DIPLOMADO INSTRUMENTACION Y CONTROL EN PLANTAS DE

PROCESOS
MODULO I
INTRODUCCION A LA INSTRUMENTACION Y CONTROL

TAREA: CARACTERSTICAS PROPIAS DE MEDICIN DE UN TRANSMISOR DE PRESIN (PT)

1.

INTRODUCCIN

Los transmisores de presin son dispositivos que normalmente se sitan prximos al del punto de
medicin.
La seal de fluido se convierte en una seal de salida de presin proporcional analgica de 4 - 20 mA
mediante un sensor piezo-elctrico y un circuito electrnico, posterior, el cual amplifica, linealiza y
compensa esta seal.
1.1.

Principios de funcionamiento de la instrumentacin de presin electrnica

Para la medida de presin con transmisores de presin se requiere un sensor que capta el valor de
presin o la variacin de la misma y lo convierte de manera exacta y precisa en una seal elctrica. La
seal elctrica indica el valor de presin recibida. Los cuatro principios ms importantes son la medida
con sensores resistivos, sensores piezo-resistivos, sensores capacitivos y sensores piezoelctricos.
1.2.

Sensores resistivos

El principio de medida con sensores resistivos se basa en la medida de la variacin de la resistencia

inducida por la deformacin en funcin de la presin. La resistencia de un conductor elctrico est
definida por la ecuacin:
=

Donde:
= ; = ; = ; =
Una traccin del conductor aumenta la longitud y reduce la superficie de seccin con la consecuencia
de un aumento de la resistencia elctrica, ya que la resistencia especfica se mantiene constante. Una
deformacin provocada por recalcado tendra el efecto contrario. Para la realizacin del principio se
utiliza un cuerpo base que se deforma de manera controlado al someterle a presin. A menudo este
cuerpo consiste en una membrana con una parte fina. El valor de la deformacin en funcin de la
presin se mide mediante una cinta extensomtrica es decir conductores elctricos metlicos tipo
meandro.
Habitualmente se encuentran cuatro cintas extensomtricas en una membrana de las cuales unas estn
ubicadas en el rea de dilatacin, otras en el rea del recalcado. La deformacin de la membrana

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provoca la deformacin de las cintas con el efecto de un aumento proporcional de la resistencia

(dilatacin) o de una reduccin (recalcado). Para realizar una medicin precisa se conecta las cintas a
un puente Wheatstone.

1.3.

Sensores piezoresistivos

El principio de la medida con sensores piezoresistivos es similar al de los sensores resistivos. La

diferencia reside en la utilizacin de semiconductores como cintas extensomtricas en vez de metal y
la deformacin provoca en este caso una variacin de la resistencia especfica. Segn la ecuacin
indicada arriba, la resistencia elctrica vara proporcional con la resistencia especfica. Este efecto
piezoresistivo con semiconductores es de un factor 10 hasta 100 veces mayor que con metal.
Las cintas metlicas pueden colocarse en cualquier material mientras las cintas semiconductoras estn
incorporadas como microestructura en la membrana. Por lo tanto las cintas extensomtricas y el cuerpo
expuesto a la deformacin estn compuestos del mismo material. Normalmente se incorpora cuatro
cintas en una membrana de silicio formando un puente de Wheatstone.
Dado que las microestructuras no presentan la suficiente resistencia contra numerosos medios de
proceso se encapsula el chip para la mayora de las aplicaciones. La transmisin de la presin se
efecta en este caso de manera indirecta, por ejemplo mediante una membrana metlica o mediante
aceite como medio de transmisin.
El gran volumen del efecto piezoresistivo permite la aplicacin de estos sensores tambin para
presiones muy bajas. Sin embargo la elevada sensibilidad a efectos de temperatura requiere una
compensacin de temperatura individual para cada sensor.
1.4.

Sensores capacitivos

Este principio est basado en la medicin de la capacidad de un condensador que vara en funcin de
la aproximacin a la superficie activa. La capacidad de un condensador de dos placas puede
expresarse por la siguiente ecuacin:

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Donde:
= ; = ; = ; =

El principio de la medicin capacitiva se realiza mediante un cuerpo base cuya membrana metlica,
con recubrimiento metlico, constituye una de las placas del condensador. La deformacin de la
membrana, inducida por la presin, reduce la distancia entre las dos placas con el efecto de un aumento
de la capacidad, manteniendo igual la superficie y la constante dielctrica.
Este sistema permite la medicin de presin con elevada sensibilidad y por lo tanto la medicin de
rangos muy bajos hasta unos pocos milibar. Dado que la membrana permite una deformacin mxima
hasta apoyarse a la placa esttica resulta una elevada seguridad contra sobrecarga. Las limitaciones
practicas estn determinadas por el material y las caractersticas de la membrana y las tcnicas de
unin y sellado.

1.5.

Sensores piezoelctricos

El principio de los sensores piezoelctricos se basa en un efecto fsico que sucede en unos pocos
cristales no conductivos como el cuarzo. Cuando se comprime el cuarzo se produce una polarizacin
elctrica en superficies opuestas. La deslocalizacin de la estructura cristalina con carga elctrica
genera un momento dipolar que se refleja en un una (aparente) carga de superficies. La intensidad de
la carga es proporcional a la fuerza empleada por la presin y la polaridad depende de la direccin. La
tensin elctrica generada por la carga de la superficie puede captarse y amplificarse. El efecto
piezoelctrico es apto nicamente para la medida de presiones dinmicas. En la prctica se limita el
uso de sensores piezoelctricos a aplicaciones especiales.

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2.

OBJETIVO

El objetivo de esta tarea es el de identificar las caractersticas propias de medicin del Transmisor de
presin diferencial DELTA trans Modelo 891.34.2189, cuyo manual es adjuntado como Anexo.
3.

DESARROLLO

El Transmisor de presin diferencial DELTA trans Modelo 891.34.2189 cuenta principalmente con un
sistema de medicin mecnico (1), con un elemento de presin elstico (2), con un sensor dependiente
del campo magntico (3) con un cuadro de procesamiento de seales (4) y caja con las partes de
conexin para la electrnica.
Un electroimn (5) acoplado al elemento de presin influencia el campo electromagntico del sensor
HALL. La seal resultante se amplifica a una seal saliente estndar mediante el cuadro de
procesamiento de seales.
Para la recalibracin, cero y tramo puede ser ajustadas mediante potencimetros (6) fcilmente
accesibles.

Identificacin de la presin entrante (+) alta presin y (-) baja presin.

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4.

CARACTERISTICAS TECNICAS DEL TRANSMISOR DE PRESION

CARACTERISTICA

UNIDAD

Rango de medicin diferencial

Presin de rgimen de trabajo (est.)
mx.
Valor de sobrecarga de cada lado mx.

bar

0 0,16 a 0 25

bar

25

bar

25

DC V

Fuente de alimentacin UB

% de span /
10V

Onda residual admisible

Efecto de la tensin de alimentacin

DESCRIPCION

% ss

10 < UB 30 (display de LCD opcional 14 < UB 30)

0.1
10
sistema de 2 hilos 4 20 mA, RA (UB 10V) / 0,02 A con RA en Ohm y
UB en Volt

Seal de salida y
carga mxima admisible RA
% de span
Efecto de la carga
s
Tiempo de respuesta
% de span
Ajuste de la seal de salida
% de span

sistema de 3 hilos 0 20 mA, RA (UB 10V) / 0,02 A con RA en Ohm y

UB en Volt
0.1
aprox. 1 (opcional aprox. 50 ms)

Punto cero, elctrica

15

Intervalo de medida, elctrica

30

Linealidad
% de span

(incluye histresis)

2,5 (calibracin del punto lmite)

Admisible

Temperatura del medio

Temperatura ambiente

opcional 1,6 (calibracin del punto lmite)

+ 80 mximo
- 10 ... + 60 (display de LCD opcional 0+50)
% de span /

Rango de temperatura compensado

Coeficiente de temperatura en rango de
temperatura compensado

10 K
% de span /

TK promedio en punto cero

- 10 + 60 (display de LCD opcional 0+50)

0.4
0.4

10 K

TK promedio de intervalo de medida

DATOS TECNICOS ADICIONALES O DE DESVIACION
0 0,25 a 0 10

Rangos de presin
bar

lmite de corriente de 2 hilos 4 20 mA o de 3 hilos 0 20 mA I < 32 mA

Seal de salida
C

- 10 + 70

Temperatura ambiente admisible

EMI (interferencia electromagntica)
ESD

kV
V/m

Emisin de interferencia segn EN 50 081 -1 (marzo de 1993) y EN 50 81-2

(marzo de 1994)

Campos electromagnticos

kV

Inmunidad de interferencia segn EN 50 082-2 (marzo de 1995)

Descarga

+/- 8

Perturbacin conducida de alta

frecuencia

kV

10

kV

+/- 2

Sobretensin

kV

Perturbacin conducida de NF

kV

+/- 0.5

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Veff

+/- 1
+/- 1
+/- 2
3
descarga de contacto
80 % AM, 1 kHz, 0.01 1000 MHz
abrazadera de acoplamiento
80 % AM, 1 kHz, 0.01 1000 MHz
simtricamente
asimtricamente, Ri = 42 Ohm
simtricamente
asimtricamente, Ri = 42 Ohm con proteccin contra sobretensin
nicamente, por ejemplo, modelo MM-DS/xNFE(L), firma Dehn&Shne o
equivalente
0,05 10 kHz
IEC 1000-4-2
IEC 1000-4-3
IEC 1000-4-4
IEC 1000-4-6
IEC 1000-4-5
IEC 945
< 2.5

Prueba de vibracin Fc
2 25 Hz, +/- 1,6 mm
25 100 Hz, 4 g

< 2.5
%
error
%
error
IEC 68-2-6