LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

Experimento N7
I.

TEMA
TRANSISTOR BIPOLAR NPN.
CARACTERSTICAS BSICAS

II.

OBJETIVOS
1. Verificar las condiciones de un transistor bipolar NPN.
2. Comprobar las caractersticas de funcionamiento de un transistor bipolar NPN.

III.

INTRODUCCIN TERICA

Transistor

Distintos encapsulados de transistores.

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la
contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente
se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios,
televisores, grabadores, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas,
lavarropas automticos, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de
cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorecentes, equipos de
rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
Sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos o triodo, el transistor bipolar fue
inventado en los Laboratorios Bell de EEUU en diciembre de 1947 por John Bardeen,
Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con
el Premio Nobel de Fsica en 1956.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas
artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el
colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos
primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el
transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento
activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos
pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica.

INFORME N 7: TRANSISTOR BIPOLAR NPN: CARACTRISTICAS BSICAS1

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De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin
amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la
corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua
se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de
circuito que se utilice. El factor de amplificacin logrado entre corriente de base y
corriente de colector, se denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en
cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de
Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de
calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros
tales como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente
de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas bsicos para utilizacin analgica de los
transistores son emisor comn, colector comn y base comn.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,
MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal
de "base" para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en
el terminal de puerta o reja de control y grada la conductancia del canal entre los
terminales de Fuente y Drenador. De este modo, la corriente de salida en la carga
conectada al Drenador (D) ser funcin amplificada de la Tensin presente entre la
Puerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es anlogo al del triodo, con la
salvedad que en el triodo los equivalentes a Puerta, Drenador y Fuente son Reja, Placa
y Ctodo.
Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integracin a gran
escala que disfrutamos hoy en da, para tener una idea aproximada pueden fabricarse
varios miles de transistores interconectados por centmetro cuadrado y en varias
capas superpuestas.
Tipos de transistor:

Transistor de punta de contacto. Primer transistor que obtuvo ganancia,

inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de
germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que
constituyen el emisor y el colector. La corriente de emisor es capaz de modular
la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de "transfer resistor".
Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar
(las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y
ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948)
debido a su mayor ancho de banda. Hoy da ha desaparecido.

Transistor de unin bipolar, BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente
sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen
cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los
metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal se
contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del
mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de

aceptadores o "huecos" (cargas positivas), normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al indio, Aluminio o Galio y donantes N al Arsnico o Fsforo. La
configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminacin entre ellas.

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El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender
de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de
contaminacin (difusin gaseosa, epitelial, etc.) y del comportamiento cuntico de la
unin.

Fototransistor, sensible a la
cercanas a la de la luz.

radiacin electromagntica, en frecuencias

Transistor de unin unipolar.

Transistor de efecto de campo, FET, que controla la corriente en funcin de una

tensin; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante

una unin PN.

Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que

la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico.

Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa

Metal-xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y
est separada del canal semiconductor por una capa de xido.

Transistor bipolar
Regiones operativas, configuraciones
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede
ser de germanio o silicio.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente
en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),
colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene
la
flecha
en
el
grfico
de
transistor.

Transistor NPN

Transistor PNP

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos

una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra
(emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin.
Este factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:
- Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de amplificacin)

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por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
- Ic = * Ib
- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, slo que, la
corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de el, o viceversa.

Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el
circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente
cuando se cambia Vcc. Ver figura.
En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender
que a ms corriente la curva es ms alta.
Regiones operativas del transistor
- Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje,
ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base =
0 (Ib =0)
- Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima, (Ic = Ie = I mxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del
circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver
ley de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms
grande. (Recordar que Ic = * Ib)
- Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la
regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta
regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de
las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta regin es la mas
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.
Configuraciones: Hay tres tipos de configuraciones tpicas en los amplificadores
con transistores, cada una de ellas con caractersticas especiales que las hacen
mejor para cierto tipo de aplicacin. y se dice que el transistor no est conduciendo.
Normalmente este caso se presenta cuando no hay corriente de base (Ib = 0)

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- Emisor comn
- Colector comn
- Base comn
Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales, pero
se toman como tal, debido a la pequea diferencia que existe entre ellas, y que no
afectan en casi nada a los circuitos hechos con transistores.

IV.

MATERIALES Y EQUIPOS UTILIZADOS

1. Un Multmetro digital.

2. Un Miliampermetro.

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3. Un micro ampermetro.

4. Un Voltmetro de c.c.

5. Un Transistor 2N2646 - 2N3904

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6. Un Osciloscopio

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7. Resistores:

Re=330, Rc=1K , R1=56K, R2=22K

8. Condensadores: Cb=0.1F., Cc=0.1 F., Ce=3.3 F.

9. Fuente

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10. Cables Conectores

11.Un Potencimetro de 1M

12. Dos placas con zcalo de 2 pines (o terminales).

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V.

PROCEDIMIENTO

1. Verificar el estado operativo del transmisor, usando el ohmmetro. Llenar la tabla.

TABLA 1
Resistencia
Base-Emisor
Base-Colector
Colector-emisor

Directa()
1105
1096
4.6M

Inversa()
> 40M
> 40M
> 40M

2. Armar el siguiente circuito

12v =
Vcc

Vo
Vi

a)Medir las corrientes que circulan por el colector ( Ic) y la base ( Ib). Obtener el
(P1=0).
b) Medir los voltajes entre colector-emisor (Vce), entre la base emisor (Vbe), y
entre emisor tierra (Ve).
c) Colocar los datos obtenidos en la tabla 2.
TABLA 2.
Valores(R1=56 K )

Ic(mA)

Terico

6.782

Practico

7.57

Ib(A
)
33.91
1
55

200
137.6

Vce(
v)
4.96
1
2.88

Vbe(v)

Ve(V)

0.6

2.25v

0.68

2.313

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d) Cambiar R1 a 68k, repetir los pasos (a) y (b), y anotar los datos en la tabla 3 (por
ajuste de P1).
TABLA 3.
Valores(R1=68 K )

Ic(mA)

Terico

5.625

Practico

6.2

Ib(A
)
28.12
5
44

200
140.9

Vce(
v)
4.51
9
4.62

Vbe(v)

Ve(V)

0.6

1.865v

0.674

1.88

e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K,250k,500k y 1 M. Observar lo que

sucede con las corrientes Ic e Ib y con el voltaje Vce(Usar Re=0). Llenar la tabla 5.
TABLA 5
P1
Ic(mA)
Ib(A)
Vce(v)

100K
2.39
15
9.25

250K
0.6
0.5
11.44

500K
0
0
12.12

1M
0
0
12.13

3. Ajustar el generador de seales a 50mvpp. 1 KHz. Onda Senoidal. Observar la

salida Vo con el osciloscopio. Anotar en la tabla 4.
TABLA 4:
Tabla
3(Q2)

Vi(mv.pp)
400

Vo(v.pp)
8

Av
20

Vo(sin Ce)
1.2

Av(sin Ce)
3

VI.
CUESTIONARIO FINAL
1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificacin
operativa con el Ohmimetro.
El transistor cuando hacemos la medida en el colector-emisor (Inversa),
entonces en estos terminales se comporta como un aislante circuito abierto por
su gran resistencia en tanto en su forma directa se comporta como un
conductor por su baja resistencias. Los de ms terminales midindolos en su
forma directa e inversa se comportan como semiconductores por sus
resistencias oscilando en valores tradicionales, no tan bajos ni tan altos.

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3. Representar la Recta de Carga en un Grfico Ic vs. Vce del circuito del

Experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 2, 3 y 5.
Tabla 2

Tabla 3

Tabla 5

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3. En qu regiones de trabajo se encuentran los puntos de las Tablas 2 y 3?

Q1 de la tabla 2:

Datos:
R1= 56 K
R2= 22 K
Re=330
Rc=1 K
VBE= 0.6 v
P1= 0K
= 200

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VHJ =

12v x 22k

12v x 22k = 3.385 v

56k + 22k

78k

Req = (P1 + R1)(R2) = (56k)(22k)

P1 + R1 + R2

IB =

= 15.795 k

56k + 22k

3.385v 0.6v

(201)(330) + 15.795k

Ic = x IB

= 33.911 A

2.785v
82.125 k

Ic = 200(33.911 A)

ICQ = 6.782 mA

Vce = 12v ( 330 + 1 k)(6.782 mA)

Ic mx. =

Vcc
Rc + Re

12v

Vce = 2.98 v

= 9.022 mA

1 k + 330

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Ahora : Ve
Ie= Ic+Ib

Ie = 6.782mA +33.911A =6.816mA

Ve=Ie.Re =6.816mA(330)=2.25v

Q2 de la tabla 3:
Datos:
R1= 56 K
R2= 22 K
Re= 330 K
Rc= 1K
VBE= 0.6v
P1= 68 K
= 200

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VHJ =

12v x 22k
22k + 68 k

Req =

(P1 + R1)(R2)
P1 + R1 + R2

12v x 22k

2.933 v

90k

= (68k)(22k)

16.622 k

68k + 22k

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IB =

2.933v 0.6v

2.333v

(201)(330) + 16.622k

Ic = x IB

Vce = 12v (330 + 1 k)x(5.625 mA)

Ic mx. =

Vcc

Rc + Re

28.125 A

82.952 k

Ic = 200x(28.125 A)

12v

ICQ = 5.625 mA

Vce = 4.519 v

= 9.022 mA

1k + 330K

Ahora : Ve
Ie= Ic+Ib

Ie = 5.625mA +28.125A =5.653mA

Ve=Ie.Re =5.653mA(330)=1.865v

4. Qu sucedera con el punto de operacin si cambiamos R1 a 150K ?

Explicar lo ocurrido y explicar sus valores tericos.

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=60 para transistor SPK2222A

Rb=

150 K 22 K
150 K 12 V
=19.186 K V =
=1.534 V
150 K +22 K
150 K +22 K

I CQ =

V V be
1.3540.6
=
=1.397 mA
Rb
19.186 K
+ 220
+ Re
60

V CEQ =V cc I C ( R e + R c ) =121.397 103 ( 1 K +220 )=10.295 V

Q=( V CEQ , I CQ )=( 1.397,10 .295 )
Como se puede observar el punto de trabajo se acerca a la zona de corte.

5. Indicar las diferencias ms importantes entre el circuito de este

experimento (transistor NPN) con respecto al anterior (transistor PNP).
La corriente va del lado positivo al negativo a diferencia del anterior que
iba en sentido opuesto.
La corriente va de colector- base y sale por el emisor a diferencia del
anterior que era lo contrario.
Nos proporciona valores de voltaje con signo positivo a diferencia del
anterior que nos proporcionaba valores negativos.
La flecha que indica a cada transistor estn en sentido contrario que se
ha visto probada en ambos experimentos.

VII.

CONCLUSIONES

VIII.

Sirve como un amplificador de seales.

se debe identificar los os terminales del transistor, pues a pesar de ser del tipo
NPN, hay algunos que difieren las posiciones del emisor y el colector, pero la
base siempre ser el central.
El sentido de la corriente que circula a travs de ste es opuesto a la del PNP.

BIBLIOGRAFA

Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, 10 Edicin Robert L.

Boylestad& Louis Nashelsky.
ELECTRONICA INTEGRADA (9 ED.)
JACOB MILLMAN; CHRISTOS C. HALKIAS , EDITORIAL HISPANO EUROPEA, S.A.,
1991

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Gua para mediciones electrnicas y prcticas de laboratorio. Stanley

Wolf y Richard Smith.

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