6-7

Controlador trifsico unidireccional.

Si Vs es el valor rms del voltaje de fase de entrada y definimos los voltajes instantneos de
entrada como
Va n ~ \ 2 Vs sen (ot

vs sen ( coi

Vb n = V 2

Vc n

= V 2 Vs sen

(tot

entonces los voltajes de lnea de entrada son


Va b = V 6 Vs sen ()t +

Vb C

= V 6 V, sen

Vc a

(a )/

2 tt'
Att'

f)
?)

I tt'
V 6 Vs sen (coi - 7 T

Las formas de onda para los voltajes de entrada, los ngulos de conduccin de los dispositi
vos y los voltajes de salida se muestran en la figura 6-8 para a = 60 y para a = 150. Debe notar
se que los intervalos de conduccin que se representan en la figura 6-8 mediante lneas punteadas
no estn a escala, pero tienen anchos iguales a 30. Para 0 < a < 60, dos o tres dispositivos pue
den conducir en forma simultnea, y las combinaciones posibles son (1) dos tiristores y un diodo,
(2) un tiristor y un diodo y (3) un tiristor y dos diodos. Si conducen tres dispositivos, ocurre una
operacin normal trifsica tal y como se muestra en la figura 6-9a, y el voltaje de salida de una fa
se es el mismo que el voltaje de fase de entrada, por ejemplo,
Va n =

Va

= V

2 Vs sen ojt

(6-25)

Por otra parte, si dos dispositivos conducen al mismo tiempo, la corriente fluye slo a travs de
dos lneas; la tercera lnea se puede considerar como circuito abierto. El voltaje lnea a lnea
aparecer a travs de dos terminales de la carga, tal y como se ve en la figura 6-9b, y el voltaje

202

C o n tro lad o res de v o lta je de ca

Cap. 6

VBC

V3Vm

0.5vab

IV

an

, V BN

I JLK/ "^1
iiM 111
i i m
i i 1
9i
i
1
i i m
i 11
i * *
i 11
Os . i i M
M 1 11
11 i m
Di i
i RS
1 11
D< i i i
i i i 1
D , i i 11 i i i
< 1,

- ct

, 111

i i : i
i
1111
1 (851
i i i i
MM
1 1 II
i i
1 ESSI

mm
1

93

1
i
!

5 1 5 16 1$
|
,2 2 | .4 1 4 .
6 .6 .1 1 1 1 1 1 '3 3 I 3 , 3 5 I5

.
.
.

Ct
Olt
ut
)t
<l)t

ciA

2 12| 2 12 K U u U i e i e 1

Vra

v !

o.s: ' 1 1
I I

2n
Van

0.5 Vab

(a) Para a = 60

Figura 6-8

Formas de onda para el controlador unidireccional trifsico.

Figura 6-9

Sec. 6-6

(b) Para a = 150

Carga resistiva conectada en estrella.

C o n tro lado res trifsico s de m e d ia onda

203

de fase de salida ser la mitad del voltaje de lnea (por ejemplo, con la terminal c en circuito
abierto),
(6-26)
La forma de onda para un voltaje de fase de salida (por ejemplo vM) se puede deducir direc
tamente de los voltajes de fase de entrada y de lnea, notando que van correspondera a v^n si los
tres dispositivos conducen, a vab!2 (o vac/2 ) si conducen dos dispositivos, y a cero si la terminal a
est en circuito abierto. Para 60 < a < 120, en cualquier instante slo conduce un tiristor, y dos
diodos comparten la trayectoria de regreso. Para 120 < a < 210, solamente un tiristor y un diodo
conducen en forma simultnea.
El ngulo de extincin (3 de un tiristor se puede retrasar ms all de 180 (por ejemplo, p de
T\ es 210 para a = 30 como se observa en la figura 6-8b). Para a = 60, el ngulo de extincin P
se retrasa hasta 180, como se muestra en la figura 6-8a. Esto se debe a que un voltaje de fase de
salida puede depender del voltaje lnea a lnea de entrada. Cuando vab se hace cero en coi = 150,
la comente del tiristor T\ puede continuar fluyendo hasta que v c a se convierte en cero en c =
210 y un ngulo de retraso de a = 210 da un voltaje (y una potencia) igual a cero.
Los pulsos de compuerta de los tiristores debern ser continuos, por ejemplo, el pulso de T\
deber terminar en c = 210. En la prctica, los pulsos de compuerta estn formados por dos par
tes. El primer pulso de T\ empieza en cualquier momento entre 0 y 150 y termina en c = 150, y
el segundo, que puede empezar en c = 150, siempre termina en cot = 210. Esto permite que la
corriente fluya a travs del tiristor Ti durante el periodo 150 < c < 210 aumentando el rango de
control de voltaje de salida. El rango de retraso es
(6-27)

0 < a < 21 0

La expresin para el voltaje rms de fase de salida depende del ngulo de retraso. El voltaje rms de
salida para una carga conectada en estrella se puede determinar como sigue. Para 0 < a < 90:

(6-28)

Para 90 < a < 120:


V = V 6 Vv -

1 r pwj sen2 o t

2-7T U a

d((>)t) +

(6-29)
1/2

d((jt) +

204

C o n tro la d o re s de v o lta je de ca

Cap. 6

Para 1 2 0 < a < 2 1 0 :

v = ^

~
27T

sen* w?

i
4^
_ J -rr/22 tt/3 H- cr

v- { [ I I

= V 3 Vs

1 H tt

d((ot) +

sen' (Dt

p*

d(tot)

J 3 t7-/2 2rr/3 4 o

6-30)
a sen 2 a

t V24 4 +

V 3 COS 2 a
16

En el caso de una carga conectada en delta, el voltaje de fase de salida deber ser el mismo
que el voltaje de lnea a lnea. Sin embargo, la corriente de lnea de la carga depender del nmero
de dispositivos que conduzcan simultneamente. Si conducen tres dispositivos, las corrientes de
lnea y de fase seguirn la relacin normal de un sistema trifsico, tal y como se ve en la figura
6 - 10a. Si la corriente en la fase a es i a b = m sen cor, la corriente de lnea ser i a = i a t - ic a = ^~3 I m
sen(co - ti/6). Si conducen al mismo tiempo dos dispositivos, una terminal de la carga se puede
considerar como circuito abierto tal y como se observa en la figura 6 - 10b, e i ca = i t x = -*W2. La
corriente de lnea de la carga ser i a = ia b - k a = (3/m/2) sen coi = 1.51m sen coi.
Los dispositivos de potencia se pueden conectar juntos, tal y com o aparece en la figura
6-11. Esta disposicin, que permite un ensamble completo compacto, slo es posible si se tiene
acceso al neutro de la carga.

(b) Dos dispositivos conduciendo

Figura 6-10

Carga resistiva conectada en delta.

Figura 6-11 Arreglo alterno de un


controlador unidireccional trifsico.

Sec. 6-6

C o n tro lad o res trifsicos de m e d ia onda

205

Ejemplo 6-5*
El controlador trifsico unidireccional de la figura 6-7 alimenta una carga resistiva conectada en
estrella con R = 10 Q, y el voltaje de entrada lnea a lnea de 208 V (rms), 60 Hz. El retraso es
a = 71/3. Determine (a) el voltaje rms de fase de salida V0, (b) el factor de potencia de entrada PF
y (c) expresiones para el voltaje instantneo de salida de la fase a.
Solucin VL = 208 V, V, = V j J J = 208/VT = 120 V, a = tc/3, y R = 10 Q.
(a) De la ecuacin (6-28), el voltaje de fase de salida rms es Va = 110.86 V.
(b) La corriente de fase rms de la carga / = 110.86/10 = 11.086 A y la potencia de salida
P0 = 3lR = 3 x 11.0862 x 10 = 3686.98 W
Dado que la carga se conecta en estrella, la corriente de fase es igual a la corriente de lnea, l =
a = 11.086 A. La especificacin de volts-amperes de entrada es
VA = 3 V J l = 3 x 120 x 11.086 = 3990.96 VA
El factor de potencia
fF = ^A = H

169.7

= 0-924 (atraSad

(c) Si el voltaje de fase de entrada se toma como referencia y es van = 120V~2~sen coi =
sen coi, los voltajes instantneos de lnea de entrada son
vAB = 208V 2 sen (coi +
vBc

= 294.2 sen ( cot

= 294.2 sen (coi +

vCA = 294.2 sen (cor El voltaje instantneo de salida por fase, van, que depende del nmero de dispositivos conducto
res, se puede determinar a partir de la figura 6-8a, como sigue:
Para 0 < coi < %/3:
Para n/3 < coi < 4n/6:
Para 4n/6 < coi < n:
Para n < coi < 4tc/2:
Para 47t/2 < coi < 571/3:
Para 5n/3 < coi < 2 k :

va = 0
van = van = 169.7 sen coi
van = vAc ! 2 = - v ca / 2 = 147.1 sen(co -7tc/6 - it)
van = va n = 169.7 sen cot
van =vAb/2 = 147.1 sen(co + 71/6)
van = v a n = 169.7 sen coi

Nota. El factor de potencia de este controlador de potencia depende del ngulo de retraso a .

6-7 CONTROLADORES TRIFASICOS DE ONDA COMPLETA


Los controladores unidireccionales, que contienen corriente de entrada de cd y un contenido de ar
mnicas ms alto debido a la naturaleza asimtrica de la forma de onda del voltaje de salida, no se
utilizan normalmente en los impulsores para motores de ca; por lo general se utiliza un control bidireccional trifsico. El diagrama de circuito de un controlador trifsico de onda completa (o bidi-

206

C o n tro la d o re s de v o lta je de ca

Cap. 6

reccional) aparece en la figura 6-12 para una carga resistiva conectada en estrella. La operacin
de este controlador es similar a la de un controlador de media onda, excepto porque la trayecto
ria de la corriente de regreso est dada por los tiristores T2, T4 y Te en vez de los diodos. La se
cuencia de disparo de los tiristores es Ti, Ti, T-, 74, T, T(.
Si definimos los voltajes instantneos de entrada por fase como
Va

V2V ,. sen

Vb

V 2 Vx sen (d)t

Vc n

V 2V .v sen

OJ/

277

47T

(w

de entrada son
Va b

V 6 v , sen ( (tt

Vb c =

V 6 V, sen (^Ct

V 6 Vs sen ( c

Vc a

77"

2
I tt

T.

Las formas de onda de los voltajes de entrada, los ngulos de conduccin de los tiristores y
los voltajes por fase de salida se muestran en la figura 6-13, para a = 60 y para a = 120. Para
0 < a < 60, dos tiristores conducen inmediatamente antes del disparo de Ti. Una vez disparado
Tu conducen tres tiristores. Un tiristor se desconecta cuando su corriente intenta invertirse. Las
condiciones se alternan entre dos y tres tiristores en conduccin.
Para 60 < a < 90, slo conducen dos tiristores en todo momento. Para 90 < oc < 150, aunque
conducen dos tiristores en todo momento, existen perodos en los que ningn tiristor est activo.
Para a > 150, no hay ningn periodo para dos tiristores en conduccin hacindose el voltaje de
salida cero en a = 150. El rango del ngulo de retraso es
0 < a < 150

Figura 6-12

Sec. 6-7

(6-31)

Controlador bidireccional trifsico.

C o n tro lad o res trifsicos de o nd a co m p leta

207

iiii

i iii
9t
'
O
I I
93

O
9s I I I i i
O i i i -Mj i i
92

;
I
I
O
i i
94
l l i
O
l i l i '
E3SS3 1
4 S i 6* 1
5I

i! i 1 '1
i i 1 i i i1
I 1 i i I I j
l I l i l M
1

B 8 E 5 S

2 !

5 v ab

4-

- a>t
- wt

m
i l i
i , ! i i I I
! '
3 I

I4I

4|

I5I

. 5 v *c

- (Alt
*)t
- Cl)t

16

I 5 1 I6i 11
I 1I I I

V*B
J

vc*

VBC
i

n0

- Uit

' i I

1 II 1
i i i

I 1I i 1 I I I I I

V*B

i I i l l

igi 1 1 1 121 I3'

I I I I l

I I

N v-

)t

O.S*vaq 0.5vac
(b) Para a = 120'

Figura 6-13

Formas de onda para el controlador bidireccional trifsico.

Al igual que los controladores de media onda, la expresin del voltaje de fase rms de salida
depende del rango de los ngulos de retraso. El voltaje rms de salida para una carga conectada en
estrella se puede determinar como sigue. Para 0 < a < 60:
\
V

C2tt ,

L2--Jo

v aHd(vt)
*7
t/2 h
7r/2+a

^ < ' * { [ T = r S
+

208

2tt/3 se ir

1;7t/3+O

d (( t) +

ojt
d (a > t) +

1*77/2-/ 2+a
2

S e n Q )t
d ( )t)

J tt/4

sen

u)t
d ( o ) t)

C o n tro la d o re s de v o lta je de ca

(6-32)

Cap. 6

sen cot

+
2tt/ 3 +a

= V 6 Vv

d{(t)

1 ^77
a
sen 2a
V6 ~ 4 +
8

Para 60 < a < 90:


5ir/6-7r/3+a Sen

V0 = V 6 V S

27T l J7772-77/3+0'

,W6-jr/3 +a sen

CO/

d(a>t)

W?

d((t)

7r/2-7r/3+a

(6-33)

l / 7T
3 sen 2a
V 3 eos 2 a \ 11/2
= V6Vt
Lw \ 2 +
16
+
16
P a r a 9 0 < a < 150:
sen cot
. J ttII ~ t/3+o:

d((ot) +

sen &)/
7r/2--7r/3 + a

d()t)
(6-34)

= V 6 v,

1/577
a
sen 2a
V 3 eos 2a
^ V24 _ 4 +
16 +
16

Los dispositivos de potencia de un controlador bidireccional trifsico se pueden juntar en


una conexin, tal y como se muestra en la figura 6-14. Este arreglo tambin se conoce como con
trol de amarre y permite el ensamble de todos los tiristores como una sola unidad.
Ejemplo 6-6*____________________________________________________________________________
Repita el ejemplo 6-5 para el controlador bidireccional trifsico de la figura 6-12.
Solucin VL = 208 V, V^= V J ' J = 208/VT = 120 V, a = tc/3, y R = 10 2.
(a) De la ecuacin (6-32), el voltaje rms de fase de salida es Va = 100.9 V.
(b) La corriente rms por fase de la carga es a = 100.9/10 = 10.09 A y la potencia de salida es
P0 = 312aR = 3 x 10.092 x 10 = 3054.24 W
Dado que la carga se conecta en estrella, la corriente de fase es igual a la corriente de lnea,
Ia = 10.09 A. Los volts-amperes de entrada son

VA = 3V sIl = 3 x 120 x 10.09 = 3632.4 VA

Figura 6-14

Arreglo para un control


de amarre bidireccional trifsico.

Sec. 6-7

C o n tro lad o res trifsico s de o nd a co m p leta

209

El factor de potencia

PF = = 3054,24 = 0.84 (atrasado)


VA
3632.4

169.7

(c) Si el voltaje de fase de entrada se toma com o referencia y es v n = 120V~2~sen coi =


sen c, los voltajes instantneos de lnea de entrada son

vAB =

208V 2 sen (coi +

vBC =

294.2 sen (coi -

Vca =

294.2 sen (co -

294.2 sen(^co +

El voltaje instantneo de salida por fase, van, que depende del nmero de dispositivos en conduc
cin, se puede determinar a partir de la figura 6-13a com o sigue:
Para 0 < co < 71/3:
Para k /3 < co < 2 k 3:
Para 271/3 < coi < n:
Para 7t < co < 4 7 t/3 :
Para 471/3 < coi < 5tc/3:
Para 57t/3 < co < 27t:

van = 0
van = vAg/2 = 147.1 sen(co + 7t/6)
van = vAc/2 = - vca/2 = 147.1 sen(co - ln /6 - k )
van = 0
van = vA/2 = 147.1 sen(co + tc/6)
van = vac/2 = 147.1 sen(co -7tc/6 - 7t)

Nota. El factor de potencia, que depende del ngulo de retraso a , es por lo general pobre en
comparacin con el de un controlador de media onda.

6-8 CONTROLADORES TRIFASICOS BIDIRECCIONALES


CONECTADOS EN DELTA
Si las terminales de un sistema trifsico estn accesibles, los elementos de control (o los dispositi
vos de potencia) y la carga pueden conectarse en delta, tal y como se muestra en la figura 6-15.
Dado que la corriente de fase en un sistema trifsico normal es nicamente 1/V3"de la com ente
de lnea, las especificaciones de corriente de los tiristores seran menores que si los tiristores (o
los elementos de control) se colocaran en la lnea.
Supongamos que los voltajes instantneos lnea a lnea son
Vab = vub = V 2 V, sen coi

2 x
coi - - y )

Vca = vca = V 2 Vv sen (co - ^


Los voltajes de lnea de entrada, las corrientes de fase y de lnea as como las seales de compuer
ta del tiristor se muestran en la figura 6-16, para a = 120 y una carga resistiva.

210

C o n tro lad o res de v o lta je de ca

Cap. 6

Figura 6-15

Controlador trifsico conectado en delta.

Para las cargas resistivas, el voltaje rms por fase de salida se puede determinar a partir de
1 ("277 ,

2 (*
2 V] se n co? d(o)t)
2 tt Ja

2 ^ Ja Vah d(o>t)

= V,

7T ~ a +

(6-35)

se n 2 a

r---

L77 V

El voltaje de salida mximo se obtendra cuando a = 0, y el rango del control del ngulo de re
traso es
0 sa < jr

(6-36)

Las corrientes de lnea, que se pueden determinar a partir de las corrientes de fase son
la

lab

h-a

:b = ibc - ab
c

ha

(6-37)

Ibc

Podemos notar, a partir de la figura (6-16), que las corrientes de lnea dependen del ngulo de re
traso y puedenresultardiscontinuas. Se puede determinar elvalor rms de lascorrientes de lnea y
de fase paraloscircuitos de cargamediante una solucin numrica o unanlisis deFourier. Si /
es el valor rms de la ensima componente armnica de una corriente de fase, el valor rms de la co
rriente de fase se puede determinar a partir de
*ab

= [I] + l \ + I \ + I 21 + H + /?, + + I 2n )U1

(6-38)

Debido a la conexin en delta, las componentes armnicas mltiplos de 3 (es decir aquellas de or
den n - 3m, donde m es un entero impar) de las corrientes de fase circularan alrededor de la delta
'y no apareceran en la lnea. Esto se debe a que las armnicas de secuencia cero estn en fase en
las tres fases de la carga. La corriente rms de lnea se convierte en
/ a = V 3 (/? + / | + /? + /?, + + l l2)^1/2

Sec. 6-8

C o n tro lado res trifsicos b id ireccio nales co n ectad os en d elta

(6-39)

211

Para a = 120

Figura 6-16

212

Formas de onda para un controlador conectado en delta.

C o n tro la d o re s de v o lta je de ca

C ap. 6

Como resultado, el valor rms de la corriente de lnea no seguir la relacin normal de un sistema
trifsico tal que
/ < V 3 ! ah

(6-40)

Una forma alternativa de controladores conectados en delta, que requiere nicamente de tres tiris
tores y simplifica la circuitera de control, aparece en la figura 6-17. Este arreglo tambin se cono
ce como controlador conectado en polgono.

Figura 6-17

Controlador trifsico de

tres tiristores.

Ejemplo 6-7_____________________________________________________________________________
El controlador bidireccional trifsico conectado en delta de la figura 6-15 tiene una carga resisti
va R = 10 2. El voltaje lnea a lnea es V* = 208 V (rms), 60 Hz, y el ngulo de retraso es a =
2tc/3. Determine (a) el voltaje rms de fase de salida V0; (b) las expresiones para las corrientes
instantneas ia, ^ e ica\ (c) la corriente rms de fase de salida ab y la corriente rms de lnea I (d)
el factor de potencia de entrada PF; y (e) la corriente rms de un tiristor I r .
Solucin Vl = V s = 208 V, a = 2n/3, R = 10 Q, y el valor pico de la corriente de fase, Im = V~2 x
208/10 = 29.4 A.
(a) De la ecuacin (6-35), V0 = 92 V.
(b) Suponiendo que iab es la fase de referencia e iab = lm sen coi, las corrientes instantneas
son
Para 0 < coi < 7t/3:

Para k/3 < (Ot< 2%/3:


Para 271/3 < coi < 7C:

lb= 0
*ca = lm sen(cot - 4tc/3)
ia la b
ca
1m sen(CO
i ab = k a - i a - 0
i ab = m sen coi
lea = 0
a ab

Para K < coi < 47T/3:

Para 4rc/3 < coi < 5tc/3 :


Para 5tc/3 < coi < 2n:

ca

4 7 / 3 )

lm S e n ( 0 1

iab = 0
i-ca - lm sen(co 4tc/3)
ia ab ca lm sen(C0 47t/3)
i ab = i ca = ia = 0
iab = m sen coi
ca ~ 0
a ab

Sec. 6-8

ca lm

sen COt

C o n tro lad o res trifsico s b id ireccio nales co n ectad os en delta

213

(c) L os valores rms de ia* y de ia estn determinados mediante la integracin numrica uti
lizando un programa de computadora. Los estudiantes estn invitados a verificar los resultados.

L =

l uh = 9.32 A

/ = 13.18 A

/
-flah

13 18

= y.j

= 1.1414

\Z l

(d) La potencia de salida

P = 3 l l hR = 3 x 9.322 x 10 = 2605.9
L os volts-amperes

VA = 3 V J ah = 3 x 208 x 9.32 = 5815.7


E l factor de potencia

P
2605 9
PF = VX = 58TX7 = '448 (atraSad0)
(e)

La corriente del tiristor se puede determinar a partir de una corriente de fase:

IR =

f= =
V2

~
= 6.59 A
V2

Notas
1. V0 = labR = 9.32 x 10 = 93.2 V, en tanto que la ecuacin (6-35) da 92 V. Esta diferencia se
debe al redondeo de la solucin numrica.
2. Para el controlador de voltaje de ca de la figura 6-17, la corriente de lnea Ia no est relacio
nada con la corriente de fase lab por un factor de
Esto se debe a la discontinuidad de la
corriente de carga en presencia del controlador de voltaje de ca.

6-9 CAMBIADORES DE DERIVACIONES DE UN TRANSFORMADOR MONOFASICO________


Los tiristores se pueden utilizar como conmutadores estticos para cambiar las derivaciones de los
transformadores con carga. Los cambiadores de derivacin estticos tienen la ventaja de una ac
cin de conmutacin muy rpida. El cambio puede disearse de modo que se pueda manejar las
condiciones de la carga y es continuo. El diagrama de circuito de un cambiador de derivaciones
para un transformador monofsico aparece en la figura 6-18. Por simplicidad, aunque un transfor
mador pueda tener muchos embobinados secundarios, slo se muestran dos de ellos.

V2

T,

- ^ 0 ----

----

o'

Figura 6-18 Cambiador de deriva


ciones para un transformador mono
fsico.

214

C o n tro lad o res de vo lta je de ca

Cap. 6

La relacin de vueltas del transformador de entrada es tal que si el voltaje instantneo pri
mario es
vp = V 2 Vs sen cot = V 2 Vp sen cot
los voltajes instantneos en el secundario son
V\

= V 2 V\ sen

(o

v2 - V 2 V2 sen o)t
El uso ms comn de un cambiador de derivacin es para cargas resistivas de calefaccin.
Cuando slo se disparan alternativamente los tiristores Ti y Ta con un ngulo de retraso a = 0, el
voltaje de carga se mantiene a un voltaje reducido V0 - V\. Si se requiere del voltaje de salida to
tal, slo se disparan alternativamente los tiristores T\ y T2 con un ngulo de retraso a = 0 por lo
que el voltaje total es v0 = V\ + V2.
Se puede controlar los pulsos de compuerta de los tiristores para variar el voltaje de la car
ga. Se puede modificar el valor rms del voltaje de carga, V0, dentro de tres rangos posibles:
0 < V < V,
o < v < ( v

+ v2)

V, < v < (V t + V2)


Rango de control 1: 0 < VD< V-\.
Para variar el voltaje de la carga dentro de este ran
go, se desactivan los tiristores T\ y T2. Los tiristores T- y T4 pueden operar como un controlador
monofsico de voltaje. El voltaje instantneo de la carga V0 y la corriente de carga l 0 se muestran
en la figura 6 -19c en caso de una carga resistiva. El voltaje rms de la carga que puede determinar
se a partir de la ecuacin (6- 8) es
(6-41)
y el rango del ngulo de retraso es 0 < a < n.
Rango de control 2: 0 < V0 < ( Vi + V2 ).
Los tiristores T- y T4 estn desactivados.
Los tiristores T\ y T2 operan como un controlador monofsico de voltaje. La figura 6-19d muestra
el voltaje de la carga v0 y la corriente de la carga 10 en el caso de una carga resistiva. El voltaje
rms de la carga se puede encontrar a partir de
(6-42)
y el rango del ngulo de retraso es 0 < a < t.

Rango de control 3: V| < V 0 < ( Vi + V ).


El tiristor T3 se activa en coi = 0 y el vol
taje en el secundario vi aparece a travs de la carga. Si el tiristor T\ se activa en om = a , el tiristor
Ts se queda con polarizacin negativa debido al voltaje en el secundario V2, desactivndose 73.

Sec. 6-9

C a m b ia d o re s de d erivacio nes de un tra n s fo rm a d o r m o n o f sico

215

Figura 6-19 Formas de onda para el


cambiador de derivaciones de transfor
mador.

El voltaje que aparece a travs de la carga es (vj + V2). En mi = k , T\ es auto conmutado y


se
activa. El voltaje secundario vi aparece a travs de la carga, en tanto T2 se dispare en coi = n + a .
Cuando T i se dispara en a>t = n + a , Tu se desconecta debido al voltaje inverso V2, y el voltaje de
la carga es (vi + V2). En c = 2n, T2 es auto conmutado, T- se vuelve a activar y el ciclo se repite.
El voltaje instantneo de la carga vo y la corriente de carga io se muestran en la figura 6-19e para
una carga resistiva.
Un cambiador de derivaciones con este tipo de control tambin se conoce como cambiador
de derivaciones sncrono. Utiliza un control de dos pasos. Una parte del voltaje del secundario V2
se superpone a un voltaje senoidal v\. Como resultado, los contenidos armnicos son menores que
los que se obtendran mediante un retraso de fase normal, tal y como se analiz anteriormente

216

C o n tro lad o res de v o lta je de ca

Cap. 6

para ei rango de control 2. El voltaje rms de la carga se puede determinar a partir de


V =

pTT

.27T - 0

vi d(cot)

[J2 V \ sen2 w t d (w t) + J
1277" Jo

W \

sen 2 a

LV

(V, + V2)2

1 ] 1/2
2(Vi + V2)2 sen2 w t d(w t) |

7T

(6-43)

sen 2 a

77

Para cargas R L , el circuito de compuertas de un cambiador de derivaciones sncrono requie


re de un diseo cuidadoso. Supongamos que los tiristores T\ y T2 estn desactivados, en tanto que
los tiristores T- y T, estn activos durante el medio ciclo alterno al cruzamiento del cero de la co
rriente de carga. La corriente de carga ser entonces
lo =

V 2 V,

sen(co - 6)

donde Z = [R2 + ()L)2]1/2 y 9 = tan- '(toL//?).


La corriente instantnea de carga /'o se muestra en la figura 6-20a. Si T\ se activa en ese mo
mento en co = a , donde a < 9, el segundo embobinado del transformador quedara en corto cir
cuito, porque el tiristor T3 est todava conduciendo y pasando corriente debido a la carga
inductiva. Por lo tanto, el circuito de control deber disearse de tal forma que Ti no sea activado
hasta que Tj se desactive e o ^ 0. En forma similar, T2 no deber activarse hasta que se desactive
74 e o ^ 0. Las formas de onda del voltaje de carga V0 y de la corriente de carga I0 se muestran en
la figura 6-20b para a > 9.

Figura 6-20

Sec. 6-9

Formas de onda de voltaje y de corriente para una carga RL.

C a m b ia d o re s de d erivacio nes de un tra n s fo rm a d o r m o n o f sico

217

Ejemplo 6-8*
El circuito de la figura 6-18 est controlado como un cambiador de derivaciones sncrono. El
voltaje del primario es 240 V (rms), 60 Hz. Los voltajes de los secundarios son Vi = 120 V y
V2 = 120 V. Si la resistencia de la carga es R = 10 Q y el voltaje rms de la carga es 180 V, deter
mine (a) el ngulo de retraso de los tiristores T i y T 2, (b) la corriente rms de los tiristores T i y T 2,
(c) la corriente rms de los tiristores T3 y T 4 y (d) el factor de potencia de entrada PF.
Solucin V0 = 180 V, Vp = 240 V, Vi = 120 V, V2 = 120 V, y R = 10 Q.
(a) El valor requerido del ngulo de retraso a para Va = 180 V se puede encontrar a partir
de la ecuacin (6-43), en dos formas diferentes: (1) graficando V0 en funcin de a y encontrando
el valor requerido para a, o bien (2) utilizando un mtodo iterativo para solucionarlo. La ecuacin
(6-43) se resuelve mediante un programa de computo en funcin de a, por iteracin, y da a = 98
(b) La corriente rms de los tiristores Ti y T2 se puede determinar a partir de la ecuacin
(6-42):
P7 2(V + V2)2 sen2co/ d(<t)
Ja

Ir \ -

V, + V2
\2 R

sen 2a \
H----- s

(6-44)

= 10.9 A
(c) La corriente rms de los tiristores T3 y T4 se determina a partir de

Irt,

(a

2 ttR2 Jo

V2R

1/2

2V2 sen2 co/ (co/)

1 I
- la

.77 V

sen 2a

1/2

(6-45)

= 6.5 A
(d)
La corriente rms de un segundo embobinado secundario (superior) es I2 = V~2 Ipi =
15.4 A. La corriente rms del primer embobinado secundario (inferior) que es la comente rms to
tal de los tiristores T\, T2, T- y T4, es
/, = [(V2 I r \)2 + (V2 / ) T 2 = 17.94 A
La especificacin en volts-amperes del primario o del secundario, VA = VVi + V2l2 = 120 x
17.94 + 1 2 x 15.4 = 4000.8. La potencia de la carga P0 V \ l R = 3240 W, y el factor de potencia
P
3240
PF = VA =
= - 8098 (atrasad0)
6-10 CICLOCONVERTIDORES
Los controladores de voltaje de ca suministran un voltaje de salida variable, pero la frecuencia del
voltaje de salida es fija y adems el contenido armnico es alto, especialmente en el rango de vol
tajes de salida bajos. Se puede obtener un voltaje de salida variable a frecuencias variables a partir
de conversiones en dos etapas: de ca fija a cd variable (por ejemplo rectificadores controlados) y
de cd variable a ca variable a una frecuencia variable (por ejemplo los inversores, que se analizan
en el captulo 8). Sin embargo, los cicloconvertidores pueden eliminar la necesidad de uno o ms

218

C o n tro la d o re s d e v o lta je de ca

Cap. 6

convertidores intermedios. Un cicloconvertidor es un cambiador de frecuencia directa que con


vierte la potencia de ca a una frecuencia en potencia de frecuencia alterna a otra frecuencia me
diante conversin de ca a ca, sin necesidad de un eslabn de conversin intermedio.
La mayor parte de los cicloconvertidores son de conmutacin natural, estando la frecuencia
de salida mxima limitada a un valor que es slo una fraccin de la frecuencia de la fuente. Como
resultado, la aplicacin de mayor importancia de los cicloconvertidores son los motores elctricos
de ca de baja velocidad, en el rango de hasta 15,000 kW, con frecuencias desde 0 hasta 20 Hz.
Los propulsores de ca se analizan en el captulo 15.
Al desarrollarse las tcnicas de conversin de potencia y con los mtodos modernos de con
trol, los propulsores para motores de ca alimentados por inversor estn desplazando a los propul
sores alimentados por cicloconvertidores. Sin embargo, los avances recientes en materia de
dispositivos de potencia y microprocesadores de conmutacin rpida permiten la sntesis y la
puesta en prctica de estrategias avanzadas de conversin para cambiadores directos de frecuencia
de conmutacin forzada (FCDFC), a fin de optimizar la eficiencia y reducir los contenidos arm
nicos [1,2]. Las funciones de conmutacin de los FCDFC se pueden programar a fin de combinar
las funciones de conmutacin de los convertidores de ca a cd y de cd a ca. Debido a la naturaleza
compleja de las deducciones involucradas en los FCDFC, los cicloconvertidores de conmutacin
forzada no se analizarn en detalle.
6-10.1 Cicloconvertidores monofsicos
El principio de operacin de los cicloconvertidores monofsico/monofsico se puede explicar con
ayuda de la figura 6-2la. Dos convertidores monofsicos controlados se operan como rectificado
res de fuente. Sin embargo, sus ngulos de retraso son tales, que el voltaje de salida de uno de
ellos es igual y opuesto al del otro. Si el convertidor P est operando solo, el voltaje promedio de
salida es positivo, y si el convertidor N est operando, el voltaje de salida es negativo. La figura
6-21 b muestra las formas de onda para el voltaje de salida y las seales de compuerta de los con
vertidores positivo y negativo, con el convertidor positivo activo durante un tiempo T q/2 y el con
vertidor negativo operando durante un tiempo T q/2. La frecuencia del voltaje de salida es f 0 =
1/To.
Si a p es el ngulo de retraso del convertidor positivo, el ngulo de retraso del convertidor
negativo es a = k - a p. El voltaje promedio de salida del convertidor positivo es igual y opuesto
al del convertidor negativo.
V cd2

= - Ved,

(6-46)

Al igual que los convertidores duales de las secciones 5-5 y 5-10, los valores instantneos
de salida pueden no resultar iguales. Es posible que circulen grandes corrientes armnicas entre
ambos convertidores.
Se puede eliminar la corriente circulatoria suprimiendo los pulsos de compuerta hacia el
convertidor que no est suministrando corriente de carga. Un cicloconvertidor monofsico con un
transformador con derivacin central, como se mustra.cn la figura 6-22, tiene un reactor de intergrupo, que mantiene un flujo continuo y tambin limita la corriente circulatoria.
Ejemplo 6-9*____________________________________________________________________________
El voltaje de entrada del cicloconveriidor de la figura 6-21a es 120 V (rms) 60 Hz. La resistencia
de la carga es 5 Q y la inductancia de la carga es L = 40 mH. La frecuencia del voltaje de salida
es 20 Hz. Si los convertidores operan como semiconvertidores de tal forma que 0 < a < n y el

Sec. 6 -1 0

C icloconvertidores

2 19

C onvertidor N

C onvertidor P

T,
<
1
9
O)
n

S \-

T*

(a) Circuito

-/V .
T ,?

V01

Voa

T,'

~o_

Figura 6-21

Cicloconvertidor monofsico/monofsico.

ngulo de retraso es ap = 2ji/3, determine (a) el valor rms del voltaje de salida V0, (b) la corriente
rms de cada tiristor I r y (c) el factor de potencia de entrada PF.
Solucin
= 120 V , f s = 60 Hz, f 0 = 20 Hz, R = 5 2, L = 40 mH, ap = 27t/3, (Oo = 2rt x 20 =
125.66 rad/s y X L = ti>oL = 5.027 2.
(a) Para 0 < a < 7C, la ecuacin (6-8) da el voltaje rms de salida
V. - V, [ i ( - -

(6-47)

= 53 V
(b) Z = [R2 + (coL)2]1/2 = 7.09 2 y 0 = tan_1(cooL/R) = 45.2. La corriente rms de la carga,
I0 = VJZ = 53/7.09 = 7.48 A. La corriente rms a travs de cada convertidor, Ip = I n = /<W2"=
5.29 A y la corriente rms a travs de cada tiristor, Ir = /p/V~2~= 3.74 A.
(c) La corriente rms de entrada, IS = I0 = 7-48 A, la especificacin de volts-amperes VA =
VJs = 897.6 VA, y la potencia de salida, P0 = V J 0 cos A = 53 x 7.48 x cos 45.2 = 279.35 W. De
la ecuacin (6-8), el factor de potencia de entrada,

220

C o n tro la d o re s de v o lta je de ca

Cap. 6

- S

C onvertidor
positivo

T2 p
3 --------w -

Carga

|_R

R eactor de
intergrupo

C onvertidor
negativo

Figura 6-22

PF =

Cicloconvertidor con reactor de intergrupo.

O _ rO
yjs
v,

1 /

7r - a H
7r V

sen

2 a \ 11/2

=2

(6-48)

279.35
= 0.311 (atrasado)
897.6

Nota. La ecuacin (6-48) no incluye el contenido armnico del voltaje de salida y da el va


lor aproximado del factor de potencia. El valor real ser menor que el que da la ecuacin (6-48).
Las ecuaciones (6-47) y (6-48) tambin son vlidas para cargas resistivas.
6-10.2 Cicloconvertidores trifsicos
El diagrama de circuito de un cicloconvertidor trifsico/monofsico aparece en la figura 6-23a.
Los dos convertidores de ca a cd son rectificadores controlados trifsicos. La sntesis de la forma
de onda de salida para una frecuencia de salida de 12 Hz aparece en la figura 6-23b. El converti
dor positivo opera durante la mitad del perodo de la frecuencia de salida y el convertidor negati
vo durante la otra mitad. El anlisis de este cicloconvertidor es similar al de los convertidores
monofsico/monofsico.
El control de los motores de ca requiere de un voltaje trifsico a frecuencia variable. El ci
cloconvertidor de la figura 6-23a se puede extender para suministrar una salida trifsica mediante
seis convertidores trifsicos, tal y como se muestra en la figura 6-24a. Cada fase est formada por

Sec. 6-10

C iclo co nvertid ores

221

+
i.
rT ,

)^

Ca rga

ST4

tJ

2^ r

Vol

Vo
'+

J lT J

l7 ''

lT i'

2 TV

- T ,'

(a) Circuito

Figura 6-23

Cicloconvcrtidor trifsico/monofsico.

seis tiristores, segn se muestra en la figura 6-24b, y se necesita un total de 18 tiristores. Si se uti
lizan seis convertidores trifsicos de onda completa, se requerir de 36 tiristores.

6-10.3 Reduccin de armnicas de salida


Podemos notar en las figuras 6-21b y 6-23b que el voltaje de salida no es puramente senoidal y
que, como resultado, contiene armnicas. La ecuacin (6-48) muestra que el factor de potencia de
entrada depende del ngulo de retraso de los tiristores y que resulta pobre, especialmente en el
rango de voltajes de salida bajos.
El voltaje de salida de los cicloconvertidores se compone fundamentalmente de segmentos
de voltaje de entrada, y el valor promedio de un segmento depende del ngulo de retraso del mis
mo. Si se hacen variar los ngulos de retraso de los segmentos de tal forma que los valores prome
dio de los segmentos correspondan lo ms cerca posible a la variacin de el voltaje de salida

222

C o n tro lad o res de v o lta je de ca

Cap. 6

T r if s ic a

A lim e n t a c i n

(a) D iagram a esquem tico

(7) Carga en

la fase a

(b )F a s e a

Figura 6-24

Cicloconvertidor trifsico/trifsico.
%

senoidal deseado, las armnicas del voltaje de salida se pueden minimizar. La ecuacin (5-21) in
dica que el voltaje promedio de salida de un segmento es una funcin del coseno del ngulo de re
traso. Los ngulos de retraso de los segmentos se pueden generar comparando la seal del coseno
en la frecuencia de la fuente (vc = V~2 Vs cos a y ) con un voltaje ideal senoidal de referencia a la
frecuencia de salida (vr = V~2 V, sen coO- La figura 6-25 muestra la generacin de las seales de
compuerta para los tiristores del cicloconvertidor de la figura 6-23a.
El voltaje promedio mximo de un segmento (que ocurre en el caso en que ap = 0 ) deber
resultar igual al valor de pico del voltaje de salida; por ejemplo, de la ecuacin (5-21),

J - V2

TT

(6-49)

que nos da el valor rms del voltaje de salida como


2 V S 2V P
V0 = ~
=
TT

Sec. 6 -1 0

C iclo co nvertid ores

TT

(6-50)

223

Figura 6-25

Generacin de las seales de compuerta del tiristor.

Ejemplo 6-10
Repita el ejemplo 6-9 si los ngulos de retraso del cicloconvertidor se generan utilizando una se
al de coseno en la frecuencia de la fuente y comparndolos con una seal senoidal de la fre
cuencia de salida tal y como se muestra en la figura 6-25.
Solucin Vs = 120 V ,fs = 60 Hz, f 0 = 20 Hz, R = 5 Q, L = 40 mH, ap = 2n/3, coo = 2rc x 20 =
125.66 rad/s y X i - co = 5.027 2.
(a) De la ecuacin (6-50), el valor rms del voltaje de salida

V0 = 2V77

= 0.6366V , = 0.6366 x 120 = 76.39 V

(b) Z = [R2 + ( c o = 7.09 Q y 9 = tan_1((o.//?) = 45.2. La corriente rms de la carga


10 = V JZ = 76.39/7.09 = 10.77 A. La corriente rms a travs de cada convertidor, Ip = If/ = I J ' f 2
= 7.62 A, y la corriente rms a travs de cada tiristor, I r = Ip/ ' f 2 = 5.39 A.

224

C o n tro lad o res de v o lta je de ca

Cap. 6

(c)
La corriente rms de entrada Is = 0 - 10.77 A, la especificacin de volts-amperes VA =
VSIS = 1292.4 VA, y la potencia de salida,

P =

V/ c o s

9=

0.6366 Vsl0 cos 6> = 579.73 W.

El factor de potencia de entrada


PF = 0.6366 co s

(6 -5 l)

579 73

= Y m A = 0,449 (atrasado)
Nota. La ecuacin (6-51) muestra que el tactor de potencia de entrada es independiente del
ngulo de retraso, a , y slo depende del ngulo de carga 0. Pero para el control del ngulo de fase
normal, el factor de potencia de entrada depende tanto del ngulo de retraso, a , como del ngulo
de carga, 0. Si comparamos la ecuacin (6-48) con la (6-51), existe un valor crtico del ngulo de
retraso a c, que est dado por
(6-52)
Para a < ote, el control normal del ngulo de retraso exhibir un factor de potencia mejor y la so
lucin de la ecuacin (6-52) dar etc = 98.59.

6-11 CONTROLADORES DE VOLTAJE DE CA CON CONTROL PWM


En la seccin 5-11 se demostr que el factor de potencia de entrada de los rectificadores contrla
dos se puede mejorar mediante control por modulacin de ancho de pulso (PWM). Los controla
dores de tiristores de conmutacin natural introducen armnicas de orden bajo, tanto en la carga
como en el lado de la alimentacin, teniendo un bajo factor de potencia de entrada. El rendimiento
de los controladores de voltaje de ca se puede mejorar mediante el control PWM. La configura
cin del circuito de un controlador de voltaje de ca monofsico PWM aparece en la figura 6-26a.
Las seales de compuerta de los interruptores aparecen en la figura 6-26b. Dos interruptores Si y
S2 se activan y desactivan varias veces durante el medio ciclo positivo y negativo del voltaje de

la) Circuito

Figura 6-26

Sec. 6-11

(b) S eales de com puerta

Controlador de voltaje de ca para control PWM.

C o n tro lad o res de vo ltaje de ca con control P W M

225

entrada, respectivamente. S y S proporcionan las trayectorias de marcha libre para las corrientes
de carga, en tanto que Si y S2, respectivamente, estn en estado de desactivacin. Los diodos im
piden que aparezcan voltajes inversos a travs de los interruptores.
El voltaje de salida se muestra en la figura 6-27a. En el caso de una carga resistiva, la co
rriente de carga se parecer al voltaje de salida. En el caso de una carga RL, la corriente de carga
se elevar en la direccin positiva o negativa cuando se active el interruptor Si o S2 respectiva
mente. En forma similar, la corriente de carga se reducir si S o S se activan. La corriente de car
ga aparece en la figura 6-27b con una carga RL.

6-12 DISEO DE CIRCUITOS DE CONTROLADORES DE VOLTAJE DE CA


Las especificaciones de los dispositivos de potencia deben disearse para las condiciones de peor
caso, que ocurrirn cuando el convertidor suministre el valor rms mximo del voltaje de salida V0.
Tambin los filtros de entrada y de salida deben disearse para las dichas condiciones. La salida
del controlador de potencia contiene armnicas, y deber determinarse el ngulo de retraso para la

226

C o n tro la d o re s de v o lta je de ca

Cap. 6

condicin de peor caso, de una disposicin particular del circuito. Los pasos incluidos en el dise
o de los circuitos de potencia y sus filtros son similares a los del diseo del circuito de rectifica
dores de la seccin 3-11.
Ejemplo 6-11____________________________________________________________________________
Un controlador de voltaje monofsico de ca de onda completa de la figura 6-3a controla el flujo
de potencia de una alimentacin de 230V 60Hz a una carga resistiva. La potencia de salida mxi
ma deseada es 10 kW. Calcule (a) la especificacin mxima de corriente rms de los tiristores
Irm, (b) la especificacin mxima promedio de corriente de los tiristores Iam, (c) la corriente de
pico de los tiristores //>, y (d) el valor pico del voltaje del tiristor Vp.
Solucin P0 = 10,000 W, Vs = 230 V y Vm = ' f l x 230 = 325.3 V. La potencia mxima ser su
ministrada cuando el ngulo de retraso sea a = 0. De la ecuacin (6-8), el valor rms del voltaje de
salida V0 = VS= 230 V, P0 = V^/R - 2302//? = 10,000, y la resistencia de la carga es R = 5.29 Q.
(a) El valor rms mximo de la corriente de carga I0m = VJR = 230/5.29 = 43.48 A, y el va
lor rms mximo de la corriente del tiristor Irm = W V T = 30.75 A.
(b) De la ecuacin (6-10), la corriente promedio mxima de los tiristores,
_ V 2 x 230 _
AM
ti x 5.29
(c) La corriente de pico del tiristor lp = V JR = 325.3/5.29 = 61.5 A.
(d) El voltaje pico del tiristor Vp = V m = 325.3 V.
Ejemplo 6-12*__________________________________________________________________________
El controlador monofsico de onda completa de la figura 6-6a controla la potencia a una carga
RL siendo el voltaje de suministro de 120 V (rms), 60 Hz. (a) Utilice el mtodo de las series de
Fourier para obtener expresiones para el voltaje de salida v0(t ) y la corriente de carga i0(t) como
una funcin del ngulo de retraso a. (b) Determine el ngulo de retraso correspondiente a la can
tidad mxima de corriente armnica de orden menor en la carga, (c) Si R = 5 2, L = 10 mA y
a = 7t/2, determine el valor rms de la corriente de la tercera armnica, (d) Si se conecta un capa
citor a travs de la carga (figura 6-28), calcule el valor de la capacitancia para reducir la corriente
de la tercera armnica al 10% del valor sin el capacitor.
Solucin (a) La forma de onda para el voltaje de entrada aparece en la figura 6-6b. El voltaje
instantneo de salida tal y como aparece en la figura 6-28b se puede expresar en una serie de
Fourier de la forma

v(t)

= Vcd +

a eo s

noi +

b sen noit

Figura 6-28 Convertidor monofsico completo con carga

Sec. 6-12

(6-53)

= 1.2..

D iseo de circuitos de co n tro la d o re s de vo lta je de ca

RL.
22 7

donde

JO

jg Vm sene ot d((ot) =

Vcd =
277

77

Jo;

V 2 V s senoi cos

d(<ot) + JIi r + a^ V 2 V sen coi cos

coi

cos(l - n)a - cos(l - n)/3


+ cos(l - )(7r + a) - cos(l +

V 2 y,

n)(ir

3)

1 n

2l7

cos(l +

n)a

- cos(l + n)3 + cos(l +


1+

n)(iT

para
=0

neo c/(cof)

a)

n)( 77

- cos(l +

n=

+ 3)

(6-54)

3 ,5 ,...

para n = 2, 4,...

t d ( a t)

r v i v,
bn = Z
77 - J a

13V 2

Jw+a

sen(l - n)fi - s e n (l - n)a


+ sn(l - n)(ir + /3) -s e n (l -

V,

Vs sen coi sen n< ot d(o> t)

n)(v

a)

1 n

2iT
sen(l

n)/3

-s e n ( l

n)a

+sen(l
1+

n)(i7

+ ff)

-se n (l

n)(ir

a)

para n = 3,5,...

(6-55)

para n = 2, 4,...

=0

1 f/3 /
i =
V 2 Vf sen coi cos co? d(cot) +
77 LJa

Jw+a:

/
V 2 V, sen coi cos cot d(cot)
para n = 1,...

[sen2/3 - sen2 a + sen2(77 + /3) - sen2(77 + a)]

P V 2 Vj sen2ojf
b [ = 77 .Ja
V 2 V,
2(j3 - a)
277

d(cot)

fw ^

J ir + a

V2

(6-56)

Vs sen2coi (coi)

sen 2/3 - sen 2a -f sen 2(77 +

fi)

- sen 2(77 +

a)

para n = 1,...

(6-57)

La impedancia de la carga

Z = R + j(no>L)

[R2 + (ti(oL)2]l/2 / ,

y 0 = tan l(naL/R). Dividiendo v0(t) en la ecuacin (6-53) entre la impedancia de la carga Z y


simplificando los trminos de seno y de coseno obtenemos la corriente de carga como

i(t)
228

n= 1,3,5,...

V2

Ise.n(n<ot

6 + <bn)

C o n tro la d o re s de v o lta je de ca

(6-58)

Cap. 6

donde 4> = tan l(a/bn) y

1
"

(aj

bl)m

V2 t^2 + (n<oL)2]'12

(b) La tercera armnica es la armnica de orden menor. El clculo de la tercera armnica


para distintos valores del ngulo de retraso muestra que se hace mxima en el caso de a = n/2.
(c) Para a = %/2, L = 6.5 mH, R = 2.5 Q, co = 271 x 60 = 377 rad/s y l7., = 120 V. Partiendo
del ejemplo 6-4 obtenemos el ngulo de extincin como p = 220.43. Para valores conocidos de
a, P, R, L y V^, se pueden calcular los valores a y bn de la serie de Fourier de la ecuacin (6-53),
as como la corriente de carga i0 de la ecuacin (6-58). La comente de carga est dada pin
i(t) = 28.93sen(wt - 44.2 - 18) + 7.96sen(3o) - 71.2 + 68.7)
+ 2.68 sen(5w/ - 78.5 - 68.6) + 0.42sen(7wf - 81.7 + 122.7)
+ 0.59sen(9cu/ - 83.5 - 126.3) +
El valor rms de la corriente de la tercera armnica es
,
/.96
h =
= 5.63 A
(d) La figura 6-29 muestra el circuito equivalente para la corriente armnica. Utilizando la
regla del divisor de corriente, la corriente armnica a travs de la carga est dada por

h = _______ Xr_______
/

[R 2 + (nmL - X ,)2}m

donde Xc = l/(n)C). Para n = 3 y (0 = 377,


h
I

_______________________
[2.52 + (3 x .377 x 6.5 - X v)2]m

= o1

lo que da X c = - 0.858 es decir 0.7097. Dado que Xc no puede ser negativa, Xc = 0.7097 = 1/(3 x
377C) y, por lo tanto, C = 1245.94 |xF.

Figura 6-29 Circuito equivalente


para la corriente armnica.

Ejemplo 6-13________________________________________
El controlador de voltaje de ca monofsico de la figura 6-6a tiene una carga R = 2.5 Q y L = 6.5
mH. El voltaje de alimentacin es 120 V (rms), 60 Hz. El ngulo de retraso es a = n/2. Utilice
PSpice para graficar el voltaje de salida y la corriente de carga as como para calcular la distor
sin armnica total (THD) del voltaje y de la corriente de salida, ademas de el factor de potencia
de entrada (PF).

Sec. 6-12

Diseo de circuitos de co n tro la d o re s de vo lta je de ca

229

Solucin La corriente de carga de los controladores de voltaje de ca es ca, y la corriente de un


tiristor siempre se reduce a cero. No se requiere del diodo Dt de la figura 4-30b, pudindose sim
plificar el modelo de tiristor al de la figura 6-30. Este modelo se puede utilizar como subcircuito.

Figura 6-30

Modelo SPice para el tiristor de ca.

La definicin del subcircuito para el modelo SCR del tiristor se puede describir como
sigue:

Subcircuit

for ac t h y r i s t o r m odel

S CR

.S U B C K T
*

mode 1

ame

anode

cathode

si

RG

50

DC

OV

DC

OV

4
5
2

VX
VY
RT

10UF

F1

P O L Y (2)

VX

S MOD

VSWITCH

(RON=O.Q1

.E ND S

SCR

2
-control

vo l t a g e

voltage

; S witch

SMOD

CT

MODEL

3
+control

VY

50

R O FF = 1 0 E + 5

11

V O N = 0 .IV VOFF=0V)

; E nds

subcircuit

definition

El voltaje de alimentacin pico Vm = 169.7 V. Para a = c*2 = 90, el retraso de tiempo t\ =


(90/360) x (1000/60Hz) x 1000 = 4166.7 (is. Un circuito auxiliar en serie con un valor de Cs =
0.1 (J.F y un Rs = 750 Q se conecta a travs del tiristor para poder manejar el voltaje transitorio
originado por la carga inductiva. El controlador de voltaje de ca monofsico para la simulacin
PSpice aparece en la figura 6-31a. Los voltajes de compuerta Vg\, Vgi, Vgz y Vg4 de los tiristores
se muestran en la figura 6-3 Ib.

230

C o n tro lad o res de v o lta je de ca

Cap. 6

n 7 WVv----Rs
-||
4

(o

a = 90
R $ 2.5 l
" 5

1245.94 nF dpC

vs

L 6.5 mH

>3

vgi

V ,-^ O V

(a) Circuito

Para T i

tw - 100 |is T = 16.667 m s


tr= t|= 1 ns

tw

ti

----------

(b) Voltajes de com puerta

Figura 6-31

Controlador de voltaje de ca monofsico para la simulacin PSpice.

La lista del archivo de circuito es com o sigue:


Example

6-13

Single-Phase

VS

Vgl

Vg2

4
1

SIN

(0

Controller

60HZ)

PULSE

(OV

10V

4 1 6 6 . 7US

1NS

1NS

100US

1 6 6 6 6 . 7US)

PULSE

(OV

10V

1 2 5 0 0 . 0US

1NS

1NS

100US

1 6 6 6 6 . 7US)

OV

; Voltage

2.5

6.5MH

VX

DC

*c
es

1 2 4 5 . 94UF

0 . 1UF

RS

750

Sec. 6-12

-C V o l t a g e

169 .7V

; Oulput

s ou rce
filter

to m e a s u r e
capacitance

the

load

; Load

D iseo de circuitos de co n tro lad o res de vo lta je de ca

current
filter

231

Subcircuit

X Tl

XT2

cali

Subcircuit

.T^AN

for t h y r i s t o r

SCR

; Thyristor

Ti

SCR

: Thyristor

T2

SCR w h i c h

10US

m od el

is m i s s i n g must

33.33MS

inserted

; Transient

.PROBE

analysis

; Graphics postprocessor

.options
.FOUR

be

abstol

60HZ

= l.OOn

r e ltol

= 1.O m v n t o l

V (4)

= 1 . Om

; Fourier

ITL5=10000

analysis

.END

En la figura 6-32 se muestran las graficas de PSpice correspondientes al voltaje instant


neo de salida V(4) y la corriente de carga I(VX).
Los componentes de Fourier del voltaje de salida son como sigue:
F O U R I E R C O M P O N E N T S OF T R A N S I E N T R E S P O N S E V (4)
DC C O M P O N E N T
;MONIC

1.784608E-03

FREQUENCY

FOURIER

NORMALIZED

PHASE

NO

(HZ)

COMPONENT

COMPONENT

(DEG)

6 . 000E+01

1 .006E+02

1 . OOOE+ OO

-1.828E+01

0 . O O OE + OO
8 .024E+01

NORMALIZED
PHASE

(DEG)

1 .200E + 02

2.7 64E-03

2 .748E-0 5

6 . 1 96E+01

1. 800E + 02

6. 1 7 4 E + 0 1

6 .139E-01

6.960E+01

8 . 78 7 E + 0 1

2 . 4 00E+ 02

1.0 3 8E-03

1 .033E-05

6 . 7 31E +01

8 .5 5 9E + 01

3 . 00 0E+02

3.311E+01

3.2 9 3 E - 0 1

- 6 . 771E +01

-4 . 9 4 3E+01

3 . 600 E+02

1 . 969E-0 3

1 . 958E-05

1 .2 6 1 E + 0 2

1 . 44 4 E + 0 2

4 . 20 0 E + 0 2

6 . 9 5 4E +00

6 . 915E-02

1 . 185E+0 2

1. 3 6 7 E + 0 2

4.8 0 0E + 02

3.451E-03

3 . 43 1E-05

1.017E+02

1.199E+02

5.400E+02

1 .384E+01

1.37 6 E - 0 1

- 1 .251E+02

-1 . 06 8 E + 0 2

TOTAL HARMONIO

DISTORTION

7.134427E+01

PERCENT

Los componentes de Fourier de la corriente de salida, que es igual a la corriente de entra


da, son como sigue:
F OU RIER C OMPONENTS
DC C O M P O N E N T
:MONIC

OF T R A N S I E N T R E S P O N S E

I(VX)

-2.557837E-03

FREQUENCY

FOURIER

NORMALIZED

PHASE

NO

(HZ)

COMPONENT

COMPONENT

(DEG)

NORMALIZED

6 .000E + 01

2 . 8 69 E+01

1 . 000E+00

-6.253E+01

0 . 000E+00
- 6 . 3 1 9E+01

PHASE

(DEG)

1.200E+02

4 . 4 16E -03

1 .539E-04

-1.257E+02

1. 800E + 02

7.844E+00

2.735E-01

-2 . 918E + 00

5 . 9 61 E+01

2 . 4 0 0E+ 02

3.641E-03

1 .269E-04

-1 . 620E + 02

-9.948E+01

3 . 00 0 E + 0 2

2 . 6 82 E+00

9 .3 50E -02

-1 .4 62E + 02

-8 .3 7 0 E + 0 1

3 . 6 0 0E +02

2 . 1 98 E-03

7 . 662E-05

1.653E+02

2 .2 7 8 E + 02

4 .200E + 02

4.310E-01

1 .503E-02

4 .124E + 01

1.038E+02

4 . 8 0 0E +02

1.0 1 9 E - 0 3

3 . 5 5 1E-0 5

1 . 4 80E + 02

2 .10 5 E + 0 2

5.4 00E + 02

6 . 055 E-01

2.111E-02

1 .5 33E + 02

2 .15 8 E + 0 2

TOTAL HARMONIO

DISTORTION

2.901609E+01

PERCENT

La distorsin armnica total de la corriente de entrada THD = 29.01% = 0.2901


El ngulo de desplazamiento <t>i = -62.53

232

C o n tro lad o res de v o lta je de ca

Cap. 6

Date/Time run:

Example 6-13
Single-Phase AC Voltage Controller
07/1 7/ 92
16:33:56
Temperature:

Figura 6-32

27.0

G r fic a s c o rre s p o n d ie n te s al e je m p lo 6 -1 2 .

El factor de desplazamiento DF = cos <J>i = cos(-62.53) = 0.461 (atrasado)


De la ecuacin (5-86), el factor de potencia de entrada
PF (| _|_ THD2)1'2 C0S <^| = (1 + 0 29012)1/12 x 0-461 = 0-443 (atrasado)

6-13 EFECTO DE LAS INDUCTANCIAS EN LA ALIMENTACION Y EN LA CARGA


En las deducciones de los voltajes de salida, hemos supuesto que la alimentacin no tiene induc
tancia. El efecto de cualquier inductancia de alimentacin sera retrasar la desactivacin de los ti
ristores. Los tiristores no se desactivarn en el cruce de ceros del voltaje de entrada como aparece
en la figura 6-33b, y los pulsos de compuerta de corta duracin pueden no ser adecuados. Tam
bin aumentara el contenido armnico del voltaje de salida.
Vimos en la seccin 6-5 que la inductancia de la carga juega un papel significativo en el
rendimiento de los controladores de potencia. A pesar de que el voltaje de salida tiene una forma
de onda pulsada, la inductancia de la carga intenta conservar un flujo continuo de corriente, tal y
como se muestra en las figuras 6-6b y 6-33b. Tambin podemos observar a partir de las ecuacio
nes (6-48) y (6-52) que el factor de potencia de entrada del convertidor de potencia depende del
factor de potencia de la carga. Debido a las caractersticas de conmutacin de los tiristores, cual
quier inductancia en el circuito hace ms complejo este anlisis.

Sec. 6 -13

Efecto de las nductancias en la alim e n ta c i n y en la carga

233

ojI

cut

- Ct
Figura 6-33 Efectos de la inductan
cia de la carga sobre la corriente y el
voltaje de la carga.

El controlador de voltaje de ac puede utilizar un control de abrir y cerrar o un control de ngulo de


fase. El control de abrir y cerrar es ms adecuado para sistemas con una constante de tiempo alta.
Debido a la componente de cd de la salida de los controladores unidireccionales, en las aplicacio
nes industriales se utilizan normalmente los controladores bidireccionalcs. En razn de las carac
tersticas de conmutacin de los tiristores, una carga inductiva hace ms compleja la solucin a las
ecuaciones que describen el rendimiento de los controladores, por lo que resulta ms conveniente
utilizar un mtodo iterativo de solucin. El factor de potencia de entrada de los controladores, que
vara con el ngulo de retraso, es por lo general pobre, especialmente en el rango bajo de salida.
Los controladores de voltaje de corriente alterna se pueden utilizar como cambiadores de deriva
ciones estticas de transformadores.
Los controladores de voltaje proporcionan un voltaje de salida a una frecuencia fija. Dos
rectificadores controlados por fase conectados como convertidores duales se pueden operar como
cambiadores de frecuencia directa, conocidos como cicloconvertidores. Con el desarrollo de los
dispositivos de potencia de conmutacin rpida, resulta posible la conmutacin forzada de los ci
cloconvertidores; sin embargo, se requiere de la sntesis de las funciones de conmutacin de los
dispositivos de potencia [1,2],

REFERENCIAS
1. P. D. Ziogas, S. I. Khan, y M. H. Rashid, Some
improved forced commutated cycloconvcrtcr structures. IEEE Transactions on Industry Applica
tions, Vol. IA121, No. 5, 1985, pp. 1242-1253.

234

2. M. Vcnturi, A ncw sine wave in sine wave out


conversin technique eliminates reactive elements. Proceedings Powercon 7, 1980, pp.
E31-E3-13.

C o n tro la d o re s de v o lta je de ca

Cap. 6

3. L. Gyugi y B. R. Pelly, Static Power Frequency


Changes: Theory, Performance, and Applications.
Nueva York: Wiley-Interscience, 1976.
4. B. R. Pelly, Thyristor-Phase Controlled Converlers
and Cycloconverters. Nueva York: Wiley-Interscience, 1971.
5. IEEE standard definition and requirements for
thyristor ac power controllcrs, IEEE Standard,
No. 428-1981,1981.

6. S. A. Hamed y B. J. Chalmers, New method of


analysis and performance prediction for thyristor
voltage-controlled RL loads. IEEE Proceedings,
Vol. 134, Pt. B, No. 6, 1987, pp. 339-347.
7. S. A. Hamed, Modeling and design of transistorcontrollcd AC voltage regulators. International
Journal o f Electronics, Vol. 69, No. 3, 1990, pp.
421-434.

PREGUNTAS DE REPASO
6-1. Cules son las ventajas y las desventajas del 6-15. Cules son las ventajas y las desventajas de los
cambiadores de derivaciones de transformador?
control de abrir y cerrar?
6-2. Cules son las ventajas y las desventajas del 6-16. Cules son los mtodos de control del voltaje
de salida de los cambiadores de derivaciones de
control de ngulo de fase?
transformador?
6-3. Cules son los efectos de la inductancia de car
ga sobre el rendimiento de los controladores de 6-17. Qu es un cambiador de derivaciones sncro
no?
voltaje de ca?
6-4. Qu es el ngulo de extincin?
6-18. Qu es un cicloconvertidor?
6-5. Cules son las ventajas y las desventajas de los 6-19. Cules son las ventajas y las desventajas de los
cicloconvertidores?
controladores unidireccionales?
6-6. Cules son las ventajas y las desventajas de los 6-20. Cules son las ventajas y las desventajas de los
controladores de voltaje de ca?
controladores bidireccionales?
6-7. Qu es el arreglo de control de amarre?
6-21. Cul es el principio de operacin de los cicloconvertidores?
6-8. Cules son los pasos necesarios para determi
nar las formas de onda del voltaje de salida de 6-22. Cules son los efectos de la inductancia de la
carga sobre el rendimiento de los cicloconvertilos controladores trifsicos unidireccionales?
dores?
6-9. Cules son los pasos involucrados en la deter
minacin de las formas de onda del voltaje de 6-23. Cules son las tres disposiciones posibles para
un controlador monofsico de voltaje de ca de
salida de los controladores trifsicos bidireccioonda completa?
nales?
6-10. Cules son las ventajas y las desventajas de los 6-24. Cules son las ventajas de las tcnicas de re
duccin armnica senoidal de los cicloconverti
controladores conectados en delta?
dores?
6-11. Cul es el rango de control del ngulo de retra
so para los controladores monofsicos unidirec- 6-25. Cules son los requisitos de seal de compuer
ta de los tiristores para controladores de voltaje
cionales?
con cargas RL1
6-12. Cul es el rango de control del ngulo de retra
so para los controladores monofsicos bidirec- 6-26. Cules son los efectos de las inductancias de
alimentacin y de carga?
cionales?
6-13. Cul es el rango de control del ngulo de retra- 6-27. Cules son las condiciones del diseo en peor
caso de dispositivos de potencia para controla
so para los controladores trifsicos unidireccio
dores de voltaje de ca?
nales?
6-14. Cul es el rango de control del ngulo de retra- 6-28. Cules son las condiciones del diseo en peor
caso de los filtros de carga para controladores
so para los controladores trifsicos bidirecciona
de voltaje de ca?
les?

Cap. 6

Preguntas de repaso

235

PROBLEMAS
6-1. El controlador de voltaje de ca de la figura 6-la
se utiliza para calentar una carga resistiva R = 5
2 el voltaje de alimentacin o de entrada es Vs
= 120 V (rms), 60 Hz. El tiristor est cerrado
durante n = 125 ciclos y abierto durante m = 75
ciclos. Determine (a) el voltaje rms de salida VQ,
(b) el factor de potencia de entrada PF y (c) las
corrientes promedio y rms de los tiristores.

trada PF, (d) la corriente promedio de los tiristo


res Ia , (e) y la corriente rms de los tiristores I r .
6-7. La carga de un controlador de voltaje de ca es
resistiva, siendo R = 1.5 2. El voltaje de entrada
es Vj = 120 V (rms), 60 Hz. Grafique el factor
de potencia en funcin del ngulo de retraso pa
ra controladores de media onda y de onda com
pleta monofsicos.

6-2. El controlador de voltaje de ca de la figura 6 -la


utiliza el control de abrir y cerrar para calentar
una carga resistiva R = 4 2 el voltaje de entrada
es
= 208 V (rms), 60 Hz. Si la potencia de sa
lida deseada es P0 = 3 kW, determine (a) el ci
clo de trabajo k y (b) el factor de potencia de
entrada PF.

6-8. El controlador monofsico de onda completa de


la figura 6-6a alimenta una carga RL. El voltaje
de entrada es
= 120 V (rms) a 60 Hz. La car
ga es tal que L = 5 mH y R = 5 2. Los ngulos
de retraso del tiristor T\ y del tiristor T% son
iguales, donde a = k/3. Determine (a) el ngulo
de conduccin del tiristor T\, 8; (b) el voltaje
rms de salida Va; (c) la corriente rms del tiristor
/#; (d) la corriente rms de salida I0; (e) la co
rriente promedio de un tiristor Ia ', y (f) el factor
de potencia de entrada PF.
6-9. El controlador monofsico de onda completa de
la figura 6-6a alimenta una carga RL. El voltaje
de entrada es Vs = 120 V a 60 Hz. Grafique el
factor de potencia PF en funcin del ngulo de
retraso, a, para (a) L = 5 mH y R = 5 2 y (b) R
= 52 y L = 0.

6-3. El controlador de voltaje monofsico de ca de


media onda de la figura 6-2a tiene una carga re
sistiva R = 5 2 voltaje de entrada es V = 120 V
(rms), 60 Hz. El ngulo de retraso del tiristor T\
es a = 7t/3. Determine (a) el voltaje rms de sali
da V0, (b) el factor de potencia de entrada PF y
(c) la corriente promedio de entrada.
6-4. El controlador de voltaje monofsico de ca de
media onda de la figura 6-2a tiene una carga re
sistiva de R = 5 2 el voltaje de entrada Vs = 208
V (rms), 60 Hz. Si la potencia deseada de salida
es P0 = 2 kW, calcule (a) el ngulo de retraso a
y (b) el factor de potencia de entrada PF.

6-10. El controlador trifsico unidireccional de la fi


gura 6-10 alimenta una carga resistiva conecta
da en estrella con R = 5 2 el voltaje de entrada
lnea a lnea es de 208 V (rms), 60 Hz. El ngu
lo de retraso es a = n/6. Determine (a) el voltaje
de salida de fase rms V0, (b) la potencia de en
trada y (c) las expresiones correspondientes al
voltaje instantneo de salida de la fase a.

6-5. El controlador de voltaje monofsico de ca de


onda completa de la figura 6-3a tiene una carga
resistiva R = 5 2 el voltaje de entrada es
=
120 V (rms), 60 Hz. Los ngulos de retraso de
los tiristores T\ y T2 son iguales: a = ot2 = a =
2k/3. Determine (a) el voltaje rms de salida V0, 6-11. El controlador trifsico unidireccional de la figura
6-7 alimenta una carga resistiva conectada en es
(b) el factor de potencia de entrada PF, (c) la co
trella con R = 2.5 2 y un voltaje de entrada lnea a
rriente promedio de los tiristores U y (d) la co
lnea de 208 V (rms), 60 Hz. Si la potencia de sa
rriente rms de los tiristores
lida deseada es P0 = 12 kW, calcule (a) el ngulo
6-6. El controlador de voltaje monofsico de ca de
de retraso a, (b) el voltaje de salida rms de fase
onda completa de la figura 6-3a tiene una carga
V0, y (c) el factor de potencia de entrada PF.
resistiva R = 1.5 2 y el voltaje de entrada es
=

Ir.

120 V (rms), 60 Hz. Si la potencia de salida de


seada es P0 = 7.5 kW, determine (a) los ngulos
de retraso de los tiristores T\ y T2, (b) el voltaje
rms de salida V0, (c) el factor de potencia de en

236

6-12. El controlador trifsico unidireccional de la fi


gura 6-7 alimenta una carga resistiva conectada
en estrella con R = 5 2 y un voltaje de entrada
lnea a lnea de 208 V (rms), 60 Hz. El ngulo

C o n tro lad o res de v o lta je de ca

Cap. 6

de retraso es a = 2k/3. Determine (a) el voltaje


rms de fase de salida V0, (b) el factor de poten
cia de entrada PF y (c) las expresiones corres
pondientes al voltaje instantneo de salida de la
fase a.
6-13. Repita el problema 6-10 para un controlador tri
fsico bidireccional de la figura 6-12.

fsico/monofsico de la figura 6-21a es 120 V,


60 Hz. La resistencia de la carga es 2.5 2 y la
inductancia de la carga es L = 40 mH. La fre
cuencia del voltaje de salida es 20 Hz. Si el n
gulo de retraso de los tiristores es ap = 2tc/4,
determine (a) el voltaje rms de salida, (b) la co
rriente rms de cada tiristor y (c) el factor de po
tencia de entrada PF.

6-14. Repita el problema 6-11 para el controlador tri


fsico bidireccional de la figura 6-12.

6-21. Repita el problema 6-20 si L = 0 mH.

6*15. Repita el problema 6-12 para el controlador tri


fsico bidireccional de la figura 6-12.

6-22. Para el problema 6-20, grafique el factor de po


tencia en funcin del ngulo de retraso a.

6-16. El controlador trifsico bidireccional de la figu


ra 6-12 alimenta una carga conectada en estrella
de/? = 5 Q y L = 10 mH. El voltaje de entrada
lnea a lnea es 208 V, 60 Hz. El ngulo de re
traso es a = 7t/2. Grafique la corriente de lnea
para el primer ciclo despus de que se haya co
nectado el controlador.

6-23. Repita el problema 6-20 para el cicloconvertidor


trifsico/monofsico mostrado en la figura
6-23a, L = 0 mH.

6-17. Un controlador de voltaje trifsico de ca alimen


ta una carga resistiva conectada en estrella R =
5 Q. y un voltaje de entrada lnea a lnea Vs = 208
V a 60 Hz. Grafique el factor de potencia PF en
funcin del ngulo de retraso a para (a) el con
trolador de media onda de la figura 6-7 y (b) el
controlador de onda completa de la figura 6-12.

6-24. Repita el problema 6-20 si los ngulos de retra


so se generan mediante la comparacin de una
seal de coseno en la frecuencia de la fuente con
una seal de referencia senoidal a la frecuencia
de salida, tal y como aparece en la figura 6-25.
6-25. Para el problema 6-24, grafique el factor de la
potencia de entrada en funcin del ngulo de re
traso.
6-26. El controlador de voltaje monofsico de ca de
onda completa de la figura 6-5a controla la po
tencia de una fuente de 208-V 60-Hz a una car
ga resistiva. La potencia de salida mxima
deseada es 10 kW. Calcule (a) la especificacin
de corriente rms mxima del tiristor, (b) la espe
cificacin de corriente promedio mxima del ti
ristor y (c) el voltaje pico del tiristor.

6-18. El controlador trifsico bidireccional conectado


en delta de la figura 6-15 tiene una carga resisti
va R = 5 2. Si el voltaje lnea a lnea es
=
208 V, 60 Hz y el ngulo de retraso a = n/3, de
termine (a) el voltaje rms de salida por fase V0,
(b) las expresiones para las corrientes instant 6-27. El controlador de voltaje trifsico de ca de onda
neas ia, ak e ca', (c) la corriente rms de salida de
completa de la figura 6-12 se utiliza para con
fase lab y la corriente rms de salida de linca Ia;
trolar la potencia de una alimentacin de 2300
(d) el factor de potencia de entrada PF; y (e) la
V 60 Hz a una carga resistiva conectada en del
corriente rms de los tiristores I r.
ta. La potencia de salida mxima deseada es 100
kW. Calcule (a) la especificacin de corriente
6-19. El circuito de la figura 6-18 est controlado co
rms mxima de los tiristores /rm, (b) la especifi
mo un cambiador de derivaciones sncrono. El
cacin de corriente mxima de los tiristores /am
voltaje en el primario es 208 V, 60 Hz. Los vol
y (c) el valor pico del voltaje de los tiristores Vp.
tajes en los secundarios son V\ = 120 V y Vi 88 V. Si la resistencia de la carga es R = 5 Q y 6-28. El controlador monofsico de onda completa de
el voltaje rms de la carga es 180 V, determine
la figura 6-6a controla la potencia a una carga
(a) los ngulos de retraso de los tiristores T\ y
RL, ti voltaje de suministro es 208 V, 60 Hz. La
72, (b) la corriente rms de los tiristores T\ y Ti,
carga es R = 5 1 y L = 6.5 mH. (a) Determine el
(c) la corriente rms de los tiristores Ti y T4, y
valor rms de la corriente de la tercera armnica,
(d) el factor de potencia de entrada PF.
(b) Si se conecta un capacitor a travs de la car
6-20. El voltaje de entrada al cicloconvcrtidor mono

Cap. 6

P ro b lem as

ga, calcule el valor de la capacitancia para redu-

237

cir la corriente de la tercera armnica de la car


ga al 5% de la corriente de la carga, a = 7t/3. (c)
U tilice PSpice para graficar el voltaje de salida
y la corriente de carga, asi com o para calcular la

238

distorsin armnica total (THD) del voltaje y de


la corriente de salida, el factor de potencia de
entrada (PF) con y sin el capacitor filtro de sali
da de la parte (b).

C o n tro la d o re s d e v o lta je d e ca

Cap. 6

7
Tcnicas de conmutacin de tiristores

7-1 INTRODUCCION

Por lo comn un tiristor se activa mediante un pulso de seal de compuerta. Cuando el tiristor est
en modo de conduccin, su cada de voltaje es pequea, entre 0.25 y 2 V, valor despreciado en es
te captulo. Una vez activado el tiristor y satisfechos los requisitos de la carga, por lo general es
necesario desactivarlo; esto significa que ha cesado la conduccin directa del tiristor y que la re
aplicacin de un voltaje positivo al nodo no causar un flujo de corriente, sin la correspondien
te aplicacin de la seal de compuerta. La conmutacin es el proceso de desactivacin de un
tiristor, y por lo general causa la transferencia del flujo de corriente a otras partes del circuito.
Normalmente, para llevar a cabo la desactivacin en un circuito de conmutacin se utilizan com
ponentes adicionales. Junto con el desarrollo de los tiristores, se han desarrollado muchos circuitos
de conmutacin, cuyo objetivo es reducir el proceso de desactivacin de los tiristores.
Ante la disponibilidad de los dispositivos semiconductores de potencia de alta velocidad,
como los transistores de potencia GTO e IGBT, ahora se utilizan relativamente menos los circui
tos de tiristores en los convertidores de potencia. Sin embargo, los tiristores juegan un papel prin
cipal en las aplicaciones de alto voltaje y de alta corriente, generalmente por arriba de 500 A y de
1 kV. Las tcnicas de conmutacin utilizan resonancia LC (o un circuito RLC subamortiguado)
para obligar a la corriente y/o al voltaje de un tiristor a pasar por cero, desactivando por lo tanto el
dispositivo de potencia.
La electrnica de potencia utiliza dispositivos semiconductores como interruptores para
conectar y desconectar la energa hacia la carga. A menudo,'en muchos circuitos electrnicos
de potencia ocurren situaciones similares a los circuitos de conmutacin. El estudio de las tcni
cas de conmutacin pone de manifiesto las formas de onda del voltaje y la corriente transitorios
de los circuitos LC bajo varias condiciones. Esto ayuda en la comprensin del fenmeno transito
rio de cd bajo condiciones de interrupcin o de conmutacin.

239

Existen muchas tcnicas para conmutar un tiristor. Sin embargo, stas pueden ser clasifica
das en dos grupos muy generales:
1. Conmutacin natural
2. Conmutacin forzada

7-2 C O NM UTACIO N NATURAL


Si el voltaje de la alimentacin (o de la entrada) es de ca, la corriente del tiristor pasa a travs de
un cero natural, y a travs del tiristor aparece un voltaje inverso. El dispositivo queda entonces
desactivado en forma automtica debido al comportamiento natural del voltaje de la alimenta
cin. Esto se conoce como conmutacin natural o conmutacin de lnea. En la prctica, el tiristor
se dispara en forma sincrnica con el cruce por cero del voltaje positivo de entrada en cada ciclo,
a fin de suministrar un control continuo de potencia. Este tipo de conmutacin se aplica a contro
ladores de voltaje de ca, a rectificadores controlados por fase y a cicloconvertidores. En la figura
7 -la se muestra la disposicin de circuito correspondiente a la conmutacin natural, y en la figura
7 -Ib aparecen las formas de onda del voltaje de corriente con un ngulo de retraso a = 0. El ngu
lo de retraso a se define como el ngulo existente entre el cruce por cero del voltaje de entrada y
el instante en el cual el tiristor se dispara.

ut

o>*

Figura 7-1

Tiristor con conmutacin natural.

7-3 CO NM U TA C IO N FORZADA
En algunos circuitos de tiristor, el voltaje de entrada es de cd, para desactivar al tiristor, la corrien
te en sentido directo del tiristor se obliga a pasar por cero utilizando un circuito adicional conoci
do como circuito de conmutacin. Esta tcnica se conoce como conmutacin forzada y por lo
comn se aplica en los convertidores de cd a cd (pulsadores) y en convertidores de cd a ca (inver
sores). La conmutacin forzada de un tiristor se puede lograr de siete maneras diferentes, que pue
den clasificarse como:
1. Autoconmutacin
2. Conmutacin por impulso

240

T cn icas de c o n m u ta c i n d e tiristo res

Cap. 7

3.
4.
5.
6.
7.

Conmutacin por pulso resonante


Conmutacin complementaria
Conmutacin por pulso externo
Conmutacin del lado de la carga
Conmutacin del lado de la lnea

Esta clasificacin de las conmutaciones forzadas se basa en la disposicin de los componen


tes del circuito de conmutacin y en la forma en que la corriente de un tiristor se fuerza a cero. El
circuito de conmutacin est formado por lo general de un capacitor, un inductor y uno o ms ti
ristores y/o diodos.
7-3.1 Autoconm utacin
En este tipo de conmutacin, el tiristor es desactivado debido a las caractersticas naturales del
circuito. Veamos el circuito en la figura 7-2a, con la hiptesis de que el capacitor est inicialmen
te sin carga. Cuando se activa el tiristor T u la corriente de carga del capacitor i est dada por
Vs = vL + vc = L

^ f d t + Vt = 0)

(7-1)

Con condiciones iniciales vc(t = 0) = 0 e i(t = 0) = 0, la solucin de la ecuacin (7-1) (que se dedu
ce en el apndice D, seccin D.3) da la corriente de carga i como
i{t) = Vs

sen a)mt

(7-2)

y el voltaje del capacitor como


vc(t) = Vj(l - eos (mt)

(7-3)

donde )m = 1/VZc. Despus del tiempo t = o = Jt/VZc, la corriente de carga se convierte en cero y
el tiristor T\ se interrumpe por s mismo. Una vez que el tiristor T\ es disparado, existe un retraso
de to segundos antes de que Ti sea desactivado, por lo que o puede llamarse el tiempo de conmu
tacin del circuito. Este mtodo de desactivacin de un tiristor se conoce como autoconmutacin
y se dice que el tiristor Ti est autoconmutado. Cuando la corriente del circuito se abate hasta ce
ro, el capacitor se carga hasta 2VS. Las formas de onda se muestran en la figura 7-2b.

v.
i=.C

(a)

Circuito

Figura 7-2

Sec. 7 -3

C o n m u taci n fo rzad a

(b) Form as de onda

Circuito de autoconmutacin.

241

(b ) F o rm a s d e o n d a

(a ) C i r c u it o

Figura 7-3 Circuito de autoconmutacin.


En la figura7-3a aparece un circuito tpico en el que el capacitor tiene unvoltaje inicial de
-Vo. Cuando se dispara el tiristor T\, la corriente que fluir a travs delcircuito est dada por
L j f + / / d t + vc{t = 0) = 0

(7-4)

Con un voltaje inicial vc(t = 0) = -V o e i(t = 0) = 0, la ecuacin (7-4) da la corriente del capacitor
como
fe
sen o),t

(7-5)

Vc(0 = - V0 eos cmt

(7-6)

Ut) = Vo
y el voltaje del capacitor como

Despus del tiempo t = tr = to = n/'LC, la corriente se convierte en cero y el voltaje del capacitor
se invierte a Vo. tr se conoce como el tiempo de inversin. Las formas de onda se muestran en la
figura 7-3b.
Ejemplo 7-1_____________________________________________________________________________
En la figura 7-4 aparece un circuito de tiristor. Si el tiristor T\ se conecta en t = 0, determine el
tiempo de conduccin del tiristor Ti y el voltaje del capacitor despus de haberse desconectado.
Los parmetros del circuito son L = 10 |iH, C = 50 (iF y Vs = 200 V. El inductor conduce una co
rriente inicial Im = 250 A.
Solucin La corriente del capacitor est dada como

L <1+ 1 1dt + Vc(t = 0) = Vs

1
:C
Figura 7-4

Circuito de tiristor auto-

conmutado.

242

Tcnicas de co n m u taci n de tiristo res

Cap. 7

V,

~*

"m*

"mo - 4 *

Figura 7-5 Formas de onda de la


corriente y del voltaje.

con una comente inicial ( = 0) = Im y vc( = 0) = Vq = Vs. La corriente y el voltaje del capacitor
(del apndice D, seccin D.3) son
i(t) = Im eos omt

V,{,t) = Im \ ^ sen ojnlt + Vs


En = o = 0.5 x k 'LC, el perodo de conmutacin termina y el voltaje del capacitor se convierte
en
vc(t = 0) = Vc = Vs + Im ^
= Vs + AV

(7'7)

donde AV es el sobrevoltaje del capacitor y depende de la corriente inicial dl inductor, Im, que
es, en la mayora de los casos, la corriente de carga. La figura 7-4 muestra un circuito equivalen
te tpico durante el proceso de conmutacin. Para C = 50|aF, L = 10 JJ.H, Vs = 200 V e / m = 250
A, AV = 111.8 V, Vc = 200 + 111.8 = 311.8 V, y o = 35.12 (is. Las formas de onda de la corrien
te y del voltaje se muestran en la figura 7-5.
7-3.2 Conmutacin por impulso
En la figura 7-6 se muestra un circuito conmutado por impulso. Se supone que el capacitor est
cargado inicialmente a un voltaje de -Vo con la polaridad que se muestra.
Supongamos que el tiristor Ti est inicialmente conduciendo y tiene una corriente de carga
Im. Cuando se dispara el tiristor auxiliar Ti, el tiristor Ti queda con polarizacin inversa, debido al
voltaje del capacitor, y Ti se desactiva. La corriente a travs del tiristor Ti dejar de fluir y el ca
pacitor conducir la corriente de carga. El capacitor se descargar desde -Vo hasta cero y a conti-

Figura 7-6 Circuito conmutado por


impulso.

Sec. 7 -3

C o n m u taci n forzada

243

nuacin cargar al voltaje de cd de entrada Vf, cuando la corriente del capacitor pase por cero y el
tiristor T2 se desactive. La inversin de carga del capacitor desde Vo(=Vj) hasta -Vo ocurre enton
ces al disparar el tiristor 73. El tiristor T i es autoconmutado en forma similar al circuito de la figura 7-3.
E1 circuito equivalente durante el perodo de conmutacin aparece en la figura 7-7a. Los
voltajes del tiristor y del capacitor se muestran en la figura 7-7b. El tiempo requerido para que se
descargue el capacitor desde -Vo hasta cero se conoce como tiempo de desactivacin del circuito
tott y debe ser mayor que el tiempo de desactivacin del tiristor tq. 0ff tambin se conoce como
tiempo disponible de desactivacin. El tiempo de descarga depender de la corriente de la carga;
suponiendo una corriente de carga constante Im, t0n est dado por

es decir
(7-8)
Dado que se aplica un voltaje inverso de Vo a travs del tiristor Ti inmediatamente despus
del disparo del tiristor T2, esto se conoce como conmutacin por voltaje. Debido a la utilizacin
del tiristor auxiliar Tj, este tipo de conmutacin tambin se conoce como conmutacin auxiliar.
El tiristor T\ a veces se denomina tiristor principal porque conduce la corriente de carga.
Se puede observar de la ecuacin (7-8) que el tiempo de desactivacin del circuito, 0ff. es
inversamente proporcional a la corriente de carga; as, para una carga muy pequea (o una co
rriente de carga baja) el tiempo de desactivacin ser muy grande, y para una corriente de carga
alta el tiempo de desactivacin ser pequeo. En un circuito ideal de conmutacin, el tiempo de
desactivacin deber ser independiente de la corriente de carga, a fin de garantizar la conmutacin
del tiristor T\. La descarga del capacitor se puede acelerar conectando un diodo D \ y un inductor
L \ a travs del tiristor principal, tal y como se muestra en la figura 7-8; esto queda ilustrado en el
ejemplo 7-3.

v,
V oltaje del capacitor

(a) Circuito

Figura 7-7
244

(b) Form as de onda

Circuito equivalente y formas de onda.

Tcnicas de co n m u taci n de tiristo res

Cap. 7

^ --------- W---------L
D,

v 0~:

lm
Vc

II
o

Ta;
V,
L

>
7

Figura 7-8 Circuito conmutado por


impulso con recarga acelerada.

o --

Ejemplo 7-2
Un circuito de tiristor conmutado por impulso aparece en la figura 7-9. Determine el tiempo dis
ponible de desactivacin del circuito si Vs =. 200 V , R - 10 Q, C = 5 |iF y Vo = KsSolucin El circuito equivalente durante el perodo de conmutacin se muestra en la figura
7-10. El voltaje a travs del capacitor de conmutacin est dado por
vc =

i dt + vc(t = 0)

Vs = vc + Ri
La solucin a estas ecuaciones con un voltaje inicial vc(t = 0) = -Vo = -V s da el voltaje del capa
citor como
vc(t) = Vj(l - 2e~"RC)
El tiempo de desactivacin 0ff que se puede determinar si se satisface la condicin vc( = /cff) =
0 se resuelve de la siguiente forma
otr RC ln(2)
Para / ? = 1 0 i y C = 5 |J.F, tQff = 34.7 |is.

Figura 7-9 Circuito conmutado por


impulso con carga resistiva.

I R
Figura 7-10 Circuito equivalente
para el ejemplo 7-2.

Sec. 7 -3

-i'SM

C o n m u taci n forzada

245

Ejemplo 7-3
El circuito de conmutacin de la figura 7-8 tiene una capacitancia C = 20 |J.F y un inductor de
descarga L\ = 25 (xH. El voltaje inicial del capacitor es igual al voltaje de entrada; es decir, Vo =
Vj = 200 V. Si la corriente de carga /m vara entre 50 y 200 A, determine las variaciones del
tiempo de desactivacin del circuito, 0ff
Solucin El circuito equivalente durante el perodo de conmutacin aparece en la figura 7-11.
Las ecuaciones correspondientes son

di _

dic

Las condiciones iniciales ic(t = 0) = m y vc(t = 0) = -Vo = -Vs. Las soluciones a estas ecuaciones
dan la corriente del capacitor (del apndice D, seccin D.3) como

El voltaje a travs del capacitor queda expresado como


(7-9)
donde 1 = 1/VLjC. El tiempo de desactivacin disponible o tiempo de desactivacin del circuito
se obtiene de la condicin vc(f = Dff) = 0 y se resuelve

Para C = 20 |iF, Lx = 25 (iH, V0 = 200 V e Im = 50 A, off = 29.0 jxs. Para C = 20 (xF, L x = 25 ^H,
Vo = 200 V e l m = 100 A, 0ff = 23.7 jj.s . Para C = 20 |F, L\ = 25 |H, V0 = 200 V e /m= 200 A,
off = 16.3 |Xs.
Nota. Conforme aumenta la corriente de carga desde 50 A hasta 200 A, el tiempo de desac
tivacin se reduce desde 29 |is hasta 16.3 |is. La utilizacin de un diodo adicional hace que el
tiempo de desactivado dependa menos de la carga.
7-3.3 Conmutacin por pulso resonante
La conmutacin por pulso resonante se puede explicar mediante la figura 7-12a. En la figura
7-12b se muestran las formas de onda para la corriente y el voltaje del capacitor. El capacitor se
carga inicialmente con la polaridad como se muestra estando el tiristor T\ en modo de conduc
cin, con una corriente de carga Im.
Cuando se dispara el tiristor de conmutacin 72, se forma un circuito resonante constituido
por L, C, T\ y T2. Se puede deducir la corriente resonante como

(7-11)
= Ip sin (omt
246

Tcnicas de c o n m u taci n de tiristo res

Cap. 7

oFigura 7-11

Circuito equivalente para el ejemplo 7-3.

y el voltaje del capacitor es


(7-12)

Vc(t) = - V 0 COS )mt

donde l p es el valor pico permisible de la corriente de resonancia.


Debido a la corriente de resonancia, la corriente en sentido directo del tiristor T\ se reduce a
cero en = i, cuando la corriente de resonancia se iguala con la corriente de carga Im. El tiempo t\
debe satisfacer la condicin i{t = /i) = Im en la ecuacin (7-11), y se determina como
(7-13)
El valor correspondiente del voltaje del capacitor es
(7-14)

vc(t = 11) = - V | = - V 0 COS

La corriente a travs del tiristor T\ dejar de fluir y el capacitor se volver a cargar a una ve
locidad determinada por la corriente de carga Im. El capacitor se descargar desde -V \ hasta cero y
su voltaje empezar a elevarse hasta el voltaje en cd de la fuente Vs, en cuyo momento empezar a
conducir el diodo D m y tendr lugar una situacin similar a la del circuito de la figura 7-4, con un
tiempo igual a q. Esto se muestra en la figura 7-12b. La energa almacenada en el inductor L debi
do a la corriente de pico de la carga Im se transfiere al capacitor, haciendo que se sobrecargue, y el
voltaje del capacitor Vo puede calcularse a partir de la ecuacin (7-7). El voltaje del capacitor se
invierte desde VC(=V0) hasta - V 0 mediante el disparo de T-. T- est autoconmutado en forma simi-

o(a) Circuito

Figura 7-12

Sec. 7-3

C o n m u taci n forzada

(b) Form as de onda

Conmutacin de pulso resonante.

247

lar al circuito de la figura 7-3. Este circuito puede no ser estable debido a la acumulacin de ener
ga en el capacitor de conmutacin.
El circuito equivalente para el perodo de carga es similar al de la figura 7-7a. De la ecua
cin (7-8), el tiempo de desactivacin del circuito es
loa

CV,

Im

(7-15)

Definamos un parmetro x que es la relacin entre la corriente de pico resonante Ip y la corriente


de pico de carga Im. Entonces
(7-16)
Para reducir hasta cero la corriente hacia adelante de Ti, el valor, de x debe ser mayor que
1.0 En la prctica, se seleccionan los valores de L y C de tal forma que x = 1.5. El valor de t\ en la
ecuacin (7-13) es por lo general pequeo, y V\ = Vo. El valor de 0ff obtenido a partir de la ecua
cin (7-15) deber aproximarse al obtenido a partir de la ecuacin (7-8). En el tiempo 2, la co
rriente del capacitor baja hasta la corriente de carga Im. Durante el tiempo tc, se descarga el
capacitor C y se recarga hasta el voltaje de alimentacin Vs. Durante el tiempo to, la energa alma
cenada en el inductor L es devuelta al capacitor C, haciendo que se sobrecargue el capacitor con
respecto al voltaje de alimentacin Vs.
Debido al uso de un pulso resonante de corriente para reducir la cd del tiristor Ti hasta cero,
este tipo de conmutacin tambin se conoce como conmutacin por corriente. Se puede observar
de la ecuacin (7-15) que el tiempo de desactivacin del circuito 0ff tambin es dependiente de la
corriente de la carga. La descarga del voltaje del capacitor se puede acelerar, conectando el diodo
D 2 tal y como se muestra en la figura 7 -13a. Sin embargo, una vez reducida a cero la corriente del
tiristor Ti, el voltaje inverso que aparece a travs de Ti es la cada directa del voltaje del diodo >2,
que es pequea. Esto reduce la velocidad de recuperacin del tiristor y hace necesario un tiempo
de polarizacin inversa ms largo de no existir el diodo D 2. La corriente del capacitor ic(t) y del
voltaje del capacitor vc(t) se muestran en la figura 7 -13b.

Ejemplo 7-4*
El circuito de conmutacin por pulso resonante de la figura 7-12a tiene una capacitancia C = 30
|0.P y una inductancia L = 4 |J.H. El voltaje inicial del capacitor es V0 = 200 V. Determine el tiem
po de desactivacin del circuito tff si la corriente de carga Im es (a) 250 A y (b) 50 A.
Solucin (a) Im = 250 A. A partir de la ecuacin (7-13),

o)m =

= 91,287.1 rad/s

a>m?i = 0.474 rad

De la ecuacin (7-14), V\ = 200 cos(0.474 rad) = 177.95 V, y de la ecuacin (7-15),


of = 30

248

177 95

= 21.35 fis

Tcnicas de co n m u taci n de tiristo res

Cap. 7

D
-O T,
C

i t2

-rHhr
v0
a d

(a) Circuito

Figura 7-13
(b)

m -

Conmutacin de pulso resonante con diodo acelerador.

5 0 A.

t\ = V 4 x 30 sen-'

y 30j = 1.0014/ts

a>m = ;== 91,287.1 rad/s

co, ,ti = 0.0914 rad

VZc

-V, = -200 cos(0.0914 rad) = -199.16 V


/off =

30 x

= 119.5

fis

Ejemplo 7-5*
Repita el ejemplo 7-4 si se conecta un diodo D2 en paralelo inverso a travs del tiristor T\ como
se muestra en la figura 7-13a.
Solucin (a) lm = 250 A. Cuando se dispara el tiristor Ti, fluye un pulso resonante de corriente
a travs del capacitor y la corriente directa al tiristor T\ se reduce a cero en el tiempo t = t\ =
5.192 |is. La corriente del capacitor ic(t) en ese tiempo es igual a la corriente de carga l m = 250
A. Despus de que la corriente de Ti se ha reducido a cero, contina la oscilacin resonante a
travs del diodo D% hasta que la corriente resonante se reduce al nivel de la corriente de carga en
el tiempo ti. Esto aparece en la figura 7-13b.
t2 = ttV l C - , = irV4 x 30 - 5.192 = 29.22 /as
oj, = 91,287.1 rad/s

(amt2 = 2.667 rad

De la ecuacin (7-14), el voltaje del capacitor e n t = ti es


Uc(t = h ) = V2 = -2 0 0 cos(2.667 rad) = 177.9 V
t i tiempo de polarizacin inverso del tiristor T\ es
Cff = t2 - t\ = 29.22 - 5.192 = 24.03

fis

(b) lm - 50 A.
t\ = 1.0014 /ixs
t2 = 77VZc - ti = 77V 4 x 30 - 1.0014 = 33.41

o)m = 91,287.1 rad/s


Sec. 7-3

feVjiiTWi'l'.wn*wnwn m

C o n m u taci n forzada

j l s

comt2 = 3.05 rad


249

El voltaje del capacitor en t = t2 es


vc(t = t2) = V2 = -2 0 0 cos(3.05 rad) = 199.1 V
El tiempo de polarizacin inverso del tiristor Ti es
tof{ = t2 - t, = 33.41 - 1.0014 = 32.41 jus
Nota. Se puede observar al comparar los tiempos de polarizacin inversa con los del ejem
plo 7-4 que la adicin de un diodo hace a tq menos dependiente de las variaciones de la corriente
de carga. Sin embargo, para una corriente de carga ms alta (por ejemplo I m = 250 A), 0ff del
ejemplo 7-4 es menor que el correspondiente al del ejemplo 7-5.
7-3.4 Conm utacin com plem entaria
La conmutacin complementaria se utiliza para transferir corriente entre dos cargas; una disposi
cin como sta aparece en la figura 7-14. El disparo de un tiristor conmuta a otro.
Cuando se dispara el tiristor T i, la carga con R\ se conecta al voltaje de alimentacin, Vs, y
al mismo tiempo se carga el capacitor C hasta ^ a travs de la otra carga con Rz- La polaridad del
capacitor C es como la que aparece eri la figura 7-14. Cuando se conecta el tiristor T%, el capacitor
queda colocado a travs del tiristor T\ y la carga con R2 se conecta al voltaje de alimentacin, V.
T\ adquiere polarizacin inversa y se desactiva mediante la conmutacin por impulso. Una vez
desactivado el tiristor T i, el voltaje del capacitor se invierte a - V s a travs de R \, T2 y la alimenta
cin. Si el tiristor Ti se vuelve a disparar, el tiristor T i se desactiva y el ciclo se repite. Por lo ge
neral, los dos tiristores conducen con iguales intervalos de tiempo. Las formas de onda de los
voltajes y las corrientes aparecen en la figura 7-15 para Ri = R j = R. Dado que cada tiristor se des
conecta debido a la conmutacin por impulso, este tipo de conmutacin a veces se conoce como
conmutacin complementaria por impulso.
Ejemplo 7-6____________________________________________________________________________
El circuito de la figura 7-14 tiene resistencias de carga Ri = R2 = R = 5 Q, una capacitancia C =
10 jaF y el voltaje de la alimentacin, V, = 100 V. Determine el tiempo de desactivacin del cir
cuito, off.
Solucin Si suponemos que el capacitor est cargado al voltaje de alimentacin Vs en la con
mutacin anterior de un tiristor complementario, el circuito equivalente durante el perodo de
conmutacin es similar al de la figura 7-10. La corriente a travs del capacitor est dada por
Vs = ^ i dt + v,(t = 0) + Ri

"M+
c

V,

s
U

250

Vc

Figura 7-14 Circuito de conmuta


cin complementaria.

T cnicas de co n m u taci n de tiristo res

Cap. 7

Con vc( = 0) = -Vo = Vs, la solucin de esta ecuacin da la corriente del capacitor i como

El voltaje del capacitor se obtiene como


vc(t) = V5(l - 2e-"RC)
El tiempo de desactivacin 0ff se puede determinar si se satisface la condicin vc (t = tq) = 0 y se
resuelve como
foff

= RC ln(2)

Para R = 5 Q y C = 10 |J.F, /Qff = 34.7 |is.


7-3.5 Conmutacin por pulso externo
Para desactivar un tiristor que est conduciendo, se utiliza un pulso de corriente que se obtiene de
un voltaje externo. En la figura 7-16 se muestra un circuito de tiristor mediante la conmutacin
por pulso externo y dos fuentes de alimentacin. Vs es el voltaje de la alimentacin principal y V
es el voltaje de la fuente auxiliar.
Si se dispara el tiristor T 3, el capacitor se cargar a partir de la fuente auxiliar. Suponiendo
que inicialmente el capacitor no estaba cargado, un pulso resonante de corriente de pico W CIL,
similar al circuito de la figura 7-2, fluir a travs de 73, y el capacitor se cargar hasta 2V. Si el ti
ristor T\ est conduciendo y se aplica una corriente de carga a partir de la fuente principal Vs, el

Sec. 7-3

C o n m u taci n fo rzad a

251

Tt

T,

im

-7 *

L
------------

>

2V : r c

Carga

V
Figura 7-16
externo.

Dm 2 !

Conmutacin por pulso

disparo del tiristor Tz aplicar un voltaje inverso Vs - 2V a travs del tiristor Ti; y Ti se desactiva
r. Una vez desactivado el tiristor Ti, el capacitor se descargar a travs de la carga a una veloci
dad determinada por la magnitud de la corriente de carga, Im.
7-3.6 Conmutacin del lado de la carga
En la conmutacin del lado de la carga, la carga forma un circuito en serie con el capacitor; la
descarga y recarga del capacitor se efectan a travs de la carga. El rendimiento de los circuitos
de conmutacin del lado de la carga depende de la carga y los circuitos de conmutacin no pueden
probarse sin conectar la carga. Las figuras 7-6, 7-8, 7-12 y 7-13 son ejemplos de conmutacin del
lado de carga.
7-3.7 Conmutacin del lado de la lnea
En este tipo de conmutacin, la descarga y recarga del capacitor no se llevan a cabo a travs de la
carga, por lo que el circuito de conmutacin se puede probar sin conectarla. La figura 7-17a mues
tra un circuito como stos.
Cuando se dispara el tiristor Tz, el capacitor C se carga hasta 2VS y Tz se autoconmuta,
en forma similar al circuito de la figura 7-2. El tiristor T se dispara para invertir el voltaje

(a)

Figura 7-17 Circuito conmutado del


lado de lnea.

252

Tcnicas de co n m u taci n de tiristo res

Cap. 7

del capacitor hasta - 2 V S y 73 tambin queda autoconmutado. Si suponemos que el tiristor Ti


est conduciendo y lleva una corriente de carga / m, el tiristor T2 se dispara para desactivar
T i. El disparo del tiristor T2 dar polarizacin directa al diodo D m y aplicar un voltaje in
verso de 2V S a travs de Ti; Ti se desactivar. La descarga y la recarga del capacitor se efec
tuarn a travs de la alimentacin. Para probar el circuito de conmutacin no se requiere de
la conexin de la carga.
El inductor L lleva la corriente de carga Im; el circuito equivalente durante el perodo de
conmutacin aparece en la figura 7-18. La corriente del capacitor se expresa (a partir del apndice
D) como
Vs = L ^ + J i dt + vc(t = 0)

(7-17)

con condiciones iniciales i(t = 0) = Im y vc(z = 0) = -2 V S. La solucin de la ecuacin (7-17) da la


corriente y el voltaje del capacitor como
[C
i{t) = l m co s wmt + 3V,

sen u>mt

FL
vc(t) = I m y c sen co,r - 3 Vs cos o)mt + Vs '

(7-18)

(7-19)

donde
1
m VLC
El tiempo de desactivacin del circuito, t0rr, se obtiene de la condicin vc(t = 0ff) = 0 de la ecua
cin (7-19), y despus de simplificar se resuelve como
off = V L C

(ta n

1 3 x - se n

1-^ = = = = J

(7 -2 0 )

donde
V,

IC

r+m V L
El tiempo de conduccin del tiristor 7 2, que se puede determinar a partir de la condicin i(t = t) =
0 en la ecuacin (7-18), est dado por
t\ = V L C ta n 1

3x

= V
ZC
=
VZ
C (ir
( tt V

ttan"1
a n 1 y^ z )
3x

(7 -2 2 )

(t)
+.

m
V.

2V, ^
+

rc

V(t)

Sec. 7 -3

C o n m u taci n forzada

Figura 7-18 Circuito equivalente


durante el perodo de conmutacin.

253

B ajo condiciones de no carga,

m = 0 y x es infinito. L a ecuacin (7-19) da el v alor d e 0ff com o


off = V L C eo s-' h = 1 .2 3 lV Z c

11 = t t V Z c

(7-23)

Nota. Si / m = 0 y i = ivLC, el voltaje del capacitor de la ecuacin (7-19) se convierte en


vc( = i) = Vo = AVS y habr una elevacin continua del voltaje del capacitor. A fin de limitar la
sobrecarga del capacitor, por lo comn el inductor L se reemplaza por un transformador de recu
peracin de energa con un diodo, tal y como se muestra en la figura 7-17b.

7-4 DISEO DE CIRCUITOS DE CO NM UTACION


El diseo de circuitos de conmutacin requiere de la determinacin de los valores del capacitor C
y del inductor L. Para el circuito de conmutacin por impulso de la figura 7-6, se calcula el valor
del capacitor C a partir de la ecuacin (7-8), y el inductor inversor L r se determina a partir de la
corriente de pico inversa mxima permisible de la ecuacin (7-5). En el caso del circuito de la fi
gura 7-8, seleccionando ya sea C o L \, se puede satisfacer el requisito de tiempo de desactivacin
0ff de la ecuacin (7-10).
Para el circuito de conmutacin por pulso resonante de la figura 7-12, se pueden calcular los
valores de L y de C a partir de las ecuaciones (7-15) y (7-16). En las ecuaciones (7-14) y (7-15) Vo
y Vi tambin dependen de L y de C al igual que en la ecuacin (7-7).
Ejemplo 7-7_____________________________________________________________________________
Para el circuito conmutado por impulso de la figura 7-6, determine los valores del capacitor C y
del inductor inversor Lr si el voltaje de alimentacin V, = 200 V, la corriente de carga lm = 100 A,
el tiempo de desactivacin cff = 20|is y la corriente de inversin pico est limitada a140% de Im.
Solucin Vo = Vt = 200 V. De la ecuacin (7-8), C = 100 x 20/200 = 10jxR_De la ecuacin
(7-5), la corriente de pico resonante es 1.4 x 100 = 140 = Vs 'Jc/Lr = 200V10!L lo que da L, =
20.4 |iH.
Ejemplo 7-8____________________________________________________________________________
Para el circuito de conmutacin resonante de la figura 7-13, determine los valores ptimos de C
y de L de tal forma que ocurran prdidas de energa mnimas durante el perodo de conmutacin
si Im = 350 A, Vo = 200 V y 0ff = 20 |^s.
Solucin Sustituyendo la ecuacin (7-16) en la ecuacin(7-13),el tiempo requerido para que
la comente del capacitor se eleve al nivel de la corriente pico de carga /mest dado por
, = V lC se n -' |

(7-24)

donde x = lp/lm = (Vq//m)VC.L. A partir de la figura 7-13b, el tiempo disponible de polarizacin


inversa o el tiempo de desactivacin 0ff es
off = t2 - l = TT V L C - 2| = V L C

( 77-

- 2 sen-1

(7-25)

De la ecuacin (7-11), la corriente de pico resonante es


IP = V0
254

Tcnicas de co n m u taci n de tiristo res

(7-26)

Cap. 7

Definamos una funcin F\(x) tal que

F,( jc) = - ^ L = 7 7 - 2 sin-' VLC


x

(7-27)

La energa de conmutacin se puede expresar como


W = 0.5CVn
0.5 L ll
/o = yj.juip

(7-28)

Sustituyendo el valor de /p de la ecuacin (7-26) obtenemos


W = 0.5 V L C V0I p
Sustituyendo el valor de VZc de la ecuacin (7-27) tenemos
^

W = 0.5V0/

= 0.5V0xmV L C

(7-29)

Definamos otra funcin F2(x) tal que


W
x
l{X) ~ V0Imtof ~ 2F\{x)

x
2[t7 - 2sen(l/x)]

(7'30)

Se puede demostrar matemticamente o mediante la graficacin de F 2OOen funcin de x, que


F2(x) se hace mnima cuando x = 1.5. La tabla 7-1 muestra los valores de F2Qc)en funcin de x.
Para* = 1.5, la tabla 7-1 da F(x) = 1.6821375 y F2OO = 0.4458613.
T A B L A 7-1
X

1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8

Fix)

en fu n c i n d e

Fi(x)
0.5122202
0.4688672
0.4515002
0.4458613
0.4465956
0.4512053
0.4583579

F,(x)
1.1713712
1.3863201
1.5384548
1.6821375
1.7913298
1.8838431
1.9635311

Sustituyendo x = 1.5 en las ecuaciones (7-25) y (7-16), obtenemos


?off = 1.682VLC
y

1 55 -- r Vo
L
mS
^L
Resolviendo las ecuaciones anteriores, los valores ptimos de L y de C son
/otf V o

L = 0.398 - T - 2
'm
C = 0.8917 t^

^0

(7-31)
L

(7-32)

Para Im = 350 A, Vq = 200 V y t0ff = 20 (as


L = 0.398 x 20 x

Sec. 7-4

D iseo del circuito de co n m u taci n

= 6.4

j l H

25 5

C = 0.8917 x 20 x

= 31.2 /F

Nota. Debido al diodo de marcha libre a travs de la carga tal y como se observa en las fi
guras 7-12a y 7-13a, el capacitor se sobrecargar por la energa almacenada en el inductor L. El
voltaje del capacitor Vo. que depender de los valores de L y de C, se puede determinar a partir de
la ecuacin (7-7). En este caso, las ecuaciones (7-31) y (7-32) debern ser resueltas para los valo
res de L y de C.
E jem plo 7-9______________________________________________________________________________________
Un d iodo de marcha libre se conecta a travs d e la salida tal y co m o se muestra en la figura
7-12a y el capacitor se sobrecarga debido a la energa almacenada en el inductor L. Determ ine
los valores de L y de C. Los datos son: Vs = 200 V, lm = 350 A, tQff = 20 |is y x = 1.5.
Solucin Sustituyendo la ecuacin (7-7) en la ecuacin (7-16) obtenem os que x = (V JIm)^C lL
+ 1. Sustituyendo las ecuaciones (7-7), (7-13) y (7-14) en la ecuacin (7-15) obtenem os
toff =

[-7 -

+ V

l c

] COS (s in "1

Los valores de C y de L pueden determinarse a partir de estas dos ecuaciones para valores con o
cidos de x y de nff. Los resultados son L = 20.4 |J.H y C = 15.65 (iF.
E jem p lo 7-10_____________________________________________________________________________________
Repita el ejem plo 7-9 para el circuito en la figura 7-13.
Solucin D e ja ecuacin (7-25), 0ff = VLC [ tc 2 sen ^ O /x )]. D e las ecuaciones (7-7) y (7-16),
X = ( V J I ^ C /L + 1. Los valores de L y de C se determinan a partir de estas dos ecuaciones para
valores conocidos de x y de 0ff com o C = 10.4 (iF y L = 13.59 |i.H.

7-5 MODELO SPICE DEL TIRISTOR DE CD


Un tiristor de cd se puede modelar mediante un diodo y un interruptor controlado por voltaje, tal y
como se muestra en la figura 7-19. El interruptor est controlado por el voltaje de la compuerta vg.
Los parmetros del diodo se pueden ajustar para dar la cada de voltaje requerida y el tiempo de
recuperacin inversa del tiristor. Supongamos que los parmetros del modelo PSpice del diodo
son IS=1E25, B V =1000V , y los parmetros del interruptor son RC)N=0.1, ROFF=10E+6,
VON=!OV, VOFF=5V.

(a)

(b)
Figura 7-19

256

Modelo SPice del tiristor de cd.

T cnicas de c o n m u taci n de tiristo res

Cap. 7

Este modelo puede utilizarse como subcircuito. La definicin de subcircuito correspondien


te al modelo DCSCR del tiristor de cd puede describirse como sigue:
Subcircuit

for de t h y r i s t o r m odel
1

.S U B C K T D C S C R
*

m odel

ame

DT

ST

.MODEL

+co n t r o l

DMOD

-co n t r o l
voltage

; Switch

S MOD

D(IS = lE--25
VSWITCH

SMOD

.E N D S

3
cathode

voltage
2

DMOD

.MOD EL

a node

BV=1 000V)

diode

; Switch
; Diode

model

parameters

( R O N = 0 .1 R O F F = lC)E + 6 V O N = 1 0 V VOFF=5V)
; E nds

DCSCR

subcircuit

definition

Ejemplo 7-11
Los parmetros del circuito de conmutacin por pulso resonante de la figura 7-13a son: voltaje
de alimentacin Vs = 200 V, capacitor de conmutacin C = 31.2 |iF, inductancia de conmutacin
L = 6 .4 |0.H, resistencia de la carga Rm = 0.5 Q , e inductancia de la carga Lm = 5 mH. Si el tiristor
est m odelado mediante el circuito de la figura 7-19, utilice PSpice para graficar (a) el voltaje
del capacitor v c , (b) la corriente del capacitor ic y (c) la corriente de carga ii. La frecuencia de in
terrupcin es f c = 1 kHz y el tiempo activo del tiristor T\ es 40%.
S olucin El circuito de conmutacin por pulso resonante para la sim ulacin PSpice aparece en
la figura 7-20a. Los voltajes de control
Vi y V g3 para los tiristores se muestran en la figura
7-20b. La lista del archivo de circuito es com o sigue:
Example

Resonant

7-11

Pulse

Chopper

vs

DC

200V

Vgl

7
8
9
7
8
9

PULSE

(0V

100V

PULSE

(OV

100V

PULSE

(0V

100V

10MEG

1 0MEG

10MEG

CS

10

11

0 . 1UF

RS

11

Vg2
Vg3
Rgl
Rg2
Rg3

750

J.

31.2 UF

6 .4UH

DI

DMOD

DM

DMOD

MODEL

DMOD

,C = 2 0 0V

(IS ==1E-2j

0
0 .4MS
0

; W it h

1US

1US

0 .4MS

IMS)

1US

1US

0.6MS

IMS)

1US

1US

0.2MS

IMS)

init ial

BV=1000V)

capacitor

;D i o d e m o d e l

voltage

parameters

LO
O

RM

LM

5 .0MH

VX

DC

OV

; Measures

load cu r r e n t

VY

10

DC

OV

; Measures

current

Subcircuit

c alis

for DC t h y r i s t o r

mode 1

XT1

10

D CSCR

; Thyristor

XT2

D CSC R

; Thyristor

XT3

8
9

D CSCR

; T h y r i s t o r T3

Subcircuit

TRAN

D C SCR w bi cb

0.5US

3MS

is m i s s i n g
1 . 5MS

must

be

; Transient
; Graphics

abst o .1 =

l.OOu

reltol

.01

vntol

T2

inserted

0.5US

PROBE
.opt ions

TI

of TI

= 0.1

analysis
postprocessor

ITL5=20000

END

Sec. 7-5

M o d e lo SPice del tiristo r de cd

257

0 .2 m s

(b) Voltajes

Figura 7-20

de com puerta

Circuito de conmutacin de pulso resonante para la simulacin PSpice.

Las grficas de PSpice se muestran en la figura 7-21, donde I(VX) = corriente de carga, I(C)
= corriente del capacitor y V (l, 2) = voltaje del capacitor. De la figura 7-21, el tiempo disponible
de desactivacin es 0ff = 2441.4 - 2402.1 = 39.3 |is a una corriente de carga Im = 49.474 A. Debe
observarse que la corriente instantnea de carga I(VX) no ha llegado a la condicin de rgimen
permanente.

258

Tcnicas de c o n m u ta c i n de tiristo res

Cap. 7

Example 7-11
Date/Time run: 07/17/92 16:42:48

Figura 7-21

Resonant Pulse Chopper

Temperature:

27.0

Graficas de PSpice para el ejemplo 7-11.

7-6 CAPACITORES DE CONM UTACION


Si las frecuencias de interrupcin son menores de 1 kHz, el tiempo de conmutacin del tiristor se
puede considerar corto en comparacin con el perodo de conmutacin. Aunque la corriente de pi
co a travs del capacitor es alta, la corriente promedio puede resultar relativamente baja. Si las
frecuencias de conmutacin estn por arriba de 5 kHz, el capacitor conduce corriente en una parte
significativa del perodo de conmutacin y el capacitor deber por lo tanto seleccionarse para una
especificacin continua de corriente.
En la seleccin de un capacitor de conmutacin, debern de satisfacerse las especificaciones
de corriente de pico, rms y promedio, as como de voltaje de pico a pico.

RESUMEN
En este captulo vimos que un tiristor en conduccin se puede desactivar mediante una conmuta
cin natural o forzada. En la conmutacin natural, la corriente del tiristor se reduce a cero debido
a las caractersticas naturales del voltaje de entrada. En laconmutacin forzada, la corriente del ti
ristor se reduce a cero mediante un circuito adicional llamado circuito de conmutacin, depen
diendo el proceso de desactivacin de la corriente de carga. Para garantizar la desactivacin de un
tiristor, la desactivacin del circuito (o la desactivacin disponible) debe ser mayor que el tiempo
de desactivacin del tiristor, lo que normalmente queda especificado por el fabricante del tiristor.

Cap. 7

R esu m en

259

REFERENCIAS
1. M . H. Rashid, Commutation limits o f de choppcr
on output voltage control. Electronic Engineering,
V ol. 51, N o. 620, 1979, pp. 103-105.
2. M . H. Rashid, A thyristor choppcr with mnimum
limits on voltage control o f de drives. Internatio
nal Journal o f Electronics, V ol. 53, N o. 1, 1982,
pp. 7 1 -8 9 .

3. W . McMurry, Thyristor commutation in de chopper: a comparative study. IEEE Industry Applica


tions Society C onference R ecord, octubre 2 - 6 ,
1977, pp. 3 8 5 -3 9 7 .

PREGUNTAS DE REPASO
7-1. Cules son los dos tipos generales de conmutacin?
7-2. Cules son los tipos de conmutacin forzada?
7-3. Cul es la diferencia entre conminacin automtica y natural?
7-4. Cul es el principio de la autoconmutacin?
7-5. Cul es el principio de la conmutacin por impulso?
7-6. Cul es el principio de la conmutacin por pul
so resonante?
7-7. Cul es el principio de la conmutacin com plementara?
7-8. Cul es el principio de la conmutacin por pul
so extem o?
7-9. Cules son las diferencias entre la conmutacin
del lado de la carga y del lado de la lnea?
7-10. Cules son las diferencias entre la conmutacin
por voltaje y por corriente?
7-11. Cules son los objetivos del circuito de conm u
tacin?

7-12. Por qu debe ser mayor el tiempo de polariza


cin inversa disponible que el tiempo de desac
tivacin de un tiristor?
7-13. Cul es el objetivo de conectar un diodo en an
tiparalelo a travs del tiristor principal, con o sin
un inductor en serie?
7-14. Cul es la relacin entre la corriente de pico re
sonante y la carga para una conm utacin por
pulso resonante que m in im ice las prdidas de
conmutacin?
7-15. Cules son las expresiones para el valor ptim o
de un capacitor y de un inductor de conm uta
cin en una conmutacin por pulso resonante?
7-16. Por qu se sobrecarga el capacitor de conmuta
cin en una conmutacin por pulso resonante?
7-17. C m o se invierte el voltaje del capacitor de
conmutacin en un circuito de conmutacin?
7-18. Cul es el tipo de capacitor que normalmente
se utiliza en altas frecuencias de conmutacin?

PROBLEMAS
7-1. El voltaje inicial del capacitor en la figura 7-3a,
es Vo = 600 V , la capacitancia C = 4 0 (iF y la in
ductancia L = 10 |0.H. Determine el valor pico de
la corriente resonante y el tiempo de conduccin
del tiristor T\.
7-2. Repita el problema 7-1, si el inductor del circui
to inversor resonante tiene una resistencia R =
0.015 2. ( Sugerencia: determ ine las races de

260

un sistem a de segundo orden y a continuacin


encuentre la solucin.)
7-3. El circuito de la figura 7 -4 tiene Vs = 6 0 0 V, Vo
= 0 V, L = 20 |iH , C = 50 JJ.F, e Im = 350 A. D e
termine (a) el voltaje y la corriente p ico del ca
pacitor, (b) el tiempo de conduccin del tiristor

T\.

Tcnicas de c o n m u taci n de tiristo res

Cap. 7

En el circuito de conmutacin de la figura 7-6,


la capacitancia C = 20 (iF, el voltaje de entrada
V, vara entre 180 y 220 V, y la corriente de car
ga / m vara entre 50 y 200 A. Determine los va
lores mnimo y mximo para el tiempo de
desactivacin disponible 0ff7-5. Para el circuito de la figura 7-6, determine los
valores del capacitor C y del inductor inversor
Lr si el voltaje de alimentacin Vs = 220 V, la
corriente de carga In = 150 A, el tiempo de de
sactivacin Dff = 15 |is y la corriente inversora
est limitada a 150% de lm.
7-6. El circuito de la figura 7-8 tiene V, = 220 V, C =
20 (i.F e lm = 150 A. Determine el valor de la in
ductancia de recarga L\ que proporcione un
tiempo de desactivacin t0s = 15 |i.s.
7-7. Para el circuito de la figura 7-8, determine los
valores de L\ y C. El voltaje de alimentacin Vs
= 200 V, la corriente de carga l m = 350 A, el
tiempo de desactivacin f0ff = 20 |is y la corrien
te pico a travs del diodo D i est limitada a 2.5
veces 7m. Si se modela el tiristor mediante el cir
cuito de la figura 7-19, utilice PSpice para graficar el voltaje del capacitor vc, la corriente del
capacitor ic, y para verificar el tiempo de desac
tivacin disponible f0ff- La frecuencia de con
mutacin es /,; = 1 kHz, y el tiempo activo del
tiristor Ti es 40%.
7 - 8 . Para el circuito de conmutacin por impulso de
la figura 7-9, el voltaje de alimentacin = 220
V, la capacitancia C = 20 |iF y la corriente de
carga R = 10 Q. Determine el tiempo de desacti
vacin f0ff.
7 - 9 . En el circuito de pulso resonante de la figura
7-12a, el voltaje de alimentacin Vs = 200 V, la
corriente de carga 1m = 150 A, la inductancia de

7 -4 .

Cap. 7

Pro b lem as

7-10.

7-11.

7-12.
7-13.

7-14.

7-15.

conmutacin L = 4 JJ.H y la capacitancia de con


mutacin C = 20 (J.F. Determine la corriente de
pico resonante inversa del tiristor T$, /* y el
tiempo de desactivacin Qff.
Repita el problema 7-9, si se conecta un diodo
antiparalelo a travs del tiristor T\ tal y como se
muestra en la figura 7-13a.
Si se conecta un diodo a travs del tiristor Ti en
la figura 7 -12a y el capacitor se sobrecarga, de
termine los valores de L y de C. El voltaje de
alimentacin
= 200 V, la corriente de carga
lm = 350 A, el tiempo de desactivacin 0ff = 20
|As, y la relacin entre la corriente de pico reso
nante y la de la carga x = 1.5.
Repita el problema 7-11 para el circuito de la fi
gura 7-13a.
En el circuito de la figura 7-13a, la corriente de
carga m = 200 A, el voltaje del capacitor Vo =
220 V y el tiempo de desactivacin 0ff = 1 5 (xs.
Determine los valores ptimos de C y de L, de
tal forma que durante el perodo de conmutacin
ocurran prdidas mnimas de energa. Si el tiris
tor se modela mediante el circuito de la figura
7-19, utilice PSpice para graficar el voltaje del
capacitor vc y la corriente del capacitor ic y para
verificar el tiempo disponible de desactivacin
off. La frecuencia de conmutacin es f c = 1
kHz, y el tiempo activo del tiristor T i es 40%.
En el circuito de la figura 7-18, el voltaje de ali
mentacin Vs = 220 V, la capacitancia C = 30
|iF, la inductancia de conmutacin L - 10 (iH y
la corriente de carga / m = 100 A. Determine el
tiempo de desactivacin 0ff del circuito.
Explique la operacin del circuito en la figura
7-17a e identifique los tipos de conmutacin in
volucrados en este circuito.

261

Transistores de potencia

8-1 INTRODUCCION
Los transistores de potencia tienen caractersticas controladas de activacin y desactivacin. Los
transistores, que se utilizan como elementos conmutadores, se operan en la regin de saturacin,
lo que da com o resultado en una cada de voltaje baja en estado activo. La velocidad de
conmutacin de los transistores modernos es mucho mayor que la de los tiristores, por lo que se
utilizan en forma amplia en convertidores de ca-cd y de cd-ca, con diodos conectados en paralelo
inverso para proporcionar un flujo de corriente bidireccional. Sin embargo, las especificaciones de
voltaje y de corriente son menores que las de los tiristores y por lo que, los transistores se utilizan,
l por lo general, en aplicaciones de baja a media potencia. Los transistores de potencia se pueden
clasificar de manera general en cuatro categoras:
1. Transistores bipolares de juntura (BJT)
2. Transistores semiconductores de metal de xido de efecto de campo (MOSFET)
3. Transistores de induccin esttica (SIT)

4. Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT)


A fin de explicar las tcnicas de conversin de potencia, los BJT s o MOSFET, SIT o IGBT
se pueden tratar como interruptores ideales. Un transistor interruptor es mucho ms simple que un
tiristor interruptor de conmutacin forzada. Sin embargo, en los circuitos de convertidores no es
obvia la eleccin entre un BJT y un MOSFET, ya que cualquiera de ellos puede reemplazar a un
tiristor, siempre que su especificacin de voltaje y de corriente cumpla con los requisitos de salida
del convertidor. Los transistores reales difieren de los dispositivos ideales. Los transistores tienen
ciertas lim ita cio n es estando restringidos a algunas a p lica cio n es. Las caractersticas y
especificaciones de cada uno de estos tipos debern examinarse para determinar su adecuacin a
una aplicacin en particular.

262

8-2 TRANSISTORES DE U N IO N BIPOLAR


Un transistor bipolar se forma aadiendo una segunda regin p o n a un diodo de unin pn. Con
dos regiones n y una regin p, se forman dos uniones conocindose como un transistor NPN, tal y
com o se muestra en la figura 8 -la . Con dos regiones p y una regin n, se conoce com o un
transistor PNP, tal y como se muestra en la figura 8 -Ib. Las tres terminales se llaman colector,
em isor y base. Un transistor bipolar tiene dos uniones, la unin colector base (CBJ) y la unin
base emisor (BEJ). En la figura 8-2 aparecen transistores N P N de varios tamaos.
8-2.1 Caractersticas en rgimen perm anente
A pesar de que hay tres configuraciones posibles, colector comn, base comn y emisor comn, la
configuracin de emisor comn que aparece en la figura 8-3a para un transistor NPN, es la que
generalmente se utiliza en aplicaciones de conmutacin. Las caractersticas tpicas de entrada de
la corriente de base, I b , contra el voltaje base-emisor, V be , aparecen en la figura 8-3b. La figura
8-3c muestra las caractersticas tpicas de salida de la corriente del colector, le , en funcin del
voltaje colector-em isor, V c e - En el caso de un transistor PNP, las polaridades de todas las
corrientes y voltajes son inversas.
Colector

Colector

?C
c

n
Base

le

P
Base
*

i /

B
1

P
Ie

Em isor

Em isor
(a) Transistor NPN

Figura 8-1

Sec. 8-2

>e

T ran sistores de unin bip o lar

(b) Transistor PNP

Transistores bipolares.

263

Regin

Figura 8-3

Caractersticas de los transistores

NPN.

En un transistor existen tres regiones de operacin: de corte, activa y de saturacin. En la


regin de corte, el transistor est desactivado o la corriente de base no es suficiente para activarlo
teniendo ambas uniones polarizacin inversa. En la regin activa, el transistor acta como un
amplificador, donde la corriente del colector queda amplificada mediante una ganancia y el
voltaje colector-em isor disminuye con la corriente de la base. La unin colectora base tiene
polarizacin inversa, y la base-em isor polarizacin directa. En la regin de saturacin, la
corriente de base es lo suficientemente alta para que el voltaje colector-emisor sea bajo, y el
transistor acta como interruptor. Ambas uniones (CBJ y BEJ) tienen polarizacin directa. La
caracterstica de transferencia, que es una grfica de VCe en funcin de l aparece en la figura 8-4.

0.5

264

8E(sat)

Figura 8-4 Caractersticas de


transferencia.

T ran sistores de potencia

Cap. 8

En la figura 8-5 se muestra el modelo de transistor NPN bajo operacin de gran seal en cd.
La ecuacin que relaciona las corrientes es
1E = c + h

(8-1)

La corriente de base es efectivamente la corriente de entrada y la corriente del colector es la


corriente de salida. La relacin entre la corriente del colector, Ic , y la corriente de base, I b , se
conoce como ganancia de corriente (3:
/3 = hFE = y

(8-2)

La corriente del colector tiene dos componentes: una debida a la corriente de base y otra debida a
la corriente de fuga de la unin colector-base.
lc = P h + / ceo

(8-3)

donde c e o es la corriente de fuga colector a emisor con labase en circuito abierto debindose
considerar despreciable en comparacin con pIg.
De las ecuaciones (8-1) y (8-3),
1e = /b(1 + /3) + / ceo

(8-4)

= 7*0 + /3)

(8-4a)

/ ~ / c ( 1 + - ) = i c ^ j r

(8-5>

La corriente del colector se puede expresar como


lc ~ olI e

(8-6)

donde la constante a est relacionada con (3 mediante

(8-7)

i h

o bien
(8 - 8 )

B o

Figura 8-5

Modelo de
transistores NPN.

Sec. 8-2

T ran sistores de unin bip o lar

265

C onsiderem os el circuito de la figura 8-6, donde el transistor es o perado com o interruptor

'* = '[!Li r M

y c = y CE = v Cc ~ I c R c = Vcc ~
VCE = V cb

- V

t<B

( VB - VBE)

(8-10)

VBE

o bien
c b

= V

c e

(8-11)

be

La ecuacin (8-11) indica que siempre que Vcf. ^ Ve , launin CBJ tendr polarizacininversa y
el transistorestar en regin activa. La corrientemxima del colector en laregin activa, que se
puede obtener al ajustar VCb = 0 y V be = ^ ce, es

CM

/ cc V ce

Vcc ~ Vbe

Re

Re

(8- 12)

y el valor correspondiente de la corriente de base


I bm =

(8-13)

Si la corriente de base se incrementa por arriba de Ib m ,tanto V b e como la corriente del colector
aumentarn y se reducir Vce por debajo de Vbe - Esto continuar hasta que la unin de CB quede
con polarizacin directa con un Vnc de aproximadamente 0.4 a 0.5 V. El transistor entonces pasa a
saturacin. La saturacin del transistor se puede definir como el punto por arriba del cual cualquier
incremento en la corriente de base no aumenta significativamente la corriente del colector.
En saturacin, la corriente del colector se conserva prcticamente constante. Si el voltaje de
saturacin del colector-emisor es Vce(so, la corriente del colector es
Ics = Vcc ~ Vc(sal)

(8-14)

Re

y el valor correspondiente de la corriente de base es


I bs = j -

(8-15)

Figura 8-6 Transistor interruptor.


266

T ran sis to res de potencia

Cap. 8

Normalmente, el circuito se disea de tal forma que I b sea mayor que las- La relacin entre b e
Ibs se conoce como el factor de sobreexcitacin, ODF'
(8-16)

ODF =

hs
y la relacin entre Ies e Ib se conoce como la P forzada, p/ donde
(8-17)

La prdida total de potencia en las dos uniones es


Pt

VbeIb

(8-18)

V ceIc

Un valor alto de factor de sobrecarga no reducir significativamente el voltaje colector-emisor.


Sin embargo, Vbe aumentar debido al incremento de la corriente de base, resultando en una
aumentada prdida de potencia en la unin base-emisor.
Ejemplo 8-1
Se especifica que el transistor bipolar de la figura 8-6 tiene una P en el rango 8 a 40. La
resistencia de la carga es Re = 11 2. El voltaje de alimentacin en cd es Vcc - 200 V y el voltaje
de entrada al circuito de la base es Vg = 10 V. Si Vc(sat) = 1.0 V, y Vbe(su) = 1-5 V, encuentre (a)
el valor de RB que resulta en saturacin con un factor de sobreexcitacin de 5, (b) la P forzada y
(c) la prdida de potencia P j en el transistor.
Solucin V c c = 200 V, pmin = 8, pmax = 40, Rc = 11 Q, ODF = 5 , V B = 10 V, V C E ^ t ) = 1.0 V
y Vbe(sat) = 1.5 V. De la ecuacin (8-14), Ies = (2 0 0 - 1.0) /II = 18.1 A. De la ecuacin (8-15),
IBS = 18.1/Pmin = 18.1/8 = 2.2625 A. La ecuacin (8-16) da la corriente de base para un factor de
sobrecarga de 5,
1B = 5 x 2.2625 = 11.3125 A
(a) La ecuacin (8-9) da el valor requerido de /?e,
d

Vb ~

V b ( sat)

IB

_ 10 ~ 1-5
11.3125

= 0 .7 5 1 4 1

(b) De la ecuacin (8-17), P/ = 18.1/11.3125 = 1.6.


(c) La ecuacin (8-18) da la prdida de potencia total igual a
P T = 1.5 x 11.3125 + 1.0 x 18.1 = 16.97 + 18.1 = 35.07 W
Nota. Para un factor de sobreexcitacin de 10, Ib = 22.265 A y la prdida de potencia sera
P t = 1.5 x 22.265 + 18.1 = 51.5 W. Una vez saturado el transistor, el voltaje colector-emisor no

se reduce en relacin con el aumento de la corriente de base. Sin embargo, aumenta la prdida de
potencia. A un valor alto de factor de sobreexcitacin, el transistor puede daarse debido al
sobrecalentamiento. Por otra parte, si el transistor se opera por debajo de la especificacin (Ib <
Icb) puede llegar a operar en la regin activa y Vce aumentara, resultando tambin en un aumento
de prdida de potencia.
8-2.2 Caractersticas de conmutacin

Una unin pn con polarizacin directa exhibe dos capacitancias paralelas: una capacitancia de la
capa de agotamiento y una capacitancia de difusin. Por otra parte, una unin pn con polarizacin

Sc. 8-2

T ran sistores de unin b ip o lar

26 7

inversa slo tiene una capacitancia de agotamiento. Bajo condiciones de rgimen permanente,
estas capacitancias no juegan ningn papel. Sin embargo, en condiciones transitorias, influyen en
el comportamiento de activacin y desactivacin del transistor.
En la figura 8-7 se muestra el modelo de un transistor bajo condiciones transitorias, donde
C cb y Cbe son las capacitancias efectivas de las uniones CBJ y BEJ, respectivam ente. La
transconductancia, gm de un BJT se define como la relacin entre A le y AVe - Estas capacitancias
dependen de los voltajes de la unin y de la construccin fsica del transistor. Ccb afecta en forma
significativa la capacitancia de entrada debido al efecto multiplicador de Miller [6]. rce y
son
las resistencias del colector al emisor y de la base al emisor, respectivamente.
Debido a las capacitancias internas, el transistor no se activa en forma instantnea. En la
figura 8-8 se ilustran las formas de onda y los tiempos de conmutacin. Conforme el voltaje de
entrada vg se eleva desde cero hasta V y la corriente de base se eleva hasta Ir\, la corriente del
colector no responde de inmediato. Existe un retraso, conocido como tiempo de retraso, t< antes
de que fluya cualquier corriente del colector. Este retraso es necesario para cargar la capacitancia
de la unin BEJ al voltaje de polarizacin directa Ve (aproximadamente 0.7 V). Una vez pasado
este retraso, la corriente del colector se eleva al valor de rgimen permanente es El tiempo de
elevacin, tr depende de la constante de tiempo determinada por la capacitancia de la unin BEJ.
La corriente de base es normalmente mayor a la requerida para saturar al transistor. Como
resultado, la carga excedente de portadores minoritarios queda almacenada en la regin de la base.
M ientras ms alto sea el factor de sobreexcitacin, ODF, mayor ser la carga adicional
almacenada en la base. Esta carga adicional, que se conoce como carga de saturacin, es
proporcional a la excitacin excedente de la base y a la corriente correspondiente, / e:
/,. =

Ib

- !- f = ODF l BS -

I BS

= / fl.v(ODF -

1)

(8-19)

y la carga de saturacin est dada por


Qs =

Tv/ (,

7s/g.y(ODF

1)

(8-20)

donde x* es conocida como la constante de tiempo de almacenamiento del transistor.


Cuandoel voltaje de entrada se invierte de V\ hasta - V j, y tambin la corriente de base se
modifica hasta -Ib2, durante un tiempo ts, conocido como tiempo de almacenamiento, la corriente
del colector no se modifica. ts cs el tiempo que se requiere para eliminar la carga de saturacin de
la base. Dado que v/; es todava positivo, con slo 0.7 V aproximadamente, la corriente de base
invierte su direccin debido al cambio en la polaridad de v/, desde V\ hasta - V 2 . La corriente

Figura 8-7

268

Modelo transitorio del BJT.

T ran sis to res de potencia

Cap. 8

Figura 8-8

Tiempos de conmutacin de transistor bipolar

inversa, -7/J2, ayuda a descargar la base y a eliminar la carga adicional de la misma. Sin - I b i , la
carga de saturacin tendra que ser totalmente eliminada mediante recombinacin, siendo el
tiempo de almacenamiento ms largo.
Una vez eliminada la carga adicional, la capacitancia de la unin BEJ se carga al voltaje de
entrada -V 2 , y la corriente de base se abate hasta cero. El tiempo de abatimiento t depende de la
constante de tiempo, misma que est determinada por la capacitancia de la unin BEJ con
polarizacin inversa.
La figura 8-9a muestra la carga adicional almacenada en la base de un transistor saturado.
Durante la desactivacin, esta carga adicional es eliminada primero en el tiempo ts pasando el perfil
de la carga de a hasta c tal y como se muestra en la figura 8-9b. Durante el tiempo de abatimiento,
el perfil de la carga disminuye a partir del perfil c hasta que todas las cargas han sido eliminadas.

Base

Em isor

Colector

^Carga d e \^
^ a lm a c e n a - s .
^m iento

N
(a)

Figura 8-9

Sec. 8-2

A lm acenam iento de carga en la base

(b) Perfil de la carga du rante la desactivacin

Almacenamiento de carga en transistores bipolares saturados.

T ran sistores de unin bip o lar

269

E l tiem po de activacin

ton

es la sum a del tiem po de retraso

^on

td

y el tiem po d e elevacin

tr :

y el tiempo de desactivacin /0ff es la suma del tiempo de almacenamiento ts y el tiempo de


abatimiento t f
t oft

t{

Ejemplo 8-2_____________________________________________________________________________
Las formas de onda del transistor interruptor de la figura 8-6 aparecen en la figura 8-10. Los
parmetros son Vcc - 250 V, Vg(sal) = 3 V, Ig = 8 A, Ver.[su) = 2 V, c e - 100 A, = 0.5 (xs, t, =
1 |is, s = 5 |is, t = 3 (is y f s = 10 kHz. El ciclo de trabajo es k = 50%. La corriente de fuga
colector a emisor es c e o = 3 mA. Determine la prdida de potencia debido a la corriente del
colector (a) durante la activacin 0n = ld + tr, (b) durante el perodo de conduccin
(c) durante
la desactivacin Dff = ts + ij, (d) durante el tiempo desactivado t0 y; (e) las prdidas promedio
totales de potencia Pj, y (0 grafique la potencia instantnea debida a la corriente del colector,
Pt).
Solucin T = 1/ f s = 100 (jls, k = 0.5, kT = l + tr + tn = 50 (is, tn = 50 - 0.5 - 1 = 48.5 |0.s,
(1 - k)T = ts + tf + 10 = 50 (is, y t0 = 50 - 5 - 3 = 42 |is.
(a) Durante el tiempo de retraso, 0 < t <
c (t )

ICEO

Vc e ( 0 = VCC

Figura 8-10

270

Formas de onda para un interruptor transitorio.

T ran sis to res de p otencia

Cap. 8

La potencia instantnea debida a la corriente del colector es

P c(t) = ifVCE = I ceo V cc


= 3 x 10~3 x 250 = 0.75 W
La prdida de potencia promedio durante el tiempo de retraso es

Pd = \

PAt)

dt

Ic E V c c tjfs
(8-21)

= 3 x 103 x 250 x 0.5 x 1 0 '6 x 10 x 103 = 3.75 mW


Durante el tiempo de elevacin, 0 <

l < tr:

i.\
Ies ,
k (0 = ~ r t
r

Vc e (I) = V CC +
PAt)

ifVcE - Ies J

(Vcflsal) ~

Vcc)

[ v e r + (Vctisai) _

(8 -2 2 )

Vcc)

~J

La potencia Pc(t) ser mxima cuando t = m, donde

. _

M e
2[V CC - V C'(sat)J

(8-23)

- 1 * g i l r h , - -504 <
Y la ecuacin (8-22) nos da la potencia pico
p

* n

Vcc/cs____

4 [Vcc

VC(sal)]

(8-24)

2501 x t m h i 6300 w
1 ('

' = T Jo

,.s

<(^

rr

. \ VCC , V Ct ( sat)

f ' Ic s r

~Y

= 10 x 103 x 100 x 1 x 10"6 f

Vf-c]

3----------

(8-25)

+ 1 ^ 5 0 ] = 42.33 W

La prdida total de potencia durante la activacin es


Pon = P j + Pr

(8-26)
= 0.00375 + 42.33 = 42.33 W

(b)

El periodo de conduccin, 0 < t< tn: . '


f<M =

es

vce(() = VC(sat)
PAO = ii-VcE = VcEisatdcS
= 2 x 100 = 200 W
Sec. 8 -2

T ran sistores de unin b ip o lar

(8-27)

271

Pn ~ y l

PAO dt

VcE(sa\)Icstnfs

= 2 x 100 x 48.5 x IO'6 x 10 x 103 = 97 W


(c)

El perodo de almacenamiento 0

A0
Vce( )

< t< ts:

Ies

= ^CEtsat)

PAO

h-VCE

Vc(sat)/cS

(8-28)

= 2 x 100 = 200 W

1 f'
T Jo P c(t) dt VCE(sat)Icstifs

J Jg

= 2 x 100 x 5 x 10~6 x 10 x 103 = 10 W


El tiempo de abatimiento 0 <

l < t:
ic(t)

Vc

fe s

(1

Vcc

) =

t,

j ) ,

d e s p re c ia n d o /c e o

(8-29)

d e s p re c ia n d o /c e o

P (t) - icVCE - V e d e s

1 )

tf! tfi

Esta prdida de potencia durante el tiempo de abatimiento ser mxima cuando


y la ecuacin (8-29) da la potencia pico,

t = t

= 1.5 (is

_ Vcclcs
(8-30)
= 250 x ^
_

1 f n ^

= 6250 W
J.

f ~ f h P^ ) d t -

V c d c s tfL

g-----(8-31)

250 x 100 x 3 x 10~6 x 10 x 103

= 125 W

La prdida de potencia durante la desactivacin es

Po - P s

P f - V cclcsfs

(i + g
(8-32)

= 10 + 125 = 135 W
(d)

Periodo desactivado 0 < t <

t0:

A 0 = CEO
Vce ( t) = Vcc
P A = icVCE IcEoVce
(8-33)

= 3 x 10~3 x 250 = 0.75 W

272

T ran sis to res de potencia

Cap. 8

o - j J0 P A O d t IcEoVcctofs
= 3 x 103 x 250 x 42 x 10"6 x 10 x 103 = 0.315 W
(e)

La prdida total de potencia en el transistor debido a la corriente del colector es

P t = Pon + Pn + P + P

(8-34)

= 42.33 + 97 + 135 + 0.315 = 274.65 W


( 0 La grfica de potencia instantnea aparece en la figura 8-11.

Ejemplo 8-3
Para lo s parmetros del ejem plo 8-2, ca lcu le la prdida prom edio de potencia debida a la
corriente de base.

Solucin V res .at) = 3 V, /g = 8 A, T = 1/ f s = 100 |is, k = 0.5, kT = 50 jis t = 0.5 |s, tr = 1 JJ.S, tn
= 50 - 1.5 = 48.5 jj-s, ts = 5 )s, i= 3 |s , ton = t + tr = 1.5 (o.s, y tQa = t+t = 5 + 3 = 8 (is.
Durante el perodo 0 < l < (ton + tn):
h it )

IB S

VbeU) = Vg(sat)
La potencia instantnea debida a la corriente de base es
P A O = -bVBE = I bs V bSsm,

= 8 x 3 = 24 W
Durante el perodo
promedio es

0 < t < t0 = (T -

PB ~ I bs V bE.sat)(^on

ton

- tn -

ts

tf): Pb(t) =

0. La prdida de potencia

^ v)/v

= 8 x 3 x (1.5 + 48.5 + 5) x 10~6 x 10 v 103 =

Figura 8-11

Sec. 8-2

(8 -3 5 )

13.2 W

Grfica de la potencia instantnea para el ejemplo 8-2.

T ran sistores de unin b ip o lar

273

8-2.3 Lmites de conmutacin


R u p tu ra s e c u n d a ria , SB.
La ruptura secundaria (S B ), que es un fenm eno
destructivo, resulta del flujo de corriente a una pequea porcin de la base, lo que produce puntos
calientes localizados. Si la energa en estos puntos calientes es suficientem ente grande, el
calentamiento excesivo localizado puede daar al transistor. Por lo tanto, la ruptura secundaria es
causada por un sobrecalentamiento trmico localizado, resultado de concentraciones altas de
corriente. La concentracin de corriente puede ser causada por defectos en la estructura del
transistor. La ruptura secundaria ocurre en ciertas combinaciones de voltaje, corriente y tiempo.
Dado que el tiempo est involucrado, la ruptura secundaria es bsicamente un fenmeno que
depende de la energa.
A rea de o p eraci n segura en p o la riza c i n d ire c ta , FBSOA.
Durante la
condicin activa y en operacin, la temperatura promedio de la unin y la ruptura secundaria
limitan la capacidad de manejo de potencia de un transistor. Los fabricantes normalmente
proporcionan curvas FBSOA bajo condiciones de prueba especificadas. Las FBSOA indican los
lmites de c-vcf. del transistor; para una operacin confiable del mismo el transistor no debe ser
sujeto a una disipacin de potencia mayor que la que se muestra en la curva FBSOA.
Area de o p eraci n segura en p o larizaci n in versa, RBSOA.
Durante la
desactivacin, el transistor debe soportar una corriente y un voltaje altos, en la mayor parte de los
casos con una unin base a emisor con polarizacin inversa. El voltaje colector-emisor debe
mantenerse a un nivel seguro o por debajo de un valor especificado de la corriente del colector.
Los fabricantes proporcionan lmites para el c-V c e durante la desactivacin con polarizacin
inversa como el rea de operacin segura en polarizacin inversa (RBSOA).
Decaimiento de potencia.
El circuito trmico equivalente aparece en la figura 8-12.
Si la perdida de potencia promedio total es P\ la temperatura de la cubierta es
Te Tj P tR jc
La temperatura del disipador de calor es
Ts Te P tR-cs
La temperatura ambiente es
TA Ts ~ P tR sa

y
Tj - TA = P t (R jc + R es + R sa )

(8-36)

Ti

T*

274

Figura 8-12 Circuito trmico


equivalente de un transistor.

T ran sis to res de potencia

Cap. 8

donde

= la resistencia trmica de la unin a la cubierta, C/W


R es = la resistencia trmica de la cubierta al disipador trmico, C/W
R sa - la resistencia trmica del disipador trmico al ambiente, C/W

R jc

Por lo general, la disipacin mxima de potencia P j se especifica en Te = 25 C. Si la


temperatura ambiente es aumentada a
= T/(max) = 1 5 0 C, el transistor puede disipar una
potencia cero. Por otra parte, si la temperatura de la unin es Te = 0C, el dispositivo puede
disipar la potencia m xim a resultando esto no prctico. Por lo tanto, al interpretar las
especificaciones de los dispositivos debern considerarse tanto la temperatura ambiente como las
resistencias trmicas. Los fabricantes publican curvas tanto para el decaimiento trmico como
para la ruptura secundaria.
V o lta je s de ru p tu ra.
Un voltaje de ruptura se define com o el voltaje mximo
absoluto entre dos terminales, con la tercera terminal abierta, en corto circuito o polarizada, ya sea
directa o inversamente. En la ruptura el voltaje se conserva relativamente constante, en tanto que
la corriente se eleva con rapidez. Los fabricantes citan los siguientes voltajes de ruptura:
V e b o voltaje mximo entre las terminales del emisor y de la base, con la terminal del
colector en circuito abierto.

V cev o V cex - voltaje mximo entre las terminales del colector y del emisor, a un voltaje
negativo especificado apljcado entre base y emisor.
Vc/?o(sus): voltaje mximo de mantenimiento entre las terminales del colector y del emisor,
con la base en circuito abierto. Esta especificacin se fija a los valores mximos de corriente
y voltaje del colector, apareciendo simultneamente a travs del dispositivo con un valor
especfico de la inductancia de la carga.
Veamos el circuito de la figura 8 - 1 3a. Cuando el interruptor SW se cierra, aumenta la
corriente del colector, y despus de un transitorio, la corriente del colector en rgimen permanente
es Ies = (Vcc - Vce<.sd) /^ c - En el caso de la carga inductiva, la lnea de carga sera la trayectoria
ABC mostrada en la figura 8 -13b. Si se abre el interruptor para eliminar la corriente de base, la
corriente del colector empezar a abatirse y el voltaje de L{dUdt) se inducir a travs del inductor
para oponerse a la reduccin de dicha corriente. El transistor quedar sujeto a un voltaje

V cc

Figura 8-13

Sec. 8-2

VcE(,u)

(b) Lneas de carga

(a) Circuito de prueba

Lneas de carga de activacin y desactivacin

T ran sis to res de unin b ip o lar

275

transitorio. Si este voltaje llega al nivel del voltaje de mantenimiento, el voltaje del colector se
mantendr aproximadamente constante y la corriente del colector se reducir. Despus de un corto
tiempo, el transistor estar en estado desactivado en la figura 8 -13b y aparece la lnea de carga de
desactivacin segn la trayectoria CDA.
E jem p lo 8-4

La temperatura mxima de unin de un transistor es Tj = 150 C y la temperatura ambiente es


=
25 C. Si las impedancias trmicas son Rjc = 0.4 C/W, Res = 0.1 C/W y Rsa = 0.5 C/W, calcule
(a) la disipacin mxima de potencia y (b) la temperatura de la cubierta.
Solucin (a) Tj - T A = P t (R jc + Res + R sa ) = P t R ja , R ja = 0.4 + 0.1 + 0.5 = 1.0 y 150 - 25 =
1.0P t , lo que da la disipacin mxima de potencia como P j = 125 W.
(b) Tc = T j - PrRjc = 150 - 125 x 0.4 = 100 C.
8-2.4 Control de la excitacin de la base
La velocidad de conmutacin se puede aumentar reduciendo el tiempo de activacin on y el
tiempo de desactivacin /Qff- Se puede reducir /on permitiendo el pico de corriente de base durante
la activacin, resultando en el principio una (3(Pf) forzada baja. Despus de la activacin, se
puede incrementar (3/ a un valor lo suficientemente alto como para mantener el transistor en la
regin de casi saturacin. ?0ff se puede reducir inviniendo la corriente de base y permitiendo que
durante la desactivacin la corriente de base llegue a valor pico. Aumentar el valor de la corriente
de base inversa bz reduce el tiempo de almacenamiento. En la figura 8-14 aparece una forma de
onda tpica para la corriente de base.
Adems de una forma fija de la corriente de base como en la figura 8-14, la (3 forzada se
puede controlar en forma continua para hacer coincidir las variaciones de corriente del colector.
Las tcnicas comnmente utilizadas para optimizar la excitacin de la base de un transistor son:
1.
2.
3.
4.

Control
Control
Control
Control

de activacin
de desactivacin
proporcional de la base
de antisaturacin

Control de activacin.
El pico de la corriente de base se puede obtener mediante el
circuito de la figura 8-15. Cuando el voltaje de entrada se conecta, la corriente de la base queda
limitada por la resistencia R \, el valor inicial de la corriente de base es
V, - VBE
/*> -

(8-37)

- *B2

276

Figura 8-14
Forma de onda de la
corriente de excitacin de la base.

T ran sistores de potencia

Cap. 8

y el valor final de la corriente de base es

(8' 38)

7" =
El capacitor C\ se carga a un valor final de
v<

(8-39>

La constante de tiempo de carga del capacitor es aproximadamente

_ R \R iC \

T'

Rt + R2

(8-40)

Una vez que el voltaje de entrada ve se hace cero, la unin base-em isor tiene polarizacin
inversa y C i se descarga a travs de Ri- La constante de tiempo de descarga es X2 = R 2C 1. Para
permitir suficientes tiempos de carga y de descarga, el ancho del pulso de base debe ser ti > 5 ii y
el perodo de desactivacin del pulso debe ser 12 ^ 5X2 La frecuencia mxima de conmutacin es
f s = l / T = \ / ( t i + t2) = 0.2/(Ti+%2).
Control de desactivacin.
Si durante la desactivacin el voltaje de entrada de la
figura 8 -15 se cambia a - V 2, el voltaje del capacitor Vc en la ecuacin (8-39) se suma a V2 a
travs del transistor como un voltaje inverso. Habr un pico de corriente de base durante la
desactivacin. Conforme el capacitor C 1 se descarga, el voltaje inverso se reducir a un valor de
rgimen permanente, V2. Si se requieren diferentes caractersticas de activacin y desactivacin,
se puede aadir un circuito de desactivacin (utilizando a C2, R 3 y Ra) tal y como se muestra en la
figura 8-16. Durante la desactivacin, el diodo D i asla el circuito de excitacin directa de la
base, del circuito de excitacin inversa de la base.

Figura 8-15

Figura 8-16

Sec. 8-2

Pico de corriente de base durante la activacin.

Pico de corriente de base durante la activacin y la desactivacin.

T ran sistores de unin b ip o lar

277

Control proporcional de la base.


Este tipo de control tiene ventajas sobre el circuito
de excitacin constante. Si la corriente del colector cambia debido a cambios en la demanda de la
carga, la corriente de excitacin de la base cambia en proporcin a la corriente del colector. Una
disposicin aparece en la figura 8-17. Cuando el interruptor Si se activa, fluye un pulso de
corriente de corta duracin a travs de la base del transistor Q\\ y se activar hasta la saturacin.
Una vez que la corriente del colector empieza a fluir, se induce una corriente de base debido a la
accin del transformador. El transistor se enganchara a s mismo, y Si puede desactivarse. La
relacin de vueltas es Ni/N] = d h = (3. Para la correcta operacin del circuito, la corriente
magnetizante, que ser mucho menor que la corriente del colector, debe ser lo ms pequea
posible. El interruptor Si se puede implementar mediante un transistor de pequea seal, y
durante el perodo de desactivacin del transistor de potencia se requerir de un circuito adicional
para descargar al capacitor C\ y para volver a restablecer el ncleo del transformador.
Control de antisaturacin.
Si el transistor es operado severamente, el tiempo de
almacenamiento, que es proporcional a la corriente de base, aumenta y se reduce la velocidad de
conmutacin. El tiempo de almacenamiento puede ser reducido operando el transistor en una
saturacin suave, en vez de una saturacin dura. Esto se puede llevar a cabo fijando el voltaje de
colector-emisor a un nivel predeterminado. La corriente del colector est dada por

i+

y
Vcc
Vcm
Ic = ------ 5 ------Kc

(8-41)

donde Vcm es el voltaje de fijacin y Vcm > VcHsai)- En la figura 8-18 se muestra un circuito con
accin de fijacin (tambin conocido como fijador Baker).
La com ente de base sin fijacin, que es adecuada para excitar severamente al transistor, se
puede determinar a partir de
/ , = ;, = V' -

V Kb

v-g

(8-42)

y la correspondiente corriente del colector es


Ic = P h

(843)

.vB

Figura 8-17

278

Circuito de excitacin proporcional de base.

T ran sistores de potencia

Cap. 8

Figura 8-18
del colector.

Circuito de fijacin

Despus de que la corriente del colector se eleva, el transistor se activa, y la fijacin ocurre
(debido al hecho de queD i recibe polarizacin directa y conduce), entonces
V ce = V'be + Vj\ Vj2

(8-44)

La corriente de carga cs
,

Il ~

VCc ~ Vce _ Vcc ~ VBE ~ Vd\ + Vj2

re

le

(o -4 3 )

y la corriente del colector con fijacin cs

Ic = (3IB = P(/,
_

Ic + II)
(8-46)

P
{I i + h )
1 + f3

Para la fijacin, Vd\ > Vn esto se puede obtener conectando dos o ms diodos en vez de D i. La
resistencia de la carga R e deber satisfacer la condicin
@Ib > I l
De la ecuacin (8-45),
/3I b R c > (V cc ~ V be ~ Vd\ + Vdi)

(8-47)

La accin de fijacin da como resultado una corriente del colector ms reducida y la eliminacin
prcticamente total del tiempo de almacenamiento. Adems, en forma simultnea, se obtiene una
activacin rpida. Sin embargo, en razn de un V c e incrementado, la disipacin de la potencia en
estado activo del transistor aumenta, en tanto que la perdida de potencia por conmutacin se reduce.
Ejemplo 8-5_____________________________________________________________________________
El circuito de excitacin de base de la figura 8-18 tiene Vcc = 100 V, Re = 1.5 2, V\ = 2.1 V,
V2 = 0.9 V, Vbe = 0.7 V, VB = 15 V, Rb = 2.5 2 y p = 16. Calcule (a) la corriente del colector
sin fijacin, (b) el voltaje de fijacin colector-emisor V c e y (c) la corriente del colector con
fijacin.
Solucin (a) De la ecuacin (8-42), I\ = (15 - 2.1 - 0.7)/2.5 = 4.88 A. Sin fijacin, le = 16 x 4.88
= 78.08 A.
(b) De la ecuacin (8-44), el voltaje de fijacin es
VCE = 0.7 + 2.1 - 0.9 = 1.9 V

Sec. 8-2

Tran sistores de unin bip o lar

279

(c) De la ecuacin (8-45), l = (100 - 1.9)/1.5 = 65.4 A. La ecuacin (8-46) da la


corriente del colector sin fijacin:

4.88 + 65.4
/ c = 16 x
- = 66.15 A
L
16+1

8-3 MOSFET DE POTENCIA


Un transistor bipolar de juntura (BJT) es un dispositivo controlado por corriente, que requiere de
corriente de base para controlar el flujo de corriente del colector. Dado que la corriente del
colector depende de la corriente de entrada (o de la base), la ganancia de corriente es altamente
dependiente de la temperatura de la unin.
Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que requiere slo de una
pequea corriente de entrada. La velocidad de conmutacin es muy alta siendo los tiempos de
conmutacin del orden de los nanosegundos. Los MOSFET de potencia estn encontrando cada
vez ms aplicaciones en los convertidores de alta frecuencia y baja potencia. Los MOSFET no
tienen los problemas de los fenmenos de ruptura secundaria que tienen los BJT. Sin embargo, los
MOSFET tienen problemas de descargas electrostticas, por lo que su manejo requiere de
cuidados especiales. Adems, es relativamente difcil protegerlos bajo condiciones de falla por
corto circuito.
Los MOSFET son de dos tipos: (1) los MOSFET de agotamiento y (2) los MOSFET de
enriquecimiento. Un MOSFET tipo agotamiento de canal n se forma en un substrato de silicio de
tipo p, tal y como se muestra en la figura 8-19a, con dos silicios n+ fuertemente dopados para
tener conexiones de baja resistencia. La compuerta est aislada del canal mediante una delgada
capa de xido. Las tres terminales se conocen como compuerta, drenaje y fuente. Normalmente,
el substrato se conecta a la fuente. El voltaje de compuerta a fuente, Vos, puede ser positivo o
negativo. Si Ves es negativo, algunos de los electrones del rea del canal n sern repelidos y se
crear una regin de agotamiento por debajo de la capa de xido, que resultar en un canal
efectiv o ms angosto y en una alta resistencia de drenaje a fuente, Ros- Si Vos se hace
suficientemente negativo, el canal se agotar totalmente, ofreciendo un alto valor Ros, y no habr
flujo de corriente de drenaje a fuente, fa s = 0. Cuando esto ocurre, el valor de Ves se conoce como
voltaje de estrechamiento, Vp. Por otra parte, Vgs se hace positivo, el canal se ensancha, e fas
aumenta debido a la reduccin en Ros- Con un MOSFET tipo agotamiento de canal p , se invierten
las polaridades de Vos, fa s y VosUn MOSFET tipo enriquecimiento de canal n, no tiene un canal fsico, tal y como se puede
observar en la figura 8-20. Si Vas es positivo, un voltaje inducido atraer los electrones del
substrato p, y los acumular en la superficie por debajo de la capa de xido. Si Vas es mayor que
o igual a un valor conocido como voltaje de umbral, V j, se acumular un nmero suficiente de
electrones para formar un canal virtual n y la corriente fluir del drenaje a la fuente. Si se trata de
un MOSFET tipo enriquecimiento de canal p, las polaridades de Vos, fa s y V gs se invierten. En la
figura 8-21 aparecen MOSFET de potencia de varios tamaos.
8-3.1 Caractersticas en rgimen perm anente
Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de
entrada muy alta. La compuerta utiliza una corriente de fuga muy pequea, del orden de los

280

T ran sis to res de potencia

Cap. 8

(a) M O SFET tipo a gotam iento de canal n

(b) M OSFET tipo a gotam iento de canal p

Figura 8-19 MOSFET tipo agotamiento.

nanoamperes. La ganancia de corriente, que es la relacin entre la corriente de drenaje, I d , y la


corriente de entrada de la compuerta, / g . es tpicamente del orden de 109. Sin embargo, la
ganancia de corriente no es un parmetro de importancia. La transconduclancia, que es la relacin
de la corriente de drenaje al voltaje de la compuerta, define las caractersticas de transferencia,
siendo un parmetro muy importante.
Las caractersticas de transferencia de los MOSFET de canal n y de canal p aparecen en la
figura 8-22. En la figura 8-23 se muestran las caractersticas de salida de un MOSFET tipo
enriquecimiento de canal n. Existen tres regiones de operacin: (1) regin de corte, donde Vgs
VY; (2) regin de estrechamiento o de saturacin, donde Vos Vgs - Vr, y (3) regin lineal, donde
Vds = Vgs - V j. El estrechamiento ocurre en Vos = Vas - Vr. En la regin lineal, la corriente de
drenaje I d vara en proporcin al voltaje drenaje-fuente, Vos- Debido a la alta corriente de drenaje
y al bajo voltaje de drenaje, los MOSFET de potencia se operan en la regin lineal para acciones
de conmutacin. En la regin de saturacin, la corriente de drenaje se conserva prcticamente
constante para cualquier incremento en el valor de Vos, y los transistores se utilizan en esta regin
para la amplificacin de voltaje. Debe hacerse notar que la saturacin tiene el significado opuesto
que en el caso de los transistores bipolares.

Sec. 8-3

M O S F E T de potencia

281

Substrato de m etal

<*''

|R o

VqD -i-

Oxido

Estructura bsica
(a) M O S FE T tipo enriqu ecim ien to de canal n

(b) M O SFET tipo enriqu ecim ien to de canal p

Figura 8-20

MOSFET tipo enriquecimiento.

Figura 8-21 MOSFET de potencia.


(Cortesa de International Rectifier.)

282

T ran sis to res de potencia

Cap. 8

(a) M O SFE T de agotam iento

Vt
Canal n

Canal p
(b)

Figura 8-22

M O SFET tipo enriquecim iento

Caractersticas de transferencia de los MOSFET.

El modelo en rgimen permanente, que es el mismo tanto para el MOSFET de agotamiento


como para el tipo enriquecimiento, aparece en la figura 8-24. La transconductancia, gm, se define
como
gn

AID

A VG.s

(8-48)
Vqs constante

La resistencia de salida, r0 = Ros, que se define como


A Vps
Ros = ^

(8-49)

Md

es normalmente muy alta en la regin de estrechamiento, tpicamente del orden de los megaohms
y muy pequea en la regin lineal, tpicamente del orden de los miliohms.

R egin de e s tre c h a m ie n to o re g i n de sa tu ra ci n

Vo,

Sec. 8 -3

M O S F E T de potencia.

Figura 8-23 Caractersticas de salida del


MOSFET tipo enriquecimiento mejorado.

283

(a)

D iagram a de circuito

Figura 8-24

Modelo de conmutacin en rgimen permanente de los MOSFET.

Para los MOSFET tipo agotamiento, el voltaje de compuerta (o de entrada) puede ser
positivo o negativo. Pero los MOSFET tipo enriquecimiento slo responden a voltajes positivos
de compuerta. Los MOSFET de potencia son generalmente del tipo enriquecimiento. Sin
embargo, los MOSFET tipo agotamiento podran ser ventajosos y simplificar el diseo lgico en
algunas aplicaciones que requieren de algn tipo de interruptor de ca o cd compatible con la
lgica, y que se mantenga activo cuando el suministro lgico caiga y Vos se haga cero. Las
caractersticas de los MOSFET tipo agotamiento no se analizarn con mayor detalle.
8-3.2 Caractersticas de conmutacin

Sin seal de compuerta, un MOSFET tipo enriquecimiento puede considerarse como dos diodos
conectados espalda con espalda o como un transistor NPN. La estructura de la compuerta tiene
capacitancias parsitas con la fuente, Cgs, y con el drenaje Cg. El transistor NPN tiene una unin
de polarizacin inversa del drenaje a la fuente y ofrece una capacitancia Cds- La figura 8-25a
muestra el circuito equivalente del transistor bipolar parsito, en paralelo con un MOSFET. La
regin base-emisor de un transistor NPN se pone en corto circuito en el chip, metalizando la
terminal de la fuente y la resistencia de la base al emisor, debido a que la resistencia del material
de las regiones n y p, P,e, es pequea. Por lo tanto, un MOSFET se puede considerar como si

Figura 8-25

284

Modelo del MOSFET tipo enriquecimiento que incluye efectos parsitos.

T ran sis to res de potencia

Cap. 8

tuviera un diodo interno (el circuito equivalente aparece en la figura 8-25b). Las capacitancias
parsitas dependen de sus voltajes respectivos.
El modelo de conmutacin de los MOSFET aparece en la figura 8-26. En la figura 8-27 se
muestran las formas de onda y los perodos de tiempo de conmutacin tpicos. El retraso de la
activacin t(0n) es el tiempo requerido para cargar la resistencia de entrada al nivel de entrada del
umbral. El tiempo de elevacin tr es el tiempo de carga de la compuerta desde el nivel de umbral
hasta el voltaje completo de la compuerta Vqsp , mismo que se requiere para excitar el transistor a
la regin lineal. El tiempo de retraso en la desactivacin td(o(0 es el tiempo requerido para que la
capacitancia de entrada se descargue desde el voltaje en sobre-excitacin de la compuerta V\
hasta la regin de estrechamiento. Ves debe reducirse en forma significativa antes de que Vos
empiece a elevarse. El tiempo de abatimiento tf&s el tiempo que se requiere para que se descargue
la capacitancia de entrada desde la regin de estrechamiento hasta el voltaje del umbral. Si Ves ^
Vt, el transistor se desactiva*.
8-3.3 Excitacin de compuerta

El tiempo de activacin de un MOSFET depende del tiempo de carga de la capacitancia de


entrada o de compuerta. El tiempo de activacin se puede reducir conectando un circuito RC, tal y
como se muestra en la figura 8-28, para cargar ms aprisa la capacitancia de compuerta. Cuando
se conecta el voltaje de compuerta, la corriente de carga inicial de la capacitancia es
(8-50)
y el valor en rgimen permanente del voltaje de compuerta es
(8-51)

R s + R\ + R c

donde R s es la resistencia interna de la fuente de excitacin de la compuerta.


H
Cgo

+
v*

ZZCg,

o D

---------
::C * r*

Figura 8-26 Modelo de


conmutacin del MOSFET.

V,

0
V,

Vq*p
Vt

0
tdon)

Sec. 8-3

M O S F E T de potencia

tdfoBl

Figura 8-27 Formas de onda y


tiempos de conmutacin.

285

Figura 8-28 Circuito de


aceleracin de activacin de
la compuerta.

A fin de obtener velocidades de conmutacin del orden de 100 ns o menos, el circuito de


excitacin de compuerta debe tener una baja impedancia de salida y la capacidad de manejar
corrientes relativamente grandes. En la figura 8-29 se muestra una disposicin en forma de poste
-ttem, capaz de proveer o absorber una corriente grande. Los transistores PNP y N PN actan
como seguidores del emisor y ofrecen una impedancia baja de salida. Estos transistores operan en
la regin lineal ms que en el modo de saturacin, minimizando en consecuencia el tiempo de
retraso. La seal de compuerta para el MOSFET de potencia puede generarse por un amplificador
operacional. La retroalimentacin va el capacitor C regula la velocidad de elevacin y de
abatimiento del voltaje de compuerta, controlando as la velocidad y el abatimiento de la corriente
de drenaje del MOSFET. Un diodo a travs del capacitor C permite que el voltaje de compuerta
cambie rpidamente en una sola direccin. Existen en el mercado varios circuitos excitadores
integrados, diseados para manejar transistores, y que son capaces de proveer o absorber
corrientes grandes para la mayor parte de los convertidores.

8-4 SIT
Un SIT es un dispositivo de alta potencia y alta frecuencia. Es esencialmente una versin en
estado slido de un tubo triodo al vaco. La seccin transversal de silicio de un SIT [15] aparece
en la figura 8-30a, y su smbolo en la figura 8-30b. Se trata de un dispositivo de estructura vertical
con multicanales cortos. Por ello, no est sujeto a limitaciones de rea siendo adecuado para

Figura 8-29 Arreglo en poste-ttem ,


con formacin del flanco del pulso, para
la excitacin de compuerta.

286

T ran sis to res de potencia

Cap. 8

F u e n te

Capa de
pasivacin

D renaje
(a) Seccin transversal

Figura 8-30

Seccin transversal y smbolo para los SIT.

operaciones de alta potencia y en alta velocidad. Los electrodos de la compuerta estn enterrados
dentro de las capas n-epsi del drenaje y de la fuente. Un SIT es idntico a un JFET, excepto por la
construccin vertical y la compuerta enterrada, lo que origina una resistencia ms baja de canal, y,
por lo tanto, una cada ms pequea. Un SIT tiene una longitud corta de canal, una baja
resistencia en serie de compuerta, una baja capacitancia compuerta-fuente y una resistencia
trmica pequea. Tiene bajo ruido, baja distorsin y alta capacidad de potencia en audio
frecuencia. Los tiempos de activacin y desactivacin son muy pequeos, tpicamente 0.25 (as.
La cada en estado activo es alta, tpicamente de 90 V para un dispositivo de 180 , y de 18
V para uno de 18 A. Un SIT es un dispositivo normalmente activo, desactivado por un voltaje
negativo en la compuerta. La caracterstica de normalmente activo y la alta cada en ese estado
limita sus aplicaciones en conversiones de potencia en general. La especificacin de corriente de
los SIT puede llegar hasta 300 A, 1200 V, siendo la velocidad de conmutacin tan alta como 100
kHz. Es muy adecuado para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia (por ejem plo
amplificadores de audio, de DHF/UHF y de microondas).

8-5 IGBT
Un IGBT combina las ventajas de los BJT y de los MOSFET. Un IGBT tiene una alta impedancia
de entrada, igual que los MOSFET, y bajas prdidas de conduccin en estado activo, como los
BJT. Pero no presentan ningn problema de ruptura secundaria, como los BJT. Mediante el
diseo y la estructura del chip, la resistencia equivalente drenaje a fuente, Ros, se controla para
que se comporte como la de un BJT.
La seccin transversal de silicio de un IGBT aparece en la figura 8-3la, y es idntica a la de
un MOSFET, excepto en el substrato p +. Sin embargo, el rendimiento o comportamiento de un
IGBT es ms cercano al de un BJT que al de un MOSFET. Esto se debe al substrato p +, que es

Sec. 8-5

IGBT

287

C o le c to r

(a) Seccin transversal

O I

(b)

Circuito
e quivalen te

Figura 8-31

(c)

Circuito
sim plificado

Seccin recta y circuito equivalente correspondiente a los IGBT.

responsable de la inyeccin de portadores minoritarios en la regin n. En la figura 8-3Ib aparece


el circuito equivalente, mismo que se puede simplificar al de la figura 8 -3 1c. Un IGBT est
fabricado con cuatro capas alternadas PNPN, y se puede enganchar como un tiristor, si se da la
condicin necesaria: (a npn + a pnp) > 1. La capa intermedia n+ y la amplia base epitaxial reducen
la ganancia de la terminal NPN mediante el diseo interno, evitando, por lo tanto, el enganche. Un

288

T ran sis to res de potencia

Cap. 8

IGBT es un dispositivo controlado por voltaje, similar a un MOSFET de potencia. Tiene menores
prdidas de conmutacin y de conduccin, en tanto comparte muchas de las caractersticas
atractivas de los MOSFET de potencia, como la facilidad de excitacin de compuerta, la corriente
de pico, la capacidad y la resistencia. Un IGBT es inherentemente ms rpido que un BJT. Sin
embargo, la velocidad de conmutacin de los IGBT es inferior a la de los MOSFET.
El smbolo y el circuito de un interruptor IGBT se muestran en la figura 8-32. Las tres
terminales son compuerta, colector y emisor, en vez de compuerta, drenaje y fuente de un
MOSFET. Los parmetros y sus smbolos son similares a los de los MOSFET, excepto en que los
suscritos correspondientes a la fuente y al drenaje se m odifican a em isor y a colector,
respectivamente. La especificacin de corriente de un solo IGBT puede llegar hasta 400 A, 1200
V, y la frecuencia de conmutacin hasta 20 kHz. Los IGBT estn encontrando cada vez ms usos
en las aplicaciones de potencia media como son los propulsores para motores de cd y ca, fuentes
de alimentacin, relevadores de estado slido y los contadores.

Seal de com puerta

Ro;

i--------------------- 1
I

ve

Vcc^: Rge

I_____________ I

Figura 8-32 Smbolo y circuito


para un MOSIGT.

8-6 OPERACION EN SERIE Y EN PARALELO


Los transistores pueden operarse en serie para aumentar su capacidad de manejo de voltaje. Es
muy importante que los transistores conectados en serie estn activados y desactivados en forma
simultnea. De lo contrario, el dispositivo ms lento en la activacin y el dispositivo ms rpido
en la desactivacin quedaran sujetos al voltaje com pleto del circuito colector-em isor (o
drenaje-fuente) pudiendo este dispositivo en particular quedar destruido debido al alto voltaje.
Los dispositivos debern ser pareados en lo que se refiere a ganancia, transconductancia, voltaje
de umbral, voltaje de estado activo, tiempo de activacin y tiempo de desactivacin. Incluso, las
caractersticas de compuerta o de excitacin de base debern ser idnticas. Pueden utilizarse redes
de comparticin de voltaje similares a las que se utilizan con los diodos.
Si un dispositivo no es capaz de manejar la demanda de corriente de la carga, los
transistores se conectan en paralelo. Para que exista una reparticin igual de la corriente,
los transistores debern ser pareados en lo que se refiere a ganancia, transconductancia, voltaje de
saturacin, tiempos de activacin y desactivacin. Pero en la prctica, no es siempre posible
cumplir con estos requisitos. Se puede obtener una cantidad razonable de reparticin de corriente
(de 45% a 55% con dos transistores) al conectar resistencias en serie con las terminales del emisor
(o de la fuente) tal y como se muestra en la figura 8-33.
Bajo condiciones de rgimen permanente, las resistencias de la figura 8-33 ayudarn a 'la
comparticin de corriente. La comparticin de corriente en condiciones dinmicas puede
obtenerse conectando inductores acoplados, como se muestra en la figura 8-34. Si se eleva la
corriente a travs de Q \, tambin se elevar el L(di/dt) a travs de L \, y a travs del inductor L2, se

Sec. 8-6

O peracin en serie y en paralelo

289

Figura 8-33
en paralelo.

Transistores conectados

Figura 8-34
de corriente.

Comparticin dinmica

inducir un voltaje correspondiente de polaridad opuesta. El resultado es una trayectoria de baja


impedancia, siendo la corriente trasladada a Q2. Los inductores generarn picos de voltaje y
pueden resultar costosos y voluminosos, especialmente en el caso de altas corrientes.
Los TBJ tienen un coeficiente negativo de temperatura. Si un TBJ conduce ms corriente
durante la reparticin de corriente, su resistencia en estado activo se reduce y su corriente
aumenta an ms, en tanto que los MOSFET tienen un coeficiente positivo de temperatura y su
operacin en paralelo es relativamente fcil. El MOSFET que inicialmente conduzca mayor
corriente se calentar ms y aumentar su resistencia en estado activo, resultando en un
desplazamiento de corriente hacia otros dispositivos. Los IGBT requieren de un cuidado especial
para parear sus caractersticas, debido a las variaciones de los coeficientes de temperatura en
relacin con la corriente del colector.
Ejemplo 8-6_____________________________________________________________________________
Dos MOSFET conectados en paralelo similares a los de la figura 13-33 conducen una corriente
total Ir = 20 A. El voltaje drenaje a fuente del MOSFET M\ es VDSi = 2.5 V y el del MOSFET es
Mz Vps2 - 3 V. Determine la corriente de drenaje de cada transistor y la diferencia en la
reparticin de corriente si las resistencias en serie para compartir la corriente son (a) Rs\ = 0.3 2
y RsZ = 0.2 Q y (b) Rsi = Rs2 = 0.5 l
Solucin (a) o\ + ln = h y Ksi = d \ R s \ = V d s z + h i R s i = R s z Q r - h \)VpS2 ~

Vps I +

Rsi

ItR s

Rs2

3 - 2.5 + 20 x 0.2
=9A
0.3 + 0.2
Im = 20 - 9 = 11 A

45%

or 55%

A/ = 55 - 45 = 10%

290

T ran sis to res de potencia

Cap. 8

= 10.5 A

Im = 20 - 10.5 = 9.5 A

52.5%

47.5%

A/ = 52.5 - 47.5 = 5%

8-7 LIMITACIONES POR di/dt Y dv/dt


Los transistores requieren de ciertos tiempos de activacin y desactivacin. Despreciando el
tiempo de retraso td y el tiempo de almacenamiento ts, las formas de onda tpicas del voltaje y
corriente de un interruptor BJT aparecen en la figura 8-35. Durante la activacin, se eleva la
corriente del colector y el di/dt es
L = lk = L i
dt
tr
tr

(8- 53 )

Durante la desactivacin, el voltaje colector-emisor debe elevarse en relacin con el abatimiento


de la corriente del colector, y dv/dt es

Las con d icion es d i/d t y d v/d t en las ecuaciones (8 -5 3 ) y (8 -5 4 ) estn definidas por las
caractersticas de conmutacin del transistor y deben satisfacerse durante la activacin y la
desactivacin. Por lo general, se requiere de circuitos de proteccin para mantener los di/dt y dv/dt
de operacin dentro de los lmites permisibles del transistor. Un interruptor tpico de transistor
con proteccin di/dt y dv/dt aparece en la figura 8-36a, con las formas de onda operativas de la
figura 8-36b. La red RC a travs del transistor se conoce como un circuito de freno y limita el
dv/dt. El inductor Ls que se ocupa de limitar el di/dt a veces se conoce como un freno en serie.
Supongamos que bajo condiciones de rgimen permanente, la corriente de carga / est en
marcha libre a travs del diodo D m, el cual tiene un tiempo de recuperacin inversa despreciable.

/
I
___ I
t,
Figura 8-35

Sec. 8-7

Formas de onda de voltaje y de corriente.

L im itacion es p o r d i/d t y d v /d t

291

Figura 8-36

Interruptor de transistor con proteccin

di/dt y dvldt.

Cuando se activa el transistor Q \, la corriente del colector se eleva y la corriente del diodo D m se
abate, porque D m se comporta como si estuviera en corto circuito. El circuito equivalente durante
la activacin aparece en la figura 8-37a, y el di/dt de activacin es
dt

(8-55)

Ls

Igualando la ecuacin (8-53) con la ecuacin (8-55), obtenemos el valor de Ls,


L, =

Vstr
h

(8-56)

Durante el tiempo de desactivacin, el capacitor Cs se cargar a la corriente de carga apareciendo


el circuito equivalente en la figura 8-37b. El voltaje del capacitor aparecer a travs del transistor
y el dvldt es
dv _ h
(8-57)
dt
Cs
Igualando la ecuacin (8-54) con la (8-57), obtenemos el valor requerido de capacitancia,

(8-58)

L.

0mf

V,

(a)

(b) M od o 2

M odo 1

Figura 8-37

292

(c) M od o 3

Circuitos equivalentes.

T ran sis to res de p otencia

Cap. 8

Una vez que el capacitor se ha cargado hasta Vs, el diodo de marcha libre se activa. Debido a la
energa almacenada en L s, aparece un circuito resonante amortiguado, tal y como se muestra en la
figura 8-37c. El anlisis de transitorios del circuito R L C se analiza en la seccin 16-4.
Normalmente, para evitar oscilaciones, el circuito RLC se hace crticamente amortiguado. Para
una amortiguacin crtica unitaria, 8 = 1 , la ecuacin (16-11) nos lleva a:

El capacitor Cs tiene que descargarse a travs del transistor y la especificacin de corriente pico
del transistor se incrementa. La descarga a travs del transistor puede evitarse colocando la
resistencia R s a travs de C en vez de colocar R s a travs de V.
La corriente de descarga se muestra en la figura 8-38. Al seleccionar el valor de R s, deber
considerarse el tiempo de descarga, R SCS = t s. Un tiempo de descarga de la tercera parte del
perodo de conmutacin, Ts, es por lo general adecuado.
3R SCS = Ts = jr
o bien

* -

< 8- 6 0 )

Ejemplo 8-7_____________________________________________________________________________
Un transistor bipolar es operado como interruptor pulsado a una frecuencia f s - 10 kHz. La
disposicin del circuito aparece en la figura 8-36a. El voltaje de cd del pulsador es Vs = 220 V y
la corriente de la carga es i = 100 A. VcE(st) = 0 V. Los tiempos de conmutacin son t = 0, tr =
3 (i y tf = 1.2 p.s. Determine los valores de (a) Ls\ (b) Cs; (c) Rs para la condicin de
amortiguamiento crtico; (d) Rs, si el tiempo de descarga se limita a la tercera parte delperodo
de conmutacin; (e) Rs, si la corriente pico de descarga se limita al 10% de lacorriente de carga;
y (f) la prdida de energa debido al freno RC, Ps, despreciando el efecto del inductor Ls sobre el
voltaje del capacitor de freno Cs.
Solucin l = 100 A, Vs = 220 V, f s = 10 kHz, tr = 3 (i y t/= 1.2 (is.
(a) De la ecuacin (8-56), Ls = VstrHi - 220 x 3/100 = 6.6 |iH.
(b) De la ecuacin (8-58), Cs = Iitf/Vs = 100 x 1.2/220 = 0.55 (J.F.
(c) De la ecuacin (8-59), Rs = 2< L jts = 2V (6.6/0.55 = 6.93 2.
(d) De la ecuacin (8-60), Rs = 1/(3 fs/Cs) = 107(3 x 10 x 0.55) = 60.6 2.
(e) Vs/R = 0.1 x i, es decir, 220/Rs = 0.1 x 100, o bien, Rs = 22 2.
(f) La prdida de energa en el circuito de freno, despreciando la prdida en el diodo Ds, es
Ps = 0.5 C,V)fs
= 0.5 x 0.55 x IO"6 x 2202 x 10 x 103 = 133.1 W

(8-61)

Figura 8-38 Corriente de descarga


del capacitor del circuito de freno.

Sec. 8-7

Lim itacion es por d i/d t y d v /d t

2 93

8-8 AISLAM IENTO DE LAS EXCITACIONES DE COMPUERTA Y DE BASE


Para poder operar los transistores de potencia como interruptores, debe aplicarse un voltaje
apropiado de compuerta o una corriente apropiada de base, y excitar los transistores al modo de
.saturacin para un voltaje activo bajo. El voltaje de control deber aplicarse entre las terminales
de compuerta o de fuente o entre las terminales de base y emisor. Los convertidores de potencia
por lo general requieren de varios transistores por lo que cada transistor debe excitarse
individualmente. En la figura 8-39a aparece la topologa de un inversor monofsico de fuente. El
voltaje con cd principal es Vs con la terminal de tierra G.
El circuito lgico de la figura 8-39b genera cuatro pulsos. Esos pulsos, tal y com o se
muestra en la figura 8-39c, son desplazados en el tiempo para llevar a cabo la secuencia lgica
requerida para la conversin de potencia de cd a ca. Sin embargo, todos los cuatro pulsos lgicos
tienen una terminal comn C. La terminal comn del circuito lgico puede conectarse a la
terminal de tierra G de la alimentacin de cd principal, tal y com o lo muestran las lneas
punteadas.
La terminal 1 , que tiene un voltaje Vg\ con respecto a la terminal C, no se puede conectar
directamente a la terminal de compuerta G\. La seal Vg\ deber aplicarse entre la terminal de
compuerta G\ y la terminal de fuente Si del transistor M\. Se necesita aislar e interconectar los
circuitos entre la lgica y los transistores de potencia. Sin embargo, los transistores M 2 y A/4
pueden excitarse directamente sin circuitos de aislamiento o de interfaz, si las seales lgicas son
compatibles con los requisitos de excitacin de compuerta de los transistores.
La importancia de excitar un transistor entre la compuerta y la fuente, en lugar de aplicar
un voltaje de compuerta entre la compuerta y la tierra comn, se puede demostrar con la figura
8-40, donde la resistencia de carga es conectada entre fuente y tierra. El voltaje efectivo compuerta

Figura 8-39

294

Inversor monofsico tipo fuente y seales de compuerta.

T ran sis to res de potencia

Cap. 8

d"

T Vdo
Vo

vGr

; Ro Rl
Figura 8-40 Voltaje de compuerta
entre la compuerta y la tierra.

fuente es
V gs ~ V g ~ R l I d(V gs)
donde d ( V g s ) vara con V a s - El valor efectivo de V o s se reduce conforme se activa el transistor y
llegando al valor de rgimen permanente, requerido para equilibrar la carga o la corriente de
drenaje. El valor efectivo de Ves no es predecible siendo una disposicin como sta no adecuada.
Existen bsicamente dos formas de flotar o aislar la seal de control o de compuerta con respecto
a la tierra.
1. Transformadores de pulso
2. Acopladores pticos
8-8.1 Transformadores de pulso
Los transformadores de pulso tienen un embobinado primario y pueden tener uno o ms
embobinados secundarios. Varios embobinados secundarios permiten seales de compuerta a
transistores conectados en serie o en paralelo. La figura 8-41 muestra una disposicin de
excitacin de compuerta aislada por transformador. El transformador deber tener una muy
pequea inductancia de fuga, y el tiempo de elevacin del pulso de salida deber ser muy
pequeo. Con un pulso relativam ente largo y una baja frecuencia de conm utacin, el
transformador se saturara y su salida se distorsionara.
8-8.2 Acopladores pticos
Los acopladores pticos combinan un diodo de emisor de luz infrarroja (ILED) y un fototransistor
de silicio. La seal de entrada se aplica al ILED y la salida se forma del fototransistor. Los
tiempos de elevacin y de abatimiento de los fototransstores son muy cortos, con valores tpicos
de tiempo de activacin /(> = 2 a 5 jas y un tiempo de abatimiento /(Oro = 300 ns. Estos tiempos
de activacin y de abatimiento restringen las aplicaciones de alta frecuencia. En la figura 8-42

Figura 8-41 Excitacin de compuertas


aisladas por transformador.

Sec. 8-8

A is la m ie n to de las excitacio n es de c o m p u e rta y de base.

295

aparece un circuito de aislamiento de compuerta mediante un fototransistor. El fototransistor


podra ser un par Darlington. Los fototransistorcs requieren de una alimentacin de energa por
separado y aumentando la complejidad, costo y peso de los circuitos de excitacin.

A coplador ptico

Figura 8-42

Aislamiento de la compuerta por acoplador ptico.

8-9 MODELOS PSPICE


El modelo PSpice, que se basa en el modelo de control de carga integral de Gummel y Poon [16],
aparece en la figura 8-43a. En la figura 8-43b aparece el modelo esttico (cd) que se genera
mediante PSpice. Si ciertos parmetros no se especifican, PSpice supone el modelo sencillo
Ebers-Moll, tal y como se muestra en la figura 8-43c.
El enunciado modelo correspondiente a los transistores NPN tienen la forma general
.MODEL

QNAME

NPN

(P1=V1

P2=V2

P3=V3

...

PN=VN)

...

PN=VN)

y la forma general correspondiente a los transistores PNP es


.MODEL

ONAME

PNP

( P 1= V 1 P 2 = V 2

P3=V3

donde Q N A M E es el nom bre del m odelo BJT. NPN y PNP son los sm b o lo s de tipo
correspondientes a los transistores NPN y PNP, respectivamente. P l, P2,... y V I, V2,... son os
parmetros y sus valores, respectivamente. Los parmetros que afectan el comportamiento de
conmutacin de un BJT en electrnica de potencia son IS, BF, CJE, CJC, TR, TF. El smbolo para
BJT es Q, y su nombre debe iniciarse con Q. La forma general es
Q<name>

NC

NB

NE

NS Q N A M E

[(area)

valu]

donde NC, NB, NE y NS son los nodos del colector, base, emisor y substrato, respectivamente. El
nodo de substrato es opcional. Si no se especifica, por omisin se considera tierra. La corriente
positiva es la corriente que fluye hacia una terminal. Esto es, tratndose de un BJT-NPN, la
corriente fluye del nodo del colector, a travs del dispositivo, hasta el nodo del emisor.

296

T ran sis to res de potencia

Cap. 8

C
Re

Re
B OWvV

(T)

< lbe1-lbcl)/K qb

Cbc

21

A - Cbe

O f'E

- W

aR'c

Re
Ie

OE
(c)

(b) M od elo cd

Figura 8-43

Sec. 8-9

M o d e lo s PSpice

M o d elo E bers-M o ll

Modelo PSpice de un BJT.

297

El modelo PSpice [16] de un MOSFET de canal n aparece en la figura 8-44a. El modelo esttico
(cd) que se genera mediante PSpice aparece en la figura 8-44b. El enunciado para un MOSFET de
canal n tiene la forma general
.MODEL

MNAME

NMOS

{ P 1 = V 1 P2=V2

P3=V3

...

PN=VN)

...

PN=VN)

y el enunciado para un MOSFET de canal p es de la forma


.MODEL

MNAME

PMOS

(P1=V1

P2=V2

P3=V3

donde MNAME es el nombre del modelo. NMOS y PMOS son los smbolos de tipo de los
M O SFET de canal n y de canal p , resp ectiv a m en te. L os parm etros que afectan el
comportamiento de conmutacin de un MOSFET en electrnica de potencia son L, W, VTO, KP,
IS, CGSO, CGDO.
El smbolo para un transistor de efecto de campo de silicio metal-xido (MOSFET) es M. El
nombre del MOSFET deber empezar con M y toma la forma general

(b) M od elo en cd

Figura 8-44

298

Modelo PSpice del MOSFET de canal

T ran sis to res de potencia

Cap. 8

M<name>

NO

NG

NS

NB

MNAME

[t=<value]

[W=<value>]

+
+

[AD=<value>]
[PD=<value>]

[NRD=<value>]

[NRS=<value>]

[NRG=<value>]

[N R B = < v a 1 ue>]

[AS=<value>]
[PS=<value>]

donde ND, NG, NS y ND son los nodos de drenaje, compuerta, fuente y material (o substrato),
respectivamente.

RESUMEN
Los transistores de potencia generalmente son d cuatro tipos: BJT, MOSFET, SIT e IGBT. Los
BJT son dispositivos controlados por corriente siendo sus parmetros sensibles a la temperatura
de la unin. Los BJT sufren por ruptura secundaria por lo que para reducir el tiem po de
almacenamiento durante la desactivacin requieren de corriente inversa de base. Pero tienen un
voltaje bajo de estado activo y de saturacin.
Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje; requieren de muy poca potencia de
excitacin en compuerta y sus parmetros son menos sensibles a la temperatura de la unin. No
existe problema por ruptura secundaria y durante la desactivacin no se rfequiere de un voltaje de
compuerta negativo. Los IGBT, que combinan las ventajas de los BJT y los MOSFET, son
dispositivos controlados por voltaje que tienen un bajo voltaje activo similar a los BJT. Los IGBT
no tienen el fenmeno de ruptura secundaria. Los SIT son dispositivos de alta potencia y de alta
frecuencia; son muy adecuados para amplificadores de audio, DHF/UHF y microondas. Tienen la
caracterstica normalmente activo y una alta cada en estado activo.
Los transistores se pueden conectar en serie o en paralelo. La operacin en paralelo requiere
por lo general de elementos de comparlicin de corriente. La operacin en serie requiere del
pareamiento de parmetros, especialmente durante la activacin y la desactivacin. Para mantener
durante la activacin y la desactivacin la relacin de voltaje y de corriente de los transistores, por
lo general para limitar di/dt y dv/dt, es necesario el uso de los circuitos de freno.
Las seales de compuerta se pueden aislar del circuito de potencia mediante transformadores
de pulso o acopladores pticos. Los transformadores de pulso son sencillos, pero la inductancia de
fuga deber ser muy pequea. Los transformadores se pueden saturar a baja frecuencia y con
pulsos largos. Los acopladores pticos requieren de alimentacin de energa por separado.

REFERENCIAS
1. E. S. Oxner, Power FETs and Their Applications.
Englewood Cliffs, N.J.: Prentice Hall, 1982.
2. B. J. Baliga y D.Y. Chen, Power Transistors.
Device Design and'Applications. New York: IEEE
Press, 1984.
3. Westinghouse Electric, Silicon Power Transistor
Handbook, Pittsburg, Pa.: Westinghouse Electric
Corporation, 1967.

Resum en

4. B. R. Pelly, Power MOSFETs: a status review.


International Pow er E lectronics Conference,
1983, pp. 10-32.
5. A. Ferraro, An overview of low cost snubber
technology for transistor converters. IEEE Power
Electronics Specialist Conference, 1982, pp. 466-477.

6. A.S. Sedra y K.C. Smith, Microelectronics. Nueva


York: CBS College Publishing, 1986.

299

7. R. Stevens'y J. Armijos, M OSPOW ER Application


H a n d b o t/k , f S a n ta C la r a , C a lif.: S ilic o n ix
Corporation, 1 ^ 4 .

12. D . A. Grant y J. Gower, P ow er M OSFETs: Theory


and Applications. N ew York: John W iley & Sons,
Inc. 1988.

A p p ly in g I n
ternational Rectifier's IIE X F ET Power M OSFETs,

13. B.J. Baliga, M odern Pow er D evices. N ew York:


John W iley & Sons, Inc. 1987.

A p p lic a tio n N o te 9 3 0 A . El S e g u n d o , C a lif.:


International Rectifier, 1985.

14.

8. B . R. P e lly y S . M . C le m e n te ,

9. T. A. Radomski, Protection o f pj^>wer transistors


in e le c t r ic v e h ic l e d r iv e s . IE E E P o w er
Electronics Specialist Conference, pp. 455-465.
10. B. J. Baliga, M. Cheng, P. Shafer y M.W. Smith,
The insulated gate transistor (IGT): a ncw power
sw itch in g d e v ic e . IE E E Industry A pplications
Society Conference Record, 1983, pp. 354-36^

IG B T D e sig n er M a n u a l.

E l S e g u n d o , C a lif.:

International Rectifier, 1991.


15. J. N ish izaw a y K. Y am am oto, H igh -freq u en cy
h ig h -p o w er sta tic in d u ctio n tra n sisto r. IE E E
Transactions on E lectron D evices, V o l. E D 2 5 ,
N o.3, 1978, pp. 314-322.

SPICE fo r Circuits and Electronics


U sing P spice. E n g lew o o d C liffs, N.J.: Prentice

16. M .H. Rashid,


Hall, 1990.

11. S. Clemente y B.R., P elly, Understaijing power


M O SF E T sw itch in g p erform an ce, Solid Stafe
Electronics, Vo], 12, N o. 12, 1982, pp. 1133-1141.

PREGUNTAS DE REPASO
8-1. Qu es un transistor bipolar (BJT)?
8-2. Cules son los tipos de BJT?

8-16. Qu es el m odo de saturacin en los BJT?

8-3. C ules son las diferencias entre transistores


N P N y PNP1

8-17. Qu es el tiempo de activacin en los BJT?

8-4. Cules son las caractersticas de entrada de los


transistores NPN1

8-19. Que es FBSO A de los BJT?

8-5. C ules son las caractersticas de salida de los


transistores N PN 1

8-21. Por qu durante la desactivacin es necesario


invertir la polarizacin de los BJT?

8-6. C ules son las tres regiones de operacin de


los BJT?
8-7. Q u es la beta ((3) de los BJT?
8-8. Cul es la diferencia entre la beta, P, y la beta
forzada, P/r, de los BJT?
8-9. Q u es la transconductancia en los BJT?
8-10. C ul e s el factor d e so b reex cita ci n de los
BJT?

8-18. Qu es el tiempo de desactivacin en los BJT?


8-20. Qu es RBSO A de los BJT?

8-22. Qu es la ruptura secundaria de los BJT?


8-23. Cules son las tcnicas de excitacin de la base
para aumentar las velocidades de conmutacin
de los BJT?
8-24. Qu es el control de antisaturacin de los BJT?
8-25. C ules son las ventajas y desventajas de los
BJT?
8-26. Qu es un MOSFET?

8-11. Cul es el m odelo de conmutacin de los BJT?

8-27. Cules son los tipos de MOSFET?

8-12. Cul es la causa del tiempo de retraso en los


BJT?

8-28. Cules son las diferencias entre los MOSFET


tipo enriquecimiento y los tipo agotamiento?

8-13. Cul es la causa del tiempo d e almacenamiento


en los BJT?

8-29. Q u e s e l v o lta je d e estrech a m ien to d e lo s


MOSFET?

8-14. Cul es la causa del tiempo de elevacin en los


BJT?

8-30. Qu es el voltaje de umbral de los MOSFET?

8-15. Cul es la causa del tiempo de abatimiento en


los BJT?

8-32. C u l e s e l m o d e lo d e c o n m u ta c i n d e un
MOSFET de canal n?

300

8-31. Qu es la transconductancia de los M OSFET?

T ran sis to res de p otencia

C ap. 8

8-33. C ules son las caractersticas de transferencia


de los MOSFET?

8-47. Cules son las diferencias principales entre los


M OSFET y los BJT?

8-34. C ules son las caractersticas de salida de los


MOSFET?

8-48. C u les son lo s problem as, d e o p era ci n en


paralelo de los BJT?

8-35. C ules son las ventajas y desventajas de los


MOSFET?

8-49. C u les so n lo s p rob lem as d e o p era ci n en


paralelo de los MOSFET?

8-36. Por qu durante la desactivacin los MOSFET


no requieren de un voltaje de compuerta negativo?

8-50. C u les so n lo s p rob lem as d e o p era ci n en


paralelo de los IGBT?

8-37. Por qu difiere el concepto de saturacin en los


BJT y en los MOSFET?

8-51. Cules son los problemas de operacin en serie


de los BJT?

8-38. Q u e s e l tie m p o de a c tiv a c i n d e lo s


MOSFET?

8-52. Cules son los problemas de operacin en serie


de los MOSFET?

8-39. Q u e s el tie m p o de d e sa c tiv a c i n d e lo s


MOSFET?

8-53. Cules son los problemas de operacin en serie


de los IGBT?

8-40. Q u es un SIT?

8-54. C ules son lo s ob jetiv o s de lo s circuitos de


freno en paralelo en los transistores?

8-41. Cules son las ventajas de los SIT?


8-42. Cules son las desventajas de los SIT?
8-43. Q u es un 1GBT?

8-55. Cul es el objetivo de los circuitos de freno en


serie en los transistores?

8-44. Cules son las caractersticas le transferencia


de los IGBT?

8-56. C u le s so n la s v en ta ja s y d e sv e n ta ja s d el
aislamiento de compuerta por transformador?

8-45. Cules son las caractersticas de salida de los


IGBT?

8-57. C u le s so n la s v en ta ja s y d e sv e n ta ja s d el
a isla m ien to de com p u erta por a co p la m ien to
ptico?

8-46. Cules son ventajas y desventajas de los IGBT?

PROBLEMAS
8-1. La beta (p) del transistor bipolar de la figura 8-6
vara d esd e 10 hasta 60. La resisten cia de la
carga e s R e = 5 Q . El voltaje de alimentacin en
cd es V cc = 100 V y el voltaje de entrada al
circuito de la base es V[ = 8 V. Si Vcc(sat) = 2.5
V y Vfi(sat) = 1-75 V, encuentre (a) el valor de
R b que resulte en saturacin con un factor de
sobreexcitacin de 20; (b) la (3 forzada, y (c) la
prdida de potencia en el transistor Py.
8-2. La beta (P) del transistor bipolar de la figura 8-6
vara d esde 12 hasta 75. La resisten cia de la
ca r g a e s R e = L 5 2. El v o lt a je d e la
alimentacin en cd es Vcc - 4 0 V y el voltaje de
entrada al circuito de la base es V = 6 V. Si
VcE(sat) = 1.2 V, KS(sat) = 1.6 V y R b = 0.7 Q,
determine (a) el factor de sobreexcitacin ODF,
(b) la P forzada y (c) la prdida de potencia en
el transistor P t 8-3. S e utiliza un transistor com o interruptor apare
ciendo las formas de onda en la figura 13-10. Los

P ro b lem as

parmetros son Vcc = 200 V, Vg(Sat) = 3 V , / j = 8


A, Vc/.-fsat) = 2 V, les - 100 A, t = 0.5 |i.s, tr = 1
|xs, j = 5 |is, t = 3 jxs y / f = 10 kHz. El ciclo de
trabajo e s k = 50% . La co rrien te d e fu ga al
colector-em isor es c e o = 3 mA. D eterm ine la
prdida de p oten cia debida a la corriente del
colector (a) durante la activacin fon = td + tr; (b)
durante el perodo de conduccin , (c) durante la
desactivacin ;Dff = ts + tf, (d) durante el tiempo
d e d esa ctiv a ci n t0 y (e) las prdidas totales
promedio /V * (0 Grafique la potencia instantnea
debida a la corriente del colector Pc(t).
8-4. La temperatura m xim a de la unin del tran
sistor bipolar del problema 8-3 es T = 1 5 0 C,
la temperatura am biente es Ta = 25 C. Si las
resistencias trmicas son R j c = 0.4 C/W y R e s
= 0.05 C/W , calcule la resistencia trmica del
disipador de calor R$a(Sugerencia: desprecie
la prdida de potencia debida a la excitacin de
la base.)

301

8-5, Para los parmetros del problema 8-3, calcule la


prdida prom edio de potencia debida a la
corriente de base, Pb8-6. Repita el problema 8-3 si Vbe(sm) = 2.3 V, /g = 8
A, V(sat) = 1-4 V, 0.1 (is, tr = 0.45 ns, ts =
3.2 (is y tf= 1.1 |is.
8-7. Un MOSFET se utiliza como conmutador. Los
parmetros son VDc = 40 V, Iq = 35 A, Rds =
28 m2, Vqs = 10 V, (on) = 2.5 ns, tr = 60 ns,
td(off) = 70 ns, t = 25 ns, f s = 20 kHz. La
corriente de fuga drenaje-fuente es d s s = 250
(J.A. El ciclo de trabajo es k = 60%. Determine la
prdida de potencia debida a la corriente de
drenaje (a) durante la activacin\pn = (n)
(b) durante el perodo de conduccin , (c)
durante la desactivacin 0ff = d(ofo + lf, (d)
durante el tiempo de desactivacin t0, y (e) las
prdidas promedio de potencia totales Pj.
8-8. La temperatura mxima de la unin del
MOSFET del problema 8-7 es Tj = 1 5 0 C, y la
temperatura ambiente es T = 30 C. Si las
resistencias trmicas son Rjc = 1 K/W y Res =
1K/W, calcu le la resistencia trmica del
disparador de calor, Rsa- (Nota: K = C + 273.)
8-9. El circuito de excitacin de la base de la figura
3-18 tiene VCC = 400 V, Rc = 4 2, Vdx = 3.6 V,
V<a = 0.9 V, VBE(sal) = 0.7 V, VB = 15 V, RB = 1.1
2 y P = 12. Calcule (a) la corriente del colector
sin fijacin, ( b ) el voltaje de fijaciirdel colector
V y (c) la corriente del colector por fijacin.
8-10. Dos BJT estn conectados en paralelo como se
muestra en la figura 8-33. La corriente total de
carga es t = 200 A. El voltaje colector-emisor
del transistor Q es V ce \ = 1.5 V y el del
transistor 02 es Vcei = 1-1 V. Determine la
corriente del colector de cada transistor y la

ce,

diferencia en la reparticin de corriente si las


resistencias en serie de reparticin de corriente
son (a) Re\ = 10 m f y Ri = 20 m2, y (b) Re\ =
Re2 = 20 m).
8-11. Un transistor bipolar se opera como interruptor
pulsado, a una frecuencia f s = 20 kHz. La
disposicin del circuito es la que aparece en la
figura 8-36a. El voltaje de entrada de la
corriente directa del pulsador es Vs = 400 V y la
corriente de la carga es / = 100 A. Los tiempos
de conm utacin son tr = 1 |As y t = 3 |is.
Determine los valores de (a) Ls; (b) Cs\ (c) Rs
para una condicin de amortiguacin crtica; (d)
Rs si el tiempo de descarga est limitado a la
tercera parte del perodo de conmutacin; (e) Rs
si la corriente pico de descarga est limitada al
5% de la corriente de carga; y (f) la prdida de
potencia debida al circuito de freno RC, Ps,
despreciando el efecto del inductor Ls en el
voltaje del capacitor del freno, Cs. Suponga que
VCE(sat) = 0.
8-12. Un MOSFET se opera como interruptor pulsado
a una frecuencia f s = 50 kHz. La disposicin del
circuito aparece en la figura 8-36a. El voltaje de
entrada de cd del pulsador es Vj = 30 V y la
corriente de carga es / = 40 A. Los tiempos de
conm utacin son tr = 60 ns y // = 25 ns.
Determine los valores de (a) Ls\ (b) Cs\ (c) Rs
para la condicin de amortiguacin crtica; (d)
Rs si el tiempo de descarga est limitado a la
tercera parte del perodo de conmutacin; (e) Rs
si la corriente pico de descarga est limitada al
5% de la corriente de carga; y (f) la prdida de
potencia Ps debida al freno RC, despreciando el
efecto del inductor Ls en el voltaje del capacitor
del freno Cs. Suponga que Vce(sh) = 0.

%
f

302

T ran sis to res de p otencia

Cap. 8

9
Pulsadores de cd

9-1 INTRODUCCION
En muchas aplicaciones industriales, es necesario el convertir una fuente de cd de voltaje fijo a una
fuente de cd de voltaje variable. Un pulsador de cd, convierte directamente de cd a cd, por lo que
tambin se conoce como convertidor de cd a cd. Un pulsador se puede considerar como el equiva
lente a un transformador de ca con una relacin de vueltas que vara en forma continua. Al igual
que un transformador, puede utilizarse como una fuente de cd reductora o elevadora de voltaje.
Los pulsadores se utilizan ampliamente en el conttol de los motores de traccin de autom
viles elctricos, tranvas elctricos, gras marinas, montacargas y elevadores de minas. Proporcio
nan control en aceleraciones continuas, una alta eficiencia y una respuesta rapida dinmica. Los
pulsadores se pueden utilizar en el freno regenerativo de motores de cd para devolver la energa a
la alimentacin, caracterstica que da como resultado un ahorro en aquellos sistemas de transporte
que tienen paradas frecuentes. Los pulsadores se utilizan en los reguladores de voltaje de cd, y
tambin, junto con una inductancia, para generar una fuente de cd, especialmente para el inversor
decd.

9-2 PRINCIPIO DE LA OPERACION REDUCTORA

El principio de esta operacin puede explicarse a partir de la figura 9 -la. Cuando se cierra el inte
rruptor SW durante un tiempo t\, el voltaje de entrada V* aparece a travs de la carga. Si el inte
rruptor se mantiene abierto durante un tiempo 2, el voltaje aJravs de la carga es cero. Las formas
de onda correspondientes al voltaje de salida y de la comente de carga se muestran en la figura
9-lb. El interruptor pulsador se puede poner en prctica utilizando (1) un JBT de potencia, (2)
un MOSFET de potencia, (3) un GTO, o (4) un tiristor de conmutacin forzada. Los dispositivos
reales tienen una cada de voltaje finita, que va desde 0.5 hasta 2 V y . por razones de simpli
cidad, despreciaremos las cadas de voltaje de estos dispositivos semiconductores de potencia.
303

>O
V.

ti

kT
(a)

Circuito

(b) Form as de onda

Figura 9-1

Pulsador reductor con carga resistiva.

El voltaje promedio de salida est dado por


Va = j I'' v0 d t = j Vs = fu Vs = k V s

(9-1)

y la corriente promedio de carga, Ia = V JR = kVJR, donde T es el perodo de pulsacin, k = t\/T es


el ciclo de trabajo del pulsador, y / es la frecuencia de pulsacin. El valor rms del voltaje de sali
da se determina a partir de

y,

(9-2)

Si suponemos un pulsador sin prdidas, la potencia de entrada al pulsador es la misma que la po


tencia de salida, y est dada por
1
i

p r

Jo

1
Vo i

dt

CkT v i

J0

dt

(9-3)

La resistencia efectiva de entrada, vista por la fuente es

*<2

V, _ R
kVJR
k

(9-4)

Se puede variar el ciclo de trabajo k desde 0 hasta 1 si se vara t\, T, o bien / . Por lo tanto, al
controlar k se puede variar el voltaje de salida V0 desde 0 hasta V*, y se puede controlar el flujo de
potencia.
1. Operacin a frecuencia constante. La frecuencia de pulsacin / (o el perodo de pulsa
cin T) se mantiene constante variando solo el tiempo activo t\. El ancho del pulso se vara por lo
que este tipo de control se conoce como control de modulacin por ancho de pulso (PWM).
2. Operacin a frecuencia variable. Vara la frecuencia de pulsacin / . Y a sea el tiempo
activo, es decir t\, o el tiempo inactivo, ti, se mantiene constante. Esto se conoce como m odula
cin por frecuencia. La frecuencia debe variarse en un amplio rango para obtener todo el rango de
salida del voltaje. Este tipo de control generar armnicas a frecuencias no predecibles y el diseo
del filtro resultar difcil.

304

P u lsad ores de cd

Cap. 9

Ejemplo 9-1__________________________________________________________________________ _
El pulsador de cd de la figura 9 -la tiene una carga resistiva R = 10 2 y un voltaje de entrada de
Vs = 220 V. Cuando el interruptor pulsador se mantiene activo, su cada de voltaje es vc|, = 2 V, y
la frecuencia de pulsacin es / = 1 kHz. Si el ciclo de trabajo es 50%,determine (a) el voltaje
promedio de salida Va, (b) el voltaje rms de salida Va, (c) la eficiencia del pulsador (d)la resis
tencia efectiva de entrada R del pulsador y (e) el valor rms de la componente fundamental del
voltaje armnico de salida.
Solucin Vj = 220 V, k = 0.5, R = 10 2 y vch = 2 V.
(a) A partir de la ecuacin (9-1), Va = 0.5 x (220 - 2) = 109 V.
(b) De la ecuacin (9-2), V0 = V 0.5 x (220 - 2) = 154.15 V.
(c) La potencia de salida se puede determinar a partir de

1 kT v \
Fo = y J o

1 {kT (Vs - Uch)2

T Jo

R -------d t ~ k

(Vs ~ Uch)2

(9-5)
= 0 .5 x (22 t ~ 2)2 = 2376.2 W

La potencia de entrada del pulsador se puede determinar a partir de

Pi

1 {kT VS(V S - Uch) J,

sl dt = T Jo

= I Jo

= 0.5 x 220 x

220

. V5(Vj - Uch)

d ,- k

(9-6)

l0 ~ = 2398 W

La eficiencia del pulsador es


P0
P,

2376.2
= 99.09%
2398

(d) De la ecuacin (9-4), R = 10/0.5 = 20 2.


(e) El voltaje de salida que se muestra en la figura 9-lb puede expresarse en una serie de
Fourier, de la forma
V
v jt) = kVs -l 1 ^ sen 2mrk cos Irnrft
n7T n=]
(9-7)
+ Y (1 - cos 2mrk) s e n ln v ft
n7T n=i
La componente fundamental (para n = 1) de la armnica del voltaje de salida se puede determi
nar a partir de la ecuacin (9-7), como
V \(t)

y
= [sen2vk cos 2ir f t + (1 - cos 2it/) sen 277//]
TT

(9-8)
= ---- sen(277 x 10000 = 140.06sen(6283.2)
77

y su valor rms es V\ = 140.06/V~2 = 99.04 V.


Nota. El clculo de la eficiencia, que incluye las prdidas de conduccin del pulsador, no
toma en consideracin las prdidas de conmutacin debidas a la activacin y desactivacin de los
pulsadores reales. La eficiencia de un pulsador real vara entre 92 y 99%.

Sec. 9-2

Principio de la operacin reductora

305

9-3 PULSADOR REDUCTOR CON CARGA RL


En la figura 9-2 aparece un pulsador con una carga RL. La operacin del pulsador se puede dividir
en dos modos. Durante el modo 1, el pulsador es conmutado y la corriente fluye de la alimenta
cin a la carga. Durante el modo 2, el pulsador se retira de la lnea y la corriente de carga contina
fluyendo a travs del diodo de marcha libre D m. Los circuitos equivalentes para estos modos apa
recen en la figura 9-3a. Las formas de onda de la corriente de carga y de voltaje de salida se mues
tran en la figura 9-3b.
La corriente de carga para el modo 1 se puede determinar a partir de

Vs = /?/, +

(9-9)

La solucin de la ecuacin (9-9) con una corriente inicial i(t = 0) = I\ da la corriente de carga como
(9-10)

,(f) = I \ e - ,WL + ^ j-r E: (i - e~,RIL)

Este modo es vlido para 0 < t < t\ (= kT)\ y al final de este modo, la corriente de carga se con
vierte en
(9-11)

h it = h = k T ) = h
La corriente de carga para el modo 2 se puede encontrar a partir de
0 = Ri'i + L

di->

+ E

(9-12)

Con la corriente inicial 2O = 0) = h y volviendo a definir el origen del tiempo (es decir t = 0) al
principio del modo 2 , tenemos
i2(t) = I 2e~RIL - |

(1 - e - WL)

(9-13)

Este modo es vlido para0 <t < ti [= (1 - k)T). Al final de este modo, lacorriente de carga se
convierte en
h (t = h ) = h

(9-14)

Al final del modo 2, elpulsador se vuelve a conectar en el siguienteciclo, despus deltiempo T =


1 / / = h + t2Bajo condiciones de rgimen permanente, /] = 3. La corriente pico de la componente ondu
latoria de la carga puede determinarse a partir de las ecuaciones (9-10), (9-11), (9-13) y (9-14).
Pulsador

Figura 9-2
cargas RL.

306

Pulsador con

P u lsad ores de cd

Cap. 9

M od o 1

(b) Form as de onda

(a) Circuitos equivalentes

Figura 9-3

Circuitos equivalentes y formas de onda para cargas

RL.

De las ecuaciones (9-10) y (9-11), 2 est dado por


/ 2 =

Vs
-E
' s

I i e ~kTRIL +

(1

g-kTRIL)

JK

(9-15)

De las ecuaciones (9-13) y (9-14),/ 3 est dado por

/ 3 = /, = I 2e - " ~ TRIL - | (1 - e ~ " - k)TRIL)

(9-16)

La corriente de la componente ondulatoria pico a pico es


AI = h - lx
que despus de simplificarse se convierte en
Y

J _

g - k T R I L _|_ g - T R I L _

1 - e~ L

A / = i?

-(l-k)T R IL

(9-17)

La condicin para la componente ondulatoria mxima,


d( AI )

dk

Seo. 9-3

P u lsad or redu cto r con carga RL

= 0

(9-18)

307

da e~aR'L- e~('~l)Tr"L = O, es decir, - k = -( 1 - k) o bien, k = 0.5. La corriente de la componente ondu


latoria pico a pico mxima (en k = 0.5) es
(9-19)

A/mx ^ tanh

Para 4f L R, tangente hiperblica 0 = 0 y la la corriente de la componente ondulatoria mxima


se puede aproximar a
(9-20)
Nota. Las ecuaciones (9-9) a (9-20) slo son vlidas para el flujo continuo de corriente. Para
un tiempo largo de desactivacin, particularmente en baja frecuencia y bajo voltaje de salida, la co
rriente de carga puede resultar discontinua. La corriente de carga sera continua si R/L T o bien
L f R. En el caso de la corriente de carga discontinua, \ = 0 y la ecuacin (9-10) se convierte en

h it) =

(1

e ~RIL)

La ecuacin (9-13) cs vlida para 0 < t < ti de tal forma que 2(1 = ti) = h = h = 0, lo que da

E jem p lo 9-2
U n pulsador alimenta una carga RL segn se muestra en la figura 9 -2 con Vx = 220 V , R = 5 2, L
= 7.5 mH, / = 1 kHz, k = 0.5 y E = 0 V. Calcule (a) la corriente instantnea mnima en la carga
I\, (b) la corriente instantnea pico de la carga / 2 , (c) la corriente de la com ponente ondulatoria
pico a pico mxima en la carga, (d) el valor promedio de la corriente de carga la, (e) la corriente
rms de la carga I, (f) la resistencia efectiva de entrada R vista por la fuente y (g) la corriente
rms del pulsador //?.
Solu cin V, = 220 V, R = 5 Q, L = 7.5 mH, E = 0 W ,k = 0.5, y / = 1000 Hz.
D e la ecuacin (9-15), 2 = 0.7165/j + 12.473 y de la ecuacin (9-16), /j = 0.7165/2 + 0.
(a) Al resolver estas dos ecuaciones, obtenem os \ = 18.37 A.
( b ) / 2 = 25.63 A.
(c) A/ = 2 - \ = 25.63 - 18.37 = 7.26 A. D e la ecuacin (9-19), A/max = 7.26 A , dando la
ecuacin (9-20) el valor aproximado, A/max = 7.33 A.
(d) La corriente promedio en la carga es aproximadamente,

(e)
Si suponemos que la corriente en la carga se eleva en forma lineal desde
corriente instantnea en la carga se puede expresar com o
i': = / , +

~j~Y~

para 0

I\

hasta 2 , la

< t < kT

El valor rms de la corriente en carga puede encontrarse a partir de


1/2

(9-21)
= 22.1 A

308

Pulsadores de cd

Cap. 9

(O La corriente promedio de la fuente


I s = k l a = 0.5 x 22 = 11 A

y la resistencia efectiva de entrada R = VJS = 220/11 20 2.


(g) La corriente rms del pulsador se puede determinar a partir de
1/2
rr

/ . - GvrJ Jo
T

C ] U t

V/V

'

(h

h)1 + *hJ(V h - -/,)1 /

(9. 22)

= V/fc/ 0 = V5 x 22.1 = 15.63 A


Ejemplo 9-3_____________________________________________________________________________
El pulsador de la figura 9-2 tiene una resistencia de carga R = 0.25 2, un voltaje de entrada V, =
550 V, y un voltaje de batera E = 0 V. La corriente promedio de la carga Ia = 200 A, y la frecuen
cia del pulsador / = 250 Hz. Use el voltaje promedio de salida para calcular la inductancia de la
carga L, que limitara la corriente de la componente ondulatoria mxima de la carga a 10% de a.
Solucin V, = 550 V, R = 0.25 2, E = 0 V, / = 250 Hz, T = l / f = 0.004 s, y Ai =200 x 0.1 =
20 A. El voltaje promedio de salida Va = kVs = RIa. El voltaje a travs del inductor est dado por
L j t = Vs - R Ia = V S - kVs = V,(l - k)

Si la corriente en la carga se supone elevarse lincalmente, dt = t\ = kT y di = A:

A/ = YALzJl kT
Para las peores condiciones de la componente ondulatoria,

</(A0 = 0
dk
Esto da k = 0.5 y
A i L = 20 x L = 550(1 - 0.5) x 0.5 x 0.004
y el valor requerido de la inductancia es L - 27.5 mH.

9-4 PRINCIPIO DE OPERACION ELEVADORA


Un pulsador se puede utilizar para elevar un voltaje de cd, una disposicin para una operacin ele
vadora aparece en la figura 9-4a. Cuando el interruptor SW se cierra durante el tiempo fi, la co
rriente del inductor se eleva y la energa se almacena en el inductor L. Si durante el tiempo /2 el
interruptor se abre, la energa almacenada del inductor se transfiere a la carga a travs del diodo
>1 y la corriente del inductor se abate. Si suponemos un flujo continuo de corriente, la forma de
onda para la corriente del inductor aparece en la figura 9-4b.
Cuando el pulsador est activado, el voltaje a travs del inductor es

Sec. 9-4

P rincipio de o peracin ele vad o ra

309

L
L

V,

'

; /

i a ----------1------------D,
|
i
Pulsador
I
c a r ga
T

Cu
I
i

(a) Disposicin elevadora

Figura 9-4

Disposicin para una operacin elevadora,

y esto nos da la corriente de la componente ondulatoria pico a pico en el inductor, como


A/ = ^ U

(9-23)

y 0 = Vs + L ^ - = V, ( l + ) = V s y t j

(9-24)

El voltaje instantneo de salida es

Si se conecta un capacitor C grande a travs de la carga, como muestran las lneas puntea
das de la figura 9-4a, el voltaje de salida ser continuo y v0 se convertir en el valor promedio Va.
Podemos observar de la ecuacin (9-24) que el voltaje a travs de la carga se puede elevar varian
do el ciclo de trabajo, k, y que el voltaje de salida mnimo es Vs cuando k = 0. Sin embargo, el pul
sador no se puede conectar continuamente de forma que k = 1. Para valores de k que tiendan a la
unidad, el voltaje de salida se hace muy grande y resulta muy sensible a los cambios en k, tal y co
mo se ve en la figura 9-4c.
Este principio puede aplicarse para transferir energa de una fuente de voltaje a otra tal y co
mo se muestra en la figura 9-5a. Los circuitos equivalentes para los modos de operacin se mues
tran en la figura 9-5b y las formas de corriente en la figura 9-5c. La corriente del inductor para el
modo 1 est dada por

310

Pulsadores de cd

Cap. 9

w--------D,

v.

vu /

Pulsador

+
~

{a) D iagram a de circuito

V.

M od o 1

*2
Err

v.
M od o 2
(b)

Circuitos equivalentes

Figura 9-5

Disposicin para la transferencia de energa.

y se expresa en la forma
/,(?) = ^ t + I,

(9-25)

donde I\ es la corriente inicial para el modo 1. Durante este modo, la corriente debe elevarse sien
do la condicin necesaria
^ > 0
dt

Vs > 0

La corriente para el modo 2 est dada por

vs = L ^ + E
dt

y se resuelve
h it) =

t + I2

(9-26)

donde h es la corriente inicial para el modo 2. Para un sistema estable, la corriente debe abatirse y
la condicin es
^ < 0
dt

Sec. 9 -4

Principio de o peracin ele vad o ra

VS < E

311

Si no se satisface esta condicin, la corriente del inductor se seguira elevando y tendr lugar una
situacin de inestabilidad. Por lo tanto, las condiciones para una transferencia de potencia contro
lable son
0 < Vv < E

(9-27)

La ecuacin (9-27) indica que el voltaje de la fuente Vs debe ser menor que el voltaje E, para per
mitir la transferencia de potencia de una fuente fija (o variable) a un voltaje fijo de cd. En el fre
nado elctrico de motores de cd, donde los motores operan como generadores de cd, el voltaje
terminal se abate conforme se reduce la velocidad de la mquina. El pulsador permite la transfe
rencia de potencia a una fuente fija de cd o a un restato.
Cuando el pulsador est activado, la energa se transfiere desde la fuente V hasta el inductor
L. Si a continuacin el pulsador se desactiva, una magnitud de la energa almacenada al inductor
es forzada a la batera E.
Nota. Sin la accin pulsadora, Vj debe ser mayor que E para transferir potencia desde V,
hasta E.

9-5 PARAMETROS DE RENDIMIENTO


Los dispositivos semiconductores de potencia requieren de un tiempo mnimo para activarse y de
sactivarse. Por lo tanto, el ciclo de trabajo k slo puede controlarse entre un valor mnimo kmm y
un mximo kmax, y por ello, el valor mnimo y el valor mximo del voltaje de salida queda limita
do. La frecuencia de conmutacin del pulsador tambin queda limitada. Se puede observar de la
ecuacin (9-20) que la corriente de la componente ondulatoria de la carga depende inversamente
de la pulsacin / . La frecuencia deber ser lo ms alta posible para reducir la componente ondula
toria de la carga y para minimizar el tamao de cualquier inductor adicional en serie en el circuito
de la carga.

9-6 CLASIFICACION DE PULSADORES


El pulsador reductor de la figura 9 -la slo permite que !a potencia fluya de la fuente a la carga,
conocindose como un pulsador de clase A. Dependiendo de la direccin en la que fluyan la co
rriente y el voltaje, los pulsadores se pueden clasificar en cinco tipos:
Pulsador de clase
Pulsador de clase
Pulsador de clase
Pulsador de clase
Pulsador de clase

A
B
C
D
E

Pulsador de clase A.
La corriente de la carga fluye hacia la carga. Tanto el voltaje co
mo la corriente de la carga son positivos, tal y como se ve en la figura 9-6a. Este es un pulsador
de un solo cuadrante, nombrndosele operado como rectificador. Las ecuaciones en la seccin 9-2
y 9-3 se pueden aplicar para evaluar el rendimiento de un pulsador de clase A.

312

Pulsadores de cd

Cap. 9

(b) C lase B

(d)

Clase D

Figura 9-6

(c) Clase C

(e) Clase E

Clasificacin de los pulsadores.

Pulsador clase B.
La corriente de carga fluye fuera de la carga. El voltaje de la car
ga es positivo, pero la corriente de la carga es negativa, tal y com o se ve en la figura 9-6b. Es
te tambin es un pulsador de un solo cuadrante, pero opera en el segundo cuadrante por lo que
se dice que opera como inversor. En la figura 9-7a aparece un pulsador clase B, en el que la
batera E forma parte de la carga y puede ser la contrafuerza electromotriz de un motor de cd.
Cuando el interruptor S\ es activado, el voltaje E impulsa la corriente a travs del induc
tor L y el voltaje de la carga
se convierte en cero. El voltaje instantneo de la carga v y la

r-K H -1 'W0~'WA

+
v ,-- -

S, /

VL

E0

(1 + k) T

(c) V oltaje de carga

(a) Circuito

Figura 9-7

Sec. 9-6

kT

Clasificacin de p ulsadores

Pulsador clase B.

313

corriente de la carga aparecen respectivamente en las figuras 9-7b y 9-7c. La corriente /, que
aparece, est descrita por
0 = L ^ r + R iL + E
dt
que, con la condicin inicial '(f = 0) = I\ da
E
iL = i xe-W Dt - | (1 - e~(RIL))
R

para 0 < t < k T

(9-28)

En t = t\
i(t = t\ = kT ) = h
Cuando se desactiva el interruptor Si, una magnitud de energa almacenada en el inductor L es de
vuelta a la alimentacin Vs va el diodo D i. La corriente de carga se abate. Redefiniendo el ori
gen de los tiempos / = 0 , la corriente de carga i queda descrita por
Vs = L ^

+ R iL + E

que, con la condicin inicial (f = ti) = h , da


iL = i 2e-WL)t + Vs ~ E (i _ e -WL),)

para 0 < / < r2

(9-29)

donde t2 = (1 - k)T. En t = 12,


iL(t = ti) = f\
=0

para una corriente continua en rgimen permanente


para una corriente discontinua en rgimen permanente

Pulsador de clase C.
La corriente de carga es positiva o negativa, tal y como aparece
en la figura 9-6c. El voltaje en la carga es siempre positivo. Este se conoce como un pulsador de
dos cuadrantes. Se puede combinar pulsadores de clase A y de clase B para formar un pulsador de
clase C, tal y como se muestra en la figura 9-8. Si y >2 operan como un pulsador de clase A. S2 y
D i operan como un pulsador de clase B. Debe tenerse cuidado en asegurarse que los dos interrup
tores no sean disparados juntos; de lo contrario, la alimentacin Vs quedar en corto circuito. Un
pulsador de clase C puede operarse como rectificador o como inversor.

Figura 9-8

314

Pulsador de clase C.

Pulsadores de cd

Cap. 9

v s -=^

Figura 9-9

Pulsador de clase D.

PuIsador clase D.
La corriente en la carga es siempre positiva. El voltaje en la carga es
positivo o negativo, tal y como aparece en la figura 9-6d. Un pulsador de clase D tambin puede
operar como rectificador o como inversor, tal y como se muestra en la figura 9-9. Si Si y S4 son
activados, v e z se convierten en positivos. Si Si y S4 son desactivados, la corriente de carga
ser positiva y continuar fluyendo a travs de la carga altamente inductiva. Los diodos >2 y >3
proporcionan una trayectoria para la corriente de carga y
se invierte.

Pulsador de clase E.
La corriente de carga puede ser positiva o negativa, tal y como
se muestra en la figura 9-6e. El voltaje en la carga tambin puede ser positivo o negativo. Este se
conoce como pulsador de cuatro cuadrantes. Se puede combinar dos pulsadores de clase C para
formar un pulsador de clase E, tal y como aparece en la figura 9 -10a. Las polaridades de voltaje
de la carga y de la comente de carga se muestran en la figura 9 -10b. Los dispositivos que son

(a) Circuito

VL
Inversin

VL
Rectificacin
v L+ve

s 2, d 4

L -V e

l+ v e

D a, Dt

S 1 ,S 4
D2, D<

VL-V 9

vl

S3. 2
S i, U4

S4, D2 "
D2, D3

vl

+ve

l-V e
Rectificacin

L + V e
Inversin

(b) Polaridades

Figura 9-10

Sec. 9 -6

Clasificacin de pulsadores

(c ) Dispositivos en conduccin

Pulsador de clase E.

315

operativos en diferentes cuadrantes aparecen en la figura 9-10c. Para operar en el cuarto cuadran
te, deber invertirse la operacin de la batera E. Este pulsador es la base del inversor monofsico
de puente completo de la seccin 10-4.

9-7 REGULADORES EN M O DO DE CONM UTACION


Los pulsadores de cd se pueden utilizar como reguladores en modo de conmutacin para convertir
un voltaje de cd, por lo general no regulado, a un voltaje de salida de cd regulado. La regulacin se
consigue por lo general mediante la modulacin del ancho de pulso a una frecuencia fija, y el dispo
sitivo de conmutacin por lo regular es un BJT, MOSFET o IGBT de potencia. Los elementos de los
reguladores en modo de conmutacin se muestran en la figura 9-1 la. Podemos observar en la figura
9 -Ib que la salida de los pulsadores de cd con carga resistiva es discontinua y que contiene armni
cas. El contenido de la componente ondulatoria normalmente se reduce mediante un filtro LC.
Los reguladores conmutados estn disponibles en forma comercial como circuitos integra
dos. El diseador puede seleccionar la frecuencia de conmutacin escogiendo los valores de R y C
del oscilador de frecuencia. Como regla prctica, a fin de maximizar la eficiencia, el perodo m
nimo del oscilador debe ser aproximadamente cien veces mayor que el tiempo de conmutacin del
transistor; por ejemplo, si el transistor tiene un tiempo de conmutacin de 0.5 |is, el perodo del
oscilador debe ser de 50 jas, lo que nos da una frecuencia mxima del oscilador de 20 kHz. Esta li
mitacin se debe a las prdidas por conmutacin en el transistor, mismas que se incrementan con
la frecuencia de conmutacin, como resultado, la eficiencia se reduce. Adems, las prdidas en los
Entrada

O----

Salida
Pulsador
de cd

" L T L T
Vr

Control
A m p lificado r

Referencia

(a) D iagram a de bloque

(b)

316

Seales de control

Figura 9-11 Elementos de los regu


ladores en modo de conmutacin.

P u lsad ores de cd

Cap. 9

ncleos de los inductores limitan la operacin en alta frecuencia. El voltaje de control vc se obtie
ne al comparar el voltaje de salida con su valor deseado. vc puede compararse con un voltaje de
diente de sierra vr para generar la seal de control PWM para el pulsador de cd. Esto aparece en la
figura 9-1 Ib. Existen cuatro topologas bsicas para los reguladores conmutados.
1.
2.
3.
4.

Reguladores
Reguladores
Reguladores
Reguladores

reductores
elevadores
reductores/elevadores
Ck ^

9-7.1 Reguladores reductores


En un regulador reductor, el voltaje promedio de salida Va, es menor que el voltaje de entrada, Vs,
de ah la palabra reductor, el cual es muy popular. En la figura 9 -12a aparece el diagrama de
circuito de un regulador reductor que utilizan un BJT de potencia, y que es parecido a un pulsador
reductor. La operacin del circuito se puede dividir en dos modos. El modo 1 empieza cuando se
conecta el transistor Qi en t = 0. La corriente de entrada, que se eleva, fluye a travs del inductor
L, del capacitor de filtro C y de la resistencia de la carga R. El modo 2 empieza cuando se desco
necta el transistor Q en t = i\. El diodo de marcha libre Dm conduce debido a la energa almace
nada en el inductor y la corriente del inductor contina fluyendo a travs de L , C, la carga y el
diodo D m. La corriente del inductor se abate hasta que en el siguiente ciclo el transistor Q se
vuelve a activar. Los circuitos equivalentes correspondientes a los modos de operacin se mues
tran en la figura 9 -12b. Las formas de onda correspondientes a los voltajes y las corrientes apare
cen en la figura 9-12c para un flujo continuo de corriente en el inductor L. Dependiendo de la
frecuencia de conmutacin, de la inductancia del filtro y de su capacitancia, la corriente del induc
tor puede ser discontinua.
El voltaje a travs del inductor L es, en general,

tdi

e L ~ L dt

Si suponemos que la corriente del inductor se eleva linealmente desde I\ hasta Iz en el tiempo ti,
Vs - V a = L

11

= ~
11

(9-30)

es decir,

y la corriente del inductor se abate linealmente desde h hasta I\ en el tiempo h


, A/
-Va= - L
h

(9-32)

o bien
AI L
h = -f
*a

Sec. 9-7

R eguladores en m o d o de co n m u taci n

(9-33)

317

v ..V .

(a) D iagram a de circuito

(b) Circuitos equivalentes

Figura 9-12

Regulador reductor con continua.

donde AI = 2 - h es la corriente de la componente ondulatoria pico a pico del inductor L. Igualan


do el valor de A l en las ecuaciones (9-30) y (9-32), obtenemos
(Ys - Va)tl _ Vah
L
L

318

Pulsadores de cd

Cap. 9

Si sustituimos i = jk T y 2 = (1 - k ) T obtenemos el voltaje prom edio de salida como

Va = V j , = k V s

(9-34)

Si suponemos un circuito sin perdidas, V J S = V J a = kVsIa y la corriente promedio de entrada


ls = k la

(9-35)

El perodo de conmutacin T se puede expresar como

t]

AI L

AIL

vs - Va +

Va

AILVS
Va(Vs - Va)

(9'36)

lo que nos da la corriente de la componente ondulatoria de pico a pico como


AL

= V(Vj L y Va)

(9-37)

es decir,
A I = VMXf

(9-38)

Utilizando la ley de corrientes de Kirchhoff, podemos escribir la corriente del inductor

como

k = ic + io
Si suponemos que la corriente de la componente ondulatoria de la carga Ai0 es muy pequea y
despreciable, A/ = Ac. La corriente promedio del capacitor, que fluye para t\/2 + i-J'l = 772, es
/

El voltaje del capacitor se expresa como


vc = ^ J ic d t + vc(t = 0)
y el voltaje de la componente ondulatoria pico a pico del capacitor es
AVC

1 (TI
( ti2 M
AI ,

vc - vc(t - 0) - c

Jo

4 dt -

AI T
1 _ A
a lI
8C

(9-39)

Si sustituimos el valor de Ai de la ecuacin (9-37) o de la ecuacin (9-38) en la ecuacin (9-39),


obtenemos
Ay = YAV^ J U
c
8L C p V s

(9_40)
J

es decir,

4V = I

<9-4

El regulador reductor requiere de un solo transistor, es sencillo y tiene una alta eficiencia, mayor
del 90%. El dildt de la corriente de carga est limitado por lacorriente delinductor L. Sin embargo,
la corriente de entrada es discontinua y por lo general se requiere deun filtro suavizante de entrada.

Sec. 9-7

R eguladores en m o d o de co n m u taci n

319

Proporciona una polaridad de voltaje de salida y corriente unidireccional de salida. En caso de un


posible corto circuito a travs de la trayectoria del diodo, requiere de un circuito de proteccin.
Ejemplo 9-4
El regulador reductor de la figura 9-12a tiene un voltaje de entrada V* = 12 V. El voltaje prome
dio de salida requerido cs Va = 5 V y el voltaje de la componente ondulatoria pico a pico de sali
da es 20 mV. La frecuencia de conmutacin es 25 kHz.Si la corriente de lacomponente
ondulatoria pico a pico del inductor se limita a 0.8 A, determine (a) el ciclo de trabajo k, (b) la
inductancia filtro L, y (c) el capacitor filtro C.
Solucin V, = 12 V, AVC= 20 mV, AI = 0.8 A, / = 25 kHz, y V a = 5 V .
(a) De la ecuacin (9-34), Va = kVs y k = VJVS = 5/12 = 0.4167 = 41.67%
(b) De la ecuacin (9-37),
5(12 - 5)
= 145.83 /xH
0.8 x 25,000 x 12
(c) De la ecuacin (9-39),
C = 8 x 20 x 10~3 x 25,000

200

9-7.2 Reguladores elevadores


En un regulador elevador, el voltaje de salida cs mayor que el voltaje de entrada, de ah la palabra
elevador. En la figura 9 -13a aparece un regulador elevador que utiliza un MOSFET de potencia. La
operacin del circuito se puede dividir en dos modos. El modo 1 empieza cuando se activa el transis
tor M \ e n i = 0. La corriente de entrada, que se eleva, fluye a travs del inductor L y del transistor
Q\. El modo 2 empieza cuando se desconecta el transistor M\ en t = t\. La corriente que estaba
fluyendo a travs del transistor fluir ahora a travs de L, C, la carga y el diodo D m. La corriente
del inductor se abate hasta que se vuelve a activar en el siguiente ciclo el transistor M\. La energa
almacenada en el inductor L es transferida a la carga. Los circuitos equivalentes para estos modos
de operacin se muestran en la figura 9 -13b. Las formas de onda correspondientes a los voltajes y
las corrientes aparecen en la figura 9 -13c, para una corriente de carga continua.
Si suponemos que la corriente del inductor se eleva linealmente desde I\ hasta h en el tiem
po tu
(9-42)
o bien,
AI L

(9-43)

y la corriente del inductor se abale linealmcntc desde z hasta I\ en el tiempo 12,


(9-44)

(9-45)

320

Pulsadores de cd

Cap. 9

I,

* L -

(L, lL

t
- ------ O-------

i+

*0* l|

<
O

V.

ft<

lc.lc
M l|
.----- I
G

Carga

(a) D iagram a de circuito

L .i.

io

be

Carga I

V.
ve
-

Modo 1
i i , !(.

D ra

(b) Circuitos equivalentes

Figura 9-13

Regulador elevador con continua.

donde AI = 2 - h es la corriente de la componente ondulatoria de pico a pico del inductor L. De


las ecuaciones (9-42) y (9-44)
A

V ,tl

( V a - y , ) h

' L

Si sustituimos i = k T y 12 = (1 - k) T obtenemos el voltaje promedio de salida


V . =

Sec. 9-7

,I

R egu lad ores en m o d o de co n m u taci n

(9 -4 6 )

321

Si suponemos un circuito sin perdidas, VSI S = V J a = VSI J ( 1 - k) y la corriente promedio de entra


da es
h =

(9-47)

El perodo de conmutacin T se puede determinar a partir de


t

= I = , + f _A/L
f
1
2
V,

AI L _
AI LVa
Va - Vs
Vs(Va - Vs)

( 9 ' 4 8 )

y esto nos da la corriente de la componente ondulatoria pico a pico


(Va ~
fL V a

o bien,
AI = Y A

(9-50)

Cuando el transistor est activo, el capacitor suministra la corriente de carga para t = ti. La co
rriente promedio del capacitor durante el tiempo ti es c = a y el voltaje de la componente ondula
toria de pico a pico del capacitor es
AV, = wc - v c(t = 0) =

/, dt =

Ia

(9-51)

La ecuacin (9-46) da t\ = (Va - Vs)/(Vaf), sustituyendo ti en la ecuacin (9-51) obtenemos


A V C = - -y

f ^

(9-52)

es decir,
A Vc = ^

(9-53)

Un regulador elevador puede subir el voltaje de salida sin necesidad de un transformador.


Debido a que slo tiene un transistor, su eficiencia es alta. La corriente de entrada es continua.
Sin embargo, a travs del transistor de potencia debe fluir una corriente pico alta. El voltaje de sa
lida es muy sensible a cambios en el ciclo de trabajo k y puede resultar difcil estabilizar el regu
lador. La corriente promedio de salida es menor que la corriente promedio del inductor en un
factor (1 - k), y una corriente rms mucho ms alta fluir a travs del capacitor de filtro, dando co
mo resultado el uso de un capacitor y un inductor de mayor tamao que los correspondientes en
un regulador reductor.
Ejemplo 9-5_____________________________________________________________________________
El regulador elevador de la figura 9-13a tiene un voltaje de entrada V* = 5 V. El voltaje promedio
de salida Va = 15 V y la corriente promedio de carga la = 0.5 A. La frecuencia de conmutacin es
25 kHz. Si L = 150 |xH y C = 220 |F, determine (a) el ciclo de trabajo k, (b) la corriente de la com
ponente ondulatoria del inductor A/, (c) la corriente pico del inductor 2 y (d) el voltaje de la
componente ondulatoria del capacitor filtro AVc.

322

P u lsad ores de cd

Cap. 9

Solucin V, = 5 V, Va = 15 V, / = 25 kHz, L = 150 |iH, y C = 220 |xF.


(a) A partir de la ecuacin (9-46), 15 = 5/(1 - k) es decir k = 2/3 = 0.6667 = 66.67%.
(b) De la ecuacin (9-49),
A/ = ______5 x .( 1 5 ,- 5 ) _______= 0 89 A
25,000 x 150 x 10- 6 x 15
(c)

De la ecuacin (9-47), Is = 0.5/(l - 0.667) = 1.5 A y la corriente pico del inductor es,
A/
, 0.89
h = h + y = 1.5 + - y - = 1-945 A

(d)

De la ecuacin (9-53),
.

0.5 x 0.6667
_
25,000 x 220 x 106

9-7.3 Reguladores reductores-elevadores


Un regulador reductor-elevador suministra un voltaje de salida que puede ser menor o mayor que
el voltaje de entrada, de ah el nombre reductor-elevador; la polaridad del voltaje de salida es
opuesta a la del voltaje de entrada. Este regulador tambin se conoce como un regulador inversor.
En la figura 9 -14a aparece la disposicin de circuito para un regulador reductor-elevador.
La operacin del circuito se puede dividir en dos modos. Durante el modo 1, el transistor Q
est activo y el diodo D m tiene polarizacin inversa. La corriente de entrada, que se eleva, fluye a
travs del inductor L y del transistor Qi. Durante el modo 2, el transistor Q es conmutado y la co
rriente, que flua a travs del inductor L, fluir a travs de L, C, D m y la carga. La energa almace
nada en el inductor L se transferir a la carga y la corriente del inductor se abatir hasta que el
transistor Q\ vuelva a activarse en el siguiente ciclo. Los circuitos equivalentes para los modos se
muestran en la figura 9-14b. Las formas de onda para los regmenes en estado permanente de co
rrientes y voltajes del regulador reductor-elevador aparecen en la figura 9 -14c para una corriente
de carga continua.
Si suponemos que la corriente del inductor se eleva linealmente desde \ hasta h en el tiem
po *i
V, = L 1-1 ^

11

1 = L
ti

(9-54)

o bien
h =

(9-55)

vx

y la corriente del inductor se abate linealmente desde h hasta I\ en el tiempo ti.


Va = ~ L

*2

(9-56)

es decir,
A /L
h = 7

q e-j\
(9-57)

y a

Sec. 9-7

R egu lad ores en m o d o de c o n m u taci n

323

Dm

Vo

Q,

V.

Carga

Vo. V ,

'L.Il
(a) D iagram a de circuito

io. I.

r l
V.

X C
ic

Carga

'o

M od o 1

1-----------"

=c

Carga

le

1 ..

..............
M odo 2
(b) Circuitos equivalentes

Figura 9-14

Regulador reductor-elevador con continua.

donde A/ = I2 - 1\ es la corriente de la componente ondulatoria pico a pico del inductor L. A partir


de las ecuaciones (9-54) y (9-56),

A/ =

V st |
L

~ V a2
L

Si sustituimos t\ = k T y 2 = (l - k)T, el voltaje promedio de salida es


Va =

324

Vsk
1 - k

(9-58)

P u lsad ores de cd

Cap. 9

Si suponemos un circuito sin prdidas, VSIS = - V a Ia = Vs a k/( 1 - k ) y la corriente promedio de en


trada Is est relacionada con la corriente promedio de salida a mediante la frmula
I = J A 5 1 - k

(9-59)

El perodo de conmutacin T puede determinarse a partir de


T = - = t, + t2 =
~
= ll1 -^ ~ ^
/
'
2
vs
va
v ,v a

(9-60)

y esto nos da la corriente de la componente ondulatoria pico a pico


A /= 7 X ^ V T )

(9-61)

*,
V ,k
AI = J

(9-62)

o bien,

Cuando el transistor Q\ est activo, el capacitor de filtro proporciona la corriente de carga durante
= ti. La corriente promedio de descarga del capacitor es Ic = Ia y el voltaje de la componente on
dulatoria pico a pico del capacitor es
a v .- = C J

CJ<>

,jrc

(9-63)

La ecuacin (9-58) da ti = VJ[(Va - V'j.)/] y la ecuacin (9-63) se convierte en


/ V
A y = ------- 22-----r
(Va - v , ) f c

(9-64)
}

es decir,
A V, = ^

(9-65)

Un regulador reductor-elevador suministra inversin de polaridad de voltaje de salida sin


necesidad de un transformador. Tiene alta eficiencia. En caso de una falla del transistor, el dildt de
la corriente de falla queda limitado por el inductor L y ser V J L . Sera fcil poner en prctica la
proteccin en corlo circuito de la salida. Sin embargo, la corriente de entrada es discontinua y a
travs del transistor Q\ fluye una corriente de pico alta.
Ejemplo 9-6____________________________________________________________________________
El regulador reductor-elevador de la figura 9-14a tiene un voltaje de entrada = 12 V. El ciclo de
trabajo k = 0.25 y la frecuencia de conmutacin es 25 kHz. La inductancia L = 150 (J.H y la capaci
tancia del filtro C = 220 jF. La corriente promedio de carga es la = 1.25 A. Determine (a) el voltaje
promedio de salida, Va; (b) la componente ondulatoria del voltaje de salida pico a pico, AVC; (c) la
corriente ondulatoria pico a pico del inductor, A/; y (d) la corriente pico del transistor Ip.
Solucin
12 V , = 0.25,/ = 1.25 A ,/ = 25kHz,L = 150pH, y C = 2 2 0 pF.
(a) Partiendo de la ecuacin (9-58), Va = -1 2 x 0.25/(l - 0.25) = -4V.

Sec. 9-7

R egu lad ores en m o d o de co n m u taci n

3 25

(b) De la ecuacin (9-65), el voltaje de la componente ondulatoria pico a pico de salida es

(c) Partiendo de la ecuacin (9-62), la componente ondulatoria pico a pico del inductor es
A/

25,000 x 150 x IO-6

0-8 A

(d)
De la ecuacin (9-59), s = 1.25 x 0.25/(l - 0.25) = 0.4167 A. Dado que s es promedio
de la duracin kT, la corriente pico a pico del transistor

9-7.4 Reguladores Ck
La disposicin de circuito del regulador Ck que utiliza un BJT de potencia aparece en la figura
9 -15a. Al igual que el .v e la d o r reductor-elevador, el regulador Ck proporciona un voltaje de
salida que puede ser menor o mayor que el voltaje de entrada, pero la polaridad del voltaje de sali
da es opuesta a la polaridad del voltaje de entrada. Se llama as en honor a su inventor [1], Cuan
do se conecta el voltaje de entrada y se desactiva el transistor Q, el diodo D m queda con
polarizacin directa y el capacitor C\ se carga a travs de L \, D m y el suministro de entrada, Vs.
La operacin del circuito se puede dividir en dos modos. El modo 1 empieza cuando se acti
va el transistor Q en t = 0. La corriente se eleva a travs del inductor L \. Simultneamente, el vol
taje del capacitor C\ pone en polarizacin inversa al diodo D m y lo desactiva. El capacitor C i
descarga su energa en el circuito formado por C \,C z, la carga y L%. El modo 2 empieza cuando se
desconecta el transistor Qi en t = ti. Se carga el capacitor C\ a partir del suministro de entrada y la
energa almacenada en el inductor 2 se transfiere a la carga. El diodo D m y el transistor Q\ pro
porcionan una conmutacin sncrona. El capacitor Ci es el medio para la transferencia de energa
de la fuente a la carga. Los circuitos equivalentes para los modos se muestran en la figura 9-15b y
las formas de onda para los voltajes y corrientes en rgimen permanente se muestran en la figura
9-15c para una corriente de carga continua.
Si suponemos que la corriente del inductor L\ se eleva linealmente desde l u hasta l m en
el tiempo ti,
(9-66)
es decir,

_ A /,L,

(9-67)

T/

y debido al capacitor cargado C u la corriente del inductor Li se abate linealmente desde l u z hasta
/ n en el tiempo 12.
(9-68)

326

Pulsadores de cd

Cap. 9

Figura 9-15

Rcguacfor Ck.

o bien,

Sec. 9-7

R egu lad ores en m o d o de co n m u taci n

327

donde Vci es el voltaje promedio del capacitor C i, y A/i = I l u - l \\- De las ecuaciones (9-66) y
(9-68)
A T

~ ( V s

L\

Vcl)t2

L\

'Si sustituimos i = k T y 2 = (1 - k)T, el voltaje promedio del capacitor C\ es


Vr, = y z j

(9-70)

Si suponemos que la corriente del inductor de filtro L2 se eleva linealmente desde L2\ hasta Ilzz
en el tiempo i,
V,, + V. = Z*

= L, ^
11

l\

(9-71)

o bien,

y la corriente del inductor 2 se abate lincalmente desde /22 hasta /21 en el tiempo 2

A/

Va = - L 2 ^
h

(9-73)

<2 -

(9-74)

o bien,
- ^

* /7

donde A/2 = 122 - / 2i- De las ecuaciones (9-71) y (9-73)


A /

(Vcl

V a)h

V a h

L2

Si sustituimos i = kT y 2 = (1 - k)T, el voltaje promedio del capacitor C 1 es


Vd = - y

(9-75)

Igualando la ecuacin (9-70) con la ecuacin (9-75), podemos determinar el voltaje promedio de
salida como
v. - - r h

(9-76)

Si suponemos un circuito sin prdidas, VSIS= - V ala = Vslak/( 1 - k) y la corriente promedio de en


trada,
klu

. = ~

(9-77)

El periodo de conmutacin T se puede determinar a partir de las ecuaciones (9-67) y (9-69)

1
r =

328

A/|Li
=

f, + h =

A/|L|

A/]jVci

- y s _ Vcl - Vj(Vj

_ Vcl)

Pulsadores de cd

(9-78)

Cap. 9

lo que nos da la corriente de la componente ondulatoria pico a pico del inductor L\ como

JL\Vc\^

A /, - - Vf ~

<9-79,

de otro modo
A /, = ^
JL i

(9-80)

El perodo de conmutacin T tambin se puede determinar a partir de las ecuaciones (9-72) y (9-74)

T= I = , + , =

1 2

vcl + va

va

-t^h U V cx

n Rn

v a( v cl + v fl)

(9' 81)

esto nos da la corriente de la componente ondulatoria pico a pico del inductor L2 como

V.)

(9 82)

J L 2 Vci
o bien,
A I 2 = - Va{\ ~ k) = ^
jLi
JL2

(9-83)

Cuando el transistor Q\ est desactivado, el capacitor C 1 de transferencia de energa est cargado


por la corriente de entrada durante el tiempo t = 12. La corriente promedio de carga para C 1 es Ic\
= Is y el voltaje de la componente ondulatoria pico a pico del capacitor C\ es
! ' ' ' 1 = 7C,?
c, Jo

C, Jo *C1

<9-84>

La ecuacin (9-76) da 12 = VJ[(VS - Va)f] por lo que la ecuacin (9-84) se convierte en

AV<;1

(V, - V a) f Ci

(9'85)

o bien,
AVC, = /;(1
k)
JC1

(9-86)

Si suponemos que la componente ondulatoria de la corriente de carga Ai0 es despreciable, A2 =


iC2- La corriente promedio de carga de C2, que fluye durante el tiempo 772, es li, A/2/4 y el volta
je de la componente ondulatoria pico a pico del capacitor C2 es

1 (T12
AVc2 = ^ / o 7,2 * =

frn A/->
o

A/->
= SfC2

es decir
Ay

c2

VaU

*>

8 C 2L 2 / 2

8 C2L 2f 2

( 88)

El regulador Ck est basado en el capacitor de transferencia de energa. Como resultado, la


corriente de entrada es continua. El circuito tiene bajas prdidas de conmutacin y una alta efi-

Sec. 9-7

R egu lad ores en m o d o de co n m u taci n

329

ciencia. Cuando el transistor Q\ se activa, tiene que conducir las corrientes de los inductores L \ y
2- Como resultado, a travs del transistor Q\ fluye una alta corriente de pico. Dado que el capaci
tor proporciona la transferencia de energa, tambin resulta alta la corriente de la componente on
dulatoria del capacitor Ci. Este circuito requiere tambin de un capacitor e inductor adicional.
Ejemplo 9-7

______________________________________________________________

El voltaje de entrada de un convertidor Ck mostrado en la figura 9 -15a es, V, = 12 V. El ciclo


de trabajo k = 0.25 y la frecuencia de conmutacin es 25 kHz. La inductancia del filtro es L2 =
150|iH y la capacitancia del filtro es C2 = 220 (iF. La capacitancia de transferenciade energa es
C 1 = 200 |iF y la inductancia L\ = 180 (J.H. La corriente promedio de carga es / =1.25 A.Deter
mine (a) el voltaje promedio de salida V (b) la corriente promedio de entrada Is\ (c) la corriente
de la componente ondulatoria pico a pico del inductor L\, AI\\ (d) el voltaje de la componente
ondulatoria pico a pico del capacitor C\, AV^i; (e) la corriente de la componente ondulatoria pico
a pico del inductor L2, A/2; (0 el voltaje de la componente ondulatoria pico a pico del capacitor
C2, A^ 2; y (g) la corriente pico del transistor Ip.
Solucin Vs = 12 V, k = 0.25, la = 1.25 A, / = 25 kHz, L, = 180 ^H, C, = 200 |iF, L2 = 150
^tH, y C2 = 220 J.1F.
(a) De la ecuacin (9-76), Va = -0.25 x 12/(1 - 0.25) = -4V.
(b) De la ecuacin (9-77), Is = 1.25 x 0.25/(l - 0.25) = 0.42 A.
(c) De la ecuacin (9-80), A1\ = 12 x 0.25/(25,000 x 180 x 10 6) = 0.67 A.
(d) De la ecuacin (9-86), AVc] = 0.42 x (1 - 0.25)/(25,000 x 200 x 10^) = 63 mV.
(e) De la ecuacin (9-83), A/2 = 0.25 x 12/(25,000 x 150 x 10-6) = 0.8 A.
(f) De la ecuacin (9-87), Vc2 = 0.8/(8 x 25,000 x 220 x O^6) = 18.18 mV.
(g) El voltaje promedio a travs del diodo se puede determinar a partir de
Vdm = - k V c = -V k ^

= V

(9-89)

En el caso de un circuito sin prdidas, luVdm = VJa, y el valor promedio de corriente en el in


ductor L2 es
/

L1

Vdm
= 1.25 A

(9.90)

Por lo tanto, la corriente pico del transistor es


Ip = Is + ^ Y

+ L 2 + ^ Y

0.42

1.25

2.405 A

9-7.5 Limitaciones de conversin en un paso


Los cuatro reguladores utilizan un solo transistor, que usa slo la conversin en un paso, y requie
ren de inductores y capacitores para la transferencia de energa. Debido a la limitacin de un solo
transistor en el manejo de la corriente, la potencia de salida de estos reguladores es pequea, tpi
camente de decenas de watts. A una corriente ms alta, el tamao de estos componentes aumenta,
con mayores prdidas en los componentes, y la eficiencia se reduce. Adems, no hay aislamiento
entre los voltajes de entrada y de salida, criterio altamente deseable en la mayor parte de las apli
caciones. Para aplicaciones de alta potencia, se utilizan conversiones multietapa, en las que un
voltaje de cd es convertido mediante un inversor a ca. La salida de ca se asla mediante un trans
formador, y a continuacin se convierte a cd mediante rectificadores. Las conversiones en varias
etapas se analizan en la seccin 13-4.

330

Pulsadores de cd

Cap. 9

9-8 CIRCUITOS PULSADORES CON TIRISTORES


Un circuito pulsador utiliza un tiristor de desactivacin rpida como conmutador, y requiere de circuitera de conmutacin para la desactivacin. Existen varias tcnicas mediante las cuales se puede
desactivar un tiristor, mismas que se describen en detalle en el captulo 7. Durante las. primeras eta
pas de desarrollo de los tiristores de desactivacin rpida, se han publicado varios circuitos de pul
sadores. Los diferentes circuitos son el resultado de cumplir ciertos criterios: (1) la reduccin del
lmite de tiempo mnimo activo, (2) una alta frecuencia de operacin y (3) una operacin confiable.
Sin embargo, con el desarrollo de los dispositivos de conmutacin altemos (es decir, transistores de
potencia, GTO), se han limitado las aplicaciones de los circuitos pulsadores de tiristor a los niveles
de alta potencia, en especial al control de los motores de traccin. Algunos de los circuitos pulsado
res utilizados por los fabricantes de equipo de traccin se analizan en esta seccin.
9-8.1 Pulsadores conmutados por impulso
El pulsador conmutado por impulso es un circuito muy comn con dos tiristores, tal y como se
muestra en la figura 9-16; tambin se conoce como pulsador clsico. Al principio de la operacin,
el tiristor T t se dispara lo que hace que el capacitor de conmutacin C se cargue a travs de la car
ga hasta el voltaje Vc> que debe ser el voltaje de alimentacin V en el primer ciclo. La placa A se
hace positiva con respecto a la placa B. La operacin del circuito se puedp dividir en cinco modos,
los circuitos correspondientes equivalentes bajo condiciones de rgimen permanente se muestran
en la figura 9-17. Supondremos que la corriente de la carga se conserva constante en el valor pico
Im durante el proceso de conmutacin. Tambin definiremos de nuevo el origen de los tiempos, t
= 0 , en el principio de cada uno de los modos.
El modo 1 empieza con el disparo de T\. La carga se conecta con la alimentacin. El capaci
tor de conmutacin C tambin invierte su carga a travs del circuito inversor resonante formado
por T \,D \ y L m. La corriente resonante est dada por
(9-91)
El valor pico de la corriente inversora resonante es
(9-92)
El voltaje del capacitor se determina a partir de
v c(0 = V c cos wmt

(9-93)

Carga

Figura 9-16
por impulso.

Sec. 9 -8

Circuitos pulsadores con tiristo res

Pulsador conmutado

331

; r

......
ir

V.
U

D,

Carga

M odo 1

M od o 3

Figura 9-17

M odo 5

M odo 4

Circuitos equivalentes de los modos.

donde a>m = 1H L mC. Despus del tiempo t = tr = i d L mC, el voltaje del capacitor se invierte a
- V c. Esto a veces se conoce como la preparacin de conmutacin del pulsador.
El modo 2 empieza cuando se dispara el tiristor de conmutacin T%. Un voltaje inverso Vc se
aplica a travs del tiristor principal y ste se desactiva. El capacitor C se descarga a travs de la
carga desde -V c hasta cero y este tiempo de descarga, que tambin se conoce como tiempo de de
sactivacin del circuito o tiempo disponible del circuito, est dado por
KC

(9-94)

'off

donde m es la corriente pico de la carga. El tiempo de desactivacin del circuito 0ff debe ser ma
yor que el tiempo de desactivacin del tiristor, tq. t 0rr vara con la corriente de la carga y debe ser
diseado para la condicin de peor caso, que ocurre en el valor mximo de la corriente de carga y
en el valor mnimo del voltaje del capacitor.
El tiempo requerido para que el capacitor se vuelva a cargar hasta el voltaje de alimentacin
se conoce como tiempo de recarga y est dado por
-

VsC

(9-95)

ln

Por lo tanto, el tiempo total necesario para que el capacitor se descargue y se vuelva a cargar se
llama tiempo de conmutacin, y cs
(9-96)

te - tof + td

Este modo termina en t = tc cuando el capacitor de conmutacin C se vuelve a cargar en V, y el


diodo de marcha libre D m empieza a conducir.
El modo 3 empieza cuando el diodo de marcha libre D m empieza a conducir y la corriente
de la carga se abate. La energa almacenada en la inductancia de la fuente Ls (adems de cualquier
otra inductancia dispersa en el circuito) se transfiere al capacitor. La corriente es
(9-97)

I m COS 0 ) f t

332

Pulsadores de cd

Cap. 9

y el voltaje instantneo del capacitor es


v c(t) = V s + I m

Vc

sen <ast

(9-98)

donde o> = 1 /V LSC. Despus del tiempo t = ts = 0.5 k ^ L sC, esta corriente de sobrecarga se con
vierte en cero y el capacitor se recarga hasta
Vx = Vs + AV

(9-99)

donde AV y Vx son el sobrevoltaje y el voltaje pico del capacitor de conmutacin, respectivamen


te. La ecuacin (9-98) da el voltaje de sobrecarga como
(9-100)
El modo 4 empieza cuando se ha terminado la sobrecarga y la corriente de carga sigue aba
tindose. Es importante observar que este modo existe debido a que el diodo D i permite que con
tine la oscilacin resonante del modo 3 a travs del circuito formado por D m, D , C y la
alimentacin. Esto reducir la carga del capacitor de conmutacin C; la corriente de esta carga re
ducida a travs del capacitor est dada por
(9-101)
El voltaje del capacitor de conmutacin es
vc(t) = Vx AV(1 - eos <t)

(9-102)

donde cou = 1/V C(LS + L m). Despus del tiempo t = tu = W C(LS + L m), la corriente de reduccin
de la carga se convierte en cero y el diodo D \ deja de conducir. La ecuacin (9-102) da el voltaje
disponible de conmutacin del capacitor como
Vc = V, - 2AV = Vs - AV

(9-103)

Si no hay sobrecarga, tampoco habr carga reducida.


El modo 5 empieza cuando termina el proceso de conmutacin y la corriente de carga sigue
abatindose a travs del diodo Dm. Este modo termina cuando el tiristor principal se vuelve a dis
parar y comienza el siguiente ciclo. Las distintas formas de onda para las corrientes y los voltajes
aparecen en la figura 9-18.
El voltaje promedio de salida del pulsador cs
V0 = - [ V sk T + t c - ( Vc + V,)

(9-104)

Podra notarse de la ecuacin (9-104) que incluso en k = 0 el voltaje de salida se convierte en


Va(k = 0) = 0.5 f t c(V c + Vs)

(9-105)

Esto limita el voltaje mnimo de salida del pulsador.Sin embargo, el tiristor Ti debe estar
activo por un tiempo mnimo tr = i d L mC para que la inversin de cargas del capacitor tenga lugar
y tr quede fijo para un diseo de circuito en particular. Por lo tanto, tambin quedan denidos el
ciclo de trabajo mnimo y el voltaje mnimo de salida.
tr = kminT = n V L mC
Sec. 9 -8

Circuitos pulsadores de tiristo r

(9-106)

3 33

Figura 9-18 Formas de onda para


el pulsador conmutado por impulso.

El ciclo de trabajo mnimo


kmin = trf = 7rf V L mC

(9-107)

El voltaje promedio mnimo de salida


^ o ( m n ) ^

m n

V, + 0.5e(Vc + Vs) f
(9 108)

= f [ V str + 0.5c(Ve + V,)]

Si se controla la frecuencia del pulsador, se puede variar el voltaje mnimo de salida


Normalmente, Vo(mn) est fijo por el requisito de diseo a un valor permisible.
El valor mximo del ciclo de trabajo tambin est limitado a fin de permitir que el capacitor
de conmutacin se descargue y se vuelva a cargar. El valor mximo de este ciclo de trabajo est

334

P u lsad ores de cd

C ap. 9

dado por
^max T = T ~ tc ~ ts ~
y

(9-109)
,
^max

, _ tc. + ts + tu
y

El voltaje mximo de salida


V(max) = /CmaxVv + 0.5?,(V, + V, ) /

(9-110)

Un pulsador ideal con tiristor no debe tener lmite alguno en (1) el tiempo activo mnimo, (2)
el tiempo activo mximo, (3) el voltaje de salida mnimo, y (4)la frecuencia mxima de pulsacin.
El tiempo de desactivacin /0ff debe ser independiente de la corrientedela carga. A una frecuencia
mayor, las corrientes de la componente ondulatoria de la carga y la corriente armnica de la ali
mentacin debern hacerse ms pequeas. Adems, se reducira el tamao del filtro de entrada.
Este circuito pulsador es muy sencillo y requiere de dos tiristores y un diodo. Sin embargo,
el tiristor principal T\ tiene que conducir la corriente resonante inversora, incrementando por lo
tanto su especificacin de corriente pico y limitando el voltaje de salida mnimo. El tiempo de
carga y descarga del capacitor de conmutacin dependen de la corriente de la carga, esto limita la
operacin en alta frecuencia, especialmente en condiciones de baja corriente de la carga. Este pul
sador no puede probarse sin conectar la carga. Este circuito tiene muchas desventajas. Sin embar
go, es un buen indicador de los problemas de la conmutacin de tiristores.
Nota. El tiempo disponible de desactivacin 0ff, el tiempo de conmutacin tc y el sobrvoltaje dependen de la corriente pico de carga Im y no del valor promedio fa.
Ejemplo 9-8............................. ..................................

...... .....................................................

Una carga altamente inductiva controlada por el pulsador de la figura 9-16 requiere de una co
rriente promedio a = 425 A con un valor pico de In = 450 A. El voltaje de entrada de la alimen
tacin es V* = 20 V. La frecuencia de pulsacin es / = 400 Hz y el tiempo de desactivacin del
tiristor principal es tq = 18 )is. Si la corriente pico a travs del tiristor principal est limitada al
180% de l m y la inductancia de la fuente (incluyendo una inductancia dispersa) es despreciable
(Ls = 0), determine (a) la capacitancia de conmutacin C, (b) la inductancia Lm, y (c) el voltaje de
salida mnimo y mximo.
Solucin l a = 425 A, Im = 450 A, / = 400 Hz, tq = 18 (xs y Ls = 0.
(a) De las ecuaciones (9-99), (9-100) y (9-103), el sobrevoltaje es AV = 0 y Vc = Vx = Vs =
220 V. De la ecuacin (9-94), el requisito de desactivacin nos da
off ~

V,C
i ^ tq
*nt

y C > Imtq/Vc = (450 x 18/220) = 36.8 JJ.F. Hagamos que C = 40 (i.F.


(b) De la ecuacin (9-92), la corriente resonante de pico
WJF
lp = 1.8 x 450 - 450 = 220
que nos da la inductancia Lm = 14.94 (J.H.
(c) A partir de la ecuacin (9-94), el tiempo de descarga, Qff = (220 x 40)/450 = 19.56 |is.
De la ecuacin (9-95), el tiempo de recarga, = (220 x 40)/450 = 119.56 (xs. A partir de la ecua

Sec. 9-8

Circuitos p ulsado res con tiristo res

335

cin (9-96), el tiempo total, t = 19.56 x 2 = 39.12 (is. De la ecuacin (9-106), el tiempo de inver
sin resonante,
tr = 7 t[( 14.94 x 40) x 10-1J],fl = 76.8
De la ecuacin (9-107), el ciclo de trabajo mnimo, &mn = trf = 0.0307 = 3.07%. De la ecuacin
(9-108), el voltaje mnimo de salida
V0(min) = 0 0307 x 220 + 0.5 x 39.12 x 10-* x 2 x 220 x 400 = 6.75 + 3.44 = 10.19 V
Dado que no hay ninguna sobrecarga, tampoco habr periodo de sobrecarga, y de reduccin de la
carga, tu = ts = 0. De la ecuacin (9-109), el ciclo de trabajo mximo, m* = 1 - (tc + tu + ts) f =
0.984; y de la ecuacin (9-110), el voltaje mximo de salida,
V^mx) = 0.984 x 220 + 0.5 x 39.12 x lO*6x 2 x 220 x 400 = 216.48 + 3.44 = 219.92 V

9-8.2 Efectos de las inductancias de la alimentacin y de la carga


La inductancia de la alimentacin juega un papel importante en la operacin del pulsador, a fin de
limitar el voltaje transitorio a un nivel aceptable, esta inductancia deber ser tan pequea como
sea posible. Resulta evidente de la ecuacin (9-100) que el capacitor de conmutacin se sobrecar
ga debido a la inductancia de la alimentacin Ls, y que los dispositivos semiconductores estarn
sujetos a este voltaje de capacitor. Si no se puede garantizar el valor mnimo de la inductancia de
alimentacin, se requerir de un filtro de entrada. En los sistemas prcticos, siempre existe la in
ductancia dispersa y su valor depende del tipo de alambrado y de la disposicin fsica de los com
ponentes. Por lo tanto, en la ecuacin (9-100), L tiene un valor finito y el capacitor siempre se
sobrecarga.
Debido a la inductancia Ls y al diodo D i de la figura 9-16, tambin el capacitor se queda por
debajo de la carga, esto puede causar problemas de conmutacin al pulsador. La ecuacin (9-20)
indica que la corriente de la componente ondulatoria de la carga es una funcin inversa de la in
ductancia de la misma y de la frecuencia de pulsacin. De ah que la corriente pico de la carga sea
dependiente de su componente inductiva. Por lo tanto, los rendimientos del pulsador tambin que
dan influidos por la inductancia de la carga. Normalmente, a fin de limitar la corriente de la com
ponente ondulatoria, se conecta una inductancia suavizadora en serie con la carga.
Ejemplo 9-9_____________________________________________________________________________
Si la alimentacin del ejemplo 9-8 tiene una inductancia Ls = 4 xH, determine (a) el voltaje pico
del capacitor Vx, (b) el tiempo de desactivacin disponible f0ff, y (c) el tiempo de conmutacin tc.
Solucin l a = 425 A, m = 450 A, Vs = 220 V, / = 400 Hz, tq = 18 (is, L, = 4 |iH, y C = 40 (J.F.
(a) De la ecuacin (9-100), el sobre voltaje AV = 450 x V 4/40 = 142.3 V. De la ecuacin
(9-99), el pico del capacitor Vx = 220 + 142.3 = 362.3 V, y de la ecuacin (9-103), el voltaje dis
ponible de conmutacin, Vc = 220 - 142.3 = 77.7 V.
(b) De la ecuacin (9-94), el tiempo de desactivacin disponible, Qff = (77.7 x 40)/450 =
6.9 [is.
(c) De la ecuacin (9-95), el tiempo de recarga, t = (220 x 40)/450 = 19.56 jxs, y de la
ecuacin (9-96), el tiempo de conmutacin tc = 6.0 + 19.56 = 26.46 (is.

336

P u lsad ores de cd

Cap. 9

Nota. El requisito de desactivacin del tiristor principal es 18 |is, en tanto que el tiempo de
desactivacin disponible es nicamente 6.9 (o.s. Por lo tanto ocurrir una falla de conmutacin.
9-8.3 Pulsadores de tres tiristores conmutados por impulso
El problema de la carga reducida se puede remediar reemplazando el diodo D i por el tiristor 73,
tal y como aparece en la figura 9-19. En un buen pulsador, el tiempo de conmutacin, tc, ideal
mente deber ser independiente de la corriente de carga. Si se aade un diodo antiparalelo D a
travs del tiristor principal, puede lograrse que tc sea menos dependiente de la corriente de carga,
como lo muestran las lneas punteadas en la figura 9-19. En la figura 9-20 aparece una versin
modificada del circuito, en la que, mediante el disparo del tiristor Ts, se lleva a cabo la inversin
de la carga del capacitor en forma independiente del tiristor principal T\. Existen cuatro modos
posibles y sus circuitos equivalentes se muestran en la figura 9-21.

r
1

L,

V c 'f c
Ti

O------ ~l

Df

Tl
* 0*

v,
-p # -

f0
O)
(0
;
Figura 9-19 Pulsador de tres tiristores
conmutado por impulso.

Figura 9-20 Pulsador conmutado por


impulso con inversin independiente de
la carga.

M od o 3

Sec. 9 -8

M odo 4

Circuitos p ulsado res con tiristo res

Figura 9-21

Circuitos equivalentes.

337

El modo 1 inicia con el disparo del tiristor principal Ti y la carga queda conectada a la ali
mentacin. Para invertir la carga del capacitor C, el tiristor
puede dispararse al mismo tiempo
que 7V Si esta inversin de la carga se hace en forma independiente, el voltaje mnimo de salida no
se limitar debido a la inversin resonante, como en el caso del pulsador clsico de la figura 9-16.
El modo 2 principia con el disparo del tiristor de conmutacin Tt, y el capacitor se descarga
y se recarga a travs de la carga, a una velocidad que queda determinada por la corriente en la
misma.
El modo 3 inicia cuando el capacitor es recargado al voltaje de alimentacin, y el diodo de
marcha libre D m inicia su conduccin. Durante este modo, el capacitor se sobrecarga debido a la
energa almacenada en la inductancia de la alimentacin, L s, y la corriente de la carga se abate a
travs de D m. Este modo termina cuando la corriente de sobrecarga se reduce a cero.
El modo 4 empieza cuando el tiristor Ti deja de conducir. El diodo de marcha libre D m con
tina conduciendo y la corriente de carga contina abatindose.
Todas las ecuaciones para el pulsador clsico, excepto (9-101), (9-102) y (9-103), son vli
das para este tipo de pulsador. El modo 4 del pulsador clsico no es aplicable. El voltaje de con
mutacin disponible
VC = V X = V S + AV

(9-111)

Para el pulsador de la figura 9-20, la inversin resonante es independiente del tiristor princi
pal y el tiempo mnimo activo del pulsador no est limitado. Sin embargo, el tiempo de conmuta
cin es dependiente de la corriente de la carga y la operacin en alta frecuencia est limitada. El
circuito del pulsador no se puede probar sin conectar la carga.
9-8.4 Pulsadores de pulso resonante
En la figura 9-22 se muestra un pulsador de pulso resonante. En cuanto se cierra la alimentacin,
el capacitor se conecta a un voltaje Vc a travs de Lm> D\ y la carga. La operacin del circuito se
puede dividir en seis modos y los circuitos equivalentes aparecen en la figura 9-23. Las formas de
onda de las corrientes y voltajes aparecen en la figura 9-24. En el anlisis siguiente, redefiniremos
el origen de los tiempos t = 0 al principio de cada uno de los modos.
El modo 1 inicia con el disparo del tiristor principal T\ y la alimentacin se conecta con la
carga. Este modo es vlido para t = kT.
El modo 2 se inicia cuando se dispara el tiristor de conmutacin Tj. El capacitor de conmu
tacin invierte su carga a travs de C, Lm y T-.

Figura 9-22

338

Pulsador de pulso resonante.

Pulsadores de cd

Cap. 9

.....

c.. ___ mrV


L c
Vc
'c
g>
(0
1 W---u

ZL

V.

v,

!'

T3
1
M odo 2

M od o 1

Li + Lm

+*

L.

T,

i.

D,

+i

m
0)
(0
U

V.

lm

Dt
Hb V(

V,

1
M odo 4

M od o 3

Li + U

Im

V,

Di

Ti

y 'm

-*
l

;o
V,

Dm;c

J
M odo 6

Modo 5

Figura 9-23

Circuitos equivalentes para los modos.

La corriente inversa est dada por


if

i{

Vc y ^

sen wm

Ip sen o)m

(9-112)

y el voltaje del capacitor es


Vc(t) = Vc COS (mt

(9-113)

donde (om = 1H L mC. Despus del tiempo t = tr = tW L mC, el voltaje del capacitor se invierte a
-V c. Sin embargo, contina la oscilacin resonante a travs del diodo Di y de 'A. La corriente de
pico resonante, lp, debe ser mayor que la corriente de carga Im y el circuito se disea normalmente
para una relacin pHm= 1.5.
El modo 3 empieza cuando T%es autoconmutado y el capacitor se descarga debido a la osci
lacin resonante a travs del diodo D\ y T. Este modo termina cuando la corriente del capacitor
se eleva al nivel de Im. Si suponemos que la corriente del capacitor se eleva en forma lineal desde
cero hasta l m y que la corriente del tiristor A cae desde Im hasta 0 en el tiempo tx, la duracin de
este modo es
In:

(9-114)

Vc
y el voltaje del capacitor se abate a
V, = Vc

Sec. 9 -8

Ini

2C

Circuitos p ulsado res con tiristo res

vc

L 12
2 CVc

(9-115)

339

Figura 9-24

Formas de onda del pulsador.

El modo 4 empieza cuando la corriente a travs de T\ cae hasta cero. El capacitor contina
descargndose a una velocidad determinada por la corriente pico de la carga. El tiempo de desac
tivacin disponible, es
to

VjC

(9-116)

El tiempo requerido para que el capacitor se vuelva a cargar al voltaje de alimentacin,


V ,C

(9-117)

El tiempo total de descarga y recarga al voltaje de alimentacin Vs es tc = f0ff + tdEl modo 5 empieza al iniciar la conduccin del diodo de marcha libre D m la corriente de
carga se abate a travs de D m. La energa almacenada en la inductancia L m y en la inductancia de
la alimentacin L s se transfiere al capacitor C. Despus del tiempo t s = tcV ( L s + L m ) C , la corriente
de sobrecarga se convierte en cero y el capacitor se recarga a
(9-118)

Vr = V , + AV

340

Pulsadores de cd

Cap. 9

donde
/
AV = I m y j

I / .4
^

(9-119)

El modo 6 inicia cuando la sobrecarga est completa y el diodo


se desactiva. La corriente
de carga sigue abatindose hasta que se vuelve a activar el tiristor principal en el ciclo siguiente.
En la condicin de rgimen permanente, Vc - Vx. El voltaje promedio de salida est dado por
V 0 = l [Vsk T + VAtr + tx) + 0.5tc(V t + Vs)]
1

(9-120)

= v , k + f [ ( t r + Q V s + 0.5,(V ] + Vs)\
Aunque el circuito no tiene ninguna restriccin sobre el valor mnimo del ciclo de trabajo k, en la
prctica, el valor de k no puede ser cero. El valor mximo de k es
kmax = 1 ~ (tr + tx + tt) f

(9-121)

Debido a la conmutacin por pulso resonante, el dildt inverso del tiristor T\ queda limitado
por el inductor Lm, esto tambin se conoce como conmutacin suave. La inversin resonante es
independiente del tiristor T\. Sin embargo, la inductancia, L m, sobrecarga al capacitor C y, por lo
que las especificaciones de voltaje de los componentes debern ser mayores. Una vez disparado el
tiristor T2, el capacitor tiene que invertir su carga antes de desactivar al tiristor Ti. Existe un retra
so inherente en la conmutacin que limita el tiempo activo mnimo del pulsador. El tiempo de
conmutacin tc es dependiente de la corriente de la carga.
Ejemplo 9-10___________________________________________________________________________
Una carga altamente inductiva controlada por el pulsador de la gura 9-22 requiere de una co
mente promedio la = 425 A con un valor pico lm = 450 A. El voltaje de alimentacin Vs = 220 V.
La frecuencia de pulsacin / = 400 Hz, la inductancia de conmutacin Lm = 8 |iH, y la capacitan
cia de conmutacin C = 40 (J.F. Si la inductancia de la fuente (incluyendo la inductancia dispersa)
es Ls = 4 |j.H, determine (a) la corriente resonante pico lp, (b) el voltaje de carga pico Vx, (c) el
tiempo de desactivacin 0ff, y (d) el voltaje de salida mnimo y mximo.
Solucin El tiempo de inversin tr = JtV 8 x 40 = 56.2 (0,s. De la ecuacin (9-119), el sobrevoltaje AV = 450V (8 + 4)/40 = 246.5 V y de la ecuacin (9-118), el voltaje pico del capacitor Vc =
Vx = 220 + 246.5 = 466.5 V.
(a) De la ecuacin (9-112), p = 466.5V 40/8 = 1043.1 A.
(b) De la ecuacin (9-114), tx = 8 x 450/466.5 = 7.72 (xs y de la ecuacin (9-115), el volta
je pico de la carga

(c) De la ecuacin (9-116), el tiempo de desactivacin 0r = 423.1 x 40/450 = 37.6 (is.


(d) De la ecuacin (9-117), = 220 x 40/450 = 19.6 |is y tc = 37.6 + 19.6 = 57.2 (is. De la
ecuacin (9-121), el ciclo de trabajo mximo
mx = 1 - (56.2 + 7.72 + 57.2) x 400 x 10"6 = 0.952

Sec. 9 -8

C ircuitos p ulsado res con tiristo res

341

Para k = max, la ecuacin (9-120) nos da el voltaje de salida mximo


V^mx) = 220 x 0.952 + 400 x [(56.2 + 7.72) x 220 + 0.5 x 57.2
x (423.1 + 220)] x 106= 209.4 + 12.98 = 222.4 V
El voltaje mnimo de salida (para k = 0) V^mn) = 12.98 V.

9-9 DISEO DE U N CIRCUITO PULSADOR

El requisito principal para el diseo de los circuitos de conmutacin es proporcionar un tiempo


adecuado de desactivacin, a fin de poder desconectar el tiristor principal. Los anlisis de las
ecuaciones del modo correspondiente al pulsador clsico de la seccin 9-8.1 y del pulsador por
pulso resonante de la seccin 9-8.4 muestran que los tiempos de desactivacin dependen del vol
taje del capacitor de conmutacin Vc.
Resulta mucho ms sencillo disear el circuito de conmutacin si la inductancia de la ali
mentacin se puede despreciar o si la corriente de la carga no es alta. Pero en el caso de una co
rriente ms alta en la carga, las inductancias dispersas, siempre presentes en los sistemas reales,
juegan un papel significativo en el diseo del circuito, dado que la energa almacenada en la in
ductancia del circuito aumenta con el cuadrado de la corriente pico de la carga. La inductancia de
la alimentacin convierte las ecuaciones de diseo en ecuaciones no lineales y se requiere de un
mtodo iterativo de solucin a fin de determinar los componentes de la conmutacin. Los esfuer
zos que imponen los voltajes sobre los dispositivos de potencia dependen de la inductancia de la
fuente y de la corriente de la carga.
No existen reglas fijas para el diseo de los circuitos pulsadores y el diseo vara segn el
tipo de circuito utilizado. El diseador tiene un amplia gama de opciones y su decisin con res
pecto a la corriente pico de inversin resonante y el voltaje pico permisible del circuito influye en
los valores de los componentes LmC. Las especificaciones de voltaje y de corriente de los compo
nentes y dispositivos LmC tienen lmites mnimos, pero la seleccin real de los componentes y dis
positivos queda en manos del diseador y se basan en consideraciones de precio, disponibilidad y
margen de seguridad. En general, el diseo incluye los siguientes pasos:
1. Identificar los modos de operacin del circuito pulsador.
2. Determinar los circuitos equivalentes para los diversos modos.
3. Determinar las corrientes y voltajes de estos modos y sus formas de onda.
4. Evaluar los valores de los componentes de conmutacin LmC que satisfarn los lmites del
diseo.
5. Determinar los requisitos de especificacin de voltaje de todos los componentes y dispositi
vos.
Podemos notar, de la ecuacin (9-7), que el voltaje de salida contiene armnicas. Es posible
conectar un filtro de tipo C, LC, o L, a fin de reducir las armnicas de salida. Las tcnicas para el
diseo del filtro son similares a las de los ejemplos 3-21 y 5-14.
En la figura 9-25a aparece un pulsador con una carga altamente inductiva. Se considera des
preciable la componente ondulatoria de la corriente de la carga (AI = 0). Si la corriente promedio
de la carga es Ia, la corriente pico de la carga es lm = Ia + AI = Ia. La corriente de entrada, que es

34 2

Pulsadores de cd

Cap. 9

Pulsador

X
a I,
fcD
Carga

kT
(a)

(b)

D iagram a de circuito

Figura 9-25

T
Corriente del pulsador

Forma de onda de la corriente de entrada de un pulsador.

de forma pulsante, tal y como se ve en la figura 9-25b, contiene armnicas y puede expresarse en
una serie de Fourier, como

in h it)

k la

I
+

mr

s en 2 m r k

cos I n i r f t

+ ~

mr

~ c o s 2m rk )

sen I m r f t

(9- 122)

La componente fundamental (n = 1) de la corriente armnica generada por el pulsador en el lado


de la entrada est dada por
i\h(t) = ~ sen 277-k cos iT rft + (1 - cos l i r k ) sen l ir f t
7T
7T

(9-123)

En la prctica, es comn conectar un filtro de entrada como el que se muestra en la figura


9-26, a fin de filtrar las armnicas generadas por el pulsador en la lnea de alimentacin. En la figu
ra 9-27 aparece el circuito equivalente para las corrientes armnicas generadas por el pulsador, el
valor rms de la componente armnica de orden n en la alimentacin se puede calcular a partir de
ln s

1 + (2m rf)zLeCe

Inh

1+

(nflfo)2

Inh

(9-124)

Pulsador

Us

0
11

XL = 2nnfLe

Figura 9-26
de entrada.

Y _
1__
c " 2nnfCe

Sec. 9-9

D iseo de un circu ito p ulsado r

Pulsador con pulso

I lnh

Figura 9-27 Circuito equivalente


para las corrientes armnicas.

343

donde / es la frecuencia de pulsacin y /o = 1/(2ttV LeCe es la frecuencia resonante del filtro. Si


( f // o ) l , que es el caso ms comn, la corriente de la armnica n en la alimentacin se convierte en

Una alta frecuencia de pulsacin reduce el tamao de los elementos del filtro de entrada. Pero las
frecuencias de las armnicas generadas por el pulsador tambin se incrementan en la lnea de ali
mentacin, esto puede causar problemas de interferencia con las seales de control y de comuni
caciones.
Si la fuente tiene algunas inductancias, Ls, y el interruptor del pulsador est activado, como
se ve en la figura 9-la, se almacenar una cantidad de energa en la inductancia de la fuente o de
la alimentacin. Si se intenta desactivar el interruptor pulsador, los dispositivos semiconductores
de potencia podran daarse, debido al voltaje inducido resultante de esta energa almacenada. El
filtro de entrada LC proporciona la fuente de baja impedancia para la accin del pulsador.
E jem plo 9-11_____________________________________________________________________________________
Es necesario disear el pulsador conmutado por impulso del circuito de la figura 9-19. D icho pulsa
dor opera a partir de un voltaje de operacin
= 220 V y la corriente pico de la carga es lm = 440
A. El voltaje mnimo de salida deber ser menor que el 5% de Kr, la corriente pico resonante debe
r limitarse al 80% de Im, c! requisito del tiempo de desactivacin es Gff = 25 |is, y la inductancia
de la alimentacin es Ls = 4 (J.H. Determine (a) los valores de los componentes LmC, (b) la frecuen
cia de pulsacin mxima permisible y (c) las especificaciones de todos los componentes y disposi
tivos. Suponga despreciable la corricnle de la componente ondulatoria de la carga.
S olucin Vs = 220 V, lm = 4 4 0 A , 0rr = 25 (is, Ls = 4 (iH, y ^(min) 0.05 x 220 = 11 V. Las for
mas de onda para los distintos corrientes y voltajes del capacitor aparecen en la figura 9-28.
(a) D e las ecuaciones (9-94), (9-99) y (9-100), el tiempo de desactivacin es

W =

= ( v, +

m y f ) j-

Y+

VZ^

es decir,

i-m '

^ lm 1

lm

Si sustituimos los valores numricos, 0.25 C1 - 29 C + 625 = 0 y C = 87.4 |iF o 28.6 jiF. Escoja
m os el valor m s pequeo, C = 28.6 (iF, y dejem os que C = 30 uF.
(b) D e la ecuacin (9 -1 0 0 ), el sobrevoltaje AV = 4 4 0 \4 /3 0 = 160 V , y de la ecu acin (9-99) el voltaje del capacitor VC= VX = 220 + 160 = 380 V . A partir de la ecuacin (9-92), la c o
rriente resonante de pico

M)
L'm

I p = 380 - d y - = 0.8 x 440 = 352

'

L m = 34.96

Supongamos que Lm = 35 (iH; entonces el tiempo de inversin, tr = n V 35 x 60 = 101.8 (is.


D e la ecuacin (9-94), el tiempo de desactivacin Dff = 380 x 30/440 = 25.9 (xs, y de la ecuacin
(9-95), t = 220 x 30/440 = 15 (is. D e la ecuacin (9-96), el tiempo de conmutacin tc = 25.9 + 15 =
40.9 |i.s. La frecuencia de pulsacin se puede determinar a partir de la condicin de voltaje mnim o
que satisfaga a la ecuacin (9-108):

344

Pulsadores de cd

Cap. 9

792

C o rr ie n te a tra v s d e T

lm -440
-k T -

C o rrie n te a travs d e T 2

T2