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Caracterización de CuInSe2 y CuInSe2 (selinizado) en películas delgadas.

Calleja-Ángel Jesús
Instituto de Física, Universidad Autónoma de Puebla
Apdo. Postal J-48, Puebla, Pue. 72570 México.

Resumen

1. Introducción
Diversos materiales semiconductores han sido investigados como posibles candidatos a
ser usados como capa absorbente en celdas solares basadas en películas delgadas
Los sistemas ternarios tipo calcopirita ABC 2 (A = Cu, Ag, B = In, Ga y C = Se, S) forman
una gran familia de materiales semiconductores con diversas propiedades ópticas, eléctricas
y estructurales.
El de especial interés en este estudio será el CuInSe2 policristalino (CIS), depositado
en película delgada el cual tiene la propiedad de una banda óptica directa de 1.1 eV, la cual
es un rango de energía óptimo para la conversión de la radiación solar. Tiene un gran
potencial como material puesto en capa absorbente de luz solar, ya que cuenta con un alto
coeficiente de absorción de aproximadamente 105 cm-1 , así ,capas de solo 2 µm de espesor
absorberán en el rango de la luz visible, además por su bajo costo de producción y ser
menos tóxico.
Las películas delgadas de CIS se pueden fabricar usando diversas técnicas tales como
RF sputtering, spray pirolisis, deposición química, electrodepósito, deposición química
metalorgánica de vapor (MOCVD), entre otras. La selenización de los precursores
metálicos se ha utilizado debido a su bajo costo y para la producción de películas con una
alta calidad a gran escala para aplicaciones fotovoltaicas.

por sus siglas en inglés) se utiliza para identificar la composición elemental de una muestra. ya que aprovecha la energía característica de los rayos X emitidos en el SEM debido a las interacciones de su haz de electrones con el material. Aspectos experimentales 2. 2.1 Espectroscopia Raman La espectroscopia Raman es una técnica que emplea. . La microscopía electrónica de barrido (SEM. Los espectros se obtuvieron a temperatura ambiente en el rango espectral de 100 a 1000 cm-1 2.2. el cual nos permitió determinar el ancho de banda de energía prohibida para las películas de CuInSe2 y CuInS2. Se excito la muestra con λexc 632. típicamente. Esta técnica se encuentra integrada a un SEM. por sus siglas en inglés) es una de las técnicas que nos permite observar el tamaño. Los espectros UV‐Vis fueron obtenidos en un espectrómetro UV-Vis-NIR CARY 5000 con el accesorio para la medición de reflectancia especular con un paso de 1 nm y con una velocidad de paso de 600 nm/min..2 Espectroscopia UV-Vis La espectroscopia de absorción UV-Vis se utiliza con frecuencia para caracterizar semiconductores de películas delgadas.8 nm de un láser de Helio-Neón. Para los espectros Raman se obtuvieron con el equipo Micro Raman Horiba Jobin Yvon modelo lab RAM HR 800 el cual tiene acoplado un microscopio óptico. morfología y topografía de una muestra y la espectroscopia de rayos X de energía dispersiva (EDS.3 Microscopia electrónica de barrido y espectroscopia de rayos X de energía dispersiva. la radiación laser y da información sobre los modos de vibración característicos de la molécula es proporcionada por los cambios de energía que están asociados con la polarizabilidad de la molécula.

Para la determinación de la morfología y la composición química de las películas delgadas se analizó por un microscopio electrónico de barrido marca JEOL. . modelo JSM7800F.