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El transistor uniunin o UJT (figura 3.1) es un elemento compuesto por dos bases, B1 y
B2, entre las que va situada una resistencia de silicio tipo n. Esta resistencia se denomina
de interbase (RBB); a 25OC, su valor esta comprendido entre 4.7K y 9.1K.
En un punto determinado de la resistencia RBB va colocado un diodo pn cuyo
nodo acta de emisor.
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3.2
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Esta ecuacin es muy aproximada siempre y cuando el UJT tenga una n del
orden de 0.63.
Si n=0.63, Ce debe cargarse casi a un 63% de Vs para poder disparar el UJT.
Para esto se requiere un tiempo de carga igual a una constante de tiempo, o sea:
Tcarga=ReCe
8)
La relacin entre contactos de un UJT es bastante estable a cambios de
temperatura, varia menos de un 10% en un rango de temperatura de operacin de 50C a +125C en un UJT de buena calidad.