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FISICA ELECTRONICA
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Campus12 2013-1 100414A Cuestionarios Act 9: Quiz 2 Intento 1

Act 9: Quiz 2

1
Los transistores impactaron el mundo de la electrnica por
Puntos:ser dispositivos semiconductores de tres capas presentes en
1
casi todo equipo electrnico actual. Dos de las aplicaciones
ms notables de este dispositivo son:
1. Como almacenador
2. Como regulador
3. Como conmutador
4. Como amplificador

Seleccione a. 2 y 3
una
b. 3 y 4
respuesta.
c. 1 y 2
d. 1 y 3

2
El elemento semiconductor ms sencillo y de los ms
Puntos:utilizados en la electrnica es el diodo. Est constituido por la
1
unin de 2 tipos de material semiconductor. Cuando se unen
estos dos materiales se generan pares electrn-hueco en la

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0:22:14 superficie de contacto de la unin. Debido a esto aparece una

franja muy estrecha conocida como:

Seleccione a. punto de impacto

una
b. barrera de potencial
respuesta.
c. canal P
d. banda de valencia

3
La caracterstica ms importante de un diodo zner es que
Puntos:una vez ha alcanzado su voltaje zner este se mantiene muy
1
constante, a pesar que:
Seleccione a. cambie su voltaje nominal de zner
una
b. no exista una corriente que circule por el
respuesta.
circuito
c. cambie su temperatura nominal de zner
d. la corriente que circule por l siga
aumentando

Un rectificador de media onda se debe implementar con:

Puntos:
1
Seleccione a. Cuatro diodos
una
b. Dos diodos
respuesta.
c. Un diodo
d. Tres diodos

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5
La caracterstica ms importante de un diodo zner es que
Puntos:una vez alcanzado el voltaje zner este se mantiene muy
1
constante, es decir, que puede funcionar como:
Seleccione a. un sistema de fijacin de voltaje
una
b. un sistema de recortador de voltaje
respuesta.
c. un sistema de filtrado de voltaje
d. un sistema de amplificacin de voltaje

6
Los materiales tipo P se caracterizan por ser:
Puntos:
1
Seleccione a. materiales neutros
una
b. materiales con exceso de electrones
respuesta.
c. materiales con ausencia de electrones
d. materiales con exceso de protones

7
Los materiales tipo N se caracterizan por ser:
Puntos:
1
Seleccione a. materiales con ausencia de electrones
una
b. materiales neutros
respuesta.
c. materiales con exceso de electrones
d. materiales radioactivos

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Puntos:
Un rectificador de onda completa tipo puente se debe
1
implementar con:
Seleccione a. tres diodos
una
b. cuatro diodos
respuesta.
c. dos diodos
d. un Diodo

9
Se tiene un circuito serie conformado por una fuente de
Puntos:voltaje, una resistencia y un diodo ideal. Podemos afirmar que
1
en el circuito circula corriente cuando:
1.
2.
3.
4.

el diodo se encuentra polarizado directamente

el voltaje de la barrera de potencial ha sido superado
el voltaje de la barrera de potencial es de 0 voltios
el diodo se encuentra polarizado inversamente

Seleccione a. 1 y 3 son correctas

una
b. 1 y 2 son correctas
respuesta.
c. 3 y 4 son correctas
d. 2 y 4 son correctas

10
Se le solicita a un estudiante de la UNAD asesora para la
Puntos:construccin de un dispositivo que visualice mensajes
1
informativos en una EPS. El componente semiconductor base
de este dispositivo de visualizacin es:
Seleccione a. el transformador
una
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respuesta.
b. el diodo zner
c. el diodo LED
d. el inductor

11
En 1951 Shockley invent el primer transistor de unin, el cual
Puntos:se convirti en todo un acontecimiento y signific un gran
1
cambio PORQUE hasta antes de 1950 todo equipo
electrnico utilizaba vlvulas al vaco para su funcionamiento
haciendo dichos equipos anticuados, pesados y voluminosos
Seleccione a. la afirmacin y la razn son VERDADERAS
una
y la razn es una explicacin CORRECTA de
respuesta. la afirmacin
b. la afirmacin es VERDADERA, pero la razn
es una proposicin FALSA
c. la afirmacin y la razn son VERDADERAS,
pero la razn NO es una explicacin
CORRECTA de la afirmacin
d. la afirmacin es FALSA, pero la razn es
una proposicin VERDADERA

12
Los semiconductores tipo N se construyen adicionndole
Puntos:tomos de impurezas que tengan 5 electrones de valencia, a
1
semiconductores puros. Con este proceso se consigue:
1. mejorar las propiedades aislantes del semiconductor
2. obtener un semiconductor con exceso de huecos
3. obtener un semiconductor con exceso de electrones libres
4. mejorar las propiedades de conductividad elctrica del
semiconductor

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Seleccione a. 3 y 4 son correctas

una
b. 2 y 4 son correctas
respuesta.
c. 1 y 3 son correctas
d. 1 y 2 son correctas

13
La barrera de potencial, por ejemplo en un diodo de silicio,
Puntos:hace referencia a:
1
1. El punto donde el diodo comienza a conducir
2. 0,6 a 0,7 voltios
3. 0,3 a 0,4 voltios
4. El punto donde el diodo bloquea la corriente
Seleccione a. 1 y 2 son correctas
una
b. 1 y 3 son correctas
respuesta.
c. 3 y 4 son correctas
d. 2 y 4 son correctas

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Los materiales tipo P son aquellos que se forman agregando
Puntos:al material semiconductor puro, impurezas que contienen:
1
Seleccione a. 1 electrn de valencia
una
b. 7 electrones de valencia
respuesta.
c. 5 electrones de valencia
d. 3 electrones de valencia

15
Un semiconductor intrnseco es aquel que:
Puntos:
1
Seleccione a. Es positivo
una
b. Es puro
respuesta.
c. Tiene exceso de electrones
d. Tiene exceso de huecos

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