LED LIGHT EMITTER DIODE

1 - Introduo

O LED - light emitter diode ou diodo emissor de luz, como o

prprio nome j diz, um diodo (juno P-N) que quando energizado
emite luz visvel.
A luz produzida pelo led monocromtica e causada pelas
interaes energticas do eltron. O processo de emisso de luz pela
aplicao de uma fonte eltrica de energia chamado
"eletroluminescncia", processo que estar mais detalhado no Item
Composio

Em qualquer juno P-N polarizada diretamente, dentro da estrutura, prximo juno,

ocorrem recombinaes de lacunas e eltrons. Essa recombinao exige que a energia possuda
por esse eltron, que at ento era livre, seja liberada, o que ocorre na forma de calor ou de luz.
J em outros materiais, como o arseneto de glio (GaAs) ou o fosfeto de glio (GaP), tem
como propriedade, emitir um nmero de ftons de luz suficiente para constituir fontes de luz
significantes, sejam elas visveis ou no (infravermelho ou ultravioleta), o que constitui de
maneira resumida os LEDs.

Princpio de Funcionamento
De um modo geral, o LED (Diodo Emissor de Luz) consiste em um cristal com juno
PN. Quando ocorrer uma polarizao direta, movem-se os eltrons da regio N em direo s
lacunas da regio P. Desta maneira h uma recombinao (eltrons
livres + lacunas) ocasionando uma liberao de energia, Essa
recombinao exige que a energia possuda por esse eltron, que
at ento era livre, seja liberado, o que ocorre na forma de calor ou
ftons de luz. A luz monocromtica e produzida pelas
interaes energticas do eltron. O processo de emisso de luz
pela aplicao de uma fonte eltrica de energia chamado
"eletroluminescncia", conforme a ilustrao ao lado.

O material dopante de uma rea do semicondutor contm tomos com um eltron a

menos na banda de valncia em relao ao material semicondutor. Na ligao, os ons desse
material dopante (ons "aceitadores") removem eltrons de valncia do semicondutor, deixando
"lacunas", portanto, o semicondutor torna-se do tipo P. Na outra rea do semicondutor, o material
dopante contm tomos com um eltron a mais do que o semicondutor puro em sua faixa de
valncia. Portanto, na ligao esse eltron fica disponvel sob a forma de eltron livre, formando
o semicondutor do tipo N.
Na regio de contato das duas reas, eltrons e lacunas se recombinam, criando uma fina
camada isenta de portadores de carga, a chamada barreira de potencial, onde temos apenas os
ons "doadores" da regio N e os ons "aceitadores" da regio P, que por no apresentarem
portadores de carga "isolam" as demais lacunas do material P dos outros eltrons livres do
material N.
Um eltron livre ou uma lacuna s pode atravessar a barreira de potencial mediante a
aplicao de energia externa (polarizao direta da juno). Aqui preciso ressaltar um fato
fsico do semicondutor: nesses materiais, os eltrons s podem assumir determinados nveis de
energia (nveis discretizados), sendo as bandas de valncia e de conduo as de maiores nveis
energticos para os eltrons ocuparem.
A regio compreendida entre o topo da de valncia e a parte inferior da de conduo a
chamada "banda proibida". Se o material semicondutor for puro, no ter eltrons nessa banda
(da ser chamada "proibida"). A recombinao entre eltrons e lacunas, que ocorre depois de
vencida a barreira de potencial, pode acontecer na banda de valncia ou na proibida. A
possibilidade dessa recombinao ocorrer na banda proibida se deve criao de estados
eletrnicos de energia nessa rea pela introduo de outras impurezas no material.
Como a recombinao ocorre mais facilmente no nvel de energia mais prximo da banda
de conduo, pode-se escolher adequadamente as impurezas para a confeco dos leds, de modo
a exibirem bandas adequadas para a emisso da cor de luz desejada (comprimento de onda
especfico).

Composio de um LED
No silcio e no germnio, que so bsicos nos diodos e transistores, entre outros
componentes eletrnicos, a maior parte da energia liberada na forma de calor, sendo
insignificante a luz emitida, e os componentes que trabalham com maior capacidade de corrente
chegam a precisar de irradiadores de calor (dissipadores) para ajudar na manuteno dessa
temperatura em um patamar tolervel.
J em outros materiais, como o arsenieto de glio (GaAs) ou o fosfeto de glio (GaP), o
nmero de ftons de luz emitido suficiente para constituir fontes de luz bastante visveis.

Os materiais para um diodo emissor de luz (LED) em espectros visveis (400 700 nm)
so semicondutores com badgaps entre 1,8 e 3,1 eV.

Organizados para permitir efetivas recombinaes, os materiais devem ter transio e

banda para banda ou permitir outras linhas de recombinaes com alta eficincia.
A luz emitida monocromtica, sendo a cor, portanto, dependente do cristal e da
impureza de dopagem com que o componente fabricado. O led que utiliza o arseneto de glio
emite radiaes infra-vermelhas. Dopando-se com fsforo, a emisso pode ser vermelha ou
amarela, de acordo com a concentrao. Utilizando-se fosfeto de glio com dopagem de
nitrognio, a luz emitida pode ser verde ou amarela.
Como um requisito adicional, os materiais devem permitir a fabricao em forma de
monocristais e a tecnologia desenvolvida deve estar disponvel para os procedimentos. A
combinao dos elementos do grupo III e V do sistema de elementos peridicos resulta em
semicondutncia composta por bandgaps entre 0,18 e aproximadamente 6 eV.
Por toda composio a bandgap dada em eV. Os semicondutores diretos so denotados
por um asterisco, encontramos a maioria deles no grupo III nitratos GaN e InN. Esses nitratos
sero substitudos por materiais de silicone, dentro de poucos anos.
O arseneto de glio tem uma bandgap
direta de 1,42 eV e no somente importante para
o LED, mas tambm significante material
substrato.
Composto de III-V podem formar cristais
com propriedades entre compostos binrios. Os
mais importantes sistemas de cristais misturados,
dizendo respeito LED so GaAs-AlAs, GaAsGaP, InP-GaP-AlP.
A bandgap e a constante de Lattice de Ga lxAlxAs e GaAsl-xPx esto apresentados na figura4.
A regio direta mostrada como uma linha slida
e a regio indireta como uma linha sombreada.
3

Acima de x=0,44 (bandgap 1,96 eV), Ga l-xAlxAs direto e a constante de Lattice muda s
levemente sobre o limite inteiro da mistura. A mais alta bandgap direta para GaAs l-xPx 1,99 eV (
x=0,45). Na regio indireta de GaAsl-xPx, a eficincia da recombinao brilhante pode ser
aumentada consideravelmente por dopagem com nitrognio (centro isoeletrnico). Isso reduz a
bandgap efetiva em aproximadamente 0,06 eV (segunda linha sombreada)
As bandgaps requisitadas para o LED colorido comum esto marcados no topo da figura
4. Considerando que a emisso vermelha pode ser conseguido com Ga0,6Al0,4As ou GaAs0,6P0,4
(ambos diretos) e indiretamente GaAll-xPx: N usada para outras cores.
Na figura 5, as bandgaps e a constante de Lattice do InGaAlP esto expostos. No
diagrama os compostos binrios so apresentados como pontos, compostos ternrios como linhas
e quaternrios como cristais misturados InGaAlP como reas sombreadas.

Os cristais binrios InP, GaP e AlP formam os

apecies.
Sua caracterstica o resultado de uma complexa
estrutura de banda e a transio da regio direta para a
indireta e vice versa. O diagrama apresenta que as
composies de InGaAlP so diretas e que cristais
misturados so Lattice igualado para fornecer o
material substrato.
fig 3.3
Ambos so necessrios pr-requisitos para a
fabricao de um LED com brilho particular.
A linha vertical sombreada atrai atravs da regio
direta da bandgap, mostra que a composio

extremamente a Lattice igualada e pode ser fabricada no substrato de GaAs. A notao

corresponde In0,5(GaxAl1-x) 0,5P fornece a proporo de quantidade de tomos no cristal Lattice.
A bandgap direta se a concentrao de alumnio estiver abaixo de x=0,7. A regio
espectral de vermelho por laranja e amarelo para verde pode ser apontada pela variao de x em
InGaAlP.
Extremamente eficiente a alta luminescncia para o laranja e amarelo so obtidos em
dupla heteroestrutura de InGaAlP situada no refletor Bragg do substrato de GaAs.

As figuras abaixo mostram duas estruturas com substratos de GaAs, figura 3.4, vermelho
padro e figura 3.5, DH-red.

O vermelho padro consiste da

GaAs0,6P0,4 que foi depositada com uma
camada de proteo GaAs1-xPx em
substrato n-GaAs pro epitaxy em
estado de vapor. O elemento
fabricado num processo planar com
difuso de Zn oculto. O substrato
opaco, neste caso. Isso significa que o
posterior contato pode ser fornecido sobre a rea completa.
O elemento DH-red (vermelho) consiste em trs camadas de epitaxial no substrato pGaAs. A camada ativa com 35% Al-satisfeito fabricado entre duas camadas de Ga l-xAlxAs de >
60% Al-satisfeito.
Outros Leds padres esto apresentados nas figuras 3.6 e 3.7, o chip para laranja e
amarelo so similar ao tipo vermelho padro. Devido grande quantidade de P, 0,6 ou 0,85, os
materiais so depositados com apropriada camada de proteo no substrato com GaP e um
refletivo contato posterior apresentado.
O elemento verde consiste inteiramente de GaP e pode portanto ser construdo com
epitaxy em estado liqudo.

O aumento da juno PN dividido por gravura mesa nesse exemplo, para permitir medies
de chips individuais no wafer.
Um novo tipo de LED para aplicaes onde a particularidade de alto brilho requisito e
apresentado na figura 10. A estrutura similar ao do elemento DH-red. Uma dupla
heteroestrutura preparada num substrato GaAs
de absoro de luz. A combinao do refletor
Bragg entre o substrato e um efeito de camada de
janela de estrutura DH, a eficincia de
luminescncia extremamente alta nesse tipo de
LED.
fig 3.8

Caractersticas tcnicas
Principias tipos de LED:

Em geral, os leds operam com nvel de tenso de 1,6 a 3,3V, sendo compatveis com os
circuitos de estado slido. A potncia necessria est na faixa tpica de 10 a 150 mW, com um
tempo de vida til de 100.000 ou mais horas.
Como o led um dispositivo de juno P-N, sua caracterstica de polarizao direta
semelhante de um diodo semicondutor. Sendo polarizado, a maioria dos fabricantes adota um
"cdigo" de identificao para a determinao externa dos terminais A (anodo) e K (ctodo) dos
leds.
Nos leds redondos, como na figura ao lado, duas
codificaes so comuns: identifica-se o terminal K como sendo
aquele junto a um pequeno chanfro na lateral da base circular do
seu invlucro ("corpo"), ou por ser o terminal mais curto dos dois.
Existem fabricantes que adotam simultaneamente as duas formas
de identificao.
Nos leds retangulares, alguns fabricantes marcam o terminal
K com um pequeno "alargamento" do terminal junto base do
componente, ou ento deixam esse terminal mais curto.
Mas, pode acontecer do componente no trazer qualquer
referncia externa de identificao dos terminais. Nesse caso, se o invlucro for semi6

transparente, pode-se identificar o catodo (K) como sendo o terminal que contm o eletrodo
interno mais largo do que o eletrodo do outro terminal (anodo). Alm de mais largo, s vezes o
catodo mais baixo do que o anodo.
O terminal comum pode corresponder interligao dos anodos das junes (leds
bicolores em "anodo comum") ou dos seus catodos (leds bicolores em "catodo comum").
Embora normalmente seja tratado por led bicolor (vermelho+verde), esse tipo de led na
realidade um "tricolor", j que alm das duas cores independentes, cada qual gerada em uma
juno, essas duas junes podem ser simultaneamente polarizadas, resultando na emisso de luz
alaranjada.
Como o diodo, o led no pode receber tenso diretamente entre seus terminais,uma vez
que a corrente deve ser limitada para que a juno no seja danificada. Assim, o uso de um
resistor limitador em srie com o led comum nos circuitos que o utilizam.
Tipicamente, os leds grandes (de aproximadamente 5 mm de dimetro, quando redondos)
trabalham com correntes da ordem de 12 a 20 mA e os pequenos (com aproximadamente 3 mm
de dimetro) operam com a metade desse valor (de 6 a 10 mA).
Os leds no suportam tenso reversa (Vr) de valor significativo, podendo danificar-se
com apenas 5V de tenso nesse sentido. Por isso, quando alimentado por tenso C.A., o led
costuma ser acompanhado de um diodo retificador em anti-paralelo, com a finalidade de
conduzir os semi-ciclos nos quais ele - led - fica no corte, limitando essa tenso reversa em torno
de 0,7V (tenso direta mxima do diodo), ou seja, em um valor suficientemente baixo para que
sua juno no se danifique.
Eletricamente, Leds so meros diodos PN (exceto pelo SiC). O mais importante
parmetro para operao normal a tenso Vf (tabela 1, terceira coluna da direita) onde o valor
numrico em V (volts) corresponde aproximadamente ao bandgap do semicondutor usado.

fig 4.2
A velocidade do Led caracterizada pelo seu tempo de chaveamento, enquanto tipos
indiretos so consideravelmente mais devagar devido ao especial mecanismo de recombinaes.
7

Geralmente LEDs so robustos e seu tempo de vida (aproximadamente 10 5 horas) so

mais eficientes para praticamente todas as aplicaes.
Devido ao rpido aumento de corrente em sua
direo, leds so sempre conectados em um elemento
limitador de corrente. Na figura ao lado apresentamos o
ponto de trabalho, sendo utilizado em resistor em srie ao
led.
Dimensionamento reduzido, permitindo maior grau
de miniaturizao, alm do que apresentam maior robustez
mecnica, em relao lmpada com filamento.

Aplicaes e Curiosidades
Geralmente, os leds so utilizados em substituio s lmpadas de sinalizao ou
lmpadas pilotos nos painis dos instrumentos e aparelhos diversos. Para fixao nesses painis,
comum o uso de suportes plsticos com rosca.
A maioria dos Lasers comerciais de hoje, at mesmo os
lasers disponveis em qualquer trabalhador do mercado
ambulante composta por um led.
Os diodos emissores de luz so empregados tambm na
construo dos displays alfa-numricos (figura ao lado).
As pesquisas com led, existem em laboratrios desde o incio dos
anos 60, mas sua utilizao s comeou a se tornar popular a partir de 70.
Abaixo est o exemplo de um dos primeiros leds de radiao visvel, o monsanto mv2,
criado pela Monsanto para a HP.

Antigamente os Leds no tinham muitas aplicaes, apenas em displays, onde o brilho

no era importante, mas nos ltimos tempos, o led tem se tornado cada vez mais, uma fonte
confivel de luz, com brilho, intensidade e comprimentos de onda exatos para cada aplicao e
esto sendo cada vez mais utilizados para iluminao de ambientes.
Sem contar as outras diversas aplicaes em que o led fundamental, como controles
remotos (leds
infravermelhos), Lasers (diversos tipos de led) aplicados na medicina,
na indstria, sinalizaes em geral, monitores, etc.

Bibliografia
Livros e Catlogos
CATLOGO ONLINE OSRAM, http://www.osram.com.br - 2004-09-18
TELEFUNKEN Microelectronic GmbH, Leds and Displays Data Book [s.n.], 1996
COELMA Tecnologia Siemens, Optoeletrnica - Catlogo resumido
HALKIAS, Millman, Eletrnica Vol. 2. Ed. McGraw Hill do Brasil, [s. a.]
OPTO Technology, Inc, OptoEletronics Data Book
SEDRA, SMITH, Microeletrnica 4a Ed. Ed. Makron Books, [s. a.]
Consultas Eletrnicas
Museu Online do LED, http://ledmuseum.home.att.net/ledleft.htm - Consultado em 09/2004
Site Inovao Tecnolgica, http://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/070110010907.html
- Consultado em 09/2004
Site ABC da Eletrnica, http://www.abcdaeletronica.cjb.net/ - Consultado em 09/2004

Site da Faculdade de Engenharia de Sorocaba, http://www.li.facens.br/eletronica - Consultado

em 09/2004
Site O Eletrnico, http://www.oeletronico.hpg.ig.com.br/links.htm - Consultado em 09/2004

10