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Centro Nacional de Investigacin y Desarrollo


Tecnolgico
Departamento de Ingeniera
Electrnica

TESIS DE MAESTRA EN
CIENCIAS
Confiabilidad de inversores integrados en
sistemas fotovoltaicos conectados a red
presentada
por

Enrique Contreras
Martnez
como requisito para la obtencin del
grado de:
Maestra en Ciencias en Ingeniera
Electrnica

Director de
tesis:
Dr. Hugo Calleja
Gjumlich

Jurado:
Dr. Abraham Claudio Snchez
Presidente

Dr. Jess Aguayo Alquicira


Secretario
Dr. Hugo Calleja Gjumlich

Cuernavaca, Morelos, Mxico.

Vocal

Marzo de
2008

TABLA DE CONTENIDO
Simbologa

IV

Lista de tablas y figuras

VI

Introduccin

IX

Abstract

XI

CAPTULO 1
ANTECEDENT
ES
1.1

Energa solar

1.2

Sistemas fotovoltaicos
1.2.1 Paneles solares
1.2.2 Elementos de almacenamiento de energa
1.2.3 Inversores

2
2
3
3

1.3

Propuesta de tesis
1.3.1 Descripcin del problema
1.3.2 Planteamiento del problema
1.3.3 Justificacin
1.3.4 Objetivo general
1.3.5 Objetivos particulares
1.3.6 Propuesta
1.3.7 Alcances
1.3.8 Aportaciones
1.3.9 Metodologa

4
4
4
5
5
5
5
6
6
6

1.4 Estado del


arte
1.4.1 Criterios de comparacin

CAPTULO
2
SELECCIN
TOPOLOGAS
2.1

Evolucin
10
2.1.
2.1.
2
2.1.
3

DE
de los inversores para sistemas fotovoltaicos

Inversores centrales
Inversores para cadena
Inversores para mdulos de CA

10
13
16

2.2

Configuraciones para mdulos de CA


2.2.1 Funciones bsicas del circuito de
potencia
2.2.2
Configuraciones monoetapa

17
18
18

2.3

Topologas seleccionadas

19

CAPTULO 3
DISEO Y SIMULACIN DE INVERSORES
3.1 Especificaciones de diseo

22

3.2 Diseo
3.2.1
3.2.2
3.2.3

del convertidor elevador [17]


Forma de operacin
Ecuaciones de diseo
Clculo de L y C

23
23
23
24

3.3 Diseo
3.3.1
3.3.2
3.3.3

del convertidor reductor-elevador [18]


Forma de operacin
Ecuaciones de diseo
Clculo de L y C

24
24
25
25

3.4 Diseo
3.4.1
3.4.2
3.4.3

del convertidor reductor-elevador [19]


Forma de operacin
Ecuaciones de diseo
Clculo de L y C

25
25
26
26

3.5 Diseo del convertidor elevador [21]

26

3.6 Simulacin
3.6.1 Simulacin del inversor elevador [17]
3.6.2 Simulacin del inversor reductor-elevador [18]
3.6.3 Simulacin del inversor reductor-elevador [19]

26
27
29
30

3.7 Formas de onda


3.7.1 Formas de onda para el convertidor elevador
[17] Formas de onda para el convertidor reductor3.7.2
elevador
[18] de onda para el convertidor reductor3.7.3
Formas
elevador [19]
3.8 Datos obtenidos a partir de formas de onda
3.8.1 Esfuerzos mximos
3.8.2 Prdidas
3.8.3 Prdidas en funcin de dispositivos
semiconductores

32
32
33
34
35
35
36
37

II

CAPTULO 4
CONFIABILIDAD
4.1 Definicin de confiabilidad

44

4.2 Confiabilidad y sistemas


4.2.1 Parmetros de confiabilidad para sistemas
continuos

45
45

4.3 Confiabilidad y MIL-HDBK-217 FN2

48

4.4 RELEX y parmetros de confiabilidad


4.4.1 Informacin requerida por RELEX

48
48

4.5 Casos seleccionados


4.5.1 Casos seleccionados para el convertidor [17]
4.5.2 Casos seleccionados para el convertidor [18]
4.5.3 Casos seleccionados para el convertidor [19]

51
51
52
52

CAPTULO 5
RESULTADOS
5.1
5.2
5.3
5.4

Condiciones operativas y ambientales


Caractersticas del capacitor
Resultados de confiabilidad
Anlisis de resultados

53
54
54
59

Conclusiones

61

Referencias
Apndice A
Apndice B
Apndice C

64
66
67
68

III

SIMBOLOGA
MTFF
ingls
MTBF
ingls
CA
CD
PWM
ingls
THD
ingls
L
C
R
TM1
DM1
M1
TM2
DM2
M2
C1
C2
L1
VA
[17]
VB
[17]
VC
[18]
VD
[18] VE
[19] VF
[19]
Vin
V1
V2
VCD
Vop
Vp
Vap
D
ILP
Dmax

Tiempo promedio a la primera falla, por sus siglas en


Tiempo medio entre fallas, por sus siglas en
Corriente alterna
Corriente directa
Modulacin de anchura de pulso, por sus siglas en
Distorsin armnica total, por sus siglas en
Inductancia
Capacitancia
Resistencia de carga
IGBT sin diodo volante integrado
Diodo de recuperacin rpida
IGBT con diodo volante integrado IGBT en antiparalelo con diodo
de recuperacin rpida
IGBT sin diodo volante integrado
Diodo de recuperacin rpida
IGBT con diodo volante integrado IGBT en antiparalelo con diodo
de recuperacin rpida
Capacitancia
Capacitancia
Inductancia
Tensin de salida en el convertidor elevador unidireccional
Tensin de salida en el convertidor elevador unidireccional
Tensin de salida en el convertidor reductor-elevador unidireccional
Tensin de salida en el convertidor reductor-elevador unidireccional
Tensin de salida en el convertidor reductor-elevador unidireccional
Tensin de salida en el convertidor reductor-elevador unidireccional
Tensin de entrada
Tensin en el capacitor
Tensin en el capacitor
Tensin de CD sobre la cual se monta las sinusoide de salida de
los convertidores unidireccionales de [17] y [18]
Tensin pico en la carga para los convertidores [17] y [18]
Tensin pico en la carga para el convertidor [19]
Tensin mxima en el capacitor
Ciclo de trabajo
Corriente pico en el inductor
Ciclo mximo de trabajo

fS
F
Po

Frecuencia de conmutacin
Frecuencia de la linea
Potencia de salida del convertidor

IV

L2
T
T1
T2
T3
T4
D1
D2
TM3
DM3
M3
TM4
DM4
M4
C2

Inductancia
Periodo de la lnea
IGBT
IGBT
IGBT
IGBT
Diodo de recuperacin rpida
Diodo de recuperacin rpida
IGBT sin diodo volante integrado
Diodo de recuperacin rpida
IGBT con diodo volante integrado IGBT en antiparalelo con diodo de
recuperacin rpida
IGBT sin diodo volante integrado
Diodo de recuperacin rpida
IGBT con diodo volante integrado IGBT en antiparalelo con diodo de
recuperacin rpida
Capacitancia

LISTA DE TABLAS Y FIGURAS


Captulo
Criterios de comparacin
1

Tabla 1.1

Captulo
Sistema fotovoltaico central
2
Figura 2.2
Figura 2.3
Figura 2.4
Figura 2.5
Figura 2.6
Figura 2.7
Figura 2.8
Figura 2.9
Figura 2.10
Figura 2.11
Figura 2.12

Sistema fotovoltaico con inversor auto conmutado sin transformador


Sistema fotovoltaico con inversor auto-conmutado con transformador
Sistema fotovoltaico de cadena
Sistema fotovoltaico de cadena con transformador de alta frecuencia
Sistema fotovoltaico multicadena
Sistema fotovoltaico conectado para trabajo en equipo (amo-esclavo)
Mdulos de CA conectados en paralelo
Inversor elevador de cuatro interruptores por Cceres y Barbi [17]
Inversor reductor-elevador de cuatro interruptores de conmutacin por
Vzquez et al.[18]
Inversor reductor-elevador de cuatro dispositivos de conmutacin por
Kasa et al. [19]
Inversor flyback por Kjaer y Blaabjerg [20]

10
11
11
13
13
15
16
16
20
20
20
21

Captulo
Inversor elevador [17]
3
Figura 3.2
Figura 3.3
Figura 3.4
Figura 3.5
Figura 3.6
Figura 3.7
Figura 3.8.
Figura 3.9
Figura 3.10
Figura 3.11
Figura 3.12
Tabla 3.1
Tabla 3.2
Tabla 3.3
Tabla 3.4
Tabla 3.5
Tabla 3.6

23
Inversor reductor-elevador de cuatro interruptores por Vzquez et al.
24
[18]
Convertidor
elevador bidireccional CD/CD
27
Convertidor reductor-elevador bidireccional CD/CD
29
Convertidores tipo reductor-elevador e inversor
31
Tensin y corriente a 10 kHz [17]
32
Tensin y corriente a 20 kHz [17]
32
Tensin y corriente a 50 kHz [17]
33
Tensin y corriente a 10 kHz [18]
33
Tensin y corriente a 20 kHz [18]
34
Tensin y corriente a 50 kHz [18]
34
Tensin y corriente a 9.6 kHz [19]
34
Valores de L y C para el inversor elevador [17]
24
Valores de L y C para el inversor reductor-elevador [18]
25
Valores de L y C y parmetros de diseo para el inversor elevador [19] 26
Esfuerzos mximos en TM1, DM1, DM2, TM2 , y C [17]
35
Esfuerzos mximos en TM2, DM2, TM1, DM1, y C [18]
35
Esfuerzos mximos en tensin y en corriente en T1, T3, D1, D2,
35
y C para [19]

VI

Tabla 3.7
Tabla 3.8
Tabla 3.9
Tabla 3.10
Tabla 3.11
Tabla 3.12
Tabla 3.13
Tabla 3.14
Tabla 3.15
Tabla 3.16
Tabla 3.17
Tabla 3.18
Tabla 3.19
Tabla 3.20
Tabla 3.21
Tabla 3.22
Tabla 3.23
Tabla 3.24
Tabla 3.25
Tabla 3.26
Tabla 3.27

Prdidas por conduccin en Watts para [17]


considerando Vce =1 V
Prdidas por conmutacin en Watts para [17]
considerando tf = t r= 10 ns
Prdidas por conduccin en Watts para [18]
considerandoVce =1 V
Prdidas por conmutacin en Watts para [18]
considerando tf = t r= 10 ns
Prdidas por conduccin en Watts para [19]
considerando Vce =1 V
Prdidas por conmutacin en Watts para [19]
considerando tf = t r= 10 ns
Caractersticas de los IGBT seleccionados
(con diodo volante integrado)
Caractersticas de los IGBT seleccionados
(sin diodo volante integrado)
Caractersticas de los Diodos de recuperacin rpida
seleccionados
Prdidas en Watts para M1 del inversor elevador [17]
Prdidas en Watts para M2 del inversor elevador [17]
Prdidas en Watts para TM1 del inversor elevador [17]
Prdidas en Watts para TM2 del inversor elevador [17]
Prdidas en Watts para DM1 y DM2 del inversor elevador [17]
Prdidas en Watts para M1 del inversor reductor-elevador [18]
Prdidas en Watts para M2 del inversor reductor-elevador [18]
Prdidas en Watts para TM1 del inversor reductor-elevador [18]
Prdidas en Watts para TM2 del inversor reductor-elevador [18]
Prdidas en Watts para DM1 y DM2 del inversor reductor-elevador [18]
Prdidas en Watts para T1 del convertidor reductor-elevador [19]
Prdidas en Watts para D1 del convertidor reductor-elevador [19]

37
37
37
37
37
37
38
38
38
39
39
40
40
40
41
41
42
42
42
43
43

Captulo 4
Tabla 4.1
Tabla 4.2
Tabla 4.3
Tabla 4.4
Tabla 4.5

Casos seleccionados para [17] operando a 20 kHz


Casos seleccionados para [17] operando a 50 kHz
Casos seleccionados para [18] operando a 20 kHz
Casos seleccionados para [18] operando a 50 kHz
Casos seleccionados para [19] operando a 9.6 kHz

51
52
52
52
52

VII

Captulo
MTBF para los casos de [17] operando a 20 kHz
5
Figura 5.2
Figura 5.3
Figura 5.4
Figura 5.5
Figura 5.6
Figura 5.7
Figura 5.8
Figura 5.9
Figura 5.10

MTBF para los casos de [17] operando a 50 kHz


MTBF para los casos de [18] operando a 20 kHz
MTBF para los casos de [18] operando a 50 kHz
% para los dispositivos de [17] operando a 20 kHz
% para los dispositivos de [17] operando a 50 kHz
% para los dispositivos de [18] operando a 20 kHz
% para los dispositivos de [18] operando a 50 kHz
MTBF para los casos de [19] operando a 9.6 kHz
% para los dispositivos de [19] operando a 9.6 kHz

55
55
55
56
56
57
57
58
58
59

VIII

INTRODUCCIN
Una de las principales fuentes de energa secundaria es la electricidad. La
energa elctrica no se encuentra como tal en la naturaleza. Por ello, el proceso para
suministrarla conlleva su generacin a partir de fuentes de energa primaria.
Las ventajas potenciales de la conversin fotovoltaica son muy grandes. Es
limpia, segura y su eficiencia aumenta constantemente. Incluso se asegura que,
una vez solucionados los problemas cientficos y tecnolgicos de los sistemas
fotovoltaicos, su costo ser competitivo con el de otras tecnologas empleadas en la
generacin de energa elctrica.
En trminos generales, un sistema fotovoltaico, est formado por tres
elementos: Celdas fotovoltaicas.
Bancos de bateras.
Etapa de potencia (inversor).
El problema principal en los sistemas fotovoltaicos es su confiabilidad. La
confiabilidad se define como la probabilidad de que un sistema realice la funcin para
la cual fue diseada, bajo condiciones operativas y ambientales especficas, durante un
tiempo determinado. Para conocer la confiabilidad de un sistema se calculan distintos
parmetros, dos de ellos son tiempo promedio a la primera falla (MTFF) y tiempo
promedio entre fallas (MTBF). El valor de dichos parmetros indica la expectativa que
podemos tener de un sistema en trminos de fallas y del tiempo.
El MTFF de los sistemas fotovoltaicos modernos es de cinco aos [1], lo cual
indica que el sistema fallar al menos una vez antes cumplir 43,800 horas de
operacin. Si MTFF=MTBF, entonces el MTBF indica que una vez reparado y puesto
en operacin, el sistema fallar nuevamente antes de 43,800 horas. Los estudios sealan
al inversor como la causa de fallo. La etapa de potencia tiene una MTBF
considerablemente menor al de las celdas fotovoltaicas, siendo la limitante en el tiempo
de vida y, en consecuencia, en la confiabilidad del sistema fotovoltaico.
La meta en la industria de los sistemas fotovoltaicos es disear productos cuyo
MTBF no sea inferior a diez aos ( 87,600 horas) [2]. Dado lo anterior, es evidente la
necesidad de incrementar el tiempo de vida de la etapa de potencia, lo cual lgicamente
llevar a aumentar el tiempo de vida y confiabilidad de los sistemas fotovoltaicos.
Son varias las topologas inversoras empleadas en la industria de los
sistemas fotovoltaicos, aunque en trminos de confiabilidad no se tiene preferencia
clara hacia alguna de ellas.

IX

La mayora de la informacin y mejoras que se han hecho en la confiabilidad de


los inversores se basa en datos de campo. A saber, no existen estudios tericos, al
menos publicados, en los que se determine y compare el desempeo de configuraciones
inversoras tomando como criterio la confiabilidad. De dicha observacin surge el tema y
objetivo de esta tesis.
El objetivo general es realizar un estudio comparativo de algunas topologas
inversoras monofsicas integradas empleadas en sistemas fotovoltaicos con posibilidad
de conexin a la red de tensin alterna, tomando como criterio principal la confiabilidad.
Los objetivos particulares son:
Obtener informacin que permita conocer y mejorar la confiabilidad de algunos
inversores monofsicos integrados empleados en sistemas fotovoltaicos.
Obtener datos de confiabilidad que faciliten la seleccin de una topologa
integrada para una aplicacin dada.
Obtener resultados que ayuden a mejorar la confiabilidad de los sistemas basados
en fuentes de energa no convencionales.
Proponer una metodologa para calcular la confiabilidad de un circuito electrnico
a partir de resultados de simulacin. Encontrar las ventajas y desventajas de
la metodologa propuesta.
En este documento se presenta el desarrollo, resultados y conclusiones, del
trabajo de tesis titulado: Confiabilidad de inversores integrados en sistemas
fotovoltaicos conectados a red.

ABSTRACT
One of the main sources of secondary energy is electricity. Electric energy is not
found as such in nature. For that reason, the process to provide it involves its
generation starting from sources of primary energy.
The potential benefits of the fotovoltaic conversin are huge. It is clean, safe and
its efficiency increases constantly. Furthermore, it ensures that, once solved the scientific
and technological problems of the fotovoltaic systems, the cost will be competitive
with the cost of the other technologies used in the generation of the electric energy.
In general terms, a fotovoltaic system, its form by three
elements: Fotovoltaic cells.
Banks (stacks) of batteries.
Stage of power (inversor).
The main problem in the fotovoltaic systems is its reliability. Reliability is
defined as the probability that a system preformed the function that it was designed
for, under specific operational and environmental conditions, for a specific duration of
time. To know the reliability of a system we calculate several parameters, two of them are
average time at the first failure (MTFF) and average time between failures (MTBF).
The value of such parameters indicates the expectancy of the system we can have in terms
of failure and time.
The MTFF of the modern fotovoltaic systems is 5 years [1], that indicates that
the system will fail at least once before it reaches 43,800 hours of operation. If
MTFF = MTBF, then MTBF indicates that once repaired and back in operation, it will
fail again before it reaches 43800 hours of operation. Studies indicate the inversor is
the reason of failure. The stage of power has a MTBF considerably smaller to the
fotovoltaic cells, being this the life time limitation, and as a consequence, in the
fotovoltaic system reliability.
The goal in the industry of the fotovoltaic systems is to design products with
MTBF no less than then years (87,600 hours) (2). Based on this, it is evident the
necessity to increase the life time of the stage of power, which logically will increase the
life time and reliability of the fotovoltaic systems.
There are several inversor topologies used in the industry of the fotovoltaic
systems, but in terms on reliability there is no clear preference of any of them.
Most of the information and the improvements made in the reliability of
the inversors are based on field data. To my knowledge, there are no theoretic studies, at
least not published, in which have been determined and compared the performance of
inversors configurations taking reliability as the main criterion.

XI

The general objective was to perform a comparative study of some integrated


monophasic inversors used in fotovoltaic systems with the possibility to connect them to
an alternate network, taking reliability as the main factor. The particular objectives were:
To obtain information that will allows to know and to improve the reliability of
some monophasic integrated inversors used in fotovoltaic systems.
To obtain reliability data to facilitate the selection of an integrated topology for a
specific application.
To obtain results that help to improve the reliability of the systems based on nonconventional sources of energy.
To propose a methodology to calculate the reliability of an electronic circuit based
on simulation results. To find the pros and cons of the proposed methodology.

In this document I present the development, results and conclusions of my thesis


work named: Reliability of integrated inversors in fotovoltaic systems connected to a
network.

XII

Captulo 1
ANTECEDENTES
Son muy grandes las ventajas potenciales de la conversin fotovoltaica. Es
limpia, segura y su eficiencia aumenta constantemente. Incluso se asegura que,
una vez solucionados los problemas cientficos y tecnolgicos, su costo ser competitivo
con el de otras tecnologas empleadas para la generacin de energa elctrica.
Actualmente el problema principal en los sistemas fotovoltaicos es su confiabilidad.
De la observacin mencionada al final del prrafo anterior surge el tema
de desarrollo de esta tesis. En el presente captulo se abordan los antecedentes
relacionados con el tema y se expone la propuesta formal de este trabajo de
investigacin titulado: Confiabilidad de inversores integrados en sistemas fotovoltaicos
conectados a red.

1.1 Energa solar


La radiacin solar que alcanza la atmsfera terrestre corresponde a una cantidad
24
de energa de 5 x 10 joules por ao. Considerando los procesos de reflexin y absorcin
en la atmsfera, la radiacin solar que alcanza la superficie terrestre es de
2
aproximadamente un kilowatt/m . El valor energtico medio por ao del flujo solar al
2
nivel de la superficie terrestre vara de 2 KWh/m por da en latitudes como la del norte
2
de Europa a 6 KWh/m por da en latitudes correspondientes a las zonas tropicales.
Esta radiacin puede convertirse en energa elctrica empleando sistemas fotovoltaicos.
La energa solar que llega a la superficie terrestre equivale a 13 000 veces la
produccin mundial actual de energa a partir de combustibles fsiles y uranio. Adems,
en algunas zonas de pases como Mxico, los picos de demanda coinciden con las
horas de mayor insolacin.
Resulta evidente el porqu una buena opcin para solucionar los problemas de
generacin elctrica limpia, econmica y segura, son los generadores basados en
sistemas fotovoltaicos.
Se espera que en un futuro sea tal la capacidad instalada de este tipo de sistemas,
que contribuya en un buen porcentaje a satisfacer las necesidades de energa elctrica en
el mundo. Para lograr esta meta, se requiere mejorar el diseo de los sistemas
fotovoltaicos; es decir, solucionar los problemas cientficos y tecnolgicos que presentan.

ANTECEDENTES

1.2 Sistemas fotovoltaicos


Las aplicaciones de los sistemas fotovoltaicos son diversas. Actualmente, el
campo de aplicacin al que se dirigen es el residencial. A medida que se incrementa la
demanda mundial de energa elctrica, esta aplicacin cobra mayor importancia.
Debido a la evolucin y maduracin de la tecnologa involucrada en los sistemas
fotovoltaicos, su eficiencia ha aumentado y su costo ha disminuido.
Por si mismos, los sistemas fotovoltaicos son considerados en la mayora de los
casos como generadores independientes y, en ciertas circunstancias, como
cogeneradores. Este ltimo caso ocurre cuando al generador le es permitido alimentar
a una carga e inyectar energa a una red elctrica.
Las siguientes son las principales caractersticas con las cuales debe de cumplir
un sistema fotovoltaico[1] :
-Operacin en el punto de mxima eficiencia.
-Simple, robusto, y confiable.
-Formas de onda de alta calidad.
-Respuesta adecuada ante regmenes de operacin anmalos.
En trminos generales,
siguientes elementos:

un sistema

fotovoltaico

est formado

por

los

1. Paneles solares .
2. Banco de bateras.
3. Etapa de potencia (inversor).

1.2.1 Paneles solares


Los paneles solares estn formados por conjuntos de celdas fotovoltaicas
que transforman la energa solar en tensin de corriente directa. Los principales
parmetros que caracterizan a una celda son la tensin y corriente que puede generar.
La capacidad de una celda de suministrar determinada magnitud de tensin
y corriente depende de la temperatura a la cual opere, de la irradiancia, y del material de
que est hecha.
Las celdas estn constituidas principalmente por semiconductores de silicio
monocristalino, silicio policristalino, sulfuro de cadmio o sulfuro de cobre.

ANTECEDENTES
Los mdulos fotovoltaicos estn formados por arreglos de paneles solares; por
lo tanto, sus caractersticas dependen del nmero de paneles y de la forma en la que
estn conectados (serie, paralelo, etc).
Para las celdas, paneles, y mdulos fotovoltaicos existe una condicin de
operacin de potencia mxima, que ocurre bajo determinadas condiciones. A fin de
maximizar su aprovechamiento, es deseable asegurar que los elementos mencionados
se mantengan operando en ese punto.
En el pasado, el precio del mdulo representaba la mayor parte del costo del
sistema fotovoltaico. La disminucin del precio de las celdas ha contribuido a disminuir
el costo de paneles y mdulos, con ello ha aumentado el inters de los consumidores por
este tipo de tecnologa.

1.2.2 Elementos de almacenamiento de energa


Los sistemas fotovoltaicos requieren de sistemas de almacenamiento de energa
elctrica (bateras o condensadores).
Los mdulos fotovoltaicos son elementos de un solo cuadrante, debido a ello la
necesidad de un condensador o batera dentro de un sistema de conversin fotovoltaico.
La explicacin a esta necesidad es sencilla: existen fracciones del tiempo, durante un
ciclo de salida del inversor, donde se producen corrientes de retorno hacia el mdulo.
Como las celdas no pueden absorber dicha corriente, es necesario un dispositivo que s lo
haga y para el caso es adecuado un condensador o una batera.

1.2.3 Inversores
El inversor es una clase especial de convertidor cuya funcin es entregar energa
elctrica en CA, a partir de una fuente de CD. Los inversores se emplean en sistemas
de alimentacin ininterrumpibles, en control de motores, y para resolver problemas
de distorsin en la red elctrica. En general, se puede decir que se utilizan en todas
aquellas aplicaciones donde es necesario tener una tensin de salida de CA controlada.
La funcin de un inversor dentro de un sistema fotovoltaico es proporcionar
tensin en CA a partir de la tensin en CD dada por el mdulo fotovoltaico. En
sistemas fotovoltaicos conectados a red, a la salida del inversor interesa obtener una
forma de onda sinusoidal. Se busca que dicha onda tenga una calidad aceptable y que
cumpla con lo indicado por la normatividad vigente establecida por los organismos
que regulan la conexin de sistemas a red.
La tendencia a la disminucin en el precio de las celdas, paneles, y mdulos
solares, ha implicado que el costo del inversor se vuelva significativo en un sistema
fotovoltaico.

ANTECEDENTES
Esto ha generado la necesidad de proponer alternativas en el diseo que disminuyan el
costo del inversor.

1.3 Propuesta de tesis


1.3.1 Descripcin del problema
Los paneles fotovoltaicos no tienen partes mviles y su mantenimiento es muy
simple. La tasa de fallos de un mdulo fotovoltaico de cuarta generacin es del orden de
1.5 por 10,000 al ao [2]. La mayora de los fabricantes de celdas fotovoltaicas
establecen tiempos de vida para sus productos de al menos 25 aos, dando como garanta
que, despus de 25 aos de uso, la potencia de salida de la celda no ser inferior al 80%
de la potencia obtenida al inicio de su vida til [3]. Todas estas ventajas hacen pensar
que el mdulo fotovoltaico no es la limitante en el tiempo de vida en un sistema
fotovoltaico.
Se ha observado que los sistemas fotovoltaicos tiene un tiempo promedio a la
primera falla (MTFF) de cinco aos [4]. Estudios sistemticos de este tipo de sistemas,
con capacidades entre 2 kW y 4 kW, sugieren que la causa de fallo est
directamente relacionada con el inversor.
De los dos prrafos anteriores se concluye que la etapa de potencia es la limitante
en el tiempo de vida de los sistemas fotovoltaicos. Por lo tanto, es evidente la
necesidad de incrementar el tiempo de vida de los inversores, lo cual lgicamente llevar
a aumentar la durabilidad y confiabilidad de los sistemas en cuestin. La meta en la
industria de los inversores es disear productos para sistemas fotovoltaicos cuyo MTFF
no sea inferior a 10 aos [5].
Si se investigan las
reportado para aplicaciones
variedad. Las caractersticas
ms propensas a fallas que
distintas topologas.

configuraciones monofsicas de inversores que se han


con interconexin a red, se ver que existe una gran
propias de cada configuracin, hacen que algunas sean
otras, sin embargo; no se conoce la confiabilidad de las

1.3.2 Planteamiento del problema


Existe la necesidad de incrementar el tiempo de vida y la confiabilidad de los
inversores utilizados en sistemas fotovoltaicos con interconexin a red. Actualmente son
varias las topologas reportadas para este fin, pero no existe una preferencia clara hacia
alguna de ellas. El problema es que no se sabe qu confiabilidad tiene cada
configuracin. No existen estudios, al menos publicados, en los que se determine la
confiabilidad de configuraciones inversoras. Sin esta informacin resulta muy difcil
seleccionar la mejor topologa para una aplicacin determinada.

ANTECEDENTES

1.3.3 Justificacin
La mayora de las mejoras que se han hecho en confiabilidad de inversores estn
basadas en informacin de campo. A saber, no existen estudios, al menos publicados, en
los que se compare el desempeo de las configuraciones tomando como criterio
principal la confiabilidad.
Se piensa que un estudio de la naturaleza del que se propone facilitar la
seleccin de una topologa para una aplicacin dada. Adems, dar informacin
importante para mejorar la confiabilidad de los inversores.
Se pretende que los resultados del tema de tesis que se est proponiendo sean
aplicables, adems de a los sistemas fotovoltaicos, a otros sistemas basados en fuentes
de energa no convencionales. Objetivo que garantiza, como lo avalan las tendencias
de la industria, la vigencia e importancia, presente y futura, del tema de tesis que se
propone.

1.3.4 Objetivo general


Realizar un estudio comparativo de algunas topologas inversoras
monofsicas integradas empleadas en sistemas fotovoltaicos con conexin a la red de
tensin alterna, tomando como criterio principal la confiabilidad.

1.3.5 Objetivos particulares


Obtener informacin que permita conocer y mejorar la confiabilidad de algunos
inversores monofsicos integrados empleados en sistemas fotovoltaicos.
Obtener datos de confiabilidad que faciliten la seleccin de una topologa
integrada para una aplicacin dada.
Obtener resultados que ayuden a mejorar la confiabilidad de los sistemas basados
en fuentes de energa no convencionales.
Proponer una metodologa para calcular la confiabilidad de un circuito electrnico
a partir de resultados de simulacin. Encontrar las ventajas y desventajas de
la metodologa propuesta.

1.3.6 Propuesta
Realizar un estudio comparativo de algunas configuraciones inversoras
monofsicas integradas aplicadas en sistemas fotovoltaicos con posibilidad de
conexin a la red de tensin alterna. La confiabilidad de los inversores ser considerada
el criterio relevante en el estudio.

ANTECEDENTES

1.3.7
Alcances
Se estudiarn y compararn algunas de las topologas inversoras
monofsicas integradas aplicadas en sistemas fotovoltaicos, eligiendo aquellas que
presentan el mayor nmero de ventajas. El anlisis de confiabilidad se har segn la
metodologa MIL-HDBK217 FN2. Los resultados del anlisis sern predicciones basadas en mtodos
probabilsticos. Los inversores
seleccionados se disearn con base en una
especificacin comn, y su funcionamiento se comprobar a travs de simulacin. No
se har una implementacin fsica de los diseos.

1.3.8
Aportaciones
El estudio propuesto aportar informacin sobre la confiabilidad de las
configuraciones que se estudien. Las conclusiones y resultados del tema de tesis
permitirn conocer cules son los elementos con mayor impacto en la confiabilidad de
las topologas. Adems, darn criterios que facilitarn la seleccin de una configuracin
para una aplicacin particular. Los datos obtenidos sern tiles para aumentar la
confiabilidad y tiempo de vida de los inversores, en particular, en su aplicacin a
sistemas fotovoltaicos. Se espera que las conclusiones sean aplicables a sistemas
basados en fuentes de energa no convencionales. Otra aportacin relevante ser
encontrar cules son las ventajas, las desventajas y la problemtica de la
metodologa propuesta. Las conclusiones de la tesis contribuirn directamente con
las siguientes metas:
1.
Aumentar la confiabilidad de los sistemas
fotovoltaicos.
2.
Aumentar la confiabilidad de los inversores.
3.
Disear un inversor universal con una MTFF no menor a 10
aos.

1.3.9
Metodologa
La siguiente es la metodologa propuesta para el desarrollo de la
tesis:
1. Seleccin de los inversores a incluir en el
estudio.
2. Determinacin de las condiciones de
diseo.
3. Diseo de los inversores con base en las ecuaciones proporcionadas en los
artculos.

4. Obtencin de los patrones de conmutacin a partir de las funciones de transferencia


CD- CD.
5. Simulacin
inversores.

en

PSIM

de

los

6. Empleando el programa computacional RELEX, calcular los parmetros de


confiabilidad de los inversores diseados y simulados.

ANTECEDENTES
7. Anlisis y comparacin de resultados.
8. Conclusiones.
Es importante resaltar la fuerte dependencia que tiene esta metodologa con
respecto al xito en la simulacin de los convertidores. Sin datos de simulacin no
ser posible calcular la confiabilidad de los circuitos electrnicos.

1.4 Estado del arte


Como se ha mencionado no existen, al menos publicados, estudios con las
caractersticas del que se propuso. La revisin del estado del arte as lo indica.
Los objetivos principales de los siguientes prrafos son:
1. Sustentar la inexistencia de estudios tericos de confiabilidad en inversores
monofsicos integrados aplicados en sistemas fotovoltaicos conectados a red.
2. Encontrar los temas de estudio de mayor inters sobre inversores monofsicos
integrados diseados para sistemas fotovoltaicos.
3. Evidenciar, con base en las tendencias y necesidades de la industria, la importancia
del tema de tesis propuesto.

1.4.1 Criterios de comparacin


Despus de una bsqueda en la base de datos IEEExplore de publicaciones
relacionadas con topologas inversoras monofsicas integradas empleadas en
sistemas fotovoltaicos, se seleccionaron las referencias [4-22]. Del anlisis de estos
artculos se obtuvo la informacin necesaria para conocer cules son los temas
actuales de investigacin en el tema de topologas inversoras monofsicas integradas
diseadas para sistemas fotovoltaicos. Se concluy que los temas actuales de
investigacin son:
a. Costo.
b. Nmero de elementos utilizados en la topologa.
c. Uso o no de transformador.
d. Aislados o no aislados.
e. Nmero y tipo de etapas de conversin.
f. Esfuerzos sufridos por los dispositivos de conmutacin.
g. Intervalo de operacin de voltaje de entrada.
h. Tamao del capacitor de aislamiento.
i. Algoritmos utilizados para sintetizar la forma de onda sinusoidal.
j. Eficiencia.
k. Complejidad del diseo.
l. THD de la forma de onda inyectada a la red.

ANTECEDENTES
De las referencias estudiadas, el conjunto formado por [10], [12], [13], [8], [14],
[15] y [11] se considera el ms representativo en cuanto a inversores
monofsicos integrados. En la siguiente tabla se indica cules de los temas actuales de
investigacin son los ms estudiados. Las cruces indican que en la referencia se aborda
determinado criterio como tema de investigacin. Los espacios en blanco indican lo
contrario.
Tabla 1.1 Criterios de comparacin
Criterio de comparacin
estudiado
a
b
c
d
e
f
g
h
i
j
k
l

[10]
X

[12]
X

X
X
X
X
X
X
X
X

X
X

[13]
X
X
X
X
X
X
X
X
X

Referencia
[8] [14] [15]
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X

[11]
X
X
X
X
X
X
X
X
X

6
2
5
5
5
3
6
3
3
7
6
3

De los temas actuales de investigacin en inversores monofsicos


integrados aplicados a sistemas fotovoltaicos, los ms estudiados son (ver tabla 1.1):
a. Costo.
c. Uso o no de transformador.
d. Aislados o no aislados.
e. Nmero y tipo de etapas de conversin.
g. Intervalo de operacin de voltaje de entrada.
j. Eficiencia
k. Complejidad del diseo.
La confiabilidad no figura como tema abordado en los artculos. A saber, no
existe un trabajo publicado en el cual se estudie explcitamente el tema de confiabilidad.
La informacin dada en los artculos [8], [10], [11], [12], [13], [14] y [15] lleva a
las siguientes conclusiones:
Se busca que las configuraciones sean del menor precio posible.
No se tiene una preferencia clara hacia las configuraciones con o sin transformador.
Es necesario que los inversores aslen elctricamente los mdulos fotovoltaicos
de
la red elctrica, aunque no se tiene preferencia clara hacia un mtodo especfico.

ANTECEDENTES

No existe una preferencia clara entre configuraciones de una etapa o varias


etapas.
Se tienen varias opciones para aumentar el intervalo de voltaje de entrada,
aumentar la eficiencia, disminuir las prdidas por conmutacin y mantener
razonable la complejidad del diseo. Sin embargo, tampoco existe una
preferencia clara hacia alguna configuracin.
Finalmente, de la revisin del estado del arte se concluy que:
Existen objetivos claros a alcanzar en la industria de los inversores monofsicos
integrados.
Se han propuesto varias topologas para alcanzar las metas, pero no existe una
tendencia clara hacia una topologa o grupo de topologas.
En funcin de sus caractersticas no se tiene clara la aplicacin idnea para una o
un conjunto de topologas de inversores.
La confiabilidad no figura como tema de estudio en artculos referentes a
inversores monofsicos integrados diseados para sistemas fotovoltaicos.
Aumentar la confiabilidad es una de las dos metas principales de la industria de
los inversores, resulta lgica la necesidad de realizar un estudio de confiabilidad aplicado
a al menos algunas topologas inversoras (topologas inversoras monofsicas integradas).
Las conclusiones surgidas del estudio del estado del arte reafirman la relevancia
e importancia de desarrollar un estudio con las caractersticas del que se propuso.

Captulo 2
SELECCIN DE TOPOLOGAS
Para seleccionar las topologas a incluir en el estudio, se realiz una bsqueda y
revisin bibliogrfica relacionada con las topologas inversoras propuestas para
sistemas fotovoltaicos monofsicos. El objetivo de este captulo es presentar en resumen
el conjunto de informacin analizada, y las conclusiones a las que se llegaron.

2.1 Evolucin de los inversores para sistemas


fotovoltaicos
La evolucin de los inversores para sistemas fotovoltaicos est ligada al
desarrollo de la tecnologa en celdas, paneles, y mdulos. En un sistema fotovoltaico la
fuente de CD esta formada por arreglos de paneles. El tipo de arreglo determina la
magnitud de la tensin generada, y en buena medida el tipo de control a utilizar para
obtener la potencia mxima del mdulo fotovoltaico. Por lo tanto, es evidente que la
topologa inversora en un sistema fotovoltaico depender del tipo de arreglo de paneles.
A continuacin se aborda el tema de la evolucin de los inversores y su relacin con los
paneles y mdulos solares.

2.1.1 Inversores centrales


En la dcada de los 80s y hasta mediado de los 90s la mayora de los
inversores disponibles en el mercado eran inversores centrales auto-conmutados o
conmutados a partir de la tensin de lnea. Esta clase de inversores tienen como fuente
de CD arreglos en los que los paneles solares estn conectados en serie, formando
cadenas, y
las cadenas
conectadas en paralelo formando as el mdulo fotovoltaico (figura 2.1).

Inversor central

Cadena
1-5 kW

Figura 2.1 Sistema fotovoltaico central

10

SELECCIN DE
TOPOPLOGAS
Los inversores centrales diseados para sistemas fotovoltaicos se pueden
clasificar como se indica en el siguiente diagrama:
Con transformador
Inversores centrales auto conmutados
Sin transformador
Inversores centrales
Con transformador
Inversores centrales conmutados a
partir de la tensin de lnea
Sin transformador
La mayora de los sistemas fotovoltaicos con esta tecnologa que permanecen en
el mercado incluyen inversores auto-conmutados con y sin transformador. Cuando
la topologa incluye transformador, ste opera a la frecuencia de la lnea. En las figuras
2.2 y
2.3 se muestran topologas tpicas de inversores centrales sin y con transformador.

Arreglo de
paneles
solares

Filtro

Figura 2.2 Sistema fotovoltaico con inversor auto conmutado sin transformador

Arreglo de
paneles
solares

Filtro

Figura 2.3 Sistema fotovoltaico con inversor auto-conmutado con transformador


11

SELECCIN DE
TOPOPLOGAS
Como se ve en las figuras 2.2 y 2.3, los inversores centrales son del tipo puente
completo. Para controlar el disparo de los interruptores del puente se emplea la
modulacin por ancho de pulso (PWM). La frecuencia de conmutacin de los
dispositivos semiconductores vara en el intervalo de 16 a 20 kHz. Empleando el
mtodo PWM se invierte la corriente de CD proporcionada por las celdas y se le da
una forma de onda sinusoidal con la calidad necesaria para inyectarse a la red.
Dependiendo de la magnitud de la tensin generada por el arreglo de paneles solares, el
puente completo desarrolla una funcin de transferencia especfica.
Se considera que los sistemas fotovoltaicos basados en inversores centrales son
una tecnologa barata, con un buen grado de madurez, robustos, eficientes, de alta
confiabilidad, y con los cuales se logra un precio bajo por Watt generado. Otra ventaja de
estos sistemas es que con el arreglo de paneles solares se puede generar la tensin
necesaria para prescindir del uso del transformador.
Las desventajas de los sistemas fotovoltaicos centrales se hicieron evidentes a
partir de estudios publicados en los primeros aos de los 90s; las siguientes son las
principales:
Se requiere de cableado de alta tensin, lo cual incrementa el costo y disminuye
la seguridad. Al manejar alta tensin existe la posibilidad de que se presente un
arco elctrico entre los conductores del cableado de CD.
No existe una operacin independiente de secciones dentro del arreglo de
paneles. Lo anterior impide lograr el punto mximo de potencia en cada una de las
secciones que forman el arreglo.
En cuanto a la conexin de paneles en serie. Si la radiacin solar en alguno de
los paneles de una cadena disminuye, entonces este operar como una carga,
con la consecuente disminucin en la potencia generada por la cadena.
Adems, el sombreado parcial o total de un panel colocado en una cadena
ocasiona un incremento en su temperatura. Esto es una desventaja
importante, ya que un sobrecalentamiento del panel ocasiona rpidamente una
disminucin en su tiempo de vida.
En cuanto a la conexin de cadenas en paralelo, si el voltaje generado por alguna
de las cadenas disminuye, necesariamente el voltaje de entrada al inversor
disminuir.
Poca flexibilidad. Debido a la magnitud de la potencia (1-5 kW) no es factible
realizar modificaciones en el sistema; adems, se requiere de un diseo diferente
para cada instalacin.
No existe la posibilidad de produccin en masa; por esta razn en trminos de
comercializacin masiva el costo de manufactura puede ser elevado comparado
con otras opciones.

12

SELECCIN DE
TOPOPLOGAS
Las caractersticas de las desventajas mencionadas nos llevan a concluir que su
origen se encuentra en la topologa del arreglo de paneles empleado. En el siguiente
punto se presenta el siguiente eslabn en la cadena de la evolucin de los sistemas
fotovoltaicos.

2.1.2 Inversores para cadena


Los sistemas fotovoltaicos centrales representan el pasado en la evolucin de los
sistemas fotovoltaicos. El presente son los sistemas fotovoltaicos de cadena (figura 2.4) .
Inversor de cadena
Cadena

0.5 - 1 kW

Figura 2.4 Sistema fotovoltaico de cadena


Los inversores empleados en sistemas fotovoltaicos de cadena tienen como
fuente de CD un arreglo en serie de paneles solares. La tensin generada por el arreglo
puede ser suficiente para evitar incluir un transformador en la topologa inversora; sin
embargo, en la mayora de los casos se emplea un transformador de alta frecuencia (ver
figura 2.5).
Transformador de alta
frecuencia

Puento conmutado a
alta frecuencia

Cadena
Filtro

Inversor conmutado a
frecuecia de linea

Figura 2.5 Sistema fotovoltaico de cadena con transformador de alta frecuencia

13

SELECCIN DE
TOPOPLOGAS
Tambin existen topologas diseadas con transformadores de frecuencia de lnea,
y sin transformador. En este ltimo caso es comn que la topologa incluya un
convertidor CD/CD, el cual se emplea como medio para ajustar el voltaje proporcionado
por las celdas.
Emplear topologas con transformador de frecuencia de lnea tiene algunas
ventajas. Una de las ms importantes es que permite emplear dispositivos
semiconductores de bajo voltaje en la implementacin del puente. Los dispositivos
MOSFET de bajo voltaje son idneos para esta aplicacin. Los MOSFET de bajo
voltaje son ampliamente usados en aplicaciones automotrices, lo que permite su
produccin en masa y los hace dispositivos de bajo costo. En cuanto al control, este tipo
de topologas permite que se realice en el lado de baja potencia, lo cual simplifica su
implementacin.
La principal ventaja de incluir un transformador es disminuir la magnitud de la
tensin de CD demandada al mdulo fotovoltaico, y con ello el nmero de
paneles conectados en serie. La magnitud de la tensin en topologas con
transformador est generalmente en el intervalo de 30 a 150 V. Al disminuir el nmero
de paneles disminuye el costo del sistema, y al disminuir la tensin de CD se simplifica el
cableado y aumenta la seguridad. Las desventajas de incluir un transformador son el
peso, el volumen y el costo que aade al inversor.
No obstante, algunos fabricantes optan por topologas con transformadores de
alta frecuencia, las que permiten disminuir el tamao de los componentes magnticos y el
costo del inversor. La mayora de este tipo de topologas estn formadas por ms de una
etapa de conversin. A medida que aumenta el nmero de etapas de conversin, la
eficiencia del inversor disminuye y crece la complejidad del control.
Las principales ventajas de los sistemas fotovoltaicos para cadena son:
Cada cadena se puede controlar de forma tal que opere en el punto de potencia
mxima.
Flexibilidad y posibilidad de incrementar el tamao del sistema conectando las
salidas de varios sistemas a un mismo punto.
Minimiza el cableado de CD.
Permite el concepto de insercin en lnea. No se requiere de un personal
calificado para realizar la insercin de los sistemas.
Existe la posibilidad de produccin en masa.
Eficientes.

14

SELECCIN DE
TOPOPLOGAS
Las principales desventajas de los sistemas fotovoltaicos centrales
son: Alto costo por Watt generado.
En caso de fallo resulta costoso el reemplazo del inversor.
Dependiendo de las normas de seguridad, el costo del sistema se puede
incrementar. No se elimina el problema del aumento de temperatura en los paneles
en los cuales
disminuye la radiacin solar.
Los sistemas fotovoltaicos de cadena son la versin reducida de los
sistemas centrales. Se introdujeron en el mercado a mediados de los 90s, justo
cuando las desventajas de sus predecesores quedaron en evidencia.
La cantidad de topologas propuestas para sistemas fotovoltaicos de cadena
aumenta con respecto a las propuestas para sistemas centrales. Al modificarse el arreglo
de paneles solares, disminuye la tensin de salida obtenida y cobra importancia el diseo
del inversor. La investigacin fuerte en torno a sistemas fotovoltaicos de cadena empez
a mediados de los 90`s. Los avances en el campo de los semiconductores y de los
filtros han permitido lograr eficiencias para los inversores de cadena en el intervalo del 94
al 97%.
Actualmente la industria de los inversores est interesada en seguir mejorando la
eficiencia y en disminuir el costo de los sistemas de cadena. Esto a travs de dos
conceptos: sistemas fotovoltaicos multicadena (figura 2.6) y sistemas fotovoltaicos
trabajando en equipo (figura 2.7).
+

Inversor Central

Cadena
I

Cadena
II

Cadena
III

1-5 kW

Figura 2.6 Sistema fotovoltaico multicadena

15

SELECCIN DE
TOPOPLOGAS

Cadena
I

Cadena
II

CD

Cadena
III

CD

AC

Cadena
IV

CD

AC

AC

CD
AC

Inversor de
cadena
AC

Conexin para trabajo en equipo

Figura 2.7 Sistema fotovoltaico conectado para trabajo en equipo (amo-esclavo)


Se ha visto que el precio por Watt producido por los sistemas fotovoltaicos de
cadena es elevado. Se espera que las opciones mostradas en las figura 2.6 y 2.7
permitan producir energa elctrica a un menor precio. En la topologa de la figura 2.6 se
emplea el concepto de sistemas en cadena en conjunto con el concepto de sistema
central. En la topologa de la figura 2.7 se emplea el concepto sistema en cadena en
conjunto con el de trabajo en equipo (operacin amo-esclavo).
Se piensa que las tendencias anteriores son el futuro de los sistemas fotovoltaicos
de alta potencia. En baja potencia existe otra tendencia, considerada como el futuro de
los sistemas fotovoltaicos en baja potencia. Se trata de los mdulos de CA.

2.1.3 Inversores para mdulos de CA


Un mdulo de CA est formado por un panel y un inversor (figura 2.8). A su vez,
un panel tpico est formado por 36 o 72 celdas solares, con una tensin de salida en
circuito abierto de 18 V a 26 V, y de 38 V a 46 V respectivamente.
Mdulo de AC
(0.1 - 0.5 kW)

DC

DC
AC

DC
AC

AC

Figura 2.8 Mdulos de CA conectados en paralelo


16

SELECCIN DE
TOPOPLOGAS
El concepto de mdulo de CA reduce costos de manufactura como resultado de
favorecer la produccin en masa, y es una versin simplificada de los sistemas
fotovoltaicos de cadena.
La principal ventaja de este enfoque es que de cada mdulo se puede obtener la
mxima potencia posible. Los mdulo de CA tpicos se disean para obtener una
potencia de salida en el intervalo de 0.1 a 0.5 kW. Para lograr potencias mayores se
conectan varios mdulos de CA en paralelo.
Los mdulos de CA presentan las ventajas de los sistemas de cadena, y adems
eliminan el problema de sobrecalentamiento en los paneles debido a la disminucin en
la magnitud de la radiacin solar. Sin embargo, incluyen el resto de las desventajas:
Alto costo por Watt generado.
En caso de fallo resulta costoso el reemplazo del inversor.
Dependiendo de las normas de seguridad, el costo del sistema se puede
incrementar.
Las desventajas anteriores indican claramente lo que se debe hacer para
continuar con el desarrollo de los sistemas fotovoltaicos: disminuir su costo y
aumentar su confiabilidad. De ello depende su xito comercial. Las tendencias indican
que el futuro de los sistemas fotovoltaicos en alta y baja potencia son los esquemas
mostrados en la figuras
2.7 y 2.8 respectivamente. Son evidentes las similitudes entre los esquemas. Por lo
tanto,
las conclusiones surgidas de estudios realizados en cualquiera de ellos contribuirn al
avance de ambos.
En trminos de anlisis de confiabilidad en inversores, el esquema de baja
potencia presenta un gradiente adecuado para iniciar un estudio de este tipo. Al finalizar
el estudio de la evolucin de los inversores queda clara la estrecha relacin entre
el arreglo fotovoltaico y las caractersticas del inversor a emplear. Se ha justificado
porqu el objeto de estudio adecuado al tema de tesis son los mdulos de CA. El siguiente
paso es investigar las topologas inversoras que se han propuestos para mdulos de CA.

2.2
Configuraciones
mdulos de CA

para

La tensin de CD dada por los paneles de un mdulo de CA est en el intervalo de


18V a 46 V. Para poder inyectar corriente a la red a partir de esta tensin es necesario
elevarla. Una de las funciones del circuito de potencia es esa. Se ha propuesto un buen
nmero de topologas inversoras para mdulos de CA. En los siguientes prrafos de
este apartado se presenta la informacin que permiti seleccionar las configuraciones a
incluir en el estudio.

17

SELECCIN DE
TOPOPLOGAS

2.2.1 Funciones bsicas del circuito de potencia


Para que, a partir de una tensin de CD, un circuito de potencia pueda inyectar
una corriente de CA a la red, debe de cumplir con las siguientes funciones bsicas:
1. A partir de un voltaje de entrada de CD, que puede ser variable, proporcionar
una corriente alterna de salida. La corriente alterna deber de seguir lo ms
posible la forma de onda de voltaje y frecuencia de la red elctrica.
2. Dar una tensin de salida de calidad, con caractersticas tales que tenga una
THD
baja.
3. Proteger los mdulos y sistemas electrnicos del sistema fotovoltaico contra
condiciones anormales de operacin en la red elctrica. Proteger la red elctrica
contra condiciones anormales de operacin del sistema fotovoltaico.
4. Contribuir a operar confiablemente las celdas en el punto de mxima potencia
o de mxima eficiencia.
Las acciones bsicas que debe de desarrollar un inversor para cumplir con las
funciones mencionadas son:
1. Elevar la tensin de CD proporcionada por los paneles
solares.
2. Modular la tensin de CD para obtener una forma de onda sinusoidal de
CA.
3. Contar con mecanismos de protejan al sistema fotovoltaico, a la red y al
usuario.
La esencia de las funciones y acciones con las que debe de cumplir un inversor
es transformar la energa dada por la fuente de CD, de forma tal que pueda ser inyectada
a la red. La transformacin se puede desarrollar en una o en varias etapas.

2.2.2 Configuraciones monoetapa


En una configuracin monoetapa se eleva la tensin de CD, y se modula para
lograr la onda sinusoidal de CA. Basados en el nmero de dispositivos de
conmutacin, las configuraciones monoetapa pueden clasificarse como sigue:
1) Configuraciones con cuatro dispositivos de conmutacin.
2) Configuraciones con seis dispositivos de conmutacin.
Una de las ventajas de la configuracin con seis dispositivos de conmutacin
sobre la de cuatro es que facilita la puesta a tierra del sistema fotovoltaico y de la red
elctrica (doble puesta a tierra).

18

SELECCIN DE
TOPOPLOGAS
Ventajas de una configuracin monoetapa
-Topologa simple.
-Pocos componentes.
-Robusta.
-Alta confiabilidad.
-Eficientes.
-Bajo costo.
Desventajas de una configuracin monoetapa
-La mayora emplean transformadores de
lnea.
-Voluminosas
y
pesadas.
-Capacidad de potencia de salida limitada. Incrementar la capacidad de potencia
tiene como consecuencia someter a los dispositivos de conmutacin a picos de
corriente de magnitud elevada. La capacidad de estos sistemas est limitada
debido a consideraciones de costo y tamao.
-Comprometen la calidad de la energa
subministrada.
-Intervalo de operacin de voltaje de entrada
limitado.
La tendencia en las configuraciones monofsicas es a no emplear transformador
y, de ser necesario, utilizar transformadores de alta frecuencia. La mayora de
las configuraciones monoetapa se basan en los principios de operacin de los
convertidores CD/CD boost o buck-boost. Este tipo de circuitos usan inductores o al
transformador flyback para almacenar energa y brindar aislamiento elctrico.
La principales desventajas de las topologas monoetapa desparecen cuando se les
aplica en baja potencia o se sustituye el transformador de lnea por uno de alta
frecuencia. Las ventajas que presentan este tipo de topologas indican que son la mejor
opcin para los mdulos fotovoltaicos de CA. Por lo tanto, sern configuraciones
monofsicas las que se incluirn en el estudio.
Despus de comparar las diferentes topologas monoetapa propuestas
para inversores monofsicos conectados a red, se seleccionaron algunas para incluir
en el anlisis de confiabilidad.

2.3Topologas
seleccionadas
Existen distintas topologas que cumplen con las caractersticas buscadas. Para
seleccionarlas se revisaron topologas propuestas por distintos investigadores. Como es
de esperarse, cada autor destaca las caractersticas de su topologa y la menciona como
la mejor opcin. Para la seleccin, el criterio que se tom fue la claridad del
procedimiento de diseo dado en la referencia correspondiente.

19

SELECCIN DE
TOPOPLOGAS
Despus de estudiar, comparar, y analizar la claridad de los procedimientos de
diseo de diferentes topologas monofsicas integradas, propuestas para
sistemas fotovoltaicos conectados a red, se seleccionaron las mostradas en las figuras 2.92.12.

Carga

M2
TM2
C1

M3

DM2

V1

TM3

L1
M1

TM1

L2

C2

V2

M4

VS

DM1

DM3

TM4

DM4

Figura 2.9 Inversor elevador de cuatro interruptores por Cceres y Barbi [17]

M3

M2
DM2

TM2

Vs

TM3

L1

M1
TM1

DM1

DM3

L2

V1

C1

V2

M1

C2

DM4

TM4

Vo
Carga

Figura 2.10 Inversor reductor-elevador de cuatro interruptores de conmutacin por


Vzquez et al.[18]
T1

T2
D1

C1

L1

C2

L2
T3

D2
T4

Figura 2.11 Inversor reductor-elevador de cuatro dispositivos de conmutacin por Kasa


et al. [19]

20

SELECCIN DE
TOPOPLOGAS

Lf

Sflyback1
Ssynchronous

Dfb1

SAC1
1:n:n

Cf

Cs

Cin

SAC2

buck-boost

Sflyback2

Figura 2.12 Inversor flyback por Kjaer y Blaabjerg [20]

Un aspecto importante para el desarrollo de la tesis es la seleccin correcta de


las topologas. El estudio realizado permiti seleccionar las que se crey eran las
ms adecuadas. Las cuestiones surgidas en torno a su diseo y simulacin se comentan
en los apartados pertinentes.

21

Captulo 3
DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES
Una vez seleccionadas las topologas a incluir en el estudio, el siguiente paso
fue encontrar las especificaciones de diseo. Dadas las especificaciones, se
disearon y simularon las topologas. En el presente captulo se abordan ambos temas.

3.1 Especificaciones de
diseo
El conjunto de especificaciones de diseo para cada convertidor est formado por
los siguientes parmetros:
Tensin de entrada. La magnitud de la tensin de entrada est dada por el arreglo
de paneles solares. La tensin tpica proporcionada por un arreglo de paneles
solares diseado para alimentar un inversor integrado es de 48 V. Por lo tanto, se
eligi 48
V como tensin de entrada.
Tensin eficaz de salida. El valor de este parmetro est en funcin de
las caractersticas de la lnea a la cual se quiere conectar el sistema fotovoltaico.
Por las caractersticas de la red en Mxico el valor de la tensin eficaz de salida
es de 120
Vrms.
Potencia
eficaz de salida. Los sistemas fotovoltaicos con inversores
monofsicos integrados se consideran de baja potencia. La potencia generada
por este tipo de sistemas esta en el intervalo de unos cuantos hasta 500 W. Por
las implicaciones obvias se escogi 500 W como la potencia nominal deseada.
Frecuencia de conmutacin. Donde la informacin dada en la referencia lo
permiti, se simul y dise cada convertidor a tres frecuencias: 10 kHz, 20 kHz,
50 kHz. En caso contrario se simul segn las condiciones de diseo indicadas
en el artculo fuente.

22

DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES

3.2 Diseo del convertidor elevador [17]


En la figura 3.1 se muestra el convertidor propuesto por Cceres y Barbi [17]. En
el siguiente apartado se explica la forma de operacin del convertidor en la variante
de inversor.
Carga

M2
TM2
V1

L1

M1
TM1

DM3

TM3

DM2

C1

M3

DM1

L2

V2

M4

Vin
TM4

Convertidor A

C2

DM4

Convertidor B

Figura 3.1 Inversor elevador [17]

3.2.1 Forma de operacin


El inversor elevador est formado por dos convertidores elevadores
bidireccionales CD/CD, a los cuales identificaremos como convertidor A y convertidor
B. Ambos operan en modo de conduccin continuo, y conmutan de manera
independiente. Las seales de conmutacin deben de ser tales que la tensin de salida
de cada convertidor sea una sinusoide a 60 Hz montada sobre una componente de
tensin continua VCD. La sinusoide dada por el convertidor B debe de estar defasada
180 con respecto a la generada por el convertidor A.
Para generar el semiciclo positivo operan TM1 y DM2 del convertidor A, del
convertidor B operan TM3 y DM4. Para generar el semiciclo negativo operan TM2 y
DM1 del convertidor A, del convertidor B operan TM4 y DM3.
Para obtener una tensin sinusoidal en la carga con un valor pico Vop , la tensin
sinusoidal producida por cada rama del inversor debe tener un valor pico igual a Vop / 2 .

3.2.2 Ecuaciones de diseo


Las ecuaciones de diseo para dimensionar L1=L2=L y C1=C2=C son:

DmaxVin
f s (0.22I LP )

(3.1)

23

DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES

Dmax 2Po
f s (0.02Vap )Vop

(3.2)

En el apndice A se detalla el procedimiento de diseo y se aclara lo referente a


la nomenclatura de las ecuaciones anteriores.
La magnitud de los inductores y capacitores da informacin suficiente para, una
vez obtenidos los tiempos de conmutacin, realizar la simulacin.

3.2.3 Clculo de L y C
Las ecuaciones (3.1) y (3.2) hacen posible calcular los valores de L y C para
diferentes condiciones de diseo. Para los fines de este trabajo, el parmetro de diseo
a variar es la frecuencia de conmutacin ( f s ). En la tabla 3.1 se muestra el valor de L y
C para los valores de inters.
Tabla 3.1 Valores de L y C para el inversor elevador [17]
10 kHz
20 kHz
50 kHz
fs
636.37 H
105.5 F

L
C

318.19 H
52.74 F

127.27 H
21.09 H

3.3 Diseo del convertidor reductor-elevador [18]


En la figura 3.2 se muestra el convertidor propuesto por Vzquez et al [18]. En el
siguiente apartado se explica su forma de operacin en la variante de inversor.

3.3.1 Forma de operacin


La topologa est formada por dos convertidores CD/CD reductoreselevadores bidireccionales conectados a la carga en modo diferencial. Su forma de
operacin es similar al circuito de la figura 3.1.

DM2

TM2

DM1

M1

M3

L
TM1

TM3

DM3

Vin

M2

Carga

TM4

DM4
M4

Figura 3.2 Inversor reductor-elevador de cuatro interruptores por Vzquez et al.[18]

24

DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES
En este caso los primeros convertidores unidireccionales en entrar en operacin
son el 1 y el 2, los cuales generan el semiciclo positivo de la forma de onda
sinusoidal de salida; los convertidores 3 y 4 generan el semiciclo negativo. Ambos
operan en modo de conduccin continuo.

3.3.2 Ecuaciones de diseo


En este caso las ecuaciones de diseo son:
L

DmaxVin
f s (0.22I LP )

(3.3)

Dmax 2Po
f s (0.02Vap )Vop

(3.4)

En el apndice B se detalla el procedimiento para obtener (3.3) y (3.4), y se aclara


lo referente a su nomenclatura.

3.3.3 Clculo de L y C
Las ecuaciones (3.3) y (3.4) hacen posible calcular el valor de L y C para
diferentes condiciones de diseo. En la siguiente tabla se muestra el valor de L y C
para distintos
valores de f s .
Tabla 3.2 Valores de L y C para el inversor reductor-elevador [18]
10 kHz
20 kHz
50 kHz
fs
L
C

636.37 H
135.33 F

318.19 H
67.66 F

127.27 H
27.07 F

3.4 Diseo del convertidor reductor-elevador [19]


La figura 2.11 muestra el convertidor propuesto por Kasa et al en [19]. Este
inversor esta formado por dos convertidores CD/CD tipo reductor-elevador
conectados en antiparalelo a la carga. Ambos operan en modo de conduccin
discontinuo. Uno de ellos (convertidor 1) est formado por T1, C1,L1, T2, D1. El otro
(convertidor 2) est compuesto por T3, C2, L2, T4, D2.

3.4.1 Forma de operacin


La operacin del convertidor se divide en cuatro etapas. La primera y segunda
genera el semiciclo positivo de la forma de onda sinusoidal. La tercera y cuarta el
semiciclo negativo. En la primera el semiconductor T1 del convertidor 1 est
encendido, mientras

25

DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES
que T2, T3 y T4, apagados. En la segunda el semiconductor T2 del convertidor 1 esta
encendido y el resto de los dispositivos de conmutacin apagados. En la tercera el
semiconductor T3 del convertidor 2 est encendido, T1, T2 y T4 apagados. En la cuarta
T4 del convertidor 1 est encendido, el resto de los semiconductores apagados.

3.4.2 Ecuaciones de
diseo
Las ecuaciones de diseo presentadas en la referencia [19] son:
L

VCAVCD

2VCA )2 (2sen2

4NfI CA (VCD

sen 2

(3.5)

1)

2VAC I ACsen p
2
V )
Nf (2VAC 2

(3.6)

El anlisis presentado en [19] no indica el significado del trmino sen 2 , por lo


p
tanto no fue posible emplear (3.5) y (3.6) para obtener L y C a distintas frecuencias. En
este caso se opt por simular con los valores de L y C reportados en [19].

3.4.3 Clculo de L y C
Las ecuaciones (3.5) y (3.6) no permiten escalar el procedimiento de diseo a
distintas frecuencias. En este caso los valores de L y C empleados para simular son los
reportados en [19]:
Tabla 3.3 Valores de L y C y parmetros de diseo para el inversor elevador [19]
L1
26 Mh

L2
26 mH

C
12 Uf

VCA
100 V

VCD
48 V

F
60 Hz

N
80

Pout
500 W

Fc
9.6 kHz

3.5 Diseo del convertidor elevador [21]


Para verificar el procedimiento de diseo se simul el convertidor propuesto
segn la informacin dada en [21], el resultado no fue exitoso. Dado lo anterior, este
convertidor se dej fuera del estudio. La metodologa propuesta se sigui hasta el punto
4. Las pruebas realizadas indican muy posible el hecho de que el simulador llegue a
problemas de convergencia. En la informacin presentada en [21] se encontr ausencia de
informacin, lo cual hace poco claros algunos puntos del artculo. Esto ltimo
contribuy a no encontrar solucin al problema de simulacin.

3.6 Simulacin
Para simular se construyeron tablas de disparo para los interruptores de los
distintos convertidores. Cada tabla de disparo est formada por el patrn de conmutacin
adecuado

26

DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES
para lograr la forma de onda de salida deseada. Los valores de las tablas se obtuvieron
de las funciones de transferencia CD/CD de los convertidores unidireccionales CD/CD
que integran los distintos inversores.
Para simular se emple el programa PSIM, el cual incluye una herramienta que
permite incluir tablas de disparo.
En la simulacin de los inversores reportados en [17] y [18] se conmut slo
uno de los convertidores bidireccionales, el restante se sustituy por una fuente
sinusoidal montada sobre una componente de CD.
El inversor reportado en [19] se simul considerando a T2 y T4 en estado
permanente de encendido. Al considerar PSIM
dispositivos ideales, no permite
simular dispositivos en serie.

3.6.1 Simulacin
elevador [17]

del

inversor

En la parte superior de la siguiente figura se muestra el convertidor elevador


CD/CD, al final de la figura se muestra el convertidor elevador bidireccional CD/CD.
Las dos topologas
que aparecen a la mitad son convertidores elevadores
unidireccionales
CD/CD.
L
Vin

DM2

VA

C1

V oe

TM2

VB

L1

C1

TM1

L1
DM1

Vin

V in

TM2
DM2

V1

C1

L1

TM1
DM1

Vin

Convertidor A

Figura 3.3 Convertidor elevador bidireccional CD/CD


Para simular el inversor elevador es necesario obtener las funciones de
transferencia de los convertidores unidireccionales CD/CD que lo integran (ver figura
3.3). En particular

27

DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES
interesa la funcin de transferencia salida-entrada de tensin dada en funcin del ciclo
de trabajo.
Suponiendo una mxima transferencia de energa, interruptores ideales,
considerando una frecuencia de conmutacin alta (en ordenes de magnitud mayor a la
frecuencia de red), y que el sistema est en estado estacionario, la funciones de
transferencia buscadas son:
VA
1
( 3.7 )
Vin 1 D
VB
Vin

1
D

( 3.8 )

Considerando las formas de onda que deseamos obtener a la salida de


cada convertidor, y despejando el ciclo de trabajo de (3.7) y (3.8), tenemos
respectivamente:
Vin
Vop
sen(wt)
2

DA (t) 1
VCD

DB (t)
VCD

Vin
Vop
2

(3.9)

(3.10)
sen(wt)

Evaluando las ecuaciones (3.9) y (3.10) en los instantes de conmutacin se


obtiene el valor del ciclo de trabajo. A partir del valor del ciclo de trabajo se pueden
obtener los tiempos de encendido y apagado para los interruptores.
Para encontrar el valor del ciclo de trabajo se evalan las ecuaciones (3.9) y
(3.10). Para obtener el ciclo de trabajo que genera el semiciclo positivo se evala la
ecuacin (3.9), para el obtener el ciclo de trabajo que genera el semiciclo negativo se
evala la ecuacin
(3.10). La ecuacin (3.9) se evala desde t 0 , incrementando t en 1/ f s , hasta t T / 2 ,
donde T es el periodo de la seal sinusoidal que se desea inyectar a la red. La ecuacin
(3.10) se evala desde t T / 2 , incrementando t en 1/ f s , hasta t T .
De la evaluacin anterior se obtiene el vector de ciclos de trabajo necesario
para construir la forma de onda sinusoidal. Para obtener el vector con los tiempos de
encendido
se divide el vector de ciclos de trabajo entre f s . Conocido el vector de tiempos de
encendido se puede obtener el vector de tiempos de apagado, la ecuacin (3.11) da la
relacin necesaria.

28

DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES

to f f

) ton
(3.11)
fs
Finalmente, se convierten los vectores de tiempo de encendido y apagado a
grados, y se manipulan para obtener la tabla de disparo buscada. Los elementos impares
de la tabla indican el encendido de una conmutacin, mientras que los pares el apagado.
Una vez obtenidas las tablas de disparo se puede simular el inversor completo,
sin olvidar que el convertidor B (ver figura 3.1) y los convertidores 2 y 3 (ver figura
3.2) se substituyen por una fuente ideal generadora de una sinusoide montad
sobre una componente de CD.
El procedimiento para obtener las tablas de disparo se realiz en el programa
Mat- Lab. El cdigo y sus comentarios se muestran en el apndice C.

3.6.2 Simulacin del inversor reductor-elevador [18]


Para simular este inversor se siguen los mismos pasos que para el anterior. En la
figura 3.4 se muestra la estructura del convertidor reductor-elevador bidireccional.

Vin

Vin

TM2

Vor

DM1

Vin

DM2
L

DM2

VC

TM1

VD

Vin

TM2
L

TM1

DM1

V2

Figura 3.4 Convertidor reductor-elevador bidireccional CD/CD

29

DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES
Las funciones de transferencia para los convertidores unidireccionales son:
VC

Vin

1 D

VD 1 D
Vin
D

( 3.12 )

( 3.13 )

Despejando el ciclo de trabajo de (3.12) y (3.13), y substituyendo VC y VD por


las formas de onda deseadas, tenemos

DC (t)
1
VCD

DD (t)
1

VCD

1
Vin
Vop
2

( 3.14 )
sen(wt )

1
Vop
2
Vin

( 3.15 )
sen(wt)

Las ecuaciones (3.14) y (3.15) son la base para obtener las tablas de disparo. El
programa descrito en el apndice C explica a detalle cmo obtenerlas a partir de (3.14)
y (3.15).

3.6.3 Simulacin del inversor reductor-elevador [19]


La metodologa seguida para simular esta topologa es la indicada para la
simulacin de los dos convertidores anteriores (apndice C).
El inversor propuesto en [19] est formado por dos convertidores CD/CD tipo
reductor-elevador conectados en antiparalelo a la carga (ver figura 3.5).
Ambos convertidores operan en modo de conduccin discontinuo.

30

DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES

T1

T2
D1

Vin

L1

VE

T1

T2
D1

Vin

L1

Vin
L2

Vin

C
L2

T3

D2
T4

T3

VF

D2
T4

Figura 3.5 Convertidores tipo reductor-elevador e inversor


En este caso la funcin de transferencia para los dos convertidores es la misma.
Como se observa en la figura 3.5, lo que cambia de un convertidor a otro es la ubicacin
de los dispositivos semiconductores. El efecto que tiene tal variacin es en el sentido
de la corriente que se permite fluir a la carga. En un caso la corriente genera una tensin
positiva, en el otro negativa.
La funcin de transferencia para el convertidor CD/CD reductor-elevador
operando en modo de conduccin discontinuo es [23]:
VE
Vin

(3.16 )

donde
k

2 L1 f s

( 3.17 )

Despejando de la ecuacin (16) tenemos:


D

VE
Vin

( 3.18 )

Finalmente, sustituyendo VE V p sen(wt ) , llegamos a:


DE (t)

V p sen(wt)
Vin

( 3.19 )

31

DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES

A partir de la ecuacin 3.19 podemos obtener las tablas de disparo de los


interruptores T1 y T3 del inversor reductor-elevador [19].

3.7 Formas de onda


En las figuras 3.6-3.12 se muestran las formas de onda de salida en tensin y
corriente para los convertidores simulados. Debido a la distorsin de las formas de onda
de las figuras 3.6 y 3.9 se decidi dejar fuera del estudio a los convertidores [17] y
[18] operando a 10 kHz.

3.7.1 Formas de onda para el convertidor elevador [17]


CORRIENTE DE SALIDA

FORMA DE ONDA DE LA TE NS ION DE SA LIDA V s SENOIDA L


PURA

200

150

100

50

-50

-2

-100

-4

-150

-200

-6

0.002

0.004

0.006

0.008

0.01

0.012

0.014

0.016

0.018

-8

0
0.002
0.018

0.004

0. 006

0.008

0. 01

0.012

0.014

0.016

Figura 3.6 Tensin y corriente a 10 kHz [17]


FORMA DE ONDA DE LA TENSION DE SALIDA Vs SEAL SENOIDAL PURA
200

150

100

50

-50

-2

-100

-4

-150
-200
0
0.002
0.018

CORRIENTE DE SALIDA

-6
0.004

0.006

0.008

0.01

0.012

0.014

0.016

-8
0

0.002

0.004

0.006

0.008

0.01

0.012

0.014

0.016

0.018

Figura 3.7 Tensin y corriente a 20 kHz [17]

32

DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES

FORMA DE ONDA DE LA TENSIONDE SALIDA Vs SEAL SENOIDALPURA


8
200
150

CORRIENTE DE SALIDA

100

50
2
0
0
-50
-2

-100

-4

-150
-200
0
0.002 0.004 0.006 0.008
0.016 0.018

0.01 0.012 0.014

-6
0 0.002 0.004 0.006 0.008
0.018

0.01

0.012 0.014 0.016

Figura 3.8. Tensin y corriente a 50 kHz [17]

3.7.2 Formas de onda para el convertidor reductor-elevador


[18]
FORMA DE ONDA DE LA TENSIONDE SALIDA Vs
200 SENOIDAL PURA

150

100

CORRIENTE DE SALIDA

50

0
0
-50
-2
-100
-4

-150

-6

-200
-250
0
0.002 0.004 0.006 0.008
0.018

0.01

0.012 0.014 0.016

-8
0
0.002 0.004 0.006 0.008
0.018

Figura 3.9 Tensin y corriente a 10 kHz [18]

0.01

0.012

0.014 0.016

33

DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES

FORMA DE ONDA DE LA TENSION DE SALIDA Vs SENOIDAL


200 PURA

150

100

50

-50

-2

-100

-4

-150

-6

-200
0
0.002
0.018

0.004

0.006

0.008

0.01

0.012

0.014

0.016

CORRIENTE DE SALIDA

-8
0

0.002

0.004

0.006

0.008

0.01

0.012

0.014

0.016

0.018

Figura 3.10 Tensin y corriente a 20 kHz [18]


FORMA DE ONDA DE LA TENSION DE SALIDA Vs SENOIDAL
200 PURA
150

CORRIENTE DE SALIDA
8

100
4
50
2
0
0

-50
-100

-2

-150

-4

-200
0
0.002
0.018

0.004

0.006

0.008

0.01

0.012

0.014

0.016

-6
0

0.002

0.004

0.006

0.008

0.01

0.012

0.014

0.016

0.018

Figura 3.11 Tensin y corriente a 50 kHz [18]

3.7.3 Formas de onda para el convertidor reductor-elevador


[19]
200

FORMA DE ONDA DE LA TENSION DE SALIDA Vs SENOIDAL P URA

CORRIE NTE DE S A LIDA


8

150

100

50

-50

-2

-100

-4

-150

-6

-200
0
0.002
0.018

0.004

0.006

0.008

0.01

0.012

0.014

0.016

-8

0.002

0.004

0. 006

0.008

Figura 3.12 Tensin y corriente a 9.6 kHz [19]

0.01

0. 012

0.014

0.016

0. 018

34

DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES

3.8 Datos obtenidos a partir de formas de onda


El programa computacional PSIM, empleado para la simulacin de las
topologas, da adems de las formas de onda, los vectores de datos asociados.
Utilizando dichos
vectores se encontr la informacin necesaria para el clculo de la confiabilidad de las
topologas en cuestin. A partir de los vectores de datos se obtuvieron:
1. Esfuerzos mximos de tensin y de corriente en dispositivos semiconductores
y capacitores.
2. Prdidas en dispositivos semiconductores.

3.8.1 Esfuerzos mximos


En las tablas 3.4-3.6 se muestran los esfuerzos mximos en tensin y en
corriente para los dispositivos de los convertidores [17], [18], y [19].
Tabla 3.4 Esfuerzos mximos en TM1, DM1, DM2, TM2 , y C [17]
20 kHz
50 kHz

TM1
224 V, 32 A
234 V, 37 A

DM1
161 V, 17 A
150 V, 12 A

DM2
224 V, 31 A
234 V, 37 A

TM2
162 V, 18 A
150 V, 12 A

C (0-180)
224 V, 26 A
234 V, 31 A

C (180-360)
43 V, 17 A
45 V, 10 A

Tabla 3.5 Esfuerzos mximos en TM2, DM2, TM1, DM1, y C [18]


20 kHz
50 kHz

TM2
272 V, 41 A
270 V, 41 A

DM2
145 V, 25 4
189 V, 15 A

DM1
272 V, 41 A
270 V, 41 A

TM1
145 V, 25 A
189 V, 15 A

C (0-180)
224 V, 35 A
222 V, 35 A

C (180-360)
28 V, 23 A
22 V, 35 A

Tabla 3.6 Esfuerzos mximos en tensin y en corriente en T1, T3, D1, D2, y C para [19]
9.6 kHz

T1=T3
201.25 V, 89.3 A

D1=D2
C
188.8 V, 89.2 A 153.2 V, 82.9 A

En la tabla 3.6 es importante notar la magnitud de los esfuerzos en corriente,


resultados de la operacin del convertidor [19] en modo de conduccin discontinuo y
que, comparados con los esfuerzos para los convertidores [17]
y
[18],
resultan ser considerablemente mayores.
Las tablas 3.4 y 3.5 revelan el efecto que tiene el modo de operacin de los
convertidores [17] y [18] sobre los esfuerzos en tensin y corriente. En particular, es
notoria la consecuencia que tiene montar la seal sinusoidal sobre una componente de
CD. El impacto principal es en los esfuerzos en tensin y corriente en los dispositivos
que operan durante la generacin del semiciclo positivo.

35

DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES
En el siguiente apartado continuaremos explicando cules son los efectos del
modo de operacin de las topologas sobre las prdidas en los dispositivos.

3.8.2 Prdidas
Las prdidas por conduccin y conmutacin se calcularon empleando los
vectores de datos de las formas de onda dadas por PSIM. Una de las limitaciones de
PSIM es que considera a los interruptores como dispositivos ideales, debido a ello los
resultados de prdidas obtenidos son una aproximacin.
Las prdidas por
siguiente algoritmo:

conmutacin para

los IGBT se calcularon bajo

el

1. Detectar la magnitud de los puntos de voltaje y corriente en el instante de


las conmutaciones al encendido y apagado.
2. Multiplicar la magnitud de los puntos de voltaje y corriente en el instante de
la conmutacin al encendido.
3. Multiplicar la magnitud de los puntos de voltaje y corriente en el instante de
la conmutacin al apagado.
4. Realizar la sumatoria de los productos de los puntos de voltaje por la corriente
al encendido y al apagado.
t fL
5. Multiplicar el resultado de la sumatoria por el factor a r
, si es el caso de
2
t f fL
conmutacin al encendido, y por el factor b
, si es el caso de
2
conmutacin al apagado. El parmetro t f es tiempo de cada del interruptor
seleccionado, tr es el tiempo de subida, y f es la frecuencia de la lnea a la
L

cual se desea inyectar la forma de onda de salida del inversor.


Debido a que los diodos seleccionados son de recuperacin rpida, sus prdidas
por conmutacin se consideraron despreciables.
Las prdidas por conduccin para los IGBT y diodos, se calcularon obteniendo
el promedio de la forma de onda de corriente del dispositivo y multiplicndola por el
voltaje de conduccin.
En las tablas 3.7-3.12 se presenta la informacin relativa a las prdidas
por conduccin y conmutacin para las topologas simuladas. Las prdidas por
conduccin se calcularon suponiendo Vce= 1 V, y la prdidas por conmutacin
suponiendo tf = tr =10 ns.
La informacin presentada en las tablas 3.7-3.12 da los valores base para calcular las
prdidas en funcin de las caractersticas particulares del dispositivo
semiconductor seleccionado. Adems, permiten tener una idea de los porcentajes que
aporta cada tipo de prdida al total de ellas.

36

DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES

Tabla 3.7 Prdidas por conduccin en Watts para [17] considerando Vce =1 V
20 Khz
50 Khz

TM1
12.34
12

DM1
1.93
1.6

DM2
3.98
3.8

TM2
4.11
3.9

Tabla 3.8 Prdidas por conmutacin en Watts para [17] considerando tf = t r= 10 ns


20 Khz
50 Khz

TMON
0.14
0.34

TM1OFF
0.19
0.46

TM2ON
0.019
0.064

TM2OFF
0.029
0.037

Tabla 3.9 Prdidas por conduccin en Watts para [18] considerandoVce =1 V


20 Khz
50 Khz

DM1
16.7
15.5

TM1
5.72
4.84

TM2
4.16
3.9

DM2
4.31
3.9

Tabla 3.10 Prdidas por conmutacin en Watts para [18] considerando tf = t r= 10 ns


20 Khz
50 Khz

TM1ON
0.072
0.15

TM1OFF
0.048
0.092

TM2ON
0.27
0.54

TM2OFF
0.21
0.41

Tabla 3.11 Prdidas por conduccin en Watts para [19] considerando Vce =1 V
9.6 kHz

T1=T3
10.41

D1=D2
4.56

Tabla 3.12 Prdidas por conmutacin en Watts para [19] considerando tf = t r= 10 ns


9.6 kHz

T1=T3ON
0

T1=T3OFF
0.22

3.8.3 Prdidas en funcin de dispositivos semiconductores


Para el convertidor elevador [17] y el convertidor reductor-elevador [18],
los interruptores M1 y M2 se pueden implementar de dos formas:
1. IGBT con diodo volante integrado.
2. IGBT en conjunto con diodo de recuperacin rpida en antiparalelo.

37

DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES
Para el clculo de prdidas se seleccionaron cuatro IGBT con diodo
volante integrado, cuatro IGBT sin diodo volante integrado, y cuatro diodos de
recuperacin rpida. Siempre y cuando cumplan con la forma uno y/o dos, y soporten los
esfuerzos en tensin y corriente, los dispositivos seleccionados pueden emplearse para
implementar M1 o M2.
Para la implementacin de T1=T3 y de D1=D2, correspondientes al convertidor
reductor-elevador [19], T1 deber ser un IGBT sin diodo volante integrados y D1 un
diodo de recuperacin rpida.
Las caractersticas de inters de los dispositivos seleccionados se muestran en las
tablas 3.13-3.15.
Tabla 3.13 Caractersticas de los IGBT seleccionados (con diodo volante integrado)
Ic

Ic

Pd
Pd
(max) (max)
100 25
100C
C
W
C
A
30
208
88

HGTG30N60C3D

25C
A
63

SGH30N60RUFD

48

30

235

90

SGL50N60RUFD

80

50

250

100

HGTG30N60A4D

75

60

463

186

R jc

Vce Vce
(sat) (max)

C/W
0.6IGBT
1.3DIODE
0.53IGBT
0.83DIODE
0.5IGBT
1DIODE
0.27IGBT
0.65DIODE

tf

tr

trr

VFM

100C 100
C
A
ns
25
50

100
C
1.4

V
1.8

V
600

ns ns
275 150

2.5

600

300 120

25

105

1.3

2.6

600

250

50

30

140

1.8

2.6

600

60

28

60

55

1.8

Tabla 3.14 Caractersticas de los IGBT seleccionados (sin diodo volante integrado)
Dispositivo

FGPF30N30
FGPF70N30
SGF80N60UF
SGH80N60UF

Ic
Ic
Pd
CONTINUA CONTINUA (max)
25 C
100 C
25 C
A
A
W
30
------46
70
------52
80
40
110
80
40
195

Pd
(max)
100 C
W
18.5
20.8
45
78

R jc

Vce
Vce
(sat) (max)

C/W
2.7
2.4
1.1
0.64

V
1.9
1.9
2.6
2.6

V
300
300
600
600

tf

tr

ns
300
250
250
250

ns
60
125
60
60

Tabla 3.15 Caractersticas de los Diodos de recuperacin rpida seleccionados

FFPF20UP20DS
FFPF20UP30S
FFPF20UP30DN
FFA60UP30DN

VFM

VBloqueo

IF
125 C
A

1
1.3
1.2
1.3

200
300
300
300

10
20
10
30

trr

Rjc

ns
50
60
45
45

C/W
4.3
3.7
4
0.53

38

DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES
Las tablas 3.16-3.25 contienen los resultados de las prdidas en funcin de los
dispositivos seleccionados. Se eligi presentar la informacin en tablas debido a que se
considera que es la forma mas adecuada. En este caso, las tablas nos permiten condensar
la informacin, comparar, y visualizar fcilmente las prdidas para distintos dispositivos.
La gama de informacin presentada en las tablas 3.16-3.25 permite conocer las
prdidas aproximadas de algunos de los distintos dispositivos con los cuales se
podran implementar las topologas [17], [18], [19]. Conociendo las prdidas y esfuerzos
podemos calcular la confiabilidad de las topologas bajo distintas posibilidades de
implementacin.
Prdidas Elevador [17]
En las tablas 3.16 y 3.17 se presentan las prdidas por conduccin y
conmutacin para M1 y M2 del convertidor elevador [17] operando a 20 kHz y 50 kHz.
En este caso se emplean IGBT con diodo volante integrado para la implementacin de
M1 y M2. En las tablas 3.18 y 3.19 se presentan las prdidas suponiendo que TM1 y
TM2 se implementan con IGBT sin diodo volante integrado. En la tabla 3.20, las
prdidas suponiendo que DM1 y DM2 se implementan con diodos de recuperacin rpida.
Tabla 3.16 Prdidas en Watts para M1 del inversor elevador [17]

Pc

HGTG30N60C3D
20 kHz
50 kHz
22.1
21.6

TM1

SGH30N60RUFD
20 kHz
50 kHz
30.9
30

SGL50N60RUFD
20 kHz
50 kHz
32
31.2

HGTG30N60A4D
20 kHz
50 kHz
32
31.2

Pon TM1

2.1

5.1

1.7

4.1

0.7

1.7

0.4

0.95

Poff TM1

5.2

12.7

5.7

13.8

4.8

11.5

1.2

2.8

Pc

2.7

2.3

2.5

2.1

3.5

2.9

3.5

2.9

32.2

41.6

40.7

50

41

47.3

37

37.8

DM1
P M1

Tabla 3.17 Prdidas en Watts para M2 del inversor elevador [17]

Pc

HGTG30N60C3D
20 kHz
50 kHz
7.7
7

TM2

SGH30N60RUFD
20 kHz
50 kHz
10.23
9.8

SGL50N60RUFD
20 kHz
50 kHz
10.7
10.14

HGTG30N60A4D
20 kHz
50 kHz
10.7
10.14

Pon TM2

0.28

0.96

0.23

0.8

0.1

0.32

0.06

0.18

Poff TM2

0.8

0.9

1.1

0.72

0.92

0.18

0.22

Pc

6.7

5.32

5.17

4.95

7.16

6.84

7.16

6.9

15.5

14.3

16.6

16.6

18.7

18.2

18

17.4

DM2
P M2

39

DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES
Tabla 3.18 Prdidas en Watts para TM1 del inversor elevador [17]

Pc TM1
Pon TM1
Poff TM1
P TM1

FGPF30N30
20 kHz
50 kHz
23.5
22.8
0.8
2
5.7
13.8
30
38.7

FGPF70N30
20 kHz 50 kHz
23.4
22.8
1.8
4.3
4.8
11.5
30
38.5

SGF80N60UF
20 kHz 50 kHz
32.1
31.2
0.84
2
4.8
11.5
37.7
44.8

SGH80N60UF
20 kHz
50 kHz
32.1
31.2
0.8
2
4.8
11.5
37.7
44.8

Tabla 3.19 Prdidas en Watts para TM2 del inversor elevador [17]

Pc

FGPF30N30
20 kHz
50 kHz
7.8
7.41

TM2

FGPF70N30
20 kHz 50 kHz
7.8
7.41

SGF80N60UF
20 kHz 50 kHz
10.7
10.11

SGH80N60UF
20 kHz
50 kHz
10.7
10.11

Pon TM2

0.1140

0.38

0.24

0.8

0.114

0.384

0.114

0.384

Poff TM2

0.87

1.11

0.72

0.92

0.725

0.925

0.725

0.925

8.8

8.9

8.77

9.13

11.53

11.45

11.53

11.45

P TM2

Tabla 3.20 Prdidas en Watts para DM1 y DM2 del inversor elevador [17]

Pc DM1
Pc DM2

FFPF20UP20DS
20 kHz
50 kHz
1.93
1.6
3.98
3.8

FFPF20UP30S
20 kHz 50 kHz
2.5
2.08
5.17
4.94

FFPF20UP30DN
20 kHz 50 kHz
2.3
1.92
4.78
4.77

FFA60UP30DN
20 kHz
50 kHz
2.5
2.08
5.17
4.94

En este convertidor las prdidas de mayor magnitud, considerando que M1 y M2


son implementados con el mismo tipo de dispositivo, son las de M1 (ver tabla 3.16 y
3.17). Las prdidas por conduccin y conmutacin al apagado en TM1 (ver tabla 3.16) son
las que mayor aporte tienen al total de prdidas de M1. Las prdidas por conmutacin al
encendido de TM1 y conduccin de DM1 son las que menos aportan.
En M2 las prdidas por conduccin de TM2 y DM2 son las que aportan el mayor
porcentaje al total de prdidas (ver tabla 3.17); para este caso las prdidas por
conmutacin de TM2 al encendido y apagado son muy pequeas.
En primera instancia, las conclusiones de los prrafos anteriores indican que para
M1 se debe seleccionar un dispositivo con una tensin de conduccin (Vce) y tiempo de
conmutacin al apagado ( tf ) pequeos. Por DM1 circula una corriente promedio
pequea, y sus prdidas por conmutacin (considerando que DM1 se implementa con un
diodo de recuperacin rpida) se desprecian, por lo tanto su seleccin no es crtica, sin
embargo se debe de buscar que el dispositivo durante la conduccin tenga la menor
cada en tensin posible. Los resultados de clculos de prdidas para distintos
dispositivo (ver tablas 3.183.20) indican que puede ser mejor opcin, al menos en cuanto a prdidas, implementar
M1 con un IGBT (sin diodo volante integrado) en antiparalelo con un diodo de
recuperacin

40

DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES
rpida. De ah la importancia de las tablas 3.18-3.20, ya que nos permiten tener
la informacin para hacer distintas implementaciones, y calcular parmetros de
confiabilidad. Las tablas 3.4, 3.5, 3.6, 3.13, 3.14, y 3.15, complementan la informacin
necesaria para la seleccin de dispositivos y clculo de parmetros de confiabilidad.
Con la informacin dada en las tablas 3.7 y 3.8, se puede entender cul es el aporte de
los distintos tipos de prdidas, considerando tiempos de conmutacin al encendido y
apagado iguales, lo que permite una mejor seleccin de dispositivos.
Prdidas Reductor- Elevador [18 ]
En las tablas 3.21 y 3.22 se presentan las prdidas de conduccin y conmutacin
en M1 y M2 operando el convertidor [18] a 20 kHz y 50 kHz, y suponiendo que se
emplean IGBT con diodo volante integrado. En las tablas 3.23 y 3.24, las prdidas
suponiendo que TM1 y TM2 se implementan con IGBT sin diodo volante integrado. En
la tabla 3.25, las prdidas suponiendo que DM1 y DM2 se implementan con diodos de
recuperacin rpida.
Tabla 3.21 Prdidas en Watts para M1 del inversor reductor-elevador [18]

Pc

TM1

HGTG30N60C3D
20 kHz
50 kHz
10.3
8.71

SGH30N60RUFD
20 kHz
50 kHz
14.3
12.1

SGL50N60RUFD
20 kHz
50 kHz
14.9
12.6

HGTG30N60A4D
20 kHz
50 kHz
14.9
12.6

Pon TM1

1.08

2.25

0.86

1.8

0.36

0.75

0.2

0.42

Poff TM1

1.32

2.53

1.44

2.76

1.2

2.3

0.29

0.55

Pc

DM1

23.4

21.7

21.71

20.15

30.1

27.9

30.06

27.9

PM1

36.1

35.2

38.31

36.8

46.5

43.53

45.42

41.5

Tabla 3.22 Prdidas en Watts para M2 del inversor reductor-elevador [18]

Pc TM2

HGTG30N60C3D
20 kHz
50 kHz
7.5
7

SGH30N60RUFD
20 kHz
50 kHz
10.4
9.75

SGL50N60RUFD
20 kHz
50 kHz
10.81
10.14

HGTG30N60A4D
20 kHz
50 kHz
10.81
10.14

Pon TM2

8.1

4.05

8.1

1.35

2.7

0.76

1.51

Poff TM2

5.8

11.2

5.8

11.3

5.25

10.25

1.27

2.46

DM2

5.5

5.6

5.07

7.8

7.02

7.76

7.02

PM2

23.3

32

25.82

34.2

25.18

30.11

20.6

21.13

Pc

41

DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES
Tabla 3.23 Prdidas en Watts para TM1 del inversor reductor-elevador [18]

Pc

TM1

FGPF30N30
20 kHz
50 kHz
10.9
9.2

FGPF70N30
20 kHz
50 kHz
10.9
7.9

SGF80N60UF
20 kHz
50 kHz
14.9
12.6

SGH80N60UF
20 kHz
50 kHz
14.9
12.6

Pon TM1

0.43

0.9

0.9

3.4

0.43

0.9

0.43

0.9

Poff TM1

1.44

2.8

1.2

5.25

1.2

2.3

1.2

2.3

PTM1

12.74

12.86

13

16.53

16.5

15.8

16.5

15.8

Tabla 3.24 Prdidas en Watts para TM2 del inversor reductor-elevador [18]
FGPF30N30
FGPF70N30
20 kHz 50 kHz 20 kHz 50 kHz
7.9
7.4
9.2
7.4

Pc TM2

SGF80N60UF
20 kHz
50 kHz
10.8
10.14

SGH80N60UF
20 kHz
50 kHz
10.8
10.1

Pon TM2

1.6

3.2

1.9

6.8

1.62

3.24

1.6

3.2

Poff TM2

6.3

12.3

2.3

10.2

5.2

10.25

5.2

10.2

15.82

23

13.4

24.41

17.7

23.63

17.7

23.63

PT M2

Tabla 3.25 Prdidas en Watts para DM1 y DM2 del inversor reductor-elevador [18]

Pc DM1
Pc DM2

FFPF20UP20DS
20 kHz 50 kHz
16.7
15.5
4.31

3.9

FFPF20UP30S
20 kHz 50 kHz
21.71
20.15
5.6

5.07

FFPF20UP30DN
20 kHz
50 kHz
20.04
18.6
5.17

4.7

FFA60UP30DN
20 kHz 50 kHz
21.71
20.15
5.6

5.07

En cuanto a prdidas y seleccin de dispositivos, las tablas 3.10, 3.11, 3.21-3.25,


indican lo siguiente con respecto al convertidor reductor-elevador [18]:
1. En caso de que M1 y M2 se implementen con el mismo dispositivo, las
prdidas de M1 son mayores a las de M2. Segn la seleccin de los dispositivos la
diferencia entre las prdidas de M1 y M2 puede variar (ver tablas 3.21 y 3.22).
2. Las prdidas por conmutacin de TM1 son pequeas. Las prdidas por
conduccin de TM1 y DM1 son las que contribuyen principalmente al total de
prdidas de M1. La magnitud de las prdidas de DM1 es considerablemente
mayor a las de TM1.

42

DISEO Y SIMULACIN DE
INVERSORES
3. En M2, las prdidas por conmutacin y conduccin de TM2 son las que
mayor aporte tienen en el total de prdidas, el aporte de las prdidas por
conduccin de DM2 es menor.
Comparando la informacin de las tablas 3.10 y 3.11 con la de las tablas 3.21 y
3.22, podemos ver el efecto de las caractersticas del dispositivo sobre la magnitud y
sobre la diferencia entre las prdidas por conmutacin al encendido y apagado.
Prdidas Reductor-Elevador [19]
No obstante la magnitud de los esfuerzos en los dispositivos de este convertidor,
sus prdidas no son demasiado elevadas. Para esta topologa la implementacin de
T1= T3 ser con un IGBT sin diodo volante integrado, y la implementacin de D1 =
D2 con un diodo de recuperacin rpida. En las tablas 3.26 y 3.27 se muestra el clculo
de prdidas para dos IGBT y dos diodos.
Tabla 3.26 Prdidas en Watts para T1 del convertidor reductor-elevador
[19]

Pcond T1=T3
Pconmon T1=T3
Pconmoff T1=T3

FGPF70N30
9.6
19.8
0
5.5

SGF80N60UF
9.6
27.17
0
5.5

Tabla 3.27 Prdidas en Watts para D1 del convertidor reductor-elevador [19]

Pcond D1=D2

FFPF20UP20DS
9.6
4.56

FFPF20UP30S
9.6
6

Uno de los inconvenientes de esta topologa es que su diseo requiere de dos


fuentes simtricas, las cuales no se aprovechan durante todo el ciclo de lnea. Cada una
de ellas es requerida slo durante medio ciclo, con ello se desaprovecha parte de la
energa generada por las fuentes. Una de sus principales ventajas es su eficiencia en
cuestin de prdidas en los dispositivos semiconductores.
Las conclusiones y la informacin presentada en tablas mostradas en esta
seccin, sugieren varias posibilidades de combinaciones para la implementacin de los
dispositivos de conmutacin de [17], [18], y [19].
En el siguiente captulo se presentan los resultados del anlisis de confiabilidad
aplicado a las topologas [17], [18], y [19], bajo distintas posibilidades de seleccin de
dispositivos para su implementacin.

43

Captulo 4
CONFIABILIDAD
El desarrollo de la teora de confiabilidad surge de la necesidad de conocer la
probabilidad de que un equipo o sistema opere satisfactoriamente siempre que es
requerido. Esto implica que no es suficiente con saber que un sistema opera
adecuadamente cuando es utilizado por primera vez, es necesario conocer durante
cunto tiempo y bajo qu condiciones el sistema operar como se espera. Teniendo
en cuenta el dato anterior se pueden tomar medidas preventivas para evitar la falla, o
planear estrategias para cuando esta ocurra.
La confiabilidad de un sistema engloba los siguientes aspectos:
confiabilidad humana, confiabilidad del proceso, confiabilidad del diseo, y
confiabilidad del mantenimiento. En este trabajo nos enfocaremos a la confiabilidad del
diseo.
En los siguientes apartados se da la teora bsica necesaria para entender
los resultados del estudio de confiabilidad del diseo de las topologas [17], [18], y
[19]. Evidentemente, la confiabilidad del diseo se refleja en la confiabilidad de la
operacin de las topologas. Es por ello que antes de realizar el estudio de confiabilidad
del diseo se obtuvieron los datos de la operacin de los dispositivos que integran las
configuraciones.

4.1 Definicin de confiabilidad


La confiabilidad de un sistema se define como:
La probabilidad de que el sistema realice una funcin especfica, bajo
condiciones operativas y ambientales especficas, durante un tiempo
determinado.
De acuerdo a la definicin anterior, conviene puntualizar lo
siguiente: La confiabilidad es una probabilidad.
La confiabilidad depende de una funcin especfica, de condiciones operativas, y
del tiempo.
Se entiende por sistema un dispositivo, un conjunto de dispositivos que actan
en conjunto, un proceso, o un conjunto de procesos.

44

CONFIABILIDAD

Debido a la definicin anterior, un estudio que arroje datos de confiabilidad


sobre un sistema slo tendr significado si se conoce la funcin que debe de
desarrollar y las condiciones operativas del mismo.
Los parmetros de confiabilidad nos indican
podemos esperar el adecuado funcionamiento del sistema.

durante

cuanto

tiempo

4.2 Confiabilidad y sistemas


La teora de confiabilidad clasifica y estudia a los sistemas en funcin de su
modo de operacin en el tiempo. As, se tienen sistemas cuya operacin depende del
ciclo y sistemas cuya operacin depende del tiempo.
Los sistemas cuya operacin depende del ciclo pueden estar pensados para operar
un ciclo nico o para operar en ciclos mltiples. Del sistema de ciclo nico se espera
que funcione la nica vez que es requerido, y que opere en cualquier otro instante se
considera una falla. En el caso del sistema de ciclos mltiples se espera que opere cada
vez que es demandado. Un ejemplo del primer caso sera un fusible en un sistema
elctrico, un ejemplo del segundo caso sera un interruptor de luz.
Si el periodo de demanda de funcionamiento del sistema es durante un intervalo
de tiempo, se clasifica al sistema como dependiente del tiempo. As, se tienen sistemas
de los cuales se espera que desarrollen su funcin en cada instante (operacin continua),
y otros de los que se espera que lo hagan en intervalos (misin finita). Estos
ltimos tienen periodos de funcionamiento inactivos, un ejemplo para este tipo de
sistemas sera una fuente de tensin de respaldo. De ella se espera que entre en
operacin cuando la fuente principal falle, y opere correctamente durante un intervalo
determinado de tiempo finito. Una vez restaurada la fuente principal, la de respaldo
entrar en un estado inactivo. En este caso, el sistema de expectativa de operacin
continua es la fuente principal. En ambos casos, el desempeo depende del tiempo.
La teora de confiabilidad que se aplica para describir un sistema est en funcin
de la expectativa de operacin del sistema en relacin al tiempo. Para cada tipo de
sistema se tiene un conjunto de parmetros de confiabilidad que lo describen.
En el caso de las topologas [17], [18], y [19], la expectativa de operacin es en
funcin del tiempo y continua. En el siguiente apartado se aborda lo respectivo a los
parmetros de confiabilidad que caracterizan a este tipo de sistemas.

4.2.1 Parmetros de confiabilidad para sistemas continuos


Los sistema en estudio ([17], [18], [19]) pertenecen a la clasificacin de
desempeo dependiente del tiempo, y dentro de sta a la de operacin continua. En un
estudio de

45

CONFIABILIDAD
confiabilidad de esta clase de sistemas, usualmente son de inters los resultados de los
siguientes parmetros de confiabilidad:
1. Tiempo medio entre fallas (MTBF).
2. Tasa de fallas en funcin del tiempo ( (t) ).
Existen otros parmetros relacionados con los sistemas de operacin continua,
los ms importantes son: disponibilidad (A), tiempo medio en falla (MDT ), tiempo medio
entre actividades de mantenimiento (MTBMA), y tiempo medio para restaurar (MTRR).
Tiempo medio entre fallas
El MTBF indica qu tan frecuentemente, en promedio, se podra esperar que un
sistema deje de realizar la funcin especfica para la cual se dise. Usualmente el
MTBF se expresa en horas, bajo estas unidades, su significado es cuntas horas en
promedio podemos esperar que un sistema opere antes de fallar. Si consideramos que cada
vez que el sistema se restaura sus condiciones iniciales son las mismas, entonces
MTBF=MTFF.
Tasa de fallas
La confiabilidad de los sistemas, ya sean dependientes del ciclo o del tiempo,
depende de que desarrollen la funcin especfica para la que se disearon. As,
la confiabilidad puede ser considerada como la ausencia de fallas.
Es de particular inters el caso donde la tasa de fallas en funcin del tiempo se
considera constante. Bajo esta condicin, no se considera que la operacin del sistema
incremente la tasa de fallas. Una tasa de fallas constante se designa con la letra .
Si asumimos una tasa de fallas constante ( (t )
confiabilidad (R) y es:

R(t ) e

), entonces la relacin entre la

(4.1)

Claramente, la ecuacin anterior indica que la confiabilidad de un sistema


disminuir en funcin del tiempo. Adems, si el sistema tiene una tasa de fallas
constante, su MTBF se expresa como:
MTBF

(4.2)

Para un sistema formado por un conjunto de dispositivos, cada uno con una tasa de

46

CONFIABILIDAD
fallas individual y constante ( i ) , se cumple que:
1

MTBF

(4.3)
i

Si consideramos una tasa de fallas constante, la mejor estimacin para sta


es:
(4.4)

C
T

Donde T es el nmero de horas de operacin (usualmente expresadas en


6
trminos de10 ) y C es el nmero de fallas
Por otro lado, la tasa de fallas para un dispositivo determinado ser el producto
de su tasa de fallas base multiplicada por los llamados factores
.
Los factores
se relacionan con
distintos esfuerzos y condiciones de operacin a los que se ve sometido el dispositivo.
Debido a lo anterior la tasa de fallas es funcin de los esfuerzos y condiciones de
operacin del dispositivo. Una estimacin tpica de la tasa de fallas de un dispositivo,
calculada segn el modelo basado en el manual militar para la prediccin de
confiabilidad de equipo electrnico (MIL-HDBK-217-FN2), es de la forma:
p

.....
)

(4.5)

donde:
p

6
= la tasa de fallas del dispositivo estimada en nmero de fallas por 10
horas

= la tasa de fallas base estimada en nmero de fallas por 106 horas

= el factor ambiental

= el factor de aplicacin

= el factor de calidad

= el factor de relacin de potencia

= el factor de relacin de esfuerzos

= el factor de complejidad del diseo

Cabe mencionar que el conjunto de parmetros y su valor vara de un dispositivo


a otro, y es funcin de sus caractersticas y condiciones a las que opera.
La informacin presentada hasta este punto nos permite entender el significado
de los parmetros MTBF y . Al igual, justifica porqu son estos los parmetros de inters
a obtener en el anlisis de confiabilidad.

47

CONFIABILIDAD

4.3 Confiabilidad y MIL-HDBK-217 FN2


La confiabilidad de un sistema depende de su tasa de fallas, y la estimacin de
la tasa de fallas del modelo de confiabilidad empleado. En funcin del modelo est
el conjunto de parmetros que se incluyen y cmo se calculan. Al igual, la tasa de
fallas base ( b ) es funcin del modelo.
El modelo elegido para el estudio de confiabilidad de las topologas [17],[18], y
[19] se basa en el MIL-HDBK-217 FN2. Este modelo es an el ms aceptado y
empleado en estudios militares y aeroespaciales civiles.
El principal inconveniente del modelo MIL-HDBK-217 FN2 es que su
ltima actualizacin data de 1995, y desde entonces la evolucin de la
tecnologa de semiconductores ha sido considerable. La aparicin del IGBT es posterior
a la publicacin del MIL-HDBK-217 FN2; debido a ello no incluye informacin sobre la
tasa de fallas base y parmetros
del IGBT. La solucin a este inconveniente es
emplear la tasa de la fallas base y parmetros
del MOSFET o del BJT para el IGBT
[22].

4.4 RELEX y parmetros de confiabilidad


Para calcular los parmetros de confiabilidad de los dispositivos de las
topologas estudiadas se utiliz el programa computacional RELEX versin 7.7. Los
clculos se basan en el tipo de modelo de confiabilidad seleccionado, en las
caractersticas de los dispositivos, y en sus condiciones de operacin.
La informacin de confiabilidad dada por RELEX indica cules son los
dispositivos con mayor probabilidad de falla en un sistema determinado. En los
siguientes apartados se menciona cul es la informacin requerida por RELEX para
calcular los parmetros de confiabilidad de inters (MTBF y
).

4.4.1 Informacin requerida por RELEX


La informacin requerida por RELEX est en funcin de los dispositivos
que integran el sistema y del modelo de confiabilidad seleccionado. Una vez
seleccionado un modelo de confiabilidad, RELEX solicita un conjunto de datos para
cada dispositivo, con los cuales calcula los parmetros de confiabilidad.
Como ya se mencion, el modelo seleccionado es el basado en el MIL-HDBK-217
FN2. En general, para este modelo el conjunto de datos solicitado se relaciona con las
siguientes caractersticas:
1. Tipo de dispositivo (IGBT, diodo, inductor, capacitor, MOSFET, etc).

48

CONFIABILIDAD
2.

Caractersticas del dispositivo seleccionado (tensin mxima de operacin,


tensin mxima de bloqueo, resistencia trmica, calidad, magnitud en caso de
capacitores e inductores, tipo de capacitor, etc).
3. Nmero de dispositivos con el mismo nmero de parte dentro del
sistema.
4. Aplicacin del dispositivo (lineal, conmutacin).
5. Condiciones bajo las cuales operar el dispositivo (esfuerzos mximos en tensin
y corriente, temperatura promedio y mxima de operacin, prdidas, etc).
Los convertidores para los cuales nos interesa evaluar su confiabilidad son sistemas
formados por IGBT (con o sin diodo volante integrado), diodos de recuperacin rpida,
inductores y capacitores. A continuacin se especifica la informacin requerida por
RELEX para cada uno de estos dispositivos.
Informacin requerida para IGBT

Debido a lo ya comentado, la informacin requerida para un IGBT bajo


MIL- HDBK-217-FN2 debe de ser considerada igual que la del MOSFET o la del BJT. En
caso de considerar el MOSFET, la informacin requerida es:
1.
2.
3.
4.
5.
6.

Nivel de calidad (JANTXV, JANTX, JAN, Comercial, Plstico).


Aplicacin (Lineal, potencia, conmutacin, alta frecuencia).
Potencia nominal de operacin.
Incremento inicial de temperatura.
Potencia disipada por el dispositivo (prdidas).
Resistencia trmica unin-encapsulado.

En caso de considerar un BJT:


1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.

Nivel de calidad (JANTXV, JANTX, JAN, Comercial, Plstico).


Aplicacin (Lineal, conmutacin).
Tensin mxima de operacin.
Tensin nominal de operacin.
Potencia nominal de operacin.
Incremento inicial de temperatura.
Potencia disipada por el dispositivo (prdidas).
Resistencia trmica unin-encapsulado.

Informacin requerida para un diodo de


recuperacin rpida

1.
2.
3.
4.
5.
6.

Nivel de calidad (JANTXV, JANTX, JAN, Comercial, Plstico).


Tipo de diodo (zener, rectificador, de recuperacin rpida, etc).
Nmero de diodos conectados en serie (casos de alto voltaje).
Tipo de construccin (metalrgica, no metalrgica).
Tensin mxima de operacin.
Tensin nominal de operacin.

49

CONFIABILIDAD
7. Potencia nominal de operacin.
8. Potencia disipada por el dispositivo (prdidas).
9. Incremento inicial de temperatura.
10. Incremento de temperatura.
11. Resistencia trmica unin-encapsulado.
Informacin requerida para un capacitor.

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.

Nivel de calidad.
Tipo de capacitor (Electroltico, cermico, etc).
Tensin de CD aplicada.
Tensin de CA (RMS) aplicada.
Tensin nominal de operacin.
Magnitud de la capacitancia.
Magnitud de la resistencia serie equivalente.
Incremento de temperatura.

Informacin requerida para un inductor.

1.
2.
3.
4.

Nivel de calidad.
Aplicacin (Filtro, potencia, etc).
Incremento de temperatura para tener Hot-Spot.
Temperatura a la cual se alcanza Hot-Spot.

Como se puede deducir, la informacin solicitada por RELEX para el modelo


MIL- HDBK-217-FN2, se relaciona con las condiciones bajo las cuales operarn los
dispositivos y sus caractersticas particulares. Esto resulta obvio debido a que el valor de
los parmetros
y b est relacionado con estas variables.
Con el modelo MIL-HDBK-217-FN2 se pueden hacer distintos anlisis de
confiabilidad. El anlisis que considera condiciones de operacin tales como esfuerzos,
prdidas, tensin, temperaturas, calidad de dispositivos, etc, es el ms completo de
ellos. Debido a lo anterior, dicho anlisis fue el escogido para el desarrollo de este
trabajo de investigacin. La informacin necesaria para el clculo de parmetros de
confiabilidad de las topologas [17],[18] y [19], empleando el modelo y
anlisis
seleccionados, se ha mostrado a lo largo del documento. Se tienen los datos suficientes
para obtener parmetros de confiabilidad de las topologas en estudio; adems, es
posible seleccionar distintas combinaciones de dispositivos para su implementacin.
En el siguiente apartado se especifican las combinaciones elegidas.

50

CONFIABILIDAD

4.5 Casos seleccionados


La informacin obtenida permite seleccionar distintas combinaciones de
dispositivos para la implementacin de las topologas [17], [18] y [19]. Para cada una
existen combinaciones las cuales aparentemente son las que mejores valores
de confiabilidad deberan arrojar. Por ejemplo, puede resultar que una topologa
implementada con cuatro IGBT con diodo volante integrado tenga mayor
confiabilidad que una implementada con
cuatro IGBT en antiparalelo con sus
respectivos diodos volante. Sin embargo, la tasa de fallas est en funcin de diversas
variables: nmero de dispositivos con el mismo nmero de parte, relacin de potencias,
etc. Interesa entonces conocer cul es la relacin entre la tasa de fallas y esas variables.
Se tienen dos posibilidades para la implementacin de M1 y M2 en [17] y
[18]:
1. Implementar M1 y/o M2 con un IGBT con diodo volante integrado (con el
mismo o diferente nmero de parte).
2. Implementar M1 y/o M2 con un IGBT (sin diodo volante integrado), en
paralelo con un diodo de recuperacin rpida.
Las dos posibilidades anteriores dan origen a distintas combinaciones. Una
posible combinacin sera implementar M1 con un IGBT (con diodo volante integrado), y
M2 con un IGBT (sin diodo volante integrado) en paralelo con un diodo de recuperacin
rpida. La combinacin inversa es otro caso posible.
A continuacin se presentan las combinaciones seleccionadas para cada
topologa. Ms adelante se muestran los resultados de confiabilidad obtenidos para cada
una de ellas. Finalmente, se presentan las conclusiones que indican relaciones entre
distintas variables de condiciones de operacin de los dispositivos, variables de
caractersticas de los dispositivos, y los parmetros de confiabilidad.

4.5.1 Casos seleccionados para el convertidor [17]


En las tablas 4.1 y 4.2 se presentan algunas posibles combinaciones de
dispositivos (tablas 3.15-3.17) para la implementacin de M1 y M2 del convertidor
elevador [17] operando a 20 kHz y 50 kHz. En particular, se busca que en los casos
seleccionados las prdidas totales de M1 y M2 sean de la menor magnitud posible.
Tabla 4.1 Casos seleccionados para [17] operando a 20 kHz
Caso 1
Caso 2
Caso 3
Caso 4
TM1 = SGH80N60UF
M1 HGTG30N60C3D HGTG30N60A4D TM1 = SGH80N60UF
DM1 = FFPF20UP20DS DM1 = FFPF30UP30DN
TM2 = FGPF30N30
M2 HGTG30N60C3D SGH30N60RUFD HGTG30N60C3D
DM2 = FFA60UP30DN

51

CONFIABILIDAD
Tabla 4.2 Casos seleccionados para [17] operando a 50 kHz
Caso 1
Caso 2
Caso 3
Caso 4
TM1 = SGH80N60UF
M1 HGTG30N60C3D HGTG30N60A4D TM1 = SGH80N60UF
DM1 = FFPF20UP20DS DM1 = FFPF20UP30DN
TM2 = FGPF30N30
M2 HGTG30N60C3D SGH30N60RUFD HGTG30N60C3D
DM2 = FFA60UP30DN

Cada caso seleccionado incluye dispositivos con distintas caractersticas (ver tablas
3.15-3.17); con ello, al evaluar la confiabilidad para los distintos casos, encontraremos
relaciones entre algunas de las variables de los dispositivos y algunos parmetros
de confiabilidad.

4.5.2 Casos seleccionados


convertidor [18]

para

el

En las tablas 4.3 y 4.4 se presentan algunas posibles combinaciones de


dispositivos (tablas 3.15-3.17) para la implementacin de M1 y M2 del
convertidor
elevador [18] operando a 20 kHz y 50 kHz. En particular, se busca que en los casos
seleccionados las prdidas totales de M1 y M2 sean de la menor magnitud posible.
Tabla 4.3 Casos seleccionados para [18] operando a 20 kHz
Caso 1
Caso 2
Caso 3
Caso 4
TM1 = SGF80N60UF
M1 HGTG30N60C3D SGH30N60RUFD TM1 = FGPG30N30
DM1 = FFPF20UP30S DM1 = FFA60UP30DN
TM2 = FGPF70N30
M2 HGTG30N60A4D SGL50N60RUFD HGTG30N60A4D
DM2 = FFPF20UP20DS

Tabla 4.4 Casos seleccionados para [18] operando a 50 kHz


Caso 1
Caso 2
Caso 3
Caso 4
TM1 = SGF80N60UF
M1 HGTG30N60C3D SGH30N60RUFD TM1 = FGPG30N30
DM1 = FFPF20UP30S DM1 = FFA60UP30DN
TM2 = FGPF70N30
M2 HGTG30N60A4D SGL50N60RUFD HGTG30N60A4D
DM2 = FFPF20UP20DS

4.5.3 Casos seleccionados para el convertidor [19]


En la siguiente tabla se muestran los casos seleccionados para el
convertidor reductor elevador [19].
Tabla 4.5 Casos seleccionados para [19] operando a 9.6 kHz
Caso 1
Caso 2
FGPF70N30
SGF80N60UF
T1=T3
D1=D2 FFPF20UP20DS FFPF20UP30S

En el siguiente captulo se presentan los resultados de los parmetros de


confiabilidad obtenidos para los casos presentados en las tablas 4.1-4.5.

52

Captulo 5
RESULTADOS
En este captulo se presentan los resultados de los parmetros de confiabilidad
obtenidos para los casos de implementacin, descritos en las tablas 4.1 a 4.5, de las
topologas [17], [18], y [19]. El conjunto de informacin obtenida indica el MTBF tanto
de las topologas estudiadas como de los dispositivos que las integran. En los resultados
de este captulo se sustentan las conclusiones surgidas del desarrollo de este trabajo
de investigacin.

5.1 Condiciones operativas y ambientales


Segn la definicin de confiabilidad enunciada en el captulo anterior, el valor de
un parmetro de confiabilidad tiene significado bajo condiciones operativas y
ambientales especficas. El parmetro de mayor inters en este trabajo de investigacin
es el MTBF de las topologas [17], [18], y [19]. Dicho parmetro nos indica durante
cunto tiempo, en promedio, podemos esperar que un sistema desarrolle la funcin
para la cual se dise antes de fallar. Recordemos que, actualmente, el problema
principal de los sistemas fotovoltaicos es su MTFF, y que bajo ciertas condiciones
(ver punto 4.2.1) el MTBF es igual al MTFF. En los siguientes prrafos se indican
las condiciones operativas y ambientales bajos las cuales cobra significado el MTBF de
las topologas.
Condiciones operativas
Se considera que el sistema se disea (ver punto 3.1) y se opera de forma
adecuada; es decir: que se respetan las especificaciones de diseo, los paneles dan
la tensin adecuada, y no se presentan disturbios en la lnea que afecten el
funcionamiento de la topologa.
Condiciones ambientales
Se considera que el sistema est operando a una temperatura ambiente igual a 30
grados centgrados, y que la temperatura en los dispositivos semiconductores se
incrementa en funcin de la potencia que disipan y del valor de su resistencia trmica. En
el caso de los capacitores se consider un incremento en su temperatura de operacin
de 20 grados centgrados.

53

RESULTADOS

5.2 Caractersticas del capacitor


Como veremos ms adelante, la tasa de fallas del capacitor es la que determina
el MTBF de las topologas; por lo tanto, conocer las caractersticas del capacitor
seleccionado es importante. La siguiente es la informacin bajo la cual se calcul la
confiabilidad del capacitor:
Debido a la magnitud de la capacitancia (ver tablas 3.1-3.3), el tipo de capacitor
seleccionado debe de ser electroltico para todos los casos.
Como ya se mencion, se considera un incremento de 20 grados centgrados en
la temperatura de operacin del capacitor. Dicho incremento se debe a las
no idealidades de un capacitor real. Adems, se considera que la resistencia interna
del capacitor es menor o igual a 0.1.
La confiabilidad del capacitor es notoriamente sensible a la proporcin tensin
mxima de operacin con respecto a tensin nominal. Por ello, cabe mencionar
lo siguiente: la tensin mxima a la que se somete el capacitor del
convertidor elevador [17] es distinta cuando opera a 20 kHz que cuando lo hace a
50 kHz (ver tabla 3.4). Debido a ello, el porcentaje de la tensin mxima de
operacin del capacitor con respecto a su tensin nominal es distinto a 20 kHz y a
50 kHz. Para 20 kHz es del 80%, y para 50 kHz es del 83%. Para el capacitor
del convertidor reductor-elevador [18], la relacin entre su tensin mxima y su
tensin nominal es de 80% tanto a 20 kHz como a 50 kHz. En el capacitor del
convertidor reductor- elevador [19] la relacin sigue siendo 80%.

5.3 Resultados de confiabilidad


En las figuras 5.1-5.10 se muestran los resultados de confiabilidad obtenidos para
las topologas [17], [18], y [19], bajo las distintas posibilidades de
implementacin seleccionadas .
Las grficas de barras indican el valor del MTBF para los casos de
implementacin estudiados (ver tablas 4.1-4.5). Las grficas circulares indican el
porcentaje que aporta cada dispositivo a la tasa de fallas del sistema. Al observar las
grficas es notorio que el capacitor es el dispositivo que determina el MTBF de las
topologas [17], [18], y [19] y, por consecuencia, quien mayor aporte tiene a la tasa de
fallas.

54

RESULTADOS

CASOS
MTBF

MTBF
(hrs)

Vs

70800

70736hrs
70704hrs

70400
70309hrs

70000

69600

69268hrs
69200
1

CASOS

Figura 5.1 MTBF para los casos de [17] operando a 20 kHz


CASOS

Vs MTBF

MTBF
(hrs)
41500
41193hrs
41000

40500

40000

40092hrs

40005hrs

40207hrs

39500

39000
1

CASOS

Figura 5.2 MTBF para los casos de [17] operando a 50 kHz


CASOS Vs MTBF

MTBF
(hrs)
68500

68076hrs
68000

67500

67383hrs

67000

66500

66507hrs

66064hrs

66000
1

CASOS

Figura 5.3 MTBF para los casos de [18] operando a 20 kHz

55

RESULTADOS

CASOS Vs MTBF
MTBF
(hrs)
84000
83376hrs
83000
82630hrs

82000
81649hrs

81000

80161hrs
80000
1

CASOS

Figura 5.4 MTBF para los casos de [18] operando a 50 kHz


CAS0 2

CAS0 1

M1
1.16

M1
1.59
M2
1.07

C
97.3

M2
1

C
97.9
CAS0 3

CAS0 4
TM1
0.064

DM1
0.7

DM1
2.98

DM2
1.24

M2
1.06

C
96

C
98

Figura 5.5 %

para los dispositivos de [17] operando a 20 kHz

56

RESULTADOS

CAS0 2
% Tasa de fallas

M1
1.08

CAS0 1

M1
0.7
M2
0.6

M2
0.6

C
98.3

C
98.7
CAS0 3
% Tasa de fallas

CAS0 4
% Tasa de fallas

DM1
0.8
M2
0.6

C
98.7

DM1
0.3
DM2
0.78

C
98.8

Figura 5.6 %

para los dispositivos de [17] operando a 50 kHz

CAS0 1
% Tasa de fallas

CAS0 2
% Tasa de fallas

M1
1.6
M2
0.89

C
97.5

M1
1.14
M2
0.57

C
97.7
CAS0 3
% Tasa de fallas

C
96.7

Figura 5.7 %

CAS0 4
% Tasa de fallas

TM1
1
DM1
1.34
M2
0.9

TM1
0.97
DM1
1.32
TM2
1.25
DM2
1.63

C
94.86

para los dispositivos de [18] operando a 20 kHz

57

RESULTADOS

CAS0 1
% Tasa de fallas

CAS0 2
% Tasa de fallas

M1
1.93
M2
1.1

C
97

M1
1.14

M2
0.57

C
97.7
CAS0 3
% Tasa de fallas

M2
0.9

CAS0 4
% Tasa de fallas

TM1
1
DM1
1.34

C
96.7

TM1
0.97
DM1
1.32
TM2
1.25
DM2
1.63

C
94.86

Figura 5.8 %

para los dispositivos de [18] operando a 50 kHz


CASOS Vs MTBF

MTBF
(hrs)
96800
96718hrs

96704hrs

96600

96400

96200

96000
1

CASOS

Figura 5.9 MTBF para los casos de [19] operando a 9.6 kHz

58

RESULTADOS

CAS0 1
% Tasa de fallas

CAS0 2
% Tasa de fallas

T1
0.25

D2
2.66

D2
2.47

C
97.28

Figura 5.10 %

T1
0.07

C
97.27

para los dispositivos de [19] operando a 9.6 kHz

5.4 Anlisis de resultados


Con respecto a la confiabilidad de los dispositivos que integran los convertidores,
se concluye lo siguiente:
Para todas las topologas y todos los casos, la tasa de fallas de los semiconductores
es muy baja. Sin importar de qu dispositivo semiconductor se trate, de sus prdidas
y caractersticas, su aporte a la tasa de fallas del sistema no es significativa.
La tasa de fallas de los inductores es prcticamente nula. La tasa de fallas base dada
por
6
MIL-HDBK-217-FN2 para un inductor es del orden de x10 hrs .
La tasa de fallas de los capacitores es alta y determina la MTBF de los
convertidores.
Un anlisis ms detallado de las caractersticas de los dispositivos y su relacin
con los parmetros de confiabilidad arroja la siguiente informacin:
a. IGBT
La tasa de fallos en los IGBT con diodo volante integrado es directamente
proporcional a sus prdidas.
La tasa de fallas de un IGBT con diodo volante integrado disminuye entre mayor sea
la relacin: potencia mxima que puede disipar, potencia que debe disipar.
La confiabilidad puede mejorar si se sustituye un IGBT con diodo volante integrado
por un IGBT sin diodo volante integrado, en antiparalelo con un diodo de
recuperacin

59

RESULTADOS
rpida. Para que ocurra el aumento de confiabilidad, se debe tener especial cuidado en
la tasa de fallas del diodo de recuperacin rpida. La tasa de fallas del diodo es la
que determina la confiabilidad en la combinacin IGBT sin diodo volante
integrado en antiparalelo con diodo de recuperacin rpida. Si se emplea la
combinacin es conveniente que la tasa de fallas del diodo de recuperacin rpida
sea menor a la del IGBT con diodo volante integrado.
La tasa de fallas de un IGBT con diodo volante integrado es mayor que la tasa de
fallas de un IGBT sin diodo volante integrado.
La tasa de fallas de un IGBT con diodo volante integrado aumenta al aumentar su
resistencia trmica (Rjc).
Entre mayor sea la tensin de bloqueo del IGBT, con respecto a la tensin pico que
debe bloquear en la aplicacin, mayor ser su confiabilidad.
b. Diodo de recuperacin rpida.
La confiabilidad de un diodo de recuperacin rpida se relaciona con los siguientes
parmetros: tensin de conduccin, tensin de bloqueo, y resistencia trmica.
Su confiabilidad aumenta si la tensin de conduccin disminuye, si el porcentaje de
la tensin pico que debe conducir con respecto a la tensin mxima que puede
bloquear aumenta, y si su resistencia trmica disminuye.
c. Capacitores.
El capacitor resulta ser la limitante en el tiempo de vida de las tres topologas
estudiadas. La confiabilidad del capacitor depende de su magnitud,
su tipo
(electroltico, cermico, etc), su calidad, temperatura a la que opera, de su resistencia
serie, y del porcentaje de la tensin mxima de operacin con respecto a la tensin
nominal.
Debido a la magnitud de la capacitancia necesaria para la implementacin de
los convertidores estudiados, el tipo de capacitor empleado debe ser electroltico. La
tasa base de fallas de un capacitor electroltico es alta, en particular si es de tipo
comercial. De entre los capacitores electrolticos el de tipo comercial es el que tiene
una
Q
mas elevada. Por ser la condicin de peor caso, en los clculos de confiabilidad se
supuso un capacitor de tipo comercial.

60

CONCLUSIONES
Se disearon, simularon, y calcularon algunos parmetros de confiabilidad de
tres topologas inversoras. La primera [17] basada en el convertidor CD-CD
elevador. La segunda [18] y la tercera [19], basadas en el convertidor CD-CD reductorelevador.
Con respecto a los resultados del estudio de confiabilidad de las topologas [17],
[18], y [19], se concluye lo siguiente:
Bajo las condiciones con las que se realiz el clculo de parmetros de confiabilidad,
las topologas que podran acercarse a una MTBF igual a diez aos (87, 600 hrs) son
la basadas en el convertidor CD-CD reductor-elevador [18] y [19]. Para [18],
siempre y cuando su frecuencia de operacin sea 50 kHz.

[17]
[18]

Caso 1
MTBF
MTBF
20 kHz 50 kHz
70,309
40,005
66,507
81,649

[19]

Caso 2
MTBF
MTBF
20 kHz 50 kHz
70,704
41,193
68,076
83,376
Caso 1
MTBF
9.6 kHz
96,718

Caso 3
MTBF
MTBF
20 kHz 50 kHz
69,268
40,092
67,383
82,630

Caso 4
MTBF
MTBF
20 kHz 50 kHz
70,736
40,207
66,064
80,161

Caso 2
MTBF
9.6 kHz
96,704

El convertidor elevador [17] operando a 50 kHz tiene una confiabilidad baja debido a
que el porcentaje de la tensin pico de operacin de su capacitor con respecto a la
nominal del mismo es del 83%. En el caso de [18] y [19], el porcentaje es de 80.
Este dato revela la fuerte dependencia de la tasa de fallas del capacitor con respecto
a este parmetro.
La ventaja que presenta la topologa [19] es que, con un frecuencia de operacin de
9.6 kHz, se logra tener una posible MTBF igual o superior a diez aos. Adems, la
eficiencia de esta topologa es superior a las dos restantes.
Para aumentar la confiabilidad de las topologas estudiadas y lograr una MTBF
igual o superior a diez aos, se sugieren las siguientes medidas:
Disear y operar las topologas [17] y [18] a frecuencias iguales o superiores a 50
kHz. Con ello se disminuye la magnitud de la capacitancia y, por lo tanto, disminuye
la tasa de fallas del sistema.
Disminuir el porcentaje de la tensin pico de operacin del capacitor con respecto a
su tensin nominal. Si las topologas [17] y [18] se operan a 50 Khz, se recomienda
que

61

este valor no sea superior al 80 %. A frecuencias inferiores es deseable que la


magnitud de este parmetro sea inferior al 80 %. Un aumento del 3% en este
parmetro tiene efectos considerables en la confiabilidad de la topologa.
En lo posible emplear capacitores electrolticos con una
capacitor comercial.

inferior a la de un

Cuidar la temperatura a la cual operan los capacitores. Tener especial cuidado en el


diseo de los disipadores asociados a los capacitores. Colocar los capacitores
retirados de fuentes de calor.
Mantener la tensin de CD dada por el panel fotovoltaico en un valor constante. Un
incremento en la tensin dada por el panel incrementa la tensin pico a la cual opera
el capacitor lo cual, a su vez, provoca un aumento en el porcentaje de la tensin de
pico de operacin del capacitor con respecto a su tensin nominal, y la
consecuente disminucin en la MTBF del sistema.
De ser posible minimizar el valor pico de tensin a la cual opera el capacitor en las
topologas [17] y [18].
Minimizar el nmero de capacitores electrolticos incluidos en la topologa, entre
menor sea el nmero de capacitores, mayor ser su MTBF. La tasa de fallas de las
topologas, si su diseo implicara un capacitor electroltico, sera de la mitad.
Es importante puntualizar que las conclusiones anteriores han surgido de un
anlisis de confiabilidad basado en las caractersticas de la metodologa MIL-HDBK-217
FN2. La principal desventaja de esta metodologa es la no inclusin de un modelo de
confiabilidad para el IGBT. En la MIL-HDBK-217 FN2 se modela al IGBT como un
MOSFET o un BJT. Al modelar el IGBT como un MOSFET o un BJT, se pierde
informacin. El modelo de confiabilidad del IGBT es complejo y depende de diversas
variables. Una de las ms importantes es la relacionada con los ciclos de temperatura,
la cual depende en buena medida de las formas de onda de corriente a las que se somete
el IGBT. En el modelo del MOSFET o del BJT no se toman en cuenta dichas
consideraciones.
Otro punto a considerar es que la confiabilidad de un sistema depende, adems
de las caractersticas de los dispositivos y sus condiciones de operacin, del proceso
de manufactura. La complejidad del diseo, el nmero de elementos de la topologa, el
diseo del impreso, entre otros, tienen un fuerte impacto en la aportacin del
proceso de manufactura a la confiabilidad del sistema.
No obstante lo dicho en los prrafos anteriores, las conclusiones a las que se
lleg en este trabajo indican directrices a seguir para lograr un diseo confiable de las
topologas [17], [18], y [19].

62

TRABAJOS FUTUROS
Todo estudio de confiabilidad est basado en alguna metodologa. Cada
metodologa est formada por un conjunto de ecuaciones que predicen la tasa de fallas
de un dispositivo. En algunas metodologas, dichas ecuaciones surgen de modelos
de distribucin de probabilidad asociados a la informacin de campo relacionada con las
fallas de los dispositivos. En otras, las ecuaciones surgen de modelos matemticos que
tratan de describir el comportamiento del dispositivo en funcin de diversas
variables como: temperatura, esfuerzos, etc.
El estudio de confiabilidad realizado est basado en la metodologa MIL-HDBK217 FN2. La principal desventaja de esta metodologa es la no inclusin de un modelo
de
confiabilidad para el IGBT. Para trabajos futuros se propone realizar un estudio
de confiabilidad de las topologas [17], [18], y [19], bajo algunas otras metodologas
de confiabilidad que incluya el modelo del IGBT.
De las conclusiones surgidas de este estudio se sabe que la principal causa de
falla en un topologa inversora es el capacitor electroltico. Un tema interesante sera
estudiar o proponer topologas inversoras en las cuales no se incluyan capacitores
electrolticos.
Si el capacitor electroltico fuera indispensable, entonces sera conveniente
realizar un estudio sobre cmo disminuir la tasa de fallas de un capacitor electroltico.
En este trabajo de investigacin no se consideraron condiciones anmalas
de operacin en los dispositivos (sobre tensiones, sobre corrientes, etc.). Podra ser de
inters realizar un estudio en el cual se considere el efecto de estas condiciones en la
confiabilidad del sistema.

63

REFERENCIAS
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Connected Photovoltaic Systems-An Overview. PESC 02, vol.4, pp.1995-2000, June
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64

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[15]J.M.A. Myrzik, M.Calais, String and Module Integrated Inverters for SinglePhase Grid Connected Photovoltaic Systems- A Review. Power Tech Conference, 2003
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[16]Y.Xue, L.Chang,S.Baekhoej, J.Bordonau, T.Shimizu, Topologies of Single-Phase
Inverters for Small Distributed Power Generators:An Overview. Power Electronics,
IEEE transactions, vol.19, pp. 1305-1314. September, 2004.
[17]R.O.Cceres and I.Barbi, A boost dc-ac converter: analysis, design, and
experimentation, IEEE Trans. Power Electron.,vol.14, Jan.1999, pp. 134-141.
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[21] S.B.Kjaer and F.Blaabjerg, Design optimization of a single phase inverter for
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Bradley A Comparasion of the Reliability of a Matrix Converter and a Controlled
Rectifier- Inverter, EPE 2005, Dresden.

65

APNDICE
A
PASOS DE DISEO PARA EL INVERSOR
ELEVADOR [17]
Calcular la tensin pico de salida, V
op
ganancia del convertidor y
componente de directa de la rama
del inversor.
G

Paso 1
Datos de entrada
Vin, Po, Vorms

Vop,Gm,VCD y R

VCD

2Vorms

Vop
Vin
GmVin
Vin
2

2
R Vorms

Calcular el
mximo.

Paso 2

ciclo

de

trabajo
Dmax

P
Gm

Gm 1
Dmax
Calcular la corriente pico y
Vop (1 Gm )
efectiva del inductor, y la tensin I LP
R
mxima del capacitor.

Paso 3

ILP, ILrms y Vap

V G
I Lrms

Paso 4
Dato de entrada: f s
(Depende del
dispositivo
seleccionado).

op

1.5 2

4R
Con
estos
datos
deben
dimensionarse los interruptores,
sin perder de vista que el diodo V
Vin (1 Gm )
debe ser rpido y que la frecuencia ap
de conmutacin est por arriba de
la regin audible.
DmaxVin
Calcular
la
inductancia
y
L
capacitancia del inversor.
f s (0.22I LP )
LyC
C

Dmax 2Po
f s (0.02Vap )Vop

Tabla a.1 Pasos de diseo para el inversor elevador [17]

Gm

66

APNDICE
B
PASOS DE DISEO PARA EL INVERSOR
REDUCTOR- ELEVADOR [18]
Calcular la tensin pico de salida, V
op
ganancia del convertidor y
componente de directa de la rama
del inversor.
G

Paso 1
Datos de entrada
Vin, Po, Vorms

Vop,Gm,VCD y R

V CD

2Vorms

Vop
Vin
GmVin
2

2
R Vorms

Calcular el
mximo.

Paso 2

ciclo

de

trabajo

P
Gm

Dmax

Gm 1
Dmax
Calcular la corriente pico y
Vop (1 Gm )
efectiva del inductor, y la tensin I LrP
R
mxima del capacitor.

Paso 3

ILrP, ILrms y Vap

V G
I Lrms

Paso 4
Dato de entrada: f s
(Depende del
dispositivo
seleccionado).

op

1.5 2

4R
Gm
Con
estos
datos
deben
dimensionarse los interruptores,
sin perder de vista que el diodo
Vop
debe ser rpido y que la frecuencia Varp VCD
VinG m
2
de conmutacin sea mayor a la
regin audible.
DmaxVin
Calcular
la
inductancia
y
L
capacitancia del inversor.
f s (0.22I LP )
LyC
C

I op

Dmax 2Po
f s (0.02Vap )Vop
2Po
V op

Tabla b.1 Pasos de diseo para el inversor elevador [18]

67

APNDICE
C
PROGRAMA PARA ENCONTRAR LAS TABLAS DE
DISPARO
El siguiente es el programa con el cual se encontraron las tablas de disparo para
los interruptores de los convertidores estudiados. Con base en dichas tablas se
simularon los convertidores [17], [18], y [19]. El cdigo est escrito en el lenguaje de
MAT- LAB.
%Datos de entrada
Vin=48
Vorms=120
fs=10000

%Voltaje de entrada Po=500


%Potencia de salida
%Voltaje eficaz de salida
%Frecuencia de conmutacin

%Datos calculados a partir de los datos de entrada


Vop=(sqrt(2)*Vorms)
Gm=(Vop/Vin)
VCD=(((Gm*Vin)/2)+40)
R=(Vorms*Vorms)/Po
T=(1/60)

%Tensin de salida pico


%Ganancia mxima
%Tensin sobre la que se monta la sinusoidal
%Carga
%Periodo de lnea

%Vector de tiempos de conmutacin


tc1=[0:(1/fs):T];
%Vector de ciclos de trabajo obtenido de la funcin de transferencia entrada-salida.
En este caso la funcin de transferencia pertenece al convertidor reductor-elevador
[18] (ecuacin 3.14)
dc1=1./(1+(Vin./(VCD+(Vop/2)*sin(120*3.1416*tc1))));
%Vectores con los tiempos de encendido y apagado
ton=(dc1./fs);
toff=((1/fs)-ton);
%Conversin a grados de los vectores con los tiempos de encendido y apagado
gradon=((ton*360)./T);
gradoff=((toff*360)./T);

68

%Vector con los tiempos de conmutacin


Dmin= (VCD/(Vin+VCD))

%Ciclo de trabajo mnimo

g=((1/fs)*(360/T))

%Frecuencia de conmutacin en grados

tonmin=(Dmin*(1/fs))

%Tiempo mnimo de encendido

u=((tonmin)*(360/T))

%Conversin a grados de la lnea anterior

c(1)=0;
c(2)=u;

%Primer elemento de la tabla de disparo


%Segundo elemento de la tabla de disparo

for i=3:1:333;

%333 es el nmero de elementos de la tabla de


%disparo

a=rem(i,2);
if a==0;
%Procedimiento para elementos pares de la tabla
c(i)= (c(i-1)+ gradon(i/2));
else;
%Procedimiento para elementos impares de la
tabla c(i)=(c(i-1)+ gradoff((i-1)/2));
end
end
d=c;
a=c';

%Vector con los elementos de la tabla de disparo


%Tabla de disparo en columna

Este es el cdigo empleado en todos los casos para encontrar las tablas de
disparo. Como es lgico suponer, la funcin de transferencia y la frecuencia de
conmutacin cambian de acuerdo al convertidor y caso. Adems, para el caso del
convertidor
[17]
cambia la tensin de CD (VCD) sobre la cual se monta la componente sinusoidal. Para
el convertidor [19] el valor de Gm y VCD es nulo.

69

70