LA MEMORIA RAM TIPO TSOP

- DEFINICIN DE MEMORIA SRAM, DEFINICIN DE MEMORIA CACH Y

BUFFER
TSOP proviene de ("Thin Small Out-line Package"), lo que traducido
conjunto de bajo perfil fuera de lnea. Son un tipo de memorias DRAM
celdas construidas a base de capacitores), los primeros mdulos de
aislados que se introducan en zcalos especiales de la tarjeta
("Motherboard"). Estos chips en conjunto iban sumando las cantidades de
RAM del equipo.

significa
(RAM de
memoria
principal
memoria

Las memorias TSOP no fueron totalmente reemplazados en aquel tiempo, sino que
se conjuntaron los mdulos en una placa plstica especial y se organizaron las
terminales con forma de pin en un solo lado de la tarjeta, naciendo el estndar
de memorias SIP ("Single In-line Package").

Figura 2. Memorias RAM tipo TSOP, KM41464AP-12, 18 pines

- Caractersticas generales de la memoria TSOP
+ Bsicamente haba de diferentes formas y tamaos como cualquier
otro circuito integrado.
+ Cuentan con una forma fsica como cualquier otro chip y se introducen las
terminales en el espacio asignado para ello.
- Partes que componen la memoria TSOP
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
bsicamente los siguientes:

1.- Encapsulado: integra dentro de s una gran

cantidad de elementos electrnicos microscpicos
(transistores, capacitores, compuertas, etc.),
formadores de la memoria RAM.
2.- Pines: se encargan de transmitir las seales
elctricas y los datos.
3.- Punto de referencia: indica cul es la
terminal No. 1.
4.- Mdulo zcalo: permite albergar e
insertar la memoria TSOP.
- Conectores - pines para las terminales
Se muestra un ejemplo de memoria TSOP del equipo Acer 915 con
microprocesador AMD 286.
Conector

Figuras

Conector de la memoria
TSOP de 20
terminales

Zcalos de la tarjeta
principal

- La memoria de paridad
Es una caracterstica integrada en los chips de memoria, la cual consiste en la
deteccin de errores durante las operaciones de lectura dentro de la memoria,
antes de que la computadora utilice el dato.
Esto se logra aadiendo un "bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el
nmero de "unos" del byte es par, el "bit extra bit de paridad" ser 1 y si el
nmero de "unos" del byte es impar, el "bit extra bit de paridad" ser 0, ejemplo:
Caracter
Humano
A
L

Byte

Nmero de unos

Impar par

Bit de paridad

0100 0001

Par

0100 1100

Impar

Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad

asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se desarroll
posteriormente la tecnologa ECC.
- Capacidades de almacenamiento TSOP
La unidad prctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria
TSOP es el Kilobyte (KB) y se muestra un ejemplo de una memoria para placa
915P(N) de Acer.
Tipo de memoria

Capacidad en Kilobytes (MB)

TSOP KM41464AP-12

128 KB

- Usos especficos de la memoria TSOP

Los TSOP se utilizaron bsicamente en computadoras con microprocesadores de
la familia Intel 286 y modelos anteriores.

LA MEMORIA RAM TIPO SIP

Reemplazaron el uso de las memorias TSOP.
Las memorias SIP fueron rpidamente reemplazadas por las memorias RAM tipo
SIMM ("Single In line Memory Module"), ya que las terminales se integraron a una
placa plstica y se hizo mas resistente a los dobleces.

- Caractersticas generales de la memoria SIP

+ Solo se comercializ una versin de memoria SIP de 30 terminales.
+ Cuentan con una forma fsica especial, pero tenan el inconveniente de que al
tener los pines libres y en lnea corran el riesgo de doblarse y romperse.
+ La memoria SIP de 30 terminales permite el manejo de 8 bits.
+ La medida del SIP de 30 terminales es de 8.96 cm. de largo X 1.92 cm. de
alto.
- Partes que componen la memoria SIP
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
bsicamente los siguientes:
1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la cual
estn soldadas los componentes de la memoria.
2.-Chips: son mdulos de memoria voltil.
3.- Conector (30 pines): son terminales tienen
forma de pin, que se insertan en el mdulo
especial para memoria SIP.

- Conectores - pines para la ranura

Son 2 versiones:
Conector

SIP 30
pines

Figuras
Conector
de la
memoria
"Ranura"
de la
tarjeta
principal

- Velocidad de la memoria SIP

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz).
En el caso de los SIP su velocidad de trabajo era la misma que los
microprocesadores del momento, esto es aproximadamente entre 25 MHZ y 33
MHz.

- La memoria de paridad
Es una caracterstica integrada en los chips de memoria, la cual consiste en la
deteccin de errores durante las operaciones de lectura dentro de la memoria,
antes de que la computadora utilice el dato.
Esto se logra aadiendo un "bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el
nmero de "unos" del byte es par, el "bit extra bit de paridad" ser 1 y si el
nmero de "unos" del byte es impar, el "bit extra bit de paridad" ser 0, ejemplo:
Caracter
Humano
A
L

Byte

Nmero de unos

Impar par

Bit de paridad

0100 0001

Par

0100 1100

Impar

Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad

asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se desarroll
posteriormente la tecnologa ECC.
- El tiempo de acceso de la memoria SIP
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d un cierto resultado
que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tipo de memoria

Tiempo de respuesta en nanosegundos

(nseg)

SIP 30 pines

60 nseg

- Capacidades de almacenamiento SIP

La unidad prctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria
SIP es Kilobyte (KB) y el Megabyte (MB). En este caso como hubo 2 versiones,
estas varan de acuerdo al modelo y se comercializaron bsicamente las siguientes
capacidades:

Tipo de memoria

Capacidad en Kilobytes (KB) / Megabytes

(MB)

SIP 30 pines

256 KB, 512 KB, 1 MB?

- Usos especficos de la memoria SIP

Los SIP de 30 pines se utilizaron bsicamente en computadoras con
microprocesadores de la familia Intel 286.

LA MEMORIA RAM TIPO SIMM

Las memorias SIMM reemplazaron a las memorias RAM tipo SIP ("Single
In-Line Package")
Las memorias SIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DIMM
("Dual In line Memory Module").

Memoria RAM tipo SIMM,

genrica, L-9645-8ML-194V-0, 3
chips, 30 pines, capacidad de 1
MB

Memoria RAM tipo SIMM, genrica,

HYM591000PM, 12 chips, 72 pines,
capacidad 32 MB

- Caractersticas generales de la memoria SIMM

+ Hay 2 versiones de memoria SIMM, con 30 y con 72 terminales, siendo
el segundo el sucesor.
+ Cuentan con una forma fsica especial, para que al insertarlas, no
haya riesgo de colocarla de manera incorrecta. Adicionalmente el SIMM de
72 terminales cuenta con una muesca en un lugar estratgico del conector.
+ La memoria SIMM de 30 terminales permite el manejo de 8 bits y la
de 72 terminales 32 bits.
+ La medida del SIMM de 30 terminales es de 8.96 cm. de largo X 1.92
cm. de alto.
+ La medida del SIMM de 72 terminales es de 10.88 cm. de largo X 2.54
cm. de alto.
+ Pueden convivir en la misma tarjeta principal ("Motherboard") ambos
tipos si esta tiene las ranuras necesarias para ello.
- Partes que componen la memoria SIMM
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora;
son bsicamente los siguientes:
1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la
cual estn soldadas los componentes de la
memoria.
2.-Chips: son mdulos de memoria voltil.
3.- Conector (30 terminales): base de la
memoria que se inserta en la ranura
especial para memoria SIMM.
- Conectores - terminales para la ranura
Son 2 versiones:
Conector

Figuras
Conector de la
memoria

SIMM 30
terminales Ranura de la tarjeta
principal
- Velocidad de la memoria SIMM
La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz
(MHz). En el caso de los SIMM su velocidad de trabajo era la misma que

los microprocesadores del momento, esto es aproximadamente entre 25

MHZ y 33 MHz.
- La memoria de paridad
Es una caracterstica integrada en los chips de memoria, la cual consiste
en la deteccin de errores durante las operaciones de lectura dentro de la
memoria, antes de que la computadora utilice el dato.
Esto se logra aadiendo un "bit extra" por cada Byte (8 bits), de modo
que si el nmero de "unos" del Byte es par, el "bit extra bit de paridad"
ser 1 y si el nmero de "unos" del Byte es impar, el "bit extra bit de
paridad" ser 0, ejemplo:
Caracter
Humano

Byte

Nmero de unos

Impar par

Bit de paridad

0100 0001

Par

0100 1100

Impar

Entonces al momento de utilizar el Byte, si este no coincide con su

paridad asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello
se utiliza la tecnologa ECC.
- Tecnologa de correccin de errores (ECC)
La tecnologa ECC en memorias SIMM se utilizaba bsicamente para
equipos que manejaban datos sumamente crticos, ya que no era comn su
uso en equipos domsticos porque esta tecnologa aumentaba en gran
medida los costos de la memoria.
ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa
cdigo para correccin de errores. Se trata de un cdigo que tiene la
capacidad de detectar y corregir errores de 1 ms bits, de tal suerte que el
usuario no detecta la falla, pero en caso de ser ms de un bit se muestra
error de paridad.
Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemtico de parte del
ECC, el cual se almacena junto con los otros datos, as al ser solicitados
estos, se comparar el cdigo almacenado con el que genera la solicitud. En
caso de la no coincidencia exacta de lo anterior el cdigo original se
decodificar para determinar la falla y se procede a corregirlo.
- Modo de acceso FPM
FPM son las siglas de ("Fast Page Mode") modo rpido de paginacin.
Es una tecnologa que mejora el rendimiento de las memorias DRAM
("Dinamic
Random
Access
Memory",
es
decir
memorias
con
almacenamiento basado en capacitores, accediendo a las direcciones
solicitadas por medio de cambios de pgina (...).
- El tiempo de acceso de la memoria SIMM
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d un cierto
resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
Tipo de memoria

Tiempo de respuesta en nanosegundos

(nseg)

SIMM 30 terminales

60 nseg

SIMM 72 terminales

40 nseg

- Capacidades de almacenamiento SIMM

La unidad prctica para medir la capacidad de almacenamiento de una
memoria SIMM es KiloByte (KB) y el MegaByte (MB). En este caso como

hubo 2 versiones, estas varan de acuerdo al modelo y se comercializaron

bsicamente las siguientes capacidades:
Tipo de memoria

Capacidad en MegaBytes (MB)

SIMM 30 terminales

256 KB, 512 KB, 1 MB, 2 MB, 4 MB, 8

MB

SIMM 72 terminales

4 MB, 8 MB, 16 MB, 32 MB, 64 MB

- Usos especficos de la memoria SIMM

Los SIMM de 30 terminales se utilizaron bsicamente en computadoras
con microprocesadores de la familia Intel 386 y 486.
Los SIMM de 72 terminales fueron posteriores a los SIMM de 30
terminales, pero algunas placas integraban ranuras para ambos. Se
utilizaban en computadoras con bsicamente procesadores de la
familia Intel 486 y Pentium.

LA MEMORIA RAM TIPO DIMM - SDRAM

SDRAM proviene de (Synchronous Dynamic Random Access Memory),
memoria de acceso aleatorio sincrnico, esto significa que existe un cierto
tiempo entre el cambio de estado de la misma sincronizado con el reloj y
bus del sistema, en la prctica se le denomina solo DIMM.
Reemplazaron a las memorias RAM tipo SIMM ("Single In line Memory
Module").
Las memorias DIMM - SDRAM fueron reemplazadas por las memorias
tipo RIMM ("Rambus Inline Memory Module") y las memorias tipo DDR
("Double Data Rate").

Figura 2. Memoria RAM tipo DIMM - SDRAM, marca Kingston PC133, sin
capacidad definida, 168 pines
- Caractersticas generales de la memoria DIMM SDRAM
+ Cuenta con conectores fsicamente independientes en ambas caras de
la tarjeta de memoria, de all que se les denomina duales.
+ Todas las memorias DIMM - SDRAM cuentan con 168 terminales.
+ Cuentan con un par de muescas en un lugar estratgico del conector,
para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.
+ La memoria DIMM - SDRAM permite el manejo de 32 y 64 bits.
+ La medida del DIMM - SDRAM es de 13.76 cm. de largo X 2.54 cm. de
alto.
+ Puede convivir con SIMM en la misma tarjeta principal ("Motherboard")
si esta cuenta con ambas ranuras.
- Partes que componen la memoria DIMM SDRAM
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora;
son bsicamente los siguientes:

1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la

cual estn soldadas los componentes de la
memoria.
2.-Chips: son mdulos de memoria voltil.
3.- Conector (168 terminales): base de la
memoria que se inserta en la ranura especial
para memoria DIMM - SDRAM en la tarjeta
principal (Motherboard).
4.- Muesca: indica la posicin correcta dentro
de la ranura de memoria.
- Conectores - terminales para la ranura
Solo hay una versin fsica:
Conector

Figuras

DIMM - Conector de la memoria

SDRAM
168
Ranura de la tarjeta
terminales principal
- Velocidad de la memoria DIMM SDRAM
La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz
(MHz). En el caso de los DIMM - SDRAM, tiene varias velocidades de trabajo
disponibles, la cual se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto
del sistema. Bsicamente fueron las siguientes:
Nombre asignado

Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal

Side Bus")

----

25 MHz, 33 MHz, 50 MHz

PC66

66 MegaHertz (MHz)

PC100

100 MHz

PC133

133 MHz

PC150

150 MHz

- La memoria de paridad
Es una caracterstica integrada en los chips de memoria, la cual consiste
en la deteccin de errores durante las operaciones de lectura dentro de la
memoria, antes de que la computadora utilice el dato.
Esto se logra aadiendo un "bit extra" por cada Byte (8 bits), de modo
que si el nmero de "unos" del Byte es par, el "bit extra bit de paridad"
ser 1 y si el nmero de "unos" del Byte es impar, el "bit extra bit de
paridad" ser 0, ejemplo:
Carcter
Humano

Byte

Nmero de unos

Impar o par

Bit de paridad

0100 0001

Par

0100 1100

Impar

Entonces al momento de utilizar el Byte, si este no coincide con su

paridad asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello
se utiliza la tecnologa ECC.
- Tecnologa de correccin de errores (ECC)
La tecnologa ECC en memorias DIMM - SDRAM se utilizaba bsicamente
para equipos que manejaban datos sumamente crticos, ya que no era
comn su uso en equipos domsticos porque esta tecnologa aumentaba en
gran medida los costos de la memoria.
ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa
cdigo para correccin de errores. Se trata de un cdigo que tiene la
capacidad de detectar y corregir errores de 1 ms bits, de tal suerte que el
usuario no detecta la falla, pero en caso de ser ms de un bit se muestra
error de paridad.
Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemtico de parte del
ECC, el cual se almacena junto con los otros datos, as al ser solicitados
estos, se comparar el cdigo almacenado con el que genera la solicitud. En
caso de la no coincidencia exacta de lo anterior el cdigo original se
decodificar para determinar la falla y se procede a corregirlo.
- Modo de acceso FPM
FPM son las siglas de ("Fast Page Mode") modo rpido de paginacin.
Es una tecnologa que mejora el rendimiento de las memorias DRAM
("Dinamic Random Access Memory"), es decir memorias con
almacenamiento basado en capacitores, accediendo a las direcciones
solicitadas por medio de cambios de pgina (...).
- El tiempo de acceso de la memoria DIMM SDRAM
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d un cierto
resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
Tipo de memoria

Tiempo de respuesta en nanosegundos

(nseg)

DIMM - SDRAM 168 terminales

12 nseg - 10 nseg - 8 nseg

- Latencia de la memoria DIMM SDRAM

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cul es el tiempo que emplea la
memoria en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definicin es
"Tiempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor
est relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz),
ya que al aumentar est, tambin aumenta la latencia.
Tipo de memoria

Latencia promedio CAS

DIMM - SDRAM 168 terminales

- Capacidades de almacenamiento DIMM SDRAM

La unidad prctica para medir la capacidad de almacenamiento de una
memoria DIMM - SDRAM es el MegaByte (MB). Actualmente en Mxico
todava se venden de manera comercial algunas de las siguientes
capacidades:
Tipo de memoria
DIMM - SDRAM 168 terminales PC100

Capacidad en MegaBytes (MB)

32 MB, 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512
MB

DIMM - SDRAM 168 terminales PC133

32 MB, 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512

MB

- Usos especficos de la memoria DIMM SDRAM

Los DIMM - SDRAM de 168 terminales se utilizaron bsicamente en
computadoras de escritorio con microprocesadores de la familia Intel
Pentium Pro, Pentium II, Celeron y algunos modelos Pentium III.
- La memoria SODIMM - SDRAM (Variante de DIMM - SDRAM)
Significado de SODIMM - SDRAM: proviene de ("Small Outline Dual
In line Memory Module"), siendo la variante de memorias DIMM - SDRAM
para computadoras porttiles.
Caractersticas de la memoria SODIMM - SDRAM:
+ Todas las memorias SODIMM - SDRAM cuentan con 144 terminales,
especiales para computadoras porttiles.
+ Las dems especificaciones como latencia, capacidades de
almacenamiento, velocidad, etc., son iguales a la del formato DIMM SDRAM para computadora de escritorio.

LA MEMORIA RIMM
- Definicin de memoria RIMM
RIMM proviene de ("Rambus In line Memory Module"), lo que traducido
significa mdulo de memoria de lnea con bus integrado (este nombre es
debido a que incorpora su propio bus de datos, direcciones y control de
gran velocidad en la propia tarjeta de memoria): son un tipo de memorias
RAM del tipo RDRAM ("Rambus Dynamic Random Access Memory"): es
decir, tambin estn basadas en almacenamiento por medio
de capacitores), que integran circuitos integrados y en uno de sus lados
tienen las terminaciones, que sirven para ser insertadas dentro de las
ranuras especiales para memoria de la tarjeta principal
(Motherboard). (Extrado de InformaticaModerna.com)
Tambin se les denomina DIMM tipo RIMM, debido a que cuentan con
conectores fsicamente independientes por ambas caras como el primer
estndar DIMM.
Se buscaba que fueran el estndar que reemplazara a las memorias RAM
tipo DIMM ("Dual In line Memory Module").
Las memorias RIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR
("Double Data Rate") las cules eran ms econmicas.

Figura 2. Memoria RAM tipo RIMM, marca Samsung, modelo PC800, 184
terminales, chips RDRAM, capacidad 256 MB, con ECC
- Caractersticas generales de la memoria RIMM
+ Este tipo de memorias siempre deben ir por pares, no funcionan si se
coloca solamente un mdulo de memoria.
+ Todas las memorias RIMM cuentan con 184 terminales.
+ Cuentan con 2 muescas centrales en el conector, para que al

insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.

+ La memoria RIMM permite el manejo de 16 bits.
+ Tiene una placa metlica sobre los chips de memoria, debido a que
estos tienden a calentarse mucho y esta placa acta como disipador de
calor.
+ Como requisito para el uso del RIMM es que todas las ranuras
asignadas para ellas estn ocupadas.
- Partes que componen la memoria RIMM
Los componentes internos estn cubiertos por una placa metlica que
acta como disipador de calor:
1.- Disipador: es una placa metlica que
cubre la tarjeta plstica y los chips, ya que
tienden a sobrecalentarse y de este modo
absorbe el calor y lo transmite al ambiente.
2.- Conector (184 terminales): base de la
memoria que se inserta en la ranura especial
para memoria RIMM.
3.- Muescas: son 2 hendiduras caractersticas
de la memoria RIMM y que indican la posicin
correcta dentro de la ranura de memoria.
- Tecnologa de correccin de errores (ECC)
La tecnologa ECC en memorias RIMM se utiliza bsicamente para
equipos que van a manejar datos sumamente crticos, ya que no es comn
su uso en equipos domsticos porque esta tecnologa aumenta en gran
medida los costos de la memoria.
ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa
cdigo para correccin de errores. Se trata de un cdigo que tiene la
capacidad de detectar y corregir errores de 1 o ms bits, de tal suerte que el
usuario no detecta la falla, pero en caso de ser ms de un bit se muestra
error de paridad.
Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemtico de parte del
ECC, el cual se almacena junto con los otros datos, as al ser solicitados
estos, se comparar el cdigo almacenado con el que genera la solicitud. En
caso de la no coincidencia exacta de lo anterior el cdigo original se
decodificar para determinar la falla y se procede a corregirlo.
- Velocidad de la memoria RIMM
La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz
(MHz). En el caso de los RIMM, tiene varias velocidades de trabajo
disponibles, la cual se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto
del sistema. Bsicamente fueron las siguientes:
Nombre asignado

Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal

Side Bus")

PC600

300 MegaHertz (MHz)

PC700

356 MHz

PC800

400 MHz

PC1066

533 MHz

(...)

800 MHz

- El tiempo de acceso de la memoria RIMM

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d un cierto
resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
Tipo de memoria

Tiempo de respuesta en nanosegundos

(nseg)

RIMM 184 terminales

40 nseg aproximadamente

- Latencia de la memoria RIMM

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cul es el tiempo que emplea la
memoria en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definicin es
"Tiempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor
est relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz),
ya que al aumentar est, tambin aumenta la latencia.
Tipo de memoria

Latencia CAS

RIMM 184 terminales

4y5

- Capacidades de almacenamiento RIMM

La unidad prctica para medir la capacidad de almacenamiento de una
memoria RIMM es el MegaByte (MB). Se comercializaron bsicamente las
siguientes capacidades:
Tipo de memoria

Capacidad en MegaBytes (MB)

RIMM 184 terminales

64 MB, 128 MB, 256 MB

- Usos especficos de la memoria RIMM

Los RIMM de 184 terminales se utilizaron inicialmente en computadoras
con microprocesadores de la familia Intel Pentium 4, pero era muy caro y
tenda a sobrecalentarse, por lo que termin siendo reemplazado en el
mbito general por las memorias RAM tipo DDR que eran ms econmicas y
no necesitaban ventilacin adicional.