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LABORATORIO N

02 ELECTRONICA
DE POTENCIA II
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL
CALLAO
INFORME PREVIO
TEMA: INVERSORES
PROFESOR: COEDOVA RUIZ RUSELO
GARAY LAZARINOS FRANZ ERICK
090045J

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA


LABORATORIO N 02 ELECTRONICA DE POTENCIA II

INVERSORES
OBJETIVO:

Conocer la configuracin de inversores de toma media y de puente


monofsico, ventajas e inconvenientes.
Implementar un inversor de puente monofsico empleando transistores y
dispositivos semiconductores

MATERIAL:

Computadora Personal
Transistores: ECG 123 y ECG
159

Diodo 1N4004 / 1N4007


Compuerta TTL LS7404
Resistencia de 1k y 2k
CI LM 555

DESCRIPCIN:

estudie la teora del inversor monofsico de dos y cuatro interruptores

a) Inversor en medio puente:

Ilustracin 1

Durante los semiperiodos en que Q1 est excitado y saturado, la


tensin en el extremo derecho de la carga es +Vs/2 respecto de la toma
media de la batera, salvo cadas de tensin despreciables en el
semiconductor. Durante los semiperiodos en que se excita Q2, la tensin en
dicho extremo de la carga es Vs/2. La tensin resultante en la carga es una
onda cuadrada de amplitud Vs/2.

El ngulo o periodo de conduccin de los diodos coincide con el


argumento de la impedancia de carga, siendo nulo para una carga con cos
= 1, en cuyo caso podran eliminarse los diodos. El mayor periodo de
conduccin para los diodos y menor para los transistores se da con carga

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reactiva pura, tanto capacitiva como inductiva cos = 0, ambos periodos


son de 90.

b) Puente Monofsico:

Ilustracin 2

Consta de dos ramas semiconductoras conectadas como se especifica


en las Figuras 2 y 3; en estas figuras se han materializado los
circuitos mediante transistores, a los cuales se han conectados diodos
en antiparalelo para conducir la intensidad reactiva.

Manteniendo excitados Q1 y Q4 (instante t1), el extremo X de la


carga queda conectado al polo positivo de la batera y el extremo Y al
polo negativo, quedando la carga sometida a la tensin Vs de la
batera. Bloqueando Q1 y Q4 y excitando Q2 y Q3 (instante t3), la
tensin en la carga se invierte. Haciendo esto de forma alternativa, la
carga queda sometida a una tensin alterna cuadrada de amplitud
igual a la tensin de la batera Vs, lo cual supone una ventaja con
respecto al inversor con batera de toma media. En contrapartida,
aqu
se necesitan el doble de semiconductores que en dicha
configuracin.

Ilustracin 3: Formas de Onda en la carga

En la Figura 3 se muestran los perodos de conduccin, la forma de


onda en la carga y los elementos que atraviesa la corriente en cada
intervalo de tiempo. Para el instante t2 la carga tendr una tensin
positiva en el extremo Y y negativa en el X, por tanto, sta se

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descargar a travs de los diodos D2 y D3 cediendo potencia a la


batera; en el instante t4 la tensin en la carga es la contraria que en
el instante t2 y por tanto conducen los diodos D1 y D4. En ambos
intervalos de tiempo se libera la energa reactiva acumulada en la
carga durante los instantes t1 y t3 respectivamente.
Estudie la utilizacin del transistor como interruptor y su especificacin
por prdidas

El transistor puede actuar como interruptor, es decir tiene aplicacin


de conmutacin en control de rels, fuentes de alimentacin
conmutadas, control de lmparas, modulacin por ancho de pulso
(PWM), etc. Este interruptor puede controlarse por corriente o por
tensin (Bipolar o de Efecto de Campo).

Para el caso de los transistores bipolares debemos mencionar que en


modo interruptor se identifican dos estados del transistor: en
saturacin y en corte. En el primero de ellos el transistor deja pasar la
corriente de Colector a Emisor (NPN); en corte no deja pasar la
corriente. Por esta razn los transistores constituyen el principio
bsico para realizar operaciones lgicas y por ende compuertas
lgicas.

Cuando el transistor acta como interruptor las prdidas son


despreciables, sin embargo debemos tomar en cuenta los efectos de
tiempos de conmutacin:

a) Tiempo de retardo (delay time) t d.- Intervalo de tiempo entre el


punto correspondiente al instante de aplicacin de la seal de
entrada y el punto en que la seal de salida toma el 10% de su valor
final. Este tiempo de retraso se debe principalmente a dos factores:

b) Cuando un transistor acta como conmutador, se lo polariza para


llevarlo al corte, con lo cual la capacidad de la juntura base-emisor se
carga a ese valor de tensin negativa; por tal razn para pasarlo a la
conduccin (saturacin) se necesita de cierto tiempo para descargar
y cargar ese condensador.

c) Tiempo de subida o crecimiento (rise time) t r.- Intervalo de


tiempo entre los puntos correspondientes al 10 y 90% de la forma de
onda ascendente de la corriente de colector. El tiempo de crecimiento
es una funcin de la frecuencia de corte alfa, f; y tambin depende
inversamente de la cantidad de corriente de apertura; mientras
mayor sea la corriente de apertura, menor ser el tiempo de
crecimiento.
d) Tiempo de almacenamiento (storage time) ts: Intervalo de
tiempo entre el instante en que la tensin de entrada comienza el
descenso y el punto correspondiente al 90% de la forma de onda

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e)

f)

g)

h)

descendente de la corriente de colector.


El tiempo de
almacenamiento es una funcin de hfe, y de las corrientes de
apertura y cierre. La no respuesta del transistor durante el tiempo ts
a la anulacin de la excitacin, se debe a que el transistor en
saturacin tiene una carga en exceso de portadores minoritarios
almacenados en la base. El transistor no puede responder hasta que
ese exceso de carga de saturacin se haya eliminado. En el caso
extremo este tiempo ts puede ser de dos a tres veces el tiempo de
subida o de bajada a travs de la regin activa
Tiempo de cada (fall time) tf.- Intervalo de tiempo entre los
puntos correspondientes al 90 y 10% de la forma de onda
descendente de la corriente de colector.
Tiempo de conexin o encendido TON = td + tr.- Resulta de la
suma de los tiempos de retardo td y de subida tr. Es el tiempo total
para pasar del corte a la saturacin.
Tiempo de desconexin o apagado TOFF = ts + tf.- Es la suma
de los tiempos de almacenamiento ts ms el de cada tf. Es el tiempo
total para pasar de la saturacin al corte.
Tiempo total de conmutacin TT = (td + tr) + (ts + tf) = TON
+ TOFF

Ilustracin 4: Tiempos de conmutacin del Transistor

explique el impacto de la variacin del ndice de modulacin de amplitud y


frecuencia en el control de inversores desde el punto de vista de: valor efectivo
de la fundamental de tensin y espectro armnico de tensin.

Una de las principales desventajas de los inversores de onda


cuadrada es el elevado valor del 3er armnico de la tensin de salida.
Para mejorar la calidad de la onda de salida, y por tanto que haya un THD
(Distorsin Armnica Total) menor, se puede modificar la forma de onda
variando el esquema de conmutacin de los transistores. El nuevo orden
de conmutacin es el siguiente.

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La modulacin por anchura de pulsos (PWM) permite reducir el THD


de la corriente de salida, por lo que se reduce el tamao del filtro de
salida. Con esta modulacin se permite un control de la amplitud del
armnico fundamental de la tensin de salida. Existen dos esquemas
bsicos de conmutacin: PWM Bipolar y PWM Unipolar. En ambos
esquemas se requieren las siguientes seales:

1. Seal de referencia, control o moduladora (sinusoide)


2. Seal portadora (triangular)

ndice de modulacin de frecuencia (m f).- la serie de Fourier de la


tensin de salida PWM tiene una frecuencia fundamental que es la misma
que la seal de referencia. Las frecuencias armnicas existen en y
alrededor de los mltiplos de la frecuencia de conmutacin. Los valores
de algunos armnicos son bastante grandes, a veces mayores que la
componente fundamental. Como estos armnicos se encuentran en
frecuencias altas, para eliminarles puede bastar un simple filtro pasa
bajo. El ndice de modulacin se define como la relacin entre las
frecuencias de las seales portadora y de referencia.

Ilustracin 5: Control de armnicos y amplitud

mf =

f portadora
f referencia

ndice de amplitud (ma).- se define como la relacin entre las


amplitudes de las seales de referencia y modulada

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m a=

V porta dora
V referencia

explique el funcionamiento del inversor tipo puente h:

El circuito a sujeto a experimento en este laboratorio es el siguiente.


Debemos aclarar que se estn empleando transistores equivalente
con fines de simulacin: ECG123 (2N3904) y ECG159 (2N3906).

R2
R1

BATERA

48V

2k

Q1

R4

2N3906

1k

1k

Q6

B1

R5

Q2

2k

Q4

Q3

2N3904

2N3904

D1

R3

1N4007

R9

1k

A
Q5
2N3904

10k

Q8

D3

CARGA

1N4007

2N3906

2N3904

2N3904

R6
1k

Q7

D2

D4

1N4007

1N4007

R7

2N3904

1k

R8
1k

R6(2)

U1:A
2

1
7404

A
B

f = 1kHz
CT= 50%
GENERADOR DE SEALES

C
D

Ilustracin 6

Bsicamente el funcionamiento de este tipo de inversor se realizo en


la primera pregunta, sin embargo haremos un pequeo resumen:

El circuito consta de dos ramas semiconductoras conectadas como se


indica en la figura anterior. Existe una seal de generacin que
conmutar cada 1kHz permitiendo que acten de manera alternada
los transistores Q4 y Q8 (las bases de ambos estn siendo negadas
con una compuerta 7404) de manera tal que en un intervalo los
transistores Q3 y Q7 se saturen y polaricen de manera positiva a la
carga (Vs = 48 V provenientes de la batera), en el otro intervalo Q3 y
Q7 pasan a corte y Q5 y Q6 pasan a la saturacin polarizando de
manera inversa a la carga (Vs = -48 V provenientes de la batera).
Realizando este proceso de manera alternativa, la carga que
sometida a una tensin alterna cuadrada (dependiendo de la carga)
de amplitud igual a la tensin de la batera Vs.

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Con respecto a este punto de la carga, debemos entender que si


contamos con una puramente resistiva no ser necesario colocar los
diodos por los cuales circulan corriente reactiva. Los diodos
precisamente permiten descargar corriente cediendo potencia a la
batera, tambin actan de manera alterna como se observ en la
figura 3.

Empleando el Simulador Proteus ISIS observaremos las seales de


salida obtenidas de acuerdo a la carga resistiva de 10k.

Ilustracin 7: Seales del generador y extremos de la carga A y B

Ilustracin 8: Seales del generador y tensin de salida en la carga (Vs)

Las figuras anteriores muestran las seales obtenidas en el


simulador: La figura 7 muestra en primer lugar la seal proveniente
del generador a 5 voltios, con Duty cicle = 50% y con f=1kHz, esta
seal permitir alternar los transistores que habilitarn el puente H
para obtener la seal de salida alterna. Adems en este figura
observamos las seales de cada extremo de la carga, ambas de 48
voltios (Vs) aunque desfasadas 180. La figura 8 muestra la seal de
salida Vo en la carga producto de la diferencia de V A VB, con lo cual
obtenemos una seal alterna de 48 voltios.

Por otro lado para explicar este punto mencionaremos algunas de los
frmulas empleadas en el anlisis de inversores del tipo puente H.

El valor medio de la intensidad conducida por cada transistor es:

1
I Q ( AV )=
2

I P sen ( wt ) dt= 2 P [1cos ( )]


0

El valor medio de la intensidad en cada diodo es:

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I D (AV ) =

I
1
I P sen ( wt ) dt= P [ 1cos ]

2
2

La corriente media entregada al circuito es la circula por los


transistores menos la de los diodos:

I S( AV )=2

( 2I [ coscos ( )])= I [ coscos ( )]


P

Por otra parte la tensin eficaz de salida viene dada por:

V o (RMS)=

T
2

2
V 2 dt=V S
T 0 S

La tensin instantnea de salida en serie de Fourier:

v o (t )=

V o 1(RMS )=

4V S
=0.90 V S
n

La intensidad instantnea de salida para una carga RLC ser:

n=1,3,5

4V S
sen ( nwt ) para n=1,3,5
n

Para n=1 tenemos el valor de la tensin eficaz de la componente


fundamental:

i o (t)=

V o1
=
Z o 1 n=1

4V S

nwL
n =acrtg

Si

I o1 (RMS)

n R 2+ nwL

1
( nwC
))

sen ( nwt n )

1
nwC

R
es la intensidad eficaz del fundamental en la carga, la

potencia a la salida es:

Po 1(RMS )=V o 1 (RMS) x I o 1(RMS) x cos ( 1 ) =I o 1 (RMS)2 xR


La distorsin armnica total est dada por:

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THD=

n=3,5,7

V on2 =

1
2
V
V o 1(RMS)2
V o 1 (RMS) o (RMS)

La tensin eficaz de todos los armnicos exceptuando el fundamental


y el factor de distorsin:

VH=

1
V o1

n=3,5,7

( ) ) ( ) ( ) ( )
2

V on

n2

V o3
32

V o5

52

V o7
72

+ ; V on=

V o1
V
; DF = H
n
V o1

evale las perdidas elctricas sobre los transistores principales del circuito y
verifique sus especificaciones de potencia.

En el apartado anterior empleamos una carga puramente resistiva


para obtener la tensin de salida cuadrada alterna. Ahora para
realizar el anlisis de las especificaciones de potencia y valores
elctricos acorde a las frmulas mencionadas tambin en el punto
anterior, emplearemos una carga RLC de: R=10, L=31.5mH,
C=112uF, con una batera de 220 voltios.

R2
R1

BATERA

L1

R9

2k

Q1

C1

R4

2N3906

1k

CARGA
Q6

220V

2k

112uF

1k

B1

R5

Q2

0.031H

10

Q4

Q3

2N3904

2N3904

D1

D3

1N4007

1N4007

R3

2N3906

Q8

2N3904

1k

A
Q5
2N3904

R7

R6
1k

Q7

D2

D4

1N4007

1N4007
2N3904

1k

2N3904

R8

f = 1kHz

1k

CT= 50%
R6(2)

U1:A
2

1
7404

A
B
C

GENERADOR DE SEALES

Ilustracin 9: .- Inversor con carga RLC

Hallaremos entonces las especificaciones elctricas:

a) Corriente instantnea de salida en series de Fourier: para lo cual


necesitamos calcular las impedancias de cada armnico y las
tensiones instantneas:

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( nwC1 )) =acrtg

Z on= R + nwL

V on=

nwL

1
nwC

Para n=1 :Z o 1=196.78 1 =87.086

Para n=3 : Z o3 =593.37 3=89.034

Para n=5 : Z o5 =989.37 5=89.421

4V s
V
sen ( nwt ) I on= on
n
Z on
V o1
=1.42 sen (2000 t87.086 )
Zo1

Para n=1 :V o 1=280.1 sen ( 2000 t ) I o 1=

Para n=3 :V o 3=93.37 sen (6000 t) I o 3=

V o3
=0.16 sen (6000 t89.034 )
Zo3

Para n=5 :V o 5=56.02 sen(10000 t )I o 5=

V o5
=0.06 sen (10000 t 89.421 )
Zo5

i 0 ( t )=1.42 sen ( 2000 t87.086 )+ 0.16 sen ( 6000 t89.034 ) +0.06 sen (10000 t89.421 )

b) Ahora hallamos el valor eficaz de la intensidad total en la carga y la


debida al primer armnico:

I o1 (RMS) =

I o1

1.42
=1 A
2

Considerando hasta el quinto armnico, la corriente de pico en la


carga ser:

I o= 0.312+ 0.032 +0.012=1.43 A

I o(RMS )=

1.43
=1.01
2

c) La ditorsin armnica total de la corriente de carga:

THD=

1
I o 1(RMS )

2
o (RMS)

I o 1 (RMS)2=

1
1.01212=14.17

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d) Potencia activa en la carga y la fundamental

Po=I o (RMS)2 xR=1.012 x 10=10.2 W

Po 1=I o 1(RMS )2 xR=12 x 10=10 W

e) La intensidad media que suministra la fuente es:

I ( AV )=

P o 10.2
=
=0.05 A
V S 220

f) Segn el apartado b tendremos una intensidad de pico por los


transistores:

I PQ=1.43 A
Como cada rama conduce el 50% de cada periodo tenemos:

I Q ( AV )=

0.05
=0.025
2

Empleando nuevamente
siguiente seal de salida:

el

mismo

simulador

obtendremos

la

Ilustracin 10: Seal de salida del inversor con carga RLC

De acuerdo a la figura anterior podemos inferir que la carga RLC


colocada permite el comportamiento de manera cuasi sinusoidal de la
seal de salida. Esta seal de acuerdo a nuestros clculos antes
mostrados posee una tensin de 220 Voltios y una frecuencia de
1kHz. Aclaramos tambin que para lograr una seal senoidal pura
podemos emplear filtros que permitirn anular el efecto de algunos
armnicos; as mismo podemos realizar diseos para frecuencias
variables.

plantee las modificaciones del circuito para sustituir la compuerta negadora por
un transistor en esta misma configuracin y el generador de seales por un reloj
lm 555 ajustado a 1khz y un ciclo de trabajo del 50%.

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Para este punto emplearemos el primer circuito diseado, sin


embargo tal como indica el enunciado en lugar de usar una
compuerta negadora para la conmutacin, emplearemos un transistor
con la configuracin adecuada para obtener los mismos fines.
Adems debemos aclarar que la variacin mnima que se produce por
esta modificacin es en cuanto a la conmutacin en s con efectos
como tiempos de retardo, etc., que dependen de la hoja tcnica de
los dispositivos a emplear. Por otro lado la inclusin del timer 555 se
realizar de manera prctica en el laboratorio.
R2

R9

2k

BATERA

1k

CARGA
Q6

B1
48V

Q4

Q3

2N3904

2N3904

2k

R4

2N3906

1k

R5

Q2

10k

Q1

R1

D1

D3

1N4007

1N4007

R3

2N3906

2N3904

1k

A
Q5
2N3904

R7

2N3904

R6
1k

Q7

D2

D4

1N4007

1N4007

R8

2N3904

1k

Q8

f = 1kHz

1k

CT= 50%
R6(2)

R10
A

1k

B
C

Q9

GENERADOR DE SEALES

2N2222

Ilustracin 11: Circuito donde se sustituye compuerta negadora por


transistor

Ilustracin 12: Seal alterna de salida

conclusiones:

Existen diversas configuraciones para realizar inversores, depende de


cada diseador emplear una u otro de acuerdo a sus necesidades.
Algunos puntos que podran ser de inters son que por ejemplo que en la
de toma media se necesitan emplear dos fuentes, aunque solo dos
transistores; mientras que en la de puente H si bien es cierto se necesita

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solo una fuente de alimentacin, en cuanto a dispositivos tenemos que


emplear el doble al caso anterior.

Los diodos poseen una funcin determinada en los circuitos inversores,


bsicamente se encargan del retorno de la corriente reactiva a la fuente,
de no ser colocados en el circuito se podran obtener dificultades y pese a
realizar un buen diseo, la simulacin mostrara errores.

En cuanto al empleo de transistores en modo de conmutacin debemos


tener en cuenta las especificaciones por prdidas que se presenten para
garantizar el ptimo diseo de nuestro inversor

Muchas veces la velocidad de conmutacin de transistores es un


problema, en tales casos se puede emplear un condensador en paralelo a
base.

Tal y como se experiment en el ltimo punto depende de las frecuencias


a las que se trabajen para saber si emplear transistores o circuitos
integrados.

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