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POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR

PUNTO DE FUNCIONAMIENTO. CIRCUITO DE POLARIZACIÓN FIJA

4 POLARIZACIÓN: Establecimiento de un punto Q de trabajo o funcionamiento => aplicar tensiones y corrientes adecuadas

CIRCUITO DE POLARIZACIÓN FIJA

V i

+

_

CC R C C 2 R B I C + V CE I B _
CC
R
C
C 2
R B
I C
+
V
CE
I B
_
C 1
R L

V

C 1 y C 2 : condensadores de bloqueo

+

V

_

O

V − V Recta de carga en continua: CC CE I = C R C
V
− V
Recta de carga en continua:
CC
CE
I =
C
R
C
1
Recta de carga en alterna:
recta con pendiente
|| R
R C
L
I C (mA)
I C max
V
CC
Recta de carga alterna
Recta de carga continua
R
C Q2
Q1
= 160 μA
I C
I
B
P C max
140
I B = 0
120
V
V C max
20 μA
V CE (V)
2
468
C
10
V CC
60 μA
100
μA μA μA μA
80
40 μA

4

4

Elección de R B para fijar Q1 en medio de la recta de carga estática para obtener una excursión máxima de I B dentro de la zona activa o lineal

V

CC

V

BE

V

CC

≈ R B R B
R
B R
B

-> Independiente de la temperatura

normalmente (V CC >> V BE )

Recta de carga dinámica: pendiente distinta a la recta de carga estática (-1/R L ||R C ) => necesidad de pasar de Q1 a Q2

I

B

=

INCONVENIENTES DE LA POLARIZACIÓN FIJA

4 CAMBIO DE UN TRANSISTOR POR OTRO -> dispersión de β

I C (mA) I B4 I B3 I B2 Q1 I B1
I C (mA)
I B4
I B3
I
B2
Q1
I
B1

V

CC

R

C

V CC

V CE (V)

4 INESTABILIDAD TÉRMICA β aumenta con la temperatura I = +β⋅ I +β⋅ I (
4 INESTABILIDAD TÉRMICA
β aumenta con la temperatura
I
= +β⋅ I +β⋅ I
(
1
)
C
C
0
B
I C0 se duplica por cada 10 ºC de aumento
de la temperatura (más importante en el
Ge que en Si)
I C (mA)
I C (mA)
I B = 0,8 mA
I B = 0,6 mA
V
V
CC
CC
I B = 0,4 mA
I B = 0,6 mA
R
R
Q
C
C
I B = 0,2 mA
I B = 0,4 mA
Q
I B = 0,2 mA
V CE (V)
V
V CE (V)
V CC
CC
T = 25 ºC
T = 100 ºC

AUTOPOLARIZACIÓN O POLARIZACIÓN POR EMISOR

Existen diferentes técnicas para estabilizar el punto de funcionamiento o trabajo. La más usada consiste en poner una resistencia en el emisor y un divisor resistivo en la base.

V i

V CC R C R 1 I I B1 C + V CE I _
V
CC
R
C
R
1
I
I
B1
C
+
V
CE
I
_
C
B
I E = I C + I B
I
R
R
B2
2
E

ANÁLISIS CUALITITIVO

Si I C => V RE => V B =>

=> I B1

I B2 => I B => I C =>

=> El circuito se autocompensa

4 ANÁLISIS CUANTITATIVO

CIRCUITO EQUIVALENTE V CC R equivalente R 2 C V = V CC Thevenin R
CIRCUITO EQUIVALENTE
V
CC
R
equivalente
R
2
C
V =
V CC
Thevenin
R
+
R
1
2
R
B
V
R
⋅ R
i
1
2
R
=
C
B
R
+
R
1
2
V
R
E
V
V
I ⋅ R
BE
C
E
V
=
I
R
+
V
+
(
I
+
I R
)
I
=
B
B
BE
B
C
E
B
R
+
R
B
E
V − V − I ⋅ R BE C E V = I ⋅ R
V − V
I
R
BE
C
E
V
=
I
R
+
V
+
(
I
+
I R
)
I
=
B
B
BE
B
C
E
B
R
+ R
B
E
β
+ 1
V − V
+
(
R
+
R
)
I
BE
B
E
C 0
β
I
=
β
I
+
(
1 +
β
)
I
I
=
0 ⇒
C
B
C
C
R
(
β
+ 1
)
R
B
+
E
β β
β + 1
β
β
V − V
+
(
R
+
R I
)
BE
B
E
C 0
I ≈
C
R
B
+ R
E
β

1

>> ⇒

1

FACTORES DE ESTABILIDAD

I

C

R

B

β

+ R

E

4 CAUSAS DE VARIACIÓN DE I C :

* Variación de I C0 con la temperatura (se duplica cada 10 ºC)

* V BE disminuye 2,5 mV/ºC

* β aumenta con la temperatura y varía de un transistor a otro

V V

BE

+

(

R

B

+

)

R I

E

V − V BE + ( R B + ) R I E C 0
V − V BE + ( R B + ) R I E C 0

C 0

Se definen los factores de estabilidad siguientes: C S = ∂ I Δ I C
Se definen los factores de estabilidad siguientes:
C
S =
∂ I
Δ I
C 0
C 0
∂ I
Δ I
C
C
S
´=
∂ V
Δ V
BE
BE
∂ I
Δ I
C
C
S
´´ =
∂ β Δβ
De tal manera que:
Δ
I
=
S
⋅ Δ
I
+ ´⋅Δ
S
V
+ ´´⋅Δβ
S
C
C
0
BE

I

C

Δ I

4 ANÁLISIS EN EL CIRCUITO AUTOPOLARIZADO V − V + ( R + R I
4 ANÁLISIS EN EL CIRCUITO AUTOPOLARIZADO
V − V
+
(
R
+
R I
)
BE
B
E
C 0
I ≈
C
R
B
+ R
E
β
I
R
+
R
R
C
B
E
B
S =
=
≈ +
1
I
R
R
B
C
0
+ R
E
E
β
β
>> 1
I
1
1
mA
C
S =
´
=−
≈−
∂ V
R
R
B
E V
BE
+ R
E
β
β
>> 1
2
I R
(
+
β ⋅
R
)
C
B
E
R
I R
(
+
β ⋅
R
)
C
B
E
∂ I
I C
C
S ´´ =
= β E
=
1
⎜ ⎜
∂ β
(
R
+
β ⋅
R
)
2 β
B
E

R

B

+

β

R

E

⎟ ⎟

mA

β R

E

La variación total de I C en un margen de temperatura es:

R B

+ R

 

1

Δ V +

I ⎛ ⎜

C

1

β

R

 

R

B

β

+ R

E

BE

β

E

B

R

+

β

R

E

Δ I =

C

E

Δ I

C 0

⎟ ⎟

 

R

B

+ R

E

β

Si la temperatura aumenta =>

β aumenta

I C0 aumenta

V BE disminuye

β

Δ

Esto implica que los tres términos de la ecuación son positivos y la I C aumenta por triple motivo

PUNTO DE FUNCIONAMIENTO ESTABLE

Punto de funcionamiento estable

Técnicas de estabilización (circuitos resisti vos: autopolarización) (circuitos resistivos: autopolarización)

Técnicas de compensación (empleo de elementos sensibles a la T., como por ejemplo diodos, transistores, termistores, etc.) (empleo de elementos sensibles a la T., como por ejemplo diodos, transistores, termistores, etc.)

4POLARIZACIÓN POR COMPENSACIÓN Transistores con idéntica V BE

V CC R C R 1 I I B1 B2 V T2 i C I
V
CC
R
C
R
1
I
I
B1
B2
V
T2
i
C
I
C1
T1
TRT de
compensación

T1 y T2 idénticos y

V BE1 = V BE2

=>

I C2 = I C1 = constante

CC

BE

I

I

CC

 

R

1

B

1

B

2

R

1

V

V

V

-> constante con la temperatura

Se utiliza en circuitos integrados -> se ahorra espacio debido a la no utilización de R E y de R 2

I

C 1

=

Compensación de I C0 por diodo (transistores de Ge) V CC Diodo y transistor del
Compensación de I C0 por diodo (transistores de Ge)
V
CC
Diodo y transistor del
mismo material e
R
C
idéntico coeficiente
R
I
1
de temperatura
I
C
I
B
I
D
V
− V
= I − I
V CC
I B
R 1
R 1
I
=β⋅ −β⋅ + +β
I
I
(
1
)I
≈β⋅ I
C
D
C 0
β >> 1
I
D = I
C 0

I =

CC

BE

= cte

D

Compensación mediante NTC

V i

V CC R C R NTC I B1 I C B + V CE _
V
CC
R C
R NTC
I B1
I C
B +
V
CE
_
C
I B
R
R 2
I B2
E

ANÁLISIS CUALITITIVO

Si T=> I C

Si T => R NTC => V Rntc =>

V B => I B2 => I B => I C

Compensación mediante PTC

V i

V CC R C R1 I B1 I C B + V CE _ C
V
CC
R C
R1
I B1
I C
B +
V
CE
_
C
I B
R
R
I B2
PTC
E

ANÁLISIS CUALITITIVO

Si T=> I C

Si T => R PTC => V Rptc =>

V B => I B1 => I B => I C