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11-A
Antes de continuar con este tema conviene aclarar que la forma en que se aplican
encapsulados a los circuitos integrados ha motivado en los ltimos aos la
aparicin en el mercado electrnico de conjuntos de componentes discretos
tpicos -como, por ejemplo, las resistencias- que han aprovechado la "normativa"
impuesta por los chips en su propio beneficio, acogindose a los tamaos y
encapsulados de aquellos, lo cual simplifica diseos y facilita la colocacin de
ingentes cantidades de componentes en un espacio bastante reducido. Por esta
razn no debe sorprendernos encontrar un "aparente" chip o circuito integrado
dentro de un moderno circuito y que tal chip no es ms que un conjunto de 8 10
resistencias de idntico valor hmico, con lo que esto representa en cuanto a
ahorro, tanto en la parte econmica como en la de espacio, cuestin a tener muy
en cuenta en el diseo electrnico moderno.
Puede que esta no sea la divisin perfecta, pero nos servir para los fines
didcticos que perseguimos.
De un lado tenemos los circuitos lineales, denominacin que normalmente se
aplica a circuitos integrados de uso especfico y que no se englobe en el amplio
grupo de las aplicaciones digitales. Puede decirse que esta gama de circuitos
reproduce comportamientos implementarles con circuitera analgica de tipo
discreto. Por poner un ejemplo, los amplificadores operacionales pueden ser
reproducidos transistor a transistor de forma independiente, lo cual, hoy en da,
parece un asunto fuera de toda lgica.
Por otro lado, los circuitos integrados digitales se dedican a trabajar con seales
de tipo "todo o nada" o "cero y uno, asunto este dedicado, casi en exclusividad,
al mundo de los ordenadores y la
informtica.
Queda claro que las aplicaciones de carcter analgico han precedido, de forma
histrica, a las de carcter digital. Por esta razn cabra pensar que la realizacin
de integrados de tipo analgico pasa slo por el trmite de colocar un circuito que
opere correctamente con componentes discretos y encapsularlo en un formato
monoltico. Adems de esto es preciso que dicho circuito sea rentable, tanto en el
campo econmico como en el de la prosperidad de futuras aplicaciones para el
mismo.
CIRCUITOS HBRIDOS
Para finalizar este breve repaso por los circuitos integrados existentes en el
mercado vamos a abordar el apartado que hemos dado en llamar "circuitos
hbridos".
A este apartado pertenecen circuitos
tales como los convertidores de nivel,
los convertidores A/D o sus
homnimos D/A.
Queda claro que para intercambiar datos entre un formato y otro deberemos
utilizar un tipo de chip que nos permita convertir niveles, con lo cual queda clara
la aplicacin de stos.
Familias Lgicas
Los circuitos digitales emplean componentes encapsulados, los cuales pueden
albergar puertas lgicas o circuitos lgicos ms complejos. Estos componentes
estn estandarizados, para que haya una compatibilidad entre fabricantes, de
forma que las caractersticas ms importantes sean comunes. De forma global los
componentes lgicos se engloban dentro de una de las dos familias siguientes:
TTL: diseada para una alta velocidad. CMOS: diseada para un bajo consumo.
Actualmente dentro de estas dos familias se han creado otras, que intentan
conseguir lo mejor de ambas: un bajo consumo y una alta velocidad. La familia
lgica ECL se encuentra a caballo entre la TTL y la CMOS. Esta familia naci
como un intento de conseguir la rapidez de TTL y el bajo consumo de CMOS, pero
en raras ocasiones se emplea.
Tensin De Alimentacin
CMOS: 5 a 15 V (dependiendo de la tensin tendremos un tiempo de
propagacin). TTL: 5 V.
Parmetros de puerta
Las puertas lgicas no son dispositivos ideales, por lo que vamos a tener una serie
de limitaciones impuestas por el propio diseo interno de los dispositivos lgicos.
Internamente la familia TTL emplea Transistor Bipolar (de aqu su alto consumo),
mientras que la familia CMOS emplea transistores MOS (a lo que debe su bajo
consumo).
FAMILIA LGICA TTL
La familia 74 cuenta con varias series de dispositivos lgicos TTL(74, 74LS, 74S,
etc.).
Niveles de voltaje
Los niveles de voltaje de salida de la familia 74 estndar son:
Retado de propagacin
La compuerta NAND TTL estndar tiene retardos de propagacin caractersticos
de tPLH = 11 ns y tPHL = 7 ns, con lo que el retardo promedio es de tPD(prom) =
9 ns.
Dentro de la familia TTL, existen otras series que ofrecen alternativas de
caractersticas de velocidad y potencia. Dentro de ellas, estn:
Serie 74L, TTL de bajo consumo de potencia
Serie 74H, TTL de alta velocidad
74
74
L
74
H
74
S
74L
S
74A
S
74AL
S
Parmetros de funcionamiento
Retardo de propagacin (ns)
33
9.5
1.7
10
23
20
Producto velocidad-potencia
(pJ)
90
33
138
60
19
13.6
4.8
35
50
125
45
200
70
10
20
10
20
20
40
20
VOH
2.4
2.4
2.4
2.7
2.7
2.5
2.5
VOL
0.4
0.4
0.4
0.5
0.5
0.5
0.4
VIH
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
0.8
0.7
0.8
0.8
0.8
0.8
Parmetros de Voltaje
VIL
0.8
La serie TTL tambin puede caracterizarse por el tipo de salida con que cuenta:
Salida TTL de colector abierto
Salida TTL de tres estados
FAMILIA CMOS
Existen varias series en la familia CMOS de circuitos integrados digitales. La serie
4000 que fue introducida por RCA y la serie 14000 por Motorola, estas fueron las
primeras series CMOS. La serie 74C que su caracterstica principal es que es
compatible terminal por terminal y funcin por funcin con los dispositivos TTL.
Esto hace posibles remplazar algunos circuitos TTL por un diseo equivalente
CMOS. La serie 74HC son los CMOS de alta velocidad, tienen un aumento de 10
veces la velocidad de conmutacin. La serie 74HCT es tambin de alta velocidad,
y tambin es compatible en lo que respecta a los voltajes con los dispositivos TTL.
Los voltajes de alimentacin en la familia CMOS tiene un rango muy amplio, estos
valores van de 3 a 15 V para los 4000 y los 74C. De 2 a 6 V para los 74HC y
74HCT.
Los requerimientos de voltaje en la entrada para los dos estados lgicos se
expresa como un porcentaje del voltaje de alimentacin. Tenemos entonces:
VOL (max) = 0 V
VOH (min) = VDD
VIL (max) = 30%VDD
VIH (min) = 70% VDD
Por lo tanto los mrgenes de ruido se pueden determinar a partir de la tabla
anterior y tenemos que es de 1.5 V. Esto es mucho mejor que los TTL ya que los
CMOS pueden ser utilizados en medios con mucho ms ruido. Los mrgenes de
ruido pueden hacerse todava mejores si aumentamos el valor de VDD ya que es
un porcentaje de este.
En lo que a la disipacin de potencia concierne tenemos un consumo de potencia
de slo 2.5 nW cuando VDD = 5 V y cuando VDD = 10 V la potencia consumida
aumenta a slo 10 nW. Sin embargo tenemos que la disipacin de potencia ser
baja mientras estemos trabajando con corriente directa. La potencia crece en
proporcin con la frecuencia. Una compuerta CMOS tiene la misma potencia de
disipacin en promedio con un 74LS en frecuencia alrededor de 2 a 3 Mhz.
Ya que los CMOS tienen una resistencia de entrada extremadamente grande
(1012) que casi no consume corriente. Pero debido a su capacitancia de entrada
se limita el nmero de entradas CMOS que se pueden manejar con una sola
salida CMOS. As pues, el factor de carga de CMOS depende del mximo retardo
Caractersticas principales.
voltaje de alimentacin
Las series 4000 y 74C funcionan con valores de VDD que van de 3 a 15V, por lo
que la regulacin de voltaje no es un aspecto crtico. Las series 74HC y 74HCT
funcionan con voltajes de 2 a 6 V.
niveles de voltaje
Cuando las salidas CMOS manejan solo entradas CMOS, los niveles de voltaje de
la salida pueden estar muy cercanos a 0V para el estado bajo, y a VDD para el
estado alto.
VOL
(max)
0V
VOH
(min)
VDD
VIL (max)
30% VDD
VIH (min)
70% VDD
velocidad de operacin
Una compuerta NAND N-MOS comn tiene un tiempo de retardo de 50 ns. Esto se
debe principalmente a la resistencia de salida relativamente alta (100k) y la carga
capacitiva representada por las entradas de los circuitos lgicos manejados.
margen de ruido
Normalmente, los mrgenes de ruido N-MOS estn alrededor de 1.5V cuando
operan desde VDD = 5 V, y sern proporcionalmente mayores para valores ms
grandes de VDD.
factor de carga
Para circuitos operando en DC o de baja frecuencia, las capacidades del factor de
carga son virtualmente ilimitadas. Sin embrago, para frecuencias mayores de 100
kHz, se observa un deterioro del factor de carga - siendo del orden de 50, lo que
es un tanto mejor que en las familias TTL.
consumo de potencia
Los CI MOS consumen pequeas cantidades de potencia debido a las resistencias
relativamente grandes que utilizan. A manera de ejemplo, se muestra la disipacin
de potencia del INVERSOR N-MOS en sus dos estados de operacin.
PD = 5V x 0.05nA = 0.25 nW
PD = 5V x 50A = 0.25mW
serie 4000/14000
serie 74C
serie 74HC (CMOS de alta velocidad)
serie 74HCT
Diferencias entre las familias TTL y CMOS.
En comparacin con las familias lgicas TTL, las familias lgicas MOS son ms
lentas en cuanto a velocidad de operacin; requieren de mucho menos potencia;
tienen un mejor manejo del ruido; un mayor intervalo de suministro de voltaje; un
factor de carga ms elevado y requieren de mucho menos espacio (rea en el CI)
debido a lo compacto de los transistores MOSFET. Adems, debido a su alta
densidad de integracin, los CI MOS estn superando a los CI bipolares en el rea
de integracin a gran escala. (LSI - memorias grandes, CI de calculadora,
microprocesadores, as como VLSI).
Por otro lado, la velocidad de operacin de los CI TTL los hace dominar las
categoras SSI o MSI (compuertas, FF y contadores)