TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

INTRODUCCIN
Por

varios

aos

se

ha

buscado

un

dispositivo

que

fuera

lo

suficientemente rpido y pueda manejar surgiendo un hibrido de la

unin de un MOSFET con un BJT, aprovechando la sencillez de ataque de
los MOSFET la capacidad de conducir altas corrientes y baja resistencia
en conduccin de los BJT, obtenindose el IGBT.
QU ES UN IGBT
Los IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) tienen algunas de las
ventajas de los MOSFET, BJT y GTO combinados. Parecido al MOSFET, el
IGBT tiene una puerta de alta impedancia que slo requiere una
pequea cantidad de energa para conmutar el dispositivo. Igual que el
BJT, el IGBT tiene un voltaje de estado activo pequeo,

incluso en

dispositivos con grandes voltajes nominales de bloqueo (por ejemplo,

Venc es de 2 a 3 V en un dispositivo de 1 000 V).
El IGBT es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a
circuitos de potencia.
Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin.
La tensin de control de puerta es de unos 15V, teniendo la ventaja de
controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada
muy dbil en la puerta.
El IGBT resulta til para velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz
logrando sustituir al BJT en varias aplicaciones.

FIG.1. Smbolo de un IGBT.

FUNCIONAMIENTO
El IBGT en un estado inicial se encuentra bloqueado. Por lo tanto no
existe ningn voltaje aplicado al GATE (G). Si se aplica un voltaje (V GS) al
GATE (G), el IGBT

se encender inmediatamente, la corriente I D es

conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. La

corriente ID persiste para el tiempo t ON en el que la seal en el GATE (G)
es aplicada. Para encender el IGBT, el terminal del DRENADOR (D) debe
ser polarizada positivamente con respecto a la terminal FUENTE O
SOURCE (S). LA seal de encendido es un voltaje positivo V G que es
aplicado al GATE (G).

Este voltaje, si es aplicado como un pulso de

magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo de encendido

sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de drain iD es igual a la
corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el
dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el gate. Sin
embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el
gate es muy baja.

Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto

significa que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS
es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es
conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero.
LA corriente ID persiste para el tiempo tON en el que la seal en el gate
es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser
polarizada positivamente con respecto a la terminal S. LA seal de
encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este
voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15,
puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de
lo cual la corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL
(asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se
mantiene as por una seal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud

del control de voltaje la disipacin de potencia en el gate es muy baja.

EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la
terminal gate. La transicin del estado de conduccin al estado de
bloqueo puede tomar apenas 2 micro segundos, por lo que la frecuencia
de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de
encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de
este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el
voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un
voltaje

arriba

de

15

V,

la

corriente

iD

se

autolimita.

El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de corriente

directa como de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que
exceden los 50 kW.

Este dispositivo aparece en los aos 80

Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un MOSFET
La caracterstica de salida es la de un bipolar pero se controla por
tensin y no por corriente

Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)

Facilidad de manejo (MOSFET)

Menor capacidad de conmutacin (Bipolar)

No tiene diodo parsito

Estructura del IGBT

Es similar a la de un MOSFET
Slo se diferencia en que se aade un sustrato P bajo el sustrato N
Es el dispositivo ms adecuado para tensiones > 1000 V
El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V
En los valores intermedios depende de la aplicacin, de la frec.,etc.

El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:

Bajo ciclo de trabajo

Baja frecuencia (< 20 kHz)

Aplicaciones de alta tensin (>1000 V)

Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones tpicas del IGBT

Control de motores

Sistemas de alimentacin ininterrumpida

Sistemas de soldadura

Iluminacin de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia

Gran capacidad de manejo de corriente

Comparacin IGBT-MOSFET con el mismo rea de semiconductor

El IGBT tiene menor cada de tensin

Menores prdidas en conduccin

Problema:
Coeficiente de temperatura negativo

A mayor temperatura, menor cada de tensin

Conduce ms corriente
Se calienta ms
Esto es un problema para paralelizar IGBTs

Pro
Coeficiente de temperatura negativo