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Prctica # 2: Aplicaciones de transistores BJT y


FET.
Pablo Guamn Novillo, pguamann@est.ups.edu.ec
Universidad Politcnica Salesiana, Sede Cuenca.
Laboratorio de Analgica II.

ResumenThis report presents the development of practice on


the implementation of the FET. Within this practice also included
the BJT and tours by these two elements. Based on the objectives,
the equivalent circuits of constant current for both FET and
BJT are looking for. Then with data and power parameters of
the transistors and initial conditions, (in the case of the FET),
such calculations are made to approximate, in the first case, the
theoretical values of FET and BJT current practice to and the
second approximation defendant tooth saw. While the MOSFET,
the calculations and then their simulations were performed.

IC = IE

(2)

Y la corriente Ix de la resistor Rx es:[1]


Ix = IE +

2IE
IE

(3)

En suma, la corriente constante producida en el colector de


Q2 es la imagen de espejo de Q1. Es decir:[1]

Index TermsBJT, FET,current,constant, tooth.

Ix =
O BJETIVOS :
- Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de los
siguientes circuitos generadores de corriente constante:
Espejo de corriente constante con BJT.
Corriente constante con FET.
- Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de un
circuito generador de onda Diente de Sierra.
I.

V CC V BE
IE
Rx

(4)

La corriente Ix establecida por VCC y RX se refleja en la


corriente que se dirige al colector de Q2. El transistor Q1 se
conoce como transistor conectado como diodo porque la base
y el colector estn en cortocircuito entre s.[1]
En la figura 1 se muestra la estructura de la configuracin
espejo de corriente.

M ARCO T ERICO .

I-A. Circuito Espejo de Corriente con Transistor de Unin


Bipolar.
Un circuito de espejo de corriente, figura 1, produce una
corriente constante y se utiliza principalmente en circuitos integrados. La corriente constante se obtiene desde una corriente
de salida, la cual es la reflexin o espejo de una corriente
constante desarrollada en un lado del circuito. El circuito
es particularmente adecuado para la fabricacin de circuitos
integrados porque el circuito requiere que los transistores
tengan cadas de voltaje idnticas entre la base y el emisor, y
valores idnticos de beta, lo cual se logra mejor cuando los
transistores se forman al mismo tiempo en la fabricacin de
circuitos integrados. En la figura 1 la corriente Ix establecida
por el transistor Q1 y el resistor Rx se reflejan en la corriente
I mediante el transistor Q2. Las corrientes Ix e I se obtienen
utilizando las corrientes que se listan en el circuito de la
figura 1. Suponemos que la corriente de emisor (IE) en ambos
transistores es la misma (Q1 y Q2 se fabrican muy cerca uno
de otro en el mismo chip). Las dos corrientes de base en el
transistor son aproximadamente:[1]
IB =

IE
IE

+1

(1)

La corriente del colector de cada transistor es, entonces:[1]

Figura 1.

Presenta la configuracin para espejo de corriente con BJT.[1]

I-B. Circuito de corriente constante con Transistor de Efecto


de Campo.
Suponga que tenga una carga que necesita una corriente
constante. Una solucin sera usar el JFET con la puerta corto
circuitada. La figura 2a muestra la idea bsica. Si el punto Q
est en la zona activa como se muestra en 2b, la corriente por
la carga es igual a IDSS. Si la carga tolera los cambios de IDSS
cuando reemplazamos el JFET, este circuito es una excelente

Cuadro I
L ISTA DE E QUIPOS .

solucin. Por otra parte, si la corriente de carga constante de tener un valor especfico, podemos usar una resistencia de fuente
variable como se muestra en 2c. La autopolarizacin provocar
valores negativos de VGS. Ajustando la resistencia, podemos
encontrar puntos Q distintos, como se muestra en 2d. El uso
del JFET de esta manera simple nos proporciona corrientes
de carga constantes, incluso si cambiamos la resistencia de
carga.[2]

Descripcin
Multmetro
Fuentes de Tensin
ProtoBoard
Osciloscopio
Generador de funciones

Cantidad
2
2
1
1
1

Cuadro II
L ISTA DE M ATERIALES .
Descripcin
Resistencias
BJT
FET
Pinzas
Bananas
Cable Multipar

III.

Cantidad
15
3
2
2
4
0.5m

D ESARROLLO .

En esta seccin se muestran los clculos, mediciones y las


simulaciones realizadas en la prctica.
III-A.

Figura 2.

Muestra la configuracin para corriente constante con FET.[1]

Caractersticas de Transferencia:
La relacin de transferencia de un JFET es una relacin
cuadrada. Desafortunadamente, no es una relacin lineal como
sucede con los BJT. La ecuacin de Shockley define la relacin
entre ID y VGS:[1]


V GS
ID = IDss 1
Vp

2
(5)

Dnde: IDss y Vp son constantes. VGS es la variable de


control. [1]
Descripcin: ID: es la corriente que circula por drenaje.
IDSs: conocida como la corriente drenaje fuente saturada.
Ayuda a determinar el lmite en ID en la grfica de transferencia cuando Vp=0. [1]
Vp: es un nivel de tensin conocido como voltaje de
estrangulamiento, ocurre cuando IDss = 0. Para dispositivos
de canal n Vp es negativo, mientras que para los de canal p
Vp es positivo. Ayuda a determinar el lmite en VGS cuando
IDss = 0. [1]

II.

L ISTA DE M ATERIALES Y H ERRAMIENTAS .

Se presentan los equipos y materiales para el desarrollo de


la prctica 2. En los cuadros I y II se muestra los equipos y
materiales usados respectivamente.

Clculos:

III-A1. Circuito espejo de corriente con BJT: p


Datos:
V CC = 12V
V CE = V cc/2 = 6V
1=2 = 90
Rx = 4K
Se aplica la ecuacin 4 para hallar la corriente Ix:
p
Ix = IC = IE
BE
Ix = V ccV
Rx
p
0,7V
Ix = 12V4K
= 2,83mA
p
Luego se halla IB con (1):
p
2,83mA
IB = IE
= 31,44uA
=
90
p
En el cuadro III se presentan los valores esperados y
medidos del circuito espejo de corriente constante con
BJT.
Cuadro III
VALORES ESPERADOS Y MEDIDOS .
Rx
470
500
660
1K
1.33K
1.66K
2.2K
2.53K
2.86K
3K
4K

Ix Esperada
2.83mA
2.83mA
2.83mA
2.83mA
2.83mA
2.83mA
2.83mA
2.83mA
2.83mA
2.83mA
2.83mA

Ix Medida
2.77mA
2.77mA
2.77mA
2.77mA
2.77mA
2.77mA
2.77mA
2.77mA
2.77mA
2.77mA
2.77mA

III-A2. Circuito de corriente constante con FET: p


Datos:
V DD = 12V
ID = 3mA
V DS = V cc/2 = 6V
IDSS = 9,8mA
V p = 3V
Se aplica la ecuacin de Shockley 5 para hallar VGS:
2

V GS
ID = IDSS 1
Vp
Donde:
p
|V GS| < |V p|
p
q


ID
Vp
V GS = 1 IDSS


q
3mA
V GS = 1 9,8mA (3V )
p
V GS = 1,34V > Cumple
p
Se trabaja en la malla comprendida entre gate-source para
hallar RS.
p
V GS = ID RS
p
GS
RS = VID
= 1,34
3mA
p
RS = 446,7
p
Desarrollando la malla drain-source para encontrar RD.
p
V DD = IDRD + IDRS + V DS
p
DS
RD = V DDV
RS
ID
p
6V
RD = 12V
3mA 446,7
p
RD = 1553,34 1,5K
p
En el cuadro IV se presentan los valores esperados y
medidos del circuito de corriente constante con FET.
Cuadro IV
VALORES ESPERADOS Y MEDIDOS .
RD
100
220
330
470
1K
2.2 K
2.33K
2.66K

ID Esperada
3mA
3mA
3mA
3mA
3mA
3mA
3mA
3mA

ID Medida
3.12mA
3.11mA
3.11mA
3.10mA
3.09mA
3.05mA
3.02mA
2.98mA

III-A3. Generador de Onda de Diente de Sierra: p


Datos:
p
V DD = 15V

IC = 20mA
IDSS = 9,8mA
V p = 3V
= 200
f = 2Khz
p
Se plantea el circuito para la onda requerida:

Figura 3.

Muestra el circuito generador de diente de sierra.

p
Para iniciar los clculos se halla el periodo T:
p
f = T1
1
T = f1 = 2kHz
p
T = 0,5ms
p
Se encuentra la RB con la malla base-emisor:
p
RB = V cc0,7V
IB
p
150,7V
RB = 20mA/200
p
RB = 143K
p
Desarrollando en la malla colector-emisor:
p
V CC = ICRC + V CE + V DS
p
11V
RC = 20mA
p
RC = 550
p
Finalmente se halla el capacitor:
p
C = 2f1RE
p
1
C = 22KHz100
= 0,7957uF

III-B.

Medicin:

En la figura 4 se muestra la onda diente de sierra obtenida


en el Osciloscopio del laboratorio.

Figura 6. Muestra el anlisis de la corriente Ix versus la resistencia variable


RV.

III-C2. Simulacin fuente de corriente constante con FET:


En la figura 7 se presenta la simulacin del circuito de
corriente constante con FET.
Figura 4.

III-C.

Presenta la Onda Diente de Sierra obtenida en el laboratorio.

Simulaciones:

III-C1. Simulacin Espejo de corriente BJT: En la figura


5 se muestra la simulacin en MULTISIM del circuito espejo
de corriente constante utilizando BJT.

Figura 7. Presenta la simulacin del circuito de corriente constante con FET.

La siguiente figura 8 se presenta el anlisis de corriente resistencia.

Figura 5.
Presenta la simulacin de espejo de corriente constante con
transistor BJT.

En la figura 6 se muestra la grfica de la resistencia variable


RV frente a la corriente de colector fija.

Figura 8. Muestra el anlisis de la corriente ID versus la resistencia variable


RD.

p
p
III-C3. Simulacin Generador de onda Diente de Sierra:
En la figura 9 presenta el circuito simulado para generar el
diente de sierra.
p

de corriente-resistencia para observar cual es el mximo valor


de resistencia en el que el circuito permanece constante, revise
la figura 6.
Para el circuito de corriente constante, figura 7, se realiz
algo muy parecido, se trabaj con un grupo de resistencias y
se comprob que la corriente de drenaje se mantena constante
como era de esperarse. De igual manera se realiza el barrido
de corriente - resistencia, ambas en el drenaje, para verificar
el valor mximo de ID que es constante, figura 8. El barrido
para BJT arroja un valor mximo de resistencia aproximado de
4K en el cual la corriente Ix comienza a decaer. ste valor de
resistencia es el planteado en la prctica. En el caso del barrido
del FET la corriente ID empieza a decaer aproximadamente en
un mximo de 3K. ste valor de resistencia supera al valor
encontrado en la prctica.
Finalmente para el generador de diente de sierra, figura
9, tanto los valores esperados, medidos y simulados son
bastante aproximados, mucho ms que en los casos anteriores,
la onda esperada prcticamente es la misma en el periodo
calculado. Es importante escoger una frecuencia y trabajar con
los caractersticas del FET, medidos en la practica anterior.
C ONCLUSIONES :

Figura 9.

Muestra la configuracin para obtener el diente de sierra.

p
Finalmente en la figura 10 se muestra la onda obtenida en
la simulacin.
p

As for the current sources:


These circuits actually proved singles when its armed
and calculating recommend obtaining sufficient information
to develop on the date set as this is was a big problem.
The current values that are of interest to us, a few tenths
varied with respect to the expected both in practice and in
the simulation values. In the current mirror emitter resistor
RE is very important because it helps to stabilize the collector
current for a larger range of resistance that we must change and
also helped us to perform the analysis using Multisim where
you could observe that the reflected current Ix remained in a
much larger range at a stable level that was falling gradually
to values that tend to be infinite or very large.
Saw tooth:
Consider first the loading time requested by the teacher
to the first wave. From this information we can start to
find frequency and period. Then you can find resistors and
capacitor that will give the waveform. Also stress that it is
very important to know previously the combination of BJT
and FET for this part.
R EFERENCIAS

Figura 10. Muestra la onda obtenida en la salida del Osciloscopio en la


simulacin.

IV.

A NLISIS DE RESULTADOS :

Los valores de Ix medidos para el espejo de corriente son


muy semejantes a los esperados para las diferentes resistencias
tomadas en la prctica, es decir Ix es constante para el
grupo de resistencias tomadas. Observe el cuadro III y la
figura 5 correspondientes. Sin embargo, se observ que este
comportamiento solo se daba en un rango de valores para
resistencias, es por eso que se realiza el anlisis de barrido

[1] Robert Boylestad,"Teora de Circuitos y Dispositivos


Electrnicos,"
Dcima
Edicin.
Captulos:
4,
Polarizacin cd de los BJT. Pginas 200 - 222.
[2] Albert Paul Malvino., Principios de Electrnica Sexta Edicin. Publicado por: Glencoe/McGraw-Hill/Espaa.1999. Captulos: 13 JFET. Pginas 481-502.