Electricidad y Electrnica

Corriente Continua
Mtodo de nudos
En primer lugar se asignan las corrientes hipotticas de cada rama y su sentido de
circulacin, que generalmente se elige positivo si sale del nudo y negativo si entra.
En el primer miembro de la ecuacin de cada nudo, figura la suma algebraica de las fuentes
de corriente unidas al nudo, positivas si entran y negativas si salen, ya que las hemos
traspuesto a otro miembro de la ecuacin.
En el segundo miembro se multiplica la tensin del nudo por la suma de todas las
conductancias situadas en las ramas que convergen en el nudo, conductancia de nudo, y se
resta el producto de la conductancia compartida con cada nudo contiguo por su
correspondiente tensin.
De esta manera se obtiene un sistema de tantas ecuaciones como nudos distintos de tierra,
con tantas incgnitas como tensiones de nudo distinto de tierra.
La solucin del sistema de ecuaciones, que se puede obtener por el mtodo que se considere
ms adecuado, nos permite calcular las tensiones de nudo en funcin de las corrientes de los
generadores y las conductancias de las distintas ramas.

Mtodo de mallas
En primer lugar se asignan las corrientes hipotticas de cada lazo y su sentido de circulacin,
que generalmente se elige para todos el de movimiento de las agujas del reloj. Si no se elige
para todos los lazos el mismo sentido cambia el signo de los trminos de la rama compartida.
En el primer miembro de la ecuacin de cada lazo, figura la suma algebraica de las fuentes de
tensin que se sitan en las ramas que componen el lazo, tomando como positivas las que
elevan la tensin en el sentido de la corriente de lazo y negativas las otras.
En el segundo miembro se multiplica la corriente de lazo por la suma de todas las resistencias
situadas en las ramas que componen al lazo, resistencia de lazo, y se resta el producto de
la(las) resistencia(s) compartida(s) por la corriente del lazo contiguo, lazo con el que se
comparte la rama comn.
De esta manera se obtiene un sistema de tantas ecuaciones como lazos con tantas incgnitas
como corrientes de lazo.
La solucin del sistema de ecuaciones, que se puede obtener por el mtodo que se considere
ms adecuado, nos permite calcular las corrientes de lazo en funcin de las tensiones de los
generadores y las resistencias en las distintas ramas. Este sistema sirve para cualquier
nmero de lazos, por tanto permite un anlisis general y sistematizado de redes.
Con los valores obtenidos para las corrientes de malla podemos calcular las corrientes de
rama. Si la rama es externa su corriente es la del lazo en el que est situada; si es rama
comn, la corriente es la diferencia entre las corrientes del lazo que comparten la rama. El
sentido de la corriente real ser el que corresponde a un valor positivo de la diferencia.

Una vez conocidas las corrientes de rama, las tensiones o potenciales entre nudos o
terminales se obtienen aplicando la ley de Ohm a la rama o elemento de rama que se
considere.

Corriente Variable. Fenmenos Transitorios

RL

d ( A ekt )
dI
kt
V =L + RI =[ I =A e ]= L
+ R ( A ekt ) =A ekt (kL+ R )
dt
dt
Para hallar k seusa la ecuacinhomognea V =L

dI
R
+ RI= A ekt (kL+ R )=0 k =
dt
L

Parala solucin particular se da a I el valor constante M :V 0=RM + L

V
dI
=RM ; M = 0
dt
R

La solucin general es la suma de la solucin de laecuacin homognea y la solucin particular :

kt

I =A e + M = A e

R
t
L

V0
R

Usandolas condiciones iniciales :

I ( )=M =

V0
R

I ( 0 )= A+ M = A+

V0
R

RC

( A ekt )
q
q
dq [
1
kt
V = + RI = + R = q=A e ] =
R ( Ak ekt )= A ekt Rk
C
C
dt
C
C

Para hallar k se usa la ecuacinhomognea V = A ekt

( C1 Rk )=0 k= RC1

Parala solucin particular se da a q el valor constante M :V 0=

M
dq M
+ R = ; M =C V 0
C
dt C

La solucin general es la suma de la solucin de laecuacin homognea y la solucin particular :

1

q= A ekt + M = A e RC +C V 0 i=

t
dq 1
=
A e RC
dt RC

Usandola condicin inicial: q ( 0 )= A + M =0 ; A=C V 0 ( Si el condensador est descargado )

q=C V 0 e

1
t
RC

t
V 0 RC t
1
+C V 0 i=
(C V 0 ) e RC =
e
RC
R

RLC

[ ]

dq
dt
d (uC )
d 2 ( uC )
dI q
dq
d2 q q
q
du
d2 u
V =RI + L + =
=R + L 2 + = u= =R
+L
+u=RC + LC 2 +u
dt C dI d 2 q
dt
C
dt
dt
dt C
dt2
dt
= 2
dt d t
I=

[ ]

0 =1/ LC

Frecuencia propia:

Tiempo de relajacin:

Si no se tienen elementos resistores, la solucin a la ecuacin diferencial es

u cos ( 0 t ) , y

=2 L/ R

I sen ( 0 t)

Si

0 >1

el circuito tiene un comportamiento oscilatorio amortiguado.

Si

0 <1

el circuito tiene un comportamiento sobreamortiguado en el que no hay

oscilacin.

Cuando

0 =1, R c =2 L/C=R , lo cual es imposible en la prctica, se est en

amortiguamiento crtico.

Corriente Alterna. Fenmenos Estacionarios

Autoinduccin : X L = jL
Resistencia compleja: Condensador : X C = 1
jC
Resistencia: R
Impedancia( Z)
Es la medida de oposicin que presenta un circuito a una corriente cuando se aplica un
voltaje. La impedancia extiende el concepto de resistencia a los circuitos de corriente
alterna (CA), y posee tanto magnitud y fase, a diferencia de la resistencia, que slo tiene
magnitud.
La impedancia puede representarse como la suma de una parte real y una parte imaginaria:

Z =R + j X

es la parte resistiva o real de la impedancia y

es la parte reactiva o imaginaria de la

impedancia. Dependiendo del valor de la reactancia, predominar el carcter capacitivo o

inductivo:

X e =I m( Z ) X e <0 Predomina condensador

X e >0 Predomina autoinduccin

A dmitancia(Y )
Es la facilidad que este ofrece al paso de la corriente. Fue Oliver Heaviside quien comenz a
emplear este trmino en diciembre de 1887. De acuerdo con su definicin, la admitancia
es la inversa de la impedancia,

Y =Z1=

1
Z

Potencia

Potencia activa: Es la potencia capaz de transformar la energa elctrica en o se disipa

en elementos resistivos. Al trmino

cos

se le llama factor de potencia.

2
2
1 2
2
P= V I cos =[ V = I |Z|] = I |Z| cos =I R e ( Z )= I R= I R
2

Potencia reactiva: Esta potencia no se consume ni se genera en el sentido estricto y en

circuitos lineales solo aparece cuando existen bobinas o condensadores. Es utilizada
para la formacin de los campos elctrico y magntico de los componentes de un
circuito, que fluctuar entre estos componentes y la fuente de energa. Por ende, es
toda aquella potencia desarrollada en circuitos inductivos.
La potencia reactiva tiene un valor medio nulo, por lo que no produce trabajo y se dice
que es una potencia desvatada (no produce vatios), se mide
en voltiamperios reactivos (var) y se designa con la letra

Q .

A partir de su expresin:
2

Q=VI sen =[ V = I |Z|] = I |Z| sen = I X= I (X L X C )

Potencia aparente: La potencia compleja de un circuito elctrico de corriente alterna, S,

es la suma vectorial de la potencia activa, P, y la potencia reactiva

Q . Esto significa

que la potencia aparente representa la potencia total desarrollada en un circuito con

Z . La relacin entre todas las potencias aludidas es

impedancia

S=P+ jQ
Esta potencia aparente,
potencia es la unidad

S , no es realmente la "til", salvo cuando el factor de

(cos =1) , y seala que la red de alimentacin de un circuito

no slo ha de satisfacer la energa consumida por los elementos resistivos, sino que
tambin ha de contarse con la que van a "almacenar" las bobinas y condensadores. Se
mide en voltiamperios (VA), aunque para aludir a grandes cantidades de potencia
aparente lo ms frecuente es utilizar como unidad de medida el kilovoltiamperio (kVA).

Anlisis de Redes
Teorema de Thvenin
Una red vista desde los terminales A-B puede sustituirse por un generador equivalente
dispuesto en serie con una impedancia equivalente

Zo

Vo

y la ecuacin que relaciona la

tensin en los terminales con la corriente que suministra a la carga es la ecuacin:

V =V o Z o I
Vo

es la tensin en los bornes AB cuando no existe carga, (la impedancia

Z L= ), es

decir, la tensin en bornes con el circuito abierto.

Zo

es la impedancia que se ve desde los bornes AB cuando se han cortocircuitado las

fuentes de tensin y dejado en circuito abierto las de corriente.

Teniendo en cuenta la ecuacin

V =V o Z o I

el valor de

Zo

se puede obtener

cortocircuitando los bornes A-B y midiendo la corriente que circula por dicho cortocircuito, ya
que en este caso

Zo=

V =0

y por tanto:

Vo
Ic

Los circuitos que tienen fuentes dependientes no se pueden tratar como los que tienen
fuentes independientes, dado que no podemos cortocircuitarlas o dejarlas en circuito abierto
porque sus valores dependen de lo que ocurre en otro punto del circuito. En este caso los
valores de la tensin y resistencia equivalente, se obtienen calculando la tensin de circuito

abierto en los terminales donde se conecta la carga

I C =I o . La resistencia equivalente ser

V AB=V o

y la corriente de cortocircuito

Ro=V o /I o .

Teorema de Norton
Una vez conocido

Zo , V o , I c

el teorema de Norton

establece que un dispositivo formado por una red con

fuentes e impedancias, menos la de carga, es
equivalente a una fuente independiente de corriente

I o en paralelo con la impedancia

I =I o

Zo .

V
Zo

Teorema de mximatransferencia de p otencia

El Teorema de mxima transferencia de potencia establece que la potencia mxima
entregada por un circuito se alcanza cuando la resistencia de carga es igual a la
resistencia equivalente del circuito o a la resistencia Thvenin o igual a la resistencia
de Norton.

Semiconductores
Semiconductor intrseco

Estructura cristalina sin tomos extraos.

Es aislante a 0 K.

Los

Si la temperatura es mayor a 0 K los tomos tienen energa trmica.

El enlace covalente se rompe se E. aplicada > E. gap. Al romper este enlace en una
estructura cristalina de enlaces covalentes se libera una carga negativa y una positiva
llamada hueco. La carga negativa es un electrn libre.

de valencia estn ligados por enlace covalente.

Portadores/ Huecos

Los semiconductores se caracterizan por concentracin de portadores (portadores/cm 3)

de electrones
{n=concentracin
p=concentracin de huecos

ni

depende del tipo de semiconductor y de su temperatura:

A=constante del material

T =temperatura(K )
E g=energa de gap del material
k B =constante de Boltzmann 8,62 105 eV / K

3
2

ni= AT e

E g
2 kT

Semiconductor extrnseco N

Es un semiconductor con impurezas donadoras con las que se forman enlaces

covalentes de 4 electrones en los que queda un electrn por la ley de Coulomb.
A diferencia del semiconductor intrnseco no se genera un hueco, sino que la impureza
se ioniza.
En el silicio a temperatura ambiente se considera que los electrones que no enlazan de
los tomos aadidos estn libres. Por tanto, estos tomos estn ionizados.
El n de portadores es el n de impurezas donadoras ms el n d enlaces covalentes
rotos:

n=N D + nr N D

Si la temperatura aumenta,

nr

tendera a ser

n(nr N D ) y el semiconductor

tendera a ser intrnseco.

Semiconductor extrnseco P

Es un semiconductor con impurezas aceptadoras que forman enlaces covalentes con 3

electrones quedando un enlace sin formar (hueco) y la impureza se ioniza
negativamente.
En este caso no se generan electrones libres sino que la conduccin se debe
principalmente a los huecos.
El n de portadores es el n de impurezas aceptadoras ms el n de enlaces rotos:

p=N A +nr N A

Al aumentar la temperatura ocurre los mismo que con los tipo N.

Ley de accin de masas

En un semiconductor en equilibrio se cumple esta ley:

np=n j

Corrientes en el semiconductor

Corriente de difusin: Est originada por la

diferencia de concentracin de portadores

dp
dx D :constante de difusinde h D :constante de difusinde e
p
n
dn
in =+qA Dn
dx

i p =qA D p

Corriente de arrastre: Est originada por la presencia de un campo elctrico. Las cargas
libres del semiconductor son atradas o repelidas segn su carga.

i=qA ( p p+ n n )
Eel =q p+ n conductividad
( p
n )

i=A Eel
+
,h

v p= p
Eel
=movilidad de e
v n=n
Eel n , p

Diodos de unin PN

El diodo ideal es un elemento de dos terminales denominados nodo y ctodo. Cuando

el diodo conduce, la corriente circula en el sentido de nodo a ctodo, sin cada de
tensin entre ambos terminales. Se dice que est polarizado en directa y equivale a un
cortocircuito. Cuando el nodo es negativo respecto al ctodo el diodo bloquea la
corriente y equivale a un circuito abierto. Se dice en este caso, que el diodo est
polarizado en inversa.
En general, un diodo se encuentra en el estado encendido si la corriente establecida
por las fuentes aplicadas es tal que su direccin concuerda con la de la flecha en el

V D 0,7 V

smbolo del diodo, y

para el silicio y

V D 0,3 V

para el germanio.

Modelo por tramos lineales( para gran seal)

El modelo del diodo por tramos lineales se puede expresar
mediante el circuito equivalente de la figura. Cuando la tensin
del nodo respecto al ctodo supera

el diodo ideal

conduce y equivale a un cortocircuito. Entonces la tensin del

nodo respecto al ctodo ser
tensin

vD

es inferior a

V d =V + I d R f . Cuando la
el diodo equivale a un circuito

abierto, impidiendo el paso por esta rama. Cuando

Rf

se aproxima a 0, y se toma

nula, el modelo por tramos lineales se reduce al modelo ideal.

Modelo de pequea seal

Se usa cuando la amplitud de la seal es pequea comparada con la polarizacin. La
resistencia dinmica de un diodo se define como la relacin incremental entre el voltaje
aplicado y la intensidad que circula por el diodo

rd =

dV
dI

I =I ( e
s

V
VT

I
1 dI
1) ; =
=
r dV V
s

e
T

V
V T

V T
V
1
I I s ) r d =
T
(
V T
I I s
I

Transistor Bipolar
Regiones de trabajo para transistores PNP


Parmetros

I C = I B

+1
1
=
1
=

I E =( +1 ) I B=I C + I B
gm=

gm

re=

r
V
1
= T=
1+ I E gm gm

Ic
=
VT r

|V A|

Ic
r o=
=
Ic
V CE

A v=

r =( 1+ ) r e =

( )

Donde

vo Ai RL
=
vi
Ren

V A Voltaje de Early

A i=

io
i en

V T =25 mV

a 20C

A p= A v Ai=

Polarizacin mediante divisor de voltaje

Para obtener el punto Q solamente es necesario obtener ICQ y VCEQ.
a

RTH =R 1 R2=

V TH =I R2 =

R 1 R2
R 1 + R2

V CC
R
R1 + R 2 2

Ai R L i o

Ren i en

V TH =I B RTH +V BE + I E R E

V TH =

I E=

IE
R +V +I R
TH BE E E

IE

( 1 R

TH

+ R E +V BE

V TH R E
V TH R E
V TH R E
=
=
1
1
RTH + R E
R1 R 2 ) + RE 1 R1 R 2 + R E
(

R1 + R 2

Modelo hbrido para pequea seal

Obsrvese que en este circuito

v BE=r i b por lo

que la fuente dependiente vale :

gm v be =gm r i b=

r i
r b

Los valores de las corrientes son:

i c =gm v be = i B

i b=

v be
r

i e =ib +i c =r e v be

ModeloT para pequea seal

Aunque el modelo hbrido se puede usar
para realizar un anlisis con pequea
seal de todos los circuitos con
transistores, hay situaciones en que un
modelo alternativo, como el modelo T, es
mucho ms conveniente. En este modelo
la impedancia de entrada de base,

Z (Base)

, es la misma que

modelo hbrido

Z (Base) =

en el

v be i e r e i b r e
=
=
= r e
ib
ib
ib

Amplificacin con BJT (emisor comn)

Los condensadores de acoplo y
desacoplo funcionan en el anlisis
en continua como un abierto. El
objetivo de este anlisis es obtener
la intensidad continua de emisor

I e que es necesaria para

calcular la resistencia interna de
alterna de la unin base-emisor

r e . Habiendo calculado esta resistencia se

pasa al anlisis en alterna en el que las fuentes
de continua y los condensadores de acoplo y
desacoplo se modelan como cortocircuitos. Con
el fin de determinar las caractersticas
fundamentales (resistencia de entrada, ganancia
de tensin y resistencia de salida) del montaje de
la figura, se sustituye el transistor por su modelo
(de pequea seal) hbrido en

, tal como se

aprecia en la figura de abajo. Una primera

observacin indica que el amplificador es
unilateral, de manera que

Rent =Ri , y que

Rsal =Ro .
Para hacer el anlisis del circuito procedemos desde la entrada hasta la salida, tal como sigue.
En primer lugar, en la entrada del amplificador se tiene:

Rent =Ri=R B Rib=R B r =

R B r
R B +r

La tensin en los terminales de entrada de la base es:

v i=i i Rent =

v seal
v seal
v seal
Rent =
( R B r ) [ R B r ]
r =v
R seal + Rent
R seal +r
R seal + ( R B r )

Para obtener la resistencia de salida, es necesario mirar hacia la terminal de salida con un
cortocircuito en la fuente de seal. Dicho cortocircuito hace que
de salida sea la combinacin en paralelo de

Rsal =r o R C=

ro y

v =0

y que la resistencia

R C , es decir:

ro R C
ro + R C

A la salida del amplificador se tiene:

v o =i o ( r o R C R L ) =g m v ( r o RC R L )
Av =

v o gm v ( r o R C R L )
r
=
=gm ( r o RC R L ) A v = c
vi
v
re

Para obtener la ganancia de voltaje en circuito abierto basta con hacer

A vo =gm (r o R C) A v =A vo

R L= , obteniendo

RL
R L+ ro

De estas ltimas expresiones se puede concluir que el efecto cualitativo de

algo la ganancia, ya que habitualmente

r o > RC . En caso de que

r o RC

ro

es reducir

se tiene:

A vo =gm R C
La ganancia de tensin global se obtiene de la siguiente forma:

Gv =

vo
v seal

g m v ( r o RC R L )
i i ( R B r + R seal )

gm ( RB r ) ( r o R C R L )
v
=RB r =
ii
( RB r + Rseal )

Amplificacin con BJT (base comn)

En la configuracin habitual del amplificador de base comn, el terminal de la base se
conecta a una tierra de seal, mientras que la seal de entrada se aplica en el emisor y la
salida se toma en el colector, de manera que la base es un terminal comn para los puertos
de entrada y salida. Por lo tanto, el amplificador de base comn no es un circuito muy til
como amplificador salvo para algunas aplicaciones muy especficas. Sin embargo, tiene una
aplicacin importante, que se denomina bfer de corriente, en la que recibe una corriente de
seal en la entrada con su baja resistencia de entrada, y la entrega prcticamente con el
mismo valor de corriente (ganancia unidad) en su salida de alta resistencia, lo que hace que a
la salida sea una fuente de corriente casi ideal.

Una inspeccin directa del circuito equivalente

nos indica que

Rent =r e . La ganancia de

voltaje se halla a travs de la relacin entre

vo

A v=

A v=

vi

de forma que se obtiene:

i e ( RC R L )
v o i o ( R C R L )
=
=[ i o= i e ] =
vi
i e r e
i e r e
gm v ( R C R L )
i e r e

=[ v e =i e r e ] =

gm v ( RC R L )
ve

= [ v =v e ? ] =g m ( RC R L )

Tambin por inspeccin se determina la

resistencia de salida como

Rsal =RC

al igual

que en el caso del amplificador de emisor

comn. Tambin se puede ver que este
circuito equivalente es unilateral, de manera
que

Rent =Ri ; R sal =Ro .

La ganancia global de tensin es:

Gv =

vo
v seal

g m v ( RC R L )
i e ( R seal +r e )

( R C R L )
( RC R L )

= v =v e ? =g m r e
= re=
=
g m la resistencia
v e /i e =r e
( Rseal +rSee ) ha omitido
( R seal +r e ) de salida del

amplificador,

r o , dado que complica mucho el

anlisis y, en general su efecto es muy pequeo.

Amplificacin con BJT (colector comn)

El amplificador de colector comn es la

ltima de las configuraciones bsicas, y una
de las ms importantes por sus mltiples
aplicaciones, tanto en amplificadores de
pequea como de gran seal y, tambin, en
circuitos digitales. Se le suele denominar
tambin como circuito seguidor de emisor. En
este circuito, dado que el colector est

Obsrvese que la resistencia de salida del amplificador,

r o , ha

sido situada fuera del modelo en T para facilitar el anlisis de

las resistencias de entrada y salida.

conectado a una tierra de seal se puede eliminar la resistencia del colector,

RC . Tambin

en este caso se utilizan condensadores de acoplamiento para la entrada en la base y la salida

en el emisor.
Es importante reconocer que el circuito de colector comn no es unilateral, puesto que
influye en

Rent

Rse

influye en

RL

Rsal . Para calcular las resistencias de entradas y de

salida utilizaremos la propiedad de que, mirando desde la base, las resistencias en el emisor
se pueden sustituir por resistencias reflejadas de valor

+ 1 veces mayor1, por lo tanto:

Rib =( +1 ) [ r e +(r o R L ) ]
La ganancia de tensin global se puede calcular de forma sencilla a partir del circuito
equivalente simplificado que se muestra en la siguiente figura. Se han sustituido las
resistencias del emisor por sus resistencias reflejadas en la base y la parte del circuito
compuesta por la fuente de seal, su resistencia interna y la resistencia de la base por su
equivalente Thvenin visto desde

v b . Esta tensin y resistencia equivalente tienen los

valores:

v Th
seal=i b R B =

v seal
R
R seal + R B B

1 La multiplicacin de la resistencia total en el emisor por el factor

denomina a veces regla resistencia-reflector.

+ 1

, cuando se la mira desde la base, se

Th

Rseal =R B R seal
La resistencia de entrada es:

Rent =RB Rib =R B ( ( +1 ) [ r e +(r o R L ) ])

La tensin de entrada ser la cada que hay
entre

v i=

v Th
seal

( + 1 ) r e :

R ib
R +R
v seal ; v seal = seal ib v i
R seal + Rib
Rib

La tensin de salida ser la cada que hay entre

divisor de tensin en el que

vo =

vi

re

es la cada desde

y tierra que se puede poner como un

re

hasta tierra:

r o R L
v
r R L
vi A v= o = o
r o R L +r e
v i r o R L +r e

La ganancia global de tensin

r o R L
v
vo
r o R L +r e i
r R L
R ib
r R L
r e +(r o R L )
Gv =
=
= o

=[ Rib=r e + ( r o RL ) ]= o

v seal
Rseal + R ib
r o R L + r e Rseal + Rib
r o RL +r e R seal +r e +( r o R L )
vi
Rib
Esta ganancia es siempre menor que la unidad, pero para los casos ms habituales, en que

RB R se al y

r e + ( r o||R L ) ] (Rseal R B)
su valor es prcticamente 1, de manera que la
( +1)

tensin de salida es prcticamente igual que la tensin de entrada; por esto es por lo que se
le denomina seguidor de emisor.

Retroalimentacin negativa
La retroalimentacin negativa es la solucin a 3
problemas:
La tensin interna a la salida depende de la
impedancia de entrada (

re

depende de la T)

Distorsin en la corriente de emisor

Inestabilidad de la ganancia en voltaje

Una alternativa en la configuracin de emisor comn

que da solucin a estos problemas consiste en dejar
parte de la resistencia de emisor sin desacoplar. A la
resistencia de emisor sin desacoplar la nombramos como
retroalimentacin negativa) y a la desacoplada como

R E 1 (llamada resistencia de

R E 2 . Al hacer el anlisis en corriente

I E , la resistencia

continua para calcular la corriente de emisor

Pasando luego al anlisis en alterna la ganancia ser

A v =r c / ( r e + R E 1 )

condensadores de acoplo se modelan como cortocircuitos. Si

Av

con la temperatura deja de ser significativa y

R E ser

R E 1+ R E 2 .

ya que los

R E 1>10 r e la variacin de

re

es ms estable.

Otra forma de calcular la ganancia en esta

A v =v o / vi

configuracin es haciendo uso de

usando el modelo equivalente T. Se aprecia que

RC

R L estn en paralelo,

r c =RC R L ,

as que como la tensin de salida es la de cada

una de estas resistencias,

v o =( RC RL )i c =r c i c . La resistencia de
entrada es una combinacin de
potencial que
en

Av

A v=

R1

r e + RE 1 . Por tanto,

R2

en paralelo,

r i=R1 R 2 que est al mismo

R1|R 2) =i c ( r e + RE 1)
. Finalmente, aplicando
v i=i i

vo

vi

vo
r c ic
rc
=
=
v i ic ( r e+ R E 1 ) r e+ R E 1

La impedancia entrada de la base es :

v ic ( r e + R E 1 )
Z = i =
= ( r e +R E 1 )
ib
ic

Respuestaen frecuencia
Usando fasores en un circuito de corriente alterna, se realiza el cociente
frecuencia de corte se define como

quedando como

1
0

V o /V i . La

y se sustituye por el factor que multiplica a

0 . Por tanto:

V o /V i=G ( ) G ( )=|G ( )|

Transistor de Efecto Campo

La polarizacin de estos transistores es similar a la de los BJT. El punto de trabajo viene
caracterizado por

ID

V DS .

Regionesde funcionamiento
1
W
Regin de saturacin :I D= k 'n
V GSV t )2 ( 1+ V DS ) Modulacin de longitud de canal
(
2
L

( )

Regin de triodo hmica :I D=k 'n

( WL ) ( V

GS

1
V t ) V DS V 2DS
2
NMOS

Condicin

Zona de funcionamiento

V GS V T > 0

I D =I S=0

Corte:

V DS > 0

Modelo equivalente

til en commutacin

V GS V T > 0

I D =k ( V GSV T )2

Saturacin:

V DS V GSV T

til en aplicaciones analgicas

V GS V T > 0

hmica:

r DS=

1
k ( V GSV T )

til en commutacin y

0 V DS V GS V T

como resistencia variable

PMOS

Condicin

Zona de funcionamiento

V SG V T >0
Corte:

V DS > 0

Modelo equivalente

I D =I S=0

til en commutacin

V SG V T >0

Saturacin:

V DS V SGV T

I D =k ( V GSV T )2

til en aplicaciones analgicas

V SG V T >0

hmica:

r DS=

1
k ( V GSV T )

til en commutacin y

0 V SD V SGV T

Parmetros

gm=

como resistencia variable

[ ( )

] ( )

id
W
' W
= i d=k 'n
( V GS V t ) v gs =k n L ( V GS V t ) (transconductancia)
v gs
L

A v=

ro

|V A|
ID

vd
=R o i d =g m R D ( gananciade voltaje )
v gs

v D=V D + v d

1
,donde V A= es un parmetro de MOSFET que est especificado o se puede medir

Modelo de pequea seal

Ganancia v d =g R r
m ( D|| o )
de voltaje v gs
Ntese que el circuito equivalente de la figura es idntico
al modelo hbrido
MOSFET

r =

del BJT, excepto que para el

porque la corriente de compuerta es 0.

ModeloT para pequea seal

El modelo muestra que la resistencia
entre compuerta y fuente mirando
hacia la fuente es

1/g m . Esta

observacin y el modelo T resultan

tiles en algunas aplicaciones.
Ntese que la resistencia entre
compuerta y fuente, mirando hacia
la compuerta, es infinita. Si se desea
incluir la resistencia

r o , sta

estar colocada entre dren y fuente.

Finalmente, debe observarse la
similitud del modelo T MOSFET con el
mismo modelo del BJT.

Amplificador Operacional

Amplificador inversor:

Amplificador no inversor:

Espejo de tensin: Significa que el

terminal inversor y el no inversor estn al
mismo potencial. Se da cuando hay
retroalimentacin negativa.

Funcin de transferencia:

v0 =

Retroalimentacin negativa: Esto

ocurre si hay algn elemento pasivo
que conecte la salida con el terminal
inversor.

R F
R
v 1 F v 2
R1
R2

La impedancia de entrada de un amplificador operacional ideal, es infinita y por tanto,

no hay intensidad en sus terminales.
Seguidor de tensin: Es un amplificador de esta forma. Como

R = , no hay corriente y no hay cada de tensin desde la

fuente al terminal de entrada. Hay retroalimentacin negativa
porque el terminal inversor est conectado directamente
salida.

tensin:

Ganancia de

A v=

V0
Vi

Ganancia de potencia:

a la

Ganancia de
corriente:

A i=

I0
Ii

A p= A v Ai
+

Amplificador operacional real: Se aaden dos fuente de tensin

B
I

B
I

dirigidas

hacia los terminales del amplificador.

Corriente de polarizacin de entrada: Es la corriente promedio de la suma de las

magnitudes de las corrientes de los terminales del amplificador operacional:

B+
I

B
I

I B=

Corriente de desnivel de entrada: Es la diferencia de las magnitudes de las corrientes

de los terminales del amplificador operacional:

B+
I

B
I

I DS=