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2012 Trabajo Práctico de Arquitectura de Sistemas Operativos Tema: Memorias Alumnos: Solis Esteban, Piant Martin,
2012
Trabajo Práctico de
Arquitectura de
Sistemas Operativos
Tema: Memorias
Alumnos: Solis Esteban, Piant Martin, Castellari Emma, Higa Sebastian
UTN-FRBA
Tecnicatura Superior En Programación
24/10/2012

Memoria (informática):

En informática, la memoria (también llamada almacenamiento) se refiere a parte de los componentes que integran una computadora. Son dispositivos que retienen datos informáticos durante algún intervalo de tiempo. Las memorias de computadora proporcionan una de las principales funciones de la computación moderna, la retención o almacenamiento de información. Es uno de los componentes fundamentales de todas las computadoras modernas que, acoplados a una unidad central de procesamiento CPU, implementa lo fundamental del modelo de computadora de Arquitectura de Von Neumann, usado desde los años 1940.

En la actualidad, memoria suele referirse a una forma de almacenamiento de estado sólido conocido como memoria RAM (memoria de acceso aleatorio, RAM por sus siglas en inglés random access memory) y otras veces se refiere a otras formas de almacenamiento rápido pero temporal. De forma similar, se refiere a formas de almacenamiento masivo como discos ópticos y tipos de almacenamiento magnético como discos duros y otros tipos de almacenamiento más lentos que las memorias RAM, pero de naturaleza más permanente. Estas distinciones contemporáneas son de ayuda porque son fundamentales para la arquitectura de computadores en general.

Además, se refleja una diferencia técnica importante y significativa entre memoria y dispositivos de almacenamiento masivo, que se ha ido diluyendo por el uso histórico de los términos "almacenamiento primario" (a veces "almacenamiento principal"), para memorias de acceso aleatorio, y "almacenamiento secundario" para dispositivos de almacenamiento masivo. Esto se explica en las siguientes secciones, en las que el término tradicional "almacenamiento" se usa como subtítulo por conveniencia.

Jerarquía de almacenamiento

Los componentes fundamentales de las computadoras de propósito general son la CPU, el espacio de almacenamiento y los dispositivos de entrada/salida. La habilidad para almacenar las instrucciones que forman un programa de computadora y la información que manipulan las instrucciones es lo que hace versátiles a las computadoras diseñadas según la arquitectura de programas almacenados

Una computadora digital representa toda la información usando el sistema binario. Texto, números, imágenes, sonido y casi cualquier otra forma de información puede ser transformada en una sucesión de bits, o dígitos binarios, cada uno de los cuales tiene un valor de 1 ó 0. La unidad de almacenamiento más común es el byte, igual a 8 bits. Una determinada información puede ser manipulada por cualquier computadora cuyo espacio de almacenamiento sea suficientemente grande como para que quepa el dato correspondiente o la representación binaria de la información. Por ejemplo, una computadora con un espacio de almacenamiento de ocho millones de bits, o un megabyte, puede ser usada para editar una novela pequeña.

Se han inventado varias formas de almacenamiento basadas en diversos fenómenos naturales. No existen ningún medio de almacenamiento de uso práctico universal y todas

las formas de almacenamiento tienen sus desventajas. Por tanto, un sistema informático contiene varios tipos de almacenamiento, cada uno con su propósito individual.

Almacenamiento primario

La memoria primaria está directamente conectada a la CPU de la computadora. Debe estar presente para que la CPU funcione correctamente. El almacenamiento primario consiste en tres tipos de almacenamiento:

Los registros del procesador son internos de la CPU. Técnicamente, es el sistema más rápido de los distintos tipos de almacenamientos de la computadora, siendo transistores de conmutación integrados en el chip de silicio del microprocesador (CPU) que funcionan como "flip-flop" electrónicos.primario consiste en tres tipos de almacenamiento: La memoria caché es un tipo especial de memoria

La memoria caché es un tipo especial de memoria interna usada en muchas CPU para mejorar su eficiencia o rendimiento. Parte de la información de la memoria principal se duplica en la memoria caché. Comparada con los registros, la caché es ligeramente más lenta pero de mayor capacidad. Sin embargo, es más rápida, aunque de mucha menor capacidad que la memoria principal. También es de uso común la memoria caché multi-nivel - la "caché primaria" que es más pequeña, rápida y cercana al dispositivo de procesamiento; la "caché secundaria" que es más grande y lenta, pero más rápida y mucho más pequeña que la memoria principal.(CPU) que funcionan como "flip-flop" electrónicos. La memoria principal contiene los programas en ejecución y

La memoria principal contiene los programas en ejecución y los datos con que operan. Se puede transferir información muy rápidamente entre un registro del microprocesador y localizaciones del almacenamiento principal. En las computadoras modernas se usan memorias de acceso aleatorio basadas en electrónica del estado sólido, que está directamente conectada a la CPU a través de buses de direcciones, datos y control.más rápida y mucho más pequeña que la memoria principal. Almacenamiento secundario La memoria secundaria requiere

Almacenamiento secundario

La memoria secundaria requiere que la computadora use sus canales de entrada/salida para acceder a la información y se utiliza para almacenamiento a largo plazo de información persistente. Sin embargo, la mayoría de los sistemas operativos usan los dispositivos de almacenamiento secundario como área de intercambio para incrementar artificialmente la cantidad aparente de memoria principal en la computadora. (A esta utilización del almacenamiento secundario se le denomina memoria virtual). La memoria secundaria también se llama "de almacenamiento masivo". Un disco duro es un ejemplo de almacenamiento secundario.

Habitualmente, la memoria secundaria o de almacenamiento masivo tiene mayor capacidad que la memoria primaria, pero es mucho más lenta. En las computadoras modernas, los discos duros suelen usarse como dispositivos de almacenamiento masivo. El tiempo necesario para acceder a un byte de información dado almacenado en un disco duro de platos magnéticos es de unas milésimas de segundo (milisegundos). En cambio, el

tiempo para acceder al mismo tipo de información en una memoria de acceso aleatorio (RAM) se mide en mil-millonésimas de segundo (nanosegundos).

Esto ilustra cuan significativa es la diferencia entre la velocidad de las memorias de estado sólido y la velocidad de los dispositivos rotantes de almacenamiento magnético u óptico:

los discos duros son del orden de un millón de veces más lentos que la memoria (primaria). Los dispositivos rotantes de almacenamiento óptico (unidades de CD y DVD) son incluso más lentos que los discos duros, aunque es probable que su velocidad de acceso mejore con los avances tecnológicos.

Por lo tanto, el uso de la memoria virtual, que es cerca de un millón de veces más lenta que memoria “verdadera”, ralentiza apreciablemente el funcionamiento de cualquier computadora. Muchos sistemas operativos implementan la memoria virtual usando términos como memoria virtual o "fichero de caché". La principal ventaja histórica de la memoria virtual es el precio; la memoria virtual resultaba mucho más barata que la memoria real. Esa ventaja es menos relevante hoy en día. Aún así, muchos sistemas operativos siguen implementándola, a pesar de provocar un funcionamiento significativamente más lento.

Almacenamiento terciario

La memoria terciaria es un sistema en el que un brazo robótico montará (conectará) o desmontará (desconectará) un medio de almacenamiento masivo fuera de línea (véase el siguiente punto) según lo solicite el sistema operativo de la computadora. La memoria terciaria se usa en el área del almacenamiento industrial, la computación científica en grandes sistemas informáticos y en redes empresariales. Este tipo de memoria es algo que los usuarios de computadoras personales normales nunca ven de primera mano.

Almacenamiento fuera de línea

El almacenamiento fuera de línea es un sistema donde el medio de almacenamiento puede ser extraído fácilmente del dispositivo de almacenamiento. Estos medios de almacenamiento suelen usarse para transporte y archivo de datos. En computadoras modernas son de uso habitual para este propósito los disquetes, discos ópticos y las memorias flash, incluyendo las unidades USB. También hay discos duros USB que se pueden conectar en caliente. Los dispositivos de almacenamiento fuera de línea usados en el pasado son cintas magnéticas en muchos tamaños y formatos diferentes, y las baterías extraíbles de discos Winchester.

Almacenamiento de red

El almacenamiento de red es cualquier tipo de almacenamiento de computadora que incluye el hecho de acceder a la información a través de una red informática. Discutiblemente, el almacenamiento de red permite centralizar el control de información

en una organización y reducir la duplicidad de la información. El almacenamiento en red incluye:

El almacenamiento asociado a red es una memoria secundaria o terciaria que reside en una computadora a la que otra de éstas puede acceder a través de una red de área local, una red de área extensa, una red privada virtual o, en el caso de almacenamientos de archivos en línea, internet.de la información. El almacenamiento en red incluye: Las redes de computadoras son computadoras que no

Las redes de computadoras son computadoras que no contienen dispositivos de almacenamiento secundario. En su lugar, los documentos y otros datos son almacenados en un dispositivo de la red.el caso de almacenamientos de archivos en línea, internet. Características de las memorias La división entre

Características de las memorias

La división entre primario, secundario, terciario, fuera de línea se basa en la jerarquía de memoria o distancia desde la unidad central de proceso. Hay otras formas de caracterizar a los distintos tipos de memoria.

Volatilidad de la información

distintos tipos de memoria. Volatilidad de la información Foto de memorias RAM tipo DDR instaladas en

Foto de memorias RAM tipo DDR instaladas en su socket

La memoria volátil requiere energía constante para mantener la información almacenada. La memoria volátil se suele usar sólo en memorias primarias. La memoria RAM es una memoria volátil, ya que pierde información en la falta de energía eléctrica.Foto de memorias RAM tipo DDR instaladas en su socket La memoria no volátil retendrá la

La memoria no volátil retendrá la información almacenada incluso si no recibe corriente eléctrica constantemente, como es el caso de la memoria ROM. Se usa para almacenamientos a largo plazo y, por tanto, se usa en memorias secundarias, terciarias y fuera de línea.que pierde información en la falta de energía eléctrica. La memoria dinámica es una memoria volátil

La memoria dinámica es una memoria volátil que además requiere que periódicamente se refresque la información almacenada, o leída y reescrita sin modificaciones.ROM. Se usa para almacenamientos a largo plazo y, por tanto, se usa en memorias secundarias,

Habilidad para acceder a información no contigua

Acceso aleatorio significa que se puede acceder a cualquier localización de la memoria en cualquier momento en el mismo intervalo de tiempo, normalmente pequeño.Habilidad para acceder a información no contigua Acceso secuencial significa que acceder a una unidad de

Acceso secuencial significa que acceder a una unidad de información tomará un intervalo de tiempo variable, dependiendo de la unidad de información que fue leída anteriormente. El dispositivo puede necesitar buscar (posicionar correctamente el cabezal de lectura/escritura de un disco), o dar vueltas (esperando a que la posición adecuada aparezca debajo del cabezal de lectura/escritura en un medio que gira continuamente).en el mismo intervalo de tiempo, normalmente pequeño. Habilidad para cambiar la información Las memorias de

Habilidad para cambiar la información

Las memorias de lectura/escritura o memorias cambiables permiten que la información se reescriba en cualquier momento. Una computadora sin algo de memoria de lectura/escritura como memoria principal sería inútil para muchas tareas. Las computadoras modernas también usan habitualmente memorias de lectura/escritura como memoria secundaria.gira continuamente). Habilidad para cambiar la información Las memorias de sólo lectura retienen la información

Las memorias de sólo lectura retienen la información almacenada en el momento de fabricarse y la memoria de escritura única (WORM) permite que la información se escriba una sola vez en algún momento tras la fabricación. También están las memorias inmutables, que se utilizan en memorias terciarias y fuera de línea. Un ejemplo son los CD-ROMs.memorias de lectura/escritura como memoria secundaria. Las memorias de escritura lenta y lectura rápida son

Las memorias de escritura lenta y lectura rápida son memorias de lectura/escritura que permite que la información se reescriba múltiples veces pero con una velocidad de escritura mucho menor que la de lectura. Un ejemplo son los CD-RW.terciarias y fuera de línea. Un ejemplo son los CD-ROMs. Direccionamiento de la información En la

Direccionamiento de la información

En la memoria de localización direccionable, cada unidad de información accesible individualmente en la memoria se selecciona con su dirección de memoria numérica. En las computadoras modernas, la memoria de localización direccionable se suele limitar a memorias primarias, que se leen internamente por programas de computadora ya que la localización direccionable es muy eficiente, pero difícil de usar para los humanos.una velocidad de escritura mucho menor que la de lectura. Un ejemplo son los CD-RW. Direccionamiento

En las memorias de sistema de archivos, la información se divide en Archivos informáticos de longitud variable y un fichero concreto se localiza en directorios y nombres de archivos "legible por humanos". El dispositivo subyacente sigue siendo de localización direccionable, pero el sistema operativo de la computadora proporciona la abstracción del sistema de archivos para que la operación sea más entendible. En las computadoras modernas, las memorias secundarias, terciarias y fuera de línea usan sistemas de archivos.En las memorias de contenido direccionable (content-addressable memory), cada unidad de información legible

En las memorias de contenido direccionable (content-addressable memory), cada unidad de información legible individualmente se selecciona con un valor hash o un identificador corto sin relación con la dirección de memoria en la que se almacena la información. La memoria de contenido direccionable pueden construirse usando software o hardware; la opción hardware es la opción más rápida y cara.terciarias y fuera de línea usan sistemas de archivos. Capacidad de memoria Memorias de mayor capacidad

Capacidad de memoria

Memorias de mayor capacidad son el resultado de la rápida evolución en tecnología de materiales semiconductores. Los primeros programas de ajedrez funcionaban en máquinas que utilizaban memorias de base magnética. A inicios de 1970 aparecen las memorias realizadas por semiconductores, como las utilizadas en la serie de computadoras IBM 370.

La velocidad de los computadores se incrementó, multiplicada por 100.000 aproximadamente y la capacidad de memoria creció en una proporción similar. Este hecho es particularmente importante para los programas que utilizan tablas de transposición: a medida que aumenta la velocidad de la computadora se necesitan memorias de capacidad proporcionalmente mayor para mantener la cantidad extra de posiciones que el programa está buscando.

Se espera que la capacidad de procesadores siga aumentando en los próximos años; no es un abuso pensar que la capacidad de memoria continuará creciendo de manera impresionante. Memorias de mayor capacidad podrán ser utilizadas por programas con tablas de Hash de mayor envergadura, las cuales mantendrán la información en forma permanente.

Minicomputadoras: se caracterizan por tener una configuración básica regular que puede estar compuesta por un monitor, unidades de disquete, disco, impresora, etc. Su capacidad de memoria varía de 16 a 256 kbytes.las cuales mantendrán la información en forma permanente. Macro computadoras: son aquellas que dentro de su

Macro computadoras: son aquellas que dentro de su configuración básica contienen unidades que proveen de capacidad masiva de información, terminales (monitores), etc. Su capacidad de memoria varía desde 256 a 512 kbytes, también puede tener varios megabytes o hasta gigabytes según las necesidades de la empresa.compuesta por un monitor, unidades de disquete, disco, impresora, etc. Su capacidad de memoria varía de

Microcomputadores y computadoras personales: con el avance de la microelectrónica en la década de los

Microcomputadores y computadoras personales: con el avance de la microelectrónica en la década de los 70 resultaba posible incluir todos los componentes del procesador central de una computadora en un solo circuito integrado llamado microprocesador. Ésta fue la base de creación de unas computadoras a las que se les llamó microcomputadoras. El origen de las microcomputadoras tuvo lugar en los Estados Unidos a partir de la comercialización de los primeros microprocesadores (INTEL 8008, 8080). En la década de los 80 comenzó la verdadera explosión masiva, de los ordenadores personales (Personal Computer PC) de IBM. Esta máquina, basada en el microprocesador INTEL 8008, tenía características interesantes que hacían más amplio su campo de operaciones, sobre todo porque su nuevo sistema operativo estandarizado (MS-DOS, Microsoft Disk Operating Sistem) y una mejor resolución óptica, la hacían más atractiva y fácil de usar. El ordenador personal ha pasado por varias transformaciones y mejoras que se conocen como XT (Tecnología Extendida), AT (Tecnología Avanzada) y PS/2

Tecnologías, dispositivos y medios

Memorias magnéticas

Las memorias magnéticas usan diferentes patrones de magnetización sobre una superficie cubierta con una capa magnetizada para almacenar información. Las memorias magnéticas son no volátiles. Se llega a la información usando uno o más cabezales de lectura/escritura. Como el cabezal de lectura/escritura solo cubre una parte de la superficie, el almacenamiento magnético es de acceso secuencial y debe buscar, dar vueltas o las dos cosas. En computadoras modernas, la superficie magnética será de alguno de estos tipos:

la superficie magnética será de alguno de estos tipos: Disco magnético. Disquete, usado para memoria fuera

Disco magnético. Disquete, usado para memoria fuera de línea. Disco duro, usado para memoria secundario. Cinta magnética, usada para memoria terciaria y fuera de línea. En las primeras computadoras, el almacenamiento magnético se usaba también como memoria principal en forma de memoria de tambor, memoria de núcleo, memoria en hilera de núcleo, memoria película delgada, memoria de Twistor o memoria burbuja. Además, a diferencia de hoy, las cintas magnéticas se solían usar como memoria secundaria.

cintas magnéticas se solían usar como memoria secundaria. Memoria de semiconductor La memoria de semiconductor usa
cintas magnéticas se solían usar como memoria secundaria. Memoria de semiconductor La memoria de semiconductor usa
cintas magnéticas se solían usar como memoria secundaria. Memoria de semiconductor La memoria de semiconductor usa

Memoria de semiconductor

La memoria de semiconductor usa circuitos integrados basados en semiconductores para almacenar información. Un chip de memoria de semiconductor puede contener millones de minúsculos transistores o condensadores. Existen memorias de semiconductor de ambos tipos: volátiles y no volátiles. En las computadoras modernas, la memoria principal consiste casi exclusivamente en memoria de semiconductor volátil y dinámica, también conocida como memoria dinámica de acceso aleatorio o más comúnmente RAM, su acrónimo inglés. Con el cambio de siglo, ha habido un crecimiento constante en el uso de un nuevo tipo de memoria de semiconductor no volátil llamado memoria flash. Dicho crecimiento se ha dado, principalmente en el campo de las memorias fuera de línea en

computadoras domésticas. Las memorias de semiconductor no volátiles se están usando también como memorias secundarias en varios dispositivos de electrónica avanzada y computadoras especializadas y no especializadas.

Memorias de disco óptico

Las memorias en disco óptico almacenan información usando agujeros minúsculos grabados con un láser en la superficie de un disco circular. La información se lee iluminando la superficie con un diodo láser y observando la reflexión. Los discos ópticos son no volátiles y de acceso secuencial. Los siguientes formatos son de uso común:

CD, CD-ROM, DVD: Memorias de simplemente solo lectura, usada para distribución masiva de información digital (música, vídeo, programas informáticos).secuencial. Los siguientes formatos son de uso común: CD-R, DVD-R, DVD+R: Memorias de escritura única usada

CD-R, DVD-R, DVD+R: Memorias de escritura única usada como memoria terciariadigital (música, vídeo, programas informáticos). y fuera de línea. CD-RW, DVD-RW, DVD+RW, DVD-RAM: Memoria

y fuera de línea.

CD-RW, DVD-RW, DVD+RW, DVD-RAM: Memoria de escritura lenta y lectura rápida usada como memoria terciaria y fuera de línea.única usada como memoria terciaria y fuera de línea. Blu-ray: Formato de disco óptico pensado para

Blu-ray: Formato de disco óptico pensado para almacenar vídeo de alta calidad yrápida usada como memoria terciaria y fuera de línea. datos. Para su desarrollo se creó la

datos. Para su desarrollo se creó la BDA, en la que se encuentran, entre otros, Sony

o Phillips.

HD DVD. Se han propuesto los siguientes formatos: Se han propuesto los siguientes formatos:

HVD.Phillips. HD DVD. Se han propuesto los siguientes formatos: Discos cambio de fase Dual. Memorias de

Discos cambio de fase Dual.HD DVD. Se han propuesto los siguientes formatos: HVD. Memorias de discos magneto-ópticos Las Memorias de

Memorias de discos magneto-ópticos

Las Memorias de disco magneto óptico son un disco de memoria óptica donde la información se almacena en el estado magnético de una superficie ferro magnética. La información se lee ópticamente y se escribe combinando métodos magnéticos y ópticos. Las memorias de discos magneto ópticos son de tipo no volátiles, de acceso secuencial, de escritura lenta y lectura rápida. Se usa como memoria terciaria y fuera de línea.

Otros métodos iniciales

Tarjetas perforadas en un telar de Jacquard Las tarjetas perforadas fueron utilizados por primera vez

Tarjetas perforadas en un telar de Jacquard

Las tarjetas perforadas fueron utilizados por primera vez por Basile Bouchon para el control de telares textiles en Francia.1 En 1801 el sistema de Bouchon fue perfeccionado por Joseph Marie Jacquard, quien desarrolló un telar automático, conocido como telar de Jacquard.2 Herman Hollerith desarrolló la tecnología de procesamiento de datos de tarjetas perforadas para el censo de Estados Unidos de 1890 y posteriormente fundó la Tabulating Machine Company, una de las precursoras de IBM. IBM desarrolló la tecnología de la tarjeta perforada como una potente herramienta para el procesamiento de datos empresariales y produjo una línea extensiva de máquinas de registro que utilizaban papel perforado para el almacenamiento de datos y su procesado automático. En el año 1950, las tarjetas IBM y las unidades máquinas de registro IBM se habían vuelto indispensables en la industria y el gobierno estadounidense. Durante los años 1960, las tarjetas perforadas fueron gradualmente reemplazadas por las cintas magnéticas, aunque su uso fue muy común hasta mediados de los años 1970 con la aparición de los discos magnéticos. La información se grababa en las tarjetas perforando agujeros en el papel o la tarjeta. La lectura se realizaba por sensores eléctricos (más tarde ópticos) donde una localización particular podía estar agujereada o no.

Para almacenar información, los tubos Williams usaban un tubo de rayos catódicos y los tubos Selectrón usaban un gran tubo de vacío. Estos dispositivos de memoria primaria tuvieron una corta vida en el mercado ya que el tubo de Williams no era fiable y el tubo de Selectrón era caro.

La memoria de línea de retardo usaba ondas sonoras en una sustancia como podía ser el Mercurio para guardar información. La memoria de línea de retardo era una memoria dinámica volátil, ciclo secuencial de lectura/escritura. Se usaba como memoria principal.

Otros métodos propuestos

La memoria de cambio de fase usa las fases de un material de cambio de fase para almacenar información. Dicha información se lee observando la resistencia eléctrica variable del material. La memoria de cambio de fase sería una memoria de lectura/escritura no volátil, de acceso aleatorio podría ser usada como memoria primaria, secundaria y fuera de línea. La memoria holográfica almacena ópticamente la información dentro de cristales o fotopolímeros. Las memorias holográficas pueden utilizar todo el volumen del medio de almacenamiento, a diferencia de las memorias de discos ópticos, que están limitadas a un pequeño número de superficies en capas. La memoria holográfica podría ser no volátil, de acceso secuencial y tanto de escritura única como de lectura/escritura. Puede ser usada tanto como memoria secundaria como fuera de línea.

La memoria molecular almacena la información en polímeros que pueden almacenar puntas de carga eléctrica. La memoria molecular puede ser especialmente interesante como memoria principal.

Recientemente se ha propuesto utilizar el spin de un electrón como memoria. Se ha demostrado que es posible desarrollar un circuito electrónico que lea el spin del electrón y lo convierta en una señal eléctrica.

Un “chip” de memoria

convierta en una señal eléctrica. Un “chip” de memoria Dos pr oblemas de “hardware”  ¿Cómo

Dos problemas de “hardware”

¿Cómo conseguir un banco de memoria de k bits cada dato, si cada “chip” que usamos es de datos de una fracción de k?

Ejemplo: ¿Cómo construir una memoria de 16 Kdwords (32 bits) si sólo tenemos “chips de 16 Kbytes (8 bits) ?

Problema trivial, crecimiento a lo “ancho” o crecimiento del tamaño del dato.

La solución del caso:

o crecimiento del tamaño del dato. La solución del caso: El otro problema de “hardware”: ¿Cómo

El otro problema de “hardware”:

¿Cómo lograr que un “chip” de memoria tome un conjunto de direcciones dentro de un banco, que no sean sólo a partir de la dirección 0?

Es decir, si tengo un “chip” de 16 Kbytes (16384 bytes), ¿cómo hacer que sus direcciones sean, por ejemplo, a partir de 49152 y hasta 65535?

Problema no trivial. Realiza el “mapa de memoria”. Crecimiento vertical; debe desarrollarse una lógica.

Un “mapeo” de memoria

“mapear”= disponer dentro de un espacio de localizaciones o direcciones.

una lógica. Un “mapeo” de memoria “mapear”= disponer dentro de un espacio de localizaciones o direcciones.

Un sistema de

memoria

Un sistema de memoria Tipos de memorias

Tipos de memorias

Un sistema de memoria Tipos de memorias

Modelo simplificado

Modelo más real

Modelo simplificado Modelo más real
Modelo simplificado Modelo más real

Un parámetro importante

El tiempo de acceso:

Un parámetro importante El tiempo de acceso: ROM hecha en fábrica

ROM hecha en fábrica

Un parámetro importante El tiempo de acceso: ROM hecha en fábrica

PROMs (poco uso)

PROMs (poco uso) EPROMs industriales

EPROMs industriales

PROMs (poco uso) EPROMs industriales
PROMs (poco uso) EPROMs industriales

Para programar EPROMs

Para programar EPROMs Programar otra EPROM

Programar otra EPROM

Para programar EPROMs Programar otra EPROM

NOVRAMs

NOVRAMs EEPROMs

EEPROMs

NOVRAMs EEPROMs

Un problema de las EEPROMs

El tiempo de acceso para lectura es similar al de una ROM (Ej.: 1 microseg)

En cambio, el tiempo de escritura puede ser muy alto (Ej.: 1 milisegundo)

Mientras la memoria registra o escribe un

dato, su sistema de barras no está

disponible para el Procesador.

SRAMs Celda es FlipFlop

registra o escribe un dato, su sistema de barras no está disponible para el Procesador. SRAMs

Un “chip” SRAM

Un “chip” SRAM SRAM con pila NiCd o similar DRAMs

SRAM con pila NiCd o similar

Un “chip” SRAM SRAM con pila NiCd o similar DRAMs

DRAMs

Un “chip” SRAM SRAM con pila NiCd o similar DRAMs
Un “chip” SRAM SRAM con pila NiCd o similar DRAMs

Inconvenientes de las DRAMs

Toda acción de lectura debe implicar una reescritura inmediata.

Periódicamente (cada 10 milisegundos aproximadamente) deben ser “refrescadas” todas las celdas (leer y reescribir).

PROCESOS AUTOMATICOS

Comparación SRAM / DRAM

“refrescadas” todas las celdas (leer y reescribir). PROCESOS AUTOMATICOS Comparación SRAM / DRAM RAS, CAS en

RAS, CAS en DRAMs

“refrescadas” todas las celdas (leer y reescribir). PROCESOS AUTOMATICOS Comparación SRAM / DRAM RAS, CAS en

Las señales CAS y RAS

Las señales CAS y RAS Las memorias FLASH Memorias para lectura y escritura, no volátil. Puede

Las memorias FLASH

Memorias para lectura y escritura, no volátil.Las señales CAS y RAS Las memorias FLASH Puede ser fácilmente borrada y reprogramada, mediante escritura

Puede ser fácilmente borrada y reprogramada, mediante escritura simultánea en bloques de localizaciones.FLASH Memorias para lectura y escritura, no volátil. (Las EPROMs y EEPROMs se escriben byte a

(Las EPROMs y EEPROMs se escriben byte a byte).mediante escritura simultánea en bloques de localizaciones. El chip está organizado de manera que una sección

El chip está organizado de manera que una sección completa de celdas de memoria es borrada mediante una acción simple (un “flash”). memoria es borrada mediante una acción simple (un “flash”).

El borrado es realizado por medio del tuneo “Fowler - Nordheim”. Los electrones son impulsados a través de realizado por medio del tuneo “Fowler-Nordheim”. Los electrones son impulsados a través de un material dieléctrico muy delgado, con el propósito de remover carga de una compuerta (gate) flotante asociada con cada celda de memoria.

Es posible disponer en cada celda de memoria de dos (y cuatro) bits, doblando la capacidad y sin afectar significativamente el costo.(gate) flotante asociada con cada celda de memoria. La memoria posee internamente una electrónica de control,

La memoria posee internamente una electrónica de control, la que se instruye por medio de códigos (bytes) especiales sobre las funciones a realizar: Borrar, Verificar el borrado, Leer, Escribir o Programar,Verificación de la Programación, Identificación, otros.la capacidad y sin afectar significativamente el costo. FLASH, escritura lenta De manera similar a una

FLASH, escritura lenta

De manera similar a una EEPROM, las memorias Flash tienen un tiempo de escritura mucho mayor que el tiempo de lectura. Sin embargo, comparativamente, ese tiempo es menor que el de una EEPROM, dado el manejo en bloque de datos que realiza por medio de la acción de su controlador interno.

Memorias FLASH

Memorias FLASH MEMORIAS DE SEMICONDUCTORES Este tipo de memoria se emplea actualmente, con carácter universal, como

MEMORIAS DE SEMICONDUCTORES

Memorias FLASH MEMORIAS DE SEMICONDUCTORES Este tipo de memoria se emplea actualmente, con carácter universal, como

Este tipo de memoria se emplea actualmente, con carácter universal, como memoria principal de los computadores.

Todas las memorias que se van a tratar en este apartado son de direccionamiento cableado, o sea, de acceso aleatorio o RAM. Sin embargo, dentro de estas memorias se ha desarrollado otra terminología que resulta un poco confusa, pues repite términos empleados con otro sentido. Se puede establecer la siguiente clasificación:

léctura y escritura(RAM)

Estáticas.la siguiente clasificación: léctura y escritura(RAM) Dinámicos o con refresco. Sólo lectura ROM (Read Only

Dinámicos o con refresco.clasificación: léctura y escritura(RAM) Estáticas. Sólo lectura ROM (Read Only Memory) PROM (Programmable Read

Sólo lectura

ROM (Read Only Memory)Estáticas. Dinámicos o con refresco. Sólo lectura PROM (Programmable Read Only Memory) EPROM (Erasable

PROM (Programmable Read Only Memory)o con refresco. Sólo lectura ROM (Read Only Memory) EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) EEPROM

EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)ROM (Read Only Memory) PROM (Programmable Read Only Memory) EEPROM (Electricaly Erasable Read Only Memory )

EEPROM (Electricaly Erasable Read Only Memory )Only Memory) EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) Las memorias de semiconductores se presentan en pastillas

Las memorias de semiconductores se presentan en pastillas integradas que contienen una matriz de memoria, un decodificador de direcciones, los transductores correspondientes y el tratamiento lógico de algunas señales de control.

Existen muchas configuraciones, pero la mayoría de estas memorias manejan los siguientes elementos y señales.

Bus de Datos: es un colector o conjunto de líneas triestado que transportan la información almacenada en memoria. El bus de datos se puede conectar a las líneas correspondientes de varias pastillas.estas memorias manejan los siguientes elementos y señales. Bus de Direcciones: cuando se esta completo, es

Bus de Direcciones: cuando se esta completo, es un conjunto de m líneas que transportan la dirección y que permite codificar 2 posiciones de memoria. Pude estar multiplexado, de forma que primero se transmiten m/2 bits y luego, el resto.conectar a las líneas correspondientes de varias pastillas. Señales de control típicas: OE: activa la salida

Señales de control típicas:

OE: activa la salida triestado de la memoria.

CS ó CE: activa la pastilla o chip.

WE: señal de escritura. Para realizar una escritura, además de activarse esta señal, también lo estarán CS ó CE.

RAS ó CAS: las líneas RAS (Row Address Strobe) y CAS(Column Address Strobe) sirven para decodificar las filas y columnas de la RAM dinámicas.

d) Ancho de palabra típico: 1,4 u 8 bits.

MEMORIA RAM

Es la memoria de acceso aleatorio (Random Access Memory). Se llama de acceso aleatorio porque el procesador accede a la información que está en la memoria en cualquier punto sin tener que acceder a la información anterior y posterior.

Es la memoria que se actualiza constantemente mientras el ordenador está en uso y que pierde sus datos cuando el ordenador se apaga.

Hay dos tipos básicos de RAM:

DRAM (Dynamic RAM), RAM dinámica,

SRAM (Static RAM), RAM estática

Los dos tipos difieren en la tecnología que usan para almacenar los datos. La RAM dinámica necesita ser refrescada cientos de veces por segundo, mientras que la RAM estática no necesita ser refrescada tan frecuentemente, lo que la hace más rápida, pero también más cara que la RAM dinámica. Ambos tipos son volátiles, lo que significa que pueden perder su contenido cuando se desconecta la alimentación.

En el lenguaje común, el termino RAM es sinónimo de memoria principal, la memoria disponible para programas. Se refiere a la memoria RAM tanto como memoria de lectura y escritura como así a un tipo de memoria volátil.

Típos de Memoria RAM:

DRAM (Dynamic Random Access Memory)

Es la memoria de acceso aleatorio dinámica. Está organizada en direcciones de memoria (Addresses) que son reemplazadas muchas veces por segundo.

Es la memoria de trabajo, por lo que a mayor cantidad de memoria, más datos se pueden tener en ella y más aplicaciones pueden estar funcionando simultáneamente, y por supuesto a mayor cantidad mayor velocidad de proceso, pues los programas no necesitan buscar los datos continuamente en el disco duro, el cual es muchísimo más lento.

SRAM (Static Random Access Memory)

Memoria estática de acceso aleatorio es la alternativa a la DRAM. No necesita tanta electricidad para su refresco y reemplazo de las direcciones y funciona más rápido porque no está reemplazando constantemente las instrucciones y los valores almacenados en ella. La desventaja es su altísimo coste comparado con la DRAM. Puede almacenar y recuperar los datos rápidamente y se conoce normalmente como MEMORIA CACHE.

VRAM (video RAM)

Memoria de propósito especial usada por los adaptadores de vídeo. A diferencia de la convencional memoria RAM, laVRAM puede ser accedida por dos diferentes dispositivos de forma simultánea. Esto permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para las actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un procesador gráfico suministra nuevos datos. VRAM permite mejores rendimientos gráficos aunque es más cara que la una RAM normal.

SIMM (Single In Line Memory Module)

Un tipo de encapsulado consistente en una pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zócalo SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son más fáciles de instalar que los antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de bits.

DIMM (Dual In Line Memory)

Un tipo de encapsulado, consistente en una pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zócalo DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos.

DIP (Dual In Line Package)

Un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado.

RAM Disk

Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular un disco duro. Se puede acceder a los ficheros de un RAM disk de la misma forma en la que se acceden a los de un disco duro. Sin embargo, los RAM disk son aproximadamente miles de veces más rápidos que los discos duros, y son particularmente útiles para aplicaciones que precisan de frecuentes accesos a disco.

Dado que están constituidos por RAM normal. los RAM disk pierden su contenido una vez que la computadora es apagada.

MEMORIA CACHE O RAM CACHE

Un caché es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un área reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta velocidad independiente. Hay dos tipos de caché frecuentemente usados en las computadoras personales: memoria caché y caché de disco. Una memoria caché, llamada también a veces almacenamiento caché ó RAM caché, es una parte de memoria RAM estática de alta velocidad (SRAM) más que la lenta y barata RAM dinámica (DRAM) usada como memoria principal.

La memoria caché es efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a los mismos datos o instrucciones. Guardando esta información en SRAM, la computadora evita acceder a la lenta DRAM.

Cuando un dato es encontrado en el caché, se dice que se ha producido un impacto (hit), siendo un caché juzgado por su tasa de impactos (hit rate). Los sistemas de memoria caché usan una tecnología conocida por caché inteligente en el cual el sistema puede reconocer cierto tipo de datos usados frecuentemente.

El caché de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria caché, pero en lugar de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los datos más recientes del disco duro a los que se ha accedido se almacenan en un buffer de memoria. Cuando el programa necesita acceder a datos del disco, lo primero que comprueba es la caché del disco para ver si los

datos ya están ahí. La caché de disco puede mejorar drásticamente el rendimiento de las aplicaciones, dado que acceder a un byte de datos en RAM puede ser miles de veces más rápido que acceder a un byte del disco duro.

Tipos de Memoria CACHE

De acuerdo con el modo de traducción de las direcciones de memoria principal a direcciones de memoria cache, estas se clasifican en los siguientes tipos:

De correspondencia directa.memoria cache, estas se clasifican en los siguientes tipos: De asociación completa. De asociación de conjuntos.

De asociación completa.en los siguientes tipos: De correspondencia directa. De asociación de conjuntos. De correspondencia vectorizada.

De asociación de conjuntos.tipos: De correspondencia directa. De asociación completa. De correspondencia vectorizada. Memoria cache de

De correspondencia vectorizada.De asociación completa. De asociación de conjuntos. Memoria cache de correspondencia directa. Se establece una

Memoria cache de correspondencia directa.

Se establece una correspondencia entre el bloque K de la memoria principal y el bloque k, modulo n, de la cache, siendo n el numero de bloques de la memoria cache.

Este tipo simple y económico, por no requerir comparaciones asociativas en las búsquedas. De todas formas, en sistemas multiprocesador pueden registrarse graves

contenciones en el caso de que varios bloques de memoria correspondan concurrentemente en un mismo bloque de la cache.

Una dirección de memoria consta de 3 campos:

Campo de etiqueta.de la cache. Una dirección de memoria consta de 3 campos: Campo de bloque. Campo de

Campo de bloque.dirección de memoria consta de 3 campos: Campo de etiqueta. Campo de palabra. Memoria asociativa completa

Campo de palabra.consta de 3 campos: Campo de etiqueta. Campo de bloque. Memoria asociativa completa En este modelo

Memoria asociativa completa

En este modelo se establece una correspondencia entre el bloque k de la memoria y el bloque j de la cache, en la que jpuede tomar cualquier valor.

No se produce contención de bloques y es muy flexible, pero su implementación es cara y muy compleja, ya que el modelo se basa completamente en la comparación asociativa de etiquetas.

Memoria cache de asociación de conjuntos

Se divide la memoria en c conjuntos de n bloques, de forma que al bloque k de memoria corresponde uno cualquiera de los bloques de la memoria del conjunto k, modulo c. La búsqueda se realiza asociativamente por el campo de etiqueta y directamente por el numero del sector. De este modo se reduce el costo frente al modelo anterior, manteniendo gran parte de su flexibilidad y velocidad. Es la

Estructura más utilizada.

Memoria cache de correspondencia vectorizada

El modelo divide a la memoria principal y a le cache en n bloques. La relación se establece de cualquier sector a cualquier sector, siendo marcados los bloques no referenciados del sector como no validos. Esta estructura también reduce costos, minimizando el núcleo de etiquetas para la comparación asociativa.

1. SDRAM (Synchronous DRAM)

DRAM síncrona, un tipo de memoria RAM dinámica que es casi un 20% más rápida que la RAM EDO. SDRAM entrelaza dos o más matrices de memoria interna de tal forma que mientras que se está accediendo a una matriz, la siguiente se está preparando para el acceso. SDRAM-II es tecnología SDRAM más rápida esperada para 1998. También conocido como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM), permite leer y escribir datos a dos veces la velocidad bús.

2. FPM (Fats Page Mode)

Memoria en modo paginado, el diseño más común de chips de RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era leído pulsando la fila y la columna de las líneas seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso. La memoria en modo paginado también es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El término

"fast" fué añadido cuando los más nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso más.

3. EDO (Extended Data Outpout)

Un tipo de chip de RAM dinámica que mejora el rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page.

Sin embargo, si el controlador de memoria no está diseñado para los más rápidos chips EDO, el rendimiento será el mismo que en el modo Fast Page.

EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo.

4. BEDO (Burst EDO)

Es un tipo más rápido de EDO que mejora la velocidad usando un contador de dirección para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa las operaciones.

5. PB SRAM (Pipeline Burst SRAM)

Se llama 'pipeline' a una categoría de técnicas que proporcionan un proceso simultáneo, o en paralelo dentro de la computadora, y se refiere a las operaciones de solapamiento moviendo datos o instrucciones en una 'tubería' conceptual con todas las fases del 'pipe' procesando simultáneamente. Por ejemplo, mientras una instrucción se está ejecutando, la computadora está decodificando la siguiente instrucción. En procesadores vectoriales, pueden procesarse simultáneamente varios pasos de operaciones de coma flotante

La PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en velocidades de entre 4 y 8 nanosegundos.

TAG RAM

Este tipo de memoria almacena las direcciones de cualquier dato de memoria DRAM que hay en la memoria caché. Si el procesador encuentra una dirección en la TAG RAM, va a buscar los datos directamente a la caché, si no, va a buscarlos directamente a la memoria principal.

Cuando se habla de la CACHEABLE MEMORY en las placas para Pentium con los chipsets 430FX, 430VX, 430HX y 430TX de Intel, nos referimos a la cantidad de TAG RAM, es decir, la cantidad de datos de memoria que se pueden almacenar en la caché. Una de las desventajas del chipset 430TX frente al chipset 430HX es que solo se pueden almacenar los datos de 64 MB de memoria RAM, con lo cual, en ciertos casos, en las placas con este chipset se produce un descenso del rendimiento de memoria al tener instalados más de 64 MB de memoria RAM en el equipo. Por ello, a pesar de la modernidad del diseño, en los servidores o las estaciones gráficas quizás sería más conveniente utilizar una placa base con el chipset 430HX de Intel.

MEMORIA ROM

Estas letras son las siglas de Read Only Memory (memoria de solo lectura) y eso es exactamente lo que es, una memoria que se graba en el proceso de fabricación con una información que está ahí para siempre, para lo bueno y lo malo. No podemos escribir en

ella pero podemos leer cada posición la veces que queramos. Se trata de la memoria interna de la máquina, que el procesador lee para averiguar el qué, el cuándo y el cómo de una multitud de tareas diferentes; por ejemplo: lee las diversas instrucciones binarias que se necesitan cada vez que se teclea un carácter por el teclado, o cada vez que se tiene que presentar algo en pantalla.

En la ROM está almacenado también el programa interno que nos ofrece la posibilidad de hablar con el ordenador en un lenguaje muy similar al inglés sin tener que rompernos la cabeza con el lenguaje de máquina (binario). Todas estas cosas suman tanta información que es muy probable que la memoria ROM de un ordenador tenga una capacidad de 8K a 16K, un número suficientemente grande para que este justificado asombrarse ante la cantidad de información necesaria para llenar tal cantidad de posiciones, especialmente cuando sabemos que los programas ROM están escritos por expertos en ahorrar memoria. Ello sirve para poner de manifiesto la gran cantidad de cosas que pasan en el interior de un ordenador cuando éste está activo.

La memoria ROM presenta algunas variaciones: las memorias PROM, EPROM y EEPROM.

MEMORIA PROM

Para este tipo de memoria basta decir que es un tipo de memoria ROM que se puede programar mediante un proceso especial, posteriormente a la fabricación.

PROM viene de PROGRAMABLE READ ONLY MEMORY (memoria programable de solo lectura ).Es un dispositivo de almacenamiento solo de lectura que se puede reprogramar después de su manufactura por medio de equipo externo . Los PROM son generalmente pastillas de circuitos integrados.

Características principales de rom y prom:

Solo permiten la lectura.integrados. Características principales de rom y prom: Son de acceso aleatorio Son permanentes o no volátiles:

Son de acceso aleatorioprincipales de rom y prom: Solo permiten la lectura. Son permanentes o no volátiles: la información

Son permanentes o no volátiles: la información no puede borrarsey prom: Solo permiten la lectura. Son de acceso aleatorio Tienen un ancho de palabra de

Tienen un ancho de palabra de 8 bits, con salida triestado.o no volátiles: la información no puede borrarse MEMORIA EPROM La memoria EPROM ( la E

MEMORIA EPROM

La memoria EPROM ( la E viene de ERASABLE -borrable-) es una ROM que se puede borrar totalmente y luego reprogramarse, aunque en condiciones limitadas. Las EPROM son mucho más económicas que las PROM porque pueden reutilizarse.

MEMORIA EEPROM

Aún mejores que las EPROM son las EEPROM ( EPROM eléctricamente borrables) también llamadas EAROM (ROM eléctricamente alterables), que pueden borrarse mediante impulsos eléctricos, sin necesidad de que las introduzcan en un receptáculo especial para exponerlos a luz ultravioleta.

Las ROM difieren de las memorias RAM en que el tiempo necesario para grabar o borrar un byte es cientos de veces mayor, a pesar de que los tiempos de lectura son muy similares.

Características principales de este tipo de memorias:

Solo permiten la lectura.Características principales de este tipo de memorias: Son de tipo no volátil, aunque pueden borrarse. Son

Son de tipo no volátil, aunque pueden borrarse.de este tipo de memorias: Solo permiten la lectura. Son de acceso aleatorio. Tienen un ancho

Son de acceso aleatorio.la lectura. Son de tipo no volátil, aunque pueden borrarse. Tienen un ancho de palabra de

Tienen un ancho de palabra de 8 bits, con salida triestado.volátil, aunque pueden borrarse. Son de acceso aleatorio. MEMORIA VIRTUAL Es una manera de reducir el

MEMORIA VIRTUAL

Es una manera de reducir el acceso constante a memoria por parte del procesador.

Cuando se está ejecutando un programa, y especialmente si se tienen varias aplicaciones abiertas, el ordenador tiene que cargar en memoria RAM los valores e instrucciones de dicho/s programa/s. Pero, ¿qué ocurre cuando el programa o programas que se están ejecutando requieren más memoria de la que tiene el equipo?

En este caso, el procesador toma una parte del disco duro y la convierte en memoria RAM. Es decir, se utiliza el disco duro para almacenar direcciones de memoria, y aunque el disco duro es mucho más lento que la memoria RAM (10-15 milisegundos para un disco duro moderno frente a 70-10 nanosegundos para la memoria actual), es mucho más rápido tomar los datos en formato de memoria virtual desde el disco duro que desde las pistas y sectores donde se almacenan los archivos de cada programa.

Los distintos modelos de memoria virtual se diferencian por sus políticas de solapamiento y por los métodos que emplean en la organización de la memoria. Los más importantes son:

Memoria Paginadala organización de la memoria. Los más importantes son: Memoria Segmentada Memoria de segmentos paginados Todos

Memoria Segmentadade la memoria. Los más importantes son: Memoria Paginada Memoria de segmentos paginados Todos estos sistemas

Memoria de segmentos paginadosmás importantes son: Memoria Paginada Memoria Segmentada Todos estos sistemas encuentran como problema critico que

Todos estos sistemas encuentran como problema critico que los requerimientos de la memoria de algunos programas específicos son difíciles de predecir, y por ello, la fracción de memoria que debe asignarse a un programa es variable en cada caso.

Además, la política de solapamiento y compartición debe tener en cuenta ciertas características internas de los programas que, invariablemente, determinan la construcción modular y estructurada de los mismos. Dichas características son:

2.

Localización espacial: es la tendencia que tiene los procesos a referirse a elementos próximos la espacio virtual antes recorrido.

3. Localización Secuencial: tendencia de los procesos a referenciar elementos de la secuencia inmediata.

Para decidir que fracción de memoria principal ha de ser destruida o cargada en disco si ha sido modificada cuando se necesita leer otra, las reglas o criterios mas empleados son:

Regla FIFO. Se destruye la fracción que mas tiempo lleva en la memoria principal para dejar un hueco en esta.leer otra, las reglas o criterios mas empleados son: Regla LRU. La porción que lleva mas

Regla LRU. La porción que lleva mas tiempo sin haber sido usada o actualizada.lleva en la memoria principal para dejar un hueco en esta. Regla LIFO. El hueco aparece

Regla LIFO. El hueco aparece en la memoria principal destruyendo o devolviendo a disco(si se ha modificado) la parte que lleva en memoria el menor tiempo.que lleva mas tiempo sin haber sido usada o actualizada. Regla LFO. Deja hueco la porción

Regla LFO. Deja hueco la porción que se ha pedido menos veces desde que comenzó el proceso.modificado) la parte que lleva en memoria el menor tiempo. Regla RAND. Se elige una porción

Regla RAND. Se elige una porción al azar.que se ha pedido menos veces desde que comenzó el proceso. Regla CLOCK. Cuando se coloca

Regla CLOCK. Cuando se coloca un bit de uso en cada entrada de una cola FIFO y se establece un puntero que la convierte en circular. Es una aproximación al algoritmo LRU con una cola FIFO simple.el proceso. Regla RAND. Se elige una porción al azar. MEMORIA PAGINADA Este método organiza el

MEMORIA PAGINADA

Este método organiza el espacio virtual y el físico en bloques de tamaño fijo, llamados paginas. En un momento determinado la memoria principal contendrá algunos de los bloques lógicos. Como las distintas posiciones de un bloque lógico y uno físico están ordenadas de forma idéntica, simplemente hay que traducir el numero del bloque lógico al correspondiente del bloque físico.

Los métodos de traducción son diversos, desde el mas básico de correspondencia directa al mas complejo de correspondencia asociativa, donde la búsqueda se realiza mediante el contenido de una memoria asociativa que mantiene las correspondencias virtual - física mas recientemente utilizadas. En la practica se utiliza una técnica mixta en la que las paginas mas recientemente empleadas se encuentran en una memoria asociativa y todas ellas en una tabla de correspondencia directa.

Concepto de memoria

La memoria es el componente del ordenador que almacena la información que éste posee, es decir, sus datos y programas. Es como un bloc de notas que mantiene la información mientras estamos trabajando con ella.

La memoria del ordenador está organizada en unidades de bytes, cada uno compuesto por 8 bits.

No importa el tipo de información estemos almacenando; estará codificada en una estructura particular de bits, que será interpretada de la forma adecuada al tipo de datos

en cuestión. Los mismos bytes de memoria se emplean para almacenar códigos de instrucciones, datos numéricos, datos alfabéticos, sonidos, vídeo, etc.

Para ser capaces de trabajar con la memoria, cada unidad de bytes tiene una dirección, un número que sólo identifica a esa unidad. Las direcciones de memoria están numeradas una a una, empezando por cero.

Las operaciones básicas que permite una memoria son dos: escritura o almacenamiento y lectura.

En la escritura, o almacenamiento, la memoria necesita que le suministren una información y una dirección. La operación consiste en grabar la información en la dirección especificada.

En la lectura, la memoria debe recibir una dirección. La operación consiste en recuperar información previamente escrita en esa dirección.

Por tanto, podemos ver las memorias como cajas negras, a las que hay que suministrar una dirección y unas señales de control, que especifican la operación que se desea realizar, además de enviar o recibir el dato, o bloque de datos, correspondiente.

Los disquetes, discos duros, etc. también son dispositivos que permiten almacenar información, pero no están conectados directamente al procesador, cada byte no tiene una dirección para poderlo leer como en el caso comentado anteriormente. Por ello estos dispositivos de memoria, llamados memoria masiva o auxiliar, serán estudiados en el tema correspondiente a los periféricos.

Características de las memorias

En el ordenador hay dos tipos básicos de memorias, las memorias de sólo lectura, o ROM (Read Only Memory), y las memorias de lectura/escritura, o RAM (Random Access Memory).

Para poder estudiarlas vamos a introducir en este apartado una serie de conceptos que permiten caracterizar los diversos tipos de memoria. Duración de la información.

En relación a la permanencia de la información grabada en las memorias, hay 4 posibilidades:

a) Memorias permanentes: Son memorias que contienen siempre la misma información y

no pueden borrarse. Como ejemplo de este tipo de memorias se pueden citar las memorias

de semiconductores tipo ROM, de las que hablaremos posteriormente.

b) Memorias Volátiles: Precisan estar continuamente alimentadas de energía. Si se corta

dicho suministro se borra la información que poseen. En contraposición están las no volátiles, en las que la información permanece aunque se elimine la alimentación.

c) Memorias de lectura destructiva: Su lectura implica el borrado de la información, por lo

que después de leer en ellas, hay que volver a grabarlas. Un ejemplo de este tipo son las memorias de ferrita. Memorias de lectura no destructiva son, por ejemplo, los discos y

banda magnética.

d) Memorias con refresco: La información sólo dura un cierto tiempo. Para que no

desaparezca, hay que regrabar la información de forma periódica (señal de refresco).

Modo de acceso

Según el método utilizado para localizar la información tenemos:

a) Acceso aleatorio: En las memorias de acceso aleatorio se accede directamente al byte o

posición deseada, en un tiempo independiente de la dirección a la que se quiere acceder,

por ejemplo las memorias RAM son de acceso aleatorio.

b) Acceso secuencial: En las memorias de acceso secuencial se llega a la posición deseada a

través de una secuencia de posiciones, que depende de donde esté la información en el momento en el que se quiere acceder a ella, por ejemplo para acceder a una información

en una cinta magnética es necesario recorrer la cinta hasta encontrar la información deseada.

Tiempo de acceso

Se denomina tiempo de acceso al que transcurre entre el instante en que se envía una operación de acceso a memoria y el instante en que se dispone de la primera información buscada.

Según el tiempo de acceso se puede hablar de memorias rápidas o lentas, pero como eso no es demasiado preciso, es mejor citar el tiempo de acceso, que se mide normalmente en nanosegundos.

Capacidad

Es la cantidad de información que puede almacenar una memoria.

Dado que la información se almacena en el sistema binario, la capacidad se mide en bytes.

Se utiliza el byte porque es el menor tamaño de información, a la que se puede acceder en una operación de acceso a memoria, ya que cada posición de memoria almacena un byte. Aunque a la hora de hablar de la capacidad de memoria, se utilizan múltiplos de él (KByte, MByte, GByte, TByte).

Tipos de memorias: RAM y ROM

Actualmente el tipo de memorias que se emplean con carácter universal, son las memorias de semiconductores. La primera memoria comercial de semiconductor tenía una capacidad de 64 bits y fue fabricada por IBM en 1968. Poco más tarde, en 1972, aparecieron los primeros ordenadores de IBM con memoria principal de semiconductores. Los elementos semiconductores utilizados hasta ahora para realizar estas memorias son el Silicio (Si) y el Germanio (Ge), pero en la actualidad se está también utilizando el Arseniuro de Galio (AsGa).

En el caso de las memorias de semiconductores, cada punto de memoria está formado por un dispositivo electrónico denominado transistor, en el que hay dos estados de funcionamiento bien diferenciados: el estado de corte y el de saturación. Cuando el transistor está en estado de corte no deja pasar prácticamente nada a su través, y a la salida del transistor apenas se obtiene corriente, es lo que llamamos "0 lógico". Cuando está en estado de saturación, deja que la corriente circule por él libremente y lo que obtenemos a la salida es un máximo de corriente que denominamos "1 lógico".

Dependiendo de las señales que proporcionemos al transistor obtendremos una u otra salida, es decir, almacenaremos un 0 ó un 1.

Podemos establecer otra clasificación de las memorias dependiendo de que la información que contienen, pueda o no, modificarse después de haberla introducido.

Memorias de sólo lectura:

ROM

Como indica su propio nombre son memorias que sólo permiten la lectura, también son de acceso aleatorio y no volátiles. Este tipo de memorias se utilizan para guardar una serie de programas que vienen con el ordenador desde fábrica, como son los contenidos en la ROM-BIOS (Basic Input-Output System). En ella básicamente están unos programas de diagnóstico, encargados de chequear el hardware para comprobar que todo es correcto antes de arrancar. Además, tiene el programa de arranque, encargado de cargar el sistema operativo en memoria y, los programas para controlar los periféricos más comunes:

unidades de disco, teclado, puertos serie y paralelo, tarjeta gráfica, etc. Algunos periféricos requieren tener una memoria ROM para contener el programa encargado de gestionarlos, por ejemplo las tarjetas VGA cuentan con una memoria ROM de esas características ya que el BIOS sólo controla tarjetas CGA o MDA.

Atendiendo a la manera en que son grabadas se pueden distinguir varios tipos:

a) ROM: La palabra ROM puede ser aplicada a cualquiera de estos tipos de memoria, pero

en este caso vamos a reservarla para memorias grabadas de fábrica en las que los transistores están dispuestos de la manera necesaria para que se lean los valores que debe contener.

b) PROM (Programable Read Only Memory): Este tipo de memorias son similares a las

anteriores.

Son memorias de sólo lectura pero en vez de grabarse en fábrica, pueden grabarse, aunque una sola vez. Una vez grabada la información no podemos cambiarla, tan sólo leerla.

Cada punto de memoria va a estar formado por un transistor y un fusible. Dejando pasar una corriente suficiente a través del fusible, este se funde logrando su destrucción. Así pues, el usuario de tal PROM puede destruir los fusibles cuando sea necesario, dejando sólo transistores en las posiciones necesarias para establecer el almacenamiento de memoria deseado.

c) EPROM (Erasable Programable Read Only Memory): En este caso, la información puede

ser modificada por el usuario un número limitado de veces. Para grabar la información se necesita un aparato especial, llamado grabador de EPROM. Antes de regrabar una EPROM hay que borrar el contenido anterior, para ello se emplea luz ultravioleta y posee una ventana que permite el paso de la misma, normalmente esta tapada para evitar un borrado accidental.

El tiempo empleado para escribir, en este tipo de memorias, es mucho mayor que para leer, y como acabamos de ver, el borrado y el grabado se tienen que hacer fuera del sistema informático, siendo esta operación tan sólo posible un número limitado de veces.

d)

EEPROM (Electricaly Erasable Programable Read Only Memory): Se diferencian de las

anteriores en que pueden borrarse y grabarse en el mismo sistema informático y, en este caso, tanto la operación de borrado como de escritura se hace mediante el paso de corriente eléctrica. La información es borrada simultáneamente en todas las células de memoria.

Actualmente la ROM-BIOS de muchos ordenadores viene en formato Flash, esta es una memoria EEPROM, que permite por tanto que el usuario actualice el contenido de la misma sin necesidad de disponer de aparatos especiales, y sin abrir siquiera el ordenador, no obstante, son memorias de sólo lectura, para operaciones normales no se puede escribir en la memoria, se necesita un programa especial para poder hacerlo.

Memorias de lectura/escritura:

RAM

Son memorias de lectura/escritura, acceso aleatorio y volátiles. La memoria principal de un ordenador es RAM, ya que la ROM al no permitir la escritura tiene un uso limitado. El sistema operativo y los programas y datos del usuario se almacenan en memoria RAM para poder ser usados por el procesador.

Podemos distinguir dos tipos de memorias RAM:

a)

DRAM (Dinamic Random Access Memory): Son memorias en las cuales el estado (0 ó

1)

se almacena en un dispositivo electrónico cuya forma de funcionamiento podemos

compararla con un condensador que tiende a descargarse. Por ello, cada cierto tiempo, entre 1 y 18 millones de veces cada segundo, hay que enviar una señal, que se denomina señal de refresco, que recuerde a la memoria la información que posee, ya que ésta, se pierde poco después de haberse introducido.

El microprocesador es el que da las órdenes oportunas para que la señal de refresco llegue a la memoria. La frecuencia de esta señal de refresco tiene que ser suficientemente alta para que no de tiempo a que se pierda la información contenida en la memoria.

La capacidad de las memorias DRAM va de 64Kbit a 32Mbit (la capacidad de los chips de memoria se suele medir en bits y no en bytes). El tiempo medio de acceso de esta memoria oscila entre 80ns y 50ns. Actualmente no se emplean directamente los chips de memoria, sino que se agrupan varios en una placa, con un conector estándar para poder colocarse mejor; son los llamados SIMM (Single Inline Memory Module) que han existido de dos tipos: de 30 contactos (casi en desuso) y de 72 contactos.

Posteriormente aparecieron los llamados DIMM (Dual Inline Memory Module), que tienen 168 contactos y su capacidad varía desde 8Mb hasta 128 MB.

Las figuras siguientes representan los distintos tipos de módulos de memoria que se han existido y existen, así como los tamaños del bus de datos y direcciones de cada uno, en el caso de las memorias dinámicas la memoria direccionable es el doble del tamaño del bus de direcciones, ya que las direcciones se dividen en filas y columnas y se envían consecutivamente ambas por el mismo bus. El tamaño del bus de direcciones indica el máximo tamaño que puede tener una de dichas memorias, también las hay de menor capacidad, en ese caso no se utilizan las líneas de direcciones altas del bus.

Tipos de memorias DRAM

SIMM (30 contactos)

Bus de datos: 8 bits

Bus de direcciones: 11 bits

Memoria direccionable: 4MB

SIMM (72 contactos)

Bus de datos: 32 bits

Bus de direcciones: 12 bits

Memoria direccionable: 16MB

DIMM (168 contactos)

Bus de datos: 64 bits

Bus de direcciones: 14 bits

Memoria direccionable: 128MB

DDR (184 contactos)

Memoria direccionable: 256MB

RIMM (168 contactos)

Memoria direccionable: 512 MB

Módulo de continuidad

b) SRAM (Static Random Access Memory): La diferencia fundamental con las memorias anteriores es que no necesitan refresco, para ello emplean varios transistores por bit, lo cual reduce la capacidad de la memoria y hace que sean más caras que las DRAM (a igualdad de capacidad), a cambio son más rápidas que las DRAM, van de 50ns a 15ns.

Por ello se emplean en la memoria caché del ordenador que explicaremos en el apartado siguiente.

En la evolución de la memoria DRAM nos encontramos con la SDRAM (Synchronous DRAM). Utiliza como modo de encapsulado el módulo DIMM, consiguiendo con ella que la memoria esté sincronizada con el bus de datos y con el reloj del procesador,

incrementándose así, la tasa de trasferencia de datos, ya que el procesador sabe perfectamente en que ciclos puede realizar lecturas y escrituras. Además admite que se envíen comandos en los que se especifica que bancos refrescar o actualizar. La diferencia básica con el anterior de modelo es que la memoria es ahora la que espera para establecer sincronía con el resto del sistema

Basada en la tecnología SDRAM, nos encontramos con la memoria DDR (Double Data Rate). Este tipo utiliza módulos DIMM, aunque con alguna diferencia, como es la variación del número de ranuras existentes en el módulo: se dispone de hasta 184 contactos frente a los 168 presentes en un DIMM convencional. La novedad más importante que presenta es la de utilizar un mismo ciclo de reloj para realizar dos trasferencias al bus de datos en lugar de una, pudiendo alcanzar velocidades de trasferencia de datos de hasta 2.1 GB/s. La plataforma

Atlon de AMD se ha decantando por ella.

Intel, sin embargo, se ha decantado por la utilización de la tecnología Direct Rambus. Los módulos que utiliza esta tecnología se denominan RIMM, existiendo de hasta 512 MB. Son módulos de 168 pines. Utiliza una tecnología de bus y, por ello, no podemos dejar ningún slot vacío, ya que si lo hacemos el canal queda abierto y no funciona. Para que funcione correctamente existen unos módulos sin memoria, llamados módulos de continuidad, que lo único que hacen es cerrar el canal.

Pueden ser de doble cara o de una sola cara, y admiten cualquier número de chips, hasta un máximo de 32 soportados por canal. En este caso las velocidades de trasferencia de datos pueden llegar hasta 1.6 GB/s.

Finalmente conviene citar una pequeña memoria (64 o 128 bytes) que tiene el ordenador de tipo CMOS (bajo consumo), que aunque es memoria RAM, no pierde su contenido, gracias a que es alimentada por una pila. Se emplea para mantener un reloj en tiempo real (que sigue funcionando gracias a la pila incluso con el ordenador apagado) y para almacenar la configuración del ordenador: cantidad de memoria, tipo de discos que tiene, etc. Para almacenar dicha información hace falta memoria que permita escribir, ya que el usuario puede hacer cambios en la configuración, y por otra parte hace falta que no se pierda el contenido al apagar el equipo, la solución es emplear memoria RAM conectada a una pila. Esta memoria está contenida dentro de un chip y no forma parte del mapa de memoria del ordenador, ya que para acceder a ella se emplean operaciones de Entrada/Salida.

Controlador

Canal

Conectores

Canal

Terminador de Canal

Jerarquía de la memoria

Actualmente la velocidad de los procesadores no ha parado de aumentar, mientras que la velocidad de la memoria lo ha hecho en una cuantía mucho menor. La solución al problema que plantea esto, es hacer que el procesador espere por la memoria, aunque así se desaprovecha la velocidad del mismo. Para resolverlo se ha buscado otra solución, que consiste en poner una pequeña cantidad de memoria rápida y cara (SRAM), llamada memoria caché, y una cantidad mayor de memoria lenta y barata (DRAM), llamada memoria principal, y que el procesador mantenga una copia de los datos que más utiliza en la memoria caché.

Para que el esquema anterior funcione, es preciso que exista un controlador de caché, encargado de vigilar las peticiones de datos del procesador a la memoria. Parte de la memoria caché se empleará para guardar las direcciones de los datos y el resto para los datos. El controlador compara la dirección de memoria pedida por la CPU con las que contiene la caché, y si el dato está en la misma, da la orden para leer de la cache , en caso contrario, el dato se lee de la memoria principal, empleando los estados de espera que sean necesarios, y se copia en la memoria caché, para que cuando lo necesite la CPU se encuentre con más rapidez. Para poder hacer esto, el controlador de caché lleva la cuenta de qué datos de la caché se han utilizado últimamente, e introduce el nuevo dato en lugar del menos utilizado recientemente.

Con este sistema y tamaños adecuados de memoria principal y memoria caché (por ejemplo

16Mb de memoria principal y 256Kb de memoria caché) se puede conseguir que el 90% de las veces, el dato solicitado por el procesador esté en la memoria caché y lograr con un coste reducido, un sistema que tiene el 90% de velocidad que el equivalente con memoria rápida completo.

Los procesadores modernos funcionan interiormente a mayor velocidad que la que emplean en su comunicación con la memoria, por ejemplo un Pentium a 200Mz, funciona a 200MHz internamente, pero se comunica con la memoria externa (sea principal o caché) a sólo 66MHz. En estas condiciones el rendimiento del procesador se ve mermado por el de la memoria, aunque sea rápida. Por ello, se incluye una pequeña cantidad de memoria caché interna en el procesador (en el caso del Pentium 16Kb, 8Kb para datos y otros 8Kb para código) que funciona a la misma velocidad que él mismo. En ese caso la caché interna al procesador se llama caché de nivel 1 (abreviadamente L1) y la externa de nivel 2 (o L2).

La siguiente generación, por ejemplo el Pentium II, avanza incluso un poco más incluyendo la memoria caché L2 dentro del procesador, lo que permite que la velocidad de comunicación de la misma con el procesador, sea más elevada que la del bus del sistema (por ejemplo 200MHz en lugar de 100MHz).

En el extremo opuesto también se pueden conseguir mejoras. Supongamos que tenemos un ordenador con 16Mb de memoria principal y queremos usar un programa que requiere 16Mb de memoria (entre datos y código), pero el sistema operativo emplea 4Mb de memoria.

Aparentemente no se puede, pero hay una técnica para conseguirlo. Se trata de emplear parte de la memoria auxiliar como si fuera memoria RAM, la parte de los datos o el

programa que menos se use se escribe en disco, y cuando se necesite, se lleva otra vez a memoria, escribiendo en su lugar en el disco los datos menos usados que estaban en la memoria. Con este sistema el rendimiento se degrada, ya que el tiempo medio de acceso de un disco es de milisegundos, frente a los nanosegundos del tiempo de acceso a la memoria, pero al menos, se puede utilizar el programa, cosa de otro modo imposible, Además, salvo que se requiera mucha más memoria de la disponible físicamente, el rendimiento no disminuye tanto, por ejemplo, si tenemos un procesador de textos que tiene un módulo que permite corregir la ortografía, mientras no lo utilicemos no hace falta que esté físicamente en memoria, de modo que si el programa necesita 16Mb de RAM, es posible que las opciones que estemos usando usen sólo 8Mb, el resto se puede dejar en disco hasta que sea necesario.

Resumiendo, para conseguir un elevado rendimiento de un procesador hace falta jerarquizar la memoria: tener una pequeña cantidad de memoria muy rápida (aunque sea muy cara), una cantidad pequeña de memoria rápida y cara, una cantidad relativamente grande de memoria lenta y barata y, además, un espacio de disco mayor que la memoria, que será mucho más lento que la misma, pero de coste también mucho más reducido por bit. Con este sistema se obtiene un rendimiento menor que si toda la memoria necesaria fuera muy rápida, pero a un coste mucho menor.

Funcionamiento de la memoria

La forma en que está organizada una memoria principal es la siguiente: está dividida en N palabras, donde N es generalmente una potencia de 2, y a cada palabra se le asigna una dirección, o posición en la memoria. Cada palabra tiene el mismo número de bits, llamados longitud de palabra. Dicha longitud es también una potencia de 2, puede ser 8, 16, 32, etc. Por compatibilidad con los procesadores anteriores las posiciones de memoria se suelen numerar siempre de 8 en 8 bits, con independencia de que el procesador pueda acceder directamente a 16 bits, o más.

Las direcciones, o números de dirección en la memoria, van consecutivamente. Se suelen

expresar en hexadecimal partiendo de 00

posible que será la FF posición de memoria.

y llegando hasta la dirección más grande

000

FFF.

El procesador puede leer o escribir una palabra en cada

Es muy importante entender la diferencia entre el contenido de una dirección de memoria y la dirección en sí misma. La memoria es como un gran gabinete con muchos cajones, los cuales corresponden a las direcciones de memoria. En cada cajón hay una palabra y la dirección de cada palabra se escribe en la parte externa del cajón. Para obtener el contenido de un cajón debemos saber cual es, es decir debemos tener la dirección, pero el contenido es lo que hay dentro del cajón que no tiene nada que ver con su dirección.

Los chips de memoria tienen exteriormente un conjunto de patas con los que pueden ser conectados al resto de componentes del ordenador. Se pueden dividir en tres grupos fundamentales:

a) Bus de direcciones: Este conjunto de patas contiene la dirección en forma de número binario del dato que se busca, se conectan a otro conjunto de patas similares que tiene el procesador, cuando éste quiere leer un dato coloca en el bus de direcciones la dirección

del dato y espera a que la memoria se lo envíe por el bus de datos que se explica a continuación.

b) Bus de datos: Estas patas se conectan al bus de datos del procesador y por ellas circulan

los datos entre ambos. Por ejemplo, si un chip de memoria contiene un bus de datos de 1 bit (es decir una sola pata) en cada celda de memoria de ese chip se puede almacenar sólo un bit; si el procesador accede a la memoria de 8 en 8 bits, será preciso poner 8 chips similares y conectar el bus de datos de cada uno a cada una de las 8 patas del bus de datos del procesador, así cada dato de 8 bits que maneje el procesador tendrá cada uno de sus bits en un chip distinto.

c) Señales de control: Sirven para controlar el proceso, por ejemplo una de ellas llamada

W / R sirve para que la memoria sepa si el procesador quiere leer o escribir.

Para permitir ampliar posteriormente la memoria, normalmente el ancho del bus de direcciones del procesador es mayor que el ancho del bus de direcciones de los chips de memoria, en ese caso las líneas superiores del bus de direcciones del procesador tienen que pasar por un decodificador, que se encarga de seleccionar el chip correcto que contiene el dato. Por ejemplo supongamos que el procesador tiene un bus de direcciones de 16 bits y que empleamos para la memoria chips con un bus de direcciones de 14 bits y 1 bit para el bus de datos. El procesador puede acceder a 64Kb, mientras que los chips de memoria tienen capacidad de sólo 16Kbits, juntando 8 chips obtenemos 16Kb y con 4 grupos de 8 chips llenamos los 64Kb, en ese caso los 14 bits bajos del bus de direcciones se conectan a los 14 bits del bus de direcciones de todos los chips. Los 2 bits altos del bus de direcciones se conectan al decodificador que saca 4 señales, una cuando dichos bits son 00, otra cuando son 01, otra para 10 y finalmente otra para 11. Cada una de las señales del decodificador va a parar a una pata, llamada chip select, de los 8 chips de cada grupo, cada chip está seleccionado sólo cuando recibe la señal chip select.

Leyendo de la memoria

Cuando el procesador quiere acceder a un dato, es decir, para leer un dato de la memoria, realiza la siguiente secuencia:

1. Coloca la dirección del dato en el bus de direcciones.

2. Coloca en la pata W / R un 0 para indicar que desea leer.

3. Espera un tiempo prefijado a que la memoria coloque en el bus de datos el dato en

cuestión.

4. Lee el dato del bus de datos y da por concluida la secuencia.

Como se ha dicho arriba las posiciones de memoria se numeran en bytes, sin embargo el procesador puede acceder a datos de tamaño mayor, por ejemplo de 16 bits, hay dos posibles alternativas para esta situación, una es colocar en la parte baja del número leído el contenido de la posición baja de memoria y en la parte alta el de la posición alta, por ejemplo si la posición de memoria 1234 contiene el número 56 y la posición 1235 contiene el 78, al leer un dato de 16 bits de 1234 se obtiene 7856 (todos los números están en hexadecimal). Éste es el comportamiento de los procesadores de Intel, pero existen otros,

por ejemplo la familia 68000 de Motorola, que emplean el inverso, es decir en el caso anterior un procesador 68000 leería de memoria el dato 5678.

Escribiendo en memoria

Cuando el procesador transfiere un dato hacia la memoria, es decir, cuando se escribe en la memoria, se produce la siguiente secuencia:

1. Coloca la dirección del dato en el bus de direcciones.

2. Coloca en la pata W / R un 1 para indicar que desea escribir.

3. Coloca el dato en el bus de datos.

4. Espera un tiempo prefijado a que la memoria lea el dato del bus de datos y almacene

dicho valor en la dirección pedida, pasado ese tiempo da por concluida la operación.

El esquema para escribir datos multibyte es el mismo que emplea a la hora de leer, por tanto al escribir un dato de 16 bits y posteriormente volverlo a leer se obtiene el mismo valor, con independencia del orden en que se guarde en memoria (bajo-alto o alto-bajo), ya que se emplea el mismo orden a la hora de leerlo.