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Felipe Paz Campos 2014

ELECTRNICA ANALGICA
CAPTULO 7: RESPUESTA EN FRECUENCIA

TEORA Y APLICACIONES

108

Felipe Paz Campos 2014


CAPTULO 7 RESPUESTA EN
FRECUENCIA DE UN
AMPLIFICADOR.
7.1 Introduccin
En los captulos 2 y 3 se han estudiado los
transistores BJT y JFET como
amplificadores, sin considerar la zona de
trabajo de estos en funcin de la
frecuencia. En este captulo se realizar el
estudio del comportamiento de los
amplificadores en funcin de la
frecuencia.
Todo amplificador debe tener dos
frecuencias de corte, una frecuencia de
corte en alto (wH) y una frecuencia de
corte en bajo (wL), por consiguiente un
ancho de banda (Bw). La zona de trabajo
del amplificador estar restringida por
dicho ancho de banda (Bw).
7.2 Modelos de los transistores para el
anlisis de frecuencia.
Los modelos que vamos a utilizar son los
que se presentaron en el captulo 2 y 3
incluyendo el efecto de las capacitancias
internas.
7.2.1 El modelo a utilizar para AC del
transistor BJT NPN o PNP ser el mismo
para ambos transistores, figura 7.1.
rb

c
b

c
+

v
-

gmv

ro

e
Figura 7.1

La resistencia rb es un dato dado por el


fabricante con un valor tpico de 100.
r= (+1)re, ro se considera infinita, a
menos que se indique lo contrario.
1
g m (S )
(7.1)
re
V VCE
(7.2)
ro A
()
IC
26mV
re
( )
(7.3)
IE

VA: voltaje de Early, dato dado por el


fabricante.
La capacitancia c tiene un valor tpico de
2pF y la capacitancia se c se calcula a
partir de:
gm
(7.4)
fT
( Hz)
2 c c

fT : Frecuencia de transicindada por el


fabricante.
7.2.2 El modelo a utilizar para el
transistor JFET CANAL N O CANAL P
ser el mismo para ambos transistores,
figura 7.2.
cgd

vgs
s

Cgs

gmvgs

ro

Figura 7.2

I D I DSS (1
g m g mo (1

g mo

VGS
VGS ( off )
VGS

VGS (off )

2 xI DSS

)2

(7.5)
(7.6)
(7.7)

VGS ( off )

VA VDS
(7.8)
ID
VA: voltaje de Early, dato dado por el
fabricante.
La capacitancia cgd tiene un valor tpico
de 2pF y la capacitancia se cgs se calcula
a partir de:
gm
fT
( Hz)
(7.9)
2 cgd cgs
ro

fT : Frecuencia de transicindada por el


fabricante.
7.3 Respuesta en frecuencia del
amplificador.
Todo amplificador debe tener una
respuesta en funcin de la frecuencia.
Esto se muestra en la figura7.3.

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7.3.1 La ganancia como funcin de s
donde s = jw.
La ganancia de un amplificador como
funcin de la frecuencia compleja (s)
puede ser expresada de la siguiente
manera.

|H(jw)|dB
Banda media

ABM

BW

wL
Figura 7.3

wH

En la figura 7.3:
v
ABM = o : Ganancia en la banda media.
vi
Esta ganancia tiene un valor constante
dentro del ancho de banda BW.
BW = wH - wL: Ancho de banda.
wH: Frecuencia de corte en alto, depende
de las capacitancias internas o parsitas
del transistor.
wL: Frecuencia de corte en bajo, depende
de las capacitancias externas al transistor.
Banda media o banda de paso: Es
donde la magnitud de la ganancia se
puede considerar constante adems, esta
ganancia no depende de la frecuencia, en
otras palabras el efecto de las
capacitancias internas y externas del
transistor es considerado despreciable.
A altas frecuencias la ganancia cae debido
al efecto de las capacitancias internas del
dispositivo, mientras a bajas frecuencias
los capacitores de acople y desacople ya
no actan como cortocircuito y por tanto
la ganancia del amplificador se ve
disminuida.
Los limites de la banda media o banda de
paso estn determinados por wL y wH
(figura 7.3). Estas dos frecuencias son
aquellas en las cuales la ganancia cae 3dB
por debajo del valor de la ganancia en la
banda media.

(7.10)
As ABM FL s FH s
En la ecuacin (7.10) FL(s) expresa la
dependencia de la ganancia en funcin de
la frecuencia en la banda de baja
frecuencia y FH(s) su dependencia en la
banda de alta frecuencia.
Si w >> wL entonces FL(s) tiende a 1, de
igual manera para w << wH(s) la funcin
FH(s) tiende a 1. Por tanto puede
escribirse que:
(7.11)
As ABM
La ecuacin (7.11) es vlida siempre que
wL w wH

De lo anterior se deduce que la ganancia


en la banda de baja frecuencia es:
(7.12)
AL s ABM FL s
La ganancia en la banda de alta
frecuencia es:
(7.13)
AH s ABM FH s
Los clculos para la ganancia en la banda
media se realizan considerando que los
capacitores de acople y desacople se
comportan como perfectos cortocircuitos
a la vez, las capacitancias internas del
transistor son tomadas como circuitos
abiertos. La ganancia en la banda de baja
frecuencia AL(s) es determinada a partir
del anlisis del circuito equivalente
tomando en cuenta los capacitores de
acople y desacople pero, asumiendo que
las capacitancias internas del transistor
son circuitos abiertos perfectos. Para la
ganancia en la banda de alta frecuencia
AH(s) es determinada tomando en cuenta
las capacitancias internas del transistor
pero, considerando los capacitores
externos de acople y desacople como
perfectos cortocircuitos.

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7.3.1.1 Respuesta a bajas frecuencias.
La funcin FL(s) que expresa la respuesta
a baja frecuencia del amplificador posee
la forma general:
s wz1 s wz 2 ...... s wzN L
FL s
s wp1 s wp 2 ...... s wp N (7.14)

Donde: wz1 , wz 2 , ...wzN Representan los


L

valores de los ceros de baja frecuencia.


w p1 , w p 2 , ...w p Representan los valores
N
L

de los polos a baja frecuencia.


En la ecuacin (7.14) puede observarse
que si s tiende a infinito entonces FL(s)
tiende a 1. En muchos casos los ceros
poseen frecuencias tan bajas (mucho
menores que wL) que poseen poca
importancia en la determinacin de wL.
Adems, por lo general, uno de los polos,
por ejemplo wp1, posee una frecuencia
mucho mayor que la de todos los otros
polos. Entonces si w se aproxima a la
banda media, FL(s) puede escribirse
como:
s
FL s
(7.15)
s w p1
La ecuacin (7.15) no es ms que una
funcin de transferencia paso alto de
primer orden. En este caso la respuesta de
baja frecuencia del amplificador es
dominada por el polo s wp1 y la
frecuencia inferior de -3dB es
aproximadamente igual a wp1.
(7.16)
wL wp1
Lo expresado anteriormente se conoce
como aproximacin por polo dominante y
es vlida cuando exista polo dominante, si
no existe tal polo debe entonces
encontrarse la respuesta completa de
FL jw para determinar wL. Se dice que
estamos en presencia de un polo
dominante de baja frecuencia cuando el
polo de frecuencia mas alta supera al polo
o cero mas cercano en al menos 3 octavas

(un factor 8). Si no existe polo dominante


de baja frecuencia, puede encontrarse una
formula aproximada para determinar wL
en funcin de los polos y ceros existentes
en el circuito.
Por ejemplo consideremos el caso de una
funcin de transferencia con dos ceros y
dos polos.
s wz1 s wz 2
(7.17)
FL s
s wp1 s wp 2
Sustituyendo s jwL y tomando la
magnitud cuadrada de la funcin,
tenemos:
2
2
2
2
w wz1 wL wz 2
2
FL s L2
(7.18)
2
2
2
wL w p1 wL w p 2
Dado que los puntos de -3dB son los
puntos de potencia media entonces w =wL
1
2
cuando FL jw y por tanto:
2
2
2
2
2
1
wL wz1 wL wz 2

(7.19)
2 wL 2 w p12 wL 2 w p 2 2

(7.20)

1
1
2
2
2
2
1 2 wz1 wz 2 4 wz1 wz 2
1
wL
wL

2
1
1
2
2
2
2
1 2 w p1 w p 2 4 w p1 w p 2
wL
wL

Ya que wL generalmente es mucho mayor


que las frecuencias de todos los polos y
ceros, entonces podemos despreciar los
1
trminos que contienen
y despejar
4
wL
wL para obtener:
wL wp1 wp 2 2wz1 2wz 2
2

(7.21)

La expresin (6.21) puede extenderse


para una funcin con cualquier nmero de
polos y ceros. En la misma puede
observarse que si wp1 wp 2 , wz1 , wz 2
Entonces la expresin (7.21) se reduce a
la expresin (7.16), wL wp1 .

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7.3.1.2 Respuesta a altas frecuencias.
La funcin FH(s) puede ser expresada de
la forma general de la siguiente forma:

s
s
s
1
1
...... 1

wz1 wz 2 wzN H
FH s


1 s 1 s ......1 s
w w w
p1
p2
pN H

(7.22)

Donde: wz1 , wz 2 , ...wzN Representan los


H

valores de los ceros de alta frecuencia.


w p1 , w p 2 , ...w pN Representan los valores
H

de los polos a alta frecuencia.


Se puede notar en la ecuacin (7.22) que
si s tiende a 0 entonces FH(s) tiende a 1.
En la mayora de los casos los ceros son
infinitos o poseen frecuencias tan altas
que tienen poca influencia en la
determinacin de la frecuencia superior
de -3dB (wH).
Si uno de los polos de alta frecuencia
posee un valor mucho menor que el de los
otros polos, wp1 por ejemplo, entonces la
respuesta en alta frecuencia del
amplificador ser dominada por este polo
y FH(s) puede aproximarse como:
1
FH s
(7.23)
s
1
w p1
La ecuacin (7.23) no es ms que la
funcin de transferencia de una red pasa
bajo de primer orden.
En los casos en que exista un polo
dominante de alta frecuencia, la
determinacin de wH se simplifica a
(7.24)
wH wp1
Se dice que estamos en presencia de un
polo dominante de alta frecuencia cuando
el polo de ms baja frecuencia se
encuentra al menos 3 octavas por debajo
del polo o cero ms cercano.
Si no existe polo dominante entonces wH
puede determinarse a partir de FH jw .
De la misma forma que para bajas

frecuencias puede derivarse una formula


aproximada para wH en trminos de los
polos y ceros de alta frecuencia.
1
wH
(7.25)
1
1
2
2

2
2
2
2
w p1
wp 2
wz1
wz 2
En la ecuacin (7.25) si:
wp1 wp 2 , wz1 , wz 2 Entonces, la ecuacin
(7.25) se reduce a la ecuacin (7.24),
wH wp1 .

7.3.1.3 Utilizacin de las constantes de


tiempo de cortocircuito y circuito
abierto para la determinacin
aproximada de wL y wH.
Cuando los polos y ceros de la funcin de
transferencia pueden ser determinados
fcilmente, puede utilizarse los mtodos
anteriores para determinar wL y wH. Sin
embargo, en la mayora de los casos no es
muy fcil determinar los polos y ceros.
En tales situaciones pueden obtenerse
valores aproximados para wL y wH
mediante la utilizacin del mtodo que se
describe a continuacin.
Inicialmente consideremos la respuesta en
alta frecuencia. La funcin FH(s) de la
ecuacin (7.22) pude rescribirse como:
1 a1s a2 s 2 ... a N H s N H
FH s
(7.26)
1 b1s b2 s 2 ... bN H s N H
En la ecuacin (6.26) los coeficientes a y
b estn relacionados con los ceros y polos
de alta frecuencia, respectivamente.
Especficamente, b1 esta dado por:
1
1
1
(7.27)
b1

...
wp1 wp 2
wpNH
El valor de b1 puede obtenerse a partir del
circuito equivalente para alta frecuencia,
tomando en cuenta las capacitancias
presentes una a la vez, mientras las otras
son consideradas circuitos abiertos.
El proceso consiste en encontrar el valor
de la impedancia de Thvenin vista por el
capacitor que multiplicado por el valor de

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la capacitancia respectiva permite obtener
la constante de tiempo determinada por
cada capacitor. Luego el proceso es
repetitivo para todas y cada una de las
capacitancias presentes en el circuito.
Lo anterior permite obtener la
contribucin de cada capacitancia en la
posicin de las singularidades del
circuito.
El Valor de b1 se encuentra sumando
todas las constantes de tiempo
individuales llamadas constantes de
tiempo de circuito abierto.
NH

b1 Ci RTHi

(7.28)

i 1

Donde NH representa el nmero de


capacitores presentes en el circuito
equivalente para alta frecuencia.
De la ecuacin (7.27) puede observarse
que si uno de los polos es dominante, es
decir wp1 wp 2 , wz1 , wz 2 Entonces:

1
(7.29)
w p1
wH ser entonces aproximadamente igual
a wp1, por lo tanto:
1
wH N H
(7.30)
Ci RTH i
b1

i 1

Debe sealarse que en aquellos circuitos


con cierto nivel de complejidad no puede
saberse a simple vista o averiguarse
fcilmente si existe o no un polo
dominante, no obstante la ecuacin (7.29)
generalmente produce muy buenos
resultados aun cuando no existe un polo
dominante.
Las constantes de tiempo de cortocircuito
se utilizan para determinar la frecuencia
inferior de -3dB, wL. A continuacin
veremos como las mismas nos permiten
obtener de manera muy aproximada el
valor de FL.

La expresin FL(s) de la ecuacin (7.14)


puede expresarse de forma alternativa
como:
s N L d s N L 1 d 2 s N L 2 ...
(7.31)
FL s N L 1 N L 1
s e1s
e2 s N L 2 ...
En la ecuacin (7.31) los coeficientes d y
e estn relacionados con los ceros y polos
de baja frecuencia, respectivamente.
Especficamente e1 esta dado por:
e1 wp1 wp 2 ... wpNL
El valor de e1 puede obtenerse analizando
el circuito equivalente para baja
frecuencia, considerando los distintos
capacitores que conforman el circuito,
uno a la vez, mientras los restantes son
reemplazados por corto circuitos. El
proceso consiste en encontrar la
impedancia equivalente de thvenin vista
por el capacitor en cuestin, luego el
proceso se repite para todos los
capacitores existentes en el circuito
equivalente de baja frecuencia. El valor
de e1 se encuentra mediante la suma de
los inversos de las constantes de tiempo
de cortocircuito.
NL
1
(7.32)
e1
i 1 Ci RTH i
En la ecuacin anterior NL representa el
nmero de capacitores presentes para
baja frecuencia.
El valor puede ser utilizado para obtener
wL siempre y cuando no existan ceros
dominantes y si adems existe un polo
dominante. Si existe un polo dominante,
por ejemplo wp1, con una frecuencia
mucho mayor que la del resto de los polos
existentes entonces: e1 wp1 recordemos
que en el caso en que existe un polo
dominante wL es aproximadamente igual
a la frecuencia del polo dominante,
significa entonces que en ese caso:
NL
1
(7.33)
wL
i 1 Ci RTH i

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El mtodo de las constantes de tiempo de
cortocircuito provee una buena
aproximacin para el valor de wL aun en
el caso en que no exista un polo
dominante, sin embargo debe aclararse
que si tal polo existe el resultado de la
aproximacin ser mucho ms cercano al
valor real o verdadero.
7.4 EJEMPLOS
Ejemplo # 1.
Para el circuito mostrado en la figura 7.4,
calcule: a) ABM b) FH c) FL
Datos: IDSS = 12mA; VGS(off) = -4V;
Cgs = 12pF; Cgd=2pF.
VDD

20V

RD

C2

2.2k 2.2uF

C1

1uF

vi

-1/1V

vO

1k

10M

RS

C3

10uF

330

Figura 7.4

Solucin:
a.- Anlisis DC
El circuito para DC queda de la siguiente
forma, figura 7.4.1.
VDD

20V

ID

RD

2.2k
+

IG

VDS
RG

10M

IS

VGS
VGS ( off )

)2

(7.37)

Sustituyendo (7.36) en (7.37) se obtiene:


I xR
(7.38)
I D I DSS (1 D S ) 2
VGS ( off )
Por tanto:
2
2
VGS (off ) VGS (off )
VGS (off )
2
I D (2

)I
0
2 D
2
Rs
I DSS xR S
RS
Introduciendo valores:
2
(7.39)
I D 0.0365 I D 0.1469 m 0
Solucionando la ecuacin (6.39):
0.0365 1.332 m 4 x0.1469 m
I D1, 2
2
Entonces: ID1 = 4.6mA e ID2 = 31.89mA
De estos dos valores solamente uno de
ellos es vlido, ya que el otro valor est
fuera de los parmetros del transistor; en
este caso fuera del valor de IDss. Entonces,
el valor para la corriente es ID1 = 4.6mA.

RG

1kHz

RL

I D I DSS (1

RS
330

Figura 7.4.1

VG = 0V
VS = ISxRS = IDRs
VGS = VG-VS = -IDxRS

(7.34)
(7.35)
(7.36)

Conociendo la corriente ID se calcula VGS


de la ecuacin (7.36).
VGS = -IDxRs = -4.6mAx330 = -1.52V
Para calcular VDS se aplica un LKV en la
malla exterior que involucre VDS.
(7.40)
VDD I D RD VDS I D Rs
Despejando VDS:
(7.41)
VDS VDD I D ( RD Rs)
Introduciendo valores en la ecuacin
(6.41) se obtiene:
VDS 20V 4.6mA (2.2k 330) 8.36V
El punto de operacin es:
ID = 4.6mA y VDS = 8.36V.
Para saber si el transistor funcionar
como amplificador se verifica la siguiente
condicin.
V DS VGS ( off ) VGS
(7.42)

VDS 4V 1.52V 5.52V


Con VDS =8.36V cumple la condicin,
entonces, el transistor se comporta como
un amplificador.

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b.- Anlisis AC.
Dibujando el circuito para AC
considerando los capacitores de acople y
desacople como cortocircuitos, sin
sustituir el modelo del transistor para AC,
resulta el circuito de la figura 7.4.2.
+

Vi

RD vO

-1/1V

2.2k
-

RG
1kHz

RL

1k

Cgd

10M
Vi
-1/1V

Figura 7.4.2

RG

Sustituyendo el modelo del transistor para


AC considerando las capacitancias
internas del transistor como circuito
abierto, en el circuito anterior, figura
7.4.2 resulta el circuito de la figura 7.4.3.
vi

-1/1V

RD

vgs

1kHz

vo
3.72mSx687.5 2.56
vi
w
b) FH H
(7.48)
2
Para el clculo de wH dibujaremos el
circuito equivalente. Este circuito
equivalente es el mismo que utilizamos
para calcular ABM agregando las
capacitancias internas del transistor. Este
circuito se muestra en la figura 7.4.4.
ABM

RG 10M

gmvgs

+
2.2k

vO

RL

- 1k

Figura 7.4.3

Calculando los parmetros para AC:


2 I DSS
V
gm
(1 GS )
(7.43)
VGS ( off )
VGS ( off )
Sustituyendo valores en (6.43):
24mA
1.52V
gm
(1
) 3.72mS
4V
4V
Calculando las variables solicitadas.
v
a) ABM o
(7.44)
vi
(7.45)
vo g mvgs RL '
Donde: RL ' RD // RL 687.5
(7.46)
v gs vi
Sustituyendo (7.46) en (7.45) se obtiene:
vo
(7.47)
g m RL '
vi
Sustituyendo valores en (7.47):

Vgs

Cgs

10M

1kHz

RD

RLvo

2.2k

1k

gmVgs

Figura 7.4.4

wH

gs

1
Cgd

C Cgs RTH
gs

(7.49)
(7.50)

Cgs

Para calcular esta constante de tiempo en


el circuito de la figura 7.4.4 se deja la
capacitancia Cgs y se abre la capacitancia
Cgd y a partir de este circuito (figura
7.4.5) se calcula la resistencia de thvenin
vista por Cgs.
Vi
-1/1V

Vgs
1kHz

RG

10M
-

Cgs

Figura 7.4.5

RTH Cgs 0 ya que vi es una fuente


independiente al apagarla es un
cortocircuito en paralelo a 10M.
Cgs 0s

C Cgd RTH
gd

Cgd

(7.51)

Para calcular esta constante de tiempo en


el circuito de la figura 7.4.4 se deja la
capacitancia Cgd y se abre la capacitancia
Cgs y a partir de este circuito (figura

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6.4.6) se calcula la resistencia de thvenin
vista por Cgd, Adems se apaga vi.
Cgd

C1

RL

Vgs

RG

a partir de este circuito (figura 7.4.8) se


calcula la resistencia de thvenin vista por
C1 .

10M
-

-1/1V

Vo
-

gmVgs

1kHz

vi

1uF

10M

RG

RD

vgs

2.2k

Figura 7.4.6

gd

Cgd

RL

vo

1k

RS
330

RTH Cgd RL ' 687.5

C Cgd RTH

gmvgs

2 pFx687.5 1.375ns

Figura 7.4.8

RTH C1 RG 10M

(7.55)

De la ecuacin (7.49) se obtiene:


C1 C1RTHC1 1Fx10M 10s (7.56)
1
1
(7.57)
wH

727.27 Mrad / s C2 C2 RTHC 2


Cgs Cgd 0s 1.375ns
Para calcular esta constante de tiempo en
el circuito de la figura 7.4.7 se deja el
Por lo tanto de (6.48):
capacitor C2 y se cortocircuita C1 y C3, y
wH 727.27 Mrad / s
a partir de este circuito (figura 7.4.9) se
FH

115.75MHz
calcula la resistencia de thvenin vista por
2
2
C2.
w
c) FL L
(7.52)
C2
2
2.2uF
Para el clculo de wL dibujaremos el
+
RD
-1/1V
+
RL
circuito equivalente, para esto se
2.2k
v
gs
v
o
1k
RG
considera las capacitancias internas del
1kHz
10M
gmvgs
transistor como circuito abierto y se toma
vi
RS
en cuenta el efecto de los capacitores de
330
acople y desacople (C1, C2 y C3). Este
circuito se muestra en la figura 7.4.7.
C1

vi

C2

RD

vgs

2.2k

vo

-1/1V

RG

gmvgs

10M

1kHz

Figura 7.4.9

2.2uF

1uF

RS
330

RL
1k

C C2 RTH 2.2Fx3.2k 7.04ms


(7.59)
C 3 C3 RTH
2

C3

10uF

C C1RTH

(7.53)

(7.54)
Para calcular esta constante de tiempo en
el circuito de la figura 7.4.7 se deja el
capacitor C1 y se cortocircuita C2 y C3, y
1

C1

C2

C3

Figura 6.4.7

wL

Ya que la fuente de corriente se comporta


como un circuito abierto al apagar vi.
(7.58)
RTHC 2 RD RL 3.2k

Para calcular esta constante de tiempo en


el circuito de la figura 7.4.7 se deja el
capacitor C3 y se cortocircuita C1 y C2, y
a partir de este circuito (figura 7.4.10) se
calcula la resistencia de thvenin vista por
C3.

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-1/1V

RD

2.2k

vo

RG

1kHz

10M

vi

vg

gmvgs

RS

RL
1k

C3

330

10uF

Figura 7.4.10

C C3 RTH
3

(7.60)

C3

Para calcular RTHC 3 se abre las terminales


de C3 y se coloca una fuente de prueba y
vp
la RTHC 3
(7.61)
ip
Esto se muestra en la figura 7.4.11.

De la ecuacin (6.53) se obtiene:


1
1
1
wL

817.82rad / s
10 s 7.04ms 1.48ms
De la ecuacin (6.52):
817.82rad / s
FL
130.16 Hz
2
El resultado final se muestra en la figura
7.4.12.
|H(jw)|dB
Banda media

ABM=2.56

BW

115.75MHz

130.16Hz

Figura 7.4.12
+

vO

vgs

gmvgs

RD

RL

2.2k

1k

ip
+

RS

330

Ejemplo # 2.
Para el circuito mostrado en la figura 7.5,
calcule: a) ABM b) FH c) FL
Datos: IDSS = 12mA; VGS(off) = -4V;
Cgs = 12pF; Cgd=2pF.
VDD

vp

20V

Del circuito anterior se deduce:


vp
(7.62)
i i p g m v gs
RS
(7.63)
v gs v p
Sustituyendo la ecuacin (6.63) en la
ecuacin (7.62) se obtiene:
vp
(7.64)
i p gmv p
RS
Entonces:
vp
RS
1
1

RS //
(7.65)
1
i p 1 g m RS
gm
RS
gm
Sustituyendo valores en (7.65):
v
1
RTH C 3 p 330 //
148.14
ip
3.72mS
Entonces:
C 3 C3 RTHC 3 10Fx148.14 1.48ms

RD

C1

Figura 7.4.11

2.2k

Ri 1uF

6.8uF

-500m/500mV

RL

100k

10k

Rs

RG

1kHz

Vi

C2

10M

330

vo
-

C3

10uF
+

VEE

860

C4=

RE
Figura 7.5

-5V

Solucin:
a.- Anlisis DC

5V 0.7V
5mA (7.66)
860
V
(7.67)
I D I DSS (1 GS ) 2
VGS ( off )
I E1 I C 1 I D

Despejando VGS se obtiene:


ID
VGS VGS ( off ) (1
)
I DSS
Por tanto:

(7.68)

117

Felipe Paz Campos 2014


VGS 4V (1

5mA
) 1.42 V
12mA

(7.69)
VCE1 VC1 V E1
Sustituyendo valores:
VCE 1.42V (1.65V ) 0.7V 0.47V
(7.70)
VDS 20V I D xRD VS
Sustituyendo valores:
VDS 20V 5mA(2.2k) 1.42V 7.58V
El punto de operacin para el transistor J
es:
VDS 7.58V e I D 5mA
Para que el transistor funcione como
amplificador debe cumplir con la
siguiente condicin.
VDS 4V 1.42V 5.42V
Ya que, cumple con la condicin anterior
el transistor funciona como amplificador.
b.- Anlisis AC.
Dibujando el circuito para AC se
considera los capacitores de acople y
desacople como cortocircuitos, sin
sustituir el modelo del transistor para AC,
resulta el circuito de la figura 7.5.1.
RD
-1/1V

100k

vo

2.2k

RL
10k

Ri
RG

1kHz

10M

Vi

Figura 7.5.1

Sustituyendo el modelo del transistor para


AC considerando las capacitancias
internas del transistor como circuito
abierto, en el circuito anterior, figura
7.5.1 resulta el circuito de la figura 7.5.2.
100k

-1/1V

1kHz

Calculando los parmetros para AC:


2 I DSS
V
gm
(1 GS )
(7.71)
VGS ( off )
VGS ( off )
Sustituyendo valores en (7.71):
24mA
1.42V
gm
(1
) 3.87 mS
4V
4V
Calculando las variables solicitadas.
v
a) ABM o
(7.72)
vi
(7.73)
vo g mvgs RL '
Donde: RL ' RD // RL 1,803.28
vR
(7.74)
vgs i G
Ri RG
Por tanto sustituyendo (7.74) en (7.73) se
obtiene:
vO
RG
(7.75)
( g m RL ' )(
)
vi
RG Ri
Sustituyendo valore en (7.75):
vo
10 M
(3.87 mSx1,803.28)(
)
vi
10 M 100 k

vo
ABM 6.91
vi
w
b) FH H
(7.76)
2
Para el clculo de wH dibujaremos el
circuito equivalente. Este circuito
equivalente es el mismo que utilizamos
para calcular ABM agregando las
capacitancias internas del transistor. Este
circuito se muestra en la figura 7.5.3.

RG

Vgs

10M

RD

2.2k

vo

gmVgs

RL

10k
10k

Ri

-1/1V

Ri

Cgd

100k

RG

10M

1kHz

RD

Vgs
-

Vi

Vi

2.2k

Cgs gmVgs

RL

vo 10k
-

Figura 7.5.3
Figura 7.5.2

wH

gs

1
Cgd

(7.77)

118

Felipe Paz Campos 2014


C Cgs RTH
gs

(7.78)

Cgs

Ri

Para calcular esta constante de tiempo en


el circuito de la figura 7.5.3 se deja la
capacitancia Cgs y se abre la capacitancia
Cgd y a partir de este circuito (figura
7.5.4) se calcula la resistencia de thvenin
vista por Cgs.

Cgs

Figura 6.5.4

RTH Cgs Ri // RG 99k

(7.79)

De (6.78):
Cgs 99kx12 pF 1.188s

C Cgd RTH
gd

(7.80)

Cgd

Para calcular la constante de tiempo de la


ecuacin (7.80) en el circuito de la figura
7.5.3 se deja la capacitancia Cgd y se abre
la capacitancia Cgs y a partir de este
circuito (figura 7.5.5) se calcula la
resistencia de thvenin vista por Cgd,
Adems se apaga vi.
Ri
+

vgs
-

RL

gmvgs

Cgd Cgd RTH Para calcular RTH se


Cgd

abre las terminales de Cgd y se coloca una


fuente de prueba y la RTHCgd es:

RTH Cgd

vp

RL

gmvgs

Donde Ri ' Ri // RG 99k


(7.84)
Sustituyendo (7.83) en la ecuacin (7.82)
se obtiene:
i R 'v
(7.85)
i p g mi p Ri ' p i p 0
RL '
Entonces:
vp
(7.86)
Ri ' RL ' g m Ri ' RL '
ip
Sustituyendo valores:
vp
99k 1,803.28 3.87 mSx99kx1,803.28
ip
vp

791,694

Entonces de la ecuacin (6.80) se obtiene:


Cgd Cgd RTHCgd 2 pFx791,694 1.583s
Por tanto de la ecuacin (7.77) se obtiene
wH

C C
gs

Figura 7.5.5
Cgd

vgs
-

io

Figura 7.5.6

ip

Cgd

RG

RG

ip

Del la figura 7.5.6 se deduce:


v v
i p g mvgs io i p g m vgs gs p 0 (7.82)
RL '
(7.83)
vgs i p Ri '

Ri
RG

vp -

(7.81)
ip
El circuito para calcular la ecuacin
(7.81) se muestra en la figura 7.5.6.

gd

1
360.88krad / s
1.188s 1.583s

Para el clculo de FH se utiliza la


ecuacin (7.76):
w
360.88krad / s
FH H
57.44kHz
2
2
Nota: Otra forma de calcular wH es
usando el teorema de Miller.
Este teorema se explica a continuacin.

119

Felipe Paz Campos 2014


Teorema de Miller.
Cuando un FET es conectado en la
configuracin fuente comn, la
capacitancia Cgd aparece como un
elemento natural que retroalimenta la
seal de salida (en el drenador) hacia la
entrada (en la compuerta). Este efecto
ocasionado por Cgd complica el anlisis,
sin embargo, afortunadamente existe un
teorema de circuitos que nos permite
reemplazar el elemento de
retroalimentacin (Cgd en este caso) en
dos elementos conectados a tierra.
Este reemplazo no solamente simplifica el
anlisis sino que tambin vuelve ms
claro el efecto que Cgd tiene sobre la
respuesta a alta frecuencia del
amplificador. Este teorema de circuitos se
conoce como Teorema de Miller.
Para ilustrar el teorema consideremos la
situacin de la figura 7.5.7, en la que se
tiene un nodo 1 y un nodo 2 referidos a
tierra de una red particular, entre los
cuales se encuentra conectada una
admitancia Y, adems los nodos 1 y 2
pueden estar conectados mediante otros
componentes a otros nodos de la red.
Y
1

I1

I2

I1
Y1

2
Y2
I2

Figura 7.5.7

El teorema de miller brinda los medios


para reemplazar Y por dos admitancias:
Y1 entre el nodo 1 y tierra, y Y2 entre el
nodo 2 y tierra.
El teorema de miller es aplicable siempre
y cuando se conozca o pueda conocerse,
la relacin de voltajes entre el nodo 1 y el
nodo 2 denotado por K, en donde:
V
(7.87)
K 2
V1

Si se conoce K los valores de Y1 y Y2


pueden ser determinados a partir de:
(7.88)
Y1 Y (1 K )
1
Y2 Y (1 )
(7.89)
K
Calculando WH por Miller.
100k
100k

Ri

Cgd

RD

RG

2.2k

10M

Cgs

gmvgs

RL
10k

Figura 7.5.8

Aplicando Miller en la figura 7.5.8resulta


la figura 7.5.9.
Ri

vgs
Cgs Cgd1 gmvgs Cgd2

RL

Figura 7.5.9

De la figura 6.5.9:
(7.90)
Ri ' 100k // 10M 99k
(7.91)
RL ' 2.2k // 10k 1,803.28
(7.92)
Cgd1 Cgd (1 g m RL ' )
Sustituyendo valores en (7.92):
C gd1 2 pF (1 3.87 mSx1,803.28)
C gd1 15.96 pF

1
(7.93)
)
g m RL '
Sustituyendo valores en (7.93):
1
C gd 2 2 pF (1
)
3.87 mSx1,803.28
C gd 2 2.29 pF
C gd 2 C gd (1

(7.94)
CT Cgs Cgd1
Sustituyendo valores en (6.94):
CT 12 pF 15.96 pF 27.96 pF
(7.95)
CT CT RTH CT CT Ri '
Sustituyendo valores en (7.95):

120

Felipe Paz Campos 2014


C 27.96 pFx99k 2.768s
C Cgd 2 RTH Cgd 2 xRL '

Ri

C1

gd 2

Cgd 2

(7.96)

RG

Calculando wH:
1
wH
CT Cgd 2

RS

(7.97)

Sustituyendo valores en (7.97):


1
wH
360.733krad / s
2.768 s 4.13ns
De la ecuacin (7.76):
360.733krad / s
FH
57.413kHz
2
w
c) FL L
(7.98)
2
Para el clculo de w L dibujaremos el
circuito equivalente, para esto se
considera las capacitancias internas del
transistor como circuito abierto y se toma
en cuenta el efecto de los capacitores de
acople y desacople (C1, C2 y C3). Este
circuito se muestra en la figura 7.5.10.
Ri

C2

C1
+

vgs

RG

gmvgs

C3

Figura 7.5.10

wL

C C1RTH

(7.99)

(7.100)
Para calcular esta constante de tiempo en
el circuito de la figura 7.5.10 se deja el
capacitor C1 y se cortocircuita C2 y C3, y
a partir de este circuito (figura 7.5.11) se
calcula la resistencia de thvenin vista por
C1 .
1

C1

(7.101)
RTH C1 Ri RG
Sustituyendo valores en (7.101):
RTH C1 Ri RG 100k 10M 10.1M
De la ecuacin (7.100):
C1 C1RTHC1 1Fx10.1M 10.1s

C C2 RTH

(7.102)
Para calcular esta constante de tiempo en
el circuito de la figura 7.5.10 se deja el
capacitor C2 y se cortocircuita C1 y C3, y
a partir de este circuito (figura 7.5.12) se
calcula la resistencia de thvenin vista por
C2.
2

C2

C2

Ri
+

RD

vgs

RG

RL

gmvgs

RS

Figura 7.5.12

++

RS

Figura 7.5.11

RL

RD

gmvgs

Sustituyendo valores en (7.96):


Cgd 2 2.29 pFx1,803.28 4.13ns

RL

RD

vgs

(7.103)
RTH C 2 RD RL
Sustituyendo valores en (7.103):
RTHC 2 RD RL 2.2k 10k 12.2k
De la ecuacin (7.102) se obtiene:
C2 C2 RTHC 2 6.8Fx12.2k 82.96ms

C 3 C3 RTH 3

(7.104)
Para calcular esta constante de tiempo en
el circuito de la figura 7.5.10 se deja el
capacitor C3 y se cortocircuita C1 y C2, y
a partir de este circuito (figura 7.5.13) se
calcula la resistencia de thvenin vista por
C3.

121

Felipe Paz Campos 2014


C 3 C3 RTH 10Fx144.92 1.4492 ms

Ri

C3

RD

vgs

RG

RL

gmvgs

RS

C3

Figura 7.5.13

C C3 RTH Para calcular RTHC 3 se abre


3

C3

las terminales de C3 y se coloca una


fuente de prueba y la RTHC 3 es:
vp
(7.105)
RTHC 3
ip
El circuito para calcular la ecuacin
(7.105) se muestra en la figura 7.5.14.
Ri
+

RD

vgs

RG

RL

gmvgs
RS

+
ip

De la ecuacin (6.99) se obtiene:


wL

1
1
1

702.189 rad / s
10.1s 1.4492 ms 82.96ms

De la ecuacin (7.98):
702.189 rad / s
FL
111.76 Hz
2
El resultado final se muestra en la figura
7.5.15.
|H(jw)|dB
Banda media

ABM=6.91

BW

vp

De la figura 7.5.14.
vp
(7.106)
i i p g m v gs
RS
(7.107)
v gs v p
Sustituyendo (7.107) (7.106) se obtiene:
vp
(7.108)
i p gmv p
RS
Entonces:
vp
RS
1
1

RS //
(7.109)
1
i p 1 g m RS
gm
RS
gm
Sustituyendo valores en (7.109):
v
1
RTH C 3 p 330 //
144.92
ip
3.87 mS
Entonces de (7.104) se obtiene:

Ejemplo # 3.
Para el circuito mostrado en la figura 7.6,
calcule: a) ABM b) FH c) FL
Datos: = 180 y rb = 100.
C = 33pF y C=2.7pF.

Figura 7.5.14

57.44MHz

111.76Hz

Figura 7.5.15

15k

Vi

Ri

R1

1k 1uF

-1/1V

C1
1kHz

R2

3.9k

RC

12V

2.2k 4.7uF

+
VCE
-

RE

1k

RL +
vo 18k
-

10uF

Figura 7.6

Solucin:
a.- Anlisis DC
12Vx 3.9k
VTH
2.48V
(7.110)
15k 3.9k
3.9kx15k
RTH
3.1k
(7.111)
3.9k 15k
2.48V 0.7V
(7.112)
IE
1.75mA
3.1k
1k
181
12V I C x2.2k VCE I E x1k (7.113)
VCE 12V 1.75mA(2.2k 1k) 6.4V

122

Felipe Paz Campos 2014


El punto de operacin para el transistor
es:
VCE= 6.4V e IE = 1.75mA
El transistor est funcionando en la zona
activa.
b.- Anlisis AC.
Dibujando el circuito para AC, sin
sustituir el modelo del transistor para AC,
resulta el circuito de la figura 7.6.1.
RS

vi

-1/1V

2.2k

vO
RL

RC

1k

1kHz

10k
-

RTH

3.1k

Figura 7.6.1

Sustituyendo el modelo del transistor para


AC, en el circuito de la figura 7.6.1,
resulta el circuito mostrado en la figura
7.6.2.
Ri

1kHz

RB v

vi

r
-

RC
gmv

RL

vo
75.65
vi
w
b) FH H
(7.122)
2
Para el clculo de wH dibujaremos el
circuito equivalente. Este circuito
equivalente es el mismo que utilizamos
para calcular ABM agregando las
capacitancias internas del transistor. Este
circuito se muestra en la figura 7.6.3.
Ri

vi r
)
rb r

rb
+

RTH

RL

RC

r v

gmv

vO
Figura 7.6.3

wH

Calculando los parmetros para AC:


26mV 26mV
re

14.86 (7.114)
IE
1.75mA
(7.115)
r ( 1)re
Sustituyendo valores en (7.15):
r ( 1)re 181x14.86 2,689.66
1
1
gm
67.295mS
(7.116)
re 14.85
v
a) ABM o
(7.117)
vi
vo g m v RL '
(7.118)

v (

vo 67.295 Sx 1.96x2,689.66
1,468.33
(
)(
)
vi
100 2,689.66
1,468.33 1k

Figura 7.6.2

(7.120)

Donde RL ' RC // RL 1.96k


(6.121)
R' RTH //( rb r ) 1,468.33
Sustituyendo valores en (7.120):

rb

-1/1V

vi

vo g m RL ' r
R'
(
)(
)
vi
rb r
R' Ri

1
C

(7.123)

C C RTH

(7.124)
Para calcular esta constante de tiempo en
el circuito de la figura 7.6.3 se deja la
capacitancia C y se abre la capacitancia
C y a partir de este circuito (figura 7.4.4)
se calcula la resistencia de thvenin vista
por C.
C

rb

Ri

RTH

(7.119)
Figura 7.6.4

123

Felipe Paz Campos 2014


RTH C ( Ri // RTH rb ) // r 649.399 (7.125)
De la ecuacin (7.124):
C 649.399x33 pF 21.43ns

C C RTH

(7.126)

Para calcular esta constante de tiempo en


el circuito de la figura 7.6.3 se deja la
capacitancia C y se abre la capacitancia
C y a partir de este circuito (figura 7.6.5)
se calcula la resistencia de thvenin vista
por C, Adems se apaga vi.
C

rb
Ri

RTH

RL

gmv

C C RTH Para calcular RTH se abre


C

las terminales de C y se coloca una


fuente de prueba y la RTH C es:

vp

(7.127)

ip
Para calcular esta resistencia se utiliza el
circuito de la figura 7.6.6.
+

rb
Ri
RTH

vp
ip

v
-

RL '

(7.131)

vp
ip

649.399 1.96k 67.295 Sx649.399 x1.96


88.26k

De la ecuacin (7.126):
C C RTHC 2.7 pFx88.26 238.33ns
Calculando wH de la ecuacin (6.123):
C

1
1

3.85Mrad / s
C gd 238.33ns 21.43ns

gs

Por lo tanto de la ecuacin (7.122):


w
3.8Mkrad / s
FH H
612.75kHz
2
2
Calculando WH por Miller.
Aplicando Miller a la figura 7.6.3 se
obtiene la figura 7.6.7
Ri

RL

v
C

vp -

ip

i p Ri 'v p

Entonces:
vp
Ri ' RL ' g m Ri ' RL '
ip
Sustituyendo valores:

wH

Figura 7.6.5

RTH C

i p g mi p Ri '

C1

gmv

C2

iO
RL

Figura 7.6.7

gmv

wH
Figura 7.6.6

De la figura 7.6.6 de deduce:


v v
i p g mv io i p g mv p 0 (7.128)
RL '
(7.129)
v i p Ri '
Donde:
Ri ' ( Ri // RTH rb ) // r 649.399 (7.130)
Sustituyendo v en la ecuacin (7.130) se
obtiene:

1
C 2

(7.132)

(7.133)
Ri ' 649.399
RL ' 1.96k
(7.134)
(7.135)
C1 C (1 g m RL ' )
Sustituyendo valores en (6.135)
C1 2.7 pF (1 67.295mSx1.96k)
C1 358.83 pF

1
)
g m RL '
Sustituyendo valores en (6.136)
C 2 C (1

(7.136)

124

Felipe Paz Campos 2014


C 2 2.7 pF (1

1
)
67.295mSx1.96k

C 2 2.72 pF

(7.137)
CT C C1
Sustituyendo valores en (7.137):
CT 358.83 pF 33 pF 391.83 pF
(7.138)
CT CT RTH CT CT Ri '
Sustituyendo valores en (7.138):
CT 391.83 pFx649.399 254.4ns
(7.139)
C 2 C 2 RTH C 2 C 2 xRL '
Sustituyendo valores en (7.139):
C 2 2.72 pFx1.96 5.3312ns

wH 3.85Mrad / s
De la ecuacin (7.122):
3.85Mrad / s
FH
612.75kHz
2
w
c) FL L
(7.140)
2
Para el clculo de wL dibujaremos el
circuito equivalente, para esto se
considera las capacitancias internas del
transistor como circuito abierto y se toma
en cuenta el efecto de los capacitores de
acople y desacople (C1, C2 y C3). Este
circuito se muestra en la figura 7.6.8.
C1

C2

rb
+

C C1RTH
1

C1

r -v

RTH

RL

RC

gmv
RE

(7.143)
RTH C1 Ri RTH //( rb r )
Sustituyendo valores:
RTH C1 1k (3.1k // 2,789.66) 2,468.33
De la ecuacin (7.142) se obtiene:
C1 C1RTHC1 1Fx2,468.33 2.468ms

C C2 RTH

(7.144)
Para calcular esta constante de tiempo en
el circuito de la figura 7.6.8 se deja el
capacitor C2 y se cortocircuita C1 y C3, y
a partir de este circuito (figura 7.6.10) se
calcula la resistencia de thvenin vista por
C2.
2

Ri

C2

C2

rb
+

RTH

r -v

RC

RL

gmv
RE

Figura 7.6.10
+

C3

Figura 7.6.8

gmv
RE

wL

rb

RL

RC

v
r -

RTH

Ri C1

Figura 7.6.9

Calculando wH de la ecuacin (7.132):


1
1
wH

CT C 2 254.45ns 5.3312 ns

Ri

Para calcular esta constante de tiempo en


el circuito de la figura7.6.8 se deja el
capacitor C1 y se cortocircuita C2 y C3, y
a partir de este circuito (figura 7.6.9) se
calcula la resistencia de thvenin vista por
C1 .

(7.141)

(7.142)

(7.145)
RTH C 2 RC RL
Sustituyendo valores:
RTHC 2 RC RL 2.2k 18k 20.2k
De la ecuacin (7.144) se obtiene:
C2 C2 RTHC 2 4.7Fx20.2k 94.94ms

C 3 C3 RTHC 3

(7.145)

125

Felipe Paz Campos 2014


Para calcular esta constante de tiempo en
el circuito de la figura7.6.8 se deja el
capacitor C3 y se cortocircuita C1 y C2, y
a partir de este circuito (figura 7.6.11) se
calcula la resistencia de thvenin vista por
C3.
Ri

rb
+

RC

r -

RTH

RL

gmv

Figura 7.6.11

C C3 RTH Para calcular RTHC 3 se abre


C3

las terminales de C3 y se coloca una


fuente de prueba y la RTHC 3 es:

RTHC 3

Ri

rb
+

RC

v
r -

RTH

RL

vp

ip

El circuito de la figura 7.6.12 se puede


redibujar, figura 7.6.13.
ib
RC

RL

Ri` -

ip

1
Ri `// RE // re
1
1 1

Ri ` RE re

RTH C 3 649.399 // 1k // 14.86 14.32

De la ecuacin (7.145):
C3 C3 RTHC 3 10Fx14.32 0.1432 ms
De la ecuacin (7.141) se obtiene:
1
1
1
wL

1
1
1

0.1432 ms 2.468ms 94.94ms


wL 7,398.96rad / s
De (7.140) resulta:
7,398.96rad / s
FL
1,177.58 Hz
2
El resultado final se muestra en la figura
7.6.14.
|H(jw)|dB

gmv

Banda media

ABM=75.65

RE

(7.152)
RE
Sustituyendo (6.153), (6.151) y (6.150) en
(7.149) se obtiene:
vp
v
i p g m ( v p ) ( p )
RE
Ri `

wL

Figura 7.6.12

(7.150)
(7.151)

(7.149)

v
Ri `
vp

gmv

RE

ib

ip

(7.146)
ip
Para realizar el clculo de la ecuacin
(7.146) se utiliza el circuito de la figura
7.6.12.

(7.148)

ip

v v p

vp

vp

vp

i i p g mv ib

C3

RE

RTH C 3

vp

BW

Figura 7.6.13
0

Ri ` ( Ri // RTH ) rb // r

(7.147)

1,177.58Hz

612.75kHz

Figura 7.6.14

126

Felipe Paz Campos 2014


Ejemplo #4.
Para el circuito mostrado en la figura 7.7,
calcule: a) ABM b) FH c) FL.
Datos: = 200, rb = 0, C1 = 15pF,
C1=2pF, C2 = 33pF y C2=2.7pF.

RC

R1

C2

Q1

1uF

R2

10uF

12V

1.8k

C3

10uF

Q2

1k

RE1

RL
vo 10k

1k

vi -

RS

1kHz

5.3k

-1/1V

Figura 7.7

Solucin:
a.- Anlisis DC
Circuito para DC, figura 7.7.1.
RC +
I
V1

R1

1k

IE2

VCC

RE2

12V

1.8k

2.2k

IB2
Q1

IE1

Q2

RL
10k

R2
1k

(7.156)

VTH VBE
(7.157)
RTH
RE 1
1
Sustituyendo valores en (6.157):
V VBE
6V 0.7V
I E1 TH

1mA
RTH
0.5k
RE 1
5.3k
1
200 1
I E1

VCC

2.2k

1k

C1

RE2

I E1
R VBE I E1RE1
1 TH
Despejando I E1 se obtiene:

VTH

RE1
5.3k

Figura 7.7.1

Aplicando Thvenin entre la base de Q1 y


el punto comn en la figura 7.7.1.
R xV
(1k)(12V )
VTH 2 CC
6V (7.153)
R1 R2
1k 1k
R xR
(1k)(1k)
RTH 2 1
0.5k (7.154)
R1 R2 1k 1k
(7.155)
VTH I B1RTH VBE I E1RE1
I
Sustituyendo I B1 E1 en la ecuacin
1
(7.155) se obtiene:

Aplicando LKV en malla que involucra


VCE1 y con un valor de IB2 despreciable
se obtiene:
(7.158)
VCC IRC VCE1 I E1RE1
Con I = IE1 resulta:
(7.159)
VCE1 VCC I E1 ( RC RE1 )
Sustituyendo valores en (7.159):
VCE 1 12V 1mA(7.5k) 4.5V
El punto de operacin para Q1 es:
VCE1 = 4.5V e IE1 = 1mA.
El transistor est funcionando en la zona
activa, comportndose como un
amplificador.
Para la segunda etapa se obtiene:
V1 IxRC 1mA(2.2k) 2.2V (7.160)
2.2V 0.7V
IE2
0.833mA (7.161)
1.8k
VEC 2 12V 0.833mA(11.8k) 2.2V (7.162)
Entonces: VCE2 = -2.2V.
El punto de operacin para Q2 es:
VCE2 = -2.2V e IE2 = 0.833mA.
El transistor est funcionando en la zona
activa, comportndose como un
amplificador.
b.- Anlisis AC.
Dibujando el circuito para AC, sin
sustituir el modelo del transistor para AC,
resulta el circuito de la figura7.7.2.

127

Felipe Paz Campos 2014


Para el clculo de la ecuacin (7.169) se
puede realizar calculando las ganancias
por etapas y el producto de estas
ganancias es la ganancia esperada,
ecuacin (7.170).
v
v v v'
(7.170)
ABM o ( o )( o1 )( i )
vi
vo1 vi ' vi
(7.171)
vo g m 2v 2 xRL

RC

2.2k
Q2
Q1

RS

1k

vo
-

RE1

RL

10k

vi

1kHz

5.3k

Figura 7.7.2

Sustituyendo el modelo del transistor para


AC, en el circuito anterior, figura 7.7.2
resulta el circuito de la figura 7.7.3.
rb

rb
+

+
v1 r1

gm1v1 -

vi
-

vO1 RC v2

RS
RE1

vi

r2

vO1 xr 2
(7.172)
rb r 2
Sustituyendo la ecuacin (7.172) en
(7.171) se obtiene:
vo
r
(7.173)
g m 2 RL ( 2 )
vo1
rb r 2
Sustituyendo g m 2 r 2 1 en la
ecuacin (7.173) y dividiendo numerador
y denominador por este mismo factor se
obtiene:
v 2

-1/1V

RL

vo

gm2V2 -

1kHz
-1/1V

Figura 6.7.3

Calculando los parmetros para AC:


26mV 26mV
(7.163)
re1

26
I E1
1mA
26mV
26mV
re 2

31.21 (7.164)
I E2
0.833mA
(7.165)
r 1 ( 1)re1
Sustituyendo valores en (7.165):
r 1 ( 1)re1 201x26 5,226
(7.166)
r 2 ( 1)re 2
Sustituyendo valores en (7.166):
r 2 ( 1)re 2 201x31.21 6,273.21
1
1
(7.167)
g m1

38.46mS
re1 26
1
1
g m2

32.04mS (7.168)
re 2 31.21
Calculando las variables solicitadas.
v
a) ABM o
(7.169)
vi

vo

v o1

RL

(7.174)

rb
r
1 e2

Sustituyendo valores en (7.174):


vo
10 k

320 .41
0
vo1
31.21
201

(7.175)
vo1 g m1v 1 xRC //( rb r 2 )
vi ' xr 1
(7.176)
v 1
rb r 1
Sustituyendo (7.176) en (7.175) se
obtiene:
vo1
r
g m1 RC //( rb r 2 ) ( 1 ) (7.177)
vi '
rb r 1
Sustituyendo g m1r 1 1 en la
ecuacin (7.177) y dividiendo numerador
y denominador por este mismo factor se
obtiene:

R //( rb r 2 )
vo1
C
rb
vi '
r
1 e1

(7.178)

Sustituyendo valores en (7.178):

128

Felipe Paz Campos 2014


C C 1RTH

vo1 2.2k //( 0 6,273.21)

0
vi '
26
201
vo1 1,628.79

62.646
vi '
26
r r

vi x RE1 //( b 1 )
1

vi '
(7.179)
rb r 1

RE1 //( 1 ) RS

rb r 1
RE1 //(
)
vi '
1
(7.180)

vi
rb r 1
RE1 //( 1 ) RS

Sustituyendo valores en (7.180):


vi '
25.873

25.22m
vi 25.873 1k
Sustituyendo valores en la ecuacin
(7.169) se obtiene:
vo
(320.41)(62.646)(25.22m) 506.23
vi
v
ABM o 506.23
vi
w
b) FH H
(7.181)
2
Para el clculo de wH dibujaremos el
circuito equivalente. Este circuito
equivalente es el mismo que utilizamos
para calcular ABM agregando las
capacitancias internas de los transistores.
Este circuito se muestra en la figura 7.7.4.
C1

rb

rb

v1 +

r1 C1

gm1v1

RE1 Rs

RC +

v2 r
C
- 2 2

gm2v2

RL

vi

C1

Figura 7.7.5

(7.184)
RTH C 1 RE1 // Rs // re1
Sustituyendo valores en (7.184):
RTH C 1 RE1 // Rs // re1 5.3k // 1k // 26
RTH C 1 25.22
De la ecuacin (7.183):
C 1 25.22x15 pF 0.3783ns

C C1RTH
1

(7.185)

C 1

Para calcular esta constante de tiempo en


el circuito de la figura 7.7.4 se deja la
capacitancia C1 y se abre la capacitancia
C1, C2 y C2 y a partir de este circuito
(figura 7.7.6) se calcula la resistencia de
thvenin vista por C1, Adems se apaga
vi.
rb
RC
gm1v1

C1

r2

Figura 7.7.6

RTH C1 RC //( rb r 2 )

(7.186)

RTH C 1 1,628.79

Figura 7.7.4

C C

re1

RE1

Sustituyendo valores en (6.186):


RTH C 1 RC //( rb r 2 ) 2.2k // 6,273.21

1kHz

1
C 1 C 2

Rs

C 1

C2

-1/1V

wH

(7.183)
Para calcular esta constante de tiempo en
el circuito de la figura 7.7.4 se deja la
capacitancia C1 y se abren las
capacitancias C2 , C1 y C2 y a partir de
este circuito (figura 7.7.5) se calcula la
resistencia de thvenin vista por C1.
1

De la ecuacin (7.185) se obtiene:


(7.182)

129

Felipe Paz Campos 2014


C C1RTH 2 pFx1,628.79 3.2576ns
1

C 1

C C 2 RTH

(7.187)
2
C 2
Para calcular esta constante de tiempo en
el circuito de la figura 7.7.4 se deja la
capacitancia C2 y se abren las
capacitancias C1 , C1 y C2 y a partir de
este circuito (figura 7.7.7) se calcula la
resistencia de thvenin vista por C2.
rb

RTH C 2

vp

(7.191)
ip
El circuito para realizar el clculo de la
ecuacin (7.191) se muestra en la figura
7.7.9.
ip

Ri

io

vp -

gm2v2

v2

RL

RC

C2

r2

Figura 7.7.9

RTH C 2
Figura 7.7.7

(7.188)
RTHC 2 ( RC rb ) // r 2
Sustituyendo valores en (7.188):
RTHC 2 (2.2k 0) // 6,273.21 1,628.79
De la ecuacin (7.187) se obtiene:
C 2 1,628.79x33 pF 53.75ns

C C 2 RTH
2

C 2

(7.189)

Para calcular esta constante de tiempo en


el circuito de la figura 7.7.4 se deja la
capacitancia C2 y se abre la capacitancia
C1, C2 y C1 y a partir de este circuito
(figura 7.7.8) se calcula la resistencia de
thvenin vista por C2, Adems se apaga
vi.
rb
RC

v2

r2

gm2v2

RL

Figura 7.7.8

C 2 C 2 RTH

C 2

(7.190)

Para calcular RTHC 2 se abre las terminales

(7.192)

ip

i p g m 2v 2 io i p g m 2v 2

v 2 v p
RL

0 (7.193)

(7.194)
v 2 i p Ri '
Donde:
Ri ' ( RC rb ) // r 2 1,628.79 (7.195)
Sustituyendo (7.194) en la ecuacin
(7.193) se obtiene:
i R 'v
i p g m 2i p Ri ' p i p 0 Entonces:
RL
vp
(7.196)
Ri ' RL g m 2 Ri ' RL
ip
Sustituyendo valores:
vp
ip

vp

1,628.79 10k 32.04mSx1,628.79x10k

vp

533.49k
ip
De la ecuacin (7.190) se obtiene:
C 2 C 2 RTHC 2 2.7 pFx533.49k 1,440ns
Calculando wH de la ecuacin (7.182):
1
wH
C 1 C 2 C 1 C 2

de C2 y se coloca una fuente de prueba y


la RTHC 2 es:

130

Felipe Paz Campos 2014


1
0.3783ns 53.75ns 3.2576 ns 1,440 ns
wH 667.83krad / s
Por lo tanto de (7.181) se obtiene:
w
667.83krad / s
FH H
106.29kHz
2
2
w
c) FL L
(7.197)
2
Para el clculo de wL dibujaremos el
circuito equivalente, para esto se
considera las capacitancias internas del
transistor como circuito abierto y se toma
en cuenta el efecto de los capacitores de
acople y desacople (C1, C2 y C3). Este
circuito se muestra en la figura 7.7.10.
wH

rb

rb
v1 +

r1

C1

RC

v2+

gm1v1

R
RE1C2 s

RTH

r2
gm2v2

RE2

RL

C3

Figura 7.7.10

wL

C C1RTH

(7.198)

C1

+
-

RC

r1

gm1v1

C1
RTH

+
v1
-

r1

RTH

v2

r2

Rs

RE1

RC

v2+

gm1v1

RE1 C2

Rs

r2

gm2v2

RL

RE2

Figura 7.7.12

RTH C 2 RS ( R E1 //

r 1
)
1

(7.202)

Introduciendo valores en (7.202):


r
RTH C 2 RS ( RE1 // 1 ) 1k (5.3k // 26)
1
RTH C 2 1,025.87
De la ecuacin (7.201) se obtiene:
C2 C2 RTHC 2 1Fx1025.87 1.026ms
(7.203)
Para calcular esta constante de tiempo en
el circuito de la figura 7.7.10 se deja el
capacitor C3 y se cortocircuita C1 y C2, y
a partir de este circuito (figura 7.7.13) se
calcula la resistencia de thvenin vista por
C3.
rb

rb
+
v1
-

r1

rb

rb
v1

rb

rb

C 3 C3 RTH 3

(7.199)
Para calcular esta constante de tiempo en
el circuito de la figura 7.7.10 se deja el
capacitor C1 y se cortocircuita C2 y C3, y
a partir de este circuito (figura 7.7.11) se
calcula la resistencia de thvenin vista por
C1 .
1

Para calcular esta constante de tiempo en


el circuito de la figura 7.7.10 se deja el
capacitor C2 y se cortocircuita C1 y C3, y
a partir de este circuito (figura 7.7.12) se
calcula la resistencia de thvenin vista por
C2.

gm2v2

RL

RTH

Figura 7.7.11

v2+

gm1v1

Rs

r2
gm2v2
RE2

RL

C3

Figura 7.7.13

RTH C 3 (

RE2

RE1

RC

Rc rb r 2
) // RE 2
1

(7.204)

Introduciendo valores en (7.204):

2.2k 6,273.21
) // 1.8k 41.19
201

RTHC1 RTH //rb r 1 ( 1)(RE1 // Rs ) (7.200)

RTH C 3 (

De la ecuacin (7.199) resulta:


C1 C1RTHC1 10Fx498.57 4.9857 ms

De la ecuacin (7.203) se obtiene:


C3 C3 RTHC 3 10Fx41.19 0.4119ms

C C2 RTH
2

C2

(7.201)

131

Felipe Paz Campos 2014


De la ecuacin (7.198) se obtiene:

20V

1
1
1
wL

3,603rad / s
1.026 ms 4.9857 ms 0.4119 ms

De la ecuacin (7.197):
3,603rad / s
FL
573.44 Hz
2
El resultado final se muestra en la figura
7.7.14.

RD

vi

Ri

C1

C3
6.8uF

2.2k

100k 1uF
1kHz

RG
10M

Rs
330

10uF

C4=

2.2k

RE

2.2k

R1

Banda media

106.29kHz

573.44Hz

-5V

Figura P7.2

BW

Figura 7.7.14

7.3 Para el circuito mostrado en la figura


P7.3, calcule: a) ABM b) FH c) FL
Datos: IDSS = 10mA; VGS(off) = -2.5V;
Cgs = 10pF; Cgd=2pF.
VDD

18V

PROBLEMAS

RG1

7.1 Para el circuito mostrado en la figura


P7.1, calcule: a) ABM b) FH c) FL
Datos: IDSS = 10mA; VGS(off) = -2.5V;
Cgs = 10pF; Cgd=2pF.

vi
-1/1V

C1

Ri 1uF

1M

C2

10k

RG2

1kHz

1M

+
RS 1uF v RL
o 1.2k
1.2k
-

VDD
20V

RD

1kHz

C2

2.2k

ABM=506.23

vi

vo

10k

R2

|H(jw)|dB

-1/1V

RL

-500m/500mV

Ri

Figura P7.3
C2

1.8k 2.2uF

C1
1uF

100k

RG

10M

Rs

+
RL
vo 18k
-

7.4 Para el circuito mostrado en la figura


P7.4, calcule: a) ABM b) FH c) FL.
Datos: = 200, rb = 100, C = 15pF,
C=2pF.

C3

RC

330 10uF

Figura P7.1

7.2 Para el circuito mostrado en la figura


P7.2, calcule: a) ABM b) FH c) FL
Datos: IDSS = 10mA; VGS(off) = -2.5V;
Cgs = 10pF; Cgd=2pF.

vi

C1
Ri 1uF

R1

12V

1k

L
vo R
2.2k

-1/1V

1k
1kHz

C3

2.2k 2.2uF

R2

1k

RE
5.6k

C2

10uF

Figura P7.4

7.5 Para el circuito mostrado en la figura


P7.5, calcule: a) ABM b) FH c) FL.
Datos: = 200, rb =100, C = 15pF,
C=2pF.

132

Felipe Paz Campos 2014


12V

R1

vi
-1/1V

Ri

RC

R1

1k

C1

1k 1uF

R2

RE

1k

5.6k

vo

Q1

C1
RL

2.2k
100uF

7.6 Para el circuito mostrado en la figura


P7.6, calcule: a) ABM b) FH c) FL.
Datos: = 200, rb = 0, C = 15pF,
C=2pF.

C2

1uF

R2
1k

Figura P7.5

12V

1.8k

C3

6.8uF

Q2

2.2uF

1kHz

VCC

2.2k

1k

C2

RE2

RE1
5.3k

1k
RS

vo
vi -

RL

8.2k

1kHz

-1/1V

Figura P7.8

12V

C3

RC
2.2k

R1
1k

2.2uF
+

Q1

C2
10uF

R2

C 1 Ri

1uF

1k

RL
2.2k

vi

RE

1k

vo

1kHz

5.6k

-1/1V

Figura p7.6

7.7 Para el circuito mostrado en la figura


p7.7, calcule: a) ABM b) FH c) FL.
Datos: = 200, rb = 0, C1 = 15pF,
C1=2pF, C2 = 33pF y C2=2.7pF.
12V

RC

R1

C3

2.2k 2.2uF

1k
+

Q2

C4

vi
-1/1V

1kHz

10uF

C1

RL
2.2k

1k

Ri 1uF
1k

vo

R2
Q1

R3

2.2k

RE

5.6k

C2
10uF

Figura P7.7

7.8 Para el circuito mostrado en la figura


P7.8, calcule: a) ABM b) FH c) FL.
Datos: = 200, rb =0, C1 = 10pF,
C1=2pF, C2 = 33pF y C2=2.5pF.

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