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Electrnica Industrial

Pre informe I

Nombres: Daniel Huaiquil


Elvis Riffo

Profesor: Sr. Luis Paine S.

Lunes, 18 de Agosto 2014

Investigue lo relacionado con el funcionamiento, configuracin, y parmetros de operacin de los


transistores 2N3055, TIP122. Cul es el significado y definicin de ODF?

Transistor BJT 2N3055


El transistor de corriente 2N3055 es un transistor NPN de silicio que posee una carcasa metlica
Jedec TO-3. Tales componentes funcionan como conmutadores para desviar corriente en distintos
dispositivos electrnicos, desde televisores hasta reguladores de voltaje. Se puede utilizar con
amplificadores de alta fidelidad, etapas de salida, circuitos y series de interruptores de corriente y
reguladores de derivacin.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En
una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector est
polarizada en inversa. Debido a la agitacin trmica, los portadores de carga del emisor pueden
atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los
portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el
colector.
Cuando un transistor se utiliza como interruptor o switch, la corriente de base debe tener un valor
para lograr que el transistor entre en corte y otro para que entre en saturacin. Un transistor en
corte tiene una corriente de colector mnima prcticamente igual a cero y un voltaje colectoremisor mximo casi igual al voltaje de alimentacin, mientras que en saturacin tiene una
corriente de colector mxima y un voltaje colector-emisor casi nulo

Transistor Darlington TIP122


Es un transistor de potencia darlington , formado por dos transistores conectados en cascada para
aumentar la ganancia. Su elevada ganancia permite conectar la base al microcontrolador, y el
colector a circuitos de elevada potencia, sin ninguna etapa previa. Est diseado como
amplificador de propsito general y switching de baja frecuencia.

ODF
Se conoce como factor de sobreexcitacin (ODF) y se relaciona con la cantidad de carga adicional
que se almacena en la base. Normalmente la corriente de base es mayor a la requerida para entrar
a la zona de saturacin del dispositivo, como resultado la carga excedente queda almacenada en la
base.

Es recomendable disear el circuito para una corriente mayor que IBS para garantizar que el TBJ
est trabajando en la regin de saturacin. A partir de este planteamiento se puede decir que el
ODF es siempre mayor que la unidad cuando el dispositivo conduce. A medida que aumenta el
ODF aumenta (directamente proporcional), ya que el
es constante.

Actividad 2
De acuerdo a las especificaciones de cada elemento configure el circuito en el terminal de control
(alimentado en CC) de forma que se pueda llevar los componentes a estado ON y OFF para cada
caso indicado en los esquemas del desarrollo experimental (cada transistor con las cargas A y B),
considerando al menos dos valores de corriente de base en cada caso. En todos los casos las
resistencias del diseo deben corresponder a alguna de las siguientes:
Valor []
Potencia [W]

120
2

220
2

470
0.5

1k
0.5

4k7
0.5

5k6
0.5

Caso 1: Transistor 2N3055, Carga Resistiva 6.8 []


RL = 6.8 []
IC

VCC = 5 [V]

RB
IB

VBB

+
VCE
E

+
VBE
-

En primer lugar, se alimenta el circuito con una fuente


donde se utiliza una carga resistiva

,
.

Para que exista una corriente mxima en el colector


donde puede pasar la carga se
debe cumplir que
, donde el transistor opera en zona de saturacin comportndose
como un interruptor en ON, entonces:

Para eso es necesario tener una corriente mnima en la base. En el datasheet del transistor la
ganancia mnima de corriente es
. Luego calculamos la corriente mnima base
para que el transistor opere en estado ON:

Escogemos una resistencia en la base


]. Para calcular el voltaje mnimo necesario en la
base
aplicamos la ley de voltaje de Kirchhoff (LVK) en la malla interna del circuito,
con
. Asumiendo
:

Con esto se obtiene un factor de sobreamortiguamiento


, calculamos y
para este caso:

. Si aplicamos un voltaje de

Caso 2: Transistor 2N3055, Carga Motor DC

VCC = 12 [V]

RB
IB

VBB

C
B

+
VBE

IC
+
VCE
-

Suponemos que el motor DC funciona con una corriente


(dato tomado dentro
de un rango variable expuesto en la web). Utilizando la resistencia
y con la ganancia
de corriente del transistor
, se procede a determinar la corriente mnima de saturacin
y el voltaje de base necesario
:

Si

, entonces.

Caso 3: Transistor TIP122, Carga Resistiva 6.8 []


RL = 6.8 []
IC
VCC = 5 [V]

RB
IB
VBB

+ E
VBE1
-

C
B

+
VBE2
-

+
VCE
-

Para obtener la corriente mxima del circuito, debemos tener el interruptor abierto:

Con

, obtenemos la corriente mnima

Una vez obtenido el


malla inferior, con

Con

, calculamos el voltaje
de la siguiente forma:

necesario aplicando LVK en la

Caso 4: Transistor TIP122, Carga Motor DC

VCC = 12 [V]

IC
C

RB

E
+
VBE1
-

IB
VBB

+
VBE2 -

+
VCE
-

Sean los siguientes datos:


;

Se procede a calcular la corriente de base mnima de saturacin


necesario
, con
:

Si aumentamos el voltaje de la base en

; entonces:

y el voltaje de base