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TRABAJO ELECTRONICA DE POTENCIA

CRISTIAN OSWALDO CALDERON


DAVID ARCANGEL MARTINEZ
OSCAR ALEJANDRO CARO GOMEZ
JUAN CARLOS PEA GIL

PROF: Camilo Andres Beltran Beltran


INGENIERO EN MECATRONICA

ESCUELA TECNOLOGICA INSTITUTO TECNICO CENTRAL LA SALLE


TECNICO PROFESIONAL EN MECATRONICA
BOGOTA, 18 DE MARZO DE 2013

TABLA DE CONTENIDO
1.

Transistor de unin bipolar (BJT)..............................................................3


1.1.1.

Funcionamiento:............................................................................. 3

1.1.2.

Control de tensin, carga y corriente.............................................4

1.2.
2.

Darlington de Potencia..........................................................................4
MOSFET.................................................................................................... 5

2.1.

MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO:......................................................5

2.2.

TIPO DE ENREQUECIMIENTO..............................................................6

2.3.

Simbolos del mosfet..........................................................................6

2.4.

Curvas Caracteristicas.......................................................................7

2.5.

Proteccion de los mosfet....................................................................7

2.6.

Consideraciones del mosfet...............................................................7

3.1.

Funcionamiento:................................................................................ 9

3.2.

Caractersticas................................................................................... 9

3.3.

Voltajes y Corrientes de activacin y desactivacin..........................9

3.4.

Curva caracterstica del comportamiento..........................................9

3.5.

Aplicacin........................................................................................ 10

4.

IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA)......................11

4.1.

Funcionamiento............................................................................... 11

4.2.

Caractersticas................................................................................. 11

4.3.

Curva caracterstica del comportamiento........................................12

4.4.

Circuito de conexin........................................................................12

4.5.

Simbologa elctrica........................................................................12

4.6.

Aplicacin........................................................................................ 12

5.

DRIVES Y CIRCUITOS SUPRESORES DE PICOS (SNUBBER)......................13


6.

7.

TRANSISTOR UJT................................................................................. 13

6.2.

Curva Caracteristica Del UJT............................................................15

6.3.

Aplicaciones..................................................................................... 16

OPTOACOPLADOR.................................................................................. 16
7.1.

Funcionamiento:.............................................................................. 16

8.

SISTEMAS DE PROTECCIN DE ELEMENTO TERMICO.............................17

9.

BIBLIOGRAFIA......................................................................................... 18

Entonces:

1. Transistor de unin bipolar


(BJT).
es un dispositivo electrnico de estado
slido consistente

en

dos uniones

PN muy cercanas entre s, que permite


controlar el

paso de la corriente a

travs de sus terminales; es el ms


comn de los transistores, y como
los diodos, puede ser de germanio o
silicio.

- Ic (corriente que pasa por la patilla


colector) es igual a (factor de
amplificacin) por Ib (corriente que
pasa

por

la

patilla

base).

-Ic=*Ib
- Ie (corriente que pasa por la patilla
emisor) es igual a (+1) * Ib, pero se
redondea al mismo valor que Ic, slo
que la corriente en un caso entra al
transistor y en el otro caso sale de l, o
viceversa.

En ambos casos el dispositivo tiene 3

Segn

patillas y son: el emisor, la base y el

frmula anterior las corrientes no

colector.

dependen

Existen dos tipos transistores: el NPN y


el PNP, y la direccin del flujo de la
corriente en

cada

caso,

lo

indica

la flecha que se ve en el grfico de

la
del voltaje que

alimenta

el circuito (Vcc), pero en la realidad si


lo

hace

la

Ib cambia ligeramente

corriente
cuando

se cambia Vcc. Ver figura.

cada tipo de transistor.

El transistor
un amplificador de

bipolar es
corriente,

esto

1.1.1.Funcionamiento:
Un
transistor
NPN
puede

ser

quiere decir que si le introducimos una

considerado como dos diodos con la

cantidad de corriente por una de sus

regin del nodo compartida. En una

patillas (base), el entregar por otra

operacin tpica, la unin base-emisor

(emisor) , una cantidad mayor a sta,

est polarizada en directa y la unin

en un factor que se llama amplificacin.

base-colector

Este factor se llama (beta) y es un


dato propio de cada transistor.

est

polarizada

en

inversa.
Un transistor NPN, por ejemplo, cuando
una tensin positiva es aplicada en la

1.2.

unin base-emisor, el equilibrio entre

Darlington de Potencia

los portadores generados trmicamente

El transistor Darlington o AMP es un

y el campo elctrico repelente de la

dispositivo semiconductor que combina

regin

dos transistores bipolares

agotada

se

desbalancea,

permitiendo a los electrones excitados


trmicamente inyectarse en la regin
de la base.

Est

compuesto

por

bipolares que

se

especial de transistor que tiene una

La corriente colector-emisor puede ser

alta ganancia de corriente.

como

controlada

por

corriente

la

base-

emisor (control de
corriente), o por la
base-emisor

internamente

conectan en cascada y es un tipo

1.1.2.Control de tensin,
carga y corriente

tensin

un

tndem en un nico dispositivo.

dos transistores

vista

en

(control

de

voltaje). Esto es debido a la relacin


tensin-corriente de la unin baseemisor, la cual es la curva tensincorriente exponencial usual de una

Al poder estar todo integrado, requiere


menos espacio que dos transistores
normales en la misma configuracin. La
ganancia total del Darlington es el
producto

de

En el diseo de circuitos analgicos, el


control de corriente es utilizado debido

ganancia

de

los

tambin

es

transistores individuales.
La tensin base-emisor

mayor, siendo la suma de ambas


tensiones

unin PN (es decir, un diodo).

la

base-emisor,

para

transistores de silicio es superior a


1.2V.

a que es aproximadamente lineal. Esto


significa que la corriente de colector es
aproximadamente veces la corriente
de la base. Algunos circuitos pueden
ser

diseados

tensin

asumiendo

que

base-emisor

la
es

aproximadamente constante, y que la


corriente de colector es veces la

El transistor T1

corriente de la base. No obstante, para

la corriente que sale por su emisor a la

disear circuitos utilizando BJT con

base del transistor T2.

precisin y confiabilidad, se requiere el


uso

de

modelos

matemticos

del

transistor como el modelo Ebers-Moll.

La

ecuacin

entrega

de ganancia de

un transistor tpico es: IE= x IB

(Corriente de colector es igual a beta


por la corriente de base).

2. MOSFET
grfico:

El mosfet o tambin conocido como

- Ecuacin del primer transistor es:

MOS (Metal-oxide semiconductor) en el

IE1

(1),

MOS la puerta est aislada del canal,

- Ecuacin del segundo transistor es:

consiguiendo que la corriente sea muy

IE2 = 2 x IB2 (2)

pequea. Debido a este factor la

Entonces
=

analizando
1

el

IB1

resistencia de entrada de este tipo de


Observando

el

grfico,

transistores sea elevada, del orden de

la corriente de emisor del transistor (T

los 10000 MW, lo cual hace que estos

1) es la misma que la corriente de

transistores

base del transistor T2. Entonces IE1 =

amplificar seales muy dbiles.

IB2 (3)

sean

ideales

para

Hay dos tipos de MOSFET en su

Entonces utilizando la ecuacin (2) y la

funcin de estructura interna, el primero

ecuacin (3) se obtiene: IE2 = 2 x IB2

es de empobrecimiento los cuales

= 2 x IE1

tienen un gran campo de aplicacin


como

amplificadores

de

seales

Reemplazando en la ecuacin anterior

dbiles en altas frecuencias o radio-

el valor de IE1 (ver ecuacin (1) ) se

frecuencia.

obtiene la ecuacin final de ganancia

enriquecimiento el cual tiene una gran

del transistor Darlington.

aplicacin en circuitos digitales y sobre

El

segundo

es

de

todo en la construccin de circuitos


IE2 = 2 x 1 x IB1

integrados

Se utilizan ampliamente en circuitos en


donde es necesario controlar cargas
grandes con corrientes muy pequeas.
La cada de tensin entre la base y
el emisor del transistor Darlington es
1.4 voltios que resulta de la suma de
las

cadas

base a emisor del

de

tensin de

primer transistor B1

a E1 (0.7 voltios) y base a emisor del


segundo transistor B2
voltios).

E2

(0.7

consumo

debido
y

reducido

su

pequeo

espacio

que

ocupa.
2.1.

MOSFET DE
EMPOBRECIMIENTO:
Estructura del MOSFET de canal N:

Este componente puede funcionar


tanto
en
la
forma
de
empobrecimiento
como
de
enriquecimiento como se ve en la
figura 1. En empobrecimiento su
forma de trabajo se explica debido a
que los electrones de la fuente
pueden circular desde el surtidor
hasta el drenador a travs del canal
estrecho de material semiconductor
tipo N. Cuanto mayor sea la
diferencia de potencial VDD
aplicada por la fuente, mayor ser
esta corriente. La tensin negativa,
aplicada a la puerta, produce un
estrechamiento en el canal, debido
al empobrecimiento de portadores,
lo que hace que se reduzca la
corriente de drenador. Aqu se
aprecia
claramente
que,
el
fenmeno de control se realiza a
travs del efecto del campo
elctrico generado por la tensin
VGG de la puerta. Debido a que la
puerta est aislada del canal, se
puede aplicar una tensin positiva

2.2.

TIPO DE
ENREQUECIMIENTO
En la siguiente imagen se muestra las
curvas

caractersticas

funcionamiento

del

del drenador y

la

transconductancia de este tipo de


MOSFET.

Este transistor slo conduce


cuando son aplicadas tensiones
positivas al drenador, por lo
que normalmente estar en no
conduccin o apagado.

En la siguiente imagen se muestra los


smbolos que representan al MOSFET
de enriquecimiento en el canal tipo N y
en el canal tipo P.

FIGURA
1

2.3.

Simbolos del mosfet.

2.4.

Curvas Caracteristicas

se aplica una tensin VGS por encima


de la mxima soportable. Por esta

En las siguientes imgenes se van a

razn, nunca debe operarse con una

dar ejemplos de una familia de curvas

tensin superior a la

de drenador

VGS(max)prescrita en las

de un MOSFET de

empobrecimiento de canal N.

caractersticas del MOSFET.


2.6.

Consideraciones del

Observemos cmo esta curva aparece


dibujada en los dos cuadrantes del eje
de tensiones. Esto es debido a que el
MOSFET puede operar tanto con
tensiones positivas como negativas.
Por esta razn, la corriente IDSS,
correspondiente a la interseccin de la
curva con el eje ID, ya no es la de
saturacin. La curva esta dada por la
ecuacin parablica:

mosfet.

Observemos cmo en esta curva


aparecen tanto tensiones negativas de
VGS (trabajo en modo de
empobrecimiento), como positivas
(trabajo en modo de enriquecimiento).
La corriente ms elevada se consigue
con la tensin ms positiva de VGS y
el corte se consigue con tensin
negativa de VGS(apag).
En un transistor de unin de efecto
campo, se aplica al canal un campo
2.5.

Proteccion de los
mosfet.
Tanto los MOSFET de
empobrecimiento como los de
enriquecimiento, poseen una capa
extremadamente delgada de aislante
que separa la puerta del canal. Esta
capa se destruye con suma facilidad si

elctrico a travs de un diodo p-n.


Empleando un electrodo de puerta
metlico

separado

del

canal

semiconductor por una capa de xido,


como se muestra en la figura, se
obtiene

el

efecto

de

un

campo

bsicamente distinto. La disposicin


Metal-xido-Semiconductor

(MOS)

permite que un campo bsicamente

cuenta que la tensin umbral se debe

distinto afecte al canal si se aplica una

a:

tensin externa entre puerta y sustrato,


y sto, tambin posee un efecto
negativo sobre el comportamiento del
MOSFET.

El espesor del SiO2: A ms espesor,


menos campo aplicado.
A los espacios de registro de la puerta.
El

contacto

de

puerta,

en

su

fabricacin, no cubre el 100% de la


capa, por lo que baja su efectividad.
Para reducir la tensin umbral del
dispositivo, hemos de atacar estos dos
conceptos, en la fase de fabricacin de
En efecto, si observamos la figura de la

estos

derecha, donde en azul marino se

mediante fabricacin con la tcnica

representa la capa de Dixido del

SATO.

Silicio y en Rojo las zonas tipo N y el


canal, vemos que al aplicar una tensin
sobre la puerta se necesitar un campo
mnimo que inversione el canal. Esta
tensin, llamada tensin umbral y
representada por VTH es aquella que
acumula una concentracin de cargas
capaz de invertir el canal.

dispositivos,

Adems,

los

presentan

por

ejemplo,

dispositivos

otro

MOS,

problema:

las

capacidades asociadas al contacto de


puerta y los contactos de drenador y
surtidor

por

el

hecho

de

estar

solapados. Esta capacidad, introduce


cortes o polos a altas frecuencias. Si
disminuimos

las

capacidades,

el

Esto da lugar a que los niveles entre

transistor, podr trabajar a ms altas

los circuitos digitales MOS y TTL sean

frecuencias, sobre todo dirigido para

incompatibles, porque los MOS no

aplicaciones

pueden trabajar a 5 V, puesto que

computacionales.

digitales

quedara un margen de ruido muy


pequeo para su trabajo.
Se puede buscar entonces, reducir esa
tensin umbral para la compatibilidad
de las dos familias de dispositivos, y se
ataca este problema en la fase de
fabricacin del dispositivo, teniendo en

3. GTO (TRANSISTOR DE
APAGADO POR
COMPUERTA)

generador debe estar ms

3.1.

uncionamiento:
Un tiristor GTO,
Caract
al igual que un

erstic

SCR puede

activarse
mediante la

V T EN

aplicacin de
una seal
positiva de
compuerta. Sin
embargo, se
puede desactivar

t en ,
Ig en
t off

Descripcin

En la cada de
tensin estado

dimensionado.
El GTO con respecto al SCR
disipa menos potencia

3.3.

Voltajes y Corrientes
de
GTO (1600
V, 350 A)

3,4 V

Gire a tiempo,

2 micro

corriente de

siemens, 2

puerta

Apague tiempo

15 mS
activacin y
desactivacin

mediante una seal negativa de


compuerta. Un GTO es un dispositivo
de enganche y se construir con
especificaciones de corriente y voltajes
similares a las de un SCR. Un GTO se
activa aplicando a su compuerta un
pulso positivo corto y se desactiva
mediante un pulso negativo corto.
3.2. Caractersticas
El disparo se realiza mediante

una VGK >0


El bloqueo se realiza con una

VGK < 0.
La ventaja del bloqueo por
puerta es que no se precisan de
los circuitos de bloqueo forzado

que requieren los SCR.


La desventaja es que la
corriente de puerta tiene que
ser mucho mayor por lo que el

3.4.

Curva caracterstica
del comportamiento

INTENSIDAD DE PUERTA EN EL
ENCENDIDO DE UN GTO

puerta, aumentando la densidad de


corriente en estas zonas.
ENCENDIDO DE UN GTO

De esta forma, el GTO no comienza a

Al igual que ocurre con un tiristor

apagarse hasta que la corriente de

convencional, para llevar a cabo el

nodo a ctodo ha quedado reducida a

encendido de un GTO es necesario

pequeos filamentos entre los

aplicar una determinada corriente

terminales de puerta. Entonces la

entrante por la puerta. Sin embargo, en

tensin vAK, hasta entonces muy

el encendido de un GTO la corriente

pequea al estar el GTO en

mxima por la puerta IGM y la velocidad

funcionamiento, comienza a aumentar.

de variacin de dicha corriente al

Como la gran densidad de corriente

principio de la conduccin deben ser lo

que circula por estos pequeos

suficientemente grandes como para

filamentos podra ocasionar su

asegurar que la corriente circula por

destruccin, se utiliza un condensador

todas las islas ctodo (figura 6.4. Si

snubber en paralelo con el GTO, que

esto no fuese as y slo algunas islas

ofrece a la corriente un camino

ctodo condujeran, la densidad de

alternativo por donde circular. As,

corriente en estas islas sera tan

cuando vAK comienza a aumentar el

elevada que el excesivo calentamiento

condensador comienza a cargarse, por

en zonas localizadas podra provocar la

lo que parte de la corriente que

destruccin del dispositivo.

circulaba por el GTO lo hace ahora por


el condensador.

APAGADO
Circuito de conexin

Al comenzar a circular corriente


positiva por la puerta, la corriente de
nodo a ctodo se concentra en las
zonas situadas entre los terminales de

Simbologa elctrica

encendido es un voltaje positivo VG


que es aplicado a la puerta G.

Este voltaje, si es aplicado como un


3.5. Aplicacin
Troceadores y convertidores

pulso de magnitud aproximada de 15

Control de motores asncronos

encendido sea menor a 1 s, despus

Inversores

Caldeo inductivo

Rectificadores

Soldadura al arco

Sistema de alimentacin
ininterrumpida (SAI)

Control de motores

Traccin elctrica

volts, puede causar que el tiempo de


de lo cual la corriente de colector ID es
igual a la corriente de carga IL
(asumida como constante). Una vez
encendido, el dispositivo se mantiene
as por una seal de voltaje en el G.
Sin embargo, en virtud del control de
voltaje la disipacin de potencia en la
puerta es muy baja.

El IGBT se apaga simplemente


removiendo la seal de voltaje VG de la

4. IGBT (TRANSISTOR
BIPOLAR DE COMPUERTA
AISLADA)

terminal G. La transicin del estado de


conduccin al estado de bloqueo puede
tomar apenas 2 microsegundos, por lo
que la frecuencia de conmutacin

4.1. Funcionamiento
Cuando se le es aplicado un voltaje

puede estar en el rango de los 50 kHz.

VGE a la puerta, el IGBT enciende


inmediatamente, la corriente de

EL IGBT requiere un valor lmite VGE

colector IC es conducida y el voltaje

(TH) para el estado de cambio de

VCE se va desde el valor de bloqueo

encendido a apagado y viceversa. Este

hasta cero. La corriente IC persiste

es usualmente de 4 V. Arriba de este

para el tiempo de encendido en que la

valor el voltaje VCE cae a un valor bajo

seal en la puerta es aplicada. Para

cercano a los 2 V. Como el voltaje de

encender el IGBT, el terminal C debe

estado de encendido se mantiene bajo,

ser polarizado positivamente con

el G debe tener un voltaje arriba de 15

respecto a la terminal E. La seal de

V, y la corriente IC se auto limita.

4.2. Caractersticas
ICmax Limitada por efecto

Latch-up.
VGEmax Limitada por el

espesor del xido de silicio.


Se disea para que cuando

4.3.

Curva caracterstica
del comportamiento

4.4.

Circuito de conexin

4.5.

Simbologa elctrica

VGE = VGEmax la corriente de


cortocircuito sea entre 4 a 10
veces la nominal (zona activa
con VCE=Vmax) y pueda
soportarla durante unos 5 a 10
us. y pueda actuar una
proteccin electrnica cortando

desde puerta.
VCEmax es la tensin de
ruptura del transistor pnp. Como
es muy baja, ser
VCEmax=BVCB0 Existen en el

mercado IGBTs con valores de


600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300

voltios. (anunciados de 6.5 kV).


La temperatura mxima de la
unin suele ser de 150C (con
SiC se esperan valores

mayores)
Existen en el mercado IGBTs
encapsulados que soportan

hasta 400 o 600 Amp.


En la actualidad es el
dispositivo ms usado para
potencias entre varios kW y un
par de MW, trabajando a
frecuencias desde 5 kHz a
40kHz.

4.6. Aplicacin
El IGBT es un dispositivo electrnico
que generalmente se aplica a circuitos

Los orgenes de estos picos puede ser

de potencia. Este es un dispositivo para

por descargas elctricas atmosfricas

la conmutacin en sistemas de alta

directas como un rayo en el poste del

tensin. Se usan en los Variadores de

transformador que suministra la

frecuencia as como en las aplicaciones

empresa o indirectas cono un rayo

en mquinas elctricas y convertidores

sobre un rbol que genera un campo

de potencia que nos acompaan cada

elctrico a su alrededor por

da y por todas partes, sin que seamos

conmutacin (y apagones). En las

particularmente conscientes de eso:

industrias hay muchas sobretensiones

Automvil, Tren, Metro, Autobs, Avin,

debido a motores, mquinas de

Barco, Ascensor, Electrodomstico,

soldadura, bancos de capacitores

Televisin, Domtica, Sistemas de


Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en

Los dispositivos usados suprimir picos

Ingls UPS), etc.

son:
Spark gas o descargador a gas: Acta
despus de 0,1 a 10useg, aguanta de

5. DRIVES Y CIRCUITOS
SUPRESORES DE PICOS
(SNUBBER)
Supresor de picos
Evita que los equipos sufran daos por
sobretensiones, evitando las subidas
repentinas de tensin, limitando el flujo
de corriente en estos picos.

5KA a 560KA(kiloAmpere).
Varistor de xido de Zinc: acta a los
25nseng, maneja un rango de corriente
de 100A hasta 480KA, tiene un gran
tiempo de duracin, es rpido y hay
gran variedad con diferentes opciones
de corriente.
Diodo de Avalancha de Silicio: Acta en
1pseg trabaja corriente de 20A a 20KA,
tiene una vida infinita si la corriente no
sobrepasa el lmite, tiene una rpida
respuesta y es muy preciso al limitar la
corriente

6. TRANSISTOR UJT

R1 y R2 equivalen a la resistencia de
los tramos de cristal N comprendidos
como

entre los terminales de las bases. El

generador de pulsos de disparo para

diodo D equivale a la unin formada

SCR y TRIACS.

por los cristales P-N entre el terminal

Este

dispositivo

Este

se

componente

utiliza

posee

tres

del emisor y el cristal N.

terminales: dos bases y un emisor tal

Mientras el diodo del emisor no entre

como se ve en la figura 1:

en conduccin, la resistencia entre


bases es igual a:

CONSTRUCCION:
En la figura se puede apreciar la constitucin
de un UJT, que en realidad est compuesto
solamente por dos cristales. Al cristal P se le
contamina con una gran cantidad de impurezas,
presentando en su estructura un nmero
elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se
le dopa con muy pocas impurezas, por lo que
existen muy pocos electrones libres en su
estructura. Esto hace que la resistencia entre las
dos bases RBB sea muy alta cuando el diodo
del emisor no conduce.
FIGURA
Si en estas condiciones aplicamos una
6.1.

Funcionamiento

tensin de alimentacin VBB entre las

Para entender su funcionamiento nos

dos bases, la tensin que aparece

vamos a guiar por el siguiente circuito:

entre el emisor y la base ser la que


corresponda en el circuito equivalente a
R1; es decir, en el divisor de tensin se
cumplir que:

Si llamamos =R1/RBB, la ecuacin


queda: V1 = VBB.

El trmino representa la relacin

del cristal P (huecos) inundan el tramo

intrnseca existente entre las tensiones

de cristal de tipo N comprendido entre

V1 y VBB.

el emisor y dicha base (recordar que el

As, por ejemplo, si un UJT posee una


relacin intrnseca caracterstica igual a
0,85 y queremos determinar la tensin
que aparecer entre el terminal de
emisor y la base 1 al aplicar 12V entre
bases,

bastar

con

operar

de

la

siguiente forma:

cristal P est fuertemente contaminado


con impurezas y el N dbilmente). Este
efecto

produce

una

disminucin

repentina de la resistencia R1 y, con


ella, una reduccin de la cada de
tensin en la base 1 respecto del
emisor, lo que hace que la corriente de
emisor aumente considerablemente.
Mientras la corriente de emisor sea

Al valor de V1 se le conoce como

superior a la de mantenimiento (Iv), el

tensin intrnseca, y es aqulla que hay

diodo

que aplicar para que el diodo comience

como si de un biestable se tratase.

a conducir. En nuestro ejemplo, si

Esta

aplicamos una tensin de 8V al emisor,

normalmente

ste no conducir, ya que en el ctodo

caractersticas y suele ser del orden de

del diodo D existe un potencial positivo

5mA.

de 10,2V correspondiente a la tensin


intrnseca, por lo que dicho diodo
permanecer polarizado inversamente.
Sin embargo, si aplicamos una tensin
superior a 10,9V (los 10,2V de V1 ms
0,7V de la tensin de barrera del diodo
D), el diodo comenzar a conducir,
producindose el disparo o encendido
del UJT. En resumen, para conseguir
que el UJT entre en estado de
conduccin es necesario aplicar al
emisor una tensin superior a la
intrnseca.
Una vez que conseguimos que el diodo
conduzca, por efecto de una tensin de
polarizacin directa del emisor respecto
a la base 1, los portadores mayoritarios

permanecer
corriente
en

en
se
las

conduccin
especifica
hojas

de

En la figura de la derecha, se muestra


el aspecto de una de las curvas
caractersticas de un UJT. Vp(punto
Q1) nos indica la tensin pico que hay
que aplicar al emisor para provocar el
estado de encendido del UJT (recordar
que Vp = V1 + 0,7). Una vez superada
esta tensin, la corriente del emisor
aumenta (se hace mayor que Ip),
provocndose el descebado del UJT
cuando la corriente de mantenimiento
es inferior a la de mantenimiento
Iv (punto Q2).
6.2.

Curva Caracteristica
Del UJT

6.3. Aplicaciones
Las aplicaciones del UJT ms comn

transmisor y receptor ptico (de luz), es

es como generador de pulsos en diente

otro una seal elctrica sin necesidad

de sierra. Estos pulsos resultan muy

de conexin fsica ni cables (por el

tiles para controlar el disparo de la

aire), mediante una seal luminosa. Por

puerta de TRIACS y SCR.

eso tambin se llaman OptoInterruptor.

decir pueden transmitir de un punto a

Ejemplo de aplicacin:
En la siguiente imagen se muestra una

Una pequea tensin activamos el LED

tpica aplicacin del generador de

del optoacoplador (por ejemplo a 5V) y

pulsos de diente de sierra con UJT para


controlar

el

disparo

de

un

SCR.

Mediante este circuito controlamos la


velocidad de un motor serie (o de
cualquier otro tipo de carga: estufas,
lmparas, etc) gracias a la regulacin
de la corriente que realiza sobre medio
ciclo

del

velocidad

SCR.
del

Para
motor,

controlar
basta

la
con

modificar la frecuencia de los pulsos en


dientes de sierra, lo cual se consigue
variando el valor del potencimetro RS.

la luz que emite el led llega al detector


del optoacoplador y activa el detector
creando una tensin de salida a 220V.
Podemos activar a la salida motores,
lmparas, etc. a 220V desde otro sitio
en el que solo tenemos 5V, sin riesgo
apenas para el que lo activa.
La

aplicacin

aislamiento

entre

principal
los

es

circuitos

en
de

control y los de potencia.

7.1.

Funcionamiento:

Tiene una salida de luz (LED) y una


entrada de luz, que detecta cuando
recibe la luz del LED, cuando esta
rebota

contra

alguna

superficie

(fotodetector). Es similar al transistor,


pero en lugar de corriente con luz.

7. OPTOACOPLADOR
Un optoacoplador es un componente

Cuando le llega una seal elctrica a

electrnico

los dos extremos del LED (emisor) este

que

se

utiliza

como

emite una seal luminosa, que recibe el

n el circuito o integrado no afecte su

receptor o detector. Este al recibir esta

correcto funcionamiento

seal luminosa genera en sus bornes


(patillas) una tensin elctrica, que ser
la

tensin

de

salida.

Cuando le llega una tensin a la


entrada se genera una luz y al recibirla
el detector este genera una tensin de
salida. Es como un interruptor. Si no
llega luz al detector el interruptor estar
abierto, si le llega luz del led el

1 Loseta de proteccin trmica retirada


del transbordador Columbia despus de su
primera misin en abril de 1981

interruptor sera cerrado, podra estar el


led encendido pero no llegarle luz al
detector por que no rebota en ninguna
superficie. El interruptor estara abierto
por que no se produce tensin a la

El tipo de losetas utilizadas para la


proteccin termica son de dos colores:
de color blanco y negro. Las blancas
estn ubicadas en las zonas donde las

salida.

temperaturas son relativamente

Ejemplo:

inferiores al resto de la maquina, lo


contrario sucede con las de color
negro; stas, por su color, absorben las
mayores temperaturas y estn
ubicadas en la parte inferior y delantera
del las maquinas, adems hay un tipo
de recubrimiento ms pesado

Las patillas 1 y 2 son el emisor de luz y


la 6 y 4 el receptor de la luz para que
se active.

constituido de carbono reforzado y que


slo es utilizado para la proteccin de
las temperaturas ms altas. La
cantidad utilizada de este material es
menor que en el caso de las losetas y

8. SISTEMAS DE
PROTECCIN DE
ELEMENTO TERMICO.

esto es as debido a su peso.

9. BIBLIOGRAFIA
El sistema de proteccin trmica (TPS)
est diseado para que la temperatura

1-http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET

2-

http://www.unicrom.com/tut_darlington.

http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/T

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3-

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http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/T

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acial