LAB. DE QUIMICA INORGANICA APLICADA A LA I.P.

CUESTIONARIO
1.-

Nmeros de coordinacin

CBICO COMPACTO

HEXAGONAL COMPACTO

12

12

4 octadricas
Huecos intersticiales

8 tetradricas

6 octadricos
12 tetradricos

tomos/Celdas unidad

4 tomos/ celda unidad

6 tomos /celda unidad

Empaquetamiento

ABC

AB

Describir las similitudes y diferencias entre las disposicones

empaquetamiento de esferas cubico y hexagonal compacto definiendo:

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de

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2.- Establecer el nmero de coordinacin de una esfera en cada una de las

siguientes
disposiciones
a) ccp: Cubica Compacta
Compacto

N coordinacin: 12

c) bcc: Cubica Centrada en el Cuerpo

N coordinacin: 8

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b)

hcp:

Hexagonal

N coordinacin : 12

d) fcc: Cubica Centrada en las Caras

N coordinacin: 12

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e) Cubica Simple

N coordinacin: 6

3.- Que se entiende por teoria de banda de los metales?

En funcin de su conductividad elctrica, los slidos se pueden clasificar en tres
grupos:aislantes,
conductores
y
semiconductores.
Esta
ltima
propiedad,
la semiconductividad, no puede ser explicada a partir del modelo del mar de electrones visto
hasta ahora para el enlace metlico. Se requiere una teora ms profunda que es la teora de
bandas la cual, adems de explicar la semiconductividad, explica tambin por qu los
metales son muy buenos conductores de la electricidad.
Consideremos
el metal
cuya configuracin electrnica es:

litio,

Vemos que un tomo de litio presenta un orbital 1s lleno (con 2 electrones) y un orbital 2s
semilleno (con 1 electrn). Tambin podemos considerar a efectos prcticos los orbitales 2p,
que estarn en la capa de valencia del litio, aunque vacos.
Pues bien, la Teora de bandas considera que los orbitales atmicos de valencia de los N
tomos del litio que estarn formando enlace metlico, se combinan entre s para dar unos
orbitales moleculares, pertenecientes a todo el cristal y con energas muy semejantes entre
s. Tan cercanos se hallan energticamente estos orbitales moleculares formados, que
decimos que dan lugar a una banda. Se obtienen tantos orbitales moleculares como
orbitales atmicos se combinen.
Asi, si tenemos N atomos de litio, tendremos N orbitales
atomicos 2s que daran lugar a N orbitales moleculares que
podemos llamar tambien 2s por facilidad de comprension .
Estos orbitales estaran muy proximos en energia y daran una
nbanda 2s .Lo mismo sucedera con los orbitales 3N 2p de los
N atomos de litio (cada atomo de litio tendra 3 orbitales 2p :
px, py y pz) aunque esten vacion dando lugar tambien a una
banda 2p.
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A la
banda formada por los
orbitales 2s semillenos se le llama
banda de valencia. A la banda
vacia formada por los orbitales 2p ,
se la llama banda de conduccion.

Por tanto, en los metales, hay bandas

de valencia, que son bandas en las que se hallan los electrones de valencia y pueden estar llenas
o semillenas, dependiendo de la configuracin electrnica del metal, y bandas de conduccin, que
pueden hallarse vacas o parcialmente vacas y facilitan la conduccin porque son energticamente
accesibles. De hecho, los metales son conductores porque las bandas de valencia y de
conduccin se superponen, y esto hace que los electrones se muevan con libertad de una a otra.
En el caso de los semiconductores, las bandas de valencia y de conduccin no se
superponen, pero la diferencia energtica entre ambas es pequea, por lo que una pequea
aportacin energtica har que puedan promocionar electrones a la banda de conduccin y, por
tanto, conducir la corriente elctrica.
En los aislantes, por su parte, las dos bandas estn tan alejadas que la banda de conduccin es
inaccesible, motivo por el cual son incapaces de conducir la corriente:

4.- Distinguir entre un semiconductor intrnseco, extrnseco y dar ejemplos de

cada uno
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Semiconductores intrnsecos
Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea, que
no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la
cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda
prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda
de conduccin.
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrnseco,
algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de
valencia se liberan de la atraccin que ejerce el ncleo del tomo sobre los mismos.
Esos electrones libres saltan a la banda de conduccin y all
funcionan como electrones de conduccin, pudindose
desplazar libremente de un tomo a otro dentro de la propia
estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se
estimule con el paso de una corriente elctrica.
Ejemplo:
Los ms empleados histricamente son el germanio (Ge) y
el silicio (Si); siendo ste ltimo el ms empleado (por ser
mucho ms abundante y poder trabajar a temperaturas mayores
que
el
germanio).

Semiconductores extrnsecos
Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un proceso de
impurificacin (llamado dopaje), consistente en introducir tomos de otros elementos con el fin
de aumentar su conductividad. El semiconductor obtenido se denominar semiconductor
extrnseco. Segn la impureza (llamada dopante) distinguimos:

Semiconductor tipo P : se emplean elementos

trivalentes (3 electrones de valencia) como por
ejemplo el Boro (B), Indio (In) o Galio (Ga) como
dopantes. Puesto que no aportan los 4 electrones
necesarios para establecer los 4 enlaces covalentes,
en la red cristalina stos tomos presentarn
un defecto de electrones (para formar los 4 enlaces
covalentes). De esa manera se originan huecos que
aceptan el paso de electrones que no pertenecen a la
red cristalina. As, al material tipo P tambin se le
denomina donador de huecos (o aceptador de
electrones).

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Semiconductor tipo N: Se emplean como

impurezas elementos pentavalentes (con 5
electrones de valencia) como por ejemplo el
Fsforo (P), el Arsnico (As) o el Antimonio (Sb). El
donante aporta electrones en exceso, los cuales
al no encontrarse enlazados, se movern fcilmente
por la red cristalina aumentando su conductividad.
De ese modo, el material tipo N se denomina
tambin donador de electrones.

5.- en la plata metlica, los tomos se empaquetan en forma cubica centrada en

las caras. La arista de la unidad cristalina mide 4,078 A .Calcular la densidad de
la plata metlica
a= 4,078 A
3

V =a

M=107,853 g/mol

10 cm
4,078 A
1 A
V =
3

=?

m=?
23

V =6,7817. 10

cm

m=107,853

m=7,163 10

22

g
1mol
atomos
.
.4
23
mol 6,023 10 atomos celda unidad

g
celda unidad

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g
m
celdaunidad
= =
3
V
cm
23
6,7817 10
celdaunidad
7,163 10

=10,56

g
cm3

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