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S.E.P.

S.E.I.T.

D.G.I.T.

C E N T R O NACIONAL D E INVESTIGACIN
Y DESARROLLO TECNOLGICO

cenidet
ESTUDIO DE INVERSORES RESONANTES DE ALTA
EFICIENCIA Y SEGUIMIENTO RAPID0 DE LA FRECUENCIA

T
PARA

OBTENER

DOCTOR
EN
P

EN
INGENIERA

EL

GRADO

DE:

CIENCIAS
ELECTRNICA
E

A:

JORGE HUGO CALLEJA GJUMLICH

CUERNAVACA, MORELOS

ENERO 2000

S.E.P.

S.E.1.T

S.N.1.T

CENTRO NACIONAL DE INVESTIGACIN Y DESARROLLO TECNOLGICO

DOCTORADO EN CIENCIAS EN INGENIERIA ELECTRNICA


COLEGIO DOCTORAL
ACEPTACION DE TRABAJO DE TESIS DOCTORAL

Dr. Jess Amoldo Bautista Corral


Director del cenidet
Presente

Atn. Dr. Luis Gerardo Vela Valds


Jefe del Depto. de Electrnica

Los abajo firmantes, miembros de Comit Tutorial de la Tesis Doctoral del alumno Jorge Hugo
Calleja Gjumlich, manifiestan que despus de haber revisado su trabajo de tesis doctoral titulado
Estudio de Inversores Resonantes de Alta Eficiencia y Seguimiento Rpido de la Frecuencia
realizado bajo la direccin del Dr. Joel Osvaldo Pacheco Sotelo, el trabajo presentado se ACEPTA
para proceder a su impresin.
ATENTAMENTE

ITESM -Campus Cd. De Mxico

c.c.p.:Dr. Jaime Eugenio Ardu Roffcl I Subdirector Acadmico


Lic. Ohvia Maquinay D i u I Jefe del Dcpto. de Servicios Escolares
Expcdicntc.

INTERIOR INTERNADO PALMIRA SIN. CUERNAVACA. MOR. MEXICO


AP 5 1 64 CP 62050. CUERNAVACA.
TELS.[73]12 2314.12 7613.18 7741,FAX(73) 12 2434
Dr. Luis Gerardo Vela ValderlJefe del Depto de Eleclronica
EMAIL velaluisl>cenidet.edu.ml

cenidet

Centro Nacional de Investigacin y Desarrollo


Tecnolgico
Departamento de Ingeniera Electrnica

Cuernavaca, Morelos

M. en C. Jorge Hugo Calleja Gjumlich

Candidato al grado de Doctor en Ciencias


en Ingeniera Electrnica
Presente
Despus de haber sometido a revisin su trabajo final de tesis titulado: Estudio de
lnversores Resonantes de Alta Eficiencia y Seguimiento Rpido de la Frecuencia, y
habiendo cumplido con todas las indicaciones que el jurado revisor de tesis le hizo, le
comunico que se le concede autorizacin para que proceda a la impresin de la misma, como
requisito para la obtencin del grado.
Reciba un cordial saludo.

C.C.P.

expediente/

Interior Internado Palmira SIN, Col. Pclmira, Cuernavaca 62490. Mor.. Mexico
Apartado Postal No. 5.164, Cuernovaca 62050, Mor.. Mexico
Tels. v F O X : 1731 12-23-14, 18-77-41. 12-24-34
Dr. Jaime Eugenio Arau RoffieilJefe del Depcrtomento de Eiectronica
E-mail: iarau@cenidet.edu.mx

cenidet
www.cenidet.edu.rnx/eleclron

Reconocimientos
A m i asesor: Dr. Joel Pacheco Sotelo, promotor del tema de tesis, quien

comparti conniigo s u s conocimientos y experiencia..

A los revisnres: Dr. Jaime Arau, Dr. Abraham Claudio, Dr. Enrique Dede
y Dr. Sergio Horta, por sus comentarios acertados, asesora y buenos consejos
durante la realizacin y escritura de esta tesis.
Mencin especial merecen el Cenidet, que me permiti dedicarme a este
proyecto, y el Cosnet, quien proporcion el financiamiento.

iv

Nomenclatura

Permitividad
Angulo de fase
Eficiencia
Relacin entre la potencia de portadora a la potencia total (AM)
Angulo de fase
Permeabilidad
lndice de modulacin (AM)
Calor especfico
Conductividad
Constante de tiempo de la carga
Frecuencia angular
Frecuencia de resonancia

Nomenclatura

NOMENCLATURA
a
A
C

D
f
FP
H
1,
IM

IRMS
L
L
m
M
n

nc
P
P

R
S

S
SR
~

tON
T
T
TR
W
2

a.

Radio del conductor cilndrico (captulo 2)


Area transversal (captulo 2)
Capacitancia
Constante para determinar el tiempo de calentamiento (captulo 2)
Ciclo de trabajo
Frecuencia
Factor de potencia
Intensidad de campo magntico
Comente mnima
Comente mxima
Comente eficaz
Distancia entre placas (captulo 2, plasma con acoplamiento capacitivo)
Inductancia
Nmero de ciclos resonantes en el lapso de aplicacin de tensin (PDM)
Masa (captulo 2)
Nmero de ciclos resonantes en el lapso de carga en corto circuito (PDM)
Densidad de concentracin de electrones(captu1o 2)
Presin (captulo 2)
Potencia activa
Factor de calidad
Resistencia
Profundidad piel
Potencia aparente
Tasa de crecimiento de la tensin
Lapso de carga en corto circuito (PDM)
Lapso con carga conectada a fuente (PDM)
Temperatura (captulo 2)
Periodo PDM
Periodo resonante
Anchura
Impedancia
Factor de atenuacin
Lapso a cruce por cero de corriente

iii

ii Indice

5. MODULACI~NDE DENSIDAD DE PULSO


5 . 1 Introduccin
5.2 Valor eficaz de la comente con modulacin PDM
5.3 Estimacin del valor eficaz de la comente
5.4 Intervalo de variacin de la comente
5.5 Aniisis espectral
5.6 Secuencias PDM
5.7 Generacin de las formas de onda PDM

5.1
5.2
5.8
5.9
5.10
5.14
5.21

6. CORRECCION DEL FACTOR DE POTENCIA


6.1 Introduccin
6.2 Condiciones de referencia
6.3 Operacin con bus de CD rectificado
6.4 Esfuerzos en corriente
6.5 Potencia transferida
6.6 Factor de potencia
6.7 Operacin con conduccin limitada
6.8 Efecto de la operacin fuera de resonancia
6.9 Contenido armcnico

6.1
6.2
6.2
6.4
6.4
6.5
6.6
6.9
6.13

7. CIRCUITERIA DEL PROTOTIPO


7.1 Etapa de potencia
7 2 Circuito de gobierno

7.1
7.2

8 PRUEBAS Y RESULTADOS
8.1 Pruebas al seguidor de resonancia
8.2 Pruebas a la modulacin de densidad de pulsos
8.3 Pruebas al inversor como corrector del factor de potencia
8.4 Pruebas a carga mxima

8.1
8.7
8.14
8.15

9 CONGJXJSIONES

9.1

REFERENClAS

R.1

APENDICES
I. Potencia transferida a un conductor cilndrico
i. Procesos asociados a inversores resonantes
111. Comente eficaz con modulacin PDM
IV. Demostracin de la unicidad de la relacin entre Th, I, e IM
V. Modulacin en amplitud

A. 1
A.6
A. 10
A.13
A.14

INDICE

I . INTRODUCCI~N
1.1 Motivacin
1.2 Revisin de la literatura
1.3 Objetivos y metas
1.4 Organizacin del documento

1.1
1.2
1.5
1.6

2. CALENTAMIENTO POR WDUCCIN


2.1 Introduccin
2.2 Potencia transferida a un conductor cilndrico
2.3 Efecto piel
2.4 Punto ptimo de operacin
2.5 Tiempo de calentamiento
2.6 Caracterizacin de la carga
2.7 Tratamientos trmicos comunes
2.8 Plasmas
2.9 Profundidad piel en plasmas
2.10 Eficiencia en la transferencia de potencia al plasma
2.1 1 Efecto de la temperatura sobre la conductividad elctrica del plasms
2.12 Variacin de la conductividad en el plasma
2.13 Potencia mnima para la generacin de plasma
2.14 Comportamiento dinmico del plasma

2.1
2.2
2.3
2.3
2.4
2.5
2.6
2.8
2.9
2.10
2.11
2.12
2.13
2.14

3. EL INVERSOR CON CARGA RESONANTE


3.1 Introduccin
3.2 Coniparacin de configuraciones
3.3 Modos de operacin con salida de dos niveles
3.4 Modos de operacin con salida de tres niveles
3.5 Prdidas en el inversor
3.6 Red resonante de carga
3.7 Conexin a travs de transformador
3.8 Anlisis de cortocircuitabilidad

3.1
3.2
3.2
3.7
3.8
3.10
3.15
3.16

4. S E G W N T O DE LA RESONANCIA
4.1 Introduccin
4.2 Anlisis del circuito
4.3 Criterios de diseo
4.4 Relacin entre los elementos de la red
4.5 Procedimiento de diseo
4.6 Comportamiento dinmico

4.1
4.2
4.4
4.7
4.8
4.9

1-2 Iniroduccin

Alto factor de potencia del sistema de calentamiento por induccin. La tensin de


alimentacin al inversor proviene de un rectificador, alimentado de la tensin de lnea. Es
deseable que este rectificador presente el factor de potencia ms alto posible. Este es un aspecto
que incide en la eficiencia global, rectificador ms inversor, del sistema de calentamiento por
induccin.

As pues, el presenta trabajo est enfocado al anlisis de los tres aspectos arriba
mencionados.
1.2.- REVISION DE LA LITERATURA

Los inversores resonantes constituyen una categora de convertidores CD-CA, que se


caracteriza porque la conmutacin de los dispositivos depende de la resonancia de la carga [l]. De
acuerdo a la clasificacin establecida para las diferentes tcnicas de conmutacin forzada, stos
corresponden a lo que se denomina Inversores clase A; la carga es un circuito resonante bajoamortiguado y el apagado de los dispositivos se obtiene cuando la comente invierte su sentido de
flujo [2].
Estos aparatos se han utilizado ampliamente en aplicaciones de calentamiento por induccin
[3][4]. Esta .tecnologa lleva bastante tiempo en el mercado, existiendo una oferta considerable de
este tipo de convertidores, en una gama muy amplia de potencias de salida y frecuencias de
operacin. Se dispone desde sistemas para fundicin de metales, con potencias de MW a frecuencias
de lnea, hasta sistemas de unos cuantos kW a frecuencias de MHz, para aplicaciones de
espectroscopa [5][6].
Debido a las caractersticas de los dispositivos de potencia disponibles, los pnmeros
convertidores resonantes se construyeron con tinstores. En este tipo de aparatos se busc optimizar
el tiempo durante el cual se aplica a los tinstores la polarizacin inversa que les permite recuperar su
estado de apagado [7][8].
Un inversor resonante puede alimentarse tanto a partir de una fuente de tensin como de una
fuente de comente. En un principio se prefiri la configuracin con alimentacin a partu de una
fuente de comente [9], ya que presenta ventajas en lo que a especificaciones de los dispositivos se
refiere [IO][ii][iZ]. A pesar de sus ventajas, los inversores alimentados en corriente presentan
inconvenientes relacionados con los procesos de arranque y paro del aparato [13]; estos
inconvenientes estn asociados con la necesidad de tener una fuente de comente regulada.
Por lo que respecta al inversor con fuente de tensin, su constniccin es ms sencilla que el
de fuente de comente, la tensin de alimentacin puede proceder de un rectificador no controlado, y
su control es ms simple. Si bien puede tambin presentar dificultades en el manque, cuando la
carga se c.onecta a travs de un transformador [14], stas se pueden solucionar con relativa facilidad,
dividiendo la capacitancia de compensacin entre el primario y el secundario del transformador
v51.
Un anlisis completo de las aplicaciones de calentamiento por induccin ha demostrado que
el inversor en configuracin puente completo, alimentado en tensin, es el que presenta las mejores

1 INTRODUCCION
1.1.- MOTIVACION

El calentamiento por induccin es una tecnologa que se ha utilizado ampliamente para


efectuar tratamientos trmicos debido a que ofrece ventajas sobre los homos convencionales; por
ejemplo: una mayor eficiencia, ya que el calentamiento se produce directamente en la pieza que se
somete al tratamiento; encendido rpido, a diferencia de los homos convencionales, que contienen
un volumen considerable de material refractario que debe calentarse durante el encendido.
Entre la gama de aplicaciones se pueden citar las siguientes: fusin, templado, y recocido de
metales; vulcanizado y endurecimiento de pinturas; cohesin de adhesivos; refinamiento de
semiconductores; generacin de plasmas en espectrmetros y espectrgrafos; cocinetas de tipo
domstico, etc.
En el calentamiento por induccin la pieza a tratar se coloca en el campo magntico inducido
por una bobina a travs de la cual fluye una comente alterna. Un parmetro importante es la
frecuencia de esta corriente, ya que es funcin del tipo de tratamiento deseado. En aplicaciones de
fusin puede utilizarse la frecuencia de lnea, mientras que para aplicaciones de espectrometna es
necesario utilizar frecuencias del orden de MHZ.
La tendencia actual est dirigida al empleo de convertidores CD-CA como fuente de tensin
alterna. La carga, constituida por la bobina y la pieza de trabajo, puede modelarse como una
inductancia en serie con una resistencia. A fin de optimizar la eficiencia en el convertidor, se
agregan elementos reactivos de manera que se obtiene un circuito resonante. Cuando la frecuencia
de operacin del convertidor coincide con la de resonancia de la carga se opera en un rgimen de
conmutacin suave y se tienen prdidas mnimas en la conmutacin de los interruptores.
A fin de mantener la eficiencia al mximo, el convertidor debe cumplir con varias
caractersticas:
Mantenimiento de la frecuencia de operacin en resonancia, ante cambios en las
caractersticas de la carga. Tanto la inductancia como la resistencia del modelo equivalente
son funcin de la temperatura, por lo que variarn durante el proceso. As pues, para evitar que
se degrade la eficiencia, la frecuencia de operacin del inversor deber seguir las variaciones en
el punto de resonancia de la carga. Es importante notar que, en algunas aplicaciones, las
variaciones en las Caractersticas de la carga pueden ser sumamente rpidas.
Variacin de la potencia de salida. El convertidor deber ser capaz de permitir la variacin de
la potencia transferida a la carga, sin menoscabo de la eficiencia.

2-2 Calentamiento por induccin

2.2.- Potencia transferida a un conductor cilndrico

El primer punto a analizar lo constituye la cantidad de potencia que se transfiere a la pieza.


Se considerar el caso en que sta es cilndrica, de radio a, de conductividad y temperatura
uniformemente repartidas. El anlisis detallado para determinar la potencia por unidad de longitud
en el cilindro se incluye en el apndice I. De acuerdo a ste, la potencia por unidad de longitud es
(ecuacin 1.19):

donde:

HO= intensidad del campo magntico en la supercie del cilindro,


o = conductividad del material,
s = profundidad piel, definida por la ecuacin I.7, y
F = funcin definida por la ecuacin I. 18.
De acuerdo a la ecuacin (2.1), la potencia por unidad de longitud es proporcional al cociente

Fas. En el comportamiento de la potencia existen dos zonas bien diferenciadas; Para valores
reducidos del cociente a/s (1.5 > ah) la potencia exhibe un comportamiento exponencial y se puede
aproximar con:

~.,

Para als 2 5 la potencia exhibe un comportamiento lineal y se puede expresar como:

.=e(%)
o

a
-F
S

10

0.01

Figura 2.2 comportamiento de la potencia por unidad de longitud del cilindro.

(2.3)

2 CALENTAMIENTO POR INDUCCI~N


2.1.- Introduccin

El calentamiento por induccin ocurre cuando un trozo de material conductor se coloca en el


interior de un campo magntico creado por una bobina a travs de la cual fluye una comente alterna,
como se muestra en la figura 2.1. El campo magntico induce comente de Foucault en el interior del
material y el calentamiento se debe al efecto Joule. El material puede ser tanto magntico (acero o
hierro, por ejemplo) como no magntico (como aluminio). En los materiales magnticos se tienen
adems las prdidas por histresis magntica, aunque su contribucin es poco significativa
comparada con el Calentamiento debido a las comentes de Foucault.

Figura 2.1 Principio del calentamiento por induccin


Una caracterstica importante es que las comentes de Foucault tienden a concentrarse en la
superficie del material, siendo esta concentracin dependiente de la frecuencia de la comente que
alimenta a la bobina. As, controlando esta frecuencia, la intensidad de la comente y el tiempo
durante el cual sta fluye por la bobina, puede someterse el material a diferentes tratamientos
trmicos.
Desde un punto de vista elctrico, el conjunto bobina-pieza puede modelarse como una
resistencia en sene con una inductancia. Es comn agregar elementos reactivos, ya sea en serie o en
paralelo, de manera que se obtiene un circuito resonante. Esto resulta ventajoso para la fuente de
alimentacin, ya que permite una operacin ms eficiente. Por otro lado, el principio del
calentamiento por induccin se puede utilizar en la generacin de plasmas con acoplamiento
inductivo, los que presentan ventajas sobre los plasmas que se generan por medio de un arco
elctrico. A continuacin se presentan los aspectos electromagnticos relevantes, considerando que
la pieza a calentar es un material conductor slido, de acuerdo al anlisis desarrollado en la
referencia [61];posteriormente se relacionarn estos aspectos con las caractersticas de un plasma
con acoplamiento inductivo.

1-6 Introduccin

c) Inclusin de la correccin del factor de potencia en arreglos rectificador-inversor resonante.


Asimismo, se relacionarn las soluciones propuestas con mbitos de aplicacin posibles

En concordancia con los objetivos, las metas perseguidas consisten en probar las soluciones
propuestas en un prototipo de inversor resonante, el que tendr una capacidad mxima de 1.5 kVA,
operando a una frecuencia mxima de 200 &.
1.4.- ORGANLZACI~N
DEL DOCUMENTO

El captulo 2 se dedica a describir los aspectos bsicos que gobiernan al calentamiento por
induccin. Se hace nfasis en la existencia de un punto de mxima eficiencia, el que depende de la
frecuencia de operacin y las caractersticas del material a tratar. Adems, se describen los puntos
relevantes a considerar cuando se desea generar un plasma con acoplamiento inductivo. Se incluye
tambin un apndice en el que se describen otros procesos que se alimentan por medio de inversores
resonantes: generacin de plasmas por medio de acoplamiento capacitivo y aparatos basados en el
efecto Corona.
El captulo 3 contiene una descripcin somera de un inversor resonante, operando con una
carga R-L-C. Se describen los diferentes modos en que puede operar el inversor dependiendo de las
caractersticas particulares de la carga
!

En el captulo 4 se analiza un circuito analgico para el seguimiento de la condicin de',


resonancia en la carga, el que se basa en la medicin de la corriente que circula a travs de sta. Se '
describe el comportamiento bsico del circuito, el efecto de la variacin de la frecuencia, y se
establecen criterios de diseo basados en la tasa de crecimiento de la tensin a la entrada de un
comparador.

El captulo 5 trata la modulacin de densidad de pulsos. Se obtienen las relaciones analticas


para la comente eficaz resultante, en funcin del ciclo de trabajo de la modulacin y de las
caractersticas de la carga; tambin, se analiza el contenido armnico resultante.
El captulo 6 se dedica a la aplicacin de un inversor resonante utilizado como corrector del
factor de potencia. Se dan las relaciones basicas para este montaje y se demuestra que, para una
potencia de salida dada, la correccin se alcanza a costa de un mayor esfuerzo de comente en los
interruptores.
En el captulo 7 se describe la circuitera diseada para probar los diferentes aspectos
desarrollados, incluyndose prestaciones funcionales de arranque, paro, operacin en lazo abierto,
conmutacin a modo de seguimiento de la resonancia, etc.
En el captulo 8 se recopilan los resultados de las pruebas a las que se someti el prototipo de
inversor resonante construido.

Inroduccin 1-5

1.2.5.- Configuraciones especiales

Contina el inters en las prestaciones de otras configuraciones, enfocadas a aplicaciones


especficas; por ejemplo, la configuracin push-pull alimentada en comente [5S]. De especial
relevancia es la aplicacin del calentamiento por induccin en electrodomsticos. La investigacin
se centra en la maximizacin de la eficiencia [S6] y reduccin del nmero de dispositivos
[57][58][59][60].
La tendencia en este caso es hacia la obtencin de sistemas de calentamiento por
induccin con un solo interruptor.
1.2.6.- Conclusiones

Del anlisis de la bibliografia relacionada con convertidores con carga resonante, pueden
extraerse las siguientes conclusiones:
a) Variacin de ootencia en la carga: Los mtodos preferidos para la variacin de la potencia
entregada a la carga son aquellos que ofrecen la mejor eficiencia. La tcnica de modulacin de
densidad de pulsos presenta claras ventajas sobre otras, ya que permite mantener la operacin en
el punto de resonancia de la carga, Si bien se han reportado aplicaciones basadas en esta tcnica,
existen aspectos sin resolver, especialmente en lo que al anlisis de las formas de onda resultante
se refiere.
b) Semimiento de la resonancia: El seguimiento rpido del punto de resonancia es especialmente
importante en aplicaciones en las cuales la carga presenta variaciones bruscas. En estos casos el
control basado en mtodos analgicos presenta ventajas con respecto a los mtodos basados en
PLL's, ya que permiten obtener una mejor respuesta transitoria.
c) Prestaciones extras: En aplicaciones de baja potencia, tales como sistemas de insercin de piezas
metlicas en envolventes plsticos, cocinas, etc., resulta muy atractiva la posibilidad de corregir
el factor de potencia sin necesidad de utilizar ms etapas. .Sin embargo, para evitar la aparicin
de armnicos a la frecuencia de !nea, es primordial asegurar la operacin del inversor durante la
totalidad del ciclo.
.

. - . . .

. .

1.3.- OBJETIVOS Y METAS

El tema de investigacin "Estudio de inversores resonantes de alta eficiencia y


seguimiento rpido de la frecuencia" tiene los siguientes objetivos:
Analizar los aspectos que intervienen en el rendimiento eficiente de un inversor resonante,
proponiendo soluciones que permitan maximizar la eficiencia. Los aspectos a considerar son los
siguientes:
a) Seguimiento rpido de la frecuencia de resonancia, ante cambios repentinos en las caractersticas
de la carga.
b) Capacidad para variar la potencia entregada a la carga, sin que se produzcan incrementos en las
prdidas del aparato.

1-4 Introduccin

Una ventaja de esta tcnica es que permite una variacin continua de la potencia entregada a
la carga Como desventaja se tiene que el circuito de control es complejo ya que se necesita un doble
lazo de realimentacin: la potencia de salida se ajusta por medio del defasamiento entre ambas
ramas del puente inversor, y la condicin de conmutacin suave se obtiene por medio de un ajuste
en la frecuencia; ambos lazos pueden tener tiempos de respuesta diferentes [29][30]. Tambin se han
propuesto esquemas de gobierno de mayor complejidad, basados en el empleo de dos PLL's [31].
Una ventaja de ndole prctica es la oferta de circuitos especializados para esta aplicacin [32].

Controlpor medio de PDM


La tcnica de modulacin por densidad de pulsos permite mantener la operacin en
resonancia bajo cualquier condicin de carga [33][34][35], por lo que ofrece una operacin muy
eficiente. Sus inconvenientes son que no permite la variacin continua de la potencia de salida, y
que aparecen subarmnicos de la frecuencia de resonancia.
1.2.3.- Seguimiento de la resonancia

A fin de mantener una operacin eficiente la frecuencia de operacin del inversor debe
coincidir con la de resonancia de la carga; cuando esto ocurre se minimizan las prdidas ya que la
impedancia de carga es resistiva. La carga no permanece invariable en el tiempo sino que es funcin
del proceso, pudiendo tenerse cambios muy rpidos, como en el caso de generacin de plasmas; el
cambio puede deberse tambin a causas tales como el corto circuito de algunas espiras de la bobina
de calentamiento. Lo anterior implica que, para mantener la eficiencia mxima, la frecuencia del
inversor deber seguir las variaciones en el punto de resonancia de la carga. La operacin en este
punto tambin garantiza que se transfiere la potencia mxima a la carga. Si la frecuencia de
operacin difiere de la de resonancia la potencia transferida disminuye, lo que puede tener efectos
graves sobre los procesos; por ejemplo, en el caso de generacin de plasmas la disminucin de
potencia puede dar lugar a la extincin del plasma [36].
Para el seguimiento de la condicin de resonancia una tendencia muy popular ha consistido
en el empleo de circuitos de.-amarre de fase (PLL) [37][38][39][40][41][42][43][44] [45]; sin
embargo, no siempre es fcil optimizar su respuesta transitoria ya 'que su comportamiento
corresponde al de un sistema de segundo orden [46][47]. Otra tendencia ha consistido en el empleo
de circuitos analgicos para el seguimiento de la condicin de resonancia, los que ofrecen una
respuesta ms veloz [48][49][50][51].
1.2.4.- Otras caractersticas funcionales

Una prestacin extra a la que recientemente se le est prestando atencin es la inclusin de la


capacidad para corregir el factor de potencia, sin necesidad de utilizar etapas de potencia
adicionales. Claramente, esto slo es posible en aplicaciones en las que la magnitud de la potencia
es tal que el sistema puede alimentarse a partir de una la de alimentacin manofsica. Un
requerimiento importante en esta aplicacin consiste en mantener la operacin del inversor durante
la totalidad del ciclo de lnea, con la finalidad de evitar la aparicin de armnicos de la frecuencia de
lnea [52][53][54]

Introduccin 1-3

caractersticas globales. [16][17][18]. En la actualidad, la tendencia es hacia el empleo de la


configuracin con fuente de comente para aplicaciones de alta potencia (P > 20 kw) a frecuencias
intermedias y bajas (f < 100 kHz) [19]. La configuracin con fuente de tensin se usa en
aplicaciones de alta frecuencia (f 100 kHz) y baja potencia (P < 20 kW) [20].
1.2.1- Red resonante de carga

En principio y para un inversor con fuente de tensin, basta con una red constituida por un
inductor, una resistencia y un capacitor conectados en serie para obtener un circuito resonante. Sin
embargo, se han propuesto redes con un mayor nmero de elementos que proporcionen prestaciones
adicionales. Por ejemplo, enfocadas a disminuir los esfuerzos sobre los interruptores [21][22], o a
optimizar la relacin que existe entre la comente en los interruptores y la potencia entregada a la
carga [23]. La proliferacin de redes resonantes de carga, tratadas como casos separados, ha llevado
a proponer modelos generalizados [24].
1.2.2- Variacin de la potencia de salida

Una caracterstica importante es la capacidad de variar de manera controlada la potencia que


se entrega a la carga. Las maneras ms sencillas de lograr este objetivo son variando la tensin de
entrada al inversor o, cuando el tipo de dispositivos de potencia que se u t i l i lo permite, variando
la frecuencia de operacin. Un inconveniente comn a estas tcnicas es que se trata de mtodos
disipativos, por lo que se han explorado mecanismos ms eficientes de variacin de la potencia de
salida.

Variacinpor medio de la red de compensacin


Conforme se incrementa el nmero de elementos en la red de carga se incrementa tambin el
nmero de frecuencias de resonancia, en las cuales la red presenta una impedancia completamente
resistiva. Los valores de los elementos de la red pueden calcularse entonces a fin de presentar
valores de resistencia diferentes en cada uno de los puntos de resonancia. As, por ejemplo, se ha
propuesto una red que ofrece tres puntos de resonancia, pero el clculo de los elementos es muy
complicado. Adems, dado que slo se tiene un nmero reducido de puntos de resonancia, el ajuste
fino de la potencia deber r e a i i i s e variando la tensin de entrada [25].

Control por medio de P W M


La tcnica PWM de pulso nico, tambin conocida como phase-shift, es una alternativa
interesante para variar la potencia de salida ya que, comparada con la regulacin de la potencia por
medio de commientos en frecuencia, somete los interruptores a esfuerzos menores [26]. Aunque
esta tcnica es antigua [l], se haba ufiiado principalmente en aplicaciones tales como
accionadores de mquinas o fuentes inintenumpibles. Su aplicacin a inversores resonantes es
relativamente reciente [27][28].

2-4 Calentamiento por induccin

a,

En la ecuacin anterior el subndice "L" se refiere a parmetros del inductor. Las prdidas en
La eficiencia en la transferencia de energa puede
la bobina sern entonces proporcionales a
evaluarse por medio de la relacin entre la potencia en el cilindro y las prdidas en la bobina:

En el intervalo en el cual se cumple que 1.5 2 ah, la potencia transferida al cilindro puede
expresarse como PC = K l f ,por lo que la eficiencia queda como:

A su vez, para als 2 5, la potencia en el cilindro se puede expresar como PC = Kj


cociente queda como:

q = K4

Jf ; el
(2.9)

donde Kd es una constante. Se puede concluir entonces que, si se est operando en el intervalo en el
cual aplica la ecuacin 2.2, el aumentar la frecuencia de operacin redunda en un aumento de la
eficiencia del conjunto cilindro-bobina. Por el contrario, en el intervalo en el cual aplica la ecuacin
2.3 la eficiencia permanece constante, independientemente de la frecuencia. Las curvas definidas
por las ecuaciones 2.2 y 2.3 se intersectan en el punto d s = 1.587; este punto define entonces una
frecuencia crtica fc. La operacin por debajo de fc ocasionar una reduccin en la eficiencia del
calentamiento, mientras que la operacin por arriba no produce incrementos en la eficiencia.
2.5.- Tiempo de calentamiento

El material inmerso en el campo magntico creado por el inductor de calentamiento sufnr


un incremento de temperatura; el valor que se alcanza es funcin de la cantidad de material, sus
Caractersticas, de la energa que se le inyecta y de las prdidas trmicas que ocurren en ste.
Suponiendo un cuerpo negro en el cual las prdidas trmicas ocurren nicamente por radiacin, la
temperatura final T, que se alcanza en un tiempo infinito est dada por la siguiente ecuacin:
(2.10)
donde:
P = potencia,
A = rea superficial del material,
TO = temperatura inicial, y
c = 5.73 x 10.' (valor derivado de la constante de radiacibn de Stefan).
es:

A su vez, el tiempo t~ necesario para alcanzar una temperatura TX intermedia entre TO y T,

Calentamiento por induccin 2-3

Este comportamiento se muestra en la.figura 2.2; en ella, la curva etiquetada como " A
corresponde a F
por lo que es proporcional a la potencia dada por la ecuacin (2. I); la curva B

g,

o#/)",
y es proporcional a la potencia dada por la ecuacin (2.2);
finalmente, la curva C describe el comportamiento de g ,y es proporcional a la potencia dada por
muestra el comportamiento de

la ecuacin (2.3).

2.3.- Efecto piel

Cuando la frecuencia del campo magntico es elevada aparece el fenmeno denominado


efecto piel, el cual consiste en que la comente tiende a concentrarse en !a superficie del cilindro;
esta concentracin es ms severa conforme aumenta la frecuencia del campo magntico. Al
evaluarse puntos cada vez ms alejados de la superficie del cilindro, hacia el interior, la comente
disminuye en amplitud y muestra un defasamiento progresivamente mayor. El parmetro
denominado profundidad piel "S" aparece en un cambio de variables que se realiza durante el
proceso matemtico de determinacin de la potencia transferida a un conductor cindrico (ver
apndide I, ecuacin 1.7):

s=m
1

(2.4)

La interpretacin elctrica consiste en que, a esta profundidad, la densidad de corriente a


decado a I/e del valor presente en la superficie del cilindro; es decir, es el 36.78% del valor en la
superficie; por lo tanto, el 86.4% del calentamiento ocurre en el volumen comprendido entre !a
superficie y la profundidad piel.
2.4.- Punto ptimo de operacin.

En el inductor que genera el campo magntico se producen prdidas debido a la resistencia


que este presenta al flujo de la comente En CD y bajas frecuencias, la resistencia de la bobina est
dada por
1
&=-OL

AL

(2.5)

donde GL es la conductividad del material de la bobina, y AL es el rea transversal de la misma. Al


incrementarse la frecuencia, debido al efecto piel, la comente tiende a concentrarse en la superficie
del conductor, por lo que el inductor presenta una resistencia que depende de la frecuencia; as pues:

Calentamiento por induccin 2-5

tx =

M p {tg-lz-tg2CATm3

,-+-in
To 1 (Tm+Tx)(Tm-To)
Tm

(Tm-Tx)(Tm+To)

(2.1 1)

donde:
M = masa del material, y
p = calor especfico.
2.6.- Caracterizacin de ia carga

Dos de las especificaciones principales de una fuente usada en aplicaciones de calentamiento


por induccin son la potencia de salida y la 6ecuencia de operacin. Para evaluar la primera debe
estimarse la magnitud de la resistencia de carga, mientras que la estimacin de la inductancia es
importante para determinar los elementos de la red de compensacin. Durante el proceso de
calentamiento, tanto la inductancia como la resistencia aumentan; sin embargo, cuando se alcanza la
temperatura de Curie ambas magnitudes disminuyen a un valor inferior al que tenan antes de
iniciarse el proceso de calentamiento. Por lo general, las variaciones de la resistencia son mayores
que las de la inductancia; asi, por ejemplo, en el tratamiento del acero la inductancia vara 1.2 veces
el valor mnimo mientras que la resistencia vara entre 2 y 5 veces [62].
2.6.1. Caracterizacin de la inductancia

El campo magntico en el interior de la pieza de trabajo decrece de manera exponencial; por


lo tanto, las comentes de Foucault presentarn un comportamiento similar. La ley de Lenz establece
que las comentes de Foucault que se inducen producen su propio campo magntico en direccin
opuesta al campo generado por la bobina. Dado que las comentes son mayores en la superficie del
material, el campo magntico en oposicin tambin lo ser. El resultado neto es que el campo
magntico resultante en el interior del material decrece, por lo tanto, el valor de inductancia tambin
lo hace. As pues, el valor de la inductancia disminuye cuando se coloca la pieza de trabajo en el
interior de la bobina. Adems, este valor es menor cuando el material es no ferroso (alta pr) en
comparacin del valor que se obtiene cuando el material es ferroso (h= 1).
La magnitud de la inductancia se ve afectada por una serie de factores fisicos: tamao y
dmensiones de la bobina, tamao y tipo del material a calentar, temperatura de trabajo, etc. Dada la
dificultad para obtener expresiones que describan el comportamiento de la inductancia, por lo
general sta se evala por medio de un anlisis de elemento finito.
2.6.2.- Caracterizacin de la resistencia
La resistencia de carga es la suma de la resistencia de la bobina y de la resistencia
equivalente de la pieza de trabajo. Por lo general la bobina se refrigera durante el proceso de
calentamiento, por lo que su temperatura puede considerarse constante. Por lo que atae a la
resistencia que presenta la pieza de trabajo, un valor aproximado, considerando una pieza cilndtica,
consiste en suponer que la totalidad de la comente se concentra en la profundidad piel. Se tiene as
una capa de profundidad s, anchura w y longitud I, por lo que la resistencia RLes:

2-6 Calentamiento por induccin

(2.12)
donde p es la resistividad del material. Utilizando la expresin para la profundidad piel, la
resistencia puede expresarse como:

RLZL1I1i.PXf
W

(2.13)

Tanto la resistividad como la permeabilidad dependen de la temperatura. La resistividad se


incrementa cuando aumenta la temperatura; por su parte, la permeabilidad tambin se incrementa
excepto cuando se alcanza la temperatura de Curie, ya que en este punto muestra una disminucin
muy severa. Como resultado, la resistencia aumentar hasta antes del punto de Curie, donde pasa a
un valor inferior al inicial [63].
2.6.3.- Factor de calidad Q
como:

A menudo se especifica la carga en trminos de un factor de calidad Q, el que se define

Q=,

O LL

(2.14)

Por lo general este factor de calidad est comprendido en el intervalo que abarca de 3 a 20.
En la seccin 3.6 se analiza el efecto de Q sobre parmetros tales como la tensin resultante en el
capacitor.
2.7 Tratamientos trmicos comunes

Soldadura de alta temgeratura


Este se define como la unin de dos metales usando una aleacin no ferrosa derretida, la que
tiene una temperatura de fusin superior a 42SoC, pero infeaior a la temperatura de fusin de los
metales que se estn uniendo. El material usado como soldadura se distribuye en la unin de dos
superficies contiguas por medio de atraccin capilar. Las soldaduras comnmente empleadas son
aleaciones de cobre (temperaturas de fusin entre 700' y 1175') y de plata (635' a SSOO), excepto
para el caso de soldadura de piezas de aluminio, en cuyo caso se emplea una aleacin tambin de
aluminio (565' a 61So), la que se funde a temperaturas inferiores a la de los materiales a soldar.
Soldadura de ba-ia temperatura
Este proceso es la unin de dos metales por medio de una aleacin que se funde entre los
175OC y los 370C. Como agentes por lo general se emplean aleaciones de plomo y estao.

caientamiento por induccin 2-7

Curado
Este trmino se emplea para describir cualquier proceso en el que se emplea calor para
catalizar o iniciar cambios qumicos y moleculares en un material polimrico. Entre los materiales
susceptibles de someterse a un proceso de curado estn los epxicos, fenlicos y polisteres, los que
se utilizan en una amplia gama de aplicaciones (sellado, aislamiento, recubrimiento, etc.). A
menudo, el proceso de curado requiere de la aplicacin de una rampa de temperatura.
Recocido
Este trmino se refiere a un tratamiento en el que un material se expone a una temperatura
elevada, durante un periodo prolongado, para despus enfiiarse lentamente. Por lo general, el
proceso tiene como finalidad mitigar esfuerzos en las piezas tratadas, incrementar su ductibilidad o
producir una microestructura especifica, lo que ocasiona una alteracin de las propiedades
mecnicas del material.
&yg&

Este proceso se refiere a la unin de un metal o material conductor a un plstico o hule, sin
necesidad de usar un tercer material para realizar la unin; por ejemplo, el pegado de empaques
plsticos a envolventes metlicos.

*F
Este proceso se refiere al calentamiento de un metal hasta que se alcanza su temperatura de
fusin. A menudo tiene como objetivo el vaciado de una pieza metlica, lo que se logra vertiendo el
metal fundido en un molde. La fusin puede emplearse tambin con otros fines, tal como la unin de
dos metales diferentes.
Endurecimiento

El propsito de este tratamiento es modificar la dureza del material. Es un proceso comn


para aceros y consiste en calentarlo por arriba de la temperatura de transformacin (G 720C). A esta
temperatura el carbn presente modifica la estructura cristalina del acero, llevndola a austenita. Si
el material se enfna rpidamente mantendr este nuevo estado, en el que se caracteriza por ser duro
y quebradizo. El proceso puede aplicarse a piezas completas, o a secciones de la misma. En este
ltimo caso por lo general se endurece la superficie de la pieza, mientras que el hteror mantiene SU
ductibilidad; para ello, es necesario un calentamiento localizado muy rpido, seguido de un
eniiamiento tambin muy rpido, de manera que la temperatura en el interior del material no
exceda el valor de transformacin.

Este proceso es' la deformacin de una pieza metlica por medio de la aplicacin de una
fuerza; por ejemplo, forzando una placa metlica contra un molde a fin de que adquiera una forma
especfica. El proceso puede realizarse en o o en caliente. En este ltimo caso se requiere de un
calentamiento uniforme, la deformacin se lleva a cabo a una temperatura a la que ocurre la
recristalizacin del material; por lo general se aplica a elementos con geometras sencillas.

2-8 Calentamiento por induccin

Aulicaciones metal-plstico
La insercin de piezas metlicas en estructuras fabricadas con plstico permite obtener
productos ligeros, con buenas caractersticas estructurales. En estas aplicaciones se calienta la pieza
metlica a una temperatura por amba de la de ablandamiento (reflow) del plstico; al presionarse
contra el plstico, la superficie de ste que entra en contacto con el metal se ablanda y se adhiere.
2.8.- Plasmas

El plasma es un medio gaseoso formado por una mezcla de molculas, tomos, iones y
fotones, diferencindose de un gas ordinario por la presencia de partculas cargadas. Desde un punto
de vista elctrico, el plasma es globalmente neutro, sin embargo, debido a su alta temperatura y
grado de ionizacin, posee conductividad elctrica y es sensible a los campos elctrico y magntico.
A continuacin se describen las Caractersticas de los plasmas, de acuerdo a la referencia 1641.
Para la generacin de plasma se necesitan generalmente tres elementos:
a) Una descarga ionizante sobre el gas, que excite la transicin de gas aislante a gas conductor.
b) Una fuente de potencia elctrica, que sostenga de una manera estable la excitacin.
c) Un mtodo de acoplamiento que permita !a transferencia de la potencia elctrica hacia el gas

LOS plasmas pueden clasificarse de acuerdo a la naturaleza de estos elementos. Por ejemplo,
los plasmas de arco elctrico se obtienen usando una fuente de comente continua o baja frecuencia,
la descarga ionizante es un arco elctrico y el acoplamiento es resistivo. En los plasmas por
acoplamiento inductivo se utiliza un campo magntico de alta frecuencia para transferir la energa
de la fuente al gas; en el plasma se inducen comentes de desplazamiento por el efecto
transformador, por lo que no se requieren electrodos en contacto con el plasma.
Si bien la tecnologa de plasmas de arco elctrico resulta ms econmica, la presencia de los
electrodos constituye una desventaja en aplicaciones en las cuales no son admisibles las impurezas;
por ejemplo, este tipo de plasma se ha usado ampliamente en aplicaciones de espectrometra y
espectroscopa. Por otro lado, la ausencia de electrodos en contacto con el plasma contribuye a
aumentar la confiabilidad, reproducibilidad y duracin tanto de los reactores como de los productos
procesados en ellos.

ADADEAWA

ShLlDA DE A W A

Figura 2.3 Generacin de un plasma por acoplamiento inductivo

Calentamiento por induccin 2-9

En la figura 2.3 se muestra el esquema empleado para la generacin de un plasma inductivo.


El campo magntico se obtiene a partir de una bobina de induccin a travs de la cual circula una
corriente alterna; a su vez, el campo magntico produce en el gas una comente oscilatoria de iones y
electrones los que, al chocar con los tomos, producen un grado mayor de ionizacin en ste.

Parmetro
Frecuencia
Potencia
Eficiencia
Presin del gas
Temperatura del gas

Mnimo

100 1<Hz
1 kW
20%
10 Torr
1000 K

Tpico
13.46 h4Hz
30 kW
35%
1 atm
io4 K

Mximo
100 MHZ
IMW
50%
10 atm

2x104~

2.9.- Profundidad piel en plasmas

Para un plasma con acoplamiento inductivo la profundidad piel est dada por:
(2.15)

donde po y

EO

corresponden a la permeabilidad y permitividad del vacio respectivamente. Para la


om

mayona de los casos se cumple que -- 1, por lo que la ecuacin (2.15) se reduce a:

(2.16)

lo que corresponde a la ecuacin 1.7 del apndice I. La profundidad piel tambin puede expresarse
como:
(2.17)

2-10 Calentamiento por induccin

donde fc es la frecuencia de colisin de los electrones y n. corresponde a la densidad de


concentracin de electrones. La profundidad piel es entonces funcin de estos parmetros y muestra
un comportamiento como el de la figura 2.4. Para una densidad de electrones dada, la profundidad
piel es proporcional al cociente entre la fiecuencia de colisin de los electrones y la frecuencia de
operacin; a su vez, este radio tiene la siguiente proporcionalidad:
-af c P

(2.18)

donde p corresponde a la presin del gas. As pues, para una concentracin de electrones dada la
profundidad piel es proporcional a la presin del gas.
Profundidad piel [m]

,o4[

1o''

'

""""

'"""'s

'

""""

'

""""

1o'$
1ote
1o"
1o'8
Densidad de electrones [electronedms

"..-I

1oto

Figura 2.4 Profundidad piel en funcin de la densidad de electrones.


2.10.- Eficiencia en la transferencia de potencia ai plasma

En el caso de un generador de plasma inductivo, el cilindro a calentar est rodeado por un


tubo de cuarzo, alrededor del cual se encuentra la bobina de induccin, tal como se muestra en la
figura 2.5. La inclusin de este tubo se refleja como una disminucin de la eficiencia en el conjunto
bobina-plasma; en la figura 2.6 se muestra el comportamiento de la eficiencia para diferentes valores
de la relacin entre el dimetro del cilindro y el correspondiente ai tubo de cuarzo [65].
Para una relacin d r e dada, la eficiencia del acoplamiento alcanza un m h o para un valor
de d s tambin dado. De acuerdo a la figura, las mejores eficiencias se obtienen para &re cercanas a
la unidad; sin embargo, debido al calentamiento que esto origina sobre la bobina, se prefiere utilizar
valores alrededor de 0.7,con lo que se obtiene una eficiencia mxima del orden de 0.3. Por
lo
general, el acoplamiento es mximo cuando 2.28 2 ds z 1.4, esto implica que la profundidad piel
debe estar entre un tercio y dos tercios del radio del plasma.

Calentamiento por induccin2-11


cuarzo

rh

Figura 2.5 Modelo cilndrico incluyendo el tubo de confinamiento

Figura 2.6 Eficiencia en funcin de la relacin entre el dimetro del ciiindro y el del tubo de cuarzo
2.11.- Efecto de la temperatura sobre la conductividad elctrica del plasma

Se ha determinado hasta ahora que existe un valor del cociente uls para el cual la eficiencia
es ptima.; usando la ecuacin 1.7 para la profundidad piel, el cociente queda como:
(2.19)
para un plasma la permeabilidad puede aproximarse a
de dimensin dada, se obtiene que:

=4

n x lo-; por lo tanto, para un cilindro

-= 6.32 x 1O4 a x
U

(2.20)

SEF

DGTl

CENIDET
CENTRO DE iNFORMAClON

2-12 Calentamiento por induccin

De acuerdo a la ecuacin (2.11), la eficiencia depender tambin de la conductividad


elctrica del plasma. Ahora bien, este parmetro no permanece constante sino que es funcin, entre
otras cosas, de la temperatura alcanzada. Por ejemplo, para el argn, que es un gas plasmgeno
comnmente usado, se tienen las siguientes relaciones [66]:
3.1778

IS = 2 . 2 6 8 6 6io3
(Tj

o3 + 276.881( L)
10 - 2202.08
2

IS = 25.7555(7)
1

Cunductividad electrica

T<_7000K

(2.21)

7000KIT<13750K

(2.22)

CT ni

.......... f ............. ;............ :............ ;............


................................................................

..................................................................
1o

..................................................................
O

0.5

1
1.5
Temperatura K

2.5

Id

Figura 2.8 Conductividad elctrica del argn en funcin de la temperatura.

En la figura 2.8 se muestra grficamente la dependencia de la conductividad elctrica con


respecto a la temperatura. As,para temperaturas inferiores a 7000 K el cociente d s queda como:
a
-=51.174~10-~UT''^^ J f
S

(2.23)

A guisa de ejemplo y usando las relaciones anteriores, para una temperatura T = 5,000 K se
obtiene una conductividad IS = 377.53 CY cm, mientras que para T = 5,500 K se obtiene G =
511.08 O- ern-'; un incremento del 10% en la temperatura del plasma origina una variacin del
orden del 36% en la conductividad elctrica del mismo.
2.12.- Variacin de la conductividad en el plasma

En el anlisis de los aspectos electromagnticos asociados con el calentamiento por


induccin se parti del supuesto de que tanto la conductividad como la temperatura estaban
uniformemente repartidas En realidad esto no ocurre, como se puede apreciar en la figura 2 9 [67]
La figura muesEa la distribucin de temperaturas, expresadas en miles de grados Kelvin, en el seno

Calentamiento por induccin2-13

de un plasma; existe un valor mximo de 9800 K (en la ZOM cercana a la ltima espira de la bobina)
y un mnimo de 3,000 K en la vecindad del tubo de cuarzo usado para connar el plasma. Dada la
dependencia exponencial de la conductividad con respecto a la temperatura, se tendrn valores que
abarcan desde 75 51" m-' hasta 2750 C2-I m-'. Esto significa que ser difcil predecir los valores de
los elementos del circuito equivalente.

O D D

Figura 2.9 Distribucin de temperaturas en un plasma con acoplamiento inductivo.


2.13.- Potencia mnima para la generacin del plasma.

Un efecto adicional est relacionado con la potencia mnima necesaria para generar un
plasma, la que depende de la frecuencia y de la presin a la cual se est inyectando el gas. Esta
dependencia se ilustra en la figura 2.10 [68].A mayor presin, el gas transitara durante un tiempo
ms corto en el campo magntico producido por la bobina por lo que, a fin de producir su
ionizacin, se necesitar un campo magntico ms intenso. De acuerdo a la figura, para mantener
estable un plasma el producto Potencia-Frecuencia debe permanecer relativamente constante.

Frecuencia (Hz)

Figura 2.10 Relacin entre la potencia, la frecuencia y la presin del gas, a fin de generar y
mantener un plasma.

2-14 Calentamiento por induccin

2.14.- Comportamiento dinmico del plasma

Es dificil determinar analticamente el comportamiento dinmico de un plasma, aunque se


sabe que exhibe tiempos de respuesta sumamente cortos. Una estimacin de dicho tiempo de
respuesta puede obtenerse recurriendo nuevamente a las relaciones que aplican al calentamiento de
una pieza metlica de resistividad y temperatura uniformemente repartidas, ecuaciones (2.10) y
(2 11), se trata en este caso de determinar el transitorio trmico que ocurre cuando se transfiere
potencia a una tasa constante.
De acuerdo a la figura 2.9, que corresponde a la operacin en rgimen permanente de una
antorcha de plasma, en el seno de l se alcanzan temperaturas mximas del orden de 10,000 K,
usando una temperatura inicial TO de 300 K la cantidad entre corchetes en la ecuacin (2.11)
alcanzar un valor mximo de alrededor de 3 para valores de TX cercanos a 9,800 K. Por lo tanto el
tiempo tx es directamente proporcional a la masa, e inversamente proporcional al cubo de la
temperatura final, es decir

M
CTx3

tua-

A guisa de ejemplo, usando un valor de M


proporcional a 1.745 microsegundos.

(2.24)

0.1 kg, se obtiene que el tiempo de respuesta es

3 EL INVERSOR CON CARGA RESONANTE


3.1. Introduccin

Por definicin, este tipo de inversores tiene una carga resonante la cual, a fin de asegurar que
la comente a travs de ella presentar una forma de onda oscilatoria, debe estar subamortiguada. En
la figura 3.1 se muestra el esquema bsico de este tipo de aparatos, alimentado con una fuente de
tensin. La carga se obtiene por medio de la conexin en serie de un capacitor, una inductancia y
una resistencia. Este ltimo trmino constituye realmente la carga del inversor, a la que se desea
transferir una determinada cantidad de potencia; los elementos reactivos pueden ser parte de la
carga, o se agregan ex profeso de manera que se obtiene un circuito resonante.

Figura 3.1 Inversor resonante en serie con fuente de tensin

En el caso especfico de calentamiento por induccin, las componentes resistiva e inductiva


corresponden al conjunto bobina-pieza, y el capacitor es agregado. El valor de ste ltimo se
determina tomando en cuenta la frecuencia de resonancia deseada la que, a su vez, depende del tipo
de tratamiento al que se desea someter a la pieza [4]. Es posible obtener el dual del inversor
resonante en serie. El resultado es el inversor resonante en paralelo que se muestra en la figura 3.2;
en este caso, el inversor se alimenta por medio de una fuente de comente.
D1 $?

D2

Figura 3.2 Inversor resonante en paralelo con fuente de comente

3-2

El inversor con carga resonante

3.2.- Comparacin de configuraciones

En aplicaciones tales como calentamiento por induccin puede, en principio, emplearse


cualquiera de las dos configuraciones. Sin embargo, cada uno de ellas presenta ventajas y
desventajas lo que ocasiona que, dependiendo de la aplicacin particular, se prefiera una
configuracin sobre la otra. En la tabla 3.1 se comparan de manera sucinta ambas configuraciones
[111[121.

inversor resonante en paralelo


inversor resonante en serie
J Puede operar sin carga
JEs ms simple y ms barato
J Tolera los corto cucuitos
JEl control es ms sencillo
JLa fuente de tensin puede ser un J No necesita capacitores de valores
rectificador no controlado
elevados
JTolera circuito abierto en la fuente
J Los esfuerzos de comente en los
transistores son ms reducidos
D El control es ms complejo
D No puede operar fcilmente sin carga
D No tolera corto circuitos en la carga
D Se necesita una fuente de alimentacin
controlada
D El control por commiento de la D Requiere una inductancia de filtrado en el
frecuencia puede ser problemtico.
bus de CD
D Los transistores conducen toda la D Por lo general es ms voluminoso
comente
Una comparacin de ambas configuraciones, considerando nicamente los esfuerzos en los
transistores, demuestra que el inversor en paralelo presenta mejores caractersticas [ 101. Sin
embargo, existe en ste la necesidad de tener una fuente de alimentacin controlada, adems de
requerir un procedimiento de encendido y apagado del inversor.

Por otro lado, el hecho de tener una alimentacin basada en una fuente de comente dificulta
la implementacin de tcnicas de variacin de la potencia basadas en esquemas de modulacin en
los cuales la carga se conecta en corto circuito durante ciertas porciones del ciclo de salida. As
pues, una evaluacin global de ambas configuraciones favorece al inversor resonante en serie en
configuracin de puente completo [16][17][18]. Actualmente se prefiere ste para aplicaciones de
baja potencia, a frecuencias de operacin elevadas. El anlisis siguiente se har para esta
configuracin.
3.3.- Modos de operacin con salida de dos niveles

El inversor exhibe diferentes modos de operacin, dependiendo de los dispositivos que se


encuentren en conduccin en un momento dado. Estos modos se ilustran en la figura 3.3; definiendo
como tensin positiva en la carga aquella en la que la terminal izquierda est a un potencial ms

.. .

-..

..

..

_.

El inversor con carga resonante 3-3

-4

>
O

3-4

~i inversor con carga resonante

positivo que la derecha, y como corriente positiva ia que fluye de izquierda a derecha de la
tiene lo siguiente:

se

Modo 1: tensin y comente positivas, la conduccin es a traves de 10s transistores Q1 Y 44; el flujo
de potencia es de la fuente hacia la carga, por lo que se tiene una Operacin disipativa. Este modo
puede tener UM duracin mxima de T/2 y una duracin mnima de T/4.
a

Modo II: tensin negativa y comente positiva, la conduccin es a travs de los diodos D2 Y D3;
el flujo de potencia es de la carga hacia la fuente, por lo que se tiene una operacin regenerativa.
Cuando se tiene una carga pasiva la duracin mxima de este modo de operacin es de T/4.
Modo iI:tensin y comente negativas, la conduccin es a travs de los transistores 4 2 y Q3; el
flujo de potencia es hacia la carga, por lo que se tiene una operacin disipativa. Este modo puede
tener una duracin mxima de T/2 y una duracin mnima de T/4.
Modo IV:tensin positiva y corriente negativa, la conduccin es a travs de los diodos D1 y D4;
el flujo de potencia es de la carga hacia la fuente, por lo que se tiene una operacin regenerativa.
Como en el modo n, cuando se tiene una carga pasiva la duracin mxima de este modo de
operacin es de T/4.

Las transiciones entre los modos I y IV, y entre IT y In, involucran la conmutacin suave de

10s intemptores de potencia. A su vez, las transiciones entre los modos I y 11, y entre ID y IV,

involucran la conmutacin dura de los interruptores: encendido duro o apagado duro, dependiendo
del sentido de la transicin.
Por lo general, cuando se tiene una carga de tipo resonante, se prefiere operar en el intervalo
de frecuencias en el cual sta presenta una caracterstica inductiva, evitndose el intervalo en el cual
se presenta el comportamiento inductivo. Esto se debe a que, durante el encendido duro de los
transistores, a travs de stos fluyen las comentes de recuperacin de los diodos complementarios
de la rama. La magnitud de estas comentes depende de las caractersticas de los diodos y algunos
dispositivos, v.g.: los MOSFET's, incluyen diodos en antiparalelo de caractersticas pobres
Por otra parte, mando se tiene una carga pasiva, la operacin entre los modos IJ y IV
nicamente ocurre de manera transitoria, ya que en este caso el aparato de potencia est actuando
como rectificador, transriendo potencia de la carga hacia la fuente de CD La operacin en rgimen
permanente necesita entonces de una carga activa (generador).
3.3.I Secuenciacin de modos

Carga resistiva:
Cuando la carga es puramente resistiva, ya sea porque no existen elementos reactivos o
porque se est operando en resonancia, el inversor incursionar nicamente entre los modos I y iiI,
como se ilustra en la figura 3.4. El flujo neto de potencia ser de la fuente hacia la carga y en ningn
momento se retornar energa hacia la fuente.

Figura 3.4 Operacin en resonancia

Carga inductiva:
Si la carga no incluye un elemento capacitivo, o se est operando por arriba de la frecuencia
de resonancia, la carga presenta un comportamiento inductivo. Las formas de onda que aplican en
estas condiciones se muestran en la figura 3.5. En los lapsos durante los cuales la tensin y comente
no estn en fase el inversor retornar energa hacia la fuente.
La secuencia de operacin es la siguiente (vase la figura 3.6):
toati
ti
ti a t2
t2
t2 a t 3
t3
B a t4

t4

El inversor opera en el modo IV


Encendido suave de los transistores Ql y 4 4

El inversor opera en el modo I


Apagado duro de los transistores Ql y Q4
Operacin en el modo I1
Encendido suave de los transistores 4 2 y 4 3
Operacin en el modo iII
Apagado duro de los transistores 4 2 y 4 3

Figura 3.5 Formas de onda con carga inductiva

3-6

El inversor con carga resonante


APAGADO

ENCENDIDOT
SUAVE

1 ENCENDIDO

SUAVE

DURO

Figura 3.6 Secuencias de operacin con carga inductiva


Carga caDacitiva:

Si la carga no incluye un elemento inductivo, o se est operando por abajo de la fiemencia


de resonancia, la carga presenta un comportamiento capacitivo. Las formas de onda que aplican en
estas condiciones se muestran en la figura 3.7. En los lapsos durante los cuales la tensin y corriente
no estn en fase el inversor retornar energa hacia la fuente.
La secuencia de operacin es la siguiente (vase la figura 3.8):
El inversor opera en el modo I
Apagado suave de los transistores Qi y Q4
El inversor opera en el modo IV
Encendido duro de los transistores 4 2 y 4 3
Operacin en el modo III
Apagado suave de los transistores Q2 y Q3
Operacin en el modo I1
Encendido duro de los transistores Qi y 4 4

Figura 3.7 Comportamiento con carga capacitiva

El inversor con carga resonante 3-7


ENCENDIDO

APAGADO
SUAVE

APAGADO
SUAVE

ENCENDIDO
DURO

Figura 3.8 Secuencias de operacin con carga capacitiva


3.4.- Modos de operacin con salida de tres niveles

Cuando se desea generar en la carga una forma de onda con tres niveles, adems de operar
con los modos I a iV definidos en la seccin anterior, es necesario conectar la carga en corto
circuito durante lapsos definidos. Esta operacin es posible slo si en los elementos reactivos se
tiene almacenada la energa suficiente para mantener la circulacin de comente durante el lapso en
el cual la carga esta cortocircuitada.
En el caso de inversores con carga resonante, es de inters el caso en el cual la tensin nula
se produce durante ciclos completos. Para evitar distorsionar la forma de onda de salida,
especialmente cuando la componente reactiva de la carga es significativa, o cuando se opera a una
frecuencia relativamente alejada de la de resonancia, es necesaio encender un par de transistores en
el puente inversor, bien sea los superiores de ambas ramas, o los inferiores. Se tiene entonces el
modo de conduccin V que se muestra en la figura 3.9.
La secuencia de los modos de operacin cuando se tiene una carga inductiva, se muestra en
la figura 3.10a. A su vez, la secuencia para el caso de una carga capacitiva se muestra en la figura
3.10b. Las lineas continuas corresponden a la operacin normal, mientras que las discontinuas
corresponden a la generacin de tensin nula en la carga. Los estados I a iV se recorren durante un
ciclo de salida, y se permanecer en el estado V durante un ciclo completo.

(a) Modo V.a: comente positiva

3-8

El inversor con carga resOWte

(b) Modo V.b: comente negativa


Figura 3.9 Modo de operacin con tensin nula

-"@'
(a) Carga inductiva

(b) carga capacitiva

Figura 3.10 Secuencias de operacin con salida de tres niveles

3.5.- Prdidas en el inversor


La expresin general para las prdidas en uno de los interruptores del puente inversor es:
(3.1)

donde ic(t) es la comente de colector del transistor y VCE(t) es la tension colector-emisor. Por lo
general, se acostumbra disociar las prdidas en dos trminos: las prdidas de conduccin, que
ocurren cuando el transistor est en saturacin, y las prdidas de conmutacin, las que ocurren
durante los transitorios de encendido y apagado del transistor.
Para un IGBT, las prdidas en conduccin se pueden aproximar con [71]:

y donde:

El inversor con carga resonante 3-9

LOS trminos U y b de la ecuacin anterior son constantes que dependen del dispositivo en
particular. As pues, para un dispositivo dado, las prdidas son funcin de la forma de onda de
comente durante el intervalo t o N en el cual permanece en saturacin.

Por SU parte, las prdidas de conmutacin se dividen en prdidas en encendido y prdidas en


apagado aunque, como queda claro de la secuenciacin de los modos de operacin descritos, en un
inversor resonante nicamente se presentan de un tipo, en funcin del factor de potencia de la carga.
Las prdidas en encendido estn asociadas con el paso del modo I1 ai modo I con carga
capacitiva (encendido duro). En la figura 3.1 1 se muestran formas de onda tpicas, en las que queda
claro que el transistor debe soportar una tensin elevada mientras el diodo en antiparalelo con el
transistor complementario de la r a m a recupera su estado de bloqueo, io que ocasiona que fluya una
comente de intensidad considerable. Las prdidas en apagado ocurren en el paso del modo I al II,
con carga inductiva (apagado duro). En la figura 3.12 se muestran las formas de onda tpicas. El
transistor debe soportan una tensin elevada mientras la comente a travs de l se extingue.

IC

Figura 3.11 Formas de onda en el encendido duro

Figura 3.12 Formas de onda en el apagado duro

En general, es dificil predecir analticamente la magnitud de las prdidas en CO~~taCiQ


Ya
que dependen de una diversidad de factores dificiles de Controlar.

3-10 El inversor con carga resonante

3.6 Red resonante de carga

Anlisis en rmmen Dermanente


La carga del inversor es la red resonante compuesta por una resistencia, un capacitor y un
inductor conectados en sene, como se muestra en la figura 3.13. Debido a la existencia de dos
elementos de almacenamiento de energa, esta red exhibe una respuesta de segundo orden, cuya
naturaleza depende de la variable que se tome como salida.

Figura 3.13 Red resonante en sene

La impedancia que presenta esta red est dada por:


(3.4)

El comportamiento de la magnitud de la impedancia se muestra en la figura 3.14. A bajas


frecuencias la magnitud de la impedancia disminuye conforme se incrementa la frecuencia, lo que
corresponde a un comportamiento capacitivo; en altas frecuencias la magnitud aumenta conforme se
incrementa la frecuencia, lo que corresponde a un comportamiento inductivo. En el punto en el cual
la reactancia capacitiva iguala a la inductiva se tiene un comportamiento resistivo, la magnitud de la
impedancia es igual ai valor de la resistencia y la fase de la impedancia es cero. La comente que
circula por la red es proporcional a la admitancia de la red.

,001

10'

16'

lrp
Freaiencisw)

lo'

id

Figura 3.14 Magnitud de la impedancia de la red RLC

Dado que se tienen dos elementos de almacenamiento de energa, la red exhibe una respuesta
de segundo orden, cuya naturaleza depender de la variable que se tome como salida 1721. Si se

El inversormn carga resonante3-I I

considera que la variable de inters es la tensin que aparece en la resistencia la funcin de


transferencia ser:

-_
vo -

vi R + j [ o L - ( l / w C ) ]

(3.5)

La magnitud de la funcin de transferencia alcanzar el mximo cuando el trmino


imaginario en el denominador se anule. Si 00 es la frecuencia a la que esto ocurre, entonces:

&L--

1
=O
WOC

(3.6)

(3.7)

Por lo tanto, 00 es la frecuencia de resonancia del circuito. La funcin de transferencia


tendr un comportamiento pasa-bandas; un parmetro importante en este tipo de respuesta es el
factor de calidad Q. el que indica que tan selectiva es la respuesta de la red, y que est dado por:

Q=,

WOL

(3.8)

Por otro lado, cuando el parmetro de inters es la tensin en el capacitor la funcin de


transferencia de la red es:
vo -_

v,

- WLC

I-wLC+ j w R C

(3.9)

Este comportamiento corresponde a una respuesta pasa-altas. Para valores elevados de Q, en


la respuesta se desarrolla un pico a la frecuencia:
(3.10)

Conforme el valor de la resistencia disminuye, la frecuencia a la que ocurre el pico se


aproxima a la de resonancia; este comportamiento corresponde a incrementos en el factor de calidad,
y OPICO puede expresarse tambin en funcin de este parmetro:
6FWO

il

1--

(3.11)

2 ;2

Un parmetro de inters es el valor mximo de tensin que aparece sobre el capacitor, dicha
magnitud es:

3-12 El inversor a n carga resonante

(3.12)

2Q'-0.5

Si se cumple que Q >> 1, se obtiene que la frecuencia a la cual aparece la tensin mxima en
el capacitor coincide con la frecuencia natural no amortiguada de la red resonante; en estas
condiciones, el pico mximo de tensin es Q veces la aplicada a la red. En la figura 3.15.a se
muestra el comportamiento de la magnitud de las respuestas descritas (pasa banda y pasa altas),
mientras que en la figura 3.15.b se muestra la fase. Las figuras corresponden a un factor de calidad
de 5
FaSe

0.1

(a) Magnitud

1.0

!=WWW%

10

(b) Fase

Figura 3.15 Magnitud y fase de las funciones de transferencia de la red RLC

Anlisis en rimen transitorio


Interesa ahora determinar la respuesta transitoria de la red, considerando el circuito de la
figura 3.16, en la cual el interruptor S se cierra en el instante t = O. La tensin inicial en el capacitor
es Vi, y la comente inicial es I,; la ecuacin diferencial que rige al circuito es [l]:
- i

V-

Figura 3.16 Circuito para analisis transitorio


(3.13)

La transformada de Laplace eg:

v-K - -i(s)+
1
-L (sz(s)-Zi) +Ri(s)
s
SC

(3.14)

Resolviendo para la comente que fluye en la red:

V-VI
z(s) =
L

--+SI,

1
s +-s+2

(3.15)

LC

Considerando una respuesta oscilatoria, la transformada inversa es:


(3.16)
donde:
(3.17)
(3.18)

w = J 2 7 > 0

(3.19)

q=tg-I D

(3.20)

Si la componente resistiva del circuito es relativamente reducida, entonces o. >> a,y las
siguientes aproximaciones son vlidas:
oo=w

(3.21)
(3.22)

(3.23)

a
R -- 1
____-

2 w L 2Q

(3.24)

c-

3-14 El inversor con carga reS0rIatIte

(3.25)
(3.26)

sen(ot-q)=-cos(o i)
Bajo estas condiciones, la comente puede aproximarse como:

v-VI srn(wt)+
.
icos(ot)

(3.27)

Puede realizarse una aproximacin ms si se supone que la corriente inicial en la red es nula;
entonces:

v-v, e

z(t)=-

sin(wt)

(3.28)

Una vez conocida la comente a travs de la carga, puede determinarse la tensin que aparece
entre las terminales del capacitor; sta es:
-m

vc(t)=V-(V-K) -e
o

I,

sin(ot+p)+ e

-m .

W C

srn(ot)

(3.29)

Usando las mismas aproximaciones que para la comente:


v c ( t ) = ~+

{ ~ ~ s z n ( o t(v-K)
)cos(~t))e-~"Q

(3.30)

Si la comente inicial en la red es nula:

+ { ( K - v )cos(Wt)Je-"'ZQ

vc(t)=~

(3.31)

Si la fiecuencia de operacin del inversor coincide con la de resonancia de la carga, la


ecuacin (3.28) permite determinar la forma de onda de comente a travs de la red; bajo estas
condiciones, la tensin en el capacitor se calcula con la ecuacin (3.31). Si la frecuencia de
operacin no coincide con la de resonancia, debern usarse las ecuaciones (3.16) y (3.29) con las
debidas condiciones iniciales.
El factor de calidad de la carga puede relacionarse con la constante de tiempo de la carga T
por medio de:
(3.32)

El inversor con carga resonante3-15

3.7 Conexin a travs de transformador


Dadas las magnitudes de los elementos de la red resonante, por lo general la bobina de
calentamiento se conecta a travs de un transformador de acoplamiento de impedancias; esta
conexin permite alcanzar comentes elevadas a travs de la bobina de calentamiento,
mantenindose a niveles aceptables las comentes que fluyen a travs del puente inversor. Sin
embargo, este esquema provoca dificultades durante el encendido del inversor [ 141; para resolverlas
se conecta un capacitor en la malla del primario del transformador, el que evita que fluyan corrientes
de CD a travs de sta. Dependiendo de la magnitud de este capacitor, se tienen dos casos distintos,
como se describe a continuacin.

+
vi

Primano con capacitor de desacoplamiento


En la prctica, es comn que se incluya un capacitor de desacoplamiento COen la malla del
primario del transformador, como se muestra en la figura 3.18.a; a fin de no alterar la frecuencia de
resonancia del inversor (ya que esta frecuencia se relaciona con el proceso al que se someter la

3-16 El inversor con carga resonante

..

pieza de trabajo), este capacitor se escoge de valor superior al de resonancia de la carga de manera
que, a la frecuencia de trabajo, acta como un cortocircuito.
n2L,

Vi

-Tvw\
(a)

cc

LP

CI

n-2c,

(b)

Figura 3.18 Conexin a travs de transformador

En la figura 3.18.b se muestra el circuito equivalente. Los elementos que aparecen en la


figura son:
=Resistencia parsita del circuito.
Lp = Inductancia parsita del circuito.
Cu = Capacitancia de desacoplamiento
n2 & = Resistencia de la pieza de trabajo, reflejada al primario del transformador
n2 Lc = Inductancia de la bobina de calentamiento, reflejada al primario del transformador.
n-*Cc = Capacitancia de la red resonante, reflejada al primario del transformador.
Rp

Es interesante notar que se tienen ahora dos frecuencias de resonancia; la primera de ellas
est relacionada con el capacitor de desacoplamiento, y la segunda con el capacitor.resonante a la
frecuencia de trabajo. Dadas las magnitudes relativas de los capacitores, la primer; frecuencia es
inferior a la de trabajo.
3.7 Anlisis de cortocircuitabilidad

Un problema en la operacin de los circuitos de calentamiento por induccin es la aparicin


de un cortc circuito en la carga, el que ocurre cuando la pieza a calentar entra en contacto con la
bobina de induccin, cortocircuitando algunas de las espiras de sta. En la figura 3.19 se muestra un
diagrama de una carga resonante, en la que la condicin de corto circuito corresponde al cierre del
interruptor S.
El capacitor CX corresponde a la capacitancia de la red, con influencia en el transitorio
producido por el corto circuito. Si se usa el esquema en el cual el capacitor resonante se encuentra
conectado en el primario, entonces CX = CC. Por otro lado, si se usa el esquema en el cual se tiene
un capacitor de desacoplamiento en el primario, entonces Cx = n- CC; debe tenerse en cuenta que el
capacitor CD,dada su magnitud, no influye en el transitono de alta fiecuencia.

El inversor con carga resonante3-17

+V,\'

(3.33)
A su vez, la comente ,se puede aproximar con:
4

VCD

ic(t)= __ sen(oor t )
RLR

(3.34)

La magnitud de la comente de corto depende de las magnitudes de vc(t) e ic(t) en el instante


de ocurrencia, el peor caso es aquel en el cual la falla se presenta en el instante de cruce por cero de
la comente. En este punto el capacitor est cargado a tensin mxma; adems, si nicamente
interesa el primer semiciclo de la comente de falla, esta se puede aproximar a:

ic(t) =

oLP

sen(wt)

(3.35)

La ficha tcnica de un IGBT incluye los valores de comente de colector continua mxima
de comente mximo ~ C M , Un circuito de proteccin contra cortocircuito
forzando el apagado de los transistores antes
deber detectar cuando la comente excede el valor b,
de que se alcance el valor k ~interesa
.
entonces calcular los instantes en que la comente de f d a
alcanza estos valores, para as determinar el tiempo disponible para responder a la condicin de
falla.

ICc y el valor de pulso

Suponiendo que estos valores se alcanzan en ngulos reducidos, puede efectuarse la siguiente
aproximacin:

3-18 El inversor con carga resonante

ic(i)z

.VCD(4 Q + 1)
x LP

(3.36)

Despejando:

(3.37)
A guisa de ejemplo, considrese el IGBT matrcula IRG4PCSOW, para el cual ICc = 55 A e

ICM= 220 4 supongase adems que VCD= 100 V y QL = 10.Se tiene entonces que:
Alc =ICM-ICC =I65
IRP

Alc x L P
=126e-3 LP
VCD(4 QL+1)

(3.38)
(3.39)

Si el tiempo de respuesta tRp del circuito de proteccin es de 200 qs, se necesita entonces que
la inductuicia parsita del circuito sea de 1.58

a.

4 SEGUIMIENTO DE LA RESONANCIA
4.1.- Introduccin

La funcin bsica del circuito de seguimiento de la resonancia consiste en proporcionar las


seales de mando para los interruptores del puente inversor, con una temporizacin tal que se
obtenga una frecuencia de operacin coincidente con la fiemencia de la resonancia de la carga. Los
requisitos que debe satisfacer el circuito son los siguientes:
Implementacin sencilla del circuito de seguimiento.
Capacidad de compensar los retrasos que se producen en las diferentes etapas de procesamiento
de las seales de gobierno.
Capacidad de mantener la operacin en resonancia en un intervalo de frecuencias amplio.
Respuesta dinmica rpida ante cambios repentinos en la fiecuencia de resonancia de la carga
,r

operacin basada en el sensado de una sola variable de la carga (tensin o comente).


Se han propuesto circuitos que cumplen parcialmente con estos requisitos; por ejemplo,
sensando la comente resonante, aunque sin mantener la operacin en resonancia [SO]; o bien,
sensando la comente de la fuente de alimentacin a un convertidor con carga resonante en
paralelo[73]. En la referencia [49] se describe el principio de operacin del circuito mnimo que
satisface los requisitos impuestos, el que se muestra en la figura 4.1, aunque no se explora el
comportamiento del mismo en funcin del intervalo de frecuencias ni su respuesta dinmica. En el
mtodo de diseo propuesto no intervienen de manera explcita los parmetros que influyen en el
comportamiento real del circuito; adems, se supone que la red formada por Ri y RZno representa
una carga significativa para el capacitor CP.
I

Figura 4.1.- Circuito de seguimiento de la resonancia

4-2 Seguimiento de la resonancia

Figura 4.2.- Formas de onda asociadas con el seguidor de resonancia


En el circuito la seal VHScorresponde a una tensin proporcional a la comente que fluye
por la carga, y que puede obtenerse por medio de un sensor de efecto Hall, esta seal se hace pasar
por una red de retraso, conformada por Rp y Cp, y por una red de atenuacin constituida por RI y RZ
El principio de operacin se ilustra en la figura 4 2 La salida de la red de retraso y
atenuacin forma una referencia, el instante de conmutacin estar determinado por la interseccin
de dicha referencia con la seal original, la que ocumr un lapso 6 antes del cruce por cero de la
comente de carga Este lapso se especica de manera que cubra todos los retrasos en la cadena de
propagacin de la seal (lgica, etapa de aislamiento e impulsores), a fin de que la conmutacin de
los transistores de la etapa de potencia ocurra en el cruce por cero de la comente
4.2 Anlisis del circuito

es:

Para anlisis se considera el circuito de la figura 4.3. La funcin de transferencia del circuito
YO

V,

S+WP

-=Ho-

RP

vc

R1

1
5

Figura 4.3 Circuito simplificado


donde:

(4.1)

I-

Seguimiento de la resonancia 4-3

Ha =

Rz
Rp+Ri+R2

(4.2)

La magnitud de H(s) est dada por:

(4.4)

La ecuacin (4.4)representa la atenuacin producida por la red en funcin de la frecuencia: A la

frecuencia de resonancia nominal de la carga 00, la red producir una atenuacin que en io sucesivo
se identificar como a . Substituyendo ahora las ecuaciones (4.2)y (4.3)en la (4.4):

R2

a=

(4.5)

A su vez, el ngulo de fase a la frecuencia de resonancia ser:

Por otro lado, la tensin a la salida puede expresarse como:


vo(t)= V a sin(oo f - 4)

(4.7)

El punto de interseccin de vdt) con v ~ ( t ocurre


)
en tx, de manera que:
(4.8)

V sen(oo r.) =aV sen(oo k- 4)

En la ecuacin (4.8)puede eliminarse la tensin pico de ambos lados, con lo que se obtiene
la independencia con respecto a este parmetro:

(4.9)

sen(wotx)=asen(wot-4)
Usando la siguiente igualdad trigonomtrica:
sen(oorx -4)= sen(oot)cos(4)-cos(oot)sen

(4)

(4.10)

La ecuacin (4.9)queda como:


sen(oo tx) = a(sen(oo t)cos (4) - cos(oo t )sen (4))

(4.11a)

4-4

Seguimiento de la resonancia

(4.11b)

(4.11~)

cos($) - -

pero se tiene que tx = (T/2) - 6, as que:


tg(oo6)= a sen($)
1- acos($)

(4.12)

Despejando a de la ecuacin anterior:

a=

tg(Oo 6)
t g ( m 6) cos($) +sen($)

(4.13)

La ecuacin (4.13) puede utilizarse para diseo, tenindose como datos la frecuencia de
resonancia de la carga 00, el retraso deseado 6 y la e m e n c i a Or, la que deber ser mayor que la
frecuencia de la seal VI. La figura 4.4 muestra la variacin de la atenuacin, para diferentes
cocientes OP/OO y para diferentes defasamientos, expresados angularmente en trminos de la
frecuencia OO. Es interesante notar que el trmino a es proporcional al cociente OP/OO, mientras
mayor sea COPmenor ser el porcentaje de atenuacin que debe introducirse.
a

OP loo

Figura 4.4 Comportamiento de a


4.3 Criterios de diseno

Ahora bien, el punto a resolver es: qu valor es recomendable para el cociente O ~ O O ?En
principio, parecera que cualquier valor superior a la unidad es adecuado para este parmetro. Sin

Seguimiento de la resonancia 4-5

embargo, es necesario establecer criterios que permitan una operacin satisfactoria del circuito de
seguimiento de la resonancia; estos criterios estn asociados con las prestaciones esperadas, y con
los aspectos tecnolgicos de construccin del circuito.

En lo que se refiere a las prestaciones, una caracterstica importante es la variacin del


retraso 6 producido por los cambios en la frecuencia de operacin WO. Esta variacin puede
determinarse numricamente determinando primero los valores nominales de a y 4, posteriormente,
para U M Am dada, se calculan los nuevos valores de 4, a;la distancia al cruce por cero 6 se calcula
con:

1
O0

as 4 4 )

1-acos(4)

(4.14)

En la figura 4.5 se muestra el error A6 que se produce por estos cambios, para escalones Aw
de f 50% y para diferentes retrasos expresados angularmente. Nuevamente, el eje de las abscisas
corresponde al cociente OP/OO mientras que el eje de las ordenadas corresponde al error porcentual
que se produce en el retraso, expresado temporalmente. Como era de esperarse, el error disminuye
conforme se incrementa la 6ecuencia wp; el error es mayor para incrementos en 00, ya que se tiene
UM disminucin de a a la nueva frecuencia de operacin.
Sin embargo, an para valores pequeos de ste parmetro, el error resultante es bastante
reducido. La conclusin es que el error en el retraso, ante cambios en la frecuencia de la seal, no es
un parmetro determinante para el diseo de la red.

mdmo

Figura 4.5 Error en el retraso producido por cambios en w

El segundo parmetro a considerar para el establecimiento de criterios es la tensin


diferencial aplicada al comparador. Dicha tensin es:
~~~~=V(l-a)sen(wot+~$)

(4.15)

4-6

Seguimiento de la resonancia

El comportamiento del valor pico normalizado con respecto a la amplitud de VHSse muestra
en la figura 4.6. Un parhetro importante en los comparadores es la tasa mnima de crecimiento de
la tensin diferencial aplicada ya que, para valores muy reducidos de ste parhetro, pueden
producirse conmutaciones mltiples en la salida del comparador; existe entonces un valor mnimo
que e5 necesario respetar a n de tener una salida sin "glifches".A partir de la ecuacin (4.19, la
tasa de crecimiento de la tensin es:

SR =

2;

~VDIF
~

df

(4.16)

= 0 0 V(i -a)cos(00 t ++)

VDFN

2.

3'

40
50

10

15

20

25

30

35

40

45

50

OPlOO

Figura 4.6 Tensin pico normalizada


La conmutacin ocurrir en los cruces por cero de VDIF, en estos puntos el trmino coseno
toma el valor mximo, as que la tasa mnima de crecimiento a la entrada del comparador es:

SR 2 0 0 (i -a)V

(4.17)

Finalmente:
a < 1--

SR
Y

wo

(4.18)

Una vez determinado el valor mximo para a,en funcin de la tasa mnima de crecimiento,
debe obtenerse el valor de OP necesario, en funcion de 00 y de 6. La dificultad en este punto es que,
al manipular las ecuaciones que describen el comportamiento del circuito, se obtiene una ecuacin
trascendental. Esta ecuacin es:
(4.19)

Seguimiento de la resonancia 4-7

En la figura 4.7 se muestra la relacin entre a y o&, dada por la ecuacin (4.19), para
diferentes valores del cociente wp/wo; en la figura el eje de las ordenadas se encuentra expresado en
radianes.

0.2

0.3

0.5

0.4

0.6

0.7

0.8

0.9

Figura 4.7 Relacin entre a y w 6 para diferentes valores de WP/W.

4.4 Relacin entre los elementos de la red


La red de defasamiento y atenuacin se especifica por medio de los parhetros a y WP. A
partir de la ecuacin (4.3):
(4.20)

Ri +R2 =

RuRp

Ru-RP

(4.21)

Por otro lado, sea:


(4.22)
Entonces, a partir de la ecuacin (4.5):

ka=

R2
RP+Ri + R2

R2
RP+Ri+R2=ka

(4.23a)

(4.23b)

4-8

Seguimiento de la resonancia

Sustituyendo la ecuacin (4.24b) en la expresin para Rx:

+ R z )-- kaRP(Ri +Rz)


-RY1.= &(RI
&+Ri + Rz
Rz

(4.24)

Manipulando la ecuacin anterior:

Ri = Rz

R.-kaRP
kaRP

(4.25)

Solamente se obtendr un valor positivo para R1 cuando se cumpla la siguiente condicin:

Rx>kaRP

(4.26)

4.5. Procedimiento de diseo

Los datos necesarios para el diseo del circuito de seguimiento de la resonancia son los
siguientes:
Frecuencia de resonancia nominal 00
Defasamiento deseado 6
e

Tasa mnima de crecimiento a la entrada del comparador SR.


Amplitud de entrada a la red V.

Los pasos a seguir son los siguientes:


I ) A partir de la ecuacin (4.18) determinar el valor mximo de la atenuacin en la red
2) Calcularwo6
3) Usando los valores de O& y de la atenuacin mxima, seleccionar la atenuacin deseada y el

cociente O

P ~ O
en

la figura 4.7.

4) Proponer un valor para Cp y calcular RXusando la ecuacin (20).


5 ) Calcular k con la ecuacin (22).
6) Proponer un valor para Rp que cumpla con la condicin (26).

7) Calcular RZusando la siguiente ecuacin:

.~

Seguimiento de la resonancia 4-9

R2 =

kaRP2
RP-Rx

(4.27)

8) Calcular RI usando la ecuacin (4.25).

4.6. Comportamiento dinmico


El comportamiento dinmico de la red de seguimiento de la resonancia es importante en
aplicaciones en las cuales las caractersticas de la carga exhiben variaciones repentinas. La respuesta
temporal de la red, ante un escaln senoidal, est dada por [74]:
v(t)= K e-"' +a sen(o t +$)

(4.28)

donde : es la constante de tiempo de la red (z = UWP)y K es una constante que depende de las
condiciones iniciales. Se tiene una respuesta transitoria, con una forma de onda exponencial
decreciente y una respuesta de rgimen permanente, con una forma de onda senoidal, defasada y
atenuada con respecto a la seal aplicada a la entrada.

El comportamiento transitorio depende de la exponencial decreciente, la que exhibe una


respuesta de primer orden y cuya duracin en funcin de la constante de tiempo de la red; para este
tipo de respuesta, cuando han transcumdo tres constantes de tiempo se alcanza un error del 5%.
Dado que en todas las aplicaciones la frecuencia op ser superior a la frecuencia de resonancia de la
carga (en general op > o), el circuito alcanzar la operacin de rgimen permanente en un lapso
inferior a un ciclo de resonancia.
Los peores casos de la respuesta temporal pueden obtenerse fcilmente si el ngulo o6 es lo
suficientemente pequeo para que se cumpla que sen(o6) z 06. Supngase que el defasamiento de
la red es tal que la conmutacin ocurre exactamente en el cruce por cero de la forma de onda de
comente a la frecuencia de resonancia nominal. Si en el ngulo 06, inmediatamente despus de la
conmutacin del comparador, la frecuencia de operacin cambia de la frecuencia de operacin
nominal a una nueva frecuencia, se tiene el comportamiento que se muestra en la figura 4.8.
Si la nueva frecuencia es el doble de la nominal, la conmutacin estar retrasada un ngulo
o6/2 con respecto al nuevo cruce por cero de la comente; esto representa un comportamiento
capacitivo. Por otro lado, si la nueva frecuencia es la mitad de la nominal, la conmutacin estar
adelantada un ngulo o6 con respecto al nuevo cruce por cero de la comente; esto representa un
comportamiento inductivo.

La figura 4.9 corresponde a los resultados de la simulacin del circuito de seguimiento de la


resonancia, calculado para una frecuencia de resonancia de 100 lcHz y un lapso 6 = 160
nanosegundos. Se muestran el comportamiento de la tensin de entrada al circuito de seguimiento de
la resonancia (seal VHS en la grca), y la tensin diferencial aplicada al comparador. La tensin
de entrada tiene una modulacin en frecuencia, de manera que la frecuencia mnima equivalente es
del orden de 50 kHz,y la mxima es de 150 kHz;la excursin entre estos valores se lleva a cabo en

4-10 Seguimiento de la resonancia

50 microsegundos. El lapso 6 m iido

nanosegundos (a la frecuencia mxima).

xila entre 165 nanosegundos (a la frecuencia mnima) y 185

"",&

COS

II

Figura 4.8. Peores casos de respuesta transitoria

Ims

Figura 4.9. Comportamiento dinmico del circuito de seguimiento de la resonancia.

5 MODULACION DE DENSIDAD DE PULSOS


5.1. Introduccin

La tcnica de modulacin por densidad de pulsos (PDM, por sus iniciales en ingls) permite
variar de manera muy eficiente la potencia entregada a la carga de un inversor resonante ya que, a
diferencia de otras tcnicas, es posible mantener la frecuencia de operacin en el punto de
resonancia de la carga [33]. El principio de funcionamiento de la tcnica se ilustra en la figura 5.1:
consiste en aplicar tensin a la carga durante un nmero entero m de ciclos de resonancia
(interruptor S en la posicin l), para despus cortocircuitarla durante otro nmero entero de ciclos n
(interruptor S en la posicin 2). La tensin aplicada a la red RLC se muestra en la figura 5.1 .b.

JI

,4-1

;-I-:+&;

TR

71

T2

II

)If-),

mTR

T3

nTR

(b)
Figura 5.1 Principio de la modulacin PDM. (a) Circuito para la generacin. (b) Forma de onda de
la tensin.

La corriente resultante en la carga es como se muestra en la figura 5.2, para el caso en el que
rn = 7 y n = 1; como se aprecia, la forma de onda incluye una componente a la frecuencia de
resonancia, que sigue una envolvente de primer orden. Considerando que el parmetro de inters es
la potencia de salida, ste es funcin cuadrtica del valor eficaz de la comente. Con PDM este valor
no es fcilmente predecible ya que, debido a la aparicin de la envolvente, depende no slo de la
componente resistiva de la carga, sino que tambin es funcin de la componente inductiva y del
nmero de ciclos tanto con tensin aplicada como en corto circuito. Es necesario, entonces,
determinar la relacin entre esta comente y los parmetros del circuito.

5-2

Modulacin de densidad de pulsos


lo (Amperes)

5.2 Va!or eficaz de la corriente con modulacin PDM

que describen el
El anlisis de la tcnica PDM puede realizarse obteniendo las ecuaci
comportamiento transitorio de la red resonante en serie. El circuito se analizar considerando
semiciclos sucesivos y se supondr una operacin perfectamente en resonancia, por lo que al inicio
de cada semiciclo la corriente es nula. Sean VOCla tensin aplicada a la red resonante y VI la tensin
inicial en el capacitor, la corriente queda dada por [i]:

y donde se tiene que:


1
O 0 = E

=coo

-a2

(5.4)

A su vez, el comportamiento de la tensin en el capacitor queda descrito por la siguiente


ecuacin:
vc(t)=VDc-(Vm-K)-e0 0

donde:

-,I7

sen(wt+4)

(5.5)

Modulacin de densidad de pulsos 5-3


O
L$=tg I a

(5.6)

En la ecuacin (5.1) es evidente que la comente consta de dos componentes: la respuesta


transitoria, que involucra un comportamiento exponencial dependiente de la constante de tiempo T
de la carga, y la respuesta .de rgimen permanente de ndole sinusoidal. Se alcanza la operacin en
regimen permanente cuando en la red resonante se cumple que vc(i~2)= - VI; es decir, cuando al
final de un semiciclo la tensin en el capacitor tiene la magnitud del valor inicial, pero con polaridad
opuesta. Ai finalizar un semiciclo en rgimen permanente, la tensin en el capacitor es:

o0e
I+-

-m/2r

fi=VDC

-m/2r

0 0

I-e
o

sen4

(5.7)

sen$

La ecuacin (5.7) proporciona la tensin mxima en el capacitor. A su vez, la magnitud del


pico de comente de carga es:

OL
La ecuacin (8) corresponde al pico mximo de comente a travs de la red resonante. En
rgimen permanente el valor eficaz de la comente es simplemente:
iL

IL=-

(5.9)

47

(m+n)Tn

mTR

Figura 5.5 Envolvente exponencial

Ahora bien, cuando se aplica la modulacin PDM, es necesario considerar la envolvente de


respuesta transitoria, la que corresponde a una respuesta de primer orden, como se ilustra en la
figura 5.3.Para la envolvente exponenciai se tiene que, durante el intervalo mTR > t 2 0 [75]:
iE(t)=P(i

Seam TR=

Le-

durante el intervalo ~ T +RON > t 2 ON, la envolvente queda dada por:

(5.10)

5-4

Modulacin de densidad de pulsos

iE(f)=IMe-(t-lON)/T

( 5 . 1 1)

Los valores de I,,, e 1~ pueden despejarse de las ecuaciones (5.10) y ( 5 . 1 1 ) ; usando T


(m+n) TRlos resultados son:
e ~ N l r

-1
-1

hi=p

(5.12)

e T / ~

(5.13)
5.2.1 Deienninacion de los valores extremos de la corriente eficaz

Valor mnimo:
El trmino exponencid de las ecuaciones (5.12)y (5.13) puede expresarse por medio de una
serie de Taylor. Adems, si la constante de tiempo de la carga es suficientemente larga, la sene
puede aproximarse con los primeros dos trminos, que describen un comportamiento lineal. La
condicin de una constante de tiempo larga corresponde a un circuito resonante con un factor de
calidad Q muy elevado. Matemticamente, lo que se prupone es:

erzI+x

(5.14)

Aplicando esta aproximacin en la ecuacin (5.12) se obtiene:


loh.

L=f

]+--I

I+--T -1

=p- fON

(5.15)

Aplicando ahora la aproximacin a la ecuacin (5.13):

(5.16)

Como se ve, cuando la constante de tiempo es suficientemente larga se obtiene que I,,, = IM,
desaparece el trmino asociado con la respuesta transitoria y se tiene una comente de magnitud pico
constante. Bajo estas condiciones, la magnitud de la comente eficaz es:
IRMS

i LON

=-

JZT

(5.17)

~....

Modulacin de densidad de pulsos 5-5

Sea D el ciclo de trabajo de la secuencia PDM dado por


ON

m
m+n

(5.18)

La comente eficaz es proporcional al ciclo de trabajo de la secuencia PDM y puede


expresarse como:

IM=-

&

(5.19)

La potencia disipada en la componente resistiva de la carga es:


(5.20)

donde POMcorresponde a la potencia mxima que es posible disipar en la carga, la que ocurre
cuando n = O, y est dada por:
POM

P2

=-H
2

(5.21)

Valor mximo:
Por otro lado, el valor mximo de la comente de carga puede obtenerse suponiendo que la
constante de tiempo es muy corta en comparacin con el periodo de modulacin, por lo que puede
despreciarse. Bajo estas condiciones, la comente durante el intervalo tON > t 2 O es:
iL(i)=

i sin(ooi)

(5.22)

y la comente es nula para valores de f fuera del intervalo especificado. El valor eficaz de la comente
es entonces:
(5.23)

y la potencia disipada en la carga es:

PO = P OM D

(5.24)

De acuerdo a las ecuaciones (5.19) y (5.23), que corresponden a los lmites del valor eficaz
de la comente, sta estar en el intervalo D 2 INS 2 D, dependiendo su valor del cociente dT.El
comportamiento del intervalo de variacin, en funcin del ciclo de trabajo D, se muestra en la figura

5-6

Modulacin de densidad de pulsos

5.4. Una conclusin de esta figura es que, partiendo nicamente del ciclo de trabajo D,no es posible
determinar con exactitud la magnitud de la corriente eficaz.
1

0.9

+ 1

0.2

0.4

0.6

0.8

Figura 5.4 Intervalo de variacin de la comente eficaz normalizada


5.2.2 Operacin entre lmites.

Cuando la relacin entre la constante de tiempo de la carga y el periodo de modulacin sea


tal que las aproximaciones (5.14) y (5.22) ya no son vlidas, deber tomarse en cuenta el trmino
exponencial de la respuesta. La manera ortodoxa de calcular la corriente eficaz es por medio de su
definicin:
(5.25a)
En este caso la comente incluye dos componentes, por lo que:
(5.25b)
(5.25~)
Sean las siguientes constantes:
(5.26)

(5.27)

Modulacin de densidad de pulsos 5-7

(5.28)

La comente durante el intervalo ON 2 t > O es:


z(t) =sen(w 1 ) (1+ Kze-"

')

(5.29)

El valor eficaz de la comente en dicho intervalo es (vase el apndice III, ecuacin In.13):
(5.30)

Se tomar ahora el intervalo T 2 t > b ~haciendo


;
un corrimiento del origen, la comente est
dada por:
i(t) = ~ e n ( o t ) K 3 e - ~ ' '
(5.31)

El valor eficaz de la comente en dicho intervalo es (vase el apndice 111, ecuacin 111.17).
1

12ms =-(i-eK~'T

2QlFlr

4T

(5.32)

A partir de las expresiones (5.31) y (5.32), puede graicarse el comportamiento de la


comente eficaz a travs de la carga, en funcin del cociente d T . El resultado que se obtiene se
muestra en la figura 5.5 para diferentes valores del ciclo de trabajo D. Para valores elevados de r/T
la comente eficaz es proporcional a D; esta condicin corresponde a una carga con un factor de
calidad elevado. Por otro lado, para valores reducidos del cociente d T la comente eficaz es
proporcional a D'", lo que corresponde a cargas con un factor de calidad reducido.
IORUS (P.U.)

0.9

0.95
0.9

0.8

0.8

0.7

0.7

0.6

0.6

0.5

0:5

0.4

0.4

0.3

0.3

0.2

0.2

0.1

0.1
0.05

O
O

0.5

fl

1.5

Figura 5.5 Compohmiento normalizado de la comente eficaz

5-8

Modulacin de densidad de pulsos

La figura 5.5 est en trminos del cociente d T . Este puede expresarse en trminos del factor
de calidad de la carga por medio de la ecuacin 3.32. Considerando que un ciclo PDM est formado
por n+m ciclos resonantes, la relacin pertinente es:

-_T - Q
T (m+n)x

(5.33)

5.3. EstimaeiOn del valor eficaz de la comente


Para la evaluacin analtica de io comente eficaz y de la potencia en la carga, se requiere
conocer los valores de 1, D y d T . Los dos primeros pueden medirse experimentalmente con
relativa facilidad. Sin embargo, la evaluacin de la constante de tiempo puede resultar una tarea
complicada en algunas aplicaciones tales como calentamiento por induccin. A pesar de ello, el
valor eficaz de la comente puede estimarse ya que, para valores dados de i , D y dT, se obtienen
valores nicos de I, e IM
En el apndice IV se demuestra que, para valores de Im e IMdados, existe un valor nico del
cociente TIT. Por otro lado, existe tambin una relacin nica entre los valores mnimo y mximo de
la envolvente con respecto a TITy t0~.r.Como la expresin para la comente eficaz es funcin de T,
tON y 5, puede concluirse entonces que la comente, y por lo tanto ia potencia transferida a la carga,
pueden estimarse midiendo la diferencia entre los valores mximo y mnimo de la envolvente AI =
IM - 1,.

La comente eficaz normalizada, en funcin de AI y para diferentes valores de D, se muestra


en la figura 5.6. Las curvas que se muestran estn graficadas para valores de comente tales que 0.98
2 IM e Im 2 0.02. Esto se hace as porque, debido a la naturaleza asinttica de la respuesta de primer
orden, es dificil evaluar el rizo cuando la comente se aproxima a los valores mximo y minimo
posibles. El comportamiento de la potencia se muestra en la figura 5.7.
IRMS

(PU)
..

0.9

__ O.%

..03...........,I

........... .:. ...........

.......................

0.2

0.4

AI ( p l ~ ) " ~

0.8

Figura 5.6 Comente eficaz en funcin de AI,

Modulacin de densidad de pulsos 5-9

Figura 5.7 Potencia en la carga en funcin de AI,


5.4.- Intervalo de variacin de la corriente

El circuito de gobierno del inversor tiene como funcin mantener la frecuencia de operacin
en coincidencia con la de resonancia. Para ello, se necesita sensar alguna variable en el circuito de
carga: la tensin en el capacitor [MI, la comente a travs de la red [49] o la comente entregada por
la fuente de alimentacin al inversor [73]. Considerando el caso de sensado de la comente de carga,
cuando el inversor est operando sin modulacin la comente es una forma de onda sinusoidal de
amplitud constante. El circuito de sensado de la comente puede optimizarse entonces para los
valores presentes. Por otro lado, cuando el inversor est operando con modulacin de densidad de
pulsos, los picos de la corriente siguen la envolvente exponencial. Se tendrn as valores pico
mximos, cuando ON est por terminar; a su vez, los valores mnimos ocurrirn cuando toFFest por
terminar.
IprninUpmax

Figura 5.8 Relacin entre las crestas mnima y mxima


'I

5-10 Modulacin de densidad de pulsos

Interesa entonces el intervalo de variacin de los valores pico, ya que el circuito de gobierno
deber responder correctamente bajo cualquier condicin de ciclo de trabajo y de constante de
tiempo de la carga. En la figura 5.8 se muestra la relacin que existe entre las crestas mnima y
mxima, en funcin del ciclo de trabajo y del factor de calidad de la carga. Los resultados de la
figura 5.8 se obtuvieron por medio de la evaluacin numrica de las formas de onda que se generan
con la modulacin.
5.5.- Anhiisis espectral

El anlisis espectral de las formas de onda que se producen con la modulacin de densidad
de pulsos constituye un aspecto importante ya que ofrece informacin acerca de la distribucin en
frecuencia de la energa. En principio, dada la naturaleza de las formas de onda involucradas, el
anlisis parece complicado, sin embargo, puede simplificarse si se reconoce que la forma de onda de
comente corresponde a una seal modulada en amplitud, por lo que pueden aplicarse los resultados
obtenidos para este tipo de modulacin. La componente a la eecuencia de resonancia acta como
una onda portadora y las fluctuaciones en su amplitud, debidas a la constante de tiempo del circuito,
se asocian con una seal moduladora. En el apndice V se descrben las relaciones bsicas que
gobiernan a la modulacin en amplitud, stas se aplicarn al caso especfico de las formas de onda
de comente con modulacin de densidad de pulsos.
5.5.I Espectro de la envolvente
Para determinar el contenido armnico de la comente con modulacin PDM basta con
obtener el contenido espectral de la envolvente ya que, debido a la propiedad de ccrrimiento en
frecuencia, ste se repetir alrededor de la frecuencia de resonancia (portadora). En principio,
pueden obtenerse analticamente expresiones para las armnicas asociadas con la envolvente; sin
embargo, la complejidad de las expresiones resultantes no permite visualiar fcilmente la relacin
que existe entre las armnicas y los parmetros del circuito. El contenido armnico ser
proporcional a la amplitud del rizado de comente AI (ver la figura V . l del apndice V ) . Para una
respuesta de primer orden, la amplitud del rizado est dada por [76]:
(5.34)
donde D es el ciclo de trabajo, T es el periodo del ciclo PDM, y T es la constante de tiempo de la
carga. El ciclo de trabajo para el cual AI es mximo se puede obtener por medio de:

(5.35)
Desarrollando, se obtiene que el rizado es mximo para D = 0.5, y su magnitud mxima es:
(5.36)

Modulacin de densidad de pulsns5-11

Las amplitudes de las armnicas para diferentes valores del ciclo de trabajo PDM se
calcularon numricamente. El procedimiento consisti en generar matemticamente (en el paquete
MATLAB) los vectores que corresponden a las formas de onda de comente, para diferentes valores
del ciclo de trabajo; posteriormente se aplic la FFT a dichos vectores para obtener las amplitudes
de los armnicos.
En la figura 5.9 se muestran los resultados para valores comprendidos en 0.9 2 D > O. 1. Las
amplitudes de las armNcas estn normalizadas, porcentualmente, a! valor mximo que puede tomar
la envolvente. Analizando los resultados, se aprecia que las amplitudes armnicas son mximas para
un ciclo de trabajo del 50%, y que disminuyen conforme el ndice se aleja de este valor. Sin
embargo, debe tomarse en cuenta que la magnitud promedio de la envolvente es directamente
proporcional ai ndice de modulacin.por lo que, comparados con este valor promedio, el efecto de
las armnicas es ms notable cuando el ndice de modulacin es pequeo. Si TIT-+O, se tiene una
forma de onda de amplitud constante; por el contrario, si T h + q el contenido armnico obtenido
corresponde al de un tren de pulsos, como se muestra en la griica (j) para las primeras cinco
I:
armnicas.

NO. DEMMONICA

(a) Espectro para D = 10%


AMPLITUD

(c) Espectro para D = 30%

,------,

o)

NO. OEMMONICA

@) Espectro para D = 20%

(d) Espectro para D = 40%

5-12 Modulacin de densidad de puisos

(e) Espectro para D = 50%

(h) Espectro para D = 80%

m
O

( f ) Espectro para D = 60%

2-

4
-

4
6
8
No. DE ARMONICA

10

Th

(i) Espectro para D = 90%


4d

70,

(g) Espectro para D = 70%


Figura 5.9 Espectros para diferentes valores del ciclo de trabajo
Ahora bien, sea 1 el valor mximo que toma la comente resonante, el que ocurre cuando no
existe modulacin. Cuando existe modulacin, el valor pico de la portadora es igual a:

Modulacin de densidad de pulsos5-13

I!

(5.37)

I,=D~

I/

El valor mximo que puede tomar la envolvente tambin es 1 ,por lo que las amplitudes de
las armnicas pueden expresarse como:
(5.38)

in=knf

donde k, es la amplitud normalizada de la ensima armnica. Considerando individualmente cada


armnica, el valor mximo que tomar la comente modulada es:

ZSUP=y ( D+k )

!I

(5.39)

Por otro lado, el valor minimo,\ser


(5.40)

Zm=P(D -k )
II

As pues, el ndice de modulacin de la ensima armnica es:


kn
D

(5.41)

p=-

li

El ndice de modulacin total ser


ahora:
,I

P=gP

11

(5.42)

"4

D=0.9
0.8

0.7

0.6

0.5
0.4

0.3
0.2

D0.1

0.01

I1

0.1

TIT

Figura 5.10 Relacin entre la potencia de portadora con respecto a la total, en funcin de T/s.
La relacin entre la potencia en iia frecuencia de portadora y la potencia total es:

I!

5-14 Modulacin de densidad de puisos

77=

(5.43)

2+p'

Para un ciclo de trabajo dado, con los resultados de la evaluacin del contenido armnico de
la envolvente se calculan los ndices de modulacin correspondientes a cada armnica.
Posteriormente, usando la'ecuacin (5.42) se calcula el ndice de modulacin total; con la ecuacin
(5.43) se evala la proporcin que existe entre la potencia de portadora y la potencia total. Esta
ltima relacin se muestra en la figura 5.10. Es interesante observar que, excepto p a valores de T/r
inferiores a 2.5, la potencia asociada con la portadora ser superior al 95% de la potencia total. En la
grfica se muestra tambin el lmite de la modulacin normal, linea etiquetada p = 1. Los valores
por debajo de este lmite corresponden a casos de sobremodulacin.
5.6 Secuencias PDM

Una limitacin de la tcnica PDM consiste en que D debe ser un nmero racional. Adems,
con una secuencia de longitud fija expresada con el nmero k de ciclos resonantes en la secuencia, D
solamente puede tomar k valores. Se puede obtener una mejor resolucin si la secuencia se hace de
longitud variable. Sea k la longitud mxima de la secuencia, m el nmero de ciclos con tensin
aplicada a la carga y n el nmero de ciclos con la carga en corto circuito, de manera que D =
m/(m+n). Para seleccionar las secuencias PDM se establecen las siguientes condiciones:
16tk

(5.44)

mtn

(5.45)

La primera condicin acota la longitud de la secuencia PDM, tambin pone un lmite a la


comente mxima alcanzable (exceptundose el caso en que no hay modulacin aplicada). La
segunda condicin limita la corriente mnima y tiene como meta evitar que fluya una corriente muy
pequea por la carga, la que podra dar lugar a un comportamiento errneo del circuito de
seguimiento de la resonancia. As pues, el intervalo de vanacin del ciclo de trabajo es:
k-1

-2D2-

1
2

(5.46)

Las secuencias PDM se determinan escribiendo todas las combinaciones de k y m que


satisfacen las condiciones (5.44) y (5.45), obtenindose un total de 64. Despus, para evitar
combinaciones redundantes, se eliminan aquellas en las que m y n no son primos relativos,
quedando un total de 40 combinaciones no redundantes. Este proceso se muestra en la tabla 5.1, en
la que las casillas sombreadas corresponden a las combinaciones redundantes. Se emplea la notacin
m/n para representar una secuencia PDM. En la figura 5.11 se muestra la distribucin de las
secuencias considerando que la comente es proporcional a D (factor de calidad infinito). Para
corrientes entre el 55 YOy el 95% del valor mximo se dispone de 38 secuencias diferentes, lo que
arroja aproximadamente una secuencia por incremento de comente del orden del 1.20/0. En la figura
5.12 se muestra la relacin entre la potencia de salida normalizada, en funcin de las secuencias
PDM. La relacin cuadrtica que guarda la potencia con respecto a la comente da como resultado

Modulacin de densidad de pulsos5-15

que, con las secuencias propuestas, se cubra el intervalo comprendido entre el 30% y el 90% de la
potencia mxima de salida.
11

Tabla 5.1 Seleccin de secuencias PDM

Comente eficaz n o m a d h a

11

Cido de irabejo PDM

Figura 5.11 Densidad de las secuencias PDM propuestas

5-16 Modulacin de densidad de pulsos


potencia normalizada

0.5

0.6

0.7
0.8
ciclo de irabajo POM

0.9

Figura 5.12 Potencia normalizada en funcin de las secuencias PDM


5.6.I.- Divisin en secuenciasparciales

Para una carga dada y una modulacin con un ciclo de trabajo tambin dado, el valor eficaz
de la comente en la carga no slo es funcin de m y de n, sino que tambin depende de la manera en
que rn y n se distribuyen dentro de un ciclo PDM. Para aclarar este punto, considrese el caso en el
que D = 9/14 = 0.6248. La secuencia global puede descomponerse en una o ms secuencias
parciales, como se lista en la tabla 5.2, mantenindose la condicin de que m = 9 y m s n = 14; en
esta tabla se consideran nicamente las descomposiciones con la mejor simetna. En la figura 5.13 se
muestran grficamente las descomposiciones propuestas.
Tabla 5.2.- Distribuciones de rn y n para D = 9/14

La obtencin de una expresin analtica es los casos de las secuencias 2 a 5 no es ficil, por lo
que optar por una solucin numrica. Para ello, se evala la respuesta de la red Ru: a la fiecuencia
de resonancia. Se parte de condiciones iniciales nulas y se obtiene el comportamiento de la comente
y de la tensin en semiciclos sucesivos hasta que la tensin final en el capacitor sea igual a la
tensin inicial. Una vez alcanzado el rgimen permanente, el valor eficaz de la comente puede
calcularse aproximando la integral de la ecuacin (5.25) por medio de una sumatona.

Modulacin de densidad de pulsos5-17

/I

Secuencia 1
secuencia 2
Secuencia 3
Secuencia 4
secuencia 5
Figura 5.13.- Distribuciones de m y n para D = 9/14
I/

Con fines de comparacin en la figura 5.14 se muestran las formas de onda de comente
durante un ciclo PDM, evaluadas con Q = 5 y una fiecuencia de resonancia alrededor de 10 kHz.La
comente se muestra normalizada &n respecto al valor pico m h o que se produce en la red
resonante. La figura 5.14.a corresponde a la primera secuencia, en la que es ms notable el
comportamiento debido a la componente transitoria de la respuesta, mientras que la figura 5.14.b
corresponde a la quinta secuencia, Los resultados numricos normalizados se muestran en la tabla
5.3, la cclumna etiquetada como "Error" es una comparacin del valor normalizado obtenido contra
el ciclo de trabajo. Como se ve, la quinta secuencia muestra una mayor aproximacin a D;una
ventaja adicional es que la comente pico en la red es menor, ya que I i m 1.33 I ~ M A X
comeme m a r
1

0.8

0.6
0.4

0.2

4.2
4.4
4.6
4.8

-i

0.5

r i e m p la.J""das)

1.5

0.5

Tiempo ( ~ u n d s )

io"

(b) Quinta secuencia


(a) Primera secuencia 11
Figura 5.14.- Formas de onda de comente para D = 9/14.

Secuencia
1
1'
2
3
4
1
5

IRMd

O 730
O 687
O 669

O 660
O 652

Error (YO)
13.7
7
42
28
17

5
I'

5-18 Modulacin de densidad de pulsos

El efecto de la divisin de las secuencias de la tabla 5.1 en secuencias parciales se muestra en


la figura 5.15. En sta, los crculos corresponden al caso en el cual Q+? 10s V e estn alineados
sobre una recta. Para cada una de las secuencias PDM se muestran las divisiones en secuencias
parciales con la mejor simetna posible
comente no&ada

0.5

0.55

0.6

0.65

0.7

0.75

0.8

0.85

0.9

0.95

Figura 5.15 Efecto de la particin de las secuencias PDM


En conclusin, el valor eficaz de la comente muestra una mejor aproximacin a una
dependencia lineal con respecto a D cuando se cumplen las siguientes condiciones:
a) La secuencia global se divide en el mayor nmero posible de secuencias parciales
b) Las secuencias parciales se construyen con la mejor simetna posible.
La condicin de dividir la secuencia en el mayor nmero de secuencias parciales implica que
habr tantas de stas como ciclos de apagado requiera la secuencia PDM. Por otro lado, la condicin
de que m 2: n implica que un nmero cualquiera de ciclos de encendido ser seguido siempre con un
ciclo en.apagado. En la tabla 5.4se muestran las secuencias particionadas.
.
.
Tabla 5.4 Secuencias PDM particionadas

Modulacin de densidad de pulsos5-19

I1

Tabla 5.4 Secuencias PDM particionadas (continuacin)


5.6.2.- Efecto en el contenidokmnnico

Para un valor de D constante, la magnitud de la componente a la frecuencia de resonancia


tambin es constante, sin embargo, la energa en las bandas laterales decrece conforme se utilizan
secuencias ms cortas. Para una secuencia que incluye k ciclos de resonancia, las posiciones de las
componentes en las bandas laterales estn dadas por:
(5.47)

5-20 Modulacin de densidad de puisos

Tomando como referencia el caso D = 5/8, con una frecuencia de resonancia de 10 W ,se
analizan tres particiones diferentes, El contenido armnico resultante, para una carga en la que Q =
5, se muestra en la figura 5.16. La amplitud relativa de las armnicas puede evaluarse con:

(5.48)

J*/r

Se obtiene entonces que la primera secuencia presenta un valor de A T = 12.149%; la segunda


tiene A T = 3.7%; y AT = 1.43% para la tercera. Con fines de comparacin, el efecto de la variacin
del factor de calidad se muestra en la tabla 5.5 para la secuencia m = 5 , n = 3.
ld

io'

id

I: :

. . . . . .
................................
.... ..... ...... .;.' .........'

1::

I
i:::l::::[:f::::::.:::::::.
1

......

:::::::........
........ ......
.....

;.. .;
................ ~. ...,.. .................,..... ...........
..

.......;........:........;....

.......:........:........

.............................
.............................
'O10

..../...::.::; ...............

................

2Ow

4
&

SOM
Fmcuencia(biz)

(a) Secuencia m = 5, n = 3

;+..

......

;..
.......................................
............... ., ......................
16
'

2013

4003

A i

8050 8050 im tm 14ow 16Mo


Fiecuemia W )

(b) Secuencia mi = 3, n, = 2, m2= 2, n2 = 1

(e) Secuenciaml=2, ni = 1, m 2 = 2 ,n2 = 1,

m3=

1, n3 = 1

Figura 5.16 Efecto en frecuencia de la particin de la secuencia PDM

Modulacin de densidad de puisos.5-21

I1

Tabla 5.5 Comportamiento de los armnicos en funcin del factor de calidad

I1

5.7.- Generacin de las formas de onda PDM


I/

Las formas de onda necesarias en la modulacin de densidad de pulsos se generan por medio
del inversor operando con una salida de tres niveles, como se describe en la seccin dedicada ai
inversor resonante. Al fializar un ciclo resonante el capacitor de la red de compensacin se
encuentra cargado a tensin mxima!'El inversor opera en el modo V para implementar la funcin
del interruptor S de la figura 5.1, y parte de la energa almacenada en el capacitor se descarga hacia
la componente resistiva de la carga.

II

5-22 Modulacin de densidad de pulsos

6 CORRECCIN DEL FACTOR DE POTENCIA


I/

6.1. introduccin

El circuito bsico del inversor resonante usado tambin como corrector del factor de potencia
se muestra en la figura 6.1. La correccin se alcanza eliminando el capacitor de filtrado CB, cuyas
conexiones se muestran con lneas punteadas, entre la etapa de rectificacin y el inversor. La tensin
de entrada a ste corresponde entonces a la tensin de linea rectificada por lo que la corriente de
carga es una onda sinusoidal, a la frecuencia de resonancia, que sigue una envolvente a la frecuencia
de Linea [52].

+
'L

111

I/
Figura 6.1 Circuitobsico para correccin del factor de potencia.

0.002 0.004 0 . W 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016


I/

Time (sec)

Figura 6.2 Formas de onda bsicas.


I1

6-2

Correccin del factor de potencia

Las formas de onda bsicas se muestran en la figura 6.2. La traza supenor corresponde a la
comente que fluye por la carga, la intermedia es la comente en la entrada del rectificador, y la
inferior corresponde a la comente en los dispositivos qe conforman el inversor. Como puede verse,
la comente de entrada al sistema incluye una componente a la frecuencia de linea, ms otra
componente a la frecuencia de resonancia del inversor. La correccin del factor de potencia se
alcanza utilizando un filtro de CA, formado por los elementos CF y LF en la figura 6.1, para eliminar
la componente de alta frecuencia [79].
6.2. Condiciones de referencia

Antes de proceder al anlisis del inversor resonante, se obtendrn las relaciones bsicas para
el mismo, alimentado por una tensin de CD. Si el inversor se opera exactamente a la fiecuencia de
resonancia, la comente por la carga tendr una forma de onda sinusoidal, por lo que su valo eficaz
es:
Iup

I=-

&

donde I, es el valor pico de la comente. A su vez, la potencia disipada en una resistencia de carga

RLser:

Pm=-

Im2 RL

La comente eficaz a travs de los interruptores del puente inversor es:

6.3. Operacin con bus de CD rectificado

Considerando ahora el caso del inversor alimentado por la tensin de entrada rectificada, la
comente en la carga tiene la forma de onda que se muestra en la figura 6.3 y queda dada por la
siguiente expresin:
z(t) =ILsen(oL r ) sen(ooi)

(6.4)

donde OL es la fkecuencia de la linea, y 00 es la de resonancia. El valor eficaz de la comente de la


comente se obtiene en el apndice VI, ecuacin (Vi.12):
4

sen2mx
2m x(m +i)(m - 1)

(6.5)

Correccin del factor de potencia . 6-3

I1

Figura 6.3 Forma de onda de comente en la carga

Simplificando la expresin:

sinc(2mr)
La funcin sN?c(x), muy usada en teona de las comunicaciones, es igual a seno(x)/x. Una
caracterstica de ella es que tiende a O conforme se incrementa el valor del argumento; as pues, para
valores elevados de m,el valor eficaz be la corriente de carga se puede aproximar a:

,I

Figura 6.4 Lmites del valor eficaz de comente


I1

La condicin de que m sea de valor elevado implica que la frecuencia de resonancia debe ser
mucho mayor que la frecuencia de lnea. En la figura 6.4 se muestra el comportamiento del valor

6-4

Correccin del factor de potencia

eficaz normalizado de la comente para valores de m entre 10 y 1,000. Las curvas que se muestran
corresponden a los lmites del valor eficaz ya que, para valores enteros de m la funcin sznc(2mrr)
valdr cero. Para valores de m en la vecindad de 10, el error mximo es del orden del 0.8%.
6.4. Esfuenos en corriente.

Con la suposicin de que la fiecuencia de resonancia es muy superior a la de lnea, la


potencia de salida del inversor es:

I?
PL=-

RL

Para efectuar la comparacin con un sistema alimentado con una tensin constante, se
supondr que en ambos casos, bus constante y bus pulsante, se transferir la misma potencia a la
carga; es decir:
IIR=RL I 2 RL
2
4

(6.9)

Despejando, se obtiene que:


IL=$I~

(6.10)

La ecuacin anterior implica que, cuando se desea transferir una potencia dada a la carga, el
esfuerzo de comente en los interruptores es superior cuando se tiene un bus pulsante.
6.5 Potencia transferida
La potencia transferida puede evaluarse suponiendo que la frecuencia de resonancia es muy
superior a la de lnea. Alrededor del ngulo d 2 , la tensin de entrada al inversor puede considerarse
como constante e igual a la tensin pico de la lnea. Si se supone que el factor de calidad de la carga
es elevado, puede considerarse entonces a la carga como alimentada nicamente por la componente
fundamental de la forma de onda de tensin. La comente pico que fluye por la carga es:
4 vs

IL=-

RL7r

(6.11)

Por otro lado, se tiene que:


(6.12)

A su vez:

Correccin del factor de potencia

6-5

(6.13)

Substituyendo y despejando, "se obtiene que:


I)

Vs IL

Pr=-

I1

(6.14)

Cuando la magnitud de la tensin de lnea es conocida, la ecuacin anterior permite evaluar


la comente pico necesaria para disipar una potencia deseada.

6.6. Factor de potencia

,I

Existe un factor de potencia mximo asociado con el convertidor, cuando no se tienen etapas
de filtrado y se mantiene la operacin del inversor durante la totalidad del ciclo de lnea. Este factor
de potencia puede evaluarse suponiendo que no existen prdidas en la etapa de potencia,
necesariamente, la potencia que se disipa en la carga debe ser igual a la potencia activa entregada
por la linea.
I1
\

Si la tensin de linea es perfectamente sinusoidal, en la generacin de la potencia activa


nicamente interviene la componente fundamental
de la comente As pues
I/
(6.15)

donde 1, es el valor pico de ia fundamental de comente, y que resulta ser:


2 IL

/I

Ii=-

I/

(6.16)

Por lo que la potencia activa eniregada por la lnea es:


vs Ir.

II

Ps=-

I1

(6.17)

Por otro lado, la comente eficy de entrada tambin es I&, Por 10 que la Potencia aparente
entregada por la lnea es:
II
'I

El factor de potencia es entonces:


il

ss=-

v s IL

2Li

(6.18)

6-6

Correccin del factor de potencia

(6.19)

Como se ve, el factor de potencia natural del convertidor, Sin etapas de filtrado y con
conduccin durante la totalidad del ciclo de linea, es de 0.9, y constituye el mejor caso posible. Las
comentes reactivas pueden evaluarse con:
IkRMS=JGXGZ

(6.20)

Usando las expresiones de las comentes eficaces:

IW=IL

2 d -16
=0.2177 IL
'/ 8n2

(6.21)

6.7. Operacin con conduccin limitada

El factor de potencia se degrada cuando el inversor no opera durante ia totalidad del ciclo de
lnea. En estos puntos la comente a travs de la carga disminuye a valores con los cuales puede
resultar dificil mantener la operacin de un circuito de seguimiento de la resonmcia. La degradacin
puede evaluarse suponiendo que la envolvente de la comente de carga es ahora:
i(i)=sen(mt)

r-a >mt>a
2n-a >ml>lr+a

(6.22)

y que ie(t) es nula fuera del intervalo especificado. Este comportamiento se muestra grficamente en
la figura 6.5; ntese que se ha supuesto una operacin simtrica alrededor de los nguios x2 y 3 d 2 ,
la que es necesaria para evitar la aparicin de armnicos pares (simetra de cuarto de ciclo).

Figura 6.5 Forma de onda de la comente de carga con conduccin limitada

Correccin del factor de potencia . 6-7

El valor eficaz de la corriente de carga puede aproximarse como el producto del valor eficaz de la
comente resonante, sin envolvente, por el valor eficaz de la envolvente; es decir:
(6.23)

donde IL es la comente pico en la carga, IEMSes el valor eficaz de la envolvente e IWS es el valor
eficaz de la comente de carga. Usando los limites indicados en (6.22), el valor eficaz normalizado
de la envolvente es:
(6.24)

Por lo que:
(6.25)
Corriente eficazm a l i z a d a (pu)

Angulo de retraso (grados)

Figura 6.6 Comente eficaz de salida en funcin del ngulo de retraso de la carga

La grfica de esta comente se muestra en la figura 6.6. Siguiendo un procedimiento similar


ai de la seccin anterior, aunque ahora las ecuaciones involucradas son ms complejas, se obtiene
que la potencia en la carga es:
(6.26)

La variacin de la potencia de salida, en forma normalizada y con respecto al


muestra en la figura 6.7.

0-8

Correccin del factor de potencia


Potencia de salida mnaikada @u)

Angrdo de rebaso (grados)

Figura 6.7 Potencia de salida en funcin del ngulo de retraso


El factor de potencia es:
(6.27)

El comportamiento del factor de potencia se muestra en la figura 6.8, en funcin del ngulo
a.Es importante notar que, aun cuando el factor de potencia se degrada relativamente poco para
ngulos de retraso reducidos, el efecto sobre el contenido armnico resultante es notable. La
amplitud normalida de la componente fundamental, en funcin del Bngulo de retraso,es:
(6.28)

.,

Correccin del factor de potencia . 6-9

Las amplitudes normalizadas de las armnicas son:

I=

sen(n + 1)a - sen(n - 1)a


n+l
n-1

(6.29)

En la figura 6.9 se muestra el comportamiento de la fundamental y las pnmeras cinco


armnicas en funcin del ngulo de retraso. Como se aprecia, aparecen armnicas de bajo orden,
referidas a la frecuencia de lnea, las que requerirn un filtro con frecuencia de corte relativamente
baja para su eliminacin. Al disminuirse la frecuencia de corte del filtro aumenta su volumen. Es
evidente entonces que, para mantener las ventajas que el montaje ofrece, deber asegurarse que el
inversor funciona durante la totalidad del ciclo de lnea.
Valor mmaluado
1

0.9
0.8

0.7
0.6
0.5

0.4

0.3

0.2
0.1

io

30
40
50
m
Anguio de reim60 (gradoa)

80

Figura 6.9 Fundamental y primeras cinco armnicas normalizadas en funcin del ngulo de retraso
6.8. Efecto de la operacin fuera de resonancia

Otro efecto a considerar en el circuito es la operacin fuera de resonancia. Cuando el


inversor no est operando exactamente a la frecuencia de resonancia de la carga, durante algunas
porciones del ciclo de resonancia se tendr una comente de retorno, fluyendo del inversor hacia el
rectificador (figura 6.10). Ahora bien, an cuando los interruptores del puente incluyan diodos para
el manejo de comentes de retorno, los que no se muestran en el diagrama de la figura 6.1, un
rectificador no controlado es un convertidor de un cuadrante. Esto quiere decir simplemente que el
rectilicador no permitir el flujo de la energa hacia la linea, la que quedar atrapada en el bus de
CD y se manifestar como un incremento en la tensin del mismo, hasta el instante en el cual se
descarga hacia el circuito resonante de carga. La solucin a este problema consiste en colocar un
capacitor Cg a travs del bus de CD, en el que se almacenar la carga de retorno y cuyo valor debe
ser tal que en el bus se mantiene la forma de onda rectificada sin distorsiones apreciables. Sea 00 8
el ngulo de fase de la comente; el valor pico de la comente de retorno es:
I x = t a (w o e )

(6.30)

6-10 Correccin del factor de potencia


Corriente de bus
1
06
06
04
02

0 2
0.4

'

05

Tiemp

1.5

x 104

Figura 6.10 Comente en el bus de CD, en operacin fuera de resonancia.

Si el ngulo es reducido, IX se puede aproximar con:


IX=P o.

(6.31)

La carga que el inversor est retornando al bus de CD es:


1
2

Q=-oo02 1

(6.32)

L a comente f es proporcional a la magnitud de la tensin aplicada, por lo que el valor


mximo de la carga regresada coincidir con el pico de la linea; as pues:
(6.33)

El incremento mximo de tensin en el capacitor ser entonces:


AV=

ooe2V

~RCB

(6.34)

O bien:
C.9=

ooe2V
2RAV

(6.35)

La ecuacin (6.35) permite calcular el valor mnimo necesario del capacitor, en funcin del
incremento AV mximo permitido en el bus de CD. El capacitor se ubica en el bus de CD; en estos
casos se acostumbra especificar la comente de rizo que fluir sobre el capacitor. Si ste capacitor es
lo suficientemente pequeo, la forma de onda de la comente que fluye es como se muestra en la

Correccin del factor de potencia .6-11

figura 6.11. Si se supone que la tensin de alimentacin al inversor es constante, la ecuacin que
describe esta comente es:

i c ( f )= --t
1%. Iw

que:

2e>t>o

(6.36)

Aplicando la definicin del valor eficaz sobre un ciclo de resonancia completo se obtiene
(6.37)
Co,i,ente en el capacitor
0.3

0~2
0.1
O

0.1

0.2

0.3
-0 4

05

1
Tiempo

Figura 6.11 Corriente en el capacitor


Incluyndc

15

x 104

ahora el efecto de la envolvente senoidal, el valor eficaz

comente es:
(6.38)

La ecuacin (6.38) proporciona entonces el valor eficaz de la corriente que fluye en el


capacitor que se conecta en el bus de CD. Claramente, para la especificacin del capacitor deber
tambin tomarse en cuenta la frecuencia de resonancia del inversor.

Por otra parte, el flujo de comente a la salida del rectificador se interrumpe durante el lapso
en el que fluye la corriente en el capacitor. La comente a la salida del puente rectificador es como se
muestra en la figura 6.12, en la que se tiene que la frecuencia de resonancia en muy superior a la de
lnea, de manera que no es distinguible la modulacin ocasionada por la tensin rectificada. El valor
eficaz correspondiente a la forma de onda de la figura 6.12, sin tomar en cuenta la modulacin del
bus rectificado. es:
(6.39)

6-12 Correccin del factor de potencia


Co~ientede 5al1da del rectifica&!

28

I
-02'

05T

Tiempo

1 5T

Figura 6.12 Comente a la salida del puente rectificador


Incluyndose el efecto de la modulacin senoidal:
(6.40)

Dado que necesariamente el valor eficaz de la comente que entrega la red elctrica debe ser
igual ai valor eficaz de corriente a la salida del rectificador, se tiene que la potencia aparente
entregada por la red es

{
r

S = VSIL - - -+ -sen(2 0 0 0)

(6.41)

El valor pico mximo de la comente de carga ocurre alrededor de la cresta de tensin. Como
el inversor est operando fuera de resonancia, este valor pico mximo est dado por:
4 vs
IL= __
IZ Ir

donde
i

(6.42)

(6 43)

En la ecuacin anterior XL y & corresponden a las reactancias inductiva y capacitiva de la


red de carga. La potencia disipada en la carga sigue estando dada por la ecuacin (6.8),por lo que.
(6.44)

Nuevamente, dado el equilibrio de potencias, la potencia activa entregada por la red debe ser
igual a la potencia que se disipa en la carga; as pues, el factor de potencia es:

Correccin del factor de potencia .6-13

vs

-IL&

(6.45a)

RL
x

(6.45b)

+-sen(2 e)
00

8 2To 87t

En resonancia se cumple que (21= Rh y que 0 = O; con estos valores ia ecuacin (6.45b)
arroja un factor de potencia de 0.9. Esta ecuacin puede escribirse tambin como:
(6.46)

FP

O 92
o9

o 88
O 86
O 84

o 82
O8

10

00

15

20

e (Grados eleitncos)

25

30

Figura 6.13 Comportamiento del factor de potencia en funcin del ngulo 00 8.

En la figura 6.13 se muestra el comportamiento del factor de potencia en funcin del ngulo
00 0 expresado en grados elctricos. Se advierte que, a menos que este ngulo sea de valor elevado,
la degradacin del factor de potencia es reducida. La degradacin no est asociada con la aparicin
de armnicas de bajo orden, como en el caso de la conduccin limitada referida a un ciclo de lnea;
por lo tanto, no es necesario modificar la fkecuencia de corte del filtro de CA.
6.9.- Contenido armnico

En una forma de onda de comente como la que se muestra en la figura 6.1 parecera que el
contenido espectral debera incluir una componente ai doble de la frecuencia de lnea, ya que eSta es
la frecuencia de pulsacin del bus de CD cuando no se tiene una tapa de filtrado. No obstante, el

6-14

Correccin del factor de potencia

espectro obtenido para esta forma de onda con una frecuencia de resonancia de 150@Hz (25 veces la
de lnea) demuestra que no es as. El espectro se muestra en la figura 6.14.

."

1o'

lo'

Frecuencia

Id

Id

Figura 6.14 Contenido espectral de la comente


Como se aprecia, aparece una componente a los 1500 Hz, asociada con la frecuencia de
resonancia del inversor, y alrededor de ella aparecen bandas laterales. Las componentes de las
bandas laterales estn separadas una distancia 2 n OL de la frecuencia de portadora; para la banda
lateral inferior, las componentes estn a 1380 Hz, 1260 Hz, 1140 Hz, etc. Este resultado es
congruente con lo predicho por la teora de la modulacin en amplitud.
Considerando ahora la tensin de entrada al inversor, sta tiene una forma de onda que
corresponde a una seal sinusoidal con rectificacin de onda completa. La serie de Fourier
correspondiente es:
2

-c
4 "

cos(2jwt)

x ( t ) = -IT 7r ,=, ( 2 j - 1)(2j

+ 1)

(6.47)

En primer trmino en el lado derecho de la ecuacin (6.44) corresponde al valor promedio de


la onda rectificada, el que desaparece en el proceso de modulacin que se lleva a cabo en el
inversor. Por su parte, las componentes sinusoidales se recorren en frecuencia, quedando ubicadas
alrededor de la frecuencia de portadora. La amplitud pico de la ensima armnica es:
V n=

IT(2n - 1)(2>,+ I)

(6.48)

En la ecuacin anterior, debe tomarse en cuenta que la frecuencia de ocurrencja-:de las


armnicas est dada por 2 n. Usando el valor promedio que aparece en la ecuacin (6.23J:y la
ecuacin (6.45), puede calcularse el ndice de modulacin para la ensima armnica; ste es: .PA*
''Y

Correccin del factor de potencia .6-15

2
p = (2n - 1)(2n + 1)

(6.49)

Evaluando numricamente, se obtienen que el ndice de modulacin total para la forma de


onda que se est analizando es:
p~=O.6837

(6.50)

As pues, la relacin entre la potencia total y la potencia en la portadora es:


(6.51)
De acuerdo a este resultado, el 81% de la potencia total est en la frecuencia de resonancia
del inversor y el resto, el 19%, est en las bandas laterales.
Amplitud

-10'

Id

Frecuencia

id

lo'

Figura 6.15 Forma de onda de comente en el bzis de CD


Para completar el desarrollo, en la figura 6.15 se muestra en contenido espectral de la forma
de onda de comente en el bus de CD. En el intervalo de frecuencias bajas parecen las armnicas
asociadas con la pulsacin del bus de CD, a 120Hz, 240H2, 480Hz, etc. En el intervalo de altas
frecuencias aparecen armnicas asociadas con la frecuencia de resonancia del inversor, debe notarse
que alrededor de estas componentes se tienen tambin bandas laterales.

~-

6-16 Coneccin del factor de potencia

7 CIRCUITERIA DEL PROTOTIPO


La Ncuitera del prototipo constmido consta de dos partes: la primera es la etapa de
potencia, que corresponde a un convertidor CD/CA y en la que se incluye la circuitera e aislamiento
y corrimiento de niveles. La segunda parte es el circuito de gobierno, la que tienen como funcin'
proporcionar las seales necesarias para el correcto funcionamiento de la etapa de potencia,
tomando en cuenta el modo de operacin deseado. A continuacin se describen estas partes.
7.1. ETAPA DE POTENCIA

La etapa de potencia consiste en un puente inversor con fuente de tensin y construido con
transistores de compuerta aislada. En antiparalelo con ellos se encuentran conectados diodos de
recuperacin rpida, los que tienen como funcin manejar las comentes reactivas que se producen
cuando el inversor opera fuera de resonancia. El inversor se muestra en la figura 7.1.

Q2

Q4
Figura 7.1 Puente inversor

Las seales de mando a los IGBT's proceden de los circuitos de impulsin de compuerta, los
que cumplen con las siguientes funciones:
a) Proporcionar los niveles de tensin y comente necesarios para el encendido y apagado de los
IGBT's.

b) Proporcionar aislamiento entre la parte de gobierno y el inversor. Esta es una necesidad para los
transistores superiores de las ramas, ya que los emisores de estos transistores incursionarn entre
las terminales de la fuente de alimentacin al inversor.
El diagrama esquemtico del impulsor se muestra en la figura 7.2. El aislamiento se proporciona
por medio del acoplador ptico U2, manejado por la compuerta de colector abierto U1. Los niveles
adecuados pua la operacin del IGBT los proporciona el circuito de propsito especfico U3. Tanto

1-2 Circuitea del prototipo

la etapa de salida del optoacoplador como el impulsor de compuerta U3 deben alimentarse con una
fuente de tensin cuyo comn est refendo a la terminal de emisor del transistor. El diodo del
acoplador ptico se encuentra fisicamente separado de la compuerta U1 y de la resistencia &, los
que forman parte del circuito de gobierno; la lgica de operacin es tal que se garantiza que el
transistor estar apagado cuando el diodo se encuentre desconectado del circuito de gobierno.

G"

u2
Figura 7.2 Impulsor
7.2 CIRCUITO DE GOBIERNO
7.2.1 Sistema Bsico

La funcin fundamental del circuito de gobierno consiste en proporcionar las seales de


mando a los interruptores que conforman el inversor, con la temponzacin adecuada para mantener
la frecuencia de operacin en resonancia y para evitar el encendido simultneo de los interruptores
de una misma rama. Como funcin adicional, es deseable poder operar el inversor en modo manual,
con una referencia de frecuencia independiente de la condicin de resonancia, pudindose transferir
el gobierno de la operacin manual al de seguimiento de la resonancia.

El diagrama a bloques del sistema bsico se muestra en la figura 7.3. La circuitena necesita
de tres seales lgicas de mando:
iNiCI0: pulso positivo para comandar el inicio de la operacin en el inversor.
e

RESET: pulso positivo para detener la operacin del inversor y restablecer la circuitena a las
condiciones iniciales.

MODO: nivel lgico que indica s se operar en modo manual, con MODO = O, o en modo de
seguimiento de la resonancia, con MODO = 1.
El bloque etiquetado como OSCILADOR es la referencia de Frecuencia independiente. A
partir de! sensado de la comente que fluye en la carga, el bloque SEGUIDOR DE RESONANCIA
se encarga de mantener la Frecuencia de operacin en el valor de resonancia, La transferencia del
modo independiente al de seguimiento se realiza por medio del interruptor S, en respuesta a la seal
etiquetada como MODO. El GENERADOR DE TIEMPO MUERTO recibe como entrada un tren de
pulsos, y produce en su salida las seales con la temponzacin adecuada para comandar los
interruproes de la etapa de potencia.

Circuiteria del prototipo 7-3


NlClO

RESET

NVERSOR

TIEMPO MUERTO
SEGiDOR DE

Figura 7.3 Diagrama a bloques del sistema bsico


Generador de tiemDo muerto
El diagrama simplificado del generador del tiempo muerto se muestra en la figura 7.4. La
seal RELOJ es la base de tiempo para operar el inversor, En operacin normal la lnea RESET esta
en un nivel alto, por lo que RELOJ se propaga a travs de las compuertas U2 y U3. La red
RETRASO, la compuerta U1 y el MONOESTABLE producen un pulso en cada flanco, tanto
ascendente como descendente, de la base de tiempo.
La anchura tz de este pulso es el tiempo muerto que se proporciona a los intemptores del
inversor. Los biestables FF1 y FF2 se encienden con el flanco descendente de este pulso, sin
embargo, cada uno de ellos queda inhibido de hacerlo durante medio ciclo, a travs del nivel que se
aplica a la entrada de borrado. Las salidas de los biestables son las seales de mando a los
interruptores el inversor. Por otro lado, cuando la entrada RESET toma el nivel bajo, las salidas de
los biestables toman el nivel bajo, independientemente de sus entradas de reloj. En la figura 7.5 se
muestra el diagrama de tiempos.

MONOESTABLE

::

FFI

u4

u3

Figura 7.4 Generador de tiempo muerto

FF2

S Q-

GI

G2
CI

7-4 Circuitena del prototipo

RELOJ
RESET

ZM

GI

G2

n
. .

n n

4+:
tz

Figura 7.5 Diagrama de tiempos

Selector de modo de oueracin

El diagrama simplificado del selector de modo de operacin se muestra en la figura 7.6. Este
bloque cumple las siguientes funciones:
a) Permitir el encendido sincronizado del inversor, tanto en el modo de operacin manual como en
el de seguimiento de la resonancia.
b) Permitir la transferencia del modo de operacin manual al de seguimiento de la resonancia, en el
caso en que la operacin haya iniciado en el primer modo.
Como condicin previa a la operacin, es necesario pulsar la seal RESET y que tanto la seal
INICIO como MODO estn inactivas (en bajo) con lo cual las salidas de los biestables U3 y U4
toman un nivel bajo. La seleccin de la base de tiempo se realiza por medio del multiplexor U1.
Dado que la salida de U4 est inicialmente en bajo, en el multiplexor se propaga la base de tiempo
FOSC; simultneamente, se inhibe la propagacin a travs de la compuerta U5,por lo que la salida
RELOJ permanece inactiva.
,

u4

N
C
O
IFOSC
rpc
FRETI

DO

LD1

(1

>

Dl A

Figura 7.6 Selector de modo de operacin

RELOJ

u5

Circuitena del prototipo 7-5

Secuencia .de arranque en modo m m a l : el diagrama de tiempos para el inicio de la


operacin, en modo manual, se muestra en la figura 7.7; la secuencia de eventos es la siguiente:

to

La lnea INICIO se activa de manera asincrona

ti

La salida de 4 4 tomar el nivel alto en el siguiente flanco descendente que se presente en su


entrada de reloj. A partir de este instante se permite la propagacin de la base de tiempo a
travs de la compuerta U5. Dada la realimentacin en U4, a partir de ti los cambios tanto en
ihTCI0 como en su entrada de reloj no afectan su estado.

FOX

QW3)

RELOJ

I
I
I

I
1
1

b t~
Figura 7.8 Transferencia

7-6 Circuitena del prototipo

Secuencia de arranque en modo de Seguimiento: en la figura 7.9 se muestra el diagrama'ae


tiempos que aplica para el arranque en modo de seguimiento de la resonancia; para ello, la entrada
RESET deber pulsarse previamente y la lnea MODO deber colocarse en alto. La secuencia de
eventos es la siguiente:

ta

Se activa la lnea INICIO de manera asncrona.

ti

Se produce la conmutacin de la salida de U4, con lo que se permite la propagacin de la


base de tiempo a travs de U5

tz

Se produce el encendido del inversor, de acuerdo al flanco ascendente que se presenta en la


base de tiempo independiente.

t3

Se produce la respuesta el circuito de seguimiento de .la resonancia, la que genera


conmutaciones en U2 y en U3, con lo que se realiza el cambio de referencia en el
multiplexor. A partir de este instante, el inversor queda gobernado por el seguidor de
resonancia. Claramente, las conexiones a los interruptores del inversor y la lgica en el
circuito de seguimiento de la resonancia deben ser tales que, durante el primer semiciclo, se
produce un pulso positivo en FRET.
FOSC

INICK)
Q(U4)
FRET

I
,

QW

. .

Qu3)

Y... :...
,

RELOJ

<

b
'1
tz4
Figura 7.9 Arranque en modo de seguimiento

Semiidor de resonancia

El circuito simplificado para realizar el seguimiento de la resonancia se muestra en la figura

7.10 y corresponde a lo descrito en el captulo 4. Como se sabe, los comparadores son especialmente

sensibles al ruido que se presenta en sus terminales de entrada; el origen de este ruido puede estar
incluso en el mismo comparador debido a que su impedancia de entrada vana durante las
conmutaciones, al atravesar la etapa de entrada la regin de operacin lineal.

Una manera de desensibilizar al dispositivo con respecto al ruido consiste en agregar una red
de histresis. Cuando la salida del comparador es bipolar y perfectamente simtrica, el efecto de la
red de histresis consiste en desplazar los instantes reales de conmutacin en un ngulo constante, el
que es funcin de la anchura de la banda de histresis y de la amplitud de las seales aplicadas a las
entradas.

Por otro lado, cuando la salida del comparador no es simtrica, ocurre un desplazamiento de
la banda de histresis, el que se refleja como una asimetraII de las conmutaciones con respecto al
m c e por cero. As pues, en un comparador en el cual se tiene una salida con niveles lgicos
I
estndar se produce una asimetna cuando la red de histresis est referida a esta salida. Una manera
del dispositivo,
de resolver este problema consiste en
la operacin del
apegndose una red de histresis
Dado que los transitonos
comparador inmediatamente despus de que se
del ruido que se presenta en las
que se producen en la etapa de potencia son los
necesario
para que transcurra dicho
entradas del comparador, la inhibicin durar el
transitorio.

FRET

Figura 7.10
I

7.2.2 Operacin en modo de correccin del FP

La operacin del inversor resonante usado como corrector del factor de potencia requiere de

un mecanismo que mantenga la operacin durante los cruces


I
por cero de la tensin de linea, ya que
en estos puntos la comente que fluye por la carga se
I anula y el circuito de seguimiento de la
resonancia deja de operar. El circuito de gobierno conI este mecanismo incluido se muestra en la
figura 7.11.

MODO

NCIO

RESET

OSCILADOR

:I I

MODIFICADO

Figura 7.11 Circuito de mando para operacin como corrector del FP

7-8 Circuitena del prototipo

.Cuando se est operando en el modo de seguimiento de la resonancia la base de tiempo


puede proceder de dos bloques: del seguidor de la resonancia, en cuyo caso se tieneCun
comportamiento similar al descrito para el circuito bsico, o de un circuito de amarre de fase (PLL)
modificado. Cuando la tensin en el bus de entrada al inversor sea lo suficientemente elevada como
para permitir que el seguidor de la resonancia opere correctamente, se usar ste como base de
tiempo Por el contrario, la base de tiempo se tomar del PLL cuando la tensin de entrada al
inversor sea reducida. La conmutacin de un circuito a otro depender de la seal UMBRAL.
Detector de umbral

El circuito para la obtencin de la seal UMBRAL se muestra en la figura 7.12. La tensin


de entrada v, procede del secundario de un transformador de medicin; esta tensin alimenta un
rectificador de precisin, formado por los operacionales U1 y U2. A continuacin se tiene al
comparador U3, seguido del inversor U4. Este ltimo tiene como funcin proporcionar flancos con
tiempos de subida y bajada compatibles con el resto de la circuitena lgica. La conmutacin ocurrir
en la interseccin de la salida del rectificador con la tensin de referencia VREF

Figura 7.12 Detector de umbral


Las formas de onda correspondientes se muestran en la figura 7.13. Se usar la salida del
seguidor de resonancia cuando la seal UMBRAL est en bajo, y la del PLL modificado cuando est
en alto. La anchura de los pulsos TI est dada por:
sen-'
51 = 2

(E)

W CA

(7.1)

donde VCAes la tensin pico de lnea, y ocA es la frecuencia correspondiente. A su vez, el lapso
queda dado por:

52

Es importante recalcar que el rectificador de precisin puede omitirse, sensando directamente


la tensin en el bus de alimentacin al inversor por medio de un divisor resistivo; sin embargo, de
ser este el caso, el circuito de mando quedara referido a la terminal negativa de la salida del
rectificador de potencia.

Circuiteria del prototipo 7-9

VE
I

UMBRN

Figura 7.13 Formas de onda en el detector de umbral

PLL modificado
El circuito de amarre de fase (PLL)modificado se sincroniza con la salida del seguidor de
resonancia durante el lapso en el cual este est operando (puntos alejados de los cruces por cero de
la tensin de lnea). Si el PLL est correctamente sincronizado, cuando se tome como referencia su
salida se tendr una frecuencia de operacin coincidente con la resonancia de la carga. Por otra
parte, cuando un PLL no tiene seal de entrada aplicada, su salida tiende a derivar hacia un extremo;
es necesario entonces agregar un mecanismo que permita mantener esta frecuencia sin variacin.

UMBRAL^^

FPLL

Figura 7.14 PLL modificado

En la figura 7.14 se muestra el diagrama del PLL modificado, junto con el mecanismo que
permite mantener constante la frecuencia. Entre el detector de fase DF y el filtro pasa-bajas hay un
interruptor. Cuando la base de tiempo es el circuito de seguimiento, este interruptor est cerrado y se
tiene la operacin normal del PLL.Por otro lado, el interruptor se abre alrededor de los cruces por
cero de la tensin de lnea, el capacitor del filtro quedar cargado al valor que tena en el instante
previo a la apertura del interruptor, con lo que se mantiene constante la frecuencia de salida del
VCO. En la malla de realimentacin del PLL se tiene un divisor de frecuencia, el que tiene como

7-10 Circuiteria del prototipo

objetivo asegurar que-el.ciclo de trabajo en la salida FPLL sea del 50%; al calcularse los valores de
frecuencia mnimo y mximo en el VCO deber tomarse en cuenta este divisor.
Selector de base de tiempo

El selector de base de tiempo cumple las siguientes funciones:

a) Permitir el encendido sincronizado del inversor, tanto en el modo de operacin manual como en
el de seguimiento de la resonancia.
b) Permitir la transferencia del modo de operacin manual al de seguimiento de la resonancia, en el
caso en que la operacin haya iniciado en el primer modo.
c) Cuando est operando en modo de seguimiento de la resonancia, transferir la base de tiempo
entre el seguidor y el PLL modificado.
d) Asegurar que el PLL dispondr de un lapso superior al tiempo de encadenamiento, antes de que
su salida se tome como base de tiempo para la operacin del inversor.
La funcin de los interruptores S1 y S2 que se muestran en la figura 7.11 puede engiobarse

en un multiplexor nico de cuatro a uno, aunque en este caso la secuencia de operacin es ms

compleja que en el circuito bsico porque deben realizarse diferentes secuencias de sincronizacin.
El diagrama del circuito se muestra en la figura 7.15. La seleccin de la base de tiempo depende de
la direccin que se aplique al multiplexor, de acuerdo a la tabla 1
I

INlCl

u=

FRET

FPLL
~I
UMBRAL-

I
I

-T

D1

D2
D3

A0 Al

RELOJ

.U.-/

11011-1
U6

Figura 7.15 Selector de base de tiempo

Circuitera del prototipo7-11

Tabla 1 Seleccin de base de tiempo


AI
O
O
1

A0
O
1
O
1

Comentario
Modo manual
Modo de seguimiento, VCD > VREF
Modo manual
Modo de seguimiento, VCD < VREF

Base de tiempo
FOSC
FRET
FOSC
FPLL

Secuencia de arranque en modo manual: El diagrama de tiempos se muestra en la figura


los biestables
quedan en bajo, en el multiplexor se propaga FOSC y no existe propagacin en la compuerta U9. La
secuencia de eventos es como sigue:

7.16. Como condicin previa debe activarse la seal de RESET, con lo que todos

to

Se presenta de manera sincrona el pulso de arranque en la Linea INICIO

ti

El comando de arranque se sincroniza por medio del biestable U1 con el flanco descendente
de la seal UMBRAL; de esta manera el PLL dispondr del tiempo mximo posible para
encadenarse con la salida del circuito de seguimiento de la resonancia.

tz

Se permite la propagacin de la base de tiempo a travs de la compuerta U9.

t3

Se produce el encendido del primer par de interruptores en el inversor.


FOX

INICIO
UMBRAL

WJl)
Q(U4)
RELOJ

t,

t,

t,

Figura 7.16 Temponzacin del inicio de la operacin

Transferencia de manual a seguimiento: El diagrama de tiempos se muestra en la figura

7.17. La secuencia e eventos es la siguiente:

to
ti

El comando de transferencia se presenta a traves de la linea MODO.


El comando se sincroniza tambin con el flanco descendente de la seal UMBRAL, por
medio de U4; as pues, el cambio del modo manual al de seguimiento de la resonancia
ocurrir cuando la tensin en el bus de alimentacin al inversor exceda el valor de
referencia.

7-12 Circuitena del prototipo


_-

j -

ti

La compuerta U5 y el biestable U6 tienen-como funcin asegurar que el cambio de manual a


seguimiento se har cuando tanto FOSC como FRET estn simultneamente en alto, lo que
ocurre en el instante t2, y con lo que se evita que la transferencia produzca transitorios en la
salida

MODOI
I
UMBRAL

QW4)

<

i
l

t2

Figura 7.17 Transferencia de manual a seguimiento

Transferencia de FRET a FPLL: Una vez en modo de seguimiento, el cambio entre FOSC y
FF'LL se realiza de acuerdo a UMBRAL, en sincrona con el instante en que ambas bases de tiempo
estn simultneamente en alto. La sincronizacin se realiza por medio de la compuerta U2 y el
biestable U3; el diagrama de tiempos se muestra en la figura 7.18. Para la transferencia inversa
ocurre un proceso similar.
R
-F
E
T

UMBRAL

to

ti

Figura 7.18 Transferencia de FRET a FPLL

Arranque en modo de seguimiento: el circuito permite realizar el arranque en modo de


seguimiento, el diagrama de tiempos se muestra en la figura 7.19. En condiciones iniciales se
propaga FOSC a travs del multiplexor U7; la secuencia de eventos es como se describe a
continuacin:
to
ti

Se presenta el comando de inicio


Se sincroniza la propagacin del comando de inicio con el flanco descendente en la seal

i_

Circuitena del prototipo7-13

UMBRAL por medio del biestable U1

Se activa la salida del biestable US, permitiendo la propagacin de la base de tiempo a travs
de la compuerta U9.
Se produce el encendido del primer par de interruptores en el puente inversor
Se activa la salida del seguidor de resonancia, con lo que se produce la conmutacin en la
base de tiempo, hacia FRET. El mecanismo asegura que el PLL dispondr del tiempo
mximo para realizar el proceso de encadenamiento de manera que, al transferirse la base de
tiempo de FRET a FPLL, esta ltima estar en el valor de resonancia.

b
4
1,
f td
Figura 7.19 Arranque en modo de seguimiento

7.2.3.- Generador de PDM

El generador de PDM tiene como funcin producir las seales de mando a los interruptores
del puente inversor, de manera que este opera en el modo V durante el ciclo en el que se desea
conectar la carga en corto circuito. A partir de las salidas del circuito de gobierno, ya sea el bsico o

el utilizado para el inversor como corrector del factor de potencia, un ciclo de operacin en el modo
1. puene generarse bloqueando las seales de encendido a un par de transistores del puente inversor.

El generador de PDM puede incorporarse entonces como un bloque independiente, aunque se


necesitan seales de sincrona provenientes del circuito de gobierno, tal como se ilustra en la figura
7 20. Es sta, la sincrona se proporciona por medio de las salidas etiquetadas como RELOJ y ZM.
Ei diagrama del generador de PDM se muestra en la figura 7.21. El circuito se basa en secuencias
PDM en las que no se presentan ciclos de operacin en el modo V contiguos; adems, aplica para el
aso en que se tiene un mximo de 8 ciclos en operacin normal. Es importante aclarar tambin que
el diagrama propuesto corresponde a un rgimen de operacin en lazo abierto; para la operacin en
lazo cerrado se requerira aplicar una seal de realimentacin al microcontrolador.

7-14 Circuitena del prototipo

--c

CIRCUITODE
GOBIERNO

ZM
c1

G2

GENERACION
DE PDM

sc2
SC3

INVERSOR

sc4

Figura 7.20 Diagrama a bloques aplicable a la generacin de formas de onda moduladas en la


densidad de pulsos

SCI

sc2

sc3

MICROCONTROLADOR

Figura 7.21 Generador de PDM

El circuito U1 es un contador Johnson que se incrementa en los flancos ascendentes de la


seal lgica de sincronizacin RELOJ. El circuito U2 es un multiplexor a travs del cual se canaliza
una de las salidas del contador hacia la entrada de borrado del contador (entrada MR); la salida de
U1 en particular que se canalizar depende de la direccin que aplique el microcontrolador a las
entradas de direccionamiento de U2. El conjunto UI-U2 forma entonces un contador Johnson de
longitud variable.
El resto de la lgica (U3 a U8) tiene como funcin asegurar que un par de transistores se
mantendr apagado, mientras el otro par se mantiene encendido, durante la totalidad de un ciclo de
resonancia; es decir: sin generacin de un tiempo muerto intermedio. Tambin, el empleo de la lnea
ZM asegura que se producir un tiempo muerto antes de iniciarse el ciclo de operacin en el modo
V, y al terminar este.
El diagrama de tiempos se muestra en la figura 7.22. La secuencia de los eventos es la
siguiente:

..~
i.,

to

Despus de un ciclo de operacin normal, en este instante se presenta el inicio de un ciclo


de operacin en el modo V, cuando la lnea X conmuta a nivel alto. Esta conmutacin
ocurre en el instante en el que se apagan los transistores del inversor.

to a ti

Transcurre el tiempo muerto que permite el apagado de los transistores del inversor

ti

Se activa la lnea Y con lo que se fuerza el encendido de los transistores Ql y 4 2 (lneas


SCl Y SC2 en alto), y el apagado de los transistores Q3 y Q4 (lneas SC3 y SC4 en bajo).

ti

t2

a tz

Transcurre un ciclo de resonancia en el modo V, mantenindose encendidos los


transistores Q l y 4 2 durante la totalidad del lapso.
Terminacin del ciclo de resonancia con la carga en corto circuito. Se desactivan las lneas
X y Y, de manera que a partir de este punto el estado de los transistores depender de las
lneas GI y G2.

I:/

..

X
Y

..

t,

Figura 7.22 Diagrama de tiempos

tz

El biestable U3 y la compuerta U4 tienen como funcin acotar la duracin de la seal ZM, a


que est contenida en un ciclo completo de resonancia, exceptundose los lapsos de tiempo muerto
en los extremos. Las compuertas U5 a U8 tienen como funcin forzar los estados de los
interruptores durante el ciclo PDM:los transistores superiores se encienden incondicionalmente,
mientras que los inferiores se apagan. La temporizacin se muestra en la figura 7.21. La generacin
del ciclo de resonancia con la carga en corto circuito principia en el instante to; en el instante ti se
encienden los transistores superiores del puente, apagndose los inferiores; el ciclo en corto circuito
termina en el instante ti.

8 PRUEBAS Y RESULTADOS
Se construy un prototipo para probar los diferentes aspectos mencionados en este
documento. seguimiento de la resonancia, generacin de ondas PDM, etc. En el prototipo se utilizan
transistores de compuerta aislada de 20 N600 V. A continuacin se listan las diferentes pruebas
realizadas y los resultados obtenidos.
8.1.- Pruebas al seguidor de la resonancia

8.1.I.- Defasamienio producido por el seguidor

Obietivo: verificar experimentalmente que el defasamiento que genera el circuito de


seguimiento de la resonancia se mantiene constante ante cambios en frecuencia.
Condiciones de prueba: El circuito se prob alimentando la entrada al seguidor con un
eenerador de ondas.

Resultados:
El comportamiento del circuito de seguimiento de la resonancia se ilustra en las figuras 8.1,
que corresponde a una frecuencia de operacin de 50 WIZ, y 8.2, para una frecuencia de 50 WJZ. Se
muestran la onda sinusoidal de entrada y la salida del comparador.

Figura 8.1 Comportamiento a 50 kHz.

Figura 8.2 Comportamiento a 250 kHz.

Los detalles de las conmutaciones, para una frecuencia de 50 WIZ, se muestran en las figuras
8 3 y 8.4. Tanto para el cruce'por cero en sentido descendente (figura 8.3) como para el cruce

8-2 h e b a s y resultados

ascendente (figura 8.4) se tienen lapsos z de 200 nanosegundos entre la conmutacin del
comparador y el cruce por cero de la comente.

Figura 8.3 Conmutacin a 50 kHz,cruce por


cero descendente

Figura 8.4 Conmutacin a 50 kHz,cruce por


cero ascendente

Los detalles de las conmutaciones, para una frecuencia de 250 kHz, se muestran en las
figuras 8 . 5 y 8.6. Para el cruce por cero en sentido descendente (figura 8.5) se tiene un lapso z de
175 nanosegundos; para el cruce por cero en sentido ascendente (figura 8.6) se tiene un lapso z de
190 nanosegundos. De las pruebas se concluye que el defasamiento que produce el circuito es
prcticamente independiente de la frecuencia de operacin.

_*_

3.5

3.5

4.5

I
i

5.5

4.5

5.5

6.

{;O'

6.5 ;\7xlO~'

Figura 5 Conmutacin a 250 kHz; cruce por


cero descendente

Figura 6 Conmutacin a 250 kHzi cruce por


cero ascendente

8.I . 2. Operatividad del circuito de seguimiento

Obietivo: verificar el comportamiento del circuito de seguimiento de la resonancia en lo que


se refiere a los modos de arranque y transferencia entre el modo de operacin en lazo abierto ai'de
seguimiento.
..
r

Pniebas y resultados 8-3

Resultados:
En la figura 8.7 se muestra la corriente de carga durante el encendido del inversor; para que
opere adecuadamente es necesario que la carga est bajoamortiguada.

Figura 8.7 Comportamiento durante el encendido

En la figura 8.8 se muestra el comportamiento de la corriente de carga cuando se arranca el


inversor en el modo de seguimiento de la resonancia, El crecimiento de la comente esta en funcin
de la constante de tiempo de la carga. La frecuencia de resonancia de la carga es del orden de 65
kHz,la comente pico en resonancia es de 14.5A.

-15'
O

100

200

3w

400

500

Figura 8.8 Arranque en resonancia

En la figura 8.9 se muestra el comportamiento del circuito cuando se transfiere el mando del
modo en lazo abierto, al de seguimiento de la resonancia. Se tiene inicialmente al inversor operando
a una frecuencia de 103.6 kHz, por arriba de la de resonancia, con lo que se produce una comente de
carga de magnitud reducida. Al comandarse el cambio, la comente crece, siguiendo la respuesta de
primer orden asociada con la contante de tiempo de la carga, hasta llegar a su valor nominal de
rgimen permanente en resonancia. La frecuencia de resonancia es de 64.8 kHz.

8-4 Pmebas y resultados

24ciclos

-8-

r'

17 1 ciclos

Figura 8.9 Transferencia del modo de operacin en lazo abierto, a seguimiento de la resonancia
8.I . 3 Seguimiento de la resonancia en rgrmen permanente

Obietivo: verificar el comportamiento del circuito de seguimiento de la resonancia, operando


en rgimen permanente, cuando est ajustado de manera que se tiene un comportamiento
ligeramente inductivo.
Resultados:
Con el seguidor de la resonancia ajustado de manera que se obtiene un comportamiento
inductivo (frecuencia de operacin ligeramente superior a la de resonancia) se obtienen un apagado
duro y un encendido suave de los transistores. En la figura 8.10 se muestra el detalle del apagado de
un transistor del puente inversor. La figura 8.11 corresponde a la conmutacin de encendido. En
ambas figuras la frecuencia de resonancia es de 96 kHz.

En la figura 8.10, ti corresponde al inicio del proceso de apagado, con la tensin compuertaemisor en descenso; t2 corresponde al punto en el cual la tensin v,, cruza el nivel de umbral y la
tensin colector-emisor empieza a crecer. en el instante t3 se completa el apagado del transistor y la
comente fluye por el diodo en antiparalelo con el transistor complementario de la rama; finalmente,
en t4, la corriente cruza por cero.
En la figura 8. I 1, la tensin colector-emisor del transistor empieza a decrecer en el instante
debido al apagado del transistor complementario; en tz la comente fluye por el diodo en
antiparalelo; en t 3 se produce el encendido del transistor, al cruzar la tensin compuerta-emisor el
valor de umbral; en t4 se produce el cruce por cero de la comente; en ts empieza la conduccin a
travs del transistor.

ti,

Pruebas y resultados

8-5
40 r

x 108

Figura 8.10 Detalle del apagado duro de un


transistor

Figura 8.11 Detalle del encendido suave de un


transistor

8.I . 4 Evaluacin de prdidas

Obietivo: Verificar la magnitud de las prdidas en apagado y compararlas con las prdidas en
conduccin.
Resultados:

El circuito se prob en un inversor de 1.5 kVA de capacidad, a una frecuencia nominal de


resonancia de la carga de 92 kHz; el factor de calidad de la carga fue de 5.6. En la figura 8.12 se
muestran la tensin y la comente en la carga. En la figura 8.13 se muestran la tensin VCEy la
comente de colector de un transistor

x tUL

Figura 12 Tensin y comente de carga

x 10"

Figura 13 Tensin VCEy corriente de colector


IC

I/

En la figura 8.14 se muestra la disipacin de potencia en el transistor. Si bien las prdidas


durante el apagado no se eliminan por completo, resultan bastante reducidas. La evaluacin
'1

8 6 Pmebas y resultados

numrica de la figura 14 arroja una potencia total de 11.13 Watts; a su vez, la evaluacin de las
prdidas asociada con la conmutacin de apagado arroja un valor de 0.55 Watts, lo que corresponde
a un 5% de las prdidas totales. Este resultado confirma que prcticamente la totalidad de las
prdidas se debern a la conduccin a travs del transistor.
70 -

60 -

fu40 -

3020L
10-

o-

__

-10-

-20

8.1.5 Comportamienfo fransiforio

Obietivo: Verificar la respuesta del circuito de seguimiento de la resonancia ante un cambio


repentino en la frecuencia de resonancia de la carga.
Condiciones de prueba:
Para probar el comportamiento transitorio, se usa un arreglo de capacitores en paralelo, como
se muestra en la figura 8.15, con C2 C1. Si se parte de la condicin en la que el TRIAC est
apagado, se tiene entonces una frecuencia de resonancia elevada. Al encenderse el TRIAC el
capacitor asociado queda dentro de la red resonante, se obtiene una capacitancia de mayor valor, y la
frecuencia de resonancia disminuye.

v,

Figura 8.15 Circuito de prueba

El circuito que gobierna el encendido del TRiAC sincroniza el comando de encendido con
un cruce por cero de la corriente de la carga. Para evaluacin, se tom como referencia el comando
al TRIAC y se midi el periodo de la comente medio ciclo antes y medio ciclo despus del
encendido

Pruebas y resultados 8-7

Resultados

Los resultados se muestran en la figura 8.16 y demuestran que el circuito es capaz de seguir
la condicin de resonancia medio ciclo despus de que se produce el encendido del TRIAC. De
acuerdo a los valores de la red resonante, se pasa de 82 lcHz a 45 kHz.

Figura 8.16 Formas de onda durante el cambio de frecuencia


8.2.- Pruebas a la rnodulahn de densidad de pulsos

8.2.1.- Generacin de formas de onda PDM


Obietivo: Verificar la capacidad para generar las diferentes secuencias PDM
Resultados:
La tensin de salida para la D
I

= 4/5se muestra

en la figura 8.17

, 0.2

0.6

0.4

0.8
x 10'

Figura 8.17 Forka de onda de tensin en la carga con PDM

8-8

Pruebas y resultados
8.2.2 Estimacin de la corriente eficaz

Objetivo: verificar la metodologa propuesta para la evaluacin de la comente eficaz

I _

Resultados
El mtodo de estimacin basado en el rizo de comente se prob en el inversor resonante. La
figura 8.18 muestra la comente de carga cuando no se aplica la modulacin; la comente pico 1 es
de 26.3 Amperes. La figura 8.19 muestra la comente de carga cuando se aplica una modulacin con
D = 0.5. El valor pico mximo es de 19.7 4mientras que el valor pico mnimo es de 6 A.

-... . ..,.
O

20

10

..,.

... ... . .. .
r"

?"

(D = 0.5)
La amplitud normalizada del rizo de comente es:

AI" =

19.7A - 6 A
=0.519p.u.
26.4A

Usando la figura 8.20, el punto de entrada en el eje de la abscisa es 0.519; usando la curva
para D = 0.5se obtieneun valor eficaz de comente de 0.525 p.u. Desnormalizando:

Para fines de comparacin, se evala digitalmente el valor eficaz de comente usando un


ciclo completo de la forma de onda; el resultado es de 9.921 A, ligeramente superior al valor
obtenido a partir de la medicin del rizado. El error E en la estimacin es:
E

(%I= 1O0

(1

-%)%

= 1.22%

(8.3)

0.3---

!.
11
1...............
.
0.2- -7O1

:I

0.05

"'iI

o:2--.i~

..

......
~

j . . ..........

- -i ---_;
~

11

8.2.2.- Armnicas en formas de onda PDM


I1

Obietivo: Las pruebas en este rubro tienen como meta verificar qu porcentaje de la potencia
total transferida a la carga est ubicada en la frecuencia de resonancia del inversor.
Resultados:

I/
I1

Se probaron diferentes secuencias PDM en el inversor resonante, con cargas con diferentes
factores de calidad. La figura 8.21 muestra las ondas de corriente, con D = 0.5, para dos constantes
de tiempo diferentes. Las formas de onda se normalizaron a fin de obtener el mismo valor pico. En
Il

S- 1OPmebas y resultados

la figura 8.22 se muestra el espectro de las comentes. Los resultados numricos se listan en la tabla
82

Tim

Figura 8.21 Formas de onda de comente

7.08
7.92
12.77
18.77

Tlr
0.516
0.396
0.264

0.167

PJpr
97.21 %
98.31 %
99.08 %
99.53 Ya

Pruebas y resultados% I 1

8.2.3. - Secuencia PDM pakticionada

Obietivo: Las pmebas tienen como objetivo verificar el comportamiento de la particin de


las secuencias PDM se secuencias)parciales de menor longitud.
Resultados:

/I

Se prob una secuencia de modulacin PDM con un ciclo de trabajo D = 0.6; la secuencia se
form con mi = 2, ni = 1; mz = I;in2 = 1. Se usaron cargas con los siguientes factores de calidad: Qi
g 6; QZ E 7.42 y Q, 2 10. En la figura 8.23 se muestran las conductancias normalizadas para las
11
cargas utilizadas
1

CDnducfancia namalizada

10'

ta'

18

FECiJWXia

I)

10'

Figura 8.23 Conductancias normalizadas


II

Las formas de onda de comente se tomaron con ayuda de un osciloscopio digital;


posteriormente, se aplico la FFT p b a obtener el contenido espectral de la comente. Los resultados
se muestran en las figuras 8.24 a 8.26.
Amplitud

(a) Forma de onda de corriente

(b) Espectro de frecuencias


Figura 8.24 Forma de onda y espectro para QI= 6
I/

I/

12 Pruebas y resultados

10

O
-5
-10

(a) Forma de onda de comente


(b) Espectro de frecuencias
Figura 8.25 Forma de onda y espectro para Q 2 = 7.42
mplmid

lo'

IO
'

FEC"e"Cl8

(b) Espectro de frecuencias


(a) Forma de onda de comente
Figura 8.26 Forma de onda y espectro para Q3 = 10

Figura 8.27 Fundamental y bandas laterales

108

Pruebas y resultado&-13

En la figura 8.27 se muestra el detalle del contenido espectral. La frecuencia de resonancia


corresponde a la posicin 5 sobre el eje de las abscisas; la banda lateral infenor incluye 4 armnicas,
y para la banda lateral superior nicamente se muestran 5 armnicas. Los resultados se resumen en
la tabla 8.3.
Es interesante observar que, en trminos de potencia, para Q = IO, el 99% de la potencia total
inyectada a la carga est ubicada en la frecuencia de resonancia; esto quiere decir que las armnicas
contribuyen con una parte nfima de la potencia, a pesar de que en la figura 8.24 a 8.25 las
amplitudes de las armnicas "se ven" grandes. Esto se debe a que la potencia tiene una relacin
cuadrtica con respecto a la corriente.
Tabla 8.3

8.2.3.- Oraspruebas

Objetivo: Verificar la respuesta del circuito de mando en la generacin de formas de onda


arbitrarias.
~

Resultados:
La figura 8.28 muestra la comente en el inversor, con generacin de ciclos PDM de 112
(50%) y 819 (88.89%), con 9 ciclos del primero seguidos de 2 ciclos del segundo. La figura 8.29
muestra la generacin de una rampa: 112, 213, 314,415, 516,617, 718 y 819.

5.. 14Pmebas y resultados


r

81

4;

2M

403

6w

I -

800

lax,

Figura 8.28 Forma de onda arbitraria 1

a'
O

., ,

., , .
I

200

4w

6w

800

lax,

Figura 8.29 Forma de onda arbitraria 2

8.3.- Pruebas al inversor como corrector del factor de potencia


-2

Obietivo: Verificar el comportamiento el inversor resonante usado como corrector del factor
potencia.
Condiciones de prueba:

El principio de operacin descrito se prob en un prototipo de 500 watts, operando a una


f-ecuencia de 45 hKz
Resultados:

Los resultados se muestran en las siguientes figuras. En la figura 8.30 la comente de carga
mestra una frecuencia muy inferior a la real, debido ai efecto de "alias" del osciluscupiu digital. EI
;rototipo probado cumple sin dificultad con la especificacin IEC-6 1000-3-2 para equipos clase "D"

O--

Figura 8.30 Forma de onda de corriente en la carga

Pruebas y resultado&-15

Tabla 8.4 Armnicas resultantes


Armnica

Amplitud porcentual

5
.

1 7 1.

1.24

7
.9
11
13
15
17

0.64
0.93
0.87
0.72
0.76
O 67

Figura 8.31' Tensin y comente de lnea


8.4.- Pruebas a carga mxima

El inversor se prob a carga mxima, con una resistencia de carga de 5 C2 y a una frecuencia
del orden de 100 kHz..El valor eficaz de la comente resultante fue de 19.22 4 por lo tanto, la
potencia disipada fue PL = 1,848 W.En la figura 8.32 se muestran la corriente de colector y la
tensin colector-emisor de uno de los transistores del puente; como se aprecia, el circuito est
operando con una carga ligeramente inductiva, ya que bajo estas condiciones los sobretiros de
tensin que se producen en el apagado del transistor se minimizan. El eje de las ordenadas est
escalado de acuerdo a los puntos del vector almacenado por el osciloscopio.
La figura 8.33 es similar a la 8.32, con la salvedad de que incluye la traza de la potencia en el
transistor, obtenida esta por medio de la multiplicacin, punto a punto, de los vectores de tensin y
comente. La integracin numrica de la potencia arroja el resultado PQ = 53.85 W.As pues, la
potencia total es PT= PL+ 4 PQ = 2,063 W.As pues, la eficiencia q resulta:
PL

q= 100-=89.56%
PU

S-16Pniebasy resultados
Amplitud

:?pltUC

23

3w

320

340
360
Tiempa

380

4w

420

%U

300

320

340
360
hempa

360

4w

420

Figura 8.33 -Formas de onda, incluyendo la


potencia en el transistor

Figura 8.32 Formas de onda en el transistor.

Para determinar el porcentaje de prdidas ocurridas durante la conmutacin, se integr


separadamente el segmento correspondiente al transitorio de apagado (detalle en la figura 8.34).
POte"CB

Tiempa

Figura 8.34

El valor promedio del pico es de 128 W, por lo que el promedio, relativo a un ciclo
completo, es de 3.98 W. Comparando este valor con las prdidas totales en el transistor, se obtiene
que el 92.6% de las prdidas estn asociadas con la conduccin, y el 7.4% con la conmutacin.

9 CONCLUSIONES
El presente trabajo es un anlisis gennco de los aspectos que afectan el rendimiento
eficiente de un inversor resonante, con nfasis en aplicaciones del tipo de calentamiento por
induccin. Las conclusiones pueden desglosarse de acuerdo a los aspectos investigados.
Seguimiento rpido de la frecuencia
Por lo general, los procesos trmicos son lo suficientemente lentos como para que el tiempo
de respuesta del mecanismo de seguimiento de la resonancia no sea un parametro relevante, en estos
casos la tcnica comnmente seguida, la utilizacin de un sistema basado en circuitos de amarre de
fase, es adecuada. Sin embargo, en procesos tales como la generacin de plasmas con acoplamiento
inductivo, el tiempo de respuesta del plasma es un parmetro relevante, ya que las fluctuaciones en
el plasma son sumamente rpidas Aun cuando los plasmas se pueden generar tambin por medio de
un arco elctrico, los de acoplamiento inductivo presentan la ventaja de que no existen electrodos
que se desgasten, adems de que requieren de un gasto de gas plasmgeno menor
Otros casos en los que se puede aplicar un mecanismo rpido de seguimiento de la
resonancia es en la generacin de plasmas con acoplamiento capacitivo (ste se emplea en la
industria de fabricacin de semiconductores), y en los aparatos basados en la descarga Corona,
como es el caso de los ozonizadores A diferencia de las aplicaciones de calentamiento por
induccin, en las que la pieza de trabajo se modela como un inductor y una resistencia, en estos
casos el modelo corresponde a un capacitor con una resistencia y se agrega un inductor de
compensacin
El mecanismo de seguimiento investigado presenta las siguientes caractersticas:
Proporciona una respuesta muy rpida, prcticamente constante en un intervalo de frecuencias
muy amplio. En las pruebas realizadas se vari la frecuencia en relacin de 1 a 5 .
Para aplicaciones de alta velocidad, las reglas de diseo y constmccin de los circuitos deben
seguirse cuidadosamente. El mtodo de diseo que se propone, basado en la velocidad de
cambio en las entradas del comparador, tiene como objetivo garantizar la integridad en las
conmutaciones del comparador.
En la especificacin del retraso deseado deber tomarse en cuenta el retraso propio del
comparador. Este necesita una pequea tensin diferencial (overdrive) para producir la
conmutacin en su salida.
Por si solo, el circuito de seguimiento no proporciona inmunidad contra corto circuitos en la
carga. Sin embargo, en las aplicaciones en las que la caractenstica el seguimiento rpido es
deseable, esta anomala no ocurre con facilidad. En la generacin de plasmas inductivos, debido
a las elevadas temperaturas que se alcanzan, ste se encuentra confinado en el intenor de un tubo

9-2 Conclusiones

de cuarzo. En plasmas con acoplamiento capacitivo un corto circuito en la carga equivale a dejar
nicamente conectada a la inductancia de compensacin, lo que limita el crecimiento de la
corriente de falla.
Modulacin de la densidad de pulsos
La variacin de la potencia de salida en un inversor enfocado a aplicaciones de
calentamiento por induccin, por medio de la tcnica de modulacin de la densidad de pulsos,
presenta el inconveniente de que se generan subarmnicos de la frecuencia de resonancia. En
aplicaciones en las que se utiliza un calentamiento localizado del material, como en el
endurecimiento superficial, el volumen a calentar depende de la frecuencia del campo magntico (a
travs de la profundidad piel o profundidad de penetracin). El hecho de tener una forma de onda
armnicamente rica implica que la profundidad piel no podr predecirse con facilidad y, por lo
tanto, no se producir el resultado deseado, ya que no se podr controlar las secciones del material
en las que cambiar la estructura cristalina.
Por otro lado, existen muchas aplicaciones en las que se utilizan inversores de baja potencia,
a frecuencias moderadas, y en las que la profundidad piel no es un parmetro fundamental. Entre
ellas, figuran las siguientes:

Fusin de volmenes reducidos de material. Por lo general el proceso de fusin se lleva a cabo a
&ecuencias bajas, inferiores a 1 kHz.No obstante, pueden fundirse cantidades pequeas de
metal a frecuencias ms elevadas; por ejemplo, para el vaciado de prtesis dentales. En este caso
el contenido armnico presente en las formas de onda no tiene un impacto significativo en el
proceso.
Pegado de mangos plsticos a herramientas metlicas. En esta aplicacin se trata de calentar el
extremo de una herramienta metlica por arriba de la temperatura de ablandamiento del plstico
de que est fabricado el mango (230C a 250'C). Por lo regular, esta temperatura es
relativamente baja y el calentamiento no afecta las propiedades mecnicas de la herramienta. Se
reportan aplicaciones a frecuencias de alrededor de 350 kHz, potencias de 3 kW,y tiempos de
proceso de 2 segundos [Bonding a plastic handle to a surgical knife. Ameritherm Application
Note]
Curado de adhesivos. Como en el caso anterior, el proceso de curado de adhesivos se lleva a
cabo a temperaturas reducidas (15OOC) y el contenido armnico de la forma de onda no impacta
en el resultado. Se reportan aplicaciones a 135 kHz, 2.5 kW,con tiempos de proceso entre 5 y 10
segundos [Curing: rear view mirror brackets. Ameritherm application note APN. CU-10031 y a
5.5 kW,138 kHz,3.5 segundos [Curing: speaker cones. Ameritherm application note APN. CU10051.
insercin de piezas metlicas en estructuras plsticas. El proceso involucra el calentamiento de
la pieza metlica a insertar a temperaturas del orden de 35OOC. El extremo que se inserta en la
estructura est maquinado de manera que, al enfriarse el plstico, la pieza metlica queda
slidamente adherida. Se reportan aplicaciones a 297 kHz, 1 kW,con un tiempo de proceso de 3

Conclusiones . 9-3

segundos; en este caso en particular se utiliza una rampa en la aplicacin de la tensin [Metal to
plastic: plastic lawn chairs. Ameritherm application note AI".MP-i002].
Recubrimiento de alambres. Algunas prendas de ropa tienen una estructura de alambre, el que es
necesario recubrir de nylon a fin de que no desgarre la tela. Se reporta una aplicacin en la cual
el alambre se calienta a 370'12, que es la temperatura a la cual el polvo de nylon se funde y
forma una cubierta protectora sobre el alambre. La frecuencia es de 90 kHz, con una potencia de
2 . 5 kW y el tiempo de proceso es de 12 segundos [Metal to plastic: brazier underwire.
Ameritherm application note AF". MP-IOOl].
Correccin del factor de potencia

La capacidad de correccin del factor de potencia, sin necesidad de etapas de potencia


adicionales, o estrategias de control especiales, es una caracterstica muy atractiva en aparatos de
baja potencia. Los puntos cnticos en esta tcnica son los siguientes:
La correccin se alcanza a travs de un mayor esfuerzo de comente en los transistores. Para una
potencia dada, la capacidad de comente deber ser un
mayor que para el caso con bus
constante.

Si no se tiene transformador a la entrada del aparato, los interruptores debern tener la capacidad
para soportar la tensin pico de red, lo que por lo general llevar a seleccionar dispositivos a 200
V como mnimo. En el estado actual de la tecnologa, es preferible utilizar IGBT's ya que, a
estas tensiones, los MOSFET's presentan resistencias de encendido elevadas.

Si la frecuencia de resonancia es mucho mayor a la de red, el anlisis de la forma de onda de


comente, considerndola como una seal modulada en amplitud, predice que se tendrn
armnicos muy cercanos a la frecuencia de resonancia. Sin embargo, el calentamiento acta
como un proceso de demodulacin, por lo que las limitaciones en frecuencias descritas para la
modulacion PDM tambin aplican en este caso. No obstante, existen aplicaciones en las cuales
el contenido armnico no impacta significativamente en el proceso.
Finalmente, es importante aclarar que, aun cuando en el diseo de la circuiteria del prototipo
se incluyeron los tres aspectos mencionados, stos no necesariamente deben concurrir en una
aplicacin
Actividades futuras
En lo que concierne a las actividades futuras, derivadas del presente trabajo, la ms
importante es la operacin en lazo cerrado del inversor resonante generando formas de onda
moduladas en la anchura de los pulsos. Si bien se ha reportado un trabajo en este sentido, referencia
[34], el enfoque que se sigui consisti en utilizar como realimentacin el valor promedio de las
seales de mando a los transistores, el que es proporcional al ciclo de trabajo de la modulacin.

9 4 Conclusiones

De acuerdo al anlisis de las formas de onda PDM, este enfoque es vlido si el factor.de
calidad de la carga es muy elevado, de manera que la potencia y el valor eficaz de la comente de
carga son proporcionales al ciclo de trabajo de la modulacin. Para factores de calidad ms bajos se
necesitar medir el valor eficaz de la comente de carga; esto har necesaria la inclusin de un
mecanismo de conversin RMS-CD, con U M anchura de banda compatible con la frecuencia de
operacin del inversor. Por lo respecta a la operacin en lazo cerrado, el empleo de un
microprocesador para la generacin de las formas de onda PDM simplifica el agregar ms
prestaciones al sistema.

Publicacin de resultados

H. Calleja y R. Ordez. "Control Circuit for an Induction Heating Inverter with Active PFC".
Record of the 29" Annual IEEE Power Electronics Specialists Conference PESC98
Conference Record, Fukuoka, Japn, Mayo 1998. pp. 485-490.
H. Calleja y R. Ordez. "Improved Induction Heating Inverter with Power Factor Correction".
Record of the 30* Annual IEEE Power Electronics Specialists Conference PESC99
Conference Record, Charleston, EUA, Junio1999. pp. 1132-1137.
H. Calleja y R. Ordez. "Induction heating inverter with active power factor correction.
international Journal ofElectronics, Vol. 86, No. 9, September 1999, pp. 1113-1121.

REFERENCIAS
B. Bedford and R. Hoe. "Principles of Inverter Circuits" Mc Graw Hili 1965.
[I]
[2] SCR Designers Handbook, 6" Edition, General Electric Co. 1970
[3] C. Tudbury. "Basics of Induction Heating"; Ed. John Rider Inc. Nueva York 1960
S. Zm and S. Semiatin; "Elements of Induction Heating: Desigr, Control and Applications";
[4]
Electric Power Researc Institute 1988.
[51 www.radyne.com.

[6] wv,w.ameritherm.com
[7] M. Roda and N. Revankar. "Voltage-Fed High Frequency Inverter with a Paraieii
Compensated Load". International Journal of Electronics; Vol. 43, NO. 5, 1977.
[SI M. Roda and N. Revankar. "Voltage-Fed High Frequency Inverter with a Series-Paralell
Compensated Load". International Journal of Electronics; Vol. 44, NO. 1, 1978.
[9] J.P. Landis. "A Static Power Supply for Induction Heating" iEEE Transactions on Industrial
Electronics and Control Instrumentation. Vo. IECI-17, No. 4, June 1970; Pp. 313-320.
[lo] J. Kassakian, A. Goldberg and D. Moretti. "A Comparative Evaluation of Series and Parallel
Structures for High-Frequency Transistors Inverters". PESC 82 Conference Record; Pp. 20-26.
[11] E. Dede, J. Gonzalez, J. Linares, J. Jordn, D. Ramirez and P. Rueda. " 25-kW/50-1<Hz
Generator for Induction Heating". IEEE Transactions on Industrial Electronics, Vol. 38, No. 3,
June 1991; Pp. 203-209.
[12] E. Dede, J. Jordn, J. Linares, J. Gonzalez, V Esteve, E. Maset and D. Ramirez. "on the Design
of Medium and High Power Current Fed Inverters for Induction Heating" Industry
Applications Society Annual Meeting, 1991, Pp. 1047-1053.
[13] Chudnosky, B. Axelrod and A. Shenkman; "An Approximate Analysis of a Starting Process of
a Current Source Parallel Inverter with a High-Q Induction Heating Load". IEEE Transactions
on Power Electronics; Vol. 12, No. 2, April 1997.
[14] P. Jain and S. Dewan. "Starting Problems Associated with a Transformer Coupled in a Series

Inverter". IEEE Transactions on Magnetics, Vol. 24, No. 6, Pp. 2895-2897.

[15] P. JGn, J. Espinoza and S. Dewan. "Self-started Voltage-Source Series-Resonant Converter for
Kigh Power Induction Heating Applications". IEEE Transactions on Industry Applications,
Vol. 34, No. 3, May/June 1998, Pp. 518-525.
[16] P. Jain and S. Dewan; "A Performance Comparison of Full and Half-Bridge Series Resonant
Inverters in High-Frequency High-Power Applications"; iEEE Transactions on Industrial
Applications; Vol. 26, No. 2, MarcWApril 1990.
[17] F. Dawson and P. Jain. "Systems for Induction Heating and Melting Applications: a
Comparison of Load Commutated Inverters". PESC 90 Conference Record; Pp. 281-290.

Referencias

[ 181 P. Dawson and P. J&n; "A Comparison of Load Commutated Inverter Systems for Induction

Heating and Melting Applications"; IEEE Transactions on Power Electronics; Vol. 6, No. 3,
July 1991: Pp. 430-441.

[19]

E. Dede, J. Jordh, V. Esteve, J. Gonzlez and D. Ramrez; "Design Considerations for


induction Heating Current Fed inverters with IGBTs Working at 100 kHz.".APEC 93
Conference Record, Pp. 679685.

I201 H. Fujita, H. Akagi and S. Shinohara. "A 2-Mhz, -Kva Voltage-Source Inverter Using LowProfile MOSFET Modules for Low-Temperature Plasma Generators." PESC98 Conference
Record, Pp. 153-158.
[21] D. Tebb and L. Hobson. "Design of Matching Circuitry for 100 kHz MOSFET Induction

Heating Supply". iEEE Transactions on Industrial Electronics, Vol. E-34, No. 2, May 1987;
Pp. 271 -276.

[22] S. Kubota. "A Novel ZCS High-Frequency Power Supply for Induction Heating". PESC98
Conference Record, Pp. 165-171.

[233 J. Espi, E. Dede, a. Ferreres and R. Garcia. "Steady-State Frequency Analysis of the LCC
Resonant Inverter for Induction Heating". CIEP96 Conference Record, Pp. 22-28.
[21] R. Bath and S. Dewan. "A Generalized Approach for the Steady State Analysis of Resonant
Inverters". iEEE Transactions on Industry Applications, Vol. 25, No. 2, MarcMApril 1989, Pp.
326-338.

[I51 H. Pollock and J. Flower. "New Method of Power Control for Series Parallel Load-Resonant
Converter Maintaining Zero-Current Switching and Unity Power Factor Operation". IEEE
Transactions on Power Electronics, Vol. 12, No. 1, January 1997, Pp. 103-115.

[26] H. Koertzen, J. Van Wyk and J. Ferreira. "Comparison of Swept Frequency and Phase-Shift
Control for Forced Commutated Series Resonant Induction Heating Converter". IAS95
Conference Record, Pp. 1964-1969.
(271 S. Fumya, T. Maruhashi and. Izuno and M. Nakaoka. "Load Adaptive Frequency Tracking
Control Implementation of Two-Phase Resonant Inverter for Ultrasonic Motor". PESC 90
Conference Record; Pp. 17-24.

[28] K. Ogiwara, T. Nishimura and M. Nakaoka; "New Efficient High-Frequency Load ResonantTank Inverter with Quasi-Current Resonant Mode Sub-circuits Using Static Induction
Transistors/Thyristors and Its Phase-Shifted Power Regulation Scheme". PESC 92 Conference
Record, Pp. 327-333.
[29] L. &ajales, J. Sabat, K. Wang, W. Tabisz and F. Lee. "Design of a 10 kW, 500 !db PhaseShift Controlled Series-Resonant Inverter for Induction Heating". Industry Applications
Society Annual Meetting, 1993, Pp. 843-849.
[30] L. Grajaies. "Analysis and Design of a 500 lcHz Series Resonant Inverter for Induction Heating
Applications". Ph.D. Dissertation, Virginia Polytechnich Institute and State University,
November 1995.
1

[31] M. Nakaoka, T. Maruhashi, T. Koga and S. Sugawara. "A Phase-Difference Angle Control
Mode PWM High-Frequency Resonant Inverters Using Static Induction Transistors and
Thyristors". PESC 97 Conference Record; Pp. 674-681
[32] UCl875/6/7/8 Phase-Shift Resonant Controller Data Sheet. Unitrode.

Referencias

.[33] H. Fujita and H. Akagi. "Pulse-Density-~odulatedPower Control of a 4 kW, 450 Mlz


Voltage-Source Inverter for induction Melting Applications". IEEE: Transactions on Industry
Applications, Vo. 32, No. 2, MarcWApril 1996; Pp. 279-286.
[34] H. Fujita, S. Ogasawara and H. Aka@. "An Approach to a Broad Range of Power Control in
Voltage Source Series-Resonant Inverters for Corona Discharge Treatment Pulse Density
Modulation". PESC97 Conference Record., Pp. 1000 1006.

[35] S. Wang, M. Nakaoka and and. Konishi. "DSP-Based PDM & PWM Type Voltage-Fed LoadResonant Inverter with High Voltage Transformer for Silect Discharge Ozonizer". PESC98
Conference Record, Pp. 159-164.

[36] Roos, J. Ferreira and W. Odentaal; "A Plasma Torch Converter Based on the Partial Series
Resonant Converter". PESC97 Conference Record, Pp. 1388-1394.
[37] S. Bottari, L. Malesani and P. Tenti. "High Efficiency.200 kHz Inverter for Induction Heating
Applications". PESC 85 Conference Record; Pp. 308-3 16.
[38] J. Nishizawa, T. Tamamushi, T. Koga, S. Sugawara, H. Hayashi and T. Nozaki. "60 kHz, 100
kW Static Induction Thyristor Type Voltage Controlled Series-Resonant Inverter for induction
Heating". PESC 87 Conference Record.; Pp. 508-515.
[39] H.Akagi, T. Sawae and A. Nabae. "130 kHz, 7.5 kW Current Source Inverter Using Static
Induction Transistors for Induction Heating Applications". IEEE Transaction on Power
Electronics., Vol. 3, No. 3, July 1988; Pp. 303-309.

[40] M. Tatsuta, E. Yamanaka, H. Wada, T. Tamamushi and J. Nishizawa. "1 MHz, 1 kW Series
Resonant Converter for Ultrasonic Transducer Using the High Frequency Power SIT". PESC
88 Conference Record; Pp. 1236-1243.
[41] A. Okuno, M. Hayashi, H. Kawano, S. Nogai and M. Nakaoka. "Practical Evaluation of Load
Adaptive Variable-Frequency High-Frequency PAM Inverter Using Static Induction Power
Transistors for Industrial Induction Heating Plants". Industry Applications Society Annual
Metting, 1993; Pp. 814-820.
[42] K. Ogiwara, M. Hayakawa, T. Nishimura and M. Nakaoka "High Frequency Induction Heating
Inverter with Multi Resonant Mode Using Newly Developed Normally-Off Type Static
Induction Transistors". PESC 93 Conference Record, Pp. 1017-1023.
[43] K. Ogiwara and M. Nakaoka; "Zero Current Soft Switching Mode Parallel Load Resonant
Tank High Frequency Inverter Using Normally-Off Bipolar Mode Static Induction
Transistors". PESC 93 Conference Record, Pp. 95-101.
[44] M. Kamli, S. Yamamoto and M. Abe; "A 50-150 kHz Half-Bridge Inverter for Induction
Heating Applications"; IEEE Transactions on Industrial Electronics; Vol. 43, No. 1, February
1996, Pp. 163-172.

[45] A. Okuno, H. Kawano, J. Sun, M. Kurokawa, a. Kojina and M. Nakaoka. "Feasible


Development of a Soft-Switched SIT Inverter with Load-Adaptive Frequency Tracking
Control Scheme for Induction Heating". IEEE Transactions on Industry Applications, Vol. 34,
NO. 4, JUly/AgUSt 1998, Pp. 713-718.
[46] Floyd Gardner. "Phaselock Techniques". Ed. John Wiley and Sons, 1979.
[47] Ronald Best. "Phase-Locked Loops: Theoiy, Design and Applications". Ed. Mcgraw-Hill 1993.

Referencias

[48] D. Lafore. and A. Servete "Circuit D'auto-Pilotage Pour Onduladour a .Resonance". Ecole
.Supenore Dingenieurs De Marseille France 1986

[49] Nuns, M. Peureax, M. Jaafari, M. Michaud and L. Lafore. "Autopilotage Instantane Des
Convertisseurs Haute Frequence Apliques Au Chauffage Par Induction". Universite B. Pascal
Clermont-Fmand 1993
[50] L. Rossetto. "A Simple Control Technique for Series Resonant Converters". JEEE Transactions
on Power Electronics, Vol.11, No. 4, July 1996, Pp. 554-560.

[51] J. Ho, and M. Lee.


Proceedings.

"

Novel PWM Inverter Control Circuitry for Induction Heating" CIEP96

[52] A. Uchihori and A. Kawamura. "New Induction Heated Fluid Energy Conversion Processing
Appliance Incorporating Autotuning PID Control-Based PWM Resonant IGBT Inverter with
Sensorless Power Factor Correction". PESC 95 Conference Record., Pp. 1191 - 1197.

[53] S. Wang, K. Izaki, I. Hirota, H.Yamashita, H. Omon and M. Nakaoka. "Induction-Heated


Cooking Appliance Using New Quasi-Resonant ZVS-PWM Inverter with Power Factor
Correction''. E E E Transactions on Industry Applications, Vol. 34, No. 4, July/August 1998,
Pp. 705-712.
[54] H. Calleja and R. Ordoez. "Control Circuit for an Induction Heating Inverter with Active
PFC". PESC 98 Conference Record., Pp. 485 - 490.
[55] M. Kazirnierczuk and R. Cravens. "Current-Source Paraller Resonant DC/AC Inverter with
Transformer". IEEE Transactions on Power Electronics, Vo. 11, No. 2, March 1996, Pp. 275284.
[56] F. Lee, J. Jung B. Suh and D. Hyun; " a New Half-Bridge Inverter Topology with Active
Auxiliary Resonant Circuit Using IGBT's for Induction Heating Applications". PESC 97
Conference Record, Pp. 1232-1237.

[57] Koertzen, J. Ferreira and J. Van Wyk; "A Comparative Study of Single Switch Induction
Heating Converters Using Novel Component Effectivity Concepts"; PESC 92 Conference
Record, Pp. 298-305.
[58] H. Omon, H. Yamashita, M. Nakaoka and IEEE Transactions on Mmhashi. "A Novel Type
Induction Heating Single-Ended Resonant Inverter Using New Bipolar Darlington
Transistors". PESC 85 Conference Record; Pp. 590-599.
[59] S. Hinchliffe and L. Hobson. "High Efficiency DC-AC Converters Suitable for High
Frequency Induction Process Heating Applications". PESC 88 Conference Record; Pp. 12281235.
[60] E. Andrade. "Anlisis, Diseo e Implementacin de un Inversor Resonante de un Switch para
Aplicacin en Homos de Induccin". Tesis Doctoral, Universidad de Concepcin, Chile 1994.
[61] Brown, Hoyler and Bierwirth. "Theov and Application of Radio Frequency Heating". Ed. D.
Van Nostrznd Company, Inc. New York 1947.
[62] Richard Bozorth. "Ferromagnetism". Chapter 17: Change of Magnetization with Time. JEEE
Press 1978.
1631 S. Zinn and S. Semiatin; "Elements of Induction Heating: Design, Control and Applications";
Electric Power Researc Institute 1988.
,/1

Referencias

[64] J. Reece Roth Industrial Plasma Engrneering.. Chapter 1A: Inductive RF Electrical Discharges
in Gases. Institute of Physics Publishing, Bristol 1995.

[65] A. Mensing and L. Boedeker. "Theoretical Investigation of RF Induction Heated Plasmas".


NASA Contractor Report CR-1312, 1969.
[66] P. Fauchais, M. Boulos and E. Pfender. "Plasma Techonology in Metallurgical Processing",
Chapter 3. Iron and Steel Society, Inc. Wamendale, Pa. 1987.
[67] M. Mekideche. "Contribution a La Modlisation Numrique De Torches a Plasma
D'induction". These De Doctorat. Universite De Nantes, Occtobre 1993.

[68] J. Pool, M. Freeman, K. Doak and M. Thorpe. "Simulator Tests To Study Hot-Flow Problems
Related To a Gas Core Reactor":NASA Contractor Report CR-2309, 1973.

[69] J. Reece Rotk Industrial Plasma Engineering. Chapter 12: Capacitive RF Electrical
Discharges in Gases. Institute of Physics Publishing, Bristol 1995.
[70] J. Park and B. Kang. "Reactor Modelling of Magnetically Enhanced Capacitive RF Discharge".
IEEE Transactions on Plasma Science. Vol. 25, No. 3, Jun 1997. Pp. 499-506.
[71] Application Characterization of IGBT's. Application Note, International Rectifier.
[72] Lawrence. Huelsman. Basic Circuit Theory. Ed. Prentice-Hall, Inc. Englewood Cliffs, N.J.,
1991.

[73] J. Hong, D. Maksimovich, R. Erickson E I. Khan. "Half-Cycle Control of the Parallel Resonant
Converter Operated as a High Power Factor Rectifier". IEEE Transaction on Power
Electronics, Vol. 10, No. 1, January 1995, Pp. 1-8.
[74] Charles. Desoer and Ernest Khu. Basic Circuit Theory. Mcgraw Hill Co. 1969
[75] S. Dewan and a. Straughen. "Paver Semiconductor Circuits". Ed. Wiley Interscience 1975.

...,..

[76] M. Rashid. "Power Electronics: Circuiis, Devices Ans Applications". Prentice-Hall Inc. 1993. ...:
. .....
[77] P. Young. Ekctronic Communication Techniques.Memll Publishing Co. 1990
[78] S. Haykin. "Communication Systems". John Wiley and Sons, 1983
[79] V. Vlatkovic, D. Borojevic and F. Lee. "Input Filter Design for Power Factor Correction
Circuits". Proceedings of the International Conference on Industrial Electronics, Control and
Instrumentation, San Francisco, Ca. 1993, Pp. 954-958

Referencias

APENDICES

APENDICE I.- Potencia transferida a un conductor cilndrico

L/-czJ

1-1

2a

Figura 1.1 Conductor cilndrico inmerso en el campo magntico producido por una bobina

En el interior de un conductor cilndrico de radio a, rodeado por una bobina a travs de la


cual circula comente, la intensidad del campo magntico est dada por la siguiente ecuacin:

d 2 H Id?
-+---X(j0
dr2

donde p es la permeabilidad,
Sea:

CT la

r dr

po)=O

conductividad elctrica y r es la distancia medida a partir del eje.

La ecuacin (I. 1) queda entonces como:


d 2 idH
--+---Hm
dr2

r dr

=O

Substituyendo ahora x = m r tenemos que:

dx
dr

-=ni

dr'

dr\dr)

dx\dr)dr

dx'

por lo que la ecuacin (1.2) queda como:

d 2 f i idt?
-+--+H=O
duz

xdu

(1.3)

La ecuacin (1.3) es una ecuacin diferencial Bessel, cuya solucin es de la forma:


B7=Af,(X)

Usando series de Taylor para describir la solucin:

f,(X)=ao+aix+azx'

+u3x3 +

Se sabe que en mr = x = O, H = f i ( x ) debe ser finita y diferente de cero, por lo quefi(0)


Obteniendo ahora lo siguiente:

ao.

f'(X)-ai+2a*+3a,x+4u4X2+
X

f"(x) = 2 ~ +26a3 x + 1 2 ~ x2
4 +
y sustituyendo en la ecuacin (1.3) se obtiene que:

-+ ( 4 m +U,)
ai

+ ( 9 ~ +ai)
3 x + (16m+az) X * +......=O

(1.4)

La ecuacin (1.4) debe cumplirse para cualquier valor de x, por lo tanto, el tmino al y todos
los asociados con potencias de x (1.3, as, etc.) deben ser nulos. As pues:

ao
etc
2 2 42 '

a'$=-por lo que, substituyendo x

= mr,

la solucin queda como:

(mu)'

(mr)4

(mr)6

+.....

2242 224262

Apndices

El trmino entre corchetes corresponde a la funcin Bessel de primera clase y orden cero
.Jo(nir), por lo que:

I?= A.Jo(mr)

(1.5)

Por otro lado, se tiene que:

m'=- jo p o = - . j 2 x , f p o
Definiendo el trmino "s" como:
1

Substituyendo en la ecuacin (1.6):

J.r,

(1.7)

Substituyendo ahora en (1.5):

J2 r
Sea: k =-;
substituyendo en la ecuacin (1.8) y desarrollando:
S

Separando ahora las partes real e imaginaria:

+22426282102

(1.9)

(I. 10)

Evaluando en r

= a:

(1.11)

Con lo que finalmente se obtiene:

1
4

Apndices

(1.12)

La intensidad del campo magntico y el campo elctrico estn relacionadas con:

. -dg= E odr

(I. 13)

Usando el resultado de la ecuacin (I. 12) se obtiene:

E=

2Ho

(1.14)

OS

La magnitud del campo elctrico es:

(1.15)

La potencia por unidad de longitud en el cilindro es:


Y

P= 1 2 ~ r 0 E d r

(1.16)

,=O

Substituyendo y desarrollando se obtiene que:

(I. 17)

Sea F / f i igual a la expresin entre corchetes:

Apndices .

(I. 18)

La potencia por unidad de longitud queda finalmente como:

P=

2rcHo2 n

-F
s

(1.19)

Apndices

APENDICE 11.- Procesos asociados a inversores resonantes


En este apndice se describen someramente otros procesos, aparte del calentamiento por
induccin convencional, susceptibles de generarse por medio de inversores resonante s Estos son la
generacin de plasmas por medio de un acoplamiento capacitivo y la descarga Corona
11.1. Generacin de plasmas con acoplamiento capacitivo

Un mtodo muy usado para la generacin de plasmas es por medio de una descarga
capacitiva. El esquema del aparato se muestra en la figura 11.1, se tiene una cmara al vaco con dos
electrodos en los extremos de la misma. Cuando se introducen gases plasmgenos a la cmara y se
energizan los electrodos con una tensin alterna, se produce un plasma debido al campo elctrico
[69]. Para acentuar las caractensticas del plasma, se aplica un campo magntico en direccin
perpendicular al campo elctrico generado por los electrodos; esto permite obtener plasmas de alta
densidad a presiones reducidas.

Figura El. Plasma de descarga capacitiva

El modelo del plasma con acoplamiento capacitivo se muestra en la figura 11.2. El trmino
CVmodela la capacitancia que existe en el vaco entre los electrodos, mientras que RPy CP modelan
el plasma propiamente dicho; por lo general se cumple que C p > CV. Los electrodos se energizan a
travs de un transformador cuya inductancia parsita forma un circuito resonante con el plasma.

Figura ii.2. Modelo del plasma con acoplamiento capacitivo

El trmino capacitivo depende de manera poco lineal de una serie de factores tales como la
presin del gas en la cmara, el campo magntico aplicado, la comente en el plasma La figura I1 3
muestra el comportamiento de la capacitancia en funcin de la presin para dos valores de
corriente

Apndices

Figura 11.3. Variacin de la capacitancia en funcin de la presin del gas, para dos valores de
comente.

Los elementos del modelo estn dados por:


A
Cr,=&oL

(11.1)

donde A es el rea de las placas. A su vez, el trmino resistivo es [70]:


(11.2)
donde:
o = frecuencia del campo elctrico,
OPE = frecuencia de plasma de los electrones,
oc = frecuencia de ciclotrn de los electrones, y:
(11.3)

La ecuacin anterior es vlida si OPE >> wc. El trmino capacitivo es:


&oA[ L (
G - - - 1+2so
2so

-1

W P E ~ + O C ~ ) ~ ~

ow 4

Nuevamente, si se cumple que aPE


>> WC, la capacitancia puede aproximarse a:
--A
P=2s o

(11.4)

(11.5)

Apndices

La proporcionalidad que la densidad de partculas n exhibe con respecto a la potencia P que


se inyecta ai plasma es N a P2! Ai variar la potencia, la densidad de partculas variar muy
rpidamente de acuerdo a la proporcionalidad mencionada; este cambio en n se reflejar como un
corrimiento en la capacitancia del modelo equivalente.
-

A guisa de ejemplo, considrense los siguientes valores:


=10'~
m3

no

= 8.52 x lo7 rads


WPE = 5.63 x lo' rad/s

wc = 1 . 7 6 109rad/s
~
L=O.1 m
A = 0.01 mz
v,, = 1 kV
Suponiendo que n = 120 P2'3,se tienen los siguientes casos:

cv

so

n
1 x 10'6

17.6 pF
17.6 pF

1.661 mm
1.319mm

1.587 x 10l6

CP
266 pF
335 pF

Cr
283.6 pF
352.6 pF

U.2 Aparatos basados en descarga Corona

La descarga Corona ocurre en gases a presin atmosfrica; un ejemplo tpico es el


ozonizador que se muestra de manera esquemtica en la figura 11.4 [35]. Consiste de un par de
electrodos a los que se aplica una tensin de CA; entre los electrodos se encuentra el espacio para la
descarga y un material dielctrico, el que tiene como funcin evitar la ocurrencia de una descarga de
arco. La descarga se origina cuando la tensin aplicada excede el nivel de umbral.
Electrodo
,

<

.,.,

' 'I ' '

. . .
I r".,.,

",;
,.,.

<

:,,.,,
~

1 Dielectrico

Electrodo

Figura I.4. Ozonizador de descarga silenciosa

El modelo elctrico de la descarga silenciosa se muestra en la figura II.5.El capacitor CA en


paralelo con la resistencia RA modelan la impedancia de la descarga, mientras que el capacitor C D
modela al dielctrico en el electrodo inferior. A partir de la figura 11.5 se puede obtener el modelo
equivalente de la figura I1 6 [34]

Apndices

Is-

Figura 11.5. Modelo de la descarga Corona


CEQ

-c----+-

REQ

CD

Figura n.6.Modelo equivalente

En el modelo equivalente:
REQ =

ffi
1+(offi cA)2

(11.5)

(11.6)

La carga se conecta a un generador por medio de un transformador elevador, cuya inductancia


parsita forma un circuito resonante en serie con los elementos de la descarga. Si la tensin aplicada
no excede el potencial de ruptura, la resistencia R A tiene un valor muy elevado. Por otro lado, al
producirse el arco la resistencia se reduce de valor, lo que se refleja como una disminucin de la
capacitancia equivalente CEQ.Esto, a su vez, produce un cambio en la frecuencia de resonancia de la
red, dado que la descarga se genera muy rpidamente, el cambio en la frecuencia tambin lo ser. La
magnitud del cambio depende de las magnitudes relativas de CA,COy RA antes y despus de que se
forme la descarga

10

Apndices

APENDICE 111.- Corriente eficazcon modulacin PDM


iII.1 Determinacin de la corriente eficaz en el intervalo to, 2 t > O.
La corriente durante el intervalo tON 2 t > O es:
i(t)=sen(w [)(I

+Kze-"')

Para obtener el valor eficaz, es necesario obtener el cuadrado de i(t),

(111.1)

por lo que:
(111.2)

= s e n Z ( o t ) ( ~ + 2 ~ z e - +K>'
"'
e-2t!r)

i(t)'

Usando la siguiente igualdad tngonomtnca:


1

(111.3)

sen' (ot ) = -(I -cos(2w t ) )


2
Substituyendo y expandiendo se obtiene:
2i(t)' =1+2Kze-"'

+ K2'

e-'"'

-cos(2wt)- 2Kze-"' cos(20t)-Kz2

cos(2ot)

(111.4)

Conviene obtener la integral de los trminos que involucran tanto ai trmino exponenciai
como a la funcin coseno. La solucin general para sta es de la forma:

ear(ucosbx b sen bx)

/em cosbxc6~=

u'

+b2

Aplicando ai caso actual:


e-</r

-1 cos(2o t ) + 2w sen ( 2 0 t )

10N

(111.6)

469+(y
TY
O

En la modulacin PDM se cumple que el intervalo tON es un mltiplo entero del penodo de
resonancia, es decir:
tm=mT

(111.7)

con m entero. Con esta consideracin y aplicando los lmites de la integral se obtiene:

~ 0 4 w2 tuN)= COS(^ ~ ) fj=


+ t

(1II..a)

sen(lo~fON)=sea(i~ii)=~

(i1i.t.b)

Apndices . 11

.-.

As pues, el resultado final es que:


(111.9)

El desarrollo anterior implica que, en el calculo del valor eficaz de la comente durante el
primer internalo de conduccin, las integrales que involucran tanto al trmino exponencial como a
las funciones trigonomtricas se anulan. La comente eficaz es entonces funcin nicamente de la
envolvente de primer orden, afectada por una constante. Para el primer trmino exponencial:
(111.1O)

Para el segundo trmino:


(1II.ll.a)

Az=L

TM

(111.1 1 .b)

Para el tercero:
(III.12.a)

(III.12.b)
Por lo que el resultado final es:
(111.13)

UI.2 Determinacin de la corriente eficaz en el intervalo T 2 t > tON

Haciendo un corrimiento del origen, en el intervalo T 2 t > tON;, la corriente esta dada por:
Elevando al cuadrado:

i ( t ) = sen(w t ) K3e-="

(111.14)

12

Apndices

i(t)'

=sen2(wl)K3' e-*"'

(III.15.a)

Es necesario integrar la ecuacin anterior; sin embargo, durante el desarrollo del valor eficaz
de la primera componente se encontr que la integral que involucra el trmino exponencial y la
funcin trigonomtnca se anula, por lo que slo es necesario resolver para el primer trmino.
(111.16)
Por lo que:
~ i w s=-(i-eK3

4T

2~

ZIoE7: I r

(111.17)

Apndices

13

APENDICE IV.-Demostracin de la unicidad de la relacin


entre T/Z, I, e I ~ ,
Los valores mnimo y mximo de la envolvente de primer orden estn dados por:
~

L=I

e a ION - 1
ear-i

(IV.2)
A partir de la ecuacin (IV.2) se obtiene que:

(IV.3)
Substituyendo en la (IV.3) y desarrollando:
e-'*'' I M ( i - h)te-T'r [L(2 IM - i) - I M ] - L (I -M) = O

(IV.4)

Sea el siguiente cambio de variables:


x=e-"'

(IV.5)

La ecuacin (IV.4) se convierte en una ecuacin cuadrtica:


x z h(1-L) + x[L(26,-1)-IA4]-

L(l-IM)=o

(IV.6)

La primera raz de la ecuacin IV.6 es:


xi =

L(1-I.)
h(1-L)

(IV.7)

La segunda raz es x2 = 1 , lo que significa que el cociente T/r es O; claramente, esto


corresponde a una situacin inalcanzable, por lo tanto, la segunda raz no tiene significado fisico. El
resultado anterior implica que, para valores de I , e I ~dados,
I
existe un valor nico del cociente T/r.

14

Apndices

APENDICE V:;MDdulacin en amplitud


Este es probablemente la modulacin ms simple que se describe en la teona de las
comunicaciones [77][78]. Consiste en que la amplitud de una portadora sinusoidal es proporcional a
la amplitud de una seal de informacin, o seal moduladora, como se muestra en la figura V 1.

Yn rnodulaci6n

Figura V.l Principio de la modulacin en amplitud


La portadora sinusoidal no modulada puede describirse matemticamente con:
L(t) = I C cos@ t )

(V.1)

donde I, es la amplitud pico y mc es la frecuencia correspondiente. A su vez, la seal moduladora


puede describirse con:
in2(t)= L,cos(& t )

(V.2)

donde I, es la amplitud pico y O,,, es la frecuencia. La seal modulada es entonces:


i(t) = [L+ L c o s ( w ~ ~ ] c o s ( w ; ~ )

(V.3)

La ecuacin (V.3) incluye dos trminos. El que aparece entre parntesis cuadrado
corresponde a !a amplitud de la seal modulada, mientras que el trmino coseno corresponde a la
frecuencia de la portadora. Expandiendo la expresin para i():
i(t)=Iccos(o*t)+ L,cos(wt)cos(wt)
Usando la siguiente igualdad trigonomtrica:
1

C06A COSR = - [COS(A - B)+COS(A

se obtiene que:

+ B)]

(V.4)

Apndices . 15

i ( r ) = Iccos(,t)

I,

+ -[cos(,
2

.-

.-

+ cos(ok+ &)f]

- wm)t

Como puede verse en la ecuacin (V.6), la seal modulada incluye tres trminos. El primero
de ellos corresponde a la frecuencia de portadora; alrededor de ella aparece duplicado el espectro de
la seal moduladora. Este efecto se denomina corrimiento en.frecuencia y al espectro alrededor de
la portadora se le denomina bandas laterales.
V 1 Indice de modulacin

L n parmetro importante en la modulacin de amplitud es el ndice de modulacin F. Este se


define como (vase la figura V. 1):
jl=-

A- R
A+R

A=L+I,

(V.8a)

Bz1c-h

(V.8b)

El indice de modulacin estar normalmente en el intervalo comprendido entre O, cuando no


hay modulacin, y 1, cuando se tiene plena modulacin. Un valor superior a la unidad corresponde a
lo que se denomina sobremodulacin e implica una distorsin de la informacin contenida en la
seal moduladora La amplitud de la seal moduladora puede expresarse, en trminos del indice de
modulacin, como:

L=,UL

(V.9)

Y 2 Potencia en una seal AM


Supngase que la forma de onda de corriente modulada en amplitud fluye sobre una
resistencia R. De acuerdo a la ecuacin (V.6), la potencia disipada en la resistencia se deber al
efecto combinado de las tres componentes que conforman a la seal modulada; a su vez, la potencia
asociada con cada componente depender del valor pico de cada una de ellas. Para la portadora:
P c

IC2R

= 1 ~ ~ 4I<s= __

(V. 10)

Para cada una de las bandas laterales:


(V.1 la)

16

Apndices

P : P,
PBL=4

(V.llb)

La potencia total es entonces:

Otro parmetro de inters es la potencia en la frecuencia de portadora, con respecto a la


potencia total de la seal modulada. La relacin entre estas potencias es:
(V.13)
De la ecuacin V.13, cuando no hay modulacin, la totalidad de la energa se encuentra
asociada con la portadora. Cuando se tiene modulacin plena, un 66% de la energa se encuentra en
la frecuencia de la portadora, y el 33% restante se encuentra en las bandas laterales.

V 3 Modulacin no sinusoidal
El anlisis descrito hasta este punto corresponde a un caso en el cual la seal moduladora es
sinusoidal En general, esta seal incluir ms componentes, por lo que la seal modulada puede
expresarse de una manera general como
i(t) = [ ~ ~ + m ( / ) J c o s ( ~ )

(V.14)

Aplicando la transformada de Fourier. la seal modulada, en el dominio de la frecuencia, es.


(V. 15)

La ecuacin (V.15) implica que sigue cumplindose la translacin en frecuencia En las


bandas laterales se duplicar el espectro de la seal m(t) Si la seal mt) incluyej sinusoides, puede
calcularse el ndice de modulacin p, para cada una de ellas El ndice de modulacin total ser
,LIT

@ p*
kki

(V. 16)

La relacin entre la potencia en la frecuencia de portadora y la potencia total es ahora:


17

2tur'

(V.17)

Apndices . 17

APENDICE.VL Clculo de la corriente eficaz en el modo de


correccin del fp.
Considrese que la comente en la carga tiene la forma de onda que se muestra en la figura
6.3, dada por la siguiente expresin:
i ( / ) = sen(wit)sen(w2/)

(W.1)

Elevando al cuadrado y desarrollando:


i(t)' = (1---COS(Oi/)
2 2

)(;-;cos(w*I))

(V1.2)

La integracin debe hacerse durante medio ciclo de lnea. Para el primer trmino:

Para el segundo trmino:


(VI.5)

Se cumple que:
wi=mw2

(VI.6)

Por lo que:
A2

Para el tercer trmino:

=-

sen( 2 m 7 r )
2m7r

(V.7)

18

Apndices

A3=-

sen(2rr)
=O
T
202 o

-2

(VI.9)

Finalmente, para el cuarto trmino:


sen 2(02-wi)f

T o

m+l

+ sen 2(02+01)1

(VI. 10)

(VI.11)

As pues, el valor eficaz de la corriente queda dado por:


sen2mn
2mz(m+l)(m-I)

(VI.12)