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Curso de Electrnica Practica CEKIT

Leccin I
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El fluir de los electrones no sera tal si al conductor no se le aplicase una fuerza electromotriz,
probablemente una tensin.
Una de las ventajas de la electrnica es que puede convertirse a muchos otros tipos de energa:
calrica, luminosa, mecnica, qumica, etc.
La energa elctrica est libre de todo tipo de desechos de combustin o residuos.
Una molcula es la unidad mnima de una sustancia que an conserva sus propiedades. Molcula de
agua.
Un In es un tomo desequilibrado. Anin un tomo con carga positiva y un Catin un tomo con
carga negativa.
Cargas iguales se rechazan. Cargas no iguales, se atraen.
Entre los distintos elementos, los protones y electrones son siempre iguales. Un tomo siempre debe
contener la misma cantidad de protones y de electrones y a ese numero se le llama Nmero Atmico.
Segn Niels Bohr, los tomos poseen slo 7 orbitas (donde giran los electrones), K L M N O P Q,
desde el centro hacia fuera. Y cada orbita, acepta una cantidad definida de electrones. La primera
acepta 2, la segunda 8, la tercera 32 (x4)
Los electrones ms cercanos al ncleo son atrados con mayor intensidad que los lejanos. A la vez, la
cantidad de energa de los electrones en cada orbita es distinta, aqu surgen los niveles de energa, y
la cantidad de energa de cada nivel depende del numero de electrones que posea.
Para la electrnica slo es llamativa la ltima orbita del tomo, ya que son los directamente
responsables de los fenmenos elctricos. A los tomos de sta orbita se les llama Electrones de
Valencia y pueden ser mximo 8.
De acuerdo al nmero de electrones de valencia que posea un tomo, el elemento puede clasificarse
como conductor, semi-conductor o aislante.
Los Conductores poseen menos de 4 electrones de valencia y se les llama Metales. Mientras menos
electrones de valencia posea un tomo, ms conductor ser.
Los Aislantes poseen ms de 4 electrones de valencia y son llamados Metaloides.
Los Semiconductores poseen 4 electrones de valencia.
Los tomos de valencia sirven a los electrones para relacionarse entre s con otros tomos. Existen
dos tipos de enlaces: Covalentes e Inico.
En el Enlace Covalente, el tomo comparte tomos con un tomo vecino. En el Enlace Inico un
tomo cede electrones a un tomo vecino.
Cuando un electrn escapa de su rbita se le llama Electrn Libre. En este estado, un electrn es
fcilmente absorbido por un tomo que ha perdido un electrn.
Segn las cargas elctricas, la electricidad puede clasificarse en: Esttica y Dinmica.
La Electricidad Esttica (electrosttica) es cuando un cuerpo est cargado y no puede descargar (o
equilibrarse) su energa. Puede estar cargado positiva o negativamente (exceso de electrones). A la
vez, ste cuerpo atrae o repele a otros para equilibrarse. El cuerpo que recibe la descarga sufre una
Induccin Electrosttica.
Una de las formas de generar electricidad esttica es el frotamiento. Cuando los materiales se
encuentran muy cargados entonces el traspaso de electrones se realiza antes de que haya contacto
real. Los rayos son un ejemplo. Los pararrayos sirven para atraer a los rayos y evitar desastres.

La Electricidad Dinmica es cuando existe un generador de tensin que mantiene la corriente


constante (pila).
Un Campo Elctrico es el lugar donde puede haber cargas elctricas que se atraigan o repulsen. Se
pueden representar con lneas innumerables que salen desde el centro de la carga (lneas de fuerza
elctrica) y tienen un sentido (van hacia el centro si la carga es negativa y si es positiva, hacia el
exterior).
Un Campo Elctrico es una fuerza ejercida sobre una carga capaz de orientarla de un tomo a otro.
El Potencial en un tomo es el estado elctrico del mismo. Es neutro cuando est equilibrado,
positivo cuando posee ms protones que electrones y negativo en caso contrario. La diferencia entre
dos tomos se llama Diferencia de Potencial.
El Potencial en un punto es el trabajo necesario que una fuerza hace para mover una corriente hasta
ese punto. Se calcula mediante la ley de Watt (y otras).
La Diferencia de Potencial se puede calcular por la ley de Ohm. V es el Potencial y V la diferencia
de potencial. Se calcula diferenciando la potencia del terminal positivo y negativo.
Una fuente de voltaje es algo que tiene dos terminales con diferencia de potencial, y estos terminales
se llaman Bornes.
La Tensin se denomina U (en el sistema europeo), E (americano) o V (general).
El elemento que produce energa elctrica a partir de energa calrica se llama Termopar.
Las Clulas Fotovoltaicas son las que convierten la luz en energa elctrica.
La creacin de corriente por magnetismo es eficiente. Una bobina de cobre aislado se mueve dentro
de la fuerza magntica de un imn. Esto hace que el magnetismo del imn impulse a los electrones
libres del cobre. Este tipo de corriente es que llega los postes y a nuestras casas con una tensin de
120v y 60 ciclos por segundo (cps).
A continuacin se describe el proceso de obtencin de energa elctrica mediante varias fuentes
(calrica, eolica, nuclear, etc.)

Leccin II
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Un Circuito Elctrico es la combinacin de distintos componentes de forma que la corriente pueda


tener distintos caminos para realizar un trabajo til. Este trabajo puede ser: 1) Convertir la energa
elctrica en otro tipo de energa. 2) Convertir las seales elctricas de un tipo en seales elctricas de
otro tipo.
Todo circuito posee 3 cuestiones fundamentales: 1) Posee fuente de tensin. 2) Poseer un camino
para ser recorrido por la corriente. 3) Que en el camino haya oposicin a esa corriente.
Todos los elementos de un circuito estn compuestos por tres asuntos bsicos: 1) Fuente de Voltaje.
2) Carga o Receptor de Energa. 3) Conductores Elctricos.
La Fuente de Voltaje, suministra la fuerza para iniciar el flujo de electrones. El Receptor de Energa
es el artefacto que recibe la energa provocando algn trabajo. El Conductor Elctrico es el material
por el cual pasa la corriente y une la fuente de tensin con el receptor de energa.
A la vez, existen otros componentes como interruptores u otros que controlan el paso de corriente,
as como que protegen de subidas o bajas de voltaje.
Existen 3 simbologas para la corriente alterna, continua y para las bateras respectivamente.
La Fuerza Electromotriz (FEM) es el voltaje entre los terminales de la fuente de alimentacin. La
cada de voltaje es el voltaje entre los terminales de una carga que se pierde por un asunto de
resistencia.

El Voltaje puede ser de dos formas: 1) Cuando la fuente conserva siempre la misma polaridad y los
electrones avanzan hacia una sola direccin (C. Continua). 2) Cuando cambia la polaridad a
intervalos cambiando la direccin de la corriente (C. Alterna).
La corriente como los componentes de los circuitos reaccionan de forma diferente ante estas dos
formas de corriente.
La unidad de medida para la Tensin es el Voltio. Existen macrounidades y microunidades para sta
medida.
Los tipos de carga que puede tener una corriente son diversos: Resistencias, Parlantes, Lmparas,
etc. Cada objeto alimentado por corriente al parecer tiene una simbologa.
La habilidad de un material para ser conductor depende de los electrones libres que haya en l. El
ohmmetro es para medir la resistencia y mayor Ohms mayor resistencia. Todo material tiene
resistencia.
Cuando existe un Circuito Cerrado significa que la trayectoria de corriente va de polo a polo,
cuando no, es un Circuito Abierto y la corriente no es continua.
Los Cortocircuito es cuando ocurre algn suceso que hace que el flujo de corriente sea mayor al
normal, generalmente por la quema de alguna resistencia pero la corriente por algn motivo contina
su trayectoria. Para evitar estos cortes se usan los Fusibles. Al haber un cortocircuito se produce un
recalentamiento en los conductores lo que puede provocar incendios.
Un electrn al moverse no genera casi nada de energa, para que sta sea til es necesario que se
muevan millones de electrones. Para esto se creo la unidad Culombio (C), que equivale a
6.28x10^18 electrones movindose (o en reposo) a travs de un conductor.
La Intensidad (I) de corriente es la cantidad de electrones que pasan por un conductor por una
determinada cantidad de tiempo. Se mide en Amperios y este es el paso de 1C en 1 segundo. Se mide
con un ampermetro.
Antes se crea que los electrones viajaban en sentido + a (sentido convencional). Pero es al revs,
en el curso se trabajar con el sentido convencional.
Se realizan unos experimentos bsicos con corriente y se establece un circuito bsico al cual se le
irn agregando nuevos componentes a medida que el curso avance.

Leccin III (Magnetismo y Electromagnetismo)


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Leccin IV (Leyes fsicas de Ohm y Watt)


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Ley de Watt:
P=V*I
P = Potencia; V = Voltaje; I = Intensidad

Leccin V (Circuitos en Serie, Paralelo y Mixtos)


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Como ya he visto estos circuitos antes, slo me queda aclarar que los circuitos mixtos son una
combinacin de los circuitos en serie y paralelo (tambin se les llama serie-paralelo).
En Paralelo, los componentes deben compartir la energa.
Las Resistencias se etiquetan con RX, siendo la X el numero de la resistencia.

Circuito en Serie
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Los interruptores y fusiles se conectan siempre en serie porque de sta forma protegen al mismo
circuito.

La corriente (I) que pasa por un punto del conductor en un circuito en serie, es la misma de cualquier
otro punto (a diferencia de lo que pasa en un circuito paralelo).
Voltajes
- El Voltaje de la fuente de distribuye a travs de las cargas. A medida que cada carga tenga menos
resistencia, a la vez tendr menos voltaje.
- El Voltaje sobre cada resistencia se llama Cada de Voltaje de la carga.
- Segn la ley de ohm, la Cada de Voltaje de cada carga es igual al producto de su resistencia por la
corriente (I). La suma de las cadas de voltaje es igual al voltaje aplicado al circuito. Esto se debe a
las leyes de voltaje de Kirchoff.
- En un circuito en serie la suma de las cadas de voltaje es siempre igual al voltaje aplicado al
circuito.
Resistencia Total
- En un circuito cualquiera (serie, paralelo, mixto) la corriente de la fuente depende de la resistencia
total o equivalente (RT o REQ).
- En un circuito en serie la RT O REQ es igual a la suma de las cadas de voltaje.

Circuitos Paralelos
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Los alambres de una carga a la fuente se llaman Ramas. Y el punto en comn de estas ramas a la
fuente se llaman Nodos.
- Existe ms de una trayectoria para la corriente, de esa forma, si alguna carga abre su conexin, la
corriente puede continuar otro camino.
Voltajes
- El voltaje aplicado a todas las cargas del c.p. es el mismo del de la fuente. A travs de cada carga
circula una corriente que depende de la resistencia de la carga y el voltaje total de la fuente.
Corrientes
- La Fuente aparte de entregar una tensin, tambin entrega una corriente (I). En los circuitos en
paralelo, la suma de la corriente de las cargas es igual a la corriente total (Se denomina Ley de
corrientes de Kirchoff).
- A medida que se conectan cargas a la fuente, aumenta tambin la corriente entregada por la fuente.
Esto es lo que provoca la rotura de un fusible o el disparo de un disyuntor, que cuando se conectan
demasiadas cargas la corriente hace que el Fusible sobrepase su capacidad (y se rompa),
desconectando el circuito. A esto se le llama que el circuito ha sido sobrecargado.
- La Resistencia Total de un C.P. tiene varias formulas, pero existe una para uso general:
RT = 1 / (Suma de los inversos de las resistencias)

Circuitos Mixtos
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Aqu los circuitos en serie se llaman cadenas y los en paralelo bancos.


La corriente total (CT) depende de la RT. Los circuitos en paralelo tambin pueden ser en serie (Fig.
5.19 b). Cuando el circuito est hecho con bancos en serie, entonces primero ha de calcularse la
resistencia de los bancos para luego calcular la resistencia de la cadena (formada por bancos). Fig.
5.20a
- Si por el contrario el circuito tiene bancos de cadenas de resistencias, ha de calcularse primero la
resistencias de cada cadena y luego calcular la resistencia de los bancos. Fig. 5.20b
- Si el circuito tiene mezclas de los dos puntos anteriores. Entonces se calcula reduciendo las ramas
ms alejadas de la fuente.
Voltajes y Corrientes en un Circuito Mixto

Para calcular el voltaje y corriente de un circuito, primero se debe determinar la resistencia total y la
corriente total.
- Las suma de cadas de voltajes de las resistencias (cuando ya han sido reducidas), deben ser
equivalentes al voltaje total.
- Al parecer las cadas de voltaje son iguales en las cargas de los bancos.
- Puede existir una tensin igual, pero las cargas pueden ser distintas en su corriente.
- La Corriente Total que circula en un circuito en serie es la misma que pasa por cada una de sus
resistencias. En un circuito en paralelo, la corriente se divide en las resistencias y la CT es igual a la
suma de corrientes de cada resistencia.
- El Voltaje Total en un circuito en serie se divide en las resistencias y es igual a la suma de caidas de
voltajes de cada resistencia. Pero en un circuito en paralelo, no.
- Existen las Leyes de Kirchoff de voltaje y corriente. Lo anterior es producto de ello.
Potencia en Circuitos en Serie, Paralelos y Mixtos
- En cualquier circuito con resistencias, la potencia se disipa en forma de calor en cada resistencia.
- La Potencia Total (PT) es la suma de todas las potencias de las resistencias sin importar el tipo de
circuito.
- La Potencia se calcula con la corriente y tensin de cada resistencia. Es el producto de ellas.
Conexin de Pilas en Serie y en Paralelo
- Las pilas tienen pueden entregar tensin y una capacidad de corriente. Estas modalidades se usan
para aprovechar mejor el voltaje o la corriente.
- Cuando hay varias pilas conectadas en serie (pilas conectadas en serie aditiva) la tensin entregada
por estas es la suma de las tensiones de cada pila, pero la capacidad de corriente ser equivalente al
de la pila de menor capacidad.
- La conexin en paralelo de las pilas, aprovecha mejor la corriente, pero el voltaje se mantiene, es
decir, el voltaje ser igual al de cada pila, pero la corriente ser la suma de las corrientes entregadas
por cada pila.
- La batera de los autos usan conexin de pilas en serie, pero las bateras de refuerzo que son para
darle energa a las bateras muertas de los autos, usan conexin en paralelo.
Conexin de Condensadores en Serie y en Paralelo
- Un condensador es un elemento para almacenar temporalmente energa elctrica en forma de voltaje.
- Estn formados por un material aislante (dielctrico) rodeado por dos conductores (placas). Poseen
Capacitancia que se mide en Faradios (F) o algn submltiplo de stos.
- Tambin se pueden conectar en serie o en paralelo para obtener capacitancias mayores o menores.
- Cuando estn conectados en paralelo, la capacitancia total es la suma de la capacitancia de los
condensadores.
- Cuando estn conectados en serie, entonces la capacitancia total es la inversa de la suma de las
inversas de cada capacitancia.
Conexin de Bobinas en Serie y en Paralelo
- Son elementos que sirven para almacenar corriente y producir voltaje cuando cambia la corriente.
Poseen Inductancia que se mide en Henrios (H) o alguno de sus submultiplos.
- Un Henrio se define como la inductancia en un circuito en el que se produce una FEM de 1V cuando
los amperios varan uniformemente en una razn de 1A por segundo. Se calcula as:
H=V*s/A=*s
V = Voltios; A = Amperios; s = segundos
- Pueden conectarse en Serie y en Paralelo y dependiendo de esto adquieren distintas propiedades.
- Cuando estn conectadas en serie, la inductancia total es la suma de la inductancia de cada bobina.

Cuando estn conectadas en paralelo, la inductancia total es la inversa de la suma de las inversas de
la inductancia de cada bobina.
Cuando las bobinas estn construidas dentro de un mismo ncleo, se dice que estn acopladas
magnticamente.
Cuando estn conectadas distintas bobinas se asume que no construidas en un mismo ncleo y que
estn devanadas (enrolladas) en la misma direccin. Esto determina la inductancia real sumado a la
inductancia mutua (define el grado de acoplamiento entre ellas).
Dos o ms bobinas construidas en un mismo ncleo constituyen un Transformador.

Leccin VI (Conceptos Bsicos de Corriente Continua y Alterna)


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La Corriente Continua (CC) y la Corriente Alterna (CA) son dos formas que la corriente adopta en
los circuitos elctricos. Cada una afecta de manera distinta la polaridad de los voltajes y la direccin
de la corriente en un circuito.
La CC va slo hacia una direccin, en cambio la CA va a una direccin y luego vuelve. Los Voltajes
Continuos mantienen su polaridad, pero los Voltajes Alternos lo van cambiando.

Corriente Alterna
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Las compaas elctricas suministran CA mientras que las bateras CC. En la CA la polaridad del
voltaje vara por lo que se expresa en una onda senoidal.
- La mayora de los aparatos electrnicos operan con CA. Pero estos aparatos convierten esa CA en
CC en un proceso que se llama Rectificacin. La CC tambin se puede convertir en CA en un
proceso llamado Inversin.
- En la CA los polos estn constantemente cambiando.
- A la vez, el valor del voltaje vara en la CA. La forma de la onda como vara la polaridad y el voltaje
puede ser de varias formas, pero la ms comn es la sinusoidal.
- La mayora de las ondas alternas son peridicas, es decir poseen un patrn de repeticin. Una forma
de onda que se repite se llama ciclo.
- A veces es conveniente ilustrar la onda senoidal en grados, de modo que el ciclo completo se divide
en 360 siendo el grado 180 la mitad del ciclo y 90 un cuarto de ciclo. Estos grados pueden
representarse en radianes (360 = 2 rad). Esto se le llama Valores Angulares.
- Para convertir Grados a Radianes: (angulo en grados*)/180 ; Radianes a Grados: (angulo en
radianes*180)/
- El numero de ciclos en un segundo se llama Frecuencia (f) de la onda. Se mide en hertz (Hz). Las
ondas alternas de ondas entre 20Hz y 20kHz se denominan seales de audio (porque producen
sonido audible si se reproducen en un parlante). Las ondas superiores a 20kHz se denominan
supersnicas o seales de radio.
- Matemticamente la Frecuencia es el inverso del Perodo (T; tiempo de un ciclo en realizarse): F =
1/T
- En una onda senoidal, existen varios valores en la onda que permiten compararse cuantitativamente
con otros tipos de ondas. Estos valores son: valor instantneo, valor pico, valor pico a pico, el valor
medio y el valor promedio o rms.
Valor instantneo
- Es el valor del voltaje o corriente que tiene la onda en cualquier instante de tiempo.
- Es proporcional al seno del angulo correspondiente en el momento indicado.
- Siendo el ngulo, VM o IM la amplitud o valor mximo de la onda. Y se calcula como:
v = VM * sen
i = IM * sen
(Un ejemplo en la pgina 98)

El Valor Promedio (VAV o IAV) es el promedio de todos los Valores Instantneos de la onda. En el
caso de una onda seno pura, es:
VAV = IAV = 0,637 * VP

Valor Pico y Valor Pico a Pico


- El Valor Pico (VP o IP) es el valor mximo positivo o negativo que alcanza la onda.
- La magnitud absoluta del VP se conoce como Amplitud.
- En una onda senoidal el VP positivo es igual al VP negativo (onda seno pura).
- El Valor Pico a Pico (VPP o IPP), es la amplitud total, es decir la distancia desde el VP positivo y VP
negativo.
Valor Efectivo o RMS
- Es el valor necesario de voltaje de la onda senoidal que produce el mismo nivel de disipacin de
potencia que la CC.
- Se calcula mediante la raz cuadrada del promedio de los cuadrados de todos los valores instantneos
de un ciclo.
- A tensiones variables se les aplica esta frmula pues permite conocer el valor promedio a travs del
valor pico de voltaje.
- En el caso de una onda senoidal pura, se calcula como:
Valor rms = 0,707 * valor pico
Vrms = 0,707 * VP
Vrms = VP / sqrt(2)
Irms = 0,707 * IP
- El valor rms es el valor que tendra la CC para provocar el mismo nivel de potencia en una
resistencia que la onda senoidal.
- Existen resistencias variables que pueden ajustar al parecer su valor resistencia.
- En las fuentes de CA, el voltaje o corriente del que se habla de stas corresponde a su valor rms.
- La relacin entre el valor rms y el valor promedio se llama Factor de Forma (FF):
FF = Vrms / VAV
- Al parecer, todas las ondas senoidales puras tienen FF de 1,11
ngulo de Fase. Relaciones de tiempo en las onda senoidales
- El ngulo de Fase es el retraso o adelanto de una onda senoidal teniendo como referencia a otra
onda. Se calcula en grados (0 a 180; 0 rad a rad).
- Este concepto es muy importante para el anlisis y diseo de circuitos electrnicos y elctricos (En
la pgina 101 se muestran ejemplos).
- Cuando una onda alcanza su mximo o mnimo justo en el punto donde la otra alcanza su nivel 0, se
dice que esas ondas estn en cuadratura de fase.
- Cuando ambas ondas estn completamente alineadas (con sus mnimos y puntos mximos y
mnimos en los mismos grados), se dice que estn en fase (su ngulo de fase es 0).
- Cuando una onda alcanza su nivel mximo en el grado donde la otra alcanza su nivel mnimo y
viceversa, entonces se dice que estn en contrafase.
- Para comparar el ngulo de fase es necesario que ambas ondas tengan la misma frecuencia y sean
senoidales. Y para una frecuencia el ngulo de fase corresponde a una diferencia especfica de
tiempo (es decir, el tiempo de retraso o adelanto de una onda con respecto a otra).
- El tiempo anterior puede calcularse as:
t = * T / 360 = / 360 * T = 1 / f * / 360
Generadores de CA

Generan ms del 95% de la energa elctrica mundial.


Los generadores transforman energa mecnica en energa elctrica a travs de induccin
electromagntica.
Se explica como es generada la CA a travs de generadores y como llega a los distintos
consumidores.

Corriente Continua
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Es un flujo de portadores de carga (electrones) hacia una sola direccin y posee slo una polaridad.
Para impulsar una CC para ser til en un circuito, el voltaje no debe variar.
Existen varios tipos de fuentes que generan CC y cada uno con su simbologa: Pilas, Bateras, Celdas
solares Fotovoltaicas, Generadores Termoelctricos, Generadores electromagnticos, etc.
Los portadores de carga de una CC pueden ser positivos o negativos afectando la direccin de la
corriente (real o convencional). Pero siempre van hacia una direccin.
A la vez, el voltaje tambin puede variar (CC variable) pero nunca cambiar de polaridad.
Tambin se puede generar CC a travs de CA, en un proceso de rectificacin. A la vez, las Fuentes
de Alimentacin generan CC a travs de la CA (del enchufe o del alternador en el caso del
automvil).
A la vez, tambin se puede generar CC por un medio electromagntico, pero la armadura no tiene
anillos (como en la CA), sino un conmutador.
Los paneles solares generan CC a travs de un fenmeno fsico llamado efecto fotovoltaico. Este
efecto se manifiesta que cuando la luz genera una diferencia de potencial cuando se aplica una
radiacin (luz) a la zona de unin de dos semiconductores (uno llamado P que tiene dficit de
electrones y otro N que tiene supervit).
Las celdas de combustible por reaccin qumica generan CC. Lo hacen ilimitadamente.
Los generadores termoelctricos tambin producen CC por el efecto Seebeck (donde si se calienta la
unin de dos metales homogneos, se produce una fuerza electromotriz en sus terminales). En este
efecto se basan las termocuplas usadas en la industria para la medicin de T. Dependiendo del tipo
de metales usados, los voltajes varan.

Leccin VII (Las fuentes de alimentacin)


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Las Fuentes de Alimentacin proveen una eficaz conversin de la CA a CC, esta ultima siendo la
principal a la hora de trabajar con circuitos.
La mayor parte de las fuentes de alimentacin usadas en los circuitos, son fuentes de voltaje.
Tambin existen las fuentes de corriente, pero son poco usadas.
Lo ideal es que las fuentes de alimentacin entreguen una CC constante, pero en la prctica, ste
siempre es variable, aunque sea un poco.

Estructura
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Usualmente una fuente de alimentacin tiene los siguientes componentes (en orden desde donde
entra la CA hasta donde se transforma en CC): Fuente de Poder de CA, Transformador de Potencia,
Circuito Rectificador con Diodos, Circuito de Filtros, Regulador, Carga.
El Transformador reduce el voltaje acorde a la carga. A veces se puede prescindir de un
transformador, pero es poco seguro.
El transformador luego alimenta a un Rectificador, el cual se encarga de convertir la CA en CC pero
pulsante (el voltaje an es variable).

Luego, para convertir el voltaje variable se utiliza un Filtro que estabiliza el voltaje mediante
condensadores. Este voltaje regulado puede aplicarse a la carga o bien regularse ms mediante un
regulador.
El Regulador es un circuito electrnico que se encarga de mantener el voltaje constante aplicado a
las cargas. Las fuentes que poseen regulador se llaman fuentes reguladas.
Finalmente la CC llega a la Carga, que es cualquier elemento ya sea un componente o un complejo
circuito elctrico.
La forma grfica como opera cada uno de estos componentes se ve en las figuras 7.5 a 7.8. Cada
componente a la vez tiene su simbologa propia.

Fuentes de alimentacin no reguladas


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Son las que no poseen un regulador (este permite tener una CC constante en cuanto a voltaje).
Este tipo de fuentes est sometida a subidas y a bajas de voltaje de la fuente de CA pero tambin a la
exigencia de la carga si esta requiere ms o menos voltaje.
- Se usan cuando la susceptibilidad del varo de voltaje no es crtico. Y en realidad se usan bastante en
aparatos domsticos.
- Pueden ser de varias clases dependiendo de la configuracin del Regulador: Fuente con rectificacin
de media onda; de onda completa; de puente; Fuente con multiplicador de Voltaje.
- En la figura 7.10 se tiene un esquema detallado de una fuente de alimentacin no regulada. Ahora
describir sus partes.
Circuito de Entrada
- Est constituido por el cable de potencia (PLI), el fusible general (FI), el supresor de picos (MOVI),
el filtro de lnea (LFI) y el interruptor general (SI).
- La funcin es llevar la CA desde la lnea pblica hasta el primario del transformador. Tambin sirve
para proteccin, control y sealizacin.
- Del suministro a la fuente se necesita un Cable de Potencia (o cordn de potencia). Hay cables que
conectan la fuente nicamente con la fase y el neutro (nombre dado a los polos) de la instalacin
elctrica. Hay otros que poseen adicionalmente una conexin a tierra, y sta debe conectarse en la
fuente al chasis metlico de la fuente.
- Los cables de potencia llevan rotulad su capacidad en voltios y amperios. Lgicamente el suministro
debe poseer una corriente inferior y la fuente de alimentacin al igual debe recibir valores inferiores.
- Luego del cable, es necesario que el circuito posea un Fusible General en caso de alguna subida
voltaje para proteccin. Estos se alojan en portafusibles para facilitar su cambio si es necesario.
- El Interruptor y el fusible se conectan en serie y del lado de la fase de la entrada del circuito de
entrada. Los interruptores tambin vienen hechos acorde a ciertos voltajes y corrientes soportados.
- Los fusibles pueden ser de accin rpida y accin lenta. Esto se diferencia de acuerdo a la mxima
corriente que pueden soportar antes de abrir el circuito. Los ms adecuados para fuentes de entrada
son los de accin lenta (slow-blow, los de accin rpida son los fast-blow). Para elegir un fusible
correcto es necesario elegir uno que soporte una corriente 50% mayor al de la corriente de entrada.
- Para proteger la fuente de subidas repentinas de voltaje y evitar daar componentes del circuito
existen adems los Varistores (MOV). Estos absorben el exceso de voltaje y slo da paso a un lmite
voltaico. Se conectan en paralelo con el cable de potencia despus del fusible. Pero tambin pueden
soportar hasta un mximo de energa a disipar y tambin a un lmite antes de empezar a disipar la
energa. La energa mxima que pueden soportar se mide en Julios (J). Esta energa est relacionada
con la capacidad mxima de conduccin y el mximo tiempo de duracin del pico. Bsicamente los
Julios miden la capacidad de absorcin de energa del Varistor.

Opcionalmente al esquema del circuito de entrada se puede agregar un Filtro de Lnea que sirve para
eliminar el ruido de alta frecuencia que llega a la entrada producido por otros componentes o por los
propios elementos del circuito. Este ruido se le llama EMI o RFI (Interferencia Electromagntica o
de Radio-Frecuencia) y si no se elimina puede causar interferencia en otros equipos en la misma
lnea. Este filtro se conecta despus del fusible y antes del interruptor. Se especifican segn voltaje y
corriente que pueden soportar y a la vez, el tipo de seales que filtran es variable, hay que saber de
ellas tambin.
- Es til tambin al circuito de entrada agregar un Circuito de Amortiguamiento (snubber). Est
formado generalmente por una resistencia en serie con un condensador. Se usa para amortiguar los
pulsos de alto voltaje que se producen en la entrada al momento de desconectar el transformador de
la red de potencia, de sta forma no se produce ruido en aparatos contiguos. Se instala en paralelo
con el primario del transformador (Fig. 7.22a).
- Es necesario tener un elemento monitor para verificar si existe corriente alterna para el
transformador, para esto se pone una luz piloto de len o un LED. Viene generalmente con una
resistencia limitadora de corriente y se conecta en paralelo con el primario del transformador.
- En el caso de los leds aparece una curiosa informacin sobre los leds, en especial el color verde que
se ve en algunos aparatos.
- Cabe recordar que cada elemento mencionado viene con su propia simbologa.
Transformadores
- Sirve para reducir el nivel de tensin a un nivel apto para el circuito.
- Como un transformador est compuesto de dos bobinas ensambladas en un mismo ncleo. La bobina
que recibe la alta tensin se llama Primario y la otra Secundario.
- El voltaje o corriente a producir puede calcularse mediante lo siguiente:
Voltaje Salida (V2) = N2 / N1 * Voltaje Entrada (V1)
Relacin de Transformacin = N2 / N1
N1 = Nmero de espiras del Primario
N2 = Nmero de espiras del Secundario
- Cuando V2>V1 se el transformador es un Elevador, cuando V2<V1 es un Reductor.
- La potencia de entrada es igual a la potencia de salida, por tanto:
P1 = P2
V2 * I2 = V1 * I1
I1 = Corriente del Primario
I2 = Corriente del Secundario
P1 y P2 = Potencia del P. y S.
- Los transformadores a usar deben ser aislados, es decir, que ambas bobinas estn separadas
elctricamente, para as evitar un choque elctrico. Los que no poseen lo anterior, se llaman
autotransformadores.
- En los transformadores se especifica su energa de entrada, energa de salida y potencia nominal.
Esta ultima determina la capacidad de corriente del Secundario. En el texto se utiliza la ley de watt
para conocer la capacidad de corriente de la entrada.
Circuito Rectificador
- Convierte la CA en CC pulsante. Esto lo hace por medio de Diodos los cuales permiten la
circulacin de la corriente en un sentido pero bloquean el sentido contrario.
- Un Diodo es parecido a un interruptor, posee un nodo (A) y un Ctodo (K). El diodo tiene un lmite
de diferencia de potencial por el cual si la corriente est debajo de esa diferencia, no conduce y si
est sobre esa diferencia, s conduce, producindose la similaridad a un interruptor.

An as un Diodo puede emitir voltajes de polaridad positiva o negativa. Cuando es positiva, se dice
que el diodo est polarizado Directamente y cuando no, est polarizado Inversamente.
- Para polarizar el diodo directamente, se conecta el positivo con el nodo del diodo y el negativo con
el ctodo. Esto hace que el diodo se comporte como un interruptor y provoque un circuito cerrado.
En este caso la corriente del diodo es la misma de la fuente.
- Para polarizar a la inversa al diodo, se conecta el positivo de la batera con el ctodo del diodo y aqu
el diodo abre el circuito. Aqu el voltaje del diodo es igual al de la fuente.
- El diodo al recibir una polaridad positiva, y esta al entrar en contacto con el nodo (queda polarizado
directamente), permite el paso de corriente, pero en caso de recibir una polaridad negativa (queda
polarizado inversamente), abre el circuito.
- Los diodos vienen especificados para soportar un mximo de corriente y voltaje en caso de ser
conectados directa o inversamente. El diodo se destruye cuando se sobrepasa esas medidas en el
circuito. Se debera usar un diodo que admita el doble de la capacidad a utilizar en el circuito.
- Existen varios tipos de rectificadores: media onda, onda completa.
- Los rectificadores de Media Onda, admiten slo la mitad de la onda (positiva o negativa), y los de
Onda Completa, admiten ambas ondas, invirtiendo la onda contraria (por ejemplo, si se usa una
polaridad positiva, se quedar con las ondas positivas e invertir las negativas).
Rectificador de Media Onda
- Es la forma ms fcil de convertir CA en CC.
- Durante los semiciclos positivos al llegar al nodo, el diodo deja pasar corriente a la carga (RL). En
cambio en los semiciclos negativos, no.
- El resultado son pulsos senoidales positivos hacia la carga. Y tienen una frecuencia igual a la de la
red publica (50-60Hz) y una VP similar a la tensin de entrada.
- Un voltmetro para medir la CC de salida dara como resultado al Valor Medio (VCC) de la tensin de
salida. Para una seal de media onda sera:
VCC = VP / = 0,318 * VP
Rectificador de Onda Completa con Transformador de toma intermedia
- Usa dos rectificadores de media onda, uno para los ciclos positivos (superior) y otro para los
negativos (inferior).
- Tambin usa dos transformadores, lo que lo hace poco prctico. Pero existe una modificacin al
anterior circuito donde slo se usa un transformador pero con una conexin a tierra en un devanado
que permite conectarle dos diodos. Estos diodos toman cada uno las ondas positivas y se provoca un
desfase provocando que la onda final sea una serie de pulsos positivos.
- Ocurre un efecto al conectar un componente a tierra, ya que se comporta de forma diferente, al
menos eso sucede con el transformador anterior. Debo averiguar este efecto.
- Ocurre que al producirse el desfase, uno de los diodos (ya que son dos) de la primera onda slo deja
pasar el positivo mientras el otro diodo recibe el negativo, y luego es a la inversa.
- La frecuencia de la nueva onda rectificada es el doble del de la red y la amplitud de pico es la misma
que la del secundario. Esto se traduce como (ya que ahora son dos ondas en lugar de una):
VCC = 2VP /
- No debo olvidar que cada diodo produce una cada de voltaje por lo que VCC es ligeramente menor.
Rectificador de Onda Completa tipo Puente
- El transformador elimina algunas desventajas de los rectificadores de media onda, pero slo absorve
la mitad de la tensin del secundario.
- El rectificador de onda completa tiempo puente, soluciona eso utilizando 4 diodos y no requiere de
una derivacin en el transformador.

La Amplitud de salida de este rectificador en CC es la misma de entrada de CA.


La Frecuencia de este rectificador es la misma que la del rectificador anterior. Por ende, su valor
medio est dado por:
VCC = 2VP /
Puentes rectificadores integrados
- La forma ms comn de transformar CA en CC en las fuentes de alimentacin es usando puentes de
diodos, ya que no requiere un transformador especial y la tensin se mantiene en la entrada y salida.
- Aunque los rectificadores tipo puentes pueden ser hechos a base de diodos individuales (discretos)
existen dispositivos integrados (puentes rectificadores integrados).
- Se especifican por su mxima corriente y tensin de trabajo. Un ejemplo de este tipo de
componentes es el W04M
Filtros para rectificadores
- El voltaje suministrado por los rectificadores no es el adecuado para alimentar circuitos electrnicos.
- El Filtro hace que el voltaje variable de entrada se convierta en constante (como las bateras). Es un
condensador electroltico de muy alta capacidad.
- El condensador carga hasta el pico del voltaje, esto permite que genere una corriente continua.
- El condensador puede actuar como proveedor de carga temporal, mientras algn elemento anterior se
recarga para volver a enviar energa. Cuando al condensador empieza a bajar su intensidad porque
se acaba su corriente- y es recargado se produce una variacin leve de voltaje (rizado o ripple).
- El rizado tiene la misma frecuencia que el voltaje rectificado. Su amplitud pico a pico est dada por:
VRPP = IL / (f * C)
IL = Corriente de la carga
f = frecuencia del rizado
C = Capacidad del condensador de filtro.
- Debe procurarse que el rizado debe ser muy pequeo para evitar ruido. Para esto el valor del
condensador de filtro (C) debe ser en el producto RL * C (RL = resistencia de la carga) mucho mayor
que el periodo de la seal de entrada (T = 1 / f). Debe serlo al menos diez veces.
- No olvidar que el ndice del condensador se mide en Faradios.
Rectificador de onda completa con Filtro
- Son ideales para acortar el rizado y utilizar un filtro con menos capacidad ya que la onda al ser ms
frecuente hace que el filtro se cargue con mayor rapidez.
- Lo he comprobado realizando el experimento 7.3 que a medida que el filtro posee ms capacidad
disminuye el rizado. Pero al aumentar la resistencia de la carga (se consume ms energa) el rizado
aumenta.
Otros tipos de filtros
- Existen alternativas al modelo de media onda. Ya que los condensadores deben ser de mayor
capacidad, se puede utilizar por ejemplo el filtro (por la forma del circuito).
- Los filtros , poseen una resistencia entre un condensador y otro, por lo que el rizado se deja caer en
esa resistencia y no en la carga final. An as no es un buen tipo de filtro, salvo para corrientes
pequeas.

Fuentes de alimentacin reguladas


-

Se puede disminuir el rizado usando un condensador de filtro lo suficientemente grande, pero esto no
garantiza que no exista un mnimo rizado. Para esto se utiliza un Regulador.
Las fuentes que poseen un regulador se llaman fuentes reguladas.

El Regulador mantiene una corriente constante en su salida no importando si sta vara. Acta como
una resistencia variable, ya que si est en serie y aumenta el voltaje de entrada, debe aumentar su
resistencia y a la inversa si el voltaje disminuye.
- Un regulador est basado en diodos Zener, transistores y circuitos integrados. Cuando poseen
circuitos integrados pasan a llamarse reguladores monolticos (son los de ms amplio uso por sus
ventajas).
- Los reguladores sin circuitos integrados se llaman reguladores discretos.
Regulador con diodos Zener
- Un diodo Zener es un elemento muy comn en la regulacin de voltaje. Se comporta como una
resistencia variable.
- Estn hechos para mantener un voltaje constante entre sus terminales (voltaje Zener, VZ) cuando se
polariza positivamente su ctodo y negativamente su nodo.
- Se especifican por su voltaje nominal (Vz) y la mxima potencia que pueden disipar (Pz). La relacin
entre Pz y Vz es la corriente mxima inversa (lzmax) que el diodo puede conducir sin sobrecalentarse
(y por ende destruirse).
- Para evitar que el diodo se destruya por mucha corriente, se utiliza una resistencia en serie para
protegerlo (resistencia de drenaje, RS). Esta resistencia absorbe la diferencia entre el voltaje de
entrada y el voltaje de salida.
- Segn la figura 7.76 el diodo se conecta en paralelo con la carga (RL) manteniendo el voltaje de
salida (VL) constante e igual a su voltaje nominal (VZ), siendo independiente del voltaje de entrada
(VS). La resistencia de drenaje puede calcularse como:
RS = (VS VO) / IL + IZ
VS = Voltaje de entrada; VO = Voltaje de Salida
IL = Corriente de carga mxima; IZ = Corriente a travs del diodo
- El valor de IZ se elige conforme est dentro del 10% y 20% de IL.
- No olvidar que formulas intermedias pueden obtenerse de la frmula de la resistencia de drenaje.
- Es muy importante el hecho de que el diodo de zener regula en cierto intervalo de voltaje, no
conduciendo en el caso de que un voltaje es inferior a su valor mnimo (VSMIN) y sobrecalentndose
posiblemente destruyndose- en el caso de superar su valor mximo (VSMAX).
- Existe una frmula para conocer la potencia nominal de la resistencia de drenaje:
PS = (VSMAX VO)2 / RS
- Siempre por seguridad ha de elegirse una resistencia de drenaje muy superior al mnimo (el doble).
Regulador de voltaje con diodo zener y transistor
- Un diodo de zener slo puede regular dentro de un rango de voltajes de entrada o de corrientes de
carga.
- Para manejar corrientes ms altas y que el diodo no se destruya se usa un transistor bipolar, que se
encargar de transportar la corriente sin alterar el voltaje.
- Un Transistor Bipolar es un componente de 3 terminales: base (B), colector (C) y emisor (E). Este
transistor permite que al aplicar una corriente muy pequea a B, pueda permitir el paso de corriente
entre C y E. (IB = Corriente aplicada a B; IC = Corriente entre C y E).
- La relacin entre IC e IB es fija y se denomina la Ganancia de Corriente (). Por ende: IC = * IB
- La ganancia puede usarse para regular el voltaje de una carga. Un transistor puede actuar como una
resistencia variable.
- Si aumenta el voltaje de entrada, el voltaje de salida tiende a aumentar pero el transistor evita que
eso suceda equilibrndose conforme a beta.
- Mediante la corriente de base (IB) puede regularse el voltaje de salida del transistor.

Fuentes de regulacin de 3 terminales


- Las fuentes hoy en da se disean con reguladores integrados (monolticos) los cuales poseen tres
terminales.
- Un terminal recibe la tensin no regulada (VIN), otro que entrega la tensin de salida regulada
(VOUT) y otro que acta como electrodo de referencia o tierra (GND).
- Estos dispositivos pueden proporcionar corrientes desde 100mA a 5A o ms.
- Pueden ser fijos o variables dependiendo si entregan una tensin fija o variable segn cierto rango.
- Pueden ser positivos o negativos dependiendo si entregan una tensin positiva o negativa con
respecto al terminal de referencia.
- A la vez vienen especificados segn su capacidad de corriente. En este curso se usarn reguladores
de 1A.
Fuentes reguladas fijas
- Requieren de condensadores a la entrada del regulador y a la salida para evitar cualquier clase de
ruido.
- El voltaje de entrada del regulador debe ser al menos 2,5V mayor que el de salida y no salirse del
rango de las especificaciones del fabricante.
- El regulador si est rodeado por un cuadro de puntos en el plano significa que debe usarse un
disipador de calor adecuado para l.
- Muchos componentes necesitan polaridad negativa para funcionar, por lo que existe la posibilidad de
dar una doble salida con un voltaje positivo y negativo.
- Para esto, se usan dos reguladores, uno conectado al polo positivo (intercediendo los condensadores
y otros elementos) y al negativo el otro. Cada uno teniendo una salida de voltaje inverso.
- A la vez, la corriente del regulador es constante, por lo que a veces, algunas cargas pueden exigir
ms corriente que la entregada por el regulador. Para esto se usa un transistor externo el cual deja
pasar corriente entre emisor y colector cuando es necesario.
- Analizando los circuitos, cuando una carga exige ms corriente, la resistencia en serie con el
regulador permite limitar el voltaje y la corriente y de paso detectar si la corriente es muy fuerte,
activar la conduccin del transistor el cual provee de la carga restante.
- En el circuito de dos transistores, me hace pensar que los transistores sirven para limitar el paso de la
corriente a travs de rangos en su base. Ahora no s si existirn transistores que conducen con
corriente de base y otros que corten la corriente con corriente de base.
- Hay cosas an que no comprendo como el comportamiento de los transistores usados en los dos
ltimos circuitos de ste tema, pero espero que con la practica pueda entender mejor el
funcionamiento de stos. An as entiendo cosas generales pero no an como se calculan sus
requerimientos ni sus diferencias.
Fuentes de alimentacin reguladas variables
- Los reguladores anteriores entregan un voltaje fijo normalmente estndar. Pero cuando se necesita de
un voltaje especial, es necesario usar un regulador variable.
- Pueden ser ajustados para que den un voltaje de salida variable dentro de un rango acorde a su
especificacin. Lo ms comunes son los LM317 (positivos) y LM337 (negativos).
- La disposicin del regulador variable hace que lleve una resistencia variable (R2) en su Terminal de
ajuste y una resistencia fija (R1) en su salida. Esto hace que se genere una relacin entre todo esto
para generar un voltaje de salida (de 1,25V a 37V):
VO = 1,25 * (1 (R2 / R1))
-

Leccin VIII (Amplificadores y otros circuitos con


transistores)
Los Transistores
-

Pueden usarse como resistencias variables o interruptores. Los circuitos que usan transistores como
resistencias variables se llaman circuitos anlogos o lineales. Y los que los usan como interruptores
digitales o lgicos.
Tipos de Transistores
- Existen los transistores unipolares y bipolares.
- Los transistores bipolares (BJT) son controlados por corriente. Los unipolares (FET), son
controlados por voltaje.
- El texto se referir a transistores como transistores bipolares.
- Los transistores son componentes activos que pueden amplificar potencia. Entregan ms potencia de
la que reciben.
Transistores bipolares
- Existen dos tipos, los NPN y los PNP.
- El emisor tiene muchos portadores mayoritarios en relacin a la base. Y el colector al igual pero
tiene menos portadores mayoritarios que el emisor. En los NPN los portadores mayoritarios son
electrones, en los PNP son huecos.
Polarizacin de un transistor bipolar
- En un transistor bipolar hay dos junturas PN, una entre el emisor y la base (BE) y otra entre el
colector y la base (BC). Ambas actan esencialmente como diodos.
- Para un correcto funcionamiento del transistor BE debe quedar polarizada directamente y BC
inversamente. En un transistor NPN el C debe ser ms positivo que E y B ms positiva que E pero
menos positiva que C.
- Existe un estndar para describir el voltaje en un par de puntos o entre un punto y tierra en los
circuitos con transistores. Por ejemplo VBE es el voltaje entre B y E (para dos puntos se usa un doble
subndice), VC es el voltaje entre el colector y tierra (se usa un slo subndice). Los voltajes de
alimentacin se describen con un subndice repetido, ejemplo VCC (fuente asociada al colector) y VBB
(fuente asociada a la base).
- Se muestra en la figura 8.4 como se polarizan los transistores NPN y PNP. En los transistores de
silicio, para que ocurra una corriente de emisor a la base y al colector, la VBB debe ser superior a
0,7V (valor estndar para los transistores de silicio), de esta forma se supera la delta de la juntura
BE. La resistencia que va en la base (RB) y la que va en el colector (RC) actan como limitadoras de
corriente.
- Con el esquema normal de polarizacin, VBB atrae a los portadores mayoritarios de E y una pequea
parte se fuga a B (menos del 5%) y el resto atrados por VCC se mueven al colector (ms del 95%).
A esta forma de operar se le llama accin transistor.
- Se generan 3 corrientes entonces, IE IB y IC, estn relacionadas as: IE = IB + IC
- A la vez, la corriente de base est relacionada con la de colector como: IC = * IB
- Beta es la ganancia de corriente del transistor y es un parmetro particular del transistor. Esta
caracterstica es la ms importante del transistor ya que lo hace til como amplificador.
Curvas caractersticas de un transistor

La forma opera un transistor puede ser comprendido por sus curvas caractersticas de entrada y
salida.
- La caracterstica de entrada muestra como se comporta la corriente de base (IB) con respecto al
voltaje base-emisor (VBE). Esta corriente es la misma de un diodo, por ende, circular IB slo cuando
VBE alcance el potencial de la barrera de unin BE (del orden de 0,7V).
- La corriente de base la establece VBB y la resistencia RB. sta se puede calcular as:
IB = (VBB VBE) / RB = VRB / RB
VRB = Cada de voltaje de RB
- Al parecer, modificando el VBB y RB se puede controlar la corriente de base.
- La caracterstica de salida muestra como se comporta la corriente de colector IC en relacin al
voltaje emisor-colector (VCE) para algn valor de la corriente de base (IB).
- En el grfico que aparece, VCE entre 0 y un valor mnimo la corriente de colector IC aumenta
rpidamente hasta un punto. Esta curva que se forma es la zona de saturacin del transistor.
- Luego la IC se mantiene constante hasta un valor mximo de VCE. Esta zona se llama zona activa.
- Cuando la VCE sigue aumentando la IC entra en una zona de ruptura y aqu el transistor se destruye.
Un transistor no debe operar con este VCE.
- La zona activa es la ms importante en un transistor pues porque aunque VCE vare la IC se mantendr
igual. En esta zona trabajan los amplificadores y otros circuitos anlogos.
- Existe una cuarta zona llamada zona de corte que es cuando la IB es 0. En esta zona circula una
corriente de colector muy pequea llamadas corriente de fuga o ICEO.
- La zona de saturacin y de corte son usadas por los circuitos digitales.
- La tensin VCE la establece la fuente VCC, la resistencia RC y la corriente IC. Se puede calcular as:
VCE = VCC (IC * RC) = VCC - VRC
- Si se mide IC y VCE para distintos valores de IB se obtiene una familia de curvas caractersticas de
salida (caractersticas de colector). Estas curvas son muy importantes para el diseo de circuitos con
transistores. Cada fabricante especifica las curvas de su transistor.
- Las curvas pueden simularse con un trazador de curvas que es un instrumento de laboratorio.
Concepto de Recta de carga
- Las curvas caractersticas de salida muestran como vara la IC y el VCE con respecto a la corriente de
base IB. Pero tambin pueden ser utilizadas para ver el comportamiento del transistor bajo cualquier
carga. Para esto se usa la recta de carga.
- La Recta de Carga se traza en las curvas de salida donde muestra los distintos valores de VCE e IC
que se forman con los distintos valores de IB.
- Segn el valor de RB, IB puede variar desde 0 a un valor mximo. Cuando IB=0 el transistor no
conduce, por ende VCE=15V y IC=0. Este valor define el extremo inferior de la recta de carga.
- A partir de cierto valor de IB el transistor conduce al mximo y por ende VCE=0 e IC=5mA. Estos
valores definen el extremo superior de la recta.
- Para valores intermedios de IB el transistores conduce a medias y VCE e IC adoptan valores
intermedios. Estos valores estn definidos en las intersecciones de la recta de carga con las curvas de
salida.
- El punto superior donde la recta corta al eje de IC se llama punto de saturacin y donde corta a VCE
se llama punto de corte.
- El circuito de ejemplo (8.13a) es un circuito de emisor comn. Su VCEMAX e ICMAX pueden ser
calculadas as:
VCEMAX = VCC
ICMAX = VCC / RC

El transistor se comporta como en cortocircuito en el punto de saturacin pues toda la corriente IC


circula por la resistencia RC. Se dice entonces que el transistor est saturado.
- El transistor se comporta como un circuito abierto en el punto de corte, pues todo el voltaje de la
fuente aparece en el transistor. El transistor est cortado.
Punto de Trabajo
- El objetivo de una recta de carga es la identificacin de los puntos de trabajo del transistor y buscar
el ms adecuado para una determinada aplicacin. El punto de trabajo se identifica con la letra Q
(quiescent, reposo).
- Cada par de IC y VCE en relacin a una IB es un punto de trabajo.
- La corriente de base, de colector y el voltaje emisor-colector asociados con un punto de trabajo se
designan en su orden IBQ, ICQ, VCEQ. Estos valores son las condiciones de operacin del circuito en
reposo.
- Cuando el circuito est en reposo quiere decir que no hay ninguna seal de entrada aplicada. Ignoro
qu tipo de seal. Pero cuando el circuito recibe una seal de entrada los valores asociados varan
por arriba y por debajo de su valor de reposo.
- Para un circuito emisor comn, existen las siguientes frmulas:
IBQ = (VBB VBE) / RB
ICQ = * IBQ
VCEQ = VCC (ICQ * RC)
- Los puntos anteriores son para conocer el punto de trabajo acorde a las resistencias y a los voltajes.
Esquemas mejorados de polarizacin
- En los circuitos que se han evaluado se ha considerado a y a VBE como constantes. Pero de un
transistor a otro estos valores pueden cambiar.
- Estos valores tambin van variando por la temperatura y el envejecimiento del transistor. Todo lo
anterior hace que el punto Q vaya variando y por ende que no sea confiable, en otras palabras el
punto de trabajo es inestable.
- Debo recordar que el transistor cuando trabaja en la zona activa se llama amplificador.
- Para evitar que un transistor se torne inestable, entonces el esquema de polarizacin no debe
depender de estos valores supuestamente constantes, sino que dependa de componentes externos que
sean controlables.
- De lo anterior, entonces surgen dos mtodos recurrentemente empleados para la estabilizacin que
son la polarizacin de emisor y la polarizacin por divisor de tensin.
Polarizacin de emisor
- Este modo no pone a la resistencia de base RB, pero agrega una resistencia al emisor sumado a que
se conecta a tierra.
- Esta resistencia de emisor RE, se encarga de crear una corriente de emisor fija. Es la responsable de
estabilizar al punto de trabajo e independizarle de la ganancia de corriente.
- Hay una serie de pasos para determinar el punto Q con esta nueva modalidad.
- El subndice Q indica que se trata de valores estticos.
- El primer paso es determinar el voltaje entre emisor y tierra (VEQ). Es la diferencia entre la tensin
de base VCC y el VBE (0,7V). Est dado por la frmula:
VEQ = VBB - VBE
- El segundo paso es determinar la corriente de emisor (IEQ), la cual es prcticamente la misma que la
de colector (ICQ). Como IEQ circula por la resistencia RE con el voltaje VEQ, entonces por ley de ohm:
IEQ = ICQ = VEQ / RE

El tercer paso es determinar el voltaje entre colector y tierra (VCQ). Este voltaje es la diferencia entre
VCC y la cada de voltaje de la resistencia de colector (VRCQ). Como por RC circula la corriente ICQ y
la resistencia RC, entonces se tiene:
VCQ = VCC (ICQ * RC)
- El cuarto paso es determinar el voltaje entre colector y emisor (VCEQ). Simplemente es la diferencia
entre el voltaje de colector y emisor:
VCEQ = VCQ - VEQ
- Entonces segn todo lo anterior el punto de trabajo est dado por:
VCEQ = VCQ VEQ
ICQ = VEQ / RE
- Entonces, segn las expresiones anteriores es de notar que la ganancia de corriente no interviene, lo
que la asla del correcto funcionamiento del transistor.
- Este tipo de polarizacin se autorregula cuando la ganancia de corriente vara. Los distintos voltajes
y corrientes se estabilizan conforme al punto de trabajo. Se le llama tambin estabilizacin por
corriente de retroalimentacin.
Polarizacin por divisor de tensin
- Este mtodo proporciona lo mismo que el mtodo anterior pero la diferencia es que slo requiere de
una fuente de voltaje.
- Cuando slo se tiene una fuente (como casi todos los circuitos electrnicos), es necesario instalar un
divisor de tensin. Este divisor obtiene la tensin de base (VBB) a partir de la tensin de colector
(VCC).
- Este esquema de llama tambin polarizacin universal. Tiene la ventaja de que es trmicamente
estable, o sea, el punto de trabajo no vara con la temperatura.
- Tambin existen una serie de pasos para determinar el punto de trabajo y otros datos adicionales.
- En el primer paso se calcula IR1 e IR2 a travs de las resistencias del divisor de voltaje. R1 y R2 se
eligen de modo que sus corrientes sean muy altas en comparacin a IB, al menos 20 veces. La
frmula es:
IR1 = IR2 = IRB = VCC / (R1 + R2)
- El segundo paso, se calcula la tensin de base (VB), que equivale a la cada de voltaje de R2.
VB = IRB * R2
- El tercer paso, se calcula la tensin de emisor (VE). sta equivale al voltaje de base (VB) menos el
voltaje VBE:
VE = VB - VBE
- El cuarto paso, se calcula la corriente de emisor (IE), que es la relacin del voltaje de emisor (VE) y
la resistencia de emisor (RE):
IE = VE / RE
- En el quinto paso, se calcula la tensin de colector (VC), que es igual a VCC menos la cada de voltaje
de RC:
VC = VCC - VRC
- En el sexto paso, se calcula la tensin entre emisor y colector (VCE), la cual es la diferencia entre VC
y VE:
VCE = VC - VE
- Segn todo lo anterior, entonces hay dos frmulas para calcular el punto de trabajo Q:
IC = VE / RE
VCE = VC - VE

En esta seccin se representa como convertir este esquema en polarizacin de emisor y se dan unas
frmulas para convertir los elementos de este esquema a los de emisor:
VBB = VB = VCC * R2 / (R1 + R2)
RB = R1 * R2 / (R1 + R2)
- En los transistores PNP se usa el mismo esquema salvo que los voltajes de alimentacin VCC y VBB
deben invertir su polaridad.
Otros tipos de polarizacin
- Los circuitos de polarizacin de transistores se dividen en dos grupos dependiendo si son
independientes de beta o no.
- En los circuitos independientes de beta, el punto Q depende slo de componentes externos.
Adecuando los valores de estos componentes, un transistor puede ser polarizado en cualquier punto
de la recta de carga.
- Los circuitos dependientes de beta en cambio rigen su ganancia con respecto a beta y tambin a
componentes externos, pero son demasiado inestables. Estos circuitos son poco usados en circuitos
de amplificacin de baja seal, pero si son muy usados en circuitos digitales.
- En un circuito dependiente de beta con polarizacin de base, sus puntos de reposo estn dados por:
IB = (VCC VBE) / RB
VCE = VCC (IC * RC)
I C = * IB
- En el circuito de polarizacin por retroalimentacin negativa, se aplica una resistencia de emisor la
cual genera un voltaje de emisor. A la vez se mantienen las resistencias de colector y de base. La RB
genera el voltaje de base, que sumado a la cada de la voltaje de RB, a VBE y a la cada de RE, es igual
a VCC. La idea de esto es que si aumenta beta, aumentar la corriente de IC e IE, al aumentar IE
aumentar VE, lo que har que aumente VB (por la diferencia de 0,7V), esto har que disminuya la
cada de voltaje de RB lo que provocar que IB disminuya provocando que a la vez IC disminuya
equilibrndose el punto Q.
- Pero la polarizacin si bien estabiliza el punto Q, los cambios que se producen en beta an son muy
grandes para considerarse tiles. En este tipo de polarizacin existen las siguientes frmulas:
VCE = VC VE
I C = I E = * IB
VC = VCC (IC * RC)
IB = (VCC VB) / RB
VE = IE / RE
VB = VBE + VE
-

En la polarizacin por retroalimentacin de colector, al aumentar beta, aumenta IC y por ende IE. Al
aumentar IC sube la cada de voltaje de RC lo que hace que disminuya VC provocando que
disminuya a la vez IB, lo que provoca una estabilizacin. Las frmulas son:
VC = VCE = VCC (IC * RC)
I C = * IB
IB = (VC VBE) / RB
Existe a la vez otra forma, la polarizacin con retroalimentacin de emisor y colector, aunque no es
tan estable como el divisor de tensin, proporciona buena estabilidad trmica. Sus frmulas son:
VC = VCC (IC * RC)
I C = I E = * IB
VE = IE * RE

VCE = VC VE
VB = VBE + VE
IB = (VC VB) / RB

Amplificadores de Seal
-

Los transistores se utilizan generalmente como amplificadores tanto en forma discreta (fsicamente)
o dentro de circuitos integrados.
- Un amplificador aumenta la magnitud de una seal elctrica. Esta seal puede provenir de diversos
medios, micrfonos, antenas, etc.
Tipos de Amplificadores
- Se clasifican conforme a diversos criterios.
- Un criterio es el tipo de seales que amplifican, amplificadores de voltaje, corriente o potencial. Por
ejemplo, para un micrfono se necesita un amplificador de voltaje, pero este amplificador no es apto
para excitar a un parlante, para esto, se necesita un amplificador de potencia.
- Otro criterio es la magnitud de las seales que se amplifican. Existen los amplificadores de baja y
alta seal. Los de baja seal amplifican seales de micro o milivoltios, en cambio los de alta seal,
amplifican seales ms grandes (para analizar a estos ltimos se usan mtodos grficos y para los
primeros, mtodos algebraicos). Los amplificadores de baja seal se usan generalmente como
amplificadores de voltaje y los de alta seal, como amplificadores de potencia.
- Tambin se pueden clasificar segn la cantidad de seal de entrada que recibe amplificacin. De esta
forma se habla de amplificadores de clase A, AB, B o C.
- En un amplificador de clase A, se amplifica el 100% de la seal de entrada generando una seal de
salida idntica a la de entrada pero amplificada.
- En un amplificador de clase B, se amplifica el 50% de la seal de entrada. En la carga circula
corriente slo en 180 del ciclo.
- En un amplificador de clase AB, se amplifica ms del 50% pero menos del 100% de la seal de
entrada.
- En un amplificador de clase C se amplifica menos del 50% de la seal de entrada.
- Los amplificadores de clase A, se usan para amplificar seales de baja frecuencia. Los de clase B y
AB de seal grande y los de clase C, de alta frecuencia.
- Los amplificadores tambin se clasifican de acuerdo a su uso. Estn los amplificadores de seal de
audio que amplifican seales audibles (producidas por la voz o instrumentos, desde 20Hz a 20kHz).
- Los amplificadores de RF se usan para amplificar seales de alta frecuencia (radios y tv).
- Los amplificadores de instrumentacin se usan para amplificar seales muy dbiles como las
producidas por el cuerpo humano.
Caractersticas de los amplificadores
- Se caracterizan mediante varios parmetros o figuras de mrito que describen su comportamiento
bajo distintas seales, frecuencias, cargas, etc.
- Las caractersticas ms importantes son: ganancia de voltaje, ganancia de corriente, ganancia de
potencia, resistencia de entrada, resistencia de salida, ancho de banda, distorsin y polarizacin.
Ganancia de voltaje, corriente y potencia
- La ganancia es la cantidad de amplificacin que proporciona el amplificador. Dependiendo del
diseo, el amplificador puede amplificar voltaje, corriente o potencia.
- La ganancia de voltaje se denota como Av, y es la relacin del voltaje de salida (Eo) y el voltaje de
entrada (Ei):
Av = Eo / Ei

La ganancia de corriente de denota como Ai, y es la relacin de la corriente de salida y la corriente


de entrada:
Ai = Io / Ii
- La ganancia de potencia es Ap y se define como la relacin entre potencia de salida y potencia de
entrada:
Ap = Po / Pi = Av * Ai
- La ganancia se expresa en decibelios (dB). Es una medida logartmica y se usa para comparar la
intensidad de un sonido con respecto a otro. Pero tambin se usa para calcular la magnitud de una
seal elctrica con respecto a otra. Existen unas frmulas para convertir las ganancias en ganancias
en decibeles:
Av(dB) = 20 * log(Av)
Ai(dB) = 20 * log(Ai)
Ap(dB) = 10 * log(Ap)
- El logaritmo es en base 10. Y cuando se calcula por ejemplo Av(dB) se dice que Eo est Av(dB)
veces sobre Ei.
Resistencias o impedancias de entrada y salida
- La resistencia de entrada se denota como Ri, y se define como la relacin entre Voltaje de entrada y
corriente de entrada. La resistencia de salida (Ro) como la relacin de Eo y Io:
Ri = Ei / Ii
Ro = Eo / Io
- La resistencias de entrada y salida de un amplificador se definen cuando existe una seal
(condiciones dinmicas). Estas resistencias son el efecto combinado de los distintos elementos
presentes en el circuito del amplificador, por ende conviene hablar ms de impedancia (resistencia
de elementos combinados) que de resistencia.
- Existe una impedancia de entrada (Zi) y una de salida (Zo). Por ende:
Zi = Vi / Ii
Zo = Vo / Io
- En otras palabras la impedancia de entrada es la resistencia del elemento que genera la seal de
entrada. A la vez, la impedancia de salida es la resistencia de la carga que recibe la seal amplificada.
- En un amplificador de voltaje es ideal que exista una Zi casi infinita y una Zo casi nula de esa forma
no se necesita entregar corriente a la entrada y la carga aprovecha todo el voltaje amplificado
disponible. Pero en la realidad no es as, pero de todas formas Zi es muy alto y Zo muy pequeo.
Ancho de Banda y respuesta de frecuencia
- Un amplificador tiene ancho de banda (BW, Bandwidth).
- Es un intervalo de frecuencias que pueden recibir amplificacin dentro de unos lmites de ganancias
preestablecidos. Usualmente esta BW incluye hasta 3dB por debajo de la ganancia nominal.
- La forma como vara la ganancia conforme a frecuencia se puede apreciar en un grafico llamado
curva de respuesta de frecuencia.
- En la figura 8.22 se puede ver el intervalo del ancho de banda con un lmite inferior FL (frecuencia
de corte inferior) de 20Hz y un lmite superior FH (frecuencia de corte superior) de 20kHz. En este
intervalo, la ganancia tiene un valor nominal pero tambin muestra una disminucin de 3dB (aprox.
un 30%) con respecto a este valor nominal.
- El valor nominal es el valor promedio o el predominante, de esa forma FL y FH se denominan
frecuencias superior o inferior a -3dB. Entonces el lmite del ancho de banda est determinados por
la diferencia de ambas frecuencias:
BW = FH - FL

Distorsin
- Idealmente la seal de salida debera ser idntica a la de entrada pero ampliada. Pero en la prctica
esto no es as y en la seal de salida se presentan algunas irregularidades.
- La distorsin se debe a que los transistores no son componentes lineales e introducen efectos propios
en la seal de salida.
- Existen distintos tipos de distorsin. La onda de entrada pura se le llama onda fundamental, pero
existen casos en que el transistor le aade otras frecuencias mltiplos de la fundamental llamadas
armnicas. A esto se le llama distorsin armnica.
Polarizacin
- La polarizacin es fundamental para que un transistor pueda operar como amplificador con una
seal.
- El primer requisito para analizar un transistor para convertirlo en amplificador es analizar su
polarizacin. La polarizacin determina el tipo de operacin (A, AB, B o C). Tambin determina su
capacidad de manejar seales pequeas o grandes.

Amplificadores de baja seal con transistores


-

Por el momento slo se han analizado amplificadores en reposo, o sea, sin seal de entrada. Y a la
vez, se ha aprendido a polarizarlos (establecer un punto Q).
La presencia de seal hace que las corrientes y voltajes varen por encima o por debajo del punto de
reposo (valores nominales o Q). A estas condiciones se les llama dinmicas o de seal.
Existen tres configuraciones importantes para un amplificador y depende de cmo se conecte el
transistor: Emisor comn (EC), Base comn (BC), Colector comn (CC).
Estas configuraciones individualmente reaccionan distinto ante una entrada de seal. El nombre de
cada configuracin depende del Terminal del transistor que est conectado a tierra y sea la referencia
para los terminales de entrada y salida.
En un amplificador de base comn (BC) la seal de entrada va por el emisor y la salida por el
colector, actuando la base como tierra. Esta configuracin proporciona amplificacin de voltaje pero
no de corriente. Adems, proporciona una salida en fase con la de entrada (positivo y negativo en la
entrada corresponden a positivo y negativo en la salida respectivamente). Sus aplicaciones estn en
circuitos de alta frecuencia, sobre los 100kHz.
En un amplificador de emisor comn (EC) la seal de entrada va por la base y la de salida por el
colector, actuando como tierra el emisor. Esta configuracin proporciona amplificacin de voltaje y
de corriente, pero entrega una salida de fase opuesta (el negativo y el positivo de la entrada son el
positivo y el negativo de la salida respectivamente). Sirven para circuitos de media y baja frecuencia
operando bajo los 100kHz.
En un amplificador de colector comn (CC), la seal de entrada va pro la base y la de salida por el
emisor siendo el colector la conexin a tierra. Ofrece amplificacin slo de corriente y no de voltaje
y la entrada est en fase con la seal de salida. Se puede usar en circuitos de baja o alta frecuencia.
Tambin se le llama seguidor emisor (follower emitter).

Amplificador de baja seal con emisor comn


-

En la figura 8.25 se puede ver al transistor con un divisor de tensin, donde las resistencias
involucradas definen la ganancia, la impedancia de entrada y de salida del amplificador. A la vez, se
agregan tres condensadores, de los cuales C1 y C2 actan como condensadores de acople o de paso y
CE acta como condensador de desacople.
Un condensador de acople sirve en un amplificador para transferir seales (o acoplar) de un punto a
otro. Un condensador de desacople es para desviar (o desacoplar) seales entre dos puntos. Se

aprovecha la caracterstica de los condensadores de ofrecer resistencia a la corriente alterna, que es


inversamente proporcional a la frecuencia. A esta oposicin se le denomina reactancia capacitiva.
Accin de los condensadores de acople y desacople
- La reactancia capacitiva es la resistencia que ofrecen los condensadores al flujo de corriente alterna.
Se denomina como XC y se expresa en ohmios y se conoce mediante la frmula:
XC = 1 / 2 * * f * C
f = Frecuencia de la seal; C = Capacidad del condensador
- Segn la frmula anterior, cuando la frecuencia es muy baja o 0 (en un nivel de CC constante)
entonces la XC es infinita. Esto ocurre en un circuito abierto.
- A la vez, si la seal cambia rpidamente, es decir, la frecuencia es muy alta, XC se aproximar a 0.
Esto ocurre en un cortocircuito. En definitiva, XC es alta para frecuencias bajas y baja para
frecuencias altas.
- Para que un condensador de acople o desacople funcione correctamente, XC debe ser muy baja, tan
baja como la seal mas baja esperada en la entrada. Prcticamente, XC debe ser la dcima parte de la
resistencia total en serie con el condensador.
Anlisis sistemtico
- Es fcil comprender intuitivamente como opera el amplificador.
- Para que sea an ms simple comprenderlo se efecta mediante dos anlisis, donde el primero
acarrea analizar sin seal y la otra, con seal.
- La primera se denomina anlisis para continua, donde se reemplaza la seal alterna por un
cortocircuito y los condensadores C1, C2 y CE por circuitos abiertos.
- La segunda se llama anlisis para seal o alterna, la fuente VCC se sustituye por un cortocircuito y los
condensadores se dejan como circuito abierto.
- Anular una fuente de seal es reemplazarla por un cortocircuito (no hay frecuencia), y a la vez, abrir
un condensador es lo mismo que quitarlo y colocar un puente. Esto es aplicable a cualquier
amplificador.
- Una vez que se obtienen los dos circuitos para cada anlisis, se suman los resultados para verificar
como se comportan las corrientes en cualquier rama y los voltajes en cualquier par de puntos en el
circuito.
Anlisis para corriente continua
- Al aplicarle una corriente continua (sin frecuencia) al amplificador se analiza el comportamiento de
su punto de trabajo.
- En primer lugar se asume el mnimo de ganancia de beta para efectuar el anlisis.
- En la figura 8.25b se ve al amplificador en las condiciones de CC. Es equivalente al de la figura
8.25a en cuanto a polarizacin.
- Con las condiciones dadas se pasa a analizar las corrientes y voltajes en distintos puntos.
- Existen dos tipos de mtodos para obtener el resultado, uno es el mtodo exacto y el otro el
simplificado. En el simplificado se considera a IB como 0 y en el exacto se toma su valor real.
- Calcul todos los voltajes e intensidades por medio del mtodo simplificado. Por el mtodo exacto se
considera la corriente real que circula en el circuito.
- Conviene usar el mtodo simplificado siempre y cuando el beta del transistor sea lo suficientemente
grande (mayor a 50). El mtodo exacto se usa aplicando un valor mnimo a IB.
Anlisis para seal
- En el circuito 8.25c puede verse el circuito con estas caractersticas. Este tipo de anlisis es clave
para conocer cuantitativamente las caractersticas del amplificador.

Con este tipo de anlisis se pueden conocer las impedancias de entrada y de salida, ganancias de
voltaje, corriente y potencia. Tambin permite predecir la distorsin y otros datos ms.
- En la figura 8.25c se reduce al circuito a seal. R1 y R2 quedan en paralelo donde su resistencia total
forma la resistencia de base. A la vez, la RC y RL quedan en paralelo y la resistencia total forma la rC
(resistencia de colector para seal).
- La rC determina mucho a la ganancia de voltaje (AV) ya que limita la variacin de corriente del
colector alrededor de su posicin de reposo (ICQ).
- La resistencia de base define la impedancia de entrada (Zi).
Impedancia de entrada (Zi)
- La resistencia dinmica de base es la oposicin que ofrece la unin base emisor a las variaciones de
la corriente de base generada por la seal de entrada.
- La resistencia dinmica de base tambin se le conoce como impedancia de entrada de base. Se
denota como rb (r prima b), se mide en ohms y su frmula es:
rb = 25mV / IB = * (25mV / IE)
- Esta resistencia debe quedar en paralelo con la resistencia de base donde ambas en su resistencia
total determinarn la impedancia de entrada.
- El efecto de esta impedancia de entrada es limitar el voltaje de entrada (vi) haciendo que sea inferior
al voltaje entregado por la fuente de seal (vs). Est dado por la siguiente frmula:
vi (pico) = vs (pico) * [Zi / (Zi + RS)]
Funcionamiento con seal pequea
- Cuando se acopla la seal de entrada a la base del transistor el punto de trabajo de la unin base
emisor vara. El punto de trabajo es la base que se establece para que las ondas varen sobre l o bajo
l.
- Segn vara la seal de entrada entonces vara el punto de trabajo de la base (IEQ y VBEQ). Al parecer,
se debe conocer hasta donde puede cambiar el punto de trabajo cuestin que el transistor no entre en
corte ni en saturacin.
- Al variar VBE, entonces vara IE, todo esto dentro de un rango de variaciones de la seal de entrada.
Las variaciones VBE producen una gran variacin en IE, y para conocer esta magnitud es necesario
conocer la resistencia dinmica de emisor.
- La resistencia dinmica de emisor es la oposicin que ofrece la unin base emisor a la corriente de
emisor en presencia de seal. Esta resistencia juega un papel importante en el anlisis de circuitos
con transistores y se denota como re y se calcula con la frmula:
re = 25mV / IE = VBE / IE = Vbe / ie
VBE = Cambio neto de VBE; IE = Cambio neto de IE
- VBE delta, es el cambio de valor que sufre VBE cuando vara la seal de entrada. En otras palabras es
el valor pico a pico. Al igual IE delta es el cambio de valor que tiene IE ante la seal de entrada, al
igual es el valor pico a pico que tiene la corriente.
- Debido a la tolerancia de fabricacin de los transistores, re puede variar entre 25mV / IE y 50mV / IE.
Pero en los clculos siguientes se asumir un valor de 25mV. A la vez:
rb = * re
- Al depender entonces la impedancia de entrada (Zi) de y este al ser impredecible, entonces esa
dependencia de beta afecta a la amplitud de la seal de entrada (vi) y por ende, de la seal de salida
(vo). Esta es una desventaja del amplificador de emisor comn.
- A la vez, al variar IE delta, la IC delta vara en la misma medida.
- La notacin en este sentido cambia pues para las tensiones y corrientes estticas se usan subndices
y letras en maysculas, pero para tensiones y corrientes de seal se usan letras y subndices en

minscula, y para tensiones e intensidades totales letras maysculas y subndices minsculos (Ie =
IE + ie)
Ganancia de Voltaje (Av)
- Al variar la intensidad de colector (IC), vara la resistencia de colector rc (RC + RL). A la vez, el
voltaje de salida vara al igual lo que hace que VL vare tambin. Por ende:
VO = VL = IC * rc = ic * rc
- Segn la formula anterior, el mximo voltaje que puede variar el voltaje de la resistencia de colector
es VO / 2 (ya que VO es pico a pico, y la variacin se toma respecto al punto de reposo).
- Ahora bien, este valor se tiene con respecto al punto de reposo por lo que la variacin real es esta
variacin pequea sumado al punto de reposo.
- Cuando la seal de entrada alcanza su mximo positivo, entonces el voltaje de la resistencia de
colector aumenta al igual a su mximo, y la seal de entrada al alcanzar su mximo negativo, el VRC
disminuye a su mnimo. Esto ocurre porque VC = VCC - VRC
- Entonces la seal de salida es la amplificacin de la seal de entrada pero invertida. Ocurre un
desfase de 180.
- La ganancia de voltaje es la relacin entre la amplitud de la seal de salida y la amplitud de la seal
de entrada:
Av = vo / vi
Av(dB) = 20 * log(Av)
- Mientras el punto de trabajo est en una zona adecuada el amplificador puede operar como
amplificador de clase A y puede proporcionar una amplificacin fiel (aunque invertida) de la seal
de entrada.
- Prcticamente, una seal se considera pequea cuando el valor pico a pico de la variacin de IE (IE)
es menos del 10% de la corriente de polarizacin de emisor.
Impedancia de salida (Zo)
- El amplificador posee impedancia de salida. Esta impedancia interacta con la resistencia de carga
(RL) para determinar la cantidad de seal que RL recibe (VL).
- Esta impedancia es igual a la resistencia en paralelo de RC y la resistencia dinmica entre colector y
emisor (roe). Es decir:
Zo = roe || RC
- El valor de roe es muy alto en relacin a RC y por esta razn generalmente se ignora adquiriendo el
valor de Zo el valor de la RC:
Zo = RC
- En el caso de que se quiera conocer a roe, se puede obtener a partir de la admitancia de salida (hoe) y
se mide en Siemens (S) o mhos (con la invertida). Y equivale al inverso de roe.
- El valor de hoe depende de IC y es suministrado por los fabricantes en los datos de sus productos.
- Se ha calculado el valor exacto de Zo y como se calcula en paralelo, la divisin de roe es demasiado
por lo que por efectos prcticos se tomar a Zo=RC. Pero esto slo para el tipo de amplificador
estudiado ahora, de emisor comn.
- De todo lo anterior observo que si se desconecta la carga (RL=infinito) entonces aumenta rC y eso
hace que la cada de voltaje aumente al mximo en RC y por ende vo tendr un valor mximo.
Entonces:
Avmax = RC / re
Avmax(dB) = 20 * log(Avmax)
- Para cualquier valor de la resistencia de carga (RL), el valor de Av ser:
Av = Avmax * RL / (RC + RL)

En definitiva la ganancia de voltaje aumenta o disminuye a medida que aumenta o disminuye la


ganancia de carga. Si RL=0 entonces Av=0. Por ende, tericamente la ganancia puede variar desde 0 a
Avmax.
Ganancia de Corriente
- Cuando se aplica la seal de entrada provoca variaciones en IB lo que provoca variaciones en IC.
- La relacin entre variacin de la corriente de colector (IC) y la variacin de la corriente de base
(IB) se denomina ganancia de corriente dinmica o para seal del transistor. Se denota como ac o
hfe y es distinta a la ganancia de corriente para continua (, cc o hFE), donde no se aplica seal.
ac = hfe = IC / IB = ic / ib
- El valor de ac depende de IC y es suministrado por los fabricantes en sus hojas de informacin de sus
productos. Es este valor el que debe utilizarse para los calculos con seal.
- Para el amplificador la ganancia de corriente est definida como la relacin de corriente de entrada y
de salida:
Ai = io / ii
Ai(dB) = 20 * log(Ai)
- El anterior valor el valor definitivo de la ganancia del amplificador y depende de los parmetros de
entrada y salida para ser determinado. En definitiva es la ganancia con una seal presente.
Ganancia de Potencia
- Se define como el producto de la ganancia de voltaje (Av) y la ganancia de corriente (Ai), entonces:
Ap = Av * Ai
Ap(dB) = 10 * log(Ap)
- Este valor sera el de la ganancia de potencia del amplificador con una seal presente.
Ancho de Banda
- Como antes se dijo, el ancho de banda es la serie de frecuencias desde que la Av disminuye hasta
3dB de su valor nominal.
- Para determinar este ancho de banda se deben encontrar las frecuencias de corte inferior (fL) y de
corte superior (fH).
- El valor de fL depende de las capacidades de los condensadores de acople (C1, C2) y desacople
(CE). Y el valor fH depende de las capacidades internas del transistor y de capacidades relativas a la
fsica del circuito.
- Para conocer fL se debe calcular las frecuencias de corte inferior de cada condensador y elegir la
dominante, es decir la mayor de ellas. Existir una fL para cada condensador.
- La frecuencia de corte es la frecuencia con la cual la reactancia del condensador (XC) es igual a la
resistencia equivalente (REQ) conectada en serie con el condensador y con las fuentes de corriente o
voltaje anuladas (ponerla en cortocircuito en el caso de una fuente de voltaje, y poner el circuito
abierto en una fuente de corriente).
- La resistencia equivalente en la figura descriptiva 8.25j es la suma de la resistencia de la fuente de
seal RS y la impedancia de entrada del amplificador Zi. Y de esta forma, la fL se da por:
fL = 1 / (2 * XC * C) = 1 / (2 * REQ * C)
- Toda REQ es simplemente cuando se tiene 2 o ms resistencias y estas se reducen a una sola que tiene
la misma resistencia que esas 2 o ms resistencias.
- El emisor ve a las resistencias de la entrada (de base) ac veces ms pequea. Porque la corriente de
base es ac ms pequea que la corriente de emisor.
- Para calcular REQE se necesita calcular la RE en paralelo con la suma de la resistencia dinmica de
emisor re y las resistencias de entrada vistas desde el emisor.
- La capacidad del condensador determina la frecuencia de corte inferior.

La frecuencia de corte superior (fH) depende de las capacidades parasitarias de las uniones base
emisor y base colector del transistor. Estas capacidades se manifiestan a muy altas frecuencias. A la
vez pueden intervenir capacidades parsitas del propio circuito. Para determinarla hace falta otro tipo
de anlisis ms complejo pero siempre esta frecuencia es muy alta (de cientos de kHz)
Experimento 8.1
- En este experimento se analizan todas las caractersticas del amplificador de emisor comn:
Ganancia de Voltaje, Impedancia de Entrada, Impedancia de Salida, y comprobarlas mediante la
teora de las frmulas y el anlisis real.
- De partida, la Av puede medirse con respecto a los datos obtenidos con los instrumentos y tambin,
tericamente con las frmulas. La ganancia se mide con respecto a la carga, por ende cuando se mide
con instrumentos esa ganancia asume la carga, pero al medirse tericamente, se necesitan valores
adicionales.
- La Zo tambin puede medirse con instrumentacin o tericamente. Para medirla es necesario obtener
ciertos datos.
- Aunque existen varias frmulas para calcular algn valor, no se debe olvidar que todo depende de lo
que se quiera obtener, si los datos reales o los datos tericos.
- La distorsin es provocada cuando la seal de salida opera fuera del punto de trabajo del transistor
por lo que se genera una distorsin de diferentes tipos y sucede cuando se modifica el punto Q del
transistor o si la seal de entrada se sale del rango estimado.
- El ancho de banda puede calcularse mediante las ganancias de voltaje del transistor. Se deben
calcular las frecuencias de corte por medio de las frmulas tericas o reconocerla mediante la
aplicacin de instrumentos.
- Para conocer estos puntos por medio de los instrumentos es necesario conocer la ganancia nominal
del amplificador y esta se conoce mediante el ajuste de la seal de entrada (amplitud y frecuencia)
para que se genere en la seal de salida una ganancia exacta de Av. Estos valores de la seal de
entrada son los que provocan una ganancia nominal. Para conocer la frecuencia de corte inferior, es
necesario reducir slo la frecuencia de forma que la ganancia se reduzca hasta 3dB por debajo de la
ganancia nominal. Para conocer la frecuencia de corte superior es necesario aumentar la frecuencia
hasta que la ganancia vuelva a situarse bajo 3dB de la ganancia nominal. Estas frecuencias
obviamente se miden en Hertz.

Amplificadores de baja seal de base comn


-

No produce inversin de fase, genera una alta ganancia de voltaje. Pero no posee amplificacin de
corriente pero se usa para aplicaciones de alta frecuencia.
Los distintos anlisis provocan que se noten distintas caractersticas de este tipo de amplificador.
En este tipo de amplificador, la seal va por el emisor y la amplificacin por el colector sirviendo la
base como masa.

Anlisis sin seal


-

Si bien deduc los distintos valores anotar aqu las frmulas para los puntos de reposo del
amplificador sin seal:
IEQ = VEE VBE / RE
ICQ = IEQ
IBQ = ICQ / hFE
VEQ = -VBE
VCQ = VCC ICQ * RC
VCEQ = VCQ VEQ
VBQ = 0

Anlisis con seal y sin fuente de alimentacin


-

Se anulan las fuentes de alimentacin y se reemplazan los condensadores por cortocircuitos. En este
tipo de prueba se deducen distintas caractersticas.
La impedancia de entrada es baja (Zi), y es la resistencia equivalente en paralelo de RE y re. Su
valor es prcticamente el mismo de re. Al ser baja esta impedancia hace que la seal disponible en la
entrada sea muy pequea pudiendo provocar una sobrecarga de la fuente.
Zi = RE || re
La impedancia de salida es moderada (Zo) y prcticamente es igual a RC. Puede ser seleccionada
escogiendo una RC adecuada. Pero debe cuidarse de que esto no modifique el punto Q hasta los
lmites de saturacin provocando distorsin.
Zo = RC
La ganancia de voltaje (Av) es alta y est dada por la relacin de la resistencia equivalente de
colector rc (RC||RL) y la impedancia de entrada (Zi):
Av = vo / vi = rc / Zi = RC||RL / RE||re
A la vez, Av depende de RL. Y cuando RL es infinita (circuito abierto) la ganancia ser mxima y
cuando RL es cero (cortocircuito), la ganancia ser mnima. La ganancia puede ser aumentada
aumentando RC pero esto hara que aumentara Zo y se modificara el punto de trabajo.
Existe tambin la ganancia de voltaje con respecto a la fuente de seal (Av) y est dada por:
Av = vo / vs = Av / (1 + RS / Zi)
No se produce ganancia de corriente (Ai), ya que esta es inferior a 1. Esta se puede calcular
mediante:
Ai = io / ii = Av * (Zi / RL)
La anterior corriente no es la misma que la ganancia del transistor en base comn () ya que la
ganancia anterior contempla una resistencia de carga y la impedancia. En cambio la ganancia del
transistor es:
= hfb = ic / ie = / ( + 1)
En la practica a se considera como 1.
Posee un ancho de banda grande ya que va de 0Hz hasta varios MHz limitados slo por las
capacidades parasitarias del circuito. La mxima frecuencia a la que puede amplificar est
determinada por la frecuencia de corte alfa (f) la cual se define como la frecuencia ante la cual la
ganancia de corriente disminuye 3dB de su valor nominal. A veces en vez de f se usa f que
significa lo mismo pero para el amplificador de emisor comn:
f = * f
Lo anterior es la mxima operacin del transistor pero no la del circuito, la cual es mucho menor.
A la vez se pueden evitar las dos fuentes creando una polarizacin por divisor de tensin

Amplificador de baja seal de colector comn. Seguidor de


emisor
-

Una de las principales desventajas del amplificador de base comn es su impedancia de entrada que
es muy baja. Esto hace que la mayor parte del voltaje de la seal de la fuente se pierda por la
resistencia interna de esta y una pequea parte pase a la entrada del amplificador. Y esto puede
causar que se le exija demasiada corriente a la fuente de seal lo que puede sobrecargarla.
Lo anterior siempre sucede cuando se acopla una fuente de alta impedancia con una carga de baja
impedancia. Una forma de solucionar esto es acoplando una carga con un amplificador en colector
comn o seguir de emisor.

Se llama seguidor de emisor porque Vi=VB y Vo=VE, y como VE siempre ser VBE ms bajo que VB,
se dice que cualquier variacin de VB producir la misma variacin en VE por ende el emisor sigue a
la base.
Como pude comprobar en el texto y a la vez en la simulacin del circuito, este tipo de amplificador
no ofrece amplificacin de voltaje, pero no es un problema. Este amplificador proporciona una
amplificacin de corriente muy buena. La impedancia de entrada es muy alta, prcticamente la
impedancia es beta veces la resistencia de emisor, esto hace que la fuente no sacrifique nada de
corriente. Tampoco produce inversin de fase. Tiene una respuesta de frecuencia amplia, mayor que
la de emisor comn pero menor que la de base comn.

Anlisis en corriente continua


-

Es fcil conocer los valores de polarizacin del punto de trabajo del amplificador. Por ende no hay
mucho que decir sobre esto.

Anlisis en seal
-

Para analizar en seal se omiten las fuentes VCC y VEE y los condensadores se reemplazan por un
cortocircuito. A travs de este anlisis se puede determinar fcilmente la Zi, Zo, Av, Ai y Ap.
La impedancia de entrada (Zi), se puede evaluar mediante:
Zi = R1 || R2 || (rb + re)
rb = Resistencia Dinmica de la unin base-emisor
re = Res. Equivalente de emisor vista desde la base
Las frmulas enunciadas son relativas al anlisis de seal de la figura propuesta, as que yo creo que
pueden variar, por ende debo comprender como estn ordenadas estos elementos. La forma del
anlisis de seal es lo que determina las frmulas, pero no entiendo el motivo por el cual el circuito
qued as.
De partida se omite al transistor, pero al parecer no es as, ya que simplemente se generan dos
circuitos, el primero sera el respectivo a la seal de entrada y el segundo, a la seal de salida. A la
vez, el primer circuito evala el comportamiento con respecto a la seal de entrada y el segundo con
respecto a la seal de salida.
Existen las resistencias dinmicas las cuales se generan con seal. En este tipo de amplificador existe
la resistencia dinmica de base (rb) y la resistencia dinmica de emisor (re). Ambas tienen un valor
distinto si se evalan con respecto a la seal de entrada o a la seal de salida.
Ahora en el otro documento de apuntes anot las diferencias de conceptos.
Entonces creo que la impedancia de entrada es la impedancia del circuito vista desde la fuente, y la
impedancia de salida, es la impedancia vista desde el emisor en este caso.
Como generalmente re es demasiado grande se suele tomar para efectos prcticos a Zi como:
Zi = R1 || R2
No entiendo el motivo pero si la impedancia de entrada tiende al valor de la resistencia interna de la
fuente, habr un traspaso de potencia mximo de la fuente al amplificador.
Efectivamente, la impedancia de salida es lo mismo que la de entrada slo que se ve desde la salida
(el emisor) y est dada por:
Zo = RE || (re + (RS || R1 || R2) / )
Este tipo de amplificador genera una muy baja impedancia de salida lo que lo hace muy til como
adaptador de impedancias. Ahora debo estudiar la aplicacin de un diodo zener pero primero debo
saber como funciona.
(Ms adelante debo comprender el circuito que se realiza con un diodo zener).

Circuitos prcticos con Transistores

Debo comprender la mayora de estos circuitos, pues son esenciales para comprender el
funcionamiento de los transistores como amplificadores, adems me permitirn trabajar con distintas
frecuencias y modos de uso.

Amplificadores de baja seal con transistores de efecto de campo


-

Los amplificadores analizados hasta ahora son amplificadores basados en transistores bipolares los
cuales son manejados con corriente. Estos permiten amplificacin de voltaje, corriente o potencia.
Pero a veces no son suficiente cuando se quiere generar una impedancia de entrada alta o producir
un ahorro de potencia. Para esto, existen los FET, (Transistores de Efecto de Campo, Field Effect
Transistor).
Estos transistores se controlan por voltaje. Esto significa que una pequea variacin en el voltaje de
compuerta (gate, G), produce una gran variacin en la corriente en la fuente (source, S) y en el
drenador (drain, D).
Existen varios tipos de FET: JFET (FET de unin), IGFET (FET de compuerta de unin) o
MOSFET.
Los FET tambin poseen portadores de carga al igual que los BJT y la corriente que circula depende
del voltaje de control. A la vez las uniones del FET siempre se polarizan inversamente, lo que hace
que por la compuerta siempre circule una corriente muy dbil, casi nula; provocando una impedancia
muy alta, casi infinita (1014 ohms), siendo una de las ventajas ms importantes de los JFET. A la vez,
los FET utilizan slo un portador de carga (electrones o huecos), o sea, son unipolares; en los FET de
canal N, los nicos portadores de carga son electrones y en los de canal P, huecos.

Caractersticas de entrada y salida de los JFET


-

Todos los JFET operan en modo de empobrecimiento (depletion), es decir, que por la fuente y el
drenador circula la mxima corriente (IDmax) cuando la polarizacin de compuerta (VGS) es cero.
Para interrumpir la mxima corriente y disminuirla (llevarla a cero), entonces es necesario polarizar
inversamente a VGS. En un JFET de canal N, se polariza G negativamente y un JFET de canal P,
positivamente.
Las caractersticas se ilustran mediante la curva caracterstica de transferencia. Se muestran dos
grficas que describen el comportamiento del transistor ante distintos niveles de voltaje y corriente.
Es similar al BJT. Tambin existe una regin de corte, saturacin, ruptura. Pero existe la regin lineal
que es cuando la IDS aumenta rpidamente a medida que aumenta VDS.
La regin de saturacin es donde IDS se mantiene constante y va desde la regin de ruptura y la
regin de estrangulamiento (VP o VPO). A la vez, la regin donde VDS=0 y VDS=VP es la regin
lineal u hmica.
Uno de los principales parmetros de los JFET es su IDSS que es la mxima corriente que puede
transportar el dispositivo y es cuando VGS=0. Otro parmetro importante es la tensin compuertafuente de corte (VGS(off)) que es el mnimo voltaje que requiere VGS para hacer que el JFET entre en
corte. Por regla general siempre la anterior tensin ser igual a la de estrangulamiento, pero de
polaridad opuesta:
VGS(off) = -VPO
Tambin un valor importante es VGSR que es un valor mximo o de ruptura el cual no debe ser
superado por VGS.
Otro parmetro importante es la transconductancia (gm o yfs), que es la ganancia de los FET. Se
define como la relacin de cambio de la corriente de drenador y la tensin de VGS:
gm = ID / VGS

Esquemas de polarizacin de los JFET. Polarizacin de compuerta


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Los JFET como los BJT pueden ser usados como amplificadores en los circuitos anlogos o como
interruptores en los circuitos digitales. Para circuitos digitales, el punto de trabajo debe oscilar entre
la zona de corte y de saturacin, y en los circuitos anlogos, debe oscilar slo en la regin activa.
Para mantener el JFET en zona activa debe ser polarizado adecuadamente e inversamente.
El punto de trabajo depende de IDSS y de VGS(off) y ambos valores son muy variables de un JFET a
otro.
La forma ms fcil pero ineficiente es administrar una tensin fija a la compuerta. En este caso ID
puede ser evaluado por los grficos del JFET o por la frmula matemtica:
ID = IDSS * (1 VGS / VGS(off))2
La formula anterior es vlida para cualquier JFET ya sea de canal N o P. Ya que IDSS y VGS(off) no
son valores constantes de un JFET a otro (ni siquiera del mismo modelo), ID puede variar
impredeciblemente. Por eso el punto de trabajo por medio de esta polarizacin es muy inestable.

Polarizacin mediante divisor de tensin


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Si bien se consigue un punto de trabajo estable, este esquema no es adecuado para los JFET.

Polarizacin con dos fuentes de alimentacin


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Se conectan dos fuentes. Siendo la que est conectada al drenador VDD y a la fuente VSS.
En esta polarizacin y en la primera figura se ve que la compuerta est conectada a tierra por lo que
no posee ninguna corriente lo que hace que la tensin sea cero.
La ID=IS, por lo que VGS estar dada por la frmula:
VGS = ID * RS - VSS
Al aumentar VGS disminuye ID. Por ende en el circuito, al aumentar IDSS entonces ID tender a
aumentar lo que har que VGS aumente y por ende ID disminuya equilibrndose el punto de trabajo.

Autopolarizacin
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Este esquema slo necesita de una fuente de voltaje. Se le llama autopolarizacin o polarizacin
automtica.
Es uno de los mejores esquemas pues produce un punto Q muy estable y slo necesita de una fuente
de alimentacin.
Se aprovecha la resistencia de fuente RS y la alta impedancia de entrada del JFET para polarizar a
VGS, el cual estara dado por:
VGS = -ID * RS
La forma de estabilizar el punto Q de IDSS y VGS(off) es el mismo que el esquema de polarizacin
anterior.
Existen un par de frmulas para calcular el punto de trabajo:
RS = VGS(off) / IDSS
VD = VDD ID * RD
RD = (VDD VD) / ID
RG>>100K
Se realiza un ejercicio (en el cual en otro documento tengo ms notas) que proporciona ms
informacin sobre este tipo de polarizacin.
La RG a usar puede ser de un mximo de 10Mohms pero su eleccin debe cuidarse ya que puede
afectar seriamente a la polarizacin provocando cadas de tensin en RG muy altas lo que producira
que a la vez, VGS sea muy alta lo que distorsionara el punto Q.

Polarizacin de compuerta con referencia (offset)


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Si bien el esquema de autopolarizacin es efectivo, cuesta mucho fijar ID en un valor especfico.


Esta polarizacin ofrece mejores resultados pero es ms compleja.

En esta polarizacin se establece un divisor de tensin, el cual permite generar un voltaje positivo en
R2 (VB), el cual se puede restar de VRS para establecer la tensin VGS:
VGS = VRS - VB
Segn lo anterior ID depender de RS y R2 y no de pruebas aleatorias.

Polarizacin mediante fuente de corriente constante


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Otro mtodo muy eficaz es polarizar el JFET mediante una corriente constante suministrada por un
BJT polarizado correctamente de forma que entregue una corriente de colector constante.
En este caso se reemplaza RS por todo el BJT polarizado con un divisor de tensin el cual suministra
a travs de su colector la ID suficiente para mantener al JFET estable en su ID. Se puede evaluar as:
ID = IC = (VB VBE) / RE
VB = VDD * (R2 / (R1 + R2))
Si bien se necesitan ms componentes, este tipo de polarizacin hace que el punto Q del JFET no
dependa de VGS(off) y IDSS por lo que lo hace muy estable.

Circuito equivalente de baja seal de amplificador con JFET


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Se muestra un circuito equivalente a un JFET, y existe en su interior la RGS que es muy alta, de varios
de cientos de megaohms.
A la vez, el JFET posee el ndice de transductancia (gm, que se mide en mhos o siemens) el cual es
una constante proporcional a la ID conforme a cierta VGS.
A medida que VGS vara, gm va variando alcanzando su punto mximo en VGS=0. Este valor mximo
de gm se designa en las hojas de datos como gm0, gfs0 o yms0.
La gm de cualquier JFET puede evaluarse mediante esta frmula:
gm = gm0 * (1 VGS / VGS(off)

Configuraciones bsicas de amplificadores con JFET


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Al igual que los BJT, existen 3 configuraciones bsicas para los JFET: compuerta comn (GS),
fuente comn (CS) y drenador comn (CD).
Existen altas analogas entre las configuraciones de los BJT y JFET.
En un amplificador de fuente comn, la seal se aplica a la compuerta y sale amplificada en el
drenador. Produce inversin de fase y una moderada ganancia de voltaje, menor a la de un BJT en
emisor comn. Posee una alta impedancia de entrada y produce poca distorsin en seales dbiles
pero alta en seales altas (distorsin de ley cuadrtica). Esta distorsin si bien es indeseable se
aprovecha en algunos circuitos de comunicaciones.
En el amplificador de compuerta comn, la seal se aplica a la fuente y se obtiene amplificada en el
drenador. No produce inversin de fase y proporciona una ganancia de voltaje similar a la de un
amplificador de fuente comn. Su impedancia es muy baja aunque mayor que a la de un
amplificador de base comn. No se utilizan mucho.
En el amplificador de drenador comn, la seal se aplica a la compuerta y la seal de salida se
obtiene en la fuente. No genera inversin de fase ni ganancia de voltaje, pero proporciona una muy
alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida. Ya que Vi es casi igual a Vo pero con
ms corriente, este circuito se le denomina seguidor de fuente.
En el de fuente comn al poner Vi en la compuerta genera un voltaje VD el cual es la seal
amplificada. Pero la seal tiene una fase inversa, entonces la ganancia sin carga se da por:
Av = -gm * RD
El signo indica la inversin de fase.
En el de drenador comn (seguidor de fuente) se aplica Vi a la compuerta y se producen variaciones
en VGS por lo que la seal de salida Vo si bien tiene el mismo voltaje que Vi, genera una gran
corriente ID. La ganancia sin carga est dada por:

Av = RS / (RS + 1 / gm)
Por lo anterior, la ganancia es menor a 1. Adems la impedancia de salida est dada por:
Zo = RS || (1 / gm)
Por lo anterior, la impedancia de salida es baja, pero la de entrada es muy alta.

Anlisis de amplificadores de baja seal con JFET


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El anlisis de seal en los JFET se hace de la misma forma que los BJT. Si bien existen frmulas
para determinar la ganancia, en el JFET la ganancia est determinada y es proporcional a ID. Se da
por:
AV(FET) = Vo / Vi = Vo / Vgs
Vo = id * RD
id = Vgs * gm
AV(FET) = id * RD / Vgs = gm * RD
Un JFET proporciona una ganancia mucho ms baja que un BJT. Por eso, los BJT son ms utilizados
a la hora de amplificar generalmente, excepto cuando se necesita de una alta impedancia de seal de
entrada, donde el JFET es mucho mejor.
En cuanto a Zo, esta es igual a RD (en un JFET) o a RC (en un BJT). Pero un JFET en seguidor y
con una fuente de alta impedancia, proporciona una Zo muy inferior comparada con la de un BJT.
Los BJT son mejores para bajas impedancias de seal de entrada.

Circuitos prcticos de baja seal con JFET


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Se muestran varios circuitos en fuente comn con distintos tipos de polarizacin.


Comprend el funcionamiento de todos los circuitos, por lo que ahora pasar al siguiente tema.

Amplificadores Multietapa
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En muchos casos la ganancia esperada a la salida no es suficiente con un amplificador, por ende la
unin de un amplificador a otro se le llama amplificadores en multietapa. Donde la combinacin de
ambos proporciona la amplificacin deseada.
Existe el modo en cascada para representar la unin de dos o ms transistores conectados
directamente a alguno de sus terminales.
Se muestran varios circuitos de amplificadores multietapa, los cuales debo analizar.
En el 8.74, el primer BJT est en emisor comn. A la vez Q1 es NPN y Q2 es PNP, por eso Q2 se
polariza al a inversa. En Q1, R1 y R2 establecen el punto de trabajo y R3 establece la ganancia. En
Q2 est en seguidor de emisor donde Q1VC ser Q2VB. Al aumentar Q2VB har que C2
proporcione una corriente a Q2, por ende, al aumentar Q2VB aumentar Q2VE y Q2VC. Al
disminuir Q2VB, entonces C2 necesita estabilizarse con una corriente la cual es generada por Q1,
provocando que Q1VC eleve un poco ms su tensin. Siempre Q2VB tendr corriente proveniente
de C2 y Q1 ser quien recargar a C2 ya sea cuando aumente Q1VC o disminuya.
En la 8.75 todos los BJT estn en emisor comn y todos excepto Q1 con su base conectada al
colector del anterior. C2 acta como desacople. Q1 y Q2 tendrn un VB de 0,7 siempre, por lo que
Q1VC no proporciona ganancia de voltaje. Cuando aumenta Q1VB entonces Q1VC decae al
aumentar la corriente. Por ende ni Q1 ni Q2 proporcionan mucha amplificacin de voltaje ni
tampoco amplificacin de corriente, aunque Q1 y Q2 proporcionan una alta impedancia de entrada.
R8 establece el punto de trabajo de Q1 y C2 proporciona desacople, lo mismo C3 y C4. Explicar un
poco el desacople en este circuito en C2.
Cada vez que VR2 aumenta, quiere decir que Q1VC disminuye, eso quiere decir que hay ms
corriente. Segn el test de distribucin de voltajes que hice, al aumentar Q1VC todos los voltajes

entre resistencias aumentan, unos ms que otros. Segn esto, entonces al aumentar Q1VC entonces
C2 disminuye Q1IC y al ocurrir esos aumentos de voltaje, C2 entrega carga la cual compensa la falta
de corriente provocada por la disminucin de Q1VB. Y al contrario, al disminuir Q1VC entonces
disminuyen todos los voltajes intermedios lo que hace que C2 absorba el exceso de corriente y de
paso se recargue para el siguiente ciclo. Por ende, en R1 siempre circular una corriente idealmente
igual.
En 8.75, R6 establece el punto de trabajo de Q3 y R5 establece la ganancia. Creo que R9 y R10
sirven como fuente de corriente.
En la 8.76 hay dos BJT en seguidor de emisor los cuales proporcionan una amplia ganancia de
corriente. R4 y R2 fijan el punto de trabajo de Q1, R3 fija el punto de trabajo de Q2 y R1 fija la
impedancia de entrada.
En el 8.77 simplemente se unen sin cambios dos amplificadores. El primero es uno de emisor comn
polarizado con un divisor de tensin y el segundo tambin. Por lo que debe generar una
amplificacin de voltaje considerable.
La ganancia de corriente en el amplificador de 8,76 es muy alta, y est dado por: = 1 * 2
En los circuitos de audio es tpico encontrar acoples directos, los cuales sirven para bajas
frecuencias. Este tipo de acople ofrece varias ventajas, como que disminuye el consumo de potencia,
se pierde menos seal y no se atenan las bajas frecuencias.
El acoplamiento entre etapas puede hacerse mediante RC (resistencia-condensador) o tambin
mediante transformadores. Son mtodos usados en altas frecuencias. Con RC los niveles de
polarizacion de un BJT quedan aislados del otro y el condensador bloquea el nivel de polarizacion de
Q1 en Q2, pero deja pasar la CA.
El acoplamiento mediante transformadores permite que la relacin de sus hilos pueda permitir
controlar la ganancia. A la vez, permite tener una respuesta de frecuencia selectiva y amplificar solo
ciertas seales dentro de una determinada banda. Esto se usa mucho en radiofrecuencias.

Anlisis de un amplificador de dos etapas


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Se muestra un amplificador de dos etapas las cuales estn en emisor comn y polarizados con
divisores de tensiones. La salida de Q1 pasa directamente a Q2 y como sta seal de salida pasa en
paralelo a RC1, R3, R4, entonces se podra crear un circuito equivalente. Bajo este circuito
equivalente, entonces la Zi es:
Zi = R3 || R4 || rb
De lo anterior, no olvidar que la rb vista desde la base es igual a re aumentada veces. A la vez RL
de Q1 es igual a la Zi de Q2, calculada previamente.
La Av se da por la relacin entre la resistencia equivalente de colector y la re. Para calcular la
resistencia equivalente de colector de Q1 (rc1) y esta es la RC en paralelo con RL:
rc1 = RC || RL
La ganancia total del amplificador (AvT) es el producto de la ganancia de ambos amplificadores.
Lo principal es determinar la Zi para cada amplificador la cual sera la RL del amplificador
precedente. De esa forma se puede calcular fcilmente la ganancia para cualquier amplificador.

Amplificadores de Potencia con Transistores


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Por el momento se han estudiado slo amplificadores de voltaje que convierten una seal pequea en
una grande. Pero son ineficientes al convertir potencia.
Estos amplificadores proporcionan una amplia potencia y trabajan con seales grandes. Tambin se
caracterizan por presentar ciertos tipos de distorsin en la onda de salida. Adems como trabajan en

clase B no requieren de ninguna corriente de reposo a diferencia de los de clase A, por lo que no
consumen corriente sin una seal presente.

Caractersticas y especificaciones de los Amplificadores de Potencia


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Los parmetros ms importantes son, ganancia de potencia, rendimiento, impedancia de entrada y de


salida.
La ganancia de potencia (Ap) es solamente la relacin de la potencia de salida (Po) con la potencia
de entrada (Pi):
Ap = Po / Pi
El rendimiento se designa con la letra (eta). Es una medida sobre como el amplificador usa la
potencia de la fuente de alimentacin para producir potencia til a la carga. Se expresa como
porcentaje as:
(%) = (PL / PS) * 100
PL = Potencia aprovechada por la carga.
PS = Potencia entregada por la fuente.
Idealmente el rendimiento de un amplificador debera ser 100%. Pero en la practica esto nunca
sucede pues los mismos componentes del circuito provocan prdida de potencia. Existen los
amplificadores de potencia de clase A que tienen un muy bajo rendimiento (5%-25%) y los de clase
B que tienen ms rendimiento (>75%)
La Zi y Zo son importantes para conseguir la mxima transferencia de potencia de la fuente a la
carga. Para lograr esto, un amplificador de potencia debe tener idealmente la Zi igual a la RS de la
fuente de seal y a la vez una Zo igual a la RL.

Operacin de amplificadores de potencia en clase A


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Un amplificador opera en clase A cuando ofrece un 100% de amplificacin. Esto quiere decir que
circula una IC en los 360 de cada ciclo de seal.
Se muestra un amplificador en emisor comn con un divisor de tensin. Para entender el
funcionamiento con seales grandes deben establecerse dos rectas de carga en el grfico. Una ser
una recta con seal y la otra con CC. La diferencia entre estas dos rectas es la RC donde RC=RC en la
recta de CC y RC=rc en la de seal.
Ambas rectas incluyen el punto Q establecido (se intersecan en l). Donde la interseccin tanto en
VCE e IC de ambas rectas forman el espacio donde puede variar el punto de trabajo. Siendo una seal
senoidal simtrica entonces no se producira distorsin siempre que la seal se mantenga dentro del
espacio de trabajo (excursin de seal), pero si aumenta esta seal entonces se produce distorsin de
recorte.
Se puede aumentar la excursin de seal de salida aumentando ICQ. Con esto se desplaza el punto Q
y lo ideal es que llegue hasta el punto medio de la recta de carga de seal. Con esto la seal puede
oscilar libremente con una valor pico mximo de VCEQ.
En la prctica se consigue obtener el punto Q optimo variando RE. Y el valor de RE apto para
conseguir esto se da por:
RE = (RC + rc) / ((VCC / VE) 1)
Al usar la anterior frmula se obtienen nuevos datos de polarizacin. An as la RE debe aproximarse
a algn valor existente en el comercio. De este modo la potencia disipada sin seal de entrada (PD)
se da por:
PD = VCEQ * ICQ
La anterior potencia es el valor mximo ya que disminuye cuando existe una seal. A la vez, la
potencia entregada por la fuente PS est dada por:
PS = VCC * IS

IS = Corriente total consumida por el circuito


La corriente consumida IS est dada por la suma de IC con la corriente que pasa por las resistencias
de polarizacin de la base.
A la vez para conocer el rendimiento hace falta conocer el valor PL que es la potencia consumida por
la carga y est dada por:
PL = Vo(rms)2 / RL
Ante la evaluacin del amplificador especificado de clase A se comprueba que su ganancia de
potencia es muy baja lo que hace que la mayor parte de la potencia entregada por la fuente de
potencia, se pierda. Por eso los amplificadores de clase A no son efectivos para amplificar potencia
pero s seales de voltaje.

Operacin de amplificadores de potencia en clase B


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La mayor parte de los amplificadores de potencia que usan BJT operan en esta clase. Se dijo antes
que los amplificadores en clase B slo amplifican el 50% de la seal de entrada. Por ende la
amplificacin est presente slo en los semiciclos positivos o negativos de la seal de entrada.
Adems no debe existir ninguna corriente en el circuito si no hay una seal de entrada presente.
Para lo anterior, para que no exista corriente, el punto de trabajo del transistor debe coincidir con su
punto de corte. As, se evita que en transistor disipe corriente en forma permanente cuando no hay
seal.
Idealmente un amplificador en clase B debera entregar un rendimiento del 100% y ninguna
distorsin, pero en la prctica este rendimiento no supera el 78,5%.
A la vez como el amplificador slo amplifica en segn el semiciclo que lo polarice, se produce una
distorsin fuerte. Pero existen formas de generar una baja distorsin y alta eficiencia. Una de las
formas ms comunes es usar circuitos en contrafase (push-pull) o tambin llamados de simetra
complementaria o cuasi-complementaria (ya que usan transistores NPN y PNP)

Circuitos en contrafase o push-pull


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Este tipo de circuitos permite obtener lo mejor de los amplificadores tipo A y B.


Se usan dos transistores o dos grupos de transistores complementarios operando en clase B donde
cada uno maneja un semiciclo.
- Se muestra un circuito de dos transistores, uno NPN y otro PNP. Un transistor maneja los semiciclos
positivos y el otro los negativos. Pero este tipo de circuito provoca una distorsin (distorsin de
cruce o cross-over), ya que en los niveles en que la seal es inferior al voltaje VBE de los
transistores no se genera amplificacin por ende he ah la distorsin.
- La anterior distorsin puede ser reducida e incluso eliminada si se provee de una ligera polarizacin
directa. Esto quiere decir que los amplificadores realmente tiles operan en clase AB. Este modelo
sacrifica un poco de rendimiento con tal de obtener menos distorsin.
- En el circuito se muestra una unin simple de dos transistores complementarios como antes
mencion. De partida, el transistor Q1 no conduce cuando su VB es menor a 0,6V y Q2 no conduce
cuando su VB es mayor a -0,6V por ende slo un transistor est conduciendo cuando hay seal. Por
ultimo, la corriente proviene de la carga
Amplificadores de simetra complementaria con polarizacin por diodos
- Es la forma ms sencilla de polarizar el circuito complementario.
- Utiliza diodos y resistencias para polarizar los transistores. Las resistencias agregan (para el NPN) o
quitan (para el PNP) una tensin de 0,7V a la seal de entrada lo que provoca que siempre
amplifique, ya que las resistencias polarizan los diodos.
- Para que la polarizacin sea eficiente, debe proporcionar corriente de base suficiente para los
transistores de modo que la excursin mxima de la seal de salida no se vea alterada. Adems los

diodos deben elegirse de modo que sus curvas caractersticas se acoplen perfectamente a la unin BE
de los transistores para muchas temperaturas. Pero lo anterior es muy poco probable.
- Por eso este circuito es inestable trmicamente. Incluso puede generarse un fenmeno llamado
avalancha trmica (thermal runaway) donde la T de los transistores aumenta hasta su destruccin.
- Analizando el circuito de este tema compruebo que los diodos generan la diferencia necesaria para
sumar un voltaje y restar un voltaje a la seal de entrada para de esa forma evitar la distorsin. Creo
que no se trata de un asunto de corrientes inversas sino de polarizacin.
- La corriente de emisor de Q2 y Q3 proviene de la masa de la carga.
Amplificadores de simetra complementaria con estabilizacin trmica
- Si bien se dice que por el momento se han estudiado circuitos complementarios con un condensador
de acople, y en el circuito no aparece as, lo tomar como que existe.
- Para conseguir una mayor estabilidad trmica se puede instalar un driver, que no es ms que un
transistor en emisor comn conectado a la entrada del push-pull.
- En el circuito mostrado (8.86) es Q1 quien administra la seal generando con su IC la corriente que
polarizar a los diodos y a las resistencias y por ende a las bases de Q2 y Q3.
- Los dos diodos puestos aaden a la seal de IC una tensin de 2VBE. A la vez, R1 y R2 forman VB
de Q2. El motivo por el cual R2 es variable lo ignoro, pero supongo que debe ser para estabilizar
mejor el circuito.
- La corriente proviene de la carga y segn el semiciclo se dirige a Q2 o Q3. Cuando Q1VC es menor
a 0,6V entonces no se conduce ninguna corriente de la carga a Q3, pero s por Q2. No s si Q1VC
exceder a Q2VB, pero si lo hiciese entonces Q2 no conducira, pero Q3 tampoco. Pero los diodos
como son slo para generar voltajes VBE no se infiere que exista una corriente inversa.
- Al no existir una seal, el circuito an as est polarizado y siempre una corriente de polarizacin
est circulando. Pero si Q1VB no tiene voltaje por l no circular ninguna corriente por ende Q3 no
conducir, pero s Q2. La nica forma de que Q3 conduzca es que tenga un voltaje inferior a -0,6V
en su base.
- Al existir una seal creo que Q1VC siempre ser inferior a Q2VB por ende siempre circular una
corriente hacia VCC. An as no s si esa corriente es capaz de excitar a Q2 lo suficiente como para
que conduzca, pero lo dudo porque de lo contrario habra distorsin en la salida.
- No entiendo an como funciona del todo este circuito pero lo voy descifrando pero para no perder el
tiempo seguir con otros y si no puedo resolver los otros continuar con este a modo de ensayo.
- La cuestin es que para determinar la factibilidad trmica es bueno conoces que: 1) Si la T aumenta
1C entonces VBE disminuye aprox. 2,1mV. 2) Si VBE se incrementa en 60mV entonces IC tendr
un aumento de 10 veces ms.
- DEJAR PARA ANLISIS POSTERIOR ESTE TIPO AMPLIFICADORES

Amplificadores de simetra complementaria con transistores Darlington


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En los circuitos push-pull se usan transistores complementarios para efectuar amplificacin en cada
semiciclo. Pero a veces es necesario dar amplificacin pero usando dos transistores de salida de igual
tipo y para esto son los transistores darlington.
Se muestra una figura 8.88 que es un amplificador push-pull seudo-complementario en la cual los
dos transistores de salida estn dentro de una estructura darlington. Q2 est dentro de una estructura
darlington al ser sus dos transistores NPN y Q5 en una estructura darlington complementaria (o
configuracin Sziklai) al ser NPN y Q4 PNP. El resto de la figura es similar a la de un push-pull
examinado anteriormente.
En la figura 8.89 se muestra una conexin darlington. La ganancia de corriente de la conexin es
igual al producto de la ganancia de corriente de ambos transistores. A la vez posee una impedancia

de entrada muy alta pero tambin su VBE es el doble por lo que tiende a ser un transistor lento. Una
forma de mejorarlo es incluyendo una resistencia base y emisor de Q2 como se ve en 8.89b.
La eleccin de la resistencia se hace de forma que la corriente de fuga de Q1 no produzca en ella una
cada superior al VBE de conduccin de Q2 ni que tampoco esta resistencia absorba una corriente
apreciable de la base de Q2.
Los transistores darlington pueden venir encapsulados como los BJT normales. Estos pueden ser el
2N6286 y el MPSA14.
Existen los transistores superbeta que no son darlington sino que ofrecen una alta ganancia de
corriente debido a como estn manufacturados pero no como estn esquematizados.

Amplificadores de simetra complementaria con bootstraping


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Clculo de disipadores de calor para amplificadores de potencia


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Todos los transistores vienen equipados para ser acoplados a una superficie metlica y luego a un
disipador de calor de forma que la temperatura del BJT se mantenga siempre bajo un valor mximo
expresado por Tj(max) en las hojas de datos.
La cantidad de potencia que puede disipar un transistor est directamente relacionada con la T de su
cpsula. Esta relacin se describe mediante una curva llamada curva caracterstica de desvataje.
Otra forma de conocer la temperatura para una mxima disipacin de potencia es conociendo el
factor de desvataje (D) que viene tambin en las hojas de datos. Se menciona en vatios por grado
Celsius e indica cuanto se reduce la potencia por cada grado de temperatura a partir de los 25 C.
La frmula para evaluar la mxima disipacin de potencia posible acorde a una temperatura est
dada por:
P = Pdmax D * (T 25)

Concepto de resistencia trmica


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Independiente del mtodo para evacuar el calor del transistor hacia el ambiente. El calor encuentra a
su paso una serie de oposiciones las cuales su conjunto pasan a denominar al concepto de resistencia
trmica.
Se denomina con Rth o como (theta) y se expresa en C / W. Es cuantitativa y sirve para expresar el
grado de dificultad para eliminar el calor de un dispositivo. Sirve mucho este concepto para calcular
disipadores de calor.
La cantidad de calor que puede evacuar un transistor depende exclusivamente de la Rth existente
entre la unin semiconductora y el medio ambiente, as como tambin de la diferencia de T entre
ellos (T).
Para una T dada, mientras menor sea la Rth, mayor ser la capacidad de disipacin de potencia.
Esto se puede determinar mediante:
T = Tj Ta = Pd * Rth
Rthj-a = Rthj-c + Rthc-s + Rths-a
Rthj-a = Resistencia total
Tj = Temperatura del semiconductor
Ta = Temperatura ambiente
Pd = Potencia que disipa el dispositivo
Rthj-c = Resistencia trmica entre cristal o dado y la capsula
Rthc-s = R.T. entre la capsula y el disipador
Rths-a = R.T. entre disipador y medio ambiente
Los valores de Tj, Rthj-c y Pd son generalmente proporcionados por los fabricantes.

Para evaluar mejor, se puede representar la Rth en un circuito equivalente y desde este punto de
vista, Pd es la corriente, T es el voltaje aplicado, y las resistencias trmicas las cargas del circuito.
Las cadas de voltaje de las resistencias anteriores son el voltaje de cada carga con respecto al voltaje
de referencia (medio ambiente). Este tipo de simplificacin es muy til ya que para ciertas
condiciones de operacin (Ta, Tj, Pd) se calcula la resistencia trmica total (Rthj-a) y a partir de esto,
la r.t. del disipador (Rths-a). Y con eso ya se puede buscar un disipador adecuado.
Se pueden construir disipadores propios. Por ejemplo en la figura 8.95 se muestra la grafica de un
disipador de 1/8. La disipacin de calor puede variar con respecto al rea del disipador y a la
resistencia trmica.

Circuitos prcticos con Transistores


Amplificadores de Potencia
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Circuito 8.97. T1 acta como driver de la seal amplificando el voltaje de la seal de entrada y
consumiendo muy poca corriente. La salida de T1 se conecta a la base de T2. Si la seal aumenta,
entonces disminuye la corriente por R1 y R2 pero aumenta en R3 eso provoca que C3 libere
corriente hacia la fuente haciendo que aumente levemente la corriente en R1, si disminuye la seal
entonces aumenta la corriente de R1 y R2 pero disminuye la de R3, esto hace que C3 absorba
corriente del circuito aumentando la corriente en R2. Lo anterior provoca que se acente un poco
ms la seal de entrada.
Cuando aumenta VBT1 aumenta VET1, el cual provoca una fuga de corriente desde C2. Tambin se
genera una corriente de C4 la cual genera una seal inversa amplificada la cual alimenta a T2 el cual
es PNP en emisor comn, por ende, necesita de una corriente la cual es aportada por C5 y por su
colector que es alimentado por T3.
Cuando VBT2 aumenta, entonces C5 entrega corriente que se le pasa a VBT2, por ende, si VBT2
aumenta tambin aumentar VET2 y eso provoca que aumente VBT4 pero levemente. D3 y D4
provocan que T5 no conduzca cuando T4 lo est haciendo.
Cuando VET1 aumenta entonces disminuye VCT1 lo que hace que VET4 tambin disminuya lo que
provoca un flujo de corriente desde C2 a travs de R6. La cantidad de corriente que fluye est
determinada por sta resistencia y por R5. An as no veo como el circuito puede no consumir
corriente ya que posee transistores polarizados con corrientes de reposo por ende, siempre habr
fluyendo una corriente. Entend parcialmente este circuito por eso creo que me hace falta ms
practica a la hora de analizarlos.

Leccin IX: Amplificadores Operacionales


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Bsicamente un amplificador operacional (op amp) es un amplificador de voltaje de muy alta


ganancia que usa tcnicas de retroalimentacin para controlar sus caractersticas de desempeo
(ganancia, impedancia de entrada, respuesta de frecuencia, etc.).
Un amplificador posee dos lneas de entrada (+, -), un lnea de salida, y dos lneas de alimentacin
(+V, -V). Y amplifica la diferencia entre los voltajes de entrada, entonces:
Vo = Ao * (V2 V1)
Ao = Ganancia de voltaje
V2 = Voltaje aplicado a + (no inversora)
V1 = Voltaje aplicado a (inversora)
El voltaje de salida ser positivo si se aplica un voltaje positivo a V2, pero negativo si se aplica uno
negativo.
Los amplificadores operacionales son ideales para trabajar con seales anlogas ya que es capaz de
controlar todo tipo de formas de onda (sinusoidales o no) sobre un gran espectro de frecuencias.

Sirven tambin para operaciones matemticas con cantidades representadas por seales. Pueden
sumar, restar, dividir, multiplicar, diferenciar e integrar.

Estructura Interna
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Se ve una figura donde est el esquema de un amplificador operacional. Se ve bastante compleja


pero se aclara parcialmente algunas de sus partes. Por ejemplo el de la figura 8.92 es bsicamente un
amplificador diferencial con un amplificador complementario y una etapa de compensacin por
offset. El amplificador diferencial proporciona una gran impedancia de entrada y el amplificador
complementario una baja impedancia de salida y la etapa por offset permite polarizar el sistema de
forma que Vo sea cero cuando la seal diferenciada sea cero.
Si bien es compleja la estructura no es necesario conocerla para usar este dispositivo. Son
impulsados por un voltaje simtrico y por tierra de forma que pueda hacer excursin en voltajes
positivos y negativos pasando por cero. Pero hay algunos que operan con una fuente sencilla.

Circuito equivalente. Caractersticas generales


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Se definen varios conceptos como Vin (voltaje diferencial), Rin (impedancia de entrada), Ao
(ganancia de voltaje), Ro (impedancia de salida) y Vo=Ao*Vin (voltaje de salida).
Segn se analiza el op amp tiene varias caractersticas importantes: 1) Ganancia de voltaje infinita;
2) Impedancia de entrada infinita; 3) Impedancia de salida es cero; 4) Ancho de banda infinito; 5)
Vo=0 si V2-V1=0.
Aunque lo anterior es segn la teora, an as en la prctica los valores son muy altos llegando la
ganancia de voltaje a ser de aprox. 100dB, la impedancia de entrada 106 a 1012 ohms, la impedancia
de entrada de 100 ohms, el ancho de banda desde 1kHz a 1MHz y si el voltaje diferencial es cero Vo
no es cero, sino un voltaje muy pequeo llamado voltaje de error o de offset.

Presentaciones usuales
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En la figura se muestra la disposicin de pines ms comn entre los amplificadores operacionales


disponibles entre 8 y 14 pines.
Los amplificadores de 8 pines pueden contener de 1 a 2 amplificadores, mientras que los de 14
pueden tener hasta 4 amplificadores. En los amplificadores simples (con un amplificador) pueden
venir con dos pines adicionales que sirven para anular el offset.

Relaciones de fase en un amplificador operacional


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La salida Vo del amplificador operacional est en fase con la seal de entrada no inversora y en
inversin de fase con la entrada inversora.

Operacin en lazo abierto. Comparadores


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Un amplificador puede funcionar en dos formas: lazo abierto o lazo cerrado. En los de lazo abierto
no hay retroalimentacin (conexin externa) entre la salida y la entrada y esto hace que su Ao sea
mxima (ganancia de lazo abierto).
La conexin en lazo abierto se usa generalmente para comparar voltajes. Por ejemplo, debido a que
Ao es sobre 100dB, cualquier diferencia pequea entre las entradas provocar que el voltaje Vo
llegue a su punto de saturacin alcanzando casi el valor del voltaje de alimentacin.
Si V1 es mayor a V2 entonces Vo ser prcticamente igual a +V, contrariamente si V2 es mayor a
V1, entonces Vo ser igual a V.
Vo = +V (V1>V2)
Vo = -V (V2>V1)
Los comparadores se usan mucho en circuitos digitales para convertir seales anlogas
continuamente variables en seales digitales. En este caso, se compara la seal anloga con un
voltaje de referencia, de forma que al ser la seal superior o inferior provocar un voltaje de salida

ad hoc. Incluso se puede poner un voltaje de referencia que sea de 0V, y ah se llamara detector de
cruce por cero.
El comparador con histersis es una variacin del comparador bsico. En la figura 9.6 se muestra un
amplificador de este tipo. Posee retroalimentacin lo que provoca que el amplificador tenga dos
umbrales de disparo segn la seal de salida. Creo que el amplificador provocar una salida de 0V si
se produce una diferenciacin de 4,6V y 5V si hay una diferenciacin de 5V.
La configuracin anterior tambin se llama disparador de Schmitt. Provoca que el valor de salida no
slo depende del valor de entrada sino del valor de salida anterior (historial) si es que aument o
disminuy. La tensin diferencial entre el umbral disparador superior e inferior se llama voltaje de
histeresis (VH).

Operacin en lazo cerrado. Concepto de retroalimentacin


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Aqu el amplificador trabaja retroalimentndose. Esta puede ser positiva o negativa dependiendo si
la muestra retornada est en fase o fuera de fase con la seal de entrada. La retroalimentacin
negativa es ms usada debido a que mejora la linealidad, minimiza la distorsin, mantiene estable la
ganancia, aumenta la impedancia de entrada, disminuye la impedancia de salida, etc. La
retroalimentacin positiva se usa para crear generalmente osciladores.
Un op amp puede ser conectado en lazo cerrado como un amplificador inversor o no inversor. Si est
en inversor, entonces la salida estar desfasada 180 con respecto a la seal de entrada, mientras que
en la no inversora, las dos entradas estn en fase. Todos los montajes prcticos estn basados en estas
dos configuraciones.
Se analizarn los siguientes amplificadores: amplificadores inversores, amplificadores no inversores,
seguidores de voltaje, sumadores o mezcladores, restadores o amplificadores diferenciadores,
integradores y diferenciadores.

Amplificadores inversores. Concepto de Tierra virtual


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Se pueden usar resistencias para hacer variar la ganancia del circuito, pero no as la del amplificador.
Se muestra la figura 9.7 que es un circuito amplificador de CC. Ninguna caracterstica interna del
amplificador puede modificarse, pero s las entradas o salidas de ste. La ganancia del circuito se
puede medir por:
Ao = Vo / Vi = R2 / R1
Se muestra en la figura en la cual a la salida hay una resistencia R2 y a la entrada otra resistencia R1,
las cuales manejan la ganancia del circuito. Ya que la impedancia del amplificador es muy alta, no
absorbe corriente por ende, toda la corriente que circula por R1 lo har por R2. Por ende, la
impedancia de entrada del circuito ser prcticamente el valor de R1 y la impedancia de salida a la
vez es muy baja, por ende pueden controlarse estos parmetros con estas resistencias.
El punto donde se unen R1 y R2 se denomina tierra virtual. Esto ya que la entrada inversora y no
inversora tienen el mismo potencial sin estar conectadas. Las entradas + y del amplificador si se
unen se comportan como un circuito abierto ya que no absorben corriente, pero tambin como un
cortocircuito porque su diferencia de potencial es nula. Este concepto de tierra virtual es basico para
analizar y disear circuitos con amplificadores.
En 9.7b se muestra un circuito para amplificar CA de baja frecuencia. La seal de entrada se aplica a
R1 y C1. La retroalimentacin se hace con R2 y C2. Los condensadores C1 y C2 permiten manejar
las frecuencias para que determinen la ganancia. A la vez con estos condensadores se limita el ancho
de banda.

Amplificadores no inversores

En este tipo de circuitos, la seal de entrada se aplica directamente a la entrada no inversora mientras
que una pequea parte de la seal de salida alimenta a la entrada inversora. En la figura que se
muestra 9.8a la ganancia est determinada por R1 y R2, de esta forma:
Ao = 1 + (R2 / R1)
- Esta configuracin no produce inversin de fase. Este circuito puede convertirse para CA aadiendo
condensadores como en 9.8b.
Seguidores de voltaje
- Es una variacin de los circuitos no inversores. En este caso R2 se sustituye por un cortocircuito y el
amplificador opera con un 100% de realimentacin negativa. El voltaje de salida es el mismo voltaje
de entrada y la ganancia de lazo cerrado es 1.
- Se usan generalmente para acoplar impedancias. La impedancia de entrada del circuito para CC es
muy alta y la impedancia para CA depende de la frecuencia aumentando si hay una frecuencia alta o
disminuyendo si ha una frecuencia baja.

Tcnicas de anulacin de offset


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Como se mencion anteriormente, de forma ideal el amplificador debera entregar un voltaje de


salida de 0V ante una diferencia de 0V en sus entradas, pero no siempre es as. Para un
funcionamiento satisfactorio es necesario eliminar el offset.
- Algunos amplificadores para tareas de precisin ofrecen controles extra para controlar el offset. En
la figura 9.10a se emplea un potencimetro de modo de buscar el punto cuando la salida sea 0V. Si
se saca este anulador de offset, el offset ser de un tamao de 1mV*Ao si ambas entradas se ponen a
tierra.
- Cuando no se posee controles para controlar el offset, es necesario recurrir a medios externos para
anularlo.
- En la figura 9.10b se genera un voltaje de compensacin en la entrada inversora del amplificador.
Este voltaje se obtiene de +-VCC y se regula con el potencimetro R4 y el divisor R3 y la resistencia
equivalente en paralelo de R1 y R2. Este voltaje est dado por:
Vio = +-VCC * (R1 || R2) / R3
- En la figura 9.10c se muestra un amplificador con una tcnica externa para eliminar el offset pero
este es un circuito no inversor. En este caso el voltaje para eliminar el offset est dado por:
Vio = +-VCC * (R1 || R2) / (R3 + (R1 || R2))
- Ahora bien, estas tcnicas necesitan una doble fuente de alimentacin lo que muchas veces no est
disponible.
Alimentacin mediante fuente sencilla
- Se puede crear un circuito amplificador slo con una fuente mediante una polarizacin por divisor de
tensin. Si bien en el circuito este es el mtodo principal, se aaden otros componentes para mejorar
el mismo circuito.

Amplificadores sumadores o mezcladores


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Es un circuito que como salida provoca la suma de varias seales. Siempre se muestra un circuito
para CC y otro para CA. El circuito para CC se define por la siguiente frmula:
Vo = -Rf * ((V1 / R1) + (V2 / R2))
Por la figura, el valor de la ganancia de la amplificacin est determinado por la resistencia de
retroalimentacin Rf.

Amplificadores diferenciales o restadores


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Son circuitos que entregan un voltaje de salida proporcional a la diferencia de los voltajes de entrada
inversora y no inversora.

Se muestra una figura de un amplificador diferenciador para CC en el cual el voltaje de salida del
circuito est dado por:
Vo = (V2 V1) * (Rf / R1)
El circuito para CA es igual al para CC salvo que posee dos condensadores de acople, uno para cada
entrada. Cuando V1>V2 se dice que el amplificador est trabajando en modo diferencial y en modo
comn cuando V2>V1.

Integradores
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Es un circuito que efecta la integracin a la seal de entrada entregando una seal de salida
proporcional a la integral de la entrada. Se expresa mediante:
Vo = - (1 / (R1 * C)) * (Vi * dt)
Se suelen usar los integradores como conversores de formas de onda. Por ejemplo al convertir una
seal de onda cuadrada a una triangular. A la vez son los bloques constructivos de los bloques
pasabajos.

Diferenciadores
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Es un circuito que efecta la derivacin entregando una seal de salida proporcional a la derivada de
la seal de entrada. La relacin entre Vo y Vi est dada por:
Vo = - Rf * Ci * (dVi / dt)
Tambin son muy usados en conversores de formas de onda, por ejemplo para convertir una seal
triangular en una seal cuadrada. Son los bloques constructivos de los bloques pasaaltos.

Parmetros de los amplificadores operacionales reales


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El comportamiento de un amplificador operacional debera ser ideal, pero esto no es as.


Los fabricantes aaden otros datos extra para evaluar los amplificadores que pueden ser utiles:
Corriente de polarizacin de entrada, Frecuencia de transicin, Relacin de rechazo de modo
comn, Voltaje de offset de entrada, Rapidez de respuesta.
La corriente de polarizacin de entrada (IB) es la corriente promedio que ingresa o sale de los
terminales de entrada. Idealmente debera ser cero pero prcticamente puede flucuar entre unos
pocos pA y A.
La frecuencia de transicin (fr) es la frecuencia a la cual la ganancia de lazo abierto es 1. A modo de
compensacin la ganancia de los amplificadores empieza a disminuir a medida que aumenta la
frecuencia, por ende siempre habr ms ganancia en bajas frecuencias.
La relacin de rechazo de modo comn (CMRR, Common-Mode Rejection Ratio) mide la habilidad
del amplificador para rechazar seales de modo comn. Es la relacin de la ganancia en modo
diferencial y modo comn operando con bajas frecuencias. Este valor idealmente debera ser infinito
pero en la practica es de aprox. 90dB. Si la CMRR es mayor, entonces el amplificador es capaz de
eliminar ms ruido de modo comn.
El voltaje de offset de entrada (VIO) es el voltaje que se aplica a los terminales de entrada para
obtener un voltaje de salida de 0V. Idealmente debera ser 0V pero en la practica tiene un valor de
unos cuantos mV. Es necesario eliminar el offset porque luego ese voltaje de error se amplifica y
puede hacer operar al amplificador de modo saturado y no obtener lo que corresponde.
La rapidez de respuesta (SR, Slew Rate) se refiere a la mxima tasa de cambio de Vo con una seal
grande. Se especifica en voltios por microsegundo. Flucta tipicamente entre 1V/s y 10V/s.

Leccin X: Introduccin a los circuitos digitales

Por el momento slo se han estudiado circuitos anlogos, es decir, circuitos cuyas seales varan en
un rango de valores. Pero existen las seales que varan en un rango finito de valores que son las
seales lgicas.
La electrnica digital es ms fcil conceptualmente que la anloga pues basa su trabajo en valores
binarios. Estos valores son 1 (uno) o alto, y 0 (cero) o bajo. La combinacin de estos ordenados bajo
el algebra booleana permiten la representacin de casi cualquier tipo de informacin.

Conceptos bsicos de lgica digital y algebra booleana


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Se explica el funcionamiento de la lgica boleana por medio de las operaciones bsicas.


Los circuitos electrnicos especializados en hacer operar esta lgica se llaman compuertas. En otras
palabras son los bloques bsicos para construir circuitos digitales.
Dependiendo del numero de compuertas que tenga un circuito, de mayor a menor, quiere decir que
posee mayor a menor escala de integracin.

El transistor como interruptor


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Los circuitos digitales estn basados en el uso de transistores BJT o FET operando como
interruptores, es decir entre el corte y la saturacin.
Se muestra el uso de un MOSFET para crear un interruptor donde si la compuerta recibe un voltaje
de 10V se transfiere la carga en saturacin, y si se corta el voltaje a 0V entonces no hay corriente que
fluya.
Los MOSFET permiten conmutar seales anlogas de forma que como lo anterior si se aplica un
voltaje alto a VG entonces circular una corriente y si hay un voltaje bajo en VG no circular nada.

Operaciones lgicas con transistores y diodos


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Los transistores y diodos pueden ser usados para efectuar operaciones lgicas bsicas y derivadas.
No son difciles de comprender estos circuitos, an as el circuito de AND no funciona como
debera.

Familias lgicas de circuitos digitales integrados


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Los circuitos integrados modernos pueden ser bipolares o MOS y eso depende del tipo de
transistores que use. Dentro de cada uno de estos dos tipos existen distintas familias lgicas.
Una familia lgica es un conjunto de circuitos integrados que comparten una tecnologa comn de
fabricacin y son elctricamente compatibles entre s.
Dentro de los bipolares, la familia ms conocida es la de los TTL (Transistor-Transistor Logic)
siendo la DTL y RTL prcticamente obsoletas. La familia ECL (Emitter-Coupled Logic) se usa para
tareas de alta frecuencia y la I2L (Integrated Injection Logic) se usa para alta integracin (relojes,
sintetizadores, combinacin con circuitos anlogos) y altas frecuencias.
En los MOS, la familia ms conocida es la de CMOS o MOS complementario (Complementary
MOS), usa PMOS (MOS de canal P) y NMOS (MOS de canal N). Se usa esta familia para alta
integracin.
En los circuitos lgicos los estados altos y bajos corresponden a voltajes dentro de ciertos rangos.
Donde el valor alto corresponde a un rango y el bajo a otro rango, el resto de los voltajes se
consideran invlidos. Es peligroso asignar voltajes ms altos pues se puede arruinar el circuito.
La mayora de los TTL se identifica con la sintaxis AA74xxyy donde AA es el cdigo que identifica al
fabricante, xx es el cdigo que identifica a la subfamilia e yy una numero de dos o tres dgitos que
identifica la funcin del dispositivo.
En cambio los MOS se identifican con las formas AA4xxxB, AA74Cxx, AA74HCxx, AA74HCTxx.
Los TTL y los CMOS comprenden varias subfamilias que se relacionan por la velocidad de
operacin y consumo de potencia. Los TTL se caracterizan por su alta velocidad de operacin y los
CMOS por su bajo consumo de potencia.

Todas las familias TTL trabajan con +5V e interpretan los altos y bajos de la misma forma. Por otra
parte la familia CMOS estndar opera desde +3V hasta +18V.

Compuerta lgicas y flip-flops


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Aparte de las compuertas existen los flip-flops que juntos son los bloques constructivos de todos los
circuitos digitales. Las compuertas realizan operaciones lgicas simples y los flip-flops permiten
almacenar bits. Las compuertas se pueden usar en circuitos integrados.
Los principales tipos de flip-flops son los D (data), T (toggle) y el J-K. Se diferencian entre s por la
forma en como almacenan un bit de informacin.
En los FF tipo D, la salida Q depende del dato D que se ingrese. La transferencia del dato lo controla
una seal de pulsos a la entrada CLK. Se dice que es un FF sincrnico.
Los circuitos integrados que no poseen FF en su interior se llaman circuitos de lgica combinatoria
o combinatorios ya que la salida depende de la combinacin de sus entradas.
Muchas funciones combinatorias de uso comn estn disponibles en circuitos de mediana escala
(MSI), por ejemplo: codificadores, decodificadores, multiplexores, sumadores, unidades aritmticolgicas (ALU), etc.

Circuitos de pulsos
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La mayor parte de los circuitos digitales usan seales que cambian de estado con el tiempo. Estas
seales se llaman pulsos.
Un flanco es una transicin de un nivel lgico a otro. Un pulso monoestable es un pulso que cambia
de estado y luego vuelve al original despus de un tiempo. Los pulsos astables son los pulsos donde
el cambio de estado lgico se produce en forma continua y peridica. Los pulsos biestables son
seales que no siguen un patrn regular.
Los pulsos monoestables y astables son producidos por circuitos llamados multivibradores o timers,
siendo el ms popular el circuito integrado 555.
Los pulsos biestables se producen generlmente con FF. Estos circuitos pasan a llamarse circuitos
secuenciales porque el estado de la salida no depende slo de las entradas sino del orden de tiempo
en que ocurren estas secuencias.
Existen muchas funciones secuenciales comunes estn implementadas en circuitos integrados de alta
y mediana escala, ejemplo: contadores de registro, registros de desplazamiento, codificadores de
teclados, memorias, micocontroladores, etc.
FIN

Seccin Componentes
Leccin VI (Las Resistencias)
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Se usan para controlar el paso de corriente en los circuitos.


Son elementos con una resistencia definida tiles para los circuitos.
Pueden ser fijas o variables (estas pueden modificarse por algn medio).

Resistencias Fijas

Tienen un solo valor de resistencia.


Se clasifican por: Material, Forma de conexin.
El tipo de material por el cual estn hechas depende del uso. Las de Potencia estn hechas con
aleaciones metlicas, en cambio las de uso comn estn hechas de carbn.
A la vez la forma de conexin, pueden existir las resistencias insertadas en el circuito como las
soldadas sobre la pista del circuito, las cuales son muy pequeas para soldarse de otra forma.
La potencia es el trabajo realizado por la corriente para circular por la resistencia. Se manifiesta en
forma de calor y se expresa en watt. En las resistencias de metal la cantidad mxima viene
especificada en el cuerpo, en cambio en las resistencias de carbn depende del tamao (a mayor
tamao, mayor calor puede disipar).
En el caso de las resistencias de carbn, vienen para disipar 1/8W, 1/4W, 1/2W y 1W.

Resistencias Variables (potencimetros)


- 311

Leccin VII (Los Condensadores) 315


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Despus de las resistencias son los componentes ms usados en los circuitos electrnicos.
Tienen la capacidad de almacenar energa elctrica de forma temporal.
Tambin se les conoce como capacitores.
Estn hechos por dos placas de metal conductoras separadas por una placa de material aislante
llamado dielctrico (papel, cermica, aire, etc.)
Cada Terminal del condensador est conectado a una de las placas.
Un condensador tiene la habilidad de almacenar energa elctrica y algunos pueden almacenar ms o
menos. Esta facultad se le llama capacidad del condensador y se denota con la letra C. Esta
capacidad depende principalmente del tamao de las placas y la separacin entre ellas.
La capacidad se mide en Faradios (F) pero esta unidad es demasiado grande por lo que generalmente
los condensadores vienen especificados con submltiplos.

Clasificacin
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Existen los fijos y los variables. Esto depende si su capacidad es fija o puede modificarse por algn
medio.
Adems pueden clasificarse como polarizados y no polarizados. Si estn polarizados deben
conectarse en una posicin especfica en el circuito, pero si no estn polarizados esto no se toma en
cuenta.
Cuando se conecta incorrectamente un condensador polarizado ste puede daarse o incluso
explotar.

Condensadores Fijos
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Poseen un solo valor de capacidad y no se puede modificar.


Pueden clasificarse en varias categoras dependiendo del material del que est hecho el dielctrico.
Conocer sus propiedades es muy importantes para un correcto uso.

Condensadores No Polarizados
Condensadores Cermicos
- Estan hechos de un material cermico el cual se comporta como soporte y como dielctrico a la vez.
- Son ideales para circuitos que manejen altar frecuencias.
- Se fabrican con capacidades entre 0,5pF y 100nF.

Condensadores de pelcula plstica


- Pueden ser de muchos materiales plsticos.
- Son usados en circuitos que manejan frecuencias medias y bajas o como condensadores de paso.
- A veces se usan para altas frecuencias pero suelen tener perdidas para frecuencias mayores a 1Mhz.
- Se fabrican con capacidades relativamente alta y voltajes de operacin de hasta 1000V.
Condensadores de Papel
- Su dielctrico de papel parafinado y su capacidad est entre 100pF y 1mF.
Condensadores de Mica
- Su dielctrico es de mica.
- Son usados en circuitos que necesitan buena estabilidad y altos voltajes de operacin.
- Se fabrican con capacidades entre los 1pF y 100nF.

Condensadores Polarizados (Electrolticos)


- Se fabrican con capacidades mucho mayores que los anteriores.
- Pueden ser de dos tipos: de Aluminio, de Tantalio.
Condensadores electrolticos de Aluminio
- Estn formados por una lamina de aluminio que est conectada al Terminal positivo, esta lmina est
oxidada al otro lado lo cual se comporta como dielctrico, adems posee un papel remojado en un
liquido (electrolito) y luego viene la otra capa de aluminio conectada al Terminal negativo. Est
sellada hermticamente.
- Se usan en circuitos de filtro, para desacople en bajas frecuencias y como condensadores de paso. No
trabajan bien con altas frecuencias y se hacen con una capacitancia superior a 1mF.
- En su cuerpo viene especificada: capacidad, tolerancia, temperatura, voltaje mximo de operacin y
el signo de polaridad.
- Existen los condensadores electrolticos no polarizados, pero estos son una unin de dos
condensadores electrolticos polarizados con dos diodos zener para anular corrientes inversas.
Condensadores electrolticos de Tantalio
- Son similares a los de aluminio, salvo que en vez de aluminio llevan Tantalio.
- Son de pequeo tamao y sirven para trabajar con circuitos de baja frecuencia.
- Son polarizados.
Condensadores Variables
- Permiten cambiar la capacidad del condensador entre un mnimo y un mximo especificado por el
fabricante.
- Su valor puede depender de algn valor asignado mecnicamente por el diseador del circuito o
puede variar su capacitancia conforme al circuito. Aqu hay dos tipos: condensadores variables y
ajustables.
- En los condensadores variables la mitad de sus lminas son fijas y las otras variables. A medida que
se gira el eje, se van distanciando las placas provocando un mximo y mnimo de capacitancia.
Generalmente esta capacitancia puede variar desde los 5pF y los 500pF.
- Los condensadores ajustables pueden ser de varios materiales. Tambin se basa en la distancia de las
superficies. Se usan para compensar o ajustar diferencias pequeas en la calibracin de los sistemas.
Una vez que se ajustan se fijan y no se pueden volver a cambiar. Se les conoce tambin como
trimmers y tienen una capacidad de muy pocos pF.
- Actualmente existen los varactores (varicaps). Son variables, pero su variabilidad no depende de
medios mecnicos sino del modo de polarizacin que se le aplique. Su capacidad est entre los 0,4pF
(microondas) y los 2000pF (para alta frecuencia).

Cuestiones importantes de los condensadores

Existen caractersticas principales ala hora de elegir un condensador: Capacidad, Tolerancia, Voltaje
de operacin, Coeficiente de Temperatura, El tipo de uso.
La Capacidad es la facultad de acumular carga elctrica cuando se le aplica cierto voltaje. Esta
capacidad depende del tamao, y la distancia entre las placas y del material del dielctrico. Se mide
en Faradios.
La Tolerancia indica el mximo y mnimo que puede tener la capacidad.
El Voltaje de operacin es el mximo voltaje al que puede operar el condensador sin destruirse.
El Coeficiente de Temperatura indica la variacin de la capacidad respecto al cambio de
temperatura. Se expresa como ppm/C (partes por milln por grado centgrado). Dependiendo si
aumenta con la T el condensador ser positivo (P), negativo (N) si disminuye o cero si no cambia.
Al reemplazar un condensador siempre se debe elegir uno con el mismo Coeficiente.
El Uso tiene importancia porque no todos los condensadores hacen lo mismo ante distintas seales
de entrada. Esto depende generalmente del dielctrico.

Formas de identificacin
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Nuevamente para identificarlo existen estndares. Uno de los importantes es el de Japn (JIS).
Este aparece claro en la figura 7.15

Funcionamiento en Corriente Continua


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Un condensador se comporta de manera distinta en CC y en CA.


Al haber una conexin de CC al condensador, no se producir ninguna corriente por el aislante, pero
se produce un fenmeno de carga de elctrica entre las placas.
Este fenmeno se debe a que el polo negativo de la batera repele a los electrones libres del
conductor, y estos se van hacia la placa B (la conectada a este polo). Por el contrario, el polo positivo
de la batera atrae a los electrones libres de la placa A (la conectada a este polo). Por ende, en la
placa B se produce una acumulacin de electrones y en la A una disminucin. En las caras del
dielctrico conectadas a las placas sucede lo mismo.
Al parecer, en este lapso ocurre una corriente ya que se desplazan electrones, pero la corriente deja
de fluir cuando ya la batera no es capaz de empujar ms electrones (por el polo negativo) ni de
atraer ms (por el positivo). En este instante se corta la corriente y el condensador queda cargado de
una diferencia de potencial igual al de la batera.
Si se suspende la CC, el condensador sigue cargado pues los electrones acumulados en B se atraen
con los huecos de A.
Para descargar el condensador slo es necesaria una trayectoria para las placas. Por ejemplo, si se
colocan en cortocircuito (si se unen ambos terminales directamente), se produce una corriente muy
fuerte pero corta, lo que produce una chispa y descarga al condensador.
Se puede aprovechar poniendo una resistencia de carga (RL) al condensador. El proceso de descarga
es tan rpido como el de carga.

Funcionamiento en Corriente Alterna


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Cuando se pone en corriente alterna, al condensador se le somete a corriente continua por medio
ciclo, y en el otro medio ciclo a la misma corriente pero en sentido inverso.
Por ende, durante medio ciclo fluir la corriente para cargar al condensador y durante el otro medio
ciclo para descargarlo y cargarlo con la polaridad contraria.
El dielctrico debe ser capaz de soportar estos cambios tan rpidos de polaridad o de lo contrario
disminuir la frecuencia de la corriente. Es por esto que se deben usar dielctricos especiales para las
altas frecuencias.

Leccin XIX (Los Semiconductores)


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Fuera de que existen materiales que siempre conducen y otros que nunca. Existe una tercera clase
que conduce slo ante algunas condiciones, son los semiconductores.
Entre los elementos semiconductores est el silicio y el germanio que ambos poseen 4 electrones de
valencia. Ambos forman enlaces covalentes para compartir electrones con sus tomos vecinos
formando patrones tridimensionales o cristales.
Los cristales semiconductores puros adquieren distinto comportamiento segn la temperatura
comportndose como aislante en el cero absoluto y siendo conductor en una temperatura ms
elevada (los electrones al agitarse rompen sus enlaces covalentes permitiendo que los electrones de
valencia se conviertan en libres).
Cuando un electrn de valencia sale, queda un hueco que es llenado por un electrn de algn tomo
vecino.
Existen dos tipos de semiconductores: intrnsecos y extrnsecos. Los intrnsecos generalmente son
cristales semiconductores puros, pero se utilizan poco debido a que es difcil hacerlos conducir. Los
extrnsecos son los elementos participes de la creacin de diodos.
Los diodos se dice que estn dopados. Esto significa que poseen impurezas en su constitucin
(impurezas controladas) que determinan su comportamiento elctrico. Estas impurezas se llaman
dopantes.
Los dopantes son elementos que se inyectan al elemento semiconductor de forma que en el
semiconductor queden electrones sin enlazar (sobren o falten). Para esto se inyectan tomos con
valencias de 3 o 5 (trivalentes o pentavalentes).
Los semiconductores con dopantes pentavalentes se denominan de Tipo N. De estos, slo 4 de los
electrones quedan enlazados sobrando un electrn al dopante (y el cristal puro us sus 4 electrones)
en libertad de moverse en el cristal siendo el portador de corriente.
Los principales materiales dopantes pentavalentes son el antimonio, el fsforo y el arsnico. Los
trivalentes son el aluminio, boro, indio y galio.
Los semiconductores con dopante trivalente se llaman de Tipo P. En estos dopantes, sus 3 electrones
forman enlace con los tomos del cristal puro faltndole al cristal puro un electrn por aparear. Este
hueco necesita atraer a un electrn convirtindose en aceptor y se comporta como una carga
positiva.
Existen las cargas llamadas portadores mayoritarios (donde sobra). Y las portadores minoritarios
(donde falta). En los SC tipo N, los portadores mayoritarios son los electrones y los minoritarios son
los huecos. En los SC tipo P, los portadores mayoritarios son los huecos y los minoritarios son los
electrones.
Al parecer ni N ni P tienen carga, pues los protones de los cristales ms los de los dopantes son
iguales al numero de electrones de ambos al unirse y formar los tipos. An as N pierde electrones en
su dopante pero al formar estos electrones se equilibran con los protones del cristal y el dopante
sumados.
Al parecer el dopante en el tipo N al unirse al cristal libera el electrn sobrante quedando libre. Pero
no lo libera sino que el ncleo lo atrae dbilmente, pero de todas formas sirve para corrientes
elctricas.
Cuando se aplica un voltaje a un SC tipo N o P, se produce una corriente fuerte debido a los
portadores mayoritarios (electrones en N y huecos en P) y una corriente pequea debido a los

minoritarios (huecos en N y electrones en P). La corriente que se produce en los portadores


minoritarios es la corriente de fuga y depende de la T.
Para que los sc tipo N y P sean tiles se unen en varias capas formando uniones de varios tipos con
los cuales se hacen los componentes semiconductores.

Diodos
-

Son la base de los transistores y por ende de la electrnica moderna. A la vez son el componente
semiconductor bsico.
Actan a base de elementos semiconductores, en la actualidad, de silicio.
Existen varios tipos de diodos, siendo los ms comunes los rectificadores, de zenner y leds.
Toda la gama de diodos se basan en el diodo rectificador.
Un diodo es una puerta con una sola va, dejando pasar electrones de un lado a otro (A -> B), pero no
al revs.
Un transistor est formado por dos diodos y un circuito integrado puede estar formado por millones
de transistores.
Un diodo es bsicamente la unin de un material tipo N y P (juntura PN). El material tipo P se llama
nodo (A) y el tipo N se llama ctodo (K).
Sin carga, en el lado N hay un exceso de electrones y en el P hay un exceso de huecos. Al unir estos
dos tipos de materiales los huecos de P tienden a atraer a los electrones de N (por proceso de
difusin).
En la juntura PN el intercambio contina hasta que en ellos se forma una barrera elctrica (zona de
agotamiento o depletion zone) que impide el paso de portadores mayoritarios de un lado a otro. Se
forma muy rpido esta barrera.
[WIKI] Un cristal N y otro cristal P en s no tienen carga elctrica ya que posee cada uno la misma
cantidad de electrones y de protones. Al unir ambos materiales ocurre una difusin de electrones de
N a P.
[WIKI] Al ocurrir la difusin, entonces a N (antes sin carga) ahora le faltan electrones (quedando
cargado positivamente) y a P ahora le sobran electrones (quedando cargado negativamente). As se
genera una tensin entre ambos materiales. Esta tensin ocurre en la zona de agotamiento.
Al parecer los electrones de N no alcanzan a llenar los huecos de P (porque o le sobran o le faltan), y
la barrera se forma cuando se llega al mximo equilibrio posible. A
El hecho de que un material tenga huecos significa que le faltan electrones (aunque la realidad dice
que a su cristal le sobra uno, pero al dopante le falta) y cuando posee electrones significa que al
dopante le sobra un electrn.
Distintos materiales producen distintas tensiones en la zona de agotamiento (Silicio = 0,6V;
Germanio = 0,3V).
La zona de agotamiento puede controlarse aplicando un voltaje externo haciendo til a esta unin. Se
puede polarizar esta zona (se aplica CC).
Hay dos formar de polarizar. Si se aplica un voltaje positivo al nodo (+) hay una polarizacin
directa, si se aplica al ctodo (-) se hace una polarizacin inversa.

Polarizacin inversa
- Al aplicar un voltaje negativo al nodo entonces la barrera aumenta, ya que el polo positivo de la
fuente atrae a los electrones de N y el negativo a los huecos de P. No debo olvidar que N es el que
tiene electrones libres y P no. As polo negativo y polo positivo tiran por su lado aumentando la
barrera.

Es en esta instancia donde algunos electrones de N logran irse con el polo negativo provocndose
una pequea corriente de fuga.
- Cuando la corriente aplicada por la fuente es muy grande, destruye al diodo.
Polarizacin directa
- Es cuando se aplica un voltaje positivo a P y un voltaje negativo a N, provocando intercambio de
electrones. El polo positivo de la fuente repele los huecos de P y el negativo repele los electrones de
N. Aqu el material es conductor.
- Al haber una tensin mayor que la de la barrera los electrones de N pasan a P fcilmente ocurriendo
entonces la circulacin de la corriente.
- [WIKI] Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la barrera, cae en
uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido
esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta
llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.
Continuacin Diodos
- Idealmente un diodo rectificador no debera dejar pasar nada de corriente cuando est polarizado
inversamente y no debera oponer nada de resistencia cuando est polarizado directamente. Pero la
realidad dice otra cosa, pues cuando est polarizado inversamente siempre hay una corriente de fuga,
a la vez siempre hay una leve resistencia.
- Un diodo polarizado inversamente tiene corriente de fuga cuando el voltaje aplicado alcanza un
cierto valor (Voltaje de Ruptura Inverso).
Tipos de Diodos
- Existen varios tipos de diodos que pueden clasificarse segn sus caractersticas elctricas y a sus
caractersticas constructivas.
- Existen las siguientes caractersticas elctricas: Corriente Mxima (IF), Voltaje de Conduccin
Directa (VF), Voltaje de Ruptura o Avalancha (VBR), Corriente Inversa de Fuga (IR), Tiempo de
Recuperacin Inverso (TRR).
- La Corriente Mxima, es el valor mximo promedio que puede soportar el diodo antes de destruirse.
- El Voltaje de Conduccin Directa es la cada de voltaje del diodo cuando es polarizado directamente.
- El Voltaje de Ruptura inverso es la mxima tensin que puede soportar el diodo polarizado
inversamente antes de destruirse. En este instante la corriente de fuga aumenta mucho.
- La Corriente Inversa de Fuga, es la corriente que circula cuando el diodo est polarizado
inversamente. Es muy pequea.
- El Tiempo de Recuperacin Inverso, es el tiempo que demora la unin PN en desalojar la carga
elctrica que acumula cuando est polarizada inversamente.
Identificacin de los Diodos
- Los diodos poseen una nomenclatura. Hay tres sistemas: americano, europeo y japons.
- En el sistema americano se usa la forma 1N4001 . El prefijo 1N (N significa que es un
semiconductor; 1 = Nmero de uniones PN), el nmero que sigue las caractersticas del dispositivo.
- En el sistema europeo se usa la forma BY254. Donde B indica el material, Y el tipo. Aunque esto no
siempre es as porque los fabricantes no respetan este estndar.
- En el sistema japons se usa 1S922, Siendo el 1 un digito esttico de identificacin de diodos, la S al
igual, y el 922 es un nmero que identifica al dispositivo en s.
Diodos Rectificadores
- Familia a la que pertenecen todos los diodos destinados a convertir CA en CC.
- Se clasifican en diodos de seal y diodos de potencia segn el voltaje y corriente que manejen. Los
de seal manejan menos de 1A y los de potencia los que trabajan con ms de 1A.

Vienen encapsulados y este encapsulado depende de la potencia que deban disipar. En los de baja
potencia se usa plstico (hasta 5W) y en los de potencia superior, se usa metal. Cuando la potencia es
muy alta, es necesario conectarles un disipador de calor.
- Se especifican por la corriente mxima que pueden conducir en polarizacin directa y por el voltaje
mximo que pueden soportar en polarizacin inversa.
- Existen otros tipos de diodos rectificadores como los de switcheo (switching diode) que trabajan a
frecuencias mayores. Ej: 1N914, 1N4148, etc.
- Los puentes rectificadores son para transformar CA a CC en la onda completa, es un pack de 4
diodos rectificadores.
Diodos de Zener
- Estn diseados para trabajar en la zona de ruptura, comportndose como rectificadores en
polarizacin directa y como referencias de voltaje en polarizacin inversa. Se usan como reguladores
de voltaje.
- Poseen una curva caracterstica que muestra su comportamiento. Y esta muestra que en un diodo
Zener la corriente inversa (IR) es insignificante hasta que el voltaje inverso (VR) alcanza un cierto
valor (VZ o Voltaje de Zener). Cuando se llega a este punto, el diodo empieza a conducir (una
corriente importante).
- Cuando se llega a VZ la tensin de sus terminales se mantiene constante para un intervalo amplio de
IR (aparece en la grfica).
- Se especifican por ejemplo como 1N3828 o BZX85, y se especifica su voltaje nominal (VZ) y la
potencia mxima que soportan (PZ).
Diodos Led
- (los estudiar despus)

Leccin X (El Transistor)


-

Tuvo como predecesor al triodo (tubo de tres electrodos). Con este se pudo tener control total de la
circulacin de electrones y se empezaron a fabricar los primeros circuitos con amplificadores.
Transistor es un acrnimo de Transfer Resistor (resistencia de transferencia).
En forma genrica es un componente de tres terminales cuya resistencia entre dos de estos (colector
y emisor), depende si a su tercer terminal (base) se le aplica una leve corriente o no.
Segn lo anterior los transistores se usan como amplificadores, interruptores electrnicos, fuentes de
corriente controladas, osciladores, mezcladores, etc.
Existen dos grandes grupos de transistores: Transistores Bipolares (bipolar transistors) y
Transistores de Efecto de Campo (FET; Field Effect Transistor).
Los FET se dividen en FET de unin (JFET) y FET de compuerta aislada (MOSFET). Tambin
existen los Transistores Bipolares de Compuerta Aislada o IGBT.

Transistores Bipolares
-

Estn hechos por una capa P emparedada por dos capas N (Transistor NPN). Tambin por una N
emparedada por dos P (Transistor PNP). La capa del centro es la base (B) y las de los extremos
emisor (E) y colector (C) respectivamente.
La base es muy estrecha y poco dopada en relacin al emisor y colector. A la vez, el emisor est
altamente dopado y posee muchos portadores mayoritarios. Y a la vez, el colector posee muchos
portadores minoritarios y pocos mayoritarios en comparacin al emisor (y el emisor a la inversa).
En el transistor NPN los huecos de la base no alcanzan para todos los electrones del emisor, por lo
que stos se dirigen hacia el colector (atravesando la base).

Polarizacin y Funcionamiento
- Conforme a como se alternan las capas N y P existen dos tipo de uniones PN. Una entre emisor y
base (EB) y otra entre base y colector (CB).
- Las uniones anteriores deben polarizarse (se les suministra CC en sus terminales).
- En los transistores NPN al polarizarlo, se genera una polarizacin directa e indirecta. Cuando se
polariza directamente a EB entonces CB es polarizado indirectamente y a la inversa.
- En un transistor NPN para polarizar, la base debe ser negativa con respecto al emisor y positiva con
respecto al colector. A la vez, en los PNP debe ser a la inversa.
- Cuando se polariza un transistor se producen tres corrientes: la de la base (IB), la de emisor (IE), y la
de colector (IC).
- Ya que EB est polarizada directamente los portadores mayoritarios de ambas partes se mezclan,
pero el emisor al poseer ms electrones que la base huecos, estos van hacia el colector por la tensin
aplicada al colector (la cual es fuerte).
- An as se obtiene una corriente en la base la cual es muy pequea. Del 1% al 5% de los electrones
del emisor se mezclan con los huecos de la base, el resto van hacia el colector.
- Luego los electrones atraviesan la unin BC pasando a travs del colector dirigindose hacia el
electrodo positivo de la batera. Esto genera una IC muy intensa.
- La corriente de base y de colector estn relacionadas con la corriente de emisor por la siguiente
formula:
I C = * IB
= Ganancia de Corriente o Beta o hFE
- Con un transistor la corriente se ampla, siendo este el fenmeno fundamental el cual permiti
integrar al transistor a la electrnica moderna.
- Con una corriente de base dbil se puede controlar una corriente alta y si la corriente de la base
vara, la corriente del colector tambin. Por esto es que los transistores se usan como interruptores o
amplificadores.
- La capacidad de amplificador de un transistor se obtiene observando la capacidad de base y de
colector del transistor. La relacin de ambas cantidades es la Ganancia de Corriente y est dada por:
= hFE = IC / IB
Caractersticas elctricas y fsicas
- Aparte de las caractersticas elctricas dadas por el tipo de ensamblado NPN o PNP y de los
materiales, los transistores pueden disearse con otras caractersticas segn el uso que se les quiera
dar.
- Las caractersticas principales son: Voltaje Colector-Emisor (VCEO), Voltaje Colector-Base (VCBO),
Corriente del Colector (IC), Potencia Disipada (PD), Ganancia de Corriente (hFE), Frecuencia de
Trabajo o de Corte (fr) y Encapsulado.
- El VCEO es el mximo voltaje que se puede aplicar a entre el colector y el emisor con la base abierta
(desconectada) antes de que el transistor se destruya.
- El VCBO es el mximo voltaje que se puede aplicar entre la base abierta y el colector.
- La IC es la mxima corriente que puede circular por el colector.
- La PD es la mxima potencia en watts que puede manejar el transistor.
- La hFE es la cantidad de veces que se amplifica la corriente de base. Se llama tambin Beta.
- La fr es la mxima frecuencia de la seal con la cual puede trabajar el transistor como amplificador.
- El Encapsulado es el tamao, forma y material del elemento que envuelve al transistor.
- Todo lo anterior son los valores mximos de un transistor los cuales es recomendable trabajar con
ellos con valores mximos esperados de un 50% al 75% de la capacidad del transistor.

A la vez los transistores pueden agruparse segn stas caractersticas por ejemplo en PD que pueden
agruparse en de baja seal, media seal, etc.
- La forma de los encapsulados est normada por la JEDEC.
Identificacin
- Al igual que los diodos y otros semiconductores existe una norma americana, europea y japonesa.
- En la norma europea los transistores van con el numero 2 seguido de la letra N y luego un numero de
serie de 0 a 9999. En algunos casos se indica con una letra la ganancia: A, baja ganancia; B, media
ganancia; C, alta ganancia. Ej.: 2N2222A.
- En el sistema japons (regulado por JIS) se identifican con el numero 2 y luego la letra S, luego otra
letra (A a D) para el tipo y frecuencia, y luego un numero de serie de 0 a 9999. Algunos fabricantes
omiten el 2S. Ej.: 2SA1187, C733.
- El europeo usa la letra A o B si es de germanio o silicio, luego otra letra (C,D,F,L,U) para la potencia
y frecuencia, luego otra (W,X,Y,Z) segn el uso y un nmero de serie de 100 a 9999. Ej.: BC108,
BFY51.

Transistores de Efecto de Campo (FET)


-

Se parecen a los transistores bipolares pero poseen algunas utilidades para otro tipo de circuitos.
Se dividen en JFET (Junction FET) y MOSFET (o MOS, Metal Oxide Semiconductor FET).
Los FET poseen tres terminales: Fuente (S), Drenador (D) y Compuerta (G).
Los encapsulados son iguales a los T. Bipolares slo que se diferencian entre s por su rotulado.

Transistores tipo JFET


-

Se fabrican con un material semiconductor de base N o P llamado Sustrato. Dentro de esto existe un
material en forma de U de polaridad opuesta llamado Canal (est ligeramente dopado).
- El Sustrato acta como Compuerta, uno de los extremos del canal como Fuente y el otro como
Drenador.
- Entre la compuerta y el canal se forma una unin PN. Segn el material del canal hay JFETs de
canal N y P.
- En los JFET de canal N los portadores mayoritarios que circulan por el canal son electrones, en los
de tipo P circulan huecos.
Polarizacin y Funcionamiento
- Necesitan ser polarizados por dos tensiones externas.
- La tensin VDD (de la figura 10.13) dirige el paso de portadores de corriente por el canal y VGS regula
la cantidad. VGS debe polarizar inversamente la unin PN.
- En un JFET de canal N, S debe ser positiva con respecto a G y negativa con respecto a D.
- Cuando se polariza se crea entre D y S una corriente de drenaje (ID). El canal acta como una
resistencia variable.
- En un JFET de canal N, el voltaje VGS crea una zona de agotamiento en la unin sustrato-canal
dejndola libre de electrones. Esto es porque el sustrato tiene una alta concentracin de huecos y el
canal tiene pocos electrones.
- El espesor de la zona de agotamiento determina el rea til del canal, por ende su capacidad de dejar
pasar ms o menos electrones.
- No conozco los motivos fisico-qumicos por lo que sucede lo anterior, pero creo que tendr que
aprenderlo as nada ms.
- Cuando aumenta el voltaje VGS entonces la zona de agotamiento se ensancha dejando pasar menos
electrones desde la fuente al drenador provocando que ID sea menor. Cuando VGS disminuye,
entonces ocurre lo contrario. Entonces VGS modula la resistencia del canal.

La capacidad de amplificacin de un FET se mide viendo el efecto de VGS (Fuente G a S) sobre la ID


para un determinado valro de VDS (Fuente D a S). La relacin incremental de ambas cantidades se
llama Transductancia (gfs o gm):
gm = ID / VGS
La transductancia se mide en mhos o Siemens (S)
De todo lo anterior debo conocer la causa fisica-quimica para poder comprender mejor.

Transistores tipo MOSFET


-

En este tipo de FET, la compuerta est aislada del canal mediante una capa de dioxido de silicio
(SiO2).
- Tambin existe un MOSFET de canal N y P.
- Estos circuitos son muy inmunes al ruido, consumen poca potencia y son muy flexibles.
- Hay dos tipos de MOSFET, los de agotamiento (o empobrecimiento o deplecin) y los de
enriquecimiento (o acumulacin).
Estructura bsica y funcionamiento
- Se diferencia del JFET en que el sustrato est conectado a la fuente y no a la compuerta. An as,
aunque no exista la unin entre fuente y drenador, de todas formas la compuerta regula el flujo de
electrones.
- El voltaje VGS puede ser positivo y negativo. Si el drenaje es psitivo con respecto a la fuente y VGS
es 0, entonces fluye una corriente de drenaje por el canal.
- Cuando N deja de tener electrones libres atrados por algn motivo, entonces N se vuelve deja de
conducir.
- En un MOSFET de canal N cuando VGS es negativo entonces los electrones del canal son atrados
por los huecos del sustrato, reduciendo los portadores de corriente del canal. Entonces se genera una
resistencia y la corriente de drenaje disminuye. Entonces el MOSFET est operando en Modo de
Agotamiento.
- En el caso anterior, cuando el VGS es positivo los electrones del canal son rechazados por los huecos
del sustrato. Esto aumenta la cantidad de portadores de corriente dentro del canal aumentando la
corriente de drenaje. El MOSFET est operando en Modo de Enriquecimiento. Esto no existe en el
FET de unin.
Identificacin y Especificaciones
- Se especifican por su transductancia (gm o gfs), por el voltaje mximo entre compuerta y fuente
(VGS), la corriente de drenaje con VGS=0, el voltaje de ruptura entre compuerta y fuente (BVGSS) y la
mxima corriente de drenaje (ID).
-