CIRCUITOS DIGITALES EEPROM

- EQUIPO 6:
ANDRES ELIZONDO SANTOS
IVN ALEJANDRO GONZLEZ SOTO
RAMIRO ALEJANDRO ROCHA VILLARREAL
DIANA KAREN CANALES JIMNEZ
LUIS CARLOS SNCHEZ URQUIZA

NDICE
Introduccin
- ASIC, Estructura Bsica de un PLD, PROM y EPROM
Memoria EEPROM
- Smbolo EEPROM, Operacin de Escritura y AT24C02 EEPROM
Glosario
Conclusin
Referencias y Bibliografas

INTRODUCCIN
La lgica programada, es una familia de componentes que contienen conjuntos de elementos
lgicos (AND, OR, NOT, LATCH, FLIP-FLOP) que pueden configurarse en cualquier funcin
lgica que el usuario desee y que el componente soporte. Hay varias clases de dispositivos
lgicos programables: ASICs, PROMs, PALs, GALs, y PLDs complejos.

ASIC
Circuitos Integrados de Aplicacin Especfica y son dispositivos definibles por el usuario. Los
ASICs, al contrario que otros dispositivos, pueden contener funciones analgicas, digitales, y
combinaciones de ambas. En general, son programables mediante mscara y no
programables por el usuario.

ESTRUCTURA BSICA DE UN PLD

Un dispositivo programable por el usuario es aquel que contiene una arquitectura general
pre-definida en la que el usuario puede programar el diseo final del dispositivo empleando
un conjunto de herramientas de desarrollo. Las arquitecturas generales pueden variar pero
normalmente consisten en una o ms matrices de puertas AND y OR para implementar
funciones lgicas.

MEMORIA PROM
Las memorias PROM (Memoria Programable de Slo Lectura), consisten en chips que
comprimen miles de fusibles (o diodos) capaces de quemarse mediante un dispositivo
denominado "programador ROM", aplicando un alto voltaje (12V) a las cajas de memoria a
marcar. Los fusibles quemados corresponden a 0 y los dems a 1.

MEMORIA EPROM
Las memorias EPROM (Memoria Programable y Borrable de Slo Lectura), son memorias
PROM que se pueden eliminar. Estos chips disponen de un panel de vidrio que deja entrar los
rayos ultra-violeta. Cuando el chip es sometido a rayos ultra-violeta de una determinada
longitud de onda, se reconstituyen los fusibles, lo que implica que todos los bits de memoria
vuelven a 1.

MEMORIA EEPROM
EEPROM (Memoria Programable de Slo Lectura Borrable Elctricamente). Es un tipo de
memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado elctricamente, a
diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos
ultravioletas. Son memorias no voltiles.

MEMORIA EEPROM
Este dispositivo mantiene la misma estructura de la compuerta flotante como la EPROM, pero
tiene adicionalmente una capa muy delgada de una regin de xido sobre el drenaje de la
celda de memoria MOSFET. Esta modificacin produce las mejores caractersticas de la
EEPROM (la habilidad para borrar elctricamente).

MEMORIA EEPROM
Al aplicarle un alto voltaje (21 V) entre la compuerta y el drenaje, una carga puede ser
inducida sobre la compuerta flotante, donde permanece siempre y cuando la alimentacin
sea retirada; al aplicarle de nuevo el mismo voltaje causa que se remueva la carga
atrapada en la compuerta flotante y borre la celda.

Como este mecanismo de transporte de carga requiere muy bajas corrientes, el borrado y la
programacin de una EEPROM puede hacerse en el mismo circuito (esto es por que no se
requiere una fuente de luz UV y un programador de PROM especial).

MEMORIA EEPROM
Otra ventaja de la EEPROM sobre la EPROM es la habilidad para borrar elctricamente y
reescribir bytes individuales (palabras de 8 bits) en el arreglo de la memoria. Durante una
operacin de escritura, el circuito interno automticamente borra todo de las celdas en una
localidad, previa a una escritura de los datos nuevos.

La facilidad de borrar bytes hace mucho ms fcil hacer cambios en los datos almacenados
en este tipo de memoria. Adicionalmente, puede ser programada ms rpidamente que
cualquier EPROM; tpicamente esto toma 5 ms para escribir en una localidad, comparado con
50ms para la EPROM, las nuevas EPROM soportan hasta100ms.

MEMORIA EEPROM
La facilidad de borrado por byte de la EEPROM y su alto nivel de integracin conlleva dos
fallas: densidad y costo. La complejidad de la celda de memoria y el circuito de soporte
sobre el mismo chip pone a la EEPROM por detrs de la EPROM en capacidad de bit por
milmetro cuadrado de silicio.

Para 1 Mbit la EEPROM requiere el doble de silicio que 1 Mbit de EPROM. As, a pesar de la
superioridad operacional, la falta de densidad en la EEPROM y costos efectivos tiene que
conservar el reemplazar la EPROM en lugares donde la densidad y costo son factores
importantes.

SMBOLO EEPROM

OPERACIN DE ESCRITURA

AT24C02 EEPROM
AT24C02 es una ROM elctricamente borrable y programable. Tiene 2Kbits de tamao de
memoria dispuestas en 32 pginas de 8 bytes cada uno. Los datos son transferidos y
recibidos en serie a travs de datos serie (SDA) pin.

Se hace uso de un registro interno de la EEPROM cuyos 4 bits MSB son 1010, los tres
siguientes son los bits de direccin EEPROM y el LSB significa si los datos se va a leer o
escribir. Este ltimo es 1 para escritura y 0 para la operacin de lectura.

AT24C02 EEPROM

# de Pin

Funcionalidad

Nombre

Direccin pin de entrada

AD0

Direccin pin de entrada

AD1

Direccin pin de entrada

AD2

Tierra (0V)

Tierra

Pin bidireccional para la transferencia de datos en serie

Serial Data

Proporciona seales del reloj

Reloj Serial

Permite las funciones de lectura / escritura

Escritura

Voltaje de alimentacin de 5V (hasta 5.5V)

Voltaje

GLOSARIO
LATCH: Es un circuito electrnico usado para almacenar informacin en sistemas lgicos
asncronos. Un LATCH puede almacenar un bit de informacin. Los LATCH se pueden agrupar,
ejemplo, LATCH quad (que puede almacenar cuatro bits) y el LATCH octal' (ocho bits).

PLD: Dispositivo lgico programable, es un tipo de diseo implementado en chips que permite
la reconfiguracin de los circuitos con el simple cambio del software que incorpora, es lo
contrario de la lgica cableada.

GLOSARIO
MSB: El bit ms significativo, es el bit, que de acuerdo a su posicin, tiene el mayor valor. En
ocasiones, se hace referencia al MSB como el bit del extremo izquierdo.

LSB: El bit menos significativo, es la posicin de bit en un nmero binario que tiene el menor
valor. En ocasiones, se hace referencia al LSB como el bit del extremo derecho.

Bus: Es un sistema digital que transfiere datos entre los componentes de una computadora o
entre varias computadoras.

GLOSARIO
MOSFET: El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor, es un transistor
utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la
industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales. La mayora de los
microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET.

Ms: Un milisegundo es el perodo que corresponde a la milsima fraccin de un segundo

(0,001s), 1 ms = 0,001 segundo = 1 milisegundo.

CONCLUSIN

REFERENCIAS Y BIBLIOGRAFAS
Sistemas Digitales: Principios y Aplicaciones
Round J. Tocci, Neal S. Widmer 2003
Tcnicas Digitales con Circuitos Integrados
Mario Carlos Ginzburg - 2002