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INTRODUCCION.

Simuladores de electrnica de potencia se pueden dividir en dos grupos con


respecto al algoritmo numrico utilizado por ellos. Una clase es el SPICE
[Berkeley SPICE2] simuladores basados tales como Orcad [1]. SPICE utiliza
un paso ajustable, algoritmo de Newton-Raphson para resolver la matriz de
ecuaciones nodales cuando el circuito contiene no linealidad como modelos
fsicos de interruptores y diodos. La segunda clase incluye los simuladores
discretos de transicin como el PSIM [2] y otros. Los modelos de dispositivos
ideales utilizados por los simuladores de transicin discretas y el hecho de
que no tienen en cuenta los casos de transicin que les hace mucho ms
rpido que el simulador basado en SPICE y eliminar, en gran medida, los
problemas de convergencia. En el lado negativo, ya que la mayora de los
simuladores de transicin discretas no se aplican modelos fsicos completos
de los dispositivos, que son incapaces de mostrar procesos parasitarios. Por
ejemplo, los diodos en PSIM son ideales e incluyen un solo parmetro: la
cada de tensin del diodo hacia adelante. En consecuencia, los resultados
de simulacin no son realistas (Fig. 1) al simular algunos circuitos de
electrnica de potencia, tales como amortiguadores que se ven afectados
por propiedades no ideales y parasitarias.
Procedimiento de modelado y los parmetros de extraccin.
El mtodo de modelado adoptado en este estudio se basa en el concepto de
control de carga agrupados [3]. Este principio se describe analticamente
mediante las siguientes ecuaciones:

donde, id (t) es la corriente del diodo, qe es el nivel de carga inyectada en la


unin, qm es la polarizacin directa total inyectado carga, Tm es el tiempo
de trnsito regin de deriva, t es el tiempo de vida, IS es la corriente de
saturacin del diodo , VD es el voltaje de diodo de unin, VT es la tensin
trmica y n es el coeficiente de emisin. Para reducir al mnimo los gastos
generales computacionales tanto como sea posible, el modelo se simplifica
an ms en este estudio haciendo caso omiso de la dependencia
exponencial entre la tensin directa Vd y la carga qe del diodo de potencia
(3).
El modelo de circuito equivalente propuesto de Fig2. emula el
comportamiento fsico durante el perodo de apagado de un diodo de
potencia tpica mediante la resolucin de las ecuaciones del modelo de
diodo simplificado. La ecuacin diferencial de primer orden (2) se emula en
el modelo por una red RC. El par de resistencia-condensador RTCT del
modelo refleja una constante de tiempo T durante 0 <t <ta (Fig. 1). El par
de resistencia-condensador Rt_rrCt refleja un trr constante de tiempo

durante el perodo de recuperacin t> ta. E_id es una fuente de tensin


controlada corriente asociada con la corriente de diodo y es igual a T iD (t).
La fuente de corriente controlada por tensin G_qm expresa la respuesta qm
(t) / Tm. El papel del interruptor Srr es seleccionar la constante de tiempo
correcto y es controlada por el estado del diodo ideal dvf. El diodo DVF lleva
la suma de iD (t) 1 metros cuadrados (t) / Tm. Mientras lleva a cabo con DVF
iDfv (t)> 0, el interruptor Srr es 'off' y la constante de tiempo es t. De
acuerdo con la referencia [3], en el instante de tiempo ta el diodo iD actual
(ta) y qm (ta) / Tm tienen magnitudes iguales con signo opuesto. En este
instante, DVF deja de conducir y el interruptor Srr enciende. A partir de
ahora la corriente iD (t) decaer a cero con una constante trr tiempo de la
siguiente manera, donde Irm es el pico de corriente inversa (Fig. 1).

El modelo se calibra por siete parmetros del modelo que deben


determinarse en el siguiente orden. El trr parmetro se puede obtener
mediante el ajuste (4) en contra de los datos de medicin en t> ta. En [3],
se muestra que las siguientes relaciones son vlidas, en donde ar es la
corriente de cada pendiente (Fig. 1).
Sustituyendo el experimento Parmetros Irm, ar, ta, TRR en (5) se puede
extraer t. Tm se calcula a partir de t y trr usando (6). Una vez que los
parmetros fundamentales se extraen, el clculo de los parmetros del
modelo de cinco restantes pueden proceder de la siguiente manera: El "Rs
= DvD / DiD" resistencia de contacto (de diodo caracterstica esttica hacia
adelante), Vf (de diodo caracterstica esttica hacia adelante), Ct=Co
(nmero arbitrario), Rt=t/Co y Rt_rr=trr/Co.

VERIFICACION DEL MODELO.


El diodo probado en los experimentos es una recuperacin rpida
MUR8100E comercial diodo de potencia, (semi-ON.) Con un tiempo de
recuperacin inversa nominal de 75 nseg. Las mediciones de prueba se
llevaron a cabo con un voltaje inverso estimado de 50 V durante el perodo
de apagar el diodo. Los parmetros del modelo se calculan a partir de una
medicin de datos de un giro tpico de forma de onda en la presencia de la
inductancia parsita del circuito con los siguientes parmetros
experimentales: corriente directa "if = 2,5 A", el pico de corriente inversa
Irm = 2A, cada de corriente de decantacin inicial AR = 4,5 A / 122 nseg y
la longitud del desvo perodo ta = 122 nseg. La inductancia parsita
estimado Ls se encontr que era 1,35 mH. Aplicando el mtodo de
extraccin propuesto, se encontr que los parmetros del modelo extrados
a ser: Rs = 50m, Vf = 1 V, Tm = 75,33 nseg, t = 144,8 nanosegundos, Ct =
1 nF, Rt = 144,8 V y Rt_rr = 49,55 V (trr se estim mediante el ajuste (4)
con los datos de medicin de ms de t> ta). La comparacin entre los
resultados experimentales y simulados del modelo propuesto para varias
condiciones a su vez fuera se muestra en la figura. 3. La figura muestra un
buen ajuste de la simulacin a los datos experimentales.
El modelo tambin se ensay en un convertidor reductor DC-DC que incluye
una red snubber sin prdida pasiva como se muestra en la figura. 4. Un
anlisis completo de este snubber sin prdidas para convertidor Boost DCDC fue presentado en [4]. En el circuito experimental: Vin = 50 V, Vo = 12 V,
Po = 30 W, fs = 24 KHz, Lr = 2 mH, Cr = 10 nF, Daux1 y Daux2 eran
MUR415 (Semi-ON). El convertidor se controla digitalmente por
dsPIC30F2020, que en la simulacin est representado por un bloque C (. Fig
4). La simulacin se llev a cabo bajo las siguientes condiciones: (1) diodos
auxiliares Daux1 y Daux2 eran ideales con voltaje constante hacia adelante,
(2) la recuperacin inversa del diodo de rueda libre fue implementado por el
modelo propuesto. Resultados de la simulacin y las formas de onda de
verificacin experimentales se representan en la figura. 5. El modelo de

simulacin replica muy bien el comportamiento del circuito experimental


(Fig. 5 (a)), a excepcin de algunas diferencias insignificantes derivados de
la capacitancia parsita y la inductancia y la falta de coincidencia en tensin
directa de los diodos entre el circuito de simulacin y el experimental. Como
era de esperar, las grandes desviaciones se encuentran entre experimento y
la simulacin cuando se usa el diodo PSIM originales (Fig. 5 (b)).

DISCUSION Y CONCLUSION.
El modelo de recuperacin inversa del diodo propuesto es muy adecuado
para el estudio detallado de las interacciones con el resto de dispositivos del
circuito, por ejemplo, diseo de amortiguador. Se encontr que los
resultados del experimento para estar en buen acuerdo con las formas de
onda de simulacin (. Fig 3). El modelo dio buenos resultados para las
corrientes hacia adelante por debajo de 2,5 A y exhibi una exactitud
razonable para una corriente directa de IF = 4,3 A (Fig. 3 (f)).

La desviacin puede explicarse por el hecho de que los parmetros se


ajustaron para dar aproximacin ms cercana a los datos en el que la
corriente directa se IF = 2,5 A. Adems, se observ una disminucin lenta
de la cola a cero. Esto es probablemente debido a que la nica constante de
tiempo del modelo es incapaz de simular con precisin la decadencia de las
formas de onda de orden superior. La utilidad prctica del modelo sobre el
diodo ideal norma se demostr en un convertidor buck dc-dc banco de
pruebas. El modelo de diodo se encontr para reproducir fielmente los datos
experimentales (Fig. 5 (a)).
La fortaleza del modelo se encuentra en la capacidad de ayudar a los
diseadores a examinar los fenmenos fsicos como la recuperacin inversa
y su interaccin con otros componentes del circuito y al mismo tiempo para
explorar las necesidades de control de la estabilidad, la conmutacin suave
y otros en una sola plataforma. El modelo se puede incorporar fcilmente en
otros simuladores de electrnica de potencia discretos transicin siguiendo
el propuesto procedimiento de construccin del modelo.