Electrnica Aplicada III

Trabajo practico Clase C

UTN-FRBA
10 de octubre de 2013

Ejercicio 1
El circuito de la figura corresponde a un mosfet trabajando como amplificador en clase C, con las siguientes caractersticas:

Figura 1: Circuito 1
El angulo de circulacin de corriente de drain = 120o .
La tensin de excitacin en gate es absolutamente senoidal.
El Q cargado de ambos tanques (Gate y Drain) es de 10. El Qo de las bobinas de 300.
La frecuencia de trabajo es 10 M Hz
RL = 50
Rg = 1000
V S = 1 V ef f
Symbol
V(BR)DSS
VGS
ID
V(min)DS

Parameter
Drain source voltage
Gate source voltage
Drain current
Drain source voltage min.

Value
100
100
10
10

Cuadro 1: Absolute maximum ratings

Unit
V
V
A
V

Figura 2:
Determinar:
A)
B)
C)
D)
E)
F)
G)
H)
I)

VGG y Vg ( valor pico de la componente alterna de la excitacin)

Ido , Id1 , Id2 e Id3 .
Pdc
PM OSF ET
PRL
L2, C1, n1 y n2 (relacin de vueltas del transformador de entrada)
L4, C2, n3 y n4 (relacin de vueltas del transformador de salida)
Relacion de 2 y 3 armonica sobre la carga
Determinar la potencia entregada por el generador de seal

Ejercicio 2
El amplificador push pull de la figura opera en clase C segn los siguientes valores:
VDD = 110 V (dc)
VGG = -5 V (dc)
Vg = 15V. cos(wo .t)
fo = 1 MHz
El tanque de salida formado por L y C est sintonizado a 1 MHz
Trafo de entrada sin prdidas
Trafo de salida Qo = , Q= 10

Figura 3: Circuito 2

Symbol
V(BR)DSS
VGS
ID
V(min)DS

Parameter
Drain source voltage
Gate source voltage
Drain current
Drain source voltage min.

Value
250
100
10
10

Cuadro 2: Absolute maximum ratings

Figura 4:
Para mxima potencia de salida sin recorte de envolvente determinar:
A)
B)
C)
D)
E)
F)
G)

Id0 , Id1 (de cada mosfet)

Id2 , Id3 (de cada mosfet)
Po (potencia total de salida en fundamental sobre RL)
N2/N1, L, C
Pototencia disipada en cada mosfet
Po (2 MHz): potencia total de segunda armnica disipada en RL
Po (3 MHz): potencia total de tercera armnica disipada en RL

Ejercicio 3
El amplificador clase B de la figura est excitado por una portadora modulada en AM.

Figura 5: Circuito 3
Vg = 5 . (1 + m . cos(wm .t)) . cos(wo .t) [V ]
fo = 1M Hz fm = 1KHz m = 0,8
El Q cargado de ambos tanques (Gate y Drain) es de 10. El Qo de las bobinas es infinito.
3

Unit
V
V
A
V

Symbol
V(BR)DSS
VGS
ID
V(min)DS

Parameter
Drain source voltage
Gate source voltage
Drain current
Drain source voltage min.

Value
150
100
10
10

Unit
V
V
A
V

Cuadro 3: Absolute maximum ratings

Figura 6:
Para mxima excursin de tensin a la salida determinar:
A)
B)
C)
D)
E)
F)
G)
H)

RL, L, C
PEP (Potencia pico de envolvente sobre RL)
Pc (potencia de carrier sobre RL)
Rendimiento
V
Vvalle
mo Indice de modulacin a la salida mo = Vpico
pico +Vvalle
Po (1001) (Potencia sobre RL en 1001 KHz)
Po (1002) (Potencia sobre RL en 1002 KHz)
Po (1003) (Potencia sobre RL en 1003 KHz)

Ejercicio 4
Dado el amplificador Clase C de la figura que opera en onda continua (CW), fo = 10M Hz, disear para que la potencia de
portadora sobre RL sea 100 Watts con un rendimiento de 80

Figura 7: Circuito 4
El Q cargado de ambos tanques (Gate y Drain) es de 15. El Qo de las bobinas es infinito.
Rg = 1000
4

Symbol
V(BR)DSS
VGS
ID
V(min)DS

Parameter
Drain source voltage
Gate source voltage
Drain current
Drain source voltage min.

Value
150
100
10
10

Unit
V
V
A
V

Cuadro 4: Absolute maximum ratings

Figura 8:
Determinar:
A)
B)
C)
D)
E)
F)

RL y ngulo de conduccin en condicin de pico, carrier y valle

L, C
Potencia entregada por la fuente
Pc (potencia de carrier sobre RL)
PM OSF ET
Po (2armonica)

Ejercicio 5
Dado el amplificador Clase B de la figura disear para mxima excursin de salida sin recorte de envolvente:

Figura 9: Circuito 5
Vg = 7 . (1 + Vmod (t))) . cos(wo .t) [V ]
fo = 1M Hz
fm = 1KHz
L1=L2

L3=L4
Qo infinito (ambos)
Q= 10 (salida)
Symbol
V(BR)DSS
VGS
ID
V(min)DS

Parameter
Drain source voltage
Gate source voltage
Drain current
Drain source voltage min.

Value
150
100
10
10

Unit
V
V
A
V

Cuadro 5: Absolute maximum ratings

Figura 10:
Dada la seal cuadrada:

Figura 11: Seal cuadrada

A)
B)
C)
D)
E)
F)
G)
H)

RL, L, C
PEP: Potencia pico de envolvente sobre RL
Pocarrier : Potencia de Portadora sobre RL
Poprom : Potencia que se disipa sobre RL
PV DD : Potencia de continua entregada por la fuente
PM OSF ET : Potencia disipada en el Mosfet
Rendimiento.
Dibujar lo que muestra un osciloscopio (Acoplamiento DC) conectado en el drain del Mosfet indicando puntos singulares
(Tensiones mximas y mnimas, perodos)
I) Dibujar lo que muestra un analizador de espectro conectado en el drain del Mosfet barriendo en frecuencia desde 994 Khz
hasta 1006 Khz. Respetar los tamaos relativos de las seales e indicar en que frecuencia est cada una de ellas.
Suponga ahora que la seal Vmod se modifica a una seal triangular.

Figura 12: Seal Triangular

I.1)
I.2)
I.3)
I.4)
I.5)
I.6)

Calcular PEP: Potencia pico de envolvente sobre RL

Pocarrier: Potencia de Portadora sobre RL
Poprom: Potencia que se disipa sobre RL
Pdc: Potencia de continua entregada por la fuente
Pdis: Potencia disipada en el Mosfet
Dibujar lo que muestra un osciloscopio (Acoplamiento DC) conectado en el drain del Mosfet indicando puntos
singulares (Tensiones mximas y mnimas, perodos)
I.7) Dibujar lo que muestra un analizador de espectro conectado en el drain del Mosfet barriendo en frecuencia desde 994
Khz hasta 1006 Khz. Respetar los tamaos relativos de las seales e indicar en que frecuencia est cada una de ellas.
NOTA: Considerando el ancho de banda del tanque puede suponerse que el mismo no altera el contenido armnico de la
envolvente.

Ejercicio 6
El amplificador de la figura trabaja en clase B. La caracterstica de transferencia del Mosfet est dada por:

Figura 13: Circuito 6

Con id en Amperes y Vgs en Volts
El Tanque PI de salida (Cd, Cc y L) transforma RL en Rc reflejada al Drain.
La salida est sintonizada a la frecuencia de la seal Vs y la carga que ve el Drain es Zc= Rc + j0
El Tanque PI opera con Q=10 y Qo=infinito
El Choque de Gate, CHg es un circuito abierto para todas las frecuencias de inters
El Choque de Drain, CHd es un circuito abierto para RF
El Capacitor de Paso Ca es un cortocircuito para todas las frecuencias de inters

Symbol
V(BR)DSS
VGS
ID
V(min)DS

Parameter
Drain source voltage
Gate source voltage
Drain current
Drain source voltage min.

Value
250
12
10
12

Unit
V
V
A
V

Cuadro 6: Absolute maximum ratings

Figura 14:
Se definen como componentes de intermodulacin (IDM) de 3er orden las que se encuentran en frecuencias:
|2(f1 f2 )| y |2(f2 f1 )|
NOTA: Dentro de los parntesis se desprecian los signos mas, ya que dichas componentes son eliminadas por el tanque PI de
salida.
VGG = 0V
VDD = 110V
Vg : Seal de BLU formada por dos tonos de igual nivel (5 Vpico cada uno) y frecuencias f1=999 KHz y f2=1001 KHz.
Se desprecia la impedancia interna del generador Vs debido a la alta Zin del Mosfet.
Disear para obtener mxima potencia de salida sin sobrepasar los Absolute Maximun Ratings.
Determinar:
A)
B)
C)
D)
E)
F)
G)

Valor pico de la componente fundamental de la corriente de drain correspondiente a la seal de 999 Khz. Id1(f1)
Valor pico de todas las componentes de IDM de 3er orden de la corriente de drain
Valor pico de la segunda armnica de la componente de la corriente de drain Id2(f1), Id2(f2)
Rc
Potencia total a la salida (RL)
Pdc: Potencia entregada por la fuente de alimentacin de drain
Potencia disipada por el Mosfet

Ejercicio 7
El amplificador de la figura trabaja en clase B

Figura 15: circuito 7

Symbol
V(BR)DSS
VGS
ID
V(min)DS

Parameter
Drain source voltage
Gate source voltage
Drain current
Drain source voltage min.

Value
250
12
10
12

Unit
V
V
A
V

Cuadro 7: Absolute maximum ratings

Figura 16:
El Tanque PI de salida (Cd, Cc y L) transforma RL en Rc reflejada al Drain.
La salida est sintonizada a la frecuencia de la sean Vs y la carga que ve el Drain es Zc= Rc + j0 .
El Tanque PI opera con Q=10 y Qo=infinito.
El Choque de Gate, CHg es un circuito abierto para todas las frecuencias de inters.
El Choque de Drain, CHd es un circuito abierto para RF .
El Capacitor de Paso Ca es un cortocircuito para todas las frecuencias de inters Se definen como componentes de intermodulacin (IDM) de 3er orden las que se encuentran en frecuencias:
|(2f1 f2 )| y |(2f2 f1 )|
Se definen como componentes de intermodulacin (IDM) de 5to orden las que se encuentran en frecuencias:
|(3f1 2f2 )| y |(3f2 2f1 )|
NOTA: En ambos casos (IDM de 3 y 5 orden) se desprecian dentro de los parntesis los signos mas ya que dichas componentes
son eliminadas por el tanque PI de salida.
Disear para obtener mxima potencia de salida sin sobrepasar los Absolute Maximun Ratings
V gg = 0V y V dd = 110V
Vs Seal de BLU formada por dos tonos de igual nivel (5 Vpico cada uno) y frecuencias f1 = 999KHz y f2 = 1001KHz
9

Se desprecia la impedancia interna del generador Vs debido a la alta Zin del Mosfet
Determinar:
A)
B)
C)
D)
E)

Componentes fundamentales de la corriente de drain Id1(f1), Id1(f2)

Componentes de IDM de 3er orden de la corriente de drain
Componentes de IDM de 5to orden de la corriente de drain
Rc
Se cambia el elemento activo por otro, que posee la siguiente caracterstica id(A)=vgs(V) para todo vgs positivo y cero
para todo vgs negativo, el resto de los elementos del circuito y la excitacin permanecen constantes.
E.1) Calcular la potencia total sobre la carga
E.2) Calcular la Potencia entregada por la fuente
E.3) La potencia disipada en el mosfet

Ejercicio 8
AMPLIFICADOR DE AM
MOSFET : MRF134

Figura 17: Circuito 8

Vg = Vg . (1 + m . cos(wm .t)) . cos(wo .t) [V ]
fo = 1000KHz
fm = 2KHz
m = 0,7
El tanque PI opera con BW=20, Qo del L es 100 (Qo=100).
En el pico positivo de modulacin el amplificador opera con un ngulo de circulacin de corriente de drain de 160.
VDD = 12V Po = 2W (Potencia de salida de carrier)
Excitacin y polarizacin estn diseados para que el amplificador entregue mxima potencia.
Determinar:
A)
B)
C)
D)
E)
F)
G)

VGG y Vg
RL, C2, L1, y C3.
Potencia pico envolvente (PEP).
ngulo de circulacin de la corriente de drain en condicin de carrier y de valle
Indice de modulacin a la salida: mo= (V pico/V valle4)/(V pico + V valle)
PV DD y PM OSF ET
Determinar la Distorsin de Envolvente = (Pot eficaz P fundam)/ P fundam)

10