Clase 21

EL42A - Circuitos Electrnicos
Clase No. 21: Respuesta en Frecuencia de Circuitos Amplificadores (2)
Patricio Parada
pparada@ing.uchile.cl
Departamento de Ingeniera Elctrica
Universidad de Chile
22 de Octubre de 2009
P. Parada
Ingeniera Elctrica
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Contenidos
Modelos para Baja Frecuencia

Capacitancias de Estabilizacin o Bypass
Modelos para Alta Frecuencia

Modelo BJT Hbrido Extendido
Modelo MOSFET Extendido
P. Parada
Ingeniera Elctrica
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Capacitancias de Estabilizacin o Bypass I
Hemos visto que el uso de

resistencias de estabilizacin
( y ) en la configuraciones
de emisor comn (BJT) y fuente
comn (FET), ayudan a
estabilizar el punto de operacin
frente a cambios de parmetros
de los transistores.
El efecto inmediato es la
disminucin de la ganancia de
voltaje de banda media.
Para mitigar este efecto se

incorporan condensadores de
bypass.
P. Parada
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Capacitancias de Estabilizacin o Bypass II
El circuito equivalente para seal pequea es
La ganancia de voltaje es
() =
()
=
()

(
+ + (1 + )
P. Parada
Ingeniera Elctrica
1 )
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Capacitancias de Estabilizacin o Bypass III
Reordenando trminos

+ + (1 + )
1 +
( + )
1+
+ + (1 + )

1 +
=
+ + (1 + ) 1 +
|
{z
}
() =
Esta expresin es ligeramente diferente de las que estudiamos en la

clase pasada.
Notamos inmediatamente que

( )dB = 20 log10 + 10 log10 (1 + (2 )2 )
10 log10 (1 + (2 )2 )
P. Parada
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Capacitancias de Estabilizacin o Bypass IV
El primer trmino es constante e

igual a
20 log10

+ + (1 + )
El segundo trmino es cercano a

1
y crece
0 para <
2
linealmente con log( ).
El segundo trmino es cercano a

1
0 para <
y decrece
2
linealmente con log( ).
P. Parada
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Capacitancias de Estabilizacin o Bypass V
Notamos que se va a producir eventualmente los dos trminos

variables con pueden anular su efecto si .
En la prctica, sin embargo, estos trminos estn alejados y

obtenemos un comportamiento del estilo
Las asntotas se pueden derivar directamente de ( ).
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Capacitancias de Estabilizacin o Bypass VI
Cuando 0, el trmino dominante es , es decir,

lm ( ) =

+ + (1 + )
Cuando el trmino dominante son los que dependen de .

En efecto,
1 + (2 )2

lm ( ) =
lm

+ + (1 + ) 1 + (2 )2

+ + (1 + )

=
(
+ + (1 + )
+ )
+ + (1 + )

=
.
+
=
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Capacitancias de Estabilizacin o Bypass VII
Vemos que cuando al frecuencia es baja aparece en la ganancia de

voltaje porque la impedancia asociada a es grande comparada con
.
A medida que la frecuencia aumenta, comienza a cortocircuitar

, tal como lo habamos visto con anterioridad.
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Combinando Capacitancias de Bypass y de Acoplamiento
La incorporacin de mltiples condensadores en el circuito tiene un

efecto directo en el comportamiento del circuito amplificador
completo.
Nuestro enfoque a estudiado los efectos por separado de cada

condensador.
Como en general no estamos interesados en la respuesta completa en

frecuencia, sino en determinar el ancho de banda del amplificador y la
ganancia de banda media, vamos a componer el efecto mediante la
multiplicacin de los efectos individuales.
Si uno de los polos del circuito es dominante, la frecuencia de corte

del circuito estar asociada a ese condensador en particular.
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Introduccin
Nuestro estudio hasta este momento ha asumido que los transistores

que utilizamos son ideales, en el sentido que responden de la misma
manera ante seales de distinta frecuencia.
En la prctica, tanto BJT como FET exhiben un comportamiento

capacitivo que es relevante en la parte alta del espectro.
Nuestro enfoque extiende los modelos para seal pequea que hemos
utilizado hasta este punto.
P. Parada
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Modelo Hbrido- Extendido para BJT I
Recordemos que la estructura interna (approximada) de un BJT tpico

es la siguiente:
Existen tres efectos capacitivos importantes que debemos considerar:
En la juntura base-emisor
Entre colector y emisor
En la juntura base-colector.
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Modelo Hbrido- Extendido para BJT II
La juntura base-emisor puede ser modelada de la siguiente manera:
es la resistencia entre el terminal

externo y
es la capacitancia de la juntura
(polarizada en forma
directa).
es la resistencia de la juntura
(polarizada en forma
directa).
ex es la resistencia entre el
terminal externo y . Esta
resistencia usualmente es muy
pequea (1 2).
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Modelo Hbrido- Extendido para BJT III
El modelo equivalente mirando hacia el colector es el siguiente
es la resistencia entre el terminal

externo y
es la capacitancia de la juntura
sustrato (polarizada en forma
inversa).
es la fuente de corriente
dependiente controlada por el
voltaje
es la resistencia entre y
debido al efecto Early.
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Modelo Hbrido- Extendido para BJT IV
El modelo equivalente para la juntura B-C (polarizada en inversa) es
es la capacitancia de la
juntura en inversa.
es la resistencia de la
juntura .
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Modelo Hbrido- Extendido para BJT V
El modelo completo, que llamaremos modelo hbrido- extendido,

es el siguiente
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Ganancia de Corriente de Corto-Circuito I
Vamos a trabajar con un modelo simplificado del modelo extendido

que acabamos de presentar.
Ello se justifica porque en general las resistencias , y ex son

pequeas y es muy grande.
Adems, despreciaremos el efecto de la capacitancia entre y el

substrato, por lo que el modelo hbrido- se reduce a lo siguiente:
P. Parada
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Ganancia de Corriente de Corto-Circuito II
Consideremos el circuito
Vamos a calcular la ganancia de corriente de cortocircuito / .

ste trmino es el parmetro del model del transistor.
Planteamos ecuaciones de corriente en y :
+ + ( ).
+ ( ).
LCK (C) =
LCK (B) =
P. Parada
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18 /
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Ganancia de Corriente de Corto-Circuito III
Pero = y = 0. Luego
(1
)
=
+ ( + )
= ( ) .
La ganancia de corriente de cortocircuito es

=
1
+ ( + )
Notemos que pF(1012 y mA/V. Por lo tanto, mientras

< 2 108 (100 MHz, el numerado es aproximadamente
=
=
1
1 + ( + )
1 + ( + )
+ ( + )
P. Parada
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Ganancia de Corriente de Corto-Circuito IV
Notamos inmediatamente que la ganancia de corriente de emisor

comn ( ) es funcin de la frecuencia.
1
, .
Mientras < =
2 ( + )
Si > , comienza a decrecer 6 dB/octava.
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Ganancia de Corriente de Corto-Circuito V
A medida que la frecuencia aumenta, el desfase entre e se

comienza a acentuar.
Cuando = , el desfase entre ambas seales es 45 , llegando a 90

para frecuencias suficientemente altas.
Para fijar ideas, notemos que si = 3 k, = 1 pF, y

= 0,1 pF, tenemos que la frecuencia de corte es
=
1
1
=
= 48,3 MHz.
3
2 ( + )
2 3 10 1,1 1012
Transistores de alta frecuencia deben tener pequeas capacitancias, y

es por ello que usualmente estos dispositivos son pequeos.
a veces recibe el nombre de ancho de banda del transistor.
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Frecuencia de Corte I
La ganancia ( ) se puede expresar como
( ) =
1+
Luego, la magnitud de es
.
( )2
1+
( ) =
Estamos interesados en la frecuencia a la cual = 1. A esta

frecuencia no hay ganancia de corriente de base, e = .
P. Parada
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22 /
37
Frecuencia de Corte II
Si reemplazamos en la ecuacin obtendremos que

= =
.
2( + )
(1)
Notamos que puede ser utilizado como medida de calidad del

amplificador y recibe el nombre de ancho de banda de ganancia
unitaria.
P. Parada
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23 /
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Efecto Miller y Capacitancia de Miller I
Consideremos el circuito de emisor comn de la figura:
Estamos interesados en los efectos

para alta frecuencia.
Ello significa que los condensadores

1 , 2 y pueden asumirse
cortocircuitos.
Aunque usualmente >> no

es apropiado despreciarlo, ya que
como acabamos de ver, tiene
influencia en el comportamiento de
alta frecuencia del circuito.
P. Parada
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24 /
37
Efecto Miller y Capacitancia de Miller I
El circuito equivalente para seal pequea y de alta frecuencia, es el

siguiente:
Podemos emplear el Teorema de Miller, para simplificar simplificar el

efecto de .
P. Parada
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25 /
37
Efecto Miller y Capacitancia de Miller II
Teorema de Miller
Los circuitos mostrados son equivalentes
(b)
(a)
donde
1 =
2 =
P. Parada
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(2)
26 /
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Efecto Miller y Capacitancia de Miller III
Notemos primero que el circuito de la figura (a) puede ser dibujado

como sigue:
El lado de la derecha del circuito puede ser reemplazado por
P. Parada
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27 /
37
Efecto Miller y Capacitancia de Miller IV
La impedancia vista desde la entrada es

1 =
Similarmente, la impedancia vista desde la salida es

2 =
=
=
.
1
( )

=
=
.
2
( )

Identificamos inmediatamente que
= . Luego
1
1
.
2 =
1
1 =
P. Parada
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28 /
37
Efecto Miller y Capacitancia de Miller V
Es decir,
1 = (1 )
(
1 )
2 = 1
Notar que dado que el amplificador es inversor, < 0, por lo que la

entrada ve una capacitancia aumentada en un factor 1 + . Este
fenmeno recibe el nombre de Efecto Miller.
La capacitancia 1 recibe el nombre de Capacitancia de Miller y se

denota como .
Por otro lado, 2 . Dado que es un nmero pequeo, y uno

tiende a despreciarlo
P. Parada
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29 /
37
Efecto Miller y Capacitancia de Miller VI
Para entender mejor esta idea, consideremos el circuito original
Al aplicar el teorema de Miller, resulta
P. Parada
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30 /
37
Efecto Miller y Capacitancia de Miller VII
Cmo es pequeo, su impedancia es muy grande en un rango

amplio de frecuencias (al menos hasta el rango de los GHz).
Similarmente, >> por lo que tambin puede ser despreciado

esta disminucin en la fuente.
Luego, el circuito simplificado es el siguiente.
P. Parada
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31 /
37
Efecto Miller y Capacitancia de Miller VII
Podemos determinar la ganancia de corriente del circuito:
+ ( + ) .

LCK (C) =
.
LCK (B) =
Ordenando trminos obtenemos
( )
1
=
.
+ 1 + ( )( + )
La frecuencia de corte (-3 dB) del circuito es

3dB =
1
.
2( )( + )
P. Parada
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(3)
32 /
37
Efecto Miller y Capacitancia de Miller VIII
Cul sera el error si no consideraremos la capacitancia de Miller?
Si = 0, el ancho de banda del circuito sera

3dB =
1
.
2( )( )
Luego, el efecto Miller es responsable por una reduccin notable del

ancho de banda del circuito.
Consideremos por ejemplo, = = 10 k, = 3 k,

= 250 k, = 5 pF, = 0,1 pF y = 40 mA/V.
Si consideramos el efecto Miller, el ancho de banda del circuito es

aproximadamente 2.1 MHz.
Si no lo consideramos, el ancho de banda es 10.7 MHz.
P. Parada
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33 /
37
Efecto Miller y Capacitancia de Miller IX
El efecto Miller introduce un compromiso entre ancho de banda y

ganancia que es relevante de considerar al momento de disear un
amplificador.
Si aumentamos , aumenta lo que reduce el ancho de banda

del circuito.
Si disminuimos , disminuye lo que incrementa el ancho de

banda del circuito.
P. Parada
Ingeniera Elctrica
34 /
37
Modelo Equivalente FET para Alta Frecuencia I
Al igual que en el caso del transistor bipolar, el transistor (MOS)FET

presenta efectos capacitivos que limitan su respuesta en alta
frecuencia.
Consideremos un corte idealizado de un transistor MOSFET:
P. Parada
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35 /
37
Modelo Equivalente FET para Alta Frecuencia II
En la figura, hemos introducido los siguientes elementos:
: resistencia de la regin fuente

: resistencia de la regin drenado
y : capacitancia debido a la sobreposicin de la capa de
dixido de silicio en las regiones de fuente y drenado.
y : capacitancias entre la capa de dixido de silicio y la capa de
inversin (canal) en las regiones de fuente y drenado.
: capacitancia entre el drenado y el substrato del transistor.
Tpicamente
1
.
2
Estos condensares tienen valores tpicos del orden de pF.
Por ejemplo, si = 50 m, = 5 m y = 500 , 0,12 pF.
P. Parada
Ingeniera Elctrica
(4)
36 /
37
Modelo Equivalente FET para Alta Frecuencia III
El modelo equivalente para alta frecuencia es el siguiente:
P. Parada
Ingeniera Elctrica
37 /
37

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Hemos visto que el uso de

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Esta expresin es ligeramente diferente de las que estudiamos en la

Notamos inmediatamente que

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El primer trmino es constante e

El segundo trmino es cercano a

El segundo trmino es cercano a

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Notamos que se va a producir eventualmente los dos trminos

En la prctica, sin embargo, estos trminos estn alejados y

Las asntotas se pueden derivar directamente de ( ).

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Cuando 0, el trmino dominante es , es decir,

Cuando el trmino dominante son los que dependen de .

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Vemos que cuando al frecuencia es baja aparece en la ganancia de

A medida que la frecuencia aumenta, comienza a cortocircuitar

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La incorporacin de mltiples condensadores en el circuito tiene un

Nuestro enfoque a estudiado los efectos por separado de cada

Como en general no estamos interesados en la respuesta completa en

Si uno de los polos del circuito es dominante, la frecuencia de corte

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Nuestro estudio hasta este momento ha asumido que los transistores

En la prctica, tanto BJT como FET exhiben un comportamiento

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Modelo Hbrido- Extendido para BJT I

Recordemos que la estructura interna (approximada) de un BJT tpico

Existen tres efectos capacitivos importantes que debemos considerar:

Modelo Hbrido- Extendido para BJT II

La juntura base-emisor puede ser modelada de la siguiente manera:

es la resistencia entre el terminal

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El modelo equivalente mirando hacia el colector es el siguiente

es la resistencia entre el terminal

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El modelo equivalente para la juntura B-C (polarizada en inversa) es

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El modelo completo, que llamaremos modelo hbrido- extendido,

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Vamos a trabajar con un modelo simplificado del modelo extendido

Ello se justifica porque en general las resistencias , y ex son