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TECNOLGICA NACIONAL
DPTO. ING. ELECTROMECNICA
CTEDRA:
ELECTRNICA INDUSTRIAL
TEMA:
TRANSISTORES
AO
Realiz: Fernando Luciani
2003
Corrigi: Ing. Jorge Amigo
Figura 1
Observemos que los terminales del monocristal se encuentran levantados, es decir, sin ninguna
polarizacin externa.
Si se aplican polarizaciones externas se producirn algunos efectos simultneos pero que podemos
pensarlos como si ocurrieran en momentos distintos.
Estos efectos son: si polarizamos una de las uniones del transistor en sentido directo y a la otra de
las junturas en sentido inverso, la regin de agotamiento de la unin polarizada en sentido directo se
angosta y la regin de agotamiento de la juntura polarizada en sentido inverso se ensancha.
-1-
(ecuacin 1)
(ecuacin 2)
(ecuacin 3)
IC I S
IE
Expresin 1
IC
IE
Expresin 2
I C
I E
Expresin 3
-4-
Donde I E
debida al campo elctrico
I S (TJ ) debida a la ruptura de enlaces covalentes
A medida que la corriente de emisor sea mayor, mayor ser la corriente de colector.
Si observamos a la figura 5 podemos ver que las bateras de polarizacin se encuentran situadas
entre el emisor y la base y entre el colector y la base respectivamente, luego la base est
interviniendo como elemento comn de las dos bateras de polarizacin, en consecuencia, esta
manera de polarizar al trasistor se denomina base comn.
De aqu que el se denomine ganancia de corriente en base comn, y es oportuno aclarar el
trmino ganancia: cuando controlamos a la corriente de emisor hacindola mayor o menor tambin
controlamos o manejamos la corriente de colector hacindola en valor absoluto mayor o menor
respectivamente, es decir, que el trmino ganancia debera ser sustituido por ganancia de control
es menor que la unidad, consecuentemente, diramos vulgarmente que no hay ganancia.
Hemos dicho que el del transistor depende el ancho de la base y este ancho es el fsico, pero si
analizamos que sucede cuando polarizamos, con ayuda de la figura 6, vemoa que debido a la unin
polarizada en sentido inverso, la juntura base-colector, gran parte de la base deja de ser material
semiconductor extrnseco y pasa a ser regin de agotamiento, regin con cargas ionizadas unidas en
forma covalente a la estructura cristalina, es decir, aislante.
La parte de la base que queda fuera de la regin de agotamiento es el lugar fsico donde los
portadores que provienen del emisor se pueden recombinar, es decir, esa parte es el ancho real o
efectivo de la base.
Figura 6 (representacin del ancho fsico y del ancho efectivo de la base de un transistor)
-5-
I C
VCB = cte. Esto indica un ancho de base determinado
I E
Ecuacin 4
VCC = RC * I C + VCB
Ecuacin 5
Diremos en consecuencia, que un transistor se halla polarizado cuando se hallan fijadas mediante
resistencias y bateras exteriores las corrientes de colector, emisor y base; y las cadas de tensin en
las uniones emisor-base y colector-base.
Las tensiones exteriores reciben el nombre de bateras de polarizacin y las resistencias exteriores
se llaman resistencias de polarizacin.
-6-
Transistor NPN
el ms negativo
intermedia
el menos negativo
-7-
Figura 9 (smbolo convencional del transistor NPN con indicacin de los signos de las
polarizaciones relativas y los sentidos convencionales de corriente)
Transistores PNP: anlisis de funcionamiento
El transistor PNP en cuanto a su funcionamiento es similar al transistor NPN con la sola diferencia
que los portadores mayoritarios sern en este caso huecos o lagunas y que los portadores
minoritarios sern electrones.
La polarizacin del emisor deber ser ms positiva que la base para que la unin emisor-base quede
polarizada en directa, y la polarizacin colector deber ser ms negativa que la base para que la
unin colector-base quede polarizada en sentido inverso.
Fuera de estas diferencias todo lo dicho en el caso anterior vale cambiando donde dice lagunas por
electrones y viceversa, donde dice positivo por negativo y viceversa y donde dice P por N y
viceversa. Las ecuaciones deducidas en el caso anterior son vlidas y las consideraciones acerca del
tambin lo son.
Figura 10 (esquema del transistor PNP con indicacin de las corrientes de portadores mayoritarios,
minoritarios y de saturacin inversa, as como de las cadas de tensin en las uniones)
-8-
Figura 12 (esquema circuital equivalente de polarizacin con dos bateras de transistores NPN y
PNP en la configuracin base comn indicndose las cadas de tensin en las uniones y los
smbolos convencionales de circulacin de corrientes en las mallas)
Curvas caractersticas de los transistores
Si analizamos un circuito de polarizacin de un transistor PNP en la configuracin base comn tal
como ilustra la figura 13, podemos observar que en la malla de salida de la corriente, es decir, en la
malla base-colectror (BC), tenemos por definicin, un diodo que se encuentra polarizado en sentido
inverso, consecuentemente la relacin tensin-corriente de la juntura ser la misma que la existente
en un diodo polarizado en sentido inverso, es decir, circulando la corriente de saturacin inversa
- 10 -
- 11 -
Figura 17 (modulacin del ancho de la base por la tensin VCB de polarizacin, efecto denominado
EFECTO EARLY)
- 12 -
Figura 19 (distintas curvas caractersticas de entrada para los distintos valores de tensin colectorbase)
- 13 -
VEB
VCB 3
VCB 2
VCB1
- 15 -
IE
IC
VEB
VCB
IE
IC
VBE
VCB
Figura 27(transistor PNP polarizado con dos bateras en la configuracin base comn)
VEE = RE I E + VEB
VCC = RC I C + VCB
I E = IC + I B
I C = I E + I S
Si analizamos la malla de entrada a travs de su ecuacin vemos que VEE y RE son valores
conocidos, puestos por nosotros, y que la tensin VEB es esencialmente dependiente del material y
que adoptamos 0,2 Voltios para el germanio y 0,7 voltios para el silicio, luego la nica incgnita es
I E en nuestro punto de trabajo, la podemos determinar:
I EQ =
VEE VEB
RE
si analizamos la ecuacin de la malla de salida vemos que la misma es la ecuacin de una recta
cuyas variables son I C y VCB ' luego, tomando dos puntos singulares podemos trazar dicha recta en
las curvas caractersticas de salida, dichos puntos singulares son:
para I C = 0
VCBcorte = VCC
para VCB = 0
I Csat =
VCC
RC
- 18 -
- 19 -
(1)
I C = I E + I S
(2)
La ecuacin (2) relaciona la corriente de colector que es la corriente de salida con la corriente de
emisor que es la corriente de entrada. Si bien esto es vlido para todas las configuraciones ser
interesante disponer de una ecuacin que relacione la corriente de salida con la corriente de entrada
en las otras configuraciones. Hagamoslo primeramente con la configuracin en emisor comn pero
no olvidemos que las ecuaciones (1) y (2) valen siempre pues son intrnsecas al transistor.
Emisor comn
Sustituyendo (1) en (2) se tiene:
I C = (I C + I B ) + I S
(3)
I C = I C + I B + I S
I C I C = I B + I S
- 20 -
1
* IS +
* IS
1
1
(4)
(5)
Dicho en los manuales se indica como hEF ganancia de corriente esttica en la configuracin
emisor comn.
Si vara entre 0,995 y 0,97 el variar entre 200 y 20.
Sustituyendo (5) en la ecuacin (4) nos quedara:
1
(6)
IC = * I B +
* IS
1
Esta ecuacin (6) es una ecuacin hbrida pues tenemos que la corriente de colector est afectada por
dos factores diferentes el y el , procuremos buscar que I C quede slo en funcin del .
1
(1 ) =
=
= +
= (1 + )
=
1+
=
1
, busqumoslo matemticamente:
1
1+
1+
1 =
1+
1
1 =
1+
1 = 1
(7)
- 21 -
(8)
(9)
Las ecuaciones (8) y (9) se denominan ecuaciones fsicas del transistor en la configuracin emisor
comn.
En la ecuacin (8) pueden verse dos cosas: que hay ganancia de corriente y una mayor sensibilidad
respecto de la temperatura. El admite ser definida en trminos incrementales
I C
I B
VCB = cte
T J = cte
(10)
I E I E = I S + I B
I E (1 ) = I S + I B
I
I
IE = B + S
1 1
Tomando en cuenta la ecuacin (5) podemos escribir:
I E = (1 + ) I B + (1 + ) I S
I E = IC + I B
(11)
(12)
Figura 32 (circuitos de polarizacin con dos batera en configuracin emisor comn EC-)
En la figura 32a puede verse que en el transistor PNP la corriente de entrada (I B ) egresa del
transistor, al igual que la corriente de salida (I C ) , luego ambas son negativas de acuerdo a la
teora de cuadripolos, por otra parte siendo el emisor el ms positivo, la tensin VCE o tensin de
- 23 -
Figura 33 (transistor PNP polarizado en configuracin colector comn con indicacin de las
polaridades relativas de los terminales)
- 24 -
Figura 34 circuitos de polarizacin con dos bateras en configuracin colector comn CC- )
En la figura 35 representamos lo expuesto en las curvas caractersticas de un transistor NPN en la
configuracin emisor comn.
Curvas caractersticas en la configuracin colector comn
Los manuales habitualmente no brindan estas caractersticas pues los mismos estn orientados a
aplicaciones en las cuales esta configuracin es de poco uso.
Sucede lo mismo que con el de los transistores que en muchos casos no es dato sino que los
Manuales dan el hFE o .
Pero de lo expuesto anteriormente son fcilmente deducibles estas curvas.
Recta de la carga esttica en la configuracin emisor comn
Si utilizando el circuito de la figura 36 se desea calcular el punto de funcionamiento del transistor se
debe proceder de manera similar a la que se procedi en base comn.
Figura 36 (circuito de polarizacin con dos bateras de un transistor NPN en configuracin emisor
comn)
- 25 -
VCE = 0
VCE = VCC
I C = VCC *
1
RC
EL TRANSISTOR EN SEAL
Hasta el momento hemos tratado al transistor en corriente continua y hemos trazado sus
caractersticas estticas y hemos establecido que es posible controlar una malla de salida
controlando los parmetros de la malla de entrada, pero este control, esta amplificacin puede y
se hace dinmica mediante seales adecuadas. Estudiaremos que sucede para seales alternas sin
tomar en cuenta, por el momento, los efectos de la frecuencia.
Circulacin de corriente y relaciones de fase de tensin para un amplificador base comn
En la figura 37 se representa un transistor NPN en la configuracin base comn, polarizado con dos
bateras y al cual se le agrega una fuente de tensin alterna en el circuito de entrada (malla emisorbase).
- 27 -
B
C
D
Entrada
Salida
Figura 37 (amplificador base comn BC- con indicacin de circulacin de corrientes y formas de
onda de tensin)
En la figura puede observarse que se toma la seal de salida entre base y colector mediante un
condensador, este es de baja impedancia para la frecuencia de la seal, en corriente continua
funciona como un circuito abierto y en seal como un cortocircuito.
Cuando la tensin del generador de seal se opone a la polarizacin directa producida por la batera
base-emisor. La polarizacin directa resultante en ese momento se reduce y hace que disminuya la
corriente de emisor: I E iE (con minscula la seal de alterna) que entra al transistor, la corriente
de salida o corriente de colector est dada por la ecuacin
I S + (I E iE ) = I C iC
Si solo tomamos en cuenta la parte alterna:
iE = iC
Luego: =
iC
p 1 ; esto nos lleva a decir que en base comn no hay amplificacin de corriente.
iE
B
C
A
D
Entrada
B
C
Salida
* I S + * (I B + iB ) = I C + iC
Si solo tomamos en cuenta la parte alterna: iB = iC
I
Luego:
C f 1 ; esto nos lleva a decir que emisor comn existe amplificacin de corriente.
iB
Por otra parte en la malla de salida se tiene:
vsalida = VCC Rl * I C
- 29 -
Entr
ada
D
Sali
da
Figura 39 (amplificador colector comn CC- con indicacin de circulacin de corrientes y formas
de onda de tensin)
Cuando la tensin del generador de seal (seal AB) se opone a la polarizacin inversa en ese
momento se reduce y esto hace que aumente la corriente de base: I B iB , que ingresa al transistor,
la corriente de salida o corriente de emisor est dada por la expresin:
I S (l + ) + (l + )(I B + iB ) = I E + iE
- 30 -
(l + )iB = iE
luego:
(l + ) = iE
iB
1;
- 31 -
Ib = 30 mA
Ib = 20 mA
Ib = 10 mA
Ib = 0 mA
CORTE
Vc
e
Ic
Pjmax
V
Figura 41 (parbola de mxima disipacin)
rea de operacin segura (SOAR Safe Operation Area-)
El diodo de salida de un transistor, en el caso de un transistor en emisor comn el diodo colectorbase, tiene como todo diodo dos lmites de funcionamiento: la mxima tensin inversa que resiste
que se denomina BVCE (tensin de ruptura B=Breakdown) y la mxima corriente directa que por
l puede circular sin que se queme, I Cmx (corriente de colector mxima en el caso emisor comn)
El rea de las curvas de salida de un transistor que queda encerrada por la parbola de mxima
disipacin, la tensin de ruptura y la corriente mxima se llama AREA DE OPERACIN SEGURA
DEL TRANSISTOR.
Ic
Icma
x
PJma
x
Vcb
BV
Figura 42 (rea de operacin segura de un transistor SOAR)
Factor de estabilidad trmica
La corriente residual en cada configuracin con transistores es funcin de la temperatura pues la
corriente de saturacin inversa lo es, recordemos que esta se duplica cada 10C en el caso del Ge y
cada 6C en el caso del Si.
- 33 -
S=
En el caso emisor comn, tenemos:
S=
I C
=1
I S
I C
= (1 + )
I S
I E
= (1 + )
I S
Esto nos indica que los lmites de S son:
1 S hFE
Lo ideal es que S sea lo ms pequeo posible, por ejemplo supongamos que en un transistor en
emisor comn la I S vari de 3A a 3,5A (variacin de temperatura del orden de los 2,25C) y
que hEF sea 200, la corriente de colector sufre una variacin de:
S=
Ejemplo numrico
En el circuito de la figura hallar el punto de polarizacin teniendo en cuenta que los datos son los
siguientes: Transistor 2N404, Germanio, se dispone de las curvas caractersticas de salida (figura
49), hEF medido exactamente e igual 166, R1 = 34,2 K , R2 = 14,5 K , RE = 50 , RC = 198 y
Vcc = 10voltios . A los fines del clculo supngase que el transistor se halla en configuracin emisor
comn.
En la malla de salida (malla emisor-colector) se tiene:
VCC = RE I E + VCE + RC I C
Si aceptamos que I E e I C son aproximadamente iguales despreciando I B frente a la magnitud de la
corriente de colector, podemos escribir:
VCC = (RE + RC )I C + VCE
Si I C = 0 tenemos
VCC = VCE = 10voltios
Si VCE = 0 tenemos
IC =
VCC
RE + RC
IC =
10V
= 40mA
250
- 34 -
I1
IC
IB
VCE
VBE
IE
Con los dos valores obtenidos trazamos la recta de polarizacin en las curvas caractersticas de
salida.
En la malla base emisor podemos plantear:
I 2 R2 VBe RE I E = 0
aceptamos que I E = I C y que I C = hFE I B escribimos I 2 R2 VBE RE I B hFE = 0
(1)
VB
IB
IE
En el nudo A se tiene:
I 2 + I B I1 = 0
(2)
I!R! + I 2 R2 = VCC
(3)
Las ecuaciones (1), (2) y (3) constituyen un sistema con tres ecuaciones y tres incgnitas, de los
cuales solo nos interesa I B , resolvindolo tenemos:
VCC VBE VBE *
IB =
R1
R2
(R2 + RE * hFE ) * R1 + R
R2
I B 150A
* hEF
- 35 -
- 36 -
IB
A
I1
IB
I2
Nudo A
Malla externa
El transistor en seal
Hemos dicho en los ejemplos numricos precedentes tomemos a los fines del clculo al transistor
como si estuviera en la configuracin emisor comn pues todos los circuitos que llevan esta frase
polarizan al transistor, es decir, fijan la unin colector-base en sentido inverso y la unin baseemisor en sentido directo pero no optan, en realidad, por ninguna de las configuraciones.
Figura 51 (circuito de polarizacin del transistor antes que acten las fuentes de polarizacin y
seal)
Que el colector adopte el potencial de masa o la base o el emisor se produce en el momento que se
inyecta una seal y mediante la ayuda de algunos condensadores cuyo valor les permite ser
considerados como circuitos abiertos en corriente continua y como cortocircuitos en seal.
- 37 -
Ic
I1
( )
VCE
Ib
(+)
I2
Ie
I1 + i1
i2
I C + iC
i4
I B + iB
IE
I 3 + i3
i5
i2
i3
i1
i
I1B
( )
VCE
(+)
IE
I2
i4
IC
iE
Figura 55 (circuito de
polarizacin del transistor
considerado antes de que acten
las fuentes)
Debido a lo convenido acerca de los condensadores y aceptando que la fuente de corriente alterna se
halla desconectada, el esquema circuital de la figura 55 para corriente continua es:
- 39 -
IC
I1
( )
VCE
(+)
IE
I2
I C + iC
I1
i4
I2
IE
- 40 -
- 41 -
IC
I1
( )
VCE
(+)
I2
IE
IC
i1
I 3 + i3
iC
I3
I E + iE
I E + iE
Fig. 61 (transistor polarizado y excitado)
- 42 -
i1
i4
i3
iE'
iS
i4
iB
i2
i1
i3
iB
iC
i2
(1)
La ecuacin (1) es de una recta, pero una recta que cambia instante a instante pues iC y vCE son
funciones del tiempo o de la frecuencia, luego estn definiendo la ecuacin de una recta dinmica.
Esta recta presenta respecto a la recta de polarizacin esttica un punto en comn, el punto de
polarizacin O, pero en las condiciones de que la seal de salida sea simtrica y de pequea
amplitud, es decir que el transistor no introduzca deformacin en la seal de entrada simtrica.
Considerando superpuestas a las seales y a las tensiones de polarizacin, la ecuacin de malla de
salida es:
VCC = vCE + iC ( RC RL ) + I C RC + VCE + I E RE
(2)
(3)
En la ecuacin (3), la VE es una constante pues por la resistencia no pasa corriente de excitacin.
Si la seal de excitacin es simtrica y el transistor no introduce deformacin, el valor medio de la
seal de salida es nulo y la ecuacin (3) queda para los valores medios:
VCC = I CQ RC + VCEQ + VE
(4)
La ecuacin (4) es la justificacin de que la recta de carga dinmica y la recta esttica tienen un
punto en comn en las circunstancias indicadas: el punto de polarizacin esttico.
Analicemos ahora las distintas relaciones que se pueden plantear entre la resistencia de carga RL y
la resistencia de polarizacin de colector RC .
- 44 -
(5)
Considerando:
I polarizacin + iseal = iC'
(6)
A los fines de poder trazar la recta que esta ecuacin define en las caractersticas de un transistor,
consideramos dos puntos singulares:
VCC VE
RC
Si
'
vCE
=0
iC' =
Si
iC' = 0
'
vCE
= VCC VE
Llevando estos dos valores a la caracterstica de salida del transistor trazamos la recta de
polarizacin dinmica que pasa por el punto Q, en razn de que suponemos que la seal es simtrica
y de pequea amplitud (el transistor no introduce distorsin).
Lo expuesto precedentemente se lleva sobre una caracterstica de salida de un transistor 2N404 con
valores totalmente arbitrarios como puede verse en la figura 65.
2.- Caso que la RL o dicho de otra manera RL p 10 RC
Ecuacin de la malla de salida:
VCC = vCE + iC ( RC RL ) + I CQ RC + VCEQ + VE + I CQ ( RC RL ) I CQ ( RC RL )
Luego:
VCC = (VCEQ + vCE ) + ( I CQ + iC )( RC RL ) + VE + I CQ ( RC RC RL )
- 45 -
Figura 65 (rectas de carga esttica o del bias y dinmica vlida para RL mucho mayor que RC ,
siendo el transistor PNP y estando en la configuracin EC)
VCC = v'CE +i 'C ( RC RL ) + VE + I CQ ( RC RC RL )
(3)
donde
- 46 -
Figura 66 ( rectas de carga esttica y dinmica vlida esta ltima para RL de la misma magnitud o
menor a 10 veces el valor de RC , siendo el transistor PNP y estando en emisor comn)
La forma para ubicar la recta seria estableciendo dos puntos que pertenecieran a la misma, una
manera sencilla sera:
- 47 -
S v'Ce = 0
i 'C =
S i 'C = 0
RC RL
= i 'C 0
Obviamente para RL f RC , ( RC RL ) RC y las ecuaciones quedan como las del anterior caso.
Consideraciones acerca de la malla de entrada en seal
Con referencia al circuito en seal para un transistor NPN de la figura 67, vemos que la parte activa
de la seal es iB pero que la seal completa es: iS = iB + id es decir, que la resistencia de
polarizacin de base RB es una resistencia de drenaje o de prdida de seal, luego su valor debe ser
lo ms elevado posible frente a la resistencia de entrada del transistor.
iC
iB
iS
iE
= hFE + l
iB
- 50 -
VCC = RC I C + VCE + RE I E
(2)
VCC = ( RC + RE ) I C + VCE
(3)
Pjmx = I CQ * VCEQ
(5)
VCC = ( RC + RE ) I CQ +
(6)
2
VCC I CQ = ( RC + RE ) I CQ
+ Pjmx
(7)
2
I CQ
( RE + RC ) + (VCC I CQ ) + Pjmx = 0
I CQ
(8)
I CQ =
2
VCC ((VCC
4 Pjmx ( RE + RC )) 2
2( RE + RC )
Para que sea tangente la solucin debe ser nica y ello se logra si:
(9)
2
VCC
= 4 Pjmx ( RE + RC )
(10)
2
VCC
= 2 Pjmx ( RE + RC )
2
I CQ =
VCC
2( RE + RC )
- 51 -
VECQ =
Pjmx
VCC
2( RE + RC )
VECQ =
VCC
2
- 52 -
- 54 -
- 55 -
- 56 -
- 57 -