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Manual de electrnica bsica

Versin: 003
Fecha de Publicacin: Abril 2014

Chile
Realizado Por: Erwing Ibaez Burgos Instructor Elctrico
Aprobado Por: Eduardo Snchez - Instructor Product Support
Fecha: Abril 2014.

1.0

INDICE

1.0

INDICE ............................................................................................................................................. 2

2.0

OBJETIVOS....................................................................................................................................... 3

2.1
2.2

OBJETIVO GENERAL ................................................................................................................................ 3


OBJETIVOS ESPECFICOS ........................................................................................................................... 3

3.0

INTRODUCCIN ............................................................................................................................... 4

4.0

TEMAS DE SEGURIDAD .................................................................................................................... 5

5.0

CONCEPTOS BSICOS DE LA ELECTRONICA ...................................................................................... 7

5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
5.7
5.8
5.9
5.10
5.11
5.12
5.13
5.14
5.15
5.16
5.17
5.18
5.19
5.20
5.21
5.22
5.23
5.24

FENMENOS ASOCIADOS A LA CORRIENTE ELCTRICA:.................................................................................... 8


ELEMENTOS BSICOS EN LA ELECTRNICA. .................................................................................................. 9
DIODOS ............................................................................................................................................. 10
CONDICIONES DE CONEXIN................................................................................................................... 11
CARACTERSTICA TENSIN CORRIENTE...................................................................................................... 13
MODELOS DEL DIODO. .......................................................................................................................... 14
APLICACIONES DE LOS DIODOS. ............................................................................................................... 14
CIRCUITOS RECTIFICADORES DE MEDIA ONDA. ........................................................................................... 15
CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFSICO MEDIA ONDA. .................................................................................... 16
CIRCUITOS RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA. ..................................................................................... 18
CIRCUITO RECTIFICADOR MONOFSICO DE ONDA COMPLETA TIPO PUENTE. ...................................................... 18
CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFSICO ONDA COMPLETA TIPO PUENTE. ............................................................. 19
TRANSISTORES..................................................................................................................................... 21
TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR, (BJT). ................................................................................................... 23
TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO, (FET). ................................................................................................... 25
TRANSISTOR TIPO MOSFET. .................................................................................................................... 27
TRANSISTOR TIPO FOTOTRANSISTOR. ....................................................................................................... 28
IGBT, TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA. ........................................................................................ 29
TIRISTORES. ........................................................................................................................................ 31
TIPOS DE TIRISTORES. ........................................................................................................................... 31
TIRISTOR SCR. .................................................................................................................................... 31
CARACTERSTICAS TENSIN-CORRIENTE .................................................................................................... 32
TIRISTOR TRIAC. ................................................................................................................................. 34
COMPARACIN ENTRE DISPOSITIVOS DE ELECTRNICA DE POTENCIA. .............................................................. 34

6.0

AUTO-EVALUACIN ....................................................................................................................... 36

7.0

SOLUCIONES AUTOEVALUACIONES .............................................................................................. 39

7.1

SOLUCIN AUTO-EVALUACIN ................................................................................................................ 39

8.0

HABILIDADES A DESARROLLAR PARA ACREDITAR COMPETENCIA DEL CURSO ............................... 39

9.0

UNIDAD DE COMPETENCIA LABORAL A ADQUIRIR. ....................................................................... 39

10.0

CONTACTO PARA SOPORTE VIRTUAL Y TUTORIAL ......................................................................... 39

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2.0

OBJETIVOS

2.1

O BJETIVO

GENERAL

Identificar los diferentes componentes o dispositivos electrnicos usados en los


cargadores JoyGlobal, conocer sus fundamentos actuales y sus aplicaciones bsicas.

2.2

O BJETIVOS

Reconocer el funcionamiento y tipos de Diodos usado en la electrnica.


Reconocer el funcionamiento y tipos de Transistores usado en la electrnica.
Identificar e Interpretar las ondas de los rectificadores
Reconocer las Caractersticas bsicas de un IGBT
Identificar componentes electrnicos en los cargadores P&H
Evaluar la condicin de un diodo utilizado en el cargador.
Evaluar la condicin de un rectificador en un cargador.
Identificar los IGBT en el cargador.

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ESPECFICOS

3.0

INTRODUCCIN

La electrnica es hoy da uno de los campos de la tecnologa que ms ha tenido


desarrollo a nivel mundial, es ella la protagonista principal de todos los nuevos adelantos
tecnolgicos que tenemos hoy en da, reflejada en todos los campos del accionar
humano, ella est presente en absolutamente todos los ambientes en los que nos
desenvolvemos y claro ejemplo de ello son las comunicaciones (audio, video, Internet,
telefona mvil, etc), los procesos industriales (la sensorica, la telemetra, la electrnica
industrial), la medicina (todos aquellos equipos que permiten realizar algn tipo de prueba
que diagnostica al paciente) y en general en todos los ramos del saber.
Desde la introduccin del transistor en la dcada de los 40s, los cambios en el desarrollo
de la electrnica han sido continuos y han manifestado una influencia de crear
dispositivos cada vez ms pequeos y de bajo consumo elctrico. El campo de la
electrnica se trata del control del manejo de corriente-voltaje mediante semiconductores
basados esencialmente en diodos y transistores para efectuar el control y la conversin
de la energa. La electrnica de potencia o electrnica industrial se puede definir como
la aplicacin de la electrnica de estado slido para conversin de la energa elctrica de
potencia, utilizndose en controles de iluminacin, sistemas de calefaccin, fuentes de
alimentacin, maquinaria industrial, etc.
La electrnica como concepto es el campo de la ingeniera y de la fsica aplicada
al diseo y aplicacin de dispositivos cuyo funcionamiento depende del flujo de
electrones para la generacin, transmisin, recepcin y almacenamiento de informacin.
Esta informacin puede consistir en voz o msica (seales de voz) en un receptor de
radio, en una imagen en una pantalla de televisin, o en nmeros u otros datos en un
computador.

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4.0

TEMAS DE SEGURIDAD

En los procedimientos de taller siempre es indispensable trabajar en forma segura y


utilizando los EPP correspondiente para cada trabajo.
Particularmente en este curso nos encontramos con riesgos potenciales, que pueden
transformarse en invalidantes o con riesgo de vida, en muchos casos, si no se toman las
debidas precauciones indicadas en cada procedimiento de trabajo

Las siguientes reglas de seguridad pueden evitar accidentes tanto en el taller como en su
lugar de trabajo:

No participe en juegos o bromas tontas. Muchas heridas dolorosas se deben al


descuido o travesuras cuando se est trabajando

Si no sabe pregunte, aclare sus dudas

No participe en trabajos que no est debidamente capacitado ni autorizado por su


jefatura.

El uso de su equipo de proteccin personal es obligatorio en todo momento dentro


de las reas de trabajo.

Informe inmediatamente cualquier incidente que se produzca, incluso el ms leve.


Una pequea herida puede producir serias complicaciones si no recibe el tratamiento
adecuado.

Jams abandone una mquina funcionando o apunto de detenerse. Qudese junto


a ella hasta que se detenga completamente.

Realice sus actividades laborales respetando pautas de seguridad establecidas


por la empresa.

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PRECAUCIONES

Para especificaciones, testeos y ajustes, referirse al manual del


fabricante

Siga todas las normas de seguridad planteadas por el fabricante antes


de realizar alguna reparacin u operacin en el equipo, debemos
recordar que estamos propensos a cualquier accidente de tipo leve o
fatal por desconocimiento o no seguir las pautas de los fabricantes.

Todos los ajustes y testeos que tenga que realizar, utilice siempre el
manual de servicio como fuente de informacin. Todos los datos tcnicos
que en este manual se mencionan estn sujetos a modificaciones por
parte del fabricante. No deje de consultar nunca el manual del fabricante,
as se podr evitar daos personales, o a sus compaeros de trabajo, o
simplemente a la mquina.

EVITE LOS ACCIDENTES

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5.0

CONCEPTOS BSICOS DE LA ELECTRONICA

Definicin de corriente elctrica:


Entendemos como corriente elctrica al flujo de electrones que circula a travs de un
conductor elctrico. La circulacin de estos electrones est determinada por las
propiedades del medio a travs del cual se movilizan. La corriente se divide en dos
grandes ramas: alterna y continua. La corriente alterna es la que cambia de polaridad y
amplitud en el tiempo. La corriente continua es la que permanece con polaridad y amplitud
constante.
Estructura atmica de los conductores y aislantes:
Los elementos tienen propiedades conductoras o no de acuerdo a su estructura atmica.
El grado de conductividad de un elemento viene dado por la cantidad de electrones de la
ltima rbita del tomo. Por ejemplo El cobre que es un conductor, ya que un tomo de
cobre posee 29 protones en el ncleo y 29 electrones planetarios que giran en rbitas
dentro de cuatro capas alrededor del ncleo. La primera capa contiene 2 electrones, la
segunda 8, la tercera 18 y la cuarta, o capa ms externa, 1 electrn.
El nmero mximo permitido en la cuarta capa es de 2 x 4, o sea, 32. Entonces, este
nico electrn en la capa ms externa no se halla ligado con fuerza al ncleo (se puede
mover fcilmente). Un tomo de un aislante posee dos o ms rbitas, con cada una de
ellas completada con la cuota de electrones. Por ejemplo, si un tomo tiene un ncleo de
10 protones, tendr 10 electrones. En la primera capa tendr 2 electrones, y en la
segunda 8. Como la segunda rbita est completa, es muy difcil desalojar a un electrn
fuera del tomo.
La diferencia importante entre conductores y aislantes es que en un conductor hay uno o
dos electrones en la capa externa, por lo tanto no estn ligados con fuerza al ncleo,
mientras que los aislantes tienen su ltima rbita completa o casi completa.
Los semiconductores son elementos fabricados, que no se hallan en la naturaleza.
Los elementos utilizados en la produccin de semiconductores (mayoritariamente silicio),
no poseen ninguna propiedad que sea de utilidad para conducir electrones, pero mediante
un proceso conocido como doping, se adicionan tomos de impurezas (antimonio, fsforo,
boro, galio, etc.) logrando dispositivos que permiten el paso de cargas elctricas bajo
determinadas condiciones.

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5.1

F ENMENOS

ASOCIADOS A LA CORRIENTE ELCTRICA :

El paso de corriente elctrica deja a su paso una serie de fenmenos fsicos, que han sido
estudiados y en algunos casos fueron aprovechados para otros usos, como por ejemplo el
magnetismo.
Los principales fenmenos asociados a la circulacin de electrones son:
Temperatura:
En todo aparato existe un calentamiento debido al funcionamiento. Esto se debe a que no
existen conductores perfectos. Todo conductor posee una resistencia intrnseca, que
aunque sea muy baja, produce un consumo extra de energa, que al no ser aprovechada
por el equipo, es disipada al ambiente en forma de calor.
Campo magntico alrededor de un conductor:
Cuando circula corriente a travs de un conductor, se inducen campos electromagnticos
en torno al mismo. Este principio es el que se utiliza para los motores elctricos, en los
cuales el campo que generan los bobinados de alambre de cobre, son combinados con
otros campos para producir esfuerzos que hagan girar al rotor del motor. Los generadores
aplican el mismo principio, pero para la obtencin de energa.
Imantacin:
Si se introduce un metal dentro de un campo electromagntico producido por corriente
continua de gran intensidad, se logra ordenar las molculas del metal, haciendo que este
tome propiedades magnticas. Esto no se produce con corriente alterna, ya que al
cambiar constantemente el sentido del campo, no se logra ningn efecto magnetizador.
Fuerza contra electromotriz:
Es una fuerza que se produce en todos los bobinados. Es debido a que toda carga
elctrica tiende a oponerse a la causa que le dio origen. Las cargas inductivas como rels,
bobinas, parlantes, etc. pueden generar rebotes de corriente muy grandes.
Tensin:
Es la diferencia de potencial entre dos puntos de un circuito elctrico. Su unidad de
medida es el Volt.
Corriente:
Es la cantidad de electrones que circulan por un conductor en el lapso de 1 segundo. Su
unidad de medida es el Ampere.
Resistencia:
Es el grado de oposicin que genera un material al paso de la corriente elctrica. Su
unidad de medida es el Ohm.
Impedancia:
Es lo mismo que la resistencia. La diferencia es que la primera se refiere a corriente
continua, y la segunda para corriente alterna.

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Inductancia:
Fenmeno producido en las bobinas, las cuales presentan mayor impedancia (oposicin)
cuanto mayor sea la frecuencia de la corriente aplicada. Su unidad es el Henry.
Capacitancia:
Fenmeno producido en los condensadores, los cuales presentan menor impedancia
(oposicin) cuanto mayor sea la frecuencia de la corriente aplicada. Su unidad es el
Faradio.

5.2

E LEMENTOS

BSICOS EN LA ELECTRNICA .

Dependiendo del grado en que los materiales conducen la corriente elctrica estos se
pueden clasificar en tres grandes grupos: Conductores, Semiconductores y Aislantes.
En electrnica los materiales semiconductores son los ms utilizados. Entre los materiales
conductores, que conducen la electricidad con una resistencia relativamente baja, y los
materiales aislantes, que no conducen la electricidad, nos encontramos una gama de
materiales con propiedades propias que denominamos semiconductores. El diodo y otros
muchos componentes electrnicos estn construidos con materiales semiconductores.
Los materiales semiconductores ms utilizados son el Silicio y Germanio, a los que se
aade pequeas cantidades de impurezas de otros materiales para aumentar su
conductividad elctrica. Segn el tipo de impurezas aadidas tenemos:
Materiales semiconductores Tipo N, obtenidos al aadir impurezas como el Fsforo o el
Antimonio y se caracterizan por tener gran tendencia a ceder electrones (pues tienen en
exceso), ver figura 1.

Figura 1: Material semiconductor Tipo N, donde los puntos redondos representan el exceso
de electrones que fcilmente cedern, quedando de esta forma cargados positivamente.
Materiales semiconductores Tipo P, obtenidos al aadir impureza como el Boro o el
Indio y se caracterizan por tener una gran tendencia a captar electrones (pues en su
estructura presentan gran nmero de huecos), ver figura 2.

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Figura 2: Material semiconductor Tipo P, donde los puntos cuadrados representan huecos
que fcilmente captarn electrones, quedando cargados negativamente.

5.3

D IODOS

Un diodo es un elemento de dos terminales cuya principal caracterstica es dejar fluir la


corriente en una sola direccin, desde el terminal positivo llamado nodo hacia el negativo
o ctodo. A continuacin se muestra en la figura 3 el smbolo del diodo, recordar siempre
que el nodo es la flecha y el ctodo la lnea. Por tanto la corriente fluir en la direccin
indicada por la flecha, desde el nodo hacia el ctodo.

Figura 3: Smbolo del diodo comn.

Un diodo se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar
construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si. En el momento en
que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos
que estn en, o cerca de, la regin de "unin", se combinan y esto da como resultado una
carencia de portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana
a la unin. Esta regin de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de
Regin de Agotamiento por la ausencia de portadores. (Ver figura 4).

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Figura 4: Unin materiales tipo P y tipo N, formando un Diodo.

Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del diodo:

No hay polarizacin (Vd = 0 V).

Polarizacin directa (Vd > 0 V).

Polarizacin inversa (Vd < 0 V).

5.4

C ONDICIONES

DE CONEXIN .

En condiciones sin polarizacin (Vd = 0 V)


Los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo N que se encuentran dentro de la
regin de agotamiento pasarn directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia
de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier
direccin es cero (como se indica en la figura 4) para un diodo semiconductor.

Condicin de Polarizacin Directa (Vd > 0 V)


La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a los electrones en el material tipo N y a los
huecos en el material tipo P para re combinar con los iones de la frontera y reducir la
anchura de la regin de agotamiento hasta desaparecerla cuando VD= 0.7 V para diodos de
Silicio (ver figura 5), donde se cumple que:
Id = I mayoritarios Is

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Figura 5: Polarizacin Directa.


Condicin de Polarizacin Inversa (Vd < 0 V)
Bajo esta condicin el nmero de iones positivos descubiertos en la regin de agotamiento
del material tipo N aumentar debido al mayor nmero de electrones libres arrastrados hacia
el potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de iones negativos descubiertos en el
material tipo P tambin aumentar debido a los electrones inyectados por la terminal
negativa, las cuales ocuparn los huecos, provocando que la regin de agotamiento se
ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los portadores mayoritarios
no podrn superar, esto significa que la corriente Id del diodo ser cero. Sin embargo, el
nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la regin de agotamiento no
cambiar, creando por lo tanto la corriente Is. La corriente que existe bajo condiciones de
polarizacin inversa se denomina corriente de saturacin inversa, Is. (Ver figura 6).

Figura 6: Polarizacin Inversa.


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12

El trmino "saturacin" proviene del hecho que alcanza su mximo nivel (se satura) en forma
rpida y no cambia significativamente con el incremento en el potencial de polarizacin
inversa.

5.5

C ARACTERSTICA T ENSIN C ORRIENTE .

La Figura 7 muestra la caracterstica V-I (tensin-corriente) tpica de un diodo real.

Figura 7: Caracterstica V-I de un diodo.


En la grfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento.
En polarizacin directa (PD, vD>0), se diferencian dos zonas de funcionamientos, si la
tensin aplicada no supera la barrera de potencial V, la corriente que circula es muy
pequea y podra considerarse nula, si bien va creciendo gradualmente. Cuando se va
alcanzando la tensin de la barrera de potencial, la resistencia que ofrece el componente al
paso de la corriente disminuye progresivamente, hasta que al alcanzar esa tensin queda
limitada slo por las resistencias intrnsecas de las zonas P y N y la intensidad de corriente
que circula por la unin aumenta rpidamente, grandes variaciones de corriente para
pequeas variaciones de tensin.
En el caso de los diodos de silicio, la tensin que corresponde a la barrera de potencial se
sita entre los 0,6V y 0,7V y en los de germanio en el orden de los 0,2V.
En la grfica se identifica el punto de trabajo de plena conduccin para el cual el fabricante
realiza el ensayo y brinda los datos de la corriente de test (IT) para la cual mide la tensin
que definimos como umbral (V). Normalmente esta corriente est en el orden del 10% al
20% de la corriente que circulara cuando el diodo disipase la mxima potencia permitida.
(Ver ecuaciones 1 y 2).


(Ecuacin 1)

0,1

(Ecuacin 2)

En polarizacin inversa, tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es prcticamente nula


(mucho menor que la que se obtiene para los mismos niveles de tensin que en directa, ya
que los responsables de esta conduccin son los portadores minoritarios) hasta llegar a la
ruptura en la avalancha, en la que la corriente aumenta en forma abrupta.
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5.6

M ODELOS

DEL DIODO .

En resumen podemos sintetizar en existen dos tipos de diodos de Silicio para uso con
corrientes altas o de Germanio para uso de corrientes dbiles y de mayor sensibilidad.
Las expectativas de comportamiento podemos asociarlas a las condiciones descritas a
continuacin (ideal y real)

a)

b)

c)
Figura 9: a) Modelo elemental de conmutador de corriente. b) Modelo de conmutador de
corriente con cada de tensin (V). c) Modelo de conmutador de corriente con cada de
tensin (V) y resistencia equivalente (rd).

5.7

A PLICACIONES

DE LOS DIODOS .

Circuitos Rectificadores.
Un rectificador es un subsistema electrnico cuya misin es la de convertir la tensin alterna,
cuyo valor medio es nulo, en otra tensin unidireccional de valor medio no nulo. A la hora de
llevar a cabo la rectificacin, se han de utilizar elementos electrnicos que permitan el paso
de la corriente en un solo sentido permaneciendo bloqueado cuando se le aplique una
tensin de polaridad inapropiada. Para ello, el componente ms adecuado utilizado es el
diodo semiconductor. Este dispositivo es el fundamental de los rectificadores no controlados.
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El diodo es un semiconductor de dos terminales, nodo y ctodo, que dejar pasar la


corriente cuando el nodo sea positivo respecto al ctodo, y no conducir cuando la tensin
aplicada a sus extremos sea la contraria. Esto hace del diodo un componente adecuado para
ser utilizado, solo o con otros diodos, como rectificador.
En bloqueo, la corriente que circula por el diodo recibe el nombre de corriente de fuga y es
prcticamente cero.
Tambin tendremos en cuenta, adems de la tensin directa VF, la tensin inversa que
soporta el diodo VRRM.
Un rectificador a partir de una fuente alterna, generan una potencia elctrica de corriente
continua de valor fijo. Su principal utilidad principal reside en la generacin de lneas de
alimentacin en continua para alimentar sistemas que requieren de este tipo de energa:
Trenes elctricos (metro Santiago, motores de continua en los cargadores, etc.).
Por razones de calidad de la potencia continua que se requiere (que sea lo ms parecida a
una seal CC), y de la alta potencia que se requiere en la mayora de las aplicaciones
industriales en donde se usa este tipo de dispositivos, es que por lo general se utilizan para
ello esquemas del tipo trifsicos (3f).

5.8

C IRCUITOS

RECTIFICADORES DE

M EDIA O NDA .

Transforma una seal de entrada de corriente alterna, en una corriente continua pulsante
para el semiperiodo positivo de la seal de entrada. El circuito es el ms simple de todos los
rectificadores, ver figura 15.

Figura 15: Rectificador Monofsico de Media Onda.


La seal de salida se muestra en la figura 16, donde se compara con la seal alterna de
entrada Vs, donde Vs corresponde al secundario de un transformador.

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15

Figura 16: Grfica de la salida contnua de tensin en la carga R.

Para la tensin en la carga VL, se tiene que:

5.9

() , 0
0
, 2

C IRCUITO R ECTIFICADOR T RIFSICO M EDIA O NDA .

En la figura 17 se puede apreciar la conexin trifsica del rectificador de media onda.

Figura 17: Rectificador trifsico de media onda.


NOTA: El transformador trifsico con conexin del primario en delta, ayuda con la
eliminacin de armnicos en la red trifsica.

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16

Condiciones de conduccin
1. Conduce solo un diodo a la vez.
2. Conduce siempre el diodo que tiene el voltaje de fase, o de nodo, ms positivo.

Bajo estas condiciones es posible determinar la siguiente tabla de operacin para el


rectificador en anlisis, ver figura 18:

Figura 18: Operacin bsica del rectificador trifsico de media onda.


Formas de onda:
De la tabla es posible deducir que la seal en la carga adopta una forma pulsante, como
que muestra la figura siguiente, ver figura 19:

Figura 19: Seal de salida de un rectificador trifsico de media onda.

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17

5.10 C IRCUITOS R ECTIFICADORES

DE

O NDA C OMPLETA .

Circuito Rectificador Monofsico de Onda Completa con toma intermedia.

Cambiando el esquema de conexin a travs de un transformador de toma intermedia que


permita tener dos seales de entrada, de igual magnitud pero desfasadas 180 grados y
agregando otro diodo, se puede realizar un rectificador ms eficiente, ver figura 20:

Figura 20: Circuito rectificador monofsico de media onda con toma intermedia.
Dnde: VS1 y VS2, son de igual magnitud y estn desfasadas en 180 grados
La seal de salida se muestra en la figura 21, donde se muestra una comparacin entre la
seal alterna de entrada con respecto a la seal continua de salida.

5.11 C IRCUITO
PUENTE .

RECTIFICADOR MONOFSICO DE ONDA COMPLETA TIPO

Recibe el nombre de puente rectificador, por estar formado por estar formado por cuatro
diodos conectados en puente y su principal ventaja respecto al otro rectificador de onda
completa es que no necesita un transformador de toma intermedia.
Durante el semiciclo positivo de la seal de entrada conducirn D2 y D4, mientras que D1 y D3
estarn polarizados inversamente. As, en el semiciclo negativo suceder lo contrario.
Los parmetros caractersticos son prcticamente iguales que para el rectificador con
transformador de toma intermedia, excepto la tensin inversa mxima que soporta cada
diodo, que en este caso ser VMAX.
A continuacin se presenta la conexin necesaria para construir el puente rectificador, ver
figura 22:

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Figura 22: Circuito rectificador monofsico tipo puente de onda completa.


La seal de salida del puente rectificador es similar al rectificador con toma intermedia, ver
figura 23:

Figura 23: Seal de salida para un rectificador tipo puente.

5.12 C IRCUITO R ECTIFICADOR T RIFSICO O NDA C OMPLETA


P UENTE .

TIPO

Configuracin llamada tambin Rectificador trifsico de Onda Completa, o de rectificador


de 6 Pulsos, y se caracteriza por tener un esquema de 6 diodos, que mejora los
resultados obtenidos en el caso del rectificador trifsicos de media onda, con la salvedad
de que exige que la Carga tenga una tierra flotante, evitando con ello que, al entrar en
conduccin los diodos pares, se cortocircuiten las fases del transformador (si el neutro N y
la tierra de la carga fuesen iguales, entonces al conducir el diodo D2, la fase R se
cortocircuitara a, lo mismo ocurrira con las fases S y T cuando conducen los diodos D4 y
D6). Lo anterior exige tomar ciertas precauciones de seguridad de los trabajadores al
momento de operar este tipo de equipos.

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19

Nota: Por simplicidad, se ha evitado en el esquema de la figura el transformador. Se


entiende que R, S, T, y N corresponden al secundario del transformador, vase figura 24.

Figura 24: Conexin circuito rectificador trifsico de onda completa.


Condiciones de conduccin:
1. Dado el problema de las tierras, para cerrar circuito es necesario que conduzcan
simultneamente dos diodos, uno superior y otro inferior.
2. Si se fija que la parte superior del rectificador (diodos D1, D3, D5) es equivalente a un
rectificador trifsico de media onda, entonces es posible concluir que, al igual como lo
hacen los rectificadores de este tipo, conducir el diodo superior que tiene la fase ms
negativa.
3. Por las mismas razones, en la parte inferior conducir el diodo que tiene la fase ms
positiva.
Tomando en cuenta los antecedentes antes esgrimidos, es que se obtienen en este caso
los siguientes resultados, vase figura 25:

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20

Figura 25: arriba).-Tabla con estados de conduccin de los diodos segn el angulo de
entrada de la seal alterna. Abajo).- Forma de onda de seal de salida del rectificador
trifsico de onda completa.

5.13 T RANSISTORES .
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin
en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los
encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios,
televisores, grabadoras, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas,
lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo,
computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X,
tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
Este dispositivo ha de tener tres electrodos o bornes, uno por cada uno de los cristales de
que se compone. Al cristal que recibe la corriente, el primero de los tres, se distingue con
el nombre de emisor; el cristal del centro como base, y al cristal de salida de la corriente,
colector. Entonces, en un transistor de tipo NPN, la primera N ser el emisor, P ser la
base, y la otra N, el colector. Estos nombres se suelen abreviar con las letras E, B y C
respectivamente.
Para comprender bien el funcionamiento del transistor debemos recordar la teora
atmica, donde el cristal N es un cristal que tiene exceso de electrones, y el cristal P, es
un cristal con exceso de huecos. Por ejemplo un transistor de tipo NPN, siguiendo la
imagen que se muestra en la figura 26, en la que una fuente de alimentacin (B) provee
de corriente al emisor, conectado al polo negativo en el cristal N, negativo tambin.

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21

Figura 26: Transistor tipo NPN

En estas condiciones se forman como unas barreras Z1 y Z2 en las uniones con el cristal
P de base, que impiden el paso de la corriente. La base est llena de huecos que pasan a
ser ocupados por los electrones ms prximos de los cristales contiguos, formndose
estas barreras de tomos en equilibrio que impide el paso de la corriente (salvo una muy
dbil corriente de fuga de escassimo valor). Pero si se polariza la fuente del mismo signo
que ella, es decir, con una tensin positiva respecto al emisor, lo que se llama en sentido
contrario, la barrera Z1 desaparece porque el potencial positivo aplicado a la base repele
los huecos hacia los cristales N y penetran en la zona de resistencia. Los electrones libres
del emisor la atraviesan siendo atrados por los potenciales positivos de la base y del
colector. Dado que el potencial positivo del colector es mucho ms elevado que el de la
base, los electrones se sentirn ms atrados por el primero, por lo que se obtendr una
elevada corriente del colector (que abreviaremos IC) y una pequea corriente de base
(IB). La corriente del emisor (IE) ser por tanto igual a la suma de la corriente de colector
y la corriente de base, tal como se deduce de las leyes de Kirchhoff.
Es decir: IE= IC+IB.
De esto se deduce que la corriente que sale por el colector no va incrementada con la
corriente de base. De hecho, la corriente que pasa por emisor y que se designa IE se
compone de la corriente de la base y del colector que luego circularn en diferente
sentido. En la imagen de la figura 27 se aprecia el esquema de circuito elemental de un
transistor en el que se designa tambin el nombre de las tensiones (V). As tenemos que
VBE es la tensin base-emisor, VCE es la tensin colector-emisor. Como puede verse, en
el emisor las corrientes de base colector se suman, tal como dice la ley de Kirchhoff.

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22

Figura 27: Distribucin de corrientes y voltajes para un transistor tipo NPN.

Tipos de Transistores.
Existen varios tipos de transistores que dependen de su proceso de construccin y de las
aplicaciones a las que se destinan.

5.14 T RANSISTOR

DE UNIN BIPOLAR ,

(BJT).

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT fue
inventado en 1947) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs
de sus terminales. El transistor bipolar est formado por una unin PN y por otra NP,
caracterstica que hace que un semiconductor de determinado tipo se encuentre entre dos
de tipo opuesto al primero, como se muestra en la figura 28.

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23

Figura 28: Diagramas y smbolos de los transistores de unin bipolar, en la izquierda del
diagrama el transistor tipo NPN y en la derecha el transistor tipo PNP.
Lo que se obtiene con esta configuracin es una seccin que proporciona cargas (de
huecos o de electrones) que son captadas por otra seccin a travs de la seccin media.
El electrodo que proporciona las cargas es el emisor y el que las recoge es el colector. La
base es la parte de en medio y forma las dos uniones, una con el colector y otra con el
emisor. Adems, la base controla la corriente en el colector. Este tipo de transistores
recibe el nombre de transistores de unin.
De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras


que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la
mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte,
estado de saturacin y estado de actividad.
Funcionamiento
En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin
basecolector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor
pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico
que existe entre la base y el colector.

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24

Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la juntura base-emisor est polarizada en directa y la
juntura base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo,
cuando una tensin positiva es aplicada en la juntura base-emisor, el equilibrio entre los
portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada
se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la
regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta
concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al
colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la
base est dopada con material P, los cuales generan "hoyos" como portadores
mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
recombinan antes de alcanzar la juntura base-colector. El espesor de la base debe ser
menor al ancho de difusin de los electrones.
Control de tensin, carga y corriente
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor
(control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la
relacin tensin-corriente de la juntura base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente
exponencial usual de una juntura PN (es decir, un diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es
aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente
varias veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo
que la tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector
es varias veces la corriente de la base.

5.15 T RANSISTOR

DE EFECTO CAMPO ,

(FET).

El transistor de efecto campo (field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una


familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad
de un "canal" en un material semiconductor. Los FET, como todos los transistores,
pueden plantearse como resistencias controladas por voltaje.
Ventajas del FET:

Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy
elevada (10 ).

Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.

Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT.

Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y
permiten integrar ms dispositivos en un Circuito Integrado.

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25


Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores
pequeos de tensin drenaje-fuente.

La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo
suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.

Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.
Desventajas que limitan la utilizacin de los FET:

Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad
de entrada.

Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que
los BJT.

Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica.

Los transistores de efecto de campo (FET) o ms conocidos son los JFET (Junction Field
Effect Transistor, transistor de unin de efecto de campo). Tienen tres terminales,
denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source), como se muestra en la
figura 30. La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de
campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado
a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o
FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una
tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin,
respectivamente.

Figura 30: a) JFET de canal N, b) Smbolo del JFET de canal N, c) Smbolo del JFET de
canal P.

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26

La polarizacin de un JFET exige que las uniones p-n estn inversamente polarizadas. En
un JFET de canal n, o NJFET, la tensin de drenador debe ser mayor que la de la fuente
para que exista un flujo de corriente a travs de canal. Adems, la puerta debe tener una
tensin ms negativa que la fuente para que la unin p-n se encuentre polarizado
inversamente. Ambas polarizaciones se indican en la figura 31.

Figura 31: Caractersticas de un JFET tipo N, o NJET.


Las curvas de caractersticas elctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los
transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensin a
diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente. Por ello, en el
JFET intervienen como parmetros: ID (intensidad drain o drenador a source o fuente),
VGS (tensin gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensin drain o drenador a source o
fuente). Se definen cuatro regiones bsicas de operacin: corte, lineal, saturacin y
ruptura.

5.16 T RANSISTOR

TIPO MOSFET .

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto


de campo que utilizan un campo elctrico para crear una canal de conduccin. Son
dispositivos ms importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos
integrados digitales se construyen con la tecnologa MOS. Existen dos tipos de
transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su
vez, estos transistores pueden ser de acumulacin (enhancement); los MOS de
acumulacin tambin conocidos como de enriquecimiento. La figura 32 indica los
diferentes smbolos utilizados para describir los transistores MOS.

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27

Figura 32: Smbolos para el transistor MOSFET.

Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura fsica muy diferente pero sus
ecuaciones analticas son muy similares. Por ello, en los transistores MOS se definen las
mismas regiones de operacin: corte, lineal, saturacin y ruptura.

5.17 T RANSISTOR

TIPO

F OTOTRANSISTOR .

Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La


luz incide sobre la regin de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva
el transistor al estado de conduccin. El fototransistor es ms sensible que el fotodiodo
por el efecto de ganancia propio del transistor. Los fototransistores no son muy diferentes
de un transistor normal, es decir, estn compuestos por el mismo material semiconductor,
tienen dos junturas y las mismas tres conexiones externas: colector, base y emisor. Por
supuesto, siendo un elemento sensible a la luz, la primera diferencia evidente es en su
cpsula, que posee una ventana o es totalmente transparente, para dejar que la luz
ingrese hasta las junturas de la pastilla semiconductora y produzca el efecto fotoelctrico.
En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexin de base como sin ella y
tanto en cpsulas plsticas como metlicas (TO-72, TO-5) provistas de una lente.
Aplicaciones de los fototransistores
Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lpices pticos, etc. Para
comunicaciones con fibra ptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. Tambin
se pueden utilizar en la deteccin de objetos cercanos cuando forman parte de un sensor
de proximidad. Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED,
formando interruptores pticos (opto-switch), que detectan la interrupcin del haz de luz
por un objeto. Existen en dos versiones: de transmisin y de reflexin.
Teniendo las mismas caractersticas de un transistor normal, es posible regular su
corriente de colector por medio de la corriente de base. Y tambin, dentro de sus
caractersticas de elemento optoelectrnico, el fototransistor conduce ms o menos
corriente de colector cuando incide ms o menos luz sobre sus junturas.

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28

5.18 I GBT ,

TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA .

El transistor IGBT, de las siglas en ingls Isolated Gate Bipolar Transistor, es un dispositivo
hbrido, que aprovecha las ventajas de los transistores descritos en los apartados anteriores,
o sea, el IGBT rene la facilidad de disparo de los MOSFET con las pequeas prdidas en
conduccin de los BJT de potencia. La puerta est aislada del dispositivo, con lo que se tiene
un control por tensin relativamente sencillo. Entre el colector y el emisor se tiene un
comportamiento tipo bipolar, con lo que el interruptor es muy cercano a lo ideal. La figura 33
muestra la simbologa para este tipo de transistores.

Figura 33: Simbologa de los transistores IGBT.


Su velocidad de conmutacin, en principio, similar a la de los transistores bipolares, ha
crecido en los ltimos aos, permitiendo que funcione a centenas de kHz, en componentes
para corrientes del orden de algunas decenas de Amperios.
Principio de funcionamiento y estructura
La estructura del IGBT es similar a la del MOSFET, pero con la inclusin de una capa P+ que
forma el colector del IGBT, como se puede ver en la figura 34. Gracias a la estructura interna
puede soportar tensiones elevadas, tpicamente 1200V y hasta 2000V (algo impensable en
los MOSFETs), con un control sencillo de tensin de puerta. La velocidad a la que pueden
trabajar no es tan elevada como la de los MOSFETs, pero permite trabajar en rangos de
frecuencias medias, controlando potencias bastante elevadas.
En trminos simplificados se puede analizar el IGBT como un MOSFET en el cual la regin
N- tiene su conductividad modulada por la inyeccin de portadores minoritarios (agujeros), a
partir de la regin P+, una vez que J1 est directamente polarizada. Esta mayor
conductividad produce una menor cada de tensin en comparacin a un MOSFET similar.

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29

Figura 33: Estructura bsica del IBGT.


En la figura 34 se muestra la caracterstica I-V del funcionamiento de un IGBT.
El IGBT tiene una alta impedancia de entrada como el MOSFET, y bajas prdidas de
conduccin en estado activo como el Bipolar, pero no presenta ningn problema de ruptura
secundaria como los BJT.

Figura 34: Caracterstica Tensin- Corriente para un transistor IGBT.


El IGBT es inherentemente ms rpido que el BJT. Sin embargo, la velocidad de
conmutacin del IGBT es inferior a la de los MOSFETs.
Comparacin entre los diferentes transistores de potencia

A continuacin se presenta una breve tabla de comparacin de tensiones, corrientes, y


frecuencias que pueden soportar los distintos transistores descritos, ver tabla I.
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30

BJT
1000-1200V
700-1000A
25kHz
P medias

Tabla I: Comparacin entre transistores de potencia.


MOSFET
IGBT
500-1000V
1600-2000V
20-100A
400-500A
Hasta 300-400kHz
Hasta 75kHz
P bajas, <10kW
P medias - altas

5.19 T IRISTORES .
El nombre de Tiristor proviene de la palabra griega , que significa una puerta. El
tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que trabajan en conmutacin,
teniendo en comn una estructura de cuatro capas semiconductoras en una secuencia P-NP-N, la cual presenta un funcionamiento biestable (dos estados estables).
La conmutacin desde el estado de bloqueo (OFF) al estado de conduccin (ON) se
realiza normalmente por una seal de control externa. La conmutacin desde el estado ON
al estado OFF se produce cuando la corriente por el tiristor es ms pequea que un
determinado valor, denominada corriente de mantenimiento, (holding current), especfica
para cada tiristor.

5.20 T IPOS

DE

T IRISTORES .

Dentro de la familia de los tiristores podemos destacar los SCRs (tiristores unidireccionales,
una sola direccin) y TRIACs (tiristores bidireccionales, para ambas direcciones).

5.21 T IRISTOR SCR.


De las siglas en ingls Silicon Controlled Rectifier, (rectificador controlado de Silicio), es el
miembro ms conocido de la familia de los tiristores. En general y por abuso del lenguaje es
ms frecuente hablar de tiristor que de SCR.
El SCR es uno de los dispositivos ms antiguos que se conocen dentro de la Electrnica de
Potencia (data de finales de los aos 50). Adems, continua siendo el dispositivo que tiene
mayor capacidad para controlar potencia (es el dispositivo que permite soportar mayores
tensiones inversas entre sus terminales y mayor circulacin de corriente).
El SCR est formado por cuatro capas semiconductoras, alternadamente P-N-P-N, teniendo
3 terminales: nodo (A) y ctodo (K), por los cuales circula la corriente principal, y la puerta
(G) que, cuando se le inyecta una corriente, hace que se establezca una corriente en sentido
nodo-ctodo. La figura 35 ilustra una estructura simplificada del dispositivo.

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31

Figura 35: Estructura simplificada y smbolo del SCR


Es un componente electrnico rectificador de estado slido de 3 terminales: nodo (A),
ctodo (K) y un electrodo de control denominado puerta (G, gate), desarrollado por la
General Electric (U.S.A.) en 1957 (10 aos despus de la invencin del transistor bipolar de
unin).
Es un dispositivo rectificador unidireccional (es decir, que deja circular la corriente elctrica
en un solo sentido: desde A hacia K como un diodo rectificador semiconductor), pero
adems del estado "on" (cerrado, conduciendo) del diodo comn, tiene un segundo estado
estable: "off" (cortado, abierto, sin conducir). Si el voltaje VGK entre G y K es el adecuado,
conduce desde A hacia K.
Adems de la funcin de rectificacin controlada del tiristor, ste sirve como dispositivos de
conmutacin de estado slido en corriente continua. Es decir, son como interruptores
(switches) pero compactos y pequeos, sin calefactor y de bajo consumo, rpidos y
silenciosos, sin partes mviles ni contactos electromecnicos, sin chispas ni necesidad de
mantencin, y que adems pueden controlarse electrnica y pticamente.
Estos componentes se utilizan en circuitos muy diferentes, como por ejemplo controles de
velocidad de motores, regulador de intensidad de iluminacin de ampolletas (dimmers y
luces "psicodlicas"), para activar sistemas de proteccin, o en convertidores de voltaje para
viajes, cargadores de bateras, magnetizadores de imanes, relays de estado slido (SSRs),
controles de temperatura de hornos y de potencia de calefactores.

5.22 C ARACTERSTICAS

TENSIN - CORRIENTE

En la figura 36 podemos ver la caracterstica esttica de un SCR. En su estado de apagado


o bloqueo (OFF), puede bloquear una tensin directa y no conducir corriente. As, si no hay
seal aplicada a la puerta, permanecer en bloqueo independientemente del signo de la
tensin VAK. El tiristor debe ser disparado o encendido al estado de conduccin (ON)
aplicando un pulso de corriente positiva en el terminal de puerta, durante un pequeo
intervalo de tiempo, posibilitando que pase al estado de bloqueo directo. La cada de tensin
directa en el estado de conduccin (ON) es de pocos voltios (1-3 V).
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32

Una vez que el SCR empieza a conducir, ste permanece en conduccin (estado ON),
aunque la corriente de puerta desaparezca, no pudiendo ser bloqueado por pulso de puerta.
nicamente cuando la corriente del nodo tiende a ser negativa, o inferior a un valor umbral,
por la influencia del circuito de potencia, el SCR pasar a estado de bloqueo.

Figura 36: Caracterstica Tensin Corriente de los SCR.

En rgimen esttico, dependiendo de la tensin aplicada entre nodo y ctodo podemos


distinguir tres regiones de funcionamiento:
1. Zona de bloqueo inverso (vAK < 0): sta condicin corresponde al estado de no
conduccin en inversa, comportndose como un diodo.
2. Zona de bloqueo directo (vAK > 0 sin disparo): El SCR se comporta como un circuito
abierto hasta alcanzar la tensin de ruptura directa.
3. Zona de conduccin (vAK > 0 con disparo): El SCR se comporta como un interruptor
cerrado, si una vez ha ocurrido el disparo, por el dispositivo circula una corriente superior a la
de enclavamiento. Una vez en conduccin, se mantendr en dicho estado si el valor de la
corriente nodo ctodo es superior a la corriente de mantenimiento.

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33

5.23 T IRISTOR TRIAC.


El TRIAC (Triode of Alternating Current) es un tiristor bidireccional de tres terminales.
Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y viceversa, y puede ser disparado con
tensiones de puerta de ambos signos.
Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder controlar los dos sentidos de
circulacin de la corriente. Evidentemente, con un SCR, slo podemos controlar el paso de
corriente en un sentido. Por tanto uno de los motivos por el cual los fabricantes de
semiconductores han diseado el TRIAC ha sido para evitar este inconveniente. El primer
TRIAC fue inventado a finales de los aos 60. Simplificando su funcionamiento, podemos
decir que un TRIAC se comporta como dos SCR en antiparalelo (tiristor bidireccional). De
esta forma, tenemos control en ambos sentidos de la circulacin de corriente. La figura 37
muestra el esquema equivalente de un TRIAC.

Figura 37: Esquema equivalente y simbologa de un TRIAC.


Una de las ventajas de este dispositivo es que es muy compacto, requiriendo nicamente un
nico circuito de control, dado que slo dispone de un terminal de puerta. Sin embargo, tal y
como est fabricado, es un dispositivo con una capacidad de control de potencia muy
reducida. En general est pensado para aplicaciones de pequea potencia, con tensiones
que no superan los 1000V y corrientes mximas de 15A. Es usual el empleo de TRIACs en
la fabricacin de electrodomsticos con control electrnico de velocidad de motores y
aplicaciones de iluminacin, con potencias que no superan los 15kW. La frecuencia mxima
a la que pueden trabajar es tambin reducida, normalmente los 50-60Hz de la red
monofsica.

5.24 C OMPARACIN

ENTRE DISPOSITIVOS DE ELECTRNICA DE POTENCIA .

A continuacin se presenta una tabla con las prestaciones (ver tabla II) de los dispositivos de
potencia ms utilizados, haciendo especial hincapi en los lmites de tensin, corriente y
frecuencia de trabajo.

DISPOSITIVO
DIODOS
TIRISTORES
TRIACs
MOSFETs
BJTs
IGBTs
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Tabla II: Prestaciones de dispositivos ms usados.


TENSIN
CORRIENTE
FRECUENCIA
<10kV
<5000A
<10MHz
<6000V
<5000A
<500Hz
<1000V
<25A
<500Hz
<1000V
<100A
<1MHz
<1200V
<700A
<25kHz
<2000V
<500A
<75kHz
34

Regiones de Utilizacin:
En funcin de las caractersticas de cada dispositivo, se suele trabajar en distintas zonas,
parametrizadas por la tensin, la corriente y la frecuencia de trabajo. Una clasificacin
cualitativa se presenta en la siguiente tabla III:

DISPOSITIVO
TIRISTORES
TRIACs
MOSFETs
BJTs
IGBTs

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Tabla III: Regiones de utilizacin.


POTENCIA
Alta
Baja
Baja
Media
Media-Alta

FRECUENCIA
Baja
Baja
Alta
Media
Media

35

6.0

1.

AUTO-EVALUACIN

Una de las siguientes aseveraciones es Falsa. Mrquela:

a. Obtenga la aprobacin del jefe antes de iniciar un trabajo.


b. No use herramientas sino estn en condiciones de trabajo adecuadas.
c. Despus de apagar una mquina debe quedar junto a ella hasta que se detenga
completamente
d. No es necesario informar de una ligera herida, tal como una pequea cortada
2.

Una resistencia elctrica es un medio que:

a.
b.
c.
d.

Impide el paso de electrones entre dos puntos de un circuito


Permite el paso de electrones entre dos puntos de un circuito
Bloquea el paso entre dos puntos de un circuito
Dificulta el paso entre dos puntos

3.

La corriente elctrica es:

a.
b.
c.
d.
4.

La que cambia de polaridad y amplitud en el tiempo.


Un flujo de electrones que circula a travs de un conductor elctrico.
La que permanece con polaridad y amplitud constante.
Un flujo de electrones que circula a travs de un aislador elctrico.
Una de las siguientes aseveraciones es Falsa. Mrquela:

a. Todo conductor posee una resistencia intrnseca que produce un consumo extra de
energa.
b. Cuando circula corriente a travs de un conductor, se inducen campos
electromagnticos en torno al mismo.
c. Al cambiar constantemente el sentido de un campo electromagntico, se logra un
efecto magnetizador en los metales que son sometidos a dicho campo.
d. Toda carga elctrica tiende a oponerse a la causa que le dio origen.
5.

Un conductor elctrico es un medio que:

a.
b.
c.
d.

Impide el paso de electrones entre dos puntos de un circuito


Permite el paso de electrones entre dos puntos de un circuito
Bloquea el paso entre dos puntos de un circuito
Dificulta el paso entre dos puntos

6.

Un aislante elctrico es un medio que:

a.
b.
c.
d.

Impide el paso de corriente elctrica entre dos puntos de un circuito


Permite el paso de electrones entre dos puntos de un circuito
Levemente permite el paso entre dos puntos de un circuito
Dificulta el paso entre dos puntos

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36

7.

Los materiales semiconductores Tipo N:

a.
b.
c.
d.

Se caracterizan por tener gran tendencia a ceder electrones.


Estn cargados negativamente.
Se caracterizan por tener una gran tendencia a captar electrones.
En su estructura presentan gran nmero de huecos.

8.

Un diodo es un elemento:

a. De tres terminales cuya principal caracterstica es dejar fluir la corriente en una sola
direccin.
b. De dos terminales cuya principal caracterstica es dejar fluir la corriente en ambas
direcciones.
c. Que deja fluir la corriente en una sola direccin, desde el ctodo hacia el nodo.
d. Que deja fluir la corriente en una sola direccin, desde el nodo hacia el ctodo.
9.

Al hacer circular una corriente alterna por un diodo rectificador se tiene que:

a.
b.
c.
d.

Este no conducir ya que solo es para corriente continua.


Entregar una seal netamente continua.
Obtendremos una seal pulsatoria continua
Este funcionara como rectificador de onda completa.

10. En un circuito Rectificador Monofsico de Media Onda:


a.
b.
c.
d.

Se transforma una seal de continua a una de alterna


Se requieren 4 diodos para formar su conexin.
Al aplicar una potencia elctrica de continua, esta se ver incrementada.
Hay que tener en cuenta la tensin inversa que soporta el diodo.

11. En un transistor:
e.
f.
g.
h.

Existen tres zonas de unin de material semiconductor tipo P y N.


Existe un emisor, un colector y una base.
Se comporta como 2 diodos conectados en paralelo.
Dispositivo electrnico altamente conductor que opera como amplificador.

12. Un transistor est saturado cuando:


a. Se invierten las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo.
b. Las corrientes de emisor y colector son cero.
c. Las corrientes de emisor y colector son idnticas a la corriente mxima soportada por
el diodo.
d. Est en la regin activa.

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37

13. Ventajas del FET:


a. Impedancia de entrada muy pequea
b. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes
c. Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica
d. Generan un nivel de ruido mayor que los BJT
14. Para los transistores de potencia:
a.
b.
c.
d.

Los MOSFET soportan frecuencias ms altas


Los MOSFET soportan potencias altas
Los IGBT soportan pequeos valores de tensin
Los IGBT soportan pequeas potencias

15. Los SCR:


a.
b.
c.
d.

Estn formado por cuatro capas semiconductoras, alternadamente P-N-P-N


Tienen 4 terminales.
Son dispositivos rectificadores bidireccionales.
Sirven como amplificacin de seales.

16. Un elemento semiconductor es, marque la alternativa que no corresponda:


a.
b.
c.
d.

Un elemento fabricado, que no se halla en la naturaleza.


No poseen ninguna propiedad que sea de utilidad para conducir electrones.
Mediante un proceso conocido como doping, se permite el paso de cargas elctricas.
Posee un alto grado de conductividad.

17. De las afirmaciones siguientes Cul no corresponde:


a. Tensin, diferencia de potencial entre dos puntos de un circuito elctrico
b. Corriente, cantidad de electrones que circulan por un conductor en el lapso de 1
segundo.
c. Resistencia, oposicin que genera un material al paso de la corriente elctrica.
d. Fenmeno producido en las bobinas, las cuales presentan menor impedancia cuanto
mayor sea la frecuencia de la corriente aplicada.
18. En un transistor tipo FET:
a.
N.
b.
c.
d.

La barrera de unin entre emisor y colector corresponder a los materiales tipo P y


Se definen las mismas regiones de operacin que un MOSFET.
En la regin de operacin Lineal, este se comporta como una resistencia lineal.
Al igual que el BJT, son controlados por corriente.

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38

7.0

SOLUCIONES AUTOEVALUACIONES
7.1

S OLUCIN
1
2
3
4
5
6

AUTO - EVALUACIN

d
d
d
c
b
a

7
8
9
10
11
12

a
d
c
d
b
c

13
14
15
16
17
18

b
a
a
d
d
b

8.0 HABILIDADES A DESARROLLAR PARA ACREDITAR


COMPETENCIA DEL CURSO

Reconocer el funcionamiento y tipos de Diodos usado en la electrnica.


Reconocer el funcionamiento y tipos de Transistores usado en la electrnica.
Identificar e Interpretar las ondas de los rectificadores
Reconocer las Caractersticas bsicas de un IGBT
Identificar componentes electrnicos en los cargadores P&H.
Evaluar la condicin de un diodo utiliza-do en el cargador.
Evaluar la condicin de un rectificador en un cargador.
Identificar los IGBT en el cargador

9.0

UNIDAD DE COMPETENCIA LABORAL A ADQUIRIR.

Identificar los diferentes componentes o dispositivos electrnicos usados en los


cargadores JoyGlobal, conocer sus fundamentos actuales y sus aplicaciones bsicas.

10.0 CONTACTO PARA SOPORTE VIRTUAL Y TUTORIAL


Hector.vera@joyglobal.com
Instructor electromecnico
55-2432709 - 84062948

Erwing.ibanez@joyglobal.com
Instructor Elctrico
55-2570071 96820850

JOYGLOBAL CHILE

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