Instituto Tecnolgico de Piedras Negras

VHDL
Ingeniera Mecatrnica

UNIDAD 3

Memorias

Ing. Rogelio Galvan

Alumnos:
Carlos Gerardo Vela Saldivar
Antonio de Jess Moreno Rodrguez

28 - Abril 2015

3.1 Fundamentos de sistemas numricos.

En la vida cotidiana se manejan diferentes magnitudes que se pueden expresar en
cantidades, que a su vez, se pueden medir con diferentes instrumentos. En cada
uno de ellos se presenta algn tipo de sistema numrico. En la actualidad y con el
avance en la tecnologa, en la ciencia, los negocios, etctera, dichas magnitudes
se pueden medir bsicamente de dos maneras distintas, tanto
ANALGICAMENTE como DIGITALMENTE. En las representaciones analgicas,
una cantidad se representa mediante un voltaje, una lnea de corriente o
simplemente a travs de un indicador que obtiene su salida mediante una entrada
de datos. Un ejemplo muy sencillo de una representacin analgica es un
termmetro de mercurio que funciona con la temperatura que incide en l, la cual
se ve reflejada en la altura que alcanza el mercurio para indicar la temperatura del
objeto aproximado al termmetro. Todas las cantidades analgicas tienen una
caracterstica peculiar: pueden variar en un rango o escala contina de valores. En
las representaciones digitales, contrario a las analgicas, stas no son
representadas en un rango variable sino mediante smbolos llamados dgitos. Un
ejemplo muy simple y usado de manera cotidiana es el reloj digital donde la hora
se expresa mediante dgitos decimales que representan las horas y minutos. Una
de las caractersticas principales de las cantidades analgicas y las digitales es
que a menudo, las cantidades tomadas analgicamente estn sujetas a
interpretacin, en comparacin con las cantidades tomadas digitalmente donde no
hay ambigedades al momento de tomarlas. En las diferentes representaciones de
magnitudes analgicas o digitales se usan los llamados sistemas numricos, o sea
representaciones numricas de las magnitudes tomadas; la ms utilizada por los
seres humanos es la decimal (compuesta por los nmeros naturales 0 al 9), pero
las computadoras usan el sistema numrico binario (con los dgitos 0 y 1). Con
ellos se desarrollan tambin los sistemas octal (dgitos del 0 al 7) y el hexadecimal
(dgitos el 0 al 9 y de la letra A ala F).
Un sistema numrico se define como el nmero mximo de dgitos que el sistema
numrico puede soportar o contener. Las ventajas que ofrece el sistema digital

sobre el analgico son cada vez mayores debido a su facilidad para construirlos e
implementarlos. El almacenamiento de informacin es cada vez ms sencillo y una
de las ventajas ms sobresalientes es que son ms precisos que los analgicos.
Entre sus desventajas est que, como el mundo es completamente analgico,
todas las magnitudes medidas se controlan mediante clculos continuos,
aproximados. Debido al gran incremento de los sistemas digitales se cree que el
mundo deber seguir el camino de la tecnologa, y que en un futuro los sistemas
digitales predominarn: desde las aplicaciones sencillas hasta las muy
sofisticadas. Entre los diferentes tipos de sistemas numricos se encuentran:
Sistema numrico
Binario

10010112

Ejemplo

Octal

2315728

Decimal

98075310

Hexadecimal

4 ADF 316

En cada uno de los sistemas se manejan subndices que representan el sistema

numrico al que pertenecen. En los ejemplos anteriores se manejan los subndices
2, 8, 10 y 16 que corresponden a los sistemas binarios, octal, decimal y
hexadecimal respectivamente.

3.1.2 Sistema de numeracin hexadecimal.

El sistema numrico hexadecimal es un sistema con una estructura de 16 dgitos,
que van del 0 al 9 (10 dgitos) y de la A a la F (seis dgitos). Es uno de los ms
utilizados en los sistemas digitales y en la ciencia de la computacin, ya que con
este sistema se pueden representar posiciones de memoria, sectores del disco
duro y dems. El sistema hexadecimal contiene los siguientes caracteres o dgitos:
Hexadecimal={0,1 ,2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, A, B, C, D, E, F}.
De donde: A=10, B=11, C=12, D=13, E=14, F=15.

Numero de digito

Equivalente decimal

Equivalente

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16

0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15

hexadecimal
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
B
C
D
E
F

3.1.3 Operaciones aritmticas en el sistema

hexadecimal.

Suma

9 + 7 = 16 (16 - 16 = 0 nos llevamos 1 y es = 10)

En este caso la respuesta obtenida, 16, no est entre el 0 y el 15, por lo que
tenemos que restarle 16. Por lo tanto, la respuesta obtenida ser 10 (sistema
hexadecimal).
Hay que tener cuidado de utilizar correctamente las letras, ya que operar a la vez
con letras y nmeros puede crear confusiones.
A + 6 = 16 (16 - 16 = 0 y nos llevamos 1)
Ocurre lo mismo que en el ejemplo anterior.

A + A = 20 ( 20 16 = 4 y nos llevamos 1)
La respuesta es 20 y no est entre el 0 y el 15, por lo que tenemos que restarle
16. Por lo tanto, la respuesta obtenida ser 14 (sistema hexadecimal).
Hay que tener cuidado de utilizar correctamente las letras, ya que operar a la vez
con letras y nmeros puede crear confusiones.
F + E = 29 (29 16 = D y nos llevamos 1)
La respuesta es 29 y no est entre el 0 y el 15, por lo que tenemos que restarle
16. Por lo tanto, la respuesta obtenida ser 1D (sistema hexadecimal).
Hay que tener cuidado de utilizar correctamente las letras, ya que operar a la vez
con letras y nmeros puede crear confusiones.
Ahora haremos una operacin ms complicada:
A + 2 = 12 (12 corresponde a C)

Resta

Como podemos hacer la resta de dos nmeros hexadecimales utilizando el

complemento a 15. Para ello tendremos que sumar al minuendo el complemento a
quince del sustraendo, y finalmente sumarle el bit de overflow (bit que se
desborda).
Para entender la resta en complemento a 15 lo analizaremos con un ejemplo. sta
es la resta que tenemos que resolver:
A 4 FC 9
DE 8

Primero tenemos que hacer que el minuendo y el sustraendo tengan la misma

cantidad de nmeros. Para ello, aadiremos ceros al sustraendo hasta que sean
suficientes.

 A 4 FC 9
00 DE 8

Despus, crearemos un nuevo nmero con la misma cantidad de nmeros que el

nuevo sustraendo. Como en el sistema hexadecimal el mayor nmero que
tenemos es el 15, que corresponde a la letra F, tendremos que escribir la F tantas
veces como nmeros tiene el sustraendo.
FFFFF
00 DE 8
FF 217

La resta se hace siguiendo las normas generales de la resta comn. La diferencia

obtenida se denomina el complemento a 15. Recuerda el valor correspondiente a
cada letra al operar.
Ahora tendremos que sumar el minuendo y el complemento a 15 utilizando la
suma en sistema hexadecimal, mencionada anteriormente.
+ A 4 FC 9
FF 217
1 A 41E0
Con la suma obtenemos el resultado 1A41E0, pero no es la respuesta final. Te
habrs dado cuenta que este nuevo nmero tiene ms cifras que los nmeros
iniciales que tenamos que restar. Tenemos que quitar el nmero de la izquierda
(en este caso, el 1) y sumarlo.

+ A 41E0
1
A 41E1

3.2 Conceptos de memorias.

3.2.1 Terminologa de memorias
La memoria es la parte de un sistema que almacena datos binarios en grandes
cantidades. La regla general de almacenamiento de bits de una memoria est
dada por aquella que tiene la capacidad de almacenar datos que se encuentren en
unidades que van desde un bit hasta 8 bits. El lenguaje nativo de las
computadoras es el sistema binario que contiene como unidad mnima al bit que
equivale a un pulso de reloj en el valor de 0 o 1. Los datos binarios se almacenan
en grupos de ocho bits que forman un byte. Dicho byte se puede subdividir en dos
grupos, es decir, cada grupo contiene cuatro bits al que se le denomina nibbles.
Para transmisin de datos algunas memorias almacenan grupos de nueve bits por
la necesidad de colocar el bit de paridad. Como es sabido, este bit de paridad lo
emplean los cdigos de transmisin para encriptar, des encriptar y reestructurar el
mensaje que se enva bajo cdigos como el Haming o CRC. Cada elemento de
almacenamiento que conforma una memoria es capaz de almacenar un bit con el
valor de 1 o 0, al elemento que funge como almacn en la memoria se le
denomina celda. Un conjunto de celdas agrupadas forman una matriz de celdas y
dicha matriz es la que conforma la memoria. La matriz que compone la memoria,
al igual que una matriz de lgebra vectorial, est compuesta por filas y columnas.
Entre ms amplia sea la matriz de la memoria ofrecer mayor capacidad de
almacenamiento. En programacin, el estudiante est familiarizado con el
concepto de array y vector que tiene la misma representacin grfica que una
matriz de memoria como la que se ilustra a continuacin.

El producto de las filas por columnas que conforman una matriz da como resultado
el nmero de celdas que contiene la memoria. Para el primer caso, nuestra matriz
es de tres filas por tres columnas, el nmero de celdas es equivalente a 9, la
siguiente matriz contiene 12 y la tercera 16 celdas. Estos ejemplos grficos
almacenan 9, 12 y 16 bits. Dimensionemos estos ejemplos a las memorias RAM
de 16, 32, 168, 128, 256 y 512 megabytes, o sea menos unidades de capacidad
de memoria de las que maneja la computadora, ya que ella puede manipular
millones de bytes de almacenamiento en sus operaciones cuando interacta con
las personas.

3.2.2 Operacin general de memorias

La matriz de memoria compuesta por las filas y columnas da paso a las celdas,
que contienen o pueden contener 1 bit almacenado ya sea 1 o 0, pero es
importante que se conozca el lugar donde se almacena dicho bit. A este trmino se
le conoce como direccin de memoria.

(2,3
)

Tomando de referencia el grfico anterior, la parte sombreada ocupa la direccin

de memoria (2,3) la cual contiene un bit almacenado. El nmero de bits que puede
almacenar una memoria se le denomina capacidad de almacenamiento. Para
llevar a cabo el proceso de almacenamiento, las memorias tienen que tener la
capacidad de realizar dos operaciones sencillas que son la de escritura para
colocar los bits en una direccin de memoria y para saber el valor que se
encuentra almacenado, se procede a la operacin de lectura.

3.2.3 Tipos de memorias

Tipo RAM

RAM

"Random Access
Memory", memoria
de acceso aleatorio

Memoria primaria de la computadora,

en la que puede leerse y escribirse
informacin en cualquier momento,
pero que pierde la informacin al no
tener alimentacin elctrica.

"Extended Data Out

Random Access
Memory", memoria
EDO RAM
de acceso aleatorio
con salida
de datos extendida

Tecnologa opcional en las memorias

RAM utilizadas en servidores, que
permite acortar el camino de la
transferencia de datos entre la
memoria y el microprocesador.

BEDO
RAM

"Burst EDO Random

Access Memory",
memoria
deacceso aleatorio
con salida
de datos extendida
y accesoBurst

Tecnologa opcional; se trata de una

memoria EDO RAM que mejora su
velocidad gracia al acceso sin
latencias a direcciones contiguas de
memoria.

DRAM

"Dinamic Random
Access Memory",
memoria dinmica
de acceso aleatorio

Es el tipo de memoria ms comn y

econmica, construida con capacitores
por lo que necesitan constantemente
refrescar el dato que tengan
almacenado, haciendo el proceso
hasta cierto punto lento.

"Synchronous

Tecnologa DRAM que utiliza un reloj

SDRAM

Dinamic Random
Access Memory",
memoria dinmica
de acceso aleatorio

para sincronizar con el

microprocesador la entrada y salida
de datos en la memoria de un chip. Se
ha utilizado en las
memorias comerciales como SIMM, DI
MM, y actualmente la familia
de memorias DDR (DDR, DDR2,
DDR3, GDDR, etc.), entran en esta
clasificacin.

FPM
DRAM

"Fast Page Mode

Dinamic Random
Access Memory",
memoria dinmica
de paginacin
de acceso aleatorio

Tecnologa opcional en las memorias

RAM utilizadas en servidores, que
aumenta el rendimiento a las
direcciones mediante pginas.

RDRAM

"Rambus DRAM",
memoria dinmica
de acceso aleatorio
para tecnologa
Rambus

Memoria DRAM de alta velocidad

desarrollada para procesadores con
velocidad superior a 1 GHz, en esta
clasificacin se encuentra la familia
de memorias RIMM.

"Static Random
Access Memory",
memoria esttica
deacceso aleatorio

Memoria RAM muy veloz y

relativamente cara, construida con
transistores, que no necesitan de
proceso de refresco de datos.
Anteriormente haba mdulos de
memoria independientes,
pero actualmente solo se encuentra
integrada dentro de
microprocesadores y discos duros para
hacerlos mas eficientes.

"Read Only
Memory", memoria
de solo lectura

Memoria que permite un nmero

indeterminado de lecturas pero no
puede ser modificada.

SRAM /
Cach

Tipo ROM
ROM

"Programmable Read
Only Memory",
PROM memoria
programable de solo
lectura
EPROM "Erasable
Programmable Read

Memoria ROM que permite una

programacin y posteriormente un
nmero indeterminado de lecturas pero
no puede ser modificada.
Memoria PROM que permite
reprogramacin por medio de un

Only Memory",
memoria
dispositivo especial y borrado por
programable y
medio de luz ultravioleta.
borrable de solo
lectura
"Electrically Erasable
Programmable Read Evolucin de las memorias EROM que
Only Memory",
permite alterar su contenido por medio
memoria
de seales elctricas. Es la mas
EEPROM
elctricamente
utilizada en las computadoras actuales
programable y
para albergar el SetUp de la
borrable de solo
computadora.
lectura
Tipo Flash
"Flash NAND", el
trmino Flash es
Memoria que permite
debido a la alta
almacenar datos y mantenerlos
velocidad que puede
almacenados sin necesidad de
manejar y NAND a un
Flash
alimentacin elctrica hasta por 10
tipo de conexin
NAND
aos. Se utiliza en las memorias
especial de sus
USB , memorias SD, MemoryStick de
elementos
Sony,unidades SSD, e incluso
electrnicos
para BIOS, etc.
(Compuerta tipo
NAND)

3.2.4 Estructura interna de una celda memorias

3.2.5 Ciclos de lectura/escritura

En los circuitos digitales las memorias de slo lectura ROM (Read Only Memory),
son aquellas memorias que no son del tipo voltil. Es decir que al carecer de una
fuente de alimentacin elctrica no pierden sus datos, por consiguiente puede
seguir siendo utilizada la informacin que en ellas se contiene cuantas veces se
desee, siempre y cuando el circuito digital tenga una fuente de alimentacin
elctrica. En la aplicacin de las memorias ROM en las computadoras
mencionaremos como ejemplo la memoria EPROM es aquella que contiene el
programa de arranque de la tarjeta madre denominado SETUP y las instrucciones
de configuracin de encendido de todo el hardware al que se le denomina BIOS.
Aunque el trmino de memoria ROM significa que slo se pude obtener la lectura
de los datos escritos en la memoria, cabe sealar que a esta memoria se le tuvo

que escribir dichos datos, pero este proceso de escritura es un poco lento y
requiere de otros dispositivos electrnicos para poder realizar el proceso de
grabacin, adems de una fuente alta de energa elctrica.
En circuitos digitales, a las memorias de lectura y escritura se les denomina con el
trmino de RAM (Random Access Memory), memoria de acceso aleatorio, que es
una memoria de lectura y escritura de datos binarios que se pueden leer y escribir
en cualquier orden.
Una vez almacenados los datos en la memoria RAM, quedan guardados ah hasta
que son requeridos por el procedimiento. A este proceso se le conoce como
escritura. El proceso de lectura es aquel en el cual los datos son ledos y borrados
para liberar el espacio de memoria y que dicha direccin quede libre en caso de
que para otro proceso, sea necesario ocupar ese espacio para almacenar otros
datos. Se dice que las memorias RAM son memorias de tipo voltil, a diferencia de
la memoria ROM que al carecer de una fuente de energa, mantiene los datos
almacenados en ellas. Al carecer la memoria RAM de la fuente de energa, los
datos que en ella se encontraban son eliminados por no tener la capacidad de
almacenamiento permanente. Las memorias RAM utilizan flip-flops como
elementos de almacenamiento. Mientras cuenten con una fuente de energa
continua y estable, dichos datos pueden permanecer en la memoria RAM por
tiempo indefinido.
La distincin entre las memorias SRAM y DRAM es la capacidad y velocidad de
almacenamiento de los datos binarios. La memoria DRAM tiene gran capacidad de
almacenamiento a diferencia de la memoria SRAM. Las memorias SRAM se
clasifican en memorias SRAM asncronas y sncronas. Las memorias SRAM
asncronas son aquellas que dentro de los sistemas digitales no se encuentran
sincronizadas con el reloj del sistema digital. La diferencia de la memoria SRAM
sncrona con respecto a la SRAM asncrona es que esta memoria s se encuentra
sincronizada con el reloj del sistema digital. Las memorias DRAM se emplean
principalmente en los circuitos de las computadoras personales por tener una
mayor capacidad de almacenamiento a diferencia de la memoria SRAM. La

estructura digital de una memoria DRAM cuenta adems con flip-flops, transistores
y condensadores hacindola un tipo de memoria ms verstil.

3.2.6 Interconexin de memorias

La interconexin de un chip de memoria se realiza a travs de sus patillas:

n patillas para el bus de direcciones, donde se podr direccionar 2n

palabras.
m patillas para el bus de datos indicando que en cada acceso se trabajar

con m bits.
W/R (Write/Read). Esta patilla indica el tipo de operacin a realizar: lectura
o escritura. Tambin existen chips que disponen de una patilla para

escritura WE (Write Enable) y otra para lectura OE (Output Enable).

CS (Chip Selection) o CE (Chip Enable). Selecciona el chip de memoria al

cual hay que acceder.

VCC. Alimentacin del chip.
VSS. Conexin a tierra.

Para el correcto funcionamiento de la memoria es necesario incorporar una

circuitera adicional como son decodificadores, multiplexores, buffers, etc.

3.2.7 Aplicaciones de memorias en la lgica

combinacional y secuencial
Los elementos de memoria son los encargados de temporizar la historia del
circuito, es decir, indicar el momento en el que cambia la historia. Segn este
cambio, podemos clasificar esta temporizacin en tres categoras:

Temporizacin por realimentacin directa. Los cambios son considerados

instantneamente (despreciando los retrasos de las conexiones).

Temporizacin por elementos de retraso. Los cambios son considerados
despus de que transcurra un tiempo estipulado, el cual viene determinado

por el elemento de retraso utilizado.

Temporizacin por elementos de memoria. Los cambios son considerados
por un elemento de memoria, el cual suele estar controlado por una seal
externa (denominada generalmente reloj). La opcin ms utilizada es la
tercera, es decir, la utilizacin de elementos de memoria. Esta situacin es

debida a que el control externo es mucho ms verstil que la realimentacin

directa o a travs de un elemento de retraso en las cuales no existe ningn
control directo sobre el cambio de la historia del sistema. Por lo tanto,
vamos a considerar el estudio de los elementos de memoria, cuya
importancia viene determinada por el comentario anterior. Adems, dichos
elementos son bsicos para la generacin de memoria de semiconductores
(muy utilizadas en sistemas informticos).