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Electrnica De potencia I.

Historia Potencia I
Miercoles 24 de Marzo.

Introduccin a la electrnica de
potencia.
Es una rama de la ingeniera electrnica, cuyo fin es controlar
y adaptar grandes cantidades de energa para ser utilizada
con distintos elementos.
Se refiere a la aplicacin de dispositivos electrnicos,
principalmente semiconductores, al control y transformacin
de potencia elctrica. Esto incluye tanto aplicaciones en
sistemas de control como de suministro elctrico a consumos
industriales o incluso la interconexin sistemas elctricos de
potencia.

Introduccin a la electrnica de
potencia.

Introduccin a la electrnica de
potencia.
Un ejemplo de esta situacin, es el control de motores, que
lo podemos ver en distintas funciones, tal es el caso de los
trenes elctricos, tranvas, maquinaria, chancadoras, etc.

Introduccin a la electrnica de
potencia.
La historia de la Electrnica de potencia comenz en el ao
1900, con la introduccin del rectificador de arco de
mercurio.
Luego aparecieron el rectificador de tanque metlico,
el de alto vacio con rejilla controlada, el ignitrn, el fanotrn
y el tiratrn.

Introduccin a la electrnica de
potencia.
La primera revolucin electrnica inicia en 1948. con la
invencin del transistor de silicio en los laboratorio Bell
telephone. La mayor parte de las tecnologas avanzadas tiene
su origen en este invento.

Introduccin a la electrnica de
potencia.
Gracias al silicio y su utilizacin es que comienzan a aparecer
nuevos inventos, otro gran hito es el transistor de disparo PNPN
en 1956, que se defini como un tiristor o rectificador
controlado de silicio, SCR en sus siglas en ingles.

Introduccin a la electrnica de
potencia.
La segunda revolucin electrnica empez en 1958 con el desarrollo
del tiristor comercial por General Electric Companc. Ese fue el
principio de una nueva era en la electrnica de potencia. Desde
entonces se han introducido muy diversos tipos de dispositivos
semiconductores de potencia y tcnicas de conversin.

Introduccin a la electrnica de
potencia.
Dispositivos utilizados por la Electrnica de Potencia

Introduccin a la electrnica de
potencia.

Diodos de Potencia.

Introduccin a la electrnica de
potencia.
Diodo de Potencia
Un diodo semiconductor es una estructura P-N que,
dentro de sus lmites de tensin y corriente, permite la
circulacin de corriente en un nico sentido. Detalles de
funcionamiento, generalmente despreciados para los
diodos de seal, pueden ser significativos para
componentes de mayor potencia, caracterizados por un
rea mayor (para permitir mayores corrientes) y mayor
longitud (para soportar tensiones inversas ms elevadas).

Introduccin a la electrnica de
potencia.

Introduccin a la electrnica de
potencia.
Como se puede observar en la figura anterior, el diodo est
formado por una sola unin PN, aunque la estructura de un
diodo de potencia es algo diferente a la de un diodo de seal,
puesto que en este caso existe una regin N intermediaria con
un bajo dopaje. El papel de esta regin es permitir al
componente soportar tensiones inversas ms elevadas.

Introduccin a la electrnica de
potencia.
Esta regin de pequea densidad de dopaje dar al diodo una
significativa caracterstica resistiva en polarizacin directa, la
cual se vuelve ms significativa cuanto mayor sea la tensin que
ha de soportar el componente. Las capas que hacen los
contactos externos son altamente dopadas, para obtener un
contacto con caractersticas hmicas y no del tipo
semiconductor.

Introduccin a la electrnica de
potencia.

Introduccin a la electrnica de
potencia.
La tensin VF que se indica en la curva esttica corriente-tensin se
refiere a la cada detencin cuando el diodo est conduciendo
(polarizacin directa). Para diodos de potencia, sta tensin de
cada en conduccin directa oscila aproximadamente entre 1 y 2
Volts. Adems, esta cada depende de la corriente que circule,
tenindose una caracterstica corriente tensin bastante lineal en
la zona de conduccin.

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potencia.
Esta relacin se conoce como la resistencia en conduccin del
diodo, abreviada por Ron y que se puede obtener como el inverso
de la pendiente de la asntota de la curva esttica en la zona de
polarizacin directa. La tensin VR representa la tensin de ruptura
del dispositivo (Breakdown Voltage) o, lo que es lo mismo, la
mxima tensin inversa que puede soportar el diodo cuando ste
est bloqueado (polarizacin inversa).

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potencia.
Un diodo de potencia puede soportar tensiones inversas elevadas.
Si se supera el valor de tensin de ruptura especificado por el
fabricante, el diodo puede llegar a destruirse por excesiva
circulacin de corriente inversa y en definitiva, por excesiva
disipacin de potencia.
Los diodos de potencia pueden llegar a soportar tensiones de
ruptura de kilo Volts (kV), y pueden conducir corrientes de kilo
Amperes (kA). Evidentemente, el tamao del diodo condiciona sus
caractersticas elctricas, llegndose a tener diodos con tamaos
del orden de varios cm2.

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potencia.
Diodos Schottky: Se utilizan cuando se necesita una cada de
tensin directa muy pequea (0,3 V tpicos) para circuitos con
tensiones reducidas de salida. No soportan tensiones inversas
superiores a 50 100 V.

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potencia.
Diodos de recuperacin rpida: Son adecuados en circuitos de
frecuencia elevada en combinacin con interruptores controlables,
donde se necesitan tiempos de recuperacin pequeos. Para unos
niveles de potencia de varios cientos de voltios y varios cientos de
amperios, estos diodos poseen un tiempo de recuperacin
inversas(trr) de pocos nanosegundos.

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potencia.
Diodos rectificadores o de frecuencia de lnea: La tensin en el
estado de conduccin (ON) de estos diodos es la ms pequea
posible, y como consecuencia tienen un trr grande, el cual es
nicamente aceptable en aplicaciones de la frecuencia de lnea.
Estos diodos son capaces de bloquear varios kilovoltios y conducir
varios kiloamperios. Se pueden conectar en serie y/o paralelo para
satisfacer cualquier rango de tensin o de corriente.

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Tiristores