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UN DIODO LASER

Simbologa

Un diodo laser de estado slido

El funcionamiento del diodo lser lo determinan su composicin qumica y su


geometra.
Todos los diodos son, en esencia, estructuras de
varias capas, formadas por varios tipos diferentes de material semiconductor.
Los materiales son contaminados con impurezas por medio de qumicos, para
darles ya sea un exceso de electrones (Tipo N) o un exceso de vacantes de
electrones (Tipo P).
Los diodos lser que emiten en la regin 0.78 a 0.9 micrn, estn formados por
capas de arseniuro de galio (Ga As) y arseniuro de aluminio y galio (AL Ga As)
desarrollado sobre un sub-estrato de Ga As. Los dispositivos para longitud de
onda mayor, que emiten a 1.3 a 1.67 micrones, se fabrican con capas de
arseniuro fosfuro de indio y galio (In Ga AS P) y fosfuro de indio (In P),
desarrollado sobre un sub-estrato de In P.
La ilustracin muestra las caractersticas estructurales comunes a todos los
diodos lser de onda continua (OC). La base del diodo es un subestrato
formado por GaAs o InP, tipo N, con alta impurificacin. Sobre la parte superior
del subestrato, y a manera de descubrimiento, se desarrolla una capa plana
ms ligera del mismo material, Tipo N y con impurificacin. Sobre la capa de
recubrimiento tipo N se desarrolla una capa activa de semiconductor (Al Ga As
o In Ga As P) sin impurificaciones. Despus, sobre la capa activa de tipo P, con
alto grado de impurificacin.
Cuando pasa la corriente por los contactos metlicos los electrones inyectados
desde la capa tipo N y los huecos inyectados desde la capa tipo P se
recombinan en el rea activa delgada, y emiten luz. La luz viaja hacia atrs y
hacia delante entre las facetas parcialmente reflejantes de los extremos del
diodo. La accin lasrica comienza al incrementarse la corriente. La ganancia
ptica en viaje redondo debe superar las prdidas debidas a absorcin y
dispersin que se dan en la capa activa, para sostener dicha accin.
Muchos diodos lser tienen una capa delgada de xido, depositada sobre la
parte superior de la capa de cubierta final tipo P. En esta capa de xido se hace
un ataque qumico de manera que pueda formarse una cinta metlica de
contacto en receso de poca profundidad, longitudinalmente a lo largo de la
superficie superior del diodo. El ndice de refraccin de la capa activa es mayor
que el del material tipo P y del material tipo N (las capas de recubrimiento) que
estn arriba y abajo de sta. Como resultado, la luz es atrapada en una gua
dielctrica de ondas formada por las dos capas de recubrimiento y la capa
activa, y se propaga en ambas, la capa activa y las de recubrimiento.

El haz de luz que emerge del diodo lser forma una elipse vertical (en seccin
transversal), aunque la regin lasrica es una elipse horizontal. La luz que se
propaga dentro del diodo, se extiende hacia afuera en forma transversal
(verticalmente) desde las capas de recubrimiento superior e inferior.Cuando el
diodo est funcionando en el modo fundamental, el perfil de intensidad de su
haz emitido en el plano transversal, es una curva de Gauss de forma
acampanada.
En el lser se amplifica la luz al viajar hacia atrs y hacia adelante en la
direccin longitudinal, entre las facetas de cristal de cada extremo del diodo.
Los modos resonantes que se extienden en direccin perpendicular a la unin
PN, se llaman modos transversales. La inyeccin de electrones y huecos en la
capa activa situada abajo de la cinta metlica de contacto, altera el ndice de
refraccin de la capa activa, y confina la luz lateralmente para que no se
disperse hacia afuera, hacia ambos lados del centro de la capa activa

Curva caracterstica

Parmetros ms importantes:

El coeficiente pico de ganancia es ms o menos proporcional a la concentracin


de portadores minoritarios inyectados que a su vez es proporcional a la
densidad de corriente inyectada.
nT es la concentracin de portadores minoritarios requerida para hacer al
dispositivo transparente, que determina la densidad de corriente (JT) requerida
para obtener dicha condicin.
La retroalimentacin se obtiene cortando el dispositivo en los planos
cristalinos, o puliendo dos superficies paralelas del cristal.
las prdidas por absorcin y centros de dispersin originados por
inhomogeneidades pticas (s), y un factor de confinamiento ()que
representa la fraccin de energa ptica contenida dentro de la regin activa
(fuga de energa en las interfases laterales). Las prdidas en los espejos (m)
representan la energa transmitida.

APLICACIN
El lector de discos compactos :Una de las muchas aplicaciones de los
diodos lser es la de lectura de informacin digital de
soportes de datos tipo CD-ROM o la reproduccin de
discos compactos musicales. El principio de operacin de
uno y otro es idntico

DIODO SCHOTTKY

Simbologa

Estado slido

Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una cada de voltaje directa
(VF) muy pequea, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas
velocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y
sistemas digitales. Reciben tambin el nombre de diodos de recuperacin
rpida (Fast recovery) o de portadores calientes.
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metlica se hace un
material semiconductor, el contacto tiene, tpicamente, un comportamiento
hmico, cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la
corriente. Cuando este contacto se hace entre un metal y una regin
semiconductora con la densidad del dopante relativamente baja, las hojas
dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzando tambin a tener un
efecto de rectificacin. Un diodo Schottky, se forma colocando una pelcula
metlica en contacto directo con un semiconductor. El metal se deposita
generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad ms grande de
los portadores en este tipo de material. La parte metlica ser el nodo y el
semiconductor, el ctodo.

En una deposicin de aluminio Diodos(3 electrones en la capa de valencia), los


electrones del semiconductor tipo N migran haca el metal, creando una regin
de transicin en la ensambladura.
Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios
de ambos materiales) estn en trnsito. Su conmutacin es mucho ms rpida
que la de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la regin tipo
N, siendo necesaria rehacer la barrera de potencial (tpicamente de 0,3V). La
Regin N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la prdida de
conduccin, por esto, la tensin mxima soportable para este tipo de diodo
est alrededor de los 100V.
El diodo Schottky presenta una juntura de tipo metal-semiconductor
generalmente entre:
Un material tipo N y Aluminio.

Curva caracterstica

Parmetros ms importantes:
- El diodo Schottky puede rectificar seales de frecuencias de hasta
300MHz.
- El voltaje de umbral es ms bajo que el del diodo comn.
- Tiene poca capacidad de conduccin de corriente en directa.
-Plantas de baja tensin.
-El voltaje de conduccin en inversa (VCRR) Disminuye con la
temperatura.
- Rectificadores de alta frecuencia.
-Conmutadores en paneles solares.
-No acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR).

APLICACIN
La principal aplicacin de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de
baja tensin, en las cuales las cadas en los rectificadores son
significativas.

DIODOS TUNEL

Simbologa

Estado slido

Diodo semiconductor que tiene una unin PN, en la cual se produce el efecto
tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto
intervalo de la caracterstica corriente-tensin. La presencia del tramo de
resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo
(amplificador/oscilador).
Operar como detectores, amplificadores y osciladores. Poseen una regin de
juntura extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy
bajos voltajes de polarizacin directa y tienen una resistencia negativa, esto es,
la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado.

Curva

APLICACIN

caracterstica

Slo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de alta frecuencia.

Diodo PIN

Simbologa

Estado slido
Generalmente 'cerca' de la regin semiconductor intrnseco dopado
entre un semiconductor de tipo p y una regin de semiconductor de tipo
n. Las regiones de tipo p y de tipo n son tpicamente fuertemente
dopados ya que se utilizan para los contactos hmicos.
La regin intrnseca amplia es en contraste con un diodo PN ordinaria. La
regin intrnseca amplia hace que el diodo PIN un rectificador inferiores,

pero hace que el diodo PIN adecuado para atenuadores, interruptores


rpidos, foto detectores, y aplicaciones de electrnica de potencia de
alta tensin.
Curva caracterstica

APLICACIN
Diodos PIN son tiles como conmutadores de RF, atenuadores, y foto
detectores.

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