Diseo de la grilla de contactos para una clula solar de silicio

Alumno: Fernando Angel Liozzi (41878)

Profesores: Tit-1 Dr.-Ing. Kurt Taretto, ASD-1 Ing. Marcos Soldera
Facultad de Ingeniera
Universidad Nacional del Comahue
Trabajo prctico - Energa Fotovoltaica
I

Introduccin

Tabla I
Smbolos y abreviaturas

ara poder aprovechar la potencia generada en una clula

solar, es necesario extraerla. Para ello se recurre a contactos
metlicos sobre la superficie del semiconductor.
Asociadas a la extraccin de portadores de carga estn la prdidas disipativas por efecto Joule en los contactos y el mismo
semiconductor, donde los electrones fluyen hacia los dedos y
el busbar. Debido a que la conductividad de los contactos es
mucho mayor que la conductividad del semiconductor, una gran
seccin de metal y una mnima separacin entre ellos darn lugar
a menos prdida por efecto resistivo. Sin embargo las prdidas
pticas por apantallamiento de la grilla sobre la superficie de la
clula reduce el rea efectiva de captacin de luz que se transformar en energa elctrica. Es evidente que mientras menos
superficie ocupen los contactos metlicos menor ser la prdida
por apantallamiento. Estamos por lo tanto en una solucin de
compromiso entre la forma, y tamao de los contactos para minimizar las prdidas por efecto Joule y apantallamiento.
En este trabajo prctico se disearon y optimizaron mediante
el software COMSOL Multiphysics la grilla de contactos para
clulas de 10 cm x 10 cm, considerando topologas triangulares
y rectangulares de dedos y busbars, y tomando 4 y 12 clulas
unidades para cada topologa.
La topologa triangular es mejor que su contraparte rectangular en cuanto a prdida de potencia y potencia generada, y el
diseo con 12 clulas unidad es ms relevante que el diseo con
4 clulas unidad.
II

Smbolos y abreviaturas
Cantidad

Unidad

Separacin entre dedos.

mm

Cantidad de dedos.

Wb

Ancho de busbar.

mm

Wd

Ancho de dedos.

mm

Tensin a la potencia mxima.

Densidad de corriente en pot. mx.

me

Movilidad de electrones.

ND

cm-3

Impurezas donoras en el material

n +.
Carga del electrn.

Longitud de la clula.

mm

--

V
mA/cm2
cm2/(Vs)

Cantidad

Unidad

Ancho de la clula.

mm

td

Espesor dedos.

mm

ts

Espesor semiconductor.

mm

tb

Espesor busbar.

mm

ress

Resistividad semiconductor.

mWcm

resm

Resistividad de dedos y busbars.

mWcm

pdr

ptotal

Prdida de potencia resistiva normalizadaen los dedos.

Prdida de potencia resistiva normalizada en el busbar.
Prdida de potencia resistiva normalizada en el semiconductor.
Prdida de potencia ptica por
apantallamiento en los dedos.
Prdida de potencia ptica por
apantallamiento en el busbar.
Prdidas resistivas totales.

Pgen

Potencia generada total.

Pperdida

Potencia perdida total.

Conductividad elctrica.

e0

Permitividad del vaco

pbr
psr
pda
pba

III

Tabla I
Smbolos y abreviaturas
Smbolo

Smbolo

%
%
%
%
%
%

Siemens/m
F/m

Mtodo de los elementos finitos (MEF)

El MEF permite obtener una solucin numrica aproximada

sobre un cuerpo, estructura o dominio (medio continuo) sobre el que estn definidas ciertas ecuaciones diferenciales en forma dbil o integral que caracterizan el comportamiento fsico del
problema dividindolo en un nmero elevado de subdominios
no-intersectantes entre s denominados elementos finitos. El
conjunto de elementos finitos forma una particin del dominio
tambin denominada discretizacin. Dentro de cada elemento
se distinguen una serie de puntos representativos llamados nodos. Dos nodos son adyacentes si pertenecen al mismo elemento finito; adems, un nodo sobre la frontera de un elemento
finito puede pertenecer a varios elementos. El conjunto de nodos
considerando sus relaciones de adyacencia se llama malla [1].
La Fig. 1 muestra el mallado de los dominios para la topologa
de contactos triangulares. Se efectu un mallado fino y de alta calidad -la calidad de los elementos triangulares es mayor mientras

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DISEO DE LA GRILLA DE CONTACTOS DELANTERA PARA UNA CLULA SOLAR DE SILICIO

6Jn@ = A/m2

- nv $ Jv = Jn
)
V ( 0) = T

(4)

Donde Jn es un valor negativo de densidad de corriente que

sale del dominio.
2

Prdidas de potencia

Trataremos primeramente las prdidas pticas por ser las ms

sencillas, ya que se calculan como el producto entre la potencia
generada por unidad de rea y la superficie apantallada, esto se
reduce al clculo del cociente entre el rea apantallada y el rea
iluminada:

## nv $ dSv
pda = 100

pba = 100

Zv v
]d $ J = Q j
[ Jv = vEv + Jve
]v
v
\ E =- dV

6Q j@ = A/m 3

busbar

##

nv $ dSv

rea ilumidada
semiconductor

Dv = f 0 f r Ev

(2)

Para el campo de desplazamiento elctrico en (2) hemos considerado epsilo-r la unidad, es decir, no se tuvo en cuenta la
polarizacin del material en cada dominio debido al campo.
Las condiciones de Dirichlet que representan el aislamiento
elctrico en ciertas regiones de los dominios son las siguientes:

nv $ Jv = 0 Aislamiento elctrico
)
V (0) = 0

nostradas en (5), aqu dSv es el vector diferencial de rea.

Similarmente, las prdidas resistivas se calculan integrando en
el volumen el producto escalar de la densidad de corriente y el
campo elctrico, es decir:

(1)

nuestra geometra cuenta con tres dominios, uno es el material

semiconductor, otro los dedos y el tercer dominio es el busbar.
Las ecuaciones (1) conforman la conservacin de la corriente
en los dominios, s es la conductividad elctrica del dominio (la
recproca de la resistividad). La primera ecuacin de (1) se aplica
al dominio del semiconductor considerando a la clula como una
fuente de densidad de corriente volumtrica Qj. Para el campo
elctrico tenemos:

(3)

donde nv representa el vector normal a la cara del dominio.

En el borne de salida, donde se obtienen la tensin y corriente

en el punto de mxima potencia, las condiciones de Dirichlet son

(5)

y las prdidas pticas totales es la suma de las dos prdias

Nuestro anlisis se har en estado estacionario y las ecuaciones a resolver dentro de cada dominio, son las siguientes:

energa

nv $ dSv

## nv $ dSv

ms se asemejan a tringulos equilteros- para poder resolver

bien la geometra de dominios.

Ecuaciones

##

rea ilumidada
semiconductor

Fig. 1. Malla triangular generada para resolver la topologa de contactos triangulares..

dedos

100
pdr = JABT
100
pbr = JABT
100
psr = JABT

### Jv $ Ev dV
dedos

### Jv $ Ev dV

(6)

busbar

###

Jv $ Ev dV

semiconductor

En (6) dV es diferencial de volumen.

Nuevamente, las prdidas resistivas totales se suman para tener el total de prdidas por efecto Joule.
La potencia total perdida es la suma de las potencias perdidas
por efecto Joule y por apantallamiento, y sta la funcin objetivo
que se quiere minimizar.
IV

Geometra de la grilla

Consideremos que la grilla de contactos est formada por

dedos y busbars, y que puede dividirse en celdas individuales
o unidad, de manera de optimizarla independientemente de las
dems y extender el diseo resultante al resto de la grilla.
1

Grilla triangular

Consideremos que tanto los dedos como los busbars son

triangulares y tienen un ancho a la mitad de su longitud Wd y Wb,

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y=A
S

S/2
Corriente lateral de electrones

Wb

Wd
y=0
x=0

x=B

Fig. 2. Detalle de la celda unidad sobre la cual se hace el anlisis de prdidas. Se

detallan los dedos, el busbar y la direccin de la corriente lateral de electrones
hacia los dedos de contacto.

respectivamente.
La Fig. 2 muestra el esquema de la clula unidad y los parmetros con los cuales de hace el anlisis.
Se dise la clula unidad en el programa Comsol de forma
parametrizada de tal forma que sus dimensiones varen al variar
los parmetros n y Wb.
El parmetro S (separacin entre dedos) se define como la
relacin entre la cantidad de dedos n y el largo de la clula, esto
es, S=A/n. Como la cantidad de dedos es un nmero entero,
S est discretizado y no puede tomar cualquier valor real. Para
salvar esta restriccin en la optimizacin y permitir que S tome
valores continuos, se impondr slo en la geometra que n sea
entero, y en particular la cantidad de dedos ser la funcin parte
entera de n, es decir, n=integerpart(n), permitiendo que n sea un

Fig. 4. Lneas de campo elctrico en azul y flujo de densidad de corriente en

rojo, resultantes en la clula unidad con grillas triangulares para la configuracin
de 4 clulas unidad.

nmero real. Esto har efectiva la optimizacin ya que permitir

que para un nmero entero de dedos, su separacin vare de
forma continua. En la Fig. 2 se presenta la distribucin de la tensin sobre la clula; el borne de salida se encuentra a la tensin
especificada en los datos de diseo, y se encuentra ubicado en
la seccin transversal superior del busbar. La Fig. 4 muestra las
lneas de campo elctrico (azul) y el flujo de corriente entrante
en los dedos y busbars (rojo); el flujo ingresa en los contactos
metlicos de forma perpendicular, siendo los dedos los que recolectan ms carga de la clula. Los resultados de la optimizacin
se muestran en la Tabla II.

y=A
S

S/2
Corriente lateral de electrones

Wb

Wd

y=0
x=0

Fig. 3. Distribucin de tensiones en la clula unidad con grillas triangulares para

la configuracin de 4 clulas unidad.

x=B-Wb x=B

Fig. 5. Detalle de la celda unidad sobre la cual se hace el anlisis de prdidas. Se

detallan los dedos, el busbar y la direccin de la corriente lateral de electrones
hacia los dedos de contacto.

energa

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Tabla II

Resultados de la optimizacin con 4 cifras significativas

Grilla rectangular

Mediante un procedimiento anlogo al anterior, se pueden

calcular las prdidas en la grilla rectangular. La Fig. 5 detalla la
clula unidad con contactos rectangulares sobre cul se hace el
anlisis. La Fig 6 muestra la distribucin de tensiones en la superficie de la clula unidad y la Fig. 7 las lneas de campo elctrico
(azul) y las lneas de flujo entrante en los dedos y busbars.
V

Diseo

Se disearon y compararon las grillas de contactos de una clula de silicio monocristalino de 10 cm x 10 cm, minimizando las
prdida de potencia. La celda entrega su mxima potencia a una

4 clulas unidad (A=10 cm; B=2.5 cm)

Fig. 6. Distribucin de tensiones en la clula unidad con grillas rectangulares
para la configuracin de 12 clulas unidad.

Dedos y busbars rectangulares

pdr

0.6116 % pdr

0.7018 %

pbr

4.590 % pbr

5.264 %

psr

1.566 % psr

1.523 %

pda

4.564 % pda

4.817 %

pba

5.677 % pba

6.251 %

ptotal

17.01 % ptotal

18.56 %

Pgen

1.120 W Pgen

1.100 W

Pperdida

0.2296 W Pperdida

0.2505 W

12 clulas unidad (A=5 cm; B=1.67 cm)

Dedos y busbars triangulares

2.891 mm S

2.887 mm

Wb

1.421 mm Wb

1.563 mm

3.215 mm S

3.193 mm

Wb

0.4698 mm Wb

0.5228 mm

N dedos totales
rea iluminada

N dedos totales
rea iluminada

140 N dedos totales

89.76 % rea iluminada

192 N dedos totales

92.80 % rea iluminada

140
88.93 %

192
92.35 %

pdr

0.3258 % pdr

0.3815 %

pbr

2.407 % pbr

2.825 %

psr

1.982 % psr

1.946 %

pda

4.383 % pda

4.505 %

pba

2.819 % pba

3.137 %

ptotal

11.92 % ptotal

12.80 %

Pgen

1.189 W Pgen

1.177 W

0.1609 W Pperdida

0.1727 W

Pperdida

tensin T=450mV y a una corriente J=30 mA/cm2. El semiconductor tipo n+ sobre el que debe aplicarse la grilla tiene una movilidad de electrones me=250 cm2/(V.s), un espesor de tc=6mm y
una concentracin de impurezas donadoras ND=1018cm-3. Tanto
los dedos triangulares como los rectangulares tiene un ancho
Wd=150 mm impuestos por el proceso de fabricacin. La resistividad de la metalizacin de los dedos y busbars es de 15 mW.cm,
siendo el espesor td= 42 mm y de los busbars tb=80 mm.
1

Fig. 7. Lneas de campo elctrico en azul y flujo de densidad de corriente en

rojo, resultantes en la clula unidad con grillas rectangulares para la configuracin
de 12 clulas unidad.

energa
f

Resolucin

Para resolver este ejercicio de

Pres
Ppt
T
optimizacin sobre la clula, se
la modela como una fuente de
corriente conectada a una resistencia en serie por la que circula J
una corriente J y entrega en su V
oat
borne de salida la tensin T. Este Fig. 8. Modelado de la clula solar
para la optimizacin de la grilla de
modelo se aclara con la Fig. 8.
El nodo flotante se dej para contactos.
lograr que la corriente que circula por la clula siempre est dada

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por J, de esta manera, se logra tambin que la potencia en la clula sea constante y en el punto de mxima potencia.
VI

Conclusiones

Se implement correctamente el mtodo de optimizacin por

grillas triangulares y por grillas rectangulares mediante elementos
finitos. Los resultados obtenidos estn a favor del uso de grillas
triangulares debido a que la potencia perdida total es menor que
con su contraparte rectangular. La potencia generada tambin es
mayor en el caso de grillas triangulares.
La diferencia de potencia generada con el diseo de grillas
triangulares para el caso de 4 clulas es del 1.82 % ms que en
el diseo rectangular. Para 12 clulas unidad, esta mejora en las
grillas triangulares es del 1.0 %.
Al analizar los datos de la Tabla 1I, vemos tambin que el
diseo con 12 clulas unidad es ms relevante que el diseo con
4 clulas unidad. La potencia generada total con la topologa de
grillas triangulares es del 6.2 % superior con el diseo de 12 clulas respecto al diseo de 4 clulas. En el caso de clulas rectangulares, el incremento en la potencia total generada en el diseo
de 12 clulas en relacin al de 4 clulas es del 7.0 %.
El rea de captacin de luz es superior en las grillas triangulares, siendo an mejor en le caso de 12 clulas unidad.

Referencias
[1] Wikipedia: http://es.wikipedia.org/wiki/M%C3%A9todo_de_
los_elementos_finitos
[2] M. Soldera, Apuntes de ctedra, 2014
[3] Introduction to the Optimization Module with COMSOL, Tutorial ExampleTopology Optimization, Part No.
CM021702, Mayo 2012.

energa
f