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T

2.1.3 Unidad de transferencia


Un tema relacionado con la capacidad de la memoria es el de la unidad de transfe
rencia. En una memoria interna la unidad de transferencia es igual al nmero de lne
as de datos de entrada y salida al mdulo de memoria. Este nmero a menudo coincide
con la longitud de palabra, pero puede no hacerlo. Para clarificar este punto se
consideran los tres conceptos siguientes que estn conectados entre s en el caso d
e la memoria interna:
a)
Palabra: Es la unidad natural de organizacin de la memoria. El tamao de la
palabra es generalmente igual al nmero de bits utilizados para representar un nme
ro entero y la longitud de una instruccin.
b)
Unidades direccionables: En muchos sistemas la unidad direccionable es l
a palabra. Sin embargo, otros permiten un direccionamiento a nivel inferior como
por ejemplo un byte. En cualquier caso, la relacin entre el nmero n de bits neces
arios para especificar una direccin y el nmero N de unidades direccionables es: 2n
= N.
c)
Unidad de transferencia: Para la memoria principal, la unidad de transfe
rencia es el nmero de bits ledos de o escritos en la memoria simultneamente y no ti
ene por qu ser igual a una palabra o a una unidad direccionable. Para las memoria
s externas, los datos se transfieren con frecuencia en unidades mucho ms grandes
que una palabra denominadas bloques (aunque no simultneamente).
2.1.4 Mtodo de acceso
En cualquier operacin de lectura o escritura es necesario, en primer lugar, local
izar la posicin del elemento de almacenamiento donde la CPU debe colocar o extrae
r la informacin. Una propiedad muy importante de un dispositivo de memoria es el
orden o mtodo de acceso en que debe ser localizada o accedida la informacin. Se di
stinguen cuatro tipos:
a)
Acceso aleatorio: Se dice que una memoria tiene acceso aleatorio cuando
puede accederse a las informaciones almacenadas en ella en cualquier orden, sien
do el tiempo de acceso independiente de la posicin donde est localizada la informa
cin.
Estas memorias se denominan con el acrnimo de RAM (Random Access Memory). De esta
forma cada posicin direccionable de una memoria RAM tiene asignada una nica direc
cin de localizacin. El tiempo de acceso a cualquier posicin es constante e independ
iente de la secuencia de accesos que haya habido anteriormente. En la Figura 2.1
se muestra en forma de esquema el modelo conceptual de una memoria RAM. La memo
ria principal de un computador es siempre de acceso aleatorio.
Figura 2.1: Modelo conceptual de una memoria RAM
b)
Acceso secuencial: Son memorias en las que solamente se puede acceder a
la informacin almacenada en ellas mediante una secuencia lineal.
Por lo tanto, el tiempo necesario para acceder a una informacin concreta es varia
ble y depende de la posicin donde est almacenada. Se denominan con el acrnimo SAM (
Sequential Access Memory).
Las unidades de datos elementales de una memoria SAM se llaman registros. En la
Figura 2.2 se representa el diagrama conceptual de una memoria SAM. Un ejemplo tp
ico de esta clase de memorias son las unidades de cinta magntica.
Figura 2.2: Modelo conceptual de una memoria SAM
c)
Acceso directo: A1 igual que en el acceso secuencial, el acceso directo
incorpora un mecanismo de lectura escritura compartido. Sin embargo los bloques
o registros individuales tienen una direccin nica que se basa en su posicin fsica. E
l acceso se efecta mediante un mecanismo de acceso aleatorio para alcanzar la zon
a ms prxima (registro) donde se encuentra la informacin a la que se desea acceder,
y a continuacin se realiza una bsqueda de tipo secuencial dentro del registro. En

este caso el tiempo de acceso tambin es variable. Las unidades de disco son el ej
emplo clsico de memoria de acceso directo.
d)
Acceso asociativo: Son tambin memorias de acceso aleatorio. Lo que difere
ncia a este tipo de memorias de las tradicionales, es que en las memorias asocia
tivas no se pregunta por el contenido de una determinada direccin de memoria, aho
ra se pregunta si existe una posicin de memoria que contiene una palabra determin
ada. Es decir, se selecciona la posicin de memoria con la que se desea comunicar,
sobre el principio de lo que contiene y no sobre la base de donde est.
A primera vista puede parecer que esta clase de memoria no tiene demasiada utili
dad ya que se conoce lo que se quiere buscar. Ahora bien, si se considera que ca
da palabra de memoria est constituida por dos campos y se pregunta por el conteni
do de la parte izquierda, la memoria asociativa responde inmediatamente con el c
ontenido de los dos campos (izquierdo y derecho). De esta forma se obtiene una t
raduccin "instantnea" de una zona (izquierda) en la otra (derecha). La ventaja fun
damental es que se explora toda la memoria al mismo tiempo y slo se obtienen las
palabras cuyo lado izquierdo es igual al valor buscado. Anlogamente se puede preg
untar por la zona de la derecha con lo que es igualmente rpida la traduccin invers
a.
Se puede ver que al igual que la memoria de acceso aleatorio ordinaria, cada pos
icin tiene su propio mecanismo de direccionamiento y el tiempo de recuperacin de l
a informacin es constante e independiente de la localizacin y configuracin del acce
so previo.
2.1.5 Tipos fsicos
El sistema de memoria de un computador utiliza diferentes tipos fsicos. Los tres
tipos ms usados en la actualidad son:
a)
Memorias de semiconductor, del tipo LSI (Large Scale Integration) o VLSI
(Very Large Scale Integration) utilizadas como memoria principal del computador
y donde se incluyen un gran nmero de distintas tecnologas con diferentes caracters
ticas.
b)
Memorias magnticas, utilizadas como memorias secundarias (discos, cintas,
...).
c)
Memorias pticas, utilizadas tambin como memorias secundarias.
d)
Memorias magneto-pticas, utilizadas tambin como memorias secundarias.
2.1.6 Caractersticas fsicas
Resultan particularmente interesantes algunas caractersticas fsicas del almacenami
ento de datos. Entre las ms sobresalientes estn:
a)
Alterabilidad. Esta propiedad hace referencia a la posibilidad de altera
r el contenido de una memoria. As por ejemplo, una tarjeta perforada puede consid
erarse como un elemento de almacenamiento de informacin no alterable. Las memoria
s cuyo contenido no puede ser modificado se denominan memorias de slo lectura o m
emorias ROM (Read Only Memory). Las diferentes tecnologas proporcionan diversos t
ipos de memorias ROM de acceso aleatorio, utilizadas fundamentalmente para el al
macenamiento de programas en sistemas dedicados a una aplicacin especfica. Las mem
orias sobre las que se pueden realizar indistintamente operaciones de lectura o
escritura se conocen como memorias de lectura-escritura o memorias RWM (Read Wri
te Memory). En la terminologa de estructura de computadores es habitual utilizar
las siglas RAM para referirse a una memoria de acceso aleatorio y de lectura-esc
ritura.
Algunos tipos de memorias ROM son programables por el usuario, en cuyo caso se l
as denomina mediante las siglas PROM (Programmable ROM). Otras memorias PROM pue
den ser borradas y vueltas a programar con otros contenidos, estas memorias se d
enominan EPROM (Erasable PROM). El contenido de una memoria EPROM puede borrarse
elctricamente en cuyo caso se conoce como memoria EEPROM (Electrically EPROM), o
bien haciendo incidir rayos ultravioletas sobre el circuito de memoria (UVEPROM
).
Conviene sealar que el tiempo necesario para escribir una palabra de informacin en
una PROM es muy superior al tiempo necesario para leerla y se requiere de un di

spositivo de borrado y grabacin especfico, lo que obliga a retirarla del sistema p


ara reprogramarla y volverla a instalar despus. Este hecho marca la diferencia fu
ndamental con respecto a la ya mencionada memoria RAM.
b)
Permanencia de la informacin. Existen tres caractersticas de los dispositi
vos de memoria que pueden redundar en la destruccin de la informacin que almacenan
:
1)
Lectura destructiva. Hay memorias, como las de ncleos de ferritas, en las
que una operacin de lectura ocasiona la destruccin de la informacin leda. Para evit
ar la prdida de informacin en las memorias de lectura destructiva o memorias DRO (
Destructive Readout), hay que volver a reescribirlas inmediatamente despus de hab
erlas ledo. A las memorias de lectura no destructiva se las designa por las sigla
s NDRO (No Destructive Readout).
2)
Volatilidad. Esta caracterstica hace referencia a la posible destruccin de
la informacin almacenada en un cierto dispositivo de memoria cuando se produce u
n corte en el suministro elctrico. Las memorias que pierden su informacin al cesar
la tensin de alimentacin se denominan voltiles, mientras que las que conservan la
informacin se llaman no voltiles. Las memorias RAM de semiconductores son voltiles,
mientras que las memorias RAM de ferritas y las memorias ROM son no voltiles. Po
r este motivo, las memorias ROM se utilizan como dispositivo de almacenamiento p
ara los programas de mquinas controladas por computador que, de manera eventual,
se pueden desconectar de la fuente de alimentacin. De forma anloga, todos los comp
utadores modernos incluyen una pequea memoria ROM que les permite reinicializar e
l sistema, cargar el correspondiente sistema operativo y transferirle a ste el co
ntrol.
3)
Almacenamiento esttico/dinmico. Una memoria es esttica si la informacin que
contiene no vara con el tiempo; en el caso contrario, la informacin almacenada se
va perdiendo con el tiempo por lo que hay que refrescarla y se habla en este cas
o de memoria dinmica. El refresco es una dificultad inherente al diseo con memoria
s dinmicas. Sin embargo, las memorias dinmicas suelen tener una mayor densidad de
almacenamiento y un menor consumo de energa que sus equivalentes estticas por requ
erir menos elementos electrnicos.
2.1.7 Velocidad
Desde el punto de vista de usuario velocidad y capacidad son las caractersticas f
undamentales de la memoria. Para medir el rendimiento en velocidad de una memori
a se utilizan los tres parmetros siguientes:
a) Tiempo de acceso (tA). En el caso de lectura de memoria se define como el tie
mpo medio necesario para leer una cantidad fija de informacin, por ejemplo una pa
labra. Para la escritura en memoria se define de forma anloga y en la mayor parte
de los dispositivos es igual al tiempo de acceso para lectura. En otros trminos:
el tA de lectura representa el tiempo que ha de pasar desde que se solicita una
informacin a un dispositivo de memoria hasta que est disponible. En memorias de a
cceso no aleatorio tA es el tiempo empleado en colocar en su posicin la cabeza de
lectura-escritura. La Tabla 2.1 muestra valores de algunas clases de memorias.
Tipo de memoria tA
Semiconductor bipolar 10-8 seg
Semiconductor MOS
10-7 seg
Ferritas
10-6 seg
Discos magnticos
10-3 seg
Cintas magnticas
10-2 seg
Tabla 2.1: Valores tpicos de tA
b)
Tiempo de ciclo de memoria (tC). En las memorias DRO (de lectura destruc
tiva) no es posible iniciar una segunda lectura inmediatamente despus de terminad
a la primera, hay que efectuar antes la restauracin de la informacin leda. Esto sig

nifica que el intervalo de tiempo mnimo entre dos lecturas consecutivas puede ser
mayor que tA. Este intervalo se denomina tiempo de ciclo de memoria (ver Figura
2.3).
Figura 2.3: Relacin entre tA y tC
c)
Velocidad de transferencia o frecuencia de acceso (fA). En un dispositiv
o de memoria la velocidad de transferencia se mide como el nmero de palabras/segu
ndo que pueden ser accedidas. En el caso de memorias de acceso aleatorio, fA es:
Para memorias de acceso no aleatorio, se verifica la siguiente relacin:
donde:
tn = Tiempo medio para leer o escribir n bits
tA = Tiempo de acceso medio
n = Nmero de bits que se estn transmitiendo
P = Velocidad de transferencia (en bits/seg)