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Dispositivos de Potencia

Prof. J. Lazarte R.

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El Diodo

El Diodo
El SCR

El SCR

El Transistor Bipolar

El Transistor Bipolar

Bipolar Junction Transition

3 2 1
3
2
1

Dispositivo controlado por corriente

1 : Zona lineal o de amplificación.

2 : Zona de cuasi-saturación

3 : Zona de fuerte saturación

Vce Corte Activa Saturación Vcc Vce(sat Ib )
Vce
Corte
Activa
Saturación
Vcc
Vce(sat
Ib
)

Manejan menores tensiones y corrientes que el SCR, pero son más rápidos.

Fáciles de controlar por el terminal de base, aunque el circuito de control consume más energía que en SCR.

ventaja es la baja caída de tensión en saturación.

inconvenientes destacar su poca ganancia con v/i grandes, el tiempo de el

tiempo de almacenamiento y el fenómeno de avalancha secundaria.

Transistor MOSFET

Transistor MOSFET

Metal-Oxide-Semiconductor Fiel Effect Transistor

Metal-Oxide-Semiconductor Fiel Effect Transistor Dispositivo controlado por tensión • Alta impedancia de entrada •

Dispositivo controlado por tensión

Fiel Effect Transistor Dispositivo controlado por tensión • Alta impedancia de entrada • Coef. T° positivo
Fiel Effect Transistor Dispositivo controlado por tensión • Alta impedancia de entrada • Coef. T° positivo

Alta impedancia de entrada Coef. T° positivo :

paralelizables

rapidez en las conmutaciones Rds(on)

• Alta impedancia de entrada • Coef. T° positivo : paralelizables • rapidez en las conmutaciones
El IGBT

El IGBT

Insulated Gate Bipolar Transistor

Controlado por tensión

Conduce elevadas corrientes con Vf menor

Tamaño IGBT = 1.2 BJT = 2.2 MOSFET

• Controlado por tensión • Conduce elevadas corrientes con Vf menor • Tamaño IGBT = 1.2
• Controlado por tensión • Conduce elevadas corrientes con Vf menor • Tamaño IGBT = 1.2

Componentes Semiconductores de

Potencia

Componentes Semiconductores de Potencia

SOA

área de operación segura

Si se sobrepasa la máxima tensión permitida

entre colector y base con el emisor abierto

(V CBO ), o la tensión máxima permitida entre colector y emisor con la base abierta (V CEO ), la unión colector - base polarizada en inverso entra en un proceso de ruptura similar al de

cualquier diodo, denominado avalancha primaria.

Sin embargo, puede darse un caso de avalancha

cuando estemos trabajando con tensiones por

debajo de los límites anteriores debido a la

aparición de puntos calientes (focalización de la intensidad de base), que se produce cuando

tenemos polarizada la unión base - emisor en

directo. En efecto, con dicha polarización se crea un campo magnético transversal en la zona de

base que reduce el paso de portadores minoritarios a una pequeña zona del dispositivo

(anillocircular).

La densidad de potencia que se concentra en dicha zona es proporcional al grado de

polarización de la base, a la corriente de colector y a la V CE , y alcanzando cierto valor, se produce en los puntos calientes un fenómeno degenerativo

con el consiguiente aumento de las pérdidas y de la temperatura. A este fenómeno, con efectos

catastróficos en la mayor parte de los casos, se le

conoce con el nombre de avalancha secundaria (o

también segunda

ruptura).

El efecto que produce la avalancha secundaria

sobre las curvas de salida del transistor es producir unos codos bruscos que desvían la curva

de la situación prevista (ver gráfica anterior).

El transistor puede funcionar por encima de la zona límite de la avalancha secundaria durante cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Para ello el fabricante suministra unas curvas

límites en la zona activa con los tiempos límites de

trabajo, conocidas como curvas FBSOA

Podemos ver como existe una curva para corriente

continua y una serie de curvas para corriente pulsante,

cada una de las cuales es para un ciclo concreto. Todo

lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo. Durante el toff, con polarización inversa de la

unión base - emisor se produce la focalización de la

corriente en el centro de la pastilla de Si, en un área más pequeña que en polarización directa, por lo que la

avalancha puede producirse con niveles más bajos de energía. Los límites de I C y V CE durante el toff vienen reflejado en las curvas RBSOA dadas por el fabricante.

Selección de Dispositivos de

Potencia

IMPORTANCIA DE UNA CORRECTA SELECCIÓN

En todo equipo electrónico de control industrial, se cumple el siguiente esquema de conexiones:

UNA CORRECTA SELECCIÓN En todo equipo electrónico de control industrial, se cumple el siguiente esquema de

Por lo tanto se podría dividir al Equipo Electrónico de Control Industrial en dos etapas:

Etapa

instrumentistas)

Etapa de Control.

de

Potencia.

(También

denominado

“Pre-Actuador” por los

etapas:  Etapa instrumentistas)  Etapa de Control. de Potencia. (También denominado “Pre - Actuador” por

CIRCUITOS BÁSICO

A lo largo del curso estudiaremos diversos circuitos implementados con dispositivos de potencia. Por lo tanto cualquiera de ellos puede conformar la Etapa de Potencia de un Equipo Electrónico de Control Industrial.

Por lo tanto cualquiera de ellos puede conformar la Etapa de Potencia de un Equipo Electrónico

CONSIDERACIONES DE VOLTAJE Y CORRIENTE

.

Con los valores de corriente máxima y voltaje máximo soportado

por el dispositivo de potencia, se tienen dos valores importantes que

nos servirán para poder escoger el dispositivo de potencia necesario a

usar. Lógicamente, información adicional es la frecuencia a la que trabajará el dispositivo y que estará limitado por los tiempos de

apagado (

t

OFF

) y tiempo de encendido (

t

ON

)

los valores

necesario aplicar factores de seguridad.

Una vez determinados

de corriente

y voltaje,

es

Factor de seguridad para corriente: 1.3 Factor de seguridad para voltaje: 2.0