INVESTIGUE SOBRE EL SMBOLO, ESTRUCTURA INTERNA, CURVAS CARACTERSTICAS Y APLICACIN

DE CADA UNO DE LOS SIGUIENTES TIPOS DE DIODOS:

Diodo LED
diodo schottky
Diodo ZENER
diodo tnel
Diodo varicap
diodo laser
Diodo Gunn
fotodiodo
Diodo Varistor
diodo impatt
Investigar sobre las caractersticas de los diodos 10A03, 10A04, MR500, MRA4007T3G,NTE5826, NTE586,
NTE5899, MUR3040PT

DIODO LED

Smbolo y esquema interno de funcionamiento.

La operacin del este tipo de diodo consiste en que cuando el dispositivo se polariza en directa,
los electrones atraviesan la unin pn desde el material n y se recombina con el material tipo p.
Cuando esto ocurre, los electrones recombinantes liberan energa en forma de fotones. Para ser
visible se necesita una gran rea. Adems se agregan varias impurezas en distinta
concentracin de acuerdo al color e intensidad que se requiere.
Por supuesto, debido a su bajo consumo y alta eficiencia, la utilizacin de estos dispositivos se
ha elevado notoriamente. Utilizados en luminotecnia, pantallas indicadoras y pantallas para
salida, desde electrodomsticos hasta pantallas de gran resolucin.

Curva caracterstica.

DIODO SCHOTTKY

Tambin son denominados diodos de recuperacin o de portadores calientes, estn hechos de

silicio uniendo con un metal tal como oro, plata o platino. En vez de una unin de
semiconductores pn, existe una unin de metal a semicondutora. Se caracterizan por poseer una
cada de voltaje (VF) muy pequea, del orden de 0.25V o menos, y ser muy rpidos. Se utilizan
en fuentes de potencia de conmutacin o switching, en sistemas digitales y en equipos de alta
frecuencia.
DIODO ZENER

Son diodos especialmente diseados para trabajar en la zona de ruptura, comprtndose en

polarizacin directa como diodos rectificadores y en polarizacin inversa como referencia de
voltaje. Su principal aplicacin es como reguladores de voltaje. La siguiente curva es
caracterstica del comportamiento de un diodo zener.
De acuerdo a la curva, en un diodo Zener polarizado inversamente, la corriente de inversa (IR)
es prcticamente nula, hasta que el voltaje inverso (VR) alcanza cierto valor VZ, llamado voltaje
Zener o de referencia. Cuando el diodo llega a este punto, el diodo enra en conduccin,
permitiendo la circulacin de una corriente importante. A partir de entonces, la tensin entre sus
terminales permanece prcticamente constante e igual a VZ para una amplia gama de valores de
IR. Esta propiedad es la que permite utilizar los diodos Zener como reguladores de voltaje y/o
referencias de tensin en un gran nmero de usos.
DIODO TNEL

Tambin denominados diodos Esaki, se carcterizan por poseer una zona de agotamiento
extremadamente delgada y tener en su curva V-I una regin de resistencia negativa, donde la
corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje. Esta ltima propiedad los hace tiles como
detectores, amplificadores, osciladores, multiplicadores, interruptores, etc., en sistemas de alta
frecuencia.
DIODO VARICAP

Tambin llamados varactores o diodos de sintona. Gtrabajan polarizados inversamente y actan

como condensadores variables controlados por voltaje. Esta caractestica los hace muy tiles
como elementos de sintona en receptores de radio y televisin. Son muy usados tambin en
osciladores, multiplicadores, amplificadores, generadores de FM y otros circuitos de alta
frecuencia.

DIODO LASER

Tambin llamados lseres de inyeccin o ILD. Son diodos que emiten una luz monocromtica,
generalmente roja o infrarroja, fuertemente concentrada, enfocada, coherente y potente. Son
muy utilizados en computadoras y sistemas de audio y video para leer discoscompactos (CD y
DVD) que contienen datos, msica, videos, etc., as como en sistemas de comunicaciones para
enviar informacin a travs de fibra ptica. Tambin se emplea en marcadores luminosos,
lectores de cdigos de barras y otras aplicaciones.
DIODO GUNN

Este diodo no se utiliza como rectificador. Se trata de un generador de microondas, formado

por un semiconductor de dos terminales que utiliza el llamado efecto Gunn. Cuando se aplica
entre nodo y ctodo una tensin continua de 7 V, de modo que el nodo sea positivo con
respecto al ctodo, la corriente que circula por el diodo es continua pero con unos impulsos
superpuestos de hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para inducir oscilaciones en una
cavidad resonante. De hecho, la emisin de microondas se produce cuando las zonas de
campo elctrico elevado se desplazan del nodo al ctodo y del ctodo al nodo en un
constante viaje rapidsimo entre ambas zonas, lo que determina la frecuencia en los impulsos

FOTODIODO

Son diodos con una ventana transparente cuya corriente inversa puede ser controlada regulando
la cantidad de luz que pasa por la ventana e incide sobre la unin PN. A mayor cantidad de luz
incidente, mayor es la corriente inversa producida porque se genera un mayor nmero de
portadores minoritarios, y viceversa. Son muy utilizados como sensores de luz en fotografa,
sistemas de iluminacin, contadores de objetos, sistemas de seguridad, receptores de
comunicaciones pticas y otras aplicaciones.
DIODO VARISTOR

Un diodo varistor, tambin conocido como supresor de transitorios o supresor de picos, tiene una
constitucin equivalente a dos diodos zener en paralelo, con una tensin de ruptura muy alto, por
ejemplo 250V.
Se utiliza mucho como elemento de proteccin elctrica de cargas, eliminando los picos
transitorios en la alimentacin elctrica.
Estos varistores son fabricados para distintos valores de voltaje, por ejemplo, un varistor con
tensin de ruptura de 250V para la red elctrica de 220V.
El modo de funcionamiento es el siguiente: El varistor permanece inactivo hasta que el voltaje
transitorio de alimentacin entre sus bornes es mayor a su voltaje de ruptura (250V en el
ejemplo), entonces el dispositivo se dispara y conduce (bajando su resistencia a casi cero), de
esta manera se elimina el efecto negativo del transitorio del voltaje en el circuito.
De esto, se entiende que este varistor es muy usado en sistemas de proteccin de cargas.

DIODO IMPATT

Un diodo IMPATT es una forma de diodo de alta potencia utilizado en la electrnica

de alta frecuencia y dispositivos de microondas. Ellos funcionan a frecuencias
entre aproximadamente 3 y 100 GHz o ms. Una ventaja principal es su capacidad
de alta potencia. Estos diodos se utilizan en una variedad de aplicaciones de los
sistemas de radar de baja potencia a las alarmas. Un gran inconveniente de la
utilizacin de diodos IMPATT es el alto nivel de ruido de fase que generan. Esto es

consecuencia de la naturaleza estadstica del proceso de avalancha. Sin embargo,

estos diodos son excelentes generadores de microondas para muchas
aplicaciones.

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10A03
4. TEMA: TRANSISTORES BJT:
Busque y luego indique las caractersticas tcnicas de los siguientes transistores (DATASHEET)
A)2N6284,
B)2N3055
C)2N4403
D) NTE98
E) BC142
F) NTE912
F) BLA6H0912-500
G) 2N5038
H) 2N5330
Entre las caractersticas que debe buscar son los valores mximos de Vce, Vbe, Ic, p hfe, potencia
mxima, frecuencia de trabajo.

5:
Tema: transistores FET Y TRANSISTORES IGBT
1.Realice una clasificacin de los transistores FET, indicando su smbolo de cada uno.
Los transistores FET o de efecto campo se clasifican en:

1)

TRANSISTORES JFET, Transistores de efecto de campo de unin.

a)

Canal n

b)
2)

Canal p

TRANSISTORES MOSFET, Transistores de efecto de campo semiconductor de xido metlico.

2.Busque las caractersticas tcnicas en DATASHEET de los siguientes transistores

a) NTE346
B) CF739
C) K30A
D) K241.
Que significa IGBT, que tipo de transistores son. Cules son sus terminales y su smbolo. Buscar
caractersticas de los siguientes transistores:
E) IRGP4086 F) CT60AM-18F G) G40N60B3

6:
Verificar si el circuito est en zona activa. Si est en zona activa encuentre el punto de operacin. Y considerar
p = 100. Si no est en zona activa En qu zona est? Vcesat=0.3 voltios.

Calculamos la resitencia de base equivalente:

Rbb=20 k
// 100 k
Rbb=

20 k100 k
20 k +100 k

Rbb=16.67 k

Y la fuente DC equivalente en la base.

V bb=

20 k
10 V
100 k +20 k

V bb

V bb=1.67 V
Entonces, el circuito equivalente es:
VCC
10V
Rc
1.0k
Rbb

Q1

16.67k
Vbb
1.67 V

R4
0.5k

Analizando el circuito, en la malla de base emisor.

V bb=I B Rbb +0.7+ I C R 4 1.67=16.67 I B + 0.7+100 I B0.5
0.97=( 16.67+50 ) I B

I B=0.0145 mA

Entonces se obtiene:
I C =1.45 mA
I E =I C + I B

I E =1.46 mA

Analizando la malla colector emisor.

V CC =I C RC +V CE + I E R 4

10=1.451.0+V CE +1.460.5

V CE =7.82V
Esto indica que el transistor est trabajando en la zona activa.
V CB =7.82V 0.7 V
V CB =7.12V

7:
Dibuje el modelo equivalente hibrido del transistor.
Explicar cada uno de los parmetros.
a)

En emisor comn

b)

B) en base comn

c)

En colector comn.

Indique las unidades que tiene cada parmetro.

8:
Explique el modelo en pequea seal del JFET.
Explique los parmetros IDSS , VP EN LOS FET.
Realiza una diferencia entre los BJT y los FET.

9:
Analizar la respuesta a altas frecuencias de los transistores BJT.
Que elementos intervienen.
Qu es la capacidad de efecto MIller

10:
Disee la red de polarizacin fija de la figura para tener una ganancia de AC de 12. Es decir,
determine el valor de RD.
DATOS: IDSS = 10 ma Vp = -4V yos = 20 S.

Hallamos el estado de la polarizacin del FET. En el siguiente circuito.

VDD
30V
RD

Q1

RG

10M

Se observa:
V GS=0 V

I D I DSS 1

Se sabe que:

V GS
VP

Entonces:
0
I D =10 mA 1
4

I D=10 mA

Luego, calculamos el voltaje VDS

V DS =V DDI D R D
V DS =3010 R D

Ahora calculamos

gm=g m0 1

V GS
VP

gm

gm=20 S 1

0
4

g m=20 S
Recordemos que el circuito equivalente, en zona activa del FET, es el siguiente:

Entonces, en el circuito el equivalente en pequea seal es:

Vo

Vi

R2
10M

Se sabe que:
v
A v = ds =12
v gs
En el circuito:
v gs =v i v ds =I dR D=g m v gs R D
Entonces, en la ganancia:
g v R
A v = m gs D =gm R D
v gs
Luego,
12=20 SR D
Se obtiene finalmente:
R D =600 k

gmVgs
I = { Id }

RD