UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP

"Ao de la Inversin para el Desarrollo Rural y la Seguridad

Alimentaria"

Trabajo:
DIODO DE UNIN PN POLARIZADO, LA LEY
DE SHOCKLEY Y CONMUTACIN DEL DIODO

CARRERA : Ingeniera de Sistemas e Informtica

CURSO

: Fsica Electrnica

CICLO

: IV

DOCENTE: Jorge Carmona Espinoza

ALUMNO : Carlos Cahuana Espinoza

Mayo del 2015

Diodo de unin PN polarizado

La unin p-n est polarizada directamente cuando a la regin p se le aplica un
potencial mayor que a la regin n. Para ello, tal y como se ve, se debe
conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo (zona p) y el
polo negativo al ctodo (zona n).

En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos:

Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son empujados
hacia la unin por el campo elctrico Epol a que da lugar la
polarizacin. Por lo tanto, se reduce la anchura de la zona de transicin.
El campo elctrico de la polarizacin Epol se opone al de la unin Eu.
As, se reduce el campo elctrico de la unin y, consecuentemente, la
barrera de potencial. Recordar que, como vimos en el Tema 4, la barrera
de potencial sin polarizacin es VJ=Vo. Con la polarizacin directa de
la unin p-n se reduce en la forma VJ=Vo-V, siendo V la tensin directa
aplicada a dicha unin.

La ley de Shockley

Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos

estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se
debe confundir con el diodo de barrera Schottky.
Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas
alternadamente. Es un tipo de tiristor.
La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta
impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del

estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs,

tensin de conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente,
haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la
tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para
volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de
mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo,
todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales,
cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I
(Punto A).

Conmutacin del diodo

En este applet se simula la conmutacin de un diodo,

pudiendo cambiar la tensin aplicada en sus bornas de
positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del
esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una
positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de
polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de
unin.
Este esquema se situa en la parte superior derecha del
applet y se puede conmutar entre tensiones haciendo
"click" con el ratn en la zona entre las dos fuentes de
tensin. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje y
una flecha que seala la mencionada zona sensible.

El usuario puede modificar todos los parmetros del circuito

presionando el botn del panel superior con el texto "Parmetros
circuito". Al presionarlo aparecer una ventana con tres campos
editables donde se pueden introducir los valores numricos
deseados para la tensin directa (VF), la tensin inversa (VR) y
la resistencia de polarizacin (R). Tras introducir los nuevos
valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de
los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios.
Debajo del circuito aparecen cuatro grficas que varan en el
tiempo y donde se representan los parmetros ms importantes
que controlan el comportamiento del diodo.
La primera grfica representa la tensin seleccionada en el
circuito; la segunda la corriente que circula por el diodo; la
tercera la carga acumulada en las zonas neutras del diodo
(aplicando la aproximacin de diodo asimtrico) y la ltima
grfica es la tensin que cae en bornas del diodo. Estas cuatro
grficas se van actualizando en el tiempo y se irn desplazando
hacia la derecha conforme avance el tiempo.
En la parte superior de la derecha del programa aparecen las
ecuaciones que rigen el comportamiento del diodo en el
experimento que se simula. Se muestran las ecuaciones literales
para la carga del diodo, la tensin en bornas del diodo y para los
perfiles de los minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo debajo
de cada una de estas ecuaciones se muestran las mismas pero
sustituyendo cada variable por al valor actual que tiene en la
simulacin. Algunos de los parmetros son constantes en el
tiempo (hasta que se modifican por parte del usuario), pero

otros se modifican instantneamente conforme evoluciona el

tiempo. Tambin, a la derecha de las grficas, se muestran los
valores instantneos para estas funciones temporales.