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Proyecto Final

Crescitelli Alberto Maximiliano


Laboratorio IV
Instituto Balseiro, CNEA
UNCuyo
29 de junio de 2015

Se realiz
o el dise
no y caraceterizaci
on de un dispositivo de RF que consiste en tomar una se
nal de entrada y obtener
dos se
nales en cuadratura, con una ganancia de 14dB. La banda de trabajo del sistema va desde 1,18GHZ a 1,22GHz.
El sistema se realiz
o con un transistor Infineon BFP405 y un acoplador hbrido de 90o . El punto de compresi
on de 1dB
del sistema se da para una potencia de entrada de -26dBm y el punto de intersecci
on de tercer orden referenciado a la
potencia de salida (OIP3) result
o ser de -5,1dBm.

1.

Introducci
on

Con el fin de aplicar los conocimientos adquiridos sobre tecnicas de RF, en la catedra de Laboratorio IV, se realiz
o el
dise
no, simulaci
on y caracterizaci
on de un sistema de RF, el cual tena como requerimientos tomar una se
nal de entrada
con una potencia de -12dBm, y obtener dos se
nales en cuadratura con una potencia de 2dBm cada una, teniendo todas
los puertos adaptados a 50. El rango de frecuencias requerido fue de 1180MHz a 1220MHz. Para el dise
no y simulaci
on
del dispositivo se utiliz
o el software ADS, el cual comprende una diversa gama de herramientas u
tiles para este trabajo.
Dentro del dise
no del dispositivo pueden encontrarse 5 partes fundamentales. La primera tarea, concerniente a la etapa
de amplificaci
on, fue fijar el punto de polarizaci
on del transistor, lo cual se expone en la seccion 2.1. Una vez fijada la
polarizaci
on, en la secci
on 2.2 se realizan los c
alculos de impedancia de entrada y salida del transistor, para obtener la
ganancia deseada, as como tambien la verificaci
on de estabilidad del amplificador mediante el factor de Stern. En la
secci
on 2.3 se detalla el dise
no de las redes de adaptacion, tanto de entrada como de salida, para adaptar las impedancias
del amplificador a los 50 dados por los requerimientos de dise
no. Una vez dise
nado el amplificador, para dividir la se
nal
en dos componentes en cuadratura, se utiliz
o un acoplador hbrido de 90o dise
nado con lneas de microstrip. El dise
no del
mismo se expone en la secci
on 2.4. En la secci
on 2.5 se realiza la integraccion de todos los componentes, y se muestra el
esquema del dispositivo final.
Luego del dise
no se procedi
o a caracterizar el dispositivo. Lo primero que se realizo, fue una evaluacion de la respuesta
en frecuencia y en fase del mismo, seguido por su respuesta temporal, lo cual se detalla en las secciones 3.1 y 3.2
respectivamente. En la secci
on 3.3 se explica la forma en que se midio el punto de compresion de 1dB, donde tambien
se discuten los resultados obtenidos y los problemas encontrados en el dise
no. Finalmente, se realizo una descripci
on del
balance de arm
onicos con productos de intermodulacion de tercer orden, y se midio (en las simulaciones) el punto de
intersecci
on de tercer orden cuyos detalles se dan en la seccion 3.4.

Laboratorio IV

2.
2.1.

Dise
no del Sistema
Polarizaci
on del transistor

Para el dise
no del amplificador se utiliz
o un transistor BFP405 de la empresa Infineon. Para establecer la polarizaci
on
se escogi
o la configuraci
on de emisor com
un, como se muestra en la figura 1.

Figura 1: Esquema del transistor polarizado. Los valores de los componentes son ideales (no comerciales.)

Se utiliz
o una fuente de alimentaci
on VCC = 20V y se escogieron los valores de corriente de colector y tensi
on
de colector-emisor IC = 5mA y VCE = 4V respectivamente. Para obtener los valores mencionados anteriormente, se
midieron los par
ametros y VBE simulando el funcionamiento del transistor. Se obtuvo = 94, 692 y VBE = 0, 878V
respectivamente. Luego, fijando R2 a 10k, se calcularon IB , RC y R1 como se muestra a continuacion:
IB =

IC
5mA
=
= 52, 8A

94,69
VCC VCE
= 3, 2k
IC

(2.1)

VCC VBE
= 135, 985k
IB + VRBE
2

(2.2)

RC =
R1 =

Los capacitores que se observan se a


nadieron para desacoplar la componente continua de la se
nal de entrada y evitar
que la misma mueva el punto de polarizaci
on. Los inductores cumplen un rol similar, presentando un circuito abierto
para la se
nal de alterna en la entrada, logrando que la misma entre por completo a la base del transistor. Los valores de
capacitancia e inductancia, pueden resultar demasiado grandes en la practica, pero aqu se colocaron dichos valores solo
para cumplir el objetivo de desacople en la simulacion.
Cabe destacar que todos los valores de los componentes calculados, los cuales se muestran en la figura, no son
componentes comerciales y simplemente se utilizaron para los fines de la simulacion. Un posterior analisis hubiese requerido
reemplazar dichos valores, por valores comerciales y reajustar el resto del sistema. Dicha tarea no alcanzo a realizarse por
cuestiones de tiempo.
A continuaci
on, se realiz
o una simulaci
on del circuito polarizado mostrado en la figura 1 para verificar que los par
ametros
calculados efectivamente fijan el punto de polarizacion deseado. La configuracion de la simulacion en ADS se muestra en
la figura 2 y los resultados obtenidos se muestran en la figura 3.

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Figura 2: Configuraci
on de la simulaci
on realizada para evaluar el transistor polarizado.

Figura 3: Resultados obtenidos de la simulaci


on del transistor polarizado.

2.2.

C
alculo de impedancias de entrada y salida

Para realizar los c


alculos se escogi
o trabajar con parametros Y, los cuales fueron directamente obtenidos de las
simulaciones con el transistor polarizado.
Como parte de los requisitos era, para una potencia de entrada de -12dBm, obtener una potencia a la salida de 2dBm,
se parti
o con el objetivo de dise
nar el amplificador de modo que tuviese una ganancia de 14dB. Ya que previamente se
haba estipulado el uso de un acoplador hbrido, el cual divide la potencia en dos mitades (para la rama de transmisi
on y
la de acople), se propuso dise
nar el amplificador para que tenga una ganancia de G = 18, 6dB. Los 0,6dB extra, son un
margen que decidi
o dejarse, inicialmente, para las perdidas de los materiales.
La ganancia del amplificador, en funci
on de los parametros Y y de la admitancia de carga YL se calcula con la ecuaci
on
2.3.
G=

|y21 |2 Re(YL )
y21
|YL + y22 |2 Re(y11 yy2212+Y
)
L

(2.3)

donde y11 y y22 son las admitancias de entrada y salida respectivamente y12 es el parametro de admitancia de
transferencia inversa, y21 el de admitancia de transferencia directa.
Con la ecuaci
on anterior, teniendo los par
ametros Y y sabiendo la ganacia que desea tenerse, se puede calcular la
admitancia de salida que debe tener el transistor. Para una ganancia G = 18, 6dB, se obtuvo una impedancia de salida de
ZL = 17.
Para la impedancia de entrada, incialmente, se escogio ZS = 50, ya que el mismo no afecta a la ganancia.
Para evaluar la estabilidad del amplificador, teniendo en cuenta la carga y la fuente, se utilizo el factor de estabilidad
de Stern, dado por la ecuaci
on 2.4 donde g11 es la conductancia de entrada y g22 la conductancia de salida. GS es la
conductancia de la fuente y GL la conductancia de la carga.
K=

2(g11 + GS )(g22 + GL )
,
|y12 y21 |+Re(y12 y21 )

(2.4)

Si K > 1 el circuito ser


a estable particularmente para los valores de impedancia dados y si K < 1 el circuito
ser
a potencialmente inestable.
Se calcul
o el factor de Stern para los valores de ZL y ZS obtenidos, y se obtuvo un valor de K = 62, 3 con lo cual el
amplificador resulta incondicionalmente estable.
Para realizar los c
alculos se escribi
o un script en matlab, el cual se adjunta con este informe.
Con el fin de verificar los valores obtenidos, se realizo una simulacion de parametros S en ADS con la configuraci
on
mostrada en la figura 4
Los resultados de la simulaci
on se muestran en la figura 5. Aqu se observo que, al haberse elegido arbitrariamente el
valor de impedancia de entrada, no se consider
o la posible onda reflejada. Este error se vio reflejado en los resultados de
la simulaci
on en la figura 5.b, donde el par
ametro S11, correspondiente a la onda reflejada, presenta un valor elevado.
La soluci
on a este problema fue colocar una red de adaptacion a la entrada considerando un compromiso entre la onda
reflejada hacia la fuente y la onda reflejada hacia el transistor, a la salida del mismo.

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Figura 4: Esquema de simulaci


on realizada para evaluar la ganancia del amplificador.

Figura 5: Resultados de la simulaci


on de par
ametros S del amplificador utilizando ZS = 50 y ZL = 17 a) Par
ametro S21. b)
Par
ametro S11.

2.3.

Redes de adaptaci
on

Manteniendo ZL = 17, y aprovechando la gran dinamica en las simulaciones de ADS para variar par
ametros y
observar al mismo tiempo los resultados, se encontro que el parametro de reflexion S11 disminuye considerablemente
para valores alrededor de ZS = (35 j70) (ver figura 6). Con este nuevo valor se calculo nuevamente el factor de
estabilidad obteniendose K = 26, 7, con lo cual el amplificador seguira siendo incondicionalmente estable. Por lo tanto,
decidi
o realizarse una red de adaptaci
on de entrada que adapte una impedancia de Zin = 50 (dada por los requerimientos
del sistema) a una impedancia ZS = (35 + j70) pertenenciente a la impedancia de entrada conjugada del amplificador.

Figura 6: Simulaci
on de par
ametros S21 y S11 del amplificador utilizando ZL = 17 y ZS = (35 j70).

El dise
no de la red se realiz
o utilizando lneas de transmision del tipo microstrip. Para la configuracion de lneas y la
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determinaci
on de los diferentes valores de impedancia de las mismas, se utilizo la herramienta SmithChart provista por
ADS como se muestra en la figura 7. Dicha herramienta tiene la flexibilidad de visualizar dinamicamente los cambios en
los par
ametros S en funci
on de la frecuencia, mientras se varan los distintos puntos sobre la carta de Smith. Esta ventaja
se utiliz
o para realizar los ajustes finos, de acuerdo al espectro deseado, cuando se trabaja con el sistema completo.

Figura 7: Dise
no de la red de adaptaci
on de entrada utilizando la herramienta SmithChart provista por ADS.

Para el dise
no de los componentes de la red de adaptacion (largo y ancho de las microtiras), se utilizo la herramienta
LineCalc de ADS, la cual permite introducir las caractersticas fsicas del sustrato a utilizar, en este caso, el sustrato
Rogers RO4003 0.021E/1E. Una vez introducidas las caractersticas del sustrato, en base a la impedancia caracterstica
que se desea tener en la lnea, LineCalc retorna los valores de ancho y largo que la misma debera tener. Por lo tanto,
obteniendo los valores de impedancha de SmithChart e introduciendolos en LineCalc se obtuvieron los tramos de lnea
correspondientes para la red de adaptaci
on deseada. La misma se muestra en la figura 8

Figura 8: Red de adaptaci


on de entrada para adaptar Rin = 50 (puerto 1) a RS = (35 j70) (puerto 2).

Luego de tener la red dise


nada, se realiz
o una simulacion de parametros S, con la configuracion mostrada en la figura
9, y se obtuvieron los resultados mostrados en la figura 10. Debido a la simetra el parametro S11 es igual al S22 y el S12
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igual al S21. Puede verse que se obtiene un valor para S21 de aproximadamente -0,2dB y alrededor de -34dB para S11,
con lo cual las impedancias quedan adaptadas.

Figura 9: Configuraci
on de la simulaci
on de par
ametros S realizada para evaluar la red de adaptaci
on de entrada.

Figura 10: Resultados obtenidos de la simulaci


on de par
ametros S de la red de adaptaci
on de entrada.

Una vez adaptada la impedancia de entrada, toda la potencia que antes se tena en la onda reflejada (figura 5) ahora es
transmitida hacia el amplificador, por lo cual, a la salida se tendra una potencia mayor que la esperada. El paso siguiente
fue dise
nar la red de adaptaci
on de salida, (la adaptacion entre la impedancia de salida del amplificador y la de salida del
sistema Rout = 50, dada por los requerimientos), desadaptando el resultado previo de ZL = 17 para lograr obtener la
ganancia deseada.
Utilizando la herramienta de SmithChart, y procediendo de forma similar al dise
no de la red de entrada, se logr
o obtener
el espectro deseado para una ZL = (15, 87 j10, 19). Esto se observa en la figura 11, donde el signo positivo en la
impedancia de carga, corresponde al valor conjugado de la impedancia del amplificador.
Porcediendo de la misma forma que antes para el dise
no de los distintos tramos de lnea de microstrip, utilizando
LineCalc, se obtuvo la red de adaptaci
on de salida mostrada en la figura 12
Con el fin de evaluar la red de adaptaci
on de salida, al igual que la de entrada, se realizo una simulacion de par
ametros
S, cuya configuraci
on se muestran en la figura 13. Los resultados se exponen en la figura 14. Puede verse que los par
ametros
S21 y S12 estan entre -1dB y -2dB en la banda de interes, lo cual corresponde a haber desadaptado la salida para obtener
la ganancia deseada. Esto, tambien trae su contraparte en los parametros de reflexion S11 y S22, los cuales no presentan
valores tan bajos como en la red de entrada. Nuevamente esto u
ltimo corresponde a la desadaptacion de la salida.
Teniendo ya las dos redes de adaptaci
on, se concluyo la etapa de amplificacion y el proximo paso fue la incorporaci
on
de un acoplador hbrido para dividir la se
nal amplificada en dos componentes desfasadas 90o .

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Figura 11: Dise


no de la red de adaptaci
on de salida utilizando la herramienta SmithChart provista por ADS.

Figura 12: Red de adaptaci


on de salida para adaptar RL = (15, 87 j10, 19) (puerto 1) a Rout = 50 (puerto 2)

Figura 13: Configuraci


on de la simulaci
on de par
ametros S realizada para evaluar la red de adaptaci
on de salida.

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Figura 14: Resultados obtenidos de la simulaci


on de par
ametros S de la red de adaptaci
on de salida.

2.4.

Acoplador hbrido

Para lograr dividir la se


nal de entrada en dos partes en cuadratura, se dise
no un acoplador hbrido de 90o , el cual
tiene la forma esquematica que se observa en la figura 15, donde Z0 , en este caso, corresponde a los 50 de impedancia de
salida que se impone en los requerimientos. Un acoplador de estas caractersticas lo que hace es dividir la se
nal que entra
por el puerto 1 en dos partes iguales con una diferencia de fase de 90o . Idealmente no debera haber potencia acoplada
por el puerto 4.

Figura 15: Esquema generico de un acoplador hbrido de 90o .

Como ya se conoce cuanto debe valer Z0 y la frecuencia de trabajo, se utilizo LineCalc para el dise
no, al igual que en
las redes de adaptaci
on. El acoplador resultante, es el que se muestra en la figura 16

Figura 16: Acoplador Hbrido de 90o dise


nado para dividir la se
nal amplificada en dos componentes en cuadratura.

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Nuevamente, se realiz
o una simulaci
on de los parametros S para evaluar el comportamiento de acoplador en la banda
de frecuencias de trabajo con la configuraci
on mostrada en la figura 17. Ademas se realizo una simulacion de la fase
de la se
nal en el puerto de se
nal transmitida y el puerto de se
nal acoplada, para verificar que la diferencia de fase sea
efectivamente de 90o . Los resultados se muestran en las figuras 18 y 19 respectivamente.

Figura 17: Configuraci


on del esquema de simulaci
on para el acoplador hbrido.

Figura 18: Resultados de la simulaci


on de par
ametros S realizada para el acoplador hbrido.

Figura 19: Resultados de la simulaci


on de Fase para los puertos 2 y 3 del acoplador hbrido.

Respecto a los par


ametros S, como todas los puertos estan adaptados a 50 lo que se mide es la potencia de salida
respecto a la entrada. La potencia que se refleja esta representada por (S11), la potencia que sale por el puerto aislado es
S41, el cual se corresponde con el valor esperado, idealmente nulo. El parametro S21 representa la potencia transmitida, y
el par
ametro S31, la potencia por el puerto acoplado. Como la potencia se divide igualmente entre estos dos puertos, era de
esperarse un valor de -3dB en cada uno, lo cual se corresponde con los resultados, a menos de unos 0,2dB correspondiente
a las perdidas en los materiales.

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2.5.

Integraci
on del sistema

Una vez finalizadas todas las etapas del dise


no. Se integro el sistema completo, quedando finalmente como se muestra
en la figura 20, donde el puerto 1 representa la entrada, el puerto 2 la onda transmitida, el puerto 3 la onda acoplada (en
cuadratura con la transmitida), y el puerto 4 es el puerto aislado del acoplador hbrido.

Figura 20: Sistema integrado con todos los componentes dise


nados.

En la siguiente secci
on, se procede a caracterizar el sistema completo.

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3.

Caracterizacion del Sistema

Con el fin de caracterizar el sistema dise


nado, se realizaron simulaciones de la respuesta temporal y respuesta en
frecuencia. Adem
as, se exponen el punto de compresion de 1dB y el punto de interseccion de tercer orden.

3.1.

Respuesta en frecuencia

Para evaluar la respuesta en frecuencia y fase del sistema completo, se realizo una simulacion de parametros S como
la que se observa en la figura 21. De ahora en mas se llamaran puerto de entrada al pueto 1, puerto de transmisi
on y
acoplado a los puertos 2 y 3 respectivamente y puerto aislado al puerto 4, de la misma forma en que aparecen en la figura
21. Al tener la entrada y todas las salidas a adaptadas a 50Ohm, los parametros S son equivalentes a medir directamente
la ganancia en potencia del sistema. Los resultados se exponen en la figura 22.

Figura 21: Esquema de simulaci


on para evaluar la respuesta en frecuencia del sistema.

Figura 22: Respuesta en frecuencia de los distintos puertos del sistema. El par
ametros S21 y S31 se corresponden con la ganancia
en el puerto de transmisi
on y puerto acoplado respectivamente. El par
ametro S11 es la ganancia en la onda reflejada y el S41 la
ganancia por el puerto asilado.

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En los puertos 2 y 3 puede verse un ganancia de aproximadamente 14dB a una frecuencia de 1,2GHz, y un ancho de
banda (a una cada de 3dB) que va entre 1,18GHz y 1,22GHz como se especificaba en los requerimientos. La potencia
reflejada por el puerto de entrada tiene una ganancia de que va desde unos -10dB aproximadamente, hasta unos -22dB en
la banda deseada. Por u
ltimo en el puerto aislado, la ganancia va desde -14dB hasta unos -31dB en la banda de interes,
lo cual resulta un valor aceptable ya que idealmente no se desea tener potencia en ese puerto.
En la figura 23, se exponen los resultados obtenidos de la respuesta en fase de los puertos 2 y 3.

Figura 23: Respuesta en fase de los puertos de salida 2 y 3.

Puede observarse, como dentro de la banda de interes, ambos puertos tienen una diferencia de fase de 90o , lo cual se
corresponde con los requerimientos para obtener dos se
nales en cuadratura.

3.2.

Respuesta temporal

A continuaci
on, se realiz
o una evaluaci
on de la respuesta temporal del sistema, utlizando la configuraci
on que se
muestra en la figura 24. Todos los puertos est
an adaptadas a 50Ohm, y se coloca como se
nal de entrada una onda senoidal
de -12dBm de potencia.

Figura 24: Esquema de simulaci


on de la respuesta temporal del sistema.

Los resultados se exponen en la figura 25. Puede notarse que la respuesta demora unos 20 ns en llegar a su estado
estacionario con una amplitud de unos 230mV. Tambien puede visualizarse claramente el desfasaje de 90o entre los puertos
2 y 3. Por el puerto 4 puede observarse una se
nal distorsionada, con una amplitud de aproximadamente un quinto de la
que sale por los puertos 2 y 3.

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Figura 25: Respuesta temporal del sistema. En az


ul y rojo se muestran las respuestas de los puertos 2 y 3 respectivamente. En
marr
on se observa la respuesta del puerto 4.

3.3.

Punto de compresi
on de 1dB

La mayora de los amplificadores lineales tienen una ganancia determinada para un cierto rango de frecuencias. Cuando
se grafica la potencia de salida en funci
on de la potencia de entrada, se observa una relacion lineal. La pendiente es la
ganancia (figura 26). A medida que la potencia de entrada crece, en alg
un punto, la ganancia comienza de decaer. La
potencia deja de crecer para un incremento en la potencia de entrada, es decir, el amplificador se satura. Su respuesta se
vuelve no lineal, y produce distorsi
on, arm
onicos, etc.
Resulta de interes conocer a que punto comienza a producirse la compresion para que la potencia de entrada no llegue
a dicho nivel y produzca distorsi
on. Este fue precisamente uno de los errores cometidos en este trabajo. Por falta de
experiencia o un descuido, inicialmente se parti
o con la meta de obtener una ganancia de 14dB, que era lo necesario para
que una entrada de -12dBm, produjese una salida de 2dBm. Sin embargo, no se tuvo en cuenta la potencia de entrada
para la cual deba tenerse dicha ganancia de 14dB.

Figura 26: Esquema generico de la potencia de salida de un amplificador lineal en funci


on de la potencia de entrada. El punto P1dB
es la potencia de entrada para la cual la ganancia decrece 1dB del valor lineal esperado.

En la figura 27 se muestra la configuraci


on de la simulacion utilizada para encontrar el punto de compresi
on de 1dB
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del sistema dise


nado. Los resultados se muestran en la figura 28. En la parte superior de la figura se muestran los datos
correspondientes al puerto 2, y en la parte inferior, los correspondientes al puerto 3. Ambos resultados son practicamente
iguales como era de esperarse. En las figuras de la izquierda, se graficaron la potencia de salida en funcion de la potencia
de entrada pra cada puerto. En az
ul se muestra la recta de ganancia lineal ideal, y en rojo la funcion del amplificador
dise
nado. En las gr
aficas de la parte derecha de la figura se muestra la ganancia en funcion de la potencia de entrada, la
cual debe ser constante en la zona lineal del amplificador.

Figura 27: Configuraci


on utilizada para la caracterizaci
on de compresi
on de 1dB y el balanace de arm
onicos

Figura 28: Potencia de salida y ganancia del amplificador en funci


on de la potencia de entrada. a) corresponde al puerto 2. b)
corresponde al puerto 3.

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A continuaci
on se analizan los datos. Primeramente, como la potencia de entrada especificada por los requerimientos era
de -12dBm, era de esperarse que dicha potencia estuviese en la zona lineal del amplificador, donde la ganancia corresponde
a 14dB. Sin embargo, debido a lo mencionado anteriormente esto no resulto de tal manera, obteniendo una salida de
-6,65dBm para una entrada de -12dBm, dando una ganancia total de 5,3dB aproximadamente (como se muestra en las
gr
aficas de la parte derecha de la figura). Esta ganancia se debe a que para -12dBm de entrada, el amplificador est
a saturado
y trabajando en su zona no lineal. Puede verse que el punto de compresion de 1dB se da para una potencia de entrada de
-26dBm aproimadamente, con lo cual el amplificador dise
nado funciona correctamente para potencias menores a -26dBm,
concluyendo aqu, la mayor falencia del dise
no respecto a los requerimientos. El problema que se encontro fue que desde
un principio se apunt
o a obtener una ganancia de 14dB, olvidandose por completo de la potencia de entrada para la
cual deba tenerse dicha ganancia. Esto provoc
o la eleccion de un mal punto de polarizacion del transistor lo cual hace
que sature para las potencias de entrada requeridas. Por lo tanto, se concluye que para trabajos futuros, es importante
primeramente fijar el punto de polarizaci
on teniendo en cuenta la excursion y potencia que tendra la se
nal de entrada,
para asegurarse de no saturar el amplificador, y mantenerse en la zona lineal.

3.4.

Punto de intersecci
on de tercer orden

Cuando un amplificador se vuelve no lineal, comienza a producir armonicos de la se


nal amplificada. Los arm
onicos
en general pueden filtrarse f
acilmente, sin embargo, las no linealidades tambien producen el mezclado de dos o m
as de
estas se
nales. Si las se
nales est
an cerca en frecuencias, alguna combincaion de sumas y restas (de frecuencias), llamados
productos de intermodulaci
on puede ocurrir dentro del ancho de banda del amplificador. Esto no se puede filtrar y por lo
tanto producir
an interferencia con la se
nal que desea amplificarse.
La figura 29 muestra dos se
nales f1 y f2 dentro de la banda del amplificador. Si se tiene distorsion, aparecen dos
se
nales nuevas, f1 f2 y f1 + f2 . Estas en general, se puede filtrar. Sin embargo, estas se
nales se mezclan tambien, con los
arm
onicos de segundo y tercer orden, as como con armonicos de orden superior, produciendo un gran rango de se
nales que
pueden potencialmente interferir en la banda del amplificador, como por ejemplo los productos de tercer orden 2f1 f2 y
2f2 f1

Figura 29: Espectro de se


nales producido por dos se
nales f1 y f2 cuando el amplificador se vuelve no lineal debido a la saturaci
on.

Si se grafica la potencia de salida en funci


on de la potencia de entrada (figura 30) se obtiene la misma curva de primer
orden que se mostr
o antes para la compresi
on de 1dB. Ademas se grafica la se
nal de los productos de tercer orden. Si se
extendiese la parte lineal de ambas curvas de ganancia, se intersecan en un punto donde las se
nales de tercer orden igualan
en amplitud a las de primer orden. Este es el punto de interseccion de tercer oden (IP3). Es un punto teorico que si bien
no puede ser alcanzado en la pr
actica, es u
til para determinar la condicion de linealidad de un amplificador.
El valor IP3 puede leerse referenciado a la potencia de entrada o a la de salida. Si se lee el valor en el eje de la potencia
de salida, se llama OIP3. Cuando se lee en el eje de las potencias de entrada se le llama IIP3.
Mientras mayor sea la salida en el punto de interseccion mayor sera el rango lineal y por lo tanto ser
a menor la
distorsi
on de intermodulaci
on.
Para analizar la distorsi
on de intermodulaci
on, se realizo un balance de armonicos utilizando el mismo esquema de
simulaci
on mostrado en la figura 27. Lo que se hace es mandar como se
nal de entrada dos tonos a 1199,4 MHZ y 1200,6
MHz con una potencia de -12dBm cada uno. Los mismos poseen armonicos que se mezclan y producen como producto
de tercer orden, dos tonos en la banda de trabajo del amplificador, en las frecuencias de 1198,2MHz y 1201,8MHz. Los
resultados se muestran en la figura 31.
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Figura 30: Esquema generico de potencia de salida en funci


on de la potencia de entrada para un amplificador con distorsi
on de
intermodulaci
on.

Figura 31: Balance de arm


onicos con dos tonos y punto de intersecci
on de tercer orden. a) Puerto Directo. b) Puerto Acoplado.

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Puede verse que en primer lugar, los tonos de tercer orden, se


nalados con los marcadores m3 y m4, no estan balanceados.
El de mas alta grecuencia tiene una mayor potencia que el de mas baja, por lo cual hay dos puntos distintos de intersecci
on
de tercer orden. En segundo lugar, puede observarse que la potencia de dichos tonos a la salida del sistema es de -20dBm
y -16dBm aproximadamente para el tono de menor frecuencia y el de mayor frecuencia respectivamente, mientras que los
tonos de primer orden (se
nales de entrada) presentan una potencia a la salida de -8,7dBm, con lo cual los productos de
tercer orden est
an entre 8dB y 12dB por debajo de la se
nal de entrada.
Finalmente, el punto de intersecci
on de tercer orden referenciado a la potencia de salida (OIP3), esta dado por -3,1dBm
para el tono de menor frecuencia, y -5,1dBm para el de mayor frecuencia. La diferencia se debe al desbalance que hay en
los productos de tercer orden. Como el tono de mayor frecuencia tiene mayor potencia a la salida, alcanza el punto de
intersecci
on a una potencia de salida menor que el tono de menor frecuencia.

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Crescitelli

Laboratorio IV

4.

Conclusiones

Se logr
o realizar el dise
no completo y caracterizacion de un sistema de RF de amplificacion y divison en dos componentes
en cuadratura aprendiendo no s
olo a utilizar las herramientas de dise
no y simulacion adecuadas, sino tambien a entender
cuales son las caractersticas cruciales que deben tenerse en cuenta a lo largo del dise
no para cumplir con los requerimientos
necesarios. Una de estas caractersticas result
o ser la eleccion del punto adecuado de polarizacion para lograr obtener
un amplificador lineal en la zona de potencias de entrada especificadas. En este trabajo, dicho requerimiento no pudo
satisfacerse debido, precisamente a una mala eleccion del punto de polarizacion. Es recomendable al principio, buscar el
punto de polarizaci
on utilizado por el fabricante del dispositivo para ubicar el punto de compresion de 1dB ya que esto
da una idea del rango de potencias de trabajo.
Una vez elegido el punto de polarizaci
on, pudieron observarse tres caractersticas que deben tenerse en cuenta durante
del dise
no. Debe ajustarse la reflexi
on de potencia con la impedancia de entrada, en segundo lugar se debe ajustar la
ganancia con la impedancia de salida. El tercer punto a considerar es, el hecho de realizar los dos pasos anteriores teniendo
en cuenta, nuevamente, la potencia de entrada a la que se operara.
Si bien en las hojas del fabricante a veces aparecen los parametros S o Y, es recomendable realizar una medici
on
(simulaci
on) de los mismos una vez que se tiene el transistor polarizado, para cerciorarse de usar los valores correctos y
precisos en el resto del dise
no, ya que de otro modo, las simulaciones podran no coincidir con los valores esperados.
Luego de realizar los ajustes necesarios en las redes de adaptacion para la integracion del sistema completo, es
importante realizar la medici
on de los par
ametros Y o S de todo el sistema y recalcular los parametros de estabilidad para
asegurarse de seguir estando en la zona estable.
Finalmente, es importante destacar la utilidad que tuvieron las herramientas SmithChart y LineCalc del software
ADS para lograr realizar un ajuste din
amico de las redes de adaptacion del sistema observando la forma con que se van
modificando los espectros.

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