ComponentesElectronicosI PDF

Tema I Componentes Electrnicos
Objetivos
- Conocer el funcionamiento bsico de los dispositivos semiconductores
Basados en uniones tipo P-N
- Conocer caractersticas elctricas tanto estticas como dinmicas, as
como sus caractersticas mximas.
- Conocer las caractersticas facilitadas por los fabricantes as como su
interpretacin.
- Principales circuitos de funcionamiento con componentes electrnicos
- Eleccin del dispositivo en funcin de la aplicacin
- Aplicaciones generales
- Conocer los fabricantes ms importantes de los componentes electrnicos
ms utilizados.
Objetivos

LECCIN 1:
El Diodo semiconductor
- Dispositivo basado en una unin tipo PN

- Comportamiento como interruptor unidireccional controlado por tensin
Smbolo
Tipos de diodos
K
Silicio
Germanio
nodo
p
ctodo
n

Caracterstica real
id = f ( Vd )
id
I = IS ( e
Ge
Si
IS = A (Ge)
IS = nA (Si)
0.3 0.6
iS
qV
A i
d
Vd
K
Vd
kT
- 1)
IS= Corriente Saturacin Inversa

K= Cte. Boltzman
v= Tensin directa
q= carga del electrn
V < 0 I = IS
V > 0 I = ISeV/VT

Caracterstica real
Vd
V
id
R
Ge
id = f ( Vd )
Si
IS = A (Ge)
IS = nA (Si)
Vd
iS
id
0.3
0.6
Vd
id

El Diodo
Parmetros del diodo
id
Tensin de umbral o de codo V

Efecto de la temperatura:
Ge
Si
Vd disminuye 2mv por cada C
IS = A (Ge)
IS = nA (Si)
iS
IS se duplica con el aumento en

10 C
0.3
0.6
Tensin de ruptura inversa VR
Vd

El Diodo
Linealizacin de las caractersticas
id
id
id
rd =
Vd
VR
VR
Vd
Vd
id
VR
Vd
VR
rd
directa
inversa
directa
inversa

El Diodo
Diodo Ideal
id
vd = 0
rd = 0
vd
Diodo en Inversa
(Interruptor abierto)
Diodo en directa
(Interruptor cerrado)

El Diodo
Vd
Recta de Carga.
Punto de funcionamiento
id
id
V
V
id =
R rd
VR
Vd
V - V = R rd id
V = 0
id = 0
V
id =
R rd
Vd = V
Vd = V

El Diodo
Punto de Funcionamiento ideal
Vd
id
id
vd = 0
rd = 0
R
vd
id
V
Vd = 0
V = R id
R
V
id =
R

El Diodo
Vd
VO
id
200V
Vd
200V
R=1k
0V
VO
id
id
Vd = 0
200mA
t
VO
id
(0V, 200mA)
vd = 0
rd = 0
vd

El Diodo
id
Vd
id
Vd = -V
id = 0
Vd
id
V
Vd = - V
Vd = -V

El Diodo
Vd

VO
id
0V
200V
VO
Vd
t
200V
id
200V
id
Vd = 200V
0mA
id
VO
(-200V, 0mA)
Vd

El Diodo
Parmetros facilitados por los fabricantes
id
IOmax
VR =
IOMAX (AV)=
VF =
IR =
1000V
1A
1V
50 nA
Tensin inversa mxima

Corriente directa mxima
Cada de Tensin directa
Corriente inversa
VR
iS
VR =
IOMAX (AV)=
VF =
IR =
100V
150mA
1V
25 nA
Tensin inversa mxima

Cada de Tensin directa
Corriente inversa
Vd

El Diodo
Algunos diodos de potencia
nodo
DO - 5
200V
60A
Ctodo
(roscado)
Encapsulado
cermico
600V/6000A
Alta Tensin
40.000V
0.45A
32V (VF)
32

El Diodo
Aplicaciones:
Conversin CA/CC
Conversin CC/CC
Rectificadores no controlados
Dobladores de Tensin
Fuentes de Alimentacin
Sensores de temperatura
Proteccin
Ue
D1
D3
US
is(t)
Vmax
Ue1(t)
Ue(t)
T
RL
Us(t)
Vmax
T/2
D4
D2
El Diodo Zener
Funcionamiento en zona inversa (Zona Zener)
Smbolo
Anodo
Ctodo
id
Funcionamiento estable en zona inversa

En directa comportamiento similar a
un diodo semiconductor
VZ
VZ
iS
Aplicacin: Estabilizador de tensin

iZ
Vd
El Diodo Zener
Circuito equivalente real
rd
id
V
Directa
VZ
VZ
iS
rZ
iZ
V
Inversa
Vd
El Diodo Zener
Diodo Ideal
rd
id
rZ
Directa
VZ
VZ
iS
V
iZ
Inversa
Vd
El Diodo Zener
Circuito estabilizador con zener
id
RS
US = VE
UE
UE VZ
US
VZ
VZ
VZ
iS
Zona Zener
US = VZ
UE VZ
iZ
US = VZ
iS =
UE VZ
UE - US
RS
Vd
El Diodo Zener
Circuito estabilizador con zener
RS
IRL
Condiciones de Funcionamiento
IZ
URS
UE
RS?
VZ
US=UZ
US
RL
RL RLMIN RL RLMAX
UE UEMIN UE UEMAX
UE=UEMIN
Se calcula para la
condicin ms desfavorable
U
- UZ
RS = EMIN
I = IZMIN IRLMAX
I
UZ
IRLMAX =
RLMIN
RL=RLMIN
PRS = RS I
UEMAX - UZ
PZ = UZ IZMAX IZMAX
RS
IRL = 0
UE = UEMAX
El Diodo Zener
Vz =
Iz =
Pz =
Tensin zener
Corriente zener de trabajo
Potencia del diodo Vz*Iz
El Diodo Led
Diodo emisor de Luz
Caracterstica similar a los diodos
convencionales
Diodos de Varios colores
Materiales:
GaAs
ALInGap
GaP
SiC
GaN
Infrarrojo
Rojo
Verde
Azul
Ultravioleta
El Diodo Led
Cadas de Tensin tpicas:
A Mayor frecuencia de emisin mayor cada de tensin:
Vd = 1,3V
Vd = 1.8V
Vd = 2.5V
Vd = 4.3V
Vd > 5V
Diodo led Infrarrojo

Diodo led Rojo
Diodo led verde
Diodo led Azul
Diodo led Ultravioleta
940nm
630nm
555nm
450nm
370nm
id
VR = Tensin de ruptura
inversa tpica es de 5V
VR
V
Vd
El Diodo Led
Circuito tpico con diodo led
RS
VE
id
Vd
VE - Vd = RS Id
Id =
VE - Vd
RS
Vd =
Id =
Pd =
Cada directa dada por el fabricante

Potencia de disipacin
El Diodo Led

El Diodo Led

El Diodo Led
Aplicaciones tpicas de los diodos
- Sealizacin
- Referencias de tensin
- Nuevos sistemas de iluminacin:
- Semforos
- Sistemas de Emergencia
- Balizas
Ventajas:
- No posee filamento
- Duracin elevada 100.000h
- Trabajo temperaturas extremas
- Tensiones de alimentacin bajas

Fotodiodos
Diodos sensibles a la luz

Corriente de
oscuridad
IS
Funcionamiento en zona inversa
Vd
(nA)
Efecto
fotovoltaico

Fotodiodos
Luz
VE
RS
if
Id
UE
RS
VRS
VRS
Vd
RSIf
IS
Vd
(nA)
UE
RS
Efecto
fotovoltaico

Fotodiodos
Aplicaciones
Detectores de proximidad fotoelctricos:
RS
RS
VS
VE
id
Vd
Salida
if
VE
Seales acopladas
por luz
(aislamiento elctrico)

Fotodiodos
Aplicaciones
Detectores de proximidad fotoelctricos:
Detectores reflexin de objeto
Detectores reflexin de espejo

Detectores de barrera

Fotodiodos
Otras aplicaciones
Sensores de luz: Fotmetros

Sensor de lluvia en vehculos
Detectores de humo
Turbidmetros
Sensor de Color
Objetivo
LED
LED azul
LED
LED verde
LED rojo
Fotodiodo
Fotodetector

Otros diodos especiales
Diodos varicap;
Diodos utilizados como condensadores
variables en telecomunicaciones
Diodos Schottky;
Formado por un metal y un semiconductor tipo n
Diodo muy rpido (1MHz)
Cada de tensin directa baja 0.25V

Leccin 2
El transistor bipolar
Dispositivo de dos uniones PN semiconductoras dividido en tres zonas.
Emisor, Base y Colector.
Dispositivo capaz de amplificar
Interruptor electrnico
La construccin interna determina en funcionamiento como amplificador.
Controlado por corriente
Emisor
Base
n+
C
IC
Estructura interna de un
transistor bipolar de potencia
IB
VCE
nE
n+
Colector

Tipos de Transistores
Emisor
IC
Colector
c
p
C
Base
Colector
VCE
IB
PNP
Base
Transistor PNP
Emisor
IC
Colector
c
n
Emisor
Base
Colector
B
VCE
IB
E Emisor
Base
Transistor NPN
NPN

Corrientes a travs de transistor
Emisor
IPE
IPC1
N
IPE - IPC1
InE
C Colector
ICO
Emisor
Colector
RE
RE
RC
Base
Base
VEB
VEB
VCB
IPE: Corriente de huecos de emisor a base

InE: Corriente de electrones de emisor a base
IE=IPE+InE Corriente de emisor
IPE-IPC1: Corriente de recombinacin de huecos y
electrones que entran en base.
IPC1: Corriente de huecos que saliendo de emisor llegan
al emisor
ICO: Corriente inversa de saturacin B-C
IC = IPC1+ICO
VCB
Relaciones ms importantes
IE = IC IB
=
IC
IE
<1
IC
IB
100
RC

Configuraciones Tpicas
C
C
E
B
VBE
VCE
E
Emisor Comn
B
VEB
VCB
Base Comn
VBE
VEC
E
Colector Comn
Transistor NPN
VBE, VCE,IC y IB
- VEB, VCB,IC y - IE
- VBE, VEC,- IC y IB

Configuracin en Emisor Comn
RC
VBE, VCE,IC y IB
RB
B
VCE
VBE
IC
VCE
VBB
VCC
IB
Emisor Comn
C
- VBE, - VCE,- IC y - IB
B
VBE
RC
RB
VCE
E
Emisor Comn
VBB
IB
IC
VCE
VCC

Configuracin en Emisor Comn.
Caractersticas de salida
IB
Avalancha
Secundaria
Activa
VCE = 0
VCE1 VCE2
IC
IB6
CMax
IB5
Saturacin
PMax = VCEIC
IB4
IB3
IB2
VBE
RC
Caracterstica
de Entrada
IB1
IC
IB= 0
RB
VBB
Avalancha
Primaria
VCE
IB
VBE
VCC
VCEMax
1V
VCE
Corte
Caracterstica
de Salida

Funcionamiento Ideal del transistor bipolar
IC
IB
RC
IC
RB
VCE
VBB
Saturacin VCE = 0
IBn
VCC
Activ a
IB2
IB
IB1
IB=0
VBE
VCE
Corte IC=0
- IB
-IC
RC
RB
VBB
Saturacin VCE = 0
IC
VCE
-IBn
VCC
Activ a
IB
-IB2
-IB1
- VBE
Caractersticas
de Entrada
Caractersticas
de Salida
IB=0
Corte IC=0
-V CE

Zonas de Funcionamiento Circuitos equivalentes
IC
Base
Colector
IC
B
VCE
IB
Saturacin VCE = 0
IBn
E Emisor
NPN
Activa
VCE
IB2
IB1
IB=0
C
IC = I B
Corte IC=0
VCE

ICMax:
VCEMax:
Pmax :
VCESat :
HFE:
Corriente mxima de colector

Tensin mxima CE.
Potencia mxima.
Tensin C.E. de saturacin.
Ganancia.
Avalancha
Secundaria
Activa
IC
IB6
I CMax
IB5
Saturacin
PMax = VCEIC
IB4
IB3
Avalancha
Primaria
IB2
IB1
IB= 0
VCEMax
1V
Corte
VCE

Algunos transistores y fabricantes ms comunes.
VCE = 1500
IC = 8
HFE = 20
TOSHIBA

El transistor de Efecto de campo
Transistor J-FET
D (Drain)
Canal N
Controlado por campo

elctrico
Soporte semiconductor
resistencia controlado por
campo elctrico
D (Drain)
G (Gate)
P
G (Gate)
S (Source)
S (Source)
RO =
L
AE
D (Drain)
D (Drain)
P
G (Gate)
N
S (Source)
G (Gate)
Canal P
L : Longitud
A : Ancho
E : Espesor
: Conductividad
S (Source)

Transistor J-FET
-ID
RD
UGS = 0
-IDSS
UGS = 1
D (Drain)
UGS = 3
G (Gate)
UDD
UGS = 5
UGS = 7
S (Source)
UGS
UP
Unin polarizada
inversamente
RD
-UDS
D (Drain)
G (Gate)
UDSMAX
UDD
Canal
UGS
S (Source)
Fundamento
fsico
(Canal P)
Espesor del canal dependiente de la tensin

puerta fuente aplicada (resistividad del canal)
Up, tensin de estrangulamiento del canal (canal
totalmente utilizado)
IDSS, corriente de saturacin para UGS = 0
UDSMAX, tensin mxima de ruptura drenadorfuente

Transistor J-FET
ID
RD
UGS = 0
IDSS
UGS = -1
D (Drain)
UGS = -3
G (Gate)
UDD
UGS = -5
UGS = -7
S (Source)
Unin polarizada
inversamente
D (Drain)
UP
UDSMAX
UDS
RD
Tensin de control negativa UGS < 0

G (Gate)
S (Source)
UDD
Fundamento
fsico
(Canal N)

Transistor J-FET
Zonas de trabajo
Zona de
resistencia
ID
Circuito
equivalente
UGS = -1
D
RDSon =
Zona de
avalancha
UGS = 0
IDSS
UGS = -3
UDS
ID
UGS = -5
ID
UGS = -7
Zona de
saturacin
S
D
UP
ID
S
Zona de
corte
UDSMAX
UDS

Transistor J-FET
Caractersticas dadas por los fabricantes. Aplicaciones

Comunicaciones
Alta impedancia de entrada
Amplificadores de ganancia elevada
Baja potencia

El transistor MOSFET (Acumulacin)
Elemento de conmutacin.
Amplificador.
Control por Tensin.
Ganancias elevadas.
Impedancia de entrada elevada.
Compuesto por micro transistores en paralelo.
Drenador
Drenador
D
D
Puerta
Puerta
G
G
S
Fuente
(Canal N)
S
Fuente
(Canal P)

Control de la conductividad atrayendo o repeliendo los

portadores de carga del canal
Puerta y canal armaduras de un condensador
Control por tensin aplicada en puerta UGS
Puerta
Smbolo
Drenador
D
Estructura interna
(Canal N)
Drenador
Fuente
SiO2
N
Canal N
Puerta
P
G
S
Fuente
Sustrato
Sus

Control de la conductividad atrayendo o repeliendo los

portadores de carga del canal
Puerta y canal armaduras de un condensador
Control por tensin aplicada en puerta UGS
Puerta
Drenador
Smbolo
Drenador
D
Estructura interna
(Canal P) SiO
Fuente
Canal P
N
Puerta
G
S
Fuente
Sustrato
Sus

ID
RGS
UDS
RC
D
RGS
VGS
G
VGS
VDD
VGS
Drenador
ID
Puerta
ID
RC
Fuente
S
UDS
S
Canal N
P
Esquema Elctrico
Sus
Sustrato
Fenmeno fsico
VDD

Caracterstica de salida
ID
ID
IDSS
UGS = 10
RC
UGS = 9
D
RGS
VGS
G
VGS
UDS
Zona de
avalancha
UGS = 15
VDD
UGS = 8
ID
Zona de
saturacin
UGS = 6
S
UGS = 4
UP
Tensin de
Umbral
Zona de
corte
UDSMAX
UDS

Transistor MOSFET Canal N
Zonas de trabajo
Zona de
resistencia
ID
Circuito
equivalente
Zona de
avalancha
UGS = 15
IDSS
UGS = 10
UGS = 9
RDSon =
UDS
ID
UGS = 8
ID
Zona de
saturacin
UGS = 6
S
UGS = 4
D
UP
ID
S
Tensin de
Umbral
Zona de
corte
UDSMAX
UDS

Caractersticas facilitadas por los fabricantes
Lmites mximos de funcionamiento
ID
VDSS: Tensin mxima Drenador Fuente.

IDmax: Corriente mxima de
Drenador
PD : Potencia mxima.
VGS(th) :Tensin Puerta - Fuente de
umbral
RDSON :Resistencia Drenador - Fuente.
Ciss: Capacidad equivalente de
entrada.
ID
Max
PMax = VDSID
VGS5
VGS4
VGS3
VGS2
Saturaci
n
Avalancha
VGS1
Resistencia
VGS(TH)
5v
V DS
Max
V DS

Mosfet comerciales.
Potencias y tensiones de funcionamiento
TO220
TO247
IRF540:
UDS= 100V
ID= 28A
RDS= 7.7mW
P=150W
IRF460:
UDS= 600V
ID= 28A
RDS= 0.58 W
P=180W
SKM 253 B 020:

UDS= 200V
ID= 250A
RDS= 8.6 mW
P=1000W

Mosfet comerciales.
Potencias y tensiones de funcionamiento
Semitop 2
TO220
Semitrans 1
TO247
Semitrans 2
TO3

Otros Dispositivos Transistores.
Transistor Drlington
Transistor Bipolar de Ganancia Elevada
Alta Impedancia de entrada
C
IC1
IC
IB= IB1
B
IC2
IE1
IB2
2
IE2 = IE
E
IC=12IB
Darlington

Comparacin entre
Bipolar y Mosfet
Mosfet:
Bipolar:
Alta velocidad de conmutacin

Controlado por tensin
Circuitos de control simples
Coeficiente de temperatura negativo
Fcil paralelizado
Impedancias de Entrada Elevadas
(109 - 1011 W)
Ganancias Elevadas 105 106
Temperatura mxima de
funcionamiento 200C
Baja velocidad de conmutacin

Controlado por corriente
Circuitos de control complicados
(potencia)
Coeficiente de temperatura positivo
Dificil paralelizado
Impedancias de Entrada Elevadas
(103 - 104 W)
Ganancias Elevadas 101 102
Temperatura mxima de
funcionamiento 150C
Transistor IGBT
- Entrada Mosfet - Salida Bipolar.
- Elevada impedancia de entrada

- Soporta elevadas sobre tensiones y sobre corrientes.
Cola de apagado.
Integra las buenas caractersticas del bipolar y del mosfet
Frecuencias de Conmutacin elevadas 100kHz
Circuito equivalente
Entrada
Mosfet
Salida
Bipolar
C
Drenador
C
Drenador
IC
C
Uce
G
Smbolo
Fuente
E
Modelo Simplificado
Fuente
E
Modelo con tiristor parsito
Transistor IGBT
Avalancha
Secundaria
Activa
IC
UGE6
I CMa
x
Carga
UGE5
UCarga
Saturacin
RG
UCE
PMax = VCEIC
UGE5
UCC
UGE4
Avalancha
Primaria
UGE3
UGE2
UEE
UGE1
Umbral
VCEMax
1V
Corte
Circuito de polarizacin y caracterstica real
VCE
Transistor IGBT
C
IGBT en Saturado
IC = I B
Carga
UCarga
c
RG
IGBT en zona Activa
UCE
UCC
IC
UEE
Saturacin VCE = 0
UGE7
UGE6
UGE5
Activ a UGE4
IGBT en bloqueado
Carga
UGE3
UCarga
UGE2
c
RG
UCE
UCC
UGE1
UEE
Caracterstica linealizada
Corte IC=0
VCE
Transistor IGBT
Series de Fabricacin
Dispositivos de potencia
1200V 300A 2.1V 4000W
600V 45A 1.8V 200W
Semitop 2

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Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

- Dispositivo basado en una unin tipo PN

Tema I Componentes Electrnicos

IS= Corriente Saturacin Inversa

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Tensin de umbral o de codo V

Vd disminuye 2mv por cada C

IS se duplica con el aumento en

Tensin de ruptura inversa VR

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Punto de Funcionamiento ideal

Tema I Componentes Electrnicos

Tensin inversa mxima

Tensin inversa mxima

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Funcionamiento en zona inversa (Zona Zener)

Funcionamiento estable en zona inversa

Aplicacin: Estabilizador de tensin

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Diodo led Infrarrojo

Tema I Componentes Electrnicos

Cada directa dada por el fabricante

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Diodos sensibles a la luz

Funcionamiento en zona inversa

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Detectores reflexin de objeto

Detectores reflexin de espejo

Tema I Componentes Electrnicos

Sensores de luz: Fotmetros

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

IPE: Corriente de huecos de emisor a base

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Tema I Componentes Electrnicos

Corriente mxima de colector